TW201334098A - 接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體 - Google Patents

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Naoto Yoshitaka
Shintaro Sugihara
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Abstract

本發明之課題在於抑制在與支撐基板接合的晶圓產生翹曲或應變。本發明之解決手段係接合被處理晶圓(W)與支撐晶圓(S)的接合裝置(30)，具有可密閉內部的處理容器(100)，中介著接著劑，按壓被處理基板(W)與支撐基板(S)而接合的接合部(113)，以及溫度調節在接合部(113)接合的重合晶圓(T)之作為重合基板溫度調節部之遞送臂(120)。接合部(113)及遞送臂(120)，被配置於處理容器(100)內。

Description

接合裝置、接合系統、接合方法及電腦記憶媒體
本發明係關於接合被處理基板與支撐基板之接合裝置，具備該接合裝置之接合系統，使用前述接合裝置之接合方法，程式及電腦記憶媒體。
近年來，例如於半導體裝置之製造程序，正進展著半導體晶圓(以下，簡稱「晶圓」)的大口徑化。此外，於實裝等特定步驟，要求著晶圓的薄型化。例如把大口徑而且薄的晶圓，直接搬送，或是進行研磨的話，晶圓會有發生翹曲或破裂之虞。因此，為了補強晶圓，例如進行於支撐基板之晶圓或玻璃基板上貼附晶圓。
相關的晶圓與支撐基板的貼合，例如藉由使用貼合裝置，於晶圓與支撐基板之間中介著接著劑而進行。貼合裝置，例如具有保持晶圓的第一保持構件、保持支撐基板的第二保持構件、加熱被配置於晶圓與支撐基板之間的接著劑之加熱機構，以及至少使第一保持構件或第二保持構件移動於上下方向之移動機構。接著，在此貼合裝置，對晶圓與支撐基板之間供給接著劑，加熱該接著劑後，按壓晶圓與支撐基板而接合(專利文獻1)。
與支撐基板接合的晶圓，其後，由前述之貼合裝置，搬送至例如設於貼合裝置的外部之研磨處理裝置，被研磨處理。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本專利特開2008-182016號公報
然而，研磨處理後的晶圓的厚度在晶圓面內並沒有均一，會有部分變厚或者變薄的情形。
關於這一點，本案發明人經過了銳意調查，得知在研磨處理前的階段於晶圓已產生翹曲或者應變，藉由在此狀態下進行研磨處理會使研磨後的晶圓的厚度產生參差不齊。
在此，針對此翹曲或應變進而進行了調查，得知是在接合後搬送晶圓的過程所產生的。通常，搬送晶圓的晶圓搬送裝置，會以在搬送過程不使附著於晶圓搬送裝置的微粒等而汙損晶圓的方式，以極力減少保持晶圓時的接觸面積的方式被構成。另一方面，接合後的晶圓，會因為加熱接著劑時之熱而成為溫度高的狀態。因此，接合後的晶圓且未以晶圓搬送裝置保持的部分，會產生翹曲或者應變。
亦即，為了防止於接合後的晶圓產生翹曲或者應變，在搬送接合後的晶圓之前，最好是把該晶圓冷卻至不產生翹曲或應變的溫度為較佳。
本發明係有鑑於相關問題點而完成之發明，目的在於抑制與支撐基板接合的晶圓產生翹曲或者應變。
為了達成前述目的，本發明特徵係接合被處理基板與支撐基板的接合裝置，其特徵為具有：可密閉內部的處理容器、中介著接著劑，按壓被處理基板與支撐基板而接合的接合部，以及溫度調節以前述接合部接合的重合基板之重合基板溫度調節部；前述接合部及前述重合基板溫度調節部，被配置於前述處理容器內。
根據本發明之接合裝置，接合部，與溫度調節在該接合部接合的重合基板的重合基板溫度調節部被配置於處理容器內，所以在處理容器的外部搬送重合基板之前，可以把該重合基板冷卻至不產生翹曲或應變的溫度。藉此，可以抑制在與支撐基板接合的被處理基板產生翹曲或應變。
根據其他觀點知本發明，特徵係具備前述接合裝置的接合系統，具有：具備前述接合裝置、於被處理基板或支撐基板塗佈接著劑的塗佈裝置、將被塗佈前述接著劑的被處理基板或支撐基板加熱至特定溫度的熱處理裝置、以及對前述塗佈裝置、前述熱處理裝置及前述接合裝置，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之用的搬送區域的接合處理站；以及把被處理基板、支撐基板或者被處理基板與支撐基板被接合的重合基板，對前述接合處理站進行搬出搬入的搬出搬入站。
根據其他觀點知本發明，係使用接合裝置接合被處理基板與支撐基板之接合方法，其特徵為：前述接合裝置， 具有：可密閉內部的處理容器、中介著接著劑，按壓被處理基板與支撐基板而接合的接合部，以及溫度調節以前述接合部接合的重合基板之重合基板溫度調節部；前述接合部及前述重合基板溫度調節部，被配置於前述處理容器內，前述接合方法，具有：於前述接合部，按壓被塗佈接著劑被加熱至特定的溫度之被處理基板與支撐基板而接合的接合步驟，以及接合步驟後以前述重合基板溫度調節部將重合基板進行溫度調節之溫度調節步驟。
此外，根據其他觀點之本發明，提供一種電腦記憶媒體，特徵為供藉由接合裝置執行前述接合方法，容納控制該接合裝置的控制部之在電腦上動作的程式之可讀取的電腦記憶媒體。
根據本發明的話，可以抑制在與支撐基板接合的晶圓產生翹曲或應變。
以下，針對本發明之實施型態進行說明。圖1係顯示具備相關於本實施型態之接合裝置的接合系統1的構成概略之平面圖。圖2係顯示接合系統1的內部構成的概略之側面圖。
在接合系統1，如圖3所示例如中介著接著劑G，接合作為被處理基板之被處理晶圓W與作為支撐基板的支 撐晶圓S。以下，於被處理晶圓W，把中介著接著劑G與支撐晶圓S接合的面稱為作為表面之「接合面WJ」，把與該接合面WJ相反側之面稱為作為背面之「非接合面WN」。同樣地，於支撐晶圓S，把中介著接著劑G與被處理晶圓W接合的面稱為作為表面之「接合面SJ」，把與接合面SJ相反側的面稱為作為背面之「非接合面SN」。接著，在接合系統1，接合被處理晶圓W與支撐晶圓S，形成作為重合基板之重合晶圓T。又，被處理晶圓W，係成為製品的晶圓，例如於接合面WJ被形成複數之電子電路，非接合面WN被研磨處理。此外，支撐晶圓S，具有與被處理晶圓W的直徑相同的直徑，係支撐該被處理晶圓W的晶圓。又，在本實施型態，說明作為支撐基板使用晶圓的場合，但例如使用玻璃基板等其他基板亦可。
接合系統1，具有如圖1所示例如在與外部之間分別可以收容複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T之卡匣CW、CS、CT被搬出搬入的搬出搬入站2，以及具備對被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T施以特定的處理的各種處理裝置之處理站3一體地連接之構成。
於搬出搬入站2，設有卡匣載置台10。於卡匣載置台10，設有複數，例如4個卡匣載置板11。卡匣載置板11，於X方向(圖1中的上下方向)排列配置為一列。於這些卡匣載置板11，對接合系統1的外部搬出搬入卡匣CW、CS、CT時，可以載置卡匣CW、CS、CT。如此般，搬 出般入站2，以可保有複數被處理晶圓W、複數支撐晶圓S、複數重合晶圓T的方式被構成。又，卡匣載置板11的個數，不限定於本實施型態，可以任意地決定。此外，將卡匣之一作為不良晶圓的回收用來使用亦可。亦即，係可以使因種種原因而在被晶圓W與支撐晶圓S的接合產生不良的晶圓，與其他正常的重合晶圓T分離之卡匣。於本實施型態，複數卡匣CT之中，把1個卡匣CT作為不良晶圓的回收用，其他卡匣CT作為正常的重合晶圓T之收容用來使用。
