JP7305076B1 - データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法 - Google Patents

データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7305076B1
JP7305076B1 JP2023501428A JP2023501428A JP7305076B1 JP 7305076 B1 JP7305076 B1 JP 7305076B1 JP 2023501428 A JP2023501428 A JP 2023501428A JP 2023501428 A JP2023501428 A JP 2023501428A JP 7305076 B1 JP7305076 B1 JP 7305076B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
data
measurement data
data collection
distance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2023501428A
Other languages
English (en)
Inventor
英松 林
鎮男 粂川
光輝 富士原
佳祐 角田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP7305076B1 publication Critical patent/JP7305076B1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52Controlling or regulating the coating process
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

データ収集分析システム(1)は、例えば、半導体製造におけるエッチング装置に適用される。データ収集分析システム(1)は、プラズマ処理の処理対象物に代えてウェハチャックに配置され、検査対象部材の状態を示す測定データを収集する測定データ収集ユニット(100)と、収集された測定データにより、検査対象部材の状態を判定するデータ分析装置(200)と、を備える。測定データ収集ユニット(100)は、検査対象部材までの距離を測定する測定部を検査対象部材に向けて支持する支持部を備え、支持部を検査対象部材(フォーカスリング等)の中心軸を中心に回転させる。データ分析装置(200)は、測定データに基づいて、検査対象部材が劣化しているか否かを判定する。

Description

本開示は、データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法に関する。
プラズマを利用するエッチング装置、CVD(Chemical vapor deposition)装置等の装置では、プラズマ化したガスを被加工物に供給することにより加工処理が行われる。このプラズマ加工処理の過程で、これらの装置が備えるフォーカスリング、静電チャックを保護する石英カバー等の部材は徐々に削られるため、定期的に、部材の状態を確認する必要がある。
特許文献1には、フォーカスリングによって囲まれた領域内に配置され、円盤状のベース基板に、複数のセンサ電極が設けられた測定器が開示されている。この測定器は、各センサ電極の電位から、各センサ電極とセンサ電極の近傍に存在するフォーカスリングとの間の静電容量を表すパラメータ値をそれぞれ算出し、パラメータ値の平均値とフォーカスリングの消耗量とが対応付けられたテーブルを用いて、フォーカスリングの消耗量を導出する。
特開2019-160914号公報
しかしながら、この測定器において、測定器の配置方向に応じて定まるセンサ電極の位置、および、測定器に設置されるセンサ電極の数によって、パラメータの値が大きく変わる可能性がある。このため、フォーカスリングの劣化状態を精度高く判別するという観点からは改善の余地があった。
そこで本開示は、上記の実情に鑑み、検査対象部材の劣化状態を精度良く判別することが可能なデータ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法を提供することを目的にする。
上記の目的を達成するため、本開示に係るデータ収集分析システムは、プラズマ処理の処理対象物に代えてウェハチャックに配置され、検査対象部材の状態を示す測定データを収集する測定データ収集ユニットと、測定データ収集ユニットにより収集された測定データにより、検査対象部材の状態を判定するデータ分析装置と、を備えるデータ収集分析システムであって、測定データ収集ユニットは、検査対象部材までの距離を測定する測定部と、測定部を検査対象部材に向けて支持する支持部と、支持部を、検査対象部材の中心軸を中心に回転させる駆動部と、を備え、データ分析装置は、測定部が測定した距離を示す距離データを含む測定データを取得するデータ取得部と、データ取得部により取得された測定データに基づいて、検査対象部材が劣化しているか否かを判定する判定部と、を備える。
本開示によれば、測定データ収集ユニットは、測定部を支持する支持部を、検査対象部材の中心軸を中心に回転させて測定データを収集する。データ分析装置は、測定データ収集ユニットにより収集された測定データに基づいて、検査対象部材が劣化しているか否かを判定する。これにより、測定部の位置および数によらずに、検査対象部材の劣化状態を精度良く判別することができる。
本開示の実施の形態1に係るデータ収集分析システムの構成を示す図 図1に示す測定データ収集ユニットおよびフォーカスリングがチャンバ内のウェハチャックに配置された状態の側面図 図1に示すデータ分析装置の上面図 図1に示す測定データの物理構成を示すブロック図 図1に示す測定データ収集ユニットがプラズマエッチング装置のチャンバ内に搬送される動作を示す図 実施の形態に係るデータ収集分析システムによる劣化判定処理を示すフローチャート 図1に示すデータ記憶部が記憶する測定データの概念図 図1に示すデータ記憶部が表示させるフォーカスリングの厚みと閾値との関係を示す図 図1に示す測定データ収集ユニットの変形例を示す図 図1に示す距離センサの変形例を示す図 図1に示す距離センサの別の変形例を示す図
以下、本開示の実施の形態に係るデータ収集分析システム、測定データ収集ユニット、およびデータ収集分析方法について図面を参照して説明する。なお、図中同一又は相当する部分には同じ符号を付す。
本実施の形態に係るデータ収集分析システムは、処理対象物である半導体ウェハに向かってプラズマ化したガスを供給してプラズマ処理を行うプラズマエッチング装置に適用される。図1に示す通り、データ収集分析システム1は、プラズマエッチング装置のチャンバ内に搬送されて、検査対象のフォーカスリングの状態を示す測定データを収集する測定データ収集ユニット100と、測定データ収集ユニット100により収集された測定データを分析して、フォーカスリングが劣化しているか否かを判定するデータ分析装置200と、を備え、ネットワーク300を介して通信可能に接続される。なお、データ収集分析システム1は、プラズマエッチング装置に限定されず、CVD装置、PVD(Physical Vapor Deposition)装置、スパッタリング装置、エッチャーなどのプラズマ処理を行う装置に適用されてもよい。
測定データ収集ユニット100は、回転可能な回転台101と、回転台101を支持する台座102と、検査対象のフォーカスリングまでの距離を測定する距離センサ103と、距離センサ103が取り付けられるアーム104と、回転台101を回転させる回転駆動部105と、回転駆動部105を制御する回転制御部106と、距離センサ103およびアーム104を制御する制御部107と、外部機器とデータの送受信を行う無線通信部108と、を備える。
回転台101は、平面視円形状のアルミニウムで形成される部材である。回転台101の下部の中心には、回転軸120が設けられている。回転軸120は、回転駆動部105に連結されている。回転台101は、回転駆動部105に駆動されて、回転軸120を中心に回転する。なお、回転台101は、支持部の一例であり、回転軸120は、中心軸の一例である。
台座102は、平面視円形状のアルミニウムで形成される筐体である。台座102の上面の中心には、回転軸120を通す円形の穴が設けられる。台座102は、回転軸120を介して、回転台101を支持する。
距離センサ103は、検査対象のフォーカスリングまでの距離を測定する。図2は、測定データ収集ユニット100およびフォーカスリングFRがチャンバ内のウェハチャックDに設置された状態の側面図である。ウェハチャックDは、測定データ収集ユニット100を載置するサセプタD1と、サセプタD1の下面に配置され、表面が石英ガラスで覆われた静電チャックD2により形成される。測定データ収集ユニット100は、フォーカスリングFRにより囲まれた領域内に配置される。距離センサ103は、アーム104の先端部の、ウェハチャックDに設置されたフォーカスリングFRに対向する位置に取り付けられる。距離センサ103は、例えば、レーザ変位計であり、距離センサ103とフォーカスリングFRの表面との離間距離Wを測定する。なお、距離センサ103は、測定部の一例である。
