JP6415391B2 - 表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、表面改質装置及び接合システム - Google Patents
表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、表面改質装置及び接合システム Download PDFInfo
- Publication number
- JP6415391B2 JP6415391B2 JP2015115938A JP2015115938A JP6415391B2 JP 6415391 B2 JP6415391 B2 JP 6415391B2 JP 2015115938 A JP2015115938 A JP 2015115938A JP 2015115938 A JP2015115938 A JP 2015115938A JP 6415391 B2 JP6415391 B2 JP 6415391B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- processing
- surface modification
- substrates
- bonding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000004048 modification Effects 0.000 title claims description 49
- 238000012986 modification Methods 0.000 title claims description 49
- 238000002715 modification method Methods 0.000 title claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 361
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 182
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 44
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000006837 decompression Effects 0.000 claims description 7
- 238000002407 reforming Methods 0.000 claims description 4
- 229910052770 Uranium Inorganic materials 0.000 description 54
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 54
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 37
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 35
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 17
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 10
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 9
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006388 chemical passivation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02252—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
- H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
- H01L21/02274—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition in the presence of a plasma [PECVD]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
- H01L21/02312—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/02315—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02318—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment
- H01L21/02337—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour
- H01L21/0234—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer post-treatment treatment by exposure to a gas or vapour treatment by exposure to a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
かかる場合、前記所定周波数が13MHzの場合、前記所定圧力を大きくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくし、前記所定周波数が100MHzの場合、前記所定圧力を小さくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくしてもよい。
かかる場合、前記制御部は、前記所定周波数が13MHzの場合、前記所定圧力を大きくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくし、前記所定周波数が100MHzの場合、前記所定圧力を小さくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくするように制御するように、前記ガス供給機構と前記減圧機構を制御してもよい。
Vdc1/Vdc2=(A2/A1)4 ・・・(1)
2 搬入出ステーション
3 処理ステーション
30 表面改質装置
40 表面親水化装置
41 接合装置
61 基板搬送装置
70 制御部
100 処理容器
110 下部電極
134 高周波電源
140 上部電極
150 中空部
151 ガス供給管
152 ガス供給源
153 供給機器群
154 バッフル板
155 ガス噴出口
160 吸気口
161 真空ポンプ
162 吸気管
DU、DL 絶縁膜
FU、FL 処理膜
MU、ML 金属部
SU 上側基板
SL 下側基板
ST 重合基板
WU、WL ウェハ
Claims (9)
- 基板同士を接合する前に、表面改質装置において基板の接合される表面を改質する表面改質方法であって、
各基板には、絶縁膜と金属部からなる処理膜が形成されており、
基板同士を接合する際には、前記絶縁膜同士が対応し、且つ、前記金属部同士が対応するように、前記処理膜同士が接合され、
前記表面改質装置は、
処理容器内に配置され、基板が載置される下部電極と、
前記処理容器内において前記下部電極に対向して配置される上部電極と、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内を所定圧力まで減圧する減圧機構と、を有し、
前記下部電極は電源に接続され、且つ、前記上部電極は接地され、
前記表面改質方法では、
前記ガス供給機構から前記処理容器内に処理ガスを供給し、前記減圧機構によって当該処理容器内を前記所定圧力に減圧した状態で、前記電源から前記下部電極に所定周波数の電圧を印加して前記処理ガスをプラズマ化し、当該処理ガスのプラズマを用いて前記処理膜の表面を改質し、
前記所定周波数は前記所定圧力を調節して設定され、13MHz〜100MHzのいずれかであり、
前記所定圧力を調節して、前記絶縁膜の接合強度と前記金属部の酸化膜の厚みを制御することを特徴とする、表面改質方法。 - 前記所定周波数が13MHzの場合、前記所定圧力を大きくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくし、
前記所定周波数が100MHzの場合、前記所定圧力を小さくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくすることを特徴とする、請求項1に記載の表面改質方法。 - 前記処理容器に基板を搬入及び搬出する際には、当該処理容器内を大気圧に開放することを特徴とする、請求項1又は2に記載の表面改質方法。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載の表面改質方法を表面改質装置によって実行させるように、当該表面改質装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項4に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
- 基板同士を接合する前に、当該基板の接合される表面を処理ガスのプラズマによって改質する表面改質装置であって、
各基板には、絶縁膜と金属部からなる処理膜が形成されており、
基板同士を接合する際には、前記絶縁膜同士が対応し、且つ、前記金属部同士が対応するように、前記処理膜同士が接合され、
前記表面改質装置は、前記処理膜の表面を改質し、
処理容器内に配置され、基板が載置される下部電極と、
前記処理容器内において前記下部電極に対向して配置される上部電極と、
前記処理容器内に前記処理ガスを供給するガス供給機構と、
前記処理容器内を所定圧力まで減圧する減圧機構と、
前記処理容器内の圧力を制御する制御部と、を有し、
前記下部電極は、プラズマ生成用の所定周波数の電圧を印加するための電源に接続され、
前記上部電極は接地され、
前記所定周波数は、13MHz〜100MHzのいずれかであり、
前記制御部は、前記所定圧力を調節して、前記絶縁膜の接合強度と前記金属部の酸化膜の厚みを制御するように、前記ガス供給機構と前記減圧機構を制御することを特徴とする、表面改質装置。 - 前記制御部は、
前記所定周波数が13MHzの場合、前記所定圧力を大きくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくし、
