JP2023534598A - 基板測定サブシステム - Google Patents

Abstract

基板測定サブシステムのための方法が提供される。製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示が受信される。基板測定サブシステム内の基板の第１の位置データが決定される。基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される基板の１つ又は複数の部分は、基板の第１の位置データ及び基板についてのプロセスレシピに基づいて決定される。基板の決定された部分の各々の測定値は、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって取得される。基板の決定された部分の各々の獲得された測定値は、システムコントローラに送信される。【選択図】図９

Description

［０００１］ 本開示の実施形態は、概して、製造システムに関し、より詳細には、基板測定サブシステムに関する。

［０００２］ 製造システムにおける基板の処理は、概して、所定のプロセスレシピにしたがって基板に対して実行される複数の処理動作を含む。いくつかの例では、製造システムにおける１つ又は複数の条件は、基板の処理中に予想外に変化する可能性がある。製造条件の変化が起こる際に、予め決定されたプロセスレシピにしたがって基板が処理される場合、プロセス中にエラーが発生し、完成した基板が欠陥となる可能性がある。いくつかの例では、プロセスレシピの動作は、基板の処理中にエラーが発生するのを防止するために、変更された条件を考慮して修正することができる。しかしながら、製造システムのオペレータが、プロセスレシピのどの動作を修正すべきかを識別することは困難でありうる。

［０００３］ 説明される実施形態のいくつかは、製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信することを含む方法に範囲が及ぶ。本方法は、基板測定サブシステム内の基板の第１の位置データを決定することを更に含む。本方法は、基板の第１の位置データ及び基板についてのプロセスレシピに基づいて、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される基板の１つ又は複数の部分を決定することを更に含む。本方法は更に、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって、基板の決定された部分の各々の測定値を取得することを更に含む。本方法は、基板の決定された部分の各々の取得された測定値をシステムコントローラに送信することを更に含む。

［０００４］ いくつかの実施形態では、製造システムは、基板測定サブシステム内の基板の１つ又は複数の部分の測定値を取得するように構成された１つ又は複数の感知構成要素と、１つ又は複数の感知構成要素に連結されたコントローラとを含む。コントローラは、製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信することを実行する。コントローラは、基板測定サブシステム内の基板の第１の位置データを決定することを更に実行する。コントローラは、基板の第１の位置データ及び基板についてのプロセスレシピに基づいて、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される基板の１つ又は複数の部分を決定することを更に実行する。コントローラは、基板の決定された部分の各々の取得された測定値をシステムコントローラに送信することを更に実行する。

［０００５］ いくつかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読記憶媒体は、処理デバイスによって実行されると、処理デバイスに、製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信させる命令を含む。本命令は、更に、処理デバイスに、基板測定サブシステム内の基板の第１の位置データを決定させる。本命令は、更に、処理デバイスに、基板の第１の位置データ及び基板についてのプロセスレシピに基づいて、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される基板の１つ又は複数の部分を決定させる。本命令は、更に、処理デバイスに、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって、基板の決定された部分の各々の測定値を取得させる。本命令は、更に、処理デバイスに、基板の決定された部分の各々の取得された測定値をシステムコントローラに送信させる。

［０００６］ 本開示は、添付図面において、限定ではなく例として示されており、類似の参照符号は類似の要素を示している。本開示における「ある（ａｎ）」又は「１つの（ｏｎｅ）」実施形態に対する異なる言及は、必ずしも同じ実施形態に対するものではなく、そのような言及は、少なくとも１つを意味することに留意されたい。

［０００７］ 本開示の態様による、例示的な製造システムの上面概略図である。 ［０００８］ 本開示の態様による、基板測定サブシステムの断面概略側面図である。 ［０００９］ 本開示の態様による、処理チャンバの断面概略側面図である。 ［００１０］ 本開示の態様による、システムコントローラを示すブロック図である。 ［００１１］ 本開示の態様による、製造システムのオペレータに通知を提供するための例示的なグラフィカルユーザインターフェースを示す。 ［００１２］ 本開示の態様による、基板について収集されたスペクトルデータを示す。 ［００１３］ 本開示の態様による、ウエハについてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定するための方法のフローチャートである。 ［００１４］ 本開示の態様による、ウエハについてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定するための別の方法のフローチャートである。 ［００１５］ 本開示の態様による、基板測定サブシステムで基板のスペクトルデータを取得するための方法のフローチャートである。 ［００１６］ 本開示の態様による、基板測定サブシステム内の基板の位置データを決定するための方法のフローチャートである。 ［００１７］ 本明細書で論じられる方法論のうちの任意の１つ又は複数をマシンに実行させるためのセットの命令を実行することができる、コンピューティングデバイスの例示的な形態のマシンの概略図を示す。

［００１８］ 本明細書に記載の実施態様は、製造プロセス性能を改善するための統合された基板測定システムを提供する。統合された基板測定システムの様々な構成要素は、製造システムで基板のためのプロセスを制御するように構成されたシステムコントローラに動作可能に連結することができる。システムコントローラは、製造システムの様々な部分からデータを受信し、統合された基板測定システムで収集されたデータを記憶する専用のデータストアにデータを記憶するように構成することができる。システムコントローラは、基板の処理前、処理中、又は処理後に、製造システムの１つ又は複数の部分（例えば、処理チャンバ、ロードロックなど）からデータを受信することができる。システムコントローラはまた、統合された基板測定システム内に含まれる基板測定サブシステムからデータを受信することができる。基板測定サブシステムは、製造システムの１つ又は複数の部分内に（例えば、ファクトリインターフェースで）統合されうる。基板測定サブシステムは、システムの別の部分での基板処理の前又は後に、基板に関連するデータを生成するように構成されうる。

［００１９］ 基板測定サブシステムは、スペクトルデータ、位置データ、基板特性データなどを含む、基板のための１つ又は複数のタイプのデータを生成するように構成されうる。基板測定サブシステムは、基板が製造システムで処理される前又は後に、基板についての１つ又は複数の測定値を取得するリクエストに応答して、基板についてのデータを生成することができる。基板測定サブシステムは、基板のためのデータの生成を容易にする１つ又は複数の構成要素を含みうる。例えば、基板測定サブシステムは、基板の一部から１つ又は複数のスペクトル（ｓｐｅｃｔｒａ ｏｒ ｓｐｅｃｔｒｕｍ）を感知し、基板についてのスペクトルデータを生成するためのスペクトル感知構成要素を含むことができる。いくつかの実施形態では、スペクトル感知構成要素は、製造システムで実行されるプロセスのタイプ又は基板測定サブシステムで取得される測定値のターゲットタイプに基づいて構成可能でありうる交換可能な構成要素とすることができる。例えば、スペクトル感知構成要素の１つ又は複数の構成要素は、基板測定サブシステムで交換され、反射率測定スペクトルデータ、エリプソメトリスペクトルデータ、ハイパースペクトルイメージングデータ、化学イメージング（例えば、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）、エネルギー分散Ｘ線分光法（ＥＤＸ）、（Ｘ線蛍光（ＸＲＦ）など）データなどの収集を可能にしうる。基板測定サブシステムはまた、基板測定サブシステム内の基板の位置及び／又は配向を修正するように構成された位置構成要素を含むことができる。位置構成要素はまた、基板に関連する位置データを生成することができる。基板測定サブシステムは、基板の一部について生成された位置データ及びスペクトルデータを相関させることができる。基板測定サブシステムは、生成されたデータ（例えば、スペクトルデータ、位置データなど）を製造システムのシステムコントローラに送信しうる。

［００２０］ 基板測定サブシステム及び製造システムの一部からデータを受信するシステムコントローラに応答して、システムコントローラは、基板についてのプロセスレシピを修正するかどうか決定することができる。システムコントローラは、基板測定構成要素から受信された第１のセットのデータと、製造システムの一部から受信された第２のセットのデータとの間のマッピングを生成することができる。第１のセットのデータと第２のセットのデータとの間のマッピングを生成することに応答して、システムコントローラは、マッピングに基づいて基板についてのプロセスレシピを修正するかどうか決定しうる。いくつかの実施形態では、基板についてのプロセスレシピを修正するとの決定に応答して、システムコントローラは、プロセスレシピに修正を行うべきであることを推奨する製造システムのユーザに通知を送信することができる。システムコントローラは、製造システムのユーザから、プロセスレシピが推奨にしたがって修正されるべきであるという通知を受信することに応答して、プロセスレシピを修正しうる。他の又は類似の実施形態では、システムコントローラは、製造システムのユーザに指示することなく、プロセスレシピを修正しうる。

［００２１］ 本開示の実施態様は、基板についてのプロセスレシピのために修正が行われるべきかどうかを決定するためのシステムを提供することによって、従来技術の上述の欠点に対処する。基板が製造システムで処理される前又は後に基板についての測定値を生成することによって、システムコントローラは、基板についてのプロセスに影響を及ぼしうる変化が製造システム内で生じたかどうかを決定することができる。製造システム内で変化が生じたとの決定に応答して、システムコントローラは、製造システムへの変化の結果として基板プロセス中にエラーが生じることを防止するために、プロセスレシピに対して行われる修正を決定することができる。基板についてのプロセスレシピを修正することによって、システムコントローラは、処理される基板が欠陥となる可能性を減少させ、したがって、製造システムの全体的なスループットを増加させる。更に、製造システム内に基板測定サブシステムを統合することによって、製造システム内の各基板の全体的なサンプリングレートが増加する。

［００２２］ 図１は、本開示の態様による、例示的製造システム１００の上面概略図である。製造システム１００は、基板１０２上で１つ又は複数のプロセスを実行しうる。基板１０２は、例えば、シリコン含有ディスク又はウエハ、パターニングされたウエハ、ガラスプレートなど、電子デバイス又は回路構成要素をその上に製造するのに適した任意の適切な剛性の固定寸法の平面物品でありうる。

［００２３］ 製造システム１００は、プロセスツール１０４と、プロセスツール１０４に連結されたファクトリインターフェース１０６とを含みうる。プロセスツール１０４は、内部に移送チャンバ１１０を有するハウジング１０８を含みうる。移送チャンバ１１０は、周囲に配置され、そこに連結された１つ又は複数の処理チャンバ（プロセスチャンバとも呼ばれる）１１４、１１６、１１８を含みうる。処理チャンバ１１４、１１６、１１８は、スリットバルブなどのようなそれぞれのポートを通して移送チャンバ１１０に連結されうる。

［００２４］ 処理チャンバ１１４、１１６、１１８は、基板１０２上で任意の数のプロセスを実行するように適合されうる。同じ又は異なる基板プロセスが、各処理チャンバ１１４、１１６、１１８において実施されうる。基板プロセスは、原子層堆積（ＡＬＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、硬化、予洗浄、金属又は金属酸化物除去などを含みうる。いくつかの実施形態では、基板プロセスは、原子層堆積（ＡＬＤ）、物理的気相堆積（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチング、アニーリング、硬化、予洗浄、金属又は金属酸化物除去などのうちの２つ以上の組み合わせを含みうる。１つの例では、ＰＶＤプロセスはプロセスチャンバ１１４の一方又は両方において実行され、エッチングプロセスはプロセスチャンバ１１６の一方又は両方において実行され、アニーリングプロセスはプロセスチャンバ１１８の一方又は両方において実行されうる。他のプロセスは、その中の基板上で実行されうる。処理チャンバ１１４、１１６、１１８は各々、基板プロセスの前、後、又は間に、基板１０２及び／又は処理チャンバ１１４、１１６、１１８内の環境についてのデータを捕捉するように構成された１つ又は複数のセンサを含みうる。いくつかの実施形態では、１つ又は複数のセンサは、１つ又は複数のスペクトル（例えば、光スペクトル）、温度（例えば、ヒータ温度）、間隔（ＳＰ）、圧力、高周波無線周波数（ＨＦＲＦ）、静電チャック（ＥＳＣ）の電圧、電流、流れ（ｆｌｏｗ）、電力、電圧、静電容量などのうちの１つ又は複数の値を含むデータを捕捉するように構成されうる。処理チャンバ１１４、１１６、１１８に関する更なる詳細は、図３に関連して提供される。

