JP2011023589A - 基板処理システム - Google Patents

Abstract

【課題】装置環境状況変化に対する通信タイムアウト発生に関する問題点を解決する基板処理装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置に設けられ、データ送信又は受信する複数の装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と、これら装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と通信する監視モジュールと、各装置側モジュール及び監視モジュールに組み込まれ、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と監視モジュールとの間でデータを通信させるための通信プログラムと、を具えた基板処理装置であって、前記監視モジュールの通信プログラムは、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に受信されるデータの受信間隔を監視することにより、データが正常に受信されているか否かを判断するように構成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理システムに関するものであり、特に基板処理装置及び基板処理装置環境下に於けるセンサの状態を監視することにより基板処理装置の良否を判定する基板処理システムに関するものである。

基板の処理膜厚の微小化に伴い、基板の管理を行う手法として、基板処理装置を動作させるための最低限のセンサだけでなく、種々のセンサを監視して装置の健常性を管理することがＥＥＳ（Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）では求められている。例えば、特許文献１には、装置の健常性のチェック結果としてグラフを表示している。

しかしながら、健常性の管理のチェック結果としてグラフを表示するために、従来の表示方法では、データの変化を時系列で表示しているため、異常のあった時点がわかりにくかった。

特開２００８−０９５１８

そこで、本発明の目的は、種々のセンサで取得できるデータを用いたチェック結果を表示し、そのときのチェック条件もグラフに重ね、且つチェック結果を１つのグラフに表示することで、装置の正常、異常を判定・表示する基板処理装置を提供することである。

本発明の第１の特徴とするところは、基板を処理する一つ以上の基板処理装置と、各基板処理装置に対して少なくとも一台接続される群管理装置と、前記群管理装置内に設けられ、前記データを蓄積する蓄積手段と、前記基板処理装置内に設けられ、データ送信又は受信する装置側モジュールと、前記装置側モジュールから送信されて前記蓄積手段に蓄積されたデータに対して所定の範囲で上下限をチェックするチェックモジュールで構成されている基板処理システムである。ここで、装置側モジュールとは、基板処理を実行するための設定値又は実測値（信号値）を送信するモジュール、例えば、温度制御部、圧力制御部、ガス流量制御部のことをいう。装置側モジュールはセンサ又は基板処理系、基板搬送系のアクチュエータ等と接続され、センサ又はアクチュエータとの間でデータ通信を行う。装置側モジュールは、センサの場合、センサから基板処理装置の処理状態、運転状態等の検出データ（信号値）を受信し、アクチュエータの場合は、アクチュエータに対して基板処理に対応した制御データである設定値あるいは信号値を送信する。

本発明の第２の特徴とするところは、前記チェックモジュールでチェックされた結果を表示する表示手段である表示モジュールを設け、前記データとチェック条件とチェック結果を同時に表示する基板処理システムである。

本発明によれば、長期の基板処理装置に設けられたセンサ出力値を、特異点を逃さずチェックし、装置の正常、異常を判定することができる。

本発明の一実施の形態に係る装置コントローラ及びデータチェックシステムの一例を示す解説図である。 データチェックを行った結果を表示するための選択画面を示す解説図である。 データチェックを行った結果、正常と判定したときのグラフ表示画面を示す解説図である。 データチェックを行った結果、異常と判定したときのグラフ表示画面を示す解説図である。 データチェックの時間の範囲が狭い期間(点)であった場合のグラフ表示画面を示す解説図である。 データチェックの値の範囲が広い場合のグラフ表示画面を示す解説図である。 所定のレシピのステップ毎の炉内温度の変化を概略的に示した図である。 炉内圧力に着目したレシピのステップ概略図である。 本発明に係る基板処理装置の平面透視図である。 本発明に係る基板処理装置の側面透視図である。

まず、図９乃至図１０を参照して本発明に係る基板処理装置を説明し、次に、図１乃至図４を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムについて説明する。

＜基板処理装置＞
基板処理装置は、本実施の形態においては、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。
なお、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に基板処理装置という）を適用した場合について説明する。

図９は、本発明に適用される基板処理装置の平面透視図として示されている。また、図１０は図９に示す基板処理装置の側面透視図である。
図９及び図１０に示されているように、シリコン等からなるウエハ（基板）２００を収納したウエハキャリアとしてフープ（基板収容器。以下ポッドという。）１１０が使用されている本発明の基板処理装置１００は、筐体１１１を備えている。
筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上下四段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。

筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。
サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ
口を開閉するように構成されている。

サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転乃至直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。
これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。

図９に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給フアン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハ２００の円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５及びウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。

移載室１２４の後側領域には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という。）を維持可能な機密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という。）１４０が設置されており、この耐圧筐体１４０によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室１４１が形成されている。
耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａにはウエハ搬入搬出開口（基板搬入搬出開口）１４２が開設されており、ウエハ搬入搬出開口１４２はゲートバルブ（基板搬入搬出口開閉機構）１４３によって開閉されるようになっている。耐圧筐体１４０の一対の側壁にはロードロック室１４１へ窒素ガスを給気するためのガス供給管１４４と、ロードロック室１４１を負圧に排気するための排気管１４５とがそれぞれ接続されている。 ロードロック室１４１上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は炉口ゲートバルブ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。耐圧筐体１４０の正面壁１４０ａの上端部には、炉口ゲートバルブ１４７を処理炉２０２の下端部の開放時に収容する炉口ゲートバルブカバー１４９が取り付けられている。

図９に示されるように、耐圧筐体１４０にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置される。ボートエレベータ１１５に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成される。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成される。

次に、本発明の基板処理装置の動作について説明する。
図９及び図１０に示されるように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満されることにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。

載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。
また、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室１４１のウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３の動作により開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ウエハ搬入搬出開口１４２を通じてロードロック室１４１に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。
ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７に装填する。

この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載装置１２５ａによるウエハ２００のボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５乃至ロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。

予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７装填されると、ウエハ搬入搬出開口１４２がゲートバルブ１４３によって閉じられ、ロードロック室１４１は排気管１４５から真空引きされることにより、減圧される。ロードロック室１４１が処理炉２０２内の圧力と同圧に減圧されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。このとき、炉口ゲートバルブ１４７は炉口ゲートバルブカバー１４９の内部に搬入されて収容される。
続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５の昇降台１６１によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。

ローディング後は、処理炉２０２内が所定の圧力(処理圧力)、所定の温度(目標温度)に調整され、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ボートエレベータ１１５によりボート２１７が引き出され、更に、ロードロック室１４１内部を大気圧に復圧させた後にゲートバルブ１４３が開かれる。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体１１１の外部へ払い出される。

＜データチェックシステム＞
次に、図１乃至図４を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のデータチェックシステムについて説明する。
図１においては、簡便のため、温度制御部、処理炉２０２やロードロック室１４１の圧力を制御する圧力制御部、ガス流量制御部、駆動制御部等のサブコントローラや基板処理装置のメインコントローラ(主制御部)を装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）で表し、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に接続される温度センサ、圧力センサ、ガス流量計としてのマスフローコントローラ、弁、アクチュエータ等の基板処理系、基板搬送系のポジションセンサを、それぞれセンサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，…，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］で表している。

図１は、装置コントローラ及びデータチェックシステムの一例を示す解説図である。図示されるように、データチェックを実施するためのチェックモジュールは、実施の形態では、装置コントローラとしてのサーバ２４０で構成される。各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，…，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］は、それぞれ通信回線を介して対応する装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に接続される。なお、装置側通信プログラムとデータ蓄積モジュールを通信装置で構成し、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）と接続してもよい。サーバ２４０にはクライアントとしての端末装置が接続される。モニタ２７０に表示される操作画面、モニタ画面やレシピ選択・実行画面等の画面データやレシピ等の前記基板処理装置１００の制御に必要なプログラムやテーブルは、前記端末装置の固定記憶装置に格納される。端末装置の表示モジュールによりモニタ２７０にチェックモジュールでチェックされた結果情報が表示されるよう構成されている。本実施形態に於ける表示モジュールについては後で詳述する。

チェックモジュールとしての前記サーバ２４０は、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）にそれぞれ接続されたセンサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，…，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］と蓄積手段としての蓄積データベースとの間のデータの送受信を行うデータ蓄積プログラムを備える。

データ蓄積プログラムは、前記サーバ２４０に備えられる格納部に格納されており、蓄積データベースもまた、同じ格納部に格納されるよう構成されている。但し、データ蓄積プログラムと蓄積データベースとをそれぞれ異なる格納部に格納するよう構成されてもかまわないのは言うまでもない。

装置側通信プログラムは、各装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に設けられているプログラム格納部に格納されている。これらの通信プログラムは、サーバ２４０の起動時に動作し、シャットダウン時に終了する。なお、これらのプログラムは、前記主制御部に接続されているハードディスクなどの固定記憶装置に格納してもよい。装置側通信プログラムは、データの検出日時、センサのＩＤ、データの送信先のＩＤを各センサ［Ａａ］〜［Ａｚ］，［Ｂａ］〜［Ｂｚ］，…，［Ｚａ］〜［Ｚｚ］の検出値（信号値）にリンクさせてこれを送付先の装置側モジュール（Ａ）〜（Ｚ）に送信するようにプログラムされている。

更に、本願発明の実施形態では別体となっているが、サーバ２４０は、モニタ２７０に表示するための表示手段としての表示モジュールも一体となるよう構成してもよい。この表示モジュールは、少なくともチェックモジュールの結果情報をモニタ２７０に表示する役目を持つ。

＜上下限チェックモジュール＞
チェックモジュール（サーバ２４０）は、蓄積データベースのデータを元にチェックを行う。チェックは蓄積データベースのイベント情報と経過時間を元にチェック対象となる範囲を指定する。チェック対象となる範囲の間の信号値が、予め設定しておいた上限値を上回る、もしくは下限値を下回らないかチェックし、チェックした結果、偽となる場合に異常と判定し、表示モジュールに警告を発する。また、本実施形態において、チェックモジュールは、チェック結果を蓄積データベースとは別の格納部に格納するよう構成されている。ここで、チェック結果情報は、蓄積データベースと同じ格納部に格納されるよう構成されてもかまわないのは言うまでもない。

＜データ表示機能＞
端末装置は、前記チェックモジュール（サーバ２４０）でチェックが終了すると、チェック結果情報を表示モジュールで受信し、このチェック結果情報をモニタ２７０に表示させるチェックデータ表示プログラムを備える。

ここで、図２乃至図４を参照して本実施の形態に係る基板処理装置のチェックデータ表示プログラムについて説明する。チェックデータ表示プログラムは、端末内の格納部に格納されており、モニタ２７０上で所定の操作を実施して起動される。例えば、モニタ２７０上に表示されるデータチェックボタンを押下することで起動されるよう構成されている。このチェックデータ表示プログラムが起動されると図２に示す選択画面が表示される。

次に、図２または図３によりデータチェックモジュールでチェックした結果を表示する機能の概略を示す。

まず、図２に示す選択画面を端末装置に表示する。この選択画面には、上下限チェックモジュールでチェックした結果情報が表形式で表示される。以下、この選択画面の各項目について詳述する。

前記上下限チェックモジュールでチェックした種類（チェック項目）とチェック時間（チェック日時）、チェック対象データの時間範囲（データ範囲）とを一覧で表示するとともに、上下限チェックモジュールによってチェックした時間範囲（チェック期間）内での最大値、最小値を同時に表示するため、チェックするための時間範囲、上限値、下限値を設定しやすくする。また、これら上限設定値、下限設定値も同時に表示するようにしてもよい。

ヒータの昇温後の温度安定性をチェック（チェック項目の昇温チェック）するとき、昇温直後は温度が安定しにくいためチェックする上限、下限の値はマージンを大きくとる必要がある。そこで、本実施の形態のように、２段階チェックを行うことでより現実的なチェックを可能とする。尚、本実施の形態において、チェック対象データの時間範囲内で２回上下限値をチェックしているが回数はこれに限らない。また、以後、上下限値をチェックすることを単に上下限チェックと称する場合がある。

また、チェック結果（結果）として正常か異常かを表示するだけでなく、異常と判定された最小値や最大値を識別できるように表示している。従い、前記上下限チェックモジュールにより異常と判定した期間を警告色で表示し、視覚的に異常があったことをわかりやすくすると同時に、異常の期間を選択しやすくする。図２では、異常と判断されたデータのうち真ん中のデータが選択されている状態を示している。この状態で表示ボタン（図２ではグラフ表示と記載）を押下することで、グラフ表示画面が表示される。

図３は、チェック機能によりチェックした結果をグラフ表示する画面の一例を示す。図３は、ヒータの昇温特性をチェックするために、信号値として温度モニタ値をチェック項目として上下限チェックした結果をグラフ表示したものである。また、図３には、温度モニタ値のほか、温度設定値や上下限チェックを行ったチェック期間及びチェック結果を同時に表示されている。