前記所定周波数が100MHzの場合、前記所定圧力を小さくして、前記絶縁膜の接合強度を大きくし、且つ、前記金属部の酸化膜の厚みを小さくするように制御するように、前記ガス供給機構と前記減圧機構を制御することを特徴とする、請求項6に記載の表面改質装置。 - 前記制御部は、前記処理容器に基板を搬入及び搬出する際には、当該処理容器内を大気圧に開放し、前記処理容器内を密閉し前記処理ガスのプラズマを用いて基板の表面を改質する際には、当該処理容器内を前記所定圧力まで減圧させるように、前記ガス供給機構と前記減圧機構を制御することを特徴とする、請求項6又は7に記載の表面改質装置。
- 請求項6〜8のいずれか一項に記載の表面改質装置を備えた接合システムであって、
前記表面改質装置を備えた処理ステーションと、
基板又は基板同士が接合された重合基板をそれぞれ複数保有可能で、且つ前記処理ステーションに対して基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、を備え、
前記処理ステーションは、
前記表面改質装置で改質された基板の表面を親水化する表面親水化装置と、
前記表面親水化装置で表面が親水化された基板同士を接合する接合装置と、
前記表面改質装置、前記表面親水化装置及び前記接合装置に対して、基板又は重合基板を搬送するための搬送装置と、を有することを特徴とする、接合システム。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015115938A JP6415391B2 (ja) | 2015-06-08 | 2015-06-08 | 表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、表面改質装置及び接合システム |
KR1020160068609A KR102500726B1 (ko) | 2015-06-08 | 2016-06-02 | 표면 개질 방법, 컴퓨터 기억 매체, 표면 개질 장치 및 접합 시스템 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015115938A JP6415391B2 (ja) | 2015-06-08 | 2015-06-08 | 表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、表面改質装置及び接合システム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017005058A JP2017005058A (ja) | 2017-01-05 |
JP6415391B2 true JP6415391B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=57735804
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015115938A Active JP6415391B2 (ja) | 2015-06-08 | 2015-06-08 | 表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、表面改質装置及び接合システム |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6415391B2 (ja) |
KR (1) | KR102500726B1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6813816B2 (ja) | 2018-04-05 | 2021-01-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
KR102527289B1 (ko) * | 2021-06-24 | 2023-05-02 | 정라파엘 | 기판 본딩 방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0391227A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Nippon Soken Inc | 半導体基板の接着方法 |
JP3067289B2 (ja) * | 1990-08-14 | 2000-07-17 | 松下電器産業株式会社 | ドライエッチング方法 |
JP3134391B2 (ja) * | 1991-09-19 | 2001-02-13 | 株式会社デンソー | シリコン基板の接合方法 |
JP3411814B2 (ja) * | 1998-03-26 | 2003-06-03 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
US6902987B1 (en) * | 2000-02-16 | 2005-06-07 | Ziptronix, Inc. | Method for low temperature bonding and bonded structure |
US6962835B2 (en) * | 2003-02-07 | 2005-11-08 | Ziptronix, Inc. | Method for room temperature metal direct bonding |
JP2006339363A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Bondtech Inc | 表面活性化方法および表面活性化装置 |
JP5421825B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP2012049266A (ja) * | 2010-08-25 | 2012-03-08 | Tokyo Electron Ltd | 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5982748B2 (ja) * | 2011-08-01 | 2016-08-31 | ソニー株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、および電子機器 |
-
2015
- 2015-06-08 JP JP2015115938A patent/JP6415391B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-02 KR KR1020160068609A patent/KR102500726B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017005058A (ja) | 2017-01-05 |
KR102500726B1 (ko) | 2023-02-17 |
KR20160144315A (ko) | 2016-12-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101430852B1 (ko) | 접합 시스템, 접합 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기억 매체 | |
KR102146633B1 (ko) | 접합 장치 및 접합 시스템 | |
JP5538613B1 (ja) | 接合装置及び接合システム | |
WO2012114826A1 (ja) | 接合装置、接合システム及び接合方法 | |
JP6177739B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5521066B1 (ja) | 接合装置及び接合システム | |
JP5606429B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP5626736B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP5389847B2 (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
JP6382769B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
WO2012121046A1 (ja) | 接合装置、接合システム及び接合方法 | |
WO2012026335A1 (ja) | 接合システム、接合方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2013120902A (ja) | 接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、接合装置及び接合システム | |
WO2012121044A1 (ja) | 接合方法、接合装置及び接合システム | |
JP5411177B2 (ja) | 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP6415391B2 (ja) | 表面改質方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体、表面改質装置及び接合システム | |
JP6040123B2 (ja) | 接合方法および接合システム | |
JP2015138929A (ja) | 接合システム、接合方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体 | |
JP2019186314A (ja) | 接合システムおよび接合方法 | |
JP2017073455A (ja) | 接合システム | |
JP2014150266A (ja) | 接合装置及び接合システム | |
JP2016225506A (ja) | 表面改質装置、接合システム、表面改質方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
JP2019186288A (ja) | 接合方法および接合システム | |
JP5531123B1 (ja) | 接合装置及び接合システム | |
JP6231937B2 (ja) | 接合装置及び接合システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180807 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6415391 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |