JP5835722B2 - 自動順位付け多方向直列型処理装置 - Google Patents
自動順位付け多方向直列型処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5835722B2 JP5835722B2 JP2010275100A JP2010275100A JP5835722B2 JP 5835722 B2 JP5835722 B2 JP 5835722B2 JP 2010275100 A JP2010275100 A JP 2010275100A JP 2010275100 A JP2010275100 A JP 2010275100A JP 5835722 B2 JP5835722 B2 JP 5835722B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- processing chamber
- susceptor
- hanger
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3304—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterised by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
- C23C16/45565—Shower nozzles
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING OR CALCULATING; COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0451—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H10P72/0452—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers
- H10P72/0456—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterised by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3306—Horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/30—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations
- H10P72/33—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H10P72/3311—Horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
- Y10T29/49947—Assembling or joining by applying separate fastener
- Y10T29/49948—Multipart cooperating fastener [e.g., bolt and nut]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Measuring Or Testing Involving Enzymes Or Micro-Organisms (AREA)
- Apparatus Associated With Microorganisms And Enzymes (AREA)
- Automatic Analysis And Handling Materials Therefor (AREA)
Description
本発明の多様な実施形態は、たとえば半導体集積回路、太陽電池、フラット・パネル・ディスプレイ、LED、及びその他の用途用の基板を製造する装置及び方法を提供する。システム構成は、シリコン基板型の太陽電池の製造に特に有益であり、したがって例示としては、この用途に関連して記載される。システムは、自律的に基板の搬送及び製造を順位付け、システムへのフィードに柔軟性を提供する。この特性を、まず図1−図3を参照して一般的条件において説明する。その後により詳細な説明をする。
チャンバ100での処理が終了すると、弁104が開かれ両方のウェーハ・ハンガーがロードロック115からチャンバ100に移動される。下方ハンガーは処理済みの基板を回収するべくロードロック115からチャンバ100に移動され、上方ハンガーはチャンバ100で処理されるべく新しい基板を載置するためにロードロック・チャンバ115からチャンバ100に移動される。両方のハンガーがロードロック115に戻されると、弁104が閉じられ、チャンバ100が活性化されて新しいウェーハが処理され、ロードロック115は大気圧へと通気される。次に、弁114が開かれ、上方ハンガーがロード・チャンバ125に移動されて上方ハンガーに新たな基板が搭載され、次に下方ハンガーがロード・チャンバ125に移動されて処理済み基板が取り出される。上方及び下方ハンガーの役割を交互させてもよく、下方ハンガーを新しい基板に使用し、上方ハンガーを処理済み基板に使用してもよいことに注意されたい。しかし、記載された構成によってより優れたシステム・スループットが提供される。
Claims (40)
- 真空処理チャンバと、
前記真空処理チャンバの第1の側に結合された第1のロードロック・チャンバと、
前記第1の側と反対の、前記真空処理チャンバの第2の側に結合された第2のロードロック・チャンバと、
前記第1のロードロック・チャンバの前記真空処理チャンバの前記第1の側と結合された側とは反対の側に結合された第1の交換ステーションと、
前記第2のロードロック・チャンバの前記真空処理チャンバの前記第2の側と結合された側とは反対の側に結合された第2の交換ステーションと、
前記第1の交換ステーションに配置され、前記第1の交換ステーションに新しい基板を積み込み、前記第1の交換ステーションから処理済みの基板を取り出すべく動作する第1の交換機構と
を備え、
前記第1及び第2のロードロック・チャンバのそれぞれは、
少なくとも1枚の基板を支持するべく構成された上方ハンガーと、
少なくとも1枚の基板を支持するべく構成された下方ハンガーと、
前記真空処理チャンバに前記上方及び下方ハンガーを出し入れするべく構成された搬送機構と
を備え、
前記第1及び第2のロードロック・チャンバのそれぞれは能動的駆動装置を備え、前記上方及び下方ハンガーのそれぞれは駆動延長部を備えており、前記上方および下方ハンガーのそれぞれは前記能動的駆動装置が前記駆動延長部に係合することにより前記真空処理チャンバへと駆動されることができることを特徴とする直列型基板処理システム。 - 前記第2の交換ステーションに配置され、前記第2の交換ステーションに新しい基板を積み込み、前記第2の交換ステーションから処理済みの基板を取り出すべく動作する第2の交換機構をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記第2の交換ステーションは、基板反転機構を備える
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記基板反転機構は、
フレームと、
前記フレームに回転可能に結合された複数のピボットと、
少なくとも1つが前記ピボットのそれぞれに結合された複数の基板ホルダーと、
前記ピボットに結合され、前記ピボットを同時に回転させる回転駆動装置と
を備える
ことを特徴とする請求項3に記載のシステム。 - 前記ピボットのそれぞれは、真空導管を備える
ことを特徴とする請求項4に記載のシステム。 - 前記真空処理チャンバ内に配置されたサセプタと、
基板を前記上方ハンガーと前記サセプタとの間、及び前記下方ハンガーと前記サセプタとの間で交換するべく構成された交換装置と
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記サセプタを垂直に移動させて、前記サセプタを、ハンガー移送のための下方位置、基板交換のための中間位置、及び基板処理のための上方位置の少なくとも3つの位置の1つに位置付けるべく構成されたリフト機構をさらに備える
ことを特徴とする請求項6に記載のシステム。 - 前記下方ハンガーは、前記サセプタに係合して前記サセプタを前記第1又は第2の交換ステーションの一方に搬送するためのフックをさらに備える
ことを特徴とする請求項7に記載のシステム。 - 前記処理チャンバはヒータを備え、前記サセプタは前記ヒータの上面に自由に位置付けられる
ことを特徴とする請求項8に記載のシステム。 - 前記サセプタを前記ヒータに整列させるべく配置された整列ピンをさらに備える
ことを特徴とする請求項9に記載のシステム。 - 前記上方又は下方ハンガーの一方は浮遊プレートを備え、前記リフト機構は前記浮遊プレートに係合して上昇させ、それにより前記浮遊プレートを前記サセプタに整列させるべく構成されている
ことを特徴とする請求項10に記載のシステム。 - 前記サセプタは複数の基板用台座を備え、前記基板用台座のそれぞれは、内部にリフト・パッドが配置されている
ことを特徴とする請求項6に記載のシステム。 - 前記真空処理チャンバは複数のリフト・ピンを備えるリフト・ピン機構をさらに備え、各リフト・ピンは前記リフト・パッドの1つに係合するよう構成されている
ことを特徴とする請求項12に記載のシステム。 - 前記上方ハンガー又は下方ハンガーの一方は新しい基板の前記真空処理チャンバへの導入専用に構成され、前記上方ハンガー又は下方ハンガーの他方は処理済み基板の前記真空処理チャンバからの取り出し専用に構成されている
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記能動的駆動装置に動力を与えて、前記上方及び下方ハンガーの両方を前記第1又は第2のロードロック・チャンバの一方から前記真空処理チャンバに基板交換のために導入させ、前記真空処理チャンバ内での基板処理の前に前記上方及び下方ハンガーを前記真空処理チャンバから取り出させるべくプログラムされたコントローラをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。
- 前記コントローラは、前記第1又は第2のロードロック・チャンバがレディ状態であるかを示すレディ信号を待ち受け、前記レディ信号に対応する前記能動的駆動装置に動力を与えるようプログラムされている
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記上方及び下方ハンガーの少なくとも一方における基板の有無を検出するべく配置されたセンサー・アレイをさらに備える
ことを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記上方ハンガー又は下方ハンガーの少なくとも一方は、前記センサー・アレイを稼働させるためのトリガー機構を備える
ことを特徴とする請求項17に記載のシステム。 - 前記第1のロードロック・チャンバと前記真空処理チャンバとの間に配置された真空ドアと、
前記処理チャンバの外に配置され、前記真空ドアを介して前記チャンバ内に視野を有する少なくとも1つのカメラと
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 前記処理チャンバの外に配置され、窓を介して前記チャンバ内に視野を有する少なくとも1つのカメラと、
前記カメラから画像を受信し、前記画像内に破損したウェーハが登場するかを判定するべく前記画像を点検するプロセッサと
をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のシステム。 - 両側積み込み型(dual−load)真空処理システムの自動順位付け操作用のコントローラで実施されるコンピュータ化された方法であって、
前記真空処理システムは、2つの積み込みポートを有する真空処理チャンバと、2つのロードロック・チャンバとを備え、各ロードロック・チャンバは真空弁を介して前記2つのポートの一方にそれぞれ結合され、
新しいワークピースが前記ロードロック・チャンバの一方に導入されたとき、当該ロードロック・チャンバで真空を開始し、
前記ロードロック・チャンバの一方で所望の真空レベルが達成されたとき、当該ロードロック・チャンバでワークピース交換の準備が整ったことを示すレディ 信号を前記コントローラに送信し、
前記真空処理チャンバで処理が終了したとき、どちらのロードロック・チャンバがレディ信号を送信したかを前記コントローラに判定させ、当該ロードロック・チャンバでワークピース交換を開始する
ことを特徴とする方法。 - ワークピース交換を開始することは、
レディ信号の送信元である前記ロードロック・チャンバに対応する前記真空弁を開き、
処理済みワークピースを前記真空処理チャンバ内からレディ信号の送信元である前記ロードロック・チャンバに搬出し、
前記新しいワークピースを前記真空処理チャンバに搬入する
ことを含むことを特徴とする請求項21に記載の方法。 - 真空処理チャンバと、
前記真空処理チャンバの一方の側に結合されたロードロック・チャンバと、
前記ロードロック・チャンバの前記真空処理チャンバの一方の側と結合された側とは反対の側に結合された交換ステーションと、
少なくとも1枚の基板を支持するべく構成された上方ハンガーと、
少なくとも1枚の基板を支持するべく構成された下方ハンガーと、
前記交換ステーションと、前記ロードロック・チャンバと、前記真空処理チャンバとの間で前記上方及び下方ハンガーを移動させるべく構成された搬送機構と、
前記処理チャンバ内に配置されたサセプタと、
基板を前記上方ハンガーと前記サセプタとの間、及び前記下方ハンガーと前記サセプタとの間で交換するべく構成された交換機構と
を備え、
前記下方ハンガーは、前記サセプタに係合して前記サセプタを前記処理チャンバから取り出すためのフックをさらに備えることを特徴とする直列型処理システム。 - 基板を前記上方ハンガー及び下方ハンガーの一方に載せ、ウェーハを前記上方ハンガー及び下方ハンガーの一方から降ろすべく構成されたロード機構をさらに備えることを特徴とする請求項22に記載のシステム。
- 前記サセプタを垂直に移動させて、前記サセプタを、ハンガー移送のための下方位置、基板交換のための中間位置、及び基板処理のための上方位置の少なくとも3つの位置の1つに位置付けるべく構成されたリフト機構をさらに備える
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記サセプタの下に配置されたヒータをさらに備えることを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 前記ロードロック・チャンバと前記真空処理チャンバとの間に配置された真空ドアと、
前記処理チャンバの外に配置され、前記真空ドアを介して前記チャンバ内に視野を有する少なくとも1つのカメラと
をさらに備えることを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記上方及び下方ハンガーの少なくとも一方における基板の有無を検出するべく配置されたセンサー・アレイをさらに備える
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記上方ハンガー又は下方ハンガーの少なくとも一方は、前記センサー・アレイを稼働させるためのトリガー機構を備える
ことを特徴とする請求項28に記載のシステム。 - 前記ロードロック・チャンバは能動的駆動装置を備え、前記上方及び下方ハンガーは駆動延長部を備えており、前記上方および下方ハンガーは前記能動的駆動装置が前記駆動延長部に係合することにより前記真空処理チャンバへと駆動されることができる
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記処理チャンバは、ヒータと、前記ヒータの上面に自由に位置付けられるサセプタとを備える
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記サセプタを前記ヒータに整列させるべく配置された整列ピンをさらに備えることを特徴とする請求項31に記載のシステム。
- 前記サセプタは複数の基板用台座を備え、前記基板用台座のそれぞれは、内部にリフト・パッドが配置されている
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記真空処理チャンバは複数のリフト・ピンを備えるリフト・ピン機構をさらに備え、各リフト・ピンは前記リフト・パッドの1つに係合するよう構成されている
ことを特徴とする請求項33に記載のシステム。 - 前記処理チャンバは、前記処理チャンバの底面に取り付けられた球状の台座と、
前記球状の台座に結合されたサセプタ・リフト機構とをさらに備える
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記上方ハンガー又は下方ハンガーの一方は浮遊プレートを備え、前記処理チャンバは前記浮遊プレートに係合し上昇させるべく構成されたリフト機構をさらに備える
ことを特徴とする請求項35に記載のシステム。 - 前記リフト機構に係合されたときに前記浮遊プレートを整列させるべく構成された整列機構をさらに備えることを特徴とする請求項36に記載のシステム。
- 前記上方ハンガー又は下方ハンガーの一方は新しい基板の前記真空処理チャンバへの導入専用に構成され、前記上方ハンガー又は下方ハンガーの他方は処理済み基板の前記真空処理チャンバからの取り出し専用に構成されている
ことを特徴とする請求項23に記載のシステム。 - 前記上方及び下方ハンガーを前記真空処理チャンバに基板交換のために導入し、前記真空処理チャンバ内での基板処理の前に前記上方及び下方ハンガーを前記真空処理チャンバから取り出すべくプログラムされたコントローラをさらに備えることを特徴とする請求項23に記載のシステム。
- 前記交換ステーション内に配置されたロード・トレイをさらに備えることを特徴とする請求項23に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US28550509P | 2009-12-10 | 2009-12-10 | |
| US61/285,505 | 2009-12-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011124579A JP2011124579A (ja) | 2011-06-23 |
| JP5835722B2 true JP5835722B2 (ja) | 2015-12-24 |
Family
ID=43502633
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010275100A Expired - Fee Related JP5835722B2 (ja) | 2009-12-10 | 2010-12-09 | 自動順位付け多方向直列型処理装置 |
| JP2010275101A Active JP5721132B2 (ja) | 2009-12-10 | 2010-12-09 | 真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリ及び真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリを真空処理チャンバに締結する方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2010275101A Active JP5721132B2 (ja) | 2009-12-10 | 2010-12-09 | 真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリ及び真空処理装置用シャワーヘッド・アセンブリを真空処理チャンバに締結する方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US20110139372A1 (ja) |
| EP (3) | EP2333814B1 (ja) |
| JP (2) | JP5835722B2 (ja) |
| KR (3) | KR101732348B1 (ja) |
| CN (3) | CN102122610B (ja) |
| TW (3) | TWI485799B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9287152B2 (en) | 2009-12-10 | 2016-03-15 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing multi-directional inline processing method |
| US9462921B2 (en) | 2011-05-24 | 2016-10-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
Families Citing this family (60)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6104157B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2017-03-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 大面積電極にぴったりと嵌合されたセラミックス絶縁体 |
| US20120288355A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Ming-Teng Hsieh | Method for storing wafers |
| US20130092085A1 (en) * | 2011-10-17 | 2013-04-18 | Synos Technology, Inc. | Linear atomic layer deposition apparatus |
| JP5840095B2 (ja) * | 2011-10-31 | 2016-01-06 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池の製造装置、及び太陽電池の製造方法 |
| US20130108406A1 (en) * | 2011-11-02 | 2013-05-02 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | High-throughput workpiece handling |
| WO2013077191A1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置群コントローラ、生産処理システム、処理装置群制御方法、生産効率化システム、生産効率化装置および生産効率化方法 |
| US8998553B2 (en) | 2011-12-07 | 2015-04-07 | Intevac, Inc. | High throughput load lock for solar wafers |
| CN102544211B (zh) * | 2011-12-31 | 2013-10-30 | 常州天合光能有限公司 | 太阳能电池刻蚀方法及其设备 |
| DE102012100929A1 (de) * | 2012-02-06 | 2013-08-08 | Roth & Rau Ag | Substratbearbeitungsanlage |
| US20150295124A1 (en) * | 2012-04-02 | 2015-10-15 | Koji Matsumaru | Manufacturing equipment for photovoltaic devices and methods |
| WO2014035347A1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-03-06 | Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd | System and method for automatically correcting for rotational misalignment of wafers on film frames |
| KR102064391B1 (ko) * | 2012-08-31 | 2020-01-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| US20140060435A1 (en) * | 2012-09-04 | 2014-03-06 | Applied Materials, Inc. | Doors for high volume, low cost system for epitaxial silicon deposition |
| KR102014299B1 (ko) * | 2013-02-07 | 2019-08-26 | 주식회사 원익아이피에스 | 대상물 이송 시스템 및 이를 위한 캐리어 위치 초기화 방법 |
| TWI490956B (zh) * | 2013-03-12 | 2015-07-01 | 新川股份有限公司 | 覆晶接合器以及覆晶接合方法 |
| CN103266310B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-05-20 | 上海和辉光电有限公司 | 分散板及具有该分散板的镀膜装置 |
| EP2854155B1 (en) | 2013-09-27 | 2017-11-08 | INDEOtec SA | Plasma reactor vessel and assembly, and a method of performing plasma processing |
| JP2015088694A (ja) * | 2013-11-01 | 2015-05-07 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置 |