［００２５］ 移送チャンバ１１０はまた、移送チャンバロボット１１２を含みうる。移送チャンバロボット１１２は、１つ又は複数のアームを含みうる。各アームは、各アームの端部に１つ又は複数のエンドエフェクタを含む。エンドエフェクタは、ウエハなどの特定の物体を取り扱うように構成されうる。代替的には、又は追加的には、エンドエフェクタは、プロセスキットリングなどの物体を取り扱うように構成されうる。いくつかの実施形態では、移送チャンバロボット１１２は、選択的コンプライアンスアセンブリロボットアーム（ＳＣＡＲＡ）ロボットであってもよく、例えば、２リンクＳＣＡＲＡロボット、３リンクＳＣＡＲＡロボット、４リンクＳＣＡＲＡロボットなどである。

［００２６］ また、ロードロック１２０は、ハウジング１０８及び移送チャンバ１１０に連結されうる。ロードロック１２０は、片側の移送チャンバ１１０及びファクトリインターフェース１０６とインターフェース接続し、これらに連結されるように構成されうる。ロードロック１２０は、いくつかの実施形態では、真空環境（基板が移送チャンバ１１０との間で移送されうる）から、大気圧又は大気圧に近い不活性ガス環境（基板がファクトリインターフェース１０６との間で移送されうる）に変更されうる、環境制御された大気を有しうる。いくつかの実施形態では、ロードロック１２０は、異なる垂直レベルに位置する（例えば、一方が他方の上にある）一対の上側内部チャンバ及び１対の下側内部チャンバを有する積層ロードロックでありうる。いくつかの実施形態では、一対の上側内部チャンバは、プロセスツール１０４からの取り外しのために移送チャンバ１１０から処理された基板を受け取るように構成されうる一方で、一対の下側内部チャンバは、プロセスツール１０４で処理するためにファクトリインターフェース１０６から基板を受け取るように構成されうる。いくつかの実施形態では、ロードロック１２０は、その中に受容された１つ又は複数の基板１０２上で基板プロセス（例えば、エッチング又は予洗浄）を実行するように構成されうる。

［００２７］ ファクトリインターフェース１０６は、例えば、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）などの任意の適切な筐体でありうる。ファクトリインターフェース１０６は、ファクトリインターフェース１０６の様々なロードポート１２４にドッキングされた基板キャリア１２２（例えば、前方開口型統一ポッド（ＦＯＵＰ））から基板１０２を受け取るように構成されうる。ファクトリインターフェースロボット１２６（点線で示される）は、基板キャリア（容器とも称される）１２２とロードロック１２０との間で基板１０２を移送するように構成されうる。他の実施形態及び／又は類似の実施形態では、ファクトリインターフェース１０６は、交換部品を交換部品保管容器１２３から受け取るように構成されうる。ファクトリインターフェースロボット１２６は、１つ又は複数のロボットアームを含んでもよく、ＳＣＡＲＡロボットであってもよく、又はこれを含んでもよい。いくつかの実施形態では、ファクトリインターフェースロボット１２６は、移送チャンバロボット１１２よりも多くのリンク及び／又は多くの自由度を有しうる。ファクトリインターフェースロボット１２６は、各ロボットアームの端部上にエンドエフェクタを含みうる。エンドエフェクタは、ウエハなどの特定の物体を拾い上げて取り扱うように構成されうる。代替的には、又は追加的には、エンドエフェクタは、プロセスキットリングなどの物体を取り扱うように構成されうる。

［００２８］ 任意の従来のロボットタイプがファクトリインターフェースロボット１２６に使用されてもよい。移送は、任意の順序又は方向で実施されうる。ファクトリインターフェース１０６は、いくつかの実施形態では、例えば、わずかに正圧の非反応性ガス環境（例えば、非反応性ガスとして窒素を使用する）に維持されうる。

［００２９］ いくつかの実施形態では、移送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１１４、１１６、及び１１８、並びにロードロック１２０は、真空レベルに維持されうる。製造システム１００は、製造システム１００の１つ又は複数のステーションに連結される１つ又は複数の真空ポートを含みうる。例えば、第１の真空ポート１３０ａは、ファクトリインターフェース１０６をロードロック１２０に連結しうる。第２の真空ポート１３０ｂはロードロック１２０に連結され、ロードロック１２０と移送チャンバ１１０との間に配置されうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、移送チャンバ１１０、プロセスチャンバ１１４、１１６、及び１１８、並びに／又はロードロック１２０は、真空レベルに維持されないこともある。

［００３０］ 製造システム１００はまた、製造システム１００に関する情報をユーザ（例えば、オペレータ）に提供するように構成されているクライアントデバイス（図示せず）に接続されうる。クライアントデバイスは、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、ラップトップ、携帯電話、スマートフォン、タブレットコンピュータ、ネットブックコンピュータ、ネットワーク接続テレビなどのコンピューティングデバイスを含みうる。いくつかの実施形態では、クライアントデバイスは、１つ又は複数のグラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）を介して、製造システム１００のユーザに情報を提供しうる。例えば、クライアントデバイスは、ＧＵＩを介して基板１０２についてのプロセスレシピに対して行われる１つ又は複数の修正に関する情報を提供しうる。

［００３１］ 製造システム１００はまた、システムコントローラ１２８を含みうる。システムコントローラ１２８は、パーソナルコンピュータ、サーバコンピュータ、プラグラム可能な論理制御装置（ＰＬＣ）、マイクロコントローラなどのコンピューティングデバイスでありうる及び／又はこれを含みうる。システムコントローラ１３２は、マイクロプロセッサ、中央処理装置などの汎用処理デバイスでありうる１つ又は複数の処理デバイスを含みうる。より詳細には、処理デバイスは、複雑な命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令語（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、又は命令セットの組み合わせを実装する他の命令セット又はプロセッサでありうる。処理デバイスはまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサなどの１つ又は複数の専用処理デバイスでありうる。システムコントローラ１２８は、データストレージデバイス（例えば、１つ又は複数のディスクドライブ及び／又はソリッドステートドライブ）、メインメモリ、スタティックメモリ、ネットワークインターフェース、及び／又は他の構成要素を含みうる。システムコントローラ１２８は、本明細書で説明される方法及び／又は実施形態のうちの任意の１つ又は複数を実行する命令を実施しうる。いくつかの実施形態では、システムコントローラ１２８は、プロセスレシピにしたがって、製造システム１００で１つ又は複数の動作を実行する命令を実行しうる。プロセスレシピは、特定の順序で製造システム１００で実行される一連の動作を含む。命令は、メインメモリ、スタティックメモリ、二次ストレージ及び／又は処理デバイスを含みうるコンピュータ可読記憶媒体に記憶されうる（命令の実行中に）。

［００３２］ システムコントローラ１２８は、製造システム１００の様々な部分（例えば処理チャンバ１１４、１１６、１１８、移送チャンバ１１０、ロードロック１２０など）の上又は内部に含まれるセンサからデータを受信しうる。システムコントローラ１２８によって受信されるデータは、基板１０２及び／又は製造システム１００の一部内の基板１０２を取り囲む環境に関連するデータを含みうる。本説明の目的で、システムコントローラ１２８は、処理チャンバ１１４、１１６、１１８内に含まれるセンサからデータを受信するものとして説明される。しかしながら、システムコントローラ１２８は、製造システム１００の任意の部分からデータを受信し、本明細書に記載の実施形態にしたがって、その部分から受信したデータを使用しうる。例示的な実施例では、システムコントローラ１２８は、処理チャンバ１１４、１１６、１１８における基板処理の前、後、又はその間に、処理チャンバ１１４、１１６、１１８のための１つ又は複数のセンサからデータを受信しうる。そのような例では、処理チャンバ１１４、１１６、１１８から受信されたデータは、温度データ、位置データ（例えば、処理チャンバ１１４、１１６、１１８内の基板１０２の位置及び／又は配向）などを含む、基板１０２に関連付けられうる。システムコントローラ１２８によって受信されたデータはまた、処理チャンバ１１４、１１６、１１８の温度又は内部圧力、処理チャンバ１１４、１１６、１１８内の放射線量などを示すデータを含む、処理チャンバ１１４、１１６、１１８の環境に関連付けられうる。製造システム１００の様々な部分のセンサから受信したデータは、データストア１５０に記憶されうる。データストア１５０は、システムコントローラ１２８内の構成要素として含まれうるか、又はシステムコントローラ１２８とは別個の構成要素でありうる。データストア１５０に関する更なる詳細が、図４に関して提供される。

［００３３］ 製造システム１００は、基板測定サブシステム１４０を含みうる。基板測定サブシステム１４０は、基板１０２が製造システム１００で処理される前又は後に、基板１０２の１つ又は複数の部分の測定値を取得しうる。いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム１４０は、システムコントローラ１２８から測定値のリクエストを受信することに応答して、基板１０２の１つ又は複数の部分の測定値を取得しうる。基板測定サブシステム１４０は、製造システム１００の一部内に統合されうる。いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム１４０は、ファクトリインターフェース１０６内に統合されうる。このような実施形態では、ファクトリインターフェースロボット１２６は、基板キャリア１２２と基板測定サブシステム１４０及び／又は基板測定サブシステム１４０とロードロック１２０との間で基板１０２を移送するように構成されうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、基板測定サブシステム１４０は、製造システム１００の任意の部分と統合されないこともあり、代わりに独立型構成要素であってもよい。そのような実施形態では、基板測定サブシステム１４０で測定された基板１０２は、基板１０２が製造システム１００で処理される前又は後に、製造システム１００の一部との間で移送されうる。

［００３４］ 基板測定サブシステム１４０は、基板１０２の一部に関連するデータを生成することによって、基板１０２の一部の測定値を取得しうる。いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム１４０は、基板１０２のスペクトルデータ、位置データ、及び他の基板特性データを生成するように構成される。いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム１４０は、１つ又は複数の反射率測定センサ（即ち、反射率計）を含みうる。そのような実施形態では、基板測定サブシステム１４０によって生成されたスペクトルデータは、基板１０２の一部から反射された波の各波長の反射光強度を参照しうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、基板測定サブシステム１４０は、１つ又は複数のエリプソメトリセンサ（即ち、エリプソメータ）を含みうる。このような実施形態では、基板測定サブシステム１４０によって生成されたスペクトルデータは、基板１０２の一部から反射された偏光波の波長の反射光強度を参照しうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、スペクトルデータは、熱スペクトルセンサなどから収集されたスペクトルデータを参照しうる。上述のように、基板測定サブシステム１４０は、基板１０２の他の基板特性データ（即ち、非スペクトルデータ）を生成することができる。例えば、基板測定サブシステム１４０は、渦電流（即ち誘導性）センサ、容量性センサなどから収集した信号に基づいてデータを生成することができる。

［００３５］ 基板１０２のためのデータを生成した後に、基板測定サブシステム１４０は、生成されたデータをシステムコントローラ１２８に送信しうる。基板測定サブシステム１４０からのデータの受信に応答して、システムコントローラ１２８は、データストア１５０でデータを記憶しうる。

