JP4657521B2 - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4657521B2 JP4657521B2 JP2001257820A JP2001257820A JP4657521B2 JP 4657521 B2 JP4657521 B2 JP 4657521B2 JP 2001257820 A JP2001257820 A JP 2001257820A JP 2001257820 A JP2001257820 A JP 2001257820A JP 4657521 B2 JP4657521 B2 JP 4657521B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- chamber
- window
- plasma processing
- electrodes
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、比較的低圧雰囲気にて高密度のプラズマを生成して微細加工のエッチングを行うマグネトロンプラズマエッチング装置が実用化されている。このマグネトロンプラズマエッチング装置は、永久磁石を有する磁場発生機構をチャンバー上部の外周を囲むように配置し、永久磁石から漏洩した磁場を半導体ウエハに対して水平に印加するとともに、これに直交する高周波電界を印加して、その際に生じる電子のドリフト運動を利用して極めて高効率でエッチングするものである。
【０００３】
一方、プラズマエッチング装置においては、チャンバー上部の側壁にチャンバー内で発生する光を透過するＥＰＤ（Ｅｎｄ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）窓を設け、このＥＰＤ窓を透過した光を光ファイバー等により分光器に導いてモニターすることにより、エッチング終点を検出することが行われており、上記のマグネトロンプラズマエッチング装置においてもこのようにしてエッチング終点を検出している。このＥＰＤ窓は、チャンバー内のプラズマ雰囲気に晒されて曇ったり、内面が削られて劣化するため、これを交換する等のメンテナンス作業を行う必要がある。しかし、上記のマグネトロンプラズマエッチング装置は、チャンバー上部の外周を囲むように磁場発生機構が配置されているため、ＥＰＤ窓が磁場発生機構によって遮蔽されてしまう。したがって、磁場発生機構をチャンバーから取り外してＥＰＤ窓の交換等のメンテナンスを行っている。また、磁場発生機構によって遮蔽される他の部分のメンテナンスも同様に、磁場発生機構を取り外して行わざるを得ない。
【０００４】
しかし、近年における半導体ウエハの大型化に伴い、磁場発生機構の大型化および重量化が進んでいるため、チャンバーから磁場発生機構を取り外す作業は容易ではなく危険を伴うものとなっている。このため、マグネトロンプラズマエッチング装置のように、磁場発生機構がチャンバー上部の外周を囲むように配置されたプラズマ処理装置において、磁場発生機構を取り外すことなく、ＥＰＤ窓の交換等のメンテナンスを行うことが求められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、チャンバー外周に磁場発生機構を有しながら、磁場発生機構を取り外すことなくチャンバーの磁場発生機構に遮蔽された部分のメンテナンスを行うことが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理基板を収容可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバーの外周を囲むように設けられ、前記チャンバー内に磁場を形成する磁場発生機構とを具備し、前記一対の電極間に被処理基板が配置された状態で、前記磁場発生機構により磁場を形成しつつ前記電界形成手段により電界を形成して該被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記磁場発生機構は、略筒状の外壁と、その内側に形成された磁場発生部と、形成しようとする磁場に応じて前記磁場発生部に形成された空間部と、前記外壁の前記空間部に対応する部分に設けられた窓部と、前記窓部に着脱自在に設けられた蓋体とを備え、前記チャンバーは、プラズマ処理の終点を検出するために前記チャンバー内で発生した光を透過する透過窓を有し、この透過窓と前記窓部とを対応させて前記窓部から前記透過窓のメンテナンスを行うことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【０００７】
また、本発明の第２の観点では、被処理基板を収容可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバーの外周を囲むように設けられ、前記チャンバー内に磁場を形成する磁場発生機構とを具備し、前記一対の電極間に被処理基板が配置された状態で、前記磁場発生機構により磁場を形成しつつ前記電界形成手段により電界を形成して該被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記磁場発生機構は、略筒状の磁性体からなるヨークと、前記ヨークの内周に位置し、複数の異方性セグメント磁石が配列された磁石配列部と、形成しようとする磁場に応じて前記磁石配列部に設けられた前記異方性セグメント磁石が存在しない空間部と、前記ヨークの前記空間部に対応する部分に設けられた窓部と、前記窓部に着脱自在に設けられた磁性体からなる蓋体とを備え、前記チャンバーは、プラズマ処理の終点を検出するために前記チャンバー内で発生した光を透過する透過窓を有し、この透過窓と前記窓部とを対応させて前記窓部から前記透過窓のメンテナンスを行うことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【０００８】
上記本発明の第１および第２の観点によれば、形成しようとする磁場に応じて磁場発生機構に空間部を設け、この空間部に対応するように蓋体が着脱自在な窓部を設け、この窓部を、プラズマ処理の終点を検出するためにチャンバー内で発生した光を透過するチャンバーに設けられた透過窓とを対応させて、窓部から透過窓のメンテナンスを行うので、前記窓部から前記蓋体を取り外すことにより、前記磁場発生機構を取り付けたままで前記窓部から前記チャンバーの前記磁場発生機構によって遮蔽された透過窓をメンテナンスすることができる。
【０００９】