於搬出搬入站2，鄰接於卡匣載置台10設有晶圓搬送部20。於晶圓搬送部20，設有在延伸於X方向的搬送路徑21上自由移動的晶圓搬送裝置22。晶圓搬送裝置22，在鉛直方向及鉛直軸周圍(θ方向)亦可自由移動，可在各卡匣載置板11上的卡匣CW、CS、CT、與後述之處理站3的第3處理區塊G3之轉移裝置50、51之間搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
於處理站3，設有具備各種處理裝置的複數例如3個處理區塊G1、G2、G3。例如在處理站3的正面側(圖1中之X方向負方向側)，設有第1處理區塊G1，於處理站3之背面側(圖1中之X方向正方向側)，設有第2處理區塊G2。此外，於處理站3的搬出搬入站2側(圖1中之Y方向負方向側)，設有第3處理區塊G3。
例如於第1處理區塊G1，中介著接著劑G按壓被處理晶圓W與支撐晶圓S進行接合的接合裝置30~33，由 搬出搬入站2側依此順序排列配置於Y方向上。
例如於第2處理區塊G2，如圖2所示對被處理晶圓W塗佈接著劑G的塗佈裝置40、把被塗佈接著劑G的被處理晶圓W加熱置特定的溫度的熱處理裝置41~43，與同樣的熱處理裝置44~46，在朝向搬出搬入站2側的方向(圖1中的Y軸負方向)上依此順序排列配置。熱處理裝置41~43與熱處理裝置44~46，分別由下依此順序設置3段。又，熱處理裝置41~46的裝置數或鉛直方向及水平方向的配置可以任意設定。
例如，於第3處理區塊G3，被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之轉移裝置50、51由下依此順序設為2段。
如圖1所示在第1處理區塊G1~第3處理區塊G3所包圍的區域，被形成晶圓搬送區域60。於晶圓搬送區域60，例如被配置著晶圓搬送裝置61。又，晶圓搬送區域60內的壓力為大氣壓以上，於該晶圓搬送區域60，進行被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之所謂的大氣系搬送。
晶圓搬送裝置61，具有例如可在鉛直方向、水平方向(Y方向、X方向)及鉛直軸周圍自由移動的搬送臂。晶圓搬送裝置61，可以移動於晶圓搬送區域60內，將被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T搬送至周圍的第1處理區塊G1、第2處理區塊G2及第3處理區塊G3內的特定裝置。
其次，說明前述之接合裝置30~33之構成。接合裝置30，如圖4所示具有可以使內部密閉的處理容器100。於處理容器100之晶圓搬送區域60的側面，被形成被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬出搬入口101，於該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。
處理容器100的內部，藉由內壁102被區劃為前處理區域D1與接合區域D2。前述搬出搬入口101，被形成於前處理區域D1之處理容器100的側面。此外，於內壁102，也被形成被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬出辦入口103。
於前處理區域D1，在與接合裝置30的外部之間設有遞送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之用的遞送部110。遞送部110，被配置為鄰接於搬出搬入口101。此外遞送部110，如後述般可以在鉛直方向配置例如2段，可以同時遞送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之中的任兩個。例如在一個遞送部110遞送接合前的被處理晶圓W或支撐晶圓S，在另一遞送部110遞送接合後的重合晶圓T亦可。或者是在一個遞送部110遞送接合前的被處理晶圓W，在另一遞送部110遞送接合前的支撐晶圓S亦可。
前處理區域D1的Y軸負方向側，亦即於搬出般入口103側，於遞送部110的鉛直上方，例如設有使支撐基板S的表背面反轉的反轉部111。又，反轉部111，如後述般也可以調節支撐晶圓S的水平方向之朝向，此外也可以 調節被處理晶圓W的水平方向的朝向。
於接合區域D2的Y軸正方向側，設有對遞送部110、反轉部111及後述的接合部113，搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之搬送部112。搬送部112被安裝於搬出搬入口103。
於接合區域D2的Y軸負方向側，設有中介著接著劑G按壓被處理晶圓W與支撐晶圓S而進行接合的接合部113。
其次，說明前述之遞送部110的構成。遞送部110，如圖5所示具有遞送臂120與晶圓支撐栓121。遞送臂120，可以在接合裝置30的外部，亦即在晶圓搬送裝置61與晶圓支撐栓121之間遞送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。晶圓支撐栓121，為複數個，例如設於3處所，可以支撐被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
遞送臂120，具有保持被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的臂部130，與例如具備馬達等之臂驅動部131。臂部130，具有約略圓板形狀。臂驅動部131，可以使臂部130移動於X方向(圖5中的上下方向)。此外臂驅動部131，被安裝於延伸在Y方向(圖5中的左右方向)上的軌道132，被夠成為可以移動於該軌道132上。藉由相關的構成，遞送臂120，成為可移動於水平方向(X方向及Y方向)，在晶圓搬送裝置61及晶圓支撐栓121之間，可以圓滑地遞送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
此外，於臂部130，內藏例如珀爾帖(Peltier)元件等溫度調節構件(未圖示)。臂部130的冷卻溫度例如藉由後述的控制部360來控制。亦即，遞送臂120，也具有使被載置於該遞送臂120的重合晶圓T調節至特定溫度之重合基板溫度調節部的機能。
於臂部130上，如圖6及圖7所示支撐被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之晶圓支撐栓140有複數個，例如設於4個處所。此外於臂部130上，設有進行被支撐於晶圓支撐栓140的被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的定位之導件141。導件141，以導引被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的側面的方式具有複數個，例如設於4個處所。
於臂部130的外周，如圖5及圖6所示缺口142例如被形成於4處所。藉由此缺口142，在由晶圓搬送裝置61的搬送臂往遞送臂120遞送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T時，可以防止該晶圓搬送裝置61之搬送臂與臂部130發生干涉。
於臂部130，被形成沿著X方向之2條狹縫143。狹縫143，由臂部130的晶圓支撐栓121側的端面被形成到臂部130的中央部附近為止。藉由此狹縫143，防止臂部130與晶圓支撐栓121干涉。
其次，說明前述之反轉部111的構成。反轉部111，如圖8~圖10所示具有保持支撐晶圓S、被處理晶圓W的保持臂150。保持臂150，延伸於水平方向(圖8及圖9 中的X方向)。此外，於保持臂150，具有保持支撐晶圓S、被處理晶圓W的保持構件151，例如設於4處所。保持構件151，如圖11所示被構成為可對保持臂150移動於水平方向。此外於保持構件151的側面，被形成供保持支撐晶圓S、被處理晶圓W的外周部之用的缺口152。接著，這些保持構件151，可以夾住支撐晶圓S、被處理晶圓W而保持。
保持臂150，如圖8~圖10所示被支撐於例如具備馬達的第1驅動部153。藉由此第1驅動部153，保持臂150可自由旋轉於水平軸周圍，且可移動於水平方向(圖8及圖9中的X方向，圖8及圖10之Y方向)。又，第1驅動部153，使保持臂150轉動於鉛直軸周圍，而使該保持臂150移動於水平方向上亦可。於第1驅動部153的下方，設有例如具備馬達等之第2驅動部154。藉由此第2驅動部154，第1驅動部153可以沿著延伸於鉛直方向的支撐柱155移動於鉛直方向。如此般藉由第1驅動部153與第2驅動部154，被保持於保持構件151的支撐晶圓S、被處理晶圓W，可以繞水平軸周圍緩動同時移動於鉛直方向及水平方向。
於支撐柱155，調節被保持於保持構件151的支撐晶圓S、被處理晶圓W的水平方向的朝向之位置調節機構160，中介著支撐板161被支撐著。位置調節機構160，被設為鄰接於保持臂150。
位置調節機構160，具有基台162、與檢測支撐晶圓 S、被處理晶圓W之缺口部的位置之檢測部163。接著，位置調節機構160，使被保持於保持構件151的支撐晶圓S、被處理晶圓W移動於水平方向，同時藉由以檢測部163檢測出支撐晶圓S、被處理晶圓W的缺口部的位置，調節該缺口部的位置而調節支撐晶圓S、被處理晶圓W的水平方向的朝向。
又，如圖12所示，如以上那樣構成的遞送部110於鉛直方向配置為2段，此外於這些遞送部110的鉛直上方被配置反轉部111。亦即，遞送部110的遞送臂120，於反轉部111的保持臂150與位置調節機構160的下方移動於水平方向。此外，遞送部110的晶圓支撐栓121，被配置於反轉部111的保持臂150的下方。
其次，說明前述之搬送部112的構成。搬送部112，如圖13所示具有複數，例如2支搬送臂170、171。第1搬送臂170與第2搬送臂171，於鉛直方向上由下依序被配置2段。又，第1搬送臂170與第2搬送臂171，如後述般具有不同的形狀。
於搬送臂170、171的基端部，設有例如具備馬達等的臂驅動部172。藉由此臂驅動部172，各搬送臂170、171可以獨立移動於水平方向。這些搬送臂170、171與臂驅動部172，被支撐於基台173。
搬送部112，如圖4及圖14所示設於被形成在處理容器100的內壁102之搬出搬入口103。接著，搬送部112，可以藉由例如具備馬達等的驅動部(未圖示)沿著 搬出搬入口103移動於鉛直方向。
第1搬送臂170，保持被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的背面(於被處理晶圓W、支撐晶圓S為非接合面WN、SN)而搬送。第1搬送臂170，如圖15所示具有先端分歧為2根先端部180a、180a的臂部180，及與此臂部180一體形成，且支撐臂部180之支撐部181。
於臂部180上，如圖15及圖16所示，樹脂製的O環182有複數，例如設於4處所。此O環182藉由與被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之背面接觸時的摩擦力，使O環182保持被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的背面。藉此，第1搬送臂170，於O環182上可以使被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T保持為水平。
此外於臂部180上，設有設於被保持在O環182的被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的外側之導引構件183、184。第1導引構件183，設於臂部180的先端部180a的先端。第2導引構件184，沿著被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的外周被形成為圓弧狀，設於支撐部181側。藉由這些導引構件183、184，可以防止被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T由第1搬送臂170飛出，或者滑落。又，被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T在適切的位置被保持於O環182的場合，該被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T不與導引構件183、184接觸。
第2搬送臂171，例如保持支撐晶圓S的表面，亦即 接合面SJ的外周部而搬送。亦即，第2搬送臂171，保持以反轉部111使表背面反轉的支撐晶圓S的接合面SJ的外周部而搬送。第2搬送臂171，如圖17所示具有先端分歧為2根先端部190a、190a的臂部190，及與此臂部190一體形成，且支撐臂部190之支撐部191。
於臂部190上，如圖17及圖18所示，第2保持構件192有複數，例如設於4處所。第2保持構件192，具有載置支撐晶圓S的接合面SJ的外周部的載置部193，與由該載置部193往上方延伸，內側面由下側朝向上側椎狀擴大的斜角部194。載置部193，保持支撐晶圓S之由周緣起例如1mm以內的外周部。此外，斜角部194的內側面由下側朝向上側椎狀擴大，所以例如被第送至第2保持構件192的支撐晶圓S即使在水平方向上偏離特定的位置，支撐晶圓S也可圓滑地被導引至斜角部194而定位，被保持於載置部193。接著，第2搬送臂171，可以把支撐晶圓S水平地保持於第2保持構件192上。
又，如圖19所示，於後述的接合部113的第2保持部201缺口201a例如被形成於4個處所。藉由此缺口201a，可以防止在把支撐晶圓S由第2搬送臂171遞送至第2保持部201時，第2搬送臂171之第2保持構件192受到第2保持部201的干涉。
其次，說明前述之接合部113之構成。接合部113，如圖20所示具有把被處理晶圓W載置在上面而保持的第1保持部200，於在下面吸附保持支撐晶圓S的第2保持 部201。第1保持部200，設於第2保持部201的下方，以與第2保持部201對向的方式被配置。亦即，被保持於第1保持部200的被處理晶圓W，與被保持於第2保持部201的支撐晶圓S係對向而配置的
於第1保持部200的內部，設有供吸附保持被處理晶圓W之用的抽吸管210。抽吸管210，被連接於例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。又，於第1保持部200，使用具有藉由後述的加壓機構260施加荷重也不會變形的強度之材料，例如碳化矽陶瓷或氮化鋁陶瓷等陶瓷。
此外，於第1保持部200的內部，設有供加熱被處理晶圓W之加熱機構211。於加熱機構211，例如使用加熱器。
於第1保持部200的下方，設有使第1保持部200及被處理晶圓W移動於鉛直方向及水平方向的移動機構220。移動機構220，可以使第1保持部200例如以±1μm之精度3次元移動。移動機構220，具有使第1保持部200移動於鉛直方向的鉛直移動部221，及使第1保持部200移動於水平方向的水平移動部222。鉛直移動部221與水平移動部222，分別具有例如藉由滾珠螺桿(未圖示)與使該滾珠螺桿轉動的馬達(未圖示)。
於水平移動部222上，設有可在鉛直方向上自由伸縮的支撐構件223。水平支撐構件223，於第1保持部200的外側例如設於3個處所。接著，支撐構件223，如圖21所示可以支撐由第2保持部201的外周下面起突出往下方 而設的突出部230。
在以上之移動機構220，可以進行第1保持部200上的被處理晶圓W之水平方向的位置對準，同時如圖21所示使第1保持部200上升，形成供接合被處理晶圓W與支撐晶圓S之用的接合空間R。此接合空間R，是包圍於第1保持部200、第2保持部201及突出部230之空間。此外，藉由在形成接合空間R時，調整支撐構件223的高度，而可以調整接合空間R之被處理晶圓W與支撐晶圓S間的鉛直方向的距離。
又，於第1保持部200的下方，設有由下方支撐被處理晶圓W或重合晶圓T而使其升降之用的升降栓(未圖示)。升降栓插通被形成於第1保持部200的貫通孔(未圖示)，成為可由第1保持部200的上面突出。
於第2保持部201，使用彈性體例如鋁。接著，第2保持部201，如後述般係以對第2保持部201全面施加特定的壓力，例如0.7氣壓(=0.07MPa)的話，其一處所，例如中心部會撓曲的方式構成的。
第2保持部201的外周下面，如圖20所示被形成由該外周下面往下方突出之前述突出部230。突出部230，沿著第2保持部201的外周形成。又，突出部230亦可與第2保持部201形成為一體。
於突出部230的下面，設有供保持接合空間R的氣密性之用的密封材231。密封材231，在被形成於突出部230的下面之溝被設為環狀，例如使用O環。此外，密封材 231具有彈性。又，密封材231，只要是具有密封機能的零件即可，不限定於本實施型態之例。
於第2保持部201的內部，設有供吸附保持支撐晶圓S之用的抽吸管240。抽吸管240，被連接於例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。
此外，於第2保持部201的內部，設有供抽吸接合空間R的氛圍之用的抽吸管241。抽吸管241之一端，於第2保持部201的下面之支撐晶圓S未被保持的場所有開口。此外，於抽吸管241之另一端，被連接於例如真空泵等負壓產生裝置(未圖示)。
進而，於第2保持部201的內部，有供加熱支撐晶圓S之加熱機構242。於加熱機構242，例如使用加熱器。
於第2保持部201的上面，設有把支撐該第2保持部201的支撐構件250與第2保持部201往鉛直下方按壓的加壓機構260。加壓機構260，具有以覆蓋被處理晶圓W與支撐晶圓S的方式設置的壓力容器261，與對壓力容器261的內部供給流體，例如壓縮空氣之流體供給管262。此外，支撐構件250，在鉛直方向自由伸縮地被構成，於壓力容器261的外側例如設於3處所。
壓力容器261，例如藉由在鉛直方向自由伸縮的例如不銹鋼製的伸縮管來構成。壓力容器261，其下面抵接於第2保持部201的上面，同時上面抵接於設在第2保持部201的上方的支撐板263的下面。流體供給管262，其一端被連接於壓力容器261，另一端被連接於流體供給源 (未圖示)。接著，藉由對壓力容器261由流體供給管262供給流體，壓力容器261會伸長。此時，壓力容器261的上面與支撐板263的下面抵接，所以壓力容器261僅往下方向伸長，可以使設於壓力容器261的下面之第2保持部201往下方按壓。此外此時，壓力容器261的內部藉由流體加壓，所以壓力容器261可以面內均勻地按壓第2保持部201。按壓第2保持部201時之荷重的調節，係藉由調整對壓力容器261供給的壓縮空氣的壓力來進行的。又，支撐板263，最好是藉由具有即使受到以加壓機構260對第2保持部201施加荷重的反作用力也不會變形的強度之構件來構成為較佳。又，省略本實施型態的支撐板263，使壓力容器的上面抵接於處理容器100的天花板面亦可。
又，接合裝置31~33的構成，與前述之接合裝置30的構成相同，所以省略說明。
其次，說明前述之塗佈裝置40之構成。塗佈裝置40，如圖22所示具有可以使內部密閉的處理容器270。於處理容器270的晶圓搬送區域60側的側面，被形成被處理晶圓W之搬出搬入口(未圖示)，於該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。
於處理容器270內的中央部，設有保持被處理晶圓W而使其迴轉的旋轉晶圓座280。旋轉晶圓座280，具有水平的上面，於該上面，設有例如抽吸著被處理晶圓W的抽吸口(未圖示)。藉由從此抽吸口之抽吸，使被處理晶 圓W可以吸附保持於旋轉晶圓座280上。
於旋轉晶圓座280的下方，設有具備例如馬達等的晶圓座驅動部281。旋轉晶圓座280，可以藉由晶圓座驅動部281旋轉於特定的速度。此外，於晶圓座驅動部281，設有例如汽缸等之升降驅動源，旋轉晶圓座280成為可自由升降。
於旋轉晶圓座280的周圍，為了承接由被處理晶圓W飛散或落下的液體，設有進行回收的杯282。於杯282的下面，被連接著排出回收的液體之排出管283，與真空抽吸杯282內的氛圍而進行排氣的排氣管284。
如圖23所示於杯282的X方向負方向(圖23中之下方向)側，被形成沿著Y方向(圖23中之左右方向)延伸的軌道290。軌道290，例如由杯282的Y方向負方向(圖23中的左方向)側的外方起形成至Y方向正方向(圖23中的右方向)側的外方為止。於軌道290，被安裝著臂291。
於臂291，如圖22及圖23所示被支撐著對被處理晶圓W供給液體狀的接著劑G之接著劑噴嘴293。臂291，藉由圖23所示之噴嘴驅動部294，可以自由移動於軌道290上。藉此，接著劑噴嘴293，可以由被設置在杯282的Y方向正方向側的外方之等待部295移動至杯282內的被處理晶圓W的中心部上方為止，進而，可以使該被處理晶圓W上移動於被處理晶圓W的直徑方向。此外，臂291，藉由噴嘴驅動部294而自由升降，可以調節接著劑 噴嘴293的高度。
於接著劑噴嘴293，如圖22所示被連接著對該接著劑噴嘴293供給接著劑G的供給管296。供給管296，連通於內部貯留接著劑G的接著劑供給源297。此外，於供給管296，設有包含控制接著劑G的流動之閥與流量調節部等的供給機器群298。
又，於旋轉晶圓座280的下方，亦可設有朝向被處理晶圓W的背面，亦即非接合面WN噴射洗淨液的背後潤濕噴嘴(未圖示)。藉由此背後潤濕噴嘴所噴射的洗淨液，被處理晶圓W的非接合面WN與被處理晶圓W的外周部被洗淨。
其次，說明前述之熱處理裝置41~46之構成。熱處理裝置41，如圖24所示具有可以使內部閉鎖的處理容器300。於處理容器300的晶圓搬送區域60側的側面，被形成被處理晶圓W之搬出搬入口(未圖示)，於該搬出搬入口設有開關快門(未圖示)。
於處理容器300的天花板面，被形成對該處理容器300的內部供給例如氮氣氣體等惰性氣體之氣體供給口301。於氣體供給口301，被連接著連通於氣體供給源302的氣體供給管303。於氣體供給管303，設有包含控制惰性氣體的流動之閥與流量調節部等的供給機器群304。
於處理容器300的底面，被形成把該處理容器300的內部的氛圍予以抽吸之吸氣口305。於吸氣口305，例如被連接著連通至真空泵等負壓產生裝置306的吸氣管 307。
於處理容器300的內部，設有加熱處理被處理晶圓W的加熱部310，與溫度調節被處理晶圓W的溫度調節部311。加熱部310與溫度調節部311並排配置於Y方向。
加熱部310，具備收容熱板320保持熱板320的外周部的環狀的保持構件321，及包圍該保持構件321的外周之約略筒狀的支撐環322。熱板320，為具有厚度之約略圓盤形狀，可以載置被處理晶圓W而加熱。此外，於熱板320，例如內藏加熱器323。熱板320的加熱溫度例如藉由控制部360來控制，被載置於熱板320上的被處理晶圓W被加熱至特定的溫度。
於熱板320的下方，例如設有3根由下方支撐被處理晶圓W而使其升降之用的升降栓330。升降栓330，藉由升降驅動部331而可以上下移動。於熱板320的中央部附近，使該熱板320貫通於厚度方向的貫通孔332例如被形成於3個處所。接著，升降栓330插通貫通孔332，成為可以由熱板320的上面突出。
溫度調節部311，具有溫度調節板340。溫度調節板340，如圖25所示具有約略方形的平板形狀，熱板320側的端面彎曲為圓弧狀。於溫度調節板340，被形成沿著Y方向之2條狹縫341。狹縫341，由溫度調節板340的熱板320側之端面起形成到溫度調節板340的中央部附近為止。藉由此狹縫341，可以防止溫度調節板340，與加熱部310的升降栓330及後述之溫度調節部311之升降栓 350產生干涉。此外，於溫度調節板340，內藏例如珀爾帖(Peltier)元件等溫度調節構件(未圖示)。溫度調節板340的冷卻溫度例如藉由控制部360來控制，被載置於溫度調節板340上的被處理晶圓W被冷卻至特定的溫度。
溫度調節板340，如圖24所示被支撐於支撐臂342。於支撐臂342，被安裝著驅動部343。驅動部343，被安裝於延伸在Y方向之軌道344。軌道344，由溫度調節部311延伸到加熱部310。藉由此驅動部343，溫度調節板340，可以沿著軌道344移動於加熱部310與溫度調節部311之間。
於溫度調節板340的下方，例如設有3根由下方支撐被處理晶圓W而使其升降之用的升降栓350。升降栓350，藉由升降驅動部351而可以上下移動。接著，升降栓350插通狹縫341，成為可以由溫度調節板340的上面突出。
又，熱處理裝置42~46的構成，與前述之熱處理裝置41的構成相同，所以省略說明。
於以上之接合系統1，如圖1所示，設有控制部360。控制部360，例如為電腦，具有程式容納部(未圖示)。於程式容納部，被收容著控制接合系統1之被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T的處理之程式。此外，於程式容納部，也收容著供控制前述各種處理裝置或搬送裝置等的驅動系的動作，實現接合系統1之後述的接合處理之用的程式。又，前述程式，係被記錄於例如電腦可讀 取的硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、光磁碟(MO)、記憶卡等電腦可讀取的記憶媒體H者，亦可以是由該記憶媒體H對控制部360安裝者。
其次，說明使用如以上所述構成的接合系統1而進行的被處理晶圓W與支撐晶圓S之接合處理方法。圖26係顯示相關的接合處理的主要步驟之流程圖。
首先，收容了複數枚被處理晶圓W的卡匣CW、收容了複數枚支撐晶圓S的卡匣CS、及空的卡匣CT，被載置於搬出搬入站2之特定的卡匣載置板11。其後，藉由晶圓搬送裝置22取出卡匣CW內的被處理晶圓W，搬送至處理站3的第3處理區塊G3之轉移裝置50。此時，被處理晶圓W，係以其非接合面WN朝向下方的狀態被搬送。
其次，被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61搬送至塗佈裝置40。被搬入塗佈裝置40的被處理晶圓W，由晶圓搬送裝置61遞送至旋轉晶圓座280而被吸附保持。此時，被處理晶圓W之非接合面WN被吸附保持。
接著，藉由臂291使等待部295的接著劑噴嘴293移動至被處理晶圓W的中心部的上方。其後，藉由旋轉晶圓座280使被處理晶圓W旋轉，同時由接著劑噴嘴293對被處理晶圓W的接合面WJ供給接著劑G。被供給的接著劑G藉由離心力擴散至被處理晶圓W的接合面WJ的全面，使該被處理晶圓W的接合面WJ被塗佈接著劑G(圖26之步驟A1)。
其次，被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61搬送至 熱處理裝置41。此時熱處理裝置41的內部被維持於惰性氣體的氛圍。被處理晶圓W被搬入熱處理裝置41時，被處理晶圓W由晶圓搬送裝置61遞送至預先上升而等待的升降栓350。接著，使升降栓350下降，把被處理晶圓W載置於溫度調節板340。
此後，藉由驅動部343使溫度調節板340沿著軌道344移動至熱板320的上方，被處理晶圓W被遞送至預先上升等待的升降栓330。其後，升降栓330下降，被處理晶圓W被載置於熱板320上。接著，熱板320上的被處理晶圓W，被加熱至特定的溫度，例如100℃~300℃(圖26的步驟A2)。藉由進行根據相關的熱板320之加熱使被處理晶圓W上的接著劑G被加熱，該接著劑G硬化。
其後，升降栓330上升，同時溫度調節板340移動往熱板320的上方。接著，被處理晶圓W由升降栓330被遞送至溫度調節板340，溫度調節板340移動至晶圓搬送區域60。此溫度調節板340之移動中，被處理晶圓W被溫度調節至特定的溫度。
以熱處理裝置41熱處理的被處理晶圓W，藉由晶圓搬送裝置61搬送至接合裝置30。被搬送至接合裝置30的被處理晶圓W，由晶圓搬送裝置61遞送至遞送部110的遞送臂120後，進而由遞送臂120遞送至晶圓支撐栓121。之後，被處理晶圓W，藉由搬送部112的第1搬送臂170由晶圓支撐栓121搬送至反轉部111。
被搬送至反轉部111的被處理晶圓W，被保持於保持構件151，移動至位置調節機構160。接著，於位置調節機構160，調節被處理晶圓W的缺口部的位置，調節該被處理晶圓W的水平方向的朝向(圖26之步驟A3)。
之後，被處理晶圓W，藉由搬送部112的第1搬送臂170由反轉部111搬送至接合部113。被搬送至接合部113的被處理晶圓W，被載置於第1保持部200(圖26之步驟A4)。在第1保持部200上，以被處理晶圓W的接合面WJ朝向上方的狀態，亦即接著劑G朝向上方的狀態載置被處理晶圓W。
於被處理晶圓W進行上述之步驟A1~A4的處理時，接著該被處理晶圓W進行支撐晶圓S的處理。支撐晶圓S，藉由晶圓搬送裝置61搬送至接合裝置30。又，針對支撐晶圓S被搬送至接合裝置30的步驟，與前述實施形態相同所以省略說明。
被搬送至接合裝置30的支撐晶圓S，由晶圓搬送裝置61遞送至遞送部110的遞送臂120後，進而由遞送臂120遞送至晶圓支撐栓121。之後，支撐晶圓S，藉由搬送部112的第1搬送臂170由晶圓支撐栓121搬送至反轉部111。此外，遞送臂120的臂部130，在支撐晶圓S由遞送臂120遞送至晶圓支撐栓121之後，藉由內藏的溫度調節構件溫度調節至處理的特定溫度，例如常溫(23℃)。
被搬送至反轉部111的支撐晶圓S，被保持於保持構 件151，移動至位置調節機構160。接著，於位置調節機構160，調節支撐晶圓S的缺口部的位置，調節該支撐晶圓S的水平方向的朝向(圖26之步驟A5)。水平方向的朝向被調整之支撐晶圓S，由位置調節機構160移動於水平方向，且移動往鉛直方向上方後，其表背面被反轉(圖26之步驟A6)。亦即，支撐晶圓S的接合面SJ朝向下方。
之後，支撐晶圓S，被移動至鉛直方向下方後，藉由搬送部112的第2搬送臂171由反轉部111搬送至接合部113。此時，第2搬送臂171，僅保持支撐晶圓S的接合面SJ的外周部，所以不會因為附著於例如第2搬送臂171的微粒而汙染接合面SJ。被搬送至接合部113的支撐晶圓S，被吸附保持於第2保持部201(圖26之步驟A7)。在第2保持部201，支撐晶圓S的接合面SJ以朝向下方的狀態使支撐晶圓S被保持著。
於接合裝置30，被處理晶圓W與支撐晶圓S分別被保持於第1保持部200與第2保持部201時，以被處理晶圓W對向於支撐晶圓S的方式，藉由移動機構220調整第1保持部200的水平方向的位置(圖26之步驟A8)。又，此時，第2保持部201與支撐晶圓S之間的壓力例如為0.1氣壓(=0.01MPa)。此外，施加於第2保持部201的上面的壓力為大氣壓之1.0氣壓(=0.1MPa)。為了維持施加於此第2保持部201的上面之大氣壓，亦可使加壓機構260的壓力容器261內的壓力為大氣壓，於第2保持 部201的上面與壓力容器261之間形成間隙亦可。
其次，如圖27所示藉由移動機構220使第1保持部200上升，同時使支撐構件223伸長而使第2保持部201被支撐於支撐構件223。此時，藉由調整支撐構件223的高度，以被處理晶圓W與支撐晶圓S之鉛直方向的距離成為特定的距離的方式來調整(圖26之步驟A9)。又，此特定距離，係密封材231接觸於第1保持部200，且如後述般第2保持部201及支撐晶圓S的中心部撓曲時，支撐晶圓S的中心部接觸於被處理晶圓W之高度。如此進行，於第1保持部200與第2保持部201之間形成被密閉的接合空間R。
之後，由吸氣管241抽吸接合空間R的氛圍。接著，接合空間R內的壓力被減壓至例如0.3氣壓(=0.03MPa)時，於第2保持部201，被施加與施加於第2保持部201的上面的壓力與接合空間R內的壓力差，亦即0.7氣壓(=0.07MPa)。如此一來，如圖28所示第2保持部201的中心部撓曲，被保持於第2保持部201的支撐晶圓S的中心部也撓曲。又，如此即使接合空間R內的壓力減壓至0.3氣壓(=0.03MPa)為止，也因為第2保持部201與支撐晶圓S之間的壓力為0.1氣壓(=0.01MPa)，所以支撐晶圓S保持著被保持於第2保持部201的狀態。
其後，進而抽吸接合空間R的氛圍，使接合空間R內減壓。接著，接合空間R內的壓力成為0.1氣壓(= 0.01MPa)以下時，第2保持部201無法保持支撐晶圓S，如圖29所示支撐晶圓S往下方落下，支撐晶圓S的接合面SJ全面抵接於被處理晶圓W的接合面WJ全面。此時，支撐晶圓S，由抵接於被處理晶圓W的中心部朝向直徑方向外側依序抵接。亦即，即使例如接合空間R內存在著會成為空孔的空氣的場合，空氣也總是存在於比支撐晶圓S與被處理晶圓W抵接處所更為外側，可以使該空氣由被處理晶圓W與支撐晶圓S之間逃逸。如此抑制空孔的發生，同時使被處理晶圓W與支撐晶圓S藉由接著劑G接著(圖26之步驟A10)。
其後，如圖30所示，調整支撐構件223的高度，使第2保持部201的下面接觸於支撐晶圓S的非接合面SN。此時，密封材231彈性變形，第1保持部200與第2保持部201密接。接著，藉由加熱機構211、242使被處理晶圓W與支撐晶圓S在特定的溫度，例如200℃加熱，同時藉由加壓機構260將第2保持部201在特定的壓力例如0.5MPa下網下方按壓。如此一來，被處理晶圓W與支撐晶圓S更堅固地被接著、接合(圖26之步驟A11)。
被處理晶圓W與支撐晶圓S被接合之重合晶圓T，藉由搬送部112的第1搬送臂170遊接合部113搬送至遞送部110。被搬送到遞送部110的重合晶圓T，透過晶圓支撐栓121，遞送至預先被溫度調節到常溫的遞送臂120。此時，重合晶圓T藉由遞送臂120被保持特定時間，被冷卻到常溫(圖26的步驟A12)。此後，重合晶圓T，由遞 送臂120遞送到晶圓搬送裝置61。又，藉由遞送臂120來進行重合晶圓T的溫度調節時，不一定要使重合晶圓T冷卻到常溫，只要溫度調節到該重合晶圓T之搬送時不會產生翹曲或應變的程度之溫度，例如50℃以下即可。
其次，重合晶圓T，藉由晶圓搬送裝置61搬送至轉移裝置51，其後藉由搬出搬入站2的晶圓搬送裝置22被搬送至特定的卡匣載置板11之卡匣CT。如此進行，結束一連串之被處理晶圓W與支撐晶圓S之接合處理。
根據以上的實施型態的話，因為在接合裝置30的處理容器100內，設有作為溫度調節接合部113以及以該接合部113接合的重合晶圓T的重合基板溫度調節部之遞送臂120，所以可以使以接合部113接合的重合晶圓T以處理容器100外部的例如外部的晶圓搬送裝置61搬送前，使該重合晶圓T冷卻到不會產生翹曲或應變的溫度。藉此，例如根據晶圓搬送裝置61進行重合晶圓T的搬送時，可以抑制與支撐基板S接合的被處理晶圓W產生翹曲或應變。
此外，遞送臂120作為溫度調節部發揮功能，所以在把重合晶圓T遞送至接合裝置30的外部的晶圓搬送裝置61之一連串的動作過程中可以進行重合晶圓T的溫度調節。因此，可以把重合晶圓W的溫度調節所要的時間抑制到最小限度。
此外，使用前述之專利文獻1的貼合裝置的場合，有必要在該貼合裝置的外部使晶圓的表背面反轉。相關的場 合，有必要使晶圓的表背面反轉之後，將該晶圓搬送至貼合裝置，所以對於接合處理全體的生產率還有改善的餘地。此外，使晶圓的表背面反轉的話，晶圓的接合面朝向下方。相關的場合，在使用保持通常的晶圓的背面之搬送裝置的場合，成為晶圓的接合面被保持於搬送裝置，例如在搬送裝置附著微粒等的場合，有該微粒附著於晶圓的接合面之虞。進而，專利文獻1的貼合裝置，不具有調節晶圓與支撐基板的水平方向的朝向的功能，有晶圓與支撐基板偏移而接合之虞。
這一點，根據本實施形態的話，因為在接合裝置30內設有反轉部111與接合部113雙方，所以使支撐基板S反轉後，可以藉由搬送部112立刻將該支撐晶圓S搬送至接合部113。如此，在一個接合裝置30內，一起進行支撐晶圓S的反轉，與被處理晶圓W以及支撐晶圓S之接合，所以可以效率佳地進行被處理晶圓W與支撐晶圓S之接合。因此，可以使接合處理的生產性更為提高。
此外，搬送部112之第2搬送臂171，保持支撐晶圓S的接合面SJ的外周部，所以不會因為附著於例如第2搬送臂171的微粒而汙染接合面SJ。此外，搬送部112之第1搬送臂170，保持被處理晶圓W的非接合面WN、支撐晶圓S的接合面SJ、重合晶圓T的背面而搬送。如此般，搬送部112具備2種搬送臂170、171，所以可以效率佳地搬送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T。
此外，於第2搬送臂171，第2保持構件192的斜角 部194其內側面由下側朝向上側擴大成椎狀，所以即使例如被遞送到第2保持構件192的支撐晶圓S在水平方向上偏離了特定的位置，也可以藉由斜角部194圓滑地導引支撐晶圓S而定位。
此外，於第1搬送臂170，於臂部180上設有導引構件183、184，所以可防止被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T由第1搬送臂170飛出或者滑落。
此外，反轉部111，可以藉由第1驅動部153使支撐晶圓S的表背面反轉，同時藉由位置調節機構160調節支撐晶圓S與被處理晶圓W的水平方向的朝向。亦即，於接合部113可以適切地接合支撐晶圓S與被處理晶圓W。此外，於接合部113，於一個反轉部111，一起進行支撐晶圓S的反轉，與支撐晶圓S與被處理晶圓W的水平方向的朝向的調節，所以可以效率佳地進行被處理晶圓W與支撐晶圓S的接合。亦即，可以使接合處理的生產性更為提高。
此外，遞送部110，因為在鉛直方向配置為2段，所以可同時遞送被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T之中的任兩個。亦即，在與接合裝置30之外部之間，可以效率佳地遞送這些被處理晶圓W、支撐晶圓S、重合晶圓T，可以更為提高接合處理的生產率。
此外，熱處理裝置41的內部，可以維持於惰性氣體氛圍，所以可抑制在被處理晶圓W上形成氧化膜。因此，可以適切地進行被處理晶圓W的熱處理。
在以上的實施型態，是在把被處理晶圓W配置於下側，且把支撐晶圓S配置於上側的狀態，接合這些被處理晶圓W與支撐晶圓S，但被處理晶圓W與支撐晶圓S之上下配置為相反亦可。相關的場合，對支撐晶圓S進行前述之步驟A1~A4，對該支撐晶圓S的接合面SJ塗佈接著劑G。此外，對被處理晶圓W進行前述步驟A5~A7，使該被處理晶圓W的表背面反轉。接著，進行前述步驟A8~A11，接合支撐晶圓S與被處理晶圓W。但是，由保護被處理晶圓W上的電子電路等的觀點來看，以在被處理晶圓W上塗佈接著劑G為佳。
此外，在以上的實施形態，是在塗佈裝置40在被處理晶圓W與支撐晶圓S的任一方塗佈接著劑G，但是對被處理晶圓W與支撐晶圓S之雙方塗佈接著劑G亦可。
在以上的實施形態，於步驟A2是把被處理晶圓W加熱至特定的溫度100℃~300℃，但是以2階段進行被處理晶圓W的熱處理亦可。例如，於熱處理裝置41，加熱至第1熱處理溫度，例如100℃~150℃之後，於熱處理裝置44加熱至第2熱處理溫度，例如150℃~300℃。相關的場合，可以使熱處理裝置41與熱處理裝置44之加熱機構自身的溫度維持一定。亦即，沒有必要進行該加熱機構的溫度調節，可以進而提高被處理晶圓W與支撐晶圓S的接合處理的生產性。
在以上的實施形態，藉由遞送臂120進行重合晶圓T的溫度調節，但是重合晶圓T的溫度調節，只要可以在該 重合晶圓T被搬出處理容器100的外部之前，換句話說在重合晶圓T被遞送到接合裝置30的外部之晶圓搬送裝置61之前即可，沒有必要在遞送臂120進行，例如亦可以搬送臂170進行溫度調節。相關的場合，作為搬送臂170，與遞送臂120同樣，使用具備其內部內藏有珀爾帖(Peltier)元件等溫度調節構件的約略圓板形狀的臂部者。又，在此場合，接合部113的第2保持部201的缺口201a，被形成為對應遞送臂120的導件141的位置與大小。
如此般，使用與遞送臂120同樣構成的搬送臂170溫度調節重合晶圓T的話，可以進而更抑制在與支撐基板S接合的被處理晶圓W產生翹曲或應變。總之，把例如溫度調節前的重合晶圓T遞送至遞送部110的晶圓支撐栓121的場合，在維持高溫的狀態下被支撐於晶圓支撐栓121，所以在被支撐於晶圓支撐栓121時會有在重合晶圓產生翹曲或應變之虞。這一點，改以約略圓板形狀的搬送臂170溫度調節重合晶圓T的話，在晶圓支撐栓121重合晶圓T變成不會翹曲或者應變。
此外，遞送臂120或搬送臂170以外進行溫度調節重合晶圓T時，例如如圖31所示，於接合裝置30的接合區域D2另行設置作為重合基板溫度調節部之重合晶圓溫度調節部400，藉由此重合晶圓溫度調節部400進行重合晶圓T的溫度調節亦可。
相關的場合，例如如圖31所示，搬送部112對延伸 於X方向的軌道401自由移動的設置。接著，在接合部113被接合的重合晶圓T，藉由搬送臂170被搬送至配置在X軸正方向側的溫度調節部400為止。其後，重合晶圓T在溫度調節部400被冷卻至常溫，中介著晶圓支撐栓121及遞送臂120，被遞送至晶圓搬送裝置61。又，作為重合晶圓溫度調節部400，例如具有與熱處理裝置41同樣的構成，替代熱板320，使用把內藏於加熱部310的加熱器323，變更為例如珀爾帖(Peltier)元件等之溫度調節構件的溫度調節板402。
以上，參照附圖說明本發明之適切的實施型態，但是本發明並不以相關之例為限。如果是熟悉該項技藝者，於申請專利範圍所記載之思想的範圍內，所能夠想到的各種變更例或者修正例，當然也應該被瞭解為係屬於本發明的技術範圍內。本發明並不限於此例，可以採取種種態樣。本發明在被處理基板為晶圓以外之FPD(平面面板顯示器)、光罩用之遮罩標線等其他基板的場合也可以適用。此外，本發明也可以適用於支撐基板為晶圓以外的玻璃基板等其他基板的場合。
1‧‧‧接合系統
2‧‧‧搬出搬入站
3‧‧‧處理站
30~33‧‧‧接合裝置
40‧‧‧塗佈裝置
41~46‧‧‧熱處理裝置
60‧‧‧晶圓搬送區域
110‧‧‧遞送部
111‧‧‧反轉部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧接合部
150‧‧‧保持臂
151‧‧‧保持構件
152‧‧‧缺口
153‧‧‧第1驅動部
154‧‧‧第2驅動部
160‧‧‧位置調節機構
170‧‧‧第1搬送臂
171‧‧‧第2搬送臂
182‧‧‧O環
183‧‧‧第1導引構件
184‧‧‧第2導引構件
192‧‧‧第2保持構件
193‧‧‧載置部
194‧‧‧斜角部
301‧‧‧氣體供給口
305‧‧‧吸氣口
360‧‧‧控制部
G‧‧‧接著劑
S‧‧‧支撐晶圓
T‧‧‧重合晶圓
W‧‧‧被處理晶圓
圖1係顯示相關於本實施型態之接合系統的構成概略之平面圖。
圖2係顯示相關於本實施型態之接合系統的內部構成概略之側面圖。
圖3為被處理晶圓與支撐晶圓之側面圖。
圖4係顯示接合裝置的構成概略之橫剖面圖。
圖5係顯示遞送部的構成概略之平面圖。
圖6係顯示遞送臂的構成概略之平面圖。
圖7係顯示遞送臂的構成概略之側面圖。
圖8係顯示反轉部的構成概略之平面圖。
圖9係顯示反轉部的構成概略之側面圖。
圖10係顯示反轉部的構成概略之側面圖。
圖11係顯示保持臂與保持構件的構成概略之側面圖。
圖12係顯示遞送部與反轉部的位置關係之說明圖。
圖13係顯示搬送部的構成概略之側面圖。
圖14係顯示搬送部被配置於接合裝置內的模樣之說明圖。
圖15係顯示第1搬送臂的構成的概略之平面圖。
圖16係顯示第1搬送臂的構成的概略之側面圖。
圖17係顯示第2搬送臂的構成的概略之平面圖。
圖18係顯示第2搬送臂的構成的概略之側面圖。
圖19係顯示於第2保持部形成缺口的模樣之說明圖。
圖20係顯示接合部的構成的概略之縱剖面圖。
圖21係顯示接合部的構成的概略之縱剖面圖。
圖22係顯示塗佈裝置的構成的概略之縱剖面圖。
圖23係顯示塗佈裝置的構成的概略之橫剖面圖。
圖24係顯示熱處理裝置的構成的概略之縱剖面圖。
圖25係顯示熱處理裝置的構成的概略之橫剖面圖。
圖26係顯示接合處理的主要步驟之流程圖。
圖27係顯示使第1保持部上升的模樣之說明圖。
圖28係顯示第2保持部的中心部撓曲的模樣之說明圖。
圖29係顯示支撐晶圓的接合面全面抵接於被處理晶圓的接合面全面的模樣之說明圖。
圖30係顯示接合被處理晶圓與支撐晶圓的模樣之說明圖。
圖31係顯示相關於其他實施型態之接合裝置的構成的概略之橫剖面圖。
30‧‧‧接合裝置
100‧‧‧處理容器
101‧‧‧搬出搬入口
102‧‧‧內壁
103‧‧‧搬出辦入口
110‧‧‧遞送部
111‧‧‧反轉部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧接合部
120‧‧‧遞送臂
121‧‧‧晶圓支撐栓
150‧‧‧保持臂
160‧‧‧位置調節機構
171‧‧‧第2搬送臂
D1‧‧‧前處理區域
D2‧‧‧接合區域
W‧‧‧被處理晶圓
S‧‧‧支撐晶圓
T‧‧‧重合晶圓

Claims (18)

  1. 一種接合裝置，係接合被處理基板與支撐基板的接合裝置，其特徵為具有：可密閉內部的處理容器、中介著接著劑，按壓被處理基板與支撐基板而接合的接合部，以及溫度調節以前述接合部接合的重合基板之重合基板溫度調節部；前述接合部及前述重合基板溫度調節部，被配置於前述處理容器內。
  2. 如申請專利範圍第1項之接合裝置，其中於前述處理容器內，具有在與該處理容器的外部之間，進行被處理基板、支撐基板或重合基板的遞送之用的遞送部，前述重合基板溫度調節部，設於前述遞送部。
  3. 如申請專利範圍第2項之接合裝置，其中前述遞送部，具備約略圓板形狀的遞送臂，前述重合基板溫度調節部為內藏溫度調節構件的前述遞送臂。
  4. 如申請專利範圍第2或3項之接合裝置，其中於前述處理容器內，進而設置使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的被處理基板接合的支撐基板，或者使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的支撐基板接合的被處理基板的表背面反轉 之反轉部，以及對前述遞送部、前述反轉部及前述接合部，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之搬送部。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之接合裝置，其中前述遞送部，於鉛直方向上被配置複數個。
  6. 如申請專利範圍第1項之接合裝置，其中於前述處理容器內，設有對前述接合部，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之搬送部，前述重合基板溫度調節部，設於前述搬送部。
  7. 如申請專利範圍第6項之接合裝置，其中前述搬送部，具備約略圓板形狀的搬送臂，前述重合基板溫度調節部為內藏溫度調節構件的前述搬送臂。
  8. 如申請專利範圍第6或7項之接合裝置，其中具有：在與前述處理容器的外部之間，進行被處理基板、支撐基板或重合基板的遞送之遞送部，以及使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的被處理基板接合的支撐基板，或者使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的支撐基板接合的被處理基板的表背面反轉之反轉部；前述搬送部，也對前述反轉部，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板。
  9. 如申請專利範圍第8項之接合裝置，其中 前述遞送部，於鉛直方向上被配置複數個。
  10. 一種接合系統，其特徵係具備申請專利範圍第1~3項之任一項之接合裝置的接合系統，具有：具備前述接合裝置、於被處理基板或支撐基板塗佈接著劑的塗佈裝置、將被塗佈前述接著劑的被處理基板或支撐基板加熱至特定溫度的熱處理裝置、以及對前述塗佈裝置、前述熱處理裝置及前述接合裝置，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板支用的搬送區域的接合處理站；以及把被處理基板、支撐基板或者被處理基板與支撐基板被接合的重合基板，對前述接合處理站進行搬出搬入的搬出搬入站。
  11. 一種接合方法，係使用接合裝置接合被處理基板與支撐基板之接合方法，其特徵為：前述接合裝置，具有：可密閉內部的處理容器、中介著接著劑，按壓被處理基板與支撐基板而接合的接合部，以及溫度調節以前述接合部接合的重合基板之重合基板溫度調節部；前述接合部及前述重合基板溫度調節部，被配置於前述處理容器內；前述接合方法，具有：於前述接合部，按壓被塗佈接著劑被加熱至特定的溫度之被處理基板與支撐基板而接合的接合步驟，以及接合步驟後以前述重合基板溫度調節部將重合基板進行溫度調節之溫度調節步驟。
  12. 如申請專利範圍第11項之接合方法，其中於前述處理容器內，設有在與該處理容器的外部之間，遞送被處理基板、支撐基板或重合基板之用的遞送部；前述重合基板溫度調節部，設於前述遞送部；前述溫度調節步驟，於前述遞送部進行。
  13. 如申請專利範圍第12項之接合方法，其中前述遞送部，具備約略圓板形狀的遞送臂，前述重合基板溫度調節部為內藏溫度調節構件的前述遞送臂，前述溫度調節步驟，係在將重合基板藉由前述遞送臂遞送至前述接合裝置的外部的期間進行的。
  14. 如申請專利範圍第12或13項之接合方法，其中於前述處理容器內，進而設置使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的被處理基板接合的支撐基板，或者使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的支撐基板接合的被處理基板的表背面反轉之反轉部，以及對前述遞送部、前述反轉部及前述接合部，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之搬送部；前述接合方法，具有：藉由前述搬送部由前述遞送部至前述反轉部，把被塗佈接著劑被加熱至特定的溫度的支撐基板或者被塗佈接著劑被加熱至特定的溫度的被處理基板搬送至前述反轉部，於該反轉部反轉支撐基板或被處理基板的表背面之反轉步驟； 於前述接合步驟，藉由前述搬送部由前述反轉部至前述接合部搬送被處理基板或支撐基板，於該接合部接合被處理基板與支撐基板。
  15. 如申請專利範圍第11項之接合方法，其中於前述處理容器內，設有對前述接合部，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板之搬送部，前述重合基板溫度調節部，設於前述搬送部；前述溫度調節步驟，於前述搬送部進行。
  16. 如申請專利範圍第15項之接合方法，其中前述搬送部，具備約略圓板形狀的搬送臂，前述重合基板溫度調節部為內藏溫度調節構件的前述搬送臂，前述溫度調節步驟，係在將重合基板藉由前述遞送臂遞送至前述接合裝置的外部的期間進行的。
  17. 如申請專利範圍第15或16項之接合方法，其中於前述處理容器內，進而設置在與外部之間，進行被處理基板、支撐基板或重合基板的遞送之用的遞送部；使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的被處理基板接合的支撐基板，或者使與被塗佈前述接著劑被加熱至特定的溫度的支撐基板接合的被處理基板的表背面反轉之反轉部；前述搬送部，亦可對前述反轉部，搬送被處理基板、支撐基板或重合基板，前述接合方法，具有： 藉由前述搬送部由前述遞送部至前述反轉部，把被塗佈接著劑被加熱至特定的溫度的支撐基板或者被塗佈接著劑被加熱至特定的溫度的被處理基板搬送至前述反轉部，於該反轉部反轉支撐基板或被處理基板的表背面之反轉步驟；於前述接合步驟，藉由前述搬送部由前述反轉部至前述接合部搬送被處理基板或支撐基板，於該接合部接合被處理基板與支撐基板。
  18. 一種電腦記憶媒體，其特徵為供藉由接合裝置執行申請專利範圍第11~13項之任一項之接合方法，容納在控制該接合裝置的控制部之電腦上動作的程式之可讀取的電腦記憶媒體。
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