JP2002043231A - ウェハの位置ずれ検出方法及び検出装置 - Google Patents
ウェハの位置ずれ検出方法及び検出装置Info
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- JP2002043231A JP2002043231A JP2000225376A JP2000225376A JP2002043231A JP 2002043231 A JP2002043231 A JP 2002043231A JP 2000225376 A JP2000225376 A JP 2000225376A JP 2000225376 A JP2000225376 A JP 2000225376A JP 2002043231 A JP2002043231 A JP 2002043231A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、ウェハ位置ずれの検出精度を向上す
ることを課題とする。 【解決手段】反応容器２１内のウェハホルダー２３に載
置されたウェハ２２の位置ずれを検出する方法におい
て、低速回転時、ウェハ２２の最外周に位置する箇所を
第１の放射温度計３０で温度計測して温度変動を調べる
とともに、ウェハの他の箇所を第２の放射温度計３１で
温度計測して温度変動を調べ、これらの放射温度計３
０，３１から得られた温度振幅の差によりウェハの位置
ずれの有無を判断することを特徴とするウェハの位置ず
れ検出方法。
ることを課題とする。 【解決手段】反応容器２１内のウェハホルダー２３に載
置されたウェハ２２の位置ずれを検出する方法におい
て、低速回転時、ウェハ２２の最外周に位置する箇所を
第１の放射温度計３０で温度計測して温度変動を調べる
とともに、ウェハの他の箇所を第２の放射温度計３１で
温度計測して温度変動を調べ、これらの放射温度計３
０，３１から得られた温度振幅の差によりウェハの位置
ずれの有無を判断することを特徴とするウェハの位置ず
れ検出方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はウェハの位置ずれ検
出方法及び検出装置に関し、特にＳｉウェハを回転しな
がら成膜するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置において、処理されるウ
ェハが正規な位置から外れた場合にその位置ずれを検出
する方法及び検出装置に関する。
出方法及び検出装置に関し、特にＳｉウェハを回転しな
がら成膜するＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｕｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置において、処理されるウ
ェハが正規な位置から外れた場合にその位置ずれを検出
する方法及び検出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ウェハの位置ずれ検出装置は、図
５に示すものが知られている。図中の付番１は、反応容
器を示す。この反応容器１内には、Ｓｉウェハ２を支持
する例えば矢印Ａ方向に回転可能なウェハホルダー（以
下、単にホルダーと呼ぶ）３が配置されている。このホ
ルダー３の内部には、ウェハ２を加熱するヒータ４が配
置されている。前記ヒータ４には、電源を備えたコント
ローラ５が接続されている。前記反応容器１の上部外壁
には、反応容器１内に反応性ガスを導入するためのガス
導入管６が設けられている。また、前記反応容器１の底
部には、排気管７が設けられている。
５に示すものが知られている。図中の付番１は、反応容
器を示す。この反応容器１内には、Ｓｉウェハ２を支持
する例えば矢印Ａ方向に回転可能なウェハホルダー（以
下、単にホルダーと呼ぶ）３が配置されている。このホ
ルダー３の内部には、ウェハ２を加熱するヒータ４が配
置されている。前記ヒータ４には、電源を備えたコント
ローラ５が接続されている。前記反応容器１の上部外壁
には、反応容器１内に反応性ガスを導入するためのガス
導入管６が設けられている。また、前記反応容器１の底
部には、排気管７が設けられている。
【０００３】前記反応容器１の底部には、前記ホルダー
３が回転するように軸受８が設けられている。前記ウェ
ハ２の真上に位置する前記反応容器１の上部は開口され
ており、この開口部１ａに透明な材質からなる窓９が設
けられている。前記窓９の上方には、ウェハ２の最外周
（半径Ｒ×９７％）の任意箇所、及び中心部分の温度を
計測する放射温度計１０，１１が夫々配置されている。
３が回転するように軸受８が設けられている。前記ウェ
ハ２の真上に位置する前記反応容器１の上部は開口され
ており、この開口部１ａに透明な材質からなる窓９が設
けられている。前記窓９の上方には、ウェハ２の最外周