上記本発明の第２の観点において、前記磁場発生機構は、前記一対の電極間に、前記一対の電極間に形成される電界と垂直な一方向に向かう磁場を形成するように構成することができる。この場合に、前記磁場発生機構としては、前記一対の電極間の一方側で磁場強度が大きく他方側で磁場強度が小さくなるような磁場強度の勾配を有する磁場を形成するように構成することが好ましい。このような磁場を形成する場合には、前記磁石配列部の磁場強度が小さくなる側に前記空間部を比較的容易に形成することができる。このような前記磁石配列部の前記空間部は、少なくとも前記異方性セグメント磁石２個分の大きさで形成されることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るマグネトロンプラズマエッチング装置を示す断面図である。このエッチング装置は、気密に構成され、小径の上部１ａと大径の下部１ｂとからなる段つき円筒状をなし、壁部が例えばアルミニウム製のチャンバー１を有している。このチャンバー１内には、被処理体である半導体ウエハ３０を水平に支持する支持テーブル２が設けられている。支持テーブル２は例えばアルミニウムで構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、支持テーブル２の上方の外周側には導電性材料、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられ、このフォーカスリング５の外周を囲むようにカバーリング７が設けられている。上記支持テーブル２と支持台４は、ボールねじ８を含むボールねじ機構により昇降可能となっており、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）製のベローズ９で覆われている。チャンバー１は接地されている。また、ベローズ９の外側にはベローズカバー９ａが設けられている。
【００１２】
支持テーブル２には、マッチングボックス１１を介してＲＦ電源１０が接続されている。ＲＦ電源１０からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が支持テーブル２に供給されるようになっている。一方、支持テーブル２に対向してその上方には後述するシャワーヘッド１６が互いに平行に設けられており、このシャワーヘッド１６は接地されている。したがって、これらは一対の電極として機能する。
【００１３】
支持テーブル２の表面上には半導体ウエハ３０を静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａが介在されて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハ３０が吸着される。
【００１４】
支持テーブル２の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させることによって、半導体ウエハ３０を所定の温度に制御可能となっている。また、フォーカスリング５の外側にはバッフル板１３が設けられている。バッフル板１３は支持台４、ベローズ９を通してチャンバー１と導通している。
【００１５】
チャンバー１の天壁部分には、支持テーブル２に対向するようにシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６は、その下面に多数のガス吐出孔１８が設けられており、かつその上部にガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には空間１７が形成されている。ガス導入部１６ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、エッチング用の反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを供給する処理ガス供給系１５が接続されている。反応ガスとしては、ハロゲン系のガス、希釈ガスとしては、Ａｒガス、Ｈｅガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００１６】
このような処理ガスが、処理ガス供給系１５からガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシャワーヘッド１６の空間１７に至り、ガス吐出孔１８から吐出され、半導体ウエハ３０に形成された膜がエッチングされる。
【００１７】
チャンバー１の下部１ｂの側壁には、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２０に設けられた真空ポンプを作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、チャンバー１の下部１ｂの側壁上側には、ウエハ３０の搬入出口を開閉するゲートバルブ３４が設けられている。
【００１８】
一方、チャンバー１の上部１ａの周囲には、同心状に、磁場発生機構であるダイポールリング磁石２１が配置されており、支持テーブル２とシャワーヘッド１６との間の空間に磁界を及ぼすようになっている。このダイポールリング磁石２１は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。また、チャンバー１の上部１ａの側壁には、チャンバー１内で発生する光を透過する例えば石英ガラス製のＥＰＤ窓２５が設けられており、このＥＰＤ窓２５を透過した光が光ファイバー３１を介して分光器３２に導かれ、分光器３２において所定の発光スペクトルの増減を検出することにより、エッチングの終点を検出可能となっている。ＥＰＤ窓２５はその内面がチャンバー１内のプラズマに晒されること等により劣化するので、チャンバー１から取り外して交換することが可能となっている。
【００１９】
図２はチャンバー１の周囲に配置された状態のダイポールリング磁石２１を上から見た状態を模式的に示す図、図３はダイポールリング磁石２１およびチャンバー１の模式的な縦断面図である。図２に示すように、ダイポールリング磁石２１は、チャンバー１を囲むように配置され、窓部２６を有する略円筒状のヨーク２３と、このヨーク２３の内周に設けられた３２個の磁石配置ポートを有する磁石配列部２４とを有し、磁石配置ポートには異方性セグメント磁石２２が取り付けられている。ヨーク２３の窓部２６には、着脱自在に蓋体２７が設けられている。ヨーク２３および蓋体２７はいずれも磁性体、例えば鉄で構成されている。図２中、異方性セグメント磁石２２の中に示す矢印は磁化の方向を示すものであり、この図に示すように、複数の異方性セグメント磁石２２の磁化の方向を少しずつずらして全体として一方向に向かう水平磁場Ｂを形成している。なお、図２において、磁場方向の基端側をＮ、先端側をＳ、これらから９０°の位置をＥおよびＷで示している。
【００２０】
このようなダイポールリング磁石２１が周囲に配置されたチャンバー１内には、図３に示すように、半導体ウエハ３０の上面に電界Ｅｌが形成され、ダイポールリング磁石２１による磁場ＢがほぼＮからＳに向かって一方向に形成される。したがって、電界Ｅｌが上から下に向けて形成されている場合には、チャンバー１内で発生した電子は図２に示したＥ側からＷ側に向けてドリフト運動を行って進み、Ｗ側の電子密度が高くなってプラズマ密度の不均一が生じる。このようなプラズマ密度の不均一を防止するためには、Ｅ側の磁場強度が高くＷ側の磁場強度が低くなるような磁場強度の勾配を形成することが有効である。そのためには、磁石配列部２４のＷ側の磁石配置ポートのいくつかを異方性セグメント磁石２２が存在しない空間部２８とすればよい。
【００２１】
本実施形態では、上記のような磁場に応じてＷ側に形成された異方性セグメント磁石２２が存在しない空間部２８を、チャンバー１外壁のダイポールリング磁石２１により遮蔽された部分のメンテナンスに積極的に利用する。すなわち、ヨーク２３の空間部２８の少なくとも一部に対応した部分に窓部２６を設け、ダイポールリング磁石２１を取り外さなくても、この窓部２６を介してチャンバー１外壁をメンテナンスできるようにしている。また、ダイポールリング磁石２１で磁場を形成する場合には、ヨーク２３が磁気的に連続している必要があるので、磁性体からなる蓋体２７を窓部２６に装着してヨークの一部として機能するようにする。
【００２２】
異方性セグメント磁石２２の配列は図２に限るものではなく、この実施形態のように勾配磁場を形成する場合にも、種々の配列が可能であるが、メンテナンス性を考慮すると空間部２８を異方性セグメント磁石２２の２個分以上の大きさで形成することが好ましい。図２の例では、空間部２８が異方性セグメント磁石２２の２個分の大きさで形成されている。
【００２３】
なお、異方性セグメント磁石２２の断面形状は図２に示す円形に限らず、正方形、長方形、台形等、任意の形状を採用することができ、その材料も特に限定されるものではなく、例えば、希土類系磁石、フェライト系磁石、アルニコ磁石等、種々の磁石材料を適用することができる。
【００２４】
また、ダイポールリング磁石２１の形成する磁場強度は、例えば、半導体ウエハ３０の中心で最大２４０ガウスが実現可能であり、例えば３００ｍｍの半導体ウエハ３０をエッチングする場合にはその中心で約１８０ガウスとなるように設計される。
【００２５】
このように構成されるマグネトロンプラズマエッチング装置においては、まず、ゲートバルブ３４を開にして半導体ウエハ３０をチャンバー１内に搬入し、支持テーブル２に載置した後、排気系２０の真空ポンプにより排気ポート１９を介してチャンバー１内を排気しつつ、チャンバー１内に処理ガス供給系１５から所定の処理ガスを導入し、チャンバー１内を所定の圧力、例えば５０ｍＴｏｒｒに保持し、この状態でＲＦ電源１０から支持テーブル２に、周波数が例えば１３．５６ＭＨｚ、パワーが例えば１０００〜５０００Ｗの高周波電力を供給する。このとき、半導体ウエハ３０は静電チャック６にクーロン力により吸着される。
【００２６】
このようにして下部電極である支持テーブル２に高周波電力を印加することにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である支持テーブル２との間には電界が形成され、チャンバー１の上部１ａにはダイポールリング磁石２１により水平磁界が形成されているから、半導体ウエハ３０付近に電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハ３０上に形成された所定の膜がエッチング処理される。このようにしてエッチング処理を行いながら、チャンバー１内で発生する光をＥＰＤ窓２５および光ファイバー３１を介して分光器３２に導き、分光器３２において所定の発光スペクトルの増減を検出することによりエッチング終点の判断を行う。エッチング終点と判断された場合には、ＲＦ電源１０からの高周波電力の供給を停止し、半導体ウエハ３０をチャンバー１内から搬出する。
【００２７】
以上のようなマグネトロンプラズマエッチング装置において、チャンバー１側壁のダイポールリング磁石２１の下に隠れた部分、例えばＥＰＤ窓２５を交換するメンテナンスを行う場合には、まずダイポールリング磁石２１の窓部２６から蓋体２７を図４に示すように取り外し、次いで窓部２６がチャンバー１側壁のＥＰＤ窓２５が設けられた部分の正面に位置するようにダイポールリング磁石２１を手動で回転させ、古いＥＰＤ窓２５を外して窓部２６から取り出した後、新しいＥＰＤ窓２５を窓部２６から搬入してチャンバー１に取り付ける。このように本実施形態のマグネトロンプラズマエッチング装置においては、ダイポールリング磁石２１を取り外すことなく、チャンバー１側壁のダイポールリング磁石２１の下に隠れた部分をメンテナンスすることができる。したがって、従来のようにダイポールリング磁石２１を取り外してメンテナンスを行う場合と比べて、メンテナンスの手間を著しく軽減することができ、また、メンテナンス作業の安全性が飛躍的に向上する。
【００２８】
なお、図１の装置において、フォーカスリング５やカバーリング７等の消耗品は、上述のようにしてエッチング処理する際にプラズマと接触することにより徐々に削られて消耗する。このため、従来はプラズマと接触した時間を消耗時間として操作者がタイマー等でカウントし、この消耗時間からチャンバー１内の部材を交換すべきタイミングを予測して交換を行っていたが、この方法では、プロセスやレシピ等により消耗時間が異なるため適切な交換タイミングを逃してしまうことや、部材の交換時に操作者がタイマーをリセットし忘れるヒューマンエラーにより消耗時間が分からなくなることがあるという問題があった。
【００２９】
このようなことを防止するために図５に示すような対策をとることができる。
図５は消耗品としてカバーリングを例にとってその対策を示す断面図である。まず、図５では、カバーリング７′は、上部部材７ａと下部部材７ｂとに２体化されている。図５の（ａ）の例では、この下部部材７ｂの上面のイオン打ち込み位置７ｃにＰ＋、Ｂ＋、Ａｓ＋等のイオンが打ち込まれており、その上に上部部材７ａが設けられている。
【００３０】
図５の（ａ）の例において、カバーリング７′がプラズマと接触することにより、上部部材７ａはその上部から徐々に削られて消耗し、下部部材７ｂのイオン打ち込み位置７ｃがプラズマに露出した時点で打ち込まれたイオンがプラズマと反応するので、そのことを分光器３２により検出することができ、これによりカバーリング７′の上部部材７ａを交換すべきタイミングを知ることができる。したがって、適切なタイミングで上部部材７ａの交換を行うことができる。
【００３１】
図５の（ｂ）の例では、カバーリング７′を構成する上部部材７ａの底部にイオン打ち込みを行うことにより、下部部材７ｂが削られる前に上部部材７ａの消耗を検出することができる。また、図５の（ｃ）例では、上部部材７ａまたは下部部材７ｂの周辺部にはイオン打ち込みを行わないことにより、上部部材７ａが消耗する前にイオン打ち込み位置７ｃがプラズマと接触することによる誤検出を防止することができる。さらに、図５の（ｄ）の例では、イオン打ち込みではなく、上部部材７ａと下部部材７ｂとの間に材質の異なる中間部材７ｄを挟み込んでいる。このような構成によっても、下部部材７ｂが削られる前に上部部材７ａの消耗を検出することができる。
【００３２】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず種々変形が可能である。例えば、上記実施形態では、磁場発生機構としてダイポールリング磁石を用いてマグネトロンプラズマを発生させる場合について示したが、チャンバーの周囲に磁場発生機構が存在し、その中に空間部が形成可能であれば、これに限らずマルチポールリング磁石等の他の磁場発生機構を用いても、また、磁場発生機構として永久磁石の代わりに電磁石を用いてもよい。また、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを処理する場合について示したが、これに限られるものではない。さらに、上記実施の形態では、本発明をプラズマエッチング装置に適用した例について示したが、これに限らず他のプラズマ処理装置にも適用することも可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、形成しようとする磁場に応じて磁場発生機構に空間部を設け、この空間部に対応するように蓋体が着脱自在な窓部を設け、この窓部を、プラズマ処理の終点を検出するためにチャンバー内で発生した光を透過するチャンバーに設けられた透過窓とを対応させて、窓部から透過窓のメンテナンスを行うので、前記窓部から前記蓋体を取り外すことにより、前記磁場発生機構を取り付けたままで前記窓部から前記チャンバーの前記磁場発生機構によって遮蔽された透過窓をメンテナンスすることができる。したがって、前記チャンバーの前記磁場発生機構によって遮蔽された透過窓をメンテナンスする際の手間を著しく軽減することができ、また、メンテナンス作業の安全性が飛躍的に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマグネトロンプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の装置のチャンバーの周囲に配置された状態のダイポールリング磁石を上から見た状態を模式的に示す図。
【図３】図１のマグネトロンプラズマエッチング装置におけるダイポールリング磁石とチャンバー内部の状態を模式的に示す断面図。
【図４】図２に示したダイポールリング磁石のヨークから蓋体を取り外した状態を模式的に示す図。
【図５】交換タイミングを逃さないように対策を施したカバーリングの例を示す図。
【符号の説明】
１；チャンバー
２；支持テーブル
５；フォーカスリング
７，７′；カバーリング
１５；処理ガス供給系
１６；シャワーヘッド
１８；ガス吐出孔
１９；排気ポート
２０；排気系
２１；ダイポールリング磁石
２２；異方性セグメント磁石
２３；ヨーク
２４；磁石配列部
２５；ＥＰＤ窓
２６；窓部
２７；蓋体
３０；半導体ウエハ
３１；光ファイバー
３２；分光器
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ等の被処理基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、比較的低圧雰囲気にて高密度のプラズマを生成して微細加工のエッチングを行うマグネトロンプラズマエッチング装置が実用化されている。このマグネトロンプラズマエッチング装置は、永久磁石を有する磁場発生機構をチャンバー上部の外周を囲むように配置し、永久磁石から漏洩した磁場を半導体ウエハに対して水平に印加するとともに、これに直交する高周波電界を印加して、その際に生じる電子のドリフト運動を利用して極めて高効率でエッチングするものである。
【０００３】
一方、プラズマエッチング装置においては、チャンバー上部の側壁にチャンバー内で発生する光を透過するＥＰＤ（Ｅｎｄ Ｐｏｉｎｔ Ｄｅｔｅｃｔｏｒ）窓を設け、このＥＰＤ窓を透過した光を光ファイバー等により分光器に導いてモニターすることにより、エッチング終点を検出することが行われており、上記のマグネトロンプラズマエッチング装置においてもこのようにしてエッチング終点を検出している。このＥＰＤ窓は、チャンバー内のプラズマ雰囲気に晒されて曇ったり、内面が削られて劣化するため、これを交換する等のメンテナンス作業を行う必要がある。しかし、上記のマグネトロンプラズマエッチング装置は、チャンバー上部の外周を囲むように磁場発生機構が配置されているため、ＥＰＤ窓が磁場発生機構によって遮蔽されてしまう。したがって、磁場発生機構をチャンバーから取り外してＥＰＤ窓の交換等のメンテナンスを行っている。また、磁場発生機構によって遮蔽される他の部分のメンテナンスも同様に、磁場発生機構を取り外して行わざるを得ない。
【０００４】
しかし、近年における半導体ウエハの大型化に伴い、磁場発生機構の大型化および重量化が進んでいるため、チャンバーから磁場発生機構を取り外す作業は容易ではなく危険を伴うものとなっている。このため、マグネトロンプラズマエッチング装置のように、磁場発生機構がチャンバー上部の外周を囲むように配置されたプラズマ処理装置において、磁場発生機構を取り外すことなく、ＥＰＤ窓の交換等のメンテナンスを行うことが求められている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、チャンバー外周に磁場発生機構を有しながら、磁場発生機構を取り外すことなくチャンバーの磁場発生機構に遮蔽された部分のメンテナンスを行うことが可能なプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、被処理基板を収容可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバーの外周を囲むように設けられ、前記チャンバー内に磁場を形成する磁場発生機構とを具備し、前記一対の電極間に被処理基板が配置された状態で、前記磁場発生機構により磁場を形成しつつ前記電界形成手段により電界を形成して該被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記磁場発生機構は、略筒状の外壁と、その内側に形成された磁場発生部と、形成しようとする磁場に応じて前記磁場発生部に形成された空間部と、前記外壁の前記空間部に対応する部分に設けられた窓部と、前記窓部に着脱自在に設けられた蓋体とを備え、前記チャンバーは、プラズマ処理の終点を検出するために前記チャンバー内で発生した光を透過する透過窓を有し、この透過窓と前記窓部とを対応させて前記窓部から前記透過窓のメンテナンスを行うことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【０００７】
また、本発明の第２の観点では、被処理基板を収容可能なチャンバーと、前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバーの外周を囲むように設けられ、前記チャンバー内に磁場を形成する磁場発生機構とを具備し、前記一対の電極間に被処理基板が配置された状態で、前記磁場発生機構により磁場を形成しつつ前記電界形成手段により電界を形成して該被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、前記磁場発生機構は、略筒状の磁性体からなるヨークと、前記ヨークの内周に位置し、複数の異方性セグメント磁石が配列された磁石配列部と、形成しようとする磁場に応じて前記磁石配列部に設けられた前記異方性セグメント磁石が存在しない空間部と、前記ヨークの前記空間部に対応する部分に設けられた窓部と、前記窓部に着脱自在に設けられた磁性体からなる蓋体とを備え、前記チャンバーは、プラズマ処理の終点を検出するために前記チャンバー内で発生した光を透過する透過窓を有し、この透過窓と前記窓部とを対応させて前記窓部から前記透過窓のメンテナンスを行うことを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【０００８】
上記本発明の第１および第２の観点によれば、形成しようとする磁場に応じて磁場発生機構に空間部を設け、この空間部に対応するように蓋体が着脱自在な窓部を設け、この窓部を、プラズマ処理の終点を検出するためにチャンバー内で発生した光を透過するチャンバーに設けられた透過窓とを対応させて、窓部から透過窓のメンテナンスを行うので、前記窓部から前記蓋体を取り外すことにより、前記磁場発生機構を取り付けたままで前記窓部から前記チャンバーの前記磁場発生機構によって遮蔽された透過窓をメンテナンスすることができる。
