CN102714139B - 接合系统和接合方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种接合系统和接合方法。接合系统包括：输入输出站，其能够保有多个基板或多个层叠基板并相对于处理站进行基板或层叠基板的输入输出；处理站，其用于对基板进行规定的处理，并将基板彼此接合。处理站包括：表面活化装置，其用于使基板的表面活化；表面亲水化装置，其用于使基板的表面亲水化并对基板的表面进行清洗；接合装置，其用于将基板彼此接合；输送区域，其用于相对于表面活化装置、表面亲水化装置和接合装置输送基板或层叠基板。

Description

接合系统和接合方法
技术领域
本发明涉及一种将基板彼此接合的接合系统和接合方法。 
背景技术
近年来，半导体器件的高集成化不断发展。在水平面内配置高集成化的多个半导体器件并用布线连接上述半导体器件而进行产品化时，会担心由于布线长度增加而导致布线的电阻变大还有布线延迟变大的情况。 
因此，提出有使用对半导体器件进行三维层叠的三维集成技术的方案。在该三维集成技术中，例如，使用接合装置来进行两张半导体晶圆（以下，称为“晶圆”）的接合。例如，接合装置包括：射束照射部件，其用于向晶圆的表面照射非活性气体离子束或非活性气体中性原子束；一组工作辊，其在使两张晶圆重叠的状态下对该两张晶圆进行按压。并且，在该接合装置中，利用射束照射部件来使晶圆的表面（接合面）活化，在使两张晶圆重叠的状态下，使该两张晶圆的表面之间产生范德华力而临时接合。之后，通过按压两张晶圆来使晶圆彼此接合（专利文献1）。 
先行技术文献 
专利文献 
专利文献1：日本特开2004－337928号公报 
发明内容
发明要解决的问题
但是，在使用专利文献1所述的接合装置的情况下，利用一组工作辊来按压两张晶圆时的负载有可能导致晶圆破损。 
并且，由于利用在表面活化后的两张晶圆的表面之间产生范德华力来进行的临时接合的接合强度不充分，因此，在从铅垂方向错开地按压两张晶圆的情况下，有可能产生晶圆的错位。 
并且，为了将晶圆彼此适当地接合，对两张晶圆的按压需要很多时间，因此会导致晶圆接合处理的生产率降低。 
本发明是考虑到上述这点而做成的，其目的在于将基板彼此适当地接合并提高基板接合处理的生产率。 
用于解决问题的手段
为了实现上述目的，本发明提供一种接合系统，其用于将基板彼此接合，其中，该接合系统包括：处理站，其对基板进行规定的处理并将基板彼此接合；输入输出站，其能够分别保有多个基板或多个由基板彼此接合而成的层叠基板并相对于上述处理站输入或输出基板或层叠基板，上述处理站包括：表面活化装置，其用于使基板的将被接合的表面活化；表面亲水化装置，其用于使基板的利用上述表面活化装置活化后的表面亲水化；接合装置，其用于将利用上述表面亲水化装置进行了表面亲水化的基板彼此接合；输送区域，其用于相对于上述表面活化装置、上述表面亲水化装置和上述接合装置输送基板或层叠基板，上述输送区域内的压力为大气压以上，相对于上述输送区域内的压力，上述接合装置内的压力为正压，相对于上述表面活化装置内的压力、上述表面亲水化装置内的压力和上述输入输出站内的压力，上述输送区域内的压力为正压。另外，基板的表面是指基板的将被接合的接合面。 
采用本发明的接合系统，在表面活化装置中使基板的表面活化之后，在表面亲水化装置中使基板的表面亲水化，从而能够在该表面形成羟基。然后，在接合装置中，利用范德华力将活化后的基板的表面彼此接合，之后，使亲水化后的基板的表面的羟基发生氢键结合，从而能够将基板彼此牢固地接合。因此，不必如以往那样在使基板重叠的状态下来进行按压。因而， 基板不会如以往那样破损，并且，也不用担心产生基板的错位。而且，由于基板彼此是仅利用范德华力和氢键而接合的，因此，能够使接合所需要的时间缩短。因而，采用本发明，能够将基板彼此适当地接合并提高基板接合处理的生产率。并且，由于输入输出站能够保有多个基板或多个层叠基板，因此，能够从输入输出站向处理站连续地输送基板并利用该处理站来连续地处理基板，因此，能够进一步提高基板接合处理的生产率。 
本发明的另一技术方案提供一种接合方法，其用于将基板彼此接合，其中，该接合方法包括以下工序：表面活化工序，在表面活化装置中使基板的将被接合的表面活化；表面亲水化工序，其在表面活化工序之后，经由输送区域将基板输送到表面亲水化装置，在该表面亲水化装置中使基板的表面亲水化；接合工序，其在表面亲水化工序之后，经由输送区域将基板输送到接合装置，在该接合装置中利用范德华力和氢键来将进行了上述表面活化工序和上述表面亲水化工序的基板彼此接合，该接合方法对多个基板连续地进行上述表面活化工序、表面亲水化工序和接合工序，上述输送区域内的压力为大气压以上，相对于上述输送区域内的压力，上述接合装置内的压力为正压，相对于上述表面活化装置内的压力和上述表面亲水化装置内的压力，上述输送区域内的压力为正压。 
发明的效果
采用本发明，能够将基板彼此适当地接合并提高基板接合处理的生产率。 
附图说明
图1是表示本实施方式的接合系统的概略结构的俯视图。 
图2是表示本实施方式的接合系统的概略内部结构的侧视图。 
图3是上晶圆与下晶圆的侧视图。 
图4是表示表面活化装置的概略结构的俯视图。 
图5是表示表面活化装置的概略内部结构的侧视图。 
图6是表示处理部的概略结构的纵剖视图。 
图7是热处理板的俯视图。 
图8是表示表面亲水化装置的概略结构的纵剖视图。 
图9是表示表面亲水化装置的概略结构的横剖视图。 
图10是表示接合装置的概略结构的横剖视图。 
图11是表示接合装置的概略结构的纵剖视图。 
图12是位置调节机构的侧视图。 
图13是上部吸盘的俯视图。 
图14是上部吸盘的纵剖视图。 
图15是翻转机构的侧视图。 
图16是在接合系统内产生的气流的说明图。 
图17是表示晶圆接合处理的主要工序的流程图。 
图18是表示对上晶圆与下晶圆的水平方向的位置进行调节的情形的说明图。 
图19是表示对上晶圆与下晶圆的铅垂方向的位置进行调节的情形的说明图。 
图20是表示利用推动构件来按压上晶圆的一端部与下晶圆的一端部的情形的说明图。 
图21是表示在每个区域停止上部吸盘的抽真空的情形的说明图。 
图22是表示上晶圆与下晶圆被接合后的情形的说明图。 
图23是表示另一实施方式的接合系统的概略内部结构的侧视图。 
图24是表示检查装置的概略结构的纵剖视图。 
图25是表示检查装置的概略结构的横剖视图。 
图26是表示另一实施方式的接合系统的概略结构的俯视图。 
图27是表示热处理装置的概略结构的纵剖视图。 
图28是表示热处理装置的概略结构的横剖视图。 
具体实施方式
以下，说明本发明的实施方式。图1是表示本实施方式的接合系统1的概略结构的俯视图。图2是表示接合系统1的概略内部结构的侧视图。 
在接合系统1中，如图3所示那样例如将两张作为基板的晶圆WU、WL接合。下面，将配置于上侧的晶圆称为“上晶圆WU”，将配置于下侧的晶圆称为“下晶圆WL”。并且，将上晶圆WU的将被接合的接合面称为“表面WU1”，将与该表面WU1相反的那一侧的面称为“背面WU2”。同样，将下晶圆WL的将被接合的接合面称为“表面WL1”，将与该表面WL1相反的那一侧的面称为“背面WL2”。并且，在接合系统1中，将上晶圆WU与下晶圆WL接合，从而形成作为层叠基板的层叠晶圆WT。 
如图1所示，接合系统1例如具有将输入输出站2与处理站3连接成一体而成的结构，该输入输出站2供在其与外部之间输入或输出晶圆盒CU、CL、CT，该晶圆盒CU、CL、CT分别能够容纳多张晶圆WU、多张晶圆WL、多张层叠晶圆WT，该处理站3包括用于对晶圆WU、WL、层叠晶圆WT实施规定的处理的各种处理装置。 
在输入输出站2中设有晶圆盒载置台10。在晶圆盒载置台10上设有多个、例如4个晶圆盒载置板11。晶圆盒载置板11以在水平方向的X方向（图1中的上下方向）上排列成一列的方式配置。在接合系统1相对于外部输入或输出晶圆盒CU、CL、CT时，能够将晶圆盒CU、CL、CT载置在上述的晶圆盒载置板11上。如此，输入输出站2能够保有多个上晶圆WU、多个下晶圆WL、多个层叠晶圆WT。另外，晶圆盒载置板11的个数不限定于本实施方式，而是能够任意地决定。另外，也可以将其中的一个晶圆盒用于回收不良晶圆。即，能够是各种原因所导致的、 在上晶圆WU与下晶圆WL接合中产生不良的晶圆与其他的正常的层叠晶圆WT相分离的晶圆盒。在本实施方式中，将多个晶圆盒CT之中的1个晶圆盒CT用于回收不良晶圆，将其他的晶圆盒CT用于容纳正常的层叠晶圆WT。 
在输入输出站2中，与晶圆盒载置台10相邻地设有晶圆输送部20。在晶圆输送部20中设有在沿X方向延伸的输送路径21上自由移动的晶圆输送装置22。晶圆输送装置22在铅垂方向和绕铅垂轴线的方向（θ方向）上也自由移动，能够在各晶圆盒载置板11上的晶圆盒CU、CL、CT与后述的处理站3的第3处理区G3的传送装置50、51之间输送晶圆WU、WL、层叠晶圆WT。在晶圆输送部20的内部产生有被称为下降流（down flow）的朝向铅垂下方向的气流。于是，将晶圆输送部20的内部的气氛气体从排气口（未图示）排出。 
在处理站3中设有具有各种装置的多个、例如3个处理区G1、G2、G3。例如，在处理站3的正面侧（图1的X方向的负方向侧）设有第1处理区G1，在处理站3的背面侧（图1的X方向的正方向侧）设有第2处理区G2。并且，在处理站3的靠输入输出站2那一侧（图1的Y方向的负方向侧）设有第3处理区G3。 
例如，在第1处理区G1中配置有用于使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1活化的表面活化装置30。 
例如，在第2处理区G2中从输入输出站2侧起沿水平方向的Y方向按照表面亲水化装置40、接合装置41的顺序排列而配置有亲水化装置40、接合装置41，该亲水化装置40利用例如纯水来使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1亲水化并对该表面WU1、WL1进行清洗，该接合装置41用于将晶圆WU、WL接合。 
例如，如图2所示，在第3处理区G3中从下方分两层依次设有晶圆WU、WL、层叠晶圆WT的传送装置50、51。 
如图1所示，在由第1处理区G1～第3处理区G3围成的区域中形成有晶圆输送区域60。在晶圆输送区域60中例如配置有晶圆输送装置61。另外，在晶圆输送区域60的内部产生有被称为下降流的朝向铅垂下方向的气流。于是，将晶圆输送区域60的内部的气氛气体从排气口（未图示）排出。因而，晶圆输送区域60内的压力为大气压以上，在该晶圆输送区域60中，对晶圆WU、WL、层叠晶圆WT进行所谓的大气系统的输送（在大气压以上的压力下输送）。 
晶圆输送装置61例如具有在铅垂方向上、水平方向（Y方向、X方向）上和在绕铅垂轴线的方向上自由移动的输送臂。晶圆输送装置61在晶圆输送区域60内移动，能够将晶圆WU、WL、层叠晶圆WT输送到周围的第1处理区G1、第2处理区G2和第3处理区G3内的规定的装置中。 
接着，说明上述表面活化装置30的结构。如图4所示，表面活化装置30包括：处理部70，其进行用于使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1活化的处理；输入输出部71，其用于在其与晶圆输送区域60之间输入或输出晶圆WU、WL；输送部72，其用于在处理部70与输入输出部71之间输送晶圆WU、WL。处理部70与输送部72在水平方向的Y方向上排列并借助闸阀73连接起来。并且，输入输出部71与输送部72以在水平方向的X方向上排列的方式配置。 
如图5所示，在输入输出部71中从下方分三层依次设有用于暂时载置晶圆WU、WL的传送单元80、用于调节晶圆WU、WL的温度的调温单元81、82。如图4所示，在传送单元80、调温单元81、82的靠晶圆输送区域60那一侧的侧面，在晶圆WU、WL的输入输出口（未图示）上分别设有开闭器83。并且，在传送单元80、调温单元81、82的靠输送部72那一侧的侧面，也在晶圆WU、WL的输入输出口（未图示）上分别设有开闭器84。 
如图4所示，在输送部72中设有在铅垂方向上、水平方向上和绕铅垂轴线的方向上自由移动的晶圆输送体90。晶圆输送体90能够在处理部70和输入输出部71之间输送晶圆WU、WL。并且，在输送部72形成有吸气口（未图示），该吸气口与用于对该输送部72的内部的气氛进行抽真空的真空泵（未图示）连通。 
如图6所示，处理部70包括：自由基生成单元100，其对处理气体进行等离子体激励而生成自由基；处理单元101，其使用由自由基生成单元100生成的自由基来使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1活化。自由基生成单元100配置在处理单元101之上。 
自由基生成单元100与向该自由基生成单元100供给处理气体的供给管102连接。供给管102与处理气体供给源103连通。并且，在供给管102上设有包括用于控制处理气体的气流的阀、流量调节部等在内的供给设备组104。另外，作为处理气体，可以使用例如氧气、氮气和氩气。 
处理单元101具有能够使内部密闭的处理容器110。在处理容器110的靠输送部72侧的侧面上形成有晶圆WU、WL的输入输出口111，在该输入输出口111上设有上述闸阀73。并且，在处理容器110的另一侧面上形成有吸气口112。吸气口与吸气管114连接，该吸气管114与用于将该处理容器110的内部的气氛减压至规定的真空度的真空泵113连通。 
在处理容器110的顶板110a上形成有自由基供给口121，该自由基供给口121用于将由自由基生成单元100生成的自由基经由供给管120供给到处理容器110内。供给管120的下部从上方朝向下方去以锥形状扩大，该供给管120的下端面开口而形成了自由基供给口121。 
在处理容器110的内部且位于自由基供给口121的下方的位置设有用于载置晶圆WU、WL并对晶圆WU、WL进行加热处理的热处理板130。热处理板130由支承构件131支承。在热处理板130中内置有例如利用供电而发热的加热器132。例如利用后述的控制装置300来控制热处理板130的加热温度，从而将载置在热处理板130上的晶圆WU、WL维持成规定的温度。 
在热处理板130的下方设有例如3根升降销133，该升降销133用于从下方支承晶圆WU、WL而使晶圆WU、WL升降。能够利用升降驱动部134来使升降销133上下移动。在热处理板130的中央部附近，在例如3个部位形成有沿该热处理板130的宽度方向贯穿该热处理板130的通孔135。于是，升降销133贯穿在通孔135中并能够从热处理板130的上表面突出。 
在自由基供给口121与热处理板130之间，设有自由基导入板140，该自由基导入板140用于将处理容器110内划分为自由基供给口121侧的自由基供给区域R 1和热处理板130侧的处理区域R2。如图7所示，在自由基导入板140上，在水平面内均匀地形成有供自由基穿过的多个通孔141。并且，如图6所示，从自由基供给口121向自由基供给区域R1供给的自由基在穿过自由基导入板140时，被在水平面内均匀地扩散，被导入到自由基供给区域R 1中。此外，自由基导入板140使用例如石英。 
接着，说明上述表面亲水化装置40的结构。如图8所示，表面亲水化装置40具有能够使内部密闭的处理容器150。如图9所示，在处理容器150的靠晶圆输送区域60侧的侧面形成有晶圆WU、WL的输入输出口151，在该输入输出口151上设有开闭器152。 
如图8所示，在处理容器150内的中央部，设有用于保持晶圆WU、WL并使晶圆WU、WL旋转的旋转吸盘160。旋转吸盘160 具有水平的上表面，在该上表面例如设有用于吸引晶圆WU、WL的吸引口（未图示）。利用来自该吸引口的吸引，能够将晶圆W吸附保持在旋转吸盘160上。 
旋转吸盘160具有包括例如电动机等的吸盘驱动部161，该吸盘驱动部161能够使旋转吸盘160以规定的速度旋转。并且，在吸盘驱动部161设有例如气缸等升降驱动源，使旋转吸盘160自由升降。 
在旋转吸盘160的周围设有用于接住并回收从晶圆WU、WL飞散或落下的液体的杯状件162。在杯状件162的下表面连接有用于将回收的液体排出的排出管163、对杯状件162内的气氛进行抽真空而将杯状件162内的气氛气体排出的排气管164。另外，在处理容器150的内部产生有被称为下降流的朝向铅垂下方向的气流。于是，排气管164还将处理容器150的内部的气氛气体排出。 
如图9所示，在杯状件162的X方向的负方向（图9的下方向）侧形成有沿Y方向（图9的左右方向）延伸的导轨170。导轨170例如从杯状件162的Y方向的负方向（图9的左方向）侧的外侧到杯状件162的Y方向的正方向（图9的右方向）侧的外侧地形成。在导轨170上例如安装有喷嘴臂171与刷洗臂172。 
如图8和图9所示，在喷嘴臂171上支承有用于向晶圆WU、WL供给纯水的纯水喷嘴173。喷嘴臂171利用图9所示的喷嘴驱动部174而在导轨170上自由移动。由此，纯水喷嘴173能够从设置于杯状件162的Y方向的正方向侧的外侧的待机部175移动到杯状件162内的晶圆WU、WL的中心部上方，并且，纯水喷嘴173能够沿晶圆WU、WL的径向在该晶圆WU、WL上移动。并且，喷嘴臂171利用喷嘴驱动部174自由升降，能够调节纯水喷嘴173的高度。 
如图8所示，纯水喷嘴173与向该纯水喷嘴173供给纯水的供给管176连接。供给管176与在内部存储纯水的纯水供给源177连通。并且，在供给管176上设置有包括用于控制纯水的水流的阀、流量调节部等在内的供给设备组178。 
在刷洗臂172上支承有刷洗清洗器具180。在刷洗清洗器具180的顶端部设有例如多个丝状、海绵状的刷180a。刷洗臂172利用图9所示的清洗器具驱动部181在导轨170上自由移动，能够使刷洗清洗器具180从杯状件162的Y方向的负方向侧的外侧移动到杯状件162内的晶圆WU、WL的中心部上方。并且，刷洗臂172利用清洗器具驱动部181自由升降，能够调节刷洗清洗器具180的高度。 
另外，在以上结构中，纯水喷嘴173与刷洗清洗器具180由各不相同的臂支承，但是，纯水喷嘴173与刷洗清洗器具180也可以由相同的臂支承。并且，也可以省略纯水喷嘴173而从刷洗清洗器具180供给纯水。并且，也可以省略杯状件162而在处理容器150的底面连接用于排出液体的排出管和用于排出处理容器150内的气氛气体的排气管。并且，也可以在以上的结构的表面亲水化装置40中设置防止带电用的电离器（未图示）。 
接下来，说明上述接合装置41的结构。如图10所示，接合装置41具有能够使内部密闭的处理容器190。在处理容器190的靠晶圆输送区域60侧的侧面上形成有晶圆WU、WL、层叠晶圆WT的输入输出口191，在该输入输出口191上设有开闭器192。另外，在处理容器190的内部产生有被称为下降流的朝向铅垂下方向的气流。于是，将处理容器190的内部的气氛气体从排气口（未图示）排出。 
处理容器190的内部被内壁193划分成输送区域T1与处理区域T2。上述输入输出口191形成于处理容器190的输送区域 T1处的侧面。并且，在内壁193上也形成有晶圆WU、WL、层叠晶圆WT的输出输出口194。 
在输送区域T1的X方向的正方向侧设有用于对晶圆WU、WL进行暂时载置的传送装置200。传送装置200例如形成为两层并能够同时载置晶圆WU、WL、层叠晶圆WT中的任意两个晶圆。 
在输送区域T1中设有在沿X方向延伸的输送路径201上自由移动的晶圆输送体202。如图10和图11所示，晶圆输送体202在铅垂方向和绕铅垂轴线方向上也自由移动，能够在输送区域T1内或在输送区域T1与处理区域T2之间输送晶圆WU、WL、层叠晶圆WT。 
在输送区域T1的X方向的负方向侧设有用于对晶圆WU、WL的水平方向的朝向进行调节的位置调节机构210。如图12所示，位置调节机构210包括：基座211；保持部212，其吸附保持晶圆WU、WL并使晶圆WU、WL旋转；检测部213，其用于检测晶圆WU、WL的凹口部的位置。并且，在位置调节机构210中，通过一边使由保持部212吸附保持的晶圆WU、WL旋转一边利用检测部213来检测晶圆WU、WL的凹口部的位置，调节该凹口部的位置而调节晶圆WU、WL的水平方向的朝向。 
如图10和图11所示，在处理区域T2中设有利用上表面载置和保持下晶圆WL的下部吸盘220与利用下表面吸附保持上晶圆WU的上部吸盘221。上部吸盘221设在下部吸盘220的上方并能够与下部吸盘220相对配置。即，能够相对地配置由下部吸盘220保持的下晶圆WL与由上部吸盘221保持的上晶圆WU。 
在下部吸盘220的内部设有与真空泵（未图示）连通的吸引管（未图示）。利用来自该吸引管的吸引，能够将下晶圆WL吸附保持在下部吸盘220的上表面。 
如图11所示，在下部吸盘220的下方，经由轴222设有吸盘 驱动部223。下部吸盘220利用该吸盘驱动部223自由升降。并且，下部吸盘220也可以利用吸盘驱动部223而在水平方向上自由移动，下部吸盘220还可以利用吸盘驱动部223绕铅垂轴线自由旋转。 
如图13所示，在上部吸盘221中形成有两个缺口部230、231。第1缺口部230以不与后述的翻转机构250的保持臂251干涉的方式形成。并且，第2缺口部231以不与后述的推动构件240干涉的方式形成。 
如图14所示，上部吸盘221的内部被划分为多个、例如3个区域221a、221b、221c。在各区域221a、221b、221c中分别独立地设有用于吸附保持上晶圆WU的吸引管232a、232b、232c。各吸引管232a、232b、232c分别与不同的真空泵233a、233b、233c连接。因此，上部吸盘221能够针对各区域221a、221b、221c中的每一个区域设定上晶圆WU的抽真空。 
如图11所示，在上部吸盘221的上方设有沿Y方向延伸的导轨234。上部吸盘221利用吸盘驱动部235在导轨234上自由移动。并且，上部吸盘221也可以利用吸盘驱动部235在铅垂方向上自由移动，还可以利用吸盘驱动部235绕铅垂轴自由旋转。 
如图10和图11所示，在处理区域T2中设有推动构件240。推动构件240例如利用气缸等驱动部241自由升降。并且，在后述的接合晶圆WU、WL时，推动构件240能够使下晶圆WL的一端部和上晶圆WU的与该下晶圆WL的一端部相对的一端部相抵接，并对下晶圆WU的一端部和上晶圆WU的与该下晶圆WL的一端部相对的一端部进行按压。 
在输送区域T1中设有翻转机构250，该翻转机构250在该输送区域T1与处理区域T2之间移动且使上晶圆WU的表面和背面翻转。如图15所示，翻转机构250具有用于保持上晶圆WU的保 持臂251。在保持臂251上设有对上晶圆WU进行吸附和水平保持的吸附盘252。保持臂251由第1驱动部253支承。保持臂251能够利用该第1驱动部253绕水平轴线自由转动并在水平方向上伸缩。在第1驱动部253的下方设有第2驱动部254。第1驱动部253能够利用该第2驱动部254绕铅垂轴线自由旋转并在铅垂方向上升降。并且，第2驱动部254安装于图10和图11所示的、在Y方向上延伸的导轨255。导轨255从处理区域T2延伸到输送区域T1。翻转机构250能够利用该第2驱动部254沿导轨255在位置调节机构210与上部吸盘221之间移动。另外，翻转机构250的结构并不限定于上述实施方式的结构，只要翻转机构250能够使上晶圆WU的表面和背面翻转即可。并且，也可以将翻转机构250设于处理区域T2。并且，也可以将翻转机构设于晶圆输送体202，并在翻转机构250的位置设置其他的输送部件。 
另外，如后述那样，为了对由下部吸盘220保持的下晶圆WL与由上部吸盘221保持的上晶圆WU的水平方向的位置进行调节，在处理区域T2中设有后述的用于对下晶圆WL的表面WL1进行拍摄的下部拍摄构件和用于对上晶圆WU的表面WU1进行拍摄的上部拍摄构件。下部拍摄构件和上部拍摄构件使用例如广角型的CCD照相机。 
如图1所示，在以上的接合系统1中设有控制装置300。控制装置300例如是计算机，其具有程序存储部（未图示）。在程序存储部中存储有程序，该程序用于对接合系统1中的晶圆WU、WL、层叠晶圆WT的处理进行控制。并且，在程序存储部中还存储有用于对上述各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作进行控制以实现在接合系统1中进行的后述的接合处理的程序。另外，上述程序存储于例如计算机可读取的硬盘（HD）、软盘（FD）、光盘（CD）、光磁盘（MO）、存储卡等计算机可 读取的存储介质H中，并且上述程序也可以从该存储介质H安装到控制装置300中。 
接着，根据图16来说明在以上那样构成的接合系统1中进行晶圆WU、WL的接合处理在该接合系统1内产生的气流。另外，图16中的箭头表示气流的方向。 
在接合系统1中，接合装置41内的压力是最高压。因此，相对于晶圆输送区域60内的压力，接合装置41内的压力为正压，当打开接合装置41的开闭器192时，产生从接合装置41朝向晶圆输送区域60的气流。 
并且，相对于表面活化装置30内的压力、表面亲水化装置40内的压力、第3处理区G3内的压力和输入输出站2内的压力，晶圆输送区域60内的压力为正压。因而，当打开开闭器83、152等时，产生从晶圆输送区域60朝向表面活化装置30、表面亲水化装置40、第3处理区G3和输入输出站2的气流。另外，相对于输入输出站2内的压力，第3处理区G3内的压力为正压。 
并且，在表面活化装置30内，相对于输送部72内的压力，处理部70内的压力和输入输出部71内的压力为正压。即，当打开闸阀73时，来自吸气口（未图示）的吸气导致产生从处理部70朝向输送部72的气流。另外，也可以在打开闸阀73的期间例如主动使氮气从处理部70内朝向输送部72流动而产生气流。而且，当打开开闭器84时，还产生从输入输出部71朝向输送部72的气流。 
接着，说明使用以上那样构成的接合系统1进行的晶圆WU、WL的接合处理方法。图17是表示该晶圆接合处理的主要工序的例子的流程图。 
首先，将容纳了多张上晶圆WU的晶圆盒CU、容纳了多张下晶圆WL的晶圆盒CL及空的晶圆盒CT载置于输入输出站2的规定 的晶圆盒载置板11。之后，利用晶圆输送装置22将晶圆盒CU内的上晶圆WU取出，并将上晶圆WU输送到处理站3的第3处理区G3的传送装置50。 
其次，利用晶圆输送装置61将上晶圆WU输送到第1处理区G 1的表面活化装置30。输入到表面活化装置30的上晶圆WU经由传送单元80而被晶圆输送体90输送到处理单元101。 
在处理单元101中，首先，打开闸阀73，利用晶圆输送体90将上晶圆WU输入到热处理板130的上方。接着，使升降销133上升，在将上晶圆WU从晶圆输送体90交接到升降销133之后，使升降销133下降，将上晶圆WU载置到热处理板130。然后，使热处理板130上的上晶圆WU维持成规定的温度、例如25℃～300℃。此时，关闭闸阀73，利用真空泵113将处理容器110内的气氛减压至规定的真空度、例如67Pa～333Pa（0.5Torr～2.5Torr）。 
在自由基生成单元100中，对例如氧气、氮气和氩气等处理气体进行等离子体激励而生成自由基。之后，由自由基生成单元100生成的自由基经由供给管120、供给口121而供给到处理单元101的处理容器110内的自由基供给区域R1。被供给的自由基穿过自由基导入板140并在水平面内均匀地扩散，从而被导入到处理区域R1中。 
利用该自由基来去除热处理板130上的上晶圆WU的表面WU1上的有机物。此时，主要依靠氧气的自由基来去除表面WU1上的有机物。并且，氧气的自由基还能够促进上晶圆WU的表面WU1的氧化、即亲水化。并且，由于氩气的等离子体具有一定程度的高能量，因此，可以利用该氩气的自由基来积极地（物理方法）去除表面WU1上的有机物。并且，氩气的自由基还具有将在处理容器110内的气氛气体中含有的残留水分去除这样 的效果。如此，使上晶圆WU的表面WU1活化（图17的工序S1）。 
之后，打开闸阀73，使升降销133上升，将上晶圆WU从升降销133交接到晶圆输送体90。然后，利用晶圆输送体90将上晶圆WU输送到调温单元81，将温度调节至规定的温度、例如25℃。另外，当从处理单元101输出上晶圆WU时，例如利用氮气对处理容器110内进行吹扫。 
接着，利用晶圆输送装置61将上晶圆WU输送到第2处理区G2的表面亲水化装置40。输入到表面亲水化装置40的上晶圆WU从晶圆输送装置61交接到旋转吸盘160并由旋转吸盘160吸附保持。 
接着，利用喷嘴臂171使待机部175的纯水喷嘴173移动到上晶圆WU的中心部的上方，并且，利用刷洗臂172使刷洗清洗器具180移动到上晶圆WU之上。之后，一边利用旋转吸盘160使上晶圆WU旋转，一边从纯水喷嘴173向上晶圆WU上供给纯水。于是，羟基附着于上晶圆WU的表面WU1而使该表面WU1亲水化。并且，利用来自纯水喷嘴173的纯水与刷洗清洗器具180来清洗上晶圆WU的表面WU1（图17的工序S2）。 
接着，利用晶圆输送装置61将上晶圆WU输送到第2处理区G2的接合装置41。输入到接合装置41的上晶圆WU经由传送装置200而被晶圆输送体202输送到位置调节机构210。然后，利用位置调节机构210来调节上晶圆WU的水平方向的朝向（图17的工序S3）。 
之后，将上晶圆WU从位置调节机构210交接到翻转机构250的保持臂251。接着，在输送区域T1中，通过使保持臂251翻转来使上晶圆WU的表面和背面翻转（图17的工序S4）。即，使上晶圆WU的表面WU1朝向下方。之后，翻转机构250移动到上部吸盘221侧，将上晶圆WU从翻转机构250交接到上部吸盘 221。由上部吸盘221吸附保持上晶圆WU的背面WU2。然后，利用吸盘驱动部235使上部吸盘221移动到下部吸盘220的上方且与该下部吸盘220相对的位置。并且，上晶圆WU在上部吸盘221处待机，直到后述的下晶圆WL被输送到接合装置41。另外，也可以在翻转机构250的移动过程中进行上晶圆WU的表面和背面的翻转。 
在对上晶圆WU进行上述的工序S1～工序S4的处理的期间，接着该上晶圆WU进行下晶圆WL的处理。首先，利用晶圆输送装置22将晶圆盒CL内的下晶圆WL取出，并将下晶圆WL输送到处理站3的传送装置50。 
接着，利用晶圆输送装置61将下晶圆WL输送到表面活化装置30，使下晶圆WL的表面WL1活化（图17的工序S5）。另外，由于在工序S5中进行的下晶圆WL的表面WL1的活化与上述工序S1相同，因此省略详细的说明。 
之后，利用晶圆输送装置61将下晶圆WL输送到表面亲水化装置40，使下晶圆WL的表面WL1亲水化并清洗该表面WL1（图17的工序S6）。另外，由于在工序S6中进行的下晶圆WL的表面WL1的亲水化和清洗与上述工序S2相同，因此省略详细的说明。 
之后，利用晶圆输送装置61将下晶圆WL输送到接合装置41。输入到接合装置41的下晶圆WL经由传送装置200而被晶圆输送体202输送到位置调节机构210。然后，利用位置调节机构210来调节下晶圆WL的水平方向的朝向（图17的工序S7）。 
之后，利用晶圆输送体202将下晶圆WL输送到下部吸盘220，由下部吸盘220吸附保持下晶圆WL。此时，以使下晶圆WL的表面WL1朝向上方的方式将该下晶圆WL的背面WL2保持于下部吸盘220。另外，也可以在下部吸盘220的上表面形成与晶圆输送体202的形状相适应的槽（未图示），从而在进行下晶圆 WL的交接时避免晶圆输送体202与下部吸盘220干涉。 
接着，对由下部吸盘220保持的下晶圆WL与由上部吸盘221保持的上晶圆WU的水平方向的位置进行调节。如图18所示，在下晶圆WL的表面WL1形成有预先确定的多个基准点A，同样，在上晶圆WU的表面WU1形成有预先确定的多个基准点B。并且，使下部拍摄构件260在水平方向上移动，对下晶圆WL的表面WL1进行拍摄。并且，使上部拍摄构件261在水平方向上移动，对上晶圆WU的表面WU1进行拍摄。之后，利用上部吸盘221来调节上晶圆WU的水平方向的位置，使得显示在下部拍摄构件260拍摄的图像中的下晶圆WL的基准点A的位置与显示在上部拍摄构件261拍摄的图像中的上晶圆WU的基准点B的位置一致。如此，对上晶圆WU与下晶圆WL之间的水平方向的位置进行调节（图17的工序S8）。另外，在下部吸盘220利用吸盘驱动部223在水平方向自由移动的情况下，也可以利用该下部吸盘220来调节下晶圆WL的水平方向的位置，并且，也可以利用下部吸盘220和上部吸盘221这两者来对上晶圆WU与下晶圆WL的水平方向的相对位置进行调节。 
然后，如图19所示，利用吸盘驱动部223使下部吸盘220上升并将下晶圆WL配置在规定的位置。此时，以使下晶圆WL的表面WL1与上晶圆WU的表面WU1之间的间隔D为规定的距离、例如0.5mm的方式配置下晶圆WL。如此对上晶圆WU与下晶圆WL之间的铅垂方向上的位置进行调节（图17的工序S9）。 
之后，如图20所示，使推动构件240下降，使下晶圆WL的一端部与上晶圆WU的一端部相抵接并对下晶圆WL的一端部与上晶圆WU的一端部进行按压（图17的工序S10）。此时，在上部吸盘221的全部的区域221a、221b、221c中对上晶圆WU进行抽真空。 
之后，如图21所示，在利用推动构件240按压下晶圆WL的一端部与上晶圆WU的一端部的状态下，停止在上部吸盘221的区域221a处对上晶圆WU进行的抽真空。于是，保持于区域221a的上晶圆WU下落到下晶圆WL上。并且，从上晶圆WU的一端侧朝向另一端侧按区域221a、221b、221c的顺序来停止对上晶圆WU进行的抽真空。如此，如图22所示，使上晶圆WU的表面WU1与下晶圆WL的表面WL1在整个面上抵接。由于抵接着的上晶圆WU的表面WU1与下晶圆WL的表面WL1分别已经在工序S1、S5中被活化，因此，首先，在表面WU1、WL1之间产生范德华力而将该表面WU1、WL1彼此接合。之后，由于上晶圆WU的表面WU1与下晶圆WL的表面WL1分别已经在工序S2、S6中被亲水化，因此，在表面WU1、WL1之间的亲水基产生氢键结合，将表面WU1、WL1彼此牢固地接合。如此，将上晶圆WU与下晶圆WL接合（图17的工序S11）。 
另外，在本实施方式中，按区域221a、221b、221c的顺序来停止对上晶圆WU进行的抽真空，但是，抽真空的停止方法并不限定于此。例如，也可以在区域221a、221b中同时停止抽真空，然后在区域221c中停止抽真空。并且，也可以在各区域221a、221b、221c之间改变停止抽真空的时间间隔。例如，也可以在停止区域221a中的抽真空1秒钟后在停止区域221b中的抽真空，并在停止该区域221b中的抽真空2秒钟后停止在区域221c中的抽真空。 
利用晶圆输送装置61将由上晶圆WU与下晶圆WL接合而成的层叠晶圆WT输送到传送装置51，然后利用输入输出站2的晶圆输送装置22将层叠晶圆WT输送到规定的晶圆盒载置板11的晶圆盒CT。如此，完成一系列的晶圆WU、WL的接合处理。 
采用以上的实施方式，在表面活化装置30中使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1活化后，在表面亲水化装置40中使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1亲水化，从而能够在该表面WU1、WL1形成羟基。然后，在接合装置41中，利用范德华力将活化后的晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1彼此接合，之后，使亲水化后的晶圆WU表面WU1的羟基、WL的表面WL1的羟基发生氢键结合，从而能够将晶圆WU、WL彼此牢固地接合。因此，不必如以往那样在使晶圆重叠的状态下进行按压。因而，晶圆WU、WL不用担心如以往那样破损，并且，晶圆WU、WL也不用担心产生错位。并且，由于晶圆WU、WL彼此是仅利用范德华力和氢键而接合的，因此，能够使接合所需要的时间缩短。因而，采用本实施方式，能够将晶圆WU、WL彼此适当地接合并提高晶圆接合处理的生产率。并且，由于输入输出站2能够保有多个晶圆WU、WL或多个层叠晶圆WT，因此，能够从输入输出站2向处理站3连续地输送晶圆WU、WL并在处理站3中连续地处理晶圆WU、WL，因此，能够进一步提高晶圆接合处理的生产率。
并且，在表面亲水化装置40中，由于向晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1供给纯水来使该表面WU1、WL1亲水化并清洗该表面WU1、WL1，因此，可以适当地去除表面WU1、WL1上的氧化膜、微粒。因而，之后，能够在接合装置41中将晶圆WU、WL彼此适当地接合。 
并且，在接合系统1中，由于接合装置41内的压力是最高压，因此产生从接合装置41朝向晶圆输送区域60的气流。即，来自外部的气氛气体不会流入接合装置41内。因而，微粒等不会从外部流入接合装置41内，能够适当地进行晶圆WU、WL的接合。 
此外，由于相对于表面活化装置30内的压力、表面亲水化装置40内的压力、第3处理区G3内的压力和输入输出站2内的压 力，晶圆输送区域60内的压力为正压，因此，产生从晶圆输送区域60朝向表面活化装置30、表面亲水化装置40、第3处理区G3和输入输出站2的气流。因而，能够在输送过程中抑制微粒附着于晶圆WU、WL和层叠晶圆WT。 
此外，在表面活化装置30中，相对于输送部72内的压力，处理部70内的压力和输入输出部71内的压力为正压，当打开闸阀73时，来自吸气口（未图示）的吸气会导致产生从处理部70朝向输送部72的气流。即，气氛气体不会从外部流入处理部70内。因而，微粒等不会从外部流入处理部70内，能够适当地进行晶圆WU表面WU1、晶圆WL的表面WL1的活化。 
并且，由于将表面活化装置30、表面亲水化装置40和输入输出站2内的气氛气体排出到外部，因此，使接合系统1内的全部气氛气体排出到外部。因而，能够抑制微粒存在于接合系统1内的气氛气体中。 
如图23所示，在以上实施方式的接合系统1中，还可以设置用于对用接合装置41接合的层叠晶圆WT进行检查的检查装置310。检查装置310例如配置于第3处理区G3的最上层。 
如图24所示，检查装置310具有处理容器320。如图25所示，在处理容器320的靠晶圆输送区域60侧的侧面形成有用于对层叠晶圆WT进行输入输出的输入输出口321，在该输入输出口321上设有开闭器322。另外，相对于晶圆输送区域60内的压力，处理容器320内的压力为负压，当打开开闭器322时，产生从晶圆输送区域60朝向检查装置310的气流。 
如图24所示，在处理容器320内设有用于对层叠晶圆WT进行吸附保持的吸盘330。该吸盘330例如利用具有电动机等的吸盘驱动部331而自由旋转、自由停止并具有调节层叠晶圆WT的位置的对准功能。在处理容器320的底面设有从处理容器320内 的一端侧（图24中的Y方向的负方向侧）延伸到另一端侧（图24中的Y方向的正方向侧）的导轨332。吸盘驱动部331安装在导轨332上。吸盘330能够利用该吸盘驱动部331沿导轨332移动并自由升降。 
在处理容器320内的另一端侧（图24的Y方向的正方向侧）的侧面设有拍摄部340。拍摄部340使用例广角型的C CD照相机。在处理容器320的上部中央附近设有半透半反镜341。半透半反镜341设在与拍摄部340相对的位置，并以相对于铅垂方向倾斜45度的方式设置。在半透半反镜341的上方设有对层叠晶圆WT进行红外线照射的红外线照射部342，半透半反镜341与红外线照射部342固定于处理容器320的上表面。并且，如图25所示，红外线照射部342在X方向上延伸。 
在该情况下，利用晶圆输送装置61将利用在上述接合装置41中进行的工序S11接合起来的层叠晶圆WT输送到检查装置310。输入到检查装置310的层叠晶圆WT从晶圆输送装置61交接到吸盘330。然后，利用吸盘驱动部331使吸盘330沿导轨332移动，从红外线照射部342对移动中的层叠晶圆WT照射红外线。并且，利用拍摄部340并借助半透半反镜341来对层叠晶圆WT的进行全面拍摄。将拍摄的层叠晶圆WT的图像输出到控制装置300，对在该控制装置300中是否正在适当地进行层叠晶圆WT的接合、例如层叠晶圆WT中有无空隙等进行检查。之后，利用晶圆输送装置61将层叠晶圆WT输送到传送装置51，然后，利用输入输出站2的晶圆输送装置22将层叠晶圆WT输送到规定的晶圆盒载置板11的晶圆盒CT。 
采用以上实施方式，由于能够在检查装置310中检查层叠晶圆WT，因此，能够根据检查结果来修正接合系统1中的处理条件。因而，能够进一步将晶圆WU、WL彼此适当地接合。 
如图26所示，在以上的实施方式的接合系统1中，还可以设置用于对用接合装置41接合起来的层叠晶圆WT进行加热处理的热处理装置350。热处理装置350例如配置于第1处理区G1中的表面活化装置30的、靠输入输出站2的那一侧。 
如图27所示，热处理装置350具有能够将其内部封闭的处理容器360。如图28所示，在处理容器360的靠晶圆输送区域60侧的侧面形成有层叠晶圆WT的输入输出口361，在该输入输出口361上设有开闭器362。另外，相对于晶圆输送区域60的压力，处理容器360内的压力为负压，当打开开闭器362时，产生从晶圆输送区域60朝向热处理装置350的气流。 
在处理容器360的内部设有用于对层叠晶圆WT进行加热处理的加热部370和用于对层叠晶圆WT进行冷却处理的冷却部371。加热部370与冷却部371在Y方向上并列配置，冷却部371配置于输入输出口361侧。 
如图27所示，加热部370包括：盖体380，其位于上侧并且上下自由移动；热板容纳部381，其位于下侧并与盖体380成为一体而形成处理室K。 
盖体380具有下表面开口的大致圆筒形状。在盖体380的上表面中央部设有排气部380a。从排气部380a均匀地排出处理室K内的气氛气体。 
热板容纳部381包括：环状的保持构件391，其用于容纳热板390并保持热板390的外圆周；大致筒状的支承环392，其包围该保持构件391的外周。热板390呈具有厚度的大致圆盘形状，其能够载置和加热层叠晶圆WT。并且，在热板390中内置有例如利用供电而进行发热的加热器393。例如利用控制装置300来控制热板390的加热温度，从而将载置在热板390上的层叠晶圆WT加热至规定的温度。 
在热板390的下方设有例如3根升降销400，该升降销400用于从下方支承层叠晶圆WT而使层叠晶圆WT升降。能够利用升降驱动部401使升降销400上下移动。在热板390的中央部附近，在例如3个部位形成有沿该热板390的宽度方向贯穿该热板390的通孔402。于是，升降销400能够贯穿通孔402并从热板390的上表面突出。 
如图28所示，冷却板410具有大致方形的平板形状，冷却板410的靠热板390侧的端面弯曲为圆弧状。在冷却板410中形成有沿Y方向的两个狭缝411。狭缝411从冷却板410的靠热板390侧的端面形成到冷却板410的中央部附近。能够利用该狭缝411来防止冷却板410与加热部370的升降销400及后述的冷却部371的升降销420干涉。此外，在冷却板410中内置有例如冷却水、帕尔贴（peltier）元件等冷却构件（未图示）。利用例如控制装置300来控制冷却板410的冷却温度，将载置在冷却板410上的层叠晶圆WT冷却至规定的温度。 
如图27所示，冷却板410由支承臂412支承。在支承臂412上安装有驱动部413。驱动部413安装于沿Y方向上延伸的导轨414。导轨414从冷却部371延伸到加热部370。冷却板410能够利用该驱动部413沿导轨414在加热部370与冷却部371之间移动。 
在冷却板410的下方设有例如3根升降销420，该升降销420用于从下方支承层叠晶圆WT而使层叠晶圆WT升降。升降销420能够利用升降驱动部421上下移动。于是，升降销420贯穿狭缝411并能够从冷却板410的上表面突出。 
在该情况下，利用晶圆输送装置61将利用在上述接合装置41中进行的工序S11接合起来的层叠晶圆WT输送到热处理装置350。当层叠晶圆WT输入到热处理装置350时，层叠晶圆WT从 晶圆输送装置61交接到预先上升并正在待机的升降销420。接着，使升降销420下降，将层叠晶圆WT载置到冷却板410。 
然后，利用驱动部413来使冷却板410沿导轨414移动到热板390的上方，将层叠晶圆WT交接到预先上升并正在待机的升降销400。之后，在关闭盖体380后，升降销400下降，将晶圆W载置到热板390上。然后，将热板390上的层叠晶圆WT加热到规定的温度、例如100℃～200℃。通过利用该热板390进行加热，将层叠晶圆WT加热，使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1之间的氢键发生脱水缩合，使该晶圆WU、WL更牢固地接合。 
接着，在打开盖体380后，升降销400上升，并且，冷却板410向热板390的上方移动。接着，层叠晶圆WT从升降销400交接到冷却板410，冷却板410向输入输出口361侧移动。在该冷却板410的移动过程中，将层叠晶圆WT冷却到规定的温度、例如常温（23℃）。 
之后，利用晶圆输送装置61将层叠晶圆WT输送到传送装置51，然后利用输入输出站2的晶圆输送装置22将层叠晶圆WT输送到规定的晶圆盒载置板11上的晶圆盒CT。此外，在本实施方式中，在上述检查装置310设于第3处理区G3中的情况下，在将层叠晶圆WT输送到输入输出站2之前，在检查装置310中进行层叠晶圆WT的检查。 
采用以上的实施方式，由于能够在热处理装置350中对层叠晶圆WT进行加热处理，因此，使晶圆WU的表面WU1、晶圆WL的表面WL1之间的氢键发生脱水缩合，能够使该晶圆WU、WL更牢固地接合。此处，在设置于接合系统1的外部的炉中对从接合系统1输出的层叠晶圆WT进行烧制，但是，该层叠晶圆WT的烧制需要大量的时间。采用本实施方式，能够缩短该烧制时间。 
另外，在上述实施方式中，在接合装置41中，利用推动构件240来对保持于上部吸盘221上晶圆WU的一端部进行按压。但是，也可以在上部吸盘221的中央部设置供推动构件240贯穿的缺口并利用推动构件240来按压上晶圆WU的中央部，而不是按压上晶圆WU的一端部。另外，在该情况下，推动构件240配置在能够贯穿被设于上部吸盘221的中央部的缺口的位置。下面，说明该情况下的动作。首先，停止上部吸盘221的与上晶圆WU的中央部相对应的区域221b的抽真空。然后，利用推动构件240来按压上晶圆WU的中央部。在上晶圆WU的中央部与下晶圆WL的中央部相抵接之后，停止上部吸盘221的区域221a和区域221c的抽真空。通过如此进行操作，能够不引起上晶圆WU与下晶圆WL的偏移就使上晶圆WU与下晶圆WL接合。 
以上，参照附图来说明了本发明的优选的实施方式，但是，本发明并不限定于该例子。只要是本领域的技术人员，显然就能够在权利要求书所述的构思的范围内想到各种变更例或修改例，上述变更例或修改例当然也被认为属于本发明的保护范围。本发明不限于该例子，而是能够采用各种实施方式。本发明还能够应用于基板为晶圆之外的FPD（平板显示器）、光掩模用的光掩模板（mask reticle）等其他的基板的情况。 
产业上的可利用性
本发明例如在将半导体晶圆等的基板彼此接合时有用。 
附图标记说明
1、接合系统；2、输入输出站；3、处理站；30、表面活化装置；40、表面亲水化装置；41、接合装置；60、晶圆输送区域；70、处理部；71、输入输出部；72、输送部；300、控制装置；310、检查装置；350、热处理装置；WU、上晶圆；WU1、表面；WL、下晶圆；WL1、表面；WT、层叠晶圆。 

Claims (10)

1.一种接合系统，其用于将基板彼此接合，其中，
该接合系统包括：
处理站，其用于对基板进行规定的处理并将基板彼此接合；
输入输出站，其能够分别保有多个基板或多个由基板彼此接合而成的层叠基板并相对于上述处理站输入或输出基板或层叠基板，
上述处理站包括：
表面活化装置，其用于使基板的将被接合的表面活化；
表面亲水化装置，其用于使基板的利用上述表面活化装置活化后的表面亲水化；
接合装置，其用于将利用上述表面亲水化装置进行了表面亲水化的基板彼此接合；
输送区域，其用于相对于上述表面活化装置、上述表面亲水化装置和上述接合装置输送基板或层叠基板，
上述输送区域内的压力为大气压以上，
相对于上述输送区域内的压力，上述接合装置内的压力为正压，
相对于上述表面活化装置内的压力、上述表面亲水化装置内的压力和上述输入输出站内的压力，上述输送区域内的压力为正压。
2.根据权利要求1所述的接合系统，其中，
上述表面亲水化装置向基板的表面供给纯水，使该表面亲水化并对该表面进行清洗。
3.根据权利要求1所述的接合系统，其中，
上述表面活化装置包括：处理部，其进行用于使基板的表面活化的处理；输入输出部，其用于在其与上述输送区域之间进行基板的输入输出；输送部，其用于在上述处理部与上述输入输出部之间输送基板，
相对于上述输送部内的压力，上述处理部内的压力及上述输入输出部内的压力为正压。
4.根据权利要求1所述的接合系统，其中，
该接合系统具有检查装置，该检查装置用于对利用上述接合装置接合起来的层叠基板进行检查。
5.根据权利要求1所述的接合系统，其中，
该接合系统具有热处理装置，该热处理装置用于对利用接合装置接合起来的层叠基板进行热处理。
6.一种接合方法，其用于将基板彼此接合，其中，
该接合方法包括以下工序：
表面活化工序，在表面活化装置中使基板的将被接合的表面活化；
表面亲水化工序，其在表面活化工序之后，经由输送区域将基板输送到表面亲水化装置，在该表面亲水化装置中使基板的表面亲水化；
接合工序，其在表面亲水化工序之后，经由输送区域将基板输送到接合装置，在该接合装置中利用范德华力和氢键来将进行了上述表面活化工序和上述表面亲水化工序的基板彼此接合，
该接合方法对多个基板连续地进行上述表面活化工序、表面亲水化工序和接合工序，
上述输送区域内的压力为大气压以上，
相对于上述输送区域内的压力，上述接合装置内的压力为正压，
相对于上述表面活化装置内的压力和上述表面亲水化装置内的压力，上述输送区域内的压力为正压。
7.根据权利要求6所述的接合方法，其中，
在上述表面亲水化工序中，向基板的表面供给纯水，使该表面亲水化并对该表面进行清洗。
8.根据权利要求6所述的接合方法，其中，
上述表面活化装置包括：处理部，其进行用于使基板的表面活化的处理；输入输出部，其用于在其与上述输送区域之间进行基板的输入输出；输送部，其用于在上述处理部与上述输入输出部之间输送基板，
相对于上述输送部内的压力，上述处理部内的压力和上述输入输出部内的压力为正压。
9.根据权利要求6所述的接合方法，其中，
该接合方法具有在上述接合工序后对层叠基板进行检查的检查工序。
10.根据权利要求6所述的接合方法，其中，
该接合方法具有在上述接合工序后对层叠基板进行热处理的热处理工序。
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