TW200832587A - Substrate processing equipment, substrate processing method and cleaning method of exhaust liquid cup - Google Patents

Substrate processing equipment, substrate processing method and cleaning method of exhaust liquid cup Download PDF

Info

Publication number
TW200832587A
TW200832587A TW096137279A TW96137279A TW200832587A TW 200832587 A TW200832587 A TW 200832587A TW 096137279 A TW096137279 A TW 096137279A TW 96137279 A TW96137279 A TW 96137279A TW 200832587 A TW200832587 A TW 200832587A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
liquid
rinsing
processing
cup cover
Prior art date
Application number
TW096137279A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI354344B (zh
Inventor
Hiromitsu Nanba
Norihiro Ito
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200832587A publication Critical patent/TW200832587A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI354344B publication Critical patent/TWI354344B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68728—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a plurality of separate clamping members, e.g. clamping fingers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Description

200832587 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於對例如半導體晶圓等之基板執行洗淨處 理般之特定液體處理的基板處理裝置及基板處理方法，以 及在如此之基板處理裝置中洗淨接收排液之排液杯罩的排 液杯罩之洗淨方法。 【先前技術】 半導體裝置之製造製程或平面顯示器（FPD)之製程， 大多使用將處理液供給至屬於被處理基板之半導體晶圓或 玻璃基板而執行液處理之製程。如此之製程可以舉出除去 例如附著於基板之顆粒或污染等之洗淨處理。 就以如此之基板處理裝置而言，所知的有將半導體晶 圓等之基板保持於旋轉夾，在使基板旋轉之狀態下對晶圓 供給藥液之處理液而執行洗淨處理。該種裝置一般是處理 液被供給至晶圓中心，藉由使基板旋轉，將處理液擴散至 外側而形成液膜，並使處理液自基板外方脫離。然後，於 如此洗淨處理後，同樣在使基板旋轉之狀態下對基板供給 純水等之沖洗液而形成沖洗液之液膜，並執行使沖洗液脫 離至基板外方之沖洗處理。因此，以圍繞晶圓外側之方式 設置用以接受被甩至基板外方之處理液或沖洗液而予以排 液的排液杯罩（例如日本專利特開2002-3 68066號）。 然而，該種之基板處理裝置於使用鹼性藥液或酸性藥 液當作處理液執行洗淨處理之後，於執行基板之沖洗處理 之時，不僅基板上之處理液也必須除去殘存於排液杯罩之 -4- 200832587 處理液。即是，當如此鹼性藥液或酸性藥液於沖洗處理後 殘存於排液杯罩時該些揮發，或於使用該些藥液之連續處 理時，該些反應形成鹽，會有對基板之乾燥性引起壞影響 之虞。再者，於回收鹼性藥液或酸性藥液等之多數藥液而 使用之時，藥液彼此互相混合，加快惡化速度。因此，於 沖洗處理之時，需要不同於沖洗處理另外定期或因應所需 充分除去殘存於排液杯罩之處理液。 但是，以往，沖洗處理是沖洗液無充分遍及到排液杯 罩內全體，處理液則殘存於排液內杯罩內，解消上述不良 情形爲困難。再者，雖然在排液杯罩設置洗淨機構執行杯 罩洗淨，但是裝置變得複雜化及大型化，爲不理想。 【發明內容】 本發明之目的是提供於以處理液執行基板處理後進行 沖洗處理之時，可以充分除去排液杯罩內之處理液之基板 處理裝置及基板處理方法。 本發明之另外目的是提供以處理液處理基板之基板處 理裝置中，可以不用使用特別洗淨機構可以確實洗淨接受 處理液之排液杯罩之洗淨方法。 本發明之又一其他目的是提供記憶有實行上述基板處 理方法及排液杯罩之洗淨方法之控制程式的記憶媒體。 若藉由本發明之第1觀點，一種基板處理裝置，具備 將基板保持水平’可與基板同時旋轉之基板保持部；使上 述基板保持部予以旋轉之旋轉機構；對基板供給處理液之 -5- 200832587 處理液供給機構；對基板供給沖洗液之沖洗液供給機構； 環狀排液杯罩，被設置成圍繞保持於上述基板保持部之基 板外側，接受自旋轉之基板飛散之處理液或是沖洗液而予 以排液，並具有圍繞基板之端面外側的外周壁和圍繞基板 端部之下方側的內側壁；和控制部，以一面藉由上述旋轉 機構使保持於上述基板保持部之基板旋轉，一面藉由上述 處理液供給機構使處理液供給至基板而對基板執行處理， 之後同樣一面使基板旋轉，一面藉由上述沖洗液供給機構 使沖洗液供給至基板而執行沖洗處理之方式，控制處理液 之供給、沖洗液之供給及基板之旋轉數，上述控制部每控 制基板處理後之沖洗處理，實施一邊將基板之旋轉數控制 成基板處理之時之旋轉數一邊供給沖洗液，之後藉由降低 基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述排液杯罩中之 沖洗液之液面上昇，及使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到 達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇。 上述第1觀點中，上述控制部可以於以基板處理之時 之旋轉數實施沖洗處理之後，使液面上昇，接著使沖洗液 到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇，再者，上 述控制部亦可以基板處理之時之旋轉數實施沖洗處理之後 ，使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇 ，接著使液面上昇。 再者，上述控制部是可以將基板處理之時的基板之旋 轉數控制成200〜700rpm，將使上述液面上昇之工程時的 基板旋轉數控制成50〜2 Orpm，將使沖洗液到達至上述排 -6 - 200832587 液杯罩之外周壁的到達位置上昇時的基板之旋轉數控制成 5 00 〜1 5 OOrpm ° 又，可以構成又具備圍繞保持於上述基板保持部之基 板，與上述基板保持部及基板同時旋轉，接受於旋轉基板 時自基板所甩掉之處理液或是沖洗液而引導至上述排液杯 罩之旋轉杯罩。 再者，上述處理液供給機構是供給第1處理液和第2 處理液，上述控制部是以一面藉由上述旋轉機構使保持於 上述基板保持部之基板旋轉，一面藉由上述處理液供給機 構使第1處理液供給至基板而對基板執行第1處理，之後 同樣一面使基板旋轉，一面藉由上述沖洗液供給機構使沖 洗液供給至基板而執行第1沖洗處理，之後同樣一面使基 板旋轉，一面藉由上述處理液供給機構使第2處理液供給 至基板而對基板執行第2處理，並且之後同樣一面使基板 旋轉，一面藉由上述沖洗液供給機構使沖洗液供給至基板 而執行第2沖洗處理之方式，控制第1及第2處理液之供 給、沖洗液之供給及基板之旋轉數，每控制第1沖洗處理 ，至少實施一邊將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋 轉數一邊供給沖洗液，之後藉由降低基板之旋轉數或增加 沖洗液之供給量使上述排液杯罩中之沖洗液之液面上昇， 及使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩之 外周壁的到達位置上昇。 若藉由本發明之第2觀點，則提供一種基板處理方法 ’爲使用基板處理裝置執行基板處理的基板處理方法，該 200832587 基板處理裝置具備：將基板保持水平，可與基板同時旋轉 之基板保持部；使上述基板保持部予以旋轉之旋轉機構； 對基板供給處理液之處理液供給機構；對基板供給沖洗液 之沖洗液供給機構；和環狀排液杯罩，被設置成圍繞保持 於上述基板保持部之基板外側，接受自旋轉之基板飛散之 處理液或是沖洗液而予以排液，並具有圍繞基板之端面外 側的外周壁和圍繞基板端部之下方側的內側壁，包含一面 藉由上述旋轉機構使保持於上述基板保持部之基板旋轉， 一面藉由上述處理液供給機構將處理液供給至基板而對基 板執行處理；和之後，同樣一面使基板旋轉，一面藉由上 述沖洗液供給機構將沖洗液供給至基板而執行沖洗處理， 上述沖洗處理包含：一邊將基板之旋轉數控制成基板處理 之時之旋轉數一邊供給沖洗液；藉由降低基板之旋轉數或 增加沖洗液之供給量使上述排液杯罩中之沖洗液之液面上 昇；及使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯 罩之外周壁的到達位置上昇。 在上述本發明之第2觀點中，上述處理液供給機構是 構成供給第1處理液和第2處理液，供給上述處理液而對 基板執行處理是包含：對基板供給第1處理液而對基板執 行第1處理；和對基板供給第2處理液而對基板執行第2 處理，執行上述沖洗處理包含：於上述第1處理後所執行 之第2沖洗處理；和於上述第2處理後所執行之第2沖洗 處理，上述第1沖洗處理即使至少包含：最初所執行之一 邊將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一邊供給 -8- 200832587 沖洗液；藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使 上述排液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及使基板之旋轉數 上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置 上昇亦可。此時，上述第2沖洗處理可以包含：一邊將基 板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一邊供給沖洗液 ;藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述排 液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及使基板之旋轉數上昇而 使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇。 在上述第2觀點中，可以於以基板處理之時之旋轉數 執行沖洗處理之後，使液面上昇，接著使沖洗液到達至上 述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇，或是也可以基板處 理之時之旋轉數執行沖洗處理之後，使沖洗液到達至上述 排液杯罩之外周壁的到達位置上昇，接著，使液面上昇。 再者，可以將基板處理之時之基板旋轉數設爲200〜 700rpm，將使液面上昇時之基板之旋轉數設爲 50〜 2 0 Orpm，將使沖洗液到達至排液杯罩之外周壁的到達位置 上昇之時的基板旋轉數設爲5 00〜1 5 00rpm。 若藉由本發明之第3觀點，則提供一種排液杯罩之洗 淨方法，爲在基板處理裝置中洗淨排液杯罩的排液杯罩之 洗淨方法，該基板處理裝置具備：將基板保持水平，可與 基板同時旋轉之基板保持部；使上述基板保持部予以旋轉 之旋轉機構；對基板供給處理液之處理液供給機構；對基 板供給沖洗液之沖洗液供給機構；和環狀排液杯罩，被設 置成圍繞保持於上述基板保持部之基板外側，接受自旋轉 -9- 200832587 之基板飛散之處理液或是沖洗液而予以排液，並具有圍繞 基板之端面外側的外周壁和圍繞基板端部之下方側的內側 壁，一面藉由上述旋轉機構使保持於上述基板保持部之基 板旋轉，一面自上述處理液供給機構將處理液供給至基板 而執行基板處理，包含：在上述基板保持部保持基板或虛 擬基板：一邊使上述基板或虛擬基板旋轉一邊對上述基板 或虛擬基 >反供給沖洗液，藉由自基板或虛擬基板所甩掉之 沖洗液，沖洗上述排液杯罩之處理液流路；藉由較沖洗上 述處理液流路時降低上述基板或虛擬基板之旋轉數或增加 沖洗液之供給量，使上述排液杯罩中之沖洗液之液面上昇 ;較沖洗上述處理液流路時上昇基板或虛擬基板之旋轉數 而使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇 〇 在上述第3觀點中，沖洗上述處理液流路之後，可以 使液面上昇，接著使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁 之到達位置上昇。再者，於洗淨上述處理流路之後，可以 使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁之到達位置上昇， 接著使液面上昇。 再者，可以將沖洗上述處理液流路之時之基板之旋轉 數設爲50〜70 Orpm，將使液面上昇時之基板之旋轉數設 爲50〜20〇rpm，將使沖洗液到達至排液杯罩之外周壁的 到達位置上昇之時的基板旋轉數設爲5 0 0〜1 5 0 0 rpm。 若藉由本發明之第4觀點，則提供一種記憶媒體，爲 記憶有控制程式的電腦可讀取之記億媒體，該控制程式是 -10- 200832587 在用以控制基板處理裝置之電腦上動作，該基板處理裝置 具備：將基板保持水平，可與基板同時旋轉之基板保持部 ;使上述基板保持部予以旋轉之旋轉機構；對基板供給處 理液之處理液供給機構；對基板供給沖洗液之沖洗液供給 機構；和環狀排液杯罩，被設置成圍繞上述旋轉杯罩之外 側，接受自旋轉之基板飛散之處理液或是沖洗液而予以排 液，並具有圍繞基板之端面外側之外周壁和圍繞基板端部 之下方側的內側壁，上述控制程式於實行時以執行基板處 理方法之方式，令電腦控制上述基板處理裝置，該基板處 理方法包含一面藉由上述旋轉機構使保持於上述基板保持 部之基板旋轉，一面藉由上述處理液供給機構將處理液供 給至基板而對基板執行處理；和之後，同樣一面使基板旋 轉，一面藉由上述沖洗液供給機構將沖洗液供給至基板而 執行沖洗處理，上述沖洗處理包含：一邊將基板之旋轉數 控制成基板處理之時之旋轉數一邊供給沖洗液；藉由降低 基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述排液杯罩中之 沖洗液之液面上昇；及使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到 達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇。 若藉由本發明之第5觀點，則提供一種記憶媒體，爲 記億有控制程式的電腦可讀取之記憶媒體，該控制程式是 在用以於基板處理裝置中執行上述排液杯罩之洗淨處理的 電腦上動作，該基板處理裝置具備：將基板保持水平，可 與基板同時旋轉之基板保持部；使上述基板保持部予以旋 轉之旋轉機構；對基板供給處理液之處理液供給機構；對 -11 - 200832587 基板供給沖洗液之沖洗液供給機構；和環狀排液杯罩’被 設置成圍繞上述旋轉杯罩之外側，接受自旋轉之基板飛散 之處理液或是沖洗液而予以排液，並具有圍繞基板之端面 外側之外周壁和圍繞基板端部之下方側的內側壁’上述控 制程式於實行時以執行排液杯罩之洗淨方法的方式’令電 腦控制上述基板處理裝置，該排液杯罩之洗淨方法包含在 上述基板保持部保持基板或虛擬基板；一邊使上述基板或 虛擬基板旋轉，一邊將沖洗液供給至上述基板或虛擬基板 ，藉由自基板或虛擬基板甩掉之沖洗液，沖洗上述排液杯 罩之處理液流路；藉由較沖洗上述處理液流路之時降低上 述基板或虛擬基板之旋轉數或是增加沖洗液之供給量，使 上述排液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及較沖洗上述處理 液流路之時上昇基板或虛擬基板之旋轉數而使沖洗液到達 至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇。 若藉由本發明，於沖洗處理之時或是杯罩洗淨時，因 可以將基板保持於基板保持部，最初一邊將基板之旋轉數 控制成基板處理時之旋轉數一邊供給沖洗液，之後藉由使 基板之旋轉數下降或是增加沖洗液之供給量，實施使上述 排液杯罩中之沖洗液之液面上昇，及使基板之旋轉數上昇 而使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇 ，故可以使沖洗液遍及排液杯罩內全體，可以幾乎完全除 去排液杯罩內之處理液。 【實施方式】 -12- 200832587 以下，參照附件圖面針對本發明之實施形態予以詳細 說明。在此，針對將本發明適用於執行半導體晶圓（以下 ，單稱爲晶圓）之表背面洗淨之液處理裝置之時予以表示 〇 第1圖爲表示本發明之一實施形態所涉及之基板處理 裝置之槪略構成的剖面圖，第2圖爲該平面圖，第3圖爲 表示第1圖之基板處理裝置之處理液供給機構及沖洗液供 給機構之槪略圖，第4圖爲放大表示第1圖之基板處理裝 置之排氣排液部之剖面圖。 基板處理裝置100是多數組裝於無圖式之液處理系統 ，具有基台板1、可旋轉保持屬於被處理基板之晶圓W的 晶圓保持部2、使該晶圓保持部2旋轉之旋轉馬達3、被 設置成圍繞保持於晶圓保持部2之晶圓W，與晶圓保持部 2同時旋轉之旋轉杯罩4、供給處理液至晶圓W表面之表 面側液供給噴嘴5、供給處理液至晶圓背面之背面側液供 給噴嘴6、和被設置在旋轉杯罩4周邊部之排氣、排液部 7。再者，以覆蓋排氣排液部7周圍及晶圓W上方之方式 ，設置有外殼8。在外殼8上部設置有經被設置於側部之 導入口 9a導入來自液處理系統之風機過濾單元（FFU)之氣 流的氣流導入部9，使清靜空氣之下流供給至保持於晶圓 保持部2之晶圓W。 晶圓保持部2具有水平設置構成圓板狀之旋轉板1 1， 和連接於該背面之中心部，下方垂直延伸之圓筒狀之旋轉 軸1 2。在旋轉板1 1之中心部形成有與旋轉軸1 2內之孔 -13- 200832587 1 2a連通之圓形孔1 1 a。然後，具備有背面側液供給噴嘴6 之升降構件13設置成可在孔12a及孔11a內升降。在旋 轉板1 1設置有保持晶圓W外緣之保持構件1 4，如第2圖 所示般，該些是以3個等間隔配置。該保持構件14是在 晶圓W從旋轉板稍微浮起之狀態水平保持晶圓W。該保 持構件1 4具有可保持晶圓W之端面的保持部1 4a，和自 保持部1 4a延伸存在於旋轉板背面側中心方向之裝卸部 14b，和在垂直面內使保持部14a轉動之旋轉軸14c，藉由 無圖式之汽缸機構使裝卸部往上方推，保持部1 4a於外側 轉動解除晶圓W之保持。保持構件1 4是藉由無圖式之彈 簧構件將保持部1 4a彈推於保持晶圓W之方向，於不使汽 缸機構動作時，成爲藉由保持構件1 4保持晶圓W之狀態 〇 旋轉軸1 2經具有兩個軸承1 5 a之軸承構件1 5可旋轉 支撐於基台板1。在旋轉軸1 2之下端部嵌入滑輪1 5，在 該滑輪1 6捲繞著皮帶1 7。皮帶1 7也捲繞於安裝於馬達3 之軸的滑輪1 8。然後，藉由使馬達旋轉3，經滑輪1 8、皮 帶1 7及滑輪1 6使旋轉軸1 2旋轉。 表面側液供給噴嘴5是在保持於噴嘴保持構件22之 狀態下被安裝於噴嘴臂22a之前端，從後述液供給機構85 通過設置在噴嘴臂2 2 a內之流路而供給處理液，經設置在 該內部之噴嘴孔5 a而吐出處理液。作爲吐出之處理液， 可以舉出晶圓洗淨用之藥液、純水等之沖洗液等。再者， 在噴嘴保持構件22也安裝有出代表IPA之乾燥溶媒噴嘴 -14- 200832587 21，經設置在該內部之噴嘴孔21a吐出IPA等之乾燥溶媒 〇 也如第2圖所示般，噴嘴臂22a是藉由驅動機構81 設置成可以軸23爲中心而轉動，藉由使噴嘴臂22a轉動 ，表面側液供給噴嘴5取得晶圓W中心上及外圍上之晶 圓洗淨位置，和晶圓 W之外方之退避位置。再者，噴嘴 臂22a是藉由汽缸機構等之升降機構82可上下移動。 如第3圖所示般，在噴嘴臂22a設置有流路83a，表 面側液供給噴嘴5之噴嘴孔5a連接於流路83a之一端。 再者，流路83a之另一端也連接配管84a。另外，在噴嘴 臂22a也設置有流路83b，乾燥溶劑噴嘴21之噴嘴孔21a 連接於流路8 3 b之一端。再者，流路8 3 a之另一端也連接 有配管84a。另外，在噴嘴臂22a內野設置有流路83b， 乾燥溶媒噴嘴21之噴嘴孔21a連接於流路83b之一端。 再者，於流路83b之另一端連接有配管84b。然後，配管 8 4a、8 4b自液體供給機構85供給特定處理液。液體供4合 機構8 5具有供給例如酸藥液之稀釋氫氟酸以當作用以洗 淨處理之藥液的DHF供給源8 6、供給屬於鹼藥液之氨/過 氧化氫水溶液（SCI)之SCI供給源87、供給例如純水 (DIW)以當作沖洗液之DIW供給源88、供給例如IPA以當 作乾燥溶媒之IP A供給源9 5。配管8 9、9 0、9 1自D H F供 給源8 6 S C I供給源8 7、D IW供給源8 8延伸，該些配管8 9 、90、91經開關閥92、93、94連接於配管84a。因此， 藉由操作開關閥92、93、94，可選擇性將氨/過氧化氫水 -15- 200832587 溶液（SCI)、稀釋氫氟（DHF)、純水（DIW)供給至表面側液 供給噴嘴5。此時，自DIW供給源8 8延伸之配管9 1連接 於配管84a之最上流側。另外，於IPA供給源95直接連 接有自流路83b延伸之配管84b，於配管84b設置有開關 閥96。因此，藉由打開開關閥96，可將IPA供給至乾燥 溶媒噴嘴2 1。 即是，液供給機構85是發揮當作用以供給屬於洗淨 用之處理液的氨/過氧化氫水溶液（SCI)及稀有氟酸（DHF) 之處理液供給機構之功能、當作用以供給作爲沖洗液之純 水（DIW)之沖洗液供給機構之功能，及當作供給作爲乾燥 溶媒之IPA之乾燥溶媒供給機構之功能。 背面側液供給噴嘴6被設置在升降構件1 3之中心， 在該內部形成沿著長邊方向延伸之噴嘴孔6a。然後，藉由 無圖式之處理液供給機構自噴嘴孔6a之下端供給特定處 理液，該處理液晶噴嘴6a吐出至晶圓W之背面。作爲吐 出之液體可以與上述表面側液供給噴嘴5相同，舉出洗淨 用之處理液、純水等之洗淨液。 對背面側液供給噴嘴6供給處理液之液供給機構除 IPA之供給系統之外可以構成與上述液供給機構85相同 。在升降部1 3之上端部具有支撐晶圓W之晶圓支撐台24 。在晶圓支撐台24之上面具有用以支撐晶圓W之3根晶 圓支撐銷25(僅圖式兩根）。然後，在背面側液供給噴嘴6 下端經連接構件2 6連接有汽缸機構2 7，藉由該汽缸機構 27使升降構件1 3，依此使晶圓W升降執行晶圓w之裝載 -16- 200832587 及卸載。 旋轉杯罩4具有自旋轉板1 1之端部上方延伸於內側 斜上方之圓環狀之簷部3 1，和從簷部3 1之外端部垂直朝 向方延伸之筒狀外側壁部32。然後，如第4圖之放大圖所 示般，在外側壁部32和旋轉板1 1之間形成圓環狀之間隙 3 3，自該間隙3 3晶圓W與旋轉板1 1及旋轉杯罩4旋轉 而飛散之處理液或沖洗液引導至下方。 在簷部3 1和旋轉板1 1之間，於與晶圓W幾乎相同 高度之位置，存在有構成板狀之導引構件3 5。如第5圖所 示般，在簷部3 1和導引構件35之間，導引構件35和旋 轉板1 1之間，沿著周圍方向配置有用以各使處理液或沖 洗液通過之多數開口 3 6及3 7之多數間隔物構件3 8及3 9 。簷部3 1、導引構件3 5、旋轉板1 1和該些之間的間隔構 件38、39是藉由螺絲40固定。 導引構件3 5是被設置成該表背面與晶圓W之表背面 大略連續。然後，藉由馬達3使晶圓保持部2及旋轉杯罩 4與晶圓W同時旋轉於從表面側供給噴嘴5供給處理液 至晶圓W表面之時，處理液藉由離心力在晶圓W之表面 擴展，自晶圓W之邊緣甩掉。自該晶圓W表面甩開之處 理液被引導至引導構件3 5表面自開口 3 6排出至外方，藉 由外側壁部3 2引導至下方。再者，同樣使晶圓保持部2 及旋轉杯罩4與晶圓W同時旋轉自背面側液供給噴嘴6 供給處理液至晶圓W之背面之中心時，處理液藉由離心 力在晶H w背面擴展’自晶圓w之邊緣甩掉。自該晶圓 -17- 200832587 w背面甩掉之處理液被引導至略連續設置之導引構件35 之背面而自開口 3 7排出至外方，藉由外側壁部32引導至 下方。此時，由於到達間隔物構件38、39及外側壁部32 之處理液作用離心力，故阻止該些成爲霧而返回至內側。 再者，導引構件3 5因如此引導自背面背甩掉之處理 液，故自晶圓 W之周圍所脫離之處理液難以亂流化，可 以不使處理液霧化而引導至旋轉杯罩。並且，如第2圖所 示般，在導引構件3 5，於晶圓保持構件14之位置，以迴 避晶圓保持構件1 4之方式，設置有缺口部4 1。 排氣排液部7因回收自主要自旋轉板1 1和旋轉杯罩4 所圍繞之空間排出之氣體及液體，如第4圖之放大圖所示 般，接受自旋轉杯罩4所排出之處理液或沖洗液之構成環 狀之排液杯罩5 1，和以收容排液杯罩5 1之方式構成與排 液杯罩5 1同心狀之環狀的排氣杯罩52。 如第1圖及第4圖所示般，排液杯罩51是在旋轉杯 罩4之外側具有接近於外側壁部32而垂直設置之構成筒 狀之外周壁5 3，和自外周壁5 3之下端部朝向內側延伸之 內側壁5 4。在內側壁5 4之內圍垂直形成有內周壁5 4a。 藉由該些外周壁53及內側壁54所規定之環狀空間成爲收 容自旋轉杯罩4所排出之處理液或沖洗液之液收容部56。 再者，在外周壁5 3之上端，爲了防止來自排液杯罩5 1之 處理液之飛出，設置有突出於旋轉杯罩4之上方部份之突 出部53a。在對應於液收容部56之保持構件14之外側的 位置，從內側壁5 4延伸至旋轉板1 1之下面附近的位置， -18- 200832587 具有從內側壁54延伸至旋轉板1 1之下面附近，沿著 杯罩5 1之周方向設置成環狀之區隔壁55。然後，液 容部56是藉由該區隔壁55，分離成接受自間隙33排 液體的主杯罩部56a，和接受自保持構件1 4之保持音丨 附近部份低下之液體的副杯罩部5 6b。液收容部5 6之 57藉由區隔壁55分爲對應於主杯罩部56a之第1 5 7a，和對應於副杯罩56a之第2部份57b，該些任一 從外側朝向內側（旋轉中心側）上昇傾斜。然後，第1 57B之內側端到達比頓應於比保持構件1 4之保持部 更內側（旋轉中心側）之位置。區隔壁55具有阻止於旋 1 1旋轉時由於突出於保持構件1 4之旋轉板1 1之下方 份而所形成之氣流隨著霧而到達至晶圓 W側之作用 區隔壁55形成有將處理液從副杯罩56B引導至主杯 5 6 a之孔5 8。 在排液杯罩5 1之內側壁54之最外側部份設置有 收容部5 6排液之1處排液口 6 0，在排液口 6 0連接有 管6 1 (參照第1圖）。於排液管6 1連接有排液切換部1 從排液切換部11 1向下方垂直延伸用以排出酸排液之 出管1 12a、用以排出鹼排液之鹼排出管1 12b、用以 酸之酸回收管112c、用以回收鹼之鹼回收管ii2d。 ，酸排出管112a、鹼排出管112b、酸回收管112c、 收管 112d 各設置有閥 113a、 113b、 1113c、 1113d。 ，可分別因應處理液之種類。具體而言，於稀釋 (DHF)洗淨時，將排液切換部1 1 1切換至酸回收管i i 排液 體收 出之 5 14a 底面 部份 者皆 部份 14a 轉板 的部 。在 罩部 自液 排液 11， 酸排 回收 再者 鹼回 依此 氟酸 2c回 -19- 200832587 收稀釋氟酸（DHF)，於稀釋氟酸（DHF)洗淨之後之沖洗處理 之時，將排液切換部1 1 1切換至酸排出管1 1 2a將沖洗液 混合至稀釋氟酸（DHF)之排液廢棄，於氨/過氧化氫水溶液 (SCI)洗淨時，將排液切換部1 1 1切換成鹼回收管1 12d而 回收氨/過氧化氫水溶液（SCI)排液，於氨過水（SCI)洗淨後 之沖洗處理時，將排液切換部11 1切換成鹼排出管1 1 2b 而將沖洗液混合於氨過水（SCI)之排液予以廢棄。並且， 排液口 60即使多數設置亦可。 排液杯罩5 1內是藉由晶圓W、旋轉板1 1及旋轉杯罩 4之旋轉等，形成自旋轉杯罩4排出而貯留之處理液或沖 洗液之旋轉流，經排液口 60及排液管6 1而排出。該旋轉 流雖然僅藉由晶圓W之旋轉板1 1之旋轉產生，但是於旋 轉杯罩4旋轉時，被插入至排液杯罩5 1內之外側壁部32 之下端部份所形成之旋轉氣流伴隨著排液杯罩5 1內之處 理液或沖洗液，可以形成比僅以晶圓W和旋轉板1 1所產 生之旋轉流更高速之旋轉流，可以設爲提高自排液口 60 排出液之速度者。 排氣杯罩52具有垂直設置在排液杯罩51之外周壁53 之外側部份的外側壁64、被設置成垂直於保持構件1 4之 內側部份並且該上端接近於旋轉板1 1之內側壁6 5、被設 置在基台板1上之底壁66、自外側壁64彎曲至上方，壁 且設置成覆蓋旋轉杯罩4 5上方之上側壁6 7。然後，排氣 杯罩52是自該上側壁67和旋轉杯罩4之簷部3 1之間的 構成環狀之導入口 68取入旋轉杯罩4內及該周圍主要氣 -20- 200832587 體成分而予以排氣。再者，在排氣杯罩52之下部如第1 圖及第4圖所示般，設置有排氣口 70，於排氣口 70連接 有排氣管7 1。在排氣管7 1之下流側設置有無圖式之吸引 機構，可排氣旋轉杯罩4周圍。多數設置有排氣口 70，因 應處理液之種類可切換使用。 在排液杯罩5 1之外側壁的外周壁5 3和排氣杯罩5 2 之外側壁6 4之間形成有成環狀之外側環狀空間9 9 a，再者 ，在排氣杯罩5 1之底部和排氣杯罩5 2之底部之間的排氣 口 70之外側部份設置有沿著周圍方向形成多數通氣孔9 8 之環狀氣流調整構件97。然後，排氣杯罩52採用外側環 狀空間99a和氣流調整構件97，具有調整均勻排氣到達至 排氣口 7 0之氣流的功能。即是，通過如此環狀之空間的 外側環狀空間99a將氣流在整個周圍均勻朝向下方引導， 由於設置形成有多數通氣孔98之氣流調整構件97以致壓 力損失即是氣流抵抗，並且使氣流分散’依此不管排氣口 7 0之距離，可以比較均勻執行排氣。 再者，於排液杯罩5 1之內周壁5 4 a和排氣杯罩5 2之 內側壁65之間形成構成環狀之內側環狀空間99b，並且在 排液杯罩5 1之內周側形成有排氣杯罩52之間的間隙77。 然後，自導入口 6 8所取入之氣體成分不僅外側環狀空間 9 9 a，多少也流入於排液杯罩5 1之液收容部5 6，該氣流可 以從液收容部56通過內側環狀空間99b在全周均勻被引 導至下方，通過間隙7 7自排氣口 7 〇比較均勻執行排氣。 如此一來，因獨立執行來自排液杯罩51之排液和排 -21 - 200832587 氣杯罩52之排氣，故可在分離排液和排氣之狀態下引導 。再者，即使在排液杯罩5 1漏出因排氣杯罩5 2也圍繞繞 該周圍，故快速經排氣口 70排出，確實防止霧漏出至外 部。 基板處理裝置100具有由微處理器（電腦）所構成之製 程控制器121，成爲基板處理裝置1〇〇之各構成部連接於 該製程控制器1 2 1而被控制之構成。再者，製程控制器 121連接有操作器爲了管理基板處理裝置100之各構成部 執行指令之輸入操作等之鍵盤，或由將基板處理裝置1 00 之各構成部之運轉狀況可視化而予以顯示等之顯示器等所 構成之使用者介面122。並且，製程控制器121連接有利 用製程控制器1 2 1之控制實現在基板處理裝置1 0 0所實行 之各種處理的控制程式，或因應處理條件用以對液處理裝 置1 00之各構成部1 00之各構成部實行特定處理之控制程 式，即是儲存處程式之記憶部1 23。處理程式是被記憶於 記憶部1 23中之記憶媒體。記憶媒體即使如硬碟般固定性 被設置亦可，即使如CDROM、DVD、半導體記憶體（例如 快閃記憶體）等之可搬性者亦可。再者，即是從其他裝置 經例如專用迴路適當傳送處理程式亦可。 然後，因應所需，藉由利用來自使用者介面122之指 示自任意處理程式叫出記憶部1 23使製程控制器1 2 1實行 ，則可以在製程控制器1 2 1之控制下，執行基板處理裝置 1〇〇之所欲處理。 接著，根據第6圖至第8圖針對以上所構成之基板處 -22- 200832587 理裝置1 00之動作予以說明。本實施形態中之以下之洗淨 處理動作是根據被儲存於記憶部1 23之處理程式而藉由製 程控制器1 2 1被控制。 使用處理液（藥液）之洗淨處理是以第6圖所示之程序 執行。首先，如（a)所示般，在使升降構件13上昇之狀態 ，自無圖式之搬運臂將晶圓W轉交至晶圓支撐台24之支 撐銷25。接著，如（b)所示般，藉由晶圓W使升降構件13 下降至可保持之位置，藉由保持構件1 4夾住晶圓W。然 後，如（c)所示般，自退避位置使表面側液供給噴嘴5移動 至晶圓洗淨位置。 在該狀態下，如（d)所示般，一面藉由馬達3使晶圓 W與保持構件2及旋轉杯罩4同時旋轉，一面自表面側液 供給噴嘴5及背面側液供給噴嘴6供給特定處理液而執行 晶圓W之洗淨處理。 該晶圓洗淨處理是在晶圓W旋轉之狀態，自表面側 液供給噴嘴5及背面側液供給噴嘴6供給處理液至晶圓W 之表面及背面之中央。依此，處理液藉由離心力向晶圓W 之外側擴展，在該過程執行洗淨處理。然後，如此洗淨處 理被供給之處理液自晶圓W之邊緣被甩掉。該洗淨處理 之時之晶圓之旋轉數以200〜70Orpm之範圍爲佳。再者， 處理液之供給量是以〇·5〜1.5L/min爲佳。 該晶圓洗淨處理中，被設置成圍繞晶圓W外側之杯 罩，由於爲與晶圓W同時旋轉之旋轉杯罩4，故每當自晶 圓W甩掉之處理液打在旋轉杯罩時，處理液受到離心力 -23- 200832587 作用，難以產生如固定杯罩般飛散（霧化）。然後，到達至 旋轉杯罩4之處理液被引導至下方，自間隙3 3被排出至 排液杯罩5 1中之液收容部5 6之主杯罩5 6 a。另外，因在 旋轉板1 1之保持構件1 4之安裝位置設置有插入保持部 1 4a之孔，故處理液自該部份滴下至排液杯罩5 1之副杯罩 部5 6b。然後，如此被排液杯罩5 1所擋下之處理液，一面 旋轉該中心，一面自排液口 60通過排液管6 1而被排出， 隨著旋轉杯罩4之旋轉藉由外側壁部32形成被形成於排 液杯罩51內之旋轉氣流，由於排液杯罩51內之處理液伴 隨著該旋轉氣流，成爲更高速之旋轉流，自排液口 6 0通 過排液管6 1而被排出。因如此形成高速之旋轉流，故可 以短時間將處理液自排液口 60通過排液管6 1而排出。 再者，在排氣杯罩52是從該上側壁67和旋轉杯罩4 之簷部3 1之間的構成環狀之導入口取入旋轉杯罩4內及 該周圍之主要氣體成分，自排氣口 70通過排氣管71而排 氣。 如此一來於執行藉由處理液的處理之後，接著執行沖 洗處理。在該沖洗處理中，於停止以往之處理液供給之後 ，自表面側液供給噴嘴5及背面側液供給噴嘴6供給當作 沖洗液之純水至晶圓W之表背面，與藉由處理液之洗淨 處理之情形相同，一面藉由馬達3使晶圓W與保持構件2 及旋轉杯罩4同時旋轉，一面自表面側液供給噴嘴5及背 面側液供給噴嘴6供給當作沖洗液之純水至晶圓W之表 面及背面之中央，在藉由離心力擴展至晶圓W之外方之 -24- 200832587 過程，執行晶圓W之沖洗處理。然後，如 洗處理之純水自晶圓w之邊緣被甩掉。 當作如此被甩掉之沖洗液的純水是與處 同，自插入旋轉杯罩4之間隙3 3及保持部 份被排出至排液杯罩51中之液收容部5 6， 心，一面自排液口 60通過排液管61而被排 壁部32形成被形成於排液杯罩5 1內之旋轉 作排液杯罩51內之處理液的純水伴隨著該 爲更高速之旋轉流，自排液口 60通過排液1 間被排出。 如此一來由於可以以短時間自環狀之排 出處理液或沖洗液，故於使用多數種處理液 高液置換速度，再者，可以防止於切換處理 種類之處理液混合之狀態下被排出之情形。 於藉由當作沖洗液之純水執行晶圓W ，因如上述般，自晶圓W甩掉之純水旋轉ί 故可以持有排液罩杯5 1內之洗淨功能。 自以往該種沖洗處理一般是藉由以與洗 同程度之旋轉數一面使晶圓旋轉，一面供給 。依此，沖洗液也旋轉排液杯罩5 1內之處 份。可以除去殘存於排液杯罩5 1之處理液。 但是，於洗淨處理後，到達至排液杯罩 並不限定於液收容部5 6中以層流狀態流動 波，或產生液飛濺等，如第7圖所示般，在 此被供給至沖 理液之情形相 1 4 a之孔之部 一面旋轉該中 出，藉由外側 氣流，由於當 旋轉氣流，成 ί 61而以短時 液杯罩5 1排 之時，可以提 液之時，以兩 之沖洗處理時 Ip液杯罩5 1， 淨處理之時相 沖洗液來執行 理液旋轉之部 5 1之處理液 ，藉由液面起 比形成於液收 -25- 200832587 容部56之旋轉流之主要流路更上方之部份產生處理液之 附著物1 3 0。因此，判明於沖洗處理之時，即使單以與洗 淨處理相同之旋轉數，使晶圓W旋轉，亦無法充分除去 附著於排液罩杯5 1之處理液。 在此，本實施形態是控制當作沖洗液之純水之排液杯 罩5 1內中之旋轉路徑。以下，參照第8圖針對本實施形 態中之沖洗處理予以說明。 第8圖爲用以說明基板處理裝置中之沖洗處理之程序 之工程剖面圖。首先，如（a)所示般，第1工程是將晶圓W 之旋轉數設爲與洗淨處理之時相同之旋轉數，執行在排液 杯罩5 1之液收容部5 6中處理液旋轉之主流路之洗淨處理 ，除去殘存於該部份之處理液。當作此時之沖洗液之純水 的供給量設爲與處理液之供給量相同爲佳。如上述般，由 於洗淨處理之時之最佳晶圓旋轉數爲200〜700rpm之範圍 ，最佳之處理液之供給量爲0.5〜1.5 L/min，故即使在該 第1工程中該些範圍也爲佳。具體而言，洗淨處理之時之 處理液供給及第1工程中之沖洗液供給中，例示旋轉數： 300rpm，供給量：1.5L/min。 如此之主流路之洗淨處理是以殘存於主流路之處理液 除去所需時間持續執行爲佳。該處理以一例而言可設爲5 秒左右。 於第1工程結束後，如（a)所示般，於液收容部56中 之對應於外周壁53之部份及對應於內側壁54之部份產生 不被除去之處理液之附著物1 3 0。對應於外周壁5 3之部份 -26 - 200832587 因作用更大之離心力，故附著物1 3 0到達至比對應於內側 壁54之部份更高之位置。因此，接續於第1工程，因確 實除去如此之附著物1 3 0，故實施第2工程及第3工程。 首先，第2工程是除去殘存於對應於內側壁5 4之附 著物130。具體而言，如（b)所示般，對應於內側壁54之 部份之附著物1 43 0因存在於不太高之位置，故藉由使排 液罩杯51之純水液面上昇來對應。即是，藉由使屬於沖 洗液之純水之液面比存在有對應於內側壁5 4之部份的附 著物1 3 0之位置高，除去該附著物1 3 0。作爲如此使排液 杯罩51內之液面上昇之手段，可舉出使晶圓W之旋轉數 下降，當如此使晶圓W之旋轉數下降時，因旋轉杯罩4 之外側壁部3 2之旋轉氣流也下降，流動於排液杯罩5 1之 純水之旋轉流之速度下降，所排出之純水量變少，故旋轉 排液杯罩5 1內之純水之液面上昇。此時晶圓W之旋轉數 以50〜200rpm爲佳。再者，作爲使液面上昇之其他手段 ，可以使供給之純水之量上昇。依此，因增加對排液杯罩 5 1供給純水之供給量，其結果液面上昇。此時之純水供給 量是以第1工程時之供給量之1.2〜2.0倍左右爲佳。具體 而言，第2工程中之洗淨液供給是例示旋轉數：1 0 0 rp m、 供給量：1.5L/min，或是旋轉數：3 00rpm、供給量： 2.0L/min。除去對應於如此內側壁54之部份之附著物的 洗淨處理是以除去殘存於內側壁5 4之附著物所需之時間 持續執行爲佳。該處理以一例而言可設爲5秒左右。 接著，第3工程是除去殘存於對應於外周壁5 3之附 -27- 200832587 著物1 3 0。如上述般對應於外周壁5 3之部份因至比離心力 更高之位置爲止存在附著物1 3 0，故僅利用使屬於沖洗液 之純水之液面位置上昇來執行除去爲困難。因此，如（c)所 示般，藉由使晶圓W之旋轉數比第1工程上昇，使純水 上昇至存在有對應於外周壁5 3之部份之附著物1 3 0之位 置，除去附著物1 3 0。如此一來，藉由晶圓W之旋轉數上 昇，純水之液面沿著外周壁5 3之內面而上昇，推測應是 隨著旋轉杯罩4之旋轉數之上昇而自邊緣脫離而增加衝突 於外周壁5 3之時的衝擊，並且旋轉流之離心力藉由純水 旋轉流之速度上昇而上昇。此時之晶圓W之旋轉數是以 5 00〜1 5 00rPm爲佳。再者，純水之供給量即使與洗淨處 理之時之處理液之供給相同即可，與處理液之供給量相同 ，0.5〜1.5L/min爲佳。具體而言，第3工程中之沖洗液 供給是例示旋轉數：lOOrpm、供給量：1.5L/min。用以除 去如此對應於外周壁5 3之部份之附著物的洗淨處理是以 除去殘存於外側壁53之附著物所需之時間持續執行爲佳 。該處理以一例而言可設爲5秒左右。 如此一來，於鹼藥液或酸藥液之處理之洗淨處理時， 即使在排液杯罩5 1產生起波或液飛濺所引起之污染，於 沖洗處理時藉由實施以上之第1工程〜第3工程，不用設 置特別之洗淨機構，可以確實除去包含該些附著物130殘 存於排液杯罩5 1內之處理液。因此，可以完全防止由於 殘存之處理液發揮等對晶圓W之乾燥性能帶來壞影響。 並且，不管上述第2工程及第3工程之順序，即使先實施 -28- 200832587 第3工程之後，實施第2工程亦可。
於完成以上之沖洗處理之後，因應所需，可以將IPA 等之乾燥溶媒供給至自乾燥溶媒雜訊21旋轉之晶圓W上 〇 本實施形態是可以當作屬於酸藥液之稀釋氟酸（DHF) 、屬於鹼藥液之氨/過氧化氫水溶液（SCI)，能夠執行該些 連續處理。此時，使用一方藥液以上述程序執行洗淨處理 ，接著，執行沖洗處理，之後，使用另一方藥液以相同程 序執行洗淨處理，並且執行沖洗處理，在該些兩個洗淨處 理之間的沖洗處理中，當殘存最初之處理液時，除上述般 之處理液之揮發，在下一個洗淨處理中，由於酸和鹼反應 產生鹽，使得對晶圓W造成極大之壞影響。因此，該些 洗淨處理之間之沖洗處理適用包含上述第1工程〜第3工 程之沖洗處理，可以取得更大效果。當然即使接著之後之 洗淨處理而所執行之沖洗處理中，適用包含第1〜第3工 程之沖洗處理也爲佳。 本實施形態之基板處理裝置除以上之效果，可以達成 以下般之效果。即是，因旋轉杯罩4存在，故排液杯罩5 1 爲可排液程度之極小者即可，再者，排液杯罩5 1和排氣 杯罩52故自獨立設置，並且個別取入排液及排氣自排液 口 60及排氣口 70個別排出，故需要設置用以分離排氣排 液之特別機構。再者，因排液杯罩51是以收容在排氣杯 罩5 2之狀態下被設置，故爲分別取入排氣、排液之構造 ，可以縮小空間，其結果可以縮小裝置之面積。再者，因 -29- 200832587 爲排液杯罩5 1被收容在排氣杯罩52之狀態，即使處 霧自排液杯罩51漏出亦可以由排氣杯罩5 2封閉，可 止處理液之霧氣飛散至裝置外而所造成之壞影響。 以上，雖然表示於沖洗處理之時適用第8圖所示 1工程〜第3工程之情形，但並不限定於此，亦可基 理不同，定期或因應所需使用沖洗液例如純水藉由上 1工程〜第3工程執行排液杯罩5 1之洗淨。於此時， 不需要洗淨晶圓，故可以使用虛擬晶圓執行處理。當 使使用實晶圓亦可。如此之排液杯罩51之洗淨處理 也根據被儲存於記憶部1 23之處理程式，藉由製程控 1 2 1而被控制。 藉由如此自晶圓處理切離執行排液杯罩5 1之洗 則可以執行自由度更高之洗淨。再者，排液杯罩51 淨藉由實施與上述沖洗處理相同之第1工程〜第3工 不使用特別之洗淨機構，以與沖洗處理相同之手法， 確實除去附著物或殘存於排液杯罩之處理液。 於排液杯罩51之洗淨適用上述第1工程〜第3 之時，沖洗處理即使適用上述第1工程〜第3工程亦 即使以一般條件執行，僅在之後之杯罩洗淨之時適用 工程〜第3工程亦可。 並且，本發明並不限定於上述實施形態，可做各 形。例如，上述實施形態雖然以執行晶圓之表背面洗 洗淨處理裝置爲例，但是本發明並不限定於此，即使 執行表面或是背面之洗淨處理之洗淨處理裝置亦可’ 理液 以防 之第 板處 述第 由於 然即 動作 制器 淨， 之洗 程， 可以 工程 可， 第1 種變 淨之 爲僅 再者 -30- 200832587 ，並不限定於洗淨處理，即使爲其他之液處理亦可。並且 ，上述實施形態中雖然僅針對使用半導體晶圓當作處理基 板之情形予以說明，但是當然可適用於以液晶顯示裝置 (LCD)用之玻璃基板爲代表之平面顯示器（FPD)用之基板、 其他基板。 [產業上之利用可行性] 本發明是對於用以除去附著於半導體晶圓之顆粒或污 染之洗淨裝置爲有效。 【圖式簡單說明】 第1圖爲表示本發明之一實施形態所涉及之基板處理 裝置之槪略構成之剖面圖。 第2圖爲表示本發明之一實施形態所涉及之基板處理 裝置一部份缺口之槪略平面圖。 第3圖爲表示第1圖之基板處理裝置之液供給機構的 槪略圖。 第4圖爲放大表示第1圖之基板處理裝置之排氣排液 部的剖面圖。 第5圖爲用以說明第1圖之基板處理裝置之旋轉杯罩 及導引構件之安裝狀態的圖式。 第6圖爲用以說明本發明之一實施形態所涉及之基板 處理裝置之洗淨裝置之動作的圖式。 第7圖爲表示排液杯罩中之洗淨處理後之附著物之狀 -31 - 200832587 態的剖面圖。 第8圖爲用以說明本實施形態所涉及之基板處理裝置 中之沖洗處理之程序的剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 :基台板 2 :晶圓保持部 3 :旋轉馬達 4 :旋轉杯罩 5 :表面側液供給噴嘴 5a :噴嘴孔 6 :背面側液供給噴嘴 6 a :噴嘴孔 7 =排氣排液部 8 :外殼 9 :氣流導入部 9a :導入口 1 1 :旋轉板 1 1 a :孔 12a :孔 1 3 :升降構件 1 4 :保持構件 14a :保持部 14b :裝卸部 -32- 200832587 14c 15 : 15a 16 : 17 : 18 : 21 : 21a 2 2 ·· 22a 23 : 24 : 25 : 26 : 27 : 31 : 32 : 33 : 35 : 36 : 37 : 38、 40 : 51 : :旋轉軸 軸承構件 :軸承 滑輪 皮帶 滑輪 乾燥溶媒噴嘴 :噴嘴孔 噴嘴保持構件 :噴嘴臂 軸 晶圓支撐台 支撐銷 連接構件 汽缸機構 簷部 外側壁部 間隙 導引構件 開口 開口 3 9 =間隔物構件 螺絲 排液杯罩 -33 200832587 52 :排氣杯罩 5 3 :外周壁 5 4 :內側壁 5 5:區隔壁 5 6 :液收容部 58 :孔 60 :排液口 61 :排液管 64 :外側壁 6 5 :內側壁 66 :底壁 67 :上側壁 68 :導入口 70 :排氣口 71 :排氣管 7 7 :間隙 8 1 :驅動機構 82 :升降機構 8 3 a :流路 8 3 b :流路 8 4a :配管 84b :配管 85 :液供給機構 86 : DHF供給源 200832587 8 7 : S C 1供給源 88 : DIW供給源 89 、 90 、 91 :配管 95 : IPA供給源 96 :開關閥 9 7 :氣流調整構件 9 8 :通氣孔 99a :外側環狀空間 99b :內側環狀空間 1〇〇 :基板處理裝置 1 1 1 :排液切換部 1 1 2 a :酸排出管 1 12b :鹼排出管 112c :酸回收管 1 1 2 d :驗排出管 113a- 113d ：閥 1 2 1 :製程控制器 122 :使用者介面 123 :記憶部 1 3 0 :附著物 W :晶圓

Claims (1)

  1. 200832587 十、申請專利範圍 1·一種基板處理裝置，其特徵爲：具備 將基板保持水平，可與基板同時旋轉之基板保持部； 使上述基板保持部予以旋轉之旋轉機構； 對基板供給處理液之處理液供給機構； 對基板供給沖洗液之沖洗液供給機構； 環狀排液杯罩，被設置成圍繞保持於上述基板保持部 之基板外側，接受自旋轉之基板飛散之處理液或是沖洗液 而予以排液，並具有圍繞基板之端面外側的外周壁和圍繞 基板端部之下方側的內側壁；和 控制部，以一面藉由上述旋轉機構使保持於上述基板 保持部之基板旋轉，一面藉由上述處理液供給機構使處理 液供給至基板而對基板執行處理，之後同樣一面使基板旋 轉，一面藉由上述沖洗液供給機構使沖洗液供給至基板而 執行沖洗處理之方式，控制處理液之供給、沖洗液之供給 及基板之旋轉數， 上述控制部每控制基板處理後之沖洗處理，實施一邊 將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一邊供給沖 洗液，之後藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量 使上述排液杯罩中之沖洗液之液面上昇，及使基板之旋轉 數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位 置上昇。 2.如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其 中，上述控制部於以基板處理之時之旋轉數實施沖洗處理 36- 200832587 之後，使液面上昇，接著使沖洗液到達至上述排液杯罩之 外周壁的到達位置上昇。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其 中，上述控制部是以基板處理之時之旋轉數實施沖洗處理 之後，使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置 上昇，接著使液面上昇。 4·如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其 中，上述控制部是將基板處理之時的基板之旋轉數控制成 200〜700i*pm，將使上述液面上昇之工程時的基板旋轉數 控制成50〜20rpm，將使沖洗液到達至上述排液杯罩之外 周壁的到達位置上昇時的基板之旋轉數控制成5 0 0〜 1 5 0 Orpm 〇 5 .如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其 中，又具備圍繞保持於上述基板保持部之基板，與上述基 板保持部及基板同時旋轉，接受於旋轉基板時自基板所甩 掉之處理液或是沖洗液而引導至上述排液杯罩之旋轉杯罩 〇 6·如申請專利範圍第1項所記載之基板處理裝置，其 中，上述處理液供給機構是供給第1處理液和第2處理液 上述控制部是以一面藉由上述旋轉機構使保持於上述 基板保持部之基板旋轉，一面藉由上述處理液供給機構使 第1處理液供給至基板而對基板執行第1處理，之後同樣 一面使基板旋轉，一面藉由上述沖洗液供給機構使沖洗液 -37- 200832587 供給至基板而執行第1村 轉，一面藉由上述處理液 板而對基板執行第2處理 ，一面藉由上述沖洗液供 行第2沖洗處理之方式， 沖洗液之供給及基板之旋 每控制第1沖洗處理 控制成基板處理之時之旋 降低基板之旋轉數或增加 中之沖洗液之液面上昇， 液到達至上述排液杯罩之 7 . —種基板處理方法 處理的基板處理方法，該 水平，可與基板同時旋轉 部予以旋轉之旋轉機構； 機構；對基板供給沖洗液 杯罩，被設置成圍繞保持 接受自旋轉之基板飛散之 並具有圍繞基板之端面外 方側的內側壁，其特徵爲 一面藉由上述旋轉機 板旋轉，一面藉由上述處 板而對基板執行處理；和 之後，同樣一面使基 1洗處理，之後同樣一面使基板旋 供給機構使第2處理液供給至基 ί，並且之後同樣一面使基板旋轉 給機構使沖洗液供給至基板而執 控制第1及第2處理液之供給、 轉數， :，至少實施一邊將基板之旋轉數 轉數一邊供給沖洗液，之後藉由 沖洗液之供給量使上述排液杯罩 及使基板之旋轉數上昇而使沖洗 外周壁的到達位置上昇。 ，爲使用基板處理裝置執行基板 基板處理裝置具備：將基板保持 之基板保持部；使上述基板保持 對基板供給處理液之處理液供給 之沖洗液供給機構；和環狀排液 於上述基板保持部之基板外側， 處理液或是沖洗液而予以排液， 側的外周壁和圍繞基板端部之下 :包含 構使保持於上述基板保持部之基 理液供給機構將處理液供給至基 板旋轉，一面藉由上述沖洗液供 -38- 200832587 給機構將沖洗液供給至基板而執行沖洗處理， 上述沖洗處理包含： 一邊將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一 邊供給沖洗液； 藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述 排液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及 使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩 之外周壁的到達位置上昇。 8 .如申請範圍第7項所記載之基板處理方法，其特徵 爲：上述處理液供給機構是構成供給第1處理液和第2處 理液， 供給上述處理液而對基板執行處理是包含：對基板供 給第1處理液而對基板執行第1處理；和對基板供給第2 處理液而對基板執行第2處理， 執行上述沖洗處理包含：於上述第1處理後所執行之 第2沖洗處理；和於上述第2處理後所執行之第2沖洗處 理， 上述第1沖洗處理至少包含： 一邊將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一 邊供給沖洗液； 藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述 排液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及 使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩 之外周壁的到達位置上昇。 -39- 200832587 9 .如申請專利範圍第8項所記載之基板處理方法，其 中，上述第2沖洗處理包含： 一邊將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一 邊供給沖洗液； 藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述 排液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及 使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩 之外周壁的到達位置上昇。 10.如申請專利範圍第7項所記載之基板處理方法， 其中，於以基板處理之時之旋轉數執行沖洗處理之後，使 液面上昇，接著使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的 到達位置上昇。 1 1 ·如申請專利範圍第7項所記載之基板處理方法， 其中，以基板處理之時之旋轉數執行沖洗處理之後，使沖 洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上昇，接著 ，使液面上昇。 1 2.如申請專利範圍第7項所記載之基板處理方法， 其中，將基板處理之時之基板旋轉數設爲200〜700rpm， 將使液面上昇時之基板之旋轉數設爲5 0〜2 0 0 r p m，將使 沖洗液到達至排液杯罩之外周壁的到達位置上昇之時的基 板旋轉數設爲500〜1500rpm。 1 3 · —種排液杯罩之洗淨方法，爲在基板處理裝置中 洗淨排液杯罩的排液杯罩之洗淨方法，該基板處理裝置具 備：將基板保持水平，可與基板同時旋轉之基板保持部； -40- 200832587 使上述基板保持部予以旋轉之旋轉機構；對基板供給處理 液之處理液供給機構；對基板供給沖洗液之沖洗液供給機 構；和環狀排液杯罩，被設置成圍繞保持於上述基板保持 部之基板外側，接受自旋轉之基板飛散之處理液或是沖洗 液而予以排液，並具有圍繞基板之端面外側的外周壁和圍 繞基板端部之下方側的內側壁，一面藉由上述旋轉機構使 保持於上述基板保持部之基板旋轉，一面自上述處理液供 給機構將處理液供給至基板而執行基板處理，其特徵爲： 包含 在上述基板保持部保持基板或虛擬基板； 一邊使上述基板或虛擬基板旋轉一邊對上述基板或虛 擬基板供給沖洗液，藉由自基板或虛擬基板所甩掉之沖洗 液’沖洗上述排液杯罩之處理液流路； 藉由較沖洗上述處理液流路時降低上述基板或虛擬基 板之旋轉數或增加沖洗液之供給量，使上述排液杯罩中之 沖洗液之液面上昇； 較沖洗上述處理液流路時上昇基板或虛擬基板之旋轉 數而使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置上 昇。 14.如申請專利範圍第13項所記載之排液杯罩之洗淨 方法’其中，沖洗上述處理液流路之後，使液面上昇，接 著使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁之到達位置上昇 〇 1 5 ·如申請專利範圍第1 3項所記載之排液杯罩之洗淨 -41 - 200832587 方法，其中，於洗淨上述處理流路之後，使沖洗液到達至 上述排液杯罩之外周壁之到達位置上昇，接著使液面上昇 〇 1 6·如申請專利範圍第1 3項所記載之排液杯罩之洗淨 方法，其中，將沖洗上述處理液流路之時之基板之旋轉數 設爲50〜7 0 Orpm，將使液面上昇時之基板之旋轉數設爲 5 0〜2 0 0 rp m，將使沖洗液到達至排液杯罩之外周壁的到達 位置上昇之時的基板旋轉數設爲5 00〜1 5 00rpm。 1 7. —種記憶媒體，爲記憶有控制程式的電腦可讀取 之記憶媒體，該控制程式是在用以控制基板處理裝置之電 腦上動作，該基板處理裝置具備：將基板保持水平，可與 基板同時旋轉之基板保持部；使上述基板保持部予以旋轉 之旋轉機構；對基板供給處理液之處理液供給機構；對基 板供給沖洗液之沖洗液供給機構；和環狀排液杯罩，被設 置成圍繞上述旋轉杯罩之外側，接受自旋轉之基板飛散之 處理液或是沖洗液而予以排液，並具有圍繞基板之端面外 側之外周壁和圍繞基板端部之下方側的內側壁，其特徵爲 上述控制程式於實行時以執行基板處理方法之方式， 令電腦控制上述基板處理裝置，該基板處理方法包含 一面藉由上述旋轉機構使保持於上述基板保持部之基 板旋轉，一面藉由上述處理液供給機構將處理液供給至基 板而對基板執行處理；和 之後，同樣一面使基板旋轉’一面藉由上述沖洗液供 -42- 200832587 給機構將沖洗液供給至基板而執行沖洗處理， 上述沖洗處理包含： 一邊將基板之旋轉數控制成基板處理之時之旋轉數一 邊供給沖洗液； 藉由降低基板之旋轉數或增加沖洗液之供給量使上述 排液杯罩中之沖洗液之液面上昇；及 使基板之旋轉數上昇而使沖洗液到達至上述排液杯罩 之外周壁的到達位置上昇。 1 8 · —種記憶媒體，爲記憶有控制程式的電腦可讀取 之記憶媒體，該控制程式是在用以於基板處理裝置中執行 上述排液杯罩之洗淨處理的電腦上動作，該基板處理裝置 具備：將基板保持水平，可與基板同時旋轉之基板保持部 ;使上述基板保持部予以旋轉之旋轉機構；對基板供給處 理液之處理液供給機構；對基板供給沖洗液之沖洗液供給 機構；和環狀排液杯罩，被設置成圍繞上述旋轉杯罩之外 側，接受自旋轉之基板飛散之處理液或是沖洗液而予以排 液，並具有圍繞基板之端面外側之外周壁和圍繞基板端部 之下方側的內側壁，其特徵爲： 上述控制程式於實行時以執行排液杯罩之洗淨方法的 方式，令電腦控制上述基板處理裝置，該排液杯罩之洗淨 方法包含 在上述基板保持部保持基板或虛擬基板； 一邊使上述基板或虛擬基板旋轉，一邊將沖洗液供給 至上述基板或虛擬基板，藉由自基板或虛擬基板甩掉之沖 •43- 200832587 洗液，沖洗上述排液杯罩之處理液流路； 藉由較沖洗上述處理液流路之時降低上述基板或虛擬 基板之旋轉數或是增加沖洗液之供給量，使上述排液杯罩 中之沖洗液之液面上昇；及 較沖洗上述處理液流路之時上昇基板或虛擬基板之旋 轉數而使沖洗液到達至上述排液杯罩之外周壁的到達位置 上昇。 -44-
TW096137279A 2006-10-05 2007-10-04 Substrate processing equipment, substrate processing method and cleaning method of exhaust liquid cup TW200832587A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006274303 2006-10-05
JP2006274304 2006-10-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200832587A true TW200832587A (en) 2008-08-01
TWI354344B TWI354344B (zh) 2011-12-11

Family

ID=39268593

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096137279A TW200832587A (en) 2006-10-05 2007-10-04 Substrate processing equipment, substrate processing method and cleaning method of exhaust liquid cup

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8152933B2 (zh)
JP (1) JP4723001B2 (zh)
KR (1) KR100945768B1 (zh)
TW (1) TW200832587A (zh)
WO (1) WO2008041741A1 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104992897A (zh) * 2013-09-27 2015-10-21 斯克林集团公司 处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置
CN108470694A (zh) * 2013-08-08 2018-08-31 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
TWI671138B (zh) * 2016-07-19 2019-09-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及處理罩洗淨方法
CN113611636A (zh) * 2016-02-25 2021-11-05 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置及基板的制造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100979979B1 (ko) * 2006-07-26 2010-09-03 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치 및 액처리 방법
JP5420222B2 (ja) * 2008-10-10 2014-02-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5390824B2 (ja) * 2008-10-10 2014-01-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5401255B2 (ja) * 2008-11-05 2014-01-29 東京エレクトロン株式会社 洗浄装置、洗浄方法、および記憶媒体
JP5546472B2 (ja) * 2010-03-24 2014-07-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
KR101678229B1 (ko) * 2010-03-24 2016-11-21 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리 장치, 액처리 방법, 및 그 액처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체
JP5864232B2 (ja) * 2011-02-01 2016-02-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5890108B2 (ja) 2011-04-27 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 洗浄処理方法
CN103801527B (zh) * 2012-11-13 2015-08-26 沈阳芯源微电子设备有限公司 一种光刻胶收集杯自动清洗系统
WO2017083811A1 (en) 2015-11-14 2017-05-18 Tokyo Electron Limited Method of treating a microelectronic substrate using dilute tmah
JP6513048B2 (ja) * 2016-03-28 2019-05-15 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6836912B2 (ja) 2017-01-17 2021-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
US11747742B2 (en) * 2017-04-11 2023-09-05 Visera Technologies Company Limited Apparatus and method for removing photoresist layer from alignment mark
JP6983602B2 (ja) * 2017-09-26 2021-12-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6513774B2 (ja) * 2017-11-24 2019-05-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6735384B2 (ja) * 2019-04-09 2020-08-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP7438015B2 (ja) * 2020-05-01 2024-02-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63136528A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Mitsubishi Electric Corp 処理液塗布装置
SG103277A1 (en) * 1996-09-24 2004-04-29 Tokyo Electron Ltd Method and apparatus for cleaning treatment
US6207231B1 (en) * 1997-05-07 2001-03-27 Tokyo Electron Limited Coating film forming method and coating apparatus
JP3587723B2 (ja) * 1999-04-30 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2002368066A (ja) 2001-06-06 2002-12-20 Tokyo Electron Ltd 処理装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108470694A (zh) * 2013-08-08 2018-08-31 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
CN108470694B (zh) * 2013-08-08 2022-04-01 斯克林集团公司 基板处理装置以及基板处理方法
CN104992897A (zh) * 2013-09-27 2015-10-21 斯克林集团公司 处理杯清洗方法、基板处理方法以及基板处理装置
CN113611636A (zh) * 2016-02-25 2021-11-05 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置及基板的制造方法
TWI671138B (zh) * 2016-07-19 2019-09-11 斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及處理罩洗淨方法
US10658203B2 (en) 2016-07-19 2020-05-19 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and processing cup cleaning method

Also Published As

Publication number Publication date
JP4723001B2 (ja) 2011-07-13
KR100945768B1 (ko) 2010-03-08
WO2008041741A1 (fr) 2008-04-10
TWI354344B (zh) 2011-12-11
KR20080056165A (ko) 2008-06-20
JPWO2008041741A1 (ja) 2010-02-04
US20100212701A1 (en) 2010-08-26
US8152933B2 (en) 2012-04-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW200832587A (en) Substrate processing equipment, substrate processing method and cleaning method of exhaust liquid cup
TWI381435B (zh) Liquid treatment device, liquid treatment method and memory media
TWI374485B (zh)
TWI355022B (zh)
JP4762098B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP4976949B2 (ja) 基板処理装置
KR101061937B1 (ko) 기판 세정 방법 및 기판 세정 장치
KR101464387B1 (ko) 세정 장치, 세정 방법 및 기억 매체
JP5184253B2 (ja) 基板処理装置、基板処理方法、および記憶媒体
JP2013172080A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP5192853B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2009267101A (ja) 基板処理装置
US7749333B2 (en) Substrate processing apparatus and method
JP6782185B2 (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2007149772A (ja) 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP2007165746A (ja) 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP4884167B2 (ja) 液処理装置
JP2008034489A (ja) 液処理装置
JP2006202983A (ja) 基板処理装置および処理室内洗浄方法
JP5100863B2 (ja) 液処理装置
JP2024051067A (ja) 処理液除去方法、処理液除去装置、基板処理装置、基板処理方法
JP2009026911A (ja) 基板処理装置および基板処理方法