CN116235275A - 用于浮动变压器耦合等离子体室气体板的承载环 - Google Patents

Abstract

一种用于衬底处理系统中的处理室的气体分配组件包含：气体板，其包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部；以及承载环，其被配置成支撑所述气体板。所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分。所述径向朝内突出部分具有第一内径以及所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，所述径向朝内突出部分限定凸耳，且所述气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上。介电窗被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。

Description

用于浮动变压器耦合等离子体室气体板的承载环

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月21日申请的美国临时申请No.63/081,252的权益。上述引用的申请其全部公开内容都通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及与用于衬底处理系统的气体分配设备相关。

背景技术

这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的发明人的工作在其在此背景技术部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

在衬底(例如半导体晶片)的制造期间，可在处理室内执行蚀刻工艺与沉积工艺。将衬底设置在处理室中的衬底支撑件(例如静电卡盘(ESC)或基座)上。经由气体分配设备导入工艺气体并且在处理室中激励等离子体。

某些衬底处理系统可配置成执行深硅蚀刻(DSiE)处理和/或快速交替工艺(RAP)，其包含快速地切换蚀刻与沉积工艺。例如，RAP可用于微机电系统(MEMS)蚀刻、DSiE处理等等。

发明内容

一种用于衬底处理系统中的处理室的气体分配组件包含：气体板，其包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部；以及承载环，其被配置成支撑所述气体板。所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分。所述径向朝内突出部分具有第一内径以及所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，所述径向朝内突出部分限定凸耳，且所述气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上。介电窗被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。

在其他特征中，所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面，且所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。所述承载环包含陶瓷。所述承载环包含氧化铝。所述承载环包含与所述气体板相同的材料。所述承载环包含与所述气体板具有相同的CTE的材料。所述承载环具有钇氧化物涂层。

在其他特征中，所述承载环的外周边包含环状沟槽。所述气体分配组件还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边，并且所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。所述气体板不与所述升降环直接接触。一种处理室包含所述气体分配组件，所述处理室的上部分包含凹部，以及所述气体分配组件被设置在所述凹部内，且所述气体板不与所述处理室直接接触。

一种被配置成执行变压器耦合等离子体处理的衬底处理系统的处理室包含：凹部，其限定在所述处理室的上部分中；以及承载环，其被设置在所述凹部中。所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分，其中所述径向朝内突出部分具有第一内径，所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，且所述突出部分限定凸耳。气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上，其中所述气体板包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部。介电窗被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。所述气体板不与所述处理室的所述上部分直接接触。

在其他特征中，所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面。所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。所述承载环的外周边包含环状沟槽。所述处理室还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边。所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。所述气体板不与升降环直接接触。

根据详细描述、权利要求和附图，本公开内容的适用性的进一步的范围将变得显而易见。详细描述和具体示例仅用于说明的目的，并非意在限制本公开的范围。

附图说明

根据详细描述和附图将更充分地理解本公开，其中：

图1A为根据本公开内容的包含用于气体分配设备的示例性承载环的衬底处理系统的功能框图；

图1B根据本公开内容的某些实施方案示出了包含承载环的示例性气体分配组件；

图1C显示了图1B的示例性承载环与气体板的放大图；

图2为根据本公开内容的某些实施方案包含承载环的示例性气体分配组件的等角视图；以及

图3为根据本公开内容的某些实施方案包含承载环的气体分配组件的分解图。

在附图中，可以重复使用附图标记来标识相似和/或相同的元件。

具体实施方式

衬底处理系统可包含气体分配设备(例如喷头)，该气体分配设备被设置在处理室的盖子或上表面中。在配置成执行变压器耦合等离子体(TCP)处理的处理室中，气体分配设备可相当于组件，其包含被设置而面向处理室的内部的气体板(例如喷头板)以及设置在气体板的上方的介电窗。在某些示例中，充气室(plenum)被限定在气体板与介电窗之间。经由气体分配设备将工艺气体供应至处理室，并且在处理室的内部产生等离子体。例如，RF信号从TCP线圈传输通过介电窗进入到处理室的内部中。

