JP2018032857A - 半導体プロセスモジュールのためのエッジリングまたはプロセスキット - Google Patents
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Abstract
Description
リングは、通常、石英またはシリコン系材料から作られており、エッチングガスおよび/または流体にさらされるため、エッチプロセスにおいて非常に消耗する。リングは、ウエハ処理中にプラズマによってエッチングされ、最終的に浸食され始める。リングから除去された十分な材料が基板のエッジに沿って処理プラズマのプロファイルを変化させた後に、リングの浸食がプロセスドリフトを引き起こす。プロセスドリフトは、究極的には基板上に欠陥を引き起こす。著しく浸食されたリングは、通常、プロセス適合性を保証し、製造欠陥が処理歩留まりに影響を及ぼすのを防ぐために交換される。しかしながら、リングの交換には、高価な製造プロセス設備の運転を停止させる必要がある。欠陥が発生し、リングの耐用年数が著しく低減する前にリングを交換するために製造プロセスの運転を停止させることと、製造歩留まりを低下させることとの間にトレードオフがある。
したがって、当技術分野において、製造プロセスをモニタし、歩留まりを向上させる必要がある。
本発明の上記の特徴を詳細に理解することができるように、一部が添付図面に示される実施形態を参照することによって上で要約された本発明のより具体的な記載を行うことができる。しかし、添付された図面は、本発明の典型的な実施形態のみを示し、その範囲を限定すると考えられるべきではなく、その理由は、本発明が他の等しく効果的な実施形態を受け入れることができるためであることに留意されたい。
シャワーヘッド120は、リッド184に近接して、内部容積116内部に配置される。1つまたは複数のガスがシャワーヘッド120を介してガスパネル160から処理チャンバ100の内部容積116内へ導入される。シャワーヘッド120は、マッチング回路124を通してRF電源132に結合されてもよい。シャワーヘッド120からのガスは、RF電源132からシャワーヘッド120に電力を印加することによって、内部容積116内でプラズマ118へと点火されてもよい。プラズマは、処理中に基板144の特徴をエッチングするために使用され、次いで、真空ポンプ134によって処理チャンバ100から排出されてもよい。
絶縁体パイプ108およびペデスタル絶縁体110は、ESC102に印加された電気的なバイアスから、チャンバ壁および基板支持体115をそれぞれ電気的に絶縁するように機能する。基板支持体115は、DC電源152によってバイアスされてもよい。RF電源126が、任意選択で、マッチング回路122を通して基板支持体115に結合されてもよい。
図2A〜図2Cの実施形態では、摩耗インジケータ材料290についてピン205を参照して論じる。しかしながら、摩耗インジケータ材料290は、環状リングなどの別の適切な特徴であってもよいことを当業者には理解されたい。ピン205は、エッジリング105の頂面201に最近接して配置されているが頂面201の下方に間隔を置いて配置された上面251を有する。同様に、ピン205は、エッジリング105の底面206に最近接して配置された下面256を有する。ピン205の下面256は、エッジリング105の底面206がピン205の下面256と実質的に共平面になるように、エッジリング105の底面206まで延在してもよい。あるいは、ピン205の下面256は、エッジリング105の頂面201と底面206との間に配置されてもよい。一実施形態において、ピン205は、エッジリング105によって完全に閉じ込められる。第2の実施形態では、ピン205の下面256は、エッジリング105の底面206の開口部に沿って、またはその開口部を通してアクセス可能である。他の実施形態では、摩耗インジケータ材料290は、エッジリング105の本体190内部に配置された環状の材料層であってもよい。
エッジリング105の本体190は、処理チャンバ100内でプラズマ118にさらされる頂面401を有する。本体190は、底面406を有する。本体190は、基板144に隣接する内側エッジ462、および内側エッジ462の反対側の外側エッジ464をさらに有する。エッジリング105の本体190の底面406は、ESC102上に配置されている。本体190は、頂面401を包含する第1の層410を有する。第1の層410は、信号スパイク層420上に配置されている。信号スパイク層420の材料および機能は、図3A〜図3Cで論じた信号スパイク材料310と実質的に同様である。信号スパイク層420は、底面406を包含することができる。任意選択で、エッジリング105の本体190は、第3の層430を含んでもよい。第1の層410は、頂面401から底面406まで測定したときのエッジリング105の厚さの10パーセントであってもよい。信号スパイク層420は、第3の層430上に配置されてもよい。エッジリング105の本体190が第3の層430を含む実施形態では、第3の層430は、底面406を包含する。
信号スパイク層420は、焼結またはボンディングなどの機械的技法によって形成されてもよい。信号スパイク層420は、あるいは、エッジリング105の本体190の第1の層410、任意選択で第3の層430によって信号スパイク層420を覆うようにシリコンを堆積させるなどの化学的技法によって形成されてもよい。あるいは、信号スパイク層420は、エッジリング105またはその一部を3D印刷することによって形成されてもよい。信号スパイク層420は、頂面401の浸食が生じるにつれ、露出して検出される、本体190の頂面401から所定の深さに位置するエッジリング105の本体190の材料とは異なる材料層である。例えば、信号スパイク層420は、プラズマ118によって浸食されたときにフォトンを放出するSiO、蛍光材料、または他の適切な材料から形成されてもよい。
処理中に、エッジリング105の本体190は、プラズマによって浸食される。図4Bは、エッジリング105の頂面401に沿った浸食を示す。頂面401の浸食は、本体190の頂面401に凹み403を形成し始める。信号スパイク層420は、最終的には、第1の層410の浸食によってエッジリング105の材料から露出し、信号スパイク層420がプラズマ118とコンタクトするようになる。センサ350は、信号スパイク層420からのフォトンをモニタする。センサ350によって信号スパイク層420が検出されると、信号が送信される。信号は、メッセージまたは命令を含むことができる。例えば、メッセージは、処理チャンバ100を予防保守のためにスケジュールするべきであり、リングアセンブリ170を交換するべきであることを示すことができる。
エッジリング105の本体190は、処理チャンバ100の内部容積116内でプラズマ118にさらされる頂面501を有する。本体190は、底面506を有する。エッジリング105の底面506は、ESC102上に配置されている。本体190は、絶縁性材料(SiC)から形成される。
エッジリング105の本体190は、処理チャンバ100の内部容積116にさらされる頂面601を有する。本体190は、底面606を有する。エッジリング105の底面606は、ESC102上に配置されている。エッジリング105の本体190は、SiC、石英、または他の適切な材料から形成されてもよい。
図6Cでは、頂面601の凹み603は、距離632が最小のしきい値633、すなわち本体190の頂面601の最大の受け入れられる凹み603に達した点まで進行している。最小のしきい値633を達成すると、エッジリング105の本体190は、それ以上の浸食が受け入れられないプロセスドリフトを引き起こす可能性がある点まで浸食される。センサ630が、距離632が最小のしきい値633を達成したと判定すると、オペレータまたは装置コントローラにエッジリング105の状態を通知するために信号が送信されてもよい。処理チャンバ100は、予防保守のためにスケジュールされてもよく、リングアセンブリ170が交換されてもよい。
上に開示した実施形態は、結果として基板欠陥をもたらす受け入れられないプロセスドリフトを受ける前に、プロセスフィードバックを行い、予防保守のタイミングを調整するための方法論を有利には提供する。実施形態は、交換前のリングセンブリの最大限の使用を保証し、したがって、高価で不当な交換を低減させる。加えて、電極などのある特定の実施形態を利用して、プロセスの実時間フィードバックを行い、プロセスの調整を可能にすることができる。
102 静電チャック
103 側壁
104 カバーリング
105 エッジリング
106 カソード
108 絶縁体パイプ
109 底面
110 ペデスタル絶縁体
112 ペデスタル支持体
115 例示的な基板支持体
116 内部容積
118 プラズマ
120 シャワーヘッド
122 マッチング回路
124 マッチング回路
126 RF電源
128 本体
129 グランド
132 RF電源
134 真空ポンプ
144 基板
152 DC電源
160 ガスパネル
170 リングアセンブリ
180 コントローラ
184 リッド
190 本体
201 頂面
205 ピン
206 底面
210 窪み
211 浸食
220 開口部
230 センサ
231 電気的な伝送線
232 視線
251 上面
256 下面
290 インジケータ材料
301 頂面
303 浸食
306 底面
310 信号スパイク材料
311 上面
350 センサ
356 下面
401 頂面
403 凹み
406 底面
410 第1の層
420 信号スパイク層
421 上面
422 下面
430 任意選択の第3の層
462 内側エッジ
464 外側エッジ
501 頂面
502 浸食
503 しきい値
506 底面
511 凹み
530 電極
601 頂面
603 凹み
606 底面
630 センサ
632 距離
633 最小のしきい値
Claims (15)
- 頂面、底面、および内径壁を有する本体と、
前記本体に配置された摩耗インジケータ材料であって、前記本体の前記頂面の下方に間隔をおいて配置された、前記本体を構成する材料とは異なる、摩耗インジケータ材料と、
を含む、プラズマ処理チャンバのためのリング。 - 前記摩耗インジケータ材料が、
円筒状ピン
を構成する、請求項1に記載のリング。 - 前記摩耗インジケータ材料が、
環状のバンド
を構成する、請求項1に記載のリング。 - 前記摩耗インジケータ材料が、
前記エッジリングの前記本体の反射率とは異なる反射率
を備える、請求項1に記載のリング。 - 前記摩耗インジケータ材料が、
前記摩耗インジケータ材料および前記本体がプラズマにさらされるときに、前記本体から放出されるイオンとは異なるイオンを放出する材料、
を含む、請求項1に記載のリング。 - 前記摩耗インジケータ材料がSiOであり、前記本体の前記材料が石英である、請求項1に記載のリング。
- 内部容積を有するチャンバ本体と、
前記内部容積に配置された基板支持体と、
前記基板支持体上に配置されたリングであって、
頂面、底面、および内径壁を有する石英本体、ならびに
前記本体に配置され、前記本体の前記頂面の下方に間隔を置いて配置され、SiOから製造された、摩耗インジケータ材料
を含む、リングと、
前記リングとインターフェースするように置かれ、前記摩耗インジケータ材料を検出するように構成された1つまたは複数のセンサであって、前記摩耗インジケータ材料が、前記摩耗インジケータ材料および本体がプラズマにさらされるときに形成される、前記本体から放出されるイオンとは異なるイオンを放出する、1つまたは複数のセンサと、
を備える、プラズマ処理チャンバ。 - エッジリングおよび外側リングを有するリングアセンブリ上の摩耗を示すメトリックを得るステップであって、前記エッジリングが頂面を有する本体を有し、かつシリコンを含有し、前記リングアセンブリが、前記プラズマ処理チャンバ内でのプラズマによる処理の前に、プラズマ処理チャンバの基板支持体上に配置される、ステップと、
センサによって前記リングアセンブリに対する前記メトリックをモニタするステップと、
前記メトリックがしきい値を超えていると判定するステップと、
前記メトリックが前記しきい値を超えたことに応答して信号を生成するステップと、
を含む、リングアセンブリの浸食を検出する方法。 - 前記エッジリングの上方で前記プラズマ処理チャンバに配置された前記センサによって前記頂面の下方の前記本体に埋め込まれた信号材料の浸食を検知するステップ、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記信号材料が前記本体の前記頂面に沿って配置されたシリコン含有層の下方に配置された層である、請求項9に記載の方法。
- 前記エッジリングの下方に配置された電磁気センサによって前記プラズマが存在する状態で前記エッジリングの向こう側まで抵抗を測定するステップと、
前記測定された抵抗の値に基づいて前記プロセスパラメータまたは保守スケジュールを修正するステップと、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記センサによって前記エッジリングの前記頂面までの距離を測定するステップであって、前記センサが前記プラズマ処理チャンバに配置された、前記プラズマにさらされるセンサである、ステップと、
前記距離が最大のしきい値を超えていると判定するステップと、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 前記センサによって前記エッジリングの前記頂面までの距離を測定するステップであって、前記センサが前記基板支持体に配置されている、ステップと、
前記距離が最大のしきい値を超えていると判定するステップと、
をさらに含む、請求項8に記載の方法。 - 音響センサによって音響信号を前記エッジリングの下方から得るステップ
をさらに含む、請求項13に記載の方法。 - 光センサによって光信号を前記エッジリングの上方から得るステップ
をさらに含む、請求項13に記載の方法。
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