KR20210048140A - 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 - Google Patents

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 공정 챔버의 처리 공간에 제공된 상기 기판에 잔류하는 수분을 증발시키도록 상기 기판을 가열하는 가열 단계와; 상기 가열 단계 이후에 상기 기판으로 소수화 가스를 공급하는 소수화 처리 단계를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 방법 및 기판 처리 장치{Method and Apparatus for treating a substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포 공정, 열처리 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 여기서, HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS 가스를 공급하는 공정이다.
감광액의 밀착 효율을 높이기 위해서는, HMDS 가스와 웨이퍼 사이의 콘택 앵글(Contact Angle)을 적절히 조절해야 한다. 예컨대, HMDS 가스와 웨이퍼 사이의 콘택 앵글(Contact Angle)이 목표한 값보다 크거나 작은 경우 이후에 HMDS 처리 공정 이후 웨이퍼로 공급되는 감광액과 웨이퍼 사이의 밀착 효율이 떨어진다. 콘택 앵글은 웨이퍼 상에 잔류하는 수분 층의 두께나 구조, 그리고 공정 챔버 내의 상대 습도에 영향을 받는다. 웨이퍼 상에 잔류하는 수분 층, 그리고 공정 챔버 내의 습기는 HMDS가 웨이퍼와 반응시 촉매 역할을 한다. 즉, 웨이퍼 상에 잔류하는 수분 층의 두께가 크거나, 공정 챔버 내 상대 습도가 높은 경우 HMDS 가스와 웨이퍼 사이의 콘택 앵글은 커지게 한다. 콘택 앵글이 목표한 값보다 큰 경우, 추후에 수행되는 감광액 도포 공정에서 감광액이 웨이퍼의 상면으로부터 일 방향으로 밀리는 밀림 현상이 발생한다.
본 발명은 기판을 효율적으로 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판 상에 잔류하는 수분 층의 두께 및/또는 공정 챔버 내 상대 습도를 조절하여 기판과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 조절할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 가스를 공급하여 기판을 처리하는 과정에서 발생하는 유기 가스를 효율적으로 배기할 수 있는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치를 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 공정 챔버의 처리 공간에 제공된 상기 기판에 잔류하는 수분을 증발시키도록 상기 기판을 가열하는 가열 단계와; 상기 가열 단계 이후에 상기 기판으로 소수화 가스를 공급하는 소수화 처리 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 소수화 처리 단계 이후에 상기 처리 공간으로 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 단계를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가열 단계, 상기 소수화 처리 단계, 그리고 상기 가스 공급 단계에는, 상기 공정 챔버의 에지 영역에서 위 방향으로 상기 처리 공간을 배기할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 소수화 처리 단계에는, 상기 공정 챔버의 센터 영역에서 위 방향으로 상기 처리 공간을 배기할 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하고, 지지된 기판을 가열하는 지지 유닛과; 상기 처리 공간으로 소수화 가스 또는 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과; 제어기를 포함하고, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하고, 이후 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 상기 소수화 가스를 공급하도록 상기 지지 유닛과 상기 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 소수화 가스가 공급된 이후 상기 처리 공간으로 상기 비활성 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배기 유닛은, 상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와; 상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 상부 배기부는, 상기 공정 챔버의 에지 영역에 제공되는 에지 배기 라인과; 상기 공정 챔버의 센터 영역에 제공되는 센터 배기 라인을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛이 기판을 가열, 상기 가스 공급 유닛이 상기 소수화 가스를 공급, 또는 상기 가스 공급 유닛이 상기 비활성 가스를 공급하는 동안 상기 에지 배기 라인이 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 가스 공급 유닛이 상기 소수화 가스를 공급하는 동안 상기 센터 배기 라인이 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 상에 잔류하는 수분 층의 두께 및/또는 공정 챔버 내 상대 습도를 조절하여 기판과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 조절할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 가스를 공급하여 기판을 처리하는 과정에서 발생하는 유기 가스를 효율적으로 배기할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4은 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이다.
도 9는 도 8의 가열 단계, 소수화 처리 단계, 그리고 가스 공급 단계에서 기판을 처리하는 처리 레시피를 보여주는 표이다.
도 10은 도 8의 가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 8의 소수화 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.
도 12는 도 8의 가스 공급 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다.
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 수행시 기판과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 보여주는 도면이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 반송 유닛의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 4를 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 X축 방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(5000)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(5000)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(5000) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착력을 향상시킬 수 있다. 가스는 기판(W)을 소수화시키는 소수화 가스일 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이하에서는, 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000) 중 기판에 포토레지스트의 부착력을 향상시키는 가스를 공급하는 장치를 예를 들어 설명한다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다. 도 7을 참조하면, 가열 유닛(5000)에 제공되는 기판 처리 장치는, 공정 챔버(5100), 실링 부재(5200), 지지 유닛(5300), 가스 공급 유닛(5500), 배기 유닛(5760, 5660), 그리고 제어기(5900)를 포함한다.
공정 챔버(5100)는 내부에 처리 공간(5102)을 제공한다. 공정 챔버(5100)는 상부 챔버(5110), 하부 챔버(5120), 그리고 구동기(5115)를 포함할 수 있다.
상부 챔버(5110)는 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)는 하부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)는 하부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부 챔버(5110)의 아래에 배치될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부에서 바라 볼 때, 원형으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부가 개방된 통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5120)는 상부가 개방된 원통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)는 서로 조합되어 처리 공간(5102)을 형성할 수 있다.
구동기(5115)는 상부 챔버(5110)와 결합할 수 있다. 구동기(5115)는 상부 챔버(5110)를 상하로 승하강 시킬 수 있다. 구동기(5115)는 공정 챔버(5110, 5120) 내부로 기판(W)을 반입시 상부 챔버(5110)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(5100)의 내부를 개방할 수 있다. 구동기(5115)는 기판(W)을 처리하는 공정 시 상부 챔버(5110)를 하부 챔버(5120)와 접촉시켜 공정 챔버(5110, 5120) 내부를 밀폐시킬 수 있다. 본 실시예에서는 구동기(5115)가 상부 챔버(5110)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와 달리 구동기(5115)는 하부 챔버(5120)와 연결되어 하부 챔버(5120)를 승하강 시킬 수도 있다.
실링 부재(5200)는 처리 공간(5102)의 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 부재(5200)는 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)의 접촉면에 설치된다. 일 예로 실링 부재(5200)는 하부 챔버(5120)의 접촉면에서 설치될 수 있다.
지지 유닛(5300)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5300)은 지지판(5310), 핀(5320), 그리고 가열 부재(5330)를 포함할 수 있다.
지지판(5310)은 처리 공간(5102) 내에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지판(5310)에는 핀(5320)이 제공되어 기판(W)을 지지할 수 있다. 핀(5320)은 기판(W)의 하면과 지지판(5310)의 상면을 서로 이격시키도록 제공될 수 있다. 지지판(5310)은 상부에서 바라볼 때 원형으로 제공될 수 있다. 지지판(5310)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지판(5310)은 열 전도성이 우수한 재질로 제공될 수 있다. 지지판(5310)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 지지판(5310)은 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 핀(5320)은 기판(W)을 승하강 시키는 리프트 핀일 수 있다. 핀(5320)은 공정 챔버(5100) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 지지 유닛(5300) 상에 내려 놓거나, 기판(W)을 들어올려 공정 챔버(5100)의 외부의 반송 수단으로 인계할 수 있다.
또한, 지지 유닛(5300)은 지지 유닛(5300)에 놓인 기판(W)을 가열하는 가열 부재(5330)를 포함할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(5330)는 지지판(5310)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로, 가열 부재(5330)는 히터로 제공될 수 있다. 히터는 지지판(5310)의 내부에 복수 개로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(5500)은 처리 공간(5102) 내에 위치한 기판(W)으로 처리 가스를 공급할 수 있다. 처리 가스는 밀착용 가스를 포함할 수 있다. 밀착용 가스는 기판(W)을 소수화 시키는 소수화 가스일 수 있다. 일 예로 처리 가스는 헥사메틸다이사이레인(HMDS)을 포함할 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 성질을 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 또한, 처리 가스는 비활성 가스를 포함할 수 있다. 비활성 가스는 질소를 포함하는 가스일 수 있다. 즉, 가스 공급 유닛(5500)은 소수화 가스와 함께 비활성 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 이와 달리, 가스 공급 유닛(5500)은 소수화 가스 없이, 비활성 가스만을 처리 공간(5102)으로 공급할 수도 있다.
가스 공급 유닛(5500)은 가스 공급관(5510)과 가스 공급 라인(5530)을 포함할 수 있다. 가스 공급관(5510)은 상부 챔버(5110)의 중앙 영역에 연결될 수 있다. 가스 공급관(5510)은 가스 공급 라인(5530)에서 전달된 처리 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 가스 공급관(5510)이 공급하는 처리 가스의 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향 되도록 위치할 수 있다.
배기 유닛(5610, 5660)은 처리 공간(5102)을 배기할 수 있다. 배기 유닛(5610, 5660)은 하부 배기부(5610), 그리고 상부 배기부(5660)를 포함할 수 있다.
하부 배기부(5610)는 처리 공간(5102)을 배기할 수 있다. 하부 배기부(5610)는 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기부(5610)는 하부 배기 라인(5612), 하부 밸브(5613), 그리고 하부 감압 부재(5614)를 포함할 수 있다. 하부 배기 라인(5612)은 공정 챔버(5100)의 바닥면과 연결될 수 있다. 하부 배기 라인(5612)은 하부 챔버(5120)의 바닥면과 연결될 수 있다. 하부 배기 라인(5610)은 복수로 분기되어 하부 챔버(5120)의 바닥면과 연결될 수 있다. 하부 배기 라인(5610)은 상부에서 바라볼 때 지지판(5310)의 둘레를 감싸도록 하부 챔버(5120)와 연결될 수 있다. 복수로 분기된 하부 배기 라인(5610) 각각은 지지판(5310)의 둘레를 감싸도록 하부 챔버(5120)와 연결될 수 있다. 하부 감압 부재(5614)는 하부 배기 라인(5612)에 감압을 제공할 수 있다. 하부 감압 부재(5614)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 하부 감압 부재(5614)는 처리 공간(5102)에 감압을 제공하는 공지의 장치로 변형될 수 있다. 하부 배기 라인(5612)에 제공되는 감압은 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 이에, 처리 공간(5102)은 배기될 수 있다. 또한, 하부 배기 라인(5612)에는 하부 밸브(5613)가 제공될 수 있다. 하부 밸브(5613)는 온/오프 밸브이거나, 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다.
상부 배기부(5660)는 처리 공간(5102)을 배기할 수 있다. 상부 배기부(5660)는 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 하부 배기부(5660)는 센터 배기 라인(5661), 센터 밸브(5662), 센터 감압 부재(5663), 에지 배기 라인(5666), 에지 밸브(5667), 그리고 에지 감압 부재(5668)를 포함할 수 있다.
센터 배기 라인(5661)은 공정 챔버(5100)의 센터 영역에 제공될 수 있다. 센터 배기 라인(5661)은 처리 공간(5102)의 센터 영역을 위 방향으로 배기할 수 있다. 센터 배기 라인(5661)은 공정 챔버(5100)의 천정면과 연결될 수 있다. 센터 배기 라인(5661)은 상부 챔버(5110)의 천정면의 센터 영역에 연결될 수 있다. 센터 배기 라인(5661)은 복수로 분기되어 상부 챔버(5120)의 천정면과 연결될 수 있다. 센터 배기 라인(5661)은 상부에서 바라볼 때 가스 공급관(5510)의 둘레를 감싸도록 상부 챔버(5110)와 연결될 수 있다. 복수로 분기된 센터 배기 라인(5661) 각각은 가스 공급관(5510)의 둘레를 감싸도록 상부 챔버(5110)와 연결될 수 있다. 센터 감압 부재(5663)는 센터 배기 라인(5661)에 감압을 제공할 수 있다. 센터 감압 부재(5663)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 센터 감압 부재(5663)는 처리 공간(5102)에 감압을 제공하는 공지의 장치로 변형될 수 있다. 센터 배기 라인(5661)에 제공되는 감압은 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 이에, 처리 공간(5102)은 배기될 수 있다. 또한, 센터 배기 라인(5661)에는 센터 밸브(5662)가 제공될 수 있다. 센터 밸브(5662)는 온/오프 밸브이거나, 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다.
에지 배기 라인(5666)은 공정 챔버(5100)의 에지 영역에 제공될 수 있다. 에지 배기 라인(5666)은 처리 공간(5102)의 에지 영역을 위 방향으로 배기할 수 있다. 에지 배기 라인(5666)은 공정 챔버(5100)의 천정면과 연결될 수 있다. 에지 배기 라인(5666)은 상부 챔버(5110)의 천정면의 에지 영역에 연결될 수 있다. 에지 배기 라인(5666)은 복수로 분기되어 상부 챔버(5120)의 천정면과 연결될 수 있다. 에지 배기 라인(5666)은 상부에서 바라볼 때 가스 공급관(5510)의 둘레를 감싸도록 상부 챔버(5110)와 연결될 수 있다. 또한, 에지 배기 라인(5666)은 상부에서 바라볼 때, 센터 배기 라인(5661) 보다 외측에 제공될 수 있다. 복수로 분기된 에지 배기 라인(5666) 각각은 상부 챔버(5110)와 연결될 수 있다. 에지 감압 부재(5668)는 에지 배기 라인(5666)에 감압을 제공할 수 있다. 에지 감압 부재(5668)는 펌프일 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 에지 감압 부재(5668)는 처리 공간(5102)에 감압을 제공하는 공지의 장치로 변형될 수 있다. 에지 배기 라인(5666)에 제공되는 감압은 처리 공간(5102)으로 전달될 수 있다. 이에, 처리 공간(5102)은 배기될 수 있다. 또한, 에지 배기 라인(5666)에는 에지 밸브(5667)가 제공될 수 있다. 에지 밸브(5667)는 온/오프 밸브이거나, 유량 조절 밸브로 제공될 수 있다.
제어기(5900)는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 제어기(5900)는 가열 유닛(5000)에 제공되는 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(5900)는 지지 유닛(5300), 가스 공급 유닛(5500), 그리고 배기 유닛(5610, 5660)을 제어할 수 있다. 제어기(5900)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(5900)는 지지 유닛(5300)에 지지된 기판(W)을 가열하고, 이후 지지 유닛(5300)에 지지된 기판으로 소수화 가스를 공급하도록 지지 유닛(5300)과 가스 공급 유닛(5500)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(5900)는 소수화 가스가 기판으로 공급된 이후, 처리 공간(5102)으로 비활성 가스를 공급하도록 가스 공급 유닛(5500)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(5900)는 지지 유닛(5300)이 기판(W)을 가열, 가스 공급 유닛(5500)이 소수화 가스를 공급, 가스 공급 유닛(5500)이 비활성 가스를 공급하는 동안 에지 배기 라인(5666)이 처리 공간(5102)을 배기하도록 배기 유닛(5610, 5660)을 제어할 수 있다. 또한, 제어기(5900)는 가스 공급 유닛(5500)이 비활성 가스를 공급하는 동안 센터 배기 라인(5661)이 처리 공간(5102)을 배기하도록 배기 유닛(5610, 5660)을 제어할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 대하여 상세히 설명한다. 도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 플로우 차트이고, 도 9는 도 8의 가열 단계, 소수화 처리 단계, 그리고 가스 공급 단계에서 기판을 처리하는 처리 레시피를 보여주는 표이고, 도 10은 도 8의 가열 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이고, 도 11은 도 8의 소수화 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이고, 도 12는 도 8의 가스 공급 단계를 수행하는 기판 처리 장치의 모습을 보여주는 도면이다. 도 8 내지 도 12를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 가열 단계(S10), 소수화 처리 단계(S20), 그리고 가스 공급 단계(S30)를 포함할 수 있다.
가열 단계(S10)는 기판(W)을 가열하는 단계일 수 있다. 가열 단계(S10)는 공정 챔버(5100)의 처리 공간(5102)에 제공된 기판(W)에 잔류하는 수분을 증발시키는 단계일 수 있다. 또한, 가열 단계(S10)는 공정 챔버(5100)의 습기를 증발시켜, 처리 공간(5102)의 상대 습도를 낮추는 단계일 수 있다. 가열 단계(S10)는 제1시간(T1) 동안 수행될 수 있다. 가열 단계(S10)는 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)가 서로 밀착된 상태로 수행될 수 있다. 가열 단계(S10)에는 핀(5320)이 기판(W)과 지지판(5310) 사이의 간격을 좁힌 상태로 수행될 수 있다. 또한, 가열 단계(S10)에는 가열 부재(5330)가 열(H)을 발생시켜 기판(W)을 가열할 수 있다. 또한, 가열 단계(S10)에는 소수화 가스(G1), 그리고 비활성 가스(G2)의 공급이 중단될 수 있다. 또한, 가열 단계(S10)에는 센터 배기 라인(5661)이 처리 공간(5102)을 배기하지 않을 수 있다. 또한, 가열 단계(S10)에는 에지 배기 라인(5666)이 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다(도 10 참조).
소수화 처리 단계(S20)는 기판(W)으로 소수화 가스(G1)를 공급하는 단계일 수 있다. 소수화 처리 단계(S20)는 가열 단계(S10) 이후에 수행될 수 있다. 소수화 처리 단계(S20)는 제2시간(T2) 동안 수행될 수 있다. 제2시간(T2)은 제1시간(T1)보다 긴 시간일 수 있다. 소수화 처리 단계(S20)는 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)가 서로 밀착된 상태로 수행될 수 있다. 소수화 처리 단계(S20)는 핀(5320)이 기판(W)과 지지판(5310) 사이의 간격을 좁힌 상태로 수행될 수 있다. 또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 비활성 가스(G2)의 공급이 중단될 수 있다. 또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 센터 배기 라인(5661)이 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 에지 배기 라인(5666)이 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 하부 배기 라인(5612)이 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다(도 11 참조).
가스 공급 단계(S30)는 기판(W) 및/또는 처리 공간(5102)으로 비활성 가스(G2)를 공급하는 단계일 수 있다. 가스 공급 단계(S30)는 가열 단계(S10), 그리고 소수화 처리 단계(S30) 이후에 수행될 수 있다. 가스 공급 단계(S30)는 제3시간(T3) 동안 수행될 수 있다. 제3시간(T3)은 제1시간(T1)보다 긴 시간일 수 있다. 또한, 제3시간(T3)은 제2시간(T2)보다 짧은 시간일 수 있다. 가스 공급 단계(S30)는 상부 챔버(5110)와 하부 챔버(5120)가 서로 밀착된 상태로 수행될 수 있다. 가스 공급 단계(S30)는 핀(5320)이 기판(W)과 지지판(5310) 사이의 간격을 좁힌 상태로 수행될 수 있다. 또한, 가스 공급 단계(S30)에는 소수화 가스(G1)의 공급이 중단될 수 있다. 또한, 가스 공급 단계(S30)에는 센터 배기 라인(5661)이 처리 공간(5102)을 배기하지 않을 수 있다. 또한, 가스 공급 단계(S30)에는 에지 배기 라인(5666)이 처리 공간(5102)을 위 방향으로 배기할 수 있다. 또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 하부 배기 라인(5612)이 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기할 수 있다(도 12 참조).
도 13은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 수행시 기판과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 보여주는 도면이다. 일반적으로 기판(W)에 소수화 가스를 공급시 기판(W)에 잔류하는 수분 층은 기판(W)과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 증가시킨다. 이는 기판(W)에 잔류하는 수분 층이 촉매 역할을 하기 때문이며, 이와 유사하게 기판(W)과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글은 공정 챔버(5100)의 처리 공간(5102) 내 상대 습도에 영향을 받는다. 처리 공간(5102) 내 상대 습도가 높을수록 콘택 앵글은 증가한다. 즉, 기판(W)에 잔류하는 수분과 처리 공간(5102) 내의 습기는 기판(W)과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 적절히 조절하지 못하게 한다. 예컨대, 도 13에 도시된 바와 같이 가열 단계(S10) 없이 곧바로 소수화 처리 단계(S20)를 수행하는 경우 목표하는 콘택 앵글(TA)보다 더 큰 콘택 앵글(A1)이 형성된다. 이 경우, 소수화 처리 단계(S20) 이후에 감광액 도포 공정이 수행되면 기판(W)에 공급된 감광액이 일 방향으로 밀리는 밀림 현상이 발생한다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면 소수화 처리 단계(S20)에 대하여 선결적으로 가열 단계(S10)를 수행한다. 가열 단계(S10)에 기판(W)을 가열하여 기판(W) 상에 형성된 수분 층을 증발시키고, 나아가 처리 공간(5102) 내 상대 습도를 낮춘다. 이에, 수분 층 및/또는 습기가 소수화 처리 단계(S20)에서 촉매 역할을 하는 것을 억제할 수 있다. 즉, 가열 단계(S10)를 소수화 처리 단계(S20)에 대하여 선결적으로 수행함으로써 기판(W)과 소수화 가스 사이의 콘택 앵글을 목표하는 콘택 앵글(TA)로 적절히 유지할 수 있도록 한다.
또한, 가열 단계(S10)에는 에지 배기 라인(5666)이 공정 챔버(5100)의 에지 영역에서 위 방향으로 처리 공간(5102)을 배기한다. 가열 단계(S10)에서 수분 층 등이 증발하게 되면, 위 방향으로 확산되는데 에지 배기 라인(5666)이 위 방향으로 처리 공간(5102)을 배기하여 수분을 효율적으로 배기할 수 있도록 한다.
또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 하부 배기 라인(5612)이 처리 공간(5102)을 아래 방향으로 배기한다. 하부 배기 라인(5612)이 아래 방향으로 처리 공간(5102)을 배기하여 소수화 가스가 아래 방향으로 흐를 수 있도록 한다. 이에, 소수화 가스가 기판(W)에 효율적으로 공급되도록 한다.
또한, 소수화 처리 단계(S20)에는 센터 배기 라인(5661)과 에지 배기 라인(5666)이 위 방향으로 처리 공간(5102)을 배기한다. 소수화 처리 단계(S20)가 수행되는 과정에서, 암모니아 등 유기성 물질이 발생할 수 있다. 암모니아 등의 유기성 물질은 공기보다 가벼워 위 방향으로 확산되는데 센터 배기 라인(5661)과 에지 배기 라인(5666)이 위 방향으로 처리 공간(5102)을 배기하여 유기성 물질을 효율적으로 배기할 수 있다.
또한, 가스 공급 단계(S30)에서는 하부 배기 라인(5612)과 에지 배기 라인(5666)이 각각 아래 방향과 위 방향으로 처리 공간(5102)을 배기한다. 즉, 가스 공급 단계(S30)에서는 공정 챔버(5100)의 에지 영역에서 처리 공간(5102)을 배기한다. 가스 공급 단계(S30)에서 공정 챔버(5100)의 에지 영역에서 처리 공간(5102)을 배기함으로써, 처리 공간(5102)에 잔류하는 암모니아가 기판(W)에 재부착되는 것을 최소화 할 수 있다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
공정 챔버 : 5100
상부 챔버 : 5110
하부 챔버 : 5120
실링 부재 : 5200
지지 유닛 : 5300
지지판 : 5310
핀 : 5320
가열 부재 : 5330
가스 공급 유닛 : 5500
배기 유닛 : 5610, 5660
하부 배기부 : 5610
하부 배기 라인 : 5612
하부 밸브 : 5613
하부 감압 부재 : 5614
상부 배기부 : 5660
센터 배기 라인 : 5661
센터 밸브 : 5662
센터 감압 부재 : 5663
에지 배기 라인 : 5666
에지 밸브 : 5667
에지 감압 부재 : 5668
제어기 : 5900

Claims (10)

  1. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    공정 챔버의 처리 공간에 제공된 상기 기판에 잔류하는 수분을 증발시키도록 상기 기판을 가열하는 가열 단계와;
    상기 가열 단계 이후에 상기 기판으로 소수화 가스를 공급하는 소수화 처리 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 소수화 처리 단계 이후에 상기 처리 공간으로 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 가열 단계, 상기 소수화 처리 단계, 그리고 상기 가스 공급 단계에는,
    상기 공정 챔버의 에지 영역에서 위 방향으로 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 소수화 처리 단계에는,
    상기 공정 챔버의 센터 영역에서 위 방향으로 상기 처리 공간을 배기하는 기판 처리 방법.
  5. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하고, 지지된 기판을 가열하는 지지 유닛과;
    상기 처리 공간으로 소수화 가스 또는 비활성 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛과;
    제어기를 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판을 가열하고,
    이후 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 상기 소수화 가스를 공급하도록 상기 지지 유닛과 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 소수화 가스가 공급된 이후 상기 처리 공간으로 상기 비활성 가스를 공급하도록 상기 가스 공급 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 배기 유닛은,
    상기 처리 공간을 아래 방향으로 배기하는 하부 배기부와;
    상기 처리 공간을 위 방향으로 배기하는 상부 배기부를 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 상부 배기부는,
    상기 공정 챔버의 에지 영역에 제공되는 에지 배기 라인과;
    상기 공정 챔버의 센터 영역에 제공되는 센터 배기 라인을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛이 기판을 가열, 상기 가스 공급 유닛이 상기 소수화 가스를 공급, 또는 상기 가스 공급 유닛이 상기 비활성 가스를 공급하는 동안 상기 에지 배기 라인이 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 가스 공급 유닛이 상기 소수화 가스를 공급하는 동안 상기 센터 배기 라인이 상기 처리 공간을 배기하도록 상기 배기 유닛을 제어하는 기판 처리 장치.
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