JP6451030B2 - 成膜装置 - Google Patents

Description

本発明はワークの表面に薄膜を均一に形成可能な成膜装置に関する。

基板を搬送しながら、薄膜を形成する成膜装置が知られている。例えば特許文献１のスパッタリング装置は、基板を載置したトレーを移動させながらスパッタすることにより基板に薄膜を形成するスパッタ装置を開示している。また、特許文献２のスパッタリング装置は、ドラムの側面に基板を配置し、ドラムを回転させながら基板上に薄膜を形成する。

特開２００６−８３４０４号公報 特開昭６２−２８４０７６号公報

特許文献１及び２に開示されているスパッタリング装置はいずれも薄板状の基板の主面に薄膜を形成する成膜装置である。一方、薄膜を形成する対象（ワーク）は薄板状のものに限定されず、柱状、筒状、球形状等、様々な立体形状を有する。特許文献１及び２に開示されているスパッタリング装置は、このような立体形状のワークの表面に均一に薄膜を形成することはできない。

本発明は以上に鑑みてなされたものであり物体の表面に薄膜を均一に形成するための成膜装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の成膜装置は、
回転軸を中心に回転可能に支持され、処理対象のワークを前記回転軸上に保持する固定部を備え、外周面にＮ極とＳ極が交互に着磁された第１の回転体と、
前記第１の回転体を搭載するキャリアと、
前記キャリアを成膜室内で前記回転軸の伸びる方向に移動させる第１の駆動部と、
外周面にＮ極とＳ極が交互に着磁され、前記第１の回転体の回転軸と平行な回転軸を中心に回転する第２の回転体であって、前記キャリアの移動方向に渡って伸びて前記成膜室内に固定された第２の回転体と、
前記第２の回転体を回転させ、磁力により前記第１の回転体を回転させて、前記固定部に保持されている前記ワークを自転させる第２の駆動部と、
前記ワークが、前記第１の回転体により回転されるとともに前記キャリアの移動する方向に搬送される間に、前記ワークの表面に成膜処理を施す成膜処理部と、
を備える、ことを特徴とする。

例えば、前記第１の回転体と前記第２の回転体との間に配置され、外周面にＮ極とＳ極が交互に着磁された第３の回転体を、更に備え、前記第２の駆動部により前記第２の回転体が回転されることにより、前記第３の回転体を介して前記第１の回転体が非接触で回転される、ように構成してもよい。

例えば、前記第２の駆動部を制御することにより前記第１の回転体の回転速度を制御し、前記第１の駆動部を制御することにより前記キャリアの移動方向と移動速度との少なくとも一方を制御する制御部を、更に備えるように構成してもよい。
前記制御部は、前記第１の駆動部を制御することにより前記キャリアの移動方向又は移動速度を制御する制御とは別に、前記第２の駆動部を制御することにより前記第２の回転体の回転速度を独立して制御する、ように構成してもよい。

例えば、前記成膜装置は、ターゲットを備え、前記制御部は、前記第２の駆動部を制御することにより、前記成膜処理の間に、前記第１の回転体を少なくとも１回回転させることにより、前記ワークの外周面を前記ターゲットに対向させ、前記第１の駆動部を制御することにより、前記成膜処理の間に、前記キャリアを少なくとも１往復移動させる、ように構成してもよい。

例えば、前記制御部は、前記成膜処理が施されるワーク別に処理手順を規定するレシピを記憶しており、前記ワークに対応するレシピに従って、前記第１の駆動部と前記第２の駆動部を制御する。

