WO2008041741A1 - appareil et procédé de traitement de substrat, et procédé de rinçage pour coupe de drainage - Google Patents

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substrate
liquid
rinsing
processing
cup
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PCT/JP2007/069455
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Hiromitsu Nanba
Norihiro Ito
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Tokyo Electron Limited
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Definitions

  • Substrate processing apparatus substrate processing method, and drainage cup cleaning method
  • the present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for performing a predetermined liquid processing such as a cleaning process on a substrate such as a semiconductor wafer, and a drainage liquid that receives a drainage in such a substrate processing apparatus.
  • the present invention relates to a draining cup cleaning method for cleaning a cup.
  • a semiconductor device manufacturing process or a flat panel display (FPD) manufacturing process there is a process for supplying a processing liquid to a semiconductor wafer or glass substrate, which is a substrate to be processed, to perform a liquid processing. It is used a lot.
  • a cleaning process for removing particles or the like adhering to the substrate can be mentioned.
  • a substrate processing apparatus there is known an apparatus that holds a substrate such as a semiconductor wafer on a spin chuck and supplies a processing solution such as a chemical solution to the wafer while the substrate is rotated to perform a cleaning process.
  • the processing liquid is usually supplied to the center of the wafer. By rotating the substrate, the processing liquid is spread outward to form a liquid film, and the processing liquid is released from the substrate.
  • a rinse liquid such as pure water is supplied to the substrate while the substrate is rotated in the same manner to form a liquid film of the rinse liquid, and the rinse liquid is released to the outside of the substrate. Rinse treatment is performed.
  • a drainage cup for receiving and draining the processing liquid and rinse liquid shaken out of the substrate is provided so as to surround the outside of the wafer (for example, JP 2002-368066 A). .
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of sufficiently removing the processing liquid in the drainage cup during the rinsing process after the substrate processing with the processing liquid. It is in.
  • Another object of the present invention is to provide a drainage cup cleaning method capable of reliably cleaning a drainage cup that receives a processing liquid in a substrate processing apparatus that processes the substrate with the processing liquid without using a special cleaning mechanism. There is to do.
  • Still another object of the present invention is to provide a storage medium storing a control program for executing the substrate processing method and the draining cup cleaning method.
  • a substrate holding unit that holds a substrate horizontally and can rotate with the substrate, a rotating mechanism that rotates the substrate holding unit, and a process of supplying a processing liquid to the substrate
  • the liquid is received and drained, and is held in the substrate holding part by the annular drainage force top having an outer peripheral wall surrounding the outer side of the end surface of the substrate and an inner wall surrounding the lower side of the end of the substrate, and the rotating mechanism.
  • the processing liquid is supplied to the substrate by the processing liquid supply mechanism while rotating the substrate, and the substrate is processed. Then, the substrate is not rotated in the same manner. 3 ⁇ 4
  • the rinsing liquid is supplied to the substrate by the rinsing liquid supply mechanism.
  • Supply and rinse A control unit that controls the supply of the processing liquid, the supply of the rinsing liquid, and the number of rotations of the substrate so that the control unit rotates the substrate when controlling the rinsing process after the substrate processing.
  • the rinse solution is supplied while controlling the number to the number of revolutions during substrate processing, and then the number of revolutions of the substrate is reduced.
  • a substrate processing apparatus is provided that allows the reaching position to be raised.
  • the control unit performs the rinsing process at the number of rotations during the substrate process, and then raises the liquid level, and then the rinsing liquid is applied to the outer peripheral wall of the draining cup.
  • the controller S can increase the reach position, or the controller can carry out the rinsing process at the number of rotations during the substrate process, and then the rinsing liquid can reach the outer peripheral wall of the draining cup. It is also possible to raise the position and then raise the liquid level with the next! /.
  • control unit controls the rotation speed of the substrate during substrate processing to 200 to 700 rpm, controls the rotation speed of the substrate during the step of raising the liquid level to 50 to 200 rpm, It is possible to control the rotational speed of the substrate to 500 to 1500 rpm during the process of raising the position of the rinse liquid reaching the outer peripheral wall of the drain cup.
  • the substrate held by the substrate holding unit is surrounded, rotated together with the substrate holding unit and the substrate, receives the processing liquid or the rinse liquid shaken off from the substrate when the substrate is rotated, and receives the discharge.
  • a rotating cup leading to the liquid cup can be further provided.
  • the processing liquid supply mechanism supplies a first processing liquid and a second processing liquid
  • the control unit rotates the substrate held by the substrate holding unit by the rotating mechanism.
  • the first processing liquid is supplied to the substrate by the processing liquid supply mechanism to perform the first processing on the substrate, and then the rinsing liquid supply mechanism supplies the rinsing liquid to the substrate in the same manner while rotating the substrate. Then, the first rinsing process is performed, and then the substrate is rotated in the same manner, the second process liquid is supplied to the substrate by the process liquid supply mechanism, and the second process is performed on the substrate.
  • the first and second processing liquids are supplied, the rinsing liquid is supplied, and the second rinsing process is performed by supplying the rinsing liquid to the substrate by the rinsing liquid supply mechanism while rotating the substrate.
  • Control the number of rotations of the board In controlling at least the first rinsing process, the rinsing liquid is supplied while controlling the number of rotations of the substrate to the number of rotations during the substrate processing, and then the number of rotations of the substrate is decreased or the supply amount of the rinsing liquid is increased. Raising the liquid level of the rinse liquid in the drainage cup, Further, the force S is used to increase the position where the rinse liquid reaches the outer peripheral wall of the drain cup by increasing the number of rotations of the substrate.
  • a substrate holding unit that holds the substrate horizontally and can rotate with the substrate, a rotating mechanism that rotates the substrate holding unit, and a process of supplying a processing liquid to the substrate
  • the substrate is processed using a substrate processing apparatus having an annular drainage cup having an outer peripheral wall that surrounds the outer side of the end surface of the substrate and an inner wall that surrounds the lower side of the end of the substrate.
  • the processing liquid is supplied to the substrate by the processing liquid supply mechanism while the substrate held by the substrate holding unit is rotated by the rotating mechanism, and then the substrate is processed.
  • Rotate the board to The rinsing liquid is supplied to the substrate by the rinsing liquid supply mechanism, and the rinsing process is performed, and the rinsing process is performed while controlling the rotation speed of the substrate to the rotation speed during the substrate processing.
  • Supply increasing the liquid level of the rinsing liquid in the draining cup by decreasing the rotation speed of the substrate or increasing the supply amount of the rinsing liquid, and increasing the rotation speed of the substrate to increase the drainage.
  • a substrate processing method including raising a position where a rinse liquid reaches an outer peripheral wall of a liquid cup.
  • the processing liquid supply mechanism is configured to supply a first processing liquid and a second processing liquid, and supplies the processing liquid to perform processing on the substrate.
  • This includes supplying a first processing liquid to the substrate and performing a first process on the substrate; supplying a second processing liquid to the substrate and performing a second process on the substrate;
  • the rinsing process includes a first rinsing process performed after the first process and a second rinsing process performed after the second process, and at least the first rinsing process
  • the first step is to supply the rinse liquid while controlling the number of rotations of the substrate to the number of rotations during substrate processing, and to reduce the number of rotations of the substrate or increase the supply amount of the rinse liquid.
  • the second rinsing process is also performed first.
  • the rinse liquid is supplied while controlling the number of revolutions at the time, and the liquid level of the rinse liquid in the drainage cup is increased by decreasing the number of revolutions of the substrate or increasing the supply amount of the rinse liquid. And increasing the number of rotations of the substrate to increase the position where the rinse liquid reaches the outer peripheral wall of the drainage cup.
  • the liquid level is raised, and then the position where the rinse liquid reaches the outer peripheral wall of the drain cup by! /
  • the position where the rinsing liquid reaches the outer peripheral wall of the draining cup is increased, and then! Then, try to raise the liquid level.
  • the rotation speed of the substrate during substrate processing is set to 200 to 700 rpm
  • the rotation speed of the substrate when raising the liquid level is set to 50 to 200 rpm
  • the position where the rinse liquid reaches the outer peripheral wall of the drainage cup The number of rotations of the substrate when raising can be set to 500 to 1500 rpm.
  • the substrate holding unit that holds the substrate horizontally and can rotate with the substrate, a rotating mechanism that rotates the substrate holding unit, and a process of supplying a processing liquid to the substrate
  • a substrate that is held by the substrate holding portion and includes an annular drainage cup having an outer peripheral wall that surrounds the outer end surface of the substrate and an inner wall that surrounds a lower side of the end portion of the substrate.
  • the draining cup cleaning method of cleaning the draining cup In a substrate processing apparatus for performing substrate processing by supplying a processing liquid from the processing liquid supply mechanism to the substrate while rotating the rotating mechanism, the draining cup cleaning method of cleaning the draining cup And the substrate holding part has a substrate or Holds the dummy substrate, supplies the rinsing liquid to the substrate or the dummy substrate while rotating the substrate or the dummy substrate, and the rinsing liquid shaken off from the substrate or the dummy substrate causes the processing liquid in the drain cup to be processed. Rinse the flow path and reduce the number of rotations of the substrate or the dummy substrate or increase the supply amount of the rinse liquid compared to rinsing the treatment liquid flow path. Raising the liquid level and raising the number of revolutions of the substrate or dummy substrate to raise the position of the rinse liquid reaching the outer peripheral wall of the drainage force than when rinsing the treatment liquid flow path Cleaning the drainage cup, including A method is provided.
  • the liquid level is raised, and then the position of the rinse liquid reaching the outer peripheral wall of the drainage cup is raised.
  • the position where the rinse liquid reaches the outer peripheral wall of the drain cup can be raised, and the liquid level can be raised by the following operation. .
  • the rotation speed of the substrate when rinsing the treatment liquid flow path is 50 to 700 rpm
  • the rotation speed of the substrate when raising the liquid level is 50 to 200 rpm
  • the number of rotations of the substrate when raising the arrival position of the rinse liquid to the substrate can be set to 500 to 1500 rpm.
  • the substrate holding unit that holds the substrate horizontally and can be rotated together with the substrate, a rotation mechanism that rotates the substrate holding unit, and a process of supplying a processing liquid to the substrate
  • a rotation mechanism that rotates the substrate holding unit, and a process of supplying a processing liquid to the substrate
  • a control that operates on a computer for controlling a substrate processing apparatus comprising an annular drainage cup having an outer peripheral wall that surrounds the outer end surface of the substrate and an inner wall that surrounds the lower side of the end portion of the substrate
  • a computer-readable storage medium storing a program, wherein the control program is based on the processing liquid supply mechanism while rotating the substrate held on the substrate holding unit by the rotation mechanism at the time of execution. Supplying the processing liquid to the substrate and performing the processing on the substrate, and thereafter, supplying the rinsing liquid to the substrate by the rinsing liquid supply mechanism while rotating the substrate in the same manner, and performing the rinsing process.
  • the rinsing liquid is supplied by supplying the rinsing liquid while controlling the rotational speed of the substrate to the rotational speed during substrate processing, and by decreasing the rotational speed of the substrate or increasing the supply amount of the rinsing liquid.
  • the substrate processing method is performed, including raising the liquid level of the rinsing liquid in the step and raising the number of rotations of the substrate to raise the position where the rinsing liquid reaches the outer peripheral wall of the draining cup.
  • a storage medium is provided that causes a computer to control the substrate processing apparatus.
  • a substrate holding unit that holds the substrate horizontally and can rotate with the substrate, a rotation mechanism that rotates the substrate holding unit, and a process of supplying a processing liquid to the substrate
  • a liquid supply mechanism for supplying a rinsing liquid to the substrate, and a processing liquid or a rinsing liquid scattered from the rotating substrate, which is provided so as to surround the outside of the rotating cup, and drains the liquid.
  • the substrate processing apparatus comprising an annular drainage cup having an outer peripheral wall surrounding the outer end surface of the substrate and an inner side wall surrounding the lower side of the end of the substrate, the draining force is cleaned.
  • a computer-readable storage medium storing a control program that operates on a computer for causing the substrate holding unit to hold a substrate or a dummy substrate at the time of execution, and the substrate or dummy A rinse liquid is supplied to the substrate or dummy substrate while rotating the substrate, and the treatment liquid flow path of the drain cup is rinsed by the rinse liquid shaken off from the substrate or dummy substrate. Rinse the surface of the rinsing liquid in the draining cup by reducing the number of revolutions of the substrate or the dummy substrate or increasing the amount of rinsing liquid supplied than when rinsing the processing liquid flow path.
  • a storage medium is provided that causes a computer to control the substrate processing apparatus such that a liquid cup cleaning method is performed.
  • the substrate holding unit holds the substrate, and the rinsing liquid is first controlled while controlling the rotation speed of the substrate to the rotation speed during the substrate processing. And then increasing the rinsing liquid level in the draining cup by lowering the number of rotations of the substrate or increasing the amount of rinsing liquid supplied, and increasing the number of rotations of the substrate to Since the position of the rinse liquid reaching the outer peripheral wall of the liquid cup is raised, the rinse liquid can be spread throughout the drain cup, and the treatment liquid in the drain cup is almost completely removed. can do.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, with a part cut away.
  • FIG. 3 is a schematic view showing a liquid supply mechanism of the substrate processing apparatus of FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing an exhaust portion / drainage portion of the substrate processing apparatus of FIG. 1.
  • FIG. 5 illustrates the attachment state of the rotating cup and the guide member of the substrate processing apparatus of FIG. Figure for.
  • FIG. 6 is a view for explaining the operation of the cleaning process of the substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing the state of deposits after the cleaning process in the drain cup.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view for explaining a rinsing process procedure in the substrate processing apparatus according to the present embodiment.
  • FIG. 1 is a sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view thereof
  • FIG. 3 is a processing liquid supply mechanism and a rinsing liquid supply of the substrate processing apparatus of FIG.
  • FIG. 4 is a schematic view showing the mechanism
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view showing an exhaust / drainage portion of the substrate processing apparatus of FIG.
  • a plurality of substrate processing apparatuses 100 are incorporated in a liquid processing system (not shown), and a base plate 1, a wafer holding unit 2 that rotatably holds a wafer W that is a substrate to be processed, and the wafer holding unit. 2, a rotary motor 3 that rotates 2, a wafer W that is held by the wafer holder 2, and a rotary cup 4 that rotates together with the wafer holder 2, and the surface of the wafer W
  • a casing 8 is provided so as to cover the periphery of the exhaust / drainage unit 7 and the upper portion of the wafer W.
  • the upper part of the casing 8 is provided with an air flow introduction section 9 for introducing a fan 'filter' unit (FFU) force of the liquid processing system, and an air flow through an introduction port 9a provided on the side, A down flow of clean air is supplied to the wafer W held in the holding unit 2.
  • FFU fan 'filter' unit
  • the wafer holding unit 2 includes a horizontally-rotating rotating plate 11 having a disk shape, and a cylindrical rotating shaft 12 that is connected to the center of the back surface and extends vertically downward.
  • a circular hole 11a communicating with the hole 12a in the rotating shaft 12 is formed at the center of the rotating plate 11.
  • An elevating member 13 having a back side liquid supply nozzle 6 is provided so as to be able to move up and down in the holes 12a and 11a.
  • the rotating plate 11 is provided with holding members 14 for holding the outer edge of the wafer W, and as shown in FIG. 2, three of them are arranged at equal intervals.
  • the holding member 14 is configured to hold the wafer W horizontally with the wafer W slightly lifted from the rotating plate 11.
  • the holding member 14 includes a holding part 14a that can hold the end face of the wafer W, an attaching / detaching part 14b that extends from the holding part 14a toward the center of the back surface of the rotating plate, and a rotation that rotates the holding part 14a in a vertical plane.
  • the holding portion 14a is rotated outward by releasing the tip of the attaching / detaching portion 14b upward by a cylinder mechanism (not shown) and the holding of the wafer W is released.
  • the holding member 14 is urged in a direction in which the holding portion 14a holds the wafer W by a panel member (not shown), and the wafer W is held by the holding member 14 when the cylinder mechanism is not operated.
  • the rotating shaft 12 is a base plate via a bearing member 15 having two bearings 15a.
  • a pulley 16 is fitted to the lower end of the rotary shaft 12, and a belt 17 is wound around the pulley 16.
  • the belt 17 is also wound around a pulley 18 attached to the shaft of the motor 3. Then, by rotating the motor 3, the rotary shaft 12 is rotated via the pulley 18, the belt 17 and the pulley 16.
  • the surface side liquid supply nozzle 5 is attached to the tip of the nozzle arm 22a while being held by the nozzle holding member 22, and a flow path provided in the nozzle arm 22a from the liquid supply mechanism 85 described later.
  • the processing liquid or the like is supplied through the nozzle, and the processing liquid is discharged through a nozzle hole 5a provided therein.
  • Examples of the processing liquid to be discharged include chemicals for wafer cleaning, rinse liquids such as pure water, and the like.
  • the nozzle holding member 22 is also provided with a dry solvent nozzle 21 for discharging a dry solvent typified by IPA, and discharges a dry solvent such as IPA through a nozzle hole 21a provided therein. It looks like
  • the nozzle arm 22a is provided so as to be rotatable about a shaft 23 by a drive mechanism 81.
  • the surface side liquid supply nozzle 5 is provided. Is the wafer cleaning position on the center and outer periphery of the wafer W, and the retracted position outside the wafer W. You can take the place.
  • the nozzle arm 22a can be moved up and down by an elevator mechanism 82 such as a cylinder mechanism.
  • a channel 83a is provided in the nozzle arm 22a, and the nozzle hole 5a of the surface side liquid supply nozzle 5 is connected to one end of the channel 83a.
  • a pipe 84a is connected to the other end of the flow path 83a.
  • a flow path 83b is also provided in the nozzle arm 22a, and the nozzle hole 21a of the dry solvent nozzle 21 is connected to one end of the flow path 83b.
  • a pipe 84b is connected to the other end of the flow path 83b.
  • a predetermined processing liquid is supplied from the liquid supply mechanism 85 to the pipes 84a and 84b.
  • the liquid supply mechanism 85 is, for example, a DHF supply source 86 that supplies dilute hydrofluoric acid (DHF), which is an acid chemical solution, and an SC1 supply source that supplies ammonia perwater (SC1), which is an alkaline chemical solution, as a chemical solution for cleaning treatment.
  • DHF dilute hydrofluoric acid
  • SC1 ammonia perwater
  • 87 a DIW supply source 88 for supplying pure water (DIW) as a rinsing liquid
  • an IPA supply source 95 for supplying IPA as a dry solvent
  • ammonia superwater (SC1), dilute hydrofluoric acid (DHF), and pure water (DIW) can be selectively supplied to the surface side liquid supply nozzle 5. It has become.
  • the pipe 91 extending from the DIW supply source 88 is connected to the most upstream side of the pipe 84a.
  • a pipe 84b extending from the flow path 83b is directly connected to the IPA supply source 95, and an open / close valve 96 is provided in the pipe 84b. Therefore, the IPA can be supplied to the dry solvent nozzle 21 by opening the opening / closing valve 96.
  • the liquid supply mechanism 85 functions as a treatment liquid supply mechanism for supplying ammonia overwater (SC1) and dilute hydrofluoric acid (DHF), which are treatment liquids for cleaning, and as a rinse liquid. It functions as a rinsing liquid supply mechanism for supplying pure water (DIW) and as a dry solvent supply mechanism for supplying IPA as a dry solvent!
  • SC1 ammonia overwater
  • DHF dilute hydrofluoric acid
  • the back side liquid supply nozzle 6 is provided at the center of the elevating member 13, and a nozzle hole 6a extending along the longitudinal direction is formed therein.
  • a predetermined processing liquid is supplied from the lower end of the nozzle hole 6a by a processing liquid supply mechanism (not shown), and the processing liquid is discharged to the back surface of the wafer W through the nozzle hole 6a.
  • a processing liquid supply mechanism not shown
  • the processing liquid is discharged to the back surface of the wafer W through the nozzle hole 6a.
  • a rinsing liquid such as a processing liquid for cleaning and pure water can be used.
  • the liquid supply mechanism that supplies the processing liquid to the back-side liquid supply nozzle 6 can be configured in the same manner as the liquid supply mechanism 85 except for the IPA supply system.
  • a wafer support 24 for supporting the wafer W is provided at the upper end of the elevating member 13.
  • a cylinder mechanism 27 is connected to the lower end of the back surface side liquid supply nozzle 6 via a connecting member 26. By raising and lowering the elevating member 13 by this cylinder mechanism 27, the wafer W is moved up and down to move the wafer W. Loading and unloading are performed.
  • the rotating cup 4 has an annular flange 31 extending obliquely upward and inward from the upper end of the rotating plate 11, and a cylindrical outer wall 32 extending vertically downward from the outer end of the flange 31. is doing .
  • an annular gap 33 is formed between the outer wall portion 32 and the rotating plate 11, and the wafer W is transferred from the gap 33 to the rotating plate 11 and the rotating plate 11. The processing liquid and the rinse liquid that are rotated together with the cup 4 and scattered are guided downward.
  • a guide member 35 having a plate shape is interposed between the flange portion 31 and the rotary plate 11 at a position substantially the same height as the wafer W.
  • a plurality of openings 36 and 37 are formed between the flange 31 and the guide member 35 and between the guide member 35 and the rotating plate 11, respectively.
  • a plurality of spacer members 38 and 39 are arranged along the circumferential direction. The flange 31, the guide member 35, the rotary plate 11, and the spacer members 38 and 39 between them are screwed with screws 40.
  • the guide member 35 is provided such that the front and back surfaces thereof are substantially continuous with the front and back surfaces of the wafer W.
  • the processing liquid is supplied from the surface side liquid supply nozzle 5 to the center of the surface of the wafer W by rotating the wafer holder 2 and the rotating cup 4 together with the wafer W by the motor 3, the processing liquid is subjected to the wafer W by centrifugal force. Is spread out from the periphery of the wafer W.
  • the processing liquid shaken off from the surface of the wafer W is guided to the surface of the guide member 35, the force of the opening 36 is also discharged outward, and is guided downward by the outer wall portion 32.
  • the guide member 35 guides the processing liquid shaken off from the front and back surfaces of the wafer W in this way, the processing liquid detached from the periphery of the wafer W mists the processing liquid that is difficult to be turbulent. Without the rotation cup 4 can be led out.
  • the guide member 35 is provided with a notch 41 at a position corresponding to the wafer holding member 14 so as to avoid the wafer holding member 14.
  • the exhaust 'drainage part 7 is mainly for collecting gas and liquid discharged from the space surrounded by the rotary plate 11 and the rotary cup 4, and as shown in the enlarged view of FIG.
  • an annular drainage cup 51 that receives the processing liquid and rinse liquid discharged from the rotating cup 4
  • an exhaust cup 52 that is concentric with the drainage cup 51 so as to accommodate the drainage cup 51, It is equipped with.
  • the drainage cup 51 includes a cylindrical outer peripheral wall 53 that is provided on the outer side of the rotating cup 4 and in the vicinity of the outer wall portion 32, and has an outer periphery.
  • the wall 53 has an inner wall 54 that extends inward from the lower end of the wall 53.
  • An inner peripheral wall 54 a is formed vertically on the inner periphery of the inner wall 54.
  • An annular space defined by the outer peripheral wall 53 and the inner wall 54 serves as a liquid storage portion 56 that stores the processing liquid rinse liquid discharged from the rotational force 4.
  • an overhanging portion 53a that overhangs the upper portion of the rotating cup 4 is provided in order to prevent the processing liquid from jumping out from the draining cup 51.
  • a partition wall that extends from the inner wall 54 to the vicinity of the lower surface of the rotating plate 11 at a position corresponding to the outer side of the holding member 14 of the liquid storage portion 56 and is provided in an annular shape along the circumferential direction of the drainage force cup 51. 55.
  • the liquid storage portion 56 has a main cup portion 56a that receives the liquid discharged from the gap 33 and a sub cup portion 56b that receives the liquid dropped from the vicinity of the holding portion 14a of the holding member 14 by the partition wall 55. Have been separated.
  • the bottom surface 57 of the liquid storage part 56 is divided into a first part 57a corresponding to the main cup part 56a and a second part 57b corresponding to the sub cup part 56b by the cutting wall 55, both of which are outside.
  • the power is inclined to rise.
  • the inner end of the second portion 57b reaches a position corresponding to the inner side (rotation center side) of the holding portion 14a of the holding member 14.
  • the partition wall 55 serves to prevent the airflow formed by the portion of the holding member 14 projecting below the rotating plate 11 from reaching the wafer W side with mist when the rotating plate 11 rotates. have.
  • the partition wall 55 is formed with a hole 58 for guiding the treatment liquid from the sub cup part 56b to the main cup part 56a (see FIG. 1).
  • the drainage cup 51 is provided with a single drainage port 60 for draining from the liquid container 56 on the outermost part of the inner wall 54, and a drainage pipe 61 is connected to the drainage port 60. (See Figure 1).
  • a drainage switching unit 111 is connected to the drainage pipe 61. From the drainage switching unit 111, an acid draining pipe 112a for discharging the acid drainage and an alkali draining pipe 11 for discharging the alkaline drainage. 2b, an acid recovery pipe 112c for recovering acid and an alkali recovery pipe 112d for recovering alkali extend vertically downward.
  • an acid discharge pipe 112a, an alkali discharge pipe 112b, an acid collection pipe 112c, and an anorectali recovery pipe 112di are respectively provided with a nore, 113a, 113b, 113c, and 113d.
  • the drainage switching unit 111 is switched to the acid recovery pipe 112c to collect dilute hydrofluoric acid (DHF) drainage, and after dilute hydrofluoric acid (DHF) washing.
  • the drainage switching unit 111 is switched to the acid discharge pipe 112a to discard the wastewater mixed with dilute hydrofluoric acid (DHF), and in the case of ammonia overwater (SC1) cleaning.
  • the liquid switching unit 111 is switched to the alkali recovery pipe 112d to recover the ammonia overwater (SC1) waste liquid, and the rinse liquid switching section 111 is replaced with the alkali discharge pipe 112b during the rinse treatment after the ammonia overwater (SC1) cleaning. Switch to, and discard the waste liquid that is mixed with the ammonia overwater (SC1).
  • a swirling flow of the processing liquid and the rinse liquid discharged and stored from the rotary cup 4 is formed by the rotation of the wafer W, the rotary plate 11, and the rotary cup 4.
  • the liquid is discharged through the liquid port 60 and the drain pipe 61.
  • This swirling flow is a force generated only by the rotation of the rotating plate 11 of the wafer W.
  • a swirling flow faster than the swirling flow can be formed, and the speed at which the liquid is discharged from the drainage port 60 can be increased.
  • the exhaust cup 52 has an outer wall 64 provided perpendicular to the outer portion of the outer peripheral wall 53 of the drain cup 51, and an inner portion of the holding member 14 so that its upper end is close to the rotating plate 11.
  • the exhaust cup 52 is configured so that the force of the inlet 68 that forms an annular shape between the upper side wall 67 and the flange 31 of the rotary cup 4 also takes in and exhausts gas components mainly in and around the rotary cup 4. It has become. Further, as shown in FIGS.
  • an exhaust port 70 is provided at the lower portion of the exhaust cup 52, and an exhaust pipe 71 is connected to the exhaust port 70.
  • a suction mechanism (not shown) is provided on the downstream side of the exhaust pipe 71 so that the periphery of the rotary cup 4 can be exhausted.
  • a plurality of exhaust ports 70 are provided, which can be switched according to the type of processing liquid.
  • An annular outer ring space 99a is formed between the outer peripheral wall 53, which is the outer wall of the drain cup 51, and the outer wall 64 of the exhaust cup 52.
  • An annular airflow adjusting member 97 in which a large number of air holes 98 are formed in the circumferential direction is provided on the outer portion of the exhaust port 70 between the bottom of the exhaust cup 52 and the exhaust cup 52.
  • the outer annular space 99a and the airflow adjustment member 97 are incorporated into the exhaust cup 52, and have a function of adjusting the airflow reaching the exhaust port 70 and exhausting it uniformly.
  • the air flow is uniformly guided down the entire circumference through the outer annular space 99a which is an annular space as described above, and the air flow adjusting member 97 having a large number of air holes 98 is provided to reduce the pressure loss.
  • the air flow adjusting member 97 having a large number of air holes 98 is provided to reduce the pressure loss.
  • annular inner annular space 99b is formed between the inner peripheral wall 54a of the drain cup 51 and the inner wall 65 of the exhaust cup 52, and further, the inner peripheral side of the drain cup 51 There is a gap 77 between the exhaust force 52 and the exhaust.
  • the gas component taken in from the introduction port 68 flows not only in the outer annular space 99a but also in the liquid storage part 56 of the drain cup 51, and the airflow passes through the inner annular space 99b from the liquid storage part 56. Through and evenly down all around Thus, exhaust can be performed relatively uniformly from the exhaust port 70 through the gap 77.
  • the substrate processing apparatus 100 has a process controller 121 composed of a microprocessor (computer), and each component of the substrate processing apparatus 100 is connected to the process controller 121 for control.
  • the process controller 121 also visualizes the operation status of each component of the substrate processing apparatus 100 and a keyboard on which the operator performs command input operations in order to manage each component of the substrate processing apparatus 100.
  • a user interface 122 consisting of a display or the like to be displayed is connected.
  • the process controller 121 includes a control program for realizing various processes executed by the substrate processing apparatus 100 by the control of the process controller 121, and each of the liquid processing apparatus 100 according to the processing conditions.
  • a storage unit 123 that stores a control program, that is, a recipe for causing the constituent units to execute predetermined processing is connected.
  • the recipe is stored in a storage medium in the storage unit 123.
  • the storage medium may be a fixed medium such as a hard disk, or a portable medium such as a CDROM, DVD, or semiconductor memory (for example, a flash memory).
  • the recipe may be appropriately transmitted from another device, for example, via a dedicated line.
  • the following cleaning processing operation in the present embodiment is controlled by the process controller 121 based on the recipe stored in the storage unit 123.
  • the cleaning treatment using the treatment liquid (chemical solution) is performed according to the procedure shown in FIG.
  • the wafer W is transferred from the transfer arm (not shown) onto the support pins 25 of the wafer support 24 while the elevating member 13 is raised.
  • the material 13 is lowered to a position where the wafer W can be held by the holding member 14, and the wafer W is chucked by the holding member 14.
  • the surface side liquid supply nozzle 5 is moved from the retracted position to the wafer cleaning position.
  • the processing liquid is fed from the front surface side liquid supply nozzle 5 and the back surface side liquid supply nozzle 6 to the center of the front and back surfaces of the wafer W. Is supplied. As a result, the processing liquid spreads outside the wafer W due to centrifugal force, and a cleaning process is performed in the process. Then, the processing liquid subjected to the cleaning process in this way is shaken off from the periphery of the wafer W.
  • the number of rotations of the wafer during this cleaning process is preferably in the range of 200 to 700 rpm. Further, the supply amount of the treatment liquid is preferably 0.5 to 1.5 L / min.
  • the processing liquid is dropped from that portion into the sub cup portion 56b of the draining cup 51. Then, the processing liquid received in the drain cup 51 in this way is swung through the drain cup 60 and drained through the drain pipe 61 while rotating in the outer side as the rotary cup 4 rotates. A swirling airflow formed in the drainage cup 51 from the wall portion 32 is formed, and the treatment liquid in the drainage cup 51 is accompanied by this swirling airflow, resulting in a faster swirling flow and the drainage port 60 Is discharged through the drainage pipe 61. Since a high-speed swirling flow is formed in this way, the processing liquid can be discharged from the drain port 60 through the drain pipe 61 in a short time with the force S.
  • the exhaust cup 52 has an annular shape between the upper side wall 67 and the flange 31 of the rotary cup 4. Mainly gas components are taken in and around the rotary cup 4 from the inlet 68 formed, and exhausted from the exhaust 70 through the exhaust pipe 71.
  • the rinsing processing is subsequently performed.
  • pure water is supplied as a rinsing liquid from the front surface side liquid supply nozzle 5 and the back surface side liquid supply nozzle 6 to the front and back surfaces of the wafer W.