【０００９】
上記本発明の第２の観点において、前記磁場発生機構は、前記一対の電極間に、前記一対の電極間に形成される電界と垂直な一方向に向かう磁場を形成するように構成することができる。この場合に、前記磁場発生機構としては、前記一対の電極間の一方側で磁場強度が大きく他方側で磁場強度が小さくなるような磁場強度の勾配を有する磁場を形成するように構成することが好ましい。このような磁場を形成する場合には、前記磁石配列部の磁場強度が小さくなる側に前記空間部を比較的容易に形成することができる。このような前記磁石配列部の前記空間部は、少なくとも前記異方性セグメント磁石２個分の大きさで形成されることが好ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の第１の実施形態に係るマグネトロンプラズマエッチング装置を示す断面図である。このエッチング装置は、気密に構成され、小径の上部１ａと大径の下部１ｂとからなる段つき円筒状をなし、壁部が例えばアルミニウム製のチャンバー１を有している。このチャンバー１内には、被処理体である半導体ウエハ３０を水平に支持する支持テーブル２が設けられている。支持テーブル２は例えばアルミニウムで構成されており、絶縁板３を介して導体の支持台４に支持されている。また、支持テーブル２の上方の外周側には導電性材料、例えば単結晶シリコンで形成されたフォーカスリング５が設けられ、このフォーカスリング５の外周を囲むようにカバーリング７が設けられている。上記支持テーブル２と支持台４は、ボールねじ８を含むボールねじ機構により昇降可能となっており、支持台４の下方の駆動部分は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）製のベローズ９で覆われている。チャンバー１は接地されている。また、ベローズ９の外側にはベローズカバー９ａが設けられている。
【００１２】
支持テーブル２には、マッチングボックス１１を介してＲＦ電源１０が接続されている。ＲＦ電源１０からは例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が支持テーブル２に供給されるようになっている。一方、支持テーブル２に対向してその上方には後述するシャワーヘッド１６が互いに平行に設けられており、このシャワーヘッド１６は接地されている。したがって、これらは一対の電極として機能する。
【００１３】
支持テーブル２の表面上には半導体ウエハ３０を静電吸着するための静電チャック６が設けられている。この静電チャック６は絶縁体６ｂの間に電極６ａが介在されて構成されており、電極６ａには直流電源１２が接続されている。そして電極６ａに直流電源１２から電圧が印加されることにより、クーロン力によって半導体ウエハ３０が吸着される。
【００１４】
支持テーブル２の内部には、図示しない冷媒流路が形成されており、その中に適宜の冷媒を循環させることによって、半導体ウエハ３０を所定の温度に制御可能となっている。また、フォーカスリング５の外側にはバッフル板１３が設けられている。バッフル板１３は支持台４、ベローズ９を通してチャンバー１と導通している。
【００１５】
チャンバー１の天壁部分には、支持テーブル２に対向するようにシャワーヘッド１６が設けられている。シャワーヘッド１６は、その下面に多数のガス吐出孔１８が設けられており、かつその上部にガス導入部１６ａを有している。そして、その内部には空間１７が形成されている。ガス導入部１６ａにはガス供給配管１５ａが接続されており、このガス供給配管１５ａの他端には、エッチング用の反応ガスおよび希釈ガスからなる処理ガスを供給する処理ガス供給系１５が接続されている。反応ガスとしては、ハロゲン系のガス、希釈ガスとしては、Ａｒガス、Ｈｅガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００１６】
このような処理ガスが、処理ガス供給系１５からガス供給配管１５ａ、ガス導入部１６ａを介してシャワーヘッド１６の空間１７に至り、ガス吐出孔１８から吐出され、半導体ウエハ３０に形成された膜がエッチングされる。
【００１７】
チャンバー１の下部１ｂの側壁には、排気ポート１９が形成されており、この排気ポート１９には排気系２０が接続されている。そして排気系２０に設けられた真空ポンプを作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することができるようになっている。一方、チャンバー１の下部１ｂの側壁上側には、ウエハ３０の搬入出口を開閉するゲートバルブ３４が設けられている。
【００１８】
一方、チャンバー１の上部１ａの周囲には、同心状に、磁場発生機構であるダイポールリング磁石２１が配置されており、支持テーブル２とシャワーヘッド１６との間の空間に磁界を及ぼすようになっている。このダイポールリング磁石２１は、図示しないモータ等の回転手段により回転可能となっている。また、チャンバー１の上部１ａの側壁には、チャンバー１内で発生する光を透過する例えば石英ガラス製のＥＰＤ窓２５が設けられており、このＥＰＤ窓２５を透過した光が光ファイバー３１を介して分光器３２に導かれ、分光器３２において所定の発光スペクトルの増減を検出することにより、エッチングの終点を検出可能となっている。ＥＰＤ窓２５はその内面がチャンバー１内のプラズマに晒されること等により劣化するので、チャンバー１から取り外して交換することが可能となっている。
【００１９】
図２はチャンバー１の周囲に配置された状態のダイポールリング磁石２１を上から見た状態を模式的に示す図、図３はダイポールリング磁石２１およびチャンバー１の模式的な縦断面図である。図２に示すように、ダイポールリング磁石２１は、チャンバー１を囲むように配置され、窓部２６を有する略円筒状のヨーク２３と、このヨーク２３の内周に設けられた３２個の磁石配置ポートを有する磁石配列部２４とを有し、磁石配置ポートには異方性セグメント磁石２２が取り付けられている。ヨーク２３の窓部２６には、着脱自在に蓋体２７が設けられている。ヨーク２３および蓋体２７はいずれも磁性体、例えば鉄で構成されている。図２中、異方性セグメント磁石２２の中に示す矢印は磁化の方向を示すものであり、この図に示すように、複数の異方性セグメント磁石２２の磁化の方向を少しずつずらして全体として一方向に向かう水平磁場Ｂを形成している。なお、図２において、磁場方向の基端側をＮ、先端側をＳ、これらから９０°の位置をＥおよびＷで示している。
【００２０】
このようなダイポールリング磁石２１が周囲に配置されたチャンバー１内には、図３に示すように、半導体ウエハ３０の上面に電界Ｅｌが形成され、ダイポールリング磁石２１による磁場ＢがほぼＮからＳに向かって一方向に形成される。したがって、電界Ｅｌが上から下に向けて形成されている場合には、チャンバー１内で発生した電子は図２に示したＥ側からＷ側に向けてドリフト運動を行って進み、Ｗ側の電子密度が高くなってプラズマ密度の不均一が生じる。このようなプラズマ密度の不均一を防止するためには、Ｅ側の磁場強度が高くＷ側の磁場強度が低くなるような磁場強度の勾配を形成することが有効である。そのためには、磁石配列部２４のＷ側の磁石配置ポートのいくつかを異方性セグメント磁石２２が存在しない空間部２８とすればよい。
【００２１】
本実施形態では、上記のような磁場に応じてＷ側に形成された異方性セグメント磁石２２が存在しない空間部２８を、チャンバー１外壁のダイポールリング磁石２１により遮蔽された部分のメンテナンスに積極的に利用する。すなわち、ヨーク２３の空間部２８の少なくとも一部に対応した部分に窓部２６を設け、ダイポールリング磁石２１を取り外さなくても、この窓部２６を介してチャンバー１外壁をメンテナンスできるようにしている。また、ダイポールリング磁石２１で磁場を形成する場合には、ヨーク２３が磁気的に連続している必要があるので、磁性体からなる蓋体２７を窓部２６に装着してヨークの一部として機能するようにする。
【００２２】
異方性セグメント磁石２２の配列は図２に限るものではなく、この実施形態のように勾配磁場を形成する場合にも、種々の配列が可能であるが、メンテナンス性を考慮すると空間部２８を異方性セグメント磁石２２の２個分以上の大きさで形成することが好ましい。図２の例では、空間部２８が異方性セグメント磁石２２の２個分の大きさで形成されている。
【００２３】
なお、異方性セグメント磁石２２の断面形状は図２に示す円形に限らず、正方形、長方形、台形等、任意の形状を採用することができ、その材料も特に限定されるものではなく、例えば、希土類系磁石、フェライト系磁石、アルニコ磁石等、種々の磁石材料を適用することができる。
【００２４】
また、ダイポールリング磁石２１の形成する磁場強度は、例えば、半導体ウエハ３０の中心で最大２４０ガウスが実現可能であり、例えば３００ｍｍの半導体ウエハ３０をエッチングする場合にはその中心で約１８０ガウスとなるように設計される。
【００２５】
このように構成されるマグネトロンプラズマエッチング装置においては、まず、ゲートバルブ３４を開にして半導体ウエハ３０をチャンバー１内に搬入し、支持テーブル２に載置した後、排気系２０の真空ポンプにより排気ポート１９を介してチャンバー１内を排気しつつ、チャンバー１内に処理ガス供給系１５から所定の処理ガスを導入し、チャンバー１内を所定の圧力、例えば５０ｍＴｏｒｒに保持し、この状態でＲＦ電源１０から支持テーブル２に、周波数が例えば１３．５６ＭＨｚ、パワーが例えば１０００〜５０００Ｗの高周波電力を供給する。このとき、半導体ウエハ３０は静電チャック６にクーロン力により吸着される。
【００２６】
このようにして下部電極である支持テーブル２に高周波電力を印加することにより、上部電極であるシャワーヘッド１６と下部電極である支持テーブル２との間には電界が形成され、チャンバー１の上部１ａにはダイポールリング磁石２１により水平磁界が形成されているから、半導体ウエハ３０付近に電子のドリフトによりマグネトロン放電が生じ、それによって形成された処理ガスのプラズマにより、半導体ウエハ３０上に形成された所定の膜がエッチング処理される。このようにしてエッチング処理を行いながら、チャンバー１内で発生する光をＥＰＤ窓２５および光ファイバー３１を介して分光器３２に導き、分光器３２において所定の発光スペクトルの増減を検出することによりエッチング終点の判断を行う。エッチング終点と判断された場合には、ＲＦ電源１０からの高周波電力の供給を停止し、半導体ウエハ３０をチャンバー１内から搬出する。
【００２７】
以上のようなマグネトロンプラズマエッチング装置において、チャンバー１側壁のダイポールリング磁石２１の下に隠れた部分、例えばＥＰＤ窓２５を交換するメンテナンスを行う場合には、まずダイポールリング磁石２１の窓部２６から蓋体２７を図４に示すように取り外し、次いで窓部２６がチャンバー１側壁のＥＰＤ窓２５が設けられた部分の正面に位置するようにダイポールリング磁石２１を手動で回転させ、古いＥＰＤ窓２５を外して窓部２６から取り出した後、新しいＥＰＤ窓２５を窓部２６から搬入してチャンバー１に取り付ける。このように本実施形態のマグネトロンプラズマエッチング装置においては、ダイポールリング磁石２１を取り外すことなく、チャンバー１側壁のダイポールリング磁石２１の下に隠れた部分をメンテナンスすることができる。したがって、従来のようにダイポールリング磁石２１を取り外してメンテナンスを行う場合と比べて、メンテナンスの手間を著しく軽減することができ、また、メンテナンス作業の安全性が飛躍的に向上する。
【００２８】
なお、図１の装置において、フォーカスリング５やカバーリング７等の消耗品は、上述のようにしてエッチング処理する際にプラズマと接触することにより徐々に削られて消耗する。このため、従来はプラズマと接触した時間を消耗時間として操作者がタイマー等でカウントし、この消耗時間からチャンバー１内の部材を交換すべきタイミングを予測して交換を行っていたが、この方法では、プロセスやレシピ等により消耗時間が異なるため適切な交換タイミングを逃してしまうことや、部材の交換時に操作者がタイマーをリセットし忘れるヒューマンエラーにより消耗時間が分からなくなることがあるという問題があった。
【００２９】
このようなことを防止するために図５に示すような対策をとることができる。
図５は消耗品としてカバーリングを例にとってその対策を示す断面図である。まず、図５では、カバーリング７′は、上部部材７ａと下部部材７ｂとに２体化されている。図５の（ａ）の例では、この下部部材７ｂの上面のイオン打ち込み位置７ｃにＰ＋、Ｂ＋、Ａｓ＋等のイオンが打ち込まれており、その上に上部部材７ａが設けられている。
【００３０】
図５の（ａ）の例において、カバーリング７′がプラズマと接触することにより、上部部材７ａはその上部から徐々に削られて消耗し、下部部材７ｂのイオン打ち込み位置７ｃがプラズマに露出した時点で打ち込まれたイオンがプラズマと反応するので、そのことを分光器３２により検出することができ、これによりカバーリング７′の上部部材７ａを交換すべきタイミングを知ることができる。したがって、適切なタイミングで上部部材７ａの交換を行うことができる。
【００３１】
図５の（ｂ）の例では、カバーリング７′を構成する上部部材７ａの底部にイオン打ち込みを行うことにより、下部部材７ｂが削られる前に上部部材７ａの消耗を検出することができる。また、図５の（ｃ）例では、上部部材７ａまたは下部部材７ｂの周辺部にはイオン打ち込みを行わないことにより、上部部材７ａが消耗する前にイオン打ち込み位置７ｃがプラズマと接触することによる誤検出を防止することができる。さらに、図５の（ｄ）の例では、イオン打ち込みではなく、上部部材７ａと下部部材７ｂとの間に材質の異なる中間部材７ｄを挟み込んでいる。このような構成によっても、下部部材７ｂが削られる前に上部部材７ａの消耗を検出することができる。