図1に戻り、アーム104は、回転台101の上面に設置される固定部104aと先端部に距離センサ103が取り付けられる可動部104bとにより形成される。図3に示す測定データ収集ユニット100の上面図の通り、アーム104は、水平方向に伸縮可能に形成される。アーム104は、制御部107に制御されて、モータによる機械動作によって伸縮する。制御部107は、アーム104のアーム長を調整することで、距離センサ103をフォーカスリングFRと対抗する位置に配置する。なお、アーム104は、支持部の一例である。
図1に戻り、回転駆動部105は、回転軸120を介して、回転台101に接続されている。回転駆動部105は、例えばサーボモータである。回転駆動部105は、鉛直な軸線まわりに回転軸120を回転させる。これにより、回転軸120を中心に回転台101が回転する。
回転制御部106は、回転駆動部105の動作を制御する。具体的に、回転制御部106は、回転駆動部105に制御信号を送信して、回転の開始、停止、回転速度の変更を制御する。プラズマエッチング装置は、チャンバ内のウェハチャックDに測定データ収集ユニット100が設置されたことを検知すると、無線通信部108を介して、検知信号を測定データ収集ユニット100に出力する。回転制御部106は、プラズマエッチング装置から検知信号を受信すると、回転駆動部105に対し、駆動を指示する制御信号を送信する。回転制御部106は、予め設定された回転回数、回転速度等の目標値どおりに動作するために回転駆動部105を制御する。
制御部107は、距離センサ103の動作を制御するセンサ制御部109と、距離センサ103により測定された距離データを含む測定データを取得する測定データ取得部110と、を備える。制御部107は、例えば、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Random Access Memory)、RAM(Read Only Memory)等を備えた演算装置である。
センサ制御部109は、距離センサ103の動作を制御する。具体的に、センサ制御部109は、予め設定されたサンプリング間隔で、距離センサ103にフォーカスリングFRとの距離を測定させる。
測定データ取得部110は、距離センサ103により測定された距離データを含む測定データを取得する。具体的に、測定データ取得部110は、距離センサ103から距離センサ103とフォーカスリングFRの表面との離間距離を示す距離データを受信する。距離データを受信すると、測定データ取得部110は、測定データ収集ユニット100が備えるタイマから、取得した時刻を取得する。さらに、測定データ取得部110は、回転制御部106から、受信した距離データが何回転目のデータであるかを示す回転回数情報を取得する。測定データ取得部110は、取得したそれぞれのデータを対応付けて、測定データとして記憶する。測定データ取得部110は、データ分析装置200との無線通信の接続状況を予め定められた周期でモニタする。測定データ取得部110は、データ分析装置200との無線通信が確立したと判定すると、記憶している測定データを、無線通信部108を介して、データ分析装置200に送信する。なお、測定データ取得部110は、データ送信部の一例である。
無線通信部108は、外部機器とデータの送受信を行う。具体的に、無線通信部108は、例えば、Bluetooth(登録商標)、WiFi(登録商標)、Zigbee(登録商標)等の無線通信規格に準拠した無線通信を行うための通信インタフェースであり、プラズマエッチング装置およびデータ分析装置200と通信可能に接続する。測定データ取得部110により収集された測定データは、無線通信部108を介して、データ分析装置200に送信される。また、プラズマエッチング装置は、チャンバ内のウェハチャックDに測定データ収集ユニット100が設置されたことを検知すると、無線通信部108を介して、検知したことを示す信号を測定データ収集ユニット100に出力する。
データ分析装置200は、測定データ収集ユニット100から測定データを取得するデータ取得部201と、測定データを蓄積するデータ記憶部202と、測定データを解析するデータ解析部203と、測定データ収集ユニット100とデータの送受信を行う無線通信部204と、を備える。
データ取得部201は、測定データ収集ユニット100から測定データを取得する。具体的に、データ取得部201は、距離センサ103により測定された距離データと測定データ取得部110が距離データを受信した時刻を示す時刻情報と、距離データが何回転目のデータであるかを示す回転回数情報と、を含む測定データを取得する。
データ記憶部202は、測定データを記憶する。具体的に、データ記憶部202は、データ取得部201から、測定データと時刻情報と回転回数情報とを含む測定データ受信し、受信したそれぞれを対応付けて記憶する。
データ解析部203は、測定データを解析して、検査対象のフォーカスリングFRが検査基準を満たすか否かにより、劣化しているか否かを判定する。具体的に、データ解析部203は、予め設定されている距離センサ103と測定データ収集ユニット100が載置されるウェハチャックDとの距離と、データ記憶部202に記憶される距離センサ103とフォーカスリングFRの表面との離間距離Wを示す各測定データとの差分から、各測定データに対応するフォーカスリングFRの厚みをそれぞれ求める。データ解析部203は、求めた厚みと予め設定されている閾値とを比較し、閾値以下となる厚みが存在する場合に、フォーカスリングFRが劣化していると判定する。なお、データ解析部203は、判定部の一例である。
無線通信部204は、外部機器とデータの送受信を行う。具体的に、無線通信部204は、測定データ収集ユニット100と通信可能に接続する。
次に、図4を参照してデータ分析装置200の物理的構成について説明する。データ分析装置200は、プログラムに従った処理を実行するCPU21と、揮発性メモリであるRAM22と、不揮発性メモリであるROM23と、データを記憶する記憶部24と、情報の入力を受け付ける入力部25と、情報を可視化して表示する表示部26と、情報の送受信を行う無線通信部27と、を備え、これらが内部バス99を介して接続されている。
CPU21は、記憶部24に記憶されたプログラムをRAM22に読み出して実行することにより、各種処理を実行する。CPU21は、プログラムにより提供される主要な機能として、データ解析部203による各処理を実行する。
RAM22は、CPU21のワークエリアとして使用される。ROM23は、データ分析装置200の基本動作のためにCPU21が実行する制御プログラム、BIOS(Basic Input Output System)等を記憶する。
記憶部24は、ハードディスクドライブを備え、CPU21が実行するプログラムを記憶し、プログラム実行の際に使用される各種データを記憶する。記憶部24は、データ記憶部202として機能する。
入力部25は、キーボード、マウス、通信装置等を備えるユーザインタフェースである。表示部26は情報を可視化して表示する液晶ディスプレイ、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の表示装置である。無線通信部27は、例えば、Bluetooth(登録商標)、WiFi(登録商標),Zigbee(登録商標)等の無線通信規格に準拠した無線通信を行うための通信インタフェースである。
次に、上記構成を有するデータ収集分析システム1の動作を説明する。データ収集分析システム1の測定データ収集ユニット100は、プラズマエッチング装置の処理容器であるチャンバ内に設置されて、距離センサ103と検査対象のフォーカスリングFRとの距離を測定する。そこで、まず、図5を参照して、測定データ収集ユニット100がプラズマエッチング装置1000のチャンバCH内に設置されるまでのプラズマエッチング装置1000の動作について説明する。
まず、半導体ウェハ用の密閉型容器であるFOUP(Front Opening Unified Pod)に測定データ収集ユニット100を収容し、FOUPをプラズマエッチング装置1000が備えるロードポートLPに投入する。搬送装置TMは、FOUPから測定データ収集ユニット100を取り出し、アライナANに搬入する。次に、搬送装置TMは、アライナANにより方向整列処理が行われた測定データ収集ユニット100をアライナANから取り出して、真空搬送モジュールVMに搬入する。次に、真空搬送ロボットVRは、真空搬送モジュールVMから測定データ収集ユニット100を取り出して、チャンバCH内に搬送し、ウェハチャックDの定められた位置にセットする。この時、ウェハチャックDが有する静電チャックはOFFされる。
次に、図6を参照して、データ収集分析システム1による劣化判定処理について説明する。
測定データ収集ユニット100のアーム104の水平方向の長さは、距離センサ103とフォーカスリングFRとが対向する長さに予め設定されている。
また、測定データ収集ユニット100には、劣化判定処理における回転駆動部105およびセンサ制御部109の制御内容が予め設定されている。具体的に、回転駆動部105の回転回数、回転速度等の目標値、および、距離センサ103のサンプリング周期が予め設定されている。
また、データ分析装置200には、データ解析部203により検査対象のフォーカスリングFRの劣化の有無を判定する際に使用される閾値が予め登録されている。具体的に、ユーザは、使用前のフォーカスリングFRの厚みに基づいて、検査時にフォーカスリングFRが劣化していると判定するフォーカスリングFRの厚みを閾値として決定して、データ分析装置200に登録する。
まず、測定データ収集ユニット100の回転制御部106は、プラズマエッチング装置1000から、測定データ収集ユニット100がチャンバCH内のウェハチャックDに設置されたことを示す検知信号を待ち受ける(ステップS11)。具体的に、図2に示す通り、ウェハチャックDには、予め設定された位置に測定データ収集ユニット100が設置されたことを検知するセンサSNが設けられている。センサSNは、例えば、圧力スイッチ、遮光センサ、反射センサ等である。このセンサSNは、予め設定された位置に測定データ収集ユニット100が設置された場合に、検知信号を測定データ収集ユニット100の無線通信部108に送信する。回転制御部106は、無線通信部108を介して、検知信号を受信する。
図6に戻り、回転制御部106は、ウェハチャックDのセンサSNから検知信号を受信すると、回転駆動部105に対し、回転を指示する信号を送信する(ステップS12)。具体的に、回転制御部106は、予め設定された回転回数および回転速度の値を読み出し、検知信号を受信してから5秒後、10秒後といった予め設定された時間が経過した後に、回転回数および回転速度の値を含む指示信号を回転駆動部105に送信する。回転駆動部105は、受信した指示信号に従い、回転台101を回転させる。また、回転制御部106は、回転駆動部105に指示信号を送信したことを示す信号をセンサ制御部109に送信する。
次に、センサ制御部109は、回転制御部106からステップS12で送信された信号を受信すると、距離センサ103に制御信号を送信し、測定データを収集させる(ステップS13)。具体的に、距離センサ103は、センサ制御部109の制御に従い、予め設定された時間間隔で、距離センサ103からフォーカスリングFRまでの距離を示す測定データを収集する。距離センサ103は、収集した測定データを逐次測定データ取得部110に送信する。測定データ取得部110は、測定データを受信すると、測定データ取得部110が備えるタイマから、受信時刻を取得する。また、測定データ取得部110は、回転制御部106から回転台101が現在何回目かを示す回転数情報を取得する。測定データ取得部110は、取得した測定データと回転数情報と受信時刻とを対応付けた測定データを記憶する。
次に、回転制御部106は、回転駆動部105が指示した回転回数を実行したか否かを判定する(ステップS14)。回転制御部106は、指示した回転回数を実行していないと判定すると(ステップS14;No)、指示した回転回数を実行するまで、回転駆動部105を制御して回転台101を回転させる。一方、回転制御部106は、指示した回転回数を実行したと判定すると(ステップS14;Yes)、回転駆動部105を停止して、回転台101を停止させ、センサ制御部109に通知して、距離センサ103の動作を停止させる。センサ制御部109は、距離センサ103の動作が停止したことを測定データ取得部110に送信する。
次に、測定データ取得部110は、データ分析装置200との無線通信が可能か否かを判定する(ステップS15)。具体的に、測定データ取得部110は、データ分析装置200に接続された無線LANとの無線接続が確立しているか否かを判定する。測定データ取得部110は、データ分析装置200との無線通信が可能であると判定すると(ステップS15;Yes)、無線通信部108を介して、データ分析装置200に、距離センサ103の動作が停止した旨の通知、および、測定データを送信する。データ分析装置200のデータ取得部201は、無線通信部204を介して、測定データ取得部110から送信された測定データを受信すると、受信した測定データをデータ記憶部202に送信し、記憶させる。
一方、測定データ取得部110は、データ分析装置200との無線通信が可能ではないと判定すると(ステップS15;No)、定期的にデータ分析装置200に接続された無線LANとの接続状態を確認し、無線通信が可能であると判定するまで距離センサ103の動作が停止した旨の通知、および、測定データを送信しない。
次に、データ分析装置200のデータ解析部203は、データ記憶部202に記憶される測定データを読み出して、フォーカスリングFRの厚みを算出する(ステップS16)。具体的に、データ記憶部202には、測定データのイメージ図である図7の元となる数値データが記憶される。図示する通り、データ記憶部202には、距離センサ103により収集された距離データと、それぞれの距離データを取得した時刻と、それぞれの距離データが何回転目のデータであるかを示す回転回数情報とが、対応付けられて時系列順に記憶される。データ解析部203は、予め設定された距離センサ103から静電チャックD2までの距離と、各距離データとの差分をとって、フォーカスリングFRの厚みをそれぞれ求める。
次に、データ解析部203は、求めた厚みが予め設定された閾値以下か否かを判定する(ステップS17)。具体的に、データ解析部203は、各距離データを用いて求めた複数の厚みデータの中から、閾値以下のデータが存在するか否かを判定する。データ解析部203は、閾値以下の厚みデータが存在すると判定すると(ステップS17;Yes)、検査対象のフォーカスリングFRは劣化していると判定する(ステップS18)。そして、データ解析部203は、劣化していると判定した判定結果を出力し(ステップS19)、処理を終了する。例えば、データ解析部203は、劣化していると判定した旨のメッセージおよび、図8に示すフォーカスリングFRの厚みと閾値との関係を表す図を表示部26に、表示させる。
一方、データ解析部203は、閾値以下の厚みデータが存在しないと判定すると(ステップS17;No)、検査対象のフォーカスリングFRは劣化していないと判定する(ステップS19)。そして、データ解析部203は、劣化していないと判定した判定結果を出力し(ステップS20)、処理を終了する。
以上のように、データ収集分析システム1は、先端部に距離センサ103を備えるアーム104が設置された回転台101を回転させて、複数の測定データを取得する。距離センサ103の測定頻度、回転駆動部105の回転回数、回転速度等を予め設定することで、より精度が高い劣化判定に必要な数の測定データを取得することができる。データ収集分析システム1は、取得した測定データを用いて、検査対象のフォーカスリングFRの厚みを求め、フォーカスリングFRに閾値以下となる厚みが存在すると判定すると、フォーカスリングFRが劣化していると判定する。ユーザは、判定結果を参照して、フォーカスリングFRを交換するか否かの判断をしたり、特定の箇所が劣化している場合には、フォーカスリングFRの向きを変えて配置し直す等の判断が可能となる。
測定データ収集ユニット100は、データ分析装置200に接続された無線LANと通信が可能になったことを確認した後に、取得した測定データをデータ分析装置200に送信する。これにより、不要な電波をエッチング装置内に放出することを防止することができ、省エネを実現することができる。
測定データ収集ユニット100は、チャンバ内に搬送されて、測定データを収集する。これにより、手動で、チャンバを開けてフォーカスリングFRの状態を確認する手間を省くことができる。また、通常チャンバは暗室であるため、フォーカスリングFRを確認するための照明をチャンバ内に設ける必要がなくなる。
本開示の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることが可能である。
上記実施の形態において、データ収集分析システム1は、図8に示す通り、フォーカスリングFRの厚みを時系列の点群データとして出力することとしたがこれに限られない。例えば、データ収集分析システム1は、フォーカスリングFRの表面形状を3次元で表示する画像データを出力してもよい。具体的に、測定データ収集ユニット100の制御部107は、距離センサ103から距離データを受信した時刻と、制御部107の制御によって調節された測定時のアーム104のアーム長と、回転制御部106から取得した測定時の回転速度とに基づいて、各測定データの周方向の位置を示す位置データをそれぞれ求め、求めた位置データと距離データと対応付けて、データ分析装置200に送信する。データ分析装置200のデータ解析部203は、ステップS16で求めた各距離データに対応する厚みと、各距離データに対応付けられた位置データとに基づいて、フォーカスリングFRの表面形状を3次元で表す画像データを生成する。生成された3次元の画像データにより、検査時におけるフォーカスリングFRの表面形状の状態を確認し、フォーカスリングFRの表面がどの程度削られて消耗しているかを容易に把握することが可能となる。なお、データ解析部203は、出力部の一例であり、各距離データに対応付けられた位置データは、測定位置データの一例である。
上記実施の形態において、データ収集分析システム1は、フォーカスリングFRの劣化状態を判定することとしたが、これに限定されず、フォーカスリングFR以外のチャンバ内に設置される部材の劣化状態を判定することも可能である。例えば、図2に示すチャンバ内のウェハチャックDを形成する静電チャックD2の劣化状態を判定してもよい。この場合、静電チャックD2にフォーカスリングFRを設置しない状態で、測定データ収集ユニット100を動作させて、距離センサ103と静電チャックD2の表面との距離データを取得する。データ解析部203は、取得した距離データの中から予め定められた閾値以下の距離データが存在すると判定した場合に、静電チャックD2が劣化していると判定すればよい。なお、検査対象物は、フォーカスリングFRと同様にO形のリング状部材に限らず、C形のリング状部材であってもよい。
また、測定データ収集ユニット100は、1つのアーム104を備えることとして説明したが、これに限られず、図9に示す通り、複数のアーム104を備えてもよい。この場合、複数のアーム104のアーム長をそれぞれ異なる長さに予め設定してもよい。これにより、少ない回転回数で多くの測定データを取得することが可能となる。
また、アーム104の先端部に取り付けられる距離センサ103の数、および、形状は、任意である。図10Aに示す通り、複数の距離センサ103を取り付けてもよく、図10Bに示す通り、測定範囲が広い距離センサ103を取り付けてもよい。これにより、少ない回転回数で多くの測定データを取得することが可能となる。
また、上記実施の形態では、予め設定したアーム104のアーム長で距離データを取得することとしたがこれに限られない。制御部107は、回転台101の回転回数毎にアーム104のアーム長を変更して、距離センサ103に距離データを取得させてもよい。
また、アーム長の変更は、制御部107による機械制御に限られない。例えば、アーム104の可動部104bは、バネにより水平方向に伸縮可能に形成される。回転制御部106による回転速度の制御により、回転台101が回転すると、遠心力によりアーム104が伸長する。
また、データ解析部203は、検査基準として、各距離データを用いて求めた複数の厚みデータの中から、閾値以下のデータが存在するか否かを判定することにより、フォーカスリングFRの劣化判断を行うこととしたがこれに限られない。例えば、厚みデータの平均、分散等を求め、それぞれに対応する閾値との比較により劣化の有無を判断してもよく、検査基準は任意である。
また、データ解析部203は、フォーカスリングFRの厚みを求めずに、距離センサ103により測定された、距離センサ103とフォーカスリングFRの表面との離間距離を示す距離データを使用して劣化判断を行ってもよい。具体的に、データ分析装置200には、距離センサ103とフォーカスリングFRの表面との離間距離に関する閾値が予め設定されている。ステップS15により、測定データ取得部110が、データ分析装置200との無線通信が可能であると判定し(ステップS15;Yes)、データ分析装置200に測定データを送信した場合、データ解析部203は、送信された測定データの中から閾値を超えるデータの有無を判定する。次に、データ解析部203は、閾値を超える測定データがあると判定した場合、検査対象のフォーカスリングFRは劣化していると判定し、閾値を超える測定データがないと判定した場合、検査対象のフォーカスリングFRは劣化していないと判定すればよい。
また、データ収集分析システム1は、プラズマエッチング装置に適用されるものとして説明したがこれに限定されず、フォーカスリングを設置してプラズマ処理を行う装置であればよい。例えば、CVD装置、PVD装置、スパッタリング装置、エッチャー等のプラズマ処理を行う装置であってもよいし、フラットパネルディスプレイの基板に対しプラズマ処理を行うフラットパネルディスプレイ製造装置であってもよい。
また、上記実施の形態において、ユーザは、検査時にフォーカスリングFRが劣化していると判定するフォーカスリングFRの厚みを閾値として、データ分析装置200に登録することとしたがこれに限られない。ユーザは、フォーカスリングFRが劣化していると判定する、フォーカスリングFRの表面が削られた厚みを示す消耗量を予めデータ分析装置200に登録し、検査時に、検査対象のフォーカスリングFRの使用前の厚みをデータ分析装置200に入力する。そして、データ分析装置200は、フォーカスリングFRの使用前の厚みと登録された消耗量の差を求め、求めた差を閾値として自動的に設定してもよい。また、消耗量は、使用前のフォーカスリングFRの厚みに対する、検査時のフォーカスリングFRの厚みの割合であってもよい。
また、データ分析装置200は、専用の装置によらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、データ分析装置200における各機能を実現するためのプログラムを、コンピュータが読み取り可能なCD-ROM(Compact Disc Read Only Memory)、DVD-ROM(Digital Versatile Disc Read Only Memory)等の記録媒体に格納して配布し、このプログラムをコンピュータにインストールすることにより、上述の各機能を実現することができるコンピュータを構成してもよい。
また、各機能をOS(Operating System)とアプリケーションとの分担、またはOSとアプリケーションとの協同により実現する場合には、アプリケーションのみを記録媒体に格納してもよい。
本開示は、本開示の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この開示を説明するためのものであり、本開示の範囲を限定するものではない。すなわち、本開示の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、請求の範囲内及びそれと同等の開示の意義の範囲内で施される様々な変形が、本開示の範囲内とみなされる。
1 データ収集分析システム、100 測定データ収集ユニット、200 データ分析装置、300 ネットワーク、101 回転台、102 台座、103 距離センサ、104 アーム、104a 固定部、104b 可動部、105 回転駆動部、106 回転制御部、107 制御部、108,204 無線通信部、109 センサ制御部、110 測定データ取得部、120 回転軸、201 データ取得部、202 データ記憶部、203 データ解析部、21 CPU、22 RAM、23 ROM、24 記憶部、25 入力部、26 表示部、27 無線通信部、99 内部バス、1000 プラズマエッチング装置、D ウェハチャック、D1 サセプタ、D2 静電チャック、CH チャンバ、AN アライナ、FR フォーカスリング、LP ロードポート、VM 真空搬送モジュール、VR 真空搬送ロボット、TM 搬送装置、SN センサ。

Claims (9)

  1. プラズマ処理の処理対象物に代えてウェハチャックに配置され、検査対象部材の状態を示す測定データを収集する測定データ収集ユニットと、該測定データ収集ユニットにより収集された測定データにより、前記検査対象部材の状態を判定するデータ分析装置と、を備えるデータ収集分析システムであって、
    前記測定データ収集ユニットは、
    前記検査対象部材までの距離を測定する測定部と、
    前記測定部を前記検査対象部材に向けて支持する支持部と、
    前記支持部を、前記検査対象部材の中心軸を中心に回転させる駆動部と、
    を備え、
    前記データ分析装置は、
    前記測定部が測定した前記距離を示す距離データを含む前記測定データを取得するデータ取得部と、
    前記データ取得部により取得された測定データに基づいて、前記検査対象部材が劣化しているか否かを判定する判定部と、
    を備えるデータ収集分析システム。
  2. 前記支持部は、円盤状の回転台と、該回転台上に設置され、該回転台の回転半径方向に伸縮可能なアームと、を備え、
    前記測定部は、前記アームの先端部に取り付けられ、
    前記駆動部は、前記回転台を回転する、
    請求項1に記載のデータ収集分析システム。
  3. 前記測定データ収集ユニットは、
    前記アームの長さを制御して、前記測定部を前記検査対象部材と対向する位置に移動させる制御部、をさらに備える、
    請求項2に記載のデータ収集分析システム。
  4. 前記測定データ収集ユニットは、
    前記回転台の回転回数と回転速度とを制御する回転制御部、をさらに備え、
    前記回転制御部は、予め設定された前記回転回数と前記回転速度との目標値を示す指示信号を前記駆動部に送信し、
    前記駆動部は、前記回転制御部から受信した指示信号に基づいて、前記回転台を回転する、
    請求項2又は3に記載のデータ収集分析システム。
  5. 前記測定データ収集ユニットは、
    前記測定データを取得して記憶し、前記データ分析装置と通信可能になったことを検知した場合に、取得した測定データを前記データ分析装置に送信するデータ送信部、をさらに備える、
    請求項1から3のいずれか1項に記載のデータ収集分析システム。
  6. 前記データ送信部は、前記測定部から前記距離データを取得した時刻と、該時刻の前記支持部が備える円盤状の回転台の回転速度と、前記支持部が備えるアームのアーム長と、をさらに取得し、取得した時刻と回転速度とアーム長とから、前記距離データの周方向の測定位置データを算出し、前記距離データと算出した測定位置データとをそれぞれ対応付けて、前記データ分析装置に送信し、
    前記データ分析装置は、
    前記データ送信部から送信された距離データと測定位置データとを用いて、前記検査対象部材の表面形状を3次元で表示する画像データを生成して出力する出力部、をさらに備える、
    請求項5に記載のデータ収集分析システム。
  7. 前記検査対象部材は、前記測定データ収集ユニットの周縁に設置されるフォーカスリングであり、
    前記判定部は、前記データ取得部により取得された各測定データに基づいて、該測定データに対応するフォーカスリングの厚みをそれぞれ求め、求めた厚みの中に、予め定められた閾値以下のデータが存在すると判定した場合に、前記フォーカスリングは劣化していると判定する、
    請求項1から3のいずれか1項に記載のデータ収集分析システム。
  8. プラズマ処理の処理対象物に代えてウェハチャックに配置され、検査対象部材の状態を示す測定データを収集する測定データ収集ユニットであって、
    リング状の検査対象部材までの距離を測定する距離センサと、
    前記距離センサを前記検査対象部材に向けて支持する支持部と、
    前記支持部を回転させることにより、前記距離センサを前記検査対象部材に沿って公転させる駆動部と、
    前記距離センサが測定した前記距離を示す距離データを含む前記測定データを取得する測定データ取得部と、
    を備える、測定データ収集ユニット。
  9. リング状の検査対象部材の状態を判定する方法であって、
    前記検査対象部材の状態を示す測定データを収集する測定データ収集ユニットを、プラズマ処理の処理対象物に代えてウェハチャックに配置するステップと、
    前記測定データ収集ユニットが備える、前記検査対象部材までの距離を測定する測定部を、前記検査対象部材の中心軸を中心に公転させつつ前記距離を示す距離データを収集するステップと、
    収集した距離データが予め定められた基準を満たすか否かを判定するステップと、
    を備えるデータ収集分析方法。
JP2023501428A 2022-09-01 2022-09-01 データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法 Active JP7305076B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/032919 WO2024047835A1 (ja) 2022-09-01 2022-09-01 データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP7305076B1 true JP7305076B1 (ja) 2023-07-07

Family

ID=87001946

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023501428A Active JP7305076B1 (ja) 2022-09-01 2022-09-01 データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7305076B1 (ja)
WO (1) WO2024047835A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016154224A (ja) * 2015-01-28 2016-08-25 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体製造チャンバ内の消耗部品の余寿命の推定
JP2017050535A (ja) * 2015-08-21 2017-03-09 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体製造機器内の消耗部品の摩耗検出
JP2017138157A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 トヨタ自動車株式会社 深さ測定方法
JP2018032857A (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 半導体プロセスモジュールのためのエッジリングまたはプロセスキット
JP2018179728A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 東京エレクトロン株式会社 位置検出システム及び処理装置
JP2021129006A (ja) * 2020-02-13 2021-09-02 東京エレクトロン株式会社 ティーチング方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016154224A (ja) * 2015-01-28 2016-08-25 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体製造チャンバ内の消耗部品の余寿命の推定
JP2017050535A (ja) * 2015-08-21 2017-03-09 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 半導体製造機器内の消耗部品の摩耗検出
JP2017138157A (ja) * 2016-02-02 2017-08-10 トヨタ自動車株式会社 深さ測定方法
JP2018032857A (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 半導体プロセスモジュールのためのエッジリングまたはプロセスキット
JP2018179728A (ja) * 2017-04-12 2018-11-15 東京エレクトロン株式会社 位置検出システム及び処理装置
JP2021129006A (ja) * 2020-02-13 2021-09-02 東京エレクトロン株式会社 ティーチング方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024047835A1 (ja) 2024-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI521637B (zh) 用於半導體製造裝置的感測器系統
TWI709173B (zh) 半導體製造設備中的可消耗零件之耗損偵測
US6190037B1 (en) Non-intrusive, on-the-fly (OTF) temperature measurement and monitoring system
US11387122B2 (en) Method and apparatus for measuring process kit centering
WO2019073738A1 (ja) 被処理物の温度測定装置及び温度測定方法並びに攪拌・脱泡方法
TW202336829A (zh) 用於監測半導體工廠自動化系統之參數之系統及方法
JP2018147939A (ja) 自転検出用冶具、基板処理装置及び基板処理装置の運転方法
KR20130099843A (ko) 연마 종점 검출 장치의 원격 감시 시스템
CN106153331B (zh) 基于机器视觉的柔性双关节机械臂振动的测量装置及方法
US20210172728A1 (en) Methods and systems of optical inspection of electronic device manufacturing machines
WO2023072180A1 (zh) 半导体工艺设备以及晶圆位置状态的监测方法
JP7305076B1 (ja) データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法
JP6506153B2 (ja) 変位検出装置および変位検出方法ならびに基板処理装置
JP2023534598A (ja) 基板測定サブシステム
JP2023534596A (ja) 製造プロセス性能を向上させるための統合された基板測定システム
JP2011009007A (ja) イオン注入装置のウエハ温度補償システム
TWI691047B (zh) 資料處理方法、資料處理裝置以及資料處理程式
TW201426900A (zh) 基板定向腔室
JP5330795B2 (ja) 気相成長装置の基板温度測定方法
US20190139796A1 (en) Monitoring apparatus and semiconductor manufacturing apparatus including the same
US10222779B2 (en) Semiconductor wafer position display system, semiconductor wafer position display method, and semiconductor wafer position display program
CN207282457U (zh) 一种晶圆转速测试装置及半导体设备
JP7229444B1 (ja) プラズマ処理装置および劣化判定方法
KR20140125167A (ko) 클린룸에 발생되는 유해물질 모니터링 장치
US20230057763A1 (en) Optical sensors for measuring properties of consumable parts in a semiconductor plasma processing chamber

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230110

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20230110

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20230110

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230410

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230530

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230627

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7305076

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150