KR20120139550A

KR20120139550A - 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체

Info

Publication number: KR20120139550A
Application number: KR1020120060357A
Authority: KR
Inventors: 요헤이 사노; 야스히로 다카키
Original assignee: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date: 2011-06-17
Filing date: 2012-06-05
Publication date: 2012-12-27
Also published as: KR101878992B1; JP2013004804A; JP5575706B2

Abstract

HMDS 가스에 의한 기판의 소수화 처리를 효율적으로 행한다.
처리 용기(110) 내에 배치된 웨이퍼를 소수화 처리하는 접착 유닛(41)은, 상부가 개구하는 처리 용기(110)와, 처리 용기(110)의 개구를 덮는 덮개(111)와, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대(112)와, HMDS 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부(122)와, 웨이퍼(W)의 상방이며, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부(140)와, 웨이퍼(W)보다 외방에 마련된 외주 배기부(150)를 갖고 있다.

Description

소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법 및 컴퓨터 기억 매체{HYDROPHOBIZING DEVICE, HYDROPHOBIZING METHOD AND RECORDABLE MEDIUM FOR COMPUTER}

본 발명은, 기판의 소수화 처리를 행하는 소수화 처리 장치, 소수화 처리 방법, 프로그램 및 컴퓨터 기록 매체에 관한 것이다.

예컨대 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 반도체 웨이퍼(이하 「웨이퍼」라고 함)와 레지스트액의 밀착성을 향상시키기 위한 소수화 처리가 행해진다. 이 소수화 처리에 있어서는, 처리 용기 내에 배치된 웨이퍼의 표면에 대하여 HMDS(Hexa Methyl Disilazane) 가스를 정해진 시간 공급함으로써, 웨이퍼의 표면이 소수화된다. 이에 의해, 후속 공정에 있어서 레지스트막이 웨이퍼의 표면으로부터 박리되거나 하는 것을 억제할 수 있다.

이러한 소수화 처리에 이용하는 처리 용기에는, 이 처리 용기 외부로 누설되는 HMDS 가스가 정해진 농도 이하로 되는 것과 같은 구조가 요구된다. HMDS 가스가 처리 용기 외부로 누설되면, 파티클의 원인이 되거나, HMDS 가스가 공기 중의 수분과 반응하여 레지스트에 악영향을 부여하는 암모니아가 생성되어 버리거나 하기 때문이다.

그 때문에, 처리 용기 외부로의 HMDS 가스의 누설을 방지하는 소수화 처리 장치가, 예컨대 특허문헌 1에 제안되어 있다. 구체적으로는, 예컨대 도 10에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(300) 내에 웨이퍼(W)의 상방으로부터 가스 공급부(301)를 통해 HDMS 가스를 공급하는데 있어서, 처리 용기(300)의 외주부에 형성된 퍼지 가스 공급로(302)로부터 퍼지 가스로서의 질소 가스를 공급한다. 그리고, HMDS 가스와 질소 가스를 퍼지 가스 공급로(302)의 상방에 마련된 배기부(303)로부터 배출하여, 잉여의 질소 가스를 유출로(304)로부터 유출시킨다. 이에 의해, 처리 용기(300)의 내부와 외부 사이에, 소위 에어 커튼을 형성하여, HMDS 가스의 처리 용기(300) 외부로의 누설 방지를 도모하고 있다.

또한, 소수화 처리 후의 웨이퍼(W)의 교환에 있어서는, 처리 용기(300)가 개방되기 때문에, 웨이퍼(W)의 교환에 앞서 처리 용기(300) 내의 퍼지가 행해진다. 퍼지 시에는, HMDS 가스의 공급에 이용한 가스 공급부(301)로부터, HMDS 가스 대신에 질소 가스가 공급된다. 그리고, 처리 용기(300) 내의 HMDS 가스가 정해진 농도 이하가 되도록, 정해진 시간동안, 처리 용기(300) 내의 퍼지가 행해진다. 이때, 질소 가스는 배기부(303)로부터 배기되어, 처리 용기(300) 내가 질소 가스로 치환된다. 이에 의해, 처리 용기(300)를 개방하였을 때의 HMDS 가스의 누설이 방지된다.

특허문헌 1: 일본 특허 공개 제2009-32878호 공보

그런데, 반도체 디바이스의 생산성을 향상시키기 위해 전술한 소수화 처리에 요하는 시간을 단축하는 방법으로서, 종래보다 고농도의 HMDS 가스를 이용한 소수화 처리의 방법이 검토되고 있다.

그러나, 고농도의 HMDS 가스를 이용함으로써 HMDS 가스를 공급하는 시간은 단축 가능하지만, 한편, 처리 용기 내의 퍼지에 요하는 시간이 종래보다 길어져 버리는 것이 확인되었다. 이 경우, 처리 용기 내에서의 총 작업 시간을 단축할 수 없어, 결국, 소수화 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 없다.

본 발명은, 이러한 점을 감안하여 이루어진 것으로, HMDS 가스에 의한 기판의 소수화 처리를 효율적으로 행하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS 가스를 공급하여 이 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서, 상부가 개구하는 처리 용기와, 기판을 배치하는 배치대와, 상기 처리 용기의 개구를 덮는 덮개와, 상기 배치대 상의 기판의 중앙 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와, 상기 배치대 상의 기판의 상방으로서, 또한 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부와, 상기 배치대 상의 기판보다 외방에 마련된 외주 배기부를 갖고 있는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부를 갖고 있기 때문에, 소수화 처리 후에 가스 공급부로부터 공급된 퍼지 가스를, 그 중심 배기부로부터 효율적으로 배기할 수 있다. 이 때문에, 고농도의 HMDS 가스를 이용한 경우라도, 퍼지 시간을 길게 할 필요가 없다. 따라서, 소수화 처리를 효율적으로 행하여, 결과로서 처리 용기 내에서의 총 처리 시간을 단축할 수 있다.

상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 마련된 배기 모관(母管)을 갖고 있어도 좋다.

상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고, 상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되어 있어도 좋다.

상기 가스 공급부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.

상기 중심 배기부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.

다른 관점에 의한 본 발명은, 처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS 가스를 공급하여 그 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리의 방법으로서, 기판의 중앙 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스를 공급하며, 기판보다 외방의 위치로부터 HMDS 가스를 배기하여 기판의 소수화 처리를 행하고, 계속해서, HMDS 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 기판의 중앙 상방으로부터 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하여, 상기 기판보다 외방의 위치 및 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터 퍼지 가스를 배기하여 처리 용기 내를 퍼지하는 것을 특징으로 한다.

상기 기판의 중앙 상방으로부터의 HMDS 가스 및 퍼지 가스의 공급은, 기판의 중앙 상방에 마련된 가스 공급부에 의해 행해지고, 상기 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터의 배기는, 기판의 상방으로서, 또한 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부에 의해 행해지며, 상기 기판보다 외방의 위치로부터의 배기는, 기판의 외방에 마련된 외주 배기부에 의해 행해져도 좋다.

상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 배기 모관이 마련되고, 상기 중심 배기부 및 상기 외주 배기부로부터의 배기는, 상기 배기 모관을 통해 행해져도 좋다.

상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고, 상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되며, 상기 기판을 소수화 처리하는 동안은 상기 밸브체를 폐쇄하여 중심 배기부로부터의 배기를 정지하고, 상기 처리 용기 내를 퍼지하는 동안은 그 밸브체를 개방하여 중심 배기부로부터 배기하여도 좋다.

상기 가스 공급부는, 상기 처리 용기의 내측 상면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.

상기 중심 배기부는, 상기 처리 용기의 내측 상면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있어도 좋다. 이러한 경우, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있어도 좋다.

또한, 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 소수화 처리 방법을 소수화 처리 장치에 의해 실행시키기 위해, 이 소수화 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램이 제공된다.

또한 다른 관점에 의한 본 발명에 따르면, 상기 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체가 제공된다.

본 발명에 따르면, HMDS 가스에 의한 기판의 소수화 처리를 효율적으로 행할 수 있다.

도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.
도 4는 접착(adhesion) 유닛의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 5는 가스 공급부 근방의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.
도 6은 가스 공급부 및 중심 배기부 근방의 구성의 개략을 나타내는 저면도이다.
도 7은 접착 유닛의 덮개를 상승시킨 상태를 나타내는 설명도이다.
도 8은 소수화 처리 시의 처리 용기 내의 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 9는 퍼지 시의 처리 용기 내의 가스의 흐름을 나타내는 설명도이다.
도 10은 종래의 소수화 처리 장치의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.

이하, 본 발명의 실시형태의 일례에 대해서 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 소수화 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템(1)의 구성의 개략을 나타내는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 기판 처리 시스템(1)의 내부 구성의 개략을 나타내는 측면도이다.

또한, 본 실시형태에서는, 기판 처리 시스템(1)은, 예컨대 기판의 포토리소그래피 처리를 행하는 도포 현상 처리 시스템이다.

기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 나타내는 바와 같이, 예컨대 외부와의 사이에서 카세트(C)가 반입출되는 반입출부로서의 카세트 스테이션(2)과, 포토리소그래피 처리 중에서 매엽식으로 정해진 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 유닛을 구비한 처리부로서의 처리 스테이션(3)과, 처리 스테이션(3)에 인접하는 노광 장치(4)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 반송부로서의 인터페이스 스테이션(5)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.

카세트 스테이션(2)은, 예컨대 카세트 반입출부(10)와 웨이퍼 반송부(11)로 나뉘어 있다. 예컨대 카세트 반입출부(10)는, 기판 처리 시스템(1)의 Y 방향 마이너스 방향(도 1의 좌측 방향)측의 단부(端部)에 마련되어 있다. 카세트 반입출부(10)에는, 카세트 배치대(12)가 마련되어 있다. 카세트 배치대(12) 상에는, 복수, 예컨대 4개의 배치판(13)이 마련되어 있다. 배치판(13)은, 수평 방향의 X 방향(도 1의 상하 방향)으로 1열로 배열되어 마련되어 있다. 이들 배치판(13)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대하여 카세트(C)를 반입출할 때에, 카세트(C)를 배치할 수 있다.

웨이퍼 반송부(11)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(20) 상을 이동할 수 있는 웨이퍼 반송 장치(21)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(21)는, 상하 방향 및 연직축 둘레(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 배치판(13) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

처리 스테이션(3)에는, 각종 유닛을 구비한 복수, 예컨대 4개의 블록(G1, G2, G3, G4)이 마련되어 있다. 예컨대 처리 스테이션(3)의 정면측(도 1의 X 방향 마이너스 방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(3)의 배면측(도 1의 X 방향 플러스 방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(3)의 카세트 스테이션(2)측(도 1의 Y 방향 마이너스 방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(3)의 인터페이스 스테이션(5)측(도 1의 Y 방향 플러스 방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.

예컨대 제1 블록(G1)에는, 도 2에 나타내는 바와 같이 복수의 액처리 유닛, 예컨대 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 유닛(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 유닛(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 유닛(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)이 밑에서부터 순서대로 4단으로 중첩되어 있다.

예컨대 제1 블록(G1)의 각 유닛(30?33)은, 처리 시에 웨이퍼(W)를 수용하는 컵(F)을 수평 방향으로 복수 가지며, 복수의 웨이퍼(W)를 병행하여 처리할 수 있다.

예컨대 제2 블록(G2)에는, 도 3에 나타내는 바와 같이 웨이퍼(W)의 열처리를 행하는 열처리 유닛(40)이나, 웨이퍼(W)를 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서의 접착 유닛(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 유닛(42)이 상하 방향과 수평 방향으로 배열되어 마련되어 있다. 열처리 유닛(40)은, 웨이퍼(W)를 배치하여 가열하는 열판과, 웨이퍼(W)를 배치하여 냉각하는 냉각판을 가지며, 가열 처리와 냉각 처리의 양쪽을 행할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(40), 접착 유닛(41) 및 주변 노광 유닛(42)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.

예컨대 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 유닛(50, 51, 52, 53, 54, 55, 56)이 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에는, 복수의 전달 유닛(60, 61, 62)이 밑에서부터 순서대로 마련되어 있다.

도 1에 나타내는 바와 같이 제1 블록(G1)?제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역(D)이 형성되어 있다. 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 예컨대 웨이퍼 반송 장치(70)가 배치되어 있다.

웨이퍼 반송 장치(70)는, 예컨대 Y 방향, X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 웨이퍼 반송 영역(D) 내를 이동하여, 주위의 제1 블록(G1), 제2 블록(G2), 제3 블록(G3) 및 제4 블록(G4) 내의 정해진 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다. 웨이퍼 반송 장치(70)는, 예컨대 도 3에 나타내는 바와 같이 상하로 복수대 배치되어, 예컨대 각 블록(G1?G4)의 같은 정도의 높이의 정해진 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

또한, 웨이퍼 반송 영역(D)에는, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 셔틀 반송 장치(80)가 마련되어 있다.

셔틀 반송 장치(80)는, 예컨대 도 3의 Y 방향으로 직선적으로 이동 가능하게 되어 있다. 셔틀 반송 장치(80)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 Y 방향으로 이동하여, 제3 블록(G3)의 전달 유닛(52)과 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62) 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

도 1에 나타내는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 플러스 방향측에는, 웨이퍼 반송 장치(90)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 예컨대 X 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(90)는, 웨이퍼(W)를 지지한 상태로 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 유닛에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

인터페이스 스테이션(5)에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 전후 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 아암을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예컨대 반송 아암에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 유닛, 노광 장치(4)에 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.

다음에, 접착 유닛(41)의 구성에 대해서 설명한다. 도 4는 접착 유닛(41)의 구성의 개략을 나타내는 종단면도이다.

접착 유닛(41)은, 상부가 개구하는, 바닥을 갖는 대략 U자형의 처리 용기(110)와, 처리 용기(110)의 개구를 덮는 덮개(111)를 갖고 있다. 처리 용기(110)의 저면 상부에는, 웨이퍼(W)를 배치하는 배치대(112)가 마련되어 있다. 배치대(112)의 내부에는, 웨이퍼(W)를 가열하기 위한 히터(113)가 마련되어 있다.

덮개(111)는, 수평인 천판(120)과, 천판(120)의 외주연부(外周緣部)로부터 연직 하방으로 연신하여 마련된 측판(121)을 구비하고 있다. 측판(121)의 하단부(121a)는, 처리 용기(110)의 상단부(110a)에 대향하고 있다. 이에 의해, 처리 용기(110)와 덮개(111) 사이에 처리 공간(S)이 형성되어 있다.

덮개(111)는, 이 덮개(111)를 처리 용기(110)에 대하여 상대적으로 승강 이동시키는 승강 기구(114)를 구비하고 있다. 또한, 승강 기구(114)는, 덮개(111)와 처리 용기(110)를 상호 상대적으로 승강 가능하게 이동시킬 수 있으면, 처리 용기(110)측에 마련되어 있어도 좋다. 또한, 승강 기구(114)에 의해, 측판(121)의 하단부(121a)와 처리 용기(110)의 상단부(110a) 사이에, 정해진 간극(G)이 형성되도록, 덮개(111)의 처리 용기(110)에 대한 높이 방향의 위치가 조정되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 정해진 간극(G)은, 예컨대 3 ㎜?10 ㎜ 정도로 설정되어 있다.

덮개(111)의 하면의 중앙부에는, 웨이퍼(W)의 상방으로부터 이 웨이퍼(W)에 대하여 처리 가스를 공급하는 가스 공급부(122)가 마련되어 있다. 가스 공급부(122)는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 종단면 형상이 아래 바닥측이 좁은 사다리꼴 형상으로 형성된, 대략 원추대 형상을 갖고 있다. 가스 공급부(122)에는 덮개(111)의 내부에 형성된 가스 유로(123)가 연통하고 있다. 가스 공급부(122)의 하단부 측면에는, 도 5에 나타내는 바와 같이 정해진 직경의 가스 공급 구멍(124)이 등간격으로 동심원형으로 복수 마련되어 있다.

도 4에 나타내는 바와 같이, 가스 유로(123)에는, 가스 공급관(125)이 접속되어 있다. 가스 공급관(125)에 있어서의 가스 유로(123)의 반대측의 단부에는, 처리 가스로서의 HMDS 가스를 공급하는 HMDS 가스 공급원(130)과, 퍼지 가스로서의 질소 가스를 공급하는 질소 가스 공급원(131)이 각각 접속되어 있다. 가스 유로(123)에 있어서의 HMDS 가스 공급원(130)의 상류측과 질소 가스 공급원(131)의 상류측에는, 개폐 기능 및 유량 조정 기능을 구비한 밸브체(132, 133)가 각각 마련되어 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 공급하는 가스를, HMDS 가스와 질소 가스로 교대로 전환할 수 있다.

덮개(111)의 하면이며 가스 공급부(122)의 외측에는, 중심 배기부(140)가 형성되어 있다. 중심 배기부(140)는, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하는 위치로서 가스 공급부(122)의 가스 공급 구멍(124)의 외측에, 예컨대 도 6과 같이 이 가스 공급 구멍(124)에 동심원형으로 형성된 복수의 배기 구멍(141)에 의해 구성되어 있다. 각 배기 구멍(141)은, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경(R)의 원의 내측에 들어가도록 마련되어 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서 반경(R)은, 예컨대 50 ㎜이다.

덮개(111)의 내부에는, 각 배기 구멍(141)에 연통하는 중심 배기로(142)가 형성되어 있다. 중심 배기로(142)에는 중심 배기관(143)이 접속되어 있다. 중심 배기관(143)은, 이 중심 배기관(143)과 후술하는 외주 배기관(153)에 공통하여 마련된 배기 모관(144)을 통하여, 예컨대 진공 펌프 등의 배기 장치(145)에 접속되어 있다. 이에 의해, 중심 배기부(140)로부터 처리 공간(S) 내의 분위기를 배기할 수 있다. 중심 배기관(143)에는, 개폐 기능을 구비한 밸브체(146)가 마련되어 있다.

또한, 덮개(111)의 측판(121)의 하단부(121a)에는, 배치대(112) 상의 웨이퍼(W)보다 외방으로부터 처리 공간(S) 내의 분위기를 배기하는 외주 배기부(150)가 형성되어 있다. 외주 배기부(150)는, 덮개(111)의 하단부(121a)의 둘레 방향을 따라, 환형으로 등간격으로 마련된 복수의 배기 구멍(151)에 의해 구성되어 있다. 각 배기 구멍(151)은, 덮개(111)의 내부에 형성된 외주 배기로(152)에 연통하고 있다.

외주 배기로(152)는, 외주 배기관(153)을 통하여 배기 모관(144)에 접속되어 있다. 외주 배기관(153)의 배기 모관(144)측의 단부는, 중심 배기관(143)에 마련된 밸브체(146)와 배기 장치(145) 사이에 접속되어 있다. 외주 배기관(153)에는, 이 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구(154)가 마련되어 있다. 유량 제한 기구(154)는, 중심 배기관(143)의 밸브체(146)를 개방 조작하였을 때에, 외주 배기관(153)을 흐르는 유체의 유량이 중심 배기관(143)을 흐르는 유체의 유량과 동일하거나 또는 적어지도록 구성되어 있다. 유량 제한 기구(154)로서는, 예컨대 오리피스 등을 사용할 수 있지만, 유량 제한 기구(154)에는 최저한의 기능으로서 유량을 제한하는 기능이 구비되어 있으면 좋고, 예컨대 유량 제한의 기능에 부가하여 개폐 기능도 갖는 니들 밸브 등의 밸브체를 오리피스 대신에 이용하여도 좋다.

이상의 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 나타내는 바와 같이 제어부(200)가 마련되어 있다. 제어부(200)는, 예컨대 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 전술한 각종 유닛이나 반송 장치 등의 구동계의 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 도포 현상 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예컨대 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉서블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있는 것으로서, 그 기억 매체(H)로부터 제어부(200)에 인스톨된 것이어도 좋다.

본 실시형태에 따른 기판 처리 시스템(1)은 이상과 같이 구성되어 있고, 다음에, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서 행해지는 웨이퍼 처리에 대해서 설명한다.

웨이퍼(W)의 처리에 있어서는, 우선, 복수매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 카세트 반입출부(10)의 정해진 배치판(13)에 배치된다. 그 후, 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 추출되어, 처리 스테이션(3)의 제3 블록(G3)의, 예컨대 전달 유닛(53)에 반송된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해, 예컨대 제1 블록(G1)의 하부 반사 방지막 형성 유닛(31)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 제2 블록(G2)의 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열 처리가 행해진다. 그 후 제3 블록(G3)의 전달 유닛(53)에 복귀된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 동일한 제3 블록(G3)의 전달 유닛(54)에 반송된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제2 블록(G2)의 접착 유닛(41)에 반송된다. 접착 유닛(41)에서의 소수화 처리에 대해서 상세하게 설명한다.

접착 유닛(41)에서의 소수화 처리에 있어서는, 예컨대 도 7에 나타내는 바와 같이, 승강 기구(114)에 의해 덮개(111)를 정해진 위치까지 상승시킨다. 그리고, 처리 용기(110)와 덮개(111) 사이로부터 웨이퍼(W)가 반입되어, 배치대(112) 상에 웨이퍼(W)가 배치된다.

계속해서, 덮개(111)의 하단부(121a)와 처리 용기(110)의 상단부(110a) 사이에 정해진 간극(G)이 형성되는 위치까지 덮개(111)를 하강시켜, 처리 공간(S)을 형성한다.

다음에, 히터(113)에 의해 웨이퍼(W)를, 예컨대 90℃로 가열한 후, 밸브체(132)를 정해진 개방도로 개방하고, 가스 공급부(122)로부터, 예컨대 농도가 3％인 고농도의 HMDS 가스를 처리 공간(S) 내에 정해진 유량으로 공급한다. 또한, HMDS 가스의 공급과 함께 배기 장치(145)를 기동시켜, 외주 배기부(150)로부터 정해진 유량으로 HMDS 가스를 배기한다. 또한, 이때, 중심 배기관(143)의 밸브체(146)는 폐지한 상태로 되어 있어, 처리 공간(S) 내의 배기는 외주 배기부(150)로부터만 행해진다. 이에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중앙 상방으로부터 공급된 HMDS 가스는, 웨이퍼(W)의 상방에서 웨이퍼(W)의 외주연부를 향하여 확산되도록 흐른다. 이에 의해, HMDS 가스에 접촉한 웨이퍼(W)의 표면이 소수화된다. 그리고, 웨이퍼(W)의 외주연부까지 확산된 HMDS 가스는, 웨이퍼(W)의 외방에 마련된 외주 배기부(150)로부터 배기된다. 또한, 외주 배기부(150)로부터의 배기에 의해, 도 8에 나타내는 바와 같이 처리 용기(110)와 덮개(111) 사이의 간극(G)으로부터, 외주 배기부(150)를 향하여 대기가 인입된다. 이에 의해, 가스 공급부(122)로부터 공급된 HMDS 가스가 처리 용기(110)의 외부로 누설되는 것을 방지할 수 있다.

HMDS 가스를 정해진 시간 공급하여 웨이퍼(W) 표면의 전체면을 소수화 처리한 후, 밸브체(132)를 폐쇄하여 HMDS 가스의 공급을 정지한다. 그리고, 밸브체(133)를 정해진 개방도로 개방하여, 가스 공급부(122)로부터 질소 가스를 정해진 유량으로 공급하여, 처리 공간(S) 내에 잔존하는 HMDS 가스를, 예컨대 10초간 퍼지한다. 또한, 질소 가스의 공급과 함께 밸브체(146)를 개방 조작하여, 중심 배기부(140)로부터도 처리 공간(S) 내의 배기를 행한다. 이때, 외주 배기관(153)에 마련된 유량 제한 기구(154)에 의해, 중심 배기부(140)로부터의 배기량은 외주 배기부(150)로부터의 배기량보다 많아진다. 그 결과, 예컨대 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리 용기(110) 내에는, 간극(G)으로부터 외주 배기부(150)를 향하는 기류와, 외주 배기부(150)로부터 중심 배기부(140)를 향하는 질소 가스의 흐름이 형성된다. 이에 의해, 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스가 퍼지된다.

처리 용기(110) 내의 퍼지가 완료한 후, 각 밸브체(133, 146)를 폐지하며 배기 장치(145)를 정지시킨다. 계속해서, 승강 기구(114)에 의해 덮개를 정해진 높이까지 상승시켜, 소수화 처리가 완료한 웨이퍼(W)를 처리 용기(110)의 외부에 반출한다.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 레지스트 도포 유닛(32)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 프리 베이킹 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(55)에 반송된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 상부 반사 방지막 형성 유닛(33)에 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 주변 노광 유닛(42)에 반송되어, 주변 노광 처리된다.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(56)에 반송된다.

다음에 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(90)에 의해 전달 유닛(52)에 반송되고, 셔틀 반송 장치(80)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(62)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 인터페이스 스테이션(5)의 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 노광 장치(4)에 반송되어, 노광 처리된다.

다음에, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(100)에 의해 제4 블록(G4)의 전달 유닛(60)에 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 현상 처리 유닛(30)에 반송되어, 현상된다. 현상 종료 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 열처리 유닛(40)에 반송되어, 포스트 베이크 처리된다.

그 후, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(70)에 의해 제3 블록(G3)의 전달 유닛(50)에 반송되고, 그 후 카세트 스테이션(2)의 웨이퍼 반송 장치(21)에 의해 정해진 배치판(13)의 카세트(C)에 반송된다. 이렇게 하여, 일련의 포토리소그래피 공정이 종료한다.

이상의 실시형태에 따르면, 웨이퍼(W)의 소수화 처리 후에 HMDS 가스를 퍼지할 때, 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부(140)로부터 퍼지 가스를 배기하기 때문에, 종래와 같이 웨이퍼(W)의 외측으로부터만 배기를 행하는 경우와 비교하여, 효율적으로 처리 용기(110) 내의 분위기를 배기할 수 있다. 이 때문에, 종래보다 고농도의 HMDS 가스를 이용하여 소수화 처리를 행함으로써, 웨이퍼(W)의 소수화에 요하는 시간이 짧아지고, 그 한편, 퍼지 시간을 길어지게 하는 일없이 처리 용기(110)의 분위기를 치환할 수 있다. 따라서, 소수화 처리를 효율적으로 행하여, 처리 용기(110) 내에서의 처리 시간을 단축할 수 있고, 이에 의해 웨이퍼 처리의 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.

또한, 종래와 동일한 농도의 HMDS 가스를 이용하여 소수화 처리를 행한 경우에 있어서는, 종래보다 퍼지 시간을 단축할 수 있기 때문에, 이 경우도 처리 용기(110) 내에서의 처리 시간을 단축하여, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.

또한, 중심 배기관(143)과, 외주 배기관(153)에 공통하여 배기 모관(144) 및 배기 장치(145)를 마련하였기 때문에, 최소한의 배관이나 배기 장치를 마련하면 충분하다. 또한, 중심 배기관(143)에 밸브체(146)를, 외주 배기관(153)에 유량 제한 기구(154)를 각각 마련하고 있기 때문에, 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)로부터의 배기량을 각각 조정할 수 있다. 특히, 밸브체(146)의 개폐 조작만으로 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)의 쌍방의 배기 상태를 제어할 수 있기 때문에, 접착 유닛(41)의 조작도 간이하게 된다. 또한, 중심 배기관(143)에 마련된 밸브체(146)에, 유량 조정 기능을 구비한 것을 이용하여도 좋다. 이러한 경우, 밸브체(146)를 조정함으로써, 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)로부터의 배기의 유량비를 더욱 엄밀하게 조정할 수 있다.

또한, 이상의 실시형태에서는, 가스 공급부(122)의 외측에 중심 배기부(140)를 마련하고 있었지만, 중심 배기부(140)를 덮개(111) 하면의 중앙부에 마련하고, 그 외측에 가스 공급부(122)를 동심원형으로 마련하여도 좋다. 이러한 경우에 있어서도, 웨이퍼(W)의 중앙 상방으로부터 배기를 행함으로써, 처리 용기(110) 내의 퍼지를 효율적으로 행할 수 있다. 또한, 중심 배기부(140)를 가스 공급부(122)의 내측에 마련한 경우에 있어서도, 각 배기 구멍(141)은, 평면에서 보아 웨이퍼(W)의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 마련되는 것이 바람직하다. 또한, 중심 배기부(140)는 반드시 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 동심원형으로 마련될 필요는 없고, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측으로서, 배기 시에 중심 배기부(140)의 근방에서 기류가 흐트러지지 않는 것과 같은 배치이면, 임의로 설정이 가능하다.

이상의 실시형태에서는, 중심 배기부(140)나 외주 배기부(150)는 덮개(111)의 하면에 마련되어 있었지만, 반드시 덮개(111)에 마련될 필요는 없고, 중심 배기부(140)나 외주 배기부(150)는, 예컨대 덮개(111)를 관통하여 마련된 배기용의 노즐이어도 좋다. 또한, 외주 배기부(150)도 반드시 측판(121)의 하단부(121a)에 마련될 필요는 없고, 천판(120)의 하면에 마련되어도 좋고, 웨이퍼(W)의 외주 단부보다 외측에 위치하고 있으면, 그 배치는 처리 용기(110)의 크기나 형상에 맞추어 임의로 설정할 수 있다.

이상의 실시형태에 있어서는, 퍼지 시에 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)의 쌍방으로부터 배기를 행하고 있었지만, 중심 배기부(140)로부터만 배기를 행하고, 외주 배기부(150)를 정지하여도 좋지만, 외주 배기부(150)로부터도 배기를 행하는 것이 바람직하다. 외주 배기부(150)로부터의 배기를 항시 행하고 있으면, HMDS 가스가 외주 배기관(153)에 체류하는 일이 없기 때문에, 처리 용기(110)를 개방하였을 때에 외주 배기관(153)으로부터 HMDS 가스가 누설되는 경우가 없기 때문이다.

[실시예]

실시예로서, 본 실시형태에 따른 접착 유닛(41)을 이용하여 웨이퍼(W)의 소수화 처리를 행하고, HMDS 가스의 공급 시간, 퍼지 시의 배기량 및 배기 시간을 변화시켜, 소수화 처리 후의 웨이퍼(W)의 접촉각 및 퍼지 후의 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스 농도에 대해서 확인하는 시험을 행하였다. 소수화 처리 시에 공급하는 HMDS 가스의 농도는, 종래 이용되는 1.5％의 것보다 고농도인 3％의 것을 이용하며, 공급 시간은 15초와 30초로 하였다. HMDS 가스가 공급 중인 처리 용기(110) 내의 배기는, 외주 배기부(150)로부터만 행하였다. 소수화 처리 후의 퍼지 시간은 10초, 8초, 5초, 3초로 하였다. 또한, 퍼지 가스로서는 질소 가스를 이용하고, 어느 것의 경우도 공급량은 5 L/min으로 하였다. 또한, 퍼지 가스의 배기는, 어느 것의 경우도 중심 배기부(140)로부터 11 L/min, 외주 배기부(150)로부터 11 L/min로 각각 배기를 하였다.

확인 시험의 결과를 표 1에 나타낸다. HMDS 가스의 농도와 공급 시간을 변화시킨 경우에 대해서 각각 웨이퍼(W)의 접촉각을 측정하여, 접촉각이 정해진 각도를 상회한 경우를 ○로, 정해진 각도에 미치지 않은 것을 ×로 나타내었다. 비교용의 예 로서, 1.5％의 농도도 HMDS 가스를 15초, 30초 공급한 경우에 대해서도 접촉각에 대한 확인을 행하였다.

또한, 퍼지 후의 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스 농도의 확인에 있어서는, 배기 시간을 변화시킨 경우에 대한 농도를 각각 측정하여, 농도가 1 ppb 이하였던 것을 ○로 하고, 1 ppb보다 높아진 것을 ×로 나타내었다. 비교용의 예로서, 밸브체(146)를 폐지하여, 종래와 같이 외주 배기부(150)로부터만 배기를 행한 경우에 대해서도 농도의 확인을 행하였다.

표 1에 나타내는 바와 같이, HMDS 가스로서 종래의 1.5％의 농도의 것을 이용한 경우, 원하는 접촉각을 얻기 위해서는 15초간의 공급으로는 충분하지 않으며(비교예 A), 원하는 접촉각을 얻기 위해서는 30초간 공급할 필요가 있다(비교예 B). 이에 대하여, 3.0％의 고농도의 HDMS 가스를 이용하여 소수화 처리를 행한 실시예 1?4에 있어서는, 15초간의 공급으로 원하는 접촉각을 얻을 수 있는 것이 확인되었다. 즉, 3.0％의 고농도의 HMDS 가스를 이용함으로써, 웨이퍼(W)의 소수화에 요하는 시간을 반감시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다.

또한, 소수화 처리 후의 처리 용기(110) 내의 HMDS 가스의 농도에 대해서는, 실시예 1?3과 같이 중심 배기부(140)와 외주 배기부(150)의 쌍방을 이용하여 5초 이상 퍼지를 행하면, 1 ppb 이하를 달성할 수 있는 것이 확인되었다. 이에 대하여, 종래와 같이 외주 배기부(150)만으로 배기를 행한 비교예 C에서는, 10초간 퍼지를 행하여도 1 ppb 이하를 달성할 수 없었다. 이 결과로부터, 중심 배기부(140)를 이용하여 배기를 행하면, 처리 용기(110) 내의 퍼지에 요하는 시간을, 종래의 경우와 비교하여 반감시킬 수 있는 것을 확인할 수 있었다. 따라서, 이상의 결과로부터, 종래와 같이 외주 배기부(150)만으로 배기를 하는 경우보다, 처리 용기(110) 내에서의 처리 시간을 단축할 수 있는 것을 확인할 수 있었다.

이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명의 적합한 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다. 당업자이면, 특허청구범위에 기재된 사상의 범주 내에서, 각종 변경예 또는 수정예에 상도할 수 있는 것은 분명하며, 이들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 양해된다.

예컨대 이상의 실시형태에서 기재한 기판 처리 시스템에서는 반도체 웨이퍼의 처리를 행하였지만, 반도체 웨이퍼 이외에, FPD(플랫 패널 디스플레이), 포토마스크용의 마스크 레티클 등의 다른 기판의 처리를 행할 때에도 적용할 수 있다.

본 발명은 기판의 소수화 처리를 행할 때에 유용하다.

1 기판 처리 시스템 2 카세트 스테이션
3 처리 스테이션 4 노광 장치
5 인터페이스 스테이션 10 카세트 반입부
11 웨이퍼 반송부 12 카세트 배치대
13 배치판 20 반송로
21 웨이퍼 반송 장치 30 현상 처리 유닛
31 하부 반사 방지막 형성 유닛 32 레지스트 도포 유닛
33 상부 반사 방지막 형성 유닛 40 열처리 유닛
41 접착 유닛 42 주변 노광 유닛
70 웨이퍼 반송 장치 80 셔틀 반송 장치
90 웨이퍼 반송 장치 100 웨이퍼 반송 장치
110 처리 용기 111 덮개
112 배치대 113 히터
114 승강 기구 120 천판
121 측판 122 가스 공급부
130 HMDS 가스 공급원 131 질소 가스 공급원
132 밸브체 140 중심 배기부
141 배기 구멍 142 중심 배기로
143 중심 배기관 144 배기 모관
145 배기 장치 146 밸브체
150 외주 배기부 151 배기 구멍
152 외주 배기로 153 외주 배기관
154 유량 제한 기구 C 카세트
W 웨이퍼

Claims

처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS(Hexa Methyl Disilazane) 가스를 공급하여 그 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리 장치로서,
상부가 개구되는 처리 용기와,
상기 처리 용기의 개구를 덮는 덮개와,
기판을 배치하는 배치대와,
상기 배치대 상의 기판의 중앙 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스 및 퍼지 가스를 공급하는 가스 공급부와,
상기 배치대 상의 기판의 상방이며, 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부와,
상기 배치대 상의 기판보다 외방에 마련된 외주 배기부
를 갖고 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.
제1항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 마련된 배기 모관(母管)을 갖고 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.
제2항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고,
상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.
제4항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 상기 덮개의 하면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는, 소수화 처리 장치.
제6항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 장치.
처리 용기 내에 배치된 기판의 표면에 HMDS 가스를 공급하여 그 기판을 소수화 처리하는 소수화 처리의 방법으로서,
기판의 중앙 상방으로부터 그 기판에 대하여 HMDS 가스를 공급하고, 기판보다 외방의 위치로부터 HMDS 가스를 배기하여 기판의 소수화 처리를 행하고,
계속해서, HMDS 가스의 공급을 정지하고, 그 후, 기판의 중앙 상방으로부터 처리 용기 내에 퍼지 가스를 공급하고, 상기 기판보다 외방의 위치 및 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터 퍼지 가스를 배기하여 처리 용기 내를 퍼지하는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제8항에 있어서, 상기 기판의 중앙 상방으로부터의 HMDS 가스 및 퍼지 가스의 공급은, 기판의 중앙 상방에 마련된 가스 공급부에 의해 행해지고,
상기 기판의 중앙부의 상방의 위치로부터의 배기는, 기판의 상방이며, 그 기판의 중앙부에 대향하여 마련된 중심 배기부에 의해 행해지고,
상기 기판보다 외방의 위치로부터의 배기는, 기판의 외방에 마련된 외주 배기부에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제9항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 외주 배기부에 공통하여 배기 모관이 마련되고,
상기 중심 배기부 및 상기 외주 배기부로부터의 배기는, 상기 배기 모관을 통해 행해지는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제10항에 있어서, 상기 중심 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 중심 배기관에는 밸브체가 마련되고,
상기 외주 배기부와 상기 배기 모관을 접속하는 외주 배기관에는, 그 외주 배기관을 흐르는 유체의 유량을 제한하는 유량 제한 기구가 마련되고,
상기 기판을 소수화 처리하는 동안은 상기 밸브체를 폐쇄하여 중심 배기부로부터의 배기를 정지하고, 상기 처리 용기 내를 퍼지하는 동안은 그 밸브체를 개방하여 중심 배기부로부터 배기하는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 상기 처리 용기의 내측 상면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 중심 배기부는, 상기 가스 공급부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제12항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제9항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 중심 배기부는, 상기 처리 용기의 내측 상면의 중앙부에 마련되어 있고, 상기 가스 공급부는, 상기 중심 배기부의 외측에 동심원형으로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제14항에 있어서, 상기 가스 공급부는, 평면에서 보아 기판의 중심으로부터 반경 50 ㎜의 원의 내측에 들어가도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 소수화 처리 방법.
제8항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 소수화 처리 방법을 소수화 처리 장치에 의해 실행시키기 위해, 그 소수화 처리 장치를 제어하는 제어부의 컴퓨터 상에서 동작하는 프로그램을 저장한 컴퓨터 판독 가능한 컴퓨터 기억 매체.