CN103266310B - 分散板及具有该分散板的镀膜装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种分散板及具有该分散板的镀膜装置，所述分散板上具有：有效区，所述有效区均匀设置有多个用于气体通过的气体孔；以及位于所述有效区外围的无效区，与待镀膜基板的无效区的位置相对应，用于所述分散板与外部装置的连接，所述无效区具有多条切割线。本发明可以减少分散板变形，改善气体分布，增加上电极装置内的气体分布稳定性，进而能够提高镀膜装置的膜厚均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及有机发光二极管显示面板制造领域，尤其涉及一种分散板及具有该分散板的镀膜装置。
背景技术
近年来，有机发光二极管（OLED）技术越来越受到人们的关注，这是由于其自发光的原理，更易于制作轻薄、易携带的显示或照明装置。OLED除了具有阳极和阴极外，还具有包含在两电极间的多层有机化合物。该多层有机化合物各自具有不同的功能，有的用来传输电子和空穴，有的用来激发光子。
薄膜镀膜是平面显示器工艺中非常重要的一道工艺，对于工艺中各项参数的控制是相当严格。其中镀膜的均匀度便是其中之一，而镀膜装置内气体的分布也会影响镀膜的均匀度。
现有技术的镀膜装置中，分散板是设置于上电极装置中，如图1所示，现有技术的上电极装置是一种三层式的结构，顶端是上电极2，顶端中心具有进气孔（gas inlet）3，三层式结构中上边的两层分别是两层分散板11、12，最下面的一层为簇射板4。
其中分散板11、12设计为金属制的平板并带有上百或上千个的气体孔10。为不影响气体分散至下一层的时间，该分散板11、12的厚度通常不超过10mm，并利用金属或陶瓷材质的固定件将分散板11、12固定于上电极装置的侧壁。此种设计也大量的运用于等离子加强沉积设备的上电极，工艺温度大概控制在400摄氏度。在如此高温的状态下，分散板11、12容易因为分散板本身受热不够均匀的情况下产生形变，变形的情况如图2所示，也极有可能在固定处（分散板与上电极装置侧壁的固定处）产生变形。如此便会造成两层分散板间的距离发生改变进而影响气体的分布，进而造成薄膜的不均匀。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的为提供一种用于镀膜装置的分散板，以解决现有技术的镀膜装置中的分散板存在的容易变形，变形后影响气体分布，进而影响薄膜的膜厚均匀度的技术问题。
本发明的另一目的为提供一种具有本发明分散板的镀膜装置。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种分散板，用于镀膜装置，所述分散板上具有：有效区，所述有效区均匀设置有多个用于气体通过的气体孔；以及位于所述有效区外围的无效区，与待镀膜基板的无效区的位置相对应，用于所述分散板与外部装置的连接，所述无效区具有多条切割线。
本发明的分散板，优选的，所述分散板具有长边和短边，所述长边和短边上均具有多条所述切割线。
本发明的分散板，优选的，所述切割线是利用物理性加工在分散板边缘切除部分分散板所形成。
本发明的分散板，优选的，位于所述长边的切割线的长度为3～5mm，宽度为0.5～1mm，数量为3～5条。
本发明的分散板，优选的，位于所述短边的切割线的长度为1～2mm，宽度为0.5～1mm，数量为2～3条。
本发明的分散板，优选的，位于所述短边的切割线垂直于位于所述长边的切割线，且平行于所述长边。
本发明的分散板，优选的，各所述切割线的延长线交于所述分散板的几何中心。
本发明的分散板，优选的，所述切割线在所述长边上均匀分布，所述切割线在所述短边上均匀分布。
本发明的分散板，优选的，位于所述长边中部的切割线间距小于位于所述长边两侧的切割线间距。
本发明的镀膜装置，具有本发明的分散板。
本发明的镀膜装置，优选的，所述镀膜装置具有至少2层分散板。
本发明的镀膜装置，优选的，所述分散板的厚度小于10mm。
本发明的有益效果在于，本发明的分散板及具有该分散板的镀膜装置，切割线的作用在于让分散板变形时可有方向性，切割线可将变形方向调整为水平而非原先的垂直方向变形，可以减少分散板变形，改善气体分布，增加上电极装置内的气体分布稳定性，进而能够提高镀膜装置的膜厚均匀性。
附图说明
图1为常用的镀膜装置的上电极装置的截面示意图；
图2为现有技术的分散板变形及其气体分布改变示意图；
图3为本发明第一实施例的分散板的示意图；
图4为本发明第二实施例的分散板的示意图；
图5为本发明实施例的分散板的气流方向示意图。
具体实施方式
体现本发明特征与优点的典型实施例将在以下的说明中详细叙述。应理解的是本发明能够在不同的实施例上具有各种的变化，其皆不脱离本发明的范围，且其中的说明及附图在本质上是当作说明之用，而非用以限制本发明。
本发明实施例的镀膜装置，具有本发明各实施例的分散板。本发明各实施例的分散板，均可应用于本发明实施例的镀膜装置。下面具体介绍本发明实施例的镀膜装置及本发明两个实施例的分散板。
本发明实施例的镀膜装置，除分散板之外，其他部件可以与现有技术的镀膜装置中的相应部件相同。同样，分散板也是设置于上电极装置中，如图1所示，本发明实施例的镀膜装置的上电极装置可以是一种多层式的结构，其分散板至少2层，例如为2-5层。
如图1所示，以两层分散板11、12为例，上电极装置的顶端是上电极2，其中心具有进气孔（gas inlet）3，三层式结构中上边的两层分别是两层分散板11、12，最下面的一层为簇射板4。
本发明各实施例的分散板，均设计为金属制的平板并带有上百或上千个的气体孔10。为不影响气体分散至下一层的时间，分散板的厚度通常不超过10mm，并利用金属或陶瓷材质的固定件17将分散板固定于上电极装置的侧壁，如图1和图3所示。
以下分别介绍本发明分散板的两个实施例。
本发明第一实施例的分散板：
如图3所示，分散板1具有有效区和无效区，其中有效区上均匀设置有多个用于气体通过的气体孔10，无效区位于有效区的外围，分散板1的无效区与待镀膜基板的无效区的位置相对应，无效区可用于分散板1与外部装置（例如上电极装置的侧壁）的连接，在分散板1的无效区具有切割线15、16，具体的说是分散板1周边的对应于待镀膜玻璃基板无效区的位置，即距玻璃基板边缘10mm范围内具有切割线15、16。可以对分散板1进行物理性加工，在分散板1长短边各切除部分分散板，而形成切割线15、16。也可以通过其他方法形成切割线15、16，也可以在形成分散板1时一体形成切割线15、16。
图3中分散板1左右方向的边为长边，上下方向的边为短边，在长边上形成有切割线16，在短边上形成有切割线15。位于分散板1的长边的切割线16的长度可为3～5mm,宽度可为0.5～1mm,切割线的数量可为3～5条。位于分散板1的短边的切割线15的长度可为1～2mm,宽度可为0.5～1mm,切割线的数量可为2～3条。也就是说，长边上的切割线16的长度通常大于短边上的切割线15的长度，而宽度则通常相等。
如图1所示，分散板1为矩形，本实施例中，长边上的切割线16均互相平行，且短边上的切割线15也互相平行。也即，长边上的切割线16均垂直于长边并平行于短边，且短边上的切割线15均垂直于短边并平行于长边。因此，位于短边的切割线15垂直于位于长边的切割线16，且平行于所述长边。但本发明并不以此为限，各分割线也可以不互相平行，因此有以下的第二实施例。
本发明第二实施例的分散板：
本实施例中，分散板1的切割线15、16的位置、规格及其形成，均可与第一实施例的分散板1相同，与第一实施例的分散板1不同的是切割线15、16的走向，本实施例中，各切割线，包括长边上的延长线16和短边上的延长线15，均相交于分散板1的几何中心。也就是说本实施例中，切割线15、16是呈放射状分布的。
在上述的两实施例中，切割线15、16，既可以是均匀分布，也可以是非均匀分布。如果是非均匀分布，则优选的是中间密，两边疏的分布，也即位于所述长（短）边中部的切割线间距小于位于所述长边两侧的切割线间距。举例来说，如果长边上从左到右依次有A、B、C、D、E、F、G、H八条切割线，长边的中点在D与E之间，则可以是距离DE<距离EF<距离FG<距离GH，距离DE<距离CD<距离BC<距离AB。并且可以左右对称分布。
本发明各实施例的分散板，开设切割线15、16后，并不影响通过固定件17将分散板1固定于上电极装置的侧壁。切割线15、16的作用在于让分散板1变形时可有方向性，切割线15、16可将分散板1的变形方向调整为水平而非原先的垂直方向变形,如图5所示，如此便不会造成分散板间距的改变，也不会影响气体的分布。可以减少分散板变形，改善气体分布，增加上电极装置内的气体分布稳定性，进而能够提高镀膜装置的膜厚均匀性。
本领域技术人员应当意识到在不脱离本发明所附的权利要求所揭示的本发明的范围和精神的情况下所作的更动与润饰，均属本发明的权利要求的保护范围之内。
Claims (12)
1.一种分散板，用于镀膜装置，其中，所述分散板上具有：
有效区，所述有效区均匀设置有多个用于气体通过的气体孔；以及
位于所述有效区外围的无效区，与待镀膜基板的无效区的位置相对应，用于所述分散板与外部装置的连接，所述无效区具有多条在所述无效区内延伸的切割线。
2.如权利要求1所述的分散板，其特征在于，所述分散板具有长边和短边，所述长边和短边上均具有多条所述切割线。
3.如权利要求2所述的分散板，其特征在于，所述切割线是利用物理性加工在分散板边缘切除部分分散板所形成。
4.如权利要求2所述的分散板，其特征在于，位于所述长边的切割线的长度为3～5mm，宽度为0.5～1mm，数量为3～5条。
5.如权利要求4所述的分散板，其特征在于，位于所述短边的切割线的长度为1～2mm，宽度为0.5～1mm，数量为2～3条。
6.如权利要求5所述的分散板，其特征在于，位于所述短边的切割线垂直于位于所述长边的切割线，且平行于所述长边。
7.如权利要求2所述的分散板，其特征在于，各所述切割线的延长线交于所述分散板的几何中心。
8.如权利要求2所述的分散板，其特征在于，所述切割线在所述长边上均匀分布，所述切割线在所述短边上均匀分布。
9.如权利要求2所述的分散板，其特征在于，位于所述长边中部的切割线间距小于位于所述长边两侧的切割线间距。
10.一种镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置具有权利要求1-9任一所述的分散板。
11.如权利要求10所述的镀膜装置，其特征在于，所述镀膜装置具有至少2层分散板。
12.如权利要求11所述的镀膜装置，其特征在于，所述分散板的厚度小于10mm。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: 201500, building two, building 100, 1, Jinshan Industrial Road, 208, Shanghai, Jinshan District Patentee after: Shanghai Hehui optoelectronic Co., Ltd Address before: 201500, building two, building 100, 1, Jinshan Industrial Road, 208, Shanghai, Jinshan District Patentee before: EverDisplay Optronics (Shanghai) Ltd. |
|
| CP01 | Change in the name or title of a patent holder | ||
| CP02 | Change in the address of a patent holder |
Address after: 201506, No. nine, No. 1568, Jinshan Industrial Zone, Shanghai, Jinshan District Patentee after: Shanghai Hehui optoelectronic Co., Ltd Address before: 201500, building two, building 100, 1, Jinshan Industrial Road, 208, Shanghai, Jinshan District Patentee before: Shanghai Hehui optoelectronic Co., Ltd |
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| CP02 | Change in the address of a patent holder |