例えば、前記成膜処理部は、前記成膜室内における前記第１の回転体の移動方向に沿って複数配置される。

本発明によれば、立体的外形形状を有する物体の表面に薄膜を均一に形成することができる。

本発明の実施の形態１に係る成膜装置の、内部を透視した平面図である。 実施の形態１に係る成膜装置の内部を透視した正面図であり、図１のＡ−Ａ’線での断面に相当する。 実施の形態１に係る成膜装置の内部を透視した斜視図である。 キャリアの構成を説明するための図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は、図４（ａ）のＣ−Ｃ’線断面図、（ｃ）は、底面図である。 駆動用着磁回転体から中間着磁回転体を介して従動着磁回転体に回転動力が伝達される様子を説明するための図であり、図１のＢ−Ｂ’線での断面に相当する。 コントローラに記憶されるレシピの一例を示す図である。 本発明の実施の形態２に係る成膜装置の平面図である。 実施の形態２に係る成膜装置の正面図である。 実施の形態２に係る成膜装置の内部を透視した斜視図である。 実施の形態２に係る成膜装置のキャリアの構成を説明するための図である。 実施の形態１及び２の変形例に係る成膜装置のキャリアの構成を説明するための図である。

本発明の実施形態に係る成膜装置と成膜方法を、スパッタリング装置とスパッタリング方法を例に図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
実施形態１に係る成膜装置１を図１〜図６を参照しながら説明する。

図１〜図３に示すように、実施の形態１に係る成膜装置１は、成膜処理を行う成膜室１００と、処理対象のワーク１０を搬入及び搬出するための仕込室２００と、ワーク１０を保持して成膜室１００内を移動するキャリア３００と、を備える。
なお、以下の説明では、理解を容易にするため、成膜室１００の長手方向（奥行き方向）をＸ軸方向、幅方向をＹ軸方向、高さ方向をＺ軸方向とするＸＹＺ座標を設定し、適宜参照する。

成膜室１００と仕込室２００とは、それぞれほぼ直方体状に形成された真空槽から構成されており、仕切バルブ３０を介して相互に接続されている。なお、図１〜図３では、成膜室１００と仕込室２００とを外形線のみ記載し、内部を透視した状態で示している。

成膜室１００には、バルブ１１１が配置された排気路１１０の一端部が接続されている。排気路１１０の他端部は真空ポンプなどの排気手段（不図示）に接続されている。

成膜室１００の一方の側壁部には、成膜原材料であるターゲットＡ１３１ａとターゲットＢ１３１ｂをそれぞれ保持するスパッタカソード１３０ａ、１３０ｂが配置されている。実施の形態１では、ターゲットＡ１３１ａとターゲットＢ１３１ｂに異種の金属材料を用いるものとするが、同種ターゲットや誘電体ターゲットを用いてもよく、材料は適宜選択すればよい。スパッタカソード１３０ａと１３０ｂは、切替器（スイッチ）１５０を介して直流電源１４０の負極端子に接続されている。切替器１５０のスイッチングにより、スパッタカソード１３０ａ又は１３０ｂに負電圧が印加され、保持されているターゲットＡ１３１ａ又はターゲットＢ１３１ｂにも負電圧が印加される。

成膜室１００には、アルゴンなどのスパッタガスを導入するガス導入路１２０の一端部が接続されている。ガス導入路１２０には、バルブ１２１が配置されている。

また、成膜室１００には、他方の側壁部に沿って、駆動用着磁回転体１６０が配置されている。駆動用着磁回転体１６０は、図５に示すように、複数極に着磁されている。駆動用着磁回転体１６０は、Ｘ軸に沿って延びる回転軸を中心に回転可能に支持されている。駆動用着磁回転体１６０には、成膜室１００の外部に配置されたモータ等の駆動部１７０から動力伝達機構１７１を介して回転力が伝達され、回転軸を中心として回転する。

一方、仕込室２００は、ワーク１０を搬入・搬出するための搬入扉４０を備える。搬入扉４０は、バルブなどから構成され、仕込室２００を気密閉鎖可能である。また、仕込室２００には、バルブ２１１が配置された排気路２１０の一端部が接続されている。排気路２１０の他端部は真空ポンプなどの排気手段（不図示）に接続されている。

成膜室１００と仕込室２００の内底面部には、Ｘ軸方向に複数の平歯車３４０が配列されている。

各平歯車３４０は、Ｙ軸方向に延在する回転軸を中心に双方向に回転可能に支持されている。また、各平歯車３４０には、成膜室１００及び仕込室２００の外部に配置されたモータ等の駆動部３４１から、ギア列等の動力伝達機構３４２を介して回転力が伝達される。

キャリア３００は、図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、その上面に、従動着磁回転体３２０と中間着磁回転体３３０とを備える。従動着磁回転体３２０と中間着磁回転体３３０とは、図示せぬ支持機構により、Ｘ軸方向に延在する回転軸を中心に回動可能に支持されている。従動着磁回転体３２０には、従動着磁回転体３２０の回転軸上にワーク１０を固定するためのワーク固定部３２１を備える。ワーク１０を固定・保持するための手段は任意である。例えば、ワーク１０に存在する窪みあるいは穴に嵌合する嵌合部を配置してもよく、ワーク１０を把持する把持部を配置してもよい。ワーク固定部３２１に固定されたワーク１０は、従動着磁回転体３２０と同軸を自転軸として回転（自転）する。この自転軸は、Ｘ軸と平行であり、ターゲット１３１ａ、１３１ｂの表面ともほぼ並行である。

従動着磁回転体３２０と中間着磁回転体３３０とは、図５に示すように、周方向に、複数極に着磁されている。キャリア３００が成膜室１００に収容された状態では、駆動用着磁回転体１６０と中間着磁回転体３３０と従動着磁回転体３２０とは図５に示すように、互いに隣接して並び、駆動用着磁回転体１６０の回転が中間着磁回転体３３０を介して従動着磁回転体３２０を非接触で回転させ、それにより、ワーク１０を回転させる。

駆動用着磁回転体１６０は、中間着磁回転体３３０及び従動着磁回転体３２０よりもＸ軸方向に長く形成されており、キャリア３００が成膜室１００内で移動しても、駆動用着磁回転体１６０と中間着磁回転体３３０とは、隣接した状態を維持する。従って、キャリア３００の成膜室１００内での位置にかかわらず、駆動用着磁回転体１６０を回転させることにより、ワーク１０を回転させることが可能である。

図４（ａ）〜（ｃ）に示すように、キャリア３００の下面には、平歯車３４０と歯合するラック３４３と、４つの車輪３５０とが配置されている。車輪３５０は、キャリア３００のラック３４３と平歯車３４０とが適切に歯合するように、その外径が設定されている。

図１に示すコントローラ２０は、プロセッサ、メモリ等から構成され、メモリにこの成膜装置１の制御プログラムを記憶している。コントローラ２０は、この制御プログラムに従って、成膜装置１全体を制御する。

より具体的に説明すると、コントローラ２０は、図１に示す駆動部１７０を制御して、駆動用着磁回転体１６０を回転させ、これにより、中間着磁回転体３３０と従動着磁回転体３２０を順次回転させる。従動着磁回転体３２０の回転に伴い、ワーク固定部（支持部）３２１に固定（支持）されているワーク１０が回転（自転）する。ワーク１０が１回自転する間に、ワーク１０の外面は少なくとも１回、ターゲットＡ１３１ａ又はターゲットＢ１３１ｂ（堆積対象原子の飛来方向）に対向することになる。

また、コントローラ２０は、図２に示す駆動部３４１を制御して、複数の平歯車３４０を順方向又は逆方向に同期して回転させる。平歯車３４０の回転により、平歯車３４０と歯合しているラック３４３がＸ軸方向に移動する。これにより、キャリア３００が成膜室１００及び仕込室２００内、Ｘ軸方向に移動する。また、コントローラ２０は、切替器１５０を制御し、スパッタカソード１３０ａ又は１３０ｂに負電圧を印加する。

コントローラ２０は、バルブ１２１の開閉を制御し、成膜室１００にスパッタガス（例えばアルゴンガス）を導入する。これにより、負電圧が印加されているターゲットＡ１３１ａ又はターゲットＢ１３１ｂに、スパッタ粒子が衝突し、ターゲットＡ１３１ａ又はターゲットＢ１３１ｂの原子が弾き飛ばされ、ワーク１０に堆積する。

コントローラ２０は、さらに、図示せぬ真空ポンプ及びバルブ１１１、２１１を制御し、成膜室１００及び仕込室２００の真空度を制御する。
また、コントローラ２０は、仕切バルブ３０を開くことで、成膜室１００と仕込室２００とを連通させて、キャリア３００の通行を可能とし、仕切バルブ３０を閉じることで、成膜室１００と仕込室２００を気密に分離する。

また、コントローラ２０は、仕込室２００の搬入扉４０の開閉を制御する。

コントローラ２０は、以上の個々の制御動作を組み合わせた、ワーク別の所定工程（レシピ）を記憶しており、このレシピに沿って全体を制御する。

本実施形態では、コントローラ２０は、ワーク１０の表面にＡ膜を成膜する際、ターゲットＡ１３１ａの近傍でワーク１０を＋Ｘ軸方向と−Ｘ軸方向に交互に移動しつつ、ワーク１０を回転させる。同様に、コントローラ２０は、ワーク１０の表面にＢ膜を成膜する際、ワーク１０をターゲットＢ１３１ｂの近傍で＋Ｘ軸方向と−Ｘ軸方向に交互に移動しつつ、ワーク１０を回転させる。これにより、ムラの無い均一な多層膜をワーク１０のほぼ全面に成膜することが可能となる。

このような制御を行うため、コントローラ２０の記憶部には、図６に例示するように、ワーク別・ターゲット別に、成膜条件（成膜室１００内の真空度（気圧）Ｖ、キャリア３００の移動速度Ｍ、キャリア３００の移動距離Ｌ、駆動用着磁回転体１６０の回転速度ω、成膜時間Ｔ等）が、予め登録されている。

なお、真空度（気圧）Ｖ、キャリア３００の移動速度Ｍ、キャリア３００の移動距離Ｌ、駆動用着磁回転体１６０の回転速度ω等は、ターゲットＡ１３１ａ又はターゲットＢ１３１ｂに対するキャリア３００の相対位置に応じて変動するよう定義されてもよい。あるいは、成膜時間Ｔの間に変動するように定義されてもよい。例えば、ターゲットＡ１３１ａ又はターゲットＢ１３１ｂにワーク１０が対面する位置で、回転速度ωを加速するように定義されてもよい。本実施形態により、パーティクルの発生を抑止しながら、成膜条件を自在に変更できるようになった。また、回転速度ωは、成膜時間Ｔの間にワーク１０が少なくとも１回以上自転するように設定される（ワーク１０の全外周面に成膜する場合等）。ただし、ワークの片面のみに成膜するような場合には、成膜時間Ｔの間に半回転するような回転速度ω、あるいは、回転速度０でもよい。また、移動速度Ｍと移動距離Ｌは、成膜時間Ｔの間にキャリア３００が少なくとも１往復以上する値に設定する。回転速度ω及び移動速度Ｍは高速であるほど膜厚分布均一化の効果があり望ましいが、それぞれ成膜条件に合わせて自由に設定すればよい。

次に、以上のように構成された成膜装置１の成膜動作について説明する。
なお、以下の一連の処理は、コントローラ２０の制御により実行されるが、理解を容易にするため、コントローラ２０への逐一の言及は行わない。

まず、処理対象のワーク１０をキャリア３００の従動着磁回転体３２０のワーク固定部３２１に装着する。並行して、仕切バルブ３０を閉じ、バルブ１１１を開き、真空ポンプを駆動し、成膜室１００を所定の真空度に達するまで真空引きを行う。また、搬入扉４０を開き、ワーク１０を設置したキャリア３００を仕込室２００に載置する。この際、ラック３４３と平歯車３４０とが歯合するように、キャリア３００を配置する。続いて、搬入扉４０を閉じる。

続いて、バルブ２１１を開き、真空ポンプを駆動し、仕込室２００を成膜室１００と同程度の真空度に達するまで真空引きを行う。続いて、仕切バルブ３０を開き、駆動部３４１を制御して、平歯車３４０を回転させ、キャリア３００をターゲットＡ１３１ａの近傍まで搬送する。続いて、仕切バルブ３０を閉じる。

続いて、バルブ１２１を開放し、スパッタガス導入管１２０を介して成膜室１００内にアルゴンガスを導入する。

次に、切替器１５０を制御して直流電源１４０の負電極とスパッタカソード１３０ａとを接続し、ターゲットＡ１３１ａに負電圧を印加する。これにより、成膜室１００内に流入したアルゴンガスの一部がイオン化され、アルゴンイオンＡｒ＋がターゲットＡ１３１ａに衝突し、ターゲット原子が飛散し、その一部がワーク１０の表面に堆積する。

一方、コントローラ２０は、このスパッタリングの間、記憶部に記憶している図６のレシピに従って、駆動部３４１と駆動部１７０を制御する。即ち、コントローラ２０は、キャリア３００を、速度Ｍａで距離Ｌａ移動する度に移動方向を反転させてＸ軸方向に往復運動させる制御を行う。また、コントローラ２０は、駆動用着磁回転体１６０を回転速度ωａで回転させる。駆動用着磁回転体１６０の回転により、図５に示すように、中間着磁回転体３３０と従動着磁回転体３２０が回転する。これにより、従動着磁回転体３２０の回転により、ワーク固定部３２１に固定されているワーク１０も回転速度ωａで回転（自転）する。

コントローラ２０は、こうして、ワーク１０をＸ軸方向に往復させつつ、ワーク１０をＸ軸周りに回転させつつ、ターゲット１３１からのターゲット原子をワーク１０の表面に堆積する。このため、スパッタリング時間Ｔａの間に、ワーク１０の外表面は、自転により、１又は複数回ターゲットＡ１３１ａ（堆積対象原子の飛来方向）に対向する。このため、ワーク１０上で、ターゲットＡ１３１ａに対して影になる部分がほとんどなくなる。また、ワーク１０は、ターゲットＡ１３１ａの前を１又は複数回往復する。このため、電界分布のムラなどにより、ターゲットＡ１３１ａからの原子の放出にムラがあったとしても、ワーク１０にはほぼ均一な原子が供給される。従って、ワーク１０の表面のほぼ全体（ワーク固定部３２１により隠れている部分等を除く）には、ムラの無い均一な薄膜が成膜される。

コントローラ２０は、Ａ薄膜の形成をＴａ秒継続すると、切替器１５０を制御して、スパッタカソード１３０ａへの負電圧の印加を停止し、また、駆動部１７０を制御して、駆動用着磁回転体１６０の回転を停止する。続いて、コントローラは、駆動部３４１を制御して、平歯車３４０を回転させ、キャリア３００をターゲットＢ１３１ｂの近傍まで移動させる。

次に、切替器１５０を制御して直流電源１４０の負電極とスパッタカソード１３０ｂとを接続し、ターゲットＢ１３１ｂに負電圧を印加する。これにより、アルゴンイオンＡｒ＋がターゲットＢ１３１ｂに衝突し、ターゲット原子が飛散し、その一部がワーク１０の表面に堆積する。

コントローラ２０は、このスパッタリングの間、記憶している図６のレシピに従って、キャリア３００を、速度Ｍｂで距離Ｌｂ移動する度に移動方向を反転させてＸ軸方向に往復運動させ、また、駆動用着磁回転体１６０を回転速度ωｂで回転させることにより、ワーク１０を回転速度ωｂで回転させる。これにより、ワーク１０の表面に、ムラの無い均一な薄膜が成膜される。

コントローラ２０は、Ｂ薄膜の形成をＴｂ秒継続すると、切替器１５０を制御して、スパッタカソード１３０ａへの負電圧の印加を停止し、また、駆動部１７０を制御して、駆動用着磁回転体１６０の回転を停止する。

続いて、仕切バルブ３０を開き、平歯車３４０を回転させてキャリア３００を仕込室２００に移動し、仕切バルブ３０を閉じる。続いて、バルブ２１１を開いて、仕込室２００内を常圧に戻し、搬入扉４０を開いて、キャリア３００を搬出する。

以上で１ワーク分の成膜処理が終了する。

以上説明したように、本実施の形態に係る成膜装置１によれば、ワーク１０をＸ軸方向に往復運動をさせ且つＸ軸周りに回転させながら、スパッタリングを行うことができる。このため、立体形状のワーク１０の表面にムラのない膜を形成することができる。さらに、往復運動の速度Ｖ及び距離Ｌと、回転速度ωとを個別に制御することができる。さらに、ワークの種類に応じて、予め、速度Ｖ及び距離Ｌと回転速度ωとを設定しておけば、任意の組み合わせが可能となる。

なお、駆動用着磁回転体１６０、中間着磁回転体３３０，従動着磁回転体３２０を平歯車で構成することも可能である。ただし、この場合、キャリア３００のＸ軸方向の移動に伴って駆動用の平歯車の歯と中間平歯車の歯とが擦れあって、パーティクルが発生しやすくなってしまう。一方で、回転機構全体を着磁回転体で構成すると、パーティクルの発生は抑えられるが、構成が複雑でコストも大きくなってしまう。本実施形態では、パーティクルのもっとも発生しやすい部分に、非接触で回転力を伝達できる着磁回転体を使用することで、パーティクルの発生を抑えつつ、コストの上昇を抑えている。

（実施の形態２）
なお、この発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施の形態においては、キャリア３００にラック３４３を配置し、成膜室１００と仕込室２００の底面に平歯車３４０を配列し、これを駆動したが、逆でもよい。例えば、図７〜図１０に示すように、キャリア３００に駆動用の平歯車３４０を配置し、成膜室１００と仕込室２００の底面にラック３４３を配置してもよい。この場合、駆動部３４１をキャリア３００に配置し、平歯車３４０を駆動する。また、駆動部３４１への駆動電力の供給は、例えば、成膜室１００と仕込室２００の底面にプリント配線３５１を形成し、タイヤ３５０を導電性樹脂等で構成し、コントローラ２０→配線３５１→導電性のタイヤ３５０→駆動部３４１→タイヤ３５０→配線３５１→コントローラ２０という信号経路を形成するようにすればよい。

上記の実施の形態１または２において、図１１に示すように、ワーク固定部３２１を軸状とし、一端をワーク１０の回転軸に挿通させ、他端を従動着磁回転体３２０の回転軸に差し込むような構成としてもよい。例えば、キャリア３００に搭載されたワーク１０の先端面（図１１のＷ側の面）がターゲットＡ１３１ａの近傍に進入する直前でキャリア３００の移動速度Ｍを減速することにより、ワーク１０の先端面に成膜を実施することができる。そして、Ａ薄膜の形成をＴａ秒継続後、キャリア３００を、ワーク１０の他端面（図１１のＷ’側の面）がターゲットＡ１３１ａの近傍から離れる直前の位置まで移動速度Ｍで移動させ、その後、キャリア３００の移動速度Ｍを減速することにより、ワーク１０の他端面にも成膜を実施することができる。このように、図１１に示す成膜装置によれば、ワーク１０の全面に成膜を実施することができ、当該成膜実施後の次工程でのメッキ作業等を有効に行うことができる。

また、上記の実施の形態１または２において、図６に示すレシピに、放電条件として直流電源１４０の印可電圧、スパッタガスの流量、及びスパッタガスの濃度等を追加してもよい。

上記の実施形態において、成膜方式にスパッタリング方式を採用したが、真空蒸着法やＣＶＤ法を採用してもよい。例えば真空蒸着法を採用する場合、スパッタカソード１３０ａ，１３０ｂとターゲット１３１ａ、１３１ｂに代えて、蒸発材料及び蒸発源等が配置される。また、ＣＶＤ法を採用する場合、所定のガスを導入するガス導入系と、導入されたガスに熱やプラズマ等のエネルギーを与えるエネルギー供給系等から成膜部は構成される。

また、上記の実施形態において、中間着磁回転体３３０を省略した構成でも良い。この場合、長期的には、駆動用着磁回転体１６０に成膜材料が付着しやすくなる虞はあるが、装置の設置面積を小さくすることができる。

１ 成膜装置
１０ ワーク（処理対象）
２０ コントローラ
３０ 仕切バルブ
４０ 搬入扉
１００ 成膜室
１１０ 排気路
１１１ バルブ
１２０ スパッタガス導入管
１２１ バルブ
１３０ａ スパッタカソード
１３０ｂ スパッタカソード
１３１ａ ターゲットＡ
１３１ｂ ターゲットＢ
１４０ 直流電源
１５０ 切替器
１６０ 駆動用着磁回転体
１７０ 駆動部
１７１ 動力伝達機構
２００ 仕込室
２１０ 排気路
２１１ バルブ
３００ キャリア
３２０ 従動着磁回転体
３２１ ワーク固定部
３３０ 中間着磁回転体
３４０ 平歯車
３４１ 駆動部
３４２ 動力伝達機構
３４３ ラック
３５０ タイヤ

Claims (7)

1. 回転軸を中心に回転可能に支持され、処理対象のワークを前記回転軸上に保持する固定部を備え、外周面にＮ極とＳ極が交互に着磁された第１の回転体と、
   前記第１の回転体を搭載するキャリアと、
   前記キャリアを成膜室内で前記回転軸の伸びる方向に移動させる第１の駆動部と、
   外周面にＮ極とＳ極が交互に着磁され、前記第１の回転体の回転軸と平行な回転軸を中心に回転する第２の回転体であって、前記キャリアの移動方向に渡って伸びて前記成膜室内に固定された第２の回転体と、
   前記第２の回転体を回転させ、磁力により前記第１の回転体を回転させて、前記固定部に保持されている前記ワークを自転させる第２の駆動部と、
   前記ワークが、前記第１の回転体により回転されるとともに前記キャリアの移動する方向に搬送される間に、前記ワークの表面に成膜処理を施す成膜処理部と、
   を備える、ことを特徴とする成膜装置。
2. 前記第１の回転体と前記第２の回転体との間に配置され、外周面にＮ極とＳ極が交互に着磁された第３の回転体を、更に備え、
   前記第２の駆動部により前記第２の回転体が回転されることにより、前記第３の回転体を介して前記第１の回転体が非接触で回転される、
   ことを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記第２の駆動部を制御することにより前記第１の回転体の回転速度を制御し、前記第１の駆動部を制御することにより前記キャリアの移動方向と移動速度との少なくとも一方を制御する制御部を、更に備えることを特徴とする請求項１または２に記載の成膜装置。
4. 前記制御部は、前記第１の駆動部を制御することにより前記キャリアの移動方向又は移動速度を制御する制御とは別に、前記第２の駆動部を制御することにより前記第２の回転体の回転速度を独立して制御する、
   ことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
5. 前記成膜装置は、ターゲットを備え、
   前記制御部は、前記第２の駆動部を制御することにより、前記成膜処理の間に、前記第１の回転体を少なくとも１回回転させることにより、前記ワークの外周面を前記ターゲットに対向させ、前記第１の駆動部を制御することにより、前記成膜処理の間に、前記キャリアを少なくとも１往復移動させる、
   ことを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
6. 前記制御部は、
   前記成膜処理が施されるワーク別に処理手順を規定するレシピを記憶しており、
   前記ワークに対応するレシピに従って、前記第１の駆動部と前記第２の駆動部を制御する、
   ことを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の成膜装置。
7. 前記成膜処理部は、前記成膜室内における前記第１の回転体の移動方向に沿って複数配置される、
   ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の成膜装置。

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