  • the wafer W is rotated by the motor 3 together with the holding member 2 and the rotary cup 4, and from the front side liquid supply nozzle 5 and the back side liquid supply nozzle 6 to the center of the front and back surfaces of the wafer W.
  • Pure water is supplied as a rinsing liquid, and the wafer W is rinsed in the process of spreading outward from the wafer W by centrifugal force.
  • the pure water subjected to the rinsing process in this way is spun off from the periphery of the wafer W.
  • the pure water as the rinsing liquid shaken off in this way is the same as in the case of the processing liquid, and the partial force of the hole for inserting the clearance 33 and the holding part 14a of the rotary cup 4 is also the liquid in the draining cup 51.
  • the force discharged from the drainage port 60 through the drainage pipe 61 while swirling through the container 56 and the swirling airflow formed in the drainage cup 51 by the outer wall 32 of the rotating cup 4 is formed.
  • the pure water as the rinsing liquid in the drainage cup 51 accompanies this swirling airflow, so that it becomes a faster swirling flow and is discharged from the drainage port 60 through the drainage pipe 61 in a short time.
  • the ability to discharge the processing liquid and the rinsing liquid from the annular drain cup 51 in a short time can increase the liquid replacement speed when using a plurality of types of processing liquids.
  • the pure water swung out from the wafer W as described above swirls the drain cup 51, so that the drain cup 51 is cleaned. It is possible to have a mechanism.
  • this type of rinsing process is generally performed by supplying a rinsing liquid while rotating the wafer at the same rotational speed as in the cleaning process.
  • the rinse liquid also swirls in the portion where the treatment liquid in the drain cup 51 swirls, and the treatment liquid remaining in the drain cup 51 can be removed.
  • the processing liquid that has reached the drainage cup 51 after the cleaning process does not necessarily flow in a laminar flow state in the liquid storage section 56, and the liquid surface undulates or liquid splashes occur.
  • the deposit 130 of the processing liquid is generated in a portion above the main flow path of the swirling flow formed in the liquid storage unit 56. For this reason, it has been found that the treatment liquid adhering to the drainage cup 51 cannot be sufficiently removed even if the wafer W is simply rotated at the same number of rotations as in the cleaning process during the rinsing process.
  • the turning path in the drain cup 51 of pure water as the rinse liquid is controlled.
  • the rinsing process in the present embodiment will be described with reference to FIG.
  • FIG. 8 is a process cross-sectional view for explaining the procedure of the rinsing process in the substrate processing apparatus.
  • the rotation speed of the wafer W is set to the same rotation speed as that in the cleaning process, and the main flow path in which the processing liquid swirls in the liquid container 56 of the drain cup 51 A cleaning process is performed, and the processing liquid remaining in the portion is removed.
  • the supply amount of pure water as the rinse liquid is preferably the same as the supply amount of the treatment liquid.
  • the preferred wafer rotation speed during the cleaning process is in the range of 200 to 700 rpm, and the preferred processing solution supply rate is 0.5 to 1.5 L / min. These ranges are also preferable.
  • the rotation speed is 300 rpm and the supply amount is 1.5 L / min. It is preferable that the cleaning process for the main flow path is performed continuously for a time necessary for removing the processing liquid remaining in the main flow path. This process is possible in about 5 seconds as an example.
  • the deposit 130 of the treatment liquid that is not removed is generated in the portion corresponding to the outer peripheral wall 53 and the portion corresponding to the inner wall 54 in the liquid storage portion 56. ing. Since a larger centrifugal force acts on the portion corresponding to the outer peripheral wall 53, the deposit 130 reaches a position higher than the portion corresponding to the inner wall 54. For this reason, following the first step, the second step and the third step are carried out in order to reliably remove such deposits 130.
  • the deposit 130 remaining on the portion corresponding to the inner wall 54 is removed.
  • the deposit 130 in the portion corresponding to the inner wall 54 is Since the liquid is present at a position that is not so high, the level of pure water in the drain cup 51 is raised.
  • the deposit 130 is removed by making the level of the pure water as the rinsing liquid higher than the position where the deposit 130 corresponding to the inner wall 54 is present.
  • the number of rotations of the wafer W is lowered.
  • the rotational speed of the wafer W When the rotational speed of the wafer W is reduced in this way, the swirling airflow caused by the outer wall portion 32 of the rotating cup 4 is also reduced, and the speed of the swirling flow of pure water flowing through the draining cup 51 is reduced, and the discharged pure water is reduced. Since the amount of water decreases, the level of pure water swirling in the drain cup 51 rises. At this time, the rotational speed of the wafer W is preferably 50 to 200 rpm. Another means of raising the liquid level is to increase the amount of pure water supplied. As a result, the amount of pure water supplied to the drain cup 51 increases, and as a result, the liquid level rises. In this case, the supply amount of pure water is preferably about 1.2 to 2.0 times the supply amount in the first step.
  • the rotation speed: 100 rpm, the supply amount: 1.5 L / min, or the rotation speed: 300 rpm, the supply amount: 2. OL / min is exemplified. It is preferable that the cleaning process for removing the deposit on the portion corresponding to the inner wall 54 is continuously performed for the time required for removing the deposit remaining on the inner wall 54. This process is possible in about 5 seconds as an example.
  • the deposit 130 remaining on the portion corresponding to the outer peripheral wall 53 is removed. As described above, the deposit 130 exists in the portion corresponding to the outer peripheral wall 53 up to a considerably high position due to the centrifugal force.
  • the rotational speed of the wafer W is preferably 500-1500 rpm.
  • the supply amount of pure water is the same as the supply amount of the treatment liquid at the time of the cleaning treatment, and the supply amount of the treatment liquid is preferably 0.5 to 1.5 L / min.
  • the rotation speed: lOOOOrpm and the supply amount: 1.5 L / min are exemplified. It is preferable that the cleaning process for removing the deposit on the portion corresponding to the outer peripheral wall 53 is continuously performed for the time necessary for removing the deposit remaining on the outer peripheral wall 53. This process is possible in about 5 seconds as an example.
  • a drying solvent such as IPA can be supplied to the rotating wafer W from the drying solvent nozzle 21 to perform the drying process as necessary.
  • dilute hydrofluoric acid (DHF) that is an acid chemical solution and ammonia perwater (SC1) that is an alkaline chemical solution can be supplied as the treatment liquid, and these continuous treatments can be performed. It is.
  • the cleaning treatment is performed in the above procedure using one chemical solution, and then the rinsing treatment is performed. Thereafter, the cleaning treatment is performed in the same procedure using the other chemical solution, and the rinsing treatment is further performed.
  • the first process liquid remains, in addition to the volatilization of the process liquid as described above, it reacts with acids and alkalis in the next cleaning process. As a result, salt is generated and the wafer W is adversely affected.
  • the substrate processing apparatus of the present embodiment can achieve the following effects. That is, since the rotating cup 4 is present, the drainage cup 51 can be an extremely small one that can be drained, and the drainage cup 51 and the exhaust cup 52 are provided independently, and the drainage cup 51 And exhaust outlets separately, drain 60 and exhaust 70 Therefore, it is not necessary to provide a special mechanism for separating the exhaust / drainage. In addition, since the drainage cup 51 is provided in the exhaust cup 52, it is possible to reduce the space while having a structure for taking in the drainage and drainage separately, resulting in a footprint of the device. Can be reduced.
  • the drain cup 51 is accommodated in the exhaust cup 52, even if the mist of the processing liquid leaks from the drain cup 51, it can be trapped by the exhaust cup 52, and the mist of the processing liquid can be removed from the apparatus. It is possible to prevent S from being scattered and having an adverse effect.
  • FIG. 8 The above shows the case where the first to third steps shown in Fig. 8 are applied during the rinsing process.
  • the present invention is not limited to this, and is separated from the substrate process periodically or as needed.
  • a rinse solution such as pure water.
  • processing can be performed using a dummy wafer.
  • an actual wafer may be used.
  • Such a cleaning operation of the drain cup 51 is also controlled by the process controller 121 based on the recipe stored in the storage unit 123.
  • the rinsing treatment may be performed by applying the first to third steps.
  • the first step to the third step may be applied only in the subsequent cup cleaning.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and can be variously modified.
  • a cleaning processing apparatus that performs front and back surface cleaning of a wafer has been described as an example.
  • the present invention is not limited thereto, and may be a cleaning processing apparatus that performs cleaning processing only on the front surface or only on the back surface.
  • the liquid treatment is not limited to the cleaning treatment, and other liquid treatment may be used.
  • a flat panel display (FPD) represented by a glass substrate for a liquid crystal display (LCD) is shown for the case where a semiconductor wafer is used as the substrate to be processed.
  • FPD flat panel display
  • LCD liquid crystal display
  • the present invention can be applied to other substrates such as a substrate for).
  • the present invention is effective for a cleaning apparatus for removing particles or contaminants adhering to a semiconductor wafer.

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Description

明 細 書
基板処理装置、基板処理方法、および排液カップの洗浄方法
技術分野
[0001] 本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して洗浄処理のような所定の液処理 を行う基板処理装置および基板処理方法、ならびにこのような基板処理装置におい て排液を受ける排液カップを洗浄する排液カップの洗浄方法に関する。
背景技術
[0002] 半導体デバイスの製造プロセスやフラットパネルディスプレー（FPD)の製造プロセ スにお!/、ては、被処理基板である半導体ウェハやガラス基板に処理液を供給して液 処理を行うプロセスが多用されている。このようなプロセスとしては、例えば、基板に付 着したパーティクルゃコンタミネーシヨン等を除去する洗浄処理を挙げることができる
[0003] このような基板処理装置としては、半導体ウェハ等の基板をスピンチャックに保持し 、基板を回転させた状態でウェハに薬液等の処理液を供給して洗浄処理を行うもの が知られている。この種の装置では、通常、処理液はウェハの中心に供給され、基板 を回転させることにより処理液を外側に広げて液膜を形成し、処理液を基板の外方 離脱させる。そして、このような洗浄処理の後、同様に基板を回転させた状態で基 板に純水等のリンス液を供給してリンス液の液膜を形成し、リンス液を基板の外方へ 離脱させるリンス処理を行う。このため、基板の外方へ振り切られた処理液やリンス液 を受けて排液するための排液カップをウェハの外側を囲繞するように設けている（例 えば特開 2002— 368066号公報）。
[0004] ところで、この種の基板処理装置にお!/、ては、処理液としてアルカリ性薬液や酸性 薬液を用いて洗浄処理を行った後、基板のリンス処理を行う際には、基板上の処理 液のみならず排液カップに残存する処理液も除去する必要がある。すなわち、このよ うなアルカリ性薬液や酸性薬液がリンス処理後に排液カップに残存するとこれらが揮 発したり、これら薬液を用いた連続処理の場合にはこれらが反応して塩を形成したり して、基板の乾燥性能に悪影響をもたらす懸念がある。また、アルカリ性薬液や酸性 薬液等の複数の薬液を回収して使用する場合、薬液同士が混ざり合い、劣化速度を 速めてしまう。このため、リンス処理の際、またはリンス処理とは別に定期的にまたは 必要に応じて、排液カップに残存した処理液を十分に除去することが必要である。
[0005] しかしながら、従来、リンス処理では、排液カップ内の全体に十分にリンス液が行き 渡らず、排液カップ内に処理液が残存してしまい、上記不都合を解消することが困難 である。また、排液カップに洗浄機構を設けてカップ洗浄を行うこともあるが、装置が 複雑化、大型化してしまい不都合である。
発明の開示
[0006] 本発明の目的は、処理液での基板処理後のリンス処理の際に、排液カップ内の処 理液を十分に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供するこ とにある。
本発明の他の目的は、基板を処理液で処理する基板処理装置において処理液を 受ける排液カップを特別な洗浄機構を用いることなく確実に洗浄することができる排 液カップの洗浄方法を提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、上記基板処理方法および排液カップの洗浄方法を実 行する制御プログラムが記憶された記憶媒体を提供することにある。
[0007] 本発明の第 1の観点によれば、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板 保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理 液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保 持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液 またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の 下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液力ップと、前記回転機構により前記 基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に 処理液を供給させて基板に対する処理を行わせ、その後、同様に基板を回転させな 力 ¾前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給させてリンス処理を行わせるよ うに、処理液の供給、リンス液の供給および基板の回転数を制御する制御部とを具 備し、前記制御部は、基板処理後のリンス処理を制御するにあたり、基板の回転数を 基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給させ、その後基板の回転数を低 下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリン ス液の液面を上昇させること、および基板の回転数を上昇させて前記排液カップの 外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることを実施させる、基板処理装置が提 供される。
[0008] 上記第 1の観点において、前記制御部は、基板処理の際の回転数でリンス処理を 実施させた後、液面を上昇させ、次いで前記排液カップの外周壁へのリンス液の到 達位置を上昇させるようにすること力 Sできるし、または前記制御部は、基板処理の際 の回転数でリンス処理を実施させた後、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到 達位置を上昇させ、次!/、で液面を上昇させるようにすることもできる。
[0009] また、前記制御部は、基板処理の際の基板の回転数を 200〜700rpmに制御し、 前記液面を上昇させる工程の際の基板の回転数を 50〜200rpmに制御し、前記排 液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる工程の際の基板の回転数を 500- 1500rpmに制御するようにすること力 Sできる。
[0010] さらに、前記基板保持部に保持された基板を囲繞し、前記基板保持部および基板 とともに回転し、基板を回転した際に基板から振り切られた処理液またはリンス液を受 けて前記排液カップに導く回転カップをさらに具備するように構成することができる。
[0011] さらにまた、前記処理液供給機構は第 1の処理液と第 2の処理液を供給し、前記制 御部は、前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前 記処理液供給機構により基板に第 1の処理液を供給させて基板に対する第 1の処理 を行わせ、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板に リンス液を供給させて第 1のリンス処理を行わせ、その後、同様に基板を回転させな がら前記処理液供給機構により基板に第 2の処理液を供給させて基板に対する第 2 の処理を行わせ、さらに、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機 構により基板にリンス液を供給させて第 2のリンス処理を行わせるように、第 1および 第 2の処理液の供給、リンス液の供給および基板の回転数を制御し、少なくとも第 1 のリンス処理を制御するにあたり、基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御し つつリンス液を供給させ、その後基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量 を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させること、お よび基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を 上昇させることを実施させるようにすること力 Sでさる。
[0012] 本発明の第 2の観点によれば、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板 保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理 液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保 持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液 またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の 下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置を 用いて基板処理を行う基板処理方法であって、前記回転機構により前記基板保持部 に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に処理液を供 給して基板に対する処理を行うことと、その後、同様に基板を回転させながら前記リン ス液供給機構により基板にリンス液を供給してリンス処理を行うこととを含み、前記リン ス処理は、基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給する ことと、基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前 記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、基板の回転数を上昇させ て前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、基板 処理方法が提供される。
[0013] 上記本発明の第 2の観点において、前記処理液供給機構は第 1の処理液と第 2の 処理液を供給するように構成され、前記処理液を供給して基板に対する処理を行うこ とは、基板に第 1の処理液を供給して基板に対する第 1の処理を行うことと、基板に第 2の処理液を供給して基板に対する第 2の処理を行うこととを含み、前記リンス処理を 行うことは、前記第 1の処理の後に行われる第 1のリンス処理と、前記第 2の処理の後 に行われる第 2のリンス処理とを含み、少なくとも前記第 1のリンス処理は、最初に行 われる、基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給するこ とと、基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記 排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、基板の回転数を上昇させて 前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含んでもよい 。この場合に、前記第 2のリンス処理も、最初に行われる、基板の回転数を基板処理 の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、基板の回転数を低下させるま たはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面 を上昇させることと、基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス 液の到達位置を上昇させることとを含むようにすることができる。
[0014] 上記第 2の観点において、基板処理の際の回転数でリンス処理を行った後、液面 を上昇させ、次!/、で前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる ようにすること力 Sできるし、または、基板処理の際の回転数でリンス処理を行った後、 前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させ、次!、で液面を上昇さ せるようにすることあでさる。
[0015] また、基板処理の際の基板の回転数を 200〜700rpmとし、液面を上昇させる際の 基板の回転数を 50〜200rpmとし、排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を 上昇させる際の基板の回転数を 500〜1500rpmとすることができる。
[0016] 本発明の第 3の観点によれば、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板 保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理 液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保 持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液 またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の 下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップとを具備し、前記基板保持部 に保持された基板を前記回転機構により回転させながら、前記処理液供給機構から 処理液を基板に供給して基板処理を行う基板処理装置にお!/、て、前記排液カップを 洗浄する排液カップの洗浄方法であって、前記基板保持部に基板またはダミー基板 を保持させることと、前記基板またはダミー基板を回転させつつ前記基板またはダミ 一基板にリンス液を供給し、基板またはダミー基板から振り切られたリンス液により前 記排液カップの処理液流路をリンスすることと、前記処理液流路をリンスする際よりも 前記基板またはダミー基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加さ せることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、前記処理 液流路をリンスする際よりも基板またはダミー基板の回転数を上昇させて前記排液力 ップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、排液カップの洗浄 方法が提供される。
[0017] 上記第 3の観点において、前記処理液流路をリンスした後、液面を上昇させ、次い で前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させるようにすることがで きるし、または、前記処理液流路をリンスした後、前記排液カップの外周壁へのリンス 液の到達位置を上昇させ、次!、で液面を上昇させるようにすることもできる。
[0018] また、前記処理液流路をリンスする際の基板の回転数を 50〜700rpmとし、前記液 面を上昇させる際の基板の回転数を 50〜200rpmとし、前記排液カップの外周壁へ のリンス液の到達位置を上昇させる際の基板の回転数を 500〜1500rpmとすること ができる。
[0019] 本発明の第 4の観点によれば、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板 保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理 液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記回転カップの外 側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受 けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する 内側壁とを有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置を制御するためのコ ンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒 体であって、前記制御プログラムは、実行時に、前記回転機構により前記基板保持 部に保持された基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に処理液を 供給して基板に対する処理を行うことと、その後、同様に基板を回転させながら前記 リンス液供給機構により基板にリンス液を供給してリンス処理を行うこととを含み、前記 リンス処理は、基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給 することと、基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることによ り前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、基板の回転数を上昇さ せて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることとを含む、基 板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置を制御させる、記憶 媒体が提供される。
[0020] 本発明の第 5の観点によれば、基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板 保持部と、前記基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理 液供給機構と、基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、前記回転カップの外 側を囲繞するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受 けて排液し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する 内側壁とを有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置において前記排液力 ップの洗浄処理を行うためのコンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶された コンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、前記 基板保持部に基板またはダミー基板を保持させることと、前記基板またはダミー基板 を回転させつつ前記基板またはダミー基板にリンス液を供給し、基板またはダミー基 板から振り切られたリンス液により前記排液カップの処理液流路をリンスすることと、前 記処理液流路をリンスする際よりも前記基板またはダミー基板の回転数を低下させる またはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液 面を上昇させることと、前記処理液流路をリンスする際よりも基板またはダミー基板の 回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる こととを含む、排液カップの洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理 装置を制御させる、記憶媒体が提供される。
[0021] 本発明によれば、リンス処理の際またはカップ洗浄の際に、基板保持部に基板を保 持させ、最初に基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給 し、その後基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより 前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇させること、および基板の回転数を上 昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることを実施さ せるので、排液カップ内の全体にリンス液を行き渡らせることができ、排液カップ内の 処理液をほぼ完全に除去することができる。
図面の簡単な説明
[0022] [図 1]本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図。
[図 2]本発明の一実施形態に係る基板処理装置を一部切り欠いて示す概略平面図。
[図 3]図 1の基板処理装置の液供給機構を示す概略図。
[図 4]図 1の基板処理装置の排気'排液部を拡大して示す断面図。
[図 5]図 1の基板処理装置の回転カップおよび案内部材の取り付け状態を説明する ための図。
[図 6]本発明の一実施形態に係る基板処理装置の洗浄処理の動作を説明するため の図。
[図 7]排液カップにおける洗浄処理後の付着物の状態を示す断面図。
[図 8]本実施形態に係る基板処理装置におけるリンス処理の手順を説明するための 断面図。
発明を実施するための最良の形態
[0023] 以下、添付図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。ここで は、本発明を半導体ウェハ（以下、単にウェハと記す）の表裏面洗浄を行う液処理装 置に適用した場合について示す。
[0024] 図 1は本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す断面図、図 2 はその平面図、図 3は図 1の基板処理装置の処理液供給機構およびリンス液供給機 構を示す概略図、図 4は図 1の基板処理装置の排気'排液部を拡大して示す断面図 である。
[0025] 基板処理装置 100は、図示しない液処理システムに複数台組み込まれており、ベ ースプレート 1と、被処理基板であるウェハ Wを回転可能に保持するウェハ保持部 2 と、このウェハ保持部 2を回転させる回転モータ 3と、ウェハ保持部 2に保持されたゥ ェハ Wを囲繞するように設けられ、ウェハ保持部 2とともに回転する回転カップ 4と、ゥ ェハ Wの表面に処理液を供給する表面側液供給ノズル 5と、ウェハ Wの裏面に処理 液を供給する裏面側液供給ノズル 6と、回転カップ 4の周縁部に設けられた排気 '排 液部 7とを有している。また、排気 ·排液部 7の周囲およびウェハ Wの上方を覆うよう にケーシング 8が設けられている。ケーシング 8の上部には液処理システムのファン' フィルター 'ユニット（FFU)力、らの気流を側部に設けられた導入口 9aを介して導入す る気流導入部 9が設けられており、ウェハ保持部 2に保持されたウェハ Wに清浄空気 のダウンフローが供給されるようになっている。
[0026] ウェハ保持部 2は、水平に設けられた円板状をなす回転プレート 11と、その裏面の 中心部に接続され、下方鉛直に延びる円筒状の回転軸 12とを有している。回転プレ ート 11の中心部には、回転軸 12内の孔 12aに連通する円形の孔 11aが形成されて いる。そして、裏面側液供給ノズル 6を備えた昇降部材 13が孔 12aおよび孔 11a内を 昇降可能に設けられている。回転プレート 11には、ウェハ Wの外縁を保持する保持 部材 14が設けられており、図 2に示すように、これらは 3つ等間隔で配置されている。 この保持部材 14は、ウェハ Wが回転プレート 11から少し浮いた状態で水平にウェハ Wを保持するようになっている。この保持部材 14はウェハ Wの端面を保持可能な保 持部 14aと、保持部 14aから回転プレート裏面側中心方向に延材する着脱部 14bと、 保持部 14aを垂直面内で回動させる回転軸 14cとを有し、着脱部 14bの先端部を図 示しないシリンダ機構により上方に押し上げることにより、保持部 14aが外側に回動し てウェハ Wの保持が解除される。保持部材 14は、図示しないパネ部材により保持部 14aがウェハ Wを保持する方向に付勢されており、シリンダ機構を作動させない場合 には保持部材 14によりウェハ Wが保持された状態となる。
[0027] 回転軸 12は、 2つのベアリング 15aを有する軸受け部材 15を介してベースプレート
1に回転可能に支持されている。回転軸 12の下端部にはプーリー 16が嵌め込まれ ており、プーリー 16にはベルト 17が巻き掛けられている。ベルト 17はモータ 3の軸に 取り付けられたプーリー 18にも巻き掛けられている。そして、モータ 3を回転させること によりプーリー 18、ベルト 17およびプーリー 16を介して回転軸 12を回転するようにな つている。
[0028] 表面側液供給ノズル 5は、ノズル保持部材 22に保持された状態でノズルァーム 22 aの先端に取り付けられており、後述する液供給機構 85からノズルアーム 22a内に設 けられた流路を通って処理液等が供給され、その内部に設けられたノズル孔 5aを介 して処理液を吐出するようになっている。吐出する処理液としては、ウェハ洗浄用の 薬液、純水等のリンス液等を挙げることができる。また、ノズル保持部材 22には、 IPA に代表される乾燥溶媒を吐出する乾燥溶媒ノズル 21も取り付けられており、その内 部に設けられたノズル孔 21aを介して IPA等の乾燥溶媒を吐出するようになっている
〇
[0029] 図 2にも示すように、ノズルアーム 22aは駆動機構 81により軸 23を中心として回動 可能に設けられており、ノズルアーム 22aを回動させることにより、表面側液供給ノズ ル 5がウェハ W中心上および外周上のウェハ洗浄位置と、ウェハ Wの外方の退避位 置とを取り得るようになつている。また、ノズルアーム 22aはシリンダ機構等の昇降機 構 82により上下動可能となっている。
[0030] 図 3に示すように、ノズルアーム 22a内には流路 83aが設けられており、表面側液供 給ノズル 5のノズル孔 5aは流路 83aの一端に繋がっている。また、流路 83aの他端に は配管 84aが接続されている。一方、ノズルアーム 22a内には流路 83bも設けられて おり、乾燥溶媒ノズル 21のノズル孔 21aは流路 83bの一端に繋がっている。また、流 路 83bの他端には配管 84bが接続されている。そして、配管 84a、 84bには、液供給 機構 85から所定の処理液が供給される。液供給機構 85は、洗浄処理のための薬液 として、例えば酸薬液である希フッ酸 (DHF)を供給する DHF供給源 86、アルカリ薬 液であるアンモニア過水（SC1)を供給する SC1供給源 87、リンス液として例えば純 水（DIW)を供給する DIW供給源 88、乾燥溶媒として例えば IPAを供給する IPA供 給源 95を有している。 DHF供給源 86、 SC1供給源 87、 DIW供給源 88からは配管 89, 90, 91カ延びており、これら酉己管 89, 90, 91力酉己管 84aに開閉ノ ノレブ 92, 93 , 94を介して接続されている。したがって、開閉バルブ 92, 93, 94を操作することに より、アンモニア過水 (SC1)、希フッ酸 (DHF)、純水（DIW)を選択的に表面側液供 給ノズル 5に供給可能となっている。この場合に、 DIW供給源 88から延びる配管 91 が配管 84aの最も上流側に接続されている。一方、 IPA供給源 95には流路 83bから 延びる配管 84bが直接接続されており、配管 84bには開閉バルブ 96が設けられてい る。したがって、開閉バルブ 96を開くことにより、 IPAを乾燥溶媒ノズル 21に供給可 能となっている。
[0031] すなわち、液供給機構 85は、洗浄のための処理液であるアンモニア過水（SC1)お よび希フッ酸 (DHF)を供給するための処理液供給機構としての機能、リンス液として の純水（DIW)を供給するためのリンス液供給機構としての機能、および乾燥溶媒と しての IPAを供給する乾燥溶媒供給機構としての機能を果たすようになって!/、る。
[0032] 裏面側液供給ノズル 6は昇降部材 13の中心に設けられており、その内部に長手方 向に沿って延びるノズル孔 6aが形成されている。そして、図示しない処理液供給機 構によりノズル孔 6aの下端から所定の処理液が供給され、その処理液がノズル孔 6a を介してウェハ Wの裏面に吐出されるようになっている。吐出する液としては、上記表 面側液供給ノズル 5と同様、洗浄用の処理液、純水等のリンス液を挙げることができ る。裏面側液供給ノズル 6へ処理液を供給する液供給機構は、 IPAの供給系を除い て上記液供給機構 85と同様に構成することができる。昇降部材 13の上端部にはゥ ェハ Wを支持するウェハ支持台 24を有している。ウェハ支持台 24の上面には、ゥェ ハ Wを支持するための 3本のウェハ支持ピン 25 (2本のみ図示）を有して!/、る。そして 、裏面側液供給ノズル 6の下端には接続部材 26を介してシリンダ機構 27が接続され ており、このシリンダ機構 27によって昇降部材 13を昇降させることによりウェハ Wを昇 降させてウェハ Wのローデイングおよびアンローデイングが行われる。
[0033] 回転カップ 4は、回転プレート 11の端部上方から内側斜め上方に延びる円環状の 庇部 31と、庇部 31の外端部から垂直下方へ延びる筒状の外側壁部 32を有している 。そして、図 4の拡大図に示すように、外側壁部 32と回転プレート 11との間には円環 状の隙間 33が形成されており、この隙間 33からウェハ Wが回転プレート 11および回 転カップ 4とともに回転されて飛散した処理液やリンス液が下方に導かれる。
[0034] 庇部 31と回転プレート 11との間にはウェハ Wとほぼ同じ高さの位置に板状をなす 案内部材 35が介在されている。図 5に示すように、庇部 31と案内部材 35との間、案 内部材 35と回転プレート 11との間には、それぞれ処理液やリンス液を通過させる複 数の開口 36および 37を形成するための複数のスぺーサ部材 38および 39が周方向 に沿って配置されている。庇部 31と、案内部材 35と、回転プレート 11と、これらの間 のスぺーサ部材 38, 39とは、ねじ 40によりねじ止めされている。
[0035] 案内部材 35は、その表裏面がウェハ Wの表裏面と略連続するように設けられてい る。そして、モータ 3によりウェハ保持部 2および回転カップ 4をウェハ Wとともに回転 させて表面側液供給ノズル 5からウェハ W表面の中心に処理液を供給した際には、 処理液は遠心力でウェハ Wの表面を広がり、ウェハ Wの周縁から振り切られる。この ウェハ W表面から振り切られた処理液は、案内部材 35の表面に案内されて開口 36 力も外方へ排出され、外側壁部 32によって下方へ導かれる。また、同様にウェハ保 持部 2および回転カップ 4をウェハ Wとともに回転させて裏面側液供給ノズル 6からゥ ェハ Wの裏面の中心に処理液を供給した際には、処理液は遠心力でウェハ Wの裏 面を広がり、ウェハ Wの周縁から振り切られる。このウェハ W裏面から振り切られた処 理液は、略連続して設けられた案内部材 35の裏面に案内されて開口 37から外方へ 排出され、外側壁部 32によって下方へ導かれる。このときスぺーサ部材 38、 39およ び外側壁部 32に到達した処理液には遠心力が作用しているから、これらがミストとな つて内側へ戻ることが阻止される。
[0036] また、案内部材 35はこのようにウェハ W表面および裏面から振り切られた処理液を 案内するので、ウェハ Wの周縁から脱離した処理液が乱流化し難ぐ処理液をミスト 化させずに回転カップ 4外へ導くことができる。なお、図 2に示すように、案内部材 35 には、ウェハ保持部材 14に対応する位置に、ウェハ保持部材 14を避けるように切り 欠き部 41が設けられている。
[0037] 排気 '排液部 7は、主に回転プレート 11と回転カップ 4に囲繞された空間から排出さ れる気体および液体を回収するためのものであり、図 4の拡大図にも示すように、回 転カップ 4から排出された処理液やリンス液を受ける環状をなす排液カップ 51と、排 液カップ 51を収容するように排液カップ 51と同心状の環状をなす排気カップ 52とを 備えている。
[0038] 図 1および図 4に示すように、排液カップ 51は、回転カップ 4の外側に、外側壁部 3 2に近接して垂直に設けられた筒状をなす外周壁 53と、外周壁 53の下端部から内 側に向かって延びる内側壁 54とを有している。内側壁 54の内周には内周壁 54aが 垂直に形成されている。これら外周壁 53および内側壁 54によって規定される環状の 空間が回転力ップ 4から排出された処理液ゃリンス液を収容する液収容部 56となつ ている。また、外周壁 53の上端には、排液カップ 51からの処理液の飛び出しを防止 するために回転カップ 4の上方部分に張り出した張り出し部 53aが設けられている。 液収容部 56の保持部材 14の外側に対応する位置には、内側壁 54から回転プレー ト 11の下面近傍まで延び、排液力ップ 51の周方向に沿って環状に設けられた仕切り 壁 55を有している。そして、液収容部 56は、この仕切り壁 55によって、隙間 33から 排出される液を受ける主カップ部 56aと、保持部材 14の保持部 14a近傍部分から滴 下される液を受ける副カップ部 56bに分離されている。液収容部 56の底面 57は、仕 切り壁 55により主カップ部 56aに対応する第 1部分 57aと、副カップ部 56bに対応す る第 2部分 57bとに分かれており、これらはいずれも外側から内側（回転中心側）に向 力、つて上昇するように傾斜している。そして、第 2部分 57bの内側端は保持部材 14の 保持部 14aよりも内側（回転中心側）に対応する位置に達している。仕切り壁 55は、 回転プレート 11が回転した際に、保持部材 14の回転プレート 11の下方に突出した 部分によって形成された気流がミストを随伴してウェハ W側に到達することを阻止す る役割を有している。仕切り壁 55には、副カップ部 56bから主カップ部 56aに処理液 を導くための孔 58が形成されて!/、る（図 1参照）。
[0039] 排液カップ 51の内側壁 54の最外側部分には液収容部 56から排液する 1箇所の排 液口 60が設けられており、排液口 60には排液管 61が接続されている（図 1参照）。 排液管 61には排液切替部 111が接続されており、排液切替部 111からは、酸排液 を排出するための酸排出管 112a、アルカリ排液を排出するためのアルカリ排出管 11 2b、酸を回収するための酸回収管 112c、アルカリを回収するためのアルカリ回収管 112dが垂直下方に延びている。また、酸排出管 112a、アルカリ排出管 112b、酸回 収管 112c、ァノレカリ回収管 112diこ ίま、それぞれノ ノレフ、、 113a, 113b, 113c, 113d が設けられている。これにより、処理液の種類に応じて分別可能となっている。具体 的には、希フッ酸 (DHF)洗浄の際には排液切替部 111を酸回収管 112cに切り替 えて希フッ酸 (DHF)排液を回収し、希フッ酸 (DHF)洗浄の後のリンス処理の際に は排液切替部 111を酸排出管 112aに切り替えて希フッ酸 (DHF)にリンス液が混合 した排液を廃棄し、アンモニア過水（SC1)洗浄の際には排液切替部 111をアルカリ 回収管 112dに切り替えてアンモニア過水（SC1)排液を回収し、アンモニア過水（S C1)洗浄後のリンス処理の際には排液切替部 111をアルカリ排出管 112bに切り替 えてアンモニア過水（SC1)にリンス液が混合した排液を廃棄する。なお、排液口 60 は複数箇所設けられてレ、てもよレ、。
[0040] 排液カップ 51内では、ウェハ W、回転プレート 11および回転カップ 4の回転等によ り、回転カップ 4から排出されて貯留された処理液やリンス液の旋回流が形成され、 排液口 60および排液管 61を介して排出される。この旋回流は、ウェハ Wの回転プレ ート 11の回転のみによっても生じる力 回転カップ 4が回転する際に排液カップ 51内 に揷入された外側壁部 32の下端部分によって形成される旋回気流に排液カップ 51 内の処理液やリンス液が随伴することにより、ウェハ Wと回転プレート 11のみで生じる 旋回流よりも高速の旋回流を形成することができ、排液口 60から液を排出する速度 を高レ、ものとすること力 Sできる。
[0041] 排気カップ 52は、排液カップ 51の外周壁 53の外側部分に垂直に設けられた外側 壁 64と、保持部材 14の内側部分に垂直にかつその上端が回転プレート 11に近接 するように設けられた内側壁 65と、ベースプレート 1上に設けられた底壁 66と、外側 壁 64から上方へ湾曲するとともに、回転カップ 4の上方を覆うように設けられた上側 壁 67とを有している。そして、排気カップ 52は、その上側壁 67と回転カップ 4の庇部 31との間の環状をなす導入口 68力も回転カップ 4内およびその周囲の主にガス成 分を取り込んで排気するようになっている。また、排気カップ 52の下部には、図 1およ び図 4に示すように、排気口 70が設けられており、排気口 70には排気管 71が接続さ れている。排気管 71の下流側には図示しない吸引機構が設けられており、回転カツ プ 4の周囲を排気することが可能となっている。排気口 70は複数設けられており、処 理液の種類に応じて切り替えて使用することが可能となっている。
[0042] 排液カップ 51の外側壁である外周壁 53と排気カップ 52の外側壁 64との間には環 状をなす外側環状空間 99aが形成されており、また排液カップ 51の底部と排気カツ プ 52の底部との間の排気口 70の外側部分には、周方向に沿って多数の通気孔 98 が形成された環状の気流調整部材 97が設けられている。そして、外側環状空間 99a と気流調整部材 97は排気カップ 52に取り入れられ、排気口 70に至る気流を調整し て均一に排気する機能を有している。すなわち、このように環状の空間である外側環 状空間 99aを通って気流を全周に亘つて均一に下方へ導き、多数の通気孔 98を形 成した気流調整部材 97を設けて圧力損失つまり気流の抵抗を与えるとともに気流を 分散することにより、排気口 70からの距離によらず比較的均一に排気を行うことがで きる。
[0043] また、排液カップ 51の内周壁 54aと排気カップ 52の内側壁 65との間には環状をな す内側環状空間 99bが形成されており、さらに、排液カップ 51の内周側には排気力 ップ 52との間の隙間 77が形成されている。そして、導入口 68から取り入れられた気 体成分は、外側環状空間 99aのみならず、排液カップ 51の液収容部 56にも多少流 れ、その気流は液収容部 56から内側環状空間 99bを通って全周に亘つて均一に下 方に導かれ、隙間 77を通って排気口 70から比較的均一に排気を行うことができる。
[0044] このように、排液カップ 51からの排液と排気カップ 52からの排気が独立して行われ るようになっているので、排液と排気を分離した状態で導くことが可能となる。また、排 液カップ 51からミストが漏出しても排気カップ 52がその周囲を囲繞しているので速や かに排気口 70を介して排出され、ミストが外部に漏出することが確実に防止される。
[0045] 基板処理装置 100はマイクロプロセッサ（コンピュータ）からなるプロセスコントローラ 121を有しており、基板処理装置 100の各構成部がこのプロセスコントローラ 121に 接続されて制御される構成となっている。また、プロセスコントローラ 121には、ォペレ ータが基板処理装置 100の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行 うキーボードや、基板処理装置 100の各構成部の稼働状況を可視化して表示するデ イスプレイ等からなるユーザーインターフェース 122が接続されている。さらに、プロセ スコントローラ 121には、基板処理装置 100で実行される各種処理をプロセスコント口 ーラ 121の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて液処理装 置 100の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわちレシピ が格納された記憶部 123が接続されている。レシピは記憶部 123の中の記憶媒体に 記憶されている。記憶媒体は、ハードディスクのような固定的に設けられているもので あってもよいし、 CDROM、 DVD,半導体メモリ（例えばフラッシュメモリ）等の可搬性 のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜 伝送させるようにしてあよい。
[0046] そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース 122からの指示等にて任意のレ シピを記憶部 123から呼び出してプロセスコントローラ 121に実行させることで、プロ セスコントローラ 121の制御下で、基板処理装置 100での所望の処理が行われる。
[0047] 次に、以上のように構成される基板処理装置 100の動作について図 6〜8に基づい て説明する。本実施形態における以下の洗浄処理動作は、記憶部 123に格納され たレシピに基づいてプロセスコントローラ 121によって制御される。
[0048] 処理液（薬液）を用いた洗浄処理は図 6に示すような手順で行われる。まず、（a)に 示すように、昇降部材 13を上昇させた状態で、図示しない搬送アームからウェハ支 持台 24の支持ピン 25上にウェハ Wを受け渡す。次いで、（b)に示すように、昇降部 材 13を、ウェハ Wを保持部材 14により保持可能な位置まで下降させ、保持部材 14 によりウェハ Wをチヤッキングする。そして、（c)に示すように、表面側液供給ノズル 5 を退避位置からウェハ洗浄位置に移動させる。
[0049] この状態で、（d)に示すように、モータ 3によりウェハ Wを保持部材 2および回転カツ プ 4とともに回転させながら、表面側液供給ノズル 5および裏面側液供給ノズル 6から 所定の処理液を供給してウェハ Wの洗浄処理を行う。
[0050] このウェハ洗浄処理にお!/、ては、ウェハ Wが回転された状態で、表面側液供給ノ ズル 5および裏面側液供給ノズル 6からウェハ Wの表面および裏面の中央に処理液 が供給される。これにより、処理液が遠心力によりウェハ Wの外側に広がり、その過程 で洗浄処理がなされる。そして、このように洗浄処理に供された処理液は、ウェハ W の周縁から振り切られる。この洗浄処理の際のウェハの回転数は、 200〜700rpmの 範囲であることが好ましい。また、処理液の供給量は、 0. 5~1. 5L/minであること が好ましい。
[0051] このウェハ洗浄処理においては、ウェハ Wの外側を囲繞するように設けられている カップがウェハ Wとともに回転する回転カップ 4であるから、ウェハ Wから振り切られ た処理液が回転力ップ 4に当たった際に処理液に遠心力が作用し、固定カップの場 合のような飛び散り（ミスト化）は発生し難い。そして回転カップ 4に達した処理液は下 方に導かれ、隙間 33から排液カップ 51における液収容部 56の主カップ部 56aに排 出される。一方、回転プレート 11の保持部材 14の取り付け位置には、保持部 14aを 揷入する穴が設けられているため、その部分から排液カップ 51の副カップ部 56bに 処理液が滴下される。そして、このようにして排液カップ 51に受け止められた処理液 は、その中を旋回しながら排液口 60から排液管 61を通って排出される力 回転カツ プ 4の回転にともなって外側壁部 32より排液カップ 51内に形成される旋回気流が形 成され、排液カップ 51内の処理液がこの旋回気流に随伴することにより、より高速な 旋回流となって排液口 60から排液管 61を通って排出される。このように高速な旋回 流が形成されるため処理液を短時間で排液口 60から排液管 61を通って排出させる こと力 Sでさる。
[0052] また、排気カップ 52には、その上側壁 67と回転カップ 4の庇部 31との間の環状を なす導入口 68から回転カップ 4内およびその周囲の主にガス成分が取り込まれ排気 口 70から排気管 71を通って排気される。
[0053] このようにして処理液による処理が行われた後、引き続きリンス処理が行われる。こ のリンス処理においては、従前の処理液の供給を停止した後、表面側液供給ノズノレ 5および裏面側液供給ノズル 6からウェハ Wの表裏面にリンス液として純水を供給し、 処理液による洗浄処理の場合と同様に、モータ 3によりウェハ Wを保持部材 2および 回転カップ 4とともに回転させながら、表面側液供給ノズル 5および裏面側液供給ノズ ノレ 6からウェハ Wの表面および裏面の中央にリンス液として純水が供給され、遠心力 によりウェハ Wの外方に広がる過程でウェハ Wのリンス処理がなされる。そして、この ようにリンス処理に供された純水は、ウェハ Wの周縁から振り切られる。
[0054] このようにして振り切られたリンス液としての純水は、処理液の場合と同様、回転カツ プ 4の隙間 33および保持部 14aを揷入する穴の部分力も排液カップ 51における液 収容部 56に排出され、その中を旋回ながら排液口 60から排液管 61を通って排出さ れる力 回転カップ 4の外側壁部 32よって排液カップ 51内に形成される旋回気流が 形成され、排液カップ 51内のリンス液としての純水がこの旋回気流に随伴することに より、より高速な旋回流となって排液口 60から排液管 61を通って短時間で排出され
[0055] このように、環状の排液カップ 51から短時間で処理液やリンス液を排出することが できること力、ら、複数種の処理液を使用する場合に、液置換速度を高めることができ 、また、処理液を切り替える際に 2種類の処理液が混ざった状態で排出されてしまうこ とを防止すること力できる。
[0056] リンス液としての純水によりウェハ Wのリンス処理を行う際には、上記のようにウェハ Wから振り切られた純水が排液カップ 51を旋回するので、排液カップ 51内の洗浄の 機倉をもたせること力できる。
[0057] 従来からこの種のリンス処理は、一般的に、洗浄処理の際と同程度の回転数でゥェ ハを回転させながらリンス液を供給することにより行われていた。これにより、排液カツ プ 51内の処理液が旋回した部分をリンス液も旋回し、排液カップ 51に残存した処理 液を除去することができる。 [0058] しかしながら、洗浄処理後に排液カップ 51に達した処理液は、液収容部 56におい て層流状態で流れるとは限らず、液面が波打ったり、液はねが発生する等により、図 7に示すように、液収容部 56に形成される旋回流のメインの流路よりも上の部分に処 理液の付着物 130が生じる。このため、リンス処理の際に、単に、洗浄処理と同じ回 転数でウェハ Wを回転させても排液カップ 51に付着した処理液が十分に除去できな いことが判明した。
[0059] そこで、本実施形態では、リンス液としての純水の排液カップ 51内における旋回経 路を制御する。以下、本実施形態におけるリンス処理について図 8を参照して説明す
[0060] 図 8は、基板処理装置におけるリンス処理の手順を説明するための工程断面図で ある。まず、（a)に示すように、第 1工程として、ウェハ Wの回転数を洗浄処理の際と 同じ回転数として、排液カップ 51の液収容部 56において処理液が旋回したメイン流 路の洗浄処理を行い、その部分に残存する処理液を除去する。このときのリンス液と しての純水の供給量は処理液の供給量と同じにすることが好ましい。上述のように、 洗浄処理の際の好ましいウェハの回転数は 200〜700rpmの範囲であり、好ましい 処理液の供給量は、 0. 5〜； 1. 5L/minであるから、この第 1工程においてもこれら の範囲が好ましい。具体的には、洗浄処理の際の処理液供給および第 1工程におけ るリンス液供給においては、回転数： 300rpm、供給量： 1. 5L/minが例示される。 このようなメイン流路の洗浄処理は、メイン流路に残存している処理液除去に必要な 時間継続して行われることが好ましレ、。この処理は一例として 5秒程度で可能である。
[0061] 第 1工程終了後には、 (a)に示すように、液収容部 56における外周壁 53に対応す る部分および内側壁 54に対応する部分に除去されない処理液の付着物 130が生じ ている。外周壁 53に対応する部分はより大きな遠心力が作用するため、内側壁 54に 対応する部分よりも高い位置に付着物 130が到達する。このため、第 1工程に引き続 き、このような付着物 130を確実に除去するため、第 2工程および第 3工程を実施す
[0062] まず、第 2工程においては、内側壁 54に対応する部分に残存した付着物 130を除 去する。具体的には、（b)に示すように、内側壁 54に対応する部分の付着物 130は 、あまり高くない位置に存在しているため、排液カップ 51における純水の液面を上昇 させることにより対応する。すなわち、リンス液である純水の液面を内側壁 54に対応 する部分の付着物 130が存在している位置よりも高くすることにより、その付着物 130 を除去する。このように排液カップ 51内の液面を上昇させる手段としては、ウェハ W の回転数を低下させることを挙げること力できる。このようにウェハ Wの回転数を低下 させると、回転カップ 4の外側壁部 32による旋回気流も低下して排液カップ 51を流れ る純水の旋回流の速度が低下し、排出される純水の量が少なくなるため、排液カップ 51内を旋回する純水の液面が上昇する。このときのウェハ Wの回転数は 50〜200r pmであることが好ましい。また、液面を上昇させる他の手段としては、供給する純水 の量を上昇させることを挙げること力 Sできる。これにより、排液カップ 51への純水の供 給量が増加するため、結果として液面が上昇する。この場合の純水の供給量は、第 1 工程の際の供給量の 1. 2〜2. 0倍程度が好ましい。具体的には、第 2工程における リンス液供給においては、回転数： 100rpm、供給量： 1. 5L/min、または回転数： 300rpm、供給量： 2. OL/minが例示される。このような内側壁 54に対応する部分 の付着物除去のため洗浄処理は、内側壁 54に残存している付着物除去に必要な時 間継続して行われることが好ましレ、。この処理は一例として 5秒程度で可能である。 次に、第 3工程にいては、外周壁 53に対応する部分に残存した付着物 130を除去 する。上述したように外周壁 53に対応する部分には、遠心力によりかなり高い位置ま で付着物 130が存在しているため、単にリンス液である純水の液面位置を上昇させ ただけでは除去することが困難である。このため、（c)に示すように、ウェハ Wの回転 数を第 1工程よりも上昇させることにより、外周壁 53に対応する部分の付着物 130が 存在している位置まで純水を上昇させ、付着物 130を除去する。このようにウェハ W の回転数を上昇させることにより、外周壁 53の内面に沿って純水の液面が上昇する のは、回転カップ 4の回転数の上昇にともなって周縁から離脱して外周壁 53に衝突 する際の衝撃が増加するとともに純水旋回流の速度上昇によって旋回流の遠心力が 上昇することによるものと推測される。このときのウェハ Wの回転数は 500〜1500rp mであることが好ましい。また、純水の供給量は洗浄処理の際の処理液の供給量と 同じでよぐ処理液の供給量と同様、 0. 5〜； 1. 5L/minが好ましい。具体的には、 第 3工程におけるリンス液供給においては、回転数： lOOOrpm、供給量： 1. 5L/mi nが例示される。このような外周壁 53に対応する部分の付着物除去のため洗浄処理 は、外周壁 53に残存している付着物除去に必要な時間継続して行われることが好ま しレ、。この処理は一例として 5秒程度で可能である。
[0064] このように、アルカリ薬液や酸薬液等の処理液での洗浄処理の際に、排液カップ 51 に液面波打ちや液はねによる汚染が生じても、リンス処理の際に以上の第 1工程〜 第 3工程を実施することにより、特別な洗浄機構を設けることなぐこれら付着物 130 を含めて排液カップ 51内に残存する処理液を確実に除去することができる。このた め、残存した処理液が揮発する等によりウェハ Wの乾燥性能へ悪影響を与えることを ほぼ完全に防止することができる。なお、上記第 2工程および第 3工程の順番は特に 問わず、先に第 3工程を実施した後、第 2工程を実施しても構わない。
[0065] 以上のようなリンス処理が終了した後、必要に応じて、乾燥溶媒ノズル 21から回転 しているウェハ W上に IPA等の乾燥溶媒を供給して乾燥処理を行うことができる。
[0066] 本実施形態においては、処理液として酸薬液である希フッ酸 (DHF)、アルカリ薬 液であるアンモニア過水（SC1)を供給することができ、これらの連続処理を行うことが 可能である。この際には、一方の薬液を用いて上記手順で洗浄処理を行い、次いで 、リンス処理を行い、その後、他方の薬液を用いて同様の手順で洗浄処理を行い、さ らにリンス処理を行うこととなる力 これら 2つの洗浄処理の間のリンス処理において、 最初の処理液が残存していると、上述のような処理液の揮発に加えて、次の洗浄処 理において酸とアルカリにより反応によって塩が生じ、ウェハ Wに対してより大きな悪 影響を与えることとなる。したがって、これら洗浄処理の間のリンス処理に上記第 1ェ 程〜第 3工程を含むリンス処理を適用することにより、より大きな効果を得ることができ る。もちろん、後の洗浄処理に引き続いて行われるリンス処理においても、上記第 1 工程〜第 3工程を含むリンス処理を適用することが好ましい。
[0067] 本実施形態の基板処理装置は、以上の効果に加えて以下のような効果を奏するこ とができる。すなわち、回転カップ 4が存在しているため、排液カップ 51は排液可能 な程度の極小さいものでよぐまた、排液カップ 51と排気カップ 52がそれぞれ独立し て設けられ、かつ排液および排気を別々に取り入れて排液口 60および排気口 70か ら別個に排出するので、排気 ·排液を分離するための特別の機構を設ける必要がな い。また、排液カップ 51が排気カップ 52に収容された状態で設けられているので、排 気'排液を別々に取り入れる構造でありながらスペースを小さくすることができ、結果 的に装置のフットプリントを小さくすることができる。また、排液カップ 51が排気カップ 52に収容された状態であるので、処理液のミストが排液カップ 51から漏出しても排気 カップ 52でトラップすることができ、装置外へ処理液のミストが飛散して悪影響を与え ることを防止すること力 Sできる。
[0068] 以上は、リンス処理の際に図 8に示す第 1工程〜第 3工程を適用した場合について 示したが、これに限らず、基板処理とは別個に、定期的にまたは必要に応じて、リンス 液例えば純水を用いて上記第 1工程〜第 3工程により排液カップ 51の洗浄を行うよう にすることも可能である。この場合にはウェハは洗浄する必要がないから、ダミーゥェ ハを用いて処理を行うことができる。もちろん実ウェハを用いてもよい。このような排液 カップ 51の洗浄処理動作も、記憶部 123に格納されたレシピに基づいてプロセスコ ントローラ 121によって制御される。
[0069] このようにウェハ処理から切り離して排液カップ 51の洗浄を行うことにより、より自由 度の高い洗浄を行うことができる。また、排液カップ 51の洗浄に、上記リンス処理と同 様の第 1の工程〜第 3の工程を実施することにより、特別な洗浄機構を用いることなく 、リンス処理と同じ手法で、付着物や排液カップに残存する処理液を確実に除去する こと力 Sでさる。
[0070] 排液カップ 51の洗浄に上記第 1の工程〜第 3の工程を適用する場合には、リンス 処理は上記第 1工程〜第 3工程を適用したものであってもよいし、通常の条件で行つ て、その後のカップ洗浄の際のみに第 1工程〜第 3工程を適用してもよい。
[0071] なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、 上記実施形態では、ウェハの表裏面洗浄を行う洗浄処理装置を例にとって示したが 、本発明はこれに限らず、表面のみまたは裏面のみの洗浄処理を行う洗浄処理装置 であってもよく、また、洗浄処理に限らず、他の液処理であっても