JP2009140954A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体製造装置間でのデータのコピー、移動に使用される可搬性の記憶媒体で、信頼性の低い記憶媒体であっても、コピー、移動が高精度に実行できる様にした半導体製造装置を提供する。
【解決手段】処理実行用データの第１格納手段４３と一時的に格納する第２格納手段間４５でデータの移動を制御する制御手段４２を具備し、前記第１格納手段４３からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段４５のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段４５の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除する。
【選択図】図３

Description

本発明は半導体装置を製造する１工程であり、シリコンウェーハ、ガラス基板等の基板に薄膜の生成、不純物の拡散、アニール処理、エッチング等の基板処理を行い半導体装置を製造する半導体製造装置に関するものである。

半導体製造装置は、基板を処理する処理炉、処理基板を搬送する搬送機構、前記処理炉に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉内を排気するガス排気機構、前記処理炉のヒータを駆動し、前記処理炉の温度を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御対象とし、各該制御対象に対応して設けられるサブコントローラ、これら該サブコントローラを統括して制御するメインコントローラ等から構成される。

又、前記メインコントローラは各前記制御対象を作動させる為のシーケンスプログラム、及び前記基板の処理条件を設定するレシピ等のプロセス実行プログラム、更に、前記搬送機構のモータ、シリンダ、駆動軸の状態、前記ガス供給機構のバルブ、ガス流量の状態、ヒータの加熱温度の状態、前記処理炉内の温度、圧力の状態をモニタ表示するプログラムを具備し、これらプログラムに基づいて前記サブコントローラを介して前記制御対象を駆動制御して基板製造のプロセスを実行している。

又、前記メインコントローラは、基板処理、搬送制御等を実行する為に必要なパラメータを編集するヒューマンインタフェースの役割を奏する操作プログラムを具備している。

尚、半導体製造装置の内、基板に同一の膜種を処理する半導体製造装置では、同一のパラメータが使用でき、編集の作業能率を向上させる為、１つの半導体製造装置でパラメータの設定が完了すると、他の半導体製造装置に対しては、操作プログラムを使用してパラメータのコピー、移動を実行することがある。

装置間のパラメータのコピーは、設定が完了した半導体製造装置に於いて、可搬性の記憶媒体にパラメータに関するデータをコピーし、前記記憶媒体をコピー元の半導体製造装置から取外し、コピー先の半導体製造装置に装着して、前記記憶媒体からコピー先のメインコントローラにコピーしていた。

装置間のパラメータのコピー、移動では、記憶媒体の書込みと、記憶媒体からの読取りでエラーのないことが要求される。

従来、記憶媒体としてはＦＤが用いられていたが、近年ではデータ量が増加し、コピーデータ量はＦＤの容量を超える様になっている。この為、大容量の記憶容量を有する記憶媒体が必要となっており、大容量の記憶容量を有する記憶媒体の１つとしてＵＳＢインタフェースを使用するＵＳＢフラッシュメモリがある。

ＵＳＢフラッシュメモリは、小型で取扱いが容易で、而も安価で、読み書き速度が大きいという特徴があり、可搬性の記憶媒体としては、簡便で有用性が大きい。ところが、ＵＳＢフラッシュメモリは、データの読み書きの信頼性の点で問題があり、データ化けやデータの欠落が生じる虞れがある。

本発明は斯かる実情に鑑み、半導体製造装置間でのデータのコピー、移動に使用される可搬性の記憶媒体で、信頼性の低い記憶媒体であっても、コピー、移動が高精度に実行できる様にした半導体製造装置を提供するものである。

本発明は、基板処理を実行する為に必要なデータを格納する第１格納手段と、前記データを他の半導体製造装置に移動する際に一時的に格納する第２格納手段と、前記第１格納手段と前記第２格納手段間でデータの移動を制御する制御手段を具備し、該制御手段は前記第１格納手段から前記第２格納手段に前記データをコピーする際に前記第１格納手段からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除する半導体製造装置に係るものである。

本発明によれば、基板処理を実行する為に必要なデータを格納する第１格納手段と、前記データを他の半導体製造装置に移動する際に一時的に格納する第２格納手段と、前記第１格納手段と前記第２格納手段間でデータの移動を制御する制御手段を具備し、該制御手段は前記第１格納手段から前記第２格納手段に前記データをコピーする際に前記第１格納手段からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除するので、コピーデータの信頼性が向上し、前記第２格納手段自体の信頼性に問題がある場合も、異常ファイルをコピーすることがなくなり、前記第２格納手段として種々の又安価な記憶媒体の採用が可能となる等の優れた効果を発揮する。

以下、図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。

先ず、本発明が実施される半導体製造装置について図１、図２により説明する。

図１、図２は半導体製造装置の一例として縦型の半導体製造装置を示している。尚、該半導体製造装置に於いて処理される基板は、一例としてシリコン等から成るウェーハが示されている。

半導体製造装置１は筐体２を備え、該筐体２の正面壁３の下部にはメンテナンス可能な様に設けられた開口部としての正面メンテナンス口４が開設され、該正面メンテナンス口４は正面メンテナンス扉５によって開閉される。

前記筐体２の前記正面壁３にはポッド搬入搬出口６が前記筐体２の内外を連通する様に開設されており、前記ポッド搬入搬出口６はフロントシャッタ（搬入搬出口開閉機構）７によって開閉され、前記ポッド搬入搬出口６の正面前方側にはロードポート（基板搬送容器受渡し台）８が設置されており、該ロードポート８は載置されたポッド９を位置合せする様に構成されている。

該ポッド９は、密閉式の基板搬送容器であり、図示しない工程内搬送装置によって前記ロードポート８上に搬入され、又、該ロードポート８上から搬出される様になっている。

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける上部には、回転式ポッド棚（基板搬送容器格納棚）１１が設置されており、該回転式ポッド棚１１は複数個のポッド９を格納する様に構成されている。

前記回転式ポッド棚１１は垂直に立設されて間欠回転される支柱１２と、該支柱１２に上中下段の各位置に於いて放射状に支持された複数段の棚板（基板搬送容器載置棚）１３とを備えており、該棚板１３は前記ポッド９を複数個宛載置した状態で格納する様に構成されている。

前記回転式ポッド棚１１の下方には、ポッドオープナ（基板搬送容器蓋体開閉機構）１４が設けられ、該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置し、又該ポッド９の蓋を開閉可能な構成を有している。

前記ロードポート８と前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間には、ポッド搬送装置（容器搬送装置）１５が設置されており、該ポッド搬送装置１５は、前記ポッド９を保持して昇降可能、水平方向に進退可能となっており、前記ロードポート８、前記回転式ポッド棚１１、前記ポッドオープナ１４との間で前記ポッド９を搬送する様に構成されている。

前記筐体２内の前後方向の略中央部に於ける下部には、サブ筐体１６が後端に亘って設けられている。該サブ筐体１６の正面壁１７にはウェーハ（基板）１８を前記サブ筐体１６内に対して搬入搬出する為のウェーハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１９が一対、垂直方向に上下２段に並べられて開設されており、上下段のウェーハ搬入搬出口１９，１９に対して前記ポッドオープナ１４がそれぞれ設けられている。

該ポッドオープナ１４は前記ポッド９を載置する載置台２１と、前記ポッド９の蓋を開閉する開閉機構２２とを備えている。前記ポッドオープナ１４は前記載置台２１に載置された前記ポッド９の蓋を前記開閉機構２２によって開閉することにより、前記ポッド９のウェーハ出入口を開閉する様に構成されている。

前記サブ筐体１６は前記ポッド搬送装置１５や前記回転式ポッド棚１１が配設されている空間（ポッド搬送空間）から気密となっている移載室２３を構成している。該移載室２３の前側領域にはウェーハ移載機構（基板移載機構）２４が設置されており、該ウェーハ移載機構２４は、ウェーハを載置する所要枚数（図示では５枚）のウェーハ載置プレート２５を具備し、該ウェーハ載置プレート２５は水平方向に直動可能、水平方向に回転可能、又昇降可能となっている。前記ウェーハ移載機構２４はボート（基板保持具）２６に対してウェーハ１８を装填及び払出しする様に構成されている。

前記移載室２３の後側領域には、前記ボート２６を収容して待機させる待機部２７が構成され、該待機部２７の上方には縦型の処理炉２８が設けられている。該処理炉２８は内部に処理室３０を形成し、該処理室３０の下端部は、炉口部となっており、該炉口部は炉口シャッタ（炉口開閉機構）２９により開閉される様になっている。

前記筐体２の右側端部と前記サブ筐体１６の前記待機部２７の右側端部との間には前記ボート２６を昇降させる為のボートエレベータ（基板保持具昇降機構）３１が設置されている。該ボートエレベータ３１の昇降台に連結されたアーム３２には蓋体としてのシールキャップ３３が水平に取付けられており、該シールキャップ３３は前記ボート２６を垂直に支持し、該ボート２６を前記処理室３０に装入した状態で、前記炉口部を気密に閉塞可能となっている。

前記ボート２６は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウェーハ１８を、その中心を揃えて水平姿勢で多段に保持する様に構成されている。

前記ボートエレベータ３１側と対向した位置にはクリーンユニット３４が配設され、該クリーンユニット３４は、清浄化した雰囲気若しくは不活性ガスであるクリーンエア３５を供給する様供給ファン及び防塵フィルタで構成されている。前記ウェーハ移載機構２４と前記クリーンユニット３４との間には、ウェーハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合せ装置（図示せず）が設置されている。

前記クリーンユニット３４から吹出されたクリーンエア３５は、ノッチ合せ装置（図示せず）及び前記ウェーハ移載機構２４、前記ボート２６に流通された後に、図示しないダクトにより吸込まれて、前記筐体２の外部に排気がなされるか、若しくは前記クリーンユニット３４の吸込み側である一次側（供給側）に迄循環され、再び該クリーンユニット３４によって、前記移載室２３内に吹出される様に構成されている。

前記半導体製造装置１の作動について説明する。

前記ポッド９が前記ロードポート８に供給されると、前記ポッド搬入搬出口６が前記フロントシャッタ７によって開放される。前記ロードポート８上の前記ポッド９は前記ポッド搬送装置１５によって前記筐体２の内部へ前記ポッド搬入搬出口６を通して搬入され、前記回転式ポッド棚１１の指定された前記棚板１３へ載置される。前記ポッド９は前記回転式ポッド棚１１で一時的に保管された後、前記ポッド搬送装置１５により前記棚板１３からいずれか一方のポッドオープナ１４に搬送されて前記載置台２１に移載されるか、若しくは前記ロードポート８から直接前記載置台２１に移載される。

この際、前記ウェーハ搬入搬出口１９は前記開閉機構２２によって閉じられており、前記移載室２３には前記クリーンエア３５が流通され、充満している。例えば、前記移載室２３には前記クリーンエア３５として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、前記筐体２の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

前記載置台２１に載置された前記ポッド９はその開口側端面が前記サブ筐体１６の前記正面壁１７に於ける前記ウェーハ搬入搬出口１９の開口縁辺部に押付けられると共に、蓋が前記開閉機構２２によって取外され、ウェーハ出入口が開放される。

前記ポッド９が前記ポッドオープナ１４によって開放されると、ウェーハ１８は前記ポッド９から前記ウェーハ移載機構２４によって取出され、ノッチ合せ装置（図示せず）に移送され、該ノッチ合せ装置にてウェーハ１８を整合した後、前記ウェーハ移載機構２４はウェーハ１８を前記移載室２３の後方にある前記待機部２７へ搬入し、前記ボート２６に装填（チャージング）する。

該ボート２６にウェーハ１８を受渡した前記ウェーハ移載機構２４は前記ポッド９に戻り、次のウェーハ１８を前記ボート２６に装填する。

一方（上段又は下段）のポッドオープナ１４に於ける前記ウェーハ移載機構２４によるウェーハ１８の前記ボート２６への装填作業中に、他方（下段又は上段）のポッドオープナ１４には前記回転式ポッド棚１１から別のポッド９が前記ポッド搬送装置１５によって搬送されて移載され、前記他方のポッドオープナ１４によるポッド９の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウェーハ１８が前記ボート２６に装填されると、前記炉口シャッタ２９によって閉じられていた前記処理炉２８の炉口部が、前記炉口シャッタ２９によって開放される。続いて、前記ボート２６は前記ボートエレベータ３１によって上昇され、前記処理室３０に搬入（ローディング）される。

