JP2010177500A - パターンの重ね合わせ評価方法 - Google Patents
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Abstract
露光ショット内の任意の位置で合わせずれ量とずれ方向とを評価することが可能なパターンの重ね合わせ評価方法を提供する。
【解決手段】
重ね合わせ評価パターンを用いるパターンの重ね合わせ評価方法であって、重ね合わせ評価パターンの画像を、電子顕微鏡10、109を用いて取得し(S1)、取得した画像と、記憶部111に登録されていた、重ね合わせ評価パターンが配置されるべきレイアウト情報とを比較して、各露光ステップのずれ量と方向とを算出(S2)し、評価結果を表示(S3)する。
【選択図】図1
Description
[走査電子顕微鏡システム]
図1(a)に、本実施例による重ね合わせ評価機能を備えた走査電子顕微鏡システムの構成を示す。本実施例による走査電子顕微鏡システムは、走査電子顕微鏡本体10と画像処理・全体制御部109、PC110で構成され、ネットワークを介してデータサーバ120と繋がっている。
PC110は、記憶部111、演算処理部112、表示画面を備えた入出力部113を備えている。
[全体フロー]
図1(b)に、演算処理部110で行う、重ね合わせ評価の全体フローを示す。
(S1):走査電子顕微鏡本体10にて、試料107に形成されていた重ね合わせ評価パターンを撮像し、撮像して得られた信号を画像処理・全体制御部109で処理して、走査電子顕微鏡画像を得る。
(S2):演算処理部112において、あらかじめ記憶部111に登録しておいた、評価パターンのレイアウト情報と、取得した走査電子顕微鏡画像を照合し、各プロセス(露光)ステップのパターンのずれ量と方向を算出する。
(S3):算出した、各プロセス(露光)ステップのパターンずれ量と方向が、入出力部113に表示される。
以上が、重ね合わせ評価の全体フローである。各フローの詳細を、以下に説明する。
[重ね合わせ評価パターン]
重ね合わせ評価に用いるパターンの詳細を説明する。
[レイアウト情報の内容]
図1(b)のS2のステップで用いる、記憶部111に登録された、重ね合わせ評価パターンのレイアウト情報の詳細を説明する。
[レイアウト情報登録手順]
これらのレイアウト情報を、走査電子顕微鏡システムの記憶部111に登録する手順を説明する。手順として、(1)ウエハ上にある任意のパターンを重ね合わせ評価パターンとして設定する場合、(2)設計データから、重ね合わせ評価に適したパターンを自動的に選択する場合、(3)あらかじめレイアウト情報が既知の重ね合わせ評価パターンを、ウエハ上に作りこんでおく場合の3つのケースについて説明する。
(S31):図3(b)に示すように、重ね合わせ評価対象としたいパターンを含む走査電子顕微鏡画像301を取得する。撮像対象がレジストパターンであることから、サンプルへのダメージの両方を考慮した撮像条件で、画像を取得する。例えば、サンプルへ打ち込む一次電子の加速電圧は500Vとする。また、重ね合わせ評価用パターン領域の大きさが400nm四方程度であることから、撮像視野はこれより大きくなるように設定し、パターンの輪郭線を先鋭に取得するため、画素サイズは1nm四方程度となるように撮像する。
(S32):取得した画像から評価対象パターンの領域302を選択する。
(S33):図3(c)に示すように、選択された評価対象パターンの領域302において、パターンの輪郭線303を抽出する。輪郭線の抽出方法は、ユーザーが入出力部113を用いて決定する他、演算処理部112において、自動抽出を行う手段も含む。
(S34):図3(d)、図3(e)に示すように、各輪郭線303におけるプロセスステップごとにパターンを登録することで、第1パターン306と第2パターン307を識別し、記憶する。登録方法は、ユーザーがGUI(Graphical User Interface)上に示された輪郭線データに対し、パターンごとにプロセスステップを指定することで、登録する。
(S35):登録した各プロセスステップのパターン(306、307)が、理想的な相対位置関係になるように、座標を補正した輪郭線データ(図3(f))を記憶部111に登録する。
(S41):図4(b)に示すように、評価対象とする複数のプロセスステップの設計データ401から、重ね合わせ評価に適したパターンを含む評価パターン領域402を自動的に選択する。自動選択の際には、あらかじめ指定した設計データの検索エリア内において、あらかじめ指定した評価対象とする複数のプロセスステップのパターンの中から、重ね合わせ評価に適したパターンを検索する。重ね合わせ評価に適したパターンの詳細については、先述の[重ね合わせ評価パターン]の項で説明した通りである。この他に、適切な評価パターンサイズ、評価パターン領域の大きさや、評価対象とする方向等の検索条件を与えても良い。
(S42):S41のステップにおいて選択した、重ね合わせ評価パターンの設計データ(第1パターンの輪郭線406、第2パターンの輪郭線407、各パターンの位置情報等を含む)(図4(c))を、各プロセスステップのパターンごとに、記憶部111に登録する。
なお、S41のステップにおいて、重ね合わせ評価に適したパターンを自動的に選択する代わりに、ユーザーが設計データから、任意に選択しても良い。
(S51):図5(b)に示すように、重ね合わせ評価に適した第1パターン503、第2パターン504を含む評価パターン領域502を、プロセスステップごとに、評価ウエハ上に作りこむ。重ね合わせ評価に適したパターンの詳細については、先述の[重ね合わせ評価パターン]の項で説明した通りである。
(S52):S51のステップにおいてウエハ上に作りこんだ、重ね合わせ評価パターンの設計データ(第1パターンの輪郭線506、第2パターンの輪郭線507、各パターンの位置情報等を含む)(図5(c))を、各プロセスステップのパターンごとに、記憶部111に登録する。
[パターンのずれ量とずれ方向算出]
図1(b)のS2のステップにおける、パターンのずれ量と方向算出フローを、図6(a)に示す。
(S62):図6(c)、図6(d)に示すように、取得した走査電子顕微鏡画像600と、データベースに登録されていた、プロセスステップごとのパターン形状情報(第1パターンの輪郭線606、第2パターンの輪郭線607)のマッチングを行い、登録された各プロセスステップのパターン形状情報に対する、走査電子顕微鏡画像のずれ量dX1(653)、dX2(655)、回転量dθ1(654)、dθ2(656)を算出する。
dX=dX2−dX1 (1)
dX>0;第2パターンは第1パターンに対し右に|dX|ずれている
dX≦0;第2パターンは第1パターンに対し左に|dX|ずれている
dθ=dθ2−dθ1 (2)
dθ>0;第2パターンは第1パターンに対し時計回りに|dθ|回転
dθ≦0;第2パターンは第1パターンに対し反時計回りに|dθ|回転
以上のステップにより、第1パターンに対する第2パターンのずれ量、回転量だけでなく、ずれ方向、回転方向を明らかにすることができた。
[重ね合わせ評価パターンのレイアウト]
重ね合わせ評価時の、ウエハ上およびチップ上における、重ね合わせ評価パターンのレイアウトの例を図11に示す。
[GUI(Graphical User Interface)]
図1(b)のS3のステップで、走査電子顕微鏡システムの入出力部113に表示される、重ね合わせ評価結果のGUIの例を図7に示す。
[全体フロー]
図8(a)に、走査電子顕微鏡10において行う、寸法計測および重ね合わせ評価を同時に行う場合の、全体フローを示す。
(S83):識別した、各プロセスステップのパターンにおいて、パターンの寸法計測を行う。
(S85):算出した、各プロセスステップのパターン寸法、および重ね合わせずれ量とずれ方向が、入出力部113に表示される。
[重ね合わせ評価を兼ねた寸法計測パターン]
重ね合わせ評価を兼ねた寸法計測パターンの詳細を説明する。本パターンは、パターン製造プロセスにおいて、プロセス管理のために寸法を計測すべきパターン種において、実施例1の重ね合わせ評価パターンの条件を満たしているものとする。
[レイアウト情報]および[レイアウト情報登録手順]および[パターンのずれ量と方向算出]および[GUI]については、実施例1で説明した内容と重複するため、説明を省略する。
実施例1で説明した手法による、走査電子顕微鏡による半導体パターンの重ね合わせ評価を、走査電子顕微鏡による半導体パターンの寸法計測と同時に行う手法に関して、全体フローを述べた後、各ステップについて詳述する。なお、実施例1に記載され、本実施例に未記載の事項は実施例1と同様である。
[全体フロー]
図9に、走査電子顕微鏡10において行う、寸法計測および重ね合わせ評価を同時に行う場合の、全体フローを示す。
(S93):ステップ92の算出結果に基づき、寸法計測パターンの撮像位置へ移動し、寸法計測パターンを撮像し、撮像して得られた信号を画像処理・全体制御部109で処理して、走査電子顕微鏡画像を得る。
(S95):ステップ92から94と同時に、ステップ91で取得した、重ね合わせ評価用パターンを兼ねた寸法計測パターンの位置決め用パターンの走査電子顕微鏡画像と、あらかじめ記憶部111に登録しておいた評価パターンのレイアウト情報とを、演算処理部112において、照合し、各プロセスステップのパターンのずれ量と方向を算出する。
(S96):算出した、各プロセスステップのパターン寸法、および重ね合わせずれ量とずれ方向が、入出力部113に表示される。
[重ね合わせ評価を兼ねた寸法計測パターンの位置決め用パターン]
重ね合わせ評価を兼ねた寸法計測パターンの位置決め用パターンの詳細を説明する。本パターンは、寸法計測パターンの位置決めのためのパターンマッチングに適したパターンにおいて、実施例1の重ね合わせ評価パターンの条件を満たしているものとする。パターンの例を、図2(a)に示す。パターンマッチングに適したパターンの条件は、繰り返しパターン以外のユニークなパターンが存在すること、および、寸法計測パターンへの移動方向に対し、同じ方向へ続くパターン以外のパターンが存在することといった、重ね合わせ評価用パターンの条件と類似の条件であることから、重ね合わせ評価用のパターンを、寸法計測パターンの位置決め用パターンに選定しやすい特徴がある。
[レイアウト情報]および[レイアウト情報登録手順]および[パターンのずれ量と方向算出]および[GUI]については、実施例1で説明した内容と重複するため、説明を省略する。
Claims (15)
- 第1の露光ステップで試料上に形成された第1パターンと第2の露光ステップで前記試料上に形成された第2パターンとを用いるパターンの重ね合わせ評価方法であって、
前記第1パターンと前記第2パターンとが配置されるべきレイアウトの情報をデータベースに登録するステップと、
前記試料上に形成された前記第1パターン及び前記第2パターンの画像を荷電粒子顕微鏡により取得するステップと、
前記データベースに登録されている前記レイアウトの情報と前記画像とを比較し、前記第1パターンと前記第2パターンのずれ量とずれの方向とを求めるステップとを有することを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 請求項1記載のパターンの重ね合わせ評価方法において、
前記レイアウトの情報は、
予め形成された前記第1パターンと前記第2パターンの画像を荷電粒子顕微鏡により取得するステップと、
前記画像が含まれる評価パターン領域を選択するステップと、
前記第1パターンと前記第2パターンの輪郭線を抽出するステップと、
前記第1パターンと前記第2パターンとの相対位置座標を理想位置に補正するステップとを経て求められた補正された輪郭線データを含むことを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 請求項1記載のパターンの重ね合わせ評価方法において、
前記レイアウトの情報は、前記第1パターンと前記第2パターンの設計データから選択された情報が含まれることを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 請求項3記載のパターンの重ね合わせ評価方法において、
前記選択は、前記第1パターンと前記第2パターンの設計データから自動選択されたものであることを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 請求項1記載のパターンの重ね合わせ評価方法において、
前記レイアウトの情報には、前記第1パターン及び前記第2パターンの形状情報、プロセスステップ情報、前記第1パターン及び前記第2パターン間での目標相対位置情報が含まれることを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 請求項1記載のパターンの重ね合わせ評価方法において、
前記第1パターンと前記第2パターンの少なくとも一者は、寸法計測パターンを兼ねており、重ね合わせ評価と合わせて寸法評価も行なうことを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 請求項1記載のパターンの重ね合わせ評価方法において、
前記第1パターンと前記第2パターンの少なくとも一者は、寸法計測パターンの位置決め用パターンを兼ねており、前記位置決め用パターンの位置に基づいて前記寸法計測用パターンの位置を求めることにより、重ね合わせ評価と合わせて寸法評価も行なうことを特徴とするパターンの重ね合わせ評価方法。 - 荷電粒子発生源と、
前記荷電粒子発生源から放出された荷電粒子を偏向する偏向電極と、
第1の露光ステップおよび第2の露光ステップで形成された重ね合わせ評価パターンを備えた試料を載せる試料台と、
前記評価パターンへの前記荷電粒子の照射により前記評価パターンからの信号を検出する検出器と、
前記検出器からの検出信号を処理して画像を得る画像処理全体制御部と、
前記重ね合わせ評価パターンのレイアウト情報が登録される記憶部と、
前記画像と前記レイアウト情報とを用いて演算する演算処理部と、
前記演算処理部での演算結果に基づき、前記第1の露光ステップと前記第2の露光ステップとの重ね合わせずれ量と、ずれの方向とを含む情報を表示する表示画面を備えた入出力部とを有することを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記レイアウト情報には、前記重ね合わせ評価パターンの形状情報、プロセスステップ情報、位置情報が含まれることを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記入出力部は、重ね合わせ評価レシピ選択機能、重ね合わせ評価画像選択機能を有することを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記試料は、複数のチップ領域を有するウエハであり、
前記入出力部は、前記ウエハの面内での合わせずれ量分布を前記表示画面に表示するための選択機能、および前記チップの面内における合わせずれ量分布を前記表示画面に表示するためのチップ選択機能を有することを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記重ね合わせ評価パターンは、前記第1の露光ステップで形成される第1パターンと前記第2の露光ステップで形成される第2パターンとを含むことを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項12記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記第1パターンと前記第2パターンとは形状が異なることを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記重ね合わせ評価パターンは寸法計測パターンを兼ね、前記寸法計測パターンの計測結果は前記表示画面に表示されることを特徴とする荷電粒子顕微鏡。 - 請求項8記載の荷電粒子顕微鏡において、
前記重ね合わせ評価パターンは、寸法計測用位置決めパターンを兼ね、寸法計測結果は前記表示画面に表示されることを特徴とする荷電粒子顕微鏡。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009019318A JP2010177500A (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | パターンの重ね合わせ評価方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2009019318A JP2010177500A (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | パターンの重ね合わせ評価方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177500A true JP2010177500A (ja) | 2010-08-12 |
Family
ID=42395210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009019318A Pending JP2010177500A (ja) | 2009-01-30 | 2009-01-30 | パターンの重ね合わせ評価方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
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US (1) | US20110268363A1 (ja) |
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WO (1) | WO2010086939A1 (ja) |
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JP2016115945A (ja) * | 2013-02-27 | 2016-06-23 | 株式会社東京精密 | プローブ装置及びプローブ方法 |
US9664733B2 (en) | 2013-02-27 | 2017-05-30 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Probe device for testing electrical characteristics of semiconductor element |
WO2014132855A1 (ja) * | 2013-02-27 | 2014-09-04 | 株式会社東京精密 | プローブ装置 |
US9244365B2 (en) | 2013-03-22 | 2016-01-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for measuring pattern misalignment |
JP2014187195A (ja) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Toshiba Corp | パターンの重ね合わせずれ計測方法 |
KR20160102983A (ko) * | 2013-12-26 | 2016-08-31 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 화상 처리 방법, 화상 처리 장치, 화상 처리 프로그램 및 화상 처리 프로그램을 기억한 기억 매체 |
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KR102278352B1 (ko) * | 2013-12-26 | 2021-07-19 | 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 | 화상 처리 방법, 화상 처리 장치, 화상 처리 프로그램 및 화상 처리 프로그램을 기억한 기억 매체 |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110268363A1 (en) | 2011-11-03 |
WO2010086939A1 (ja) | 2010-08-05 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130108 |
|
A02 | Decision of refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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