| US9704762B2 (en) * | 2014-02-04 | 2017-07-11 | Applied Materials, Inc. | Application of in-line glass edge-inspection and alignment check in display manufacturing |
| KR101613544B1 (ko) * | 2014-02-13 | 2016-04-19 | 주식회사 유진테크 | 기판 처리 장치 |
| US9484243B2 (en) * | 2014-04-17 | 2016-11-01 | Lam Research Corporation | Processing chamber with features from side wall |
| US10648927B2 (en) * | 2015-05-15 | 2020-05-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Method and apparatus for monitoring edge bevel removal area in semiconductor apparatus and electroplating system |
| JP6753654B2 (ja) * | 2015-07-14 | 2020-09-09 | 株式会社日立ハイテク | プラズマ処理装置 |
| US10249521B2 (en) * | 2016-03-17 | 2019-04-02 | Lam Research Ag | Wet-dry integrated wafer processing system |
| JP6739201B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-08-12 | スピードファム株式会社 | 局所ドライエッチング装置 |
| US10573549B2 (en) | 2016-12-01 | 2020-02-25 | Lam Research Corporation | Pad raising mechanism in wafer positioning pedestal for semiconductor processing |
| US9892956B1 (en) | 2016-10-12 | 2018-02-13 | Lam Research Corporation | Wafer positioning pedestal for semiconductor processing |
| KR102584339B1 (ko) * | 2016-10-12 | 2023-09-27 | 램 리써치 코포레이션 | 반도체 프로세싱용 웨이퍼 포지셔닝 페데스탈의 패드 상승 메커니즘 |
| KR101855654B1 (ko) * | 2016-12-23 | 2018-05-08 | 주식회사 테스 | 대면적 샤워헤드 어셈블리 |
| US20180230597A1 (en) * | 2017-02-14 | 2018-08-16 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus of remote plasmas flowable cvd chamber |
| CN110402577B (zh) * | 2017-03-10 | 2021-06-22 | 富士胶片株式会社 | 图像处理系统、图像处理装置、图像处理方法及存储有图像处理程序的存储介质 |
| CN107887308A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-04-06 | 合肥芯欣智能科技有限公司 | 全自动多功能处理设备 |
| CN107919311A (zh) * | 2017-12-19 | 2018-04-17 | 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 | 太阳能电池共蒸镀生产线 |
| JP2020033625A (ja) * | 2018-08-31 | 2020-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| US10901328B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Method for fast loading substrates in a flat panel tool |
| CN111385955B (zh) * | 2018-12-28 | 2022-08-23 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理器的安装结构及相应的等离子体处理器 |
| KR102555826B1 (ko) * | 2019-01-07 | 2023-07-14 | 가부시키가이샤 아루박 | 진공 처리 장치 |
| US11901162B2 (en) * | 2019-01-07 | 2024-02-13 | Ulvac, Inc. | Vacuum processing apparatus and method of cleaning vacuum processing apparatus |
| US11637030B2 (en) | 2019-06-18 | 2023-04-25 | Kla Corporation | Multi-stage, multi-zone substrate positioning systems |
| KR102640172B1 (ko) | 2019-07-03 | 2024-02-23 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이의 구동 방법 |
| JP7488442B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2024-05-22 | シンフォニアテクノロジー株式会社 | 搬送システム |
| DE102020103947A1 (de) * | 2020-02-14 | 2021-08-19 | AIXTRON Ltd. | CVD-Reaktor und Verfahren zum Handhaben einer Prozesskammer-Deckenplatte |
| US11626303B2 (en) | 2020-04-23 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Compliance components for semiconductor processing system |
| CN111471965B (zh) * | 2020-04-30 | 2024-08-23 | 苏州迈正科技有限公司 | 传送载板、真空镀膜设备及真空镀膜方法 |
| CN111477582B (zh) * | 2020-05-28 | 2025-07-08 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 硅片的工艺腔体、硅片加工设备和硅片加工方法 |
| CN111519169A (zh) * | 2020-05-28 | 2020-08-11 | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 | 顶升装置和物料加工设备 |
| KR102819060B1 (ko) * | 2020-09-14 | 2025-06-11 | 주식회사 원익아이피에스 | 샤워헤드조립체 및 이를 포함하는 기판처리장치 |
| CN114188206B (zh) * | 2020-09-15 | 2023-09-29 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 一种等离子体处理装置及其上电极组件的调节方法 |
| CN116235275A (zh) * | 2020-09-21 | 2023-06-06 | 朗姆研究公司 | 用于浮动变压器耦合等离子体室气体板的承载环 |
| JP7534049B2 (ja) * | 2021-01-20 | 2024-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 保持部材、上部電極アセンブリ、及びプラズマ処理装置 |
| JP7595473B2 (ja) * | 2021-01-27 | 2024-12-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 締結構造、プラズマ処理装置及び締結方法 |
| US11508590B2 (en) * | 2021-04-15 | 2022-11-22 | Jnk Tech | Substrate inspection system and method of use thereof |
| US11987884B2 (en) * | 2021-04-15 | 2024-05-21 | Jnk Tech | Glass and wafer inspection system and a method of use thereof |
| CN113757245B (zh) * | 2021-08-31 | 2022-05-20 | 中国科学院西安光学精密机械研究所 | 一种适用于低温光学系统的单限位螺垫及其使用方法 |
| CN115247245B (zh) * | 2021-11-05 | 2024-02-02 | 徐州瑞马智能技术有限公司 | 一种钢管前处理洗料自动换挂装置 |
| CN115910873A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-04-04 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 硅片检测工具及硅片检测方法 |
| KR102746217B1 (ko) * | 2023-01-12 | 2024-12-24 | 한화솔루션 주식회사 | 태양 전지 제조 장치 및 태양 전지 제조 방법 |
| WO2024220210A1 (en) * | 2023-04-20 | 2024-10-24 | Applied Materials, Inc. | Non-axisymmetric gas diffuser for plasma enhanced chemical vapor deposition |
| US12448222B2 (en) * | 2023-11-28 | 2025-10-21 | Oakwood Industries, LLC | Apparatus for manufacturing with overhead conveyor and pinch conveyor |
| WO2025115685A1 (ja) * | 2023-12-01 | 2025-06-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、および連結アセンブリ |
Family Cites Families (229)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3158086A (en) * | 1960-03-21 | 1964-11-24 | Ralph E Weimer | Apparatus for charging hamburger patties onto a griddle |
| JPS57180005A (en) | 1981-04-30 | 1982-11-05 | Hitachi Ltd | Silicon carbide electric insulator with low dielectric constant |
| US4490042A (en) | 1981-06-04 | 1984-12-25 | Wyatt Philip J | Method for determining the properties of wine |
| JPS57211746A (en) | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Fujitsu Ltd | Wafer conveying apparatus |
| US4694779A (en) | 1984-10-19 | 1987-09-22 | Tetron, Inc. | Reactor apparatus for semiconductor wafer processing |
| JPS61105853A (ja) | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Anelva Corp | オ−トロ−ダ− |
| US4590042A (en) | 1984-12-24 | 1986-05-20 | Tegal Corporation | Plasma reactor having slotted manifold |
| US4752180A (en) * | 1985-02-14 | 1988-06-21 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for handling semiconductor wafers |
| DE3508516A1 (de) | 1985-03-09 | 1986-09-11 | Wolfgang 6108 Weiterstadt Köhler | Vorrichtung zum transportieren einer platte im reinraum |
| US4612077A (en) | 1985-07-29 | 1986-09-16 | The Perkin-Elmer Corporation | Electrode for plasma etching system |
| USH422H (en) * | 1986-04-25 | 1988-02-02 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Apparatus for inverting articles and method for using same |
| JP2564303B2 (ja) | 1987-05-08 | 1996-12-18 | 株式会社日立製作所 | ウエハキャリア治具 |
| US4854263B1 (en) | 1987-08-14 | 1997-06-17 | Applied Materials Inc | Inlet manifold and methods for increasing gas dissociation and for PECVD of dielectric films |
| JP2602298B2 (ja) | 1988-01-30 | 1997-04-23 | 日本電気株式会社 | 気相成長装置 |
| US5606534A (en) | 1989-09-01 | 1997-02-25 | Quantronix, Inc. | Laser-based dimensioning system |
| US5084125A (en) | 1989-09-12 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductor substrate |
| US5167922A (en) | 1990-04-27 | 1992-12-01 | Pb Diagnostic Systems Inc. | Assay cartridge |
| US5136975A (en) | 1990-06-21 | 1992-08-11 | Watkins-Johnson Company | Injector and method for delivering gaseous chemicals to a surface |
| JP2938160B2 (ja) | 1990-07-20 | 1999-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
| JPH05109683A (ja) | 1991-03-27 | 1993-04-30 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体シリコンウエーハ洗浄液の金属不純物除去方法 |
| JPH0526252A (ja) * | 1991-07-16 | 1993-02-02 | Kayseven Co Ltd | 軸継手 |
| JP2598353B2 (ja) | 1991-12-04 | 1997-04-09 | アネルバ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法 |
| JPH0569162U (ja) | 1992-02-28 | 1993-09-17 | セイコー電子工業株式会社 | バッファ付クラスタ形薄膜処理装置 |
| US5404894A (en) | 1992-05-20 | 1995-04-11 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Conveyor apparatus |
| JP3155844B2 (ja) * | 1992-10-20 | 2001-04-16 | 日本真空技術株式会社 | 真空処理装置の高周波電極 |
| JPH06155197A (ja) * | 1992-11-16 | 1994-06-03 | Pfu Ltd | 混流生産システムにおける部材供給システム |
| KR100324792B1 (ko) | 1993-03-31 | 2002-06-20 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
| US5439524A (en) | 1993-04-05 | 1995-08-08 | Vlsi Technology, Inc. | Plasma processing apparatus |
| US5591269A (en) | 1993-06-24 | 1997-01-07 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
| KR950020993A (ko) | 1993-12-22 | 1995-07-26 | 김광호 | 반도체 제조장치 |
| US5589002A (en) | 1994-03-24 | 1996-12-31 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate for semiconductor wafer processing apparatus with means for inhibiting arcing |
| JP3666512B2 (ja) | 1994-06-16 | 2005-06-29 | ローム株式会社 | 薄板基板の移送装置 |
| US5795399A (en) * | 1994-06-30 | 1998-08-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device manufacturing apparatus, method for removing reaction product, and method of suppressing deposition of reaction product |
| US5486080A (en) | 1994-06-30 | 1996-01-23 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High speed movement of workpieces in vacuum processing |
| TW295677B (ja) * | 1994-08-19 | 1997-01-11 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| US5551327A (en) | 1994-08-22 | 1996-09-03 | Hamby; William D. | Adjusting means for multi-blade cutting apparatus |
| JPH0878347A (ja) | 1994-09-06 | 1996-03-22 | Komatsu Electron Metals Co Ltd | エピタキシャル成長装置のサセプタ |
| US5746875A (en) | 1994-09-16 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor |
| JP2929948B2 (ja) | 1994-09-20 | 1999-08-03 | 三菱電機株式会社 | プローブ式テストハンドラー及びそれを用いたicのテスト方法 |
| US5558717A (en) | 1994-11-30 | 1996-09-24 | Applied Materials | CVD Processing chamber |
| US5885356A (en) | 1994-11-30 | 1999-03-23 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing residue accumulation in CVD chamber using ceramic lining |
| JP3360098B2 (ja) | 1995-04-20 | 2002-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置のシャワーヘッド構造 |
| JP3165348B2 (ja) | 1995-05-18 | 2001-05-14 | ワイエイシイ株式会社 | プラズマ処理装置およびその運転方法 |
| TW318258B (ja) | 1995-12-12 | 1997-10-21 | Tokyo Electron Co Ltd | |
| JP3606979B2 (ja) | 1995-12-22 | 2005-01-05 | 株式会社アルバック | 枚葉式真空処理装置 |
| US5855468A (en) * | 1995-12-22 | 1999-01-05 | Navistar International Transportation Corp. | Method and apparatus for setting foundry core assemblies |
| US5756155A (en) | 1996-01-22 | 1998-05-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Combination nozzle and vacuum hood that is self cleaning |
| US5679055A (en) | 1996-05-31 | 1997-10-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Automated wafer lapping system |
| US5996528A (en) | 1996-07-02 | 1999-12-07 | Novellus Systems, Inc. | Method and apparatus for flowing gases into a manifold at high potential |
| US5944940A (en) | 1996-07-09 | 1999-08-31 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
| US5846332A (en) | 1996-07-12 | 1998-12-08 | Applied Materials, Inc. | Thermally floating pedestal collar in a chemical vapor deposition chamber |
| US5653808A (en) | 1996-08-07 | 1997-08-05 | Macleish; Joseph H. | Gas injection system for CVD reactors |
| US6217662B1 (en) | 1997-03-24 | 2001-04-17 | Cree, Inc. | Susceptor designs for silicon carbide thin films |
| JPH10321564A (ja) | 1997-05-20 | 1998-12-04 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハ回収装置 |
| US5968275A (en) | 1997-06-25 | 1999-10-19 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for passivating a substrate in a plasma reactor |
| JP3480271B2 (ja) | 1997-10-07 | 2003-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置のシャワーヘッド構造 |
| US6722834B1 (en) | 1997-10-08 | 2004-04-20 | Applied Materials, Inc. | Robot blade with dual offset wafer supports |
| JP3283459B2 (ja) * | 1997-12-17 | 2002-05-20 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理用の基板保持装置 |
| JP4346700B2 (ja) | 1998-01-12 | 2009-10-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 光電変換装置の作製方法 |
| US6050506A (en) | 1998-02-13 | 2000-04-18 | Applied Materials, Inc. | Pattern of apertures in a showerhead for chemical vapor deposition |
| DE59810465D1 (de) * | 1998-02-19 | 2004-01-29 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Schleuseneinrichtung zum Ein- und/oder Ausbringen von Substraten in und/oder aus einer Behandlungskammer |
| US6517303B1 (en) * | 1998-05-20 | 2003-02-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Substrate transfer shuttle |
| US6176668B1 (en) * | 1998-05-20 | 2001-01-23 | Applied Komatsu Technology, Inc. | In-situ substrate transfer shuttle |
| US6086362A (en) * | 1998-05-20 | 2000-07-11 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Multi-function chamber for a substrate processing system |
| US6202589B1 (en) | 1998-05-29 | 2001-03-20 | Advanced Micro Devices, Inc. | Grounding mechanism which maintains a low resistance electrical ground path between a plate electrode and an etch chamber |
| US6148761A (en) | 1998-06-16 | 2000-11-21 | Applied Materials, Inc. | Dual channel gas distribution plate |
| US6016611A (en) * | 1998-07-13 | 2000-01-25 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Gas flow control in a substrate processing system |
| US6036422A (en) * | 1998-07-20 | 2000-03-14 | The Aerospace Corporation | Roller washer bearing and method |
| US6022178A (en) * | 1998-07-20 | 2000-02-08 | The Aerospace Corporation | Flexure washer bearing and method |
| US6517691B1 (en) | 1998-08-20 | 2003-02-11 | Intevac, Inc. | Substrate processing system |
| KR20010080190A (ko) | 1998-10-15 | 2001-08-22 | 조셉 제이. 스위니 | 웨이퍼 가공 장치에서 웨이퍼 파편 검출 시스템 및 방법 |
| JP3205304B2 (ja) * | 1998-10-16 | 2001-09-04 | 日本ピラー工業株式会社 | 摺動部材 |
| US6210067B1 (en) * | 1998-12-14 | 2001-04-03 | The Aerospace Corporation | Clip flexure slider washer bearing |
| US6267839B1 (en) | 1999-01-12 | 2001-07-31 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with improved RF power distribution |
| JP4204128B2 (ja) | 1999-01-18 | 2009-01-07 | 東京応化工業株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
| JP2000223546A (ja) * | 1999-02-02 | 2000-08-11 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
| US6323616B1 (en) | 1999-03-15 | 2001-11-27 | Berkeley Process Control, Inc. | Self teaching robotic wafer handling system |
| JP2000290777A (ja) | 1999-04-07 | 2000-10-17 | Tokyo Electron Ltd | ガス処理装置、バッフル部材、及びガス処理方法 |
| JP3398936B2 (ja) * | 1999-04-09 | 2003-04-21 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体処理装置 |
| JP3965258B2 (ja) | 1999-04-30 | 2007-08-29 | 日本碍子株式会社 | 半導体製造装置用のセラミックス製ガス供給構造 |
| US6486444B1 (en) * | 1999-06-03 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Load-lock with external staging area |
| US6156124A (en) | 1999-06-18 | 2000-12-05 | Applied Materials, Inc. | Wafer transfer station for a chemical mechanical polisher |
| US6245192B1 (en) | 1999-06-30 | 2001-06-12 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| US6206972B1 (en) | 1999-07-08 | 2001-03-27 | Genus, Inc. | Method and apparatus for providing uniform gas delivery to substrates in CVD and PECVD processes |
| US6556715B1 (en) * | 1999-10-29 | 2003-04-29 | Unisys Corporation | Method for CCITT compression of image data |
| US6558509B2 (en) | 1999-11-30 | 2003-05-06 | Applied Materials, Inc. | Dual wafer load lock |
| US6477980B1 (en) * | 2000-01-20 | 2002-11-12 | Applied Materials, Inc. | Flexibly suspended gas distribution manifold for plasma chamber |
| JP4526151B2 (ja) | 2000-01-28 | 2010-08-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板処理装置の基板移載装置 |
| WO2001075188A2 (en) | 2000-03-30 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Limited | Method of and apparatus for gas injection |
| JP2001284258A (ja) | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
| US6502530B1 (en) | 2000-04-26 | 2003-01-07 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Design of gas injection for the electrode in a capacitively coupled RF plasma reactor |
| US6875640B1 (en) * | 2000-06-08 | 2005-04-05 | Micron Technology, Inc. | Stereolithographic methods for forming a protective layer on a semiconductor device substrate and substrates including protective layers so formed |
| KR100332314B1 (ko) | 2000-06-24 | 2002-04-12 | 서성기 | 박막증착용 반응용기 |
| JP2002045683A (ja) * | 2000-08-08 | 2002-02-12 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| US6302965B1 (en) | 2000-08-15 | 2001-10-16 | Applied Materials, Inc. | Dispersion plate for flowing vaporizes compounds used in chemical vapor deposition of films onto semiconductor surfaces |
| TWI246382B (en) * | 2000-11-08 | 2005-12-21 | Orbotech Ltd | Multi-layer printed circuit board fabrication system and method |
| JP2002203885A (ja) | 2000-12-27 | 2002-07-19 | Anelva Corp | インターバック型基板処理装置 |
| DE60231601D1 (de) | 2001-01-22 | 2009-04-30 | Tokio Electron Ltd | Einrichtung und verfahren zur behandlung |
| JP2002256439A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
| KR100421036B1 (ko) | 2001-03-13 | 2004-03-03 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 및 이를 이용한 웨이퍼 처리 방법 |
| JP2002270880A (ja) | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 太陽電池モジュール及びその製造方法 |
| JP4222589B2 (ja) | 2001-03-26 | 2009-02-12 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板搬送装置及びそれを用いた基板処理装置 |
| JP2003007682A (ja) | 2001-06-25 | 2003-01-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置用の電極部材 |
| US20030003767A1 (en) * | 2001-06-29 | 2003-01-02 | Plasmion Corporation | High throughput hybrid deposition system and method using the same |
| US6592679B2 (en) | 2001-07-13 | 2003-07-15 | Asyst Technologies, Inc. | Clean method for vacuum holding of substrates |
| JP2003028142A (ja) | 2001-07-19 | 2003-01-29 | Konica Corp | 位置決め機構および画像形成装置 |
| JP4236882B2 (ja) | 2001-08-01 | 2009-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置およびガス処理方法 |
| JP2003059999A (ja) | 2001-08-14 | 2003-02-28 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム |
| CN1996552B (zh) | 2001-08-31 | 2012-09-05 | 克罗辛自动化公司 | 晶片机 |
| JP4061044B2 (ja) * | 2001-10-05 | 2008-03-12 | 住友重機械工業株式会社 | 基板移動装置 |
| US6719517B2 (en) | 2001-12-04 | 2004-04-13 | Brooks Automation | Substrate processing apparatus with independently configurable integral load locks |
| US6729824B2 (en) | 2001-12-14 | 2004-05-04 | Applied Materials, Inc. | Dual robot processing system |
| US6586886B1 (en) | 2001-12-19 | 2003-07-01 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate electrode for a plasma reactor |
| US6793733B2 (en) | 2002-01-25 | 2004-09-21 | Applied Materials Inc. | Gas distribution showerhead |
| US20040060514A1 (en) | 2002-01-25 | 2004-04-01 | Applied Materials, Inc. A Delaware Corporation | Gas distribution showerhead |
| JP2003258058A (ja) | 2002-02-27 | 2003-09-12 | Anelva Corp | 基板処理装置の運転方法 |
| JP4220173B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2009-02-04 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板の搬送方法 |
| JP2003282462A (ja) | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Kyocera Corp | シャワープレートとその製造方法及びそれを用いたシャワーヘッド |
| JP2003338492A (ja) | 2002-05-21 | 2003-11-28 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| WO2003100848A1 (fr) * | 2002-05-23 | 2003-12-04 | Anelva Corporation | Dispositif et procede de traitement de substrats |
| US7217336B2 (en) | 2002-06-20 | 2007-05-15 | Tokyo Electron Limited | Directed gas injection apparatus for semiconductor processing |
| US6902647B2 (en) | 2002-08-29 | 2005-06-07 | Asm International N.V. | Method of processing substrates with integrated weighing steps |
| US6821563B2 (en) | 2002-10-02 | 2004-11-23 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution system for cyclical layer deposition |
| US20040082251A1 (en) * | 2002-10-29 | 2004-04-29 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for adjustable gas distribution for semiconductor substrate processing |
| JP4425801B2 (ja) * | 2002-11-15 | 2010-03-03 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
| JP3886046B2 (ja) | 2002-12-18 | 2007-02-28 | シャープ株式会社 | プラズマcvd装置と、それを用いた成膜方法および半導体装置の製造方法 |
| US7270713B2 (en) | 2003-01-07 | 2007-09-18 | Applied Materials, Inc. | Tunable gas distribution plate assembly |
| US6917755B2 (en) * | 2003-02-27 | 2005-07-12 | Applied Materials, Inc. | Substrate support |
| JP4197129B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | ワーク搬送装置 |
| US6942753B2 (en) * | 2003-04-16 | 2005-09-13 | Applied Materials, Inc. | Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition |
| JP2004327761A (ja) * | 2003-04-25 | 2004-11-18 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | エピタキシャル成長用サセプタ |
| US7010388B2 (en) | 2003-05-22 | 2006-03-07 | Axcelis Technologies, Inc. | Work-piece treatment system having load lock and buffer |
| JP2005016582A (ja) * | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Toshiba Medical System Co Ltd | 上下動機構および寝台 |
| JP4517595B2 (ja) | 2003-06-26 | 2010-08-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の搬送方法 |
| US20050011447A1 (en) | 2003-07-14 | 2005-01-20 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for delivering process gas to a process chamber |
| KR100999104B1 (ko) * | 2003-10-01 | 2010-12-07 | 삼성전자주식회사 | 기판의 반송장치 |
| US7827930B2 (en) | 2004-01-26 | 2010-11-09 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates |
| US7214027B2 (en) | 2003-10-16 | 2007-05-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Wafer handler method and system |
| US8403613B2 (en) * | 2003-11-10 | 2013-03-26 | Brooks Automation, Inc. | Bypass thermal adjuster for vacuum semiconductor processing |
| US20070282480A1 (en) * | 2003-11-10 | 2007-12-06 | Pannese Patrick D | Methods and systems for controlling a semiconductor fabrication process |
| CN1890074B (zh) * | 2003-12-04 | 2011-03-30 | 三星钻石工业股份有限公司 | 基板加工方法、基板加工装置、基板输送方法、基板输送机构 |
| JP2005183834A (ja) | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Toshiba Ceramics Co Ltd | バレル型サセプタ |
| US7892357B2 (en) | 2004-01-12 | 2011-02-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Gas distribution plate assembly for plasma reactors |
| JP2005211865A (ja) | 2004-02-02 | 2005-08-11 | Masato Toshima | プラズマ処理装置 |
| JP4707959B2 (ja) | 2004-02-20 | 2011-06-22 | 日本エー・エス・エム株式会社 | シャワープレート、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP4698251B2 (ja) * | 2004-02-24 | 2011-06-08 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可動又は柔軟なシャワーヘッド取り付け |
| JP4349952B2 (ja) * | 2004-03-24 | 2009-10-21 | 京セラ株式会社 | ウェハ支持部材とその製造方法 |
| US7905960B2 (en) * | 2004-03-24 | 2011-03-15 | Jusung Engineering Co., Ltd. | Apparatus for manufacturing substrate |
| US7290978B2 (en) * | 2004-06-09 | 2007-11-06 | N&K Technology Inc. | Photomask flipper and single direction inspection device for dual side photomask inspection |
| KR101023725B1 (ko) | 2004-06-29 | 2011-03-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 이재 로봇 |
| JP2006049544A (ja) | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Canon Anelva Corp | 基板処理装置及びこれを用いた基板処理方法 |
| JP2006054284A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Shimadzu Corp | 真空処理装置 |
| JP2006058769A (ja) | 2004-08-23 | 2006-03-02 | Sony Corp | 沈胴式レンズ鏡筒および撮像装置 |
| US20060137609A1 (en) | 2004-09-13 | 2006-06-29 | Puchacz Jerzy P | Multi-single wafer processing apparatus |
| US7429410B2 (en) * | 2004-09-20 | 2008-09-30 | Applied Materials, Inc. | Diffuser gravity support |
| TWI287279B (en) * | 2004-09-20 | 2007-09-21 | Applied Materials Inc | Diffuser gravity support |
| JP2006132579A (ja) * | 2004-11-02 | 2006-05-25 | Tokyo Electron Ltd | ボルト及びプラズマ処理装置 |
| JP2006173560A (ja) | 2004-11-16 | 2006-06-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ウエハガイド、有機金属気相成長装置および窒化物系半導体を堆積する方法 |
| US20060124169A1 (en) * | 2004-12-09 | 2006-06-15 | Tokyo Electron Limited | Gas supply unit, substrate processing apparatus, and supply gas setting method |
| US20060177288A1 (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-10 | Parker N W | Multiple loadlocks and processing chamber |
| KR100747735B1 (ko) | 2005-05-13 | 2007-08-09 | 주식회사 테스 | 반도체 제조 장치 |
| JP4596981B2 (ja) * | 2005-05-24 | 2010-12-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | インプリント装置、及び微細構造転写方法 |
| US20070017445A1 (en) * | 2005-07-19 | 2007-01-25 | Takako Takehara | Hybrid PVD-CVD system |
| JP2007112626A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-05-10 | Olympus Corp | 基板搬送装置及び基板検査装置並びに基板搬送方法 |
| JP2007123684A (ja) | 2005-10-31 | 2007-05-17 | Masato Toshima | 基板の処理装置 |
| US20070119393A1 (en) | 2005-11-28 | 2007-05-31 | Ashizawa Kengo | Vacuum processing system |
| US20070151516A1 (en) | 2006-01-03 | 2007-07-05 | Law Kam S | Chemical vapor deposition apparatus and electrode plate thereof |
| JP2009524047A (ja) | 2006-01-18 | 2009-06-25 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板の破損及び移動中の基板のずれを動的に検出するセンサ |
| US7896967B2 (en) * | 2006-02-06 | 2011-03-01 | Tokyo Electron Limited | Gas supply system, substrate processing apparatus and gas supply method |
| JP4915985B2 (ja) | 2006-02-06 | 2012-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
| JP2007242648A (ja) | 2006-03-04 | 2007-09-20 | Masato Toshima | 基板の処理装置 |
| US8268078B2 (en) | 2006-03-16 | 2012-09-18 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for reducing particle contamination in a deposition system |
| TWI476855B (zh) | 2006-05-03 | 2015-03-11 | 吉恩股份有限公司 | 基板傳輸設備、和使用該設備的高速基板處理系統 |
| EP1855324A1 (de) | 2006-05-12 | 2007-11-14 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Substratträger aus glaskeramischen Material |
| JP4018120B2 (ja) | 2006-05-12 | 2007-12-05 | シャープ株式会社 | 液滴吐出描画装置 |
| KR101346081B1 (ko) * | 2006-06-20 | 2013-12-31 | 참엔지니어링(주) | 플라스마 에칭 챔버 |
| US20080066683A1 (en) | 2006-09-19 | 2008-03-20 | General Electric Company | Assembly with Enhanced Thermal Uniformity and Method For Making Thereof |
| JP2008078095A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Tokki Corp | 真空プラズマ装置の接続構造 |
| US7482550B2 (en) | 2006-10-16 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Quartz guard ring |
| US7854820B2 (en) | 2006-10-16 | 2010-12-21 | Lam Research Corporation | Upper electrode backing member with particle reducing features |
| TW200900210A (en) | 2006-11-09 | 2009-01-01 | Ihi Corp | Frog-leg arm robot and control method thereof |
| WO2008068845A1 (ja) * | 2006-12-05 | 2008-06-12 | Shimadzu Corporation | パレット搬送装置、および基板検査装置 |
| US7949425B2 (en) | 2006-12-06 | 2011-05-24 | Axcelis Technologies, Inc. | High throughput wafer notch aligner |
| US20080138178A1 (en) | 2006-12-06 | 2008-06-12 | Axcelis Technologies,Inc. | High throughput serial wafer handling end station |
| CN101611472B (zh) | 2007-01-12 | 2015-03-25 | 威科仪器有限公司 | 气体处理系统 |
| JP5047644B2 (ja) * | 2007-01-31 | 2012-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法、プラズマエッチング装置、制御プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| JP2008205219A (ja) | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Masato Toshima | シャワーヘッドおよびこれを用いたcvd装置 |
| CN101636522B (zh) * | 2007-03-02 | 2011-11-30 | 欧瑞康太阳能股份公司(特吕巴赫) | 真空涂覆装置 |
| KR100927621B1 (ko) | 2007-03-22 | 2009-11-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 보호막층을 증착시키는 장치와, 이를 이용한 증착 방법 |
| US8069817B2 (en) * | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Lam Research Corporation | Showerhead electrodes and showerhead electrode assemblies having low-particle performance for semiconductor material processing apparatuses |
| JP5306192B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-10-02 | 株式会社アドバンテスト | プローブカードの固定装置 |
| US7923660B2 (en) * | 2007-08-15 | 2011-04-12 | Applied Materials, Inc. | Pulsed laser anneal system architecture |
| US7806641B2 (en) * | 2007-08-30 | 2010-10-05 | Ascentool, Inc. | Substrate processing system having improved substrate transport system |
| US8408858B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-04-02 | Ascentool International Limited | Substrate processing system having improved substrate transport system |
| GB0717489D0 (en) | 2007-09-08 | 2007-10-17 | Design Factor Ni The Ltd | A Glass breaking device |
| US7976631B2 (en) | 2007-10-16 | 2011-07-12 | Applied Materials, Inc. | Multi-gas straight channel showerhead |
| US20090095222A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas spiral channel showerhead |
| US20090095221A1 (en) | 2007-10-16 | 2009-04-16 | Alexander Tam | Multi-gas concentric injection showerhead |
| JP5330721B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2013-10-30 | オルボテック エルティ ソラー,エルエルシー | 処理装置および処理方法 |
| CA2701402A1 (en) * | 2007-10-24 | 2009-04-30 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Method for manufacturing workpieces and apparatus |
| TWI522292B (zh) * | 2007-11-15 | 2016-02-21 | 尼康股份有限公司 | A mask case, a conveyance device, an exposure apparatus, a mask transfer method, and a device manufacturing method |
| US8876024B2 (en) | 2008-01-10 | 2014-11-04 | Applied Materials, Inc. | Heated showerhead assembly |
| JP2009174236A (ja) * | 2008-01-28 | 2009-08-06 | Kuwata:Kk | 免制震補助具、その使用方法及び連結構造 |
| DE102008009090B3 (de) * | 2008-02-14 | 2009-06-04 | MAG Industrial Automation Systems, LLC., Sterling Heights | Beschickungs- und Entnahme-Anlage für Werkzeug-Maschinen |
| CN102751158B (zh) | 2008-03-25 | 2015-05-20 | 奥宝科技Lt太阳能有限公司 | 处理装置 |
| JP5434910B2 (ja) * | 2008-03-27 | 2014-03-05 | 株式会社ニコン | 接合装置および接合方法 |
| JP4472005B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2010-06-02 | キヤノンアネルバ株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| WO2009130790A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | キヤノンアネルバ株式会社 | トレイ搬送式インライン成膜装置 |
| JP5268126B2 (ja) * | 2008-07-15 | 2013-08-21 | 株式会社アルバック | デュアルロボット搬送システム |
| TW201027784A (en) * | 2008-10-07 | 2010-07-16 | Applied Materials Inc | Advanced platform for processing crystalline silicon solar cells |
| KR101641130B1 (ko) | 2008-10-09 | 2016-07-20 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 대형 플라즈마 처리 챔버를 위한 rf 복귀 경로 |
| US20100136261A1 (en) | 2008-12-03 | 2010-06-03 | Applied Materials, Inc. | Modulation of rf returning straps for uniformity control |
| TWI366546B (en) | 2009-01-09 | 2012-06-21 | Chimei Innolux Corp | Transmission apparatus |
| WO2010091205A2 (en) | 2009-02-04 | 2010-08-12 | Applied Materials, Inc. | Ground return for plasma processes |
| US20100203242A1 (en) * | 2009-02-06 | 2010-08-12 | Applied Materials, Inc. | self-cleaning susceptor for solar cell processing |
| US8287648B2 (en) * | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
| US8246284B2 (en) * | 2009-03-05 | 2012-08-21 | Applied Materials, Inc. | Stacked load-lock apparatus and method for high throughput solar cell manufacturing |
| JP3151364U (ja) * | 2009-04-09 | 2009-06-18 | 株式会社島津製作所 | プラズマ化学気相堆積装置 |
| ITUD20090214A1 (it) | 2009-11-24 | 2011-05-25 | Applied Materials Inc | Effettore d'estremita' per la manipolazione di substrati |
| CN102754190B (zh) | 2009-07-15 | 2015-09-02 | 应用材料公司 | Cvd腔室的流体控制特征结构 |
| US8454850B2 (en) | 2009-09-02 | 2013-06-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for the removal of surface oxides by electron attachment |
| TWI430714B (zh) | 2009-10-15 | 2014-03-11 | Orbotech Lt Solar Llc | 電漿處理腔之噴撒頭組件及電漿處理腔之噴撒頭組件之氣體電離板之製備方法 |
| JP5835722B2 (ja) | 2009-12-10 | 2015-12-24 | オルボテック エルティ ソラー,エルエルシー | 自動順位付け多方向直列型処理装置 |
| KR101329303B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2013-11-20 | 세메스 주식회사 | 기판들의 로딩 및 언로딩을 위한 기판 처리 장치 |
| US20110315081A1 (en) | 2010-06-25 | 2011-12-29 | Law Kam S | Susceptor for plasma processing chamber |
| US20120267049A1 (en) | 2011-04-25 | 2012-10-25 | Craig Lyle Stevens | Grounding assembly for vacuum processing apparatus |
| US8459276B2 (en) | 2011-05-24 | 2013-06-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
| KR20120131105A (ko) | 2011-05-24 | 2012-12-04 | 오보텍 엘티 솔라 엘엘씨 | 손상된 웨이퍼 복구 시스템 |
| WO2014035768A1 (en) | 2012-08-30 | 2014-03-06 | Orbotech Lt Solar, Inc. | System, architecture and method for simultaneous transfer and process of substrates |
-
2010
- 2010-12-09 JP JP2010275100A patent/JP5835722B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-09 TW TW099143048A patent/TWI485799B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-12-09 TW TW099143044A patent/TWI436831B/zh active
- 2010-12-09 JP JP2010275101A patent/JP5721132B2/ja active Active
- 2010-12-09 TW TW099143051A patent/TWI417984B/zh not_active IP Right Cessation
- 2010-12-10 CN CN201010625048.3A patent/CN102122610B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 CN CN201010625047.9A patent/CN102122609B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 EP EP10194527.7A patent/EP2333814B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-10 KR KR1020100126497A patent/KR101732348B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 KR KR1020100126495A patent/KR101730322B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2010-12-10 KR KR1020100126107A patent/KR101814202B1/ko active Active
- 2010-12-10 CN CN201010624484.9A patent/CN102094188B/zh active Active
- 2010-12-10 US US12/965,804 patent/US20110139372A1/en not_active Abandoned
- 2010-12-10 EP EP10194525.1A patent/EP2333813B1/en not_active Not-in-force
- 2010-12-10 US US12/965,798 patent/US8444364B2/en active Active
- 2010-12-10 US US12/965,791 patent/US8672603B2/en active Active
- 2010-12-10 EP EP10194536.8A patent/EP2336389B1/en active Active
-
2013
- 2013-05-20 US US13/898,353 patent/US9287152B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9287152B2 (en) | 2009-12-10 | 2016-03-15 | Orbotech LT Solar, LLC. | Auto-sequencing multi-directional inline processing method |
| US9462921B2 (en) | 2011-05-24 | 2016-10-11 | Orbotech LT Solar, LLC. | Broken wafer recovery system |
Also Published As
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5835722B2 (ja) | 自動順位付け多方向直列型処理装置 | |
| KR100852952B1 (ko) | 기판 양면 처리장치 | |
| TWI455234B (zh) | 基板處理裝置 | |
| US6755603B2 (en) | Apparatus for and method of transporting substrates to be processed | |
| JP6080118B2 (ja) | 壊れたウェーハ回収システム | |
| KR101860599B1 (ko) | 기판 반송 방법 및 반송 장치 | |
| US20090087932A1 (en) | Substrate supporting apparatus, substrate supporting method, semiconductor manufacturing apparatus and storage medium | |
| KR20100085128A (ko) | 기판반송장치, 기판반송방법 및 진공처리장치 | |
| US6638860B2 (en) | Method and apparatus for processing substrates and method for manufacturing a semiconductor device | |
| KR20080103177A (ko) | 트레이 정렬장치와 이를 포함하는 태양전지 제조장치 및이를 이용한 트레이 정렬방법 | |
| JPH03261161A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| JP2012015530A (ja) | 基板処理装置および基板検出方法 | |
| JP3769425B2 (ja) | 電子部品の製造装置および電子部品の製造方法 | |
| JP3624127B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3912478B2 (ja) | 基板搬送装置 | |
| KR20220097144A (ko) | 이송 장치 | |
| JP5031960B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH03248418A (ja) | 縦型熱処理装置 | |
| CN115223917A (zh) | 基片保持部的位置调节方法、基片处理系统和存储介质 | |
| WO2025260379A1 (zh) | 镀膜装置 | |
| KR20250130883A (ko) | 기판도입유닛, 기판처리장치 및 이를 이용한 기판처리방법 | |
| JP3241336B2 (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110329 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131206 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141007 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150107 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150305 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150414 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150713 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151006 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20151027 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5835722 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |