CN103000563B - 接合装置、接合系统及接合方法 - Google Patents

接合装置、接合系统及接合方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供接合装置、接合系统及接合方法。用于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。用于将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来的接合装置（30）包括：处理容器（100），其能够使内部密闭；接合部（113），其以使粘接剂介于被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）之间的方式对被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）进行按压而将被处理晶圆（W）和支承晶圆（S）接合起来；交接臂（120），其作为重合基板温度调节部，用于对利用接合部（113）接合而成的重合晶圆（T）进行温度调节，接合部（113）及交接臂（120）配置在处理容器（100）内。

Description

接合装置、接合系统及接合方法
技术领域
本发明涉及一种用于将被处理基板和支承基板接合起来的接合装置、具有该接合装置的接合系统、使用了上述接合装置的接合方法。
背景技术
近年来，例如在半导体器件的制造工艺中，半导体晶圆（以下，称为“晶圆”）的大直径化不断发展。另外，在安装等特定的工序中，要求晶圆的薄型化。例如，若直接对大直径且较薄的晶圆进行输送或研磨处理，则有可能在晶圆上产生翘曲、裂纹。因此，例如为了加强晶圆，将晶圆粘贴在例如作为支承基板的晶圆、玻璃基板上。
该晶圆与支承基板的粘合例如是通过使用粘合装置并使粘接剂介于晶圆与支承基板之间而进行的。粘合装置例如具有：第一保持构件，其用于保持晶圆；第二保持构件，其用于保持支承基板；加热机构，其用于对配置在晶圆与支承基板之间的粘接剂进行加热；移动机构，其用于至少使第一保持构件或第二保持构件沿上下方向移动。并且，在该粘合装置中，向晶圆与支承基板之间供给粘接剂，在加热该粘接剂后，对晶圆和支承基板进行按压而将晶圆和支承基板接合起来（专利文献1）。
之后，将与支承基板接合后的晶圆从上述粘合装置输送到例如设于粘合装置的外部的研磨处理装置，进行研磨处理。
专利文献1：日本特开2008－182016号公报
然而，有时研磨处理后的晶圆的厚度变得在晶圆面内不均匀，局部变厚或变薄。
关于该点，本发明的发明人们进行了认真调查，发现：在研磨处理前的阶段，在晶圆上会产生翘曲、变形，由于在该状态下进行研磨处理而使研磨后的晶圆厚度产生偏差。
因此，对该翘曲、变形进行了进一步的调查，发现该翘曲、变形是在接合后输送晶圆的过程中产生的。通常，为了不使附着于晶圆输送装置的微粒等在输送的过程中污染晶圆，用于输送晶圆的晶圆输送装置构成为极力减小在保持晶圆时的该晶圆输送装置与晶圆的接触面积。另一方面，接合后的晶圆由于加热粘接剂时的热量而成为温度较高的状态。因此，在接合后的晶圆中的、没有被晶圆输送装置保持的部分会产生翘曲或变形。
因而，为了防止在接合后的晶圆上产生翘曲、变形，优选在对接合后的晶圆进行输送之前将该晶圆冷却至不会产生翘曲、变形的温度。
发明内容
本发明是鉴于该点而做成的，其目的在于抑制在与支承基板接合后的晶圆上产生翘曲、变形。
为了实现上述目的，本发明提供一种接合装置，其用于将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，该接合装置包括：处理容器，其能够使内部密闭；接合部，其以使粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行温度调节，上述接合部及上述重合基板温度调节部配置在上述处理容器内。
采用本发明的接合装置，由于在处理容器内配置有接合部和用于对利用该接合部接合而成的重合基板进行温度调节的重合基板温度调节部，因此，在处理容器的外部输送重合基板之前，能够将该重合基板冷却至不会产生翘曲、变形的温度。由此，能够抑制在与支承基板接合后的被处理基板上产生翘曲、变形。
本发明的另一技术方案提供一种接合系统，其特征在于，该接合系统具有上述的接合装置，该接合系统包括接合处理站和输入输出站，该接合处理站包括：上述接合装置；涂布装置，其用于在被处理基板或支承基板上涂布粘接剂；热处理装置，其用于将涂布有上述粘接剂的被处理基板或支承基板加热至规定的温度；输送区域，在其中进行用于相对于上述涂布装置、上述热处理装置及上述接合装置输送被处理基板、支承基板或重合基板的动作，该输入输出站用于相对于上述接合处理站输出或输入被处理基板、支承基板、或由被处理基板与支承基板接合而成的重合基板。
本发明的又一技术方案提供一种接合方法，其使用接合装置将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，上述接合装置包括：处理容器，其能够使内部密闭；接合部，其以粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行温度调节，上述接合部及上述重合基板温度调节部配置于在上述处理容器内，
上述接合方法包括以下工序：
接合工序，在上述接合部中对涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板与支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；
温度调节工序，其在接合工序后，利用上述重合基板温度调节部来对重合基板进行温度调节。
采用本发明，能够抑制在与支承基板相接合后的晶圆上产生翘曲、变形。
附图说明
图1是表示本实施方式的接合系统的概略结构的俯视图。
图2是表示本实施方式的接合系统的内部概略结构的侧视图。
图3是被处理晶圆与支承晶圆的侧视图。
图4是表示接合装置的概略结构的横剖视图。
图5是表示交接部的概略结构的俯视图。
图6是表示交接臂的概略结构的俯视图。
图7是表示交接臂的概略结构的侧视图。
图8是表示翻转部的概略结构的俯视图。
图9是表示翻转部的概略结构的侧视图。
图10是表示翻转部的概略结构的侧视图。
图11是表示保持臂与保持构件的概略结构的侧视图。
图12是表示交接部与翻转部的位置关系的说明图。
图13是表示输送部的概略结构的侧视图。
图14是表示输送部配置于接合装置内的情形的说明图。
图15是表示第1输送臂的概略结构的俯视图。
图16是表示第1输送臂的概略结构的侧视图。
图17是表示第2输送臂的概略结构的俯视图。
图18是表示第2输送臂的概略结构的侧视图。
图19是表示在第2保持部上形成有缺口的情形的说明图。
图20是表示接合部的概略结构的纵剖视图。
图21是表示接合部的概略结构的纵剖视图。
图22是表示涂布装置的概略结构的纵剖视图。
图23是表示涂布装置的概略结构的横剖视图。
图24是表示热处理装置的概略结构的纵剖视图。
图25是表示热处理装置的概略结构的横剖视图。
图26是表示接合处理的主要工序的流程图。
图27是表示使第1保持部上升后的情形的说明图。
图28是表示第2保持部的中心部挠曲后的情形的说明图。
图29是表示支承晶圆的整个接合面与被处理晶圆的整个接合面相抵接后的情形的说明图。
图30是表示将被处理晶圆与支承晶圆接合后的情形的说明图。
图31是表示其他实施方式的接合装置的概略结构的横剖视图。
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。图1是表示具有本实施方式的接合装置的接合系统1的概略结构的俯视图。图2是表示接合系统1的内部概略结构的侧视图。
在接合系统1中，如图3所示，例如借助粘接剂G将作为被处理基板的被处理晶圆W与作为支承基板的支承晶圆S接合起来。以下，在被处理晶圆W中，将借助粘接剂G与支承晶圆S相接合的面称为作为表面的“接合面WJ”，将与该接合面WJ相反一侧的面称为作为背面的“非接合面WN”。同样，在支承晶圆S中，将借助粘接剂G与被处理晶圆W相接合的面称为作为表面的“接合面SJ”，将与接合面SJ相反一侧的面称为作为背面的“非接合面SN”。并且，在接合系统1中，将被处理晶圆W与支承晶圆S接合，从而形成作为重合基板的重合晶圆T。另外，被处理晶圆W是作为产品的晶圆，例如在接合面WJ上形成有多个电子电路，并且非接合面WN被研磨处理。另外，支承晶圆S具有与被处理晶圆W的直径相同的直径，是用于支承该被处理晶圆W的晶圆。另外，在本实施方式中，对将晶圆用作支承基板的情况进行说明，但是，也可以使用例如玻璃基板等其他的基板。
如图1所示，接合系统1具有例如将输入输出站2与处理站3连接成一体而成的结构，该输入输出站2供在其与外部之间输入或输出晶圆盒CW、CS、CT，该晶圆盒CW、CS、CT分别能够容纳多张被处理晶圆W、多张支承晶圆S、多张重合晶圆T，该处理站3包括用于对被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T实施规定的处理的各种处理装置。
在输入输出站2中设有晶圆盒载置台10。在晶圆盒载置台10上设有多个、例如4个晶圆盒载置板11。晶圆盒载置板11以在X方向（图1中的上下方向）上排成一列的方式配置。在接合系统1相对于外部输入或输出晶圆盒CW、CS、CT时，能够将晶圆盒CW、CS、CT载置在上述晶圆盒载置板11上。如此，输入输出站2能够保有多张被处理晶圆W、多张支承晶圆S、多张重合晶圆T。另外，晶圆盒载置板11的个数不限定于本实施方式，而是能够任意地决定。另外，也可以将晶圆盒之中的一个晶圆盒用于回收不良晶圆。即，是能够将各种原因所导致的、在被处理晶圆W和支承晶圆S的接合中产生不良的晶圆与其他的正常的重合晶圆T分离的晶圆盒。在本实施方式中，将多个晶圆盒CT之中的1个晶圆盒CT用于回收不良晶圆，将其他的晶圆盒CT用于容纳正常的重合晶圆T。
在输入输出站2中，与晶圆盒载置台10相邻地设有晶圆输送部20。在晶圆输送部20中设有在沿X方向延伸的输送路径21上自由移动的晶圆输送装置22。晶圆输送装置22在铅垂方向和绕铅垂轴线的方向（θ方向）上也自由移动，能够在各晶圆盒载置板11上的晶圆盒CW、CS、CT与后述的处理站3的第3处理区G3的传送装置50、51之间输送被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。
在处理站3中设有具有各种处理装置的多个、例如3个处理区G1、G2、G3。例如，在处理站3的正面侧（图1的X方向的负方向侧）设有第1处理区G1，在处理站3的背面侧（图1的X方向的正方向侧）设有第2处理区G2。并且，在处理站3的靠输入输出站2一侧（图1的Y方向的负方向侧）设有第3处理区G3。
例如，在第1处理区G1中从输入输出站2侧起沿Y方向按照接合装置30～33的顺序排列而配置有接合装置30～33，该接合装置30～33用于以使粘接剂G介于被处理晶圆W与支承晶圆S之间的方式对被处理晶圆W和支承晶圆S进行按压而将被处理晶圆W和支承晶圆S接合起来。
例如，如图2所示，在第2处理区G2中沿着朝向输入输出站2侧的方向（图1中的Y方向的负方向）按如下顺序排列而配置有用于在被处理晶圆W上涂布粘接剂G的涂布装置40、用于将涂布有粘接剂G的被处理晶圆W加热至规定的温度的热处理装置41～43、与热处理装置41～43相同的热处理装置44～46。从下方按照热处理装置41～43的顺序分3层设有热处理装置41～43，从下方按照热处理装置44～46的顺序分3层设有热处理装置44～46。另外，能够任意设定热处理装置41～46的装置数、铅垂方向及水平方向的配置。
例如，在第3处理区G3中从下方分两层按照被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的传送装置50、51的顺序设有传送装置50、51。
如图1所示，在由第1处理区G1～第3处理区G3围成的区域中形成有晶圆输送区域60。在晶圆输送区域60中例如配置有晶圆输送装置61。另外，晶圆输送区域60内的压力为大气压以上，在该晶圆输送区域60中，对被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T进行所谓的大气系统的输送。
晶圆输送装置61具有例如在铅垂方向上、水平方向（Y方向、X方向）上和在绕铅垂轴线的方向上自由移动的输送臂。晶圆输送装置61在晶圆输送区域60内移动，能够将被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T输送到周围的第1处理区G1、第2处理区G2和第3处理区G3内的规定的装置中。
接着，说明上述接合装置30～33的结构。如图4所示，接合装置30具有能够使内部密闭的处理容器100。在处理容器100的靠晶圆输送区域60侧的侧面上形成有被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的输入输出口101，在该输入输出口上设有开闭器（未图示）。
处理容器100的内部被内壁102划分成前处理区域D1与接合区域D2。上述输入输出口101形成在处理容器100的前处理区域D1处的侧面。并且，在内壁102上也形成有被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的输入输出口103。
在前处理区域D1中设有交接部110，该交接部110用于在其与接合装置30的外部之间交接被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。交接部110与输入输出口101相邻地配置。另外，交接部110如后述那样在铅垂方向上配置为多层、例如两层，从而该交接部110能够同时对被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T中的任意两个晶圆进行交接。例如，也可以利用1个交接部110对接合前的被处理晶圆W或支承晶圆S进行交接，利用另一个交接部110对接合后的重合晶圆T进行交接。或者，也可以利用1个交接部110对接合前的被处理晶圆W进行交接，利用另一个交接部110对接合前的支承晶圆S进行交接。
在前处理区域D1的Y方向的负方向侧、即输入输出口103侧，在交接部110的铅垂上方设有例如用于使支承晶圆S的表面和背面翻转的翻转部111。另外，如后述那样，翻转部111也能够对支承晶圆S的水平方向的朝向进行调节，并且，也能够对被处理晶圆W的水平方向的朝向进行调节。
在接合区域D2的Y方向的正方向侧设有用于相对于交接部110、翻转部111及后述的接合部113输送被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的输送部112。输送部112安装于输入输出口103。
接合区域D2的Y方向的负方向侧设有用于以使粘接剂G介于被处理晶圆W与支承晶圆S之间的方式过对被处理晶圆W和支承晶圆S进行按压而将被处理晶圆W和支承晶圆S接合起来的接合部113。
接着，说明上述交接部110的结构。如图5所示，交接部110具有交接臂120与晶圆支承销121。交接臂120能够在接合装置30的外部、即晶圆输送装置61与晶圆支承销121之间交接被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。晶圆支承销121设于多个部位、例如3个部位，其能够支承被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。
交接臂120具有：臂部130，其用于保持被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T；臂驱动部131，其具有例如电动机等。臂部130具有大致圆板形状。臂驱动部131能够使臂部130沿X方向（图5中的上下方向）移动。另外，臂驱动部131安装在沿Y方向（图5中的左右方向）延伸的轨道132上并能够在该轨道132上移动。采用该结构，交接臂120能够沿水平方向（X方向及Y方向）移动，并能够在晶圆输送装置61与晶圆支承销121之间顺利地交接被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。
另外，在臂部130中内置有例如帕尔贴（peltier）元件等温度调节构件（未图示）。利用例如后述的控制部360来控制臂部130的冷却温度。因而，交接臂120还具有将载置在该交接臂120上的重合晶圆T调节至规定的温度的作为重合基板温度调节部的功能。
如图6及图7所示，在臂部130上的多个部位、例如4个部位设有用于支承被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的晶圆支承销140。另外，在臂部130上设有引导件141，该引导件141用于对由晶圆支承销140支承的被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T进行定位。引导件141以能够引导被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的侧面的方式设在多个部位、例如4个部位。
如图5及图6所示，在臂部130的外周的例如4个部位形成有缺口142。在将被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T从晶圆输送装置61的输送臂交接到交接臂120时，能够利用该缺口142防止该晶圆输送装置61的输送臂与臂部130干涉。
在臂部130上形成有沿X方向的两个狭缝143。狭缝143从臂部130的靠晶圆支承销121侧的端面形成到臂部130的中央部附近。能够利用该狭缝143来防止臂部130与晶圆支承销121干涉。
接着，说明上述翻转部111的结构。如图8～图10所示，翻转部111具有用于保持支承晶圆S、被处理晶圆W的保持臂150。保持臂150沿水平方向（图8及图9中的X方向）延伸。另外，在保持臂150上的例如4个部位设有用于保持支承晶圆S、被处理晶圆W的保持构件151。如图11所示，保持构件151以能够相对于保持臂150在水平方向上移动的方式构成。另外，在保持构件151的侧面形成有用于保持支承晶圆S、被处理晶圆W的外周部的缺口152。并且，上述保持构件151能够夹持支承晶圆S、被处理晶圆W而保持支承晶圆S、被处理晶圆W。
如图8～图10所示，保持臂150被具有例如电动机等的第1驱动部153支承。保持臂150利用该第1驱动部153绕水平轴线自由转动并能够在水平方向（图8及图9中的X方向、图8及图10的Y方向）上移动。另外，第1驱动部153也可以使保持臂150绕铅垂轴线转动并使该保持臂150在水平方向上移动。在第1驱动部153的下方设有第2驱动部154，该第2驱动部154具有例如电动机等。第1驱动部153能够利用该第2驱动部154沿在铅垂方向上延伸的支承柱155在铅垂方向上移动。如此，由保持构件151保持的支承晶圆S、被处理晶圆W能够利用第1驱动部153与第2驱动部154绕水平轴线转动并在铅垂方向及水平方向上移动。
在支承柱155上借助支承板161支承有用于调节由保持构件151保持的支承晶圆S、被处理晶圆W的水平方向的朝向的位置调节机构160。位置调节机构160与保持臂150相邻地设置。
位置调节机构160具有基座162和用于对支承晶圆S、被处理晶圆W的凹口部的位置进行检测的检测部163。并且，在位置调节机构160中，通过一边使由保持构件151保持的支承晶圆S、被处理晶圆W在水平方向上移动，一边利用检测部163检测支承晶圆S、被处理晶圆W的凹口部的位置，从而调节该凹口部的位置并调节支承晶圆S、被处理晶圆W的水平方向的朝向。
另外，图12所示，以上那样构成的交接部110在铅垂方向上分两层配置，并且，在上述交接部110的铅垂上方配置有翻转部111。即，交接部110的交接臂120在翻转部111的保持臂150与位置调节机构160的下方沿水平方向移动。另外，交接部110的晶圆支承销121配置在翻转部111的保持臂150的下方。
接着，说明上述输送部112的结构。如图13所示，输送部112具有多个、例如两个输送臂170、171。第1输送臂170与第2输送臂171从下方分两层按照第1输送臂170、第2输送臂171的顺序沿铅垂方向配置。另外，如下文所述，第1输送臂170与第2输送臂171具有不同的形状。
在输送臂170、171的基端部设有臂驱动部172，该臂驱动部172具有例如电动机等。各输送臂170、171能够利用该臂驱动部172独立地沿水平方向移动。上述输送臂170、171与臂驱动部172由基座173支承。
如图4及图14所示，输送部112设于被形成在处理容器100的内壁102上的输入输出口103。并且，输送部112能够利用具有例如电动机等的驱动部（未图示）沿输入输出口103在铅垂方向上移动。
第1输送臂170对被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的背面（在被处理晶圆W、支承晶圆S中，为非接合面WN、SN）进行保持并输送被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。如图15所示，第1输送臂170具有：臂部180，其顶端分支成两个顶端部180a、180a；支承部181，其与该臂部180一体地形成，并用于支承臂部180。
如图15及图16所示，在臂部180上的多个部位、例如4个部位设有树脂制的O形环182。该O形环182利用其与被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的背面相接触时的摩擦力来保持被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的背面。由此，第1输送臂170能够将被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T水平地保持在O形环182上。
另外，在臂部180上设有引导构件183、184，该引导构件183、184设于被保持在O形环182上的被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的外侧。第1引导构件183设在臂部180的顶端部180a的顶端。第2引导构件184形成为沿着被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的外周的圆弧状，并设在支承部181侧。能够利用上述引导构件183、184来防止被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T从第1输送臂170飞出或滑落。另外，在由O形环182将被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T保持在适当的位置的情况下，该被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T与引导构件183、184不接触。
第2输送臂171对例如支承晶圆S的表面、即接合面SJ的外周部进行保持并输送该支承晶圆S。即，第2输送臂171对被翻转部111翻转了表面和背面后的支承晶圆S的接合面SJ的外周部进行保持并输送该支承晶圆S。如图17所示，第2输送臂171具有：臂部190，其顶端分支成两个顶端部190a、190a；支承部191，其与该臂部190一体地形成，并用于支承臂部190。
如图17及图18所示，在臂部190上的多个部位、例如4个部位设有第2保持构件192。第2保持构件192具有：载置部193，其用于载置支承晶圆S的接合面SJ的外周部；锥形部194，其从该载置部193向上方延伸，其内侧面从下侧朝向上侧呈锥状扩大。载置部193对距支承晶圆S的周缘例如1mm以内的外周部进行保持。另外，由于锥形部194的内侧面从下侧朝向上侧呈锥状扩大，因此，例如，即使要交接到第2保持构件192上的支承晶圆S在水平方向上与规定的位置错开，锥形部194也能够顺利地引导支承晶圆S而对支承晶圆S进行定位，从而由载置部193保持支承晶圆S。于是，第2输送臂171能够将支承晶圆S水平地保持在第2保持构件192上。
另外，图19所示，在后述的接合部113的第2保持部201的例如4个部位形成有缺口201a。在将支承晶圆S从第2输送臂171交接到第2保持部201时，能够利用缺口201a来防止第2输送臂171的第2保持构件192与第2保持部201干涉。
接着，说明上述接合部113的结构。如图20所示，接合部113具有：第1保持部200，其利用上表面载置并保持被处理晶圆W；第2保持部201，其利用下表面吸附保持支承晶圆S。第1保持部200设在第2保持部201的下方并以与第2保持部201相对的方式配置。即，能够相对地配置由第1保持部200保持的被处理晶圆W与由第2保持部201保持的支承晶圆S。
在第1保持部200的内部设有用于对被处理晶圆W进行吸附保持的抽吸管210。抽吸管210例如与真空泵等负压产生装置（未图示）相连接。另外，第1保持部200使用具有即使被后述的加压机构260施加载荷也不会变形的强度的材料、例如碳化硅陶瓷、氮化铝陶瓷等陶瓷。
另外，在第1保持部200的内部设有用于加热被处理晶圆W的加热机构211。加热机构211例如使用加热器。
在第1保持部200的下方设有用于使第1保持部200及被处理晶圆W沿铅垂方向及水平方向移动的移动机构220。移动机构220能够使第1保持部200以例如±1μm的精度进行三维移动。移动机构220具有：铅垂移动部221，其用于使第1保持部200沿铅垂方向移动；水平移动部222，其用于使第1保持部200沿水平方向移动。铅垂移动部221和水平移动部222例如分别具有滚珠丝杆（未图示）和用于使该滚珠丝杆转动的电动机（未图示）。
在水平移动部222上设有在铅垂方向上自由伸缩的支承构件223。支承构件223设在第1保持部200的外侧的例如3个部位。并且，如图21所示，支承构件223能够对从第2保持部201的外周下表面向下方突出地设置的突出部230进行支承。
在以上的移动机构220中，能够进行第1保持部200上的被处理晶圆W的水平方向的对位，并且，如图21所示，能够通过使第1保持部200上升来形成用于将被处理晶圆W和支承晶圆S接合起来的接合空间R。该接合空间R是由第1保持部200、第2保持部201及突出部230围成的空间。另外，在形成接合空间R时，能够通过调整支承构件223的高度来调整接合空间R中的被处理晶圆W与支承晶圆S之间的铅垂方向上的距离。
另外，在第1保持部200的下方设有升降销（未图示），该升降销用于从下方支承被处理晶圆W或重合晶圆T而使被处理晶圆W或重合晶圆T升降。升降销能够贯穿被形成于第1保持部200的通孔（未图示）并从第1保持部200的上表面突出。
第2保持部201使用作为弹性体的例如铝。并且，第2保持部201构成为：当如后述那样在第2保持部201的整个表面施加有规定的压力、例如0.7气压（=0.07MPa）时，第2保持部201的1个部位、例如中心部挠曲。
如图20所示，在第2保持部201的外周下表面形成有从该外周下表面向下方突出的上述突出部230。突出部230沿第2保持部201的外周形成。另外，突出部230也可以与第2保持部201一体地形成。
在突出部230的下表面设有用于保持接合空间R的气密性的密封件231。密封件231以环状设于被形成在突出部230的下表面的槽，密封件231例如使用O形环。另外，密封件231具有弹性。另外，密封件231只要是具有密封功能的零件即可，并不限于本实施方式。
在第2保持部201的内部设有用于吸附保持支承晶圆S的抽吸管240。抽吸管240例如与真空泵等负压产生装置（未图示）相连接。
另外，在第2保持部201的内部设有用于对接合空间R的气氛气体进行吸气的吸气管241。吸气管241的一端在第2保持部201的下表面的、不用于保持支承晶圆S的场所开口。另外，吸气管241的另一端例如与真空泵等负压产生装置（未图示）相连接。
而且，在第2保持部201的内部具有用于加热支承晶圆S的加热机构242。加热机构242例如使用加热器。
在第2保持部201的上表面设有用于支承该第2保持部201的支承构件250和用于向铅垂下方按压第2保持部201的加压机构260。加压机构260具有：压力容器261，其以覆盖被处理晶圆W与支承晶圆S的方式设置；流体供给管262，其用于向压力容器261的内部供给流体、例如压缩空气。另外，支承构件250以在铅垂方向上自由伸缩的方式构成，其设于压力容器261的外侧的例如3个部位。
压力容器261例如由在铅垂方向上自由伸缩的例如不锈钢制的波纹管构成。压力容器261的下表面与第2保持部201的上表面相抵接，并且压力容器261的上表面与设在第2保持部201的上方的支承板263的下表面相抵接。流体供给管262的一端与压力容器261相连接，流体供给管262的另一端与流体供给源（未图示）相连接。并且，通过从流体供给管262向压力容器261供给流体来使压力容器261伸长。此时，由于压力容器261的上表面与支承板263的下表面相抵接，因此，压力容器261仅向下方伸长，从而能够向下方按压被设于压力容器261的下表面的第2保持部201。另外，此时，由于压力容器261的内部已被流体加压，因此，压力容器261能够面内均匀地按压第2保持部201。通过对向压力容器261供给的压缩空气的压力进行调整来对按压第2保持部201时的载荷进行调节。另外，支承板263优选由具有即使受到由加压机构260施加于第2保持部201的载荷的反作用力也不会变形的强度的构件构成。另外，也可以省略本实施方式的支承板263而使压力容器261的上表面与处理容器100的顶面相抵接。
另外，由于接合装置31～33的结构与上述接合装置30的结构相同，因此省略说明。
接着，说明上述涂布装置40的结构。如图22所示，涂布装置40具有能够使内部密闭的处理容器270。在处理容器270的靠晶圆输送区域60侧的侧面上形成有被处理晶圆W的输入输出口（未图示），在该输入输出口上设有开闭器（未图示）。
在处理容器270内的中央部设有用于保持被处理晶圆W并使被处理晶圆W旋转的旋转吸盘280。旋转吸盘280具有水平的上表面，在该上表面上设有例如用于吸引被处理晶圆W的抽吸口（未图示）。能够利用来自该抽吸口的吸引将被处理晶圆W吸附保持在旋转吸盘280上。
在旋转吸盘280的下方设有吸盘驱动部281，该吸盘驱动部281具有例如电动机等。旋转吸盘280能够利用吸盘驱动部281以规定的速度旋转。另外，在吸盘驱动部281上设有例如气缸等升降驱动源，使旋转吸盘280自由升降。
在旋转吸盘280的周围设有用于接住并回收从被处理晶圆W飞散或落下的液体的杯状件282。在杯状件282的下表面连接有用于将回收的液体排出的排出管283、对杯状件282内的气氛进行抽真空而将杯状件284内的气氛气体排出的排气管284。
如图23所示，在杯状件282的X方向的负方向（图23的下方向）侧形成有沿Y方向（图23的左右方向）延伸的轨道290。轨道290例如从杯状件282的Y方向的负方向（图23的左方向）侧的外侧形成到杯状件282的Y方向的正方向（图23的右方向）侧的外侧。在轨道290上例如安装有臂291。
如图22及图23所示，在臂291上支承有用于向被处理晶圆W供给液体状的粘接剂G的粘接剂喷嘴293。臂291利用图23所示的喷嘴驱动部294在轨道290上自由移动。由此，粘接剂喷嘴293能够从设置于杯状件282的Y方向的正方向侧的外侧的待机部295移动到杯状件282内的被处理晶圆W的中心部上方，并且，粘接剂喷嘴293能够沿被处理晶圆W的径向在该被处理晶圆W上移动。并且，臂291利用喷嘴驱动部294自由升降，能够调节粘接剂喷嘴293的高度。
如图22所示，粘接剂喷嘴293与向该粘接剂喷嘴293供给粘接剂G的供给管296连接。供给管296与在内部存储粘接剂G的粘接剂供给源297连通。并且，在供给管296上设有包括用于控制粘接剂G的流动的阀、流量调节部等的供给设备组298。
另外，也可以在旋转吸盘280的下方设有用于朝向被处理晶圆W的背面、即非接合面WN喷射清洗液的背面冲洗喷嘴（未图示）。利用从该背面冲洗喷嘴喷射的清洗液来清洗被处理晶圆W的非接合面WN与被处理晶圆W的外周部。
接着，说明上述热处理装置41～46的结构。如图24所示，热处理装置41具有能够使内部封闭的处理容器300。在处理容器300的靠晶圆输送区域60侧的侧面上形成有被处理晶圆W的输入输出口（未图示），在该输入输出口上设有开闭器（未图示）。
在处理容器300的顶面上形成有用于对该处理容器300的内部供给例如氮气等非活性气体的气体供给口301。气体供给口301与气体供给管303相连接，该气体供给管303与气体供给源302连通。在气体供给管303上设有包括用于控制非活性气体的流动的阀、流量调节部等的供给设备组304。
在处理容器300的底面上形成有用于吸引该处理容器300的内部的气氛气体的吸气口305。吸气口305与吸气管307相连接，该吸气管307例如与真空泵等负压产生装置306连通。
在处理容器300的内部设有用于对被处理晶圆W进行加热处理的加热部310和用于对被处理晶圆W进行温度调节的温度调节部311。加热部310与温度调节部311以在Y方向上排列的方式配置。
加热部310包括：环状的保持构件321，其用于容纳热板320并保持热板320的外周部；大致筒状的支承环322，其包围该保持构件321的外周。热板320呈一定厚度的大致圆盘形状，其能够载置和加热被处理晶圆W。并且，在热板320中内置有例如加热器323。利用例如控制部360来控制热板320的加热温度，从而将载置在热板320上的被处理晶圆W加热至规定的温度。
在热板320的下方设有例如3根升降销330，该升降销330用于从下方支承被处理晶圆W而使被处理晶圆W升降。升降销330能够利用升降驱动部331而上下移动。在热板320的中央部附近的例如3个部位形成有沿该热板320的厚度方向贯穿该热板320的通孔332。于是，升降销330能够贯穿通孔332并从热板320的上表面突出。
温度调节部311具有温度调节板340。如图25所示，温度调节板340具有大致方形的平板形状，温度调节板340的靠热板320侧的端面弯曲为圆弧状。在温度调节板340上形成有沿着Y方向的两个狭缝341。狭缝341从温度调节板340靠热板320侧的端面形成到温度调节板340的中央部附近。能够利用该狭缝341来防止温度调节板340与加热部310的升降销330及后述的温度调节部311的升降销350干涉。另外，在温度调节板340中内置有例如帕尔贴元件等温度调节构件（未图示）。利用例如控制部360来控制温度调节板340的冷却温度，将载置在温度调节板340上的被处理晶圆W冷却至规定的温度。
如图24所示，温度调节板340由支承臂342支承。在支承臂342上安装有驱动部343。驱动部343安装于沿Y方向延伸的轨道344。轨道344从温度调节部311延伸到加热部310。温度调节板340能够利用该驱动部343沿轨道344在加热部310与温度调节部311之间移动。
在温度调节板340的下方设有例如3根升降销350，该升降销350用于从下方支承被处理晶圆W而使被处理晶圆W升降。升降销350能够利用升降驱动部351上下移动。于是，升降销350贯穿狭缝341并能够从温度调节板340的上表面突出。
另外，由于热处理装置42～46的结构与上述热处理装置41的结构相同，因此省略说明。
如图1所示，在以上的接合系统1中设有控制部360。控制部360例如是计算机，其具有程序存储部（未图示）。在程序存储部中存储有程序，该程序用于对接合系统1中的被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T的处理进行控制。并且，在程序存储部中还存储有用于对上述各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作进行控制以实现在接合系统1中进行的后述的接合处理的程序。另外，上述程序存储于例如计算机可读取的硬盘（HD）、软盘（FD）、光盘（CD）、光磁盘（MO）、存储卡等计算机可读取的存储介质H中，并且上述程序也可以从该存储介质H安装到控制部360中。
接着，说明使用以上那样构成的接合系统1来进行的被处理晶圆W与支承晶圆S的接合处理方法。图26是表示该接合处理的主要工序的例子的流程图。
首先，将容纳有多张被处理晶圆W的晶圆盒CW、容纳有多张支承晶圆S的晶圆盒CS及空的晶圆盒CT载置于输入输出站2的规定的晶圆盒载置板11。之后，利用晶圆输送装置22将晶圆盒CW内的被处理晶圆W取出，并将该被处理晶圆W输送到处理站3的第3处理区G3的传送装置50。此时，以使被处理晶圆W的非接触面WN面向下方的状态来输送被处理晶圆W。
接着，利用晶圆输送装置61将被处理晶圆W输送到涂布装置40。将输入到涂布装置40的被处理晶圆W从晶圆输送装置61交接到旋转吸盘280并由旋转吸盘280吸附保持该被处理晶圆W。此时，被处理晶圆W的非接触面WN被吸附保持。
接着，利用臂291使待机部295的粘接剂喷嘴293移动到被处理晶圆W的中心部的上方。之后，一边利用旋转吸盘280使被处理晶圆W旋转，一边从粘接剂喷嘴293向被处理晶圆W的接合面WJ上供给粘接剂G。所供给的粘接剂G在离心力的作用下扩散到被处理晶圆W的整个接合面WJ，从而在该被处理晶圆W的接合面WJ上涂布粘接剂G（图26的工序A1）。
接着，利用晶圆输送装置61将被处理晶圆W输送到热处理装置41。此时，热处理装置41的内部维持成非活性气体的气氛。当将被处理晶圆W输入到热处理装置41时，将被处理晶圆W从晶圆输送装置61交接到预先上升并正在待机的升降销350上。接着，使升降销350下降，将被处理晶圆W载置到温度调节板340上。
然后，利用驱动部343使温度调节板340沿轨道344移动到热板320的上方，将被处理晶圆W交接到预先上升并正在待机的升降销330上。之后，升降销330下降，将被处理晶圆W载置到热板320上。然后，将热板320上的被处理晶圆W加热至规定的温度、例如100℃～300℃（图26的工序A2）。通过利用该热板320进行加热，将被处理晶圆W上的粘接剂G加热，从而使该粘接剂G固化。
之后，升降销330上升，且温度调节板340向热板320的上方移动。接着，将被处理晶圆W从升降销330交接到温度调节板340上，温度调节板340向晶圆输送区域60侧移动。在该温度调节板340的移动过程中，将被处理晶圆W的温度调节到规定的温度。
利用晶圆输送装置61将经热处理装置41热处理后的被处理晶圆W输送到接合装置30。在将输送到接合装置30后的被处理晶圆W从晶圆输送装置61交接到交接部110的交接臂120后，进一步从交接臂120交接到晶圆支承销121上。之后，利用输送部112的第1输送臂170将被处理晶圆W从晶圆支承销121输送到翻转部111。
输送到翻转部111的被处理晶圆W由保持构件151保持并向位置调节机构160移动。于是，在位置调节机构160中，通过调节被处理晶圆W的凹口部的位置来调节该被处理晶圆W的水平方向的朝向（图26的工序A3）。
之后，利用输送部112的第1输送臂170将被处理晶圆W从翻转部111输送到接合部113。输送到接合部113后的被处理晶圆W载置在第1保持部200上（图26的工序A4）。以被处理晶圆W的接合面WJ面向上方的状态、即、粘接剂G面向上方的状态将被处理晶圆W载置在第1保持部200上。
在对被处理晶圆W进行上述工序A1～工序A4的处理的期间，接着该被处理晶圆W进行支承晶圆S的处理。利用晶圆输送装置61将支承晶圆S输送到接合装置30。另外，由于将支承晶圆S输送到接合装置30的工序与上述实施方式相同，因此省略说明。
在将输送到接合装置30后的支承晶圆S从晶圆输送装置61交接到交接部110的交接臂120后，进一步从交接臂120交接到晶圆支承销121上。之后，利用输送部112的第1输送臂170将支承晶圆S从晶圆支承销121输送到翻转部111。另外，在将支承晶圆S从交接臂120交接到晶圆支承销121上之后，交接臂120的臂部130利用内置的温度调节构件将支承晶圆S的温度调节到处理规定的温度、例如常温（23℃）。
输送到翻转部111后的支承晶圆S由保持构件151保持，并向位置调节机构160移动。并且，在位置调节机构160中，通过调节支承晶圆S的凹口部的位置来调节该支承晶圆S的水平方向的朝向（图26的工序A5）。使水平方向的朝向被调节后的支承晶圆S从位置调节机构160沿水平方向移动，且在移动到铅垂方向上方后，使支承晶圆S的表面和背面翻转（图26的工序A6）。即，使支承晶圆S的接合面SJ面向下方。
然后，在使支承晶圆S移动到铅垂方向下方后，利用输送部112的第2输送臂171将支承晶圆S从翻转部111输送到接合部113。此时，由于第2输送臂171仅保持支承晶圆S的接合面SJ的外周部，因此，接合面SJ不会被例如附着在第2输送臂171上的微粒等污染。输送到接合部113后的支承晶圆S被第2保持部201吸附保持（图26的工序A7）。在第2保持部201中，以支承晶圆S的接合面SJ面向下方的状态保持支承晶圆S。
在接合装置30中，当被处理晶圆W与支承晶圆S分别由第1保持部200和第2保持部201保持时，为了使被处理晶圆W与支承晶圆S相对，利用移动机构220来调整第1保持部200的水平方向的位置（图26的工序A8）。另外，此时，第2保持部201与支承晶圆S之间的压力例如为0.1气压（=0.01MPa）。另外，施加于第2保持部201的上表面的压力为大气压即1.0气压（=0.1MPa）。为了维持施加于该第2保持部201的上表面的大气压，既可以使加压机构260的压力容器261内的压力为大气压，也可以在第2保持部201的上表面与压力容器261之间形成间隙。
接着，如图27所示，利用移动机构220使第1保持部200上升，并且，使支承构件223伸长以利用支承构件223支承第2保持部201。此时，通过调整支承构件223的高度将被处理晶圆W与支承晶圆S的铅垂方向上的距离调整至规定的距离（图26的工序A9）。另外，该规定的距离是如下高度，即，在密封件231与第1保持部200相接触并如后述那样第2保持部201及支承晶圆S的中心部挠曲时，支承晶圆S的中心部与被处理晶圆W相接触。如此，在第1保持部200与第2保持部201之间形成密闭的接合空间R。
之后，从吸气管241对接合空间R的气氛气体进行吸气。并且，当接合空间R内的压力减压至例如0.3气压（=0.03MPa）时，在第2保持部201上施加有施加在第2保持部201的上表面的压力与接合空间R内的压力的压力差、即0.7气压（=0.07MPa）。于是，如图28所示，第2保持部201的中心部挠曲，由第2保持部201保持的支承晶圆S的中心部也挠曲。另外，即使这样将接合空间R内的压力减压至0.3气压（=0.03MPa），由于第2保持部201与支承晶圆S之间的压力为0.1气压（=0.01MPa），因此，支承晶圆S仍处于由第2保持部201保持的状态。
之后，进一步对接合空间R的气氛气体进行吸气，对接合空间R内进行减压。并且，当接合空间R内的压力变为0.1气压（=0.01MPa）以下时，第2保持部201不能够保持支承晶圆S，如图29所示，支承晶圆S向下方落下，使支承晶圆S的整个接合面SJ与被处理晶圆W的整个接合面WJ相抵接。此时，支承晶圆S从与被处理晶圆W抵接后的中心部朝向径向外侧依次与被处理晶圆W抵接。即，例如，即使在接合空间R内存在有可能成为空隙（void）的空气的情况下，空气也始终位于比支承晶圆S与被处理晶圆W相抵接的部位靠外侧的位置，从而能够从被处理晶圆W与支承晶圆S之间放出该空气。如此，能够抑制产生空隙，并能够利用粘接剂G粘接被处理晶圆W与支承晶圆S（图26的工序A10）。
之后，如图30所示，调整支承构件223的高度，使第2保持部201的下表面与支承晶圆S的非接合面SN接触。此时，密封件231弹性变形，使第1保持部200与第2保持部201贴紧。并且，一边利用加热机构211、242以规定的温度、例如200℃将被处理晶圆W与支承晶圆S加热，一边利用加压机构260以规定的压力、例如0.5MPa向下方按压第2保持部201。于是，将被处理晶圆W与支承晶圆S更牢固地粘接，使被处理晶圆W与支承晶圆S接合（图26的工序A11）。
利用输送部112的第1输送臂170将由被处理晶圆W与支承晶圆S接合而成的重合晶圆T从接合部113输送到交接部110。借助晶圆支承销121将输送到交接部110后的重合晶圆T交接到温度被预先调节至常温的交接臂120。此时，利用交接臂120将重合晶圆T保持规定的时间，将重合晶圆T冷却至常温（图26的工序A12）。之后，将重合晶圆T从交接臂120交接到晶圆输送装置61。另外，在利用交接臂120对重合晶圆T进行温度调节时，未必一定需要将重合晶圆T冷却至常温，只要将重合晶圆T的温度调节至在输送该重合晶圆T时不会产生翘曲、变形的程度的温度、例如50℃以下即可。
接着，利用晶圆输送装置61将重合晶圆T输送到传送装置51，然后利用输入输出站2的晶圆输送装置22将重合晶圆T输送到规定的晶圆盒载置板11的晶圆盒CT中。如此，完成一系列的被处理晶圆W与支承晶圆S的接合处理。
采用以上的实施方式，由于在接合装置30的处理容器100内设有接合部113和用于对由该接合部113接合而成的重合晶圆T进行温度调节的、作为重合基板温度调节部的交接臂120，因此，在利用处理容器100外部的例如外部的晶圆输送装置61输送利用接合部113接合而成的重合晶圆T之前，能够将该重合晶圆T冷却至不会产生翘曲、变形的温度。由此，例如，在利用晶圆输送装置61输送重合晶圆T时，能够抑制在与支承基板S接合后的被处理晶圆W上产生翘曲、变形。
另外，由于交接臂120作为温度调节部发挥作用，因此，在将重合晶圆T交接到接合装置30的外部的晶圆输送装置61的一系列的动作的过程中，能够对重合晶圆T进行温度调节。因此，能够将重合晶圆W的温度调节所需时间抑制到最小限度。
另外，在使用了上述专利文献1的粘合装置的情况下，需要在该粘合装置的外部使晶圆的表面和背面翻转。该情况下，在使晶圆的表面和背面翻转后，由于需要将该晶圆输送到粘合装置，因此整个接合处理的生产率存在改进的余地。另外，当使晶圆的表面和背面翻转时，晶圆的接合面面向下方。该情况下，在使用了通常的用于保持晶圆的背面的输送装置时，晶圆的接合面会被输送装置保持，从而例如在输送装置上附着有微粒等的情况下，该微粒有可能附着于晶圆的接合面。而且，专利文献1的粘合装置不具有调节晶圆与支承基板的水平方向的朝向的功能，有可能使晶圆与支承基板错开地接合。
对于该点，采用本实施方式，由于在接合装置30内设有翻转部111与接合部113这两者，因此，在使支承晶圆S翻转后，能够利用输送部112将该支承晶圆S直接输送到接合部113。由于如此在一个接合装置30内一并进行支承晶圆S的翻转和被处理晶圆W与支承晶圆S的接合，因此，能够高效地进行被处理晶圆W与支承晶圆S的接合。因而，能够进一步提高接合处理的生产率。
另外，由于输送部112的第2输送臂171保持支承晶圆S的接合面SJ的外周部，因此，接合面SJ不会被例如附着于第2输送臂171的微粒等污染。另外，输送部112的第1输送臂170对被处理晶圆W的非接合面WN、支承晶圆S的接合面SJ、重合晶圆T的背面进行保持并输送被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。如此，由于输送部112具有两种输送臂170、171，因此能够高效地输送被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T。
另外，在第2输送臂171中，由于第2保持构件192的锥形部194的内侧面从下侧朝向上侧呈锥状扩大，因此，例如，即使要交接到第2保持构件192的支承晶圆S在水平方向上与规定的位置错开，也能够利用锥形部194来顺畅地引导支承晶圆S并将支承晶圆S定位。
另外，在第1输送臂170中，由于在臂部180上设有引导构件183、184，因此能够防止被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T从第1输送臂170飞出或滑落。
另外，翻转部111能够利用第1驱动部153使支承晶圆S的表面和背面翻转并能够利用位置调节机构160来调节支承晶圆S与被处理晶圆W的水平方向的朝向。因而，能够在接合部113中使支承晶圆S与被处理晶圆W适当地接合。另外，在接合部113中，由于在一个翻转部111中一并进行支承晶圆S的翻转和支承晶圆S与被处理晶圆W的水平方向的朝向的调节，因此能够高效地进行被处理晶圆W与支承晶圆S的接合。因而，能够进一步提高接合处理的生产率。
另外，由于交接部110在铅垂方向上分两层配置，因此能够同时交接被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T中的任意两个晶圆。因而，交接部110能够在其与接合装置30的外部之间高效地交接上述被处理晶圆W、支承晶圆S、重合晶圆T，并能够进一步提高接合处理的生产率。
另外，由于热处理装置41的内部能够维持成非活性气体的气氛，因此，能够抑制在被处理晶圆W上形成氧化膜。因此，能够适当地进行被处理晶圆W的热处理。
在以上的实施方式中，在将被处理晶圆W配置在下侧且将支承晶圆S配置在上侧的状态下，将上述被处理晶圆W与支承晶圆S接合，但是，也可以使被处理晶圆W与支承晶圆S的上下配置相反。在该情况下，对支承晶圆S进行上述工序A1～工序A4，并在该支承晶圆S的接合面SJ上涂布粘接剂G。并且，对被处理晶圆W进行上述工序A5～工序A7，并使该被处理晶圆W的表面和背面翻转。并且，通过进行上述工序A8～工序A11来使支承晶圆S与被处理晶圆W接合。但是，从保护被处理晶圆W上的电子电路等的观点考虑，优选在被处理晶圆W上涂布粘接剂G。
另外，在以上的实施方式中，在涂布装置40中，在被处理晶圆W与支承晶圆S中的任意一个晶圆上涂布了粘接剂G，但是，也可以在被处理晶圆W与支承晶圆S这两个晶圆上涂布粘接剂G。
在以上的实施方式中，在工序A2中，将被处理晶圆W加热至规定的温度100℃～300℃，但是，也可以分两个阶段来进行被处理晶圆W的热处理。例如，在热处理装置41中，在将被处理晶圆W加热至第1热处理温度、例如100℃～150℃后，在热处理装置44中，将被处理晶圆W加热至第2热处理温度、例如150℃～300℃。在该情况下，能够使热处理装置41与热处理装置44中的加热机构本身的温度恒定。因而，不必进行该加热机构的温度调节，能够进一步提高被处理晶圆W与支承晶圆S的接合处理的生产率。
在以上的实施方式中，利用交接臂120来对重合晶圆T进行了温度调节，但是，若在将该重合晶圆T输出到处理容器100的外部之前、换言之在将重合晶圆T交接到接合装置30的外部的晶圆输送装置61之前进行重合晶圆T的温度调节，则未必一定需要利用交接臂120进行重合晶圆T的温度调节，例如，也可以使用输送臂170来进行温度调节。在该情况下，与交接臂120同样，作为输送臂170，能够使用具有在内部内置有帕尔贴元件等温度调节构件的大致圆板形状的臂部的臂。另外，该情况下，接合部113的第2保持部201的缺口201a以与交接臂120的引导件141的位置及大小相对应的方式形成。
当使用这种具有与交接臂120相同的结构的输送臂170来对重合晶圆T进行温度调节时，能够进一步抑制在与支承基板S相接合后的被处理晶圆W上产生翘曲、变形。即，例如，在将调节温度前的重合晶圆T交接到了交接部110的晶圆支承销121上的情况下，由于重合晶圆T以保持高温的状态由晶圆支承销121支承，因此有可能在由晶圆支承销121支承的期间在重合晶圆T上产生翘曲、变形。对于该点，若利用大致圆板形状的输送臂170对重合晶圆T进行温度调节，则重合晶圆T不会因晶圆支承销121而翘曲或变形。
另外，在用交接臂120、输送臂170以外的构件对重合晶圆T进行温度调节时，例如，如图31所示，也可以在接合装置30的接合区域D 2中另外设置作为重合基板温度调节部的重合晶圆温度调节部400，利用该重合晶圆温度调节部400进行重合晶圆T的温度调节。
该情况下，例如，如图31所示，输送部112以相对于沿X方向延伸的轨道401自由移动的方式设置。并且，利用输送臂170将利用接合部113接合而成的重合晶圆T输送到被配置于X方向的正方向侧的温度调节部400。之后，利用温度调节部400将重合晶圆T冷却至常温，借助晶圆支承销121及交接臂120将重合晶圆T交接到晶圆输送装置61。另外，作为重合晶圆温度调节部400，例如使用温度调节板402，该温度调节板402具有与热处理装置41相同的结构，其代替热板320而将内置于加热部310的加热器323变更为例如帕尔贴元件等温度调节构件。
以上，参照附图说明了本发明的优选的实施方式，但本发明并不限定于该例子。对于本领域技术人员，在权利要求书记载的构思范围内能够想到各种变形例或修改例是显而易见的，这些变形例或修改例当然也被认为属于本发明的保护范围。本发明不限于该例子而能够采用各种实施方式。在被处理基板为晶圆以外的FPD（平板显示器）、光掩模用的光掩模板（maskreticle）等其他的基板的情况下也能够适用本发明。另外，在支承基板为晶圆以外的玻璃基板等其他基板的情况下也能够应用本发明。
附图标记说明
1、接合系统；2、输入输出站；3、处理站；30～33、接合装置；40、涂布装置；41～46、热处理装置；60、晶圆输送区域；110、交接部；111、翻转部；112、输送部；113、接合部；150、保持臂；151、保持构件；152、缺口；153、第1驱动部；154、第2驱动部；160、位置调节机构；170、第1输送臂；171、第2输送臂；182、O形环；183、第1引导构件；184、第2引导构件；192、第2保持构件；193、载置部；194、锥形部；301、气体供给口；305、吸气口；360、控制部；G、粘接剂；S、支承晶圆；T、重合晶圆；W、被处理晶圆。

Claims (17)

1.一种接合装置，其用于将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，
该接合装置包括：
处理容器，其能够使内部密闭；
接合部，其以使粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；
重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行冷却，
上述接合部及上述重合基板温度调节部排列的配置在上述处理容器内；
其中，上述接合部还包括两个加热机构，上述两个加热机构能够分别加热上述被处理基板和上述支承基板。
2.根据权利要求1所述的接合装置，其特征在于，
在上述处理容器内具有交接部，该交接部用于在其与该处理容器的外部之间交接被处理基板、支承基板或重合基板，
上述重合基板温度调节部设于上述交接部。
3.根据权利要求2所述的接合装置，其特征在于，
上述交接部具有大致圆板形状的交接臂，
上述重合基板温度调节部为内置有温度调节构件的上述交接臂。
4.根据权利要求2或3所述的接合装置，其特征在于，
在上述处理容器内还设有翻转部和输送部，
该翻转部用于使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板相接合的支承基板的表面和背面翻转、或使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的支承基板相接合的被处理基板的表面和背面翻转，
该输送部用于相对于上述交接部、上述翻转部及上述接合部输送被处理基板、支承基板或重合基板。
5.根据权利要求2或3所述的接合装置，其特征在于，
在铅垂方向上配置有多个上述交接部。
6.根据权利要求1所述的接合装置，其特征在于，
在上述处理容器内设有用于相对于上述接合部输送被处理基板、支承基板或重合基板的输送部，上述重合基板温度调节部设于上述输送部。
7.根据权利要求6所述的接合装置，其特征在于，
上述输送部具有大致圆板形状的输送臂，
上述重合基板温度调节部为内置有温度调节构件的上述输送臂。
8.根据权利要求6或7所述的接合装置，其特征在于，
上述接合装置包括：
交接部，其用于在其与上述处理容器的外部之间交接被处理基板、支承基板或重合基板；
翻转部，其用于使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板相接合的支承基板的表面和背面翻转、或使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的支承基板相接合的被处理基板的表面和背面翻转，
上述输送部也相对于上述翻转部输送被处理基板、支承基板或重合基板。
9.根据权利要求8所述的接合装置，其特征在于，
在铅垂方向上配置有多个上述交接部。
10.一种接合系统，其特征在于，
该接合系统具有权利要求1～3中任一项所述的接合装置，
该接合系统包括接合处理站和输入输出站，
该接合处理站包括：上述接合装置；涂布装置，其用于在被处理基板或支承基板上涂布粘接剂；热处理装置，其用于将涂布有上述粘接剂的被处理基板或支承基板加热至规定的温度；输送区域，在其中进行用于相对于上述涂布装置、上述热处理装置及上述接合装置输送被处理基板、支承基板或重合基板的动作，
该输入输出站用于相对于上述接合处理站输出或输入被处理基板、支承基板、或由被处理基板与支承基板接合而成的重合基板。
11.一种接合方法，其使用接合装置将被处理基板和支承基板接合起来，其特征在于，
上述接合装置包括：处理容器，其能够使内部密闭；接合部，其以使粘接剂介于被处理基板和支承基板之间的方式对被处理基板和支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；重合基板温度调节部，其用于对利用上述接合部接合而成的重合基板进行冷却，
上述接合部及上述重合基板温度调节部排列的配置在上述处理容器内，其中，上述接合部还包括两个加热机构，上述两个加热机构能够分别加热上述被处理基板和上述支承基板；
上述接合方法包括以下工序：
接合工序，在上述接合部中对涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板与支承基板进行按压而将被处理基板和支承基板接合起来；
温度调节工序，其在接合工序后，利用上述重合基板温度调节部来对重合基板进行冷却。
12.根据权利要求11所述的接合方法，其特征在于，
在上述处理容器内设有交接部，该交接部用于在其与该处理容器的外部之间交接被处理基板、支承基板或重合基板，
上述重合基板温度调节部设于上述交接部，
在上述交接部中进行上述温度调节工序。
13.根据权利要求12所述的接合方法，其特征在于，
上述交接部具有大致圆板形状的交接臂，
上述重合基板温度调节部为内置有温度调节构件的上述交接臂，
在利用上述交接臂将重合基板交接到上述接合装置的外部的期间进行上述温度调节工序。
14.根据权利要求12或13所述的接合方法，其特征在于，在上述处理容器内还设有翻转部和输送部，
该翻转部用于使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板相接合的支承基板的表面和背面翻转、或使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的支承基板相接合的被处理基板的表面和背面翻转，
该输送部用于相对于上述交接部、上述翻转部及上述接合部输送被处理基板、支承基板或重合基板，
上述接合方法具有如下的翻转工序：利用上述输送部将涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的支承基板或涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板从上述交接部输送到上述翻转部，在该翻转部中使支承基板的表面和背面或被处理基板的表面和背面翻转，
在上述接合工序中，利用上述输送部将被处理基板或支承基板从上述翻转部输送到上述接合部，在该接合部中将被处理基板和支承基板接合起来。
15.根据权利要求11所述的接合方法，其特征在于，
在上述处理容器内设有用于相对于上述接合部输送被处理基板、支承基板或重合基板的输送部，
上述重合基板温度调节部设于上述输送部，
在上述输送部中进行上述温度调节工序。
16.根据权利要求15所述的接合方法，其特征在于，
上述输送部具有大致圆板形状的输送臂，
上述重合基板温度调节部为内置有温度调节构件的上述输送臂，
在利用上述输送臂将重合基板交接到上述接合装置的外部的期间进行上述温度调节工序。
17.根据权利要求15或16所述的接合方法，其特征在于，在上述处理容器内还设有交接部和翻转部，
该交接部用于在其与上述处理容器的外部之间交接被处理基板、支承基板或重合基板，
该翻转部用于使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板相接合的支承基板的表面和背面翻转、或使要与涂布有上述粘接剂且被加热至规定的温度的支承基板相接合的被处理基板的表面和背面翻转，
上述输送部也能够相对于上述翻转部输送被处理基板、支承基板或重合基板，
上述接合方法具有如下的翻转工序：利用上述输送部将涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的支承基板或涂布有粘接剂且被加热至规定的温度的被处理基板从上述交接部输送到上述翻转部，在该翻转部中使支承基板的表面和背面或被处理基板的表面和背面翻转，
在上述接合工序中，利用上述输送部将被处理基板或支承基板从上述翻转部输送到上述接合部，在该接合部中将被处理基板和支承基板接合起来。
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