JP6294324B2 - ウェハー及びフィルムフレームの両方のための単一超平坦ウェハーテーブル構造 - Google Patents

ウェハー及びフィルムフレームの両方のための単一超平坦ウェハーテーブル構造 Download PDF

Info

Publication number
JP6294324B2
JP6294324B2 JP2015529759A JP2015529759A JP6294324B2 JP 6294324 B2 JP6294324 B2 JP 6294324B2 JP 2015529759 A JP2015529759 A JP 2015529759A JP 2015529759 A JP2015529759 A JP 2015529759A JP 6294324 B2 JP6294324 B2 JP 6294324B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
compartment
wafer table
base tray
exposed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015529759A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2015528643A (ja
Inventor
ジャン・ピン・ジン
レン・キーム・リー
Original Assignee
セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド
セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド, セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド filed Critical セミコンダクター テクノロジーズ アンド インストゥルメンツ ピーティーイー リミテッド
Publication of JP2015528643A publication Critical patent/JP2015528643A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6294324B2 publication Critical patent/JP6294324B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J11/00—Manipulators not otherwise provided for
    • B25J11/0095—Manipulators transporting wafers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B25J15/065—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum provided with separating means for releasing the gripped object after suction
    • B25J15/0658—Pneumatic type, e.g. air blast or overpressure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B25—HAND TOOLS; PORTABLE POWER-DRIVEN TOOLS; MANIPULATORS
    • B25J—MANIPULATORS; CHAMBERS PROVIDED WITH MANIPULATION DEVICES
    • B25J15/00—Gripping heads and other end effectors
    • B25J15/06—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means
    • B25J15/0616—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum
    • B25J15/065—Gripping heads and other end effectors with vacuum or magnetic holding means with vacuum provided with separating means for releasing the gripped object after suction
    • B25J15/0666—Other types, e.g. pins or springs
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/26—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes
    • G01B11/27—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring angles or tapers; for testing the alignment of axes for testing the alignment of axes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2201/00—Features of devices classified in G01N21/00
    • G01N2201/02—Mechanical
    • G01N2201/025—Mechanical control of operations
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49826—Assembling or joining

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Description

本開示は、概して、半導体ウェハー及び半導体ウェハーの全体又は一部を支持するフィルムフレームをハンドリング及びアライメントするためのシステム及び方法に関する。より端的には、本開示の側面が、光学式検査工程といった正確、高いスループットのウェハー及び／又はフィルムフレームハンドリング又は処理オペレーションを促進する態様においてウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするための単一又は統合された高度に平坦又は超平坦な多孔性ウェハーテーブル構造に関する。
半導体ウェハー処理オペレーションが、多数のダイ（例えば、多数又は非常に多数のダイ）がその上に存する半導体ウェハーに対する様々な種類の処理ステップ又はシーケンスの実行を伴う。各ダイ上のデバイス、回路、又は構造の幾何寸法、線幅、若しくは特徴サイズが、典型的には、非常に小さく、例えば、ミクロン、サブミクロン、又はナノメートルのスケールである。任意のあるダイが、例えば、平坦なウェハー表面に座するウェハー上に対して実行される処理ステップの過程で、レイヤー毎に製造、処理、及び／又はパターン化された多数の集積回路又は回路構造を含み、ウェハーにより支持されるダイが一括して処理ステップに晒される。
広範囲の種類の半導体デバイス処理動作が、ウェハー又はフィルムフレーム上に実装されたウェハー（以降、簡潔のため「フィルムフレーム」）を、ある位置から別の位置、場所、又は目的地へ、安全及び選択的に支持（例えば、輸送、移動、変位、又は搬送）し、及び／又はウェハー又はフィルムフレームの処理オペレーションの過程で特定位置にウェハー又はフィルムフレームを維持することを包含するウェハー又はフィルムフレームのハンドリングオペレーションを実行する多数のハンドリングシステムを包含する。例えば、光学的な検査工程の開始の前、ハンドリングシステムが、ウェハーカセットといったウェハー又はフィルムフレーム源からウェハー又はフィルムフレームを回収し、ウェハー又はフィルムフレームをウェハーテーブル上に移動させなければならない。ウェハーテーブルは、検査工程の開始前、その表面へのウェハー又はフィルムフレームの安全な保持を確立しなければならず、検査工程が完了した後、その表面からウェハー又はフィルムフレームを解放しなければならない。検査工程が完了すると、ハンドリングシステムは、ウェハーテーブルからウェハー又はフィルムフレームを回収しなければならず、ウェハー又はフィルムフレームカセット又は別の処理システムといった次の目的地にウェハー又はフィルムフレームを移動させる。
多種のウェハーハンドリングシステム及びフィルムフレームハンドリングシステムがこの分野において知られている。そのようなハンドリングシステムが、ウェハーテーブルへのウェハーの移動及びそこからのウェハーの回収を包含するウェハーハンドリングオペレーションを実行する、若しくはウェハーテーブルへのフィルムフレームの移動及びそこからのフィルムフレームの回収を包含するフィルムフレームハンドリングオペレーションを実行するために構成された１以上の機械又はロボットアームを含むことができる。各ロボットアームは、関連分野の当業者により理解される態様において、ウェハー又はフィルムフレームの部分に対する真空力の付与及び停止により、ウェハー又はフィルムフレームを回収し、ピックアップし、保持し、移動し、及び解放するように構成された付随のエンド・エフェクタ（エンド・エフェクタ）を含む。
ウェハーテーブル自体が、ハンドリングシステムの一種として見なされ若しくは定義可能であり、光学的検査システムに対応する１以上の光源及び１以上の画像取得装置といった処理システムの要素に関してウェハー又はフィルムフレームを変位させる間、信頼性高く、安全に、及び選択的にウェハーテーブル表面上にウェハー又はフィルムフレームを位置づけ及び保持しなければならない。ウェハーテーブルの構造は、以下の更なる詳細のように、検査システムが高い平均検査スループットを達成することか否かに顕著に影響し得る。更には、ウェハーの物理的な特徴やフィルムフレームの物理的な特徴に関連し、ウェハーテーブルの構造は、光学的な検査工程が信頼性高く正確な検査結果を生成することができる見込みに大きく影響する。
正確な検査結果の生成に関して、光学的な検査工程の過程で、ウェハー又はフィルムフレームがしっかりとウェハーテーブル上に保持されなければならない。加えて、ウェハーテーブルが、全てのウェハーダイ若しくはできるだけ多くのウェハーダイの表面エリアが、そこからの最小又は無視可能な偏向で、総じてこの共通平面に存在するように、ウェハー又はフィルムフレームの上面又は頂面を共通の検査面に配置及び維持しなければならない。より端的には、非常に高い倍率での適切又は正確なダイの光学的な検査は、ウェハーテーブルに非常に平坦であること、好ましくは、画像取得装置の焦点深度の１／３未満の誤差のマージンを有する平坦性であることを要求する。画像取得装置の焦点深度が、例えば、２０μｍであるならば、対応のウェハーテーブルの平坦性の誤差が６μｍを超えることができない。
非常に小さいサイズ（例えば、０．５×０．５ｍｍ若しくはより小さい）及び／又は厚み（５０μｍ未満−例えば、非常に薄い及び／又は可撓性のウェハー又は基板により搬送される）のダイをハンドリングするため、この平坦性の要求が、より一段と重要になる。非常に薄いウェハーについては、ウェハーテーブルが超平坦であることが重要であり、さもなければ、ウェハー又はフィルムフレーム上の１以上のダイが簡単に焦点深度外に位置づけられてしまう。当業者は、ダイがより小さく、倍率がより高く要求されれば、検査面が存在しなければならない焦点深度の幅が狭くなることを理解するだろう。
上に概説のそのような平坦性にて、ウェハーテーブル上に配されるウェハーが、ウェハーテーブル表面上に平らに置かれ、ウェハーが、その下の実質的に全ての空気を押し出す。ウェハーがウェハーテーブル上に配される時のウェハーの上面及び下面の間の大気圧の差が、大気圧のためにウェハーの上面に対して付与される大きい力に帰結し、強く若しくは合理的に強くウェハーテーブル上にウェハーを押し下げる。圧力が表面積の関数であるため、ウェハーのサイズが大きければ大きいほど、ウェハー上に下方に付与される力が大きくなる。これは、ウェハー上の「内在吸引力」又は「自然吸引力」として一般的に呼ばれている。ウェハーテーブル表面が平坦であればあるほど、ウェハーの有限面により規定される上限まで、自然吸引力が大きくなる。しかしながら、そのような吸引力の強さは、ウェハーテーブル表面がどの程度まで平坦であるのかに依存する。幾つかのウェハーテーブルは、さほど平坦ではなく、その表面上に他の溝又は穴を有し、減じられた吸引力に帰結する。ウェハーテーブルが、各ダイの検査過程において短い距離に亘って繰り返し加速され、高い真空力が、たびたび、ウェハーテーブル表面にウェハーテーブルの下面にウェハーテーブルを介して付与され、ウェハーが、できるだけ平坦に維持され、また検査過程で動かないことが確保される；これは、そのような自然吸引力の存在に関わらない。
様々な種類のウェハーテーブル構造が、ウェハー又はフィルムフレーム検査オペレーション過程でウェハー又はフィルムフレームをしっかりと保持し、検査オペレーション過程において共通面に最大数のダイを確実に維持する試みにおいて開発されている。しかしながら、ウェハーハンドリングシステムが、以下に記述の１以上の問題もなく、ウェハー及びフィルムフレーム上に実装された切断されたウェハーの両方をハンドルすることを許容する一つの設計が存在しない。各タイプの既存の設計及びこれらの関連の問題について簡単に記述をする。
幾つかのタイプのウェハーチャックが、現在において用いられてきており若しくは用いられている。過去においては、ウェハーが小さく（例えば、４、６、又は８インチ）、また（特に、その全体の表面積との関係において、例えば、ウェハー表面積に標準化されたウェハー厚み基準で）著しく厚く、各ダイサイズが大きかった。今日のウェハーサイズは、各々、典型的には１２又は１６インチであり、これらの処理されたウェハーの厚みが、これらの増加するサイズとの関係で減少し（例えば、薄板化／裏面研磨／裏面ラッピングの前の１２インチウェハーについて０．７０〜１．０ｍｍの厚み、薄板化／裏面ラッピング後の５０〜１５０μｍが一般的である）、またダイのサイズが設定される（例えば、０．５〜１．０平方ｍｍ）。標準的なウェハーサイズが、時間をかけて更に増加することが予想される。加えて、スリムに構築されたエレクトロニクス装置（例えば、フラットスクリーンテレビジョン、携帯電話、ノートブック・コンピューター、タブレット・コンピューター等）内に適合される薄いダイ／薄いコンポーネントについてのエレクトロニクス及び携帯電話製造業者の高まる需要及び要求に応じ、より一層に薄いウェハーが毎年に処理されることも予想される。これから説明のように、これらの要因が、ウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするウェハーテーブルの現在の設計の高まる欠陥に貢献する。
歴史的には、また現在においても、多くのウェハーチャックが、鋼といった金属から構成される。そのような金属製ウェハーチャックには、通常は中央の場所から放射する直線の溝により交差される円形の溝である溝に網が嵌め込まれる。ウェハーテーブル表面に対するウェハーのしっかりした保持を促進するため、そのような溝を通じて、真空力が、ウェハーテーブル表面に接触するウェハーの裏面に適用できる。多くのウェハーテーブル設計においては、そのような溝が、サイズが増加する同心円状に配列される。ウェハーサイズに依存し、ウェハーがウェハーテーブル表面上に配される時に１以上の溝がウェハーにより被覆される。真空がウェハーにより被覆された溝を通じて活性化され、ウェハー検査オペレーションといった処理オペレーション過程においてウェハーを押し下げる。検査の後、真空が非活性化され、突き出しピンがウェハーテーブル表面から離れるようにウェハーを持ち上げるべく配備され、ウェハーがエンド・エフェクタにより取り出され若しくは取り外される。金属製のウェハーテーブル表面の中心から放射状に延びる直線の溝があるため、真空が解除されると、ウェハーの裏面への真空力の付与に関連した残留の吸引力が速やかに消散される。厚いウェハーは、壊すことなく（もしあれば、任意の残留の吸引力に反して）ウェハーを持ち上げる突き出しピンを介して付与される顕著な力の付与に対してより従順である。
上述のように、ますます今日製造のウェハーが昔よりもより薄く若しくはかなり薄く（例えば、現在のウェハー厚が、５０μｍ程度に薄い）、また、その上の各ダイも、昔よりもサイズがますます小さい（例えば、０．５平方ｍｍ）。科学技術の前進が、より小さいダイサイズ及び薄いダイに帰結し、これが、既存のウェハーテーブル設計によるウェハーのハンドリングに問題を提示している。頻繁に、非常に小さいサイズ及び／又は非常に薄いダイを有する裏面ラッピングされた／薄板化された若しくは切断されたウェハー（以降、単に「切断されたウェハー」）が、処理のためにフィルムフレーム上に実装される。従来の金属製のウェハーテーブルは、多くの理由のため、その上に実装される切断されたウェハーを有するフィルムフレームとの使用には適切ではない。
ダイの検査が非常に高い倍率を伴うことを踏まえれば、倍率が高くなればなるほど、正確な検査のために許容される焦点深度の幅、範囲、分散又は許容誤差が狭くなる。同一面にないダイが、画像取得装置の焦点深度外になりやすい。上述のように、ウェハー検査用の近代の画像取得装置の焦点深度は、倍率に依存して、典型的には２０〜７０μｍの範囲におよび、若しくはより小さい。ウェハーテーブル表面上の溝の存在が、そのようなシステム上の（小さいダイサイズの）フィルムフレーム上に実装された切断されたウェハーの検査過程で特に問題を提示する。
溝の存在が、ウェハーテーブル表面上に適切又は一様に座していない小さいダイサイズの切断されたウェハーに帰結する。より端的には、溝がある（多くの溝があり得る）領域において、フィルムフレームのフィルムが、僅かに溝内に垂れ下がり、光学的検査オペレーションに重要である、全ダイに亘る集合的又は共通の平坦性を欠いた全体のウェハー表面に帰結する。この平坦性の欠落が、切断されたウェハーの小さい又は非常に小さいダイにとって、より顕著になる。そのうえ、溝の存在が、共通のダイ検査面に関してある角度にダイが変位することを生じさせ、１以上の異なる及び低い面に下降及び座することを生じさせる。更には、溝内に下がった傾斜したダイ上への光照明が画像取得装置から離れるように光を反射させ、傾斜したダイに対応する画像の取得が、ダイ上の関心の１以上の領域の正確な詳細及び／又は特徴を含まず若しくは伝達しない。これが、検査過程で取得された画像の品質に不利に影響し、不正確な検査結果に繋がり得る。
幾つかの従来のアプローチが上述の問題を解決することを試みている。例えば、一つのアプローチにおいては、金属製のウェハーテーブルサポートが、溝の網を含む。平坦な金属板が溝の網の頂部上に配置される。金属板が、多くの小さい若しくは非常に小さい真空穴を含み、真空が穿孔を通じてウェハー又は切断されたウェハーに適用されることが許容される。検討下のウェハーサイズに依存して、適切なパターン又は数の対応の溝が有効化される。多数の小さい又は非常に小さい真空穴は、ダイが一括して同一検査面に維持される見込みを高めるが、時間と共により小さいダイサイズ及びより薄いダイ厚に帰結する継続した科学技術の発展のため、集合的なダイの平坦性の問題が有効又は完全には除去されていない。そのような設計は、また、異なるウェハーサイズに対応する３つ揃いの突き出しピンの多数のセット、つまり、ウェハーテーブルが支持することができる多数の標準のウェハーサイズに対応する３つの突き出しピンの多数の異なるセットを含む。突き出しピン用の多数の穴の存在も、上述したものと類似の理由から、フィルムフレーム上に支持されたダイの検査時、集合のダイの平坦性の問題を提示し、またかなりの可能性として悪化させる。
ある製造業者がウェハーテーブル変換キットを用い、ウェハー全体のハンドリングのために溝を有する金属性のウェハーテーブルが用いられ、多くの小さい開口を有する金属性のウェハーテーブルカバーが、フィルムフレームのハンドリングのために用いられる。一つのウェハーテーブルのタイプから別のものへの変換及び変換後のウェハーテーブルの較正に時間が消費され、また手動で行われる事実のために、不幸にも、変換キットは、検査システム中断時間を要求する。そのような中断が、平坦システムスループットに不利に影響し（例えば、順序又は一緒に考えられるウェハー及びフィルムフレーム検査オペレーションの両方の全体又は平均スループット）、従って、ウェハーテーブル変換キットを要求する検査システムが望ましくない。
米国特許第６，５１３，７９６号に記載のものといった他のウェハーテーブル設計が、ウェハー又はフィルムフレームが処理されるか否かに基づいて、異なる中央ウェハーテーブルインサートを許容するウェハーテーブル容器を包含する。ウェハー検査のため、インサートが、典型的には、真空の作動のための真空穴を有する環状リングを有する金属板である。フィルムフレームのため、インサートが、真空作動のための多数の微細穴を有する金属板であり、これが、依然として、上述の集合のダイの非平坦性を生じさせる。
米国特許出願公開第２００７／００６３４５３号に開示のものといった他のウェハーテーブル設計は、薄いフィルム材料から成る環状リングにより固有領域が規定された多孔性材料から成るプレートタイプのインサートを有するウェハーテーブルレセプタクルを利用する。典型的には、そのようなウェハーテーブル設計が組み立てにおいて複雑であり、微細及び複雑な製造工程を包含し、従って、困難であり、時間を消費し、若しくは製造に費用がかかる。更には、そのような設計が、金属製の環状リングを用い、ウェハーサイズに応じてウェハーテーブル表面に亘る局部的な真空力の制御を促進する。金属製の環状リングが、不必要に長い平坦化時間を要求し、若しくはウェハーテーブル表面を平坦化する時、ウェハーテーブル表面を研磨するために用いられる研磨装置を損傷する。更には、ウェハーテーブル表面に亘る材料の研磨特性の差異のため、金属製のリングが非平坦性を高め、従って、金属製の環状リングが、近代の光学的検査工程（例えば、特に、フィルム上に実装された切断されたウェハー）にとって適切ではない。
不幸にも、従来のウェハーテーブル設計は、より小さいウェハーダイサイズ及び／又は進歩的に減少するウェハー厚を継続して生じさせる科学技術の進歩に照らして、ウェハーテーブル表面の不十分な平坦均一性の結果から、（ａ）不必要な構造的な複雑さ、（ｂ）製作するのに困難、高価、又は時間を消費する、及び／又は（ｃ）様々なタイプのウェハー処理オペレーション（例えば、ダイ検査オペレーション、特には、ダイがフィルムフレームにより支持される時）に不適切である。ウェハーテーブルにウェハーと切断されたウェハーの両方を取り扱い、１以上の前述の問題又は欠点を克服することを可能にするウェハーテーブル構造及び関連のウェハーテーブル製造技術の要求が明らかに存在する。
本開示の一側面においては、単一のウェハーテーブル構造が、ウェハー及びウェハー又はこの部分が実装されるフィルムフレームの両方をハンドリングすることに適するウェハーテーブル表面を提供する。
ウェハーテーブル構造は、露出した上面、内面、及び内面に一体的に形成された若しくは取り付けられたコンパートメントのセットの第１セットを備えるベーストレイであって、ベーストレイが、適用された負の圧力に応じてガス又は流体不浸透性である少なくとも一種類の材料で形成される、ベーストレイ；
ベーストレイコンパートメントのセット内に配置された少なくとも一種類のコンパートメント材料であって、少なくとも一種類のコンパートメント材料が、コンパートメントのセットに適合可能であり、適用された真空力に応じてガス又は流体浸透性であるコンパートメントのセットにおいて硬化されたコンパートメント材料を提供するように硬化可能であり、露出した上面の第２セットを提供する、少なくとも一種類のコンパートメント材料；及び
ベーストレイの内面に形成された開口のセットであって、これにより、硬化されたコンパートメント材料が負の圧力又は正の圧力に晒され得る、開口のセットを備え、（ａ）ベーストレイの露出した上面の第１セット及び（ｂ）硬化したコンパートメント材料の露出した上面の第２セットが、共通の機械加工工程により同時に機械加工可能であり、ウェハー及びフィルムフレームを支持するための平坦なウェハーテーブル表面（例えば、ウェハーテーブル表面に亘る＋／−１００μｍ以下の平坦均一性を呈する超平坦面）を提供する。ベーストレイ及び硬化されたコンパートメント材料の少なくとも一つがセラミックベースの材料を含む。
ベーストレイの露出した上面の第１セットが共通の機械加工工程により平坦化される速度と、硬化されたコンパートメント材料の露出した上面の第２セットが共通の機械加工工程により平坦化される速度が実質的に同一である（例えば、＋／−５〜２０％内、又は＋／−１０％）。
コンパートメントのセットが複数のコンパートメントを含み、ウェハーテーブル構造が、複数のコンパートメント内の個別のコンパートメントをお互いに分離するリッジのセットを更に含む。ベーストレイの露出した上面の第１セットが、リッジのセットの露出した上面を含む。ベーストレイ及びリッジのセット内の各リッジが同一又は異なる材料から形成され得る。ベーストレイ内面が複数の内側底面を含む。リッジのセット内の各リッジがベーストレイの内側底面の境界を成し、リッジのセット内の各リッジが、異なるベーストレイの内側底面をお互いに区分し、コンパートメントのセットを規定する。リッジのセット内の各リッジ及びコンパートメントのセット内の各コンパートメントの寸法が、標準ウェハーサイズ及び／又は標準フィルムフレームサイズに相関される態様において設定される。
一実施形態においては、コンパートメントのセットが、対応の開口の第１セットに露出した第１量の硬化されたコンパートメント材料を含む第１コンパートメント；及び
対応の開口の第２セットに露出した第２量のコンパートメント材料を含む第２コンパートメントを含み、開口の第２セットが開口の第１セットとは異なる。リッジのセット内の第１リッジが、第１コンパートメントを周囲し、第２コンパートメントから第１コンパートメントを分離する。負の圧力が開口の第１セットに適用され、第１標準径を有する第１ウェハー又は第１フィルムフレームを平坦ウェハーテーブル表面にしっかりと保持し、負の圧力が開口の第１セット及び開口の第２セットに適用され、第１標準径よりも大きい第２標準径を有する第２ウェハー又は第２フィルムフレームを平坦ウェハーテーブル表面にしっかりと保持することができる。
コンパートメントのセットは、対応の開口の第３セットに露出した第３量の硬化されたコンパートメント材料を含む第３コンパートメントも含み、開口の第３セットが、開口の第１セット及び開口の第２セットの各々とは異なる。リッジのセット内の第２リッジが第２コンパートメントを周囲し、第３コンパートメントから第２コンパートメントを分離する。負の圧力が開口の第１セット、開口の第２セット、開口の第３セットに適用され、第１及び第２標準径の各々よりも大きい第３標準径を有する第３ウェハー又は第３フィルムフレームを平坦ウェハーテーブル表面にしっかりと保持することができる。
ウェハーテーブル構造が、多数の標準サイズのウェハーをハンドリングするために突き出しピンの単一セットがこれを介して移動する突き出しピンガイド部材の単一のセットも含み得る。
本開示の別側面においては、ウェハー及びウェハー又はこの部分が実装されるフィルムフレームの両方をハンドリングすることに適する単一のウェハーテーブル表面を提供するウェハーテーブル構造の製造方法が提供され、当該方法が：
露出した上面、内面、内面に一体的に形成された若しくは取り付けられたコンパートメントのセット、及び内面に形成された少なくとも一つの開口のセットの第１セットを有し、ベーストレイが、適用された負の圧力に応じてガス又は流体不浸透性である少なくとも一種類の材料で形成される、ベーストレイを提供すること；
ベーストレイコンパートメントのセット内に少なくとも一種類のコンパートメント材料を配置することにして、少なくとも一種類のコンパートメント材料がコンパートメントのセットに適合可能である；
少なくとも一種類のコンパートメント材料を硬化し、適用された負の圧力又は正の圧力に応じてガス又は流体浸透性である、コンパートメントのセットに硬化されたコンパートメント材料を提供し、露出した上面の第２セットを提供すること；及び
共通の機械加工工程により露出した上面の第１セット及び露出した上面の第２セットを同時に機械加工し、ウェハー及びウェハー又はこの部分が実装されるフィルムフレームを支持するためのウェハーテーブル表面を提供することを含む。そのような機械加工の過程で、共通の機械加工工程により、ベーストレイの露出した上面の第１セットが平坦化される速度と、硬化されたコンパートメント材料の露出した上面の第２セットが平坦化される速度が実質的に同一である。
図１Ａは、ウェハー及び／又はフィルムフレームのハンドリングシステムの部分を示す概略図であり、本開示の実施形態に係るウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするための単一の多孔性ウェハーテーブル構造を提供する。 図１Ｂは、ウェハー及び／又はフィルムフレームのハンドリングシステムの部分を示す概略図であり、本開示の実施形態に係るウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするための単一の多孔性ウェハーテーブル構造を提供する。 図２Ａは、本開示の実施形態に係る、セラミックベースの非多孔性材といった、非多孔性材を含むウェハーテーブルベーストレイの斜視図である。 図２Ｂは、ラインＡ−Ａ’における図２Ａのベーストレイの断面斜視図である。 図３Ａは、図２Ａのベーストレイの斜視図であり、その中に、セラミックベース多孔性材といった、成形可能、形成可能、適合可能又は流動可能な多孔性材が配されている。 図３Ｂは、ラインＢ−Ｂ’における図３Ａに対応する成形可能、形成可能、適合可能又は流動可能な多孔性セラミックベース材料を支持するベーストレイの斜視断面図である。 図３Ｃは、図３Ａ及び３Ｂに対応する硬化された多孔性セラミック材料を支持するベーストレイに対応する平坦化工程後の真空チャック構造の断面図である。 図３Ｄは、本開示の実施形態により生産又は製造された真空チャック構造の断面図であり、図３Ｃに対応し、また平坦な真空チャック表面でウェハー又はフィルムフレームを支持する。 図３Ｅは、本開示の実施形態に係る真空チャック構造上に置かれた第１標準径（例えば、８インチ）を有する代表例の第１ウェハーの斜視図である。 図３Ｆは、本開示の実施形態に係る真空チャック構造上に置かれた第２標準径（例えば、１２インチ）を有する代表例の第２ウェハーの斜視図である。 図３Ｇは、本開示の実施形態に係る真空チャック構造上に置かれた第３標準径（例えば、１６インチ）を有する代表例の第３ウェハーの斜視図である。 図４Ａは、突き出しピンガイド部材のセットを含む、本開示の別の実施形態に係るセラミックベースの真空チャックベーストレイの斜視図である。 図４Ｂは、ラインＣ−Ｃ’における図４Ａのセラミックベースの真空チャックベーストレイの断面図である。 図５Ａは、図２Ａ及び２Ｂのベーストレイの斜視図であり、この中に、成形可能、形成可能、適合可能又は流動可能な多孔性セラミックベース材料が配されている。 図５Ｂは、ラインＤ−Ｄ’における図５Ａに対応する成形可能、形成可能、適合可能又は流動可能な多孔性のセラミックベースの材料を支持するベーストレイの断面斜視図である。 図６は、本開示の実施形態に係る真空チャック構造の製造のための代表の工程のフロー図である。 図７は、本開示の実施形態に係る真空チャック構造の断面図であり、平坦化工程の完了の前のベーストレイの区画容積を少し超える成形可能な多孔性セラミックベース材料の初期の量を図示する。
本開示においては、付与の要素の図示又は特定図における特定の要素番号の検討又は使用若しくは対応の記述材料におけるそこへの参照が、同一、均等、又は類似の別図において識別された要素又は要素番号若しくはそれに関連した記述材料を指標し得る。図面又は関連の文章における「／」の使用が、逆のことが示されない限り「及び／又は」を意味するものと理解される。本明細書の特定の数値又は数値範囲の掲載が、適切な数値又は数値範囲（例えば、＋／−２０％、＋／−１０％、又は＋／−５％内）を含み、若しくは掲載であるものと理解される。同様に、均等、本質的に均等、又はおよそ均等の記述が、実質的に等しいものを意味し、また実質的又はおよそ等しい（例えば、＋／−２０％、＋／−１０％、又は＋／−５％内に等しい）ものも意味するものと理解される。
本明細書で用いられるように、既知の数学的な定義（例えば、Peter J. Eccles、ケンブリッジ大学プレス(1998)の数学的論法への招待：数値、セット、及び関数「第１１章：有限セットの適切さ」（例えば、１４０ページに示される）に対する態様で）に準じて、用語「セット」が、少なくとも一つの濃度（cardinality）を数学的に表わす無ではない有限の要素の組織に対応し、若しくはそのように規定される（つまり、本明細書で規定されるセットは、ユニット、シングレット、又は単一の要素のセット、又は多数の要素のセットに対応し得る）。一般的には、セットの要素が、システム、機器、装置、構造、対象物、工程、物理パラメーター、又は検討下のセットの種類に依存する値を含む、若しくはそれらであり得る。
簡潔さのため及び理解を助ける目的で、本明細書で用いられる「ウェハー」が、光学的検査工程及び／又は他の処理オペレーションのセットが望まれる若しくは要求される１以上の平坦な表面積を有するウェハー全体、ウェハー部分、又は他の種類の対象物又はコンポーネント（例えば、ソーラーセル）の全体又は部分を含意し得る。後続の明細書における用語「フィルムフレーム」が、概して、当業者により理解される態様においてウェハーが実装又は接着される、例えば、フィルムフレーム表面積に亘って配された又は延ばされた薄層又はフィルム材料により、ウェハー、薄化された又は裏面研削されたウェハー、又は切断されたウェハーを支持又はサポートするべく構成されたサポート部材又はフレームを意味する。
加えて、本明細書において使用の用語「ウェハーテーブル」が、ウェハー検査工程又はフィルムフレーム検査工程過程において、各々、ウェハー又はフィルムフレームを保持するための機器を含み、ここでは、用語「ウェハーテーブル」が、当業者によって、ウェハーチャック、真空テーブル、又は真空チャックに対応し、若しくはこれと均等、実質的に均等、若しくは類似するものと理解される。本明細書において使用の「非多孔質材」は、少なくとも実質的又は本質的に空気又は液体といった流体の流れ又は移動に不浸透性であり、これに対応して、（例えば、ほぼ０．５０〜１．０ｍｍよりも大きい深さといった非多孔質材の所与の厚み又は深さに対して）そこを通じた負の圧力又は真空力の連絡又は移動に少なくとも実質的又は本質的に不浸透性である材料を意味することが意図される。類似して、本明細書において使用の「多孔質材」は、少なくとも適度に／実質的又は本質的に空気又は液体といった流体の流れ又は移動に浸透性であり、これに対応して、（例えば、ほぼ０．５０〜１．０ｍｍよりも大きい深さといった多孔質材の所与の厚み又は深さに対して）そこを通じた負の圧力又は真空力の連絡又は移動に少なくとも適度に／実質的又は本質的に浸透性である材料を意味することが意図される。最後に、用語「セラミックベース」及び「セラミックベースの材料」が、本開示の内容において、その物質構造及び特性において完全又は実質的にセラミックである材料を意味することが意図される。
本開示に係る実施形態が、ウェハー及びフィルムフレームのハンドリングのためのシステム及び工程に関し、検査（例えば光学式検査）工程といった、正確な高スループットウェハー及び／又はフィルムフレームハンドリング又は処理オペレーションを促進又は作動させる態様においてウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするべく構成された単一又は統合された多孔性ウェハーテーブルを提供する。
本開示の実施形態に係る高度に平坦又は超平坦なウェハーテーブルが、以降に更に説明のように検査システムといった、ウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするためのシステムの一部に関連して用いられ、又はその一部を形成し得る。本開示に係る多数の実施形態が、ウェハー及びフィルムフレーム検査システム（例えば、光学的検査システム）に関するが、本開示に係る幾つかの実施形態が、加えて又は代替として、テストオペレーションといった、他の種類のウェハー及び／又はフィルムフレームのフロントエンド又はバックエンド処理オペレーションをサポート又は実行するように構成される。本開示に係る代表の実施形態の側面が、簡潔さ及び理解を助ける目的のため検査システムを主に強調して以降詳細に記述される。
ウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするために構成された単一又は統合されたウェハーテーブルにより、本開示の実施形態が、ウェハーテーブル転換キットの必要を除去し、又はそれを排除し、従って、ウェハー・トゥ・フィルムフレーム及びフィルムフレーム・トゥ・ウェハーの転換キットの切り替え及びオペレーションの較正に起因する生産中断時間を除去し、平均検査工程スループットが高められる。本開示の実施形態に係る単一又は統合されたウェハーテーブルは、高い又は非常に高い程度の平坦性を有し、高度に平坦なウェハーテーブル表面の垂直軸に平行な方向に沿うそこからの最小又は無視可能な偏向でウェハーダイ表面を共通検査面に維持するウェハーテーブル表面を提供し、高精度の検査オペレーションを促進又は作動する。
代表のシステム構成及びシステム要素の側面
図１Ａは、本開示の代表の実施形態に係るウェハー１０及びフィルムフレーム３０をハンドリングするためのシステム２００のブロック図であり、検査システム６００により（例えば、各々、ウェハー検査工程及びフィルムフレーム検査工程といった検査工程過程において）ウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするために構成された高い、非常に高い、又は超高い平坦度（例えば、＋／−２００μｍ内、又は＋／−１００μｍ内、又は＋／−５０μｍ内の平坦性）を呈するウェハーテーブル表面６２２を提供する単一又は統合されたウェハーテーブル６２０に結合可能、これを支持、若しくはこれを有するウェハーテーブルアセンブリー６１０を含む。代表の非限定の実施形態においては、システム２００は、第１ハンドリングサブシステム２５０及び第２ハンドリングサブシステム３００を更に含み、これらが、（ａ）ウェハー１０及びフィルムフレーム３０を検査システム６００へ及びそこから搬送するように構成される。システム２００は、また、本出願が優先権を主張する２０１２年８月３１日に出願された米国特許仮出願６１／６９６，０５１に記載のように、（ｂ）事前検査ハンドリングオペレーションの一部としてウェハー・トゥ・フィルムフレーム回転ミスアライメント訂正及びウェハー非平坦性修正を提供し、及び／又は、検査後のハンドリングオペレーションの一部として横方向の変位を阻止するように構成された要素といった追加の要素も含むことができる。
ウェハー１０又はフィルムフレーム３０が所定時間で検査されているか否かに依存して、システム２００が、各々、ウェハーカセットといったウェハー源２１０、又はフィルムフレームカセットといったフィルムフレーム源２３０を含む。同様に、もしウェハー１０が検査されるならば、システム２００が、ウェハーカセット（又は処理ステーションの一部）といったウェハー目的地２２０を含み；もしフィルムフレーム３０が検査されるならば、システム２００が、フィルムフレーム目的地２４０を含み、これが、フィルムフレームカセット（又は処理システムの一部）であり得る。ウェハー源２１０及びウェハー目的地２２０が、対応又は同一の場所又は構造（例えば、同一のウェハーカセット）であり得る。同様に、フィルムフレーム源２２０及びフィルムフレーム目的地２４０が、対応又は同一の場所又は構造（例えば、同一のフィルムフレームカセット）であり得る。
検討される代表の形態においては、システム２００は、ウェハー１０が検査システム６００に関して適切にアライメントされるようにウェハー１０の初期又は事前検査のアライメントを確立するべく構成されたウェハープリアライメント又はアライメントステーション４００；フィルムフレーム３０上に実装されたウェハー１０に対応する回転ミスアライメント方向及び回転ミスアライメント大きさ（回転ミスアライメント角度により示され得る）を受け取り、検索し、決定し、又は測定するべく構成された回転ミスアライメント検査システム５００；及び（例えば、記憶されたプログラム指令の実行により）システムオペレーションの側面を管理又は制御するべく構成された制御ユニット１０００も含み、以下に更に詳述される。制御ユニット１０００は、コンピューターシステム又はコンピューティング装置を含み若しくはそれであり、処理ユニット（例えば、マイクロプロセッサー又はマイクロコントローラー）、メモリー（例えば、固定及び／又はリムーバブルなランダムアクセスメモリー（ＲＡＭ）及びリード・オンリー・メモリー（ＲＯＭ）を含む）、通信リソース（例えば、標準信号伝送及び／又はネットワークインターフェイス）、データ・ストレージ・リソース（例えば、ハードディスクドライブ、光学ディスクドライブ、又は同種のもの）、及び表示装置（例えば、フラットパネルディスプレイスクリーン）を含む。
多数の実施形態においては、システム２００は、追加として、サポート構造、ベース、下部フレーム、又は下部構造２０２を含み、これが、少なくとも第２ハンドリングサブシステム３００に結合され、若しくはそれをサポート又は支持するように構成され、第２ハンドリングサブシステム３００が、第１ハンドリングサブシステム２５０及び処理システム６００に動作可能にインターフェース接続し、ウェハー又はフィルムフレームハンドリングオペレーションを促進する。幾つかの実施形態においては、サポート構造２０２が、第１ハンドリングサブシステム２５０、第２ハンドリングサブシステム３００、ウェハーアライメントステーション４００、ミスアライメント検査システム５００、及び検査システム６００のそれぞれをサポート若しくは支持する。
図１Ｂは、ウェハー１０及びフィルムフレーム３０をハンドリングするためのシステム２００のブロック図であり、検査システム６００による検査過程でウェハー及びフィルムフレームの両方をハンドリングするために構成された単一又は統合されたウェハーテーブル６２０を提供し、更に、本開示の別の実施形態に係る第１ハンドリングサブシステム２５０及び第２ハンドリングサブシステム３００を提供する。この実施形態においては、ウェハー源２１０及びウェハー目的地２３０が同一であり、例えば、同一のウェハーカセットである；フィルムフレーム源２２０及びフィルムフレーム目的地２４０が同一であり、例えば、同一のフィルムフレームカセットである。そのような実施形態が、より小さい又は顕著に減じられた空間底面積を提供し、コンパクトで空間利用効率が高いシステム２００に帰結する。
更なる代表の実施形態においては、検査システム６００が、ウェハー１０及びフィルムフレーム３０の２次元及び／又は３次元の光学的検査オペレーションを実行するように構成される。光学的検査システム６００が、多数の照明源、画像を取得し、これに対応する画像データセットを生成するべく構成された画像取得装置（例えば、カメラ）と、当業者により理解される態様において、ウェハー１０に向かって光を向け、特定の画像取得装置に向かってウェハー表面で反射された光を検出し、ウェハー表面に入射する及び／又はそこから反射される光を反射又は光学的に作用する（例えば、フィルタリング、フォーカシング、コリメーティング）ことの幾つか又は各々のために構成された光学的要素を含むことができる。光学的検査システム６００は、記憶されたプログラム指令の実行、及び検査結果の生成により画像データセットを分析するために、処理ユニット及びメモリーも含み、若しくはこれらと通信可能に構成される。上述のように、システム６００が、別の種類の処理システムを含み、若しくはそれに代替され得る。
図１Ｃを更に参照すると、ウェハーテーブルアセンブリー６１０により支持されたウェハーテーブル６２０が、高度に平坦又は超平坦な外部又は露出したウェハーテーブル表面６２２を提供し、この上へ又はこの上にフィルムフレーム３０と同様にウェハー１０が配置され、若しくは位置づけられ、しっかりと維持又は保持され、ウェハーテーブル表面６２２の中心点、中心、重心、およその中心点、中心、又は重心に垂直に定義される高度に平坦なウェハーテーブル表面６２２の垂直軸Ｚwtに平行な方向に沿って、最小又は無視可能な平坦な偏向でウェハーダイ１２が一括して共通検査面に維持される。ウェハーテーブルアセンブリー６１０は、面を規定する又はそれに対応する２つの横の空間軸、例えば、各々、ウェハーテーブルｘ及びｙ軸Ｘvt及びＹvt（各々が軸Ｚvtを横切る）に沿って、ウェハーテーブル６２０を、また従って、これにより支持又はしっかりと保持された任意のウェハー１０又はフィルムフレーム３０を選択的及び制御可能に変位するように構成される。
ウェハーテーブル６２０は、（ａ）ウェハーの上面、上側面、又は露出面及びウェハーの下面又は裏面に対して作用する大気圧の圧力差に起因して存在する固有又は自然の吸引力と、（ｂ）ウェハーの裏面１０への真空力又は負の圧力の選択的に制御された適用との組み合わせにより、ウェハーテーブル表面６２２上又はそれに対してウェハー１０又はフィルムフレーム３０を選択的及びしっかりと維持又は保持するように構成される。ウェハーテーブル６２０は、ウェハーテーブル表面６２２とウェハー１０又はフィルムフレーム３０の裏面の間のインターフェースへ、例えば、短い／一時的、例えば、ほぼ０．５０秒、又は０．２５〜０．７５秒の正の空気圧の噴射、例えば、エアーパージ又は一吹きの空気を適用することにより、ウェハー１０又はフィルムフレーム３０に正の空気圧を適用又は配送するように構成され、適用された真空力の中断又は停止に続いて、ウェハーテーブル表面６２２からのウェハー１０又はフィルムフレーム３０に作用する真空吸引の解放を促進する。
様々な実施形態においては、ウェハーテーブルアセンブリー６１０は、ウェハーテーブル表面６２２からウェハー１０又はフィルムフレーム３０を垂直に変位するために、ウェハーテーブルｚ軸Ｚwtに平行又はそれに沿って、ウェハーテーブル表面６２２に対して垂直又は垂直方向に選択的及び制御可能に変位される突き出しピンのセット６１２を含む。多数の実施形態においては、ウェハーテーブル６２０は、８、１２、及び１６インチウェハー１０といった、多数の標準サイズのウェハー１０をハンドリングするために構成された単一の突き出しピンのセット６１２（例えば、３つの突き出しピン）を含む。ウェハーテーブル６２０は、ウェハーテーブル６２０上での単一の突き出しピンのセット６１２のポジショニング（例えば、外周に幾分近く、概して近く、近く、又は近接して８インチウェハーを支持するように位置づけられる）及びウェハー及びフィルムフレームが本開示の実施形態に応じてハンドリングされる態様のため、追加の突き出しピンのセット６１２（例えば、追加の３つの突き出しピンのセット）を含む必要がなく、また省略又は排除することができる。以下で更に詳述のように、幾つかの実施形態においては、ウェハーテーブル６２０への又はそこからのウェハー１０の搬送のために突き出しピン６１２が用いられ、ウェハーテーブル６２０への及び／又はそこからのフィルムフレーム３０の搬送が、突き出しピン６１２の使用を伴う必要がなく、また省略又は完全に排除する。
多数の実施形態においては、ウェハーテーブル６２０が、図２Ａ〜図７を参照して以降に記述されるウェハーテーブル構造に同一、本質的に同一、実質的に同一、又は類似する構造を含む又は有する。
ウェハー及びフィルムフレームのハンドリングのための代表の統合されたウェハーテーブル構造の側面
本開示に係る実施形態においては、ウェハーテーブル構造が、ウェハーテーブル構造の内部又はベース表面（例えば、ベーストレイの底）に一体的に形成された若しくは取り付けられた多数のリッジ（突出、リッジ、立ち上げられた細片（raised strips）、仕切り部、波部（corrugations）、しわ（creases）、又は折り部（folds）を含むことができ、若しくはそれであり得る）を有するベーストレイ（若しくはベース容器、フレーム、フォーム、貯蔵部、又は貯蔵構造）を含むことができる。様々な実施形態においては、ベーストレイが、セラミックベースの材料といった少なくとも一種類の非多孔質材を含むことができる。ベーストレイは、真空力（群）の適用に応じて、ガス又は流体（例えば、空気）に不浸透性、又は本質的にガス又は流体に不浸透性であることが意図される。つまり、非多孔質材は、適用された真空力（群）に応じて、そこを通じるガス、流体、又は真空力（群）の通路に不浸透又は本質的に不浸透であることが意図される。非多孔質材は、更に、慣例の研磨ホイールといった通常の技術及び設備により、簡単又は迅速に機械加工可能、研削可能又は研磨可能であることが意図される。多数の実施形態においては、非多孔質材が、磁器（porcelain）を含む若しくはそれであり得る。
リッジが、ベーストレイに多数のコンパートメント、チャンバー、セル構造、開口領域、又はリセスを規定し、そのように分割し、又は分離し、その中に少なくとも一種類の成形可能、形成可能、適合可能、又は流動可能な多孔質材が導入され、設けられ、配され、又は注がれて硬化、凝固、又は固められる。多孔質材が、更に、ベーストレイコンパートメントにしっかりと結合（例えば、固める、凝固又は硬化工程に関連の化学結合）又は接着され、固められた多孔質材が、コンパートメント内にしっかりと保持され、又はそこに結合される。追加若しくは代替として、リッジは、コンパートメント内で固められ若しくは硬化される時に多孔質材が、リッジの構造によりその中に固定又は保持されるような態様で形状付けられる。リッジは、望まれる又は要求されるように、曲がった及び／又は張り出す部分を含み、若しくは他の適切な形状を取るように構成され得る。
コンパートメント内の多孔質材は、（例えば、それが硬化若しくは固められ、真空力（群）がそこに適用された後）ガス、流体、又は真空力（群）がそこを通じて連絡又は伝達されるように、そこへの真空力（群）の適用に応じてガス又は流体（例えば、空気）の通路を許容することが意図される。その上、多孔質材は、慣例の研削ホイールといった通常の技術及び設備により、簡単又は迅速に機械加工可能、研削可能、又は研磨可能であることが意図される。
ウェハーテーブル構造について、非多孔性ベーストレイ材料（群）、及び／又はベーストレイコンパートメント内への導入のための多孔質材（群）の選択は、ウェハー１０又はその上に存在するフィルムフレーム３０に対して実行される適用又は工程との関係におけるウェハーテーブル構造の所望又は要求の特性に依存する。例えば、フィルムフレーム３０により支持される大径の切断されたウェハー１０の小さい又は極小のダイ１２の光学的検査は、ウェハーテーブル構造が非常に高度な又は超高度な平坦性の程度を有するウェハーテーブル表面を提供することを要求する。その上、非多孔性ベーストレイ材料（群）及び／又は多孔性コンパートメント材料（群）は、ウェハーテーブル構造が晒される、予期又は意図される種類のウェハー又はフィルムフレーム処理条件に照らしてウェハーテーブル構造が満足するべき化学、電気／磁気、熱、又は音響要求に依存する。
様々な実施形態においては、非多孔性ベーストレイ材料（群）及び多孔性コンパートメント材料（群）が、（例えば、実質的又は本質的に同時に）単一の研削又は研磨機器による少なくとも２つの区別可能又は異なる材料の多数の露出した表面に亘る研削又は研磨を促進又は作動させる材料特性（群）又は品質（群）に基づいて選択される。より端的には、２つ（又は２以上の）区別可能又は異なる非多孔性及び多孔質材の露出面は、標準の機械加工、研削、又は研磨技術に従って動作し、若しくは動作される標準の機械加工、研削、又は研磨機器を伴う単一、共通、又は共有の工程により、同じ又は同一の態様において同時に機械加工され、研削され、又は研磨される。各非多孔性及び多孔質材のそのような機械加工、研削、又は研磨は、研磨ヘッドといった機械加工、研削、又は研磨要素、装置、又はツールに対して、低い、最小若しくは無視可能な損害に帰結する。更には、多数の実施形態においては、非多孔性ベーストレイ材料（群）及び多孔性コンパートメント材料（群）は、非多孔性ベーストレイ材料（群）が機械加工、研削、又は研磨により作用される（例えば、平坦化される）速度と、多孔性コンパートメント材料（群）が機械加工、研削、又は研磨により作用される（例えば、平坦化される）速度が実質的又は本質的に同一であるように選択される。
簡潔及び理解の容易の目的のため、以下に記述のウェハーテーブル構造の代表の実施形態においては、非多孔性ベーストレイ材料が、非多孔性セラミックベース材料を含み、若しくはそれであり、多孔性コンパートメント材料が、多孔性セラミックベース材料を含み、若しくはそれである。当業者は、本開示の実施形態に係るウェハーテーブル構造が、以下に記述の代表の実施形態との関係で提供される材料の種類に限定されないものと理解するだろう。
非常にフラット、高度に平坦、又は超平坦なウェハーテーブル表面の創出が望まれ若しくは要求される時、多孔質材は、当業者により理解される態様において、標準／慣行の処理技術、処理シーケンス及び処理パラメーター（例えば、硬化温度又は温度範囲、及び対応の硬化回数又は時間間隔）に応じて多孔性ウェハーテーブル、ウェハーチャック、真空テーブル、又は真空チャックを形成、製作、又は製造することに適する成形可能な多孔性ベースセラミック材料及び／又は他の化合物を含むことができる。多数の実施形態においては、多孔質材が、CoorsTek (CoorsTek Inc.、 Hillsboro、 OR USA、 503-693-2193)により提供された商業的に入手可能な材料を含み、もしくはそれである。そのような多孔質材が、酸化アルミニウム（Ａ１2Ｏ3）及び炭化ケイ素（ＳｉＣ）といった、１以上の種類のセラミックベース材料を含み、若しくはそれであり、固化後／硬化後にほぼ５〜１００μｍの間（例えば、約５、１０、３０、又は７０μｍ）の細孔サイズを呈し、多孔率がほぼ２０〜８０％（例えば、約３０〜６０％）の範囲にある。多孔性コンパートメント材料（群）の細孔サイズが、当業者により理解されるように、検討される適用（フィルムフレーム３０上の薄い又は非常に薄いウェハー１０の検査）に適する意図又は所望の真空力レベルといった適用要求に基づいて選択され得る。
セラミックベーストレイの部分（例えば、リッジのセット、及び可能性としてベーストレイの縁）及びベーストレイコンパートメントにより支持された硬化された成形可能な多孔性セラミック材料に対応する露出した上面又は外面が、（例えば、統合された又は単一の機械加工又は研削工程により）機械加工され、非常に高度な又は超高度な平坦性又は平坦均一性の程度を呈する共通のウェハーテーブル表面を提供し、これは、例えば、検査過程で、そこからの最小又は無視可能な偏向で、（ウェハーテーブル表面の垂直軸に垂直をなす）共通面に沿って又はその面内にウェハーダイの表面を効果的に配置又は維持する態様において、ウェハー又はフィルムフレームをしっかりと保持するのに適する。
図２Ａは、本開示の実施形態に係る、セラミックベースのベーストレイ１００の斜視図であり、また図２Ｂは、ラインＡ−Ａ’における図２Ａのベーストレイの斜視断面図である。上述のように、様々な実施形態においては、セラミックベースのベーストレイ１００が非多孔性であり、本質的に非多孔性であり、従って、適用された真空力（群）に応答したそこを通じたガス、流体、又は真空力の伝達に関して不浸透又は本質的に不浸透である。つまり、セラミックベースのベーストレイ１００は、そこを通じたガス、流体、又は真空力（群）の連絡又は伝達に関して強い、非常に強い、又は効果的な不可入のバリアーとして機能することが典型的には意図される。
一実施形態においては、ベーストレイ１００が、真空開口２０が配されるところに対する又はそこを周囲する中心又は重心１０４；平坦又は横断の空間の広がり又は領域ＡT；外周部又は縁１０６；複数の内側底面１１０ａ〜ｃ（そこに配された多数の真空開口２０を含むことができる）；及び（環状又は同心配列にある）ベーストレイの中心とその外縁１０６の間に配された１以上のリッジ１２０ａ〜ｂを規定する形状を有する。以下で更に詳述のように、様々な実施形態においては、リッジ１２０ａ〜ｂは、ベーストレイの外縁１０６と同様、標準ウェハー及び／又はフィルムフレームサイズ、形状、及び／又は寸法（例えば、８インチ、１２インチ、及び１６インチのウェハー、及びそのようなウェハーサイズに対応する１以上のフィルムフレームサイズ）に相関される若しくは対応する態様にて大きさが決められ、形状付けられ、及び／又は寸法される。ベーストレイ１００が、少なくとも一つの裏面１５０を更に含み、その主要部分又は全体が、多数の実施形態においては、単一のベーストレイの裏側の平面に配され又は実質的に配される。
幾つかの実施形態においては、垂直ベーストレイ軸ＺTが、ベーストレイの裏面１５０及びベーストレイの内側底面１１０ａ〜ｃに対して垂直又は実質的に垂直であり、ベーストレイの中心又は重心１０４を通じて延びるように規定できる。当業者により理解されるように、垂直ベーストレイ軸ＺTは、この上又はこれに対してウェハー又はフィルムフレームがしっかりと維持又は保持される、意図されるウェハーテーブルの平坦面に対して垂直に規定される。図２Ａ及び２Ｂにおいては、ＺTが、各真空開口２０を二等分するラインＡ−Ａ’に対して垂直である。
各リッジ１２０ａ〜ｂが、ベーストレイ１００の内側の底面１１０ａ〜ｃを境界付け、また各リッジ１２０ａ〜ｂが、異なるベーストレイの内側の底面１１０ａ〜ｃの部分をお互いに輪郭付け、分離し、若しくは仕切り、上述の成形可能、形成可能、適合可能又は流動可能な多孔質材を受け入れ又は支持することができるベーストレイのコンパートメント又は容器１３０ａ〜ｂのセットを規定する。より端的には、図２Ａに図示の実施形態においては、第１リッジ１２０ａが、ベーストレイ１００の第１内側底面１１０ａの上を延在し、又はそれを周囲する（例えば、同心に周囲する）。第１内側底面１１０ａを周囲又は一周する第１リッジ１２０ａにより規定される連続又は概して連続の構造的なリセスが、従って、第１ベーストレイコンパートメント又は容器１３０ａを規定し、これが、その底面として第１内側底面１１０ａを有する。類似の態様において、第１リッジ１２０ａ及び第２リッジ１２０ｂが、ベーストレイ１００の第２内側底面１１０ｂ上を延びる。第２リッジ１２０ｂが、第１リッジ１２０ａを包囲し（例えば、第１及び第２リッジ１２０ａ〜ｂが、お互いに対して同心である）、第１及び第２リッジ１２０ａ〜ｂが、第２の連続又は概して連続のベーストレイコンパートメント又は容器１３０ｂを規定し、これが、その底面として第２内側底面１１０ｂを有する。また同じく、ベーストレイの外縁１０６が、第２リッジ１２０ｂを包囲し（例えば、第２リッジ１２０ｂ及び外縁１０６がお互いに対して同心である）、これらが第３の連続又は概して連続のベーストレイコンパートメント又は容器１３０ｃを規定し、これがその底面として第３の内側ベーストレイ底面１１０ｃを有する。任意の所与のリッジ１２０が、横断リッジ幅、例えば、ほぼ１〜４ｍｍ（例えば、ほぼ３ｍｍ）；及びコンパートメント又は容器１３０の深さを規定する対応のリッジ深さ、例えば、ほぼ３〜６ｍｍ（例えば、ほぼ４ｍｍ）を有する。以下に更に詳述のように、様々な実施形態においては、任意の所与のベーストレイコンパートメント又は容器１３０ａ〜ｃが、標準ウェハー及び／又はフィルムフレームサイズ、形状、及び／又は寸法の空間的な広がり、平坦な表面積、又は直径に相関された若しくは対応する空間的な広がり、平坦な表面積、又は直径を有する。
上述の説明に対する同様又は類似の検討が、代替の実施形態（単一リッジ１２０を有する実施形態；２つのリッジ１２０ａ〜ｂよりも多くのリッジを有する実施形態；及び／又は１以上のリッジ１２０の部分が完全に他方を包囲せず、若しくは１以上の他のリッジ１２０に関して環状／同心ではない（例えば、特定のリッジ１２０の部分が、別のリッジ１２０に関して横断状、放射状、又はこれ以外の態様で配置される時）実施形態が含まれる）の追加又は他の種類のベーストレイコンパートメント又は容器１３０の定義に適用する。様々な形状、サイズ、寸法及び／又はセグメントを呈するリッジ１２０（例えば、リッジ１２０が、楕円形、円形、又は他の種類の幾何学的な輪郭又はパターンに関して配された多数の別個の又は分離されたセグメント又はセクションを含むことができる）が異なる種類のベーストレイコンパートメント又は容器１３０を規定する態様が、当業者により即時に理解されるだろう。
上述に加えて、ベーストレイの外縁１０６が、各リッジ１２０ａ〜ｂと同様に、各々、露出した外縁上面１０８及び露出したリッジ上面１２２ａ〜ｂを含み（ベーストレイの裏面１５０に対する、ベーストレイ１００の上面又は上側の面に対応する）、ウェハーテーブルの平坦面により支持されるウェハー１０又はフィルムフレーム３０に最も近接することが意図される。多数の実施形態においては、ベーストレイの外縁上面１０８とベーストレイの内側底面１１０ａ〜ｃの間の（例えば、ベーストレイの中央切軸ＺTに平行な）垂直距離が、各リッジ上面１２２ａ〜ｂとベーストレイの内側底面１１０ａ〜ｃの間も同様に、ベーストレイコンパートメント深さＤTCを規定する。ベーストレイの外縁上面１０８とベーストレイの裏面１５０の間の垂直距離が、全体のベーストレイ厚みＴOTを規定する。最後に、垂直距離（これに沿って真空開口２０が延びる）が、真空通路深さＤVを規定し、これがＴOTとＤTCの差に等しい。
図３Ａは、本開示の実施形態に係るウェハーテーブル構造５の形成を促進又は実施し、若しくはそれを形成するための基礎を効果的に提供するために、成形可能、形成可能、適合可能、又は流動可能な多孔質材が導入、配され、若しくは提供される図２Ａのベーストレイ１００の斜視図である。図３Ｂは、ラインＢ−Ｂ’における、図３Ａに対応する多孔質材を支持するベーストレイ１００の斜視断面図である。図３Ｃは、図３Ａ及び３Ｂに対応する多孔質材を支持するベーストレイ１００の断面図である。
図３Ａ及び３Ｂにおいては、多孔質材は、検討されるウェハーテーブル構造の製作の段階に依存して、硬化前／セット前若しくは硬化後／セット後の状態にてベーストレイコンパートメント１３０ａ〜ｃ内に存在しているものと理解することができる。更には、硬化後／セット後の状態で検討されるならば、多孔質材及び非多孔性又は真空不浸透セラミックベースのベーストレイ１００が、平坦化前／機械加工前又は平坦化後／機械加工後の状態にあるものと考えられ、ここでも検討されるウェハーテーブル構造の製作の段階に依存する。本開示の実施形態に係る代表のウェハーテーブル構造の製作の工程の段階が、以下に詳細に記述される。
図３Ａ〜３Ｃを参照し、図２Ａ及び２Ｂに示されたベーストレイの実施形態と比較すると、ベーストレイコンパートメント１３０ａ〜ｃへの多孔質材の導入、配置、堆積又は供給と、ベーストレイコンパートメント１３０ａ〜ｃの内部幾何学構造への多孔質材の適合に続いて、第１ベーストレイコンパートメント１３０ａが第１量１４０ａの多孔質材により充填される；第２ベーストレイコンパートメント１３０ｂが第２量１４０ｂの多孔質材により充填される；及び第３ベーストレイコンパートメント１３０ｃが第３量１４０ｃの多孔質材により充填される。類似又は同様の検討が、異なる数及び／又は構成のコンパートメント１３０を有する他のベーストレイの実施形態に適用する。つまり、多孔質材がベーストレイコンパートメント１３０内に導入された後、そのようなコンパートメント１３０の各々が、検討される任意の所与のコンパートメント１３０の寸法又は容積に対応する多孔質材の所定の量１４０で充填される。任意の所与のベーストレイコンパートメント１３０内に導入された多孔質材の初期量１４０が、コンパートメントの容積に等しいか、若しくは超えるべきであり、過剰な多孔質材が、以下に更に詳述のように平坦化工程に関連して機械加工又は研磨により除去される。
コンパートメント１３０内への多孔質材の導入の後、多孔質材の任意の所与の量の一部が、コンパートメント１３０内の多数の真空開口２０に晒される。より端的には、多孔質材の所与の量１４０内において、ベーストレイの内側底面１１０に接触する多孔質材が、対応のベーストレイの内側底面１１０に配され若しくは形成された１以上の真空開口２０に選択的に晒される。例えば、図３Ｂ及び３Ｃに図示の実施形態においてより端的に示されるように、多孔質材の第１量１４０ａが、第１ベーストレイコンパートメント１３０ａの第１内側底面１１０ａ内のベーストレイ１００の中心に配された真空開口２０に晒される。同じく、多孔質材の第２量１４０ｂが、第２ベーストレイコンパートメント１３０ｂの第２内側底面１１０ｂ内に配された真空開口２０に晒される；及び多孔質材の第３量１４０ｃが、第３ベーストレイコンパートメント１３０ｃの第３内側底面１１０ｃ内に配された真空開口２０に晒される。多孔質材の各量１４０ａ〜ｃが対応の真空開口２０に晒されるため、真空力（群）が、多孔質材の各量１４０ａ〜ｃを通じて、ウェハーテーブル構造５の上面に対応する多孔質材の上面へ、選択的に連絡、分配、若しくは伝達される。従って、ウェハーテーブル構造５が特定のサイズ又は形状のウェハー１０又はフィルムフレーム３０を平坦なウェハーテーブル表面上で支持する時、真空力（群）が、以下に更に論述される、ウェハーテーブル平坦面上に配されたウェハー１０又はフィルムフレーム３０により被覆された対応のベーストレイコンパートメントを介して、ウェハー１０又はフィルムフレーム３０の裏面へ選択的に連絡若しくは伝達される。
上述及び以下に更に論述のように、多孔質材の量１４０がベーストレイコンパートメント１３０内に導入された後、各々のそのような量１４０が、（例えば、硬化／ボンディング工程に関して若しくはそれ同時に一括して）コンパートメント１３０を規定する１以上のリッジ１２０の内部の底面１１０及び付随の側面又は側壁に対して固化、凝固、又は硬化、及び結合される。加えて、２つの区別可能又は異なる材料表面に亘る単一の機械加工、研削、又は研磨機器を用いた１以上の慣例の、技術的に単純な、高価ではなく、強靱な機械加工又は研磨技術又は工程により、硬化／ボンディング工程に続いて、ウェハーテーブル構造５の露出した上面（多孔質材の量１４０の露出した上面、露出したリッジ上面１２２、及び露出した外縁上面１０８を含む）が、同時に機械加工、研磨、又は平坦化され得る。更には、単一の機械加工、研削、又は研磨機器の使用が、非常に高度又は超高度な程度の平坦均一性を提示するウェハーテーブル表面を生じさせ、提供し、若しくは規定する。結果として、非常に小さいダイ及び／又は非常に薄いウェハーにとっても、最小又は無視可能なそこからの偏向で、その共通面に上側の又は露出したダイ表面を効果的に維持する態様において、ウェハーテーブル平坦面上に配され、またしっかりと維持又は保持されたウェハー１０又はフィルムフレーム３０により支持されるダイ１２が共通面に維持される。そのようなダイ１２の上面は、従って、高度に平坦なウェハーテーブル表面の垂直軸に平行な方向（例えば、ベーストレイの垂直軸ＺTに対応し、重畳し、若しくは包摂するウェハーテーブル垂直軸Ｚwt）に沿って、その共通面から外れる最小又は無視可能な位置偏向を提示する。本開示に係る多数の実施形態により提供されるウェハーテーブル表面の超高度な平坦性が、ウェハー１０又はウェハー表面に存在するフィルムフレーム１２のダイ１２に実質的に一つの単一面（例えば、検査面）に座することを可能にし、正確な検査及び／又は他の処理を促進する。
図３Ｄは、本開示の実施形態に即して生産又は製造されたウェハーテーブル構造５の断面図であり、図３Ｃに対応し、平坦なウェハーテーブル表面上のウェハー又はフィルムフレームを支持する。ウェハーテーブル構造５が、非常に高度又は超高度な程度の平坦均一性を有するウェハーテーブル平坦面１９０を提供し、真空力（群）によりウェハーテーブル平坦面上にしっかりと維持又は保持される、ウェハー１０又はフィルムフレーム３０により支持されるダイ１２（例えば、非常に小さく及び／又は非常に薄いダイ１２）、装置、又は材料層が、ウェハーテーブル垂直軸Ｚwtに沿う方向（若しくは、同じく、ウェハーテーブル平坦面１９０から離れる方向）においてウェハー又はフィルムフレームの処理面１９２から離れる若しくは外れる最小又は無視可能な位置偏向又は変位でウェハー又はフィルムフレームの処理面１９２（例えば、光学的検査面）に一括して又は共通に維持され、本質的に維持され、若しくは非常に実質的に維持される。代表の実施形態においては、約０．２５〜０．５０平方ｍｍ又はこれよりも大きい平坦面積と、約２５〜５０ミクロン又はこれよりも大きい厚みを有するダイ１２の露出面又は上面が、集合的に、約＋／−１００μｍ未満、若しくは約１０〜９０μｍ未満（例えば、約＋／−２０〜８０μｍ未満、若しくは平均して約５０μｍ未満）のウェハー又はフィルムフレーム処理面１９２からの垂直偏向を提示し得る。非常に小さい又は極小のダイ１２（例えば、約０．２５〜０．５５平方ｍｍ）及び／又は非常薄い又は超薄のダイ１２（例えば、約２５〜７５μｍ又は約５０μｍ厚）が、検査面１９２内に維持され、検査面１９２から外れるそれらの偏向が約２０〜５０μｍ未満である。
先に示したように、特定のベーストレイコンパートメント１３０内の所与の多孔質材の量１４０の最大の横寸法又は径は、多孔質材の量１４０が存在するコンパートメント１３０の最大の平坦空間広がり又は表面積を規定又は制限するリッジ１２０により測られる平坦な空間広がり又は表面積と同様、特定の標準又は予期されるウェハー及び／又はフィルムフレームサイズ、平坦な空間広がり又は表面積、寸法、又は径に相関され、若しくは対応する。より端的には、所与サイズのウェハー１０又はフィルムフレーム３０をウェハーテーブル平坦面１９０にしっかりと維持又は保持するため、現在検討されるウェハー１０又はフィルムフレーム３０よりも小さいウェハー又はフィルムフレームサイズに対応する各コンパートメント１３０も同様に、現在において検討されるウェハー又はフィルムフレームサイズの横寸法又は径に最も近接して適合する最大横寸法及び径を有するコンパートメント１３０内に配され若しくはそれに露出した真空開口（群）２０へ又はそれを通じて真空力を選択的に提供又は配給することにより、真空力がウェハー１０又はフィルムフレーム３０へ提供又は配給される。従って、特定サイズのウェハー１０又はフィルムフレーム３０は、（ａ）検討されるウェハー１０又はフィルムフレーム３０のサイズに最も近接して適合する横寸法又は径を有する多孔質材の量１４０の上面を完全に被覆するべきであり、（ｂ）より小さい横寸法又は径を有する各多孔性セラミック材料の量１４０も同様である。ウェハー１０又はフィルムフレーム３０は、検討されるウェハー１０又はフィルムフレーム３０よりも小さい径を有する各リッジ１２０も同様に、ウェハー１０又はフィルムフレーム３０のサイズに最も近接して適合するリッジ１２０の部分も被覆するべきである。
図３Ｅは、本開示の実施形態に係るウェハーテーブル構造５上に配される第１標準径（例えば、８インチ）を有する代表の第１ウェハー１０ａの斜視図であり、（ａ）第１ウェハー１０ａが、多孔質材の第１量１４０ａと第１リッジ１２０ａの横幅の少なくとも一部を被覆するが、多孔質材の第２量１４０ｂまで延びず若しくは重複しないこと；及び（ｂ）第１コンパートメントの真空開口２０への又はこれを通じた、多孔質材の第１量１４０ａ内への又はこれを通じた第１ウェハー１０ａの裏面への真空力の選択的又は優先の提供による第１ウェハー１０ａへの真空力の適用又は供給により、第１ウェハー１０ａが、ウェハーテーブル平坦面１９０上にしっかりと保持される。
図３Ｆは、本開示の実施形態に係るウェハーテーブル構造５上に配される第２標準径（例えば、１２インチ）を有する代表の第２ウェハー１０ｂの斜視図である。（ａ）第２ウェハー１０ｂが、多孔質材の第１及び第２量１４０ａ〜ｂを被覆し、また第２リッジ１２０ｂの横幅の少なくとも一部を被覆するが、多孔質材の第３量１４０ｃまで延びず、若しくは重複しないこと；及び（ｂ）第１コンパートメントの真空開口２０及び第２コンパートメントの真空開口２０への又はそれを通じた、多孔質材の第１及び第２量１４０ａ〜ｂへの及びそれを通じた第２ウェハー１０ｂの裏面への真空力の選択的又は優先的な提供による第２ウェハー１０ｂへの真空力の適用又は供給により、第２ウェハー１０ｂがウェハーテーブル平坦面１９０上にしっかりと保持される。
図３Ｇは、本開示の実施形態に係るウェハーテーブル構造５上に配される第３標準径（例えば、１６インチ）を有する代表の第３ウェハー１０ｃの斜視図である。（ａ）第３ウェハー１０ｃが、多孔質材の第１、第２、及び第３量１４０ａ〜ｃを被覆し、ベーストレイの外縁１０６の横幅の一部を被覆すること；及び（ｂ）第１コンパートメントの真空開口２０、第２コンパートメントの真空開口２０、及び第３コンパートメントの真空開口２０への又はそれを通じた、多孔質材の第１、第２、及び第３量１４０ａ〜ｃ内への又はそれを通じた、第３ウェハー１０ｃの裏面への選択的又は優先の真空力の提供による第３ウェハー１０ｃへの真空力の適用又は供給により、第３ウェハー１０ｃが、ウェハーテーブル平坦面１９０上にしっかりと保持される。
上述の点に加えて、多数の実施形態においては、セラミックベースのベーストレイ１００が、１以上の追加の種類の構造特徴又は要素を含む若しくは収容するように形成され得る。そのようなセラミックベースのトレイ１０２の特定の代表の非限定の実施形態が以降により詳細に記述される。
図４Ａは、本開示の別の実施形態に係るセラミックベースのウェハーテーブルのベーストレイ１００の斜視図であり、突き出しピンガイド部材１６０のセットを含む。図４Ｂは、ラインＣ−Ｃ’における図４Ａのセラミックベースのウェハーテーブルのベーストレイの断面である。そのような実施形態においては、ベーストレイ１００が、上述のものと類似又は実質的に同一の概要又は全体構造を有することができる。しかしながら、第１リッジ１１０ａが、多数の突き出しピンガイド構造、要素、又は部材１６０ａ〜ｃを含み（例えば、様々な実施形態においては３つであり、これは、そのようなウェハーサイズに対応する８インチ、１２インチ、及び１６インチウェハーをハンドリングするために３つの突き出しピンを作動させることに十分である）。各突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃは、これを通じて突き出しピンが移動することができる通路又は経路に対応する若しくは規定する開口１６２を提供するべく形状付けられ、また構成される。多数の実施形態においては、任意の所与の突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃが、第１リッジ１１０ａの一体部分又は伸張として形成され、突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃが、第１区画１２０ａの部分内に突入する。その上、突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃは、ウェハーテーブル構造の使用過程（例えば、突き出しピンの上昇又は下降の過程）で突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃを通じた真空ロスが本質的な無であり、無視可能であり、若しくは最小である態様において、寸法付けられ、及び／又は構築される。幾つかの実施形態においては、突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃは、単一の突き出しピンのセット１６４が、ウェハーテーブル構造５がハンドリングするように設計された各々のウェハーサイズをハンドリングすることができるように戦略的に配置される。当業者は、代替的若しくは追加的に、突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃが第１リッジ１１０ａから分離して形成され、若しくは別のリッジ１１０（例えば、第２リッジ１１０ｂ）の一部として形成されることを理解するだろう。
図５Ａは、図４Ａ及び４Ｂのベーストレイの斜視図であり、その中に成形可能、形成可能、適合可能、又は流動可能な多孔質材が導入、提供、又は配置されている。図５Ｂは、ラインＤ−Ｄ’における図５Ａに対応する成形可能な多孔質材を支持するベーストレイ１００の断面斜視図である。成形可能な多孔質材がベーストレイ１００に導入される時、各突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃ内及びそこを通じた開口１６２が封止又は閉塞されるべきであり、ウェハーテーブル平坦面１９０に対してウェハー又はフィルムフレームを下降又は上昇させることを含む突き出しピン作動の過程で硬化された成形可能な多孔質材により通路及び開口１６２を通じた突き出しピン１６４ａ〜ｃの移動が妨げられないことを確かにするため、多孔質材は、そこに対応する突き出しピンガイド部材１６０ａ〜ｃを通じた開口１６２及び通路から遮断されることに留意されたい。
幾つかの実施形態においては、ベーストレイ１００が、多数の加熱及び／又は冷却要素を支持、含み、又は組み込むことができる。例えば、加熱要素が、抵抗性加熱要素を含むことができる。冷却要素が、冷却物質又は流体（例えば、冷却ガス、又は液体）を搬送するために構成されたチューブ、チャンネル、又は通路；又は熱電気冷却装置を含むことができる。加熱及び／又は冷却要素が、非多孔性セラミックベースのベーストレイ材料に包囲され、又はその中に包まれ得る（例えば、ベーストレイ１００の１以上の部分内に一体的に形成される）。代替としては、加熱及び／又は冷却要素が、非多孔性セラミックベースのベーストレイ材料の外部に存在し、ベーストレイ容器１３０を占める多孔質材の部分に包囲され、又はその中に包まれ得る。上述のものに加えて若しくは代替して、非多孔性セラミックベースのベーストレイ１００及び／又はベーストレイ容器１３０を占める多孔質材が、電極、温度検出要素（例えば、熱電対）他の種類の検出要素（例えば、加速度計、振動センサー、又は光学的センサー）、及び／又はウェハーテーブル構造５の部分内及び／又は外部の周囲／環境状態を検出するための他の種類の検出要素といった追加又は他の種類の要素を支持、含み、又は組み込むことができる。
図６は、本開示の実施形態に係るウェハーテーブル構造５の製造のための代表の工程１７０のフロー図である。一実施形態においては、ウェハーテーブル製造工程１７０が、複数のコンパートメント１３０を有する多孔質性セラミックベースのウェハーテーブルのベーストレイ１００を準備する第１工程部分１７２；成形可能な多孔質材を準備することを含む第２工程部分１７４；及び成形可能な多孔質材が各コンパートメント１３０の内側の空間寸法に一致又はそこを占めるように、複数のコンパートメント１３０内に成形可能な多孔質材を導入し、成形可能な多孔質材内の複数のコンパートメント１３０内の各コンパートメント１３０の容積幾何（volumetric geometry）を満たすことを含む第３工程部分１７６を含む。例えば、図７に示される又は概して示される態様においてベーストレイコンパートメント１３０の深さＤTCを超える深さ又は厚みを呈する成形可能な多孔性セラミック材料のように、各コンパートメント１３０内においては、成形可能な多孔性セラミック材料の初期量１４２が、コンパートメント１３０の容積を超え又は僅かに超える。
第４工程部分１７８が、成形可能な多孔性セラミック材料を固め、又は硬化し、各コンパートメント１３０を画定する内面（つまり、ベーストレイ１００内の内側底面及びリッジ１２０に対応するコンパートメント側壁）に対して多孔質材を結合することを伴う。多孔質材がコンパートメント内面内にしっかりと保持又は結合されると、非常に高い程度の平坦性で多孔質材量１４０の露出面、上面、又は外面、ベーストレイリッジ１２０の露出した上面１２２、及びベーストレイ外縁１０６の露出した上面１０８を同時に提供し、これにより、ウェハー及びフィルムフレームがしっかりと保持される高い均一性のウェハーテーブル平坦面１９０を規定するため、第５工程部分１８０が、ベーストレイリッジ１２０の露出した上面１２２及びベーストレイ外縁１０６の露出した上面１０８といったベーストレイ１００の部分と同様に、多孔質材（つまり、各多孔質材量１４０）を機械加工又は研磨することを伴う。平坦化後、任意の所与のコンパートメント１３０に対応する各多孔質材量１４０が、コンパートメント１３０の容積に同一又は本質的に同一である。
第６工程部分１８２が、平坦化されたウェハーテーブル構造５を変位可能なウェハーテーブル又はステージアセンブリー（例えば、ｘ−ｙウェハーステージ）に結合又は実装し、平坦化されたウェハーテーブル構造５内の真空開口２０をステージアセンブリー真空ライン、リンク、及び／又はバルブのセットに結合することを伴い、ウェハーテーブル平坦面１９０上に配されたウェハー１０又はフィルムフレーム３０に対して真空力が選択的に作動及び適用される。
多孔質材の領域が１以上の金属から成る又は実質的に成る仕切り部により分離されていた、及び／又は１以上の金属から成る又は実質的に成る外側容器構造を用いるある先例のウェハーテーブル設計とは対照的に、本開示に係るウェハーテーブル構造の様々な実施形態が、１以上の金属から成る又は実質的になるリッジ１２０を回避又は排除し、また典型的には更に、１以上の金属から成る又は実質的になるベーストレイ１００を回避又は排除する。より端的には、少なくとも実質的にセラミック材料から成る上方又は露出した多孔性ウェハーテーブル表面も同様に、少なくとも部分的に又は実質的に金属から成る上方又は露出した非多孔性ウェハーテーブル表面を含む先例のウェハーテーブル設計においては、そのような金属表面が、多孔性セラミック材料表面とは非常に異なる機械加工、研削、又は研磨特徴、特性又は挙動を有する。機械加工、研削、研磨工程の過程においては、金属表面が、多孔性セラミック材料表面と同一の速度又はそれと同様に直ちに平坦化されない。その上、金属表面が、標準の機械加工、研削又は研磨要素、装置又はツール（例えば、研磨ヘッド）をすぐに損傷し得る。金属表面の包含は、本開示の実施形態に即して製造されたウェハーテーブル構造と比較して、機械加工、研削、又は研磨工程を顕著に困難、高価、及び長時間化させる。
更には、露出した金属表面及び露出した多孔性セラミック表面間の機械加工、研削、又は研磨特徴の相違が、最終的にそのように製造されたウェハーテーブル表面が、ウェハーテーブル表面の１以上のセクション又は領域に亘る望まない又は許容できない非平坦性又は不十分な平坦性を呈する見込みを顕著に増加させる。そのような先例のウェハーテーブル設計が、従って、小さい又は極小なダイ１２を支持するフィルムフレーム３０により支持された１２インチ以上の切断されたウェハー１０といった、その上に脆弱なダイ１２を有する大径の薄いウェハー１０の検査にとっては上手く適さない。対照的に、本開示に係るウェハーテーブル構造の実施形態は、この欠点を被ることなく、そのような種類のウェハー１０又はフィルムフレーム３０の検査に非常に上手く適する高度に均一又は超均一な平坦なウェハーテーブル表面６２２を提供する。
本開示の実施形態に即して製造されたウェハーテーブル構造の最終結果が、（ａ）ウェハーテーブル表面６２２の平坦性に不利に影響し、先述の１以上の関連の問題に帰結し得るウェハーテーブル表面６２２上の溝又は真空孔（例えば、穿孔された真空孔）を排除又は省略する；（ｂ）平坦なウェハーテーブル表面６２２が単一面内／上におけるそのようなダイ１２の位置づけ及び維持を促進するため（これは、慣例のウェハーテーブル設計では達成が難しい）、（ｉ）ウェハーテーブル転換キットの必要性を除去するべくウェハー１０及びフィルムフレーム３０の両方、及び（ｉｉ）非常に薄い又は可撓性のウェハー（例えば、７５μｍ、５０μｍ、又はこれよりも薄い）上に存在する非常に小さい又は極小のダイ１２（例えば、０．５ｍｍ×０．５平方ｍｍ、若しくはこれ未満）のハンドリングのために適する非常に高度又は超高度な平坦性ウェハーテーブル表面６２２を有する；及び（ｃ）溝又は機械加工／穿孔された真空孔をウェハーテーブル表面上に含む、及び／又はそれらのウェハーテーブル表面上に露出した金属材料（例えば、ウェハーテーブル表面に亘る金属板又は多数の金属製の仕切り部）を含む特に従来のウェハーテーブル設計と比較して、構造的に簡単、低コスト、及び製造するのに簡単であるウェハーテーブル６２０である。
本開示に係る様々な実施形態の側面が、既存のウェハーテーブル構造に関連の１以上の問題、制限、及び／又は不利益を含む、ウェハー及び／又はフィルムフレームをハンドリングするための既存のシステム及び方法に関連した少なくとも一つの側面、問題、制限、及び／又は不利益を解決する。ある実施形態に関連した特徴、側面、及び／又は利益が開示において記述されるが、他の実施形態も、そのような特徴、側面、及び／又は利益を提示し得、また全ての実施形態が、開示の範囲内に含まれるそのような特徴、側面、及び／又は利益を提示することは必ずしも必要ではない。上に開示のシステム、コンポーネント、工程、又はこれらの代替物の幾つかが、他の異なるシステム、コンポーネント、工程、及び／又はアプリケーションに妥当に組み込まれ得ることが当業者により理解されるだろう。加えて、当業者により、様々な修正、変更、及び／又は改良が、本開示の範囲内において開示の様々な実施形態に為され得る。

Claims (19)

  1. ウェハーテーブル表面を提供するウェハーテーブル構造であって：
    露出した上面、内面、及び内面に一体的に形成された若しくは取り付けられた複数のコンパートメントを複数備えるベーストレイであって、ベーストレイが、適用された負の圧力に応じてガス又は流体不浸透性である少なくとも一種類の材料で形成される、ベーストレイ；
    ベーストレイから形成された複数のリッジであって、複数のコンパートメント内の個別のコンパートメントをお互いに分離し、ベーストレイの複数の露出した第１上面が、複数のリッジの露出した上面を含み、各コンパートメントが複数のリッジ内の少なくとも１つのリッジの露出した上面の下部にリセスを形成し、複数のリッジ内の各リッジの寸法が、標準ウェハーサイズ及び／又は標準フィルムフレームサイズに相関される態様において設定される、複数のリッジ；
    複数の突き出しピンが多数の標準サイズのウェハーをハンドリングするために移動することができる複数の突き出しピンガイド部材であって、複数の突き出しピンガイド部材のそれぞれが複数のリッジ内の最も内側のリッジの部分に形成され、前記部分は突き出しピンが移動することができる経路を規定する開口を提供するべく形状付けられ、また構成される、複数の突き出しピンガイド部材；
    複数のコンパートメント内に配置された少なくとも一種類のコンパートメント材料であって、少なくとも一種類のコンパートメント材料が、複数のコンパートメントの形状に流動可能、成形可能、又は適合可能であり、適用された真空力に応じてガス又は流体浸透性である複数のコンパートメントにおいて硬化されたコンパートメント材料を提供するように硬化可能であり、複数の露出した第２上面を提供する、少なくとも一種類のコンパートメント材料；及び
    ベーストレイの内面に形成された複数の開口であって、これにより、硬化されたコンパートメント材料が負の圧力又は正の圧力に晒され得る、複数の開口を備え、
    複数の開口は、複数のコンパートメント内の各コンパートメントに対応する少なくとも１つの開口を含み、
    （ａ）ベーストレイの複数の露出した第１上面及び（ｂ）硬化したコンパートメント材料の露出した第２上面が、共通の機械加工工程により同時に機械加工可能であり、平坦なウェハーテーブル表面を提供する、ウェハーテーブル構造。
  2. 平坦なウェハーテーブル表面は、そこに形成される溝及び真空穴を伴わない請求項１に記載のウェハーテーブル構造。
  3. ベーストレイの複数の露出した第１上面が共通の機械加工工程により平坦化される速度と、硬化されたコンパートメント材料の複数の露出した第２上面が共通の機械加工工程により平坦化される速度が実質的に同一である、請求項１に記載のウェハーテーブル構造。
  4. ベーストレイ内面が、複数の内側底面を含み、
    複数のリッジ内の各リッジが、ベーストレイの内側底面の境界を成し、
    複数のリッジ内の各リッジが、異なるベーストレイの内側底面をお互いに区分し、複数のコンパートメントを規定する、請求項１に記載のウェハーテーブル構造。
  5. ベーストレイ及び複数のリッジ内の各リッジが同一の材料から形成される、請求項４に記載のウェハーテーブル構造。
  6. 複数のリッジ内の各リッジが、ベーストレイの中心から離れる事前設定された距離で存在し、少なくとも複数のコンパートメント内の第１コンパートメントがリッジにより周囲される、請求項４に記載のウェハーテーブル構造。
  7. 硬化されたコンパートメント材料が複数の開口によって負の圧力又は正の圧力の適用に選択的に晒されるように、複数の開口内の特定の開口が負の圧力又は正の圧力に選択的に晒され、任意のコンパートメントにおける硬化されたコンパートメント材料が、負の圧力又は正の圧力に晒されたときに、他の任意のコンパートメントにおける硬化されたコンパートメント材料から流体的に分離されている、請求項１に記載のウェハーテーブル構造。
  8. （ａ）複数のコンパートメントが：
    対応の複数の開口内の第１開口のセットに露出した第１量の硬化されたコンパートメント材料を含む第１コンパートメント；及び
    対応の複数の開口内の複数の第２開口に露出した第２量のコンパートメント材料を含む第２コンパートメントを含み、複数の第２開口が第１開口のセットとは異なり、
    及び
    （ｂ）複数のリッジ内の第１リッジが、第１コンパートメントを周囲し、第２コンパートメントから第１コンパートメントを分離する、請求項６に記載のウェハーテーブル構造。
  9. 負の圧力が第１開口のセットに適用され、第１標準径を有する第１ウェハー又は第１フィルムフレームを平坦なウェハーテーブル表面にしっかりと保持し、負の圧力が第１開口のセット及び複数の第２開口に適用され、第１標準径よりも大きい第２標準径を有する第２ウェハー又は第２フィルムフレームを平坦なウェハーテーブル表面にしっかりと保持することができる、請求項８に記載のウェハーテーブル構造。
  10. （ｃ）複数のコンパートメントが、対応の複数の第３開口に露出される硬化された第３量のコンパートメント材料を含む第３コンパートメントを含み、複数の第３開口が、第１開口のセット及び複数の第２開口の各々とは異なる；
    及び
    （ｄ）複数のリッジ内の第２リッジが、第２コンパートメントを周囲し、第３コンパートメントから第２コンパートメントを分離する、請求項９に記載のウェハーテーブル構造。
  11. 負の圧力が、第１開口のセット、複数の第２開口、複数の第３開口に適用され、第１及び第２標準径の各々よりも大きい第３標準径を有する第３ウェハー又は第３フィルムフレームを平坦なウェハーテーブル表面にしっかりと保持することができる、請求項１０に記載のウェハーテーブル構造。
  12. ベーストレイ及び硬化されたコンパートメント材料の少なくとも一つが、セラミックベースの材料を含む、請求項１に記載のウェハーテーブル構造。
  13. ベーストレイが磁器を含む、請求項１２に記載のウェハーテーブル構造。
  14. 突き出しピンの単一セットが多数の標準サイズのウェハーをハンドリングするために移動することができる突き出しピンガイド部材の単一のセットを更に備え、複数の突き出しピンガイド部材のそれぞれが複数のコンパートメント内の最も内側のコンパートメントの部分内に突入する、請求項１に記載のウェハーテーブル構造。
  15. ウェハーテーブル表面を提供するウェハーテーブル構造の製造方法であって、当該方法が：
    複数の第１の露出した上面、内面、内面に一体的に形成された若しくは取り付けられた複数のコンパートメント、及び内面に形成された複数の開口を有し、ベーストレイが、適用された負の圧力に応じてガス又は流体不浸透性である少なくとも一種類の材料で形成される、ベーストレイを提供すること；
    複数のコンパートメント内の個別のコンパートメントをお互いに分離し、ベーストレイの複数の露出した第１上面が、複数のリッジの露出した上面を含み、各コンパートメントが複数のリッジ内の少なくとも１つのリッジの露出した上面の下部にリセスを形成し、複数のリッジ内の各リッジの寸法が、標準ウェハーサイズ及び／又は標準フィルムフレームサイズに相関される態様において設定される、複数のリッジを提供すること；
    複数の突き出しピンが多数の標準サイズのウェハーをハンドリングするために移動することができ、複数の突き出しピンガイド部材のそれぞれが複数のリッジ内の最も内側のリッジの部分に形成され、前記部分は突き出しピンが移動することができる経路を規定する開口を提供するべく形状付けられ、また構成される、複数の突き出しピンガイド部材を提供すること；
    複数のベーストレイコンパートメント内に少なくとも一種類のコンパートメント材料を配置することにして、少なくとも一種類のコンパートメント材料が複数のコンパートメント内の各コンパートメントの形状に流動可能、成形可能、又は適合可能である；
    少なくとも一種類のコンパートメント材料を硬化し、適用された負の圧力又は正の圧力に応じてガス又は流体浸透性である、複数のコンパートメントに硬化されたコンパートメント材料を提供し、複数の第２の露出した上面を提供すること；及び
    共通の機械加工工程により複数の第１の露出した上面及び複数の第２の露出した上面を同時に機械加工し、ウェハー及びウェハー又はこの部分が実装されるフィルムフレームを支持するための平坦なウェハーテーブル表面を提供することを含む、方法。
  16. 複数の第１及び第２の露出した上面の同時の機械加工の過程で、ベーストレイの複数の第１の露出した上面が共通の機械加工工程により平坦化される速度と、硬化されたコンパートメント材料の複数の第２の露出した上面が共通の機械加工工程により平坦化される速度が同一である、請求項１５に記載の方法。
  17. 複数の突き出しピンガイド部材のそれぞれが複数のコンパートメント内の最も内側のコンパートメントの部分内に突入する、請求項１６に記載の方法。
  18. ベーストレイ及び硬化されたコンパートメント材料の少なくとも一つがセラミックベースの材料を含み、硬化されたコンパートメント材料が複数の開口によって負の圧力又は正の圧力の選択的な適用に晒される請求項１６に記載の方法。
  19. ウェハーテーブル構造を変位可能なウェハーテーブル又はステージアセンブリーに実装すること；及び
    複数のラインにして、これを介して負の圧力又は正の圧力が選択的に作動されて平坦なウェハーテーブル表面上に配置されたウェハー又はフィルムフレームへ適用される複数のラインに対して複数の開口のそれぞれを結合すること、を更に含む、請求項１５に記載の方法。
JP2015529759A 2012-08-31 2013-09-02 ウェハー及びフィルムフレームの両方のための単一超平坦ウェハーテーブル構造 Active JP6294324B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261696051P 2012-08-31 2012-08-31
US61/696,051 2012-08-31
PCT/SG2013/000381 WO2014035346A1 (en) 2012-08-31 2013-09-02 Single ultra-planar wafer table structure for both wafers and film frames

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015528643A JP2015528643A (ja) 2015-09-28
JP6294324B2 true JP6294324B2 (ja) 2018-03-14

Family

ID=50184004

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015529760A Active JP6363605B2 (ja) 2012-08-31 2013-09-02 フィルムフレーム上のウェハーの回転ミスアライメントを自動的に訂正するためのシステム及び方法
JP2015529761A Active JP6267203B2 (ja) 2012-08-31 2013-09-02 多機能ウェハー及びフィルムフレームハンドリングシステム
JP2015529759A Active JP6294324B2 (ja) 2012-08-31 2013-09-02 ウェハー及びフィルムフレームの両方のための単一超平坦ウェハーテーブル構造

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015529760A Active JP6363605B2 (ja) 2012-08-31 2013-09-02 フィルムフレーム上のウェハーの回転ミスアライメントを自動的に訂正するためのシステム及び方法
JP2015529761A Active JP6267203B2 (ja) 2012-08-31 2013-09-02 多機能ウェハー及びフィルムフレームハンドリングシステム

Country Status (13)

Country Link
US (3) US10128140B2 (ja)
EP (3) EP2891173B1 (ja)
JP (3) JP6363605B2 (ja)
KR (3) KR102111183B1 (ja)
CN (3) CN104641461B (ja)
HK (3) HK1210544A1 (ja)
IL (3) IL237255A (ja)
MY (3) MY178000A (ja)
PH (3) PH12015500439A1 (ja)
PT (3) PT2891175T (ja)
SG (3) SG11201501085TA (ja)
TW (3) TWI601193B (ja)
WO (3) WO2014035348A1 (ja)

Families Citing this family (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5999972B2 (ja) * 2012-05-10 2016-09-28 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP6049485B2 (ja) * 2013-02-13 2016-12-21 新電元工業株式会社 半導体ウェーハの検査方法
USD751773S1 (en) * 2013-04-26 2016-03-15 Robert Gailen Feeding platter for pets
SG10201708537XA (en) 2013-06-07 2017-11-29 Asti Holdings Ltd Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames
US9330955B2 (en) * 2013-12-31 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Support ring with masked edge
CN104181723B (zh) * 2014-08-26 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 平板玻璃用对组系统及对组方法
JP6422805B2 (ja) * 2015-03-27 2018-11-14 株式会社ディスコ 切削装置
KR102022475B1 (ko) * 2015-06-15 2019-09-18 한화정밀기계 주식회사 플립 칩의 범프 인식 보정 방법
DE102015113956B4 (de) * 2015-08-24 2024-03-07 Meyer Burger (Germany) Gmbh Substratträger
US9929121B2 (en) * 2015-08-31 2018-03-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bonding machines for bonding semiconductor elements, methods of operating bonding machines, and techniques for improving UPH on such bonding machines
TW201714243A (zh) * 2015-10-05 2017-04-16 Els System Technology Co Ltd 承載裝置
US10186438B2 (en) * 2015-11-05 2019-01-22 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for use in wafer processing
TWI565377B (zh) * 2015-11-06 2017-01-01 You-Long Weng Surface metal layer cutting processing equipment for circuit boards
CN105299023B (zh) * 2015-12-10 2017-09-29 北京中电科电子装备有限公司 一种真空陶瓷吸盘
JP6605946B2 (ja) * 2015-12-24 2019-11-13 株式会社ディスコ チップ収容トレイからチップをピックアップする方法
USD894498S1 (en) 2016-04-04 2020-08-25 Macneil Ip Llc Single-bowl pet water/food station
USD887650S1 (en) 2016-04-04 2020-06-16 Macneil Ip Llc Pet water station
USD873502S1 (en) 2016-04-04 2020-01-21 Macneil Ip Llc Double bowl low-profile pet feeding station
USD802853S1 (en) * 2016-04-04 2017-11-14 Macneil Ip Llc Pet feeding system
USD873504S1 (en) 2016-04-04 2020-01-21 Macneil Ip Llc Compact mat for pet feeding system
USD873503S1 (en) 2016-04-04 2020-01-21 Macneil Ip Llc Pet feeding system
CN105881079B (zh) * 2016-05-28 2018-03-23 郑招才 一种pcb板搬运机器人
US10315286B2 (en) 2016-06-14 2019-06-11 Axus Technologi, Llc Chemical mechanical planarization carrier system
TWI759147B (zh) * 2016-08-12 2022-03-21 美商因普利亞公司 減少邊緣珠區域中來自含金屬光阻劑之金屬殘留物的方法
JP6815138B2 (ja) * 2016-09-06 2021-01-20 株式会社ディスコ 吸引保持システム
US10340173B2 (en) 2016-10-11 2019-07-02 Micron Technology, Inc. System for handling semiconductor dies
KR20180045666A (ko) * 2016-10-26 2018-05-04 삼성전자주식회사 기판 제조 장치
US10424553B2 (en) 2016-10-31 2019-09-24 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods
JP6804146B2 (ja) * 2016-11-10 2020-12-23 株式会社ディスコ 搬送装置、加工装置及び搬送方法
CN106783694A (zh) * 2017-02-06 2017-05-31 广东工业大学 一种晶圆级芯片倒装定位平台
US11201078B2 (en) * 2017-02-14 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Substrate position calibration for substrate supports in substrate processing systems
JP6598807B2 (ja) * 2017-03-13 2019-10-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査方法および検査装置
TWI639906B (zh) * 2017-06-16 2018-11-01 中原大學 主動式組裝系統、主動式組裝之方法及其定位組裝裝置
JP6955933B2 (ja) * 2017-08-31 2021-10-27 株式会社ディスコ 加工装置
TWI628731B (zh) * 2017-11-22 2018-07-01 孫建忠 晶圓框架取回與清潔之系統及方法
US10500738B2 (en) * 2017-11-28 2019-12-10 Amazon Technologies, Inc. Mechanism for exchanging concentric suction cups
CN118317531A (zh) * 2017-11-28 2024-07-09 株式会社尼康 层叠基板的制造装置以及制造方法
CN108181020A (zh) * 2018-01-17 2018-06-19 浙江大学昆山创新中心 真空室活动片架在线测温系统
US11468590B2 (en) * 2018-04-24 2022-10-11 Cyberoptics Corporation Wireless substrate-like teaching sensor for semiconductor processing
US11201079B2 (en) 2018-05-30 2021-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer chuck
KR102217780B1 (ko) 2018-06-12 2021-02-19 피에스케이홀딩스 (주) 정렬 장치
JP7143021B2 (ja) * 2018-07-09 2022-09-28 株式会社ディスコ ポーラスチャックテーブル、ポーラスチャックテーブルの製造方法、及び、加工装置
US11131718B2 (en) * 2018-07-24 2021-09-28 Astee International Limited Systems and methods for automated testing of power supply units
CN112585539A (zh) * 2018-08-23 2021-03-30 Asml荷兰有限公司 用于校准物体装载过程的平台设备和方法
AT521384B1 (de) * 2018-09-20 2020-01-15 Trumpf Maschinen Austria Gmbh & Co Kg Automatisierter Vakuumgreifer und Verfahren zum sicheren Greifen von Bauteilen
CN109256331B (zh) * 2018-09-21 2021-04-06 吉林华微电子股份有限公司 一种超薄芯片背面金属溅射的方法
CN110355778B (zh) * 2018-10-22 2023-05-12 江苏艾科半导体有限公司 一种半导体吸取装置
TWI677774B (zh) * 2018-12-03 2019-11-21 鴻勁精密股份有限公司 電子元件移料機構及其應用之作業設備
DE102018009871A1 (de) * 2018-12-19 2020-06-25 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung mit Zustandsüberwachung
JP7303635B2 (ja) * 2019-01-07 2023-07-05 株式会社ディスコ ワークの保持方法及びワークの処理方法
JP2020136463A (ja) * 2019-02-19 2020-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
WO2020183464A1 (en) * 2019-03-13 2020-09-17 Core Flow Ltd. Circular wafer lateral positioning device
CN110053810A (zh) * 2019-05-05 2019-07-26 山东瑞邦自动化设备有限公司 微孔板在夹具类产品中的应用
KR102344530B1 (ko) * 2019-07-03 2021-12-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110286133B (zh) * 2019-07-23 2023-12-12 中电科风华信息装备股份有限公司 偏光片检测装置
USD880788S1 (en) * 2019-08-19 2020-04-07 David H. Price Mat
USD880787S1 (en) * 2019-08-19 2020-04-07 David H. Price Mat
KR20210023375A (ko) 2019-08-23 2021-03-04 삼성전자주식회사 레이저 전사 장치 및 이를 이용한 전사 방법
US11348221B2 (en) * 2019-11-04 2022-05-31 Mpi Corporation Wafer testing method
CN115104182A (zh) * 2020-02-13 2022-09-23 捷普有限公司 用于提供固定卡盘的装置、系统和方法
JP2021132119A (ja) * 2020-02-19 2021-09-09 株式会社ディスコ 加工装置
CN111473039A (zh) * 2020-03-04 2020-07-31 上海精测半导体技术有限公司 柔性面板整平装置以及方法
US20220005721A1 (en) * 2020-07-02 2022-01-06 Mpi Corporation Method of aligning wafer
US11263755B2 (en) * 2020-07-17 2022-03-01 Nanya Technology Corporation Alert device and alert method thereof
CN111618885B (zh) * 2020-07-29 2020-10-16 山东元旭光电股份有限公司 一种晶圆自动上片装置
US11748871B2 (en) * 2020-09-28 2023-09-05 KLA Corp. Alignment of a specimen for inspection and other processes
JP2022103995A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社ディスコ テープマウンタ
TWI797532B (zh) * 2020-12-31 2023-04-01 創技工業股份有限公司 半導體加工的方法及裝置
CN112614797B (zh) * 2021-03-08 2021-07-02 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆位置检测装置
TWI773187B (zh) * 2021-03-12 2022-08-01 旭東機械工業股份有限公司 用於檢測一晶圓盒的方法及系統
JP2023094118A (ja) * 2021-12-23 2023-07-05 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ検査装置
CN116854467A (zh) * 2023-07-12 2023-10-10 江西兆驰半导体有限公司 一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法
CN118039543B (zh) * 2024-02-02 2024-09-13 深圳市罗博威视科技有限公司 圆晶定位方法、装置及圆晶加工方法

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1066282B (ja) * 1958-03-26 1900-01-01
JPS628636U (ja) * 1985-07-02 1987-01-19
JP3173052B2 (ja) * 1990-12-12 2001-06-04 株式会社ディスコ 半導体ウェーハのダイシング方法
JPH054483U (ja) * 1991-06-28 1993-01-22 関西日本電気株式会社 リング搬送装置
JP2555938Y2 (ja) * 1991-07-31 1997-11-26 京セラ株式会社 真空チャック
US5421595A (en) * 1994-03-28 1995-06-06 Motorola, Inc. Vacuum chuck with venturi jet for converting positive pressure to a vacuum
JP3397501B2 (ja) 1994-07-12 2003-04-14 株式会社東芝 研磨剤および研磨方法
KR970062816A (ko) * 1996-02-13 1997-09-12 박병재 헤드 램프를 이용한 엔진룸 조사 장치
KR100257279B1 (ko) * 1996-06-06 2000-06-01 이시다 아키라 주변노광장치 및 방법
US5905850A (en) 1996-06-28 1999-05-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for positioning substrates
JP3469999B2 (ja) 1996-10-30 2003-11-25 京セラ株式会社 吸着盤の製造方法
US5920769A (en) 1997-12-12 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for processing a planar structure
US6032997A (en) * 1998-04-16 2000-03-07 Excimer Laser Systems Vacuum chuck
JP3105201B2 (ja) 1998-10-20 2000-10-30 株式会社東京精密 ウェーハの搬送保持機構
JP2000232083A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体ウエハのユニバーサルチャック機構
JP2001024051A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着パッド
JP2001174418A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Nikon Corp 外観検査装置
JP3828808B2 (ja) * 2000-01-31 2006-10-04 芝浦メカトロニクス株式会社 部品実装装置および部品実装方法
US20010051086A1 (en) * 2000-03-13 2001-12-13 Brian Blades Automated feed mechanism for electronic components of silicon wafer
JP2001269862A (ja) * 2000-03-27 2001-10-02 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨装置及び研磨方法
JP4417525B2 (ja) * 2000-04-28 2010-02-17 株式会社ディスコ 研削装置
US6327517B1 (en) 2000-07-27 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for on-the-fly center finding and notch aligning for wafer handling robots
JP2002036102A (ja) * 2000-07-28 2002-02-05 Ibiden Co Ltd ウエハ保持治具
US6513796B2 (en) 2001-02-23 2003-02-04 International Business Machines Corporation Wafer chuck having a removable insert
JP2002313887A (ja) 2001-04-12 2002-10-25 Nikon Corp ウェハの載置姿勢検出方法、ウェハのプリアライメント方法及びウェハのプリアライメント装置
JP2002324831A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Takatori Corp 真空吸着テーブル
JP2002353296A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Lintec Corp ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
US20020192059A1 (en) * 2001-06-15 2002-12-19 Foster James E. Methods and apparatus for transferring electrical components
JP2003031599A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Sony Corp ダイボンド方法および装置
JP2003059872A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
CN100499060C (zh) 2001-11-14 2009-06-10 罗兹株式会社 晶片定位方法和装置,晶片加工系统及晶片定位装置的晶片座旋转轴定位方法
US6728596B1 (en) * 2001-11-28 2004-04-27 Therma-Wave, Inc. Wafer prealigner with phase sensitive detection
JP4201564B2 (ja) * 2001-12-03 2008-12-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7018268B2 (en) * 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP2003324055A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Canon Inc 管理システム及び装置及び方法並びに露光装置及びその制御方法
JP4256132B2 (ja) * 2002-09-27 2009-04-22 株式会社ディスコ 板状物の搬送装置
JP4085147B2 (ja) * 2002-10-11 2008-05-14 スパンション エルエルシー 半導体装置の製造方法及び製造装置
US7021635B2 (en) 2003-02-06 2006-04-04 Tokyo Electron Limited Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof
JP2004283936A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Nihon Ceratec Co Ltd 真空吸着装置
JP2004288792A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Lintec Corp アライメント装置及びアライメント方法
US7077019B2 (en) * 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
JP2005079442A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Seiko Epson Corp 基板搬送装置、基板の搬送方法及びプログラム
WO2005049182A1 (en) 2003-11-18 2005-06-02 Exxonmobil Research And Engineering Company Method and apparatus for separating aromatic hydrocarbons in a non-adiabatic membrane system
WO2005092564A1 (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Ibiden Co., Ltd. 真空チャックおよび吸着板
JP4405886B2 (ja) * 2004-09-27 2010-01-27 太平洋セメント株式会社 真空吸着装置
JP4513960B2 (ja) * 2004-10-22 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法
DE502006008604D1 (de) 2005-02-22 2011-02-10 Oc Oerlikon Balzers Ag Verfahren zur positionierung eines wafers
KR100915509B1 (ko) 2005-06-13 2009-09-03 가부시키가이샤 야스카와덴키 얼라이너 장치
US8279406B2 (en) * 2005-10-19 2012-10-02 Nikon Corporation Article loading/unloading method and article loading/unloading device, exposure method and exposure apparatus, and method of manufacturing device
JP4580327B2 (ja) 2005-11-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体の取り出し方法及びプログラム記憶媒体並びに載置機構
JP2007180102A (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Tanken Seal Seiko Co Ltd 吸着体の製造方法及び吸着体
KR100804169B1 (ko) * 2005-12-31 2008-02-18 주식회사 아이피에스 박막증착챔버용 서셉터
JP4741408B2 (ja) * 2006-04-27 2011-08-03 株式会社荏原製作所 試料パターン検査装置におけるｘｙ座標補正装置及び方法
JP4642787B2 (ja) 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008028170A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Taiheiyo Cement Corp 真空吸着装置及びその製造方法
US8162584B2 (en) 2006-08-23 2012-04-24 Cognex Corporation Method and apparatus for semiconductor wafer alignment
JP2008103544A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Yaskawa Electric Corp アライナー装置
JP5090725B2 (ja) * 2006-12-20 2012-12-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査装置
JP5186785B2 (ja) * 2007-03-23 2013-04-24 日本電気株式会社 光導波路デバイス、光導波路デバイス用光素子実装システム、光素子実装方法、及びそのプログラム
JP5140316B2 (ja) * 2007-05-18 2013-02-06 株式会社ディスコ 検査装置
JP2009056518A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Kyocera Corp 吸着装置およびそれを備えた加工システムならびに加工方法
JP5180557B2 (ja) 2007-10-31 2013-04-10 株式会社ディスコ 加工装置
EP2281301A2 (en) * 2008-05-30 2011-02-09 Alta Devices, Inc. Epitaxial lift off stacks and methods
JP5102358B2 (ja) 2008-06-03 2012-12-19 株式会社アルバック アライメント機能付きステージ及びこのアライメント機能付きステージを備えた処理装置
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
CN101393885A (zh) * 2008-10-31 2009-03-25 中茂电子(深圳)有限公司 晶圆检测机台用固定/释放辅助装置、该检测机台及方法
KR20100071235A (ko) * 2008-12-19 2010-06-29 세크론 주식회사 프로브 장치용 웨이퍼 각도 조절 유닛
JP2010177500A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Hitachi High-Technologies Corp パターンの重ね合わせ評価方法
JP5443102B2 (ja) * 2009-09-01 2014-03-19 株式会社ディスコ レーザー加工装置
WO2011036900A1 (ja) 2009-09-28 2011-03-31 株式会社ニコン 加圧モジュール、加圧装置及び基板貼り合せ装置
US9691650B2 (en) * 2009-09-29 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Substrate transfer robot with chamber and substrate monitoring capability
US8514374B2 (en) * 2009-11-04 2013-08-20 International Business Machines Corporation Alignment method for semiconductor processing
TWI485799B (zh) * 2009-12-10 2015-05-21 Orbotech Lt Solar Llc 自動排序之直線型處理裝置
EP2339611B1 (en) 2009-12-23 2015-11-11 ISMECA Semiconductor Holding SA Wafer handler comprising a vision system
US8695990B2 (en) 2010-04-01 2014-04-15 Nidec-Read Corporation Wafer flattening apparatus and method
JP2011258605A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Toshiba Corp パターン形成方法および半導体デバイスの製造方法
KR20120056404A (ko) 2010-11-25 2012-06-04 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 정렬기용 회전판
JP5681481B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-11 太平洋セメント株式会社 緻密質−多孔質接合体

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014035346A1 (en) 2014-03-06
WO2014035348A1 (en) 2014-03-06
JP2015528643A (ja) 2015-09-28
PH12015500439B1 (en) 2015-04-20
SG11201501086UA (en) 2015-04-29
IL237254B (en) 2018-01-31
TW201428833A (zh) 2014-07-16
EP2891173A1 (en) 2015-07-08
CN104620371A (zh) 2015-05-13
EP2891175A1 (en) 2015-07-08
KR102111183B1 (ko) 2020-05-14
EP2891174A1 (en) 2015-07-08
EP2891174A4 (en) 2016-03-02
EP2891175B1 (en) 2019-08-14
IL237255A (en) 2017-08-31
CN104620371B (zh) 2017-10-31
PT2891173T (pt) 2019-06-28
JP6363605B2 (ja) 2018-07-25
KR20150052183A (ko) 2015-05-13
US20150214085A1 (en) 2015-07-30
HK1210543A1 (en) 2016-04-22
MY178002A (en) 2020-09-29
PH12015500442A1 (en) 2015-04-20
US20150214090A1 (en) 2015-07-30
CN104718607B (zh) 2017-10-03
JP2015529979A (ja) 2015-10-08
HK1210544A1 (en) 2016-04-22
PT2891175T (pt) 2019-10-29
PT2891174T (pt) 2019-11-20
TWI625815B (zh) 2018-06-01
TW201423901A (zh) 2014-06-16
WO2014035347A1 (en) 2014-03-06
KR20150052181A (ko) 2015-05-13
EP2891175A4 (en) 2016-03-02
EP2891174B1 (en) 2019-08-14
JP2015532007A (ja) 2015-11-05
PH12015500442B1 (en) 2015-04-20
MY178000A (en) 2020-09-29
IL237253B (en) 2018-06-28
US20150228522A1 (en) 2015-08-13
TW201438134A (zh) 2014-10-01
TWI590372B (zh) 2017-07-01
IL237254A0 (en) 2015-04-30
HK1210542A1 (en) 2016-04-22
MY175609A (en) 2020-07-01
CN104641461B (zh) 2017-06-06
IL237255A0 (en) 2015-04-30
PH12015500443A1 (en) 2015-04-20
EP2891173B1 (en) 2019-03-27
TWI601193B (zh) 2017-10-01
CN104641461A (zh) 2015-05-20
US10128140B2 (en) 2018-11-13
PH12015500439A1 (en) 2015-04-20
US10262885B2 (en) 2019-04-16
PH12015500443B1 (en) 2015-04-20
US10312124B2 (en) 2019-06-04
IL237253A0 (en) 2015-04-30
KR102190334B1 (ko) 2020-12-11
SG11201501088WA (en) 2015-04-29
KR20150052182A (ko) 2015-05-13
JP6267203B2 (ja) 2018-01-24
CN104718607A (zh) 2015-06-17
KR102110000B1 (ko) 2020-05-12
SG11201501085TA (en) 2015-04-29
EP2891173A4 (en) 2016-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6294324B2 (ja) ウェハー及びフィルムフレームの両方のための単一超平坦ウェハーテーブル構造
US8637953B2 (en) Wafer scale membrane for three-dimensional integrated circuit device fabrication
TWI772838B (zh) 平坦化製程、設備及物品製造方法
US11462404B2 (en) Imprint apparatus and method of manufacturing article
US20230230954A1 (en) Processes and applications for catalyst influenced chemical etching
KR20190018772A (ko) 미세 기계가공 및 반도체 프로세싱에서의 작업부재 캐리어의 적층된 최상부 플레이트
TW202329323A (zh) 包含基板夾具、分配器和平面化頭之設備及使用此設備之方法
JPS6295172A (ja) 回転塗布装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20160705

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20160706

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160801

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160810

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170627

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170911

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180206

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180215

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6294324

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250