JP6987507B2 - 基板処理方法及びその装置 - Google Patents
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Description
すなわち、従来の方法では、熱処理空間に形成された処理雰囲気によっては処理膜中のポリマーを適正に分離させることができないことがあるという問題がある。また、DSAプロセス以外のプロセス、例えばSOG(Spin On Glass)溶液を基板に塗布した後に、熱処理を行って膜を生成するプロセスなどのように、熱処理チャンバ内で基板を熱処理するプロセスにおいても、熱処理空間に形成された処理雰囲気によっては成膜された膜の特性・性能に問題が生じることがある。
熱処理チャンバにおいて熱処理空間の種々の処理雰囲気で熱処理を行った後、熱処理空間の各種パラメータとポリマーの分離状態との関係から熱処理空間の酸素による影響に着目した。これは、ポリマーの相分離が適正に行われない現象が生じたのは、熱処理空間の酸素濃度が下がりきっていなかった熱処理の場合であったことを見出したからである。なお、酸素濃度が下がりきっていない場合には、ポリマーが相分離する際に悪影響を受け、正常な相分離が阻害されると推測される。また、DSAプロセス以外の熱処理プロセスにおいても、酸素に起因する酸化が成膜の特性に悪影響を及ぼしている。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。
図1は、実施例に係る基板処理装置の全体構成を示す概略構成図であり、図2は、熱処理プレート周りの平面図であり、図3は、熱処理プレート周りの縦断面図である。
1 … 熱処理プレート部
3 … 熱処理チャンバ
5 … 上部ガス供給部
7 … シャッター部
9 … チャンバ排気部
11 … 支持ピン昇降部
13 … 下部ガス供給部
15 … 支持ピンシール排気部
17 … 制御部
19 … 設定部
23 … 熱処理プレート
25 … ヒータ
27 … 貫通口
31 … カバー部
37 … 排気口
51 … ガス供給バッファ部
57 … シャッター本体
61 … 支持ピン
65 … メカニカルシール
69 … アクチュエータ
63 … マニホールド
71 … 排気口
HS … 熱処理空間
Claims (5)
- 処理膜が形成された基板を熱処理チャンバ内の熱処理空間内にて熱処理を行う基板処理方法において、
熱処理プレートの周囲を囲うカバー部により形成されている熱処理空間の気体を排気する排気ステップと、
前記排気ステップの後、前記熱処理空間に上方から不活性ガスを供給するとともに、前記熱処理プレートの外周面と前記カバー部の内周面との隙間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給ステップと、
を実施した後、
前記熱処理空間内の基板に対して熱処理を行う熱処理ステップを実施し、
前記熱処理ステップは、前記カバー部の排気口と、前記熱処理プレートから進退する支持ピンが挿通された貫通口とからの排気のうち、前記排気口からの排気を停止させ、前記貫通口からの排気のみを行わせ、前記不活性ガスの供給量よりも前記排気を少なくして前記熱処理空間を与圧にした状態で実施されることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項2に記載の基板処理方法において、
前記処理膜は、誘導自己組織化材料からなることを特徴とする基板処理方法。 - 処理膜が形成された基板を熱処理空間内にて熱処理を行う基板処理装置において、
処理対象の基板が載置される熱処理プレートと、
前記熱処理プレートの外周面から外方に隙間を隔てて立設され、前記熱処理プレートの周囲を囲って内部に熱処理空間を形成するカバー部と、
前記熱処理空間に上方から不活性ガスを供給する上部不活性ガス供給手段と、
前記カバー部に形成され、前記隙間に連通した開口と、
前記開口に不活性ガスを供給する下部不活性ガス供給手段と、
前記熱処理空間の気体を排出する排気手段と、
前記排気手段で熱処理空間の気体を排気させるとともに、前記上部不活性ガス供給手段及び前記下部不活性ガス供給手段から不活性ガスを供給させた後、前記熱処理プレートに載置された基板に熱処理を行わせる制御部と、
を備え、
前記熱処理プレートは、基板を受け渡すための支持ピンが挿通され、前記熱処理空間に連通した貫通口を備え、
前記カバー部は、前記熱処理空間に連通した排気口を備え、
前記排気手段は、前記貫通口及び前記排気口から排気を行うように構成され、
前記制御部は、前記排気手段に前記排気口からの排気を停止させ、前記貫通口からの排気のみを行わせ、前記不活性ガスの供給量よりも前記排気を少なくして前記熱処理空間を与圧にした状態で基板に熱処理を行わせることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3に記載の基板処理装置において、
前記カバー部は、平面視にて中心を挟んで対向する二箇所に前記開口を形成されていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項3または4に記載の基板処理装置において、
前記処理膜は、誘導自己組織化材料からなることを特徴とする基板処理装置。
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