【００３２】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず種々変形が可能である。例えば、上記実施形態では、磁場発生機構としてダイポールリング磁石を用いてマグネトロンプラズマを発生させる場合について示したが、チャンバーの周囲に磁場発生機構が存在し、その中に空間部が形成可能であれば、これに限らずマルチポールリング磁石等の他の磁場発生機構を用いても、また、磁場発生機構として永久磁石の代わりに電磁石を用いてもよい。また、上記実施形態では被処理基板として半導体ウエハを処理する場合について示したが、これに限られるものではない。さらに、上記実施の形態では、本発明をプラズマエッチング装置に適用した例について示したが、これに限らず他のプラズマ処理装置にも適用することも可能である。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、形成しようとする磁場に応じて磁場発生機構に空間部を設け、この空間部に対応するように蓋体が着脱自在な窓部を設け、この窓部を、プラズマ処理の終点を検出するためにチャンバー内で発生した光を透過するチャンバーに設けられた透過窓とを対応させて、窓部から透過窓のメンテナンスを行うので、前記窓部から前記蓋体を取り外すことにより、前記磁場発生機構を取り付けたままで前記窓部から前記チャンバーの前記磁場発生機構によって遮蔽された透過窓をメンテナンスすることができる。したがって、前記チャンバーの前記磁場発生機構によって遮蔽された透過窓をメンテナンスする際の手間を著しく軽減することができ、また、メンテナンス作業の安全性が飛躍的に向上する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るマグネトロンプラズマエッチング装置を示す断面図。
【図２】図１の装置のチャンバーの周囲に配置された状態のダイポールリング磁石を上から見た状態を模式的に示す図。
【図３】図１のマグネトロンプラズマエッチング装置におけるダイポールリング磁石とチャンバー内部の状態を模式的に示す断面図。
【図４】図２に示したダイポールリング磁石のヨークから蓋体を取り外した状態を模式的に示す図。
【図５】交換タイミングを逃さないように対策を施したカバーリングの例を示す図。
【符号の説明】
１；チャンバー
２；支持テーブル
５；フォーカスリング
７，７′；カバーリング
１５；処理ガス供給系
１６；シャワーヘッド
１８；ガス吐出孔
１９；排気ポート
２０；排気系
２１；ダイポールリング磁石
２２；異方性セグメント磁石
２３；ヨーク
２４；磁石配列部
２５；ＥＰＤ窓
２６；窓部
２７；蓋体
３０；半導体ウエハ
３１；光ファイバー
３２；分光器
Claims (5)
- 被処理基板を収容可能なチャンバーと、
前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、
これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記チャンバーの外周を囲むように設けられ、前記チャンバー内に磁場を形成する磁場発生機構と
を具備し、前記一対の電極間に被処理基板が配置された状態で、前記磁場発生機構により磁場を形成しつつ前記電界形成手段により電界を形成して該被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記磁場発生機構は、略筒状の外壁と、その内側に形成された磁場発生部と、形成しようとする磁場に応じて前記磁場発生部に形成された空間部と、前記外壁の前記空間部に対応する部分に設けられた窓部と、前記窓部に着脱自在に設けられた蓋体とを備え、
前記チャンバーは、プラズマ処理の終点を検出するために前記チャンバー内で発生した光を透過する透過窓を有し、この透過窓と前記窓部とを対応させて前記窓部から前記透過窓のメンテナンスを行うことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 被処理基板を収容可能なチャンバーと、
前記チャンバー内に互いに対向して設けられた一対の電極と、
これら一対の電極の間に電界を形成する電界形成手段と、
前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、
前記チャンバーの外周を囲むように設けられ、前記チャンバー内に磁場を形成する磁場発生機構と
を具備し、前記一対の電極間に被処理基板が配置された状態で、前記磁場発生機構により磁場を形成しつつ前記電界形成手段により電界を形成して該被処理基板にプラズマ処理を施すプラズマ処理装置であって、
前記磁場発生機構は、略筒状の磁性体からなるヨークと、前記ヨークの内周に位置し、複数の異方性セグメント磁石が配列された磁石配列部と、形成しようとする磁場に応じて前記磁石配列部に設けられた前記異方性セグメント磁石が存在しない空間部と、前記ヨークの前記空間部に対応する部分に設けられた窓部と、前記窓部に着脱自在に設けられた磁性体からなる蓋体とを備え、
前記チャンバーは、プラズマ処理の終点を検出するために前記チャンバー内で発生した光を透過する透過窓を有し、この透過窓と前記窓部とを対応させて前記窓部から前記透過窓のメンテナンスを行うことを特徴とするプラズマ処理装置。 - 前記磁場発生機構は、前記一対の電極間に、前記一対の電極間に形成される電界と垂直な一方向に向かう磁場を形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁場発生機構は、前記一対の電極間の一方側で磁場強度が大きく他方側で磁場強度が小さくなるような磁場強度の勾配を有する磁場を形成するように構成され、前記磁石配列部の磁場強度が小さくなる側に前記空間部が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ処理装置。
- 前記磁石配列部の前記空間部は、少なくとも前記異方性セグメント磁石２個分以上の大きさで設けられていることを特徴とする請求項４に記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257820A JP4657521B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257820A JP4657521B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003068714A JP2003068714A (ja) | 2003-03-07 |
| JP4657521B2 true JP4657521B2 (ja) | 2011-03-23 |
Family
ID=19085426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001257820A Expired - Fee Related JP4657521B2 (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4657521B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009245988A (ja) * | 2008-03-28 | 2009-10-22 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、チャンバ内部品及びチャンバ内部品の寿命検出方法 |
| US7884925B2 (en) * | 2008-05-23 | 2011-02-08 | Lam Research Corporation | Electrical and optical system and methods for monitoring erosion of electrostatic chuck edge bead materials |
| US20180061696A1 (en) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | Applied Materials, Inc. | Edge ring or process kit for semiconductor process module |
| KR102476767B1 (ko) * | 2021-03-17 | 2022-12-09 | 피에스케이홀딩스 (주) | 플라즈마 감지 장치 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001895A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
| JP2001077089A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | マグネトロンプラズマ処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06306617A (ja) * | 1993-04-19 | 1994-11-01 | Anelva Corp | マルチカスプ磁場発生装置及びプラズマ処理装置 |
| JP3124204B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2001-01-15 | 株式会社東芝 | プラズマ処理装置 |
| JPH1116893A (ja) * | 1997-06-25 | 1999-01-22 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001257820A patent/JP4657521B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998001895A1 (fr) * | 1996-07-08 | 1998-01-15 | Hitachi, Ltd. | Procede de fabrication d'un composant de circuit integre a semi-conducteur |
| JP2001077089A (ja) * | 1999-09-02 | 2001-03-23 | Tokyo Electron Ltd | マグネトロンプラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2003068714A (ja) | 2003-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4812991B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US8852387B2 (en) | Plasma processing apparatus and shower head | |
| JP3210207B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6000360A (en) | Plasma processing apparatus | |
| US8323414B2 (en) | Particle removal apparatus and method and plasma processing apparatus | |
| JP4527431B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3343200B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| KR100390540B1 (ko) | 마그네트론 플라즈마 에칭장치 | |
| US8747609B2 (en) | Plasma processing apparatus and shower head | |
| WO2017221829A1 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2001338912A (ja) | プラズマ処理装置および処理方法 | |
| US20090246406A1 (en) | Plasma processing apparatus, chamber internal part, and method of detecting longevity of chamber internal part | |
| JP2002093776A (ja) | Ｓｉ高速エッチング方法 | |
| JP3892996B2 (ja) | マグネトロンプラズマ処理装置 | |
| JP3205312B2 (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置のメンテナンス方法 | |
| KR20120100750A (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| JP4657521B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP5411098B2 (ja) | 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置ならびに電極交換方法 | |
| JP4566373B2 (ja) | 酸化膜エッチング方法 | |
| JP4669137B2 (ja) | 分割可能な電極及びこの電極を用いたプラズマ処理装置 | |
| JP4107518B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3363405B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理装置システム | |
| US20020038691A1 (en) | Plasma processing system | |
| JP5661513B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP4031691B2 (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080725 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100819 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100914 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101221 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101222 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140107 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |