JP7229444B1 - プラズマ処理装置および劣化判定方法 - Google Patents

プラズマ処理装置および劣化判定方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7229444B1
JP7229444B1 JP2022570611A JP2022570611A JP7229444B1 JP 7229444 B1 JP7229444 B1 JP 7229444B1 JP 2022570611 A JP2022570611 A JP 2022570611A JP 2022570611 A JP2022570611 A JP 2022570611A JP 7229444 B1 JP7229444 B1 JP 7229444B1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
focus ring
unit
data
drive
moment
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2022570611A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2024023898A1 (ja
Inventor
英松 林
鎮男 粂川
光輝 富士原
佳祐 角田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Application granted granted Critical
Publication of JP7229444B1 publication Critical patent/JP7229444B1/ja
Publication of JPWO2024023898A1 publication Critical patent/JPWO2024023898A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065Plasma etching; Reactive-ion etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

プラズマ処理装置(100)は、プラズマによって加工対象物を加工するプラズマ処理装置(100)であって、検査対象のフォーカスリング(103)を載置するテーブル(102)と、テーブル(102)を駆動する駆動部と、駆動部によるテーブル(102)の駆動データを取得する駆動データ取得部と、駆動データ取得部により取得された駆動データを用いて、検査対象のフォーカスリング(103)の質量に依存する物理パラメータを求め、検査対象のフォーカスリング(103)が劣化しているか否かを判定する判定部(113)と、を備える。

Description

本開示は、プラズマ処理装置および劣化判定方法に関する。
プラズマを利用するエッチング装置、CVD(Chemical vapor deposition)装置等の装置では、プラズマの分布の均一性を改善する目的でフォーカスリングが用いられている。フォーカスリングは、プラズマ処理の過程で徐々に削られる。そこで、定期的にフォーカスリングを格納する処理容器を開け、フォーカスリングの厚みを測定することにより、フォーカスリングの交換時期を判別していた。そのため、メンテナンスの手間がかかるとともに、生産性の低下にもつながっていた。
この問題に対し、処理容器内に配置されたフォーカスリングの上面にレーザ光を照射し、フォーカスリングの上面で反射したレーザ光の位置に基づいて、フォーカスリングの消耗量を見積もるプラズマエッチング装置が知られている(例えば、特許文献1)。
特開2006-173223号公報
このプラズマエッチング装置の処理容器は、レーザ光を入射させるための透明な窓と、フォーカスリングで反射したレーザ光を外に透過させる透明な窓とを備える必要がある。そのため、専用の処理容器が必要になる。さらに、処理中の半導体基板への外光の影響を低減するため、処理容器内を暗室にする構造が必要になる。このため、フォーカスリングの消耗量を見積もることは困難である。
本開示は、上記のような問題点に鑑みてなされたものであり、フォーカスリングの状態を容易に把握することができるプラズマ処理装置および劣化判定方法を提案することを目的にする。
上記の目的を達成するため、本開示に係るプラズマ処理装置は、プラズマによって加工対象物を加工するプラズマ処理装置であって、検査対象のフォーカスリングを載置するテーブルと、テーブルを駆動する駆動部と、駆動部によるテーブルの駆動データを取得する駆動データ取得部と、駆動データ取得部により取得された駆動データを用いて、検査対象のフォーカスリングの質量に依存する物理パラメータを求め、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する判定部と、を備える。
本開示によれば、取得した駆動データを用いてフォーカスリングの質量に依存する物理パラメータを求め、フォーカスリングの劣化の有無を判定する。したがって、フォーカスリングの状態を容易に把握することができる。
本開示の実施の形態1に係るプラズマ処理装置の構成を示す図 図1に示すデータ取得部が取得する回転速度データの概念図 図1に示すデータ取得部が取得する出力トルクデータの概念図 図1に示すプラズマ処理装置が記憶するテーブルおよびカップリングに関するデータを示す図 図1に示すデータ分析装置の物理構成を示すブロック図 実施の形態に係るプラズマ処理装置による劣化前収集処理を示すフローチャート 実施の形態に係るプラズマ処理装置による劣化判定処理を示すフローチャート 実施の形態2に係るプラズマ処理装置の構成を示す図 実施の形態2に係るプラズマ処理装置による劣化判定処理を示すフローチャート 実施の形態2に係るデータ取得部が取得する回転速度データの概念図 変形例1に係るプラズマ処理装置が記憶するテーブルとカップリングとボールねじとに関するデータを示す図
以下、本開示の実施の形態に係るプラズマ処理装置および劣化判定方法について図面を参照して説明する。なお、図中同一又は相当する部分には同じ符号を付す。
(実施の形態1)
本実施の形態に係るプラズマ処理装置は、プラズマを使用して加工対象物である半導体基板(以下、ウェハという)をエッチングする半導体製造装置である。ウェハを処理する際、エッチング対象のウェハの周囲には、プラズマの分布の均一性を向上させるため、フォーカスリングが配置される。
また、このプラズマ処理装置は、プラズマ処理によって表面が削られることによるフォーカスリングの質量の減少の程度を推定することにより、フォーカスリングが劣化しているか否かを判定する。具体的に、プラズマ処理装置は、フォーカスリングを載置したテーブルを駆動するサーボモータの駆動データを処理することにより、フォーカスリングの質量に依存する物理パラメータを取得し、初期状態で取得しておいた物理パラメータと比較して、フォーカスリングが劣化しているか否かを判定する。
次に、本実施の形態に係るプラズマ処理装置100の構成について説明する。なお、以下の説明では、プラズマ処理装置100のうち、フォーカスリングの劣化を判別する機能に関連する部分を中心に説明する。図1に示す通り、プラズマ処理装置100は、ウェハに基板処理を実施するプロセスモジュール101と、ウェハを載置するテーブル102と、テーブル102に設置されているフォーカスリング103と、テーブル102を回転させるサーボモータ104と、サーボモータ104の動作を制御するサーボアンプ105と、サーボアンプ105に駆動指令を出力するモジュールコントローラ106と、ウェハを収容する搬送用の密閉容器であるFOUP(Front Opening Unified Pod)107と、FOUP107と真空搬送モジュール109との間でウェハを移送するEFEM(Equipment Front End Module)108と、真空環境下でウェハを搬送する真空搬送モジュール109と、フォーカスリング103が劣化しているか否かを判定するデータ分析装置110と、を備える。
プロセスモジュール101は、ウェハにエッチング処理を実施する。具体的に、プロセスモジュール101は、処理容器であるチャンバ内にエッチングガスを供給し、テーブル102が備える電極とテーブル102上方に設けられた電極とに高周波電力を印加して放電させる。これにより、エッチングガスがプラズマ状態となる。そして、発生した活性種によってテーブル102に載置されたウェハがエッチング処理される。
テーブル102は、ウェハを載置する円盤形状の部材である。テーブル102は、アルミニウム等の導電性の金属により形成されている。テーブル102は、サーボモータ104のシャフトの上端に回転可能に支持されている。
フォーカスリング103は、ウェハの口径よりも大きな内径を有するリング状の部材である。フォーカスリング103は、例えば、シリコン、シリコンカーバイド等により形成される。フォーカスリング103は、ウェハの外周に近接して、テーブル102上に設置される。
サーボモータ104は、テーブル102を回転させる。サーボモータ104のシャフトは、テーブル102の下部の中心に接続され、テーブル102を、テーブル102の中心軸を中心に回転させる。サーボモータ104は、サーボアンプ105に接続され、サーボアンプ105の制御に従って駆動される。また、サーボモータ104は、サーボモータ104の回転速度を検出するエンコーダ120とサーボモータ104の出力トルクを検出するトルクセンサ121と、を備える。エンコーダ120は、サーボモータ104の回転に応じたパルス信号をサーボアンプ105に出力する。そして、サーボアンプ105は、単位時間当たりに出力されるパルス信号の数によって、サーボモータ104の回転速度を特定する。なお、サーボモータ104は、駆動部の一例であり、エンコーダ120およびトルクセンサ121は、駆動データ取得部の一例である。
サーボアンプ105は、モジュールコントローラ106から送信される駆動指令に基づいて、サーボモータ104の動作を制御する。モジュールコントローラ106から送信される駆動指令は、サーボモータ104の回転速度およびトルクの目標値の時間変化パターンを含む。サーボアンプ105は、サーボモータ104が目標値通りに動作するために必要な電力をサーボモータ104に供給する。
また、サーボアンプ105は、エンコーダ120およびトルクセンサ121からサーボモータ104の駆動データを取得し、演算を行う。具体的に、サーボアンプ105は、図2Aに例示するサーボモータ104の回転速度データと、図2Bに例示する出力トルクデータとを取得する。サーボアンプ105は、回転速度データと出力トルクデータとに基づいて、フォーカスリング103の負荷慣性モーメントを算出する。サーボアンプ105は、算出した負荷慣性モーメントをデータ分析装置110に送信する。
モジュールコントローラ106は、サーボアンプ105に、サーボモータ104の駆動指令を出力する。モジュールコントローラ106には、予め回転速度およびトルクの目標値が設定されている。モジュールコントローラ106は、設定された回転速度およびトルクの目標値を含む駆動指令をサーボアンプ105に送信する。
FOUP107は、ウェハを収容する搬送用の密閉容器である。FOUP107は、未処理のウェハをEFEM108に供給し、プロセスモジュール101によりエッチング処理されたウェハを収容する。
EFEM108は、FOUP107から未処理のウェハを取り出し、真空搬送モジュール109に搬送し、プロセスモジュール101で処理したウェハをFOUP107に戻すための搬送装置である。
真空搬送モジュール109は、真空環境下でウェハを搬送する。真空搬送モジュール109は、EFEM108から搬送された処理対象のウェハをプロセスモジュール101に搬送し、プロセスモジュール101で処理されたウェハをEFEM108に搬送する。
データ分析装置110は、フォーカスリング103の劣化の程度を判別するデータ処理装置である。データ分析装置110は、サーボアンプ105からフォーカスリング103の負荷慣性モーメントを取得するデータ取得部111と、データ取得部111により取得された負荷慣性モーメントを蓄積するデータ蓄積部112と、フォーカスリング103が劣化しているか否かを判定する判定部113と、判定部113の判定結果を通知する判定結果通知部114と、を備える。
データ取得部111は、サーボアンプ105からフォーカスリング103の負荷慣性モーメントを取得する。データ取得部111は、取得したフォーカスリング103の負荷慣性モーメントをデータ蓄積部112に送信する。
データ蓄積部112は、データ取得部111により送信されたフォーカスリング103の負荷慣性モーメントを記憶する。
判定部113は、サーボアンプ105から取得したフォーカスリング103の負荷慣性モーメントに基づき、フォーカスリング103が劣化しているか否かを判定する。具体的に、判定部113は、サーボアンプ105から取得した負荷慣性モーメントと、データ分析装置110に予め記憶されている、カップリングおよびテーブル102に関するデータから、フォーカスリング103の質量に依存する物理パラメータである慣性モーメント比を求める。データ分析装置110には、図3に示す、テーブル102の質量および直径と、カップリングの慣性モーメントが予め記憶されている。判定部113は、サーボアンプ105から取得した負荷慣性モーメントと、テーブル102とカップリングの慣性モーメントの和との差をとることで、サーボモータ104の慣性モーメントを求める。判定部113は、負荷慣性モーメントをサーボモータ104の慣性モーメントで除算して慣性モーメント比を算出する。データ分析装置110には、劣化前のフォーカスリング103を用いて収集された駆動データに基づいて算出した慣性モーメント比と、検査時に収集された駆動データにより算出した慣性モーメント比とを比較し、フォーカスリング103が劣化していると判断する閾値である慣性モーメント比の差分が予め設定されている。判定部113は、劣化前のフォーカスリング103を用いて算出した慣性モーメント比と、検査時に算出した慣性モーメント比との差を求める。判定部113は、求めた差分が予め定められた閾値以上であると判定した場合、検査対象のフォーカスリング103は劣化していると判定する。
図1に戻り、判定結果通知部114は、判定部113による判定結果を通知する。具体的に、判定結果通知部114は、判定結果を、データ分析装置110が備えるディスプレイに表示させて、ユーザに通知する。
次に、図4を参照してデータ分析装置110の物理的構成について説明する。データ分析装置110は、プログラムに従った処理を実行するCPU(Central Processing Unit)11と、揮発性メモリであるRAM(Random Access Memory)12と、不揮発性メモリであるROM(Read Only Memory)13と、データを記憶する記憶部14と、情報の入力を受け付ける入力部15と、情報を可視化して表示する表示部16と、情報の送受信を行う通信部17と、を備え、これらが内部バス99を介して接続されている。
CPU11は、記憶部14に記憶されたプログラムをRAM12に読み出して実行することにより、各種処理を実行する。CPU11は、フォーカスリング評価用のプログラムを実行することにより、図1に示すデータ取得部111と、判定部113と、判定結果通知部114として機能する。
RAM12は、CPU11のワークエリアとして使用される。ROM13は、データ分析装置110の基本動作のためにCPU11が実行する制御プログラム、BIOS(Basic Input Output System)等を記憶する。
記憶部14は、ハードディスクドライブを備え、CPU11が実行するプログラムを記憶し、プログラム実行の際に使用される各種データを記憶する。記憶部14は、データ蓄積部112として機能する。
入力部15は、キーボード、マウス等を備えるユーザインタフェースである。入力部15は、ユーザによって入力された情報を取得して、取得した情報をCPU11に通知する。
表示部16は情報を可視化して表示する液晶ディスプレイ、有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ等の表示装置である。
通信部17は、ネットワークに接続する網終端装置または無線通信装置、およびそれらと接続するシリアルインタフェースまたはLAN(Local Area Network)インタフェースである。
次に、上記構成を有するプラズマ処理装置100による動作を説明する。プラズマ処理装置100は、プラズマを用いて処理対象のウェハをエッチングする装置であって、フォーカスリング103の劣化状態を判定する機能を備える。
そこでまず、プラズマ処理装置100のプラズマエッチング処理の流れについて説明する。まず、ウェハを収容したFOUP107を、EFEM108のロードポートLPに投入する。次に、EFEM108が備える搬送装置は、FOUP107からウェハを取り出し、真空搬送モジュール109を介して、プロセスモジュール101が備える処理容器であるチャンバ内に搬送する。次に、EFEM108の搬送装置は、チャンバ内のテーブル102にウェハをセットする。テーブル102の周縁部上には、ウェハのエッジを囲んでフォーカスリング103が配置されている。プロセスモジュール101は、チャンバ内にエッチングガスを供給し、テーブル102が備える電極とテーブル102上方に設けられた電極とに高周波電力を印加して放電させる。これにより、エッチングガスがプラズマ状態となる。そして、発生した活性種によってウェハがエッチング処理される。また、モジュールコントローラ106は、エッチング処理の間、サーボアンプ105に、予め設定された速度パターンでテーブル102を回転させるようにサーボモータ104を回転させる。
エッチング処理が完了すると、搬送装置は、処理後のウェハをプロセスモジュール101からEFEM108に搬送する。次いで、搬送装置は、処理後のウェハをFOUP107に搬送して、プラズマエッチング処理を終了する。
次に、プラズマ処理装置100による、フォーカスリング103の劣化状態を判定する処理の動作について説明する。
プラズマ処理装置100は、例えば、エッチング処理が1度も実施されていない劣化前のフォーカスリング103を配置した状態で取得した駆動データにより算出された負荷慣性モーメントと、検査時の駆動データにより算出された負荷慣性モーメントとに基づいて、フォーカスリング103が劣化しているか否かを判定する劣化判定処理を実行する。
そこで、まず、図5を参照してフォーカスリング103をテーブル102に新たに配置して、駆動データを収集する劣化前収集処理について説明する。例えば、劣化前収集処理は、古いフォーカスリング103を新たなフォーカスリング103に交換した交換時に実行される。
プラズマ処理装置100のモジュールコントローラ106には、サーボモータ104の駆動データを収集する際のサーボモータの回転速度、出力トルクの目標値を定める検査モードが予め設定されている。例えば、回転速度の目標値は、プラズマ処理装置100がエッチング処理の際にウェハを回転する速度よりも早い速度が設定される。これにより、負荷慣性モーメント値が大きくなるため、フォーカスリング103の劣化判定の精度を向上させることが出来る。
プラズマ処理装置100は、プロセスモジュール101に配置される処理容器であるチャンバ内を真空にすると、劣化前のフォーカスリング103を載置するテーブル102を、ウェハ無しで回転駆動するサーボモータ104の駆動データを収集する劣化前収集処理を開始する。
まず、モジュールコントローラ106は、サーボアンプ105に対して駆動指令を出力する。サーボアンプ105は、駆動指令に従って、サーボモータ104を駆動する(ステップS11)。具体的に、サーボアンプ105は、サーボモータ104が駆動指令に含まれる回転速度および出力トルクの目標値通りに動作するために必要な電力をサーボモータ104に供給する。サーボモータ104は、サーボアンプ105に駆動されて、フォーカスリング103が載置されたテーブル102を回転する。
次に、サーボアンプ105は、サーボモータ104が備えるエンコーダ120とトルクセンサ121とから検知データを収集する(ステップS12)。具体的に、エンコーダ120は、サーボモータ104の回転に応じたパルス信号をサーボアンプ105に出力する。サーボアンプ105は、単位時間当たりに受信したパルス信号の数によって、サーボモータ104の回転速度を特定する。サーボアンプ105は、図2Aに示す回転速度データとトルクセンサ121により検知された図2Bに示す出力トルクとを含む駆動データを記憶する(ステップS13)。
次に、サーボアンプ105は、ステップS13にて記憶した駆動データを用いて負荷慣性モーメントを算出する(ステップS14)。具体的に、サーボアンプ105は、図2A、図2Bに示す回転速度データとトルクセンサ121により検知されたトルクデータの中から加速時のデータを抽出して、以下の式により負荷慣性モーメントを算出する。
負荷慣性モーメント=9.55×10×T×t/N・・・式1
ここで、Tは出力トルクであり、tは時間であり、Nは回転速度である。
サーボアンプ105は、求めた負荷慣性モーメントをデータ分析装置110に送信する。データ分析装置110のデータ取得部111は、サーボアンプ105から送信された負荷慣性モーメントを取得すると、データ蓄積部112に記憶させる。
図5に戻り、判定部113は、ステップS14により求められたフォーカスリング103の負荷慣性モーメントに基づき、慣性モーメント比を算出する(ステップS15)。具体的に、データ分析装置110の記憶部14には、図3に示す通り、テーブル102の質量および直径と、カップリングの慣性モーメントが予め記憶されている。判定部113は、負荷慣性モーメントから、テーブル102とカップリングの回転軸回りの慣性モーメントの和との差をとることで、サーボモータ104の慣性モーメントを求める。次に、判定部113は、負荷慣性モーメントをサーボモータ104の慣性モーメントで除算して慣性モーメント比を算出する。この慣性モーメント比は、フォーカスリング103の質量mにほぼ比例する値であり、他の条件が同一ならば、質量mが小さくなるに従って小さくなる。従って、フォーカスリング103の劣化が進み、質量mが小さくなるに従って、負荷慣性モーメントは小さくなる。
図5に戻り、次に、判定部113は、ステップS15により算出した慣性モーメント比をデータ蓄積部112に記憶させ(ステップS16)、処理を終了する。
次に、図6を参照して検査対象のフォーカスリング103が劣化しているか否かを判定する劣化判定処理について説明する。劣化判定処理は、例えば、1日毎、ウェハ毎に実行される。
データ分析装置110の記憶部14には、フォーカスリング103が劣化していると判断する閾値である、劣化前のフォーカスリング103を用いて算出した慣性モーメント比と、検査時に算出した慣性モーメント比との差分が、ユーザにより予め設定されている。具体的に、ユーザは、プラズマ処理装置100を動作させて、慣性モーメント比と、実際のフォーカスリング103の劣化状態とを対応付けてデータ化し、フォーカスリング103が劣化しているとして交換することを決定する、劣化前後の慣性モーメント比の差分を閾値として予め設定する。
劣化前収集処理と同様に、プラズマ処理装置100は、検査対象のフォーカスリング103が設置されたテーブル102を備えるプロセスモジュール101のチャンバ内を真空すると、フォーカスリング103の劣化状態を判定する劣化判定処理を開始する。劣化判定処理のステップS21-ステップS26は、図5に示す劣化前収集処理のステップS11-ステップS16と同様の処理である。
劣化前収集処理と同様に、プラズマ処理装置100は、検査対象のフォーカスリング103が設置されたテーブル102を備えるプロセスモジュール101のチャンバ内を真空すると、フォーカスリング103の劣化状態を判定する劣化判定処理を開始する。劣化判定処理のステップS21-ステップS26は、図5に示す劣化前収集処理のステップS11-ステップS16と同様の処理である。
ステップS27にて、判定部113は、判定対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する。具体的に、判定部113は、劣化前収集処理によって劣化前のフォーカスリング103を用いて算出された慣性モーメント比をデータ蓄積部112から読み出す。次に、判定部113は、ステップS25にて算出された慣性モーメント比と、劣化前収集処理によって算出された慣性モーメント比との差を求め、求めた差分が予め定められた閾値以上か否かを判定する(ステップS27)。判定部113は、求めた差分が閾値以上であると判定した場合(ステップS27;Yes)、フォーカスリング103は、劣化していると判定する(ステップS28)。一方、判定部113は、求めた差分が閾値未満であると判定した場合(ステップS27;No)、フォーカスリング103は、劣化していないと判定する(ステップS29)。
次に、判定結果通知部114は、判定部113による判定結果を出力する(ステップS30)。具体的に、ステップS28にて、判定部113が、フォーカスリング103は劣化していると判定した場合、判定結果通知部114は、劣化していると判定した旨のメッセージを表示部16に表示させ、処理を終了する。一方、ステップS29にて、判定部113が、フォーカスリング103は劣化していないと判定した場合、判定結果通知部114は、劣化していないと判定した旨のメッセージを表示部16に表示させ、処理を終了する。
以上のように、プラズマ処理装置100は、検査対象のフォーカスリング103を載置するテーブル102を回転駆動するサーボモータの回転速度と出力トルクとにより、フォーカスリング103の負荷慣性モーメントを求める。フォーカスリング103の質量が減少すると、負荷慣性モーメントの値が小さくなる。プラズマ処理装置100は、負荷慣性モーメントに基づいて算出した慣性モーメント比を劣化前の値と比較することにより、フォーカスリング103の質量の減少の程度を推定して、劣化判定を行う。ユーザは、判定結果を参照して、フォーカスリング103を交換するか否かの判断をすることが可能となる。
また、本開示によれば、既存のプラズマ処理装置に、データ分析装置110の機能を追加することによって、プロセスに使用するサーボモータ104とサーボアンプ105とモジュールコントローラ106とエンコーダ120とトルクセンサ121とを用いて、フォーカスリング103の劣化判定処理を行うことが可能となる。
本開示の主旨を逸脱しない限り、上記実施の形態で挙げた構成を取捨選択したり、他の構成に適宜変更したりすることが可能である。
(実施の形態2)
上記実施の形態では、フォーカスリング103の質量mに依存する物理パラメータとして、慣性モーメント比を求め、検査時の慣性モーメント比とフォーカスリング103が初期状態にあるときの慣性モーメント比との差から、フォーカスリング103の劣化を判定した。この開示は、これに限られず、質量mに依存する任意の物理パラメータを測定することにより、フォーカスリング103の劣化を判定することができる。具体的に、図7に示す、実施の形態2に係るプラズマ処理装置100aは、サーボモータ104に予め設定されたエネルギーを供給したときの、劣化前のフォーカスリング103を備えるテーブル102の角加速度と検査時のフォーカスリング103を備えるテーブル102の角加速度とを比較することにより、フォーカスリング103の劣化の有無を判定する。
プラズマ処理装置100aは、プラズマ処理装置100が備えるプロセスモジュール101と、テーブル102と、フォーカスリング103と、サーボモータ104と、サーボアンプ105と、モジュールコントローラ106と、FOUP107と、EFEM108と、真空搬送モジュール109と、データ分析装置110と、を備える。プラズマ処理装置100aのデータ分析装置110は、プラズマ処理装置100が備えるデータ取得部111と、データ蓄積部112と、判定部113と、判定結果通知部114と、に加え、データ取得部111で取得した駆動データを加工するデータ加工部115と、データ蓄積部112に蓄積された駆動データを取得して演算を行う演算部116と、を備える。
データ加工部115は、データ取得部111から送信された駆動データを加工する。具体的に、データ加工部115は、受信した駆動データの中から異常値を除去するノイズ除去処理を行う。
演算部116は、データ蓄積部112に蓄積された駆動データを取得して演算を行う。具体的に、演算部116は、サーボアンプ105から送信された、サーボモータ104の回転速度を含む駆動データを用いて、予め設定された回転速度の目標値に達するまでの角加速度を算出する。
次に、プラズマ処理装置100aの動作について、図8を参照して説明する。まず、ステップS31において、ステップS11およびステップS21と同様に、サーボアンプ105は、駆動指令に従って、サーボモータ104を駆動する(ステップS31)。次に、ステップS32において、サーボアンプ105は、サーボモータ104が備えるエンコーダ120から検知データを収集する(ステップS32)。
次に、サーボアンプ105は、エンコーダ120から取得した検知データを用いて特定した回転速度と、検知データを取得した時刻とを対応付けた駆動データをデータ分析装置110に送信する。データ取得部111は、サーボアンプ105から送信された駆動データを取得し、データ加工部115に出力する。データ加工部115は、受信した駆動データの中から異常値を除去するノイズ除去処理を実行する。データ加工部115は、異常値を除去した駆動データをデータ蓄積部112に記憶させる(ステップS33)。
次に演算部116は、サーボアンプ105から送信された駆動データを用いて、予め設定された回転速度の目標値に達するまでの角加速度を算出する(ステップS34)。具体的に、図9に示す通り、演算部116は、回転速度の目標値であるA(r/min)と、目標値に達するまでに要した時間C(msec)と、から劣化前のフォーカスリング103を用いた場合の角加速度を算出する。同様に、ステップS34にて、演算部116は、回転速度の目標値であるA(r/min)と、目標値に達するまでに要した時間B(msec)と、から検査時のフォーカスリング103を用いた場合の角加速度を算出する。
次に、判定部113は、劣化前と検査時の角加速度の差をとり、差が予め定められた閾値以上か否かを判定し(ステップS35)、閾値以上であると判定した場合に(ステップS35;Yes)、フォーカスリング103は、劣化していると判定する(ステップS36)。一方、判定部は、劣化前と検査時の角加速度の差が閾値未満であると判定した場合(ステップS35;No)、フォーカスリング103は、劣化していると判定する(ステップS37)。判定結果通知部114は、ステップS36またはステップS37の判定結果を通知する(ステップS38)。
(変形例1)
上記実施の形態においては、テーブル102を回転させるときに得られる物理パラメータからフォーカスリング103の劣化を判定した。この開示はこれに限定されず、フォーカスリング103を、任意の態様で動かして得られる物理パラメータからフォーカスリング103の劣化を判別できる。例えば、プラズマ処理装置100,100aは、通常、テーブル102を上下に直線駆動する昇降機能を備える。この昇降機能を用いて、フォーカスリング103が設置されたテーブル102を上下動するときの慣性モーメント比、加速度などの物理パラメータから、フォーカスリング103の劣化を判定してもよい。この例においては、図10に示すように、プラズマ処理装置100,100aは、テーブル102を回転させずに昇降させるボールねじ130を備える。ボールねじ130の一端部は、サーボモータ104aのシャフトと連結され、サーボモータ104aにより回転駆動される。なお、ボールねじ130は、直線駆動部の一例である。
この場合、ステップS14およびステップS24の処理によって、サーボアンプ105は、フォーカスリング103が設置されたテーブル102を上下動するときの負荷慣性モーメントを求めることになる。また、データ分析装置110の記憶部14には、図3に示すテーブル102およびカップリングの慣性モーメントに関する情報に加えて、図10に示すボールねじ130の慣性モーメントに関する情報が予め記憶されている。判定部113は、ステップS15およびステップS25の慣性モーメント比を求める処理おいて、ステップS14、ステップS24により求められたフォーカスリング103の負荷慣性モーメントと、上下に直線運動するテーブル102の慣性モーメントとカップリングおよびボールねじ130の回転軸周りの慣性モーメントの和との差をとり、サーボモータ104の慣性モーメントを求める。次に、判定部113は、負荷慣性モーメントをサーボモータ104の慣性モーメントで除算して、劣化前および検査時の慣性モーメント比をそれぞれ算出する。判定部113は、ステップS27にて検査時の慣性モーメント比と劣化前の慣性モーメント比との差分が閾値以上か否かを判定する。
また、ボールねじ130を回転駆動するサーボモータ104aの回転速度を含む駆動データにより、図8で説明した手順と同様の手順でボールねじ130の角加速度を求め、劣化前と検査時の角加速度の差から劣化の有無を判定してもよい。
また、上記実施の形態において、プラズマ処理装置100,100aは、フォーカスリング103の質量に依存する物理パラメータとして、慣性モーメント比、角加速度を求めて、フォーカスリング103の劣化を判定することとしたが、これに限られない。例えば、サーボアンプ105が算出したフォーカスリング103の負荷慣性モーメントに基づいて、フォーカスリング103の劣化を判定してもよい。具体的に、図6に示す劣化判定処理において、ステップS25およびステップS26の処理を実施せず、ステップS27の処理において、ステップS14とステップS24によりサーボアンプ105がそれぞれ算出した負荷慣性モーメントの差を求め、求めた差分が予め定められた閾値以上か否かを判定することにより、フォーカスリング103の劣化の有無を判定すればよい。
なお、記憶部14が記憶する情報は、ネットワーク上に存在するクラウドサーバで一括管理され、データ分析装置110は必要に応じて当該クラウドサーバにアクセスして情報の読み書きを行ってもよい。この場合、データ分析装置110は記憶部14を備えなくてもよい。
また、判定結果通知部114は、判定結果を、外部接続されるディスプレイに表示させても良い。この場合、データ分析装置110は表示部16を備えなくてもよい。
また、プラズマ処理装置100は、プラズマエッチング処理を行う半導体製造装置であるとして、説明したが、これに限られず、フォーカスリングを設置してプラズマ処理を行う装置であればよい。例えば、CVD(Chemical Vapor Deposition)処理、PVD(Physical Vapor Deposition)処理などのプラズマ処理を行う半導体製造装置であってもよいし、フラットパネルディスプレイの基板に対しプラズマ処理を行うフラットパネルディスプレイ製造装置であってもよい。
また、データ分析装置110は、専用の装置によらず、通常のコンピュータシステムを用いて実現可能である。例えば、データ分析装置110における各機能を実現するためのプログラムを、コンピュータが読み取り可能なCD-ROM(Compact Disc Read Only Memory)、DVD-ROM(Digital Versatile Disc Read Only Memory)等の記録媒体に格納して配布し、このプログラムをコンピュータにインストールすることにより、上述の各機能を実現することができるコンピュータを構成してもよい。
また、各機能をOS(Operating System)とアプリケーションとの分担、またはOSとアプリケーションとの協同により実現する場合には、アプリケーションのみを記録媒体に格納してもよい。
本開示は、本開示の広義の精神と範囲を逸脱することなく、様々な実施の形態及び変形が可能とされるものである。また、上述した実施の形態は、この開示を説明するためのものであり、本開示の範囲を限定するものではない。すなわち、本開示の範囲は、実施の形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。そして、請求の範囲内及びそれと同等の開示の意義の範囲内で施される様々な変形が、本開示の範囲内とみなされる。
100,100a プラズマ処理装置、101 プロセスモジュール、102 テーブル、103 フォーカスリング、104,104a サーボモータ、105 サーボアンプ、106 モジュールコントローラ、107 FOUP、108 EFEM、109 真空搬送モジュール、110 データ分析装置、111 データ取得部、112 データ蓄積部112 判定部、114 判定結果通知部、115 データ加工部、116 演算部、120 エンコーダ、121 トルクセンサ、130 ボールねじ、11 CPU、12 RAM、13 ROM、14 記憶部、15 入力部、16 表示部、17 通信部、99 内部バス。

Claims (6)

  1. プラズマによって加工対象物を加工するプラズマ処理装置であって、
    検査対象のフォーカスリングを載置するテーブルと、
    前記テーブルを駆動する駆動部と、
    前記駆動部によるテーブルの駆動データを取得する駆動データ取得部と、
    前記駆動データ取得部により取得された駆動データを用いて、検査対象のフォーカスリングの質量に依存する物理パラメータを求め、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する判定部と、
    を備えるプラズマ処理装置。
  2. 前記駆動部は、前記テーブルを回転するモータを備え、
    前記駆動データ取得部は、前記モータの回転速度データと出力トルクデータを取得し、
    前記判定部は、前記駆動データ取得部により取得された回転速度データと出力トルクデータとに基づいて、検査対象のフォーカスリングの負荷慣性モーメントと前記モータの慣性モーメントとの比である慣性モーメント比を求め、求めた慣性モーメント比に基づいて、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する、
    請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  3. 前記駆動部は、前記テーブルを回転するモータを備え、
    前記駆動データ取得部は、前記モータの回転速度データを取得し、
    前記判定部は、前記駆動データ取得部により取得された回転速度データに基づいて、予め設定された回転速度に達する期間における角加速度を求め、求めた角加速度に基づいて、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する、
    請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  4. 前記駆動部は、前記テーブルと連結されて、該テーブルを直線駆動する直線駆動部と、該直線駆動部を回転するモータと、を備え、
    前記駆動データ取得部は、前記モータの回転速度データと出力トルクデータを取得し、
    前記判定部は、前記駆動データ取得部により取得された回転速度データと出力トルクデータとに基づいて、検査対象のフォーカスリングの負荷慣性モーメントと前記モータの慣性モーメントとの比である慣性モーメント比を求め、求めた慣性モーメント比に基づいて、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する、
    請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  5. 前記駆動部は、前記テーブルと連結されて、該テーブルを直線駆動する直線駆動部と、該直線駆動部を回転するモータと、を備え、
    前記駆動データ取得部は、前記モータの回転速度データを取得し、
    前記判定部は、前記駆動データ取得部により取得された回転速度データに基づいて、予め設定された回転速度に達する期間における角加速度を求め、求めた角加速度に基づいて、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定する、
    請求項1に記載のプラズマ処理装置。
  6. プラズマによって加工対象物を加工するプラズマ処理装置による劣化判定方法であって、
    フォーカスリングを載置するテーブルを駆動するステップと、
    駆動データを取得するステップと、
    駆動データを用いて、フォーカスリングの質量に依存する物理パラメータを求め、該物理パラメータに基づいて、検査対象のフォーカスリングが劣化しているか否かを判定するステップと、
    を備える劣化判定方法。
JP2022570611A 2022-07-25 2022-07-25 プラズマ処理装置および劣化判定方法 Active JP7229444B1 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2022/028661 WO2024023898A1 (ja) 2022-07-25 2022-07-25 プラズマ処理装置および劣化判定方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP7229444B1 true JP7229444B1 (ja) 2023-02-27
JPWO2024023898A1 JPWO2024023898A1 (ja) 2024-02-01

Family

ID=85320382

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022570611A Active JP7229444B1 (ja) 2022-07-25 2022-07-25 プラズマ処理装置および劣化判定方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP7229444B1 (ja)
WO (1) WO2024023898A1 (ja)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016100407A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 東京エレクトロン株式会社 測定システムおよび測定方法
JP2017092435A (ja) * 2015-11-06 2017-05-25 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 消耗品のためのセンサおよびアジャスタ
US20210118685A1 (en) * 2019-10-22 2021-04-22 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Plasma processing device and method of adjusting an edge ring of a plasma processing device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016100407A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 東京エレクトロン株式会社 測定システムおよび測定方法
JP2017092435A (ja) * 2015-11-06 2017-05-25 ラム リサーチ コーポレーションLam Research Corporation 消耗品のためのセンサおよびアジャスタ
US20210118685A1 (en) * 2019-10-22 2021-04-22 Xia Tai Xin Semiconductor (Qing Dao) Ltd. Plasma processing device and method of adjusting an edge ring of a plasma processing device

Also Published As

Publication number Publication date
WO2024023898A1 (ja) 2024-02-01
JPWO2024023898A1 (ja) 2024-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI709173B (zh) 半導體製造設備中的可消耗零件之耗損偵測
KR101134258B1 (ko) 기판 처리 시스템의 처리 레시피 최적화 방법
US10069443B2 (en) Dechuck control method and plasma processing apparatus
KR102471280B1 (ko) 반도체 제조 장치 및 기판 반송 방법
JP7526819B2 (ja) 製造プロセス性能を向上させるための統合された基板測定システム
JP5105399B2 (ja) データ収集方法,基板処理装置,基板処理システム
US20240051144A1 (en) Centerfinding for a process kit or process kit carrier at a manufacturing system
JP2023534598A (ja) 基板測定サブシステム
JP7229444B1 (ja) プラズマ処理装置および劣化判定方法
US9305814B2 (en) Method of inspecting substrate processing apparatus and storage medium storing inspection program for executing the method
US20240096715A1 (en) In-situ etch material selectivity detection system
JP4972277B2 (ja) 基板処理装置の復帰方法、該装置の復帰プログラム、及び基板処理装置
JP2019511129A (ja) 化学薬品の適応的スパイクを通してエッチング速度を制御するための装置および方法
US11967534B2 (en) Method of manufacturing semiconductor device
WO2024047835A1 (ja) データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法
US9772624B2 (en) Control apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing system
US20220051953A1 (en) In-situ etch rate and etch rate uniformity detection system
US20220277974A1 (en) Input/output (io) handling during update process for manufacturing system controller
JP2011119504A (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221118

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20221118

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20230117

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20230214

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7229444

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150