グラフの表示範囲は予め上下限チェックモジュールのチェック条件の定義ファイルに同時に指定したイベント（後述する昇温ステップ）の間の指定した信号を表示するため、チェック期間とは一致しなくてもよい。一致していない場合、グラフの表示期間にはチェック期間以外も表示することになるため、チェックする部分としない部分が視認しにくくなる。そのため、図３に示す線の横方向の長さでチェックしている範囲（チェック期間）を表示し、縦方向の値によりチェックしている上限値、下限値を表示する。

よって、チェックしない期間も表示できるため、チェック結果の異常がその前後の変化に起因しているものかどうか確認しやすくなる。

図３の上下限チェック補助線の両端を斜線、つまり、上限値、下限値を示す線の端を斜線で構成することにより、その線が上限を示すか下限を示すかがわかりやすくなる。また、上限のみ、下限のみをチェックする場合にもその線がどちらを意味するのかわかりやすくなる。また、チェックする期間が点である場合にもそのチェック範囲をもらさずに示すことができる。

図４は、図２で示した選択画面上で選択したデータを、表示ボタンを押下してグラフ表示させたときの一例である。図４は、ヒータの温度安定特性が悪い例を示し、図中上部の▼印によって異常と判定した位置を判りやすく示している。

図７は、制御パラメータの一種である温度に着目したプロセスレシピを示す図の例であり、あるレシピを実施する際の炉内の温度変化を概略的に示したものである。図７に記されている符号Ｓ１〜Ｓ６は、各ステップＳ１〜Ｓ６が行われていることを示している。ステップＳ１は、炉内の温度を比較的低い温度(待機温度またはスタンバイ温度)Ｔ０に安定させる処理である。ステップＳ１ではウエハ２００はまだ炉内に挿入されていない。ステップＳ２（ボートロードステップ）は、ボート２１７に保持されたウエハ２００を炉内へ挿入する処理である。ウエハ２００の温度は、この時点で炉内の温度Ｔ０より低いので、ウエハ２００を炉内へ挿入した結果、炉内温度は一時的にＴ０より低くなるが、温度制御部により炉内の温度は若干の時間を経て再び温度Ｔ０に安定する。ステップＳ３（昇温ステップ）は、温度Ｔ０からウエハ２００に所定の処理を施すための目標温度Ｔ１まで、徐々に炉内の温度を上昇させるステップである。ステップＳ４（処理ステップ）は、炉内の温度を目標温度Ｔ１で維持して安定させて、ウエハ２００に所定の処理を施すステップである。ステップＳ５（降温ステップ）は、処理終了後に目標温度Ｔ１から待機温度Ｔ０まで徐々に炉内の温度を下降させる処理を施すステップである。ステップＳ６（ボートアンロードステップ）は、処理済のウエハ２００をボート２１７と共に炉内から引き出す処理を施すステップである。連続してバッチ処理する場合には、これらステップＳ１〜Ｓ６の一連の処理が繰り返される。また、原則として、ステップＳ１〜Ｓ６で実施される各処理は、いずれも温度設定部からの設定温度に対し、炉内温度が予め定められた微小温度範囲にあり、且つ予め定められた時間だけその状態が続くといった安定状態を得た後、次にステップへ進むようになっている。最近では、一定時間でのウエハ２００の処理枚数を大きくすることを目的として、ステップＳ１，Ｓ２，Ｓ５，Ｓ６等においては安定状態を得ずして次のステップへ移行することも行われている。

但し、昇温ステップＳ３から処理ステップＳ４への移行は、安定状態で実施しなければならない。従い、本願発明では、前述したように上下限チェックを２段階で実施している。

図５では、チェックすべき期間の範囲が短い場合の例として、ボートをロードするとき（ボートロードステップＳ２）、炉口ゲートバルブを開放するため、炉内温度が低下する範囲をチェックしたものを示す。チェック期間がロード中の一点をチェックするため横線の長さが非常に短くなってしまうが、横線の両端にある斜線により、チェックしたことを示すことが可能となっている。ここで、後の昇温ステップから処理ステップへの移行をスムーズに行うため、且つスループットを上げるために、炉内温度の低下をチェックする。つまり、ステップＳ２は直接基板処理にかかるところではないため、安定状態を得ない状態で次のステップＳ３へ移行する場合がある。一方、ステップＳ３からステップＳ４は安定状態で移行する必要がある。従い、どの程度の炉内温度の低下であれば、目標温度Ｔ１への温度上昇させる際に影響を与えることがないかをチェックする必要がある。

図８は、制御パラメータの一つである圧力に着目したプロセスレシピのシーケンスを示した図である。プロセスレシピは、操作画面からの指示若しくは開始する（S10）と、‘BoatLoad’ステップ（S20）→‘SlowVac’ステップ及び’LeakCheck‘ステップ（S30）→’DEPO’ステップ（S40）→‘Purge’ステップ（S50）→’BoatUnload’ステップ（S60）と移行していき、レシピが終了する（S70）。

具体的には、図８に示すように、本実施形態における基板処理装置は、ウェハ２００を保持したボート２１７を待機温度に保持された処理炉２０２内に搬入する搬入（‘BoatLoad’）ステップ（S20）と、処理炉２０２内を大気圧から処理圧力へ減圧させる減圧（‘SlowVac’及び’LeakCheck‘）ステップ（S30）と、処理炉２０２内に処理ガスを供給してウェハ２００を処理する成膜（’DEPO’）ステップ（S40）と、処理炉２０２内を処理圧力から大気圧へ復帰させる大気圧復帰（‘Purge’） ステップ（S50）と、処理後のウェハ２００を保持したボート２１７を処理炉２０２内から搬出する搬出（’BoatUnload’）ステップ（S60）と順次実行するように構成されている。尚、減圧ステップ（S30）と並行して処理炉２０２内の温度を待機温度から成膜温度へと昇温させる昇温ステップが実施され、大気圧復帰ステップ（S50）と並行して処理炉２０２内の温度を成膜温度から待機温度へと降温させる降温ステップが実施されるが、これら昇温ステップや降温ステップについては図示を省略している。また、大気圧復帰ステップは、ガス置換ステップでもある。つまり、成膜時に使用したガスを除去するステップでもある。従って、大気圧復帰ステップ内では、大気圧復帰処理と減圧処理とが繰り返されることもある。

図６では、炉内圧力の真空到達をチェック（リークチェックステップ）する場合、グラフの全体を表示しようとすると真空到達部分では非常にレンジが小さいため、真空到達部分に着目しにくくなる。下限値の補助線が出るためその部分を拡大することによりチェック期間に着目すればよいことがわかり、かつ真空に対する期間内全体の経過もグラフに表示することが可能となる。

なお、本発明の実施の形態では、半導体製造装置として縦型の基板処理装置を説明したが枚葉式の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また、基板（ウエハ）を処理する半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。

次に、本発明の好ましい他の態様を付記するが、以下の記載に限定されないのは言うまでもない。

［実施の態様１］
基板を処理する一つ以上の基板処理装置に対して少なくとも一台接続される群管理装置と、前記基板処理装置から送信されるデータを蓄積する蓄積手段と、前記蓄積手段に蓄積されたデータに対して所定の範囲で上下限をチェックするチェックモジュールとで構成された群管理装置。

［実施の態様２］
実施の形態１に記載の群管理装置において、チェックモジュールでチェックした結果を表示する端末を設け、前記データとチェック条件とチェック結果を同時に表示する群管理装置。

［実施の態様３］
ボートをロードするボートロードステップと、昇温ステップと、処理ステップと、アンロードステップとを含む一連の処理で生成されるデータをデータベースに蓄積し、蓄積されたデータに対して所定の範囲で上下限をチェックする半導体装置の製造方法。

［実施の態様４］
ボートをロードするボートロードステップと、減圧処理ステップと、処理ステップと、アンロードステップとを含む一連の処理で生成されるデータをデータベースに出力する半導体装置の製造方法であって、前記減圧処理ステップは、更にリークチェックステップを有し、このリークチェックステップ時に生成されるデータをデータベースに蓄積し、蓄積されたデータに対して所定の範囲で上下限をチェックする半導体装置の製造方法。

１００ 基板処理装置
２４０ サーバ（データチェックモジュール）
［ａ］〜［ｚ］ センサ
（Ａ）〜（Ｚ） 装置側モジュール

Claims (2)

1. 基板を処理する一つ以上の基板処理装置と、
   各基板処理装置に対して少なくとも一台接続される群管理装置と、
   前記群管理装置内に設けられ、前記データを蓄積する蓄積手段と、
   前記基板処理装置内に設けられ、データ送信又は受信する装置側モジュールと、
   前記装置側モジュールから送信されて前記蓄積手段に蓄積されたデータに対して所定の範囲で上下限をチェックするチェックモジュールで構成された基板処理システム。
2. 更に、前記チェックモジュールでチェックされた結果を表示するための表示手段を設け、前記データとチェック条件とチェック結果を同時に表示するよう構成されている請求項１記載の基板処理システム。