TW201818446A - 用於半導體製程模組的邊環或製程配件 - Google Patents

用於半導體製程模組的邊環或製程配件 Download PDF

Info

Publication number
TW201818446A
TW201818446A TW106128580A TW106128580A TW201818446A TW 201818446 A TW201818446 A TW 201818446A TW 106128580 A TW106128580 A TW 106128580A TW 106128580 A TW106128580 A TW 106128580A TW 201818446 A TW201818446 A TW 201818446A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
ring
edge ring
sensor
plasma
disposed
Prior art date
Application number
TW106128580A
Other languages
English (en)
Inventor
亞倫Ｌ 德安柏
虛沙傑Ｌ 突世巴偉立
Original Assignee
美商應用材料股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 美商應用材料股份有限公司 filed Critical 美商應用材料股份有限公司
Publication of TW201818446A publication Critical patent/TW201818446A/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
    • G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
    • G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01D21/00—Measuring or testing not otherwise provided for
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32917—Plasma diagnostics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68735—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge profile or support profile
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/06—Illumination; Optics
    • G01N2201/061—Sources
    • G01N2201/06113—Coherent sources; lasers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明通常闡述對用於蝕刻或其他電漿處理腔室中的環組件的侵蝕進行偵測的方法和設備。在一個實施方式中，一種方法藉由以下步驟開始：在電漿處理腔室中利用電漿進行處理之前獲得指示設置在電漿處理腔室中的基板支撐件上的環組件的磨損的度量。利用感測器監測環組件的度量。決定度量是否超過閾值，並且回應於度量超過閾值而生成信號。

Description

用於半導體製程模組的邊環或製程配件
本發明的實施方式一般涉及用於蝕刻或其他電漿處理腔室的環和環組件。
在半導體處理腔室中，基板經歷各種製程諸如沉積、蝕刻和退火。在一些製程期間，基板放置在基板支撐件諸如靜電卡盤(ESC)上用於進行處理。在蝕刻製程中，可圍繞基板放置環以防止侵蝕基板支撐件的未被該基板覆蓋的區域。環聚集電漿並且將基板定位在合適位置。
環通常由石英或矽基材料製成並且由於它們暴露於蝕刻氣體和/或流體而在蝕刻製程中高度消耗。環在晶圓處理期間由電漿蝕刻並且最終開始侵蝕。從環移除充足的材料而改變沿基板邊緣的處理電漿分佈之後，環的侵蝕導致製程漂移。製程漂移最後導致基板上的缺陷。通常對受到顯著侵蝕的環進行替換以確保製程均勻性並且防止製造缺陷影響處理產量。然而，環的替換需要關閉製造製程設備，這樣是昂貴的。在生成缺陷並顯著減少環的使用壽命之前停止製造製程以替換環與降低製造產量之間存在折衷。
因此，本領域中存有監測製造製程並擴充產量的需要。
本發明通常闡述對用於蝕刻或其他電漿處理腔室中的環組件的侵蝕進行偵測的方法和設備。在一個實施方式中，一種方法藉由以下步驟開始：在電漿處理腔室中利用電漿進行處理之前，獲得指示設置在電漿處理腔室中的基板支撐件上的環組件的磨損的度量。利用感測器監測環組件的度量。決定度量是否超過閾值並且回應於度量超過閾值而生成信號。
在用於半導體製造的處理腔室中，邊環用作圍繞晶圓/基板的製程配件的部分。基板位於通常具有階梯特徵的基座或靜電卡盤的頂部上，用於安裝邊環。邊環用於控制在處理腔室中的基板上的製程執行。監測邊環的降解或侵蝕允許在處理效能偏移超出規定前替換邊環。憑經驗地決定監測邊環侵蝕的當前方法。下文所公開的實施方式提供邊環隨時間（RF小時）侵蝕的主動或原位監測以限制或防止製程漂移超過允許閾值。這允許了半導體製造商準確實施調度的預防性維護並且優化腔室中的製程配件的壽命而不犧牲效能。
圖1是具有設置在處理腔室100中的蓋環104的示例性基板支撐件115的示意橫截面圖。儘管本文未詳細地論述，但是基板支撐件115通常設置在電漿處理腔室中，諸如蝕刻腔室中。處理腔室100可單獨地使用或作為集成半導體基板處理系統或組合工具的處理模組。處理腔室100可具有耦接至接地129的主體128。
處理腔室100的主體128可以具有側壁103、蓋子184和底表面109。側壁103、蓋子184和底表面109界定內部容積116。處理腔室100的內部容積116是藉由節流閥（未圖示）耦接至真空泵134的高真空容器。在操作中，基板放置在基板支撐件115上並且腔室內部被降壓至接近真空環境。
噴頭120設置在鄰近蓋子184處並且在內部容積116內。一或多種氣體從氣體面板160經由噴頭120引入處理腔室100的內部容積116中。噴頭120可藉由匹配網路124耦接至RF電力源132。來自噴頭120的氣體可以在內部容積116中藉由將電力從RF電力源132施加至噴頭120而激發成電漿118。電漿可用於在處理期間蝕刻基板144中的特徵並且隨後藉由真空泵134而泵送出處理腔室100。
基板支撐件115設置在噴頭120的下方，用於將各種氣體供應至處理腔室100的內部容積116中。基板支撐件115一般包括靜電卡盤(ESC) 102、具有蓋環104和邊環105的環組件170、用於電偏置ESC 102的陰極106、絕緣體管道108、基座絕緣體110和基座支撐件112。
絕緣體管道108和基座絕緣體110起到分別將腔室壁和基板支撐件115與施加至ESC 102的電偏壓電隔離的作用。基板支撐件115可由DC電源152偏置。可選地，RF電力源126可藉由匹配網路122而耦接至基板支撐件115。
蓋環104可以是擱置在邊環105和絕緣體管道108上的單件環。當放置在基板支撐件115上時，基板144將會擱置在ESC 102上並且被邊環105和蓋環104圍繞。由於邊環105和蓋環104亦會聚集電漿，邊環105和蓋環104通常由矽或石英製成並且在處理期間被消耗掉。在一個實施方式中，蓋環104由石英材料形成並且邊環105具有主體190。主體190由含矽材料形成。在電漿蝕刻腔室中，蓋環104和邊環105保護ESC 102不被電漿侵蝕並且控制在處理期間在基板144的邊緣附近的電漿分佈。為了防止因蓋環104和邊環105的侵蝕造成的製程漂移，邊環105和/或處理腔室100併入用於監測邊環105的磨損的結構。
用於監測邊環105的磨損的變型在此作為獨立實施方式而公開。圖2A至圖2C是根據本發明的第一實施方式的圖1的處理腔室在環組件170的區域中的一部分的平面圖。圖2A示出了垂直地設置在ESC 102上方的噴頭120的一部分。ESC 102具有蓋環104和邊環105的第一實施方式。
邊環105的主體190具有暴露於處理腔室100的電漿環境的頂表面201。邊環105的主體190具有底表面206。邊環105的底表面206設置在ESC 102上。主體190另外具有嵌入主體190中的磨損指示材料290。例如，由於邊環105由電漿磨損，磨損指示材料290可能是銷205、或者材料塊、材料層或與主體190的材料不同並適用於偵測的其他特徵。磨損指示材料290可由與主體190不同並具有可偵測的不同性質的材料形成。例如，磨損指示材料290可具有與主體190不同的反射率。
在圖2A至圖2C的實施方式中，磨損指示材料290將參考銷205論述。然而，本領域的技術人員應當瞭解，磨損指示材料290可為另一合適特徵，諸如環形環。銷205具有設置在最靠近邊環105的頂表面201處但在該頂表面下方間隔開來的上表面251。同樣，銷205具有設置在最靠近邊環105的底表面206處的下表面256。銷205的下表面256可延伸至邊環105的底表面206，使得邊環105的底表面206實質上與銷205的下表面256共面。或者，銷205的下表面256可設置在邊環105的頂表面201與底表面206之間。在一個實施方式中，銷205完全地由邊環105封裝。在第二實施方式中，銷205的下表面256可沿著或藉由邊環105的底表面206中的開口達到。在其他實施方式中，磨損指示材料290可以是設置在邊環105的主體190內的材料的環形層。
銷205可藉由機械或化學技術放置在邊環的底表面206中。例如，孔可形成在邊環105的底表面206中，並且可將銷205插入孔中。銷205可黏附於孔中或壓配合於孔中。可選地，銷205可由用於邊環105的諸如矽片之類的額外的材料層覆蓋、或藉由矽的沉積來覆蓋銷205，並且形成邊環105的底表面206。或者，銷205可使用電漿處理技術或3D列印（3D printing）形成在邊環105中。銷205是與邊環105的主體190的材料不同的材料層，邊環位於距發生頂面201的侵蝕時將暴露的和偵測到的邊環105的頂表面201一預定深度之處。例如，銷205或磨損指示材料290可由石英形成而邊環105由含矽材料形成，含矽材料諸如SiC。
感測器230可以位於邊環105上方。邊環可以具有對準特徵。對準特徵可以是鍵、銷、或利用感測器230將邊環105定向的其他合適裝置。感測器230可附接至噴頭120。在一個實施方式中，感測器230設置在噴頭120中。感測器230可具有集中在邊環105中的銷205（或該位置）上的瞄準線232。感測器230可經由光或電傳輸線231耦接至控制器180。感測器230可被構造成在缺乏電漿時（即，在未發生基板144的處理時）操作。或者，感測器230可設置在腔室100外部，從而藉由邊環105處的訊窗查看。
在處理期間，邊環105受到電漿侵蝕。圖2B圖示了沿著邊環105的頂表面201的侵蝕211。侵蝕211開始在邊環105中形成溝槽（trough）210。感測器230和銷205可定位成使得在溝槽210處引導瞄準線232。由於邊環105的頂表面201被磨損掉，感測器230可偵測到光學或聲學信號，進而使得在銷205上方的邊環105材料的量變薄，並且最終，當充分侵蝕時，暴露出銷205。在邊環105正在經歷侵蝕時，感測器230可以將回饋提供至製程設備用於維持製程均勻性。
在圖2C中，頂表面201的侵蝕211已發展至以下程度，其中溝槽210現在是暴露銷205的上表面251的開口220。隨著銷205的上表面251變得暴露，度量變化可借助感測器230所收集的光學/聲學信號偵測出。銷205可具有與頂表面201的反射率不同的反射率以促進充分偵測。以此方式，侵蝕可在處理期間受到監測並且由銷205提供的信號可以指示達到邊環105的侵蝕的閾值。從銷205的頂表面201至上表面251的深度可基於與邊環105的允許侵蝕相關聯的製程漂移資料。在偵測到侵蝕211到達銷205之後，可生成指示侵蝕超過閾值的信號。例如，信號可發送至控制器、或操作器，並且可調度處理腔室100以用於預防性維護和環組件170替換。
圖3A至圖3C是根據本發明的第二實施方式的圖1的處理腔室在環組件170的區域中的一部分的平面圖。圖3A示出了垂直地設置在ESC 102上方的噴頭120的一部分。ESC 102具有蓋環104和邊環105的第二實施方式。
邊環105的主體190具有暴露於處理腔室100中的電漿118的頂表面301。邊環105具有底表面306。邊環的底表面306設置在ESC 102上。邊環105的主體190另外具有嵌入主體190中的信號尖峰材料（signal spike material）310。如下文將論述，當受到電漿侵蝕時，信號尖峰材料310可以將粒子引入可由感測器350偵測到的內部容積116中。信號尖峰材料310可以成具有設置在最靠近邊環105的頂表面301處的上表面311的外掛程式或環形環的形狀。信號尖峰材料310具有設置在最靠近邊環105的底表面306處的下表面356。信號尖峰材料310的下表面356可延伸至邊環105的底表面306，使得邊環105的底表面306實質上與信號尖峰材料310的下表面356共面。或者，信號尖峰材料310的下表面356可設置在邊環105的頂表面301與底表面306之間。在一個實施方式中，信號尖峰材料310完全地由邊環105封裝。在第二實施方式中，信號尖峰材料310的下表面356可沿著或藉由邊環105的底表面306中的開口達到。
信號尖峰材料310可藉由機械或化學技術放置在邊環的底表面306中。例如，孔可形成在邊環105的底表面306中，並且可將信號尖峰材料310插入其中。信號尖峰材料310可黏附於孔中或壓入孔中。可選地，信號尖峰材料310可由用於邊環105的諸如矽片之類的額外的材料層覆蓋或藉由矽的沉積以覆蓋信號尖峰材料310並且形成邊環105的底表面306。或者，信號尖峰材料310可使用電漿處理技術或3D列印形成在邊環105中。信號尖峰材料310是與邊環105的主體190的材料不同的材料層，邊環位於距發生頂表面301的侵蝕時將暴露的和偵測到的邊環105頂表面301一預定深度之處。例如，信號尖峰材料310可由SiO、螢光材料、或在受到電漿118侵蝕時發射光子的其他合適材料形成。
感測器350可設置在內部容積116中。在一個實施方式中，感測器350被附接至噴頭120。在另一實施方式中，感測器被附接至處理腔室100的主體128。感測器350可以偵測腔室環境（即，內部容積116）中的粒子。感測器350可以偵測來自電漿處理（諸如侵蝕邊環105中的矽、電漿118中的粒子、以及信號尖峰材料310）的發射。感測器350可經由光或電傳輸線耦接至控制器180。感測器230可被構造成在存在電漿時（即，在基板144上發生處理時）操作。感測器230可以是偵測電漿性質變化的分光計、啟動將在侵蝕後暴露的材料的雷射器、電容量測感測器（若放置在ESC、離子選擇電極、或其他合適裝置中）。
在處理期間，邊環105的主體190受到電漿侵蝕。圖3B圖示了沿著邊環105的頂表面301的侵蝕303。侵蝕303開始在主體190的頂表面301中形成凹處（depression）。信號尖峰材料310仍由來自主體190的材料覆蓋並且由此不與電漿118接觸。感測器350監測來自信號尖峰材料310的光子。
在圖3C中，頂表面301的侵蝕303已發展至以下程度，其中信號尖峰材料310的上表面311被暴露於電漿118。電漿118可導致粒子從信號尖峰材料310進入處理腔室的內部容積116。這些粒子可能是光子、離子、或可偵測到而不損害基板144上的處理操作的其他痕量材料。從信號尖峰材料310的頂表面301至上表面311的深度可以基於在針對給定應用的製程漂移資料變得不可接受前邊環105上允許的侵蝕的容許量。在藉由感測器350偵測信號尖峰材料310時，將信號發送以指示在內部容積116中存在來自尖峰材料310的粒子。處理腔室100可調度以用於預防性維護並且在接收信號時替換環組件170。
圖4A至圖4B是根據本發明的第三實施方式的圖1的處理腔室在環組件170的區域中的一部分的平面圖。圖4A示出了垂直地設置在ESC 102上方的噴頭120的一部分。ESC 102具有蓋環104和邊環105的第三實施方式，邊環具有信號尖峰層420。
邊環105的主體190具有暴露於處理腔室100中的電漿118的頂表面401。主體190具有底表面406。主體190另外具有靠近基板144的內邊緣462和面對內邊緣462的外邊緣464。邊環105的主體190的底表面406設置在ESC 102上。主體190具有包括頂表面401的第一層410。第一層410設置在信號尖峰層420上。信號尖峰層420的材料和功能基本上與圖3A至圖3C所論述的信號尖峰材料310的材料和功能相似。信號尖峰層420可包括底表面406。可選地，邊環105的主體190可包括第三層430。第一層410可以是如從頂表面401至底表面406量測的邊環105的厚度的10%。可將信號尖峰層420設置在第三層430上。在邊環105的主體190包括第三層430的實施方式中，第三層430包括底表面406。
信號尖峰層420、第一層410和可選的第三層430的各個層從邊環105的內邊緣462延伸至外邊緣464。信號尖峰層420具有上面設置第一層410的上表面421。信號尖峰層420具有與一些實施方式中的ESC 102或其他實施方式中的第三層430接觸的下表面422。
信號尖峰層420可藉由機械技術形成，諸如藉由燒結或結合。信號尖峰層420可替代地藉由化學技術形成，諸如矽的沉積以利用邊環105的主體190的第一層410和可選的第三層430來覆蓋信號尖峰層420。或者，信號尖峰層420可藉由3D列印邊環105或邊環的部分形成。信號尖峰層420是與邊環105的主體190的材料不同的材料層，該邊環位於距發生頂表面401的侵蝕時將暴露的和偵測到的主體190的頂表面401一預定深度之處。例如，信號尖峰層420可由SiO、螢光材料、或在受到電漿118侵蝕時將發射光子的其他合適材料形成。
感測器350可設置在內部容積116中。在一個實施方式中，感測器350被附接至噴頭120。在另一實施方式中，感測器被附接至處理腔室100的主體128。感測器350實質上關於上文圖3A至圖3C而描述，並且在處理在基板144上發生時偵測來自信號尖峰層420的腔室環境（即，內部容積116）中的粒子。
在處理期間，邊環105的主體190受到電漿侵蝕。圖4B圖示了沿邊環105的頂表面401的侵蝕。頂表面401的侵蝕開始在主體190的頂表面401中形成凹處403。信號尖峰層420最終藉由第一層410的侵蝕而未由邊環105材料覆蓋並且信號尖峰層420與電漿118接觸。感測器350監測來自信號尖峰層420的光子。在感測器350偵測到信號尖峰層420時，發送信號。信號可以包括消息或指令。例如，消息可以指示應調度處理腔室100以用於預防性維護以及環組件170替換。
圖5A至圖5C是根據本發明的第四實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。圖5A示出了垂直地設置在ESC 102上方的噴頭120的一部分。ESC 102具有蓋環104和用於偵測邊環105的磨損的第四實施方式。
邊環105的主體190具有暴露於處理腔室100的內部容積116中的電漿118的頂表面501。主體190具有底表面506。邊環105的底表面506設置在ESC 102上。主體190由絕緣材料形成，絕緣材料諸如SiC。
電極530可設置在ESC 102中並且位在邊環105下方。電極530可經由光或電傳輸線耦接至控制器180。電極530可以類似於連續波的方式操作或利用離散的步進波數位操作。電極530可操作以藉由與電漿118耦接（即，當發生基板144的處理時，或電漿存在於內部容積116內時的其他時間）來量測邊環105的電阻。
在處理期間，邊環105的主體190的頂表面501受到電漿侵蝕。圖5B圖示了沿著主體190的頂表面501的侵蝕502。侵蝕502開始在主體190中形成凹處511。電極530可藉由量測跨邊環105的主體190的電阻來決定邊環105的厚度。與邊環105未顯示出侵蝕的情況相反，諸如圖5A所示，凹處511減少邊環105的電阻。可發送信號以指示製程參數或邊環105的狀態。例如，信號可含有關於在應當調度預防性維護事件前剩餘的小時數的估計的資訊。另外地或可替代地，信號可以含有可用於調節製程參數的侵蝕率資訊。信號可能是該形式的通知、或諸如文本消息、電腦消息、可視消息或其他合適通信技術的其它消息。
在圖5C中，頂表面501的侵蝕502已發展至以下程度，其中凹處511已經達到閾值503，即，最小可接受電阻。在閾值503處，邊環105的主體190將已被侵蝕至以下程度，其中任何進一步的侵蝕都會導致不可接受製程漂移。在電極530決定凹處511已經到達閾值503時，發送信號。信號可傳達出如下內容：製程應當停止並且處理腔室100可調度以用於預防性維護和環組件170替換。
圖6A至圖6C是根據本發明的第五實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。圖6A示出了垂直地設置在ESC 102上方的噴頭120的一部分。ESC 102具有蓋環104和用於偵測邊環105的過量磨損的第五實施方式。
邊環105的主體190具有暴露於處理腔室100的內部容積116的頂表面601。主體190具有底表面606。邊環105的底表面606設置在ESC 102上。邊環105的主體190可由SiC、石英或其他合適材料形成。
感測器630可設置在ESC 102中並且位於邊環105下方。感測器630可經由光或電傳輸線耦接至控制器180。感測器630可以是用於偵測聲學信號的麥克風。或者，感測器630可以是光學光偵測器。感測器630可操作以量測邊環105的厚度。在感測器630是用於偵測聲學信號的麥克風的實施方式中，當電漿（即，電漿118）沒有發出噪音時可以執行對邊環的準確量測而不需要額外地過濾。
在處理期間，邊環105的主體190的頂表面601受到電漿侵蝕。圖2B圖示了沿主體190的頂表面601的侵蝕。侵蝕開始在邊環105的主體190中形成凹處603。感測器630可決定從感測器630至頂表面601中的凹處603的距離632。距離632可使用聲學信號或光偵測由感測器630量測。在識別由感測器630量測的邊環105的侵蝕方面，製程可以在腔室100中調整。
在圖6C中，頂表面601中的凹處603已發展至以下程度點，其中距離632已經達到最小閾值633，即，在主體190的頂表面601中的最大可接受的凹處603。在達到最小閾值633時，邊環105的主體190將已經被侵蝕至以下程度，其中任何進一步的侵蝕都會導致不可接受的製程漂移。在感測器630決定距離632已經達到最小閾值633時，可發送信號以將邊環105的狀況通知操作員或設備控制器。處理腔室100可調度以用於預防性維護和環組件170替換。
上文所公開的實施方式有利地提供了在經歷可導致基板缺陷的不可接受製程漂移前提供製程回饋和定時預防性維護的方法。實施方式確保在替換前環組件的最大程度使用，因此減小昂貴而無端的替換。另外地，某些實施方式（諸如電極）可用於提供製程的即時回饋並允許調整該製程。
儘管前述針對本發明的實施方式，但是在不脫離本發明的基本範圍的前提下可設計出本發明的其他的和進一步的實施方式，並且本發明的範圍是由隨附的申請專利範圍決定。
100‧‧‧處理腔室
102‧‧‧靜電卡盤
103‧‧‧側壁
104‧‧‧蓋環
105‧‧‧邊環
106‧‧‧陰極
108‧‧‧絕緣體管道
109‧‧‧底表面
110‧‧‧基座絕緣體
112‧‧‧基座支撐件
115‧‧‧基板支撐件
116‧‧‧內部容積
118‧‧‧電漿
120‧‧‧噴頭
122‧‧‧匹配網路
124‧‧‧匹配網路
126‧‧‧RF電力源
128‧‧‧主體
129‧‧‧接地
132‧‧‧RF電力源
134‧‧‧真空泵
144‧‧‧基板
152‧‧‧DC電源
160‧‧‧氣體面板
170‧‧‧環組件
180‧‧‧控制器
184‧‧‧蓋子
190‧‧‧主體
201‧‧‧頂表面
205‧‧‧銷
206‧‧‧底表面
210‧‧‧溝槽
211‧‧‧侵蝕
220‧‧‧開口
230‧‧‧感測器
231‧‧‧光或電傳輸線
232‧‧‧瞄準線
251‧‧‧上表面
256‧‧‧下表面
290‧‧‧磨損指示材料
301‧‧‧頂表面
303‧‧‧侵蝕
306‧‧‧底表面
310‧‧‧信號尖峰材料
311‧‧‧上表面
350‧‧‧感測器
356‧‧‧下表面
401‧‧‧頂表面
403‧‧‧凹處
406‧‧‧底表面
410‧‧‧第一層
420‧‧‧信號尖峰層
421‧‧‧上表面
422‧‧‧下表面
430‧‧‧第三層
462‧‧‧內邊緣
464‧‧‧外邊緣
501‧‧‧頂表面
502‧‧‧侵蝕
503‧‧‧閾值
506‧‧‧底表面
511‧‧‧凹處
530‧‧‧電極
601‧‧‧頂表面
603‧‧‧凹處
606‧‧‧底表面
630‧‧‧感測器
632‧‧‧距離
633‧‧‧最小閾值
以上簡要概述的本發明的上述詳述特徵可以被詳細理解的方式、以及本發明的更特定描述，可以藉由參照實施方式獲得，實施方式中的一些實施方式繪示於附圖中。然而，應當注意，附圖僅示出了本發明的典型實施方式，因而不應視為對本發明的範圍的限制，並且本發明可允許其他等同有效實施方式。
圖1是具有設置在製程腔室中的環組件的示例性基板支撐件的示意橫截面圖。
圖2A至圖2C是根據本發明的第一實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。
圖3A至圖3C是根據本發明的第二實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。
圖4A至圖4B是根據本發明的第三實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。
圖5A至圖5C是根據本發明的第四實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。
圖6A至圖6C是根據本發明的第五實施方式的圖1的處理腔室在環組件的區域中的一部分的平面圖。
為了便於理解，已儘可能地使用相同附圖標號標示附圖中共通的相同元件。考慮到，一個實施方式的元件和特徵在沒有進一步地描述下可有益地併入其他實施方式中。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (20)

  1. 一種用於一電漿處理腔室的環，該環包括： 一主體，該主體具有一頂表面、一底表面和一內徑壁；以及一磨損指示材料，該磨損指示材料設置在該主體中，該磨損指示材料在該主體的該頂表面下方間隔開來，該磨損指示材料不同於構成該主體的一材料。
  2. 如請求項1所述的環，其中該磨損指示材料包括： 一圓柱銷。
  3. 如請求項1所述的環，其中該磨損指示材料包括： 一環形帶。
  4. 如請求項1所述的環，其中該磨損指示材料包括： 一反射率，該反射率不同於該邊環的該主體的一反射率。
  5. 如請求項1所述的環，其中該磨損指示材料包括： 一材料，當將該磨損指示材料和該主體暴露於一電漿時該材料發射出的離子不同於從該主體發射的離子。
  6. 如請求項1所述的環，其中該磨損指示材料是SiO並且該主體的該材料是石英。
  7. 一種電漿處理腔室，包括： 一腔室主體，該腔室主體具有一內部容積； 一基板支撐件，該基板支撐件設置在該內部容積中； 一環，該環設置在該基板支撐件上，該環包括： 一主體，該主體具有一頂表面、一底表面和一內徑壁；和 一磨損指示材料，該磨損指示材料設置在該主體中，該磨損指示材料在該主體的該頂表面下方間隔開來，該磨損指示材料不同於構成該主體的一材料；以及 一或多個感測器，該一或多個感測器被定位成與該環接合，該一或多個感測器被構造成偵測該磨損指示材料。
  8. 如請求項7所述的電漿處理腔室，其中該磨損指示材料進一步包括： 一SiO材料，當將該磨損指示材料和該主體暴露於一電漿時，該SiO材料發射的離子不同於從由一石英材料形成的該主體發射的離子。
  9. 一種偵測一環組件中侵蝕的方法，該方法包括以下步驟： 在一電漿處理腔室中利用電漿進行處理之前獲得指示設置在該電漿處理腔室中的一基板支撐件上的一環組件的磨損的一度量； 利用一感測器監測該環組件的該度量； 決定該度量超過一閾值；以及 回應於該度量超過該閾值而生成一信號。
  10. 如請求項9所述的方法，其中該環組件包括一邊環和一外環，其中該邊環具有一主體並且含有矽，該主體具有一頂表面。
  11. 如請求項10所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用設置在該電漿處理腔室中、在該邊環上方的該感測器偵測對嵌入在該頂表面下方的該主體中的一信號材料的侵蝕。
  12. 如請求項11所述的方法，其中該信號材料是可藉由該邊環的該主體的一底部達到的一外掛程式。
  13. 如請求項11所述的方法，其中該信號材料是設置在沿該主體的該頂表面設置的一含矽層下方的一層。
  14. 如請求項10所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用設置在該邊環下方的一電磁感測器量測在存在該電漿時跨該邊環的一電阻；以及 基於該量測到的電阻的值來修改製程參數或維護進度。
  15. 如請求項10所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用該感測器量測在存在該電漿時跨該邊環的一距離，其中該感測器是嵌入該基板支撐件中的一電磁感測器。
  16. 如請求項10所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用該感測器量測距該邊環的該頂表面的一距離，其中該感測器是設置在該電漿處理腔室中並暴露於該電漿的感測器；以及 決定該距離超過一最大閾值。
  17. 如請求項10所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用該感測器量測距該邊環的該頂表面的一距離，其中該感測器設置在該基板支撐件中；以及 決定該距離超過一最大閾值。
  18. 如請求項17所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用一聲學感測器從該邊環下方獲得一聲學信號。
  19. 如請求項17所述的方法，該方法進一步包括以下步驟： 利用一光學感測器從該邊環上方獲得一光學信號。
  20. 如請求項9所述的方法，其中生成一信號之步驟包括以下步驟： 發送一電腦消息，其中該電腦消息可能是以下所述的一或多個：針對調度預防性維護的剩餘RF小時數的一估計、針對該邊環的該侵蝕率的一評估、關於處理應停止的一通知或關於需要該預防性維護的一通知。
TW106128580A 2016-08-23 2017-08-23 用於半導體製程模組的邊環或製程配件 TW201818446A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662378492P 2016-08-23 2016-08-23
US62/378,492 2016-08-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW201818446A true TW201818446A (zh) 2018-05-16

Family

ID=61243362

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108214825U TWM598516U (zh) 2016-08-23 2017-08-23 用於電漿處理腔室的邊環和電漿處理腔室
TW109207066U TWM602281U (zh) 2016-08-23 2017-08-23 用於電漿處理腔室的邊環和電漿處理腔室
TW106128580A TW201818446A (zh) 2016-08-23 2017-08-23 用於半導體製程模組的邊環或製程配件

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108214825U TWM598516U (zh) 2016-08-23 2017-08-23 用於電漿處理腔室的邊環和電漿處理腔室
TW109207066U TWM602281U (zh) 2016-08-23 2017-08-23 用於電漿處理腔室的邊環和電漿處理腔室

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20180061696A1 (zh)
JP (1) JP7227692B2 (zh)
KR (2) KR20180022593A (zh)
CN (3) CN107768225A (zh)
TW (3) TWM598516U (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113597659A (zh) * 2019-04-22 2021-11-02 应用材料公司 用于原位边缘环腐蚀监测的传感器和系统

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108369922B (zh) 2016-01-26 2023-03-21 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
US10177018B2 (en) 2016-08-11 2019-01-08 Applied Materials, Inc. Process kit erosion and service life prediction
US20180061696A1 (en) * 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
JP7033441B2 (ja) * 2017-12-01 2022-03-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
KR20200086375A (ko) * 2017-12-05 2020-07-16 램 리써치 코포레이션 에지 링 마모 보상 (wear compensation) 을 위한 시스템 및 방법
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
EP3562285A1 (de) * 2018-04-25 2019-10-30 Siemens Aktiengesellschaft Verbinden elektrischer bauelemente
US10790123B2 (en) 2018-05-28 2020-09-29 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
JP7045931B2 (ja) * 2018-05-30 2022-04-01 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
CN108766871A (zh) * 2018-06-13 2018-11-06 沈阳富创精密设备有限公司 一种应用于半导体行业的直接写入等离子喷涂技术
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US11521872B2 (en) * 2018-09-04 2022-12-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for measuring erosion and calibrating position for a moving process kit
US11289310B2 (en) 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US10903050B2 (en) * 2018-12-10 2021-01-26 Lam Research Corporation Endpoint sensor based control including adjustment of an edge ring parameter for each substrate processed to maintain etch rate uniformity
US11393663B2 (en) * 2019-02-25 2022-07-19 Tokyo Electron Limited Methods and systems for focus ring thickness determinations and feedback control
WO2020180656A1 (en) * 2019-03-06 2020-09-10 Lam Research Corporation Measurement system to measure a thickness of an adjustable edge ring for a substrate processing system
JP2020155489A (ja) * 2019-03-18 2020-09-24 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US11101115B2 (en) 2019-04-19 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US11479849B2 (en) * 2019-06-03 2022-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Physical vapor deposition chamber with target surface morphology monitor
US11913777B2 (en) * 2019-06-11 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Detector for process kit ring wear
KR20210002175A (ko) 2019-06-26 2021-01-07 삼성전자주식회사 센서 모듈 및 이를 구비하는 식각 장치
JP2021040076A (ja) * 2019-09-04 2021-03-11 東京エレクトロン株式会社 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
JP7394601B2 (ja) * 2019-11-28 2023-12-08 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及び測定方法
JP7471810B2 (ja) * 2019-12-13 2024-04-22 東京エレクトロン株式会社 リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置
US11915953B2 (en) * 2020-04-17 2024-02-27 Applied Materials, Inc. Apparatus, systems, and methods of measuring edge ring distance for thermal processing chambers
CN111463165B (zh) * 2020-06-18 2020-09-29 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 固定机构、半导体机台及晶圆清洗装置
KR102632552B1 (ko) 2021-07-23 2024-02-02 한국표준과학연구원 플라즈마 진단기능 및 유전체 두께 측정기능을 갖는 센서, 이를 구비하는 공정장치 및 공정시스템
CN117813679A (zh) * 2021-08-17 2024-04-02 东京毅力科创株式会社 用于测量半导体等离子体加工室中的可消耗部件的特性的光学传感器
CN113607714B (zh) * 2021-10-08 2022-01-11 成都齐碳科技有限公司 分子膜成膜或表征器件、装置、方法以及生物芯片
JP7305076B1 (ja) * 2022-09-01 2023-07-07 三菱電機株式会社 データ収集分析システム、測定データ収集ユニット、および、データ収集分析方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03148118A (ja) * 1989-11-02 1991-06-24 Fujitsu Ltd 半導体製造装置
JPH05136098A (ja) * 1991-11-15 1993-06-01 Seiko Epson Corp 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法
JPH08203865A (ja) * 1995-01-23 1996-08-09 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
US6077387A (en) * 1999-02-10 2000-06-20 Stmicroelectronics, Inc. Plasma emission detection for process control via fluorescent relay
KR100545034B1 (ko) * 2000-02-21 2006-01-24 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼 플라즈마처리장치 및 시료의 처리방법
JP4657521B2 (ja) 2001-08-28 2011-03-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US6806949B2 (en) * 2002-12-31 2004-10-19 Tokyo Electron Limited Monitoring material buildup on system components by optical emission
US6894769B2 (en) * 2002-12-31 2005-05-17 Tokyo Electron Limited Monitoring erosion of system components by optical emission
US7001482B2 (en) * 2003-11-12 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for improved focus ring
JP4365226B2 (ja) * 2004-01-14 2009-11-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマエッチング装置及び方法
JP4006004B2 (ja) * 2004-12-28 2007-11-14 株式会社東芝 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法
US7602116B2 (en) * 2005-01-27 2009-10-13 Advanced Optoelectronic Technology, Inc. Light apparatus capable of emitting light of multiple wavelengths using nanometer fluorescent material, light device and manufacturing method thereof
JP2009245988A (ja) 2008-03-28 2009-10-22 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置、チャンバ内部品及びチャンバ内部品の寿命検出方法
JP5496630B2 (ja) * 2009-12-10 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置
JP5728770B2 (ja) 2011-02-03 2015-06-03 株式会社昭和真空 基板処理装置、基板処理方法、ならびに、プログラム
CN103187225B (zh) * 2011-12-28 2015-10-21 中微半导体设备(上海)有限公司 一种可监测刻蚀过程的等离子体处理装置
GB2499816A (en) * 2012-02-29 2013-09-04 Oxford Instr Nanotechnology Tools Ltd Controlling deposition and etching in a chamber with fine time control of parameters and gas flow
JP6383647B2 (ja) * 2014-11-19 2018-08-29 東京エレクトロン株式会社 測定システムおよび測定方法
US10041868B2 (en) 2015-01-28 2018-08-07 Lam Research Corporation Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber
US10014198B2 (en) 2015-08-21 2018-07-03 Lam Research Corporation Wear detection of consumable part in semiconductor manufacturing equipment
US20180061696A1 (en) * 2016-08-23 2018-03-01 Applied Materials, Inc. Edge ring or process kit for semiconductor process module

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113597659A (zh) * 2019-04-22 2021-11-02 应用材料公司 用于原位边缘环腐蚀监测的传感器和系统

Also Published As

Publication number Publication date
KR102497659B1 (ko) 2023-02-07
JP7227692B2 (ja) 2023-02-22
TWM602281U (zh) 2020-10-01
KR20220058510A (ko) 2022-05-09
CN107768225A (zh) 2018-03-06
CN208908212U (zh) 2019-05-28
US20190348317A1 (en) 2019-11-14
US20180061696A1 (en) 2018-03-01
TWM598516U (zh) 2020-07-11
KR20180022593A (ko) 2018-03-06
US20230296512A1 (en) 2023-09-21
CN207637742U (zh) 2018-07-20
JP2018032857A (ja) 2018-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7227692B2 (ja) 半導体プロセスモジュールのためのエッジリングまたはプロセスキット
US10697874B2 (en) Estimation of lifetime remaining for a consumable-part in a semiconductor manufacturing chamber
JP6598745B2 (ja) 半導体製造機器内の消耗部品の摩耗検出
US10121708B2 (en) Systems and methods for detection of plasma instability by optical diagnosis
KR200495963Y1 (ko) 부품 마모 표시자를 갖는 챔버 컴포넌트 및 부품 마모를 검출하기 위한 시스템
US20090246406A1 (en) Plasma processing apparatus, chamber internal part, and method of detecting longevity of chamber internal part
US20050041238A1 (en) Method of using a sensor gas to determine erosion level of consumable system components
US10770321B2 (en) Process kit erosion and service life prediction
US20080097627A1 (en) Monitoring method of processing state and processing unit
JP3868427B2 (ja) プラズマプロセスのリアルタイムモニタ装置
TWI816890B (zh) 電漿處理裝置及環構件之厚度測定方法
US10607820B2 (en) Monitoring units, plasma treatment devices including the same, and methods of fabricating semiconductor devices using the same
KR101124795B1 (ko) 플라즈마 처리장치, 챔버내 부품 및 챔버내 부품의 수명 검출 방법
JP2011049567A (ja) 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法
JP2006140238A (ja) 基板処理装置用部品及びその製造方法
US7350476B2 (en) Method and apparatus to determine consumable part condition
KR20190050254A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 모니터링 방법
JP2006245509A (ja) プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP2021040076A (ja) 環状部材、基板処理装置及び基板処理装置の制御方法
KR20040009959A (ko) 개선된 ｅｐｄ 시스템 및 이를 구비한 플라즈마 식각 장치
JP2005171365A (ja) スパッタリング装置
KR20070114962A (ko) 반도체 공정 챔버용 클램프 이상 감지장치
KR20070075931A (ko) 반도체 제조설비의 마노미터 폴리머제거장치