（半径Ｒ×９７％）の任意箇所、及び中心部分の温度を
計測する放射温度計１０，１１が夫々配置されている。
【０００４】前記放射温度計１０，１１には、これらの
温度計からの温度データが入力され、処理されるデータ
処理装置１２が接続されている。このデータ処理装置１
２は前記コントローラ５や図示しない回転系に接続さ
れ、ヒータ４の温度を制御したりあるいは回転系の制御
を行っている。
温度計からの温度データが入力され、処理されるデータ
処理装置１２が接続されている。このデータ処理装置１
２は前記コントローラ５や図示しない回転系に接続さ
れ、ヒータ４の温度を制御したりあるいは回転系の制御
を行っている。
【０００５】ところで、上記検出装置を備えたＣＶＤ装
置においては、ウェハ搬送時、ウェハ２がホルダー３の
座ぐり３ａから外れている（図５の点線の位置）と、ウ
ェハ面内の温度分布が不均一になったり、回転数の増加
時、完全にホルダー３から外れてしまったりして問題で
ある。そのため、従来は、前記放射温度計１０によりウ
ェハ２の最外周の任意箇所を温度モニターしている。
置においては、ウェハ搬送時、ウェハ２がホルダー３の
座ぐり３ａから外れている（図５の点線の位置）と、ウ
ェハ面内の温度分布が不均一になったり、回転数の増加
時、完全にホルダー３から外れてしまったりして問題で
ある。そのため、従来は、前記放射温度計１０によりウ
ェハ２の最外周の任意箇所を温度モニターしている。
【０００６】つまり、搬送ミスによりウェハ２がホルダ
ー３の座ぐり３ａから外れて乗り上げている場合、（Ｒ
×９７％）の円周内で乗り上げた箇所はヒータ４から遠
ざかり、温度が低下する。従って、低速で回転している
ウェハ２のずれた位置（Ｒ×９７％）の温度は上下に振
幅して、図６に示すように振幅ｘを有した温度−時間の
特性図が得られ、この振幅ｘによりウェハ２の位置ずれ
を検出することができる。しかし、従来の場合、振幅が
小さく、ウェハ２の位置ずれを十分検出することができ
なかった。
ー３の座ぐり３ａから外れて乗り上げている場合、（Ｒ
×９７％）の円周内で乗り上げた箇所はヒータ４から遠
ざかり、温度が低下する。従って、低速で回転している
ウェハ２のずれた位置（Ｒ×９７％）の温度は上下に振
幅して、図６に示すように振幅ｘを有した温度−時間の
特性図が得られ、この振幅ｘによりウェハ２の位置ずれ
を検出することができる。しかし、従来の場合、振幅が
小さく、ウェハ２の位置ずれを十分検出することができ
なかった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情を考
慮してなされたもので、低速回転時、ウェハの最外周に
位置する箇所を第１の放射温度計で温度計測して温度変
動を調べるとともに、ウェハの他の箇所を第２の放射温
度計で温度計測して温度変動を調べ、これらの放射温度
計から得られた温度振幅の差によりウェハの位置ずれの
有無を判断することにより、従来と比べ、ウェハ位置ず
れの検出精度を著しく向上しえるウェハの位置ずれ検出
方法を提供することを目的とする。
慮してなされたもので、低速回転時、ウェハの最外周に
位置する箇所を第１の放射温度計で温度計測して温度変
動を調べるとともに、ウェハの他の箇所を第２の放射温
度計で温度計測して温度変動を調べ、これらの放射温度
計から得られた温度振幅の差によりウェハの位置ずれの
有無を判断することにより、従来と比べ、ウェハ位置ず
れの検出精度を著しく向上しえるウェハの位置ずれ検出
方法を提供することを目的とする。
【０００８】また、本発明は、低速回転時ウェハの最外
周に位置する箇所を温度計測して温度変動を調べる第１
の放射温度計と、低速回転時ウェハの他の箇所を温度計
測して温度変動を調べる第２の放射温度計と、前記第１
・第２放射温度計に夫々接続され、これら放射温度計よ
り温度データが入力され、処理されるデータ処理装置を
具備した構成にすることにより、従来と比べ、ウェハ位
置ずれの検出精度を著しく向上しえるウェハの位置ずれ
検出装置を提供することを目的とする。
周に位置する箇所を温度計測して温度変動を調べる第１
の放射温度計と、低速回転時ウェハの他の箇所を温度計
測して温度変動を調べる第２の放射温度計と、前記第１
・第２放射温度計に夫々接続され、これら放射温度計よ
り温度データが入力され、処理されるデータ処理装置を
具備した構成にすることにより、従来と比べ、ウェハ位
置ずれの検出精度を著しく向上しえるウェハの位置ずれ
検出装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本願第１の発明は、反応
容器内のウェハホルダーに載置されたウェハの位置ずれ
を検出する方法において、低速回転時、ウェハの最外周
に位置する箇所を第１の放射温度計で温度計測して温度
変動を調べるとともに、ウェハの他の箇所を第２の放射
温度計で温度計測して温度変動を調べ、これらの放射温
度計から得られた温度振幅の差によりウェハの位置ずれ
の有無を判断することを特徴とするウェハの位置ずれ検
出方法である。
容器内のウェハホルダーに載置されたウェハの位置ずれ
を検出する方法において、低速回転時、ウェハの最外周
に位置する箇所を第１の放射温度計で温度計測して温度
変動を調べるとともに、ウェハの他の箇所を第２の放射
温度計で温度計測して温度変動を調べ、これらの放射温
度計から得られた温度振幅の差によりウェハの位置ずれ
の有無を判断することを特徴とするウェハの位置ずれ検
出方法である。
【００１０】本願第２の発明は、反応容器内のウェハホ
ルダーに載置されたウェハの位置ずれを検出する装置に
おいて、低速回転時ウェハの最外周に位置する箇所を温
度計測して温度変動を調べる第１の放射温度計と、低速
回転時ウェハの他の箇所を温度計測して温度変動を調べ
る第２の放射温度計と、前記第１・第２放射温度計に夫
々接続され、これら放射温度計より温度データが入力さ
れ、処理されるデータ処理装置とを具備することを特徴
とするウェハの位置ずれ検出装置である。
ルダーに載置されたウェハの位置ずれを検出する装置に
おいて、低速回転時ウェハの最外周に位置する箇所を温
度計測して温度変動を調べる第１の放射温度計と、低速
回転時ウェハの他の箇所を温度計測して温度変動を調べ
る第２の放射温度計と、前記第１・第２放射温度計に夫
々接続され、これら放射温度計より温度データが入力さ
れ、処理されるデータ処理装置とを具備することを特徴
とするウェハの位置ずれ検出装置である。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明において、温度変動を調べ
るための第１の放射温度計と第２の放射温度計は、夫々
ウェハの最外周に位置する箇所の温度を夫々測定するよ
うに相対して配置することが好ましい。この理由は、２
つの放射温度計による波形の位相差を最大に生かして極
力大きい振幅を得るためである。但し、温度変動を調べ
るための放射温度計は必ずしも相対している必要はな
く、例えば図２のように第１の放射温度計とはウェハの
周方向に９０度ずれたウェハ位置の温度変動を調べるよ
うに放射温度計４１を配置してもよい。また、温度変動
を調べるための放射温度計も２つに限らない。なお、本
発明において、「低速回転」とは３０ｒｐｍ〜６０ｒｐ
ｍ程度を示す。
るための第１の放射温度計と第２の放射温度計は、夫々
ウェハの最外周に位置する箇所の温度を夫々測定するよ
うに相対して配置することが好ましい。この理由は、２
つの放射温度計による波形の位相差を最大に生かして極
力大きい振幅を得るためである。但し、温度変動を調べ
るための放射温度計は必ずしも相対している必要はな
く、例えば図２のように第１の放射温度計とはウェハの
周方向に９０度ずれたウェハ位置の温度変動を調べるよ
うに放射温度計４１を配置してもよい。また、温度変動
を調べるための放射温度計も２つに限らない。なお、本
発明において、「低速回転」とは３０ｒｐｍ〜６０ｒｐ
ｍ程度を示す。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の実施例に係るウェハの位置ず
れ検出方法及び検出装置について図１を参照して説明す
る。図中の付番２１は、反応容器を示す。この反応容器
２１内には、Ｓｉウェハ２２を支持する例えば矢印Ａ方
向に回転可能なウェハホルダー（以下、単にホルダーと
呼ぶ）２３が配置されている。このホルダー２３の内部
には、ウェハ２２を加熱するヒータ２４が配置されてい
る。前記ヒータ２４には、電源を備えたコントローラ２
５が接続されている。前記反応容器２１の上部外壁に
は、反応容器２１内に反応性ガスを導入するためのガス
導入管２６が設けられている。また、前記反応容器２１
の底部には、排気管２７が設けられている。
れ検出方法及び検出装置について図１を参照して説明す
る。図中の付番２１は、反応容器を示す。この反応容器
２１内には、Ｓｉウェハ２２を支持する例えば矢印Ａ方
向に回転可能なウェハホルダー（以下、単にホルダーと
呼ぶ）２３が配置されている。このホルダー２３の内部
には、ウェハ２２を加熱するヒータ２４が配置されてい
る。前記ヒータ２４には、電源を備えたコントローラ２
５が接続されている。前記反応容器２１の上部外壁に
は、反応容器２１内に反応性ガスを導入するためのガス
導入管２６が設けられている。また、前記反応容器２１
の底部には、排気管２７が設けられている。
【００１３】前記反応容器２１の底部には、前記ホルダ
ー２３が回転するように軸受２８が設けられている。前
記ウェハ２２の真上に位置する前記反応容器２１の上部
は開口されており、この開口部２１ａに透明な材質から
なる窓２９が設けられている。前記窓２９の上方には、
ウェハ２２の最外周（半径Ｒ×９７％）の任意箇所、ウ
ェハ２２の最外周でかつ前記任意箇所と相対する箇所、
及び中心部分の温度を計測する第１の放射温度計３０，
第２の放射温度計３１及び第３の放射温度計３２が夫々
配置されている。図２は、前記各放射温度計３０，３
１，３２のウェハ２２に対する位置関係を平面的に見た
図である。
ー２３が回転するように軸受２８が設けられている。前
記ウェハ２２の真上に位置する前記反応容器２１の上部
は開口されており、この開口部２１ａに透明な材質から
なる窓２９が設けられている。前記窓２９の上方には、
ウェハ２２の最外周（半径Ｒ×９７％）の任意箇所、ウ
ェハ２２の最外周でかつ前記任意箇所と相対する箇所、
及び中心部分の温度を計測する第１の放射温度計３０，
第２の放射温度計３１及び第３の放射温度計３２が夫々
配置されている。図２は、前記各放射温度計３０，３
１，３２のウェハ２２に対する位置関係を平面的に見た
図である。
【００１４】前記放射温度計３０，３１，３２には、こ
れらの放射温度計からの温度データが入力され，処理さ
れるデータ処理装置３３が接続されている。このデータ
処理装置３３は前記コントローラ２５や図示しない回転
系に接続され、ヒータ２４の温度を上下させて制御した
り、あるいはモータ（図示せず）等回転系の止める等の
制御を行っている。
れらの放射温度計からの温度データが入力され，処理さ
れるデータ処理装置３３が接続されている。このデータ
処理装置３３は前記コントローラ２５や図示しない回転
系に接続され、ヒータ２４の温度を上下させて制御した
り、あるいはモータ（図示せず）等回転系の止める等の
制御を行っている。
【００１５】ところで、上述した構成の位置ずれ検出装
置を有したＣＶＤ装置においては、搬送後、図１の点線
で示すようにウェハ２２がホルダー２３の座ぐり２３ａ
から外れている場合、低速回転した時の第１の放射温度
計３０と第２の放射温度計３１による温度特性は、夫々
図３の波形Ａ，波形Ｂのように１８０°位相がずれた状
態で振幅ｘで振動する。
置を有したＣＶＤ装置においては、搬送後、図１の点線
で示すようにウェハ２２がホルダー２３の座ぐり２３ａ
から外れている場合、低速回転した時の第１の放射温度
計３０と第２の放射温度計３１による温度特性は、夫々
図３の波形Ａ，波形Ｂのように１８０°位相がずれた状
態で振幅ｘで振動する。
【００１６】しかるに、本実施例に係るウェハの位置ず
れ検出方法では、低速回転時ウェハ２２の最外周に位置
する箇所を第１の放射温度計３０で温度計測して温度変
動を調べるとともに、ウェハ２２の他の箇所を第２の放
射温度計３１で温度計測して温度変動を調べ、これらの
放射温度計３０、３１から得られた温度振幅の差（波形
Ａ−波形Ｂ）によりウェハの位置ずれの有無を判断す
る。つまり、上記波形Ａと波形Ｂの差をとると、図４に
示すように振幅２ｘの温度振幅となり、ウェハ位置ずれ
検出の温度振幅設定値の精度が、従来のように１箇所に
設けた放射温度計による温度振幅と比べて、２倍向上す
る。
れ検出方法では、低速回転時ウェハ２２の最外周に位置
する箇所を第１の放射温度計３０で温度計測して温度変
動を調べるとともに、ウェハ２２の他の箇所を第２の放
射温度計３１で温度計測して温度変動を調べ、これらの
放射温度計３０、３１から得られた温度振幅の差（波形
Ａ−波形Ｂ）によりウェハの位置ずれの有無を判断す
る。つまり、上記波形Ａと波形Ｂの差をとると、図４に
示すように振幅２ｘの温度振幅となり、ウェハ位置ずれ
検出の温度振幅設定値の精度が、従来のように１箇所に
設けた放射温度計による温度振幅と比べて、２倍向上す
る。
【００１７】また、上記実施例に係るウェハの位置ずれ
検出装置は、ウェハ２２の最外周に位置する任意箇所を
温度計測して温度変動を調べる第１の放射温度計３０
と、ウェハ２２の前記任意箇所に相対する他の箇所を温
度計測して温度変動を調べる第２の放射温度計３１と、
前記第１・第２放射温度計３０，３１に夫々接続され、
これら放射温度計３０，３１より温度データが入力さ
れ、処理されるデータ処理装置３３を具備した構成とな
っている。従って、低速回転時、第１の放射温度計３０
による温度振幅（波形Ａ）と、第２の放射温度計３１か
ら得られた温度振幅（波形Ｂ）の差をとり、図４に示す
ように振幅２ｘの温度振幅を得ることにより、ウェハ位
置ずれ検出の温度振幅設定値の精度が、従来と比べて２
倍向上する。
検出装置は、ウェハ２２の最外周に位置する任意箇所を
温度計測して温度変動を調べる第１の放射温度計３０
と、ウェハ２２の前記任意箇所に相対する他の箇所を温
度計測して温度変動を調べる第２の放射温度計３１と、
前記第１・第２放射温度計３０，３１に夫々接続され、
これら放射温度計３０，３１より温度データが入力さ
れ、処理されるデータ処理装置３３を具備した構成とな
っている。従って、低速回転時、第１の放射温度計３０
による温度振幅（波形Ａ）と、第２の放射温度計３１か
ら得られた温度振幅（波形Ｂ）の差をとり、図４に示す
ように振幅２ｘの温度振幅を得ることにより、ウェハ位
置ずれ検出の温度振幅設定値の精度が、従来と比べて２
倍向上する。
【００１８】
【発明の効果】以上詳述した如く本発明によれば、低速
回転時ウェハの最外周に位置する箇所を第１の放射温度
計で温度計測して温度変動を調べるとともに、ウェハの
他の箇所を第２の放射温度計で温度計測して温度変動を
調べ、これらの放射温度計から得られた温度振幅の差に
よりウェハの位置ずれの有無を判断することにより、従
来と比べ、ウェハ位置ずれの検出精度を著しく向上しえ
るウェハの位置ずれ検出方法を提供できる。
回転時ウェハの最外周に位置する箇所を第１の放射温度
計で温度計測して温度変動を調べるとともに、ウェハの
他の箇所を第２の放射温度計で温度計測して温度変動を
調べ、これらの放射温度計から得られた温度振幅の差に
よりウェハの位置ずれの有無を判断することにより、従
来と比べ、ウェハ位置ずれの検出精度を著しく向上しえ
るウェハの位置ずれ検出方法を提供できる。
【００１９】また、本発明によれば、低速回転時ウェハ
の最外周に位置する箇所を温度計測して温度変動を調べ
る第１の放射温度計と、ウェハの他の箇所を温度計測し
て温度変動を調べる第２の放射温度計と、前記第１・第
２放射温度計に夫々接続され、これら放射温度計より温
度データが入力され、処理されるデータ処理装置を具備
した構成にすることにより、従来と比べ、ウェハ位置ず
れの検出精度を著しく向上しえるウェハの位置ずれ検出
装置を提供できる。
の最外周に位置する箇所を温度計測して温度変動を調べ
る第１の放射温度計と、ウェハの他の箇所を温度計測し
て温度変動を調べる第２の放射温度計と、前記第１・第
２放射温度計に夫々接続され、これら放射温度計より温
度データが入力され、処理されるデータ処理装置を具備
した構成にすることにより、従来と比べ、ウェハ位置ず
れの検出精度を著しく向上しえるウェハの位置ずれ検出
装置を提供できる。
【図１】本発明の一実施例に係るウェハの位置ずれ検出
装置の説明図。
装置の説明図。
【図２】図１の検出装置において、各放射温度計のウェ
ハに対する位置関係を平面的に見た図。
ハに対する位置関係を平面的に見た図。
【図３】本発明の一実施例に係る第１・第２の放射温度
計による温度と時間との関係を示す特性図。
計による温度と時間との関係を示す特性図。
【図４】本発明の一実施例に係る第１・第２の放射温度
計による温度差と時間との関係を示す特性図。
計による温度差と時間との関係を示す特性図。
【図５】従来のウェハの位置ずれ検出装置の説明図。
【図６】図５の検出装置に係る放射温度計による温度と
時間との関係を示す特性図。
時間との関係を示す特性図。
２１…反応容器、 ２２…Ｓｉウェハ、 ２３…ウェハホルダー、 ２４…ヒータ、 ２５…コントローラ、 ２６…ガス導入管、 ２７…排気管、 ２８…軸受、 ２９…窓、 ３０，３１，３２…放射温度計、 ３３…データ処理装置。
Claims (3)
- 【請求項１】 反応容器内のウェハホルダーに載置され
たウェハの位置ずれを検出する方法において、 低速回転時、ウェハの最外周に位置する箇所を第１の放
射温度計で温度計測して温度変動を調べるとともに、ウ
ェハの他の箇所を第２の放射温度計で温度計測して温度
変動を調べ、これらの放射温度計から得られた温度振幅
の差によりウェハの位置ずれの有無を判断することを特
徴とするウェハの位置ずれ検出方法。 - 【請求項２】 反応容器内のウェハホルダーに載置され
たウェハの位置ずれを検出する装置において、 低速回転時ウェハの最外周に位置する箇所を温度計測し
て温度変動を調べる第１の放射温度計と、低速回転時ウ
ェハの他の箇所を温度計測して温度変動を調べる第２の
放射温度計と、前記第１・第２放射温度計に夫々接続さ
れ、これら放射温度計より温度データが入力され、処理
されるデータ処理装置とを具備することを特徴とするウ
ェハの位置ずれ検出装置。 - 【請求項３】 第１の放射温度計及び第２の放射温度計
を、ウェハの最外周に位置しかつ相対する箇所を温度計
測するように配置することを特徴とする請求項２記載の
ウェハの位置ずれ検出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225376A JP2002043231A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | ウェハの位置ずれ検出方法及び検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000225376A JP2002043231A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | ウェハの位置ずれ検出方法及び検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002043231A true JP2002043231A (ja) | 2002-02-08 |
Family
ID=18719158
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000225376A Pending JP2002043231A (ja) | 2000-07-26 | 2000-07-26 | ウェハの位置ずれ検出方法及び検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002043231A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010038674A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の異常載置状態の検知方法、基板処理方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理装置 |
| JP2013084943A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| KR101424358B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-08-04 | 주식회사 현대케피코 | 파이로미터를 이용한 레이저 용접 장치 |
| JP2015201599A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 信越半導体株式会社 | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2016089239A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法および気相成長装置 |
| JP2016213218A (ja) * | 2015-04-29 | 2016-12-15 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 |
-
2000
- 2000-07-26 JP JP2000225376A patent/JP2002043231A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010038674A1 (ja) * | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の異常載置状態の検知方法、基板処理方法、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体および基板処理装置 |
| US20110174800A1 (en) * | 2008-09-30 | 2011-07-21 | Tokyo Electron Limited | Method of detecting abnormal placement of substrate, substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing apparatus |
| US8581153B2 (en) | 2008-09-30 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Method of detecting abnormal placement of substrate, substrate processing method, computer-readable storage medium, and substrate processing apparatus |
| JP2013084943A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-05-09 | Nuflare Technology Inc | 成膜装置および成膜方法 |
| KR101424358B1 (ko) * | 2012-12-28 | 2014-08-04 | 주식회사 현대케피코 | 파이로미터를 이용한 레이저 용접 장치 |
| JP2015201599A (ja) * | 2014-04-10 | 2015-11-12 | 信越半導体株式会社 | 偏芯評価方法及びエピタキシャルウェーハの製造方法 |
| JP2016089239A (ja) * | 2014-11-07 | 2016-05-23 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 気相成長方法および気相成長装置 |
| JP2016213218A (ja) * | 2015-04-29 | 2016-12-15 | 信越半導体株式会社 | エピタキシャルウェーハの製造方法及び気相成長装置 |
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