JP2000195839A - 半導体素子製造用ウェ―ハ処理装置 - Google Patents

半導体素子製造用ウェ―ハ処理装置

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JP2000195839A
JP2000195839A JP11354267A JP35426799A JP2000195839A JP 2000195839 A JP2000195839 A JP 2000195839A JP 11354267 A JP11354267 A JP 11354267A JP 35426799 A JP35426799 A JP 35426799A JP 2000195839 A JP2000195839 A JP 2000195839A
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wafer
gas
chuck
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wafer processing
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Gyu-Hwan Kwack
奎煥 郭
Keiseki Ko
景碩 黄
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 スピンチャックに安着されたウェーハ上に供
給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化すること
でエッチング工程または洗浄工程等の処理工程の均一度
を向上させる半導体素子製造用ウェーハ処理装置を提供
する。 【解決手段】 回転軸２と、回転軸２によって支持され
ウェーハＷが固定されるチャック８と、ウェーハＷ上に
ウェーハ処理溶液を供給するための溶液ノズル２５、ウ
ェーハＷの裏面にガスを供給するためのガス供給通路４
及びウェーハＷの裏面に供給されるガスを加熱するため
のヒータ３０を含めてなる。

Description

【発明の詳細な説明】 【発明の属する技術分野】
【０００１】本発明は、半導体素子製造装置に関するも
ので、より詳しくはスピンチャックに安着されたウェー
ハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最小化
にすることで、エッチング工程または洗浄工程等のよう
な処理工程の均一度を向上させることができる半導体素
子製造用ウェーハ処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体素子の製造工程は、半導体
基板に使用されるウェーハ上に多結晶膜、酸化膜、窒化
膜及び金属膜等のような複数の薄膜を形成する薄膜形成
工程、前記薄膜形成工程の間に遂行される写真工程、エ
ッチング工程、洗浄工程及びイオン注入工程等を含めて
なる。
【０００３】半導体素子製造工程の内、エッチング工程
及び洗浄工程等のようなウェーハ処理工程は、大部分ウ
ェーハを回転させることができるスピンチャックが備え
られたウェーハ処理装置を使用する。
【０００４】ウェーハ処理装置を使用したウェーハ処理
工程は、スピンチャック上に処理するウェーハを固定さ
せた後、スピンチャックを回転させてウェーハを回転さ
せ、ウェーハ上に目的に合う処理溶液を供給することで
スピンチャックの回転によるウェーハの遠心力と処理溶
液の溶液供給圧力を利用してウェーハ上に形成された所
定の膜をエッチングするか、ウェーハ上に存在するパー
ティクルを除去する。
【０００５】ウェーハ処理工程で重要な工程要素は、ス
ピンチャックの回転速度、ウェーハ処理溶液の種類及び
ウェーハ処理溶液の工程温度等である。ウェーハ処理溶
液は、半導体素子の大量生産の側面で処理対象物と処理
溶液の反応速度を促進させて処理時間を短縮させるため
に常温以上に維持して使用している。
【０００６】例えば、スピンチャックの運動によって回
転する常温のウェーハＷ上に約１００℃の工程温度を有
する処理溶液の供給時、ウェーハＷと処理溶液の温度差
によって処理溶液は１００℃の工程温度を維持しないと
いう問題点があった。即ち、処理溶液が最初にウェーハ
Ｗと接触する時の温度と、処理溶液がスピンチャックの
回転による遠心力によってウェーハＷの縁部位方向に移
動した時の温度間に温度差が発生する。温度差は、最初
にウェーハ上に供給される時の処理溶液は常温以上の工
程温度を維持しているが、常温のウェーハと接触して表
面に沿って移動することで発生する。従って、温度差は
ウェーハの口径が１２インチのように大口径化されるほ
どさらに深刻になる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、温度差はウェ
ーハ上の各地点の間の処理溶液の反応速度を変化させて
処理対象ウェーハのエッチング均一度及び洗浄対象ウェ
ーハの洗浄均一度を低下させる問題を生じ、この問題は
伝導性物質を利用したスピンエッチング方式のコンタク
トプラグ形成のようなエッチング対象物の中で一定の部
分のみを除去するエッチング工程の遂行時、さらに深刻
になる。
【０００８】半導体素子がだんだん微細化することによ
って、さらに精密なエッチング工程及び洗浄工程が要求
されることでエッチング工程または洗浄工程の対象物で
あるウェーハ自体と半導体ウェーハ処理溶液の間の温度
差を最小化する必要性が台頭した。
【０００９】本発明の目的は、スピンチャックによって
回転するウェーハ上に処理溶液を供給しながらエッチン
グ工程及び洗浄工程等のようなウェーハ処理工程時、ウ
ェーハ上に供給されるウェーハ処理溶液の温度変化を最
小化することで処理工程の均一度を向上させる半導体素
子製造用ウェーハ処理装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
半導体素子製造用ウェーハ処理装置は、回転軸と、回転
軸によって支持され、処理されるウェーハが固定される
チャックと、ウェーハ上にウェーハ処理溶液を供給する
ための溶液ノズルと、ウェーハの裏面にガスを供給する
ことができるガス供給手段と、ウェーハの裏面に供給さ
れるガスを加熱するためのヒータと、を備える。
【００１１】本発明の請求項２記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、チャックの内部には固定さ
れたウェーハを加熱することができるように熱線が設け
られている。
【００１２】本発明の請求項３記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、回転軸は、内部に所定のガ
スが供給されるようにガス供給通路が形成され、端部が
ガス供給手段と連結されている。
【００１３】本発明の請求項４記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、チャンクの表面下部には、
回転軸のガス供給通路と連結されたバッファー空間が形
成されている。
【００１４】本発明の請求項５記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、チャックの表面には、バッ
ファー空間と連結される孔が複数個形成されている。本
発明の請求項６記載の半導体素子製造用ウェーハ処理装
置によると、孔は、チャックの中心から放射状に配列さ
れている。
【００１５】本発明の請求項７記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、チャックの表面にはチャッ
クの中心から放射状に複数個の長方形状の溝が形成され
ている。
【００１６】本発明の請求項８記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、溝の内部には、バッファー
空間と連結される孔が一定の間隔を置いて複数個形成さ
れている。
【００１７】本発明の請求項９記載の半導体素子製造用
ウェーハ処理装置によると、ガスは３０〜１５０℃の範
囲の温度である。本発明の請求項１０記載の半導体素子
製造用ウェーハ処理装置によると、ガスは非活性ガスで
ある。
【００１８】本発明の請求項１１記載の半導体素子製造
用ウェーハ処理装置によると、非活性ガスは、窒素ガス
である。本発明の請求項１２記載の半導体素子製造用ウ
ェーハ処理装置によると、チャック及び溶液ノズルを収
納する所定の空間を有するチャンバーがさらに備えられ
ている。
【００１９】本発明の請求項１３記載の半導体素子製造
用ウェーハ処理装置によると、チャンバーの外部は、熱
線に包まれている。本発明の請求項１４記載の半導体素
子製造用ウェーハ処理装置は、回転軸と、回転軸によっ
て支持され、処理されるウェーハが固定されるチャック
と、ウェーハ上にウェーハ処理溶液を供給するための溶
液ノズルと、溶液ノズルと所定間隔離隔され、溶液ノズ
ルの左右に形成された所定のガスを供給することができ
るガスノズルと、を備えてなる。
【００２０】本発明の請求項１５記載の半導体素子製造
用ウェーハ処理装置によると、チャックの内部には、固
定されたウェーハを加熱することができるように熱線が
設けられている。
【００２１】本発明の請求項１６記載の半導体素子製造
用ウェーハ処理装置によると、ガスは、３０〜１５０℃
の範囲の温度である。本発明の請求項１７記載の半導体
素子製造用ウェーハ処理装置によると、ガスは非活性ガ
スである。
【００２２】本発明の請求項１８記載の半導体素子製造
用ウェーハ処理装置によると、非活性ガスは、窒素ガス
である。本発明の請求項１９記載の半導体素子製造用ウ
ェーハ処理装置によると、チャック、溶液ノズル及びガ
スノズルを収納する所定の空間を有するチャンバーがさ
らに備えられる。本発明の請求項２０記載の半導体素子
製造用ウェーハ処理装置によると、チャンバーの外部
は、熱線に包まれている。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な一実施例
を、添付した図面を参照して詳しく説明する。 （第１実施例）図１は、本発明による半導体素子製造用
ウェーハ処理装置の一実施例を示す図面である。
【００２４】図１を参照すると、本発明によるウェーハ
処理装置１は、駆動モータ６によって回転可能である
し、内部に所定のガスが供給できるようにガス供給通路
４が形成されている回転軸２、回転軸２によって支持さ
れるし、処理されるウェーハＷが安着するチャック８、
チャック８に安着したウェーハＷの側面を固定するクラ
ンプ１６、ウェーハＷ上にウェーハ処理溶液を供給する
ための溶液ノズル２５、チャック８を囲んで、チャック
８の回転時、ウェーハＷ上に溶液ノズル２５を通じて供
給されるウェーハ処理溶液が外部に散ることを防止する
ボール２０、チャック８、溶液ノズル２５及びボール２
０を含むし、所定の空間をなすチャンバー２２、チャン
バー２２の外部を包む熱線２４、ウェーハＷの裏面に所
定のガスを供給することができるように回転軸２のガス
供給通路４に連結されたガス供給管２９と流量計（表示
しない）を含めて構成されるガス供給手段及びガス供給
管２９に付着されるし供給されるガスを加熱するための
ヒータ３０を備えてなる。
【００２５】チャック８を詳しく説明するために図２及
び図５を参照すると、チャック８の表面下部には回転軸
２のガス供給通路４と連結されたバッファー空間１０が
形成されており、バッファー空間１０と、チャック８の
表面の間には安着されたウェーハＷを加熱することがで
きるように螺旋型で熱線１４が内蔵されている。また、
チャック８の表面には、バッファー空間１０と連結され
る孔１２が複数個形成されている。孔１２は、チャック
８の中心から放射状型に配列されることが好ましい。孔
１２の直径は１ｍｍ〜７ｍｍであるし、好ましくは３ｍ
ｍであり得る。チャック８の表面には安着されたウェー
ハＷを感知することができるウェーハセンサー１７が形
成されている。
【００２６】バッファー空間１０は、回転軸２のガス供
給通路４を通過したガスが一定な圧力を形成するように
して、それぞれの孔１２で通過するガスの量を均一にす
ることができる。
【００２７】従って、回転軸２のガス供給通路４から、
バッファー空間１０に供給されたヒータ３０によって加
熱されたガスを孔１２を通じてウェーハＷの裏面に供給
することでチャック８と、チャック８に安着されたウェ
ーハＷの間にガスクッション１８を形成することができ
る。
【００２８】ヒータ３０は、ガス供給管２９を通過する
ガスを３０〜１５０℃に加熱することができるし、好ま
しくは６５〜８５℃である。ガスは、非活性ガスであり
得るし、窒素ガス（Ｎ2Ｇａｓ）が好ましい。図６は、
チャック内の熱線の有無によるチャック表面の温度変化
を説明するためのグラフである。
【００２９】図６を参照すると、Ｈ線はチャック８内部
に熱線１４が内蔵された場合にチャック表面が特定温度
Ｔ4まで到達する時間の変化を示すもので、Ｌ線はチャ
ック８内部に熱線１４が内蔵されない場合にチャック表
面が特定温度Ｔ4まで到達する時間の変化を示すもので
ある。Ｈ線とＬ線を比較してみると、熱線１４をチャッ
ク８内部に内蔵した場合のＨ線が特定温度Ｔ4まで到達
する時間が減少することが分かる。従って、工程時間を
（ｄ−ｃ）時間差分短縮することができる。
【００３０】（他の実施例）図３及び図４は、本発明の
チャック８の他の実施例を示す。図３及び図４は全て図
２のようにバッファー空間１０、熱線１４及びウェーハ
センサー１７が形成されていることは同一であるがチャ
ック８の表面構造が相違している。
【００３１】図３を参照すると、チャック８の表面には
チャック８の中心を基準に放射型で複数個の長方形状で
あるし、所定の深さを有する溝１１が形成されている。
溝１１の内部には図２と同一の形と大きさを有する孔１
２が一定の間隔になって形成されている。溝１１の深さ
は２ｍｍ〜５ｍｍであり得る。また、溝１１の幅は２ｍ
ｍ〜１０ｍｍであり得るし、好ましくは５ｍｍである
し、溝１１の長さは５ｃｍ〜１５ｃｍである。溝１１の
長さは、ウェーハＷの直径によって異なることがある。
即ち、２００ｍｍの直径のウェーハＷの場合には約１０
ｃｍが好ましいし、３００ｍｍの直径のウェーハＷの場
合は１５ｃｍが好ましい。
【００３２】従って、熱線１４は、溝１１の下部に位置
するし、好ましくはチャック表面から６ｍｍ〜１０ｍｍ
に位置することができる。図４を参照すると、チャック
８の表面には螺旋型の熱線１４に沿って螺旋型ホール１
３が形成されている。螺旋型ホール１３の幅は１ｍｍ〜
７ｍｍであり得るし、好ましくは３ｍｍである。
【００３３】溶液ノズル２５は、ウェーハ処理溶液を供
給する処理溶液ノズル２６と処理工程後、ウェーハＷを
洗浄するための脱イオン水を供給する脱イオン水ノズル
２８を含むし、必要によっては複数個の余分の溶液ノズ
ル２５が設置され得る。
【００３４】処理溶液ノズル２６と脱イオン水ノズル２
８は、ウェーハＷの中心を基準に左右に運動しながら処
理溶液または脱イオン水を供給することができる。図７
は、処理溶液ノズル２６と連結された処理溶液供給手段
の概略的な構成図である。
【００３５】図７で見るように処理溶液供給手段は、処
理溶液が入った容器４０、容器４０外部に形成される
し、容器４０の中の処理溶液の温度を維持させるための
熱線４２、容器４０内に特定の加圧されたガスを供給す
るガス供給管５０及び処理溶液ノズル２６と連結される
処理溶液供給管４４を備えてなる。即ち、ガス供給管５
０で加圧された窒素ガスを供給して窒素ガスの圧力で適
正量の処理溶液を処理溶液供給管４４に押し出してフロ
ーさせる。
【００３６】処理溶液供給管４４には、流量計４６が介
在されているし、流量計４６の次には処理溶液供給管４
４の断面積を調節する断面積調節手段４８が介在されて
いる。断面積調節手段４８は図８で見るように内部に絞
り４９が形成されており、絞り４９を調節して処理溶液
供給管４４を通過する処理溶液の流量を微細に調節する
ことができる。勿論、流量計４６だけでも流量の調節が
可能であるが、断面積調節手段４８を介在することでさ
らに微細に流量を調節することができる。
【００３７】加圧ガスを使用する処理溶液の供給方法
は、ピストン運動の不良有無によって処理溶液の供給が
可変されるポンプ式方法より工程の正確さという面で効
果的である。
【００３８】チャンバー２２は、ウェーハの処理工程
時、ウェーハＷを外部環境からの接触を最小化するため
に設置した。好ましくはウェーハＷに供給されるウェー
ハ処理溶液の温度変化を最小化するためである。従っ
て、チャンバー２２の外部に熱線２４を付着することが
できるし、場合によっては、チャンバー２２の内部の上
部に熱線を設置することができる（表示しない）。チャ
ンバー２２の内部の上部の熱線は、チャンバー２２の処
理溶液が発生させるガスと直接的に接触することを防止
するためにチューブ内に設置させることができる。
【００３９】チャンバー２２の材質は、処理工程の特性
上、高温に耐える耐熱性ガラスで、表面は反射性金属で
コーティング処理することができるし、好ましくは金で
コーティング処理する。金でコーティングされたチャン
バー２２は、内部の熱をチャンバー２２の外部に放出さ
せることを最小化するし、可視光線を効果的に透過させ
て作業者が肉眼でチャンバー２２の内部を円滑に観察す
ることができるようにする。
【００４０】熱線２４は、電流調節装置（表示しない）
と、電流調節装置の適正電流によって熱を発生させる。
従って、チャンバー２２がなす内部空間の温度を上昇さ
せてウェーハ処理工程時、供給される処理溶液の工程温
度を効果的に維持することができる。
【００４１】上述したように本発明による半導体素子製
造用処理装置の特徴は、ウェーハＷの裏面にガスを供給
するガス供給管２９にガス供給管２９を通じて流れるガ
スを加熱することができるヒータ３０を付着すること
と、チャンバー２２の外部及びチャック８表面下部に熱
線２４を装着することにある。
【００４２】従って、ウェーハＷとウェーハＷ上に供給
される処理溶液の温度差を克服することで処理溶液の温
度変化を最小化させて処理工程の均一度を向上すること
ができる。また、本発明は、処理溶液が処理工程中ウェ
ーハの裏面にフローされてウェーハの裏面が汚染される
ことを防止することができる。
【００４３】（第２実施例）図９は、本発明による半導
体素子製造用ウェーハ処理装置の第２実施例を示す図面
である。まず、説明した第１実施例と同一機能をする構
成要素は同一番号を記入したし、説明も省略した。しか
し、同一機能を有しているが、構成形態が変わった場合
には異なる番号を記入して説明した。
【００４４】図９を参照すると、本発明によるウェーハ
処理装置１０１は、駆動モータ６によって回転可能な回
転軸４、回転軸４によって支持され、処理されるウェー
ハＷが安着するし、安着したウェーハＷを加熱すること
ができるように螺旋型の熱線１４が内蔵されたチャック
１０８と、チャック１０８に安着されたウェーハＷの側
面を固定するクランプ１６と、ウェーハＷ上にウェーハ
処理溶液を供給するための溶液ノズル２５、溶液ノズル
２５と所定の間隔離隔されて溶液ノズル２５の左右に形
成されるし、所定のガスを供給することができるガスノ
ズル１３０、チャック１０８を囲みながらチャック１０
８の回転時、ウェーハＷ上に溶液ノズル２５を通じて供
給されるウェーハ処理溶液が外部に散ることを防止する
ボール２０及びチャック１０８、溶液ノズル２５、ガス
ノズル１３０及びボール２０を含むし、所定の空間をな
しながら外部に熱線２４が形成されているチャンバー２
２を備えてなる。
【００４５】前述したように本発明の特徴は、溶液ノズ
ル２５の左右に加熱された所定のガスを供給することが
できるガスノズル１３０を形成させることで、ガスノズ
ル１３０を通じて供給されるガスは非活性ガスであり得
るし、好ましくは窒素ガスであるし、窒素ガスの温度は
３０〜１５０℃であり得るし、好ましくは６５〜８５℃
である。
【００４６】溶液ノズル２５と、ガスノズル１３０の間
の離隔距離は、工程条件及びウェーハの直径によって調
節することができるし、溶液ノズル２５とガスノズル１
３０は互いに平行に連結台１３２に付着されている。
【００４７】また、溶液ノズル２５と、ガスノズル１３
０の配列は、一側を基準にガスノズル１３０、溶液ノズ
ル２５、ガスノズル１３０、溶液ノズル２５及びガスノ
ズル１３０の順に配列することができる。
【００４８】ガスノズル１３０を適用した処理方法の実
施例を調べて見ると、まずガスノズル１３０をウェーハ
の中心に位置するように整列した後、ガスノズル１３０
が加熱された窒素ガスの供給と同時に回転中であるウェ
ーハの縁部位方向に移動させる。継続して、溶液ノズル
２５をウェーハの中心に位置するように整列した後、処
理溶液の供給と同時に回転中であるウェーハの縁部位方
向に移動させながら処理工程を遂行する。ガスノズル１
３０を適用した処理方法は当業者によって多様な方法で
実施することができるのは当然である。
【００４９】従って、ガスノズル１３０を通じて加熱さ
れた窒素ガスを回転するチャック１０８上の処理される
ウェーハ上にフローさせてウェーハＷを加熱することで
ウェーハ上に供給される処理溶液とウェーハの間の温度
差による処理溶液の温度変化を最小化することで処理工
程の均一度を向上させることができる。
【００５０】前述した構成からなる図１の半導体製造用
処理装置１を使用したウェーハ処理方法の一実施例とし
て、タングステンプラグ形成方法を調べてみると、まず
酸化膜上に形成されたコンタクトホールを埋没させるし
タングステン膜が所定の厚さ形成されているウェーハを
熱線１４が内蔵されたチャック８上に安着させて、孔１
２を通じてウェーハの裏面に７０℃の温度を有する窒素
ガスを供給する。また、チャンバー２２の外部の熱線２
４を作動させてチャンバー２２がなす空間の温度を上昇
させ工程雰囲気を最適化させる。
【００５１】次に、チャック８を回転させながらウェー
ハ上にタングステン膜をエッチングすることができるエ
ッチング液を供給しながらエッチング工程を遂行して、
コンタクトホール内にのみタングステン膜が存在するよ
うにしてタングステンプラグを完成する。
【００５２】エッチングに使用するエッチング溶液は、
Ｈ2Ｏ2，Ｏ2，ＩＯ4 -，ＢｒＯ3，ＣｌＯ3，Ｓ2Ｏ8 -，Ｋ
ＩＯ3，Ｈ5ＩＯ6，ＫＯＨ及びＨＮＯ3からなるグループ
の中から選択された少なくとも一つ以上の酸化剤、Ｈ
Ｆ，ＮＨ4ＯＨ，Ｈ3ＰＯ4，Ｈ2ＳＯ4，ＮＨ4Ｆ及びＨＣ
ｌからなるグループの中から選択された少なくとも一つ
以上の増強剤及び緩衝液が所定の比率で混合されてなる
ことが好ましい。
【００５３】エッチング液にエッチングされる薄膜は、
実施例にあるタングステン膜だけではなく、工程によっ
て使用できる銅膜、チタン膜、チタンナイトライド膜、
タンタリウム膜、タンタリウムナイトライド膜及び酸化
膜であり得る。
【００５４】本発明のウェーハ処理方法は、従来のＣＭ
Ｐ方法によって発生するマイクロスクラッチ及びウェー
ハの割れ等のような問題点を解決しながらタングステン
プラグのような伝導体プラグを形成することができる。
【００５５】また、ウェーハ処理方法は、伝導体プラグ
を形成工程にだけ限定することではなく、凹凸形状を有
する薄膜の平坦化工程にも適用することができるのは当
然である。
【００５６】
【発明の効果】従って、伝導体プラグ形成工程及び平坦
化工程を効率的に遂行することができるし、工程中処理
溶液の工程温度変化を最小化して工程の均一度を向上さ
せる効果がある。以上で、本発明は記載された具体例に
ついてのみ詳細に説明したが、本発明の技術思想範囲内
で多様な変形および修正が可能であることは当業者にと
って明白なことであり、このような変形および修正が本
願発明の技術的範囲に属するのは当然である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による半導体素子製造用ウェーハ処理装
置の実施例を示す概略的な構成図である。
【図２】図１のチャックの実施例を示す図面である。
【図３】図１のチャックの実施例を示す図面である。
【図４】図１のチャックの実施例を示す図面である。
【図５】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線の断面図である。
【図６】チャック内に熱線の内蔵有無によるチャック表
面の温度変化を説明するためのグラフである。
【図７】処理溶液供給手段の概略的な構成図である。
【図８】図７のＶＩ−ＶＩ’線の断面図である。
【図９】本発明による半導体素子製造用ウェーハ処理装
置の他の実施例を示す概略的な構成図である。
【符号の説明】
１、１０１ 半導体素子製造用ウェーハ処理装置 ２ 回転軸 ４ ガス供給通路 ６ モータ ８、１０８ チャック １０ バッファー空間 １１ 溝 １２ ホール １３ 螺旋型ホール １４、２４、４２ 熱線 １６ クランプ １７ ウェーハセンサー １８ 窒素ガスクッション ２０ ボール ２２ チャンバー ２５ 溶液ノズル ２６ 処理溶液ノズル ２８ 脱イオン水ノズル ３０ ヒータ ４０ 容器 ４４ 処理溶液供給管 ４６ 流量計 ４８ 断面積調節手段 ４９ 絞り ５０ ガス供給管 １３０ 窒素ガスノズル １３２ 連結台 Ｗ ウェーハ

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 回転軸と、 前記回転軸によって支持され、処理されるウェーハが固
    定されるチャックと、 前記ウェーハ上にウェーハ処理溶液を供給するための溶
    液ノズルと、 前記ウェーハの裏面にガスを供給するためのガス供給手
    段と、 前記ウェーハの裏面に供給される前記ガスを加熱するた
    めのヒータと、 を備えることを特徴とする半導体素子製造用ウェーハ処
    理装置。
  2. 【請求項２】 前記チャックの内部には、固定されたウ
    ェーハを加熱するための熱線が設けられていることを特
    徴とする半導体素子製造用ウェーハ処理装置。
  3. 【請求項３】 前記回転軸は、内部に所定のガスが供給
    されるようにガス供給通路が形成され、端部が前記ガス
    供給手段と連結されていることを特徴とする請求項１に
    記載の半導体素子製造用ウェーハ処理装置。
  4. 【請求項４】 前記チャックの表面下部には、前記回転
    軸のガス供給通路と連結されたバッファー空間が形成さ
    れていることを特徴とする請求項３に記載の半導体素子
    製造用ウェーハ処理装置。
  5. 【請求項５】 前記チャックの表面には、前記バッファ
    ー空間と連結される孔が複数個形成されていることを特
    徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用ウェーハ処
    理装置。
  6. 【請求項６】 前記孔は、前記チャックの中心から放射
    状に配列されていることを特徴とする請求項５に記載の
    半導体素子製造用ウェーハ処理装置。
  7. 【請求項７】 前記チャックの表面には前記チャックの
    中心から放射状に複数個の長方形状の溝が形成されてい
    ることを特徴とする請求項４に記載の半導体素子製造用
    ウェーハ処理装置。
  8. 【請求項８】 前記溝の内部には、前記バッファー空間
    と連結される孔が一定の間隔を置いて複数個形成されて
    いることを特徴とする請求項７に記載の半導体素子製造
    用ウェーハ処理装置。
  9. 【請求項９】 前記ガスの温度は３０〜１５０℃である
    ことを特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用ウ
    ェーハ処理装置。
  10. 【請求項１０】 前記ガスは非活性ガスであることを特
    徴とする請求項９に記載の半導体素子製造用ウェーハ処
    理装置。
  11. 【請求項１１】 前記非活性ガスは、窒素ガスであるこ
    とを特徴とする請求項１０に記載の半導体素子製造用ウ
    ェーハ処理装置。
  12. 【請求項１２】 前記チャック及び溶液ノズルを収納す
    る所定の空間を有するチャンバーをさらに備えることを
    特徴とする請求項１に記載の半導体素子製造用ウェーハ
    処理装置。
  13. 【請求項１３】 前記チャンバーの外部は、熱線に包ま
    れていることを特徴とする請求項１２に記載の半導体素
    子製造用ウェーハ処理装置。
  14. 【請求項１４】 回転軸と、 前記回転軸によって支持され、処理されるウェーハが固
    定されるチャックと、 前記ウェーハ上に前記ウェーハ処理溶液を供給するため
    の溶液ノズルと、 前記溶液ノズルと所定間隔離隔され、前記溶液ノズルの
    左右に形成された所定のガスを供給するためのガスノズ
    ルと、 を備えることを特徴とする半導体素子製造用ウェーハ処
    理装置。
  15. 【請求項１５】 前記チャックの内部には、固定された
    ウェーハを加熱するための熱線が設けられていることを
    特徴とする請求項１４に記載の半導体素子製造用ウェー
    ハ処理装置。
  16. 【請求項１６】 前記ガスは、３０〜１５０℃の範囲の
    温度であることを特徴とする請求項１４に記載の半導体
    素子製造用ウェーハ処理装置。
  17. 【請求項１７】 前記ガスは非活性ガスであることを特
    徴とする請求項１４に記載の半導体素子製造用ウェーハ
    処理装置。
  18. 【請求項１８】 前記非活性ガスは、窒素ガスであるこ
    とを特徴とする請求項１７に記載の半導体素子製造用ウ
    ェーハ処理装置。
  19. 【請求項１９】 前記チャック、溶液ノズル及びガスノ
    ズルを収納する所定の空間を有するチャンバーをさらに
    備えることを特徴とする請求項１４に記載の半導体素子
    製造用ウェーハ処理装置。
  20. 【請求項２０】 前記チャンバーの外部は、熱線に包ま
    れていることを特徴とする請求項１９に記載の半導体素
    子製造用ウェーハ処理装置。
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