［００３６］ いくつかの実施形態において、基板測定サブシステム１４０からシステムコントローラ１２８によって受信されたデータは、処理チャンバ１１４、１１６、１１８の１つ又は複数のセンサから受信されたデータと関連付けられうる。例えば、基板１０２についての第１のセットのデータは、基板測定システム１４０において生成されうる。システムコントローラ１２８が第１のセットのデータを受信することに応答して、基板１０２は、処理のために処理チャンバ１１４、１１６、１１８に移送されうる。処理チャンバ１１４、１１６、１１８で、第２のセットのデータが基板１０２に対して生成され、システムコントローラ１２８に移送されうる。第１のセットのデータが第２のセットのデータに関連付けられているとの決定に応答して、システムコントローラ１２８は、第１のセットのデータと第２のセットのデータとの間のマッピングを生成し、生成されたマッピングをデータストア１５０に記憶しうる。第１のセットのデータと第２のセットのデータとの間のマッピングに基づいて、システムコントローラ１２８は、基板１０２についてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定しうる。システムコントローラ１２８が基板１０２についてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定することに関する更なる詳細が、図４に関して提供される。

［００３７］ いくつかの実施形態では、プロセスレシピを修正するとの決定に応答して、システムコントローラ１２８は、プロセスレシピを修正すべきであることを示す通知を製造システム１００のオペレータに提供しうる。いくつかの例では、通知は、図５のＧＵＩ５００のような、クライアントデバイスを介して表示されるＧＵＩを介して提供されうる。通知は、オペレータがプロセスレシピに対する修正を受け入れるか又は拒否することを可能にするＧＵＩ要素とともに、プロセスレシピの１つ又は複数の動作を修正するための推奨を提供しうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、通知は、オペレータが他の代替的推奨よりもある推奨を選択可能にする１つ又は複数のＧＵＩ要素とともに、プロセスレシピの１つ又は複数の動作に対する修正のための複数の代替的推奨を提供しうる。いくつかの実施形態では、システムコントローラ１２８は、製造システム１００のオペレータに通知を提供しないこともあり、代わりに、プロセスレシピに対する最良の修正の識別に基づいて、プロセスレシピを修正してもよい。

［００３８］ 図２は、本開示の態様による、基板測定サブシステム２００の断面概略側面図である。基板測定サブシステム２００は、処理チャンバでの基板１０２の処理の前又は後に、図１の基板１０２などの基板の１つ又は複数の部分の測定値を取得するように構成されうる。基板測定サブシステム２００は、基板１０２の一部に関連するデータを生成することによって、基板１０２の一部の測定値を取得しうる。いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム２００は、基板１０２に関連するスペクトルデータ、位置データ、及び／又は他の特性データを生成するように構成されうる。基板測定サブシステム２００は、基板１０２の一部に関連するデータを生成するための１つ又は複数の命令を実行するように構成されたコントローラ２３０を含みうる。

［００３９］ 基板測定サブシステム２００は、基板１０２が基板測定サブシステム２００にいつ移送されるかを検出するように構成された基板感知構成要素２１４を含みうる。基板感知構成要素２１４は、基板１０２が基板測定サブシステム２００にいつ移送されるかを検出するように構成された任意の構成要素を含みうる。例えば、基板感知構成要素２１４は、基板測定サブシステム２００への入口を横切って光ビームを伝達する光感知構成要素を含みうる。基板感知構成要素２１４は、基板１０２が基板測定サブシステム２００内に配置される際に、基板１０２が基板測定サブシステム２００への入口を横切って伝達された光ビームを破壊することに応答して、基板１０２が基板測定サブシステム２００に移送されたことを検出しうる。基板１０２が基板測定サブシステム２００に移送されたとの検出に応答して、基板感知構成要素２１４は、基板１０２が基板測定サブシステム２００に転送されたことを示す指示をコントローラ２３０に送信しうる。

［００４０］ いくつかの実施形態では、基板感知構成要素２１４は、基板１０２に関連する識別情報を検出するように更に構成されうる。いくつかの実施形態では、基板１０２は、基板測定サブシステム２００に移送されるとき、基板キャリア（図示せず）内に埋め込まれうる。基板キャリアは、基板１０２の識別を可能にする１つ又は複数の登録特徴を含みうる。例えば、基板感知構成要素２１４の光学感知構成要素は、基板キャリア内に埋め込まれた基板１０２が、基板測定サブシステム２００への入口を横切って伝達された光ビームを破壊したことを検出しうる。光学感知構成要素は、基板キャリア上に含まれる１つ又は複数の登録特徴を更に検出しうる。１つ又は複数の登録特徴を検出することに応答して、光学感知構成要素は、１つ又は複数の登録特徴に関連する光学シグネチャを生成しうる。基板感知構成要素２１４は、基板が基板測定サブシステム２００内に配置されたという指示とともに、光学感知構成要素によって生成された光学シグネチャをコントローラ２３０に送信しうる。感知構成要素２１４から光学シグネチャを受信することに応答して、コントローラ２３０は、基板１０２に関連付けられる識別情報を決定するために光学シグネチャを分析しうる。基板１０２に関連付けられた識別情報は、基板１０２のための識別子、基板１０２のプロセスのための識別子（例えば、バッチ番号又はプロセス実行番号）、基板１０２のタイプの識別子（例えば、ウエハ）などを含みうる。

［００４１］ 基板測定サブシステム２００は、基板測定サブシステム２００内の基板１０２の位置及び／又は配向を決定するように構成された１つ又は複数の構成要素を含みうる。基板１０２の位置及び／又は配向は、基板１０２の基準位置の識別に基づいて決定されうる。基準位置は、基板１０２の特定の部分に関連する識別特徴を含む基板１０２の部分でありうる。例えば、基板１０２は、基板１０２の中心部に埋め込まれた基準タグを有しうる。別の例では、基板１０２は、基板１０２の中心部において基板１０２の表面上に含まれる１つ又は複数の構造的特徴を有しうる。コントローラ２３０は、決定された基板１０２の識別情報に基づいて、基板１０２の特定の部分に関連する識別特徴を決定しうる。例えば、基板１０２がウエハであると決定することに応答して、コントローラ２３０は、ウエハの一部に一般に含まれる１つ又は複数の識別特徴を決定しうる。

［００４２］ コントローラ２３０は、基板１０２についての画像データを捕捉するように構成された１つ又は複数のカメラ構成要素２５０を用いて、基板１０２についての基準位置を識別しうる。カメラ構成要素２５０は、基板１０２の１つ又は複数の部分に関する画像データを生成し、その画像データをコントローラ２３０に送信しうる。コントローラ２３０は、基板１０２の基準位置に関連付けられた識別特徴を識別するために、画像データを分析しうる。コントローラ２３０は、基板１０２の識別された識別特徴に基づいて、画像データに示されるような基板１０２の位置及び／又は配向を更に決定しうる。コントローラ２３０は、画像データに示されるように、基板１０２の識別された識別特徴と、基板１０２の決定された位置及び／又は配向とに基づいて、基板１０２の位置及び／又は配向を決定しうる。

［００４３］ 基板１０２の位置及び／又は配向の決定に応答して、コントローラ２３０は、基板１０２の１つ又は複数の部分に関連付けられる位置データを生成しうる。いくつかの実施形態では、位置データは、基板１０２の一部に各々関連付けられた１つ又は複数の座標（例えばデカルト座標、極座標など）を含みうる。ここで各座標は、基板１０２についての基準位置からの距離に基づいて決定される。例えば、基板１０２の位置及び／又は配向の決定に応答して、コントローラ２３０は、基準位置を含む基板１０２の一部に関連する第１の位置データを生成しうる。第１の位置データは、（０，０）のデカルト座標を含む。コントローラ２３０は、基準位置に対する基板１０２の第２の部分に関連する第２の位置データを生成しうる。例えば、基準位置の真東約２ナノメートル（ｎｍ）に位置する基板１０２の一部に、（０，１）のデカルト座標が割り当てられうる。別の例では、基準位置の真北５ｎｍに位置する基板１０２の一部に、（１，０）のデカルト座標が割り当てられうる。

［００４４］ コントローラ２３０は、基板１０２について決定された位置データに基づいて、測定する基板１０２の１つ又は複数の部分を決定しうる。いくつかの実施形態では、コントローラ２３０は、基板１０２に関連付けられたプロセスレシピの１つ又は複数の動作を受け取りうる。そのような実施形態では、コントローラ２３０は、プロセスレシピの１つ又は複数の動作に基づいて、測定する基板１０２の１つ又は複数の部分を更に決定しうる。例えば、コントローラ２３０は、基板１０２の表面上にいくつかの構造的特徴がエッチングされた基板１０２に対してエッチングプロセスが実行されたという指示を受信しうる。結果として、コントローラ２３０は、測定する１つ又は複数の構造的特徴と、基板１０２の様々な部分における特徴の予想される位置とを決定しうる。

［００４５］ 基板測定サブシステム２００は、基板１０２を測定するための１つ又は複数の測定構成要素を含みうる。いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム２００は、基板１０２の１つ又は複数の部分のスペクトルデータを生成するように構成された１つ又は複数のスペクトル感知構成要素２２０を含みうる。前述のように、スペクトルデータは、検出された波の波長ごとのエネルギーの検出された波の強度（即ち、エネルギーの強度又は量）に対応しうる。収集されたスペクトルデータに関する更なる詳細が、図６に関して提供される。基板１０２を測定するための測定構成要素はまた、非スペクトルデータを収集し生成するように構成された非スペクトル感知構成要素（図示せず）を含むことができる。例えば、測定構成要素は、渦電流センサ又は容量センサを含むことができる。本明細書のいくつかの実施形態は、基板１０２のためのスペクトルデータの収集及び使用を参照しうるが、本明細書の実施形態は、基板１０２のために収集された非スペクトルデータに適用可能でありうる。

［００４６］ スペクトル感知構成要素２２０は、基板１０２の一部から反射されたエネルギーの波を検出し、検出された波に関連付けられたスペクトルデータを生成するように構成されうる。スペクトル感知構成要素２２０は、波発生器２２２と反射波受信器２２４とを含みうる。いくつかの実施形態では、波発生器２２２は、基板１０２の一部に向かって光のビームを発生させるように構成された光波発生器でありうる。このような実施形態では、反射波受信器２２４は、基板１０２の一部から反射光ビームを受信するように構成されうる。波発生器２２２は、エネルギーストリーム２２６（例えば、光ビーム）を生成し、エネルギーストリーム２２６を基板１０２の一部に伝達するように構成されうる。反射エネルギー波２２８は、基板１０２の一部から反射され、反射波受信器２２４によって受信されうる。図３Ａは、基板１０２の表面で反射された単一のエネルギー波を示しているが、複数のエネルギー波は、基板１０２の表面で反射され、反射波受信器２２４によって受信されうる。

［００４７］ 反射波受信器２２４が基板１０２の一部から反射エネルギー波２２８を受信することに応答して、スペクトル感知構成要素２２０は、反射エネルギー波２２８に含まれる各波の波長を測定しうる。スペクトル感知構成要素２２０は、各測定波長の強度を更に測定しうる。各波長及び各波長強度の測定に応じて、スペクトル感知構成要素２２０は、基板１０２の一部に対するスペクトルデータを生成しうる。スペクトル感知構成要素２２０は、発生したスペクトルデータをコントローラ２３０に送信しうる。コントローラ２３０は、生成されたスペクトルデータの受信に応答して、受信したスペクトルデータと基板１０２の測定部分についての位置データとの間のマッピングを生成しうる。

［００４８］ 基板測定サブシステム２００は、基板測定サブシステム２００で取得されるべき測定値のタイプに基づいて、特定のタイプのスペクトルデータを生成するように構成されうる。いくつかの実施形態において、スペクトル感知構成要素２２０は、１つのタイプのスペクトルデータを生成するように構成されている第１のスペクトル感知構成要素でありうる。例えば、スペクトル感知構成要素２２０は、反射率測定スペクトルデータ、エリプソメトリスペクトルデータ、ハイパースペクトルイメージングデータ、化学イメージングデータ、熱スペクトルデータ、又は導電性スペクトルデータを生成するように構成されうる。そのような実施形態では、第１のスペクトル感知構成要素は、基板測定サブシステム２００から除去され、異なるタイプのスペクトルデータ（例えば、反射率測定スペクトルデータ、エリプソメトリスペクトルデータ、ハイパースペクトルイメージングデータ、又は化学イメージングデータ）を生成するように構成された第２のスペクトル感知構成要素と置き換えられうる。

［００４９］ コントローラ２３０は、基板１０２の１つ又は複数の部分について取得されるべき測定値のタイプに基づいて、基板１０２について生成されるデータのタイプ（即ち、スペクトルデータ、非スペクトルデータ）を決定しうる。いくつかの実施形態では、コントローラ２３０は、システムコントローラ１２８から受信した通知に基づいて、１つ又は複数のタイプの測定値を決定しうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、コントローラ２３０は、基板１０２の一部の測定値を生成する命令に基づいて、１つ又は複数のタイプの測定値を決定しうる。取得される１つ又は複数のタイプの測定値を決定することに応答して、コントローラ２３０は、基板１０２について生成されるデータのタイプを決定しうる。例えば、コントローラ２３０は、スペクトルデータが基板１０２について生成されること、及び第２のスペクトル感知構成要素が、基板１０２の１つ又は複数の部分について決定されたタイプの測定値を取得するための最適な感知構成要素であることを決定することができる。第２の感知構成要素が最適な感知構成要素であるとの決定に応答して、コントローラ２３０は、第１のスペクトル感知構成要素が第２のスペクトル感知構成要素と置き換えられるべきであり、第２のスペクトル感知構成要素は、基板１０２の１つ又は複数の部分についての１つ又は複数のタイプの測定値を取得するために使用されるべきであることを示す通知をシステムコントローラに送信しうる。システムコントローラ１２８は、製造システムに接続されたクライアントデバイスに通知を送信しうる。クライアントデバイスは、ＧＵＩを介して製造システムのユーザ（例えば、オペレータ）に通知を提供しうる。

［００５０］ 他の実施形態又は類似の実施形態では、スペクトル感知構成要素２２０は、複数のタイプのスペクトルデータを生成するように構成されうる。そのような実施形態では、コントローラ２３０は、前述の実施形態にしたがって、スペクトル感知構成要素２２０に、基板１０２の１つ又は複数の部分について取得されるべき測定値のタイプに基づいて、特定のタイプのスペクトルデータを生成させうる。取得される測定値のタイプを決定することに応答して、コントローラ２３０は、スペクトル感知構成要素２２０によって第１のタイプのスペクトルデータが生成されることを決定しうる。スペクトル感知構成要素２２０によって第１のタイプのスペクトルデータが生成されるという決定に基づいて、コントローラ２３０は、スペクトル感知構成要素２２０に、基板１０２の１つ又は複数の部分についての第１のタイプのスペクトルデータを生成させうる。

［００５１］ 前述のように、コントローラ２３０は、基板測定サブシステム２００で測定する基板１０２の１つ又は複数の部分を決定しうる。いくつかの実施形態では、スペクトル感知構成要素２２０などの１つ又は複数の測定構成要素は、基板測定サブシステム２００内の静止構成要素でありうる。そのような実施形態では、基板測定サブシステム２００は、スペクトル感知構成要素２２０に対する基板１０２の位置及び／又は配向を修正するように構成された１つ又は複数の位置構成要素２４０を含みうる。いくつかの実施形態では、位置構成要素２４０は、スペクトル感知構成要素２２０に対して、第１の軸及び／又は第２の軸に沿って基板１０２を平行移動させるように構成されうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、位置構成要素２４０は、スペクトル感知構成要素２２０に対する第３の軸の周りで基板１０２を回転させるように構成されうる。

［００５２］ スペクトル感知構成要素２２０が基板１０２の１つ又は複数の部分のスペクトルデータを生成すると、位置構成要素２４０は、基板１０２について測定される１つ又は複数の決定された部分にしたがって基板１０２の位置及び／又は配向を修正しうる。例えば、スペクトル感知構成要素２２０が基板１０２についてのスペクトルデータを生成する前に、位置構成要素２４０が基板１０２をデカルト座標（０，０）に位置決めし、スペクトル感知構成要素２２０が基板１０２についての第１のスペクトルデータをデカルト座標（０，０）に生成しうる。スペクトル感知構成要素２２０がデカルト座標（０，０）で基板１０２についての第１のスペクトルデータを生成することに応答して、スペクトル感知構成要素２２０がデカルト座標（０，１）で基板１０２についての第２のスペクトルデータを生成するよう構成されるように、位置構成要素２４０は、基板１０２を第１の軸に沿って平行移動させうる。スペクトル感知構成要素２２０がデカルト座標（０，１）での基板１０２についての第２のスペクトルデータを生成することに応答して、スペクトル感知構成要素２２０がデカルト座標（１，１）での基板１０２についての第３のスペクトルデータを生成するよう構成されるように、コントローラ２３０は、第２の軸に沿って基板１０２を回転させうる。このプロセスは、基板１０２の決定された部分ごとにスペクトルデータが生成されるまで、複数回実行されうる。

［００５３］ いくつかの実施形態では、材料の１つ又は複数の層２１２が、基板１０２の表面上に含まれうる。１つ又は複数の層２１２は、エッチング材料、フォトレジスト材料、マスク材料、堆積材料などを含みうる。いくつかの実施形態では、１つ又は複数の層２１２は、処理チャンバで実行されるエッチング処理にしたがってエッチングされるエッチング材料を含みうる。そのような実施形態では、以前に開示された実施形態にしたがって、基板１０２上に堆積された層２１２のエッチングされていない材料のうちの１つ又は複数の部分についてスペクトルデータが収集されうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、１つ又は複数の層２１２は、処理チャンバにおけるエッチングプロセスにしたがってすでにエッチングされたエッチング材料を含みうる。そのような実施形態では、１つ又は複数の構造的特徴（例えば、線、列、開口部など）が、基板１０２の１つ又は複数の層２１２にエッチングされうる。そのような実施形態では、スペクトルデータは、基板１０２の１つ又は複数の層２１２にエッチングされた１つ又は複数の構造的特徴について収集されうる。

［００５４］ いくつかの実施形態では、基板測定サブシステム２００は、基板１０２についての追加のデータを捕捉するように構成された１つ又は複数の追加のセンサを含みうる。例えば、基板測定サブシステム２００は、基板１０２の厚さ、基板１０２の表面上に堆積された膜の厚さなどを決定するように構成された追加のセンサを含みうる。各センサは、捕捉されたデータをコントローラ２３０に送信するように構成されうる。

［００５５］ 基板１０２についてのスペクトルデータ、位置データ、又は特性データのうちの少なくとも１つを受信することに応答して、コントローラ２３０は、本明細書に記載の実施形態にしたがって、処理及び分析のために、受信したデータをシステムコントローラ１２８に送信しうる。

［００５６］ 図３は、本開示の態様による、処理チャンバ３００の断面概略側面図を示す。処理チャンバ３００は、腐食性プラズマ環境が提供されるプロセスのために使用されうる。例えば、処理チャンバ３００は、プラズマエッチング装置又はプラズマエッチングリアクタ、プラズマ洗浄機などのためのチャンバでありうる。代替的な実施形態では、腐食性プラズマ環境に曝されても曝されなくてもよい他の処理チャンバが使用されうる。チャンバ部品のいくつかの例は、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ、物理的気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ、イオンアシスト堆積（ＩＡＤ）チャンバ、エッチングチャンバ、及び他のタイプの処理チャンバを含む。

［００５７］ １つの実施形態では、処理チャンバ３００は、チャンバ本体３０２と、内部空間３０６を囲むシャワーヘッド３３０とを含む。チャンバ本体３０２は、概して、側壁３０８及び底部３１０を含む。シャワーヘッド３３０は、シャワーヘッドベース及びシャワーヘッドガス分配プレート３３２を含みうる。代替的には、シャワーヘッド３３０は、いくつかの実施形態ではリッド及びノズルによって、又は他の実施形態では複数のパイ型シャワーヘッド区画及びプラズマ発生ユニットによって置き換えられうる。排気口３２６は、チャンバ本体３０２内に画定され、内部空間３０６をポンプシステム３２８に連結しうる。ポンプシステム３２８は、処理チャンバ３００の内部空間３０６の圧力を排出して調整するために利用される１つ又は複数のポンプ及びスロットルバルブを備えうる。

［００５８］ シャワーヘッド３３０は、チャンバ本体３０２の側壁３０８上に支持されうる。シャワーヘッド３３０（又はリッド）は、処理チャンバ３００の内部空間３０６へのアクセスを可能にするために開かれてもよく、閉じられている間に、処理チャンバ３００にシールを提供してもよい。ガスパネル（図示せず）は、処理チャンバ３００に連結されて、処理及び／又は洗浄ガスを、シャワーヘッド３３０又はリッドとノズルとを通して（例えば、シャワーヘッド又はリッドとノズルの開孔を介して）内部空間３０６に提供しうる。

［００５９］ 基板支持アセンブリ３４８は、シャワーヘッド３３０の下の処理チャンバ３００の内部空間３０６に配置される。基板支持アセンブリ３４８は、処理中、図１の基板１０２などの基板を保持する。１つの実施形態では、基板支持アセンブリ３４８は、静電チャック３５０を支持するペデスタル３５２を含む。静電チャック３５０は、熱伝導性ベースと、熱伝導性ベースに接着された静電パックとを更に含む。静電チャック３５０の熱伝導性ベース及び／又は静電パックは、基板支持アセンブリ３４８の横方向の温度プロファイルを制御するために、１つ又は複数のオプションの埋め込み型加熱要素、埋め込み型熱絶縁物及び／又は導管を含みうる。静電チャック３５０は、チャッキング電源によって制御される少なくとも１つのクランプ電極を含みうる。

［００６０］ 処理チャンバ３００は、基板１０２の処理の前、後、又は処理中に、基板１０２及び／又は基板１０２を囲む環境についてのデータを生成するように構成された１つ又は複数のセンサ３６０を含みうる。各センサ３６０は、システムコントローラ１２８などのコントローラにデータを送信するように構成されうる。いくつかの実施形態では、１つ又は複数のセンサ３６０は、処理チャンバ３００の構成要素内に埋め込まれてもよく、構成要素の機能に関連するデータを捕捉するように構成されてもよい。例えば、センサ３６０Ａは、基板支持アセンブリ３４８及び／又は静電チャック３５０内に埋め込まれていてもよい。処理チャンバ３００の動作中に、センサ３６０Ａは、静電チャック３５０内に埋め込まれた１つ又は複数の加熱要素の温度、基板支持アセンブリ３４８の横方向の温度プロファイル、チャッキング電源によって供給される電力量などに関連するデータを生成しうる。別の例では、センサ３６０Ｂは、ガスパネル及び／又はシャワーヘッド３３０内に埋め込まれていてもよい。そのような例では、センサ３６０Ｂは、シャワーヘッド３３０を通して内部空間３０６に提供されるプロセスガス及び／又は洗浄ガスの組成、流量及び温度に関連するデータを生成するように構成されうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、プロセス中に基板１０２を取り囲む環境に関連するデータを捕捉するために、１つ又は複数のセンサ３６０が処理チャンバ３００の内部空間３０６内に埋め込まれうる。例えば、センサ３６０Ｃは、チャンバ本体３０２の表面（例えば、側壁３０８）に埋め込まれてうる。このような例では、センサ３６０Ｃは、内部空間３０６の圧力、内部空間３０６の温度、内部空間３０６内の放射線量などに関連するデータを生成するように構成されうる。

［００６１］ いくつかの実施形態では、処理チャンバ３００の外側の１つ又は複数のセンサ３６０は、基板３４４の処理の前、後、又は処理中に、基板１０２及び／又は基板１０２を囲む環境のためのデータを生成するように構成されうる。例えば、センサ３６０Ｄは、基板１０２の表面の１つ又は複数の部分に関連付けられたデータを生成するように構成されうる。透明な窓３７０は、シャワーヘッド３３０又は側壁３０８のうちの少なくとも１つの内部に埋め込まれうる。センサ３６０Ｄは、光源構成要素及び光反射構成要素を含む発光デバイスでありうる。光源構成要素は、光を透明な窓３７０を通して基板１０２の一部に透過させるように構成されうる。反射光は、基板１０２の一部から透過され、透明な窓３７０を通り、センサ３６０Ｄの光反射構成要素によって受容される。センサ３６０Ｄは、光反射構成要素によって受容された反射光に関連するスペクトルデータを生成し、生成されたスペクトルデータをシステムコントローラ１２８などのコントローラに送信しうる。いくつかの実施形態において、センサ３６０Ｄは、図示されるように、基板１０２の中心部分に関連するスペクトルデータを生成するように構成されうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、センサ３６０Ｄは、基板１０２の別の部分（例えば、基板１０２の外径）に関連するスペクトルデータを生成するように構成されうる。

［００６２］ 図４は、本開示の態様によるシステムコントローラを示すブロック図である。いくつかの実施形態では、システムコントローラは、図１に関して説明したシステムコントローラ１２８でありうる。システムコントローラ１２８は、基板データ収集エージェント４１０及びデータストア４２０を含みうる。

［００６３］ 図示されたように、基板データ収集エージェント４１０は、基板測定サブシステムデータモジュール４１２（本明細書ではＳＭＳデータモジュール４１２と称される）、センサデータモジュール４１４、データマッピングモジュール４１６、及びプロセスレシピ修正モジュール４１８を含みうる。基板データ収集エージェント４１０は、ＳＭＳデータ４２２、センサデータ４２４、データマッピング４２６、プロセスレシピ４２８、及び修正されたプロセスレシピ４３０を記憶するデータストア４２０と通信しうる。

［００６４］ データストア４２０は、製造システムのユーザにはアクセスできないデータを記憶するように構成されうる。いくつかの実施形態では、データストア４２０に記憶されたすべてのデータが、製造システムのユーザ（例えば、オペレータ）によりアクセス不可能でありうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、データストア４２０に記憶されたデータの一部がユーザによりアクセス不可能であり、データストア４２０に記憶されたデータの別の部分はユーザによりアクセス可能でありうる。いくつかの実施形態では、データストア４２０に記憶されたデータの１つ又は複数の部分は、ユーザに知られていない暗号化メカニズムを使用して暗号化されうる（例えば、データは、秘密暗号化キーを使用して暗号化される）。他の実施形態又は類似の実施形態では、データストア４２０は、複数のデータストアを含みうる。その複数のデータストアでは、ユーザにはアクセスできないデータが１つ又は複数の第１のデータストアに記憶され、ユーザがアクセス可能なデータが１つ又は複数の第２のデータストアに記憶される。

［００６５］ ＳＭＳデータモジュール４１２は、図２の基板測定サブシステム２００などの基板測定サブシステムからデータを受信するように構成されうる。前述のように、システムコントローラ１２８は、製造システムにおける基板の処理の前又は後に基板の１つ又は複数の測定値を取得するために、基板を基板測定サブシステム２００に移送させる命令を生成しうる。システムコントローラ１２８が、基板測定サブシステム２００に基板が移送されたという指示を受信することに応答して、ＳＭＳデータモジュール４１２は、基板の１つ又は複数の部分の測定値を取得するためのリクエストを基板測定サブシステム２００に送信しうる。

［００６６］ 前述のように、システムコントローラ１２８は、プロセスレシピ４２８にしたがって、製造システムにおける基板のプロセスを制御しうる。いくつかの実施形態では、ＳＭＳデータモジュール４１２は、プロセスレシピに基づいて、基板測定サブシステム２００で測定される基板の１つ又は複数の部分を決定しうる。例えば、プロセスレシピの動作は、処理チャンバで基板の表面に堆積された材料の層をエッチングすることを含みうる。プロセスレシピの動作に基づいて、ＳＭＳデータモジュール４１２は、処理チャンバでのエッチングプロセスの前後にモニタするための基板の表面の１つ又は複数の部分を決定しうる。そのような実施形態では、ＳＭＳデータモジュール４１２は、基板測定サブシステム２００で測定値を取得するリクエストにおいて、基板測定サブシステム２００で測定される基板の決定された１つ又は複数の部分の指示を含みうる。そのような実施形態では、コントローラ２３０などの基板測定サブシステム２００のコントローラは、本明細書に記載の実施形態にしたがって、基板測定サブシステム２００で測定する基板の１つ又は複数の部分を決定しうる。

［００６７］ 測定値を取得するためのリクエストの送信に応答して、ＳＭＳデータモジュール４１２は、基板測定サブシステム２００からＳＭＳデータ４２２を受信しうる。ＳＭＳデータ４２２は、スペクトルデータ、位置データ、特性データなどを含みうる。いくつかの実施形態では、ＳＭＳデータ４２２は、基板に関連する情報（例えば、基板の識別子）又は基板に関連するプロセス（例えば、バッチ番号又はプロセス実行番号）を更に含みうる。基板測定サブシステム２００からＳＭＳデータ４２２を受信することに応答して、ＳＭＳデータモジュール４１２は、ＳＭＳデータ４２２をデータストア４２０に記憶させうる。

［００６８］ センサデータモジュール４１４は、基板に対してプロセスが実行される前、実行中、又は実行された後に、処理チャンバ３００などの製造システムの１つ又は複数の部分からデータを受信するように構成されうる。基板が処理チャンバ３００に移送されることに応答して、基板プロセスが処理チャンバ３００で実行される前、実行中、又は実行された後に、センサデータモジュール４１４は、処理チャンバ３００に、基板の１つ又は複数の部分についての測定値を取得するリクエストを送信しうる。いくつかの実施形態では、センサデータモジュール４１４は、処理チャンバ３００で測定値を取得するリクエストを送信することなく、処理チャンバ３００で１つ又は複数のセンサによって生成されるデータを受信しうる。いくつかの実施形態では、処理チャンバ３００で取得された基板の測定値は、基板測定サブシステム２００で取得された測定値に対応しうる。ＳＭＳデータモジュール４１２に関して説明した実施形態によれば、センサデータモジュール４１４は、処理チャンバ３００で取得される１つ又は複数の測定値を決定しうる。例えば、センサデータモジュール４１４は、処理チャンバ３００で測定される基板の１つ又は複数の部分を決定しうる。

［００６９］ センサデータモジュール４１４は、基板データについてのリクエストを処理チャンバ３００に送信することに応答して、処理チャンバ３００からセンサデータ４２４を受信しうる。センサデータ４２４は、スペクトルデータ、温度データ、圧力データなどを含みうる。いくつかの実施形態では、センサデータ４２４は、前述の実施形態にしたがって、基板に関連する情報又は基板に関連するプロセス（例えば、基板識別子又はプロセス識別子）を含みうる。処理チャンバ３００からのセンサデータ４２４の受信に応答して、センサデータモジュール４１４は、センサデータ４２４をデータストア４２０に記憶させうる。

［００７０］ システムコントローラ１２８がＳＭＳデータ４２２及びセンサデータ４２４を受信することに応答して、データマッピングモジュール４１６は、センサデータ４２４に関連するＳＭＳデータ４２２間のマッピングを生成しうる。データマッピングモジュール４１６は、所与の基板についての受信されたＳＭＳデータ４２２が、所与の基板についてのセンサデータ４２４に関連付けられているかどうか（逆もまた同様）を判定しうる。いくつかの実施形態では、データマッピングモジュール４１６は、共通のセンサ識別子又は共通のロット識別子に基づいて、ＳＭＳデータ４２２がセンサデータ４２４に関連付けられていると決定しうる。所与の基板についてのＳＭＳデータ４２２が所与の基板についてのセンサデータ４２４と関連付けられるとの決定に応答して、データマッピングモジュール４１６は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４との間のマッピングを生成し、データマッピング４２６として識別されるマッピングをデータストア４２０に記憶しうる。

［００７１］ 本開示の実施形態は、システムコントローラ１２８がセンサデータ４２４を受信する前にＳＭＳデータを受信することを説明しうるが、いくつかの実施形態では、システムコントローラ１２８は、ＳＭＳデータ４２２を受信する前にセンサデータ４２４を受信することができることに留意されたい。例えば、基板１０２についての第１の測定を処理チャンバ３００で実行することができ、センサデータ４２４をシステムコントローラ１２８に送信することができる。基板は、処理チャンバ３００で処理した後に、基板測定サブシステム２００に搬送することができる（例えば、移送ロボットを使用して）。基板測定サブシステム２００は、上述の実施形態にしたがって、基板１０２についての第２の測定を実行し、ＳＭＳデータ４２２をシステムコントローラ１２８に送信することができる。更に、複数の測定を基板測定サブシステム２００で実行できることに留意されたい。例えば、第１のＳＭＳデータ４２２は基板測定サブシステム２００での第１の測定中に取得することができ、センサデータ４２４は処理チャンバ３００での第２の測定中に取得することができ、第２のＳＭＳデータ４２２は基板測定サブシステム２００での第３の測定中に取得することができる。

［００７２］ 類似又は代替的な実施形態では、基板測定サブシステム２００は、基板１０２の第１の測定及び第２の測定を実行することができる。例えば、基板測定サブシステム２００は、基板１０２についての第１のＳＭＳデータ４２２（例えば、スペクトルデータ）を取得することができ、基板１０２についての第２のＳＭＳデータ４２２（例えば、非スペクトルデータ）を取得することができる。第１のＳＭＳデータ４２２又は第２のＳＭＳデータ４２２のうちの少なくとも１つは、基板１０２が処理チャンバ３００で処理される前又は後に取得できる。

［００７３］ レシピ修正モジュール４１８は、データマッピングモジュール４１６によって生成されたデータマッピング４２６に基づいて、プロセスレシピ４２８を修正するかどうかを決定しうる。レシピ修正モジュール４１８は、データマッピング４２６によってまとめてマッピングされたＳＭＳデータ４２２（例えば、第１のＳＭＳデータ、第２のＳＭＳデータなど）及び／又はセンサデータ４２４を識別しうる。いくつかの実施形態では、ＳＭＳデータ４２２のタイプは、センサデータ４２４のタイプに対応する。そのような実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４との間の差を決定するために、ＳＭＳデータ４２２をセンサデータ４２４と比較しうる。ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４との間の差を決定することに応答して、レシピ修正モジュール４１８は、決定された差を差分閾値と比較しうる。差が差閾値を超えると決定したことに応答して、レシピ修正モジュール４１８は、プロセスレシピ４２８を修正するよう決定しうる。

［００７４］ いくつかの実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４との間のマッピングに基づいて、処理チャンバ３００内の基板の位置を決定しうる。前述のように、ＳＭＳデータ４２２は、基板測定サブシステム２００での基板の１つ又は複数の部分について生成されたスペクトルデータを含むことができる。ＳＭＳデータ４２２は、生成されたスペクトルデータ（例えば、基板の各部分のデカルト座標）に関連する位置データを更に含むことができる。また、前述のように、センサデータ４２４は、処理チャンバ３００において基板の１つ又は複数の部分で生成されたスペクトルデータを含むことができる。レシピ修正モジュール４１８は、センサデータ４２４の第２のスペクトルデータに対応するＳＭＳデータ４２２の第１のスペクトルデータを識別しうる。レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２の第１のスペクトルデータに関連するＳＭＳデータ４２２の位置データに基づいて、処理チャンバ３００内の基板の位置を決定することができる。レシピ修正モジュールは、処理チャンバ３００内の基板の決定された位置に基づいて、処理チャンバ３００内の基板についてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定することができる。

［００７５］ いくつかの実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２をターゲット測定値４３２と比較しうる。ターゲット測定値４３２は、基板の１つ又は複数の部分についてのターゲット測定値を含みうる。ＳＭＳデータ４２２とターゲット測定値４３２との間の差が差閾値を超えると決定することに応答して、レシピ修正モジュール４１８は、プロセスレシピ４２８を修正するよう決定しうる。

［００７６］ いくつかの実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４及び／又はＳＭＳデータ４２２とターゲット測定値４３２との間の差を考慮すると予想されるプロセスレシピ４２８に対する修正を決定しうる。いくつかの実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４及び／又はＳＭＳデータ４２２とターゲット測定値４３２との間の差を修正決定構成要素（図示せず）に提供することによって、プロセスレシピ４２８に対する修正を決定しうる。そのような実施形態では、修正決定構成要素は、レシピ修正モジュール４１８に、提供された差に基づいてプロセスレシピ４２８に対して行われる推奨修正を提供しうる。いくつかの実施形態では、修正決定構成要素は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４及び／又はＳＭＳデータ４２２とターゲット測定値４３２との間の差を考慮して実行されうるプロセスレシピ修正に関連した１つ又は複数のルールを含むルールデータベースでありうる。他の実施形態又は類似の実施形態では、修正決定構成要素は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４及び／又はＳＭＳデータ４２２とターゲット測定値４３２との間の差をプロセスレシピ修正に関連付けるデータ構造を含むことができる。

［００７７］ 例示的な実施例では、修正決定構成要素は、ＳＭＳデータ４２２とセンサデータ４２４及び／又はＳＭＳデータ４２２とターゲット測定値４３２との間の差に基づいて、基板を処理するために使用される処理チャンバが不均一なエッチング速度に関連付けられていると決定しうる。処理チャンバが不均一なエッチング速度に関連付けられているとの決定に基づいて、修正決定構成要素は、処理チャンバで処理される将来の基板について均一なエッチング速度を達成するために、修正するための１つ又は複数のプロセスパラメータ値を識別することができる。プロセスパラメータ値修正の実施例は、基板支持アセンブリの第１のゾーンでの温度の低下と、基板支持アセンブリの第１のゾーンの温度の上昇とを含みうる。

［００７８］ いくつかの実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、製造システムに接続されたクライアントデバイスに通知を送信しうる。通知は、プロセスレシピ４２８に対する修正が推奨されることを示す。クライアントデバイスは、図５のＧＵＩ５００のようなＧＵＩを介して、クライアントデバイスのユーザに通知を表示しうる。レシピ修正モジュール４１８は、クライアントデバイスから、プロセスレシピ４２８を修正する命令を受信しうる。プロセスレシピ４２８を修正する命令を受信することに応答して、レシピ修正モジュール４１８は、プロセスレシピを修正し、データストア４２０で修正されたプロセスレシピ４３０を記憶しうる。いくつかの実施形態では、レシピ修正モジュール４１８は、クライアントデバイスに通知を送信しないこともあり、代わりにプロセスレシピを修正しうる。

［００７９］ 上述のように、基板１０２についての第１の測定は、処理チャンバ３００で実行することができ、基板１０２についての第２の測定は、基板測定サブシステム２００で実行することができる。そのような実施形態では、基板測定サブシステム２００は、前述の実施形態にしたがって、基板測定サブシステム２００で基板１０２の位置を決定することができる。レシピ修正モジュール４１８は、ＳＭＳデータ４２２（即ち、第２の測定値）とセンサデータ４２４（即ち、第１の測定値）との間のマッピングに基づいて、処理チャンバ３００内の基板の位置を決定することができる。レシピ修正モジュール４１８は、前述の実施形態にしたがって、ＳＭＳデータ４２２をセンサデータ４２４と比較し、その比較に基づいて、プロセスレシピ４２８を修正するかどうか決定することができる。

［００８０］ いくつかの実施形態では、基板１０２についての外部計測データは、外部計測ツールで収集することができる（例えば、基板１０２が処理チャンバ３００で処理される前及び／又は処理された後に）。システムコントローラ１２８は、前述の実施形態にしたがって、外部計測ツールから外部計測データを受信することができ、データストアで受信した外部計測データを記憶することができる。データマッピングモジュール４１６は、外部計測データと基板１０２についての他のデータ（例えば、ＳＭＳデータ４２２、センサデータ４２４）との間のマッピングを含むように、基板１０２についてのデータマッピングを更新することができる。レシピ修正モジュール４１８は、前述の実施形態にしたがって、基板１０２についての更新されたデータマッピング４２６に基づいて、プロセスレシピ４２８を修正するかどうかを決定することができる。

［００８１］ 図５は、本開示の態様による、製造システムのユーザ（例えば、オペレータ）に通知を提供するための例示的なグラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）５００を示す。いくつかの実施形態では、ＧＵＩ５００は、製造システムに接続されたクライアントデバイスを介してユーザに提示されうる。

［００８２］ ＧＵＩ５００は、クライアントデバイスのユーザに情報を提供したり、ユーザから情報を受信したりするための１つ又は複数のＧＵＩ要素を含みうる。ＧＵＩ５００は、製造システムで処理されている基板の識別子を提供する基板ＩＤ要素５１２を含みうる。例えば、基板ＩＤ要素５１２は、基板「Ｓ００－０００１」が製造システムで処理されていることを示しうる。ＧＵＩ５００は、製造システムの一部において基板に対して実行されるプロセスレシピの動作の表示を提供する保留中のプロセスレシピ動作要素５１４を更に含みうる。図５に示されるように、要素５１４は、基板に対してエッチング動作が行われるとの表示を提供しうる。いくつかの実施形態では、要素５１４は、基板に対して実行される動作に関する詳細を示しうる。例えば、要素５１４は、基板についてのエッチング動作が処理チャンバで実行され、エッチング動作が３分０秒間実行されるという表示を提供しうる。

［００８３］ ＧＵＩ５００は、プロセスレシピの１つ又は複数の動作に対する推奨修正の表示を提供する推奨プロセスレシピ要素５１６を更に含みうる。図５に図示されるように、要素５１６は、基板についてのエッチングプロセスのための推奨される修正を提供しうる。推奨される修正は、元のプロセスレシピに含まれるように、３分０秒間基板をエッチングする代わりに、４分０秒間基板をエッチングすることを含みうる。いくつかの実施形態では、ＧＵＩ５００はまた、プロセスレシピの１つ又は複数の動作に対する修正が推奨される理由を提供する、修正理由要素５１８を含みうる。図５に示されるように、要素５１８は、基板上に堆積された膜が予想より厚いという決定に基づいて、プロセスレシピに対して推奨される修正が提供されることを示しうる。

［００８４］ ＧＵＩ５００は、クライアントデバイスのユーザがレシピに対する修正を受け入れるか又は拒絶することができるようにする１つ又は複数の対話型要素を更に含みうる。図５に示されるように、ユーザは、要素５１６によって示されるプロセスレシピに対して推奨される修正を受け入れるために、修正承認要素５２０Ａを選択しうる。ユーザが修正承認要素５２０Ａを選択したという指示を受信することに応答して、クライアントデバイスは、推奨修正にしたがってプロセスレシピを修正する命令を含む通知を生成し、システムコントローラに送信しうる。ユーザはまた、プロセスレシピへの推奨された修正を拒否するために、修正拒否要素５２０Ｂを選択してもよい。ユーザが修正拒否要素５２０Ｂを選択したという指示を受信することに応答して、クライアントデバイスは、推奨された修正にしたがってプロセスレシピを修正しない命令を含む通知を生成し、システムコントローラに送信しうる。

［００８５］ 図６は、本開示の態様による、図２の基板測定サブシステム２００又は図３のセンサ３６０Ｄによって受け取られた反射エネルギーから生成される例示的なスペクトルデータ６００を示す。図示されたように、基板測定サブシステム２００により受け取られる反射エネルギー波には、複数の波長が含まれうる。各反射エネルギー波は、基板１０２の異なる部分に関連付けられうる。いくつかの実施形態において、基板測定サブシステム２００によって受け取られる反射エネルギー波毎に、強度が測定されうる。図６に見られるように、基板測定サブシステム２００によって受け取られる反射エネルギー波の波長毎に、各強度を測定することができる。各強度と各波長との間の関連付けは、スペクトルデータ６００の形成のための基礎となりうる。いくつかの実施形態では、１つ又は複数の波長は、強度値の予想される範囲外にある強度値と関連付けることができる。例えば、線６１０は、線６２０によって示されるように、強度値の予想される範囲外にある強度値に関連付けることができる。そのような実施形態では、強度値の予想される範囲外にある強度値は、基板１０２の一部に欠陥が存在することの表示でありうる。前述の実施形態によれば、基板１０２の一部における欠陥の表示に基づいて、基板１０２についてのプロセスレシピに修正が行われうる。

［００８６］ 図７～図１０は、基板についてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定するための方法７００～１０００の様々な実施形態のフロー図である。方法７００～１０００は、ハードウェア（回路、専用ロジックなど）、ソフトウェア（汎用コンピュータシステム又は専用マシン上で実行されるものなど）、ファームウェア、又はこれらの何らかの組合せを含みうる処理ロジックによって実行される。いくつかの方法７００～８００は、図１のシステムコントローラ１２８などのコンピューティングデバイスによって実行されうる。いくつかの方法９００～１０００は、図２のコントローラ２３０などのコンピューティングデバイスによって実行されうる。

［００８７］ 説明を簡単にするために、これらの方法は、一連の動作として図示され、説明される。しかしながら、本開示による動作は、様々な順序で、及び／又は同時に、及び本明細書で提示及び説明されていない他の動作と共に、実行されうる。更に、開示された主題による方法を実施するために、すべての図示された動作が実行されうるわけではない。加えて、当業者は、方法が、代替的に、状態図又は事象を介して一連の相互に関連する状態として表されうることを理解し認識するだろう。

［００８８］ 図７は、本開示の態様による、基板についてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定するための方法７００のフローチャートである。ブロック７１０において、処理ロジックは、プロセスレシピにしたがって製造システムにおいて処理される基板を識別する。ブロック７２０では、処理ロジックは、基板を基板測定サブシステムに移送して、基板についての第１のセットの測定値を取得する命令を生成する。いくつかの実施形態では、第１のセットの測定値は、基板に対するスペクトルデータ又は非スペクトルデータ（例えば、渦電流データ、キャパシタンスデータなど）を含むことができる。ブロック７３０では、処理ロジックは、基板測定サブシステムから、基板についての第１のセットの測定値を受信する。ブロック７４０では、処理ロジックは、基板測定サブシステムから製造システムの処理チャンバへ基板を移送する命令を生成する。ブロック７５０において、処理ロジックは、処理チャンバ内の１つ又は複数のセンサから、基板についての第２のセットの測定値を受信する。いくつかの実施形態では、基板についての第２のセットの測定値は、基板についてのスペクトル又は非スペクトルデータ（例えば、電力データ、温度データ、圧力データなど）を含むことができる。ブロック７６０において、処理ロジックは、基板の第１のセットの測定値と第２のセットの測定値との間のマッピングを生成する。ブロック７７０において、処理ロジックは、第２のセットの測定値にマッピングされた第１のセットの測定値を記憶する。ブロック７８０において、処理ロジックは、第２のセットの測定値にマッピングされた第１のセットの測定値に基づいて、基板についてのプロセスレシピを修正することを決定する。ブロック７９０において、処理ロジックは、オプションで、グラフィカルユーザインターフェースを介して基板についてのレシピを修正するための推奨を提供する。

［００８９］ 上述したように、いくつかの実施形態では、処理ロジックは、基板についての第１のセットの測定値を取得するために、基板を基板測定サブシステムに移送する命令を生成し、基板測定サブシステムから、基板についての第１のセットの測定値を受信する前に、基板測定システムから基板を製造システムの処理チャンバに基板を移送するための命令を生成し、基板についての第２のセットの測定値を受信することができる。

［００９０］ 図８は、本開示の態様による、基板についてのプロセスレシピを修正するかどうかを決定するための別の方法８００のフローチャートである。ブロック８１０において、処理ロジックは、製造システムの処理チャンバ内の１つ又は複数のセンサから、基板の第１のセットの測定値を受信する。ブロック８２０において、処理ロジックは、プロセスレシピにしたがって処理チャンバにおいて基板を処理する。ブロック８３０において、処理ロジックは、オプションで、処理チャンバ内の１つ又は複数のセンサから、基板についての第２のセットの測定値を受信する。ブロック８４０では、処理ロジックは、処理チャンバから基板測定サブシステムに基板を移送して第３のセットの測定値を取得する命令を生成する。ブロック８５０では、処理ロジックは、基板測定サブシステムから、基板についての第３のセットの測定値を受信する。ブロック８６０において、処理ロジックは、第１のセットの測定値、第２のセットの測定値、及び／又は第３のセットの測定値の間のマッピングを生成する。ブロック８７０において、処理ロジックは、第１のセットの測定値、第２のセットの測定値、及び／又は第３のセットの測定値間のマッピングを記憶する。ブロック８８０において、処理ロジックは、第１のセットの測定値、第２のセットの測定値、及び／又は第３のセットの測定値間のマッピングに基づいて、基板についてのレシピを修正するよう決定する。ブロック８９０において、処理ロジックは、オプションで、グラフィカルユーザインターフェースを介して基板についてのレシピを修正するための推奨を提供する。

［００９１］ 図９は、本開示の態様による、基板測定サブシステムにおける基板についてのデータを取得するための方法９００のフローチャートである。ブロック９１０において、処理ロジックは、製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信する。ブロック９２０において、処理ロジックは、基板測定サブシステム内の基板の位置データを決定する。ブロック９３０において、処理ロジックは、基板についてのレシピを受信する。ブロック９４０において、処理ロジックは、基板の位置データ及びレシピに基づいて、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される基板の１つ又は複数の部分を決定する。ブロック９５０において、処理ロジックは、基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素（例えば、スペクトル感知構成要素、非スペクトル感知構成要素など）によって、基板の決定された部分毎に測定値を取得する。ブロック９６０において、処理ロジックは、基板の決定された部分の各々の取得された測定値をシステムコントローラに送信する。

［００９２］ 図１０は、本開示の態様による、基板測定サブシステム内の基板についての位置データを決定するための方法１０００のフローチャートである。ブロック１０１０において、処理ロジックは、基板上に含まれる識別特徴を決定する。いくつかの実施形態では、識別特徴は、基板の基準位置（例えば、基板の中心）に対応することができる。ブロック１０２０において、処理ロジックは、決定された識別特徴を含む基板の一部を識別する。ブロック１０３０において、処理ロジックは、基板の識別された部分の１つ又は複数の画像を捕捉する命令を生成する。ブロック１０４０において、処理ロジックは、捕捉された１つ又は複数の画像に基づいて、基板測定サブシステム内の基板の配向及び／又は位置を決定する。ブロック１０５０では、処理ロジックは、基板測定サブシステム内の基板の決定された配向及び／又は位置に基づいて、基板の位置データを生成する。

［００９３］ 図１１は、コンピューティングデバイス１１００の例示的な形態のマシンの概略図を示し、このコンピューティングデバイス１１００内では、本明細書で論じられる方法のうちの任意の１つ又は複数をマシンに実行させるセットの命令が実行されうる。代替的な実施形態では、マシンは、ローカルエリアネットワーク（ＬＡＮ）、イントラネット、エクストラネット、又はインターネット内の他のマシンに接続（例えばネットワーク化）されうる。マシンは、クライアント－サーバネットワーク環境におけるサーバ又はクライアントマシンの役割で、又はピアツーピア（又は分散）ネットワーク環境におけるピアマシンとして動作しうる。このマシンは、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）、タブレットコンピュータ、セットトップボックス（ＳＴＢ）、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話、ウェブアプライアンス、サーバ、ネットワークルータ、スイッチ若しくはブリッジ、又はそのマシンによって実行されるべき動作を指定する一連の命令（連続した若しくは連続していない）を実行することができる任意のマシンでありうる。更に、単一のマシンのみが図示されているが、「マシン」という用語は、本明細書で論じられる方法のうちの任意の１つ又は複数を実行するために、セットの命令（又は複数のセット）を個々に又は連携的に実行する、マシン（例えば、コンピュータ）の任意の集合体を含むものと解釈されるべきである。実施形態では、コンピューティングデバイス１１００は、図１のシステムコントローラ１２８又は図３のコントローラ３２０に対応しうる。

［００９４］ 例示的なコンピューティングデバイス１１００は、バス１１０８を介して互いに通信する、処理デバイス１１０２、メインメモリ１１０４（例えば、読み出し専用メモリ（ＲＯＭ）、フラッシュメモリ、ダイナミックランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）（例えば、シンクロナスＤＲＡＭ（ＳＤＲＡＭ）など）、スタティックメモリ１１０６（例えば、フラッシュメモリ、スタティックランダムアクセスメモリ（ＳＲＡＭ）など）、及び二次メモリ（例えば、データストレージデバイス１１２８）を含む。

［００９５］ 処理デバイス１１０２は、マイクロプロセッサ、中央処理ユニットなどの１つ又は複数の汎用プロセッサを表しうる。より詳細には、処理デバイス１１０２は、複雑な命令セットコンピューティング（ＣＩＳＣ）マイクロプロセッサ、縮小命令セットコンピューティング（ＲＩＳＣ）マイクロプロセッサ、超長命令ワード（ＶＬＩＷ）マイクロプロセッサ、他の命令セットを実装するプロセッサ、又は命令セットの組み合わせを実装するプロセッサでありうる。処理デバイス１１０２はまた、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）、ネットワークプロセッサなどの１つ又は複数の特殊用途処理デバイスでありうる。処理デバイス１１０２はまた、システムオンチップ（ｓｙｓｔｅｍ ｏｎ ａ ｃｈｉｐ（ＳｏＣ））、プラグラム可能な論理制御装置（ＰＬＣ）、又は他のタイプの処理デバイスでありうる又はこれらを含みうる。処理デバイス１１０２は、本明細書で論じられる動作及びステップを実行するための処理ロジックを実行するように構成される。

［００９６］ コンピューティングデバイス１１００は、ネットワーク１１６４と通信するためのネットワークインターフェースデバイス１１２２を更に含みうる。コンピューティングデバイス１１００はまた、ビデオディスプレイユニット１１１０（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）又は陰極線管（ＣＲＴ））、英数字入力デバイス１１１２（例えば、キーボード）、カーソル制御デバイス１１１４（例えば、マウス）、及び信号生成デバイス１１２０（例えば、スピーカ）を含みうる。

［００９７］ データストア１１２８は、マシン可読記憶媒体（又はより具体的には、非一時的コンピュータ可読記憶媒体）１１２４を含みうる。この媒体には、本明細書に記載する方法又は機能の任意の１つ又は複数を具体化する１つ又は複数の命令セット１１２６が記憶される。ここで、非一時的記憶媒体とは、搬送波以外の記憶媒体を指す。命令１１２６はまた、コンピュータデバイス１１００によって実行される間に、メインメモリ１１０４内及び／又は処理デバイス１１０２内に、完全に又は少なくとも部分的に存在しうる。メインメモリ１１０４及び処理デバイス１１０２はまた、コンピュータ可読記憶媒体を構成する。

［００９８］ コンピュータ可読記憶媒体１１２４は、例示的実施形態において、単一媒体として示されるが、「コンピュータ可読記憶媒体」という用語は、１つ又は複数のセットの命令を記憶する単一の媒体又は複数の媒体（例えば、集中型又は分散型データベース、及び／又は関連するキャッシュ及びサーバ）を含むものと理解すべきである。「コンピュータ可読記憶媒体」という用語はまた、マシンによって実行されるセットの命令を記憶又は符号化することが可能であり、マシンに本開示の方法の任意の１つ又は複数を実行させる任意の媒体を含むと解釈されるべきである。したがって、「コンピュータ可読記憶媒体」という用語は、限定されないが、ソリッドステートメモリ、並びに光媒体及び磁気媒体を含むものと解釈されるべきである。

［００９９］ 前述の説明は、本開示のいくつかの実施形態の良好な理解をもたらすために、特定のシステム、構成要素、方法などの例など、多数の特定の詳細を示している。しかしながら、本開示の少なくともいくつかの実施形態はこれらの具体的な詳細がなくても実施されうることが、当業者には明らかであろう。他の例では、本開示を不必要に不明瞭にすることを避けるために、周知の構成要素又は方法が、詳細に説明されないか、又は単純なブロック図形式で提示される。したがって、説明される具体的な詳細は、単なる例示にすぎない。特定の実施態様は、これらの例示的な詳細とは異なることがあり、依然として、本開示の範囲内であることが企図されうる。

［００１００］ 本明細書を通して「１つの実施形態」又は「実施形態」への言及は、実施形態に関連して説明される特定の特徴、構造、又は特性が少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。したがって、本明細書全体の様々な場所における「１つの実施形態では」又は「実施形態では」という表現は、必ずしも同じ実施形態を指すわけではない。加えて、「又は」という用語は、排他的な「又は」ではなく、包括的な「又は」を意味することを意図している。「約」又は「およそ」という用語が本明細書で使用される場合、これは、提示される公称値が±１０％以内で正確であることを意味することが意図される。

［００１０１］ 本明細書の方法の工程は、特定の順序で図示され説明されるが、特定の工程が逆の順序で実行され、特定の工程が他の工程と同時に少なくとも部分的に実行されるように、各方法の工程の順序が変更されてもよい。別の実施形態では、別個の工程の命令又はサブ工程は、断続的及び／又は交互であってもよい。

［００１０２］ 上記の説明は、例示を意図したものであり、限定を意図したものではないと理解すべきである。上記の説明を読み理解すれば、多くの他の実施形態が当業者に明らかになるだろう。したがって、開示の範囲は、添付の特許請求の範囲を参照し、そのような特許請求の範囲が権利を有する均等物の全範囲と共に決定されるべきである。

Claims (20)

1. 製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信することと、
   前記基板測定サブシステム内の前記基板の第１の位置データを決定することと、
   前記基板の前記第１の位置データ及び前記基板についてのプロセスレシピに基づいて、前記基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される前記基板の１つ又は複数の部分を決定することと、
   前記基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって、前記基板の決定された前記部分の各々の測定値を取得することと、
   前記基板の決定された前記部分の各々の取得された前記測定値をシステムコントローラに送信することと
   を含む、方法。
2. 前記基板測定サブシステムの前記感知構成要素が、前記基板の決定された前記部分の各々についてスペクトルデータを生成するように構成された１つ又は複数のスペクトル感知構成要素を備える、請求項１に記載の方法。
3. 前記スペクトルデータが、反射率測定スペクトルデータ、エリプソメトリスペクトルデータ、ハイパースペクトルイメージングデータ、又は化学イメージングデータのうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の方法。
4. 前記１つ又は複数のスペクトル感知構成要素は、第１のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第１のタイプのスペクトル感知構成要素と、第２のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第２のタイプのスペクトル感知構成要素とを備え、前記方法は、
   前記基板測定サブシステムの前記１つ又は複数の感知構成要素によって前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき１つ又は複数のタイプの測定値の表示を受信することと、
   前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき前記１つ又は複数のタイプの測定値の前記表示、前記第１のタイプのスペクトルデータ及び前記第２のタイプのスペクトルデータに基づいて、前記第１のタイプのスペクトル感知構成要素又は前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素を使用して、前記基板の決定された前記部分の各々についての測定値を取得するかどうかを決定することと
   を更に含む、請求項２に記載の方法。
5. 前記１つ又は複数のスペクトル感知構成要素は、第１のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第１のタイプのスペクトル感知構成要素を備え、前記方法は、
   前記基板測定サブシステムの前記１つ又は複数の感知構成要素によって前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき１つ又は複数のタイプの測定値の表示を受信することと、
   前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき前記１つ又は複数のタイプの測定値の前記表示及び前記第１のタイプのスペクトルデータに基づいて、第２のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第２のタイプのスペクトル感知構成要素が、前記基板の決定された前記部分の各々について前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するための最適な感知構成要素であると決定することと、
   前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素が前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するための前記最適な感知構成要素であるという決定に基づいて、前記システムコントローラへの通知を送信することと
   を更に含み、前記通知は、前記基板測定サブシステムの前記第１のタイプのスペクトル感知構成要素が前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素と置き換えられるべきであること、及び前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素が前記基板の決定された前記部分の各々についての前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するために使用されるべきであることを示す、請求項２に記載の方法。
6. 前記基板測定サブシステム内の前記基板の位置データを決定することは、
   前記基板の基準位置に対する前記基板の一部の位置を示す、前記基板上に含まれる識別特徴を決定することと、
   前記基板の１つ又は複数の画像を生成するための命令を生成することであって、生成された画像は前記基板上に含まれる前記識別特徴の描写を含む、命令を生成することと、
   生成された前記画像に含まれる前記識別特徴の前記描写に基づいて、前記基板測定サブシステムに含まれる前記基板の配向又は位置のうちの少なくとも１つを決定することと、
   前記基板の決定された前記配向又は決定された前記位置に基づいて、前記基板の前記第１の位置データを生成することと
   を含み、前記第１の位置データは、前記基板の前記基準位置に対する前記識別特徴の第１の座標を含む、請求項１に記載の方法。
7. 前記１つ又は複数の感知構成要素によって測定される前記基板の決定された部分に対応する第２の位置データを決定することであって、前記第２の位置データが、前記識別特徴の前記第１の座標に対する、前記基板の対応する決定された前記部分の第２の座標を含む、第２の位置データを決定することと、
   前記基板の決定された前記部分についての測定値を取得することに応答して、前記基板の決定された前記部分について取得された前記測定値と、対応する前記第２の位置データとの間のマッピングを生成することと、
   決定された前記部分についての取得された前記測定値と、対応する前記第２の位置データとの間の前記マッピングを、前記システムコントローラに送信することと
   を更に含む、請求項６記載の方法。
8. 基板測定サブシステム内の基板の１つ又は複数の部分の測定値を取得するように構成された１つ又は複数の感知構成要素と、
   前記１つ又は複数の感知構成要素に連結されたコントローラと
   を備え、前記コントローラは、
   製造システムで処理されている基板が前記基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信することと、
   前記基板測定サブシステム内の前記基板の第１の位置データを決定することと、
   前記基板の前記第１の位置データ及び前記基板についてのプロセスレシピに基づいて、前記基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される前記基板の１つ又は複数の部分を決定することと、
   前記基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって、前記基板の決定された前記部分の各々の測定値を取得することと、
   前記基板の決定された前記部分の各々の取得された前記測定値をシステムコントローラに送信することと
   を実行する、基板測定サブシステム。
9. 前記基板測定サブシステムの前記感知構成要素は、前記基板の決定された前記部分の各々についてスペクトルデータを生成するように構成された１つ又は複数のスペクトル感知構成要素を備える、請求項８に記載の基板測定サブシステム。
10. 前記スペクトルデータが、反射率測定スペクトルデータ、エリプソメトリスペクトルデータ、ハイパースペクトルイメージングデータ、又は化学イメージングデータのうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の基板測定サブシステム。
11. 前記１つ又は複数のスペクトル感知構成要素は、第１のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第１のタイプのスペクトル感知構成要素と、第２のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第２のタイプのスペクトル感知構成要素とを備え、前記コントローラは、
    前記基板測定サブシステムの前記１つ又は複数の感知構成要素によって前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき１つ又は複数のタイプの測定値の表示を受信することと、
    前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき前記１つ又は複数のタイプの測定値の前記表示、前記第１のタイプのスペクトルデータ及び前記第２のタイプのスペクトルデータに基づいて、前記第１のタイプのスペクトル感知構成要素又は前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素を使用して、前記基板の決定された前記部分の各々についての測定値を取得するかどうかを決定することと
    を更に実行する、請求項９に記載の基板測定サブシステム。
12. 前記１つ又は複数のスペクトル感知構成要素は、第１のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第１のタイプのスペクトル感知構成要素を備え、前記コントローラは、
    前記基板測定サブシステムの前記１つ又は複数の感知構成要素によって前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき１つ又は複数のタイプの測定値の表示を受信することと、
    前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき前記１つ又は複数のタイプの測定値の前記表示及び前記第１のタイプのスペクトルデータに基づいて、第２のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第２のタイプのスペクトル感知構成要素が、前記基板の決定された前記部分の各々について前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するための最適な感知構成要素であると決定することと、
    前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素が前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するための前記最適な感知構成要素であるという決定に基づいて、前記システムコントローラへの通知を送信することと
    を更に実行し、前記通知は、前記基板測定サブシステムの前記第１のタイプのスペクトル感知構成要素が前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素と置き換えられるべきであること、及び前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素が前記基板の決定された前記部分の各々についての前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するために使用されるべきであることを示す、請求項９に記載の基板測定サブシステム。
13. 前記基板測定サブシステム内の前記基板の位置を決定するように構成された１つ又は複数の位置決定構成要素
    を更に備える、請求項８に記載の基板測定サブシステム。
14. 前記基板測定サブシステム内の前記基板の位置データを決定するために、前記コントローラは、
    前記基板の基準位置に対する前記基板の一部の位置を示す、前記基板上に含まれる識別特徴を決定することと、
    前記１つ又は複数の位置決定構成要素に、前記基板の１つ又は複数の画像を生成させる命令を生成することであって、生成された画像は前記基板上に含まれる前記識別特徴の描写を含む、命令を生成することと、
    生成された前記画像に含まれる前記識別特徴の前記描写に基づいて、前記基板測定サブシステムに含まれる前記基板の配向又は位置のうちの少なくとも１つを決定することと、
    前記基板の決定された前記配向又は位置に基づいて、前記基板の前記第１の位置データを生成することと
    を実行し、前記第１の位置データは、前記基板の前記基準位置に対する前記識別特徴の第１の座標を含む、請求項１３に記載の基板測定サブシステム。
15. 処理デバイスによって実行されると、前記処理デバイスに、
    製造システムで処理されている基板が基板測定サブシステムに搬入されたという表示を受信することと、
    前記基板測定サブシステム内の前記基板の第１の位置データを決定することと、
    前記基板の前記第１の位置データ及び前記基板についてのプロセスレシピに基づいて、前記基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって測定される前記基板の１つ又は複数の部分を決定することと、
    前記基板測定サブシステムの１つ又は複数の感知構成要素によって、前記基板の決定された前記部分の各々の測定値を取得することと、
    前記基板の決定された前記部分の各々の取得された前記測定値をシステムコントローラに送信することと
    を実行させる命令を含む非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
16. 前記基板測定サブシステムの前記感知構成要素は、前記基板の決定された前記部分の各々についてスペクトルデータを生成するように構成された１つ又は複数のスペクトル感知構成要素を備える、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
17. 前記スペクトルデータが、反射率測定スペクトルデータ、エリプソメトリスペクトルデータ、ハイパースペクトルイメージングデータ、又は化学イメージングデータのうちの少なくとも１つを含む、請求項１６に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
18. 前記１つ又は複数のスペクトル感知構成要素は、第１のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第１のタイプのスペクトル感知構成要素と、第２のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第２のタイプのスペクトル感知構成要素とを備え、前記処理デバイスは、
    前記基板測定サブシステムの前記１つ又は複数の感知構成要素によって前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき１つ又は複数のタイプの測定値の表示を受信することと、
    前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき前記１つ又は複数のタイプの測定値の前記表示、前記第１のタイプのスペクトルデータ及び前記第２のタイプのスペクトルデータに基づいて、前記第１のタイプのスペクトル感知構成要素又は前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素を使用して、前記基板の決定された前記部分の各々についての測定値を取得するかどうかを決定することと
    を更に実行する、請求項１６に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
19. 前記１つ又は複数のスペクトル感知構成要素は、第１のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第１のタイプのスペクトル感知構成要素を備え、前記処理デバイスは、
    前記基板測定サブシステムの前記１つ又は複数の感知構成要素によって前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき１つ又は複数のタイプの測定値の表示を受信することと、
    前記基板の決定された前記部分の各々について取得されるべき前記１つ又は複数のタイプの測定値の前記表示及び前記第１のタイプのスペクトルデータに基づいて、第２のタイプのスペクトルデータを生成するように構成された第２のタイプのスペクトル感知構成要素が、前記基板の決定された前記部分の各々について前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するための最適な感知構成要素であると決定することと、
    前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素が前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するための前記最適な感知構成要素であるという決定に基づいて、前記システムコントローラへの通知を送信することと
    を更に実行し、前記通知は、前記基板測定サブシステムの前記第１のタイプのスペクトル感知構成要素が前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素と置き換えられるべきであること、及び前記第２のタイプのスペクトル感知構成要素が前記基板の決定された前記部分の各々についての前記１つ又は複数のタイプの測定値を取得するために使用されるべきであることを示す、請求項１６に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
20. 前記基板測定サブシステム内の前記基板の位置データを決定するために、前記処理デバイスは、
    前記基板の基準位置に対する前記基板の一部の位置を示す、前記基板上に含まれる識別特徴を決定することと、
    前記基板の１つ又は複数の画像を生成するための命令を生成することであって、生成された画像は前記基板上に含まれる前記識別特徴の描写を含む、命令を生成することと、
    生成された前記画像に含まれる前記識別特徴の前記描写に基づいて、前記基板測定サブシステムに含まれる前記基板の配向又は位置のうちの少なくとも１つを決定することと、
    前記基板の決定された前記配向又は位置に基づいて、前記基板の前記第１の位置データを生成することと
    を実行し、前記第１の位置データは、前記基板の前記基準位置に対する前記識別特徴の第１の座標を含む、請求項１５に記載の非一時的コンピュータ可読記憶媒体。

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