ローディング後は、前記シールキャップ３３によって炉口部が気密に閉塞される。

前記処理室３０が所望の圧力（真空度）となる様にガス排気機構（図示せず）によって真空排気される。又、前記処理室３０が所望の温度分布となる様にヒータ駆動部（図示せず）によって所定温度に加熱される。

又、ガス供給機構（図示せず）により、所定の流量に制御された処理ガスが供給され、処理ガスが前記処理室３０を流通する過程で、ウェーハ１８の表面と接触し、この際に熱ＣＶＤ反応によってウェーハ１８の表面上に薄膜が成膜される。更に、反応後の処理ガスは、前記ガス排気機構により前記処理室３０から排気される。

予め設定された処理時間が経過すると、前記ガス供給機構により不活性ガス供給源（図示せず）から不活性ガスが供給され、前記処理室３０が不活性ガスに置換されると共に、前記処理室３０の圧力が常圧に復帰される。

前記ボートエレベータ３１により前記シールキャップ３３を介して前記ボート２６が降下される。

処理後の処理済みウェーハ１８の搬出については、上記説明と逆の手順で、ウェーハ１８及びポッド９は前記筐体２の外部へ払出される。未処理のウェーハ１８が、更に前記ボート２６に装填され、ウェーハ１８のバッチ処理が繰返される。

前記処理炉２８、基板を搬送する搬送機構、前記処理炉２８に処理ガス等を供給するガス供給機構、前記処理炉２８内を排気するガス排気機構、前記処理炉２８を所定温度に加熱するヒータ駆動部、及び前記処理炉２８、前記搬送機構、前記ガス供給機構、前記ガス排気機構、前記ヒータ駆動部をそれぞれ制御する制御装置３８について、図３を参照して説明する。

図３中、４０はプロセス制御部、４１は搬送制御部、４２は制御装置を示しており、前記プロセス制御部４０は記憶部４８を具備し、該記憶部４８にはプロセスを実行する為に必要なプロセス実行プログラムが格納され、前記搬送制御部４１は記憶部４９を具備し、該記憶部４９にはウェーハの搬送を実行する為の搬送プログラムが格納され、前記制御装置４２は第１データ格納手段４３を具備し、該第１データ格納手段４３は、例えばＨＤＤ等の外部記憶装置から成る。

又、４４はリード／ライト装置、４５はＵＳＢフラッシュメモリ、メモリカード、ＭＯディスク等可搬可能な記録媒体である第２データ格納手段、４６はキーボード、操作パネル等の操作部、４７はモニタを示す。尚、前記第２データ格納手段４５としては、半導体製造装置が具備するインタフェース、取扱い性の点から、ＵＳＢフラッシュメモリを使用することが好ましい。又、前記リード／ライト装置４４は、半導体製造装置が具備するインタフェースを利用するものであってもよい。

又、５１，５２，５３はサブコントローラを例示しており、例えば５１は処理炉の加熱制御を行う第１サブコントローラ、５２はバルブの開閉、流量制御器等の作動を制御して前記処理炉２８への処理ガスの供給流量を制御する第２サブコントローラ、５３は前記処理炉２８からのガスの排気を制御し、或は前記処理炉２８の圧力制御する第３サブコントローラを示している。又、５４，５５，５６はアクチュエータを例示しており、例えば５４は前記第１サブコントローラ５１によって制御されるヒータ（以下第１アクチュエータ５４）であり、５５は前記第２サブコントローラ５２によって制御される流量制御器（以下第２アクチュエータ５５）であり、５６は前記第３サブコントローラ５３によって制御される圧力制御バルブ（以下第３アクチュエータ５６）である。

又、５７，５８，５９は前記アクチュエータの状態を検出して、検出結果を前記第１サブコントローラ５１、前記第２サブコントローラ５２、前記第３サブコントローラ５３にフィードバックするセンサを例示しており、例えば５７は温度検出器（以下第１センサ）、５８は流量検出器（以下第２センサ）、５９は圧力センサ（以下第３センサ）である。

前記第１サブコントローラ５１、前記第２サブコントローラ５２、前記第３サブコントローラ５３には前記プロセス制御部４０から設定値の指示、或は処理シーケンスに従った指令信号が入力され、前記プロセス制御部４０は前記第１センサ５７、前記第２センサ５８、前記第３センサ５９が検出した検出結果を基に、前記第１サブコントローラ５１、前記第２サブコントローラ５２、前記第３サブコントローラ５３を統括して制御する。

又、前記プロセス制御部４０は前記制御装置４２からの指令により、基板処理を実行し、又基板処理の実行は前記プロセス制御部４０が、前記記憶部４８に格納されたプログラムに従って、他の制御系とは独立して実行する。従って、前記搬送制御部４１、前記制御装置４２に問題が発生しても、基板処理は中断されることなく、完遂される。

前記搬送制御部４１は、前記制御装置４２からの指令によって前記ポッド搬送装置１５、前記ウェーハ移載機構２４、前記ボートエレベータ３１を駆動して、ウェーハの搬送を実行する。ウェーハの搬送は、前記記憶部４９に格納された搬送プログラムによって他の制御系とは独立して実行する。従って、前記プロセス制御部４０、前記制御装置４２に問題が発生しても、ウェーハの搬送は中断されることなく、完遂される。

前記第１データ格納手段４３には、基板処理進行を統括するプログラム、処理内容、処理条件を設定する為の設定プログラム、基板処理の為のレシピ、前記プロセス制御部４０、前記搬送制御部４１とＬＡＮ等の通信手段を介してデータの送受信を行う通信プログラム、前記第１アクチュエータ５４、前記第２アクチュエータ５５、前記第３アクチュエータ５６の状態を前記モニタ４７に表示する為のプログラム、又前記第１アクチュエータ５４、前記第２アクチュエータ５５、前記第３アクチュエータ５６を駆動制御する為に必要なパラメータの編集を行う操作プログラム６１等の各種プログラムが格納されている。又、該操作プログラム６１は、パラメータ編集プログラムの１つであるコピー処理プログラム６２を具備している。

該コピー処理プログラム６２、前記制御装置４２は、前記第１データ格納手段４３、前記第２データ格納手段４５間でのデータの移動を制御する制御手段を構成する。

前記第１データ格納手段４３はデータ格納領域６３を具備し、該データ格納領域６３には基板処理に必要とされるパラメータが格納され、又前記第１センサ５７、前記第２センサ５８、前記第３センサ５９の設定値、検出結果、処理の状態等の情報が経時的に格納される。

前記操作部４６より、基板に生成する膜種、ガス種、処理温度、処理圧、処理枚数、基板の搬送条件等、基板の処理条件が入力され、前記操作プログラム６１によってパラメータの編集が行われる。

編集されたパラメータ（以下編集済パラメータ）は、前記データ格納領域に格納される。同一膜種の装置では同じパラメータとなるので、半導体製造装置が複数ある場合は、編集済パラメータをコピー又は移動させ、各半導体製造装置での入力、編集作業を省略する。

前記第２データ格納手段４５を前記リード／ライト装置４４に実装し、前記コピー処理プログラム６２を起動して、前記データ格納領域６３に格納された編集済パラメータを前記第２データ格納手段４５にコピーし、該第２データ格納手段４５に編集済パラメータを格納する。

該第２データ格納手段４５を前記リード／ライト装置４４から取外して、他の半導体製造装置のリード／ライト装置４４に実装し、他の半導体製造装置のコピー処理プログラム６２を起動し、前記第２データ格納手段４５の編集済パラメータを他の半導体製造装置の第１データ格納手段４３にコピー又は移動する。

前記コピー処理プログラム６２は、前記データ格納領域６３から前記第２データ格納手段４５にデータをコピー又は移動する際、又前記第２データ格納手段４５から前記データ格納領域６３にデータをコピー又は移動する際にエラーが発生したかどうかを監視する機能を具備しており、エラーが発生した場合は、エラーの状態を前記モニタ４７に表示する様になっている。

以下、前記コピー処理プログラム６２によるデータのコピー、移動について、図４〜図７を参照して説明する。

先ず、図４に於いて、前記第２データ格納手段（例えば、ＵＳＢフラッシュメモリ）４５から前記第１データ格納手段（例えばＨＤＤ）４３にデータ（編集済パラメータ）をコピーする場合を説明する。

前記第２データ格納手段４５を前記リード／ライト装置４４に実装し、前記コピー処理プログラム６２を起動し、コピー処理を開始する。

ＳＴＥＰ：０１ 前記第２データ格納手段４５のコピー元ファイルを、前記第１データ格納手段４３のテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーする。

ＳＴＥＰ：０２、ＳＴＥＰ：０３ 前記第２データ格納手段４５の前記コピー元ファイル及び前記テンポラリフォルダにコピーされた前記１時ファイルを４Ｋバイト単位でファイルリードし、作業用メモリに展開する。尚、前記作業用メモリは、前記制御装置４２が具備するＣＰＵに内蔵されたメモリ、或は前記ＣＰＵに付属して実装される半導体メモリのいずれであってもよい。

ＳＴＥＰ：０４ 前記作業用メモリに展開された各々のデータを比較し、差異があるかどうかをチェックする。差異がなければＳＴＥＰ：０５に進み、差異があればＳＴＥＰ：０８に進む。

ＳＴＥＰ：０５ 更に、ファイル全てのデータを、４Ｋバイト単位で比較し、前記コピー元ファイルと前記１時ファイルとの間で差異があるかどうかをチェックする。差異がある場合は、ＳＴＥＰ：０２に戻り、ＳＴＥＰ：０２、ＳＴＥＰ：０３、ＳＴＥＰ：０４が実行される。

ＳＴＥＰ：０６ ファイル全てで、前記コピー元ファイルと前記１時ファイルとの間で差異がなければ、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを前記第１データ格納手段４３のコピー先フォルダにコピーする。

ＳＴＥＰ：０７ テンポラリフォルダの１時ファイルを削除して、コピー処理が完了する。

ＳＴＥＰ：０８ ＳＴＥＰ：０４で差異があれば、ファイル異常として前記モニタ４７にエラー表示を行い、前記１時ファイルを除去してコピー処理を終了する。

尚、データのチェックを４Ｋバイト単位で行っているのは、半導体製造装置の制御システムが保有しているファイルが「４Ｋバイト」程度のものが大半であり、４Ｋバイト単位で処理した場合、一度のアクセスでファイルチェックが完了するという処理効率上からの理由による。又、チェックの単位は、４Ｋバイトに限られるものではなく、ファイルの大きさに応じて多くしてもよく、或は更に分割した単位でチェックを実行してもよい。

図５に於いて、前記第１データ格納手段（例えばＨＤＤ）４３から前記第２データ格納手段（例えば、ＵＳＢフラッシュメモリ）４５にデータ（編集済パラメータ）をコピーする場合を説明する。

ＳＴＥＰ：１１ 前記コピー処理プログラム６２が起動され、前記第１データ格納手段４３のデータが、該第１データ格納手段４３内のテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーされる。

ＳＴＥＰ：１２ 前記第１データ格納手段４３からコピー元ファイルが前記第２データ格納手段４５のコピー先フォルダにコピーされる。

ＳＴＥＰ：１３、ＳＴＥＰ：１４ 前記テンポラリフォルダにコピーされた前記１時ファイル及び前記第２データ格納手段４５にコピーされたコピー先ファイルが４Ｋバイト単位でファイルリードし、作業用メモリに展開する。

ＳＴＥＰ：１５ 前記作業用メモリに展開された各々のデータを比較し、差異があるかどうかをチェックする。差異がない場合は、ＳＴＥＰ：１６に進み、差異がある場合は、ＳＴＥＰ：１８に進む。

ＳＴＥＰ：１６ ファイル全てのデータを、４Ｋバイト単位で比較し、前記コピー先ファイルと前記１時ファイルとの間で差異があるかどうかがチェックされる。

ＳＴＥＰ：１７ ファイル全てのデータに差異がない場合、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除して、コピー処理を終了する。差異がある場合は、ＳＴＥＰ：１３に戻り、ＳＴＥＰ：１３、ＳＴＥＰ：１４、ＳＴＥＰ：１５が実行される。

ＳＴＥＰ：１８ ＳＴＥＰ：１５で作業用メモリに展開された各々のデータを比較し、前記コピー先ファイルと前記１時ファイルとの間で差異があった場合、ファイル異常として前記モニタ４７にエラー表示を行う。

ＳＴＥＰ：１９ 前記第２データ格納手段４５の前記コピー先ファイルを削除、前記第１データ格納手段４３の前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、コピー処理を終了する。

図６に於いて、前記第２データ格納手段（ＵＳＢフラッシュメモリ）４５から前記第１データ格納手段（ＨＤＤ）４３にデータ（編集済パラメータ）を移動する場合を説明する。

前記第２データ格納手段４５から前記第１データ格納手段４３へのデータ（編集済パラメータ）の移動は、前記第２データ格納手段４５から前記第１データ格納手段４３へデータをコピーする場合と略同様であり、データ移動の場合は、編集済パラメータを前記第１データ格納手段４３にコピーした後、移動元（第２データ格納手段４５）のファイルを削除する工程（ＳＴＥＰ：２７）が追加される。

前記第２データ格納手段４５を前記リード／ライト装置４４に実装し、前記コピー処理プログラム６２を起動し、コピー処理を開始する。

ＳＴＥＰ：２１ 前記第２データ格納手段４５の移動元ファイルを、前記第１データ格納手段４３の前記テンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーする。

ＳＴＥＰ：２２、ＳＴＥＰ：２３ 前記第２データ格納手段４５の前記移動元ファイル及び前記テンポラリフォルダにコピーされた前記１時ファイルを４Ｋバイト単位でファイルリードし、４Ｋバイトの作業用メモリに展開する。

ＳＴＥＰ：２４ 前記作業用メモリに展開された各々のデータを比較し、差異があるかどうかをチェックする。差異がない場合は、ＳＴＥＰ：２５に進み、差異がある場合は、ＳＴＥＰ：２９に進む。

ＳＴＥＰ：２５ ファイル全てのデータを、４Ｋバイト単位で比較し、前記移動元ファイルと前記１時ファイルとの間で差異があるかどうかをチェックする。差異がある場合は、ＳＴＥＰ：２２に戻り、ＳＴＥＰ：２２、ＳＴＥＰ：２３、ＳＴＥＰ：２４が実行される。

ＳＴＥＰ：２６ 前記移動元ファイルと前記１時ファイルとの間で差異がなければ、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを前記第１データ格納手段４３の移動先フォルダに移動する。

ＳＴＥＰ：２７ 移動が完了すると前記第２データ格納手段４５の前記移動元ファイルを削除して、移動処理を終了する。

ＳＴＥＰ：２８ ＳＴＥＰ：２５で前記移動元ファイルと前記１時ファイルとの間で差異があれば、ファイル異常として前記モニタ４７にエラー表示を行い、前記テンポラリフォルダにコピーされた前記１時ファイルを削除してコピー処理を終了する。

図７は、前記第１データ格納手段（ＨＤＤ）４３から前記第２データ格納手段（ＵＳＢフラッシュメモリ）４５にデータ（編集済パラメータ）を移動する場合を示している。

ＳＴＥＰ：３１ 前記コピー処理プログラム６２が起動され、前記第１データ格納手段４３の移動元データが、該第１データ格納手段４３内の前記テンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーされる。

ＳＴＥＰ：３２ 前記第１データ格納手段４３から移動元ファイルが前記第２データ格納手段４５の移動先フォルダに移動される。

ＳＴＥＰ：３３、ＳＴＥＰ：３４ 前記テンポラリフォルダにコピーされた前記１時ファイル及び前記第２データ格納手段４５に移動された移動先ファイルが４Ｋバイト単位でファイルリードされ、作業用メモリに展開する。

ＳＴＥＰ：３５ 作業用メモリに展開された各々のデータを比較し、差異があるかどうかをチェックする。

ＳＴＥＰ：３６ ファイル全てのデータを、４Ｋバイト単位で比較し、前記移動先ファイルと前記１時ファイルとの間で差異があるかどうかをチェックする。

ＳＴＥＰ：３７ ファイル全てのデータに差異がない場合、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除して、移動処理を終了する。

ＳＴＥＰ：３８ ＳＴＥＰ：３５で差異がある場合は、ファイル異常として前記モニタ４７にエラー表示を行う。又、前記第２データ格納手段４５の前記移動先ファイルを除去し、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを前記第１データ格納手段４３の前記移動元フォルダに戻して移動処理を終了する。

ＳＴＥＰ：３９ ファイル全てのデータに差異があった場合、ＳＴＥＰ：３３に戻り、ＳＴＥＰ：３３、ＳＴＥＰ：３４、ＳＴＥＰ：３５が実行される。

尚、上記説明は、縦型のバッチ式半導体製造装置に関するが、本発明は、横型の処理炉を有する横型半導体製造装置、或は一枚ずつ基板を処理する枚葉式の半導体製造装置にも実施可能であることは言う迄もない。更に、上記した基板処理を行う半導体製造装置、或は基板処理装置に限らず、他の基板処理、例えば露光、リソグラフィを行う装置についても実施可能であることは言う迄もない。

（付記）
又、本発明は以下の実施の態様を含む。

（付記１）基板処理を実行する為に必要なデータを格納する第１格納手段と、前記データを他の半導体製造装置に移動する際に一時的に格納する第２格納手段と、前記第１格納手段と前記第２格納手段間でデータの移動を制御する制御手段を具備する半導体製造装置に於いて、前記第１格納手段から前記第２格納手段に前記データをコピーする際に前記第１格納手段からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除することを特徴とする半導体製造装置に於けるデータ移動方法。

本発明の実施の形態に係る半導体製造装置の斜視図である。 該半導体製造装置の側断面図である。 該半導体製造装置の制御系を示すブロック図である。 可搬第２データ格納手段から前記制御系の第１データ格納手段にデータをコピーする場合のフローチャートである。 前記制御系の第１データ格納手段から可搬第２データ格納手段にデータをコピーする場合のフローチャートである。 前記可搬第２データ格納手段から前記制御系の前記第１データ格納手段にデータを移動する場合のフローチャートである。 前記制御系の前記第１データ格納手段から前記可搬第２データ格納手段にデータを移動する場合のフローチャートである。

符号の説明

１ 半導体製造装置
２４ ウェーハ移載機構
２６ ボート
２８ 処理炉
４０ プロセス制御部
４１ 搬送制御部
４２ 制御装置
４３ 第１データ格納手段
４４ リード／ライト装置
４５ 第２データ格納手段
４６ 操作部
４７ モニタ
６１ 操作プログラム
６２ コピー処理プログラム
６３ データ格納領域

Claims (1)

1. 基板処理を実行する為に必要なデータを格納する第１格納手段と、前記データを他の半導体製造装置に移動する際に一時的に格納する第２格納手段と、前記第１格納手段と前記第２格納手段間でデータの移動を制御する制御手段を具備し、該制御手段は前記第１格納手段から前記第２格納手段に前記データをコピーする際に前記第１格納手段からコピー元ファイルをテンポラリフォルダに１時ファイルとしてコピーし、前記コピー元ファイルを前記第２格納手段のコピー先フォルダにコピー先ファイルとしてコピーし、前記１時ファイル及び前記コピー先ファイルを所定バイト単位で各々比較し、差異があればファイル異常として前記第２格納手段の前記コピー先ファイル及び前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除し、ファイル全ての比較で差異がない場合は、前記テンポラリフォルダの前記１時ファイルを削除することを特徴とする半導体製造装置。

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