TWI590372B - 用於晶圓及膜片架的單一超平坦晶圓臺結構 - Google Patents

用於晶圓及膜片架的單一超平坦晶圓臺結構 Download PDF

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Description

用於晶圓及膜片架的單一超平坦晶圓臺結構
本文件內容一般而言是關係處理和對齊半導體晶圓和膜片架並承載整個和部分半導體晶圓的系統和方式。且更特定而言是導向到為處理晶圓和膜片架而設定單一或高度統一平坦或超平坦多孔晶圓固定工作臺，以正確和高產能的製程作業方式(如光學檢查流程)處理晶圓和/或膜片架。
半導體晶圓製程作業依據半導體晶圓以及壓模數量(如大量或非常大量的壓模)有多種不同類型製程步驟或程式的效能。每一個壓模上的設備、電路或結構的幾何尺寸、線寬，或特性尺寸通常非常小，例如，微米級，亞微米或奈米尺度。任何壓模內含大量集體電路或電路結構，透過在平坦晶圓結構上放置晶圓執行製程步驟，經過一層一層製造、處理和/或繪圖的步驟，而該晶圓上的壓模大致會使用該製程步驟。
多種半導體裝置製程作業包含多種處理系統，可執行晶圓或膜片架作業，該作業包括從一個位置到另一個位置固定和選擇性承載(如傳輸、移動、替換或輸送)晶圓或掛載在膜片架上的晶圓(以下簡短稱為「膜片架」)和/或在晶圓或框架式晶圓製程作業實在特定位置維護晶圓或膜片架。例如，在啟動光學檢查流程前，處理系統必須從晶圓或膜片架來源(如從晶圓盒和傳輸晶圓或膜片架到晶圓固定工作臺)擷取晶圓或膜片架。晶圓固定工作臺必須在啟動檢查流程前，在表面安全建立晶圓或膜片架的保留區且必須在完成檢查流程後從表面釋放晶圓或膜片架。完成檢查流程後，處理系統必須從晶圓固定工作臺擷取晶圓或膜片架並傳輸晶圓或 膜片架到下一個目的地，如晶圓或膜片架盒或其它製程系統。
多種類型的晶圓處理系統和膜片架處理系統是已知的現有技術。此等處理系統可包含為執行晶圓處理作業(包含傳輸晶圓到晶圓固定工作臺，或從晶圓固定工作臺擷取晶圓)或為執行膜片架處理作業(包含傳輸膜片架到晶圓固定工作臺並從晶圓固定工作臺擷取膜片架)，設定的一個或多個機械或機器人手臂。每個機器人手臂包含相關末端啟動器，該啟動器是為了相對於晶圓部分或膜片架施加和停止真空力以擷取、提取、握住並釋放晶圓或膜片架，該方式一般認為是相關領域的普遍技術之一。
可檢視或定義晶圓固定工作臺本身為一種類型的處理系統，該系統必須穩固、安全且有選擇性在晶圓固定工作臺表面定位並握住晶圓或膜片架，同時替代相對於製程系統的元素替換晶圓或膜片架，例如與光學檢查系統相應的一個或多個光源和一個或多個影像擷取裝置。晶圓固定工作臺結構會顯著影響檢查系統是否達成高平均的檢查產量，以下為更詳細的資訊。再者，與實體特性晶圓和實體特性膜片架相關的晶圓固定工作臺結構會顯著影響光學檢查流程是否可靠並產生正確的檢查結果。
關於正確檢查結果的產生，在光學檢查流程期間，晶圓或膜片架必須在晶圓固定工作臺上穩固固定。此外，晶圓固定工作臺必須將晶圓或膜片架的上層或最上層表面維護在同一檢查平面上並進行處理，例如所有晶圓壓模的表面或盡可能多的晶圓壓模，大量放置於此同一表面，此處的最小或偏差可以忽略不計。更特定而言，以非常高倍率的壓模進行適當或正確的光學檢查所使用的晶圓固定工作臺必須非常平坦，平面誤差幅度最好少於影響擷取裝置對焦的深度的1/3。如果影像擷取裝置對焦深度為20μm，則相應的晶圓固定工作臺平面誤差幅度不得超過6μm。
處理非常小(例如0.5 x 0.5公釐或更小)的壓模和/或厚度(50μm或更小-如，非常薄和/或彈性晶圓或基板承載)時，此平面需求變得非常重要。晶圓非常薄時，超平坦的晶圓固定工作臺變得非常重要，否則在晶圓或膜片架上進行一個或多個壓模定位會很容易超出對焦深度。本領域的一般技術將發現壓模愈小，所需的放大率愈高，因此檢查平 面所在的對焦深度帶愈窄。
如上所述的平面概要，放置於晶圓固定工作臺的晶圓必須於晶圓固定工作臺表面平放，晶圓幾乎已擠壓出其下的所有空氣。在晶圓固定工作臺因氣壓在晶圓上層施以大量力量並替換晶圓時，晶圓上層和底層表面間的氣壓差會將晶圓強力或非常強力固定於晶圓固定工作臺上。因該壓力為表面區的功能，晶圓的面積愈大，向下施以晶圓的力量愈大。此通常稱為晶圓上的「固有的吸力」或「自然吸力」。晶圓固定工作臺愈平，自然吸力愈強，最高限制會由晶圓有限表面所定義。但是，此等吸力的強度會依據晶圓固定工作臺的平坦度而定。一些晶圓固定工作臺可能較不平，且表面上可能有其它溝槽或孔洞，進而導致吸力大減。因為晶圓固定工作臺會在每個壓模檢查期間非常短的距離間重複加速，且通常透過晶圓固定工作臺施以大量的真空力到晶圓固定工作臺表面並達到晶圓的下層以確保晶圓盡量保持平面且在檢查期間不會移動，然而這是因為自然吸力存在的原故。
已開發不同類型的晶圓固定工作臺結構以在進行晶圓或膜片架檢查期間，固定晶圓或膜片架，並在進行檢查作業時在一般平面有效維持最大量的壓模數量。但是沒有一種設計可允許晶圓處理系統處理晶圓和在膜片架載入的切割晶圓，而不發生以下所述的一個或多個問題。將會簡短說明每種現有設計的類型和相關問題。
之前或目前使用多種晶圓夾頭類型。過去晶圓較小(如4、6或8英吋)且明顯較厚(特別是涉及整個表面區域，如晶圓厚度正常化到晶圓表面區的基礎上)而每個壓模面積較大。目前的晶圓大小一般為12或16英吋，而這些處理晶圓的厚度在大小增大時減少(例如在變薄、背面研磨/背面拋光前12英吋晶圓的厚度為0.70-1.0公釐，而在變薄/背面拋光後為50-150μm)，而壓模大小(如0.5-1.0平方公釐)。可預測標準晶圓面積會隨時間持續增加。此外，可預期每年要處理的晶圓會愈來愈薄，而這是為了因應電子和手機製造商對較薄壓模/較薄元件更高的需求，以因應更薄型的電子裝置(如薄型畫面電視、手機、筆記型電腦、平板電腦等)。以下將說明目前處理晶圓和膜片架的晶圓固定工作臺設計 導致缺陷增加的這些因素。
之前和甚至到目前許多晶圓夾頭都是以金屬，如鋼鐵製造。此等金屬晶圓夾頭會鑲嵌溝槽網路，通常為圓形的溝槽會與從中心位置輻射的溝槽相交。真空力可能會穿過這些溝槽施以在晶圓底層上，晶圓底層會與晶圓固定台表面相交，以在晶圓固定工作臺表面安全固定。在許多晶圓固定工作臺設計中，會在面積增大的同心圓上安排佈置溝槽。依據晶圓的面積大小，晶圓放置於晶圓固定工作臺表面上時，可能會讓晶圓涵蓋一個或多個溝槽。可啟動真空力穿過晶圓涵蓋的溝槽，以在製程作業(晶圓檢查作業)期間向下固定晶圓。檢查後，會停止真空力，而且會配置頂出銷，將晶圓從晶圓固定工作臺表面上提起，以使用末端啟動器取出或移除晶圓。因為從金屬晶圓固定工作臺表面的中心會幅射出直線溝槽，停止真空力後，施以真空力後在晶圓底層上的剩餘吸力會迅速消散。較厚的晶圓更適合透過頂出銷施以大量的真空力提起晶圓(如果有任何剩餘吸力)而不會折斷。
如上所述，今日愈來愈多製造的晶圓更薄或較以前更薄(例如目前的晶圓厚度最薄可達50μm)，而每個壓模的面積也較過去大幅縮小(例如0.5平方公釐)。技術上的進步讓壓模面積更小、厚度更薄，但目前的晶圓固定工作臺設計卻導致晶圓處理上的問題。通常壓模面積很小和/或厚度很薄的背面研磨/更薄或切割晶圓(以下簡稱「切割晶圓」)會載入膜片架進行處理。傳統的金屬晶圓固定工作臺因很多原因，不適合在膜片架載入切割晶圓時使用。
請謹記，壓模檢查必須有非常高的放大率，放大率愈高，正確檢查可接受的對焦帶深度、範圍、變動或公差會愈窄。不在同一平面的壓模可能會不在影像擷取裝置對焦深度內。如以上所述，晶圓檢查的現代影像擷取裝置的對焦深度範圍依據其放大率，可為20-70μm或更小。晶圓固定工作臺平面上的溝槽，在此等系統上的膜片架(較小的壓模面積)檢查載入切割晶圓，會發生問題。
溝槽的存在導致壓模面積較小的切割晶圓無法適當安置或均勻置於晶圓固定工作臺表面上。特別是有溝槽的區域(可能有很多)， 膜片架的薄膜可能會稍微垂到溝槽內，導致整個晶圓表面缺乏一致性或所有壓模不平整，而這對光學檢查作業很重要。不平整的現像在切割晶圓小或很小的壓模上特別明顯。此外，溝槽的存在會導致以對一般壓模檢查平面的相對角度替換壓模，或導致壓模垂入或落入一個或多個不同和更低的平面。另外，垂入溝槽的傾斜壓模的光會從影像擷取裝置將光反射而出，而相應於傾斜壓模的影像擷取將無法包含或傳達壓模上一個或多個區域的詳細狀況和/或特性。這對於檢查期間擷取影像的品質有負面影響，並可能導致不正確的檢查結果。
多種先前方式已嘗試解決前述問題。例如，在一種方法中，金屬晶圓固定工作臺支架包含溝槽網路。平面金屬平臺會放置於溝槽網路上。金屬板包含許多小或很小的真空孔洞，允許透過穿孔向晶圓或切割晶圓施以真空力。依據考量的晶圓大小，可啟動相應溝槽的適當樣式或數量。雖然多個小或非常小真空孔洞可能在相同檢查平面上維持壓模，但大量壓模平面問題仍因為技術持續進展導致壓模面積愈來愈小而壓模厚度愈來愈薄，而導致無法有效或完全解決。此等設計也包含與不同晶圓大小相應的多組三重頂出銷，即與多個標準晶圓大小(晶圓固定工作臺可承載)相應的多個不同組的三重頂出銷。頂出銷多個孔洞也可能存在，且可能在檢查框架式壓模上承載的壓模時，因上述原因導致大量壓模平面問題惡化。
一些製造商使用晶圓固定工作臺改裝套件，以在處理整個晶圓時使用帶溝槽的金屬晶圓固定工作臺，且在處理膜片架時使用帶有許多小開口的金屬晶圓固定工作臺蓋。遺憾的是，因為必須從一型晶圓固定工作臺改裝成另一型所以改裝套件需要讓檢查系統關機，而改裝後的晶圓固定工作臺校正耗時頗長且需手動完成。此等關機時間對於系統平均產量有負面影響(如晶圓和膜片架檢查作業的整體或平均產量)，因此需要晶圓固定工作臺改裝套件的檢查系統不受歡迎。
其它晶圓固定工作臺設計，如美國專利第6,513,796號所述，需要晶圓固定工作臺母座，依據處理的是晶圓還是膜片架可容納不同的集中晶圓固定工作臺插入物。在進行晶圓檢查時，插入物通常是帶有可 啟動真空力的真空洞的環形環的金屬板。在進行膜片架檢查時，插入物為有許多可啟動真空力的細微孔洞的金屬板，可如上所述產生大量壓模不平整問題。
但如其它晶圓固定工作臺設計，如美國專利申請公開第2007/0063453號，包含使用多孔材料製成平面類型插入物的晶圓固定工作臺母座，在其上會使用環形環(薄型薄膜材料製成)定義不同區域。一般說來，此等晶圓固定工作臺設計在建構時非常複雜，且必須擁有維妙和複雜的製程，因此製造困難、非常耗時或成本高昂。此外，此等設計使用金屬環形環以依據晶圓面積控制晶圓固定工作臺表面上的區域真空力。金屬環形環需要較預期長的平坦化時間，或在平坦化晶圓固定工作臺表面時，毀損用來研磨晶圓固定工作臺表面的研磨裝置。另外，金屬環可能因晶圓固定工作臺表面不同金屬拋光特性，出現不平坦的問題，因此金屬環形環不適合在現代光學檢查流程中使用(如特別是載入膜片架的切割晶圓)。
遺憾的是，之前晶圓固定工作臺的設計(a)有不需要的複雜結構(b)建構困難、昂貴或耗時；和/或(c)不適合多種不同類型的晶圓製程作業(如壓模檢查作業，特別是膜片架承載的壓模)，因此因技術進步(持續讓晶圓壓模愈來愈小和/或逐漸縮少晶圓厚度)導致晶圓固定工作臺表面的平面不平均。因此很清楚需要晶圓固定工作臺結構和相關晶圓固定工作臺製造技術，可讓晶圓固定工作臺同時處理晶圓和切割晶圓以克服前述一個或多個問題或缺失。
本檔一方面是說明，單一晶圓固定工作臺結構讓晶圓固定工作臺表面適合同時處理晶圓和載入晶圓或部分晶圓的膜片架。晶圓固定工作臺結構包括底盤，包含第一組裸露的上層表面、內表面和一組與內表面整合或連接形成的隔室。底盤由至少一種類型的材料形成，在因應施加負壓的情況下讓氣體或液體無法滲透；至少在一組底盤隔室中配置一種類型的隔室材料，至少一種與隔室相符的隔室材料，並可以硬化，以在一組隔室(施加真空力時氣體或液體可滲透)提供一種硬化隔室材料，並提供第 二組裸露的上層表面、一組在底盤內表面組成的開口，而其硬化隔室材料可曝露在負壓或正壓中，而(a)第一組裸露的底盤上層表面和(b)第二組裸露的硬化隔室材料的上層表面可同時利用一般機電製程進行加工，以提供平坦的晶圓固定工作臺表面(如超平坦表面於晶圓固定工作臺表現出均質性，+/- 100μm或更小)以承載晶圓和膜片架。至少一個底盤和硬化隔室材料包含陶瓷材料。
藉由一般機電製程對第一組底盤裸露的上層表面進行平坦化作業的速率，與藉由一般機電製程對第二組硬化隔室材料裸露的上層表面進行平坦化作業的速率必須相同(例如在+/- 5-20%或+/- 10%間)。
隔室組可包含多個隔室，而晶圓固定工作臺結構也可包含一組將多個隔室分割的一組突起。第一組裸露的底盤上層表面包含裸露的突起上層表面。底盤和每組突起中的每個突起可能使用相同或不同材料組成。底盤內表面包含多個內底層表面。每組突起中的每個突起是底盤內底層表面的邊界，而每組突起中的每個突起分隔每個不同的底盤內底層表面，以定義每組隔室。每組突起中的每個突起和每組隔室中的每個隔室會以與標準晶圓面積和/或標準膜片架面積相關的方式標注尺寸。
在操作時，每組隔室含有包含第一組硬化隔室材料(曝露於相應的第一組開口)的第一個隔室；和包含第二組隔室材料(曝露於相應的第二組開口)的第二個隔室，第二組開口與第一組開口不同。環繞第一個隔室的每組突起中的第一個突起因而會分隔第一個和第二個隔室。會在第一組開口施加負壓，以將第一個晶圓或具有第一個標準直徑的膜片架固定到平坦晶圓固定工作臺表面，而可在第一組開口和第二組開口上施加負壓，以將第二晶圓或第二個標準直徑大於第一標準直徑的膜片架固定到平坦晶圓固定工作臺表面。
一組隔室也可含包含第三組硬化隔室材料(曝露於相應的第三組開口)的第三個隔室，第三組開口與第一組開口和第二組的每一個開口都不同。環繞第二個隔室的每組突起中的第二個突起因而會分隔第二個和第三個隔室。會在第一組開口、第二組開口和第三組開口施加負壓，以 將第三個晶圓或第三個標準直徑大於第一和第二標準直徑的第三個膜片架固定到平面晶圓固定工作臺表面。
晶圓固定工作臺結構也可包含單一組的頂出銷導引構件，透過該導引構件，單一組頂出銷可在處理多個標準面積的晶圓時移動。
本檔另一方面是在說明，製造單一晶圓固定工作臺結構製程讓晶圓固定工作臺表面適合同時處理晶圓和載入晶圓或部分晶圓的膜片架：底盤有第一組裸露的上層表面、內表面、一組與內表面整合或連接形成的隔室以及至少一組在內表面形成的開口、至少一種材料類型(施加負壓讓氣體或液體無法滲透)形成的底盤；在一組底盤隔室部署至少一種類型的隔室材料，至少一種適用於一組隔室的隔室材料；硬化至少一種類型隔室材料以提供硬化隔室材料(施加負壓或正壓讓氣體或液體滲透的一組隔室)提供第二組裸露的上層表面，並同時利用一般機電製程加工第一組裸露的上層表面和第二組裸露的上層表面以提供平坦晶圓固定工作平臺以承載晶圓和膜片架(晶圓或部分晶圓載入)。進行此等機電加工時，藉由一般機電製程對第一組底盤裸露的上層表面進行平坦化作業的速率，與藉由一般機電製程對第二組硬化隔室材料裸露的上層表面進行平坦化作業的速率必須相同。
5‧‧‧晶圓固定工作臺結構
10‧‧‧晶圓
10a‧‧‧第一晶圓
10b‧‧‧第二晶圓
10c‧‧‧第三晶圓
20‧‧‧開口
30‧‧‧膜片架
100‧‧‧底盤
102‧‧‧陶瓷底盤
104‧‧‧質心
106‧‧‧邊界
108‧‧‧外邊界上表面
110a-c‧‧‧內底表面
120a-b‧‧‧突起
122a、122b‧‧‧突起上表面
130a-130c‧‧‧底盤隔室
140a‧‧‧第一體積
140b‧‧‧第二體積
140c‧‧‧第三體積
142a-142c‧‧‧體積
150‧‧‧下層表面
160a-160c‧‧‧頂出銷導引構件
162a-c‧‧‧開口
164a-164c‧‧‧頂出銷
170‧‧‧晶圓固定工作臺製程
172-184‧‧‧製程區
190‧‧‧晶圓固定工作臺平坦表面
192‧‧‧晶圓或膜片架處理平面
200‧‧‧系統
202‧‧‧支撐結構
210‧‧‧晶圓來源
220‧‧‧晶圓目的地
230‧‧‧膜片架來源
240‧‧‧膜片架目的地
250‧‧‧第一處理子系統
260‧‧‧機械臂、末端作用器
270‧‧‧末端執行器
300‧‧‧第二處理子系統
400‧‧‧晶圓對準站
500‧‧‧旋轉對準檢查系統、錯位檢查系統
600‧‧‧檢查系統
610‧‧‧晶圓固定工作臺組件
612‧‧‧頂出銷
620‧‧‧晶圓固定工作臺
622‧‧‧表面
1000‧‧‧控制單元
AT‧‧‧平面或橫向的空間範圍或區域
DTC‧‧‧底盤隔室深度
DV‧‧‧真空通路深度
TOT‧‧‧底盤整體厚度
Zwt‧‧‧縱向軸
ZT‧‧‧垂直底盤軸線
第1A圖是示意圖，顯示部分晶圓和/或膜片架處理系統，依據本檔範例讓單一多孔晶圓固定工作臺結構同時處理晶圓和膜片架。
第1B圖是示意圖，顯示部分晶圓和/或膜片架處理系統，依據本檔範例讓單一多孔晶圓固定工作臺結構同時處理晶圓和膜片架。
第2A圖是晶圓固定工作臺底盤透視圖，包含依據本檔範例的非多孔材料，如陶瓷非多孔材料。
第2B圖是第2A圖底盤從A-A’線的橫截面透視圖。
第3A圖是第2A圖底盤的透視圖，注入可塑、可成型、貼合或流動性多孔材料，如陶瓷非多孔材料。
第3B圖是相對於第3A圖，承載可塑、可成型、貼合或流動性多孔陶瓷材料底盤的從B-B’線橫截面透視圖。
第3C圖是第3A和3B圖中相應承載硬化多孔陶瓷材料相應底盤平坦化後流程真空夾頭結構的橫截面圖。
第3D圖依據本文件範例生產或製造真空夾頭結構的橫截面圖，與第3C圖相應，且在平面真空夾頭平面承載晶圓或膜片架。
第3E圖是有第一個標準直徑(例如8英吋，且依據本檔範例放置於真空夾頭結構上)的第一個晶圓的透視圖。
第3F圖是有第二個標準直徑(例如12英吋，且依據本檔範例放置於真空夾頭結構上)的第二個晶圓的透視圖。
第3G圖是有第三個標準直徑(例如16英吋，且依據本檔範例放置於真空夾頭結構上)的第三個晶圓的透視圖。
第4A圖是陶瓷真空夾頭底盤的透視圖(依據本檔範例，包含一組頂出銷導引構件)。
第4B圖是從C-C’線的第4A圖陶瓷真空夾頭底盤橫截面圖。
第5A圖是第2A和2B圖底盤的透視圖，會注入可塑、可成型、貼合或流動性的多孔陶瓷材料。
第5B圖是相對於第5A圖，承載可塑、可成型或流動性多孔陶瓷材料底盤的從D-D’線橫截面透視圖。
第6圖是依據本文件範例製造真空夾頭結構代表性製程流程圖。
第7圖是依據本文件範例的真空夾頭結構橫截面圖，說明注入的可塑多孔陶瓷材料量在完成平坦化流程前，可能會稍微超出底盤隔室量。
在本檔中，指定元素的描述或考量或在特定圖中特定元素量的使用、或依據描述的材料參考可能在其它圖或相關描述材料識別出相同、相等或為類似元素或元素編號。圖面或相關文字中"/"符號係指「和/或」，除非另外說明。一個特定的數值或數值範圍的敘述應被理解為包括或者是近似的數值或數值範圍的敘述(例如，在+/- 20%，+/- 10%，或+ /- 5%)。同樣的，對等、必要的對等或近似等值被理解為包括實際的平等，以及必要的或近似等值(例如，相同在+/- 20%，+/- 10%，或+/- 5%)。
一如本檔所使用的情況，「集合」一詞，根據已知的數學定義，呼應或被定義為以數學方式表現至少為基數1的元素非零有限組織(亦即，本檔將集合定義為單位元、單線或單一元素組或多元素組的對應詞)(例如，以【數學原理簡介】中所描述的對應方式)：數字、集合和函數，「第11章」：有限集合的特質(例如，如第140頁所示)，Peter J.Eccles，劍橋大學出版社(1998))。一般而言，集合元素會包括或者會是一套系統、儀器、裝置、結構、物件、流程、實際參數或數值，一切取決於考慮集合的類型而定。
為了達到簡潔目的，並協助大眾理解，如本文所使用的術語「晶圓」可以涵蓋整個晶圓、部分晶圓或其它類型的整體或局部的物件或零件(例如，太陽能電池)，具有一個或多個平坦表面區域，必須或規定都要使用一套光學檢查流程和/或其它處理作業。在以下一般所述的術語「膜片架」指的是構造用於承載或支撐晶圓，變薄或背面研磨晶圓或已切割晶圓的支撐組件或框架，會以相關領域的普通技術人員所理解的方式，利用薄層或薄膜的方式，被放置或拉伸於膜片架表面，並且在其上載入或附著。
此外，如本文所使用的術語「晶圓固定工作臺」包括在晶圓檢查流程或膜片架檢查流程中用於支撐晶圓或膜片架的設備，其中術語「晶圓固定工作臺」分別將由相關領域相應的一般技術進行理解，以對應於或等效的，基本上等同或類似的晶圓夾頭、真空工作臺或真空夾頭。如本文所使用，術語「非多孔材料」是指至少實質或基本上無法滲透以防止液體流動或轉移的材料，例如無法讓氣體或液體透過，並且其中的材料至少在負壓或真空力傳輸或流通時基本上或本質上無法滲透(例如，相對於指定厚度或深度的非多孔材料，如深度大於約0.50-1.0公釐)。相似的，術語「多孔材料」是指至少是適當/實質或基本上可滲透以讓液體流動或轉移的材料，例如讓氣體或液體透過，並且其中的材料至少在負壓或真空力傳輸或流通時適當/實質或基本上可滲透(例如，相對於指定厚度或深度的 多孔材料，如深度大於約0.50-1.0公釐)。最後，本次揭露內容中，「陶瓷」與「陶瓷材質」一詞係指本身材質構造及特性完全或絕大部分屬於陶瓷類的材質。
依據本檔具體例涉及的系統和製程處理晶圓和膜片架，提供設定為同時處理晶圓和膜片架單一的或統一的多孔晶圓固定工作臺，可提高或增進正確、高產量晶圓和/或膜片架處理作業或製程作業，例如光學檢查之類的檢查流程。
可在與系統相關或形成系統相關以同時處理晶圓和膜片架(如檢查系統，以下將詳細說明)時，使用依據本檔範例的高度平面或超平面晶圓固定工作臺。由於本次揭露的幾項具體例均涉及到晶圓與膜片架檢查系統(例如光學檢查系統)，因此本次揭露的幾項範例可另外或替代性地支援或執行其它類晶圓和/或膜片架前端或後端處理流程，例如檢測處理。本次揭露的代表性具體例均已特別強調檢查系統並詳加描述，以顧及內文簡潔及有助於大家瞭解。
依據本檔具體例使用設定的單一或統一晶圓固定工作臺以同時處理晶圓和膜片架，可免除或排除晶圓固定工作臺改裝套件的需要，並減少因晶圓到膜片架和膜片架到晶圓改裝套件轉換和校正作業而所需的停機時間，進而提高平均檢查流程產量。依據本檔範例的單一或統一晶圓固定工作臺，可藉由提供擁有高或非常高度平面的晶圓固定工作臺(在共同檢查表面維持晶圓壓模表面，同時減少或忽略沿著平行於高度平面晶圓固定工作臺表面的正常軸方向產生的偏差)，協助或提高高正確性的檢查作業。
典型系統配置和系統元素的各方面
第1A圖是依據本檔代表範例處理膜片架30的系統200方塊圖，包含可耦接、承載、擁有單一或統一晶圓固定工作臺620的晶圓固定工作臺組件610，該工作臺提供可展現高或超高平面度的晶圓固定工作臺表面622(如+/- 200μm或+/- 100μm或+/- 50μm平面度)，設定用來讓檢查系統600同時處理晶圓和膜片架(如檢查流程，例如晶圓檢查流程和膜片架檢查流程)。系統200也可包含額外元素，如設定用 來(b)提供晶圓到膜片架旋轉的錯位調整和晶圓非平面補救措施的元素，是檢查前處理作業的一部分，和/或防止橫向位移是檢查後處理作業的一部分，如2012年8月31日提交的美國臨時專利申請第61/696,051號所述，而目前的申請要求具有優先權。
依據晶圓10或膜片架30是否在指定時間進行檢查，系統200會分別包含如晶圓盒的晶圓來源210或如膜片架盒的膜片架來源230。同樣的，如果晶圓10進行檢查，系統200會包含如晶圓盒的晶圓目的地220(或處理站的一部分)，且如果膜片架30進行檢查，系統200會包含膜片架目的地240，可以是膜片架盒(或處理系統的一部分)。晶圓來源210和晶圓目的地220可能與同一位置或結構相應，或是相同位置或是相同結構(如相同晶圓盒)。同樣的，膜片架來源220和膜片架目的地240可能與同一位置或結構相應，或是相同位置或是相同結構(如相同膜片架盒)。
在考量的代表性範例中，系統200還包括預先對準的晶圓或設定用於建立晶圓10的初始或預先檢查對準，使得晶圓10正確相對於檢查系統600對齊的晶圓對準或對準站400；旋轉對準檢查系統500配置可用於接收、擷取、確定或測量旋轉錯位方向，以及旋轉錯位元幅度(如可使用旋轉錯位角度表示)，與在膜片架30的晶圓10和為管理或控制系統作業(執行存放程式指示方式)設定控制單元1000，詳情如下所述。控制單元1000可包含或是電腦系統或計算裝置，包含處理單元(如微處理器或微控制器)、記憶體(如包含固定和/或可移除的隨機存取記憶體(RAM))以及唯讀記憶體(ROM))、通訊來源(如標準訊號傳輸和/或網路介面)、資料存放資源(如硬碟、光碟或類似裝置)以及顯示裝置(如平面顯示器)。
在多個具體例中，系統200可額外包含支撐結構、基架、底架或起落架202，可進行耦合或進行設定，以支援或承載至少第二處理子系統300，而此第二處理子系統300可與第一處理子系統250以及處理系統600在作業上相互作業以協助處理晶圓或膜片架處理作業。在某些具體例中，支撐結構202會支撐或承載第一處理子系統250、第二處 理子系統300、晶圓對準站400、錯位檢查系統500以及檢查系統600。
第1B圖是系統200方塊圖，可處理晶圓10和膜片架30，以在檢查時提供設定使用檢查系統600同時處理晶圓和膜片架檢查的單一或統一晶圓固定工作臺620，同時依據本檔範例進一步提供第一處理子系統250和第二處理子系統300。在此範例中，晶圓來源210和晶圓目的地230相同，如相同的晶圓盒；膜片架來源220和膜片架目的地240相同；如相同的膜片架盒。此範例可提供較小或大幅減少的空間足跡，成就更精簡和節省空間的系統200。
在另一個代表範例中，檢查系統600被設定可在晶圓10和膜片架30上執行2D和/或3D光學檢查作業。光學檢查系統600可包含多個光源、影像擷取裝置(如相機)(設定用來擷取影像和產生相應影像資料組)以及光學元素(為一些或每個導向晶圓10光學元素、從晶圓表面反射導向光到特定影像擷取裝置、反射或以光學方式影響(如過濾、對焦或準直)光事件和/或從晶圓表面反射，以相關領域瞭解的一般技術執行)。光學檢查系統600同時包含或使用處理單元為通訊設定和使用記憶體為分析影像資料組設定，以執行存放程式指示和產生檢查結果的方式執行。如前所述，系統600包含或可另行包含其它類型的處理系統。
進一步參考第1C圖，由晶圓固定工作臺組件610承載的晶圓固定工作臺620提高高度平坦或超平坦的外部或裸露的晶圓固定工作臺表面622，讓晶圓10和膜片架30可在其上放置或定位並固定或保留，或統一在共同檢查表面上維持晶圓壓模12，並沿著平行於較高平面晶圓固定工作臺平面622法線Zwt的方向有最小或可忽略的平面偏差。
晶圓固定工作臺620的設定可選擇性和安全在晶圓固定工作臺表面622，以固有或自然吸力(因氣壓在晶圓頂層、上層或裸露的表面間以及晶圓底層或下側作用而存在)的方式，並整合(b)選擇性控制在晶圓10上施以的真空力或負壓，握住或保留晶圓10或膜片架30。晶圓固定工作臺620可進一步進行設定以在晶圓10或膜片架30上施以或提供正氣壓，例如短暫約0.5秒或0.25-0.75秒的時間施以突然的正壓(如氣衝或吹氣)到晶圓固定工作臺表面622和晶圓10或膜片架 30的下側間，以在中斷或停止施以真空力後，從晶圓固定工作臺表面622釋放作用於晶圓10或膜片架30間的真空吸力。
在多種具體例中，晶圓固定工作臺組件610包含一組頂出銷612，可以相對於晶圓固定工作臺表面622的方向、平行或沿著晶圓固定工作臺z軸Zwt的垂直方向以選擇性和可控制的方式放置，以相對於晶圓固定工作臺表面622，垂直放置晶圓10或膜片架30。在多個範例中，晶圓固定工作臺620包含單一組的頂出銷612(如三個頂出銷)，設定用來處理多個標準面積如8、12和16英吋晶圓10的晶圓。晶圓固定工作臺620不須包含且可省略或排除額外組的頂出銷612(如額外組的三重頂出銷)，因為依據本檔範例的處理方式，將頂出銷單一組612定位到晶圓固定工作臺620上(如定位以承載8吋晶圓到附近、通常靠近、接近或靠近其週邊)。以下多個具體例進一步詳細說明，使用頂出銷612以傳輸晶圓10到晶圓固定工作臺620，或從晶圓固定工作臺620傳輸晶圓10，而在傳輸膜片架30到晶圓固定工作臺620，或從晶圓固定工作臺620傳輸膜片架30時不須包含且可忽略和整個排除使用頂出銷612。
在多個具體例中，晶圓固定工作臺620包含或擁有相同結構、基本上相同、大部分相同或類似於以下參考第2A到7圖所描述的晶圓固定工作臺結構。
晶圓和膜片架處理的代表性統一晶圓固定工作臺結構的各方面
依據本檔具體例，晶圓固定工作臺結構包含底盤(或基礎母座、框架、構成、儲存庫或儲存結構)，該底盤擁有數個與晶圓固定工作臺結構(如底盤底部)內部或基礎表面整合形成或連接的突起(可包含或可以是隆起、突起、凸起帶、隔板、褶皺、摺痕或褶皺)。在多個具體例中，底盤可包含至少一種類型的非多孔材料，如陶瓷材料。底盤的作用是在施以真空力時，讓氣體(空氣)或液體無法滲透，或基本上讓氣體或液體無法滲透。即，非多孔材料的作用是在施以真空力時，不會穿透或基本上不會穿透氣體、液體或真空力的通道。非多孔材料的進一步作用是可輕 鬆並輕易使用一般技術和設備，如傳統拋光輪，使用機器加工、研磨或拋光。在多個具體例中，非多孔材料可包含或可以是陶瓷。
突起會定義、界定、劃分或分割底盤為多個隔室、隔房、結構、開放區域或凹槽，而至少使用、提供、放置或注入和固化或硬化一種可塑、可成型、貼合或流動性多孔材料。多孔材料可進一步安全黏結(例如化學性黏結，如與硬化、固化或固化流程相關)或附著於底盤隔室，而硬化多孔材料可在隔室中安全保留或注入。另外或可選地，突起可以此方式成形，使得在隔室中硬化或固化時，多孔材料可在突起結構內保留。可以構成突起以包含彎曲和/或突出部分或按照所需或必要時使用其它適當形狀。
在隔室中多孔材料的作用是在施以真空力時讓氣體或液體(如空氣)通道通暢，讓氣體、液體或真空力可在其中流通或傳輸(如被固化、硬化且施以真空力後)。此外，多孔材料的作用是可輕鬆並輕易使用一般技術和設備，如傳統拋光輪，使用機器加工、研磨或拋光。
非多孔底盤材料的選擇和/或在底盤隔室中使用多孔材料，其晶圓固定工作臺結構(與在晶圓10或膜片架30上施以或處理時)會依據想要或需要的晶圓固定工作臺結構特性。例如，在大直徑的切割晶圓10(膜片架30承載)上小型或超小型壓模12光學檢查需要晶圓固定工作臺結構提供擁有非常高或超高平面度的晶圓固定工作臺表面。此外，非多孔性底盤材料的選擇和/或多孔隔室材料可依據化學、電子/磁力、熱力或聲學需求，而晶圓固定工作臺結構應符合預期或指定的晶圓或膜片架處理條件的類型檢視，而在該條件下將曝露晶圓固定工作臺結構。
在多種具體例中，非多孔底盤材料和多孔隔室材料會依據材料特性或品質選取，可協助或提高由單一研磨或拋光設備(如實質或基本上同步)在至少兩種不同材料裸露的多個表面進行研磨或拋光。更特定的是，兩個(或多個)不同非多孔和多孔材料的裸露表面可以相同或完全相同方式同時進行機器加工、研磨或拋光，例如使用單一、共同或共用製程(包含標準機器加工、研磨或拋光設備操作或依據標準機器加工、研磨或拋光技術)。在每一非多孔和多孔材料進行機器加工、研磨或拋光，可能 導致在機器加工、研磨或拋光元素、裝置或工具(如拋光頭)最低、最少或可忽略的損壞。此外，在一些具體例中，會選取非多孔底盤材料和多孔隔室材料，如此一來，非多孔底盤材料受到此等機械加工、研磨或拋光(如平坦化處理)的影響速率與多孔隔室材料受到此等影響(如平坦化處理)的速率基本上會相同。為了達到簡潔目的和便於理解，以下所述的晶圓固定工作臺代表具體例中，非多孔底盤材料包括或就是非多孔陶瓷類材料，且多孔隔室材料包括或就是多孔陶瓷類材料。相關領域中的一般技術人員都能瞭解：依據本檔具體例製成的晶圓固定工作臺，不限於以下代表範例中提供的相關材料類型。
設計製造一個非常平坦、高度平面的晶圓固定工作臺或需要超平面的晶圓固定工作臺表面時，多孔材料可以包括可塑多孔陶瓷材料和/或其它化學化合物，這種材料和/或化合物適用於按照相關領域一般技術人員理解的方式，採用標準/常規的加工技術、加工順序和加工參數(例如，硬化溫度或溫度範圍和相應的硬化時間或時間間隔)形成，製造或生產多孔晶圓固定工作臺、晶圓夾頭、真空工作臺或真空夾頭。在多個具體例中，多孔材料可以包括或者是由CoorsTek(CoorsTek Inc.位於美國俄勒岡州希爾斯伯勒市，電話503-693-2193)提供的市售材料。這種多孔材料可以包括或者是一種或多種類型的陶瓷材料，如氧化鋁(Al2O3)和碳化矽(SiC)，且硬化後/後固化孔徑大約介於5-100μm(例如，約5、10、30或70μm)，孔隙率大約介於20-80%(例如，約30-60%)。可依實際要求(例如，考慮實際應用的真空力預期或所需等級)，根據本領域一般技術人員理解的方式，選擇多孔隔室材料的孔徑(例如，檢查膜片架30上的薄或超薄晶圓10)。
可以對與所述陶瓷底盤部分相對應的外露、上層表面或外層表面(例如，一組突起，也有可能是外底盤的邊緣)和底盤隔室所採用的硬化可塑多孔陶瓷材料進行機械加工(例如，透過一種統一或單一的機械加工或拋光流程)，以提供一個非常高或極高平整度或平面均質性的共同晶圓固定工作臺表面，這適用於沿著通用平面或在通用平面內(垂直於晶圓固定工作臺表面的軸線)有效處理或維護晶圓壓模表面的方式，可牢固 地保持晶圓或膜片架，並產生最小或可以忽略的偏差，例如在檢查期間。
第2A圖是陶瓷底盤100的透視圖；第2B圖是根據本文件範例，線A-A'經過的第2A圖底盤的橫截面透視圖。如上所述，各個具體例中的陶瓷底盤100是非多孔或基本上無孔的，因此氣體、液體無法滲透或基本上無法滲透，或在施加真空力時，真空力無法透過該底盤傳遞。也就是說，陶瓷底盤100通常被拿來當作非常結實或難以有效穿過的屏障，可以隔絕氣體、液體或真空力的傳輸或傳遞。
在某範例中，底盤100具有定義中心或質心104的形狀，在其相對位置或周圍可以放置一個真空開口20、一個平面或橫向的空間範圍或區域AT、外周邊或邊界106、多個內底表面110a-c(可以包括其中已放置真空開口20的內部表面)、一個或多個放置在底盤中心和外部邊界106之間的突起120a-b(例如，在一個環形或同心配置中)。如以下進一步詳細敘述，在各種不同具體例中，突起120a-b以及底盤外邊界106的大小、形狀和/或尺寸設定，與標準的晶圓和/或膜片架的大小、形狀和/或尺寸相關聯或相對應(例如，8英吋、12英吋和16英吋的晶圓，以及一個或多個與此等晶圓尺寸相對應的膜片架)。在一些具體例中，底盤100還至少包括一個下層表面150，這一表面的大部分或整個面都放置或基本上放置在單一底盤的底部平面中。
在一些具體例中，可將垂直底盤軸線ZT定義為垂直，或基本上與底盤的下層表面150、底盤的內底表面110a-c垂直並透過底盤的中心或質心104延伸。相關領域的一般技術人員可以理解，可將垂直底盤軸線ZT定義為與既定晶圓固定工作臺表面垂直，並可在該表面上或緊貼該表面牢固地保持或保留晶圓或膜片架。在第2A和2B圖中，ZT與將每個真空開口20一分為二的線段A-A'垂直。
每一個突起120a-b鄰近底盤100的內底表面110a-c，並且每一個突起120a-b彼此界定、分離或分割不同底盤內底表面部分，從而形成一組底盤隔室或母座130a-b，這些隔室或母座可接收或存放上述可塑、可成型、貼合或可流動的多孔材料。尤其在第2A圖中顯示的範例中，第一個突起120a在底盤100的第一個內底表面110a上方和周圍(如同 心環繞)延伸。圍繞或環繞第一個內底表面110a的一個突起120a界定了一個連續或總體連續的結構性凹槽，從而形成第一個底盤隔室或母座130a，而其中第一個內底表面110a為底面。同樣地，第一個突起120a和第二個突起120b在底盤100的第二個內底表面110b上方延伸。第二個突起120b環繞第一個突起120a(例如，第一和第二個突起120a-b彼此是同心的)，因此上述的第一和第二個突起120a-b構成了第二個連續或大致連續的底盤隔室或母座130b，並將第二個內底表面110b作為它的底表面。同樣的類似狀況，底盤的外邊界106環繞第二個突起120b(例如，第二突起120b和外邊界106彼此的相對位置是同心的)，這樣它們便形成了第三個連續或大致連續的底盤隔室或母座130c，並將第三個底盤內底表面110c作為它的底部表面。任何指定的突起120都有一個橫向突起寬度，約1-4公釐(例如，大約3公釐)，以及相應的突起深度，約3-6公釐(例如，大約4公釐)，從而構成隔室或母座130的深度。如以下進一步敘述，在各種具體例中，任何指定底盤隔室或母座130a-c都具有一個空間範圍、平坦的表面區域，或者說，具有和空間範圍、平坦表面區域相關或對應的直徑，或具有標準晶圓的直徑和/或標準膜片架的大小、形狀和/或尺寸。
上述考慮同樣適用於其它範例中附加或其它類型的底盤隔室或母座130，包括具有單個突起120的具體例、具有兩個以上突起120a-b的範例和/或一個或多個突起120的部分且不環繞另一個突起部分，或與一個或多個其它突起120且不是環形/同心的範例(例如，當一個特定突起120的部分相對於另一個突起120是橫向、徑向或以其它方式放置)。突起120呈現出各種形狀、大小、尺寸和/或部分(例如，突起120可包括多個不同或獨立的部分或以橢圓形、圓形或其它類型的幾何輪廓或圖案進行配置)，從而能夠形成不同類型的底盤隔室或母座130，相關領域的一般技術人員可以輕易地理解這一點。
除了以上所述，底盤的外邊界106以及每個突起120a-b分別包含曝露在外邊界上層表面108和裸露的突起上層表面122a-b，相對於底盤的下層表面150而言，這與底盤100的上層表面或上側相對 應，因此最接近晶圓10或晶圓固定工作臺平面承載的膜片架30。在多個具體例中，底盤外邊界的上層表面108和底盤內底表面110a-c之間的垂直距離(例如，平行於所述底盤中央橫向軸線ZT)，以及每個突起上層表面122a-b和底盤的內底表面110a-c之間，形成了一個底盤隔室深度DTC。底盤外邊界上層表面108和底盤下層表面150之間的垂直距離定義了底盤整體厚度TOT。最終，真空開口20延伸經過的垂直距離定義了真空通路深度DV，這等同於TOT和DTC間的差距。
第3A圖是第2A圖中底盤100的透視圖，該底盤採用可塑、可成型、貼合或可流動的多孔材料，經過處理可有效提供依據，促進或使其成形，或者根據本檔範例形成晶圓固定工作臺結構5。第3B圖是底盤100由線段B-B'隔開的橫截面透視圖，該底盤採用的多孔材料和第3A圖所示的底盤材料相同。第3C圖是底盤100的橫截面圖，其多孔材料與第3A和3B圖所示的底盤材料相對應。
在第3A和3B圖中，可將多孔材料視為存在於底盤隔室130a-c中，其狀態為預硬化/預設置或硬化後/設置後，狀態取決於所述晶圓固定工作臺結構的製造階段。此外，如果認為狀態為硬化後/設置後狀態，那麼該多孔材料和非多孔或真空防滲透陶瓷底盤100可處於預平坦化/預加工或平坦化後/機械加工後狀態，這再次取決於所考慮的晶圓固定工作臺結構的製造階段。依照本文件範例製造代表性晶圓固定工作臺結構的工序階段，詳細說明如下。
在第3A-3C圖中，和第2A和4B圖中所示底盤範例相對而言，在底盤隔室130a-c中加入、放置、沉積或提供所述多孔材料，並將多孔材料做成底盤隔室130a-c的內部幾何形狀後，第一個底盤隔室130a中填充第一體積為140a的多孔材料，第二個底盤隔室130b中填充第二體積為140b的多孔材料，第三個底盤隔室130c中填充第三體積為140c的多孔材料。上述考慮同樣適用於具有不同數目和/或配置的隔室130的其它底盤具體例。也就是說，將該多孔材料應用到底盤隔室130中以後，每個這樣的隔室130都將填充既定體積140的多孔材料，這一體積和所考慮的任何指定隔室130的尺寸或體積相對應。應用到任何指定 底盤隔室130多孔材料的初始體積140應等於或超過該隔室的體積，如此一來，多餘的多孔材料可以用於平坦化程式相關的機械加工或拋光，以下將對此進一步詳細說明。
將多孔材料注入隔室130後，任何指定體積為140的多孔材料的部分會曝露於隔室130的多個真空開口20。更特定而言，在指定體積為140的多孔材料內，與底盤內底層表面110接觸的多孔材料選擇性曝露於放置或成形在相應底盤內底層表面110內的一個或多個真空開口20。例如，第3B和3C圖中所示的特別情況，多孔材料的第一體積140a曝露於第一個底盤隔室130a的第一個內底層表面110a內，底盤100中心放置的真空開口20。同樣地，多孔材料的第二體積140b曝露於第二個底盤隔室130b的第二個內底層表面110b內放置的真空開口20；多孔材料的第三體積140c曝露於第三個底盤隔室130c的第三個內底層表面110c內放置的真空開口20。由於多孔材料的每個體積140a-c曝露在對應的一組真空開口20，真空力可以從多孔材料的每個體積140a-c中選擇性傳遞、分解和轉移到與晶圓固定工作臺結構5上層表面相對應的多孔材料上層表面。因此，晶圓固定工作臺結構5的晶圓固定工作臺平坦表面上承載特定大小或形狀的晶圓10或膜片架30時，真空力可以從晶圓10或膜片架30(放置在晶圓固定工作臺平坦表面上)覆蓋的相應底盤隔室選擇性傳遞或轉移到晶圓10或膜片架30的下側，進一步說明如下。
如同上述和以下說明，多孔材料體積140注入底盤隔室130後，可以在內底層表面110和相關側表面或分隔隔室130的一個或多個突起120的側壁硬化、固化、硫化和粘合每個體積140(例如，整體上與硬化/粘合過程有關或同時發生這兩個過程)。此外，硬化/粘合過程後，裸露的晶圓固定工作臺結構5的上層表面(包括裸露的多孔材料體積140的上層表面)、裸露的突起上層表面122和裸露的外邊界上層表面108可使用個別機械加工、研磨或拋光設備，藉由一種或多種傳統、簡單、便宜、可靠的機械加工或拋光技術或流程，在兩個明顯不同或不同材料表面間同時進行加工、打磨或整平。再者，使用個別機械加工、研磨 或拋光設備可以提高或設定晶圓固定工作臺表面的平坦度，呈現高度或超高的平面均質性。因此，放置或牢固固定或保持在晶圓固定工作臺平坦表面上，由晶圓10或膜片架30承載的壓模12可以維持在通用平面上，使得壓模上層表面或裸露的表面可有效保持在該通用平面上，且誤差最小或可以忽略，甚至也適用於非常小的壓模或很薄的晶圓。因此，此等指定體積140內壓模12的上層表面沿高度平坦的晶圓固定工作臺表面的軸線平行方向(例如，晶圓固定工作臺縱向軸ZWT與底盤縱向軸ZT一致、重合、覆蓋的方向)，與上述通用平面的位置偏差最小或可以忽略。根據本檔具體例製成的超平坦晶圓固定工作臺，使得晶圓10或(保留在晶圓表面上的)膜片架30上的壓模12大致上可以放置在單一平面(例如，檢查平面)上，以便於準確觀察和/或進行其它加工。
第3D圖是與第3C圖對應，根據本檔範例製成的晶圓固定工作臺結構5的剖面圖，晶圓固定工作臺平坦表面上承載了晶圓或膜片架。晶圓固定工作臺結構5提供的晶圓固定工作臺平坦表面190，具有高度或超高的平面均質性，所以藉由真空力保持牢固或固定在晶圓固定工作臺平坦表面上的壓模12(例如，非常小/非常薄的壓模12)、設備或材料層，會整體或共同保持、基本上保持或主要保持在晶圓或膜片架處理平面192上(例如，光學檢查平面)，且沿晶圓固定工作臺縱向軸ZWT方向(相當於朝向或離開晶圓固定工作臺平坦表面190的方向)或離開晶圓或膜片架的位置偏差或位移最小或可以忽略。在代表範例中，具有平坦表面區域的壓模12，裸露的表面或上層表面約大於等於0.25-0.50平方公釐，厚度約大於等於25-50微米。整體上，壓模12距離晶圓或膜片架處理平面192的縱向偏移約小於+/- 100μm或約小於10-90μm(例如，約小於+/- 20-80μm或平均約小於50μm)。非常小或超小的壓模12(例如約0.25-0.55平方公釐)和/或非常薄或超薄的壓模12(例如厚度約25-75μm或50μm)，可保持在檢查平面192上，使其距檢查平面192的偏移距離約小於20-50μm。
如前所述，特定底盤隔室130中的多孔材料指定體積140的最大橫截面大小或直徑，以及突起120(可以定義或限制供多孔材料指 定體積140駐留之隔室130的最大平坦空間範圍或表面區域)跨越的平坦空間範圍或表面區域，符合特定標準或預期的晶圓或膜片架的大小、平坦空間範圍或表面積、尺寸或直徑。更特定而言，為了將指定大小的晶圓10或膜片架30牢固固定或保持在晶圓固定工作臺平坦表面190上，藉由選擇性提供或傳遞到達或透過真空開口20(放置在或曝露在隔室130內)的真空力，為晶圓10或膜片架30提供或傳遞真空力。隔室130的最大橫截面尺寸或直徑，要與目前考慮的晶圓最大橫截面尺寸或直徑或膜片架大小最接近，並且每個對應於晶圓或膜片架的隔室130，要小於目前考慮的晶圓10或膜片架30的尺寸。如此一來，特定尺寸的晶圓10或膜片架30，應可完全覆蓋橫截面尺寸或直徑與目前考慮的晶圓10或膜片架30尺寸最接近的多孔材料體積140的上層表面(a)，以及具有最小橫截面尺寸或直徑多孔陶瓷材料體積140的上層表面(b)。晶圓10或膜片架30應該也可覆蓋與其尺寸最接近的突起120部分，以及每個直徑小於所考慮的晶圓10或膜片架30的突起120。
第3E圖是根據本檔範例製成的晶圓固定工作臺結構5上放置的具有第一個標準直徑(例如，8英吋)的第一個代表性晶圓10a的透視圖。第一個晶圓10a透過(a)覆蓋第一個多孔材料體積140a，至少部分覆蓋第一個突起120a的橫截面寬度，但不延長至或覆蓋多孔材料第二體積140b，牢固地保持在晶圓固定工作臺平坦表面190上；或者(b)根據真空力的選擇性或偏好條件，為第一個晶圓10a施加或傳遞到達或透過第一個隔室真空開口20，進入或透過多孔材料第一體積140a，到達第一個晶圓10a下側的真空力，牢固地將其保持在晶圓固定工作臺平坦表面190上。
第3F圖是包含第二組標準直徑(例如12英吋，且依據本檔範例放置於晶圓固定工作臺結構5上)的第二晶圓10b的透視圖。第二晶圓10b透過(a)覆蓋多孔材料第一和第二體積140a-b，至少部分覆蓋第二個突起120b的橫截面寬度，但不延伸至或覆蓋多孔材料第三體積140c，牢固固定在晶圓固定工作臺平坦表面190上；或(b)根據真空力的選擇性或偏好條件，為第二晶圓10b施加或傳遞到達或透過第一個和 第二個隔室的真空開口20，進入或透過第一和第二個多孔材料體積140a-b，到達第二晶圓10b下側的真空力，牢固地將其保持在晶圓固定工作臺平坦表面190上。
第3G圖是包含第三個標準直徑(例如12英吋，且依據本檔範例放置於晶圓固定工作臺結構5上)的第三個晶圓10c的透視圖。第三個晶圓10c透過(a)覆蓋多孔材料第一、第二和第三體積140a-c，部分覆蓋底盤外側邊界106的橫截面寬度，牢固固定在晶圓固定工作臺平坦表面190上；或(b)根據真空力的選擇性或偏好條件，為第三個晶圓10c施加或傳遞到達或透過第一、第二和第三個隔室的真空開口20，進入或透過第一、第二和第三個多孔材料體積140a-c、到達第三個晶圓10c下側的真空力，牢固地將其保持在晶圓固定工作臺平坦表面190上。
除了上述內容，在大量具體例中，陶瓷底盤100可包含或被製成具有或提供一種或多種其它類型的結構特性或元件。陶瓷底盤102為特殊的代表性但非限制性的具體例，將在之後詳細說明。
第4A圖是陶瓷晶圓固定工作臺底盤100(依據另一個本檔範例，包含一組頂出銷導引構件160)的透視圖。第4B圖是第4A圖沿C-C'線剖開的陶瓷晶圓固定工作臺底盤透視圖。在此等範例中，底盤100的整體結構類似或基本上與上述內容相同。但是，第一突起110a備有數種頂出銷導向結構、元件或零件160a-c(例如，不同具體例中有三個頂出銷導向結構，足夠使頂出銷處理各種對應尺寸(8英吋、12英吋和16英吋)的晶圓。每個頂出銷導引構件106a-c經過塑型和配置後，可提供對應的162或定義頂出銷移動時可經過的通道或路徑。在多個具體例中，任何指定的頂出銷導引構件160a-c可被製作成第一突起110a整體的一部分或延伸部分，使得頂出銷導引構件160a-c延伸到第一隔室120a內。而且，頂出銷導引構件160a-c的尺寸或構造使得晶圓固定工作臺結構在使用它時(例如頂出銷升起或降下時)，從頂出銷導引構件160a-c不會發生、可以忽略或發生最小的真空度下降。在若干具體例中，可以有計劃地放置頂出銷導引構件160a-c，讓單一頂出銷組164可以處理晶圓固定工作臺結構5設計處理的每種晶圓尺寸。從相關領域的一般性技術 中，可以瞭解頂出銷導引構件160a-c可與第一突起110a分開或作為其它突起110(例如，第二突起110b)的一部分，選擇性或單獨加工成形。
第5A圖是第4A和4B圖底盤的透視圖，會注入、提供或放置可塑、可成型、貼合或流動性的多孔材料。第5B圖是相對於第5A圖，承載可塑多孔材料的底盤100從D-D'線剖開的截面透視圖。請注意，當可塑多孔材料注入底盤100時，頂出銷導引構件160a-c內以及透過頂出銷導引構件160a-c的開口162應密封或堵塞，這樣多孔材料不會進入開口162和相應的頂出銷導引構件160a-c的通道，以確保在頂出銷啟動過程中(包括晶圓或膜片架相對於晶圓固定工作臺平坦表面190的升高或降低)，頂出銷164a-c在通道和開口162中的行程不會受到硬化可塑多孔材料的阻礙。
在某些具體例中，底盤100可承載、包含或容納數個加熱和/或冷卻元件。例如，加熱元件可包括電阻加熱元件。冷卻元件可包括配置為承載冷卻物質或液體(例如，冷凍氣或冷凍液)的管線、通道或通路，或是電子冷卻設備。加熱和/或冷卻元件可附加或封裝在非多孔陶瓷底盤材料中，例如在底盤110的一個或多個部分內整體成型。另外，加熱和/或冷卻元件可放置在非多孔陶瓷底盤材料的外部，附加或封裝在佔據底盤母座130的多孔材料部分內。除此之外，或如果需要備選方案，非多孔陶瓷底盤100和/或占據底盤母座130的多孔材料可承載、包含或容納額外或其它類型的元件，例如電極、溫度傳感元件(電熱偶)和/或在晶圓固定工作臺結構5內和/或外部探測環境/周圍條件的其它類型的傳感元件。
第6圖是依據本檔範例製造的晶圓固定工作臺結構5的代表製程170流程圖。在某範例中，晶圓固定工作臺製程170包括第一製程區172(提供具有多個隔室130的非多孔陶瓷晶圓固定工作臺底盤100)；第二製程區174(提供可塑多孔材料)；第三製程區176(包括將可塑多孔材料注入多個隔室130，填充多個隔室130內每個隔室130的幾何體積，讓可塑多孔材料適合或占據每個隔室130的內部空間。在每個隔室130內，可塑多孔陶瓷材料的初始體積142超過或略超過隔室130的體積，方法是可塑多孔陶瓷材料呈現的深度或厚度超過底盤隔室 130的深度DTC，如第7圖所示的一般性說明。
第四製程區178是要硬化或固化可塑多孔陶瓷材料，並粘合多孔材料與劃分每個隔室130的內表面(例如，底盤100內底層表面110和突起120對應的隔室側壁)。一旦多孔材料牢固地保持在或粘合到隔室內表面上，第五製程區180就會開始加工或拋光多孔材料(例如，各個多孔材料體積140)以及底盤110部分(例如，底盤突起120裸露的上層表面122和底盤外邊界106裸露的上層表面108)，以便同時提供極度平坦的多孔材料體積140裸露的上層表面或外層表面、底盤突起120裸露的上層表面122和底盤外邊界106裸露的上層表面108，從而確定用來固定晶圓和膜片架的晶圓固定工作臺平臺表面190擁有高度均質性。進行平坦處理後，對應於任何指定隔室130的每個多孔材料體積140都與隔室130的體積相同或大致上相同。
第六製程區182將晶圓固定工作臺結構5，連接或安裝到移動式晶圓固定工作臺或載物台配件(例如，x-y晶圓載物台)，將經平坦處理的晶圓固定工作臺結構5內的真空開口20連接到一組載物台配件真空管線、連接裝置和/或閥，讓真空力可以選擇性啟動並施力到晶圓固定工作臺平坦表面190上放置的晶圓10或膜片架30上。
相較於之前某些晶圓固定工作臺設計，以主要由一或多種金屬製成的隔板分隔多孔材料區域，和/或使用主要由一或多種金屬製成的外圍母座結構，根據本檔製成的各種晶圓固定工作臺結構具體例，可以避免使用或不包含主要由一或多種金屬製成的突起120，而且基本上還可以進一步避免使用主要由一或多種金屬製成的底盤100。更特定的說，在之前的晶圓固定工作臺設計中，包括至少部分或主要由金屬製成的上層或裸露的非多孔晶圓固定工作臺表面，以及至少主要由陶瓷材料製成的上層或裸露的多孔晶圓固定工作臺表面，這些金屬表面具有與多孔陶瓷材料表面截然不同的機械加工、研磨或拋光特點、屬性或性能。在機械加工、研磨或拋光過程中，無法像陶瓷材料表面一樣，以相同速率輕易地讓金屬表面變得平滑。而且，金屬表面會很容易損壞標準的機械加工、研磨或拋光元件、設備或工具(如拋光頭)。相較於根據本檔具體例製成的晶圓固定工作臺 結構，金屬表面的雜質會大幅增加機械加工、研磨或拋光過程的難度，費用高昂且耗費時間。
此外，裸露的金屬表面和裸露的多孔陶瓷表面在機械加工、研磨或拋光時的不同特點，顯著提高了在最終製成的晶圓固定工作臺表面的一或多個區段或部分間，出現不理想或無法接受的不平或不夠平滑表面的可能性。因此，之前這類的晶圓固定工作臺表面設計，不適用於檢查工作臺上承載易碎壓模12的大口徑、薄晶圓10，例如膜片架30(承載小型或超小的壓模12)上承載的12英吋或更大的切割晶圓10。相較之下，根據本檔製成的晶圓固定工作臺結構具體例不會有這種缺點，並提供高度融合或超級融合的平坦晶圓固定工作臺表面622，它非常適合晶圓10或膜片架30此等類型的檢查。
根據本檔具體例製成的晶圓固定工作臺，最終成果是晶圓固定工作臺620。這個工作臺(a)除去或省略了晶圓固定工作臺表面622上的溝槽或真空孔洞(如鑽孔真空孔洞)，這些溝槽和真空孔洞將對晶圓固定工作臺表面622的平坦度造成不利影響並會衍生上述的一個或更多相關問題；(b)擁有非常高或超高平整度的晶圓固定工作臺表面622，適用於處理(i)晶圓10和薄膜框架30，因此消除了對晶圓固定工作臺改裝套件的需求，和(ii)駐留在超薄或靈活晶圓(如75μm、50μm或更薄)上的非常小或超小壓模12(如0.5公釐x 0.5公釐的正方形或更小)，因為平滑的晶圓固定工作臺表面622利於這種壓模12在單一平面上的定位和維護，而使用傳統的晶圓固定工作臺設計則很難實現這一點；和(c)簡單的結構、較低的成本且便於製造，特別是與傳統的晶圓固定工作臺設計相比，傳統設計中的晶圓固定工作臺表面包含溝槽或機器/鑽孔真空孔洞，和/或裸露的金屬材料(如橫跨整個晶圓固定工作臺表面的金屬板或許多金屬隔板)。
從各方面來看，按照本檔處理晶圓和/或膜片架，至少可以解決一個方面、問題、限制，和/或與目前系統和方法相關的缺點，包括一或多個問題、限制，和/或與目前晶圓固定工作臺相關的缺點。某些具體例的特點、方面和/或優勢已在本文件中說明，其它範例也可能擁有這些特 點、方面和/或優勢，但並非所有範例都必須擁有本檔範圍中描述的特點、方面和/或優勢。上述的幾個系統、元件、程式或其替換選擇可依需求，與其它不同系統、元件、程式和/或應用組合使用，這勢必會受到領域內一般技術人員的青睞。此外，可針對各種具體例進行各種修改、變更和/或改善，且是由本檔範圍內提及的領域內一般技術人員公佈這些範例。
5‧‧‧晶圓固定工作臺結構
20‧‧‧開口
104‧‧‧質心
106‧‧‧邊界
108‧‧‧外邊界上表面
110a-c‧‧‧內底表面
122a、122b‧‧‧突起上表面
140a‧‧‧第一體積
140b‧‧‧第二體積
140c‧‧‧第三體積
150‧‧‧下層表面
DTC‧‧‧底盤隔室深度
DV‧‧‧真空通路深度
TOT‧‧‧底盤整體厚度
ZWT‧‧‧縱向軸

Claims (19)

  1. 一種晶圓固定工作臺提供一晶圓固定工作臺表面，該晶圓固定工作臺結構包括：一個底盤，包含複數裸露的上層表面、內表面和複數與內表面整合或連接形成的隔室，底盤至少由一種類型的材料加工而成，讓氣體或液體在施加負壓的情況下無法滲透；複數突起成型於底盤，用以將所述隔室內的各個隔室分離，其中，該底盤之第一裸露的上層表面包含所述突起之裸露上層表面，其中，每一所述隔室於所述突起內的至少一突起之裸露的上層表面下方形成一凹部，且所述突起內的每個突起的尺寸，係與標準晶圓面積和/或標準膜片架面積相關聯；單一組的複數頂出銷導引構件，可經由移動以處理多個標準面積的晶圓，其中每一單一組的複數頂出銷導引構件係形成於所述突起內最內部的突起之部分；所述隔室中放置一種類型的隔室材料，至少一種隔室材料係可流動的，或可模製的，以相符於所述隔室之形狀，並在真空施力過程中，會滲入氣體或液體的所述隔室中提供一種硬化隔室材料，並提供複數第二裸露的上層表面；以及底盤內表面形成的複數開口，而其硬化隔室材料可透過這些開口曝露在負壓或正壓之下，其中，所述開口包含至少一對應所述隔室內每一隔室的開口； 其中(a)所述第一裸露的底盤上層表面和(b)複數第二裸露的硬化隔室材料的上層表面可同時利用一般機電製程進行加工，以提供平坦的晶圓固定工作臺表面，其中，該晶圓固定工作臺表面係適用於處理晶圓、晶圓之部分及/或膜片架，在其上安裝晶圓或其部件。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓固定工作臺結構，其中該平坦的晶圓固定工作臺表面不含溝槽和形成的真空孔洞。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓固定工作臺結構，其中該藉由一般機電製程對底盤的所述第一裸露的上層表面進行平坦化作業的速率，與藉由一般機電製程對硬化隔室材料的所述第二裸露的上層表面進行平坦化作業的速率相同。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓固定工作臺結構，其中該底盤內表面包含多個內底層表面，所述突起中的每個突起是底盤內底層表面的邊界，且所述突起中的每個突起分隔每個不同的底盤內底層表面，藉此定義所述隔室。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓固定工作臺結構，其中該底盤和所述突起中的每個突起由相同的材料組成。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之晶圓固定工作臺結構，其中所述突起中的每個突起位於與底盤中心的預定距離上，且所述隔室內的至少一個隔室被突起環繞。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓固定工作臺結構，其中所述開口中之開口，係選擇性的可曝露在負壓或正壓，以 致硬化隔室材料選擇性的可曝露於藉由所述開口施加的負壓或正壓，且其中，任何給定隔室中之硬化隔室材料，當曝露於負壓或正壓時，是與任何其他隔室中之硬化隔室材料流體隔離。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓固定工作臺結構，其中(a)所述隔室包含：一第一隔室包含第一體積的硬化隔室材料曝露在對應的所述開口的第一組開口處；以及一第二隔室包含第二體積的硬化隔室材料曝露於對應的所述開口的第二組開口處，所述第二組開口處不同於第一組開口；以及(b)環繞第一個隔室，藉此區隔第一個與第二個隔室，所述突起內的第一個突起物。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之晶圓固定工作臺結構，其中可向所述第一組開口施加負壓，將第一個晶圓或具有第一個標準直徑的第一個膜片架牢固地固定在平坦的晶圓固定工作臺表面，且可向所述第一組開口和所述第二組開口施加負壓，將第二晶圓或具有大於第一標準直徑的第二個標準直徑的第二個膜片架牢固地固定在平坦的晶圓固定工作臺表面。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之晶圓固定工作臺結構，其中 (c)所述隔室包括含有曝露在第三組對應開口處，硬化隔室材料的第三個隔室，與第一組開口、第二組開口處不同的第三組開口；以及(d)環繞第二個隔室，藉此區隔第三個與第二個隔室，所述突起內的第二個突起物。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之晶圓固定工作臺結構，其可向第一組、第二組和第三組開口施加負壓，便於將其中第三個標準直徑大於第一、第二標準直徑的第三片晶圓或第三個晶圓框架留在平坦的晶圓台表面。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓固定工作臺結構，其中至少有一個底盤和硬化隔室材料包含陶瓷材料。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之晶圓固定工作臺結構，其中該底盤含有陶瓷。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓固定工作臺結構，其中還包括單一組的頂出銷導引構件；單一組頂出銷可經由這些零件移動，以處理多個標準面積的晶圓，其中每一單一組的頂出銷導引構件係突出於所述隔室內最內部的隔室之部分。
  15. 一種製作晶圓固定工作臺結構方式，提供晶圓固定工作臺表面，其方法包含：提供一個底盤，底盤包含複數第一裸露的上層表面、內表面，複數與內表面整合或連接形成的隔室，以及至少一組在內表面形成的開口，底盤至少由一種類型的材料加工而成，使得氣體或液體在被施加負壓的情況下無法滲透； 提供複數突起以將所述隔室內的各個隔室分離，其中，該底盤之第一裸露的上層表面包含所述突起之裸露上層表面，其中，每一所述隔室於所述突起內的至少一突起之裸露的上層表面下方形成一凹部，且所述突起內的每個突起的尺寸，係與標準晶圓面積和/或標準膜片架面積相關聯；提供單一組的複數頂出銷導引構件，可經由移動以處理多個標準面積的晶圓，其中每一單一組的複數頂出銷導引構件係形成於所述突起內最內部的突起之部分；在所述底盤隔室配置至少一種類型的隔室材料，至少一種隔室材料係可流動的，或可模製的，以相符於所述隔室內的每一所述隔室之形狀；硬化至少一種類型的隔室材料，以便在負壓或正壓施力時，會滲入氣體或液體的所述隔室中提供硬化隔室材料，硬化後會產生複數第二曝露的上層表面；以及同時利用一般機器加工方式，提供承載晶圓及嵌入晶圓或部分晶圓，膜片架專用的平坦晶圓台表面，所述第一裸露的上層表面和所述第二裸露的上層表面；其中，該晶圓固定工作臺表面係適用於處理晶圓、晶圓之部分及/或膜片架，在其上安裝晶圓或其部件。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中同時對所述第一和第二裸露的上層表面進行機械加工時，藉由一般機電製程對所述第一裸露的上層表面進行平坦化作業的速率，與藉由一般機電製程對所述第二硬化隔室材料裸露的上層表面進行平坦化作業的速率相同。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中，每一單一組的頂出銷導引構件係突出於所述隔室內最內部的隔室之部分。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中該陶瓷材料是由至少一個底盤和硬化的隔室材料組成，且其中，該硬化隔室材料係可曝露在由所述開口選擇性施加的負壓或正壓。
  19. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中還包括：將晶圓固定工作臺安裝到移動式晶圓固定工作臺或載物台配件；以及連接所述開口與所述管線，藉此選擇性施加正負壓力，並將其運用到平面晶圓固定工作臺表面上配置的晶圓或膜片架上。
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Families Citing this family (72)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5999972B2 (ja) * 2012-05-10 2016-09-28 株式会社ディスコ 保持テーブル
JP6049485B2 (ja) * 2013-02-13 2016-12-21 新電元工業株式会社 半導体ウェーハの検査方法
USD751773S1 (en) * 2013-04-26 2016-03-15 Robert Gailen Feeding platter for pets
WO2014209226A1 (en) 2013-06-07 2014-12-31 Asti Holdings Limited Systems and methods for automatically verifying correct die removal from film frames
US9330955B2 (en) * 2013-12-31 2016-05-03 Applied Materials, Inc. Support ring with masked edge
CN104181723B (zh) * 2014-08-26 2018-03-06 深圳市华星光电技术有限公司 平板玻璃用对组系统及对组方法
JP6422805B2 (ja) * 2015-03-27 2018-11-14 株式会社ディスコ 切削装置
KR102022475B1 (ko) * 2015-06-15 2019-09-18 한화정밀기계 주식회사 플립 칩의 범프 인식 보정 방법
DE102015113956B4 (de) * 2015-08-24 2024-03-07 Meyer Burger (Germany) Gmbh Substratträger
US9929121B2 (en) * 2015-08-31 2018-03-27 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Bonding machines for bonding semiconductor elements, methods of operating bonding machines, and techniques for improving UPH on such bonding machines
TW201714243A (zh) * 2015-10-05 2017-04-16 Els System Technology Co Ltd 承載裝置
US10186438B2 (en) * 2015-11-05 2019-01-22 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for use in wafer processing
TWI565377B (zh) * 2015-11-06 2017-01-01 You-Long Weng Surface metal layer cutting processing equipment for circuit boards
CN105299023B (zh) * 2015-12-10 2017-09-29 北京中电科电子装备有限公司 一种真空陶瓷吸盘
JP6605946B2 (ja) * 2015-12-24 2019-11-13 株式会社ディスコ チップ収容トレイからチップをピックアップする方法
USD894498S1 (en) 2016-04-04 2020-08-25 Macneil Ip Llc Single-bowl pet water/food station
USD802853S1 (en) * 2016-04-04 2017-11-14 Macneil Ip Llc Pet feeding system
USD873503S1 (en) 2016-04-04 2020-01-21 Macneil Ip Llc Pet feeding system
USD873504S1 (en) 2016-04-04 2020-01-21 Macneil Ip Llc Compact mat for pet feeding system
USD873502S1 (en) 2016-04-04 2020-01-21 Macneil Ip Llc Double bowl low-profile pet feeding station
USD887650S1 (en) 2016-04-04 2020-06-16 Macneil Ip Llc Pet water station
CN105881079B (zh) * 2016-05-28 2018-03-23 郑招才 一种pcb板搬运机器人
US10315286B2 (en) 2016-06-14 2019-06-11 Axus Technologi, Llc Chemical mechanical planarization carrier system
WO2018031896A1 (en) 2016-08-12 2018-02-15 Inpria Corporation Methods of reducing metal residue in edge bead region from metal-containing resists
JP6815138B2 (ja) * 2016-09-06 2021-01-20 株式会社ディスコ 吸引保持システム
US10340173B2 (en) 2016-10-11 2019-07-02 Micron Technology, Inc. System for handling semiconductor dies
KR20180045666A (ko) * 2016-10-26 2018-05-04 삼성전자주식회사 기판 제조 장치
US10424553B2 (en) 2016-10-31 2019-09-24 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices with underfill control features, and associated systems and methods
JP6804146B2 (ja) * 2016-11-10 2020-12-23 株式会社ディスコ 搬送装置、加工装置及び搬送方法
CN106783694A (zh) * 2017-02-06 2017-05-31 广东工业大学 一种晶圆级芯片倒装定位平台
US11201078B2 (en) * 2017-02-14 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Substrate position calibration for substrate supports in substrate processing systems
JP6598807B2 (ja) * 2017-03-13 2019-10-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 検査方法および検査装置
TWI639906B (zh) * 2017-06-16 2018-11-01 中原大學 主動式組裝系統、主動式組裝之方法及其定位組裝裝置
JP6955933B2 (ja) * 2017-08-31 2021-10-27 株式会社ディスコ 加工装置
TWI628731B (zh) * 2017-11-22 2018-07-01 孫建忠 晶圓框架取回與清潔之系統及方法
US10500738B2 (en) 2017-11-28 2019-12-10 Amazon Technologies, Inc. Mechanism for exchanging concentric suction cups
CN108181020A (zh) * 2018-01-17 2018-06-19 浙江大学昆山创新中心 真空室活动片架在线测温系统
US11468590B2 (en) * 2018-04-24 2022-10-11 Cyberoptics Corporation Wireless substrate-like teaching sensor for semiconductor processing
US11201079B2 (en) 2018-05-30 2021-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer chuck
KR102217780B1 (ko) 2018-06-12 2021-02-19 피에스케이홀딩스 (주) 정렬 장치
JP7143021B2 (ja) * 2018-07-09 2022-09-28 株式会社ディスコ ポーラスチャックテーブル、ポーラスチャックテーブルの製造方法、及び、加工装置
US11131718B2 (en) * 2018-07-24 2021-09-28 Astee International Limited Systems and methods for automated testing of power supply units
WO2020038677A1 (en) * 2018-08-23 2020-02-27 Asml Netherlands B.V. Stage apparatus and method for calibrating an object loading process
AT521384B1 (de) * 2018-09-20 2020-01-15 Trumpf Maschinen Austria Gmbh & Co Kg Automatisierter Vakuumgreifer und Verfahren zum sicheren Greifen von Bauteilen
CN109256331B (zh) * 2018-09-21 2021-04-06 吉林华微电子股份有限公司 一种超薄芯片背面金属溅射的方法
CN110355778B (zh) * 2018-10-22 2023-05-12 江苏艾科半导体有限公司 一种半导体吸取装置
TWI677774B (zh) * 2018-12-03 2019-11-21 鴻勁精密股份有限公司 電子元件移料機構及其應用之作業設備
DE102018009871A1 (de) * 2018-12-19 2020-06-25 Vat Holding Ag Stifthubvorrichtung mit Zustandsüberwachung
JP7303635B2 (ja) * 2019-01-07 2023-07-05 株式会社ディスコ ワークの保持方法及びワークの処理方法
JP2020136463A (ja) * 2019-02-19 2020-08-31 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7541991B2 (ja) 2019-03-13 2024-08-29 コア フロー リミテッド 円形ウェハ横方向位置決め装置
CN110053810A (zh) * 2019-05-05 2019-07-26 山东瑞邦自动化设备有限公司 微孔板在夹具类产品中的应用
KR102344530B1 (ko) * 2019-07-03 2021-12-29 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110286133B (zh) * 2019-07-23 2023-12-12 中电科风华信息装备股份有限公司 偏光片检测装置
USD880788S1 (en) * 2019-08-19 2020-04-07 David H. Price Mat
USD880787S1 (en) * 2019-08-19 2020-04-07 David H. Price Mat
KR20210023375A (ko) 2019-08-23 2021-03-04 삼성전자주식회사 레이저 전사 장치 및 이를 이용한 전사 방법
US11348221B2 (en) * 2019-11-04 2022-05-31 Mpi Corporation Wafer testing method
WO2021163664A1 (en) * 2020-02-13 2021-08-19 Jabil Inc. Apparatus, system and method for providing a substrate chuck
JP2021132119A (ja) * 2020-02-19 2021-09-09 株式会社ディスコ 加工装置
CN111473039A (zh) * 2020-03-04 2020-07-31 上海精测半导体技术有限公司 柔性面板整平装置以及方法
US20220005721A1 (en) * 2020-07-02 2022-01-06 Mpi Corporation Method of aligning wafer
US11263755B2 (en) * 2020-07-17 2022-03-01 Nanya Technology Corporation Alert device and alert method thereof
CN111618885B (zh) * 2020-07-29 2020-10-16 山东元旭光电股份有限公司 一种晶圆自动上片装置
US11748871B2 (en) * 2020-09-28 2023-09-05 KLA Corp. Alignment of a specimen for inspection and other processes
JP2022103995A (ja) * 2020-12-28 2022-07-08 株式会社ディスコ テープマウンタ
TWI797532B (zh) * 2020-12-31 2023-04-01 創技工業股份有限公司 半導體加工的方法及裝置
CN112614797B (zh) * 2021-03-08 2021-07-02 杭州众硅电子科技有限公司 一种晶圆位置检测装置
TWI773187B (zh) * 2021-03-12 2022-08-01 旭東機械工業股份有限公司 用於檢測一晶圓盒的方法及系統
JP2023094118A (ja) * 2021-12-23 2023-07-05 東レエンジニアリング株式会社 ウエーハ検査装置
CN116854467A (zh) * 2023-07-12 2023-10-10 江西兆驰半导体有限公司 一种生瓷复合材料及用其制备晶圆搬运臂的制备方法
CN118039543B (zh) * 2024-02-02 2024-09-13 深圳市罗博威视科技有限公司 圆晶定位方法、装置及圆晶加工方法

Family Cites Families (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1066282B (zh) * 1958-03-26 1900-01-01
JPS628636U (zh) * 1985-07-02 1987-01-19
JP3173052B2 (ja) 1990-12-12 2001-06-04 株式会社ディスコ 半導体ウェーハのダイシング方法
JPH054483U (ja) * 1991-06-28 1993-01-22 関西日本電気株式会社 リング搬送装置
JP2555938Y2 (ja) * 1991-07-31 1997-11-26 京セラ株式会社 真空チャック
US5421595A (en) * 1994-03-28 1995-06-06 Motorola, Inc. Vacuum chuck with venturi jet for converting positive pressure to a vacuum
JP3397501B2 (ja) * 1994-07-12 2003-04-14 株式会社東芝 研磨剤および研磨方法
KR970062816A (ko) * 1996-02-13 1997-09-12 박병재 헤드 램프를 이용한 엔진룸 조사 장치
KR100257279B1 (ko) * 1996-06-06 2000-06-01 이시다 아키라 주변노광장치 및 방법
US5905850A (en) 1996-06-28 1999-05-18 Lam Research Corporation Method and apparatus for positioning substrates
JP3469999B2 (ja) 1996-10-30 2003-11-25 京セラ株式会社 吸着盤の製造方法
US5920769A (en) 1997-12-12 1999-07-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for processing a planar structure
US6032997A (en) * 1998-04-16 2000-03-07 Excimer Laser Systems Vacuum chuck
JP3105201B2 (ja) 1998-10-20 2000-10-30 株式会社東京精密 ウェーハの搬送保持機構
JP2000232083A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Okamoto Machine Tool Works Ltd 半導体ウエハのユニバーサルチャック機構
JP2001024051A (ja) * 1999-07-09 2001-01-26 Tokyo Seimitsu Co Ltd ウェーハ吸着パッド
JP2001174418A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Nikon Corp 外観検査装置
JP3828808B2 (ja) * 2000-01-31 2006-10-04 芝浦メカトロニクス株式会社 部品実装装置および部品実装方法
US20010051086A1 (en) * 2000-03-13 2001-12-13 Brian Blades Automated feed mechanism for electronic components of silicon wafer
JP2001269862A (ja) 2000-03-27 2001-10-02 Toshiba Corp 研磨パッド、研磨装置及び研磨方法
JP4417525B2 (ja) * 2000-04-28 2010-02-17 株式会社ディスコ 研削装置
US6327517B1 (en) 2000-07-27 2001-12-04 Applied Materials, Inc. Apparatus for on-the-fly center finding and notch aligning for wafer handling robots
JP2002036102A (ja) * 2000-07-28 2002-02-05 Ibiden Co Ltd ウエハ保持治具
US6513796B2 (en) * 2001-02-23 2003-02-04 International Business Machines Corporation Wafer chuck having a removable insert
JP2002313887A (ja) * 2001-04-12 2002-10-25 Nikon Corp ウェハの載置姿勢検出方法、ウェハのプリアライメント方法及びウェハのプリアライメント装置
JP2002324831A (ja) * 2001-04-26 2002-11-08 Takatori Corp 真空吸着テーブル
JP2002353296A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Lintec Corp ウェハの保護テープ剥離装置およびウェハのマウント装置
US20020192059A1 (en) 2001-06-15 2002-12-19 Foster James E. Methods and apparatus for transferring electrical components
JP2003031599A (ja) * 2001-07-18 2003-01-31 Sony Corp ダイボンド方法および装置
JP2003059872A (ja) * 2001-08-17 2003-02-28 Disco Abrasive Syst Ltd 研削装置
CN100499060C (zh) 2001-11-14 2009-06-10 罗兹株式会社 晶片定位方法和装置,晶片加工系统及晶片定位装置的晶片座旋转轴定位方法
US6728596B1 (en) * 2001-11-28 2004-04-27 Therma-Wave, Inc. Wafer prealigner with phase sensitive detection
JP4201564B2 (ja) * 2001-12-03 2008-12-24 日東電工株式会社 半導体ウエハ搬送方法およびこれを用いた半導体ウエハ搬送装置
US20030168174A1 (en) * 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7018268B2 (en) 2002-04-09 2006-03-28 Strasbaugh Protection of work piece during surface processing
JP2003324055A (ja) * 2002-04-30 2003-11-14 Canon Inc 管理システム及び装置及び方法並びに露光装置及びその制御方法
JP4256132B2 (ja) * 2002-09-27 2009-04-22 株式会社ディスコ 板状物の搬送装置
JP4085147B2 (ja) * 2002-10-11 2008-05-14 スパンション エルエルシー 半導体装置の製造方法及び製造装置
US7021635B2 (en) * 2003-02-06 2006-04-04 Tokyo Electron Limited Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof
JP2004283936A (ja) * 2003-03-20 2004-10-14 Nihon Ceratec Co Ltd 真空吸着装置
JP2004288792A (ja) 2003-03-20 2004-10-14 Lintec Corp アライメント装置及びアライメント方法
US7077019B2 (en) * 2003-08-08 2006-07-18 Photon Dynamics, Inc. High precision gas bearing split-axis stage for transport and constraint of large flat flexible media during processing
JP2005079442A (ja) * 2003-09-02 2005-03-24 Seiko Epson Corp 基板搬送装置、基板の搬送方法及びプログラム
JP2007511364A (ja) 2003-11-18 2007-05-10 エクソンモービル　リサーチ　アンド　エンジニアリング　カンパニー 非断熱の膜システムにおける芳香族炭化水素の分離方法および装置
WO2005092564A1 (ja) 2004-03-25 2005-10-06 Ibiden Co., Ltd. 真空チャックおよび吸着板
JP4405886B2 (ja) * 2004-09-27 2010-01-27 太平洋セメント株式会社 真空吸着装置
JP4513960B2 (ja) * 2004-10-22 2010-07-28 セイコーエプソン株式会社 スリットコート式塗布装置及びスリットコート式塗布方法
ATE493757T1 (de) * 2005-02-22 2011-01-15 Oc Oerlikon Balzers Ag Verfahren zur positionierung eines wafers
US7789614B2 (en) * 2005-06-13 2010-09-07 Kabushiki Kaisha Yaskawa Denki Aligner
ATE525742T1 (de) * 2005-10-19 2011-10-15 Nikon Corp Artikellade-/-entladeverfahren und artikellade-/- entladeeinrichtung, belichtungsverfahren und belichtungsvorrichtung und verfahren zur bauelementeherstellung
JP4580327B2 (ja) 2005-11-21 2010-11-10 東京エレクトロン株式会社 被処理体の取り出し方法及びプログラム記憶媒体並びに載置機構
JP2007180102A (ja) 2005-12-27 2007-07-12 Tanken Seal Seiko Co Ltd 吸着体の製造方法及び吸着体
KR100804169B1 (ko) * 2005-12-31 2008-02-18 주식회사 아이피에스 박막증착챔버용 서셉터
JP4741408B2 (ja) * 2006-04-27 2011-08-03 株式会社荏原製作所 試料パターン検査装置におけるｘｙ座標補正装置及び方法
JP4642787B2 (ja) * 2006-05-09 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及び縦型熱処理装置
JP2008028170A (ja) * 2006-07-21 2008-02-07 Taiheiyo Cement Corp 真空吸着装置及びその製造方法
US8162584B2 (en) 2006-08-23 2012-04-24 Cognex Corporation Method and apparatus for semiconductor wafer alignment
JP2008103544A (ja) * 2006-10-19 2008-05-01 Yaskawa Electric Corp アライナー装置
JP5090725B2 (ja) * 2006-12-20 2012-12-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ 異物検査装置
JP5186785B2 (ja) * 2007-03-23 2013-04-24 日本電気株式会社 光導波路デバイス、光導波路デバイス用光素子実装システム、光素子実装方法、及びそのプログラム
JP5140316B2 (ja) * 2007-05-18 2013-02-06 株式会社ディスコ 検査装置
JP2009056518A (ja) * 2007-08-30 2009-03-19 Kyocera Corp 吸着装置およびそれを備えた加工システムならびに加工方法
JP5180557B2 (ja) 2007-10-31 2013-04-10 株式会社ディスコ 加工装置
JP2011522426A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 アルタ デバイセズ，インコーポレイテッド エピタキシャルリフトオフ積層体及び方法
JP5102358B2 (ja) 2008-06-03 2012-12-19 株式会社アルバック アライメント機能付きステージ及びこのアライメント機能付きステージを備えた処理装置
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
CN101393885A (zh) * 2008-10-31 2009-03-25 中茂电子(深圳)有限公司 晶圆检测机台用固定/释放辅助装置、该检测机台及方法
KR20100071235A (ko) 2008-12-19 2010-06-29 세크론 주식회사 프로브 장치용 웨이퍼 각도 조절 유닛
JP2010177500A (ja) * 2009-01-30 2010-08-12 Hitachi High-Technologies Corp パターンの重ね合わせ評価方法
JP5443102B2 (ja) * 2009-09-01 2014-03-19 株式会社ディスコ レーザー加工装置
KR101809760B1 (ko) 2009-09-28 2017-12-15 가부시키가이샤 니콘 가압 모듈, 가압 장치 및 기판 접합 장치
US9691650B2 (en) * 2009-09-29 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Substrate transfer robot with chamber and substrate monitoring capability
US8514374B2 (en) * 2009-11-04 2013-08-20 International Business Machines Corporation Alignment method for semiconductor processing
JP5835722B2 (ja) * 2009-12-10 2015-12-24 オルボテック エルティ ソラー，エルエルシー 自動順位付け多方向直列型処理装置
EP2339611B1 (en) 2009-12-23 2015-11-11 ISMECA Semiconductor Holding SA Wafer handler comprising a vision system
US8695990B2 (en) * 2010-04-01 2014-04-15 Nidec-Read Corporation Wafer flattening apparatus and method
JP2011258605A (ja) * 2010-06-04 2011-12-22 Toshiba Corp パターン形成方法および半導体デバイスの製造方法
KR20120056404A (ko) * 2010-11-25 2012-06-04 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 정렬기용 회전판
JP5681481B2 (ja) * 2010-12-28 2015-03-11 太平洋セメント株式会社 緻密質−多孔質接合体

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