高功率与高温工艺可能会随着时间推移而对气体分配设备的构件造成损伤与磨损。例如，气体板被约束在介电窗与处理室的主体(例如壁的上端)之间。因此，限制了高功率工艺所引起的热膨胀。此外，表面温度梯度引起横跨气体板的应力(例如周向应力或柱应力，其随着与气体板的中心的径向距离而增加)。随着TCP功率增加所引起的热膨胀与应力可能会引起气体板和/或介电窗的损伤(例如破裂)。此外，气体板的热可能被传导至处理室的主体和/或衬底处理系统的其他构件，这可能引起磨损增加和/或其他故障(例如因为过温(over-temperature)情况所引起的互锁(interlocks)跳闸)。也可能因为重复的移除与重组而引起对气体板的表面和/或边缘的损伤(例如磨损或碎裂)。

根据本公开内容的某些实施方案的气体分配组件包含承载环，该承载环被设置在气体板的下方、在气体板与处理室之间。气体板被安装在承载环内，以及介电窗被设置在气体板与承载环的上方。气体板不与处理室直接接触。介电窗并非固定地附接至气体板或承载环，而是松弛地被支撑在气体板上。此外，在气体板的外周边与承载环之间，在横向方向上配置小间隙。例如，该间隙为大约0.001”或0.025mm(例如介于0.00075”与0.00125”之间、或介于0.019mm与0.032mm之间)。因此，气体板的热膨胀在横向方向上不受到限制。在某些实施方案中，承载环的外周边包含沟槽，该沟槽配置成与升降环对接。

承载环可由与气体板相同的材料构成或者由不同材料构成。例如，承载环可由陶瓷构成，陶瓷例如氧化铝或铝氧化物(Al₂O₃)、铝氮化物(AlN)等等。承载环的材料可经选择而具有与气体板相同或相似的热膨胀系数(CTE)。可使用对处理室内的蚀刻及副产物材料具有耐受性的材料来涂覆承载环，例如钇氧化物。因此，承载环对反应性等离子体环境所引起的腐蚀具有耐受性。

在气体板的外周边处，承载环作为热隔断件(例如散热器)的功能。由于热梯度在气体板的外周边处最为剧烈，所以承载环明显降低热膨胀所引起的损伤的可能性。此外，承载环降低从气体板到处理室的主体的热传递量，此降低周边构件的磨损(并且增加其使用寿命)、降低互锁跳闸的可能性等等。在包含升降环的实施方案中，升降环与承载环对接，而非与气体板对接。因此，承载环作为气体板、介电窗、以及该组件的其他构件的负荷接点(load bearing contact)的功能。依此方式，使在移除与重组期间对气体板与介电窗造成损伤的可能性降至最低。如果承载环被磨损或损伤，可替换承载环而不替换气体板或该组件的其他构件。

现在参考图1A，显示了根据本公开内容的某些实施方案的衬底处理系统10的实施例。衬底处理系统10包含线圈驱动电路11。如图所示，线圈驱动电路11包含RF源12以及调谐电路13。调谐电路13可直接连接至一或更多感应变压器耦合等离子体(TCP)线圈16。替代地，调谐电路13可通过可选的反向电路15而连接至线圈16中的一或更多者。调谐电路13将RF源12的输出调谐至期望的频率和/或期望的相位，匹配线圈16的阻抗并且在TCP线圈16之间均分功率。反向电路15用于选择性地切换通过TCP线圈16中的一或更多者的电流的极性。在某些示例中，线圈驱动电路11实施变电器耦合电容调谐(TCCT)匹配网络以驱动TCP线圈16。

气体分配设备或组件18包含喷头(例如气体板)20以及介电窗24。在某些实施方案中，充气室可限定在气体板20与介电窗24之间。气体板20被设置在介电窗24与处理室28之间。在某些实施方案中，介电窗24含有陶瓷。在某些实施方案中，气体板20包含陶瓷或另一介电材料。处理室28还包含衬底支撑件(或基座)32。衬底支撑件32可包含静电卡盘(ESC)、或机械卡盘或其他类型的卡盘。

在操作中，经由气体板20(例如穿过气体板的多个孔洞)将工艺气体供应至处理室28，并且在处理室28的内部产生等离子体40。例如，RF信号从TCP线圈传输通过介电窗24进入到处理室28的内部中。RF信号激发处理室28内的气体分子而产生等离子体40。等离子体40蚀刻衬底34的暴露表面。RF源50与偏压匹配电路52可用于在操作期间对衬底支撑件32施加偏压以控制离子能。

气体输送系统56可用于将工艺气体混合物供应至处理室28。气体输送系统56可包含工艺与惰性气体源57(例如包含沉积气体、蚀刻气体、载气、惰性气体等等)、例如阀与流量比控制器(例如质量流量控制器(MFC))的气体计量系统58-1与58-2、以及各自的歧管59-1与59-2。例如，气体计量系统58-1与歧管59-1可被设置成在蚀刻期间将蚀刻气体混合物提供至处理室28，而气体计量系统58-2与歧管59-2可被设置成在沉积期间将沉积气体混合物提供至处理室28。例如，蚀刻与沉积气体混合物可通过线圈16并且经由介电窗24中的相应通道而提供至气体板20的充气室。加热器/冷却器64可用于将衬底支撑件32加热/冷却至预定温度。排放系统65包含阀66以及泵67，以通过清扫或抽空，将反应物从处理室28移除。

控制器54可用于控制蚀刻工艺。控制器54监控系统参数，并且控制气体混合物的输送，等离子体的激励、维持与熄灭，反应物的移除等等。此外，控制器54可控制线圈驱动电路11、RF源50、以及偏压匹配电路52等等的各种方面。在某些实施方案中，衬底支撑件32是温度可调的。在某些实施方案中，温度控制器68可连接至设置在衬底支撑件32中的多个加热元件70，例如热控制元件(TCE)。温度控制器68可用以控制多个加热元件70，以控制衬底支撑件32与衬底34的温度。

如在下文更详细地说明的，根据本公开内容的某些实施方案的气体分配组件18包含设置在气体板20与处理室28的主体之间的承载环100。

现在参考图1B与1C并且继续参考图1A，更详细地说明包含承载环100的气体分配组件18。承载环100被设置在气体板20的下方、在气体板20与处理室28的上部分104之间。例如，处理室28的上部分104可相当于处理室28的外壁、盖子、或上表面，以限定凹部或袋部108，其配置成容纳气体分配组件18。在某些实施方案中，承载环100被支撑在凹部108内的台阶或凸耳112上，且气体板20被安装在承载环100内。例如，径向朝内突出部分114具有第一内径116。突出部分114是从环状主体118朝内突出，该环状主体具有大于第一内径116的第二内径120。承载环100的第一内径116、第二内径120、以及突出部分114限定台阶或凸耳124，且气体板20被设置在凸耳124上。

在承载环100的第二内径120(即，位于凸耳124的径向朝内周边处的竖直表面)与气体板20的外周边132之间，于横向方向上配置小间隙128。换言之，承载环100的第二内径120大于气体板20的直径。在某些实施方案中，间隙128为大约0.025”或0.635mm(例如介于0.020”与0.030”之间、或介于0.508mm与0.762mm之间)。因此，气体板20“浮动”于承载环100与介电窗24之间，且气体板20在横向方向上的热膨胀不受到限制。介电窗24被设置在气体板20与承载环100的上方。在某些实施方案中，介电窗24并非固定地附接至气体板20或承载环100，而是松弛地被支撑在气体板20上。换言之，介电窗24并未(例如使用粘合剂、机械式紧固件等等)被接合。因此，介电窗24不会阻止气体板20的热膨胀。

参考图1B，在某些实施方案中，密封部件136与140(例如O形环136与140)分别设置在承载环100与处理室28的上部分104之间以及在承载环100与介电窗24之间。例如，密封部件136与140被设置在承载环100、处理室28的上部分104、以及介电窗24的相应表面中的沟槽144内。密封部件136与140密封处理室28以维持真空完整性。虽然沟槽144中的一者被显示在承载环100的下表面中，但在其他实施方案(未显示)中，沟槽144可位于上部分104的上表面中(未显示)。同样地，虽然沟槽144中的一者被显示在介电窗24的下表面中，但在其他实施方案(未显示)中，沟槽144可位于承载环100的上表面中(未显示)。

在一些实施方案中，承载环100的外周边包含环状沟槽148，该环状沟槽被配置成与升降环152对接。升降环152包含环状突出部156，该环状突出部延伸到沟槽148内，以将承载环100和气体分配组件18保持在升降环152内。通过降下与升起升降环152，可将气体分配组件18安装到处理室28内以及从该处理室28移除。气体板20并非与升降环152或处理室28的壁/延伸部分直接接触。相反，承载环100与升降环152以及处理室28的壁/延伸部分直接接触。因此，当升降环152用于移除气体分配组件18时，承载环100作为气体板20以及介电窗24的负荷接点的功能。

承载环100可由与气体板20相同的材料构成或者由不同材料构成。在某些实施方案中，承载环100可由陶瓷构成，例如氧化铝或铝氧化物(Al₂O₃)、铝氮化物(AlN)等等。在某些实施方案中，承载环100的材料可具有与气体板20的CTE相同或相似(例如在其增减5％的范围内)的热膨胀系数(CTE)。在一些实施方案中，可使用对处理室内的蚀刻及副产物材料具有耐受性的材料来涂覆承载环100，例如钇氧化物。因此，承载环100对反应性等离子体环境所引起的腐蚀具有耐受性。

图2为根据本公开内容的某些实施方案的包含承载环204的示例性气体分配组件200的等角视图。如以上图1A、1B、以及1C所述，承载环204配置成支撑气体板208。介电窗212被设置在承载环204以及气体板208的上方，以使气体板208被支撑在承载环204与介电窗212之间。

在某些实施方案中，介电窗212包含入口或开口216。在等离子体处理期间，通过介电窗212中的开口216，经由气体分配组件200将气体混合物供应至处理室。例如，充气室220被限定在介电窗212与气体板208之间。通过开口216所供应的气体混合物被分配而遍布于充气室220并且通过多个孔洞224进入到处理室中。

图3为根据本公开内容的某些实施方案的包含承载环304、气体板308、以及介电窗312的气体分配组件300的分解图。处理室的上部分316限定凹部320，该凹部320被配置成容纳气体分配组件300。如以上图1A、1B、以及1C所述，承载环304被配置成支撑气体板308。介电窗312被设置在承载环304以及气体板308的上方，以使气体板308被支撑在承载环304与介电窗312之间。

升降环324被设置成围绕承载环304的外周边。例如，升降环324包含环状突出部(例如，如图1C所示的环状突出部156)，其朝内延伸到承载环304的外周边中的环状沟槽内。当组装并安装于处理室的上部分316中的凹部320内时，气体板308不与处理室的上部分316或升降环324的任一者直接接触。

前面的描述本质上仅仅是说明性的，并且绝不旨在限制本公开、其应用或用途。本公开的广泛教导可以以各种形式实现。因此，虽然本公开包括特定示例，但是本公开的真实范围不应当被如此限制，因为在研究附图、说明书和所附权利要求时，其他修改将变得显而易见。应当理解，在不改变本公开的原理的情况下，方法中的一个或多个步骤可以以不同的顺序(或同时地)执行。此外，虽然每个实施方案在上面被描述为具有某些特征，但是相对于本公开的任何实施方案描述的那些特征中的任何一个或多个，可以在任何其它实施方案的特征中实现和/或与任何其它实施方案的特征组合，即使该组合没有明确描述。换句话说，所描述的实施方案不是相互排斥的，并且一个或多个实施方案彼此的置换保持在本公开的范围内。

使用各种术语来描述元件之间(例如，模块之间、电路元件之间、半导体层之间等)的空间和功能关系，各种术语包括“连接”、“接合”、“耦合”、“相邻”、“紧挨”、“在...顶部”、“在...上面”、“在...下面”和“配置”。除非将第一和第二元件之间的关系明确地描述为“直接”，否则在上述公开中描述这种关系时，该关系可以是直接关系，其中在第一和第二元件之间不存在其它中间元件，但是也可以是间接关系，其中在第一和第二元件之间(在空间上或功能上)存在一个或多个中间元件。如本文所使用的，短语“A、B和C中的至少一个”应当被解释为意味着使用非排他性逻辑或(OR)的逻辑(A或B或C)，并且不应被解释为表示“A中的至少一个、B中的至少一个和C中的至少一个”。

在一些实现方案中，控制器是系统的一部分，该系统可以是上述示例的一部分。这样的系统可以包括半导体处理设备，半导体处理设备包括一个或多个处理工具、一个或多个室、用于处理的一个或多个平台、和/或特定处理部件(晶片基座、气体流系统等)。这些系统可以与用于在半导体晶片或衬底的处理之前、期间和之后控制它们的操作的电子器件集成。电子器件可以被称为“控制器”，其可以控制一个或多个系统的各种部件或子部件。根据处理要求和/或系统类型，控制器可以被编程以控制本文公开的任何工艺，包括处理气体的输送、温度配置(例如加热和/或冷却)、压力配置、真空配置、功率配置、射频(RF)产生器配置、RF匹配电路配置、频率配置、流率配置、流体输送配置、位置和操作配置、晶片转移进出工具和其他转移工具和/或与具体系统连接或通过接口连接的装载锁。

从广义上讲，控制器可以定义为电子器件，电子器件具有接收指令、发出指令、控制操作、启用清洁操作、启用端点测量等的各种集成电路、逻辑、存储器和/或软件。集成电路可以包括存储程序指令的固件形式的芯片、数字信号处理器(DSP)、定义为专用集成电路(ASIC)的芯片、和/或执行程序指令(例如，软件)的一个或多个微处理器或微控制器。程序指令可以是以各种单独配置(或程序文件)的形式发送到控制器的指令，单独配置(或程序文件)定义用于在半导体晶片或系统上或针对半导体晶片或系统执行特定工艺的操作参数。在一些实施方案中，操作参数可以是由工艺工程师定义的配方的一部分，以在一或多个(种)层、材料、金属、氧化物、硅、二氧化硅、表面、电路和/或晶片的管芯的制造期间完成一个或多个处理步骤。

在一些实现方案中，控制器可以是与系统集成、耦合到系统、以其它方式联网到系统或其组合的计算机的一部分或耦合到该计算机。例如，控制器可以在“云”中或是晶片厂(fab)主机系统的全部或一部分，其可以允许对晶片处理的远程访问。计算机可以实现对系统的远程访问以监视制造操作的当前进展、检查过去制造操作的历史、检查多个制造操作的趋势或性能标准，改变当前处理的参数、配置处理步骤以跟随当前的处理、或者开始新的工艺。在一些示例中，远程计算机(例如服务器)可以通过网络(其可以包括本地网络或因特网)向系统提供工艺配方。远程计算机可以包括使得能够输入或编程参数和/或配置的用户界面，然后将该参数和/或配置从远程计算机发送到系统。在一些示例中，控制器接收数据形式的指令，其指定在一个或多个操作期间要执行的每个处理步骤的参数。应当理解，参数可以特定于要执行的工艺的类型和工具的类型，控制器被设置为与该工具接口或控制该工具。因此，如上所述，控制器可以是例如通过包括联网在一起并朝着共同目的(例如本文所述的工艺和控制)工作的一个或多个分立的控制器而呈分布式。用于这种目的的分布式控制器的示例是在与远程(例如在平台级或作为远程计算机的一部分)的一个或多个集成电路通信的室上的一个或多个集成电路，其组合以控制在室上的工艺。

示例系统可以包括但不限于等离子体蚀刻室或模块、沉积室或模块、旋转漂洗室或模块、金属电镀室或模块、清洁室或模块、倒角边缘蚀刻室或模块、物理气相沉积(PVD)室或模块、化学气相沉积(CVD)室或模块、原子层沉积(ALD)室或模块、原子层蚀刻(ALE)室或模块、离子注入室或模块、轨道室或模块、以及可以与半导体晶片的制造和/或制备相关联或用于半导体晶片的制造和/或制备的任何其它半导体处理系统。

如上所述，根据将由工具执行的一个或多个处理步骤，控制器可以与一个或多个其他工具电路或模块、其它工具部件、群集工具、其他工具接口、相邻工具、邻近工具、位于整个工厂中的工具、主计算机、另一控制器、或在将晶片容器往返半导体制造工厂中的工具位置和/或装载口运输的材料运输中使用的工具通信。

Claims (18)

1.一种气体分配组件，其用于衬底处理系统中的处理室，所述气体分配组件包含：

气体板，其包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部；

承载环，其被配置成支撑所述气体板，其中所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分，其中所述径向朝内突出部分具有第一内径以及所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，其中所述径向朝内突出部分限定凸耳，且其中所述气体板被设置在所述承载环的所述凸耳上；以及

介电窗，其被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间。

2.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。

3.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面，且其中所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。

4.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含陶瓷。

5.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含氧化铝。

6.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含与所述气体板相同的材料。

7.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环包含与所述气体板具有相同的CTE的材料。

8.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环具有钇氧化物涂层。

9.根据权利要求1所述的气体分配组件，其中所述承载环的外周边包含环状沟槽。

10.根据权利要求9所述的气体分配组件，其还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边，其中所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。

11.根据权利要求10所述的气体分配组件，其中所述气体板不与所述升降环直接接触。

12.一种处理室，其包含根据权利要求11所述的气体分配组件，其中所述处理室的上部分包含凹部，以及所述气体分配组件被设置在所述凹部内，且其中所述气体板不与所述处理室直接接触。

13.一种衬底处理系统的处理室，所述衬底处理系统配置成执行变压器耦合等离子体处理，所述处理室包含：

凹部，其限定在所述处理室的上部分中；

承载环，其被设置在所述凹部中，其中所述承载环包含环状主体以及径向朝内突出部分，其中所述径向朝内突出部分具有第一内径，其中所述环状主体具有大于所述第一内径的第二内径，且其中所述突出部分限定凸耳；

气体板，其被设置在所述承载环的所述凸耳上，其中所述气体板包含多个孔洞，所述多个孔洞被配置成将气体混合物供应到所述处理室的内部；以及

介电窗，其被设置在所述气体板上并且位于所述气体板和所述承载环的上方，以使所述气体板被支撑在所述承载环与所述介电窗之间，

其中所述气体板不与所述处理室的所述上部分直接接触。

14.根据权利要求13所述的处理室，其中所述环状主体的所述第二内径大于所述气体板的直径。

15.根据权利要求13所述的处理室，其中所述环状主体的所述第二内径对应于位于所述凸耳的径向朝内周边处的竖直表面，且其中所述气体板的厚度大于所述竖直表面的高度。

16.根据权利要求13所述的处理室，其中所述承载环的外周边包含环状沟槽。

17.根据权利要求16所述的处理室，其还包含升降环，所述升降环被设置成围绕所述承载环的所述外周边，其中所述升降环包含环状突出部，所述环状突出部朝内延伸到所述承载环的所述环状沟槽内。

18.根据权利要求17所述的处理室，其中所述气体板不与所述升降环直接接触。

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