JP7471810B2 - リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 76
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000007688 edging Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
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- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
- H01J2237/3321—CVD [Chemical Vapor Deposition]
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
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- H01J2237/334—Etching
- H01J2237/3341—Reactive etching
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Description
本開示は、リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置に関する。
例えば、特許文献１には、処理容器と、処理容器の内部に設けられ、被処理体が載置される載置台とを有するプラズマ処理装置が開示されている。特許文献１に記載のプラズマ処理装置は、被処理体を囲むように載置台上に設けられたフォーカスリングと、フォーカスリングの外周面を囲むように配置され環状部材とを有する。特許文献２には、半導体製造プロセスプラズマチャンバー内でワークピースの付近に取り付けられるプロセスキットが開示されている。特許文献２に記載のプロセスキットは、誘電体材料で構成され、中央開口部を有すると共に、その外縁がワークピースの外縁よりも外側にある誘電体シールドと、中央開口部を有すると共に、その外縁がワークピースの外縁よりも外側にある導電性カラーとを備える。特許文献２に記載の導電性カラーは、誘電体シールドの少なくとも一部分の上に横たわる。
本開示は、イオンの入射角の調整可能な技術を提供する。
本開示の一の態様によれば、導電性のエッジリングと、前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備える、リングアセンブリが提供される。
本開示によれば、イオンの入射角の調整を図る。
以下、本開示を実施するための形態について図面を参照して説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の構成については、同一又は対応する符号を付することにより重複した説明を省く。
＜基板処理装置の全体構成＞
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等であってもよい。
まず、図１を参照しながら基板処理装置１の全体構成の一例について説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１の概略構成を示す断面図である。なお、本実施形態では、基板処理装置１がＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）型の基板処理装置である例について説明する。ただし、基板処理装置１は、プラズマエッチング装置やプラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置等であってもよい。
図１において、基板処理装置１は、金属製、例えば、アルミニウム製又はステンレス鋼製の接地された円筒型の処理容器２（チャンバ）を有し、該処理容器２内に、基板Ｗを載置する円板状の載置台１０が配設されている。載置台１０は、基台１１と、静電チャック２５と、を備える。基台１１は、下部電極として機能する。基台１１は、例えばアルミニウムからなる。基台１１は、絶縁性の筒状保持部材１２を介して処理容器２の底から垂直上方に延びる筒状支持部１３に支持されている。
処理容器２の側壁と筒状支持部１３の間には排気路１４が形成され、排気路１４の入口又は途中に環状のバッフル板１５が配設されると共に、底部に排気口１６が設けられ、該排気口１６に排気管１７を介して排気装置１８が接続されている。ここで、排気装置１８は、ドライポンプ及び真空ポンプを有し、処理容器２内の処理空間を所定の真空度まで減圧する。また、処理容器２の側壁には、基板Ｗの搬入出口１９を開閉するゲートバルブ２０が取り付けられている。
基台１１には、第１の整合器２２ａを介して第１の高周波電源２１ａが接続されている。また、基台１１には、第２の整合器２２ｂを介して第２の高周波電源２１ｂが接続されている。第１の高周波電源２１ａは、所定周波数（例えば１００ＭＨｚ）のプラズマ発生用の高周波電力を基台１１に供給する。第２の高周波電源２１ｂは、第１の高周波電源２１ａよりも低い所定周波数（例えば、１３ＭＨｚ）のイオン引き込み用の高周波電力を基台１１に供給する。
処理容器２の天井部には、上部電極としても機能するシャワーヘッド２４が配設されている。これにより、基台１１とシャワーヘッド２４の間に、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからの２つの周波数の高周波電圧が印加される。
基台１１の上面には静電吸着力により基板Ｗを吸着する静電チャック２５が設けられている。静電チャック２５は、導電膜からなる電極板２６を一対の誘電膜の間に挟み込むことによって構成される。電極板２６には、直流電源２７が電気的に接続されている。直流電源２７は、後述する制御部４３からの制御により、電極板２６に直流電圧を印加する。静電チャック２５は、直流電源２７から電極板２６に印加された電圧によりクーロン力等の静電力を発生させ、静電力により静電チャック２５に基板Ｗを吸着保持する。
基台１１の内部には、流路３１が設けられている。流路３１には、チラーユニット３２から配管３３、３４を介して熱交換媒体（例えば、冷媒）が供給され、当該熱交換媒体の温度によって静電チャック２５上の基板Ｗの処理温度を制御する。
また、静電チャック２５には、ガス供給ライン３６を介して伝熱ガス供給部３５が接続されている。伝熱ガス供給部３５は、ガス供給ライン３６を介して静電チャック２５と基板Ｗとで挟まれる空間に伝熱ガスを供給する。伝熱ガスとしては、熱伝導性を有するガス、例えば、Ｈｅガス等が用いられる。
天井部のシャワーヘッド２４は、多数のガス通気孔３７ａを有する下面の電極板３７と、電極板３７を着脱可能に支持する電極支持体３８とを有する。電極支持体３８の内部にはバッファ室３９が設けられ、バッファ室３９と連通するガス導入口３８ａには、ガス供給配管４１を介して処理ガス供給部４０が接続されている。
基板処理装置１の各構成要素は、制御部４３に接続されている。例えば、排気装置１８、第１の高周波電源２１ａ、第２の高周波電源２１ｂ、直流電源２７、チラーユニット３２、伝熱ガス供給部３５および処理ガス供給部４０は、制御部４３に接続されている。制御部４３は、基板処理装置１の各構成要素を制御する。
制御部４３は、図示しない中央処理装置（ＣＰＵ）及びメモリといった記憶装置を備え、記憶装置に記憶されたプログラム及び処理レシピを読み出して、基板処理装置１に各処理を実行させる。
基板処理装置１では、エッジリング３０の外側に、絶縁性の環状部材８０を備える。また、絶縁性の環状部材８０の上面には、導電性部材８１を備える。エッジリング３０と、絶縁性の環状部材８０と、導電性部材８１と、を組み合わせたものをリングアセンブリ５という場合がある。なお、リングアセンブリ５の詳細については、後述する。リングアセンブリ５と載置台１０の組み合わせたものを基板支持体６という場合がある。
基板処理装置１では、ドライエッチング処理の際、先ずゲートバルブ２０を開状態にして加工対象の基板Ｗを処理容器２内に搬入し、静電チャック２５の上に載置する。そして、基板処理装置１では、処理ガス供給部４０より処理ガス（例えば、Ｃ４Ｆ８ガス、Ｏ２ガス及びＡｒガスから成る混合ガス）を所定の流量および流量比で処理容器２内に導入し、排気装置１８等により処理容器２内の圧力を所定値にする。
さらに、基板処理装置１では、第１の高周波電源２１ａ及び第２の高周波電源２１ｂからそれぞれ周波数の異なる高周波電力を基台１１に供給する。また、基板処理装置１では、直流電源２７より直流電圧を静電チャック２５の電極板２６に印加して、基板Ｗを静電チャック２５に吸着する。シャワーヘッド２４より吐出された処理ガスはプラズマ化され、プラズマ中のラジカルやイオンによって基板Ｗにエッチング処理が施される。
＜リングアセンブリ５＞
本実施形態のリングアセンブリ５について、詳細を説明する。図２は、本実施形態に係るリングアセンブリ５の断面図である。
本実施形態のリングアセンブリ５について、詳細を説明する。図２は、本実施形態に係るリングアセンブリ５の断面図である。
リングアセンブリ５は、エッジリング３０と、環状部材８０と、導電性部材８１と、を備える。
エッジリング３０は、環状の部材である。エッジリング３０は、導電性の部材で構成される。エッジリング３０は、例えば、基板Ｗと同じ部材で構成される。具体的には、エッジリング３０は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）により構成される。エッジリング３０の各面について説明する。エッジリング３０の上面３０ａは、プラズマに露出する側の面である。エッジリング３０の内周面３０ｂは、静電チャック２５に載置された基板Ｗ側の面である。エッジリング３０の下面３０ｃは、載置台１０に載置される面である。エッジリング３０の外周面３０ｄは、静電チャック２５に載置された基板Ｗに対して反対側の面である。
環状部材８０は、エッジリング３０の外周面３０ｄ側の部分である外周部３０１を覆うように配置される環状の部材である。環状部材８０がエッジリング３０の外周部３０１上を覆うように、環状部材８０の内径はエッジリング３０の内径よりも大きくなっている。いいかえると、エッジリング３０の外周部３０１の内側は、環状部材８０に覆われていない。環状部材８０は、絶縁性の部材で構成される。具体的には、環状部材８０は、例えば、酸化ケイ素（Ｓｉ０２）により構成される。環状部材８０の各面について説明する。環状部材８０の上面８０ａは、プラズマに露出する側の面である。環状部材８０の内周面８０ｂ１は、静電チャック２５に載置された基板Ｗ側の面である。環状部材８０の下面８０ｃ１は、エッジリング３０の上面３０ａと対向し、エッジリング３０の上面３０ａに載置される面である。環状部材８０の内周面８０ｂ２は、エッジリング３０の外周面３０ｄを覆う面である。環状部材８０の下面８０ｃ２は、載置台１０に載置される面である。環状部材８０の外周面８０ｄは、静電チャック２５に載置された基板Ｗに対して反対側の面である。
導電性部材８１は、環状部材８０の上面８０ａの基板Ｗ側に載置される環状の部材である。導電性部材８１は、上面８０ａの環状部材８０の内周面８０ｂ１側の端部から設けられている。すなわち、環状部材８０の内径と導電性部材８１の内径は等しくなっている。このように、導電性部材８１は、エッジリング３０にオーバーラップする環状部材８０の上面８０ａを内径側から所定の範囲覆うようになっている。また、導電性部材８１の径方向の幅は、エッジリング３０と環状部材８０のオーバーラップする部分の径方向の幅と等しくなっている。これにより、導電性部材８１の外径は、環状部材８０の外径より小さくなっている。エッジリング３０と環状部材８０のオーバーラップする部分の径方向の寸法を長さＬｏｌ、導電性部材８１の内周面８０ｂ１側の端部からの径方向の寸法を長さＬとする。本実施形態のリングアセンブリ５では、長さＬｏｌと長さＬは等しくなっている。なお、長さＬは、長さＬｏｌと同じでなくてもよく、例えば、長さＬｏｌの半分以上であることが好ましい。導電性部材８１は、導電性の材料で構成される。具体的には、導電性部材８１は、ケイ素（Ｓｉ）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）などにより構成される。
＜作用・効果＞
図２に示すように、エッジリング３０の外周部３０１の上面３０ａは、環状部材８０により覆われている。つまり、環状部材８０は、エッジリング３０の上に内周部８０１が配置される。エッジリング３０が他の部材によって覆われていない場合、内周面３０ｂ側に比べて外周面３０ｄ側が特に消耗がはやい。本実施形態のリングアセンブリ５では、エッジリング３０の外周面３０ｄ側（外周部３０１）が環状部材８０で覆われている。それによって、エッジリング３０の外周面３０ｄ側（外周部３０１）の消耗を抑制することができる。
図２に示すように、エッジリング３０の外周部３０１の上面３０ａは、環状部材８０により覆われている。つまり、環状部材８０は、エッジリング３０の上に内周部８０１が配置される。エッジリング３０が他の部材によって覆われていない場合、内周面３０ｂ側に比べて外周面３０ｄ側が特に消耗がはやい。本実施形態のリングアセンブリ５では、エッジリング３０の外周面３０ｄ側（外周部３０１）が環状部材８０で覆われている。それによって、エッジリング３０の外周面３０ｄ側（外周部３０１）の消耗を抑制することができる。
また、環状部材８０の上に導電性部材８１を設けることで、環状部材８０の消耗を小さくすることができる。特に、導電性部材８１は、少なくとも環状部材８０の上面８０ａを内径側から覆っている。このようにして、プラズマによる環状部材８０やエッジリング３０の消耗を抑制できる。
さらに、上面視でエッジリング３０にオーバーラップする環状部材８０の上面８０ａの少なくとも一部に導電性部材８１が配置される。それにより、環状部材８０の上面８０ａ及び導電性部材８１の上面８１ａの載置台１０からの高さは、エッジリング３０の上面３０ａの高さより高くなっている。環状部材８０の上面８０ａ及び導電性部材８１の上面８１ａの載置台１０からの高さを高くすることにより、エッジリング３０及び環状部材８０におけるシースの高さをエッジリング３０の上面３０ａ上に形成されるシースよりも高くすることができる。このようにしてシースの高さを調整することにより、基板Ｗの端部周辺に入射するイオンの入射角を調整し、基板Ｗの端部のエッチング形状を制御できる。例えば、初期状態でイオンの入射角が内側に傾いている場合に、本実施形態のリングアセンブリ５を適用することで、イオンの入射角を垂直に調整することができる。
また、導電性部材８１を環状部材８０の上に置くことで、導電性部材８１の上面８１ａと上部電極（シャワーヘッド２４）との距離を狭めることができる。これにより、プラズマを基板Ｗ側に閉じこめ、プラズマ密度の低下防止を行うことができる。
基板処理装置１において、エッジリング３０と環状部材８０は、使用時間に応じて交換作業を行う必要がある消耗パーツである。消耗パーツの交換作業の間は装置が停止しているため生産性が低下する。本実施形態のリングアセンブリ５では、プラズマによる環状部材８０やエッジリング３０の消耗を抑制することにより、交換サイクルを長くし、消耗パーツの長寿命化することができる。また、装置の稼働率を上げて生産性を向上させることができる。
ここで、比較例のリングアセンブリ５Ｚについて説明する。図５は、比較例のリングアセンブリ５Ｚの断面図である。比較例のリングアセンブリ５Ｚでは、エッジリング３０Ｚの外側に並んで環状部材８０Ｚが設けられている。エッジリング３０Ｚの上面３０Ｚａと環状部材８０Ｚの上面８０Ｚａそれぞれの載置台１０からの高さは、等しくなっている。その場合には、例えば、エッジリング３０Ｚの上面３０Ｚａが消耗すると、シースの高さが低くなる。そして、エッジリング３０Ｚの上面３０Ｚａが消耗して、シースの高さが低くなると、基板Ｗの端部周辺におけるイオンの入射角が変化する。それに対して、本実施形態のリングアセンブリ５は、イオンの入射角を略垂直の所望の角度に調整するとともに、環状部材８０及び導電性部材８１を設ける。これにより、環状部材８０及び導電性部材８１を設けない場合と比較して環状部材８０及び導電性部材８１と上部電極（シャワーヘッド２４）との間の距離を短くすることができる。これにより、プラズマをエッジリング３０の内側に閉じこめる作用を高め、プラズマ密度が低下することを抑制することができる。かかるイオンの入射角の調整及びプラズマ密度の低下防止の両立を図ることができる。
また、例えば、環状部材８０の材料である酸化ケイ素は、導電性部材８１の材料であるケイ素と比較して、プラズマに対してエッジング速度が８倍程度速い。従って、酸化ケイ素である環状部材８０が消耗しやすい。特に、環状部材８０がエッジリング３０とオーバーラップする基板Ｗ側（内周部８０１）が、エッチングされやすい。これは、エッジリング３０とオーバーラップする部分が、プラズマの衝突エネルギーが大きいためである。本実施形態のリングアセンブリ５では、エッジリング３０とそのオーバーラップする部分に、導電性部材８１を設けることにより、環状部材８０の消耗を防止することができる。それによって、環状部材８０やエッジリング３０の交換周期を長くすることができる。
＜変形例１＞
図３は、本実施形態に係るリングアセンブリ５の変形例であるリングアセンブリ５Ａの断面図である。
図３は、本実施形態に係るリングアセンブリ５の変形例であるリングアセンブリ５Ａの断面図である。
リングアセンブリ５Ａでは、エッジリング３０Ａの外周部３０１Ａが薄くなっている。具体的には、上面３０Ａａ１は上面３０Ａａ２よりも高くなっている。環状部材８０Ａは、環状部材８０に対して、エッジリング３０Ａとオーバーラップする部分（内周部８０１Ａ）が厚くなっている。また、環状部材８０Ａの上面８０Ａａに導電性部材８１Ａを備える。導電性部材８１Ａは、上面視でエッジリング３０Ａにオーバーラップする環状部材８０Ａの上面の全てを覆っている。
このように、エッジリング３０Ａの外周部３０１Ａが薄くして段差を設けることによって、上記実施形態と同じようにイオンの入射角の調整及びプラズマ密度の低下防止を図ることができる。さらに、エッジリング３０Ａと環状部材８０Ａの位置あわせを容易に行うことできる。
＜変形例２＞
図４は、本実施形態に係るリングアセンブリ５の変形例であるリングアセンブリ５Ｂの断面図である。
図４は、本実施形態に係るリングアセンブリ５の変形例であるリングアセンブリ５Ｂの断面図である。
リングアセンブリ５Ｂでは、エッジリング３０Ｂの上面３０Ｂａ上に、環状部材８０Ｂを備える。また、環状部材８０Ｂの上面８０Ｂａに導電性部材８１Ｂを備える。
このように、エッジリング３０Ｂの上面３０Ｂａ上に、環状部材８０Ｂを備えることにより、よりエッジリング３０Ｂの径方向の大きさを大きくすることができる。導電性部材８１Ｂは、上面視でエッジリング３０Ｂにオーバーラップする環状部材８０Ｂの上面の一部を覆っている。導電性部材８１Ｂが環状部材８０Ｂを覆う範囲は、環状部材８０Ｂの消耗状態により定めてもよい。環状部材８０Ｂのエッジリング３０とオーバーラップする基板Ｗ側が、エッチングされやすい。そこで、導電性部材８１Ｂの内側のエッチングされやすい部分を導電性部材８１Ｂで覆う。また、環状部材８０Ｂの外側は、プロセスで発生した生成物が堆積することから、環状部材８０Ｂの外側は、導電性部材８１Ｂで覆わないようにしてもよい。
＜変形例＞
本実施形態の導電性部材８１は、円環状の形状であったが、形状はそれに限らない。例えば、イオンの入射角や環状部材８０の消耗度合いに応じて、円周方向の一部にたとえば円弧状の導電性部材８１を設けてもよい。また、導電性部材８１の内周面８０ｂ１側の端部からの径方向の寸法を長さＬについても、環状部材８０の消耗状況から、消耗している部分を覆うように定めてもよい。また、エッジリング３０と環状部材８０は、それぞれ一体の部材である場合に限らず、複数の部材で構成するようにしてもよい。
本実施形態の導電性部材８１は、円環状の形状であったが、形状はそれに限らない。例えば、イオンの入射角や環状部材８０の消耗度合いに応じて、円周方向の一部にたとえば円弧状の導電性部材８１を設けてもよい。また、導電性部材８１の内周面８０ｂ１側の端部からの径方向の寸法を長さＬについても、環状部材８０の消耗状況から、消耗している部分を覆うように定めてもよい。また、エッジリング３０と環状部材８０は、それぞれ一体の部材である場合に限らず、複数の部材で構成するようにしてもよい。
今回開示された本実施形態に係るリングアセンブリ、載置台及び基板処理装置は、すべての点において例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で変形及び改良が可能である。上記複数の実施形態に記載された事項は、矛盾しない範囲で他の構成も取り得ることができ、また、矛盾しない範囲で組み合わせることができる。
本開示の基板処理装置は、Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＣＣＰ）、Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ（ＩＣＰ）、Ｒａｄｉａｌ Ｌｉｎｅ Ｓｌｏｔ Ａｎｔｅｎｎａ（ＲＬＳＡ）、Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ Ｐｌａｓｍａ（ＥＣＲ）、Ｈｅｌｉｃｏｎ Ｗａｖｅ Ｐｌａｓｍａ（ＨＷＰ）のどのタイプでも適用可能である。
１ 基板処理装置
２ 処理容器
５、５Ａ、５Ｂ リングアセンブリ
６ 基板支持体
１０ 載置台
２５ 静電チャック
３０、３０Ａ、３０Ｂ エッジリング
８０、８０Ａ、８０Ｂ 環状部材
８０ａ 上面
８０１、８０１Ａ 内周部
８１、８１Ａ、８１Ｂ 導電性部材
Ｗ 基板
２ 処理容器
５、５Ａ、５Ｂ リングアセンブリ
６ 基板支持体
１０ 載置台
２５ 静電チャック
３０、３０Ａ、３０Ｂ エッジリング
８０、８０Ａ、８０Ｂ 環状部材
８０ａ 上面
８０１、８０１Ａ 内周部
８１、８１Ａ、８１Ｂ 導電性部材
Ｗ 基板
Claims (20)
- 導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記環状部材の内径は、前記エッジリングの内径よりも大きく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
リングアセンブリ。 - 導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記導電性部材の内径は、前記環状部材の内径と等しく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
リングアセンブリ。 - 導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記導電性部材の外径は、前記環状部材の外径よりも小さく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
リングアセンブリ。 - 前記エッジリングは、ケイ素または炭化ケイ素で形成されている、
請求項１～３のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記環状部材は、酸化ケイ素で形成されている、
請求項１～４のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、ケイ素または炭化ケイ素で形成されている、
請求項１～５のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、環状又は円弧状である、
請求項１～６のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面を覆う、
請求項１～７のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面を内径側から所定の範囲覆う、
請求項１～７のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、前記内周部に配置される、
請求項１～９のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材の径方向の長さは、前記環状部材における前記エッジリングと重なる部分の径方向の長さに対して半分以上である、
請求項１～１０のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材の径方向の長さは、前記環状部材における前記エッジリングと重なる部分の径方向の長さに等しい、
請求項１～１１のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、前記内周部より薄い、
請求項１～１２のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 前記導電性部材は、前記エッジリングより薄い、
請求項１～１３のいずれか一項に記載のリングアセンブリ。 - 基板を載置する載置台と、
リングアセンブリと、を備え、
前記リングアセンブリは、
前記載置台の外周に載置され、基板を囲む導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記環状部材の内径は、前記エッジリングの内径よりも大きく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
基板支持体。 - 基板を載置する載置台と、
リングアセンブリと、を備え、
前記リングアセンブリは、
前記載置台の外周に載置され、基板を囲む導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記導電性部材の内径は、前記環状部材の内径と等しく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
基板支持体。 - 基板を載置する載置台と、
リングアセンブリと、を備え、
前記リングアセンブリは、
前記載置台の外周に載置され、基板を囲む導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記導電性部材の外径は、前記環状部材の外径よりも小さく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
基板支持体。 - チャンバと、基板支持体とを有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は、
基板を載置する載置台と、
リングアセンブリと、を備え、
前記リングアセンブリは、
前記載置台の外周に載置され、基板を囲む導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記環状部材の内径は、前記エッジリングの内径よりも大きく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
基板処理装置。 - チャンバと、基板支持体とを有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は、
基板を載置する載置台と、
リングアセンブリと、を備え、
前記リングアセンブリは、
前記載置台の外周に載置され、基板を囲む導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記導電性部材の内径は、前記環状部材の内径と等しく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
基板処理装置。 - チャンバと、基板支持体とを有する基板処理装置であって、
前記基板支持体は、
基板を載置する載置台と、
リングアセンブリと、を備え、
前記リングアセンブリは、
前記載置台の外周に載置され、基板を囲む導電性のエッジリングと、
前記エッジリングの上に少なくとも内周部が配置される絶縁性の環状部材と、
上面視で前記エッジリングにオーバーラップする前記環状部材の上面の少なくとも一部に配置される導電性部材と、を備え、
前記導電性部材の外径は、前記環状部材の外径よりも小さく、
前記環状部材は、前記内周部の外側に配置され、前記内周部の厚さより厚い外周部を有する、
基板処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019225271A JP7471810B2 (ja) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 |
| KR1020200168167A KR20210075855A (ko) | 2019-12-13 | 2020-12-04 | 링 어셈블리, 기판 지지체 어셈블리 및 기판 처리 장치 |
| US17/117,177 US20210183629A1 (en) | 2019-12-13 | 2020-12-10 | Ring assembly, substrate support assembly and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019225271A JP7471810B2 (ja) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021097065A JP2021097065A (ja) | 2021-06-24 |
| JP2021097065A5 JP2021097065A5 (ja) | 2022-09-27 |
| JP7471810B2 true JP7471810B2 (ja) | 2024-04-22 |
Family
ID=76320649
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019225271A Active JP7471810B2 (ja) | 2019-12-13 | 2019-12-13 | リングアセンブリ、基板支持体及び基板処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20210183629A1 (ja) |
| JP (1) | JP7471810B2 (ja) |
| KR (1) | KR20210075855A (ja) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005277369A (ja) | 2003-09-05 | 2005-10-06 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及びプラズマ処理装置 |
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| JP2010027860A (ja) | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2013168690A (ja) | 2013-06-06 | 2013-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 |
| JP2018032857A (ja) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 半導体プロセスモジュールのためのエッジリングまたはプロセスキット |
| JP2019102521A (ja) | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置用の部品及び半導体製造装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08339895A (ja) * | 1995-06-12 | 1996-12-24 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6554954B2 (en) | 2001-04-03 | 2003-04-29 | Applied Materials Inc. | Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber |
| JP2018129386A (ja) | 2017-02-08 | 2018-08-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
-
2019
- 2019-12-13 JP JP2019225271A patent/JP7471810B2/ja active Active
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| JP2010027860A (ja) | 2008-07-18 | 2010-02-04 | Tokyo Electron Ltd | フォーカスリング及び基板載置台、並びにそれらを備えたプラズマ処理装置 |
| JP2013168690A (ja) | 2013-06-06 | 2013-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置およびフォーカスリングとフォーカスリング部品 |
| JP2018032857A (ja) | 2016-08-23 | 2018-03-01 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 半導体プロセスモジュールのためのエッジリングまたはプロセスキット |
| JP2019102521A (ja) | 2017-11-29 | 2019-06-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体製造装置用の部品及び半導体製造装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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| US20210183629A1 (en) | 2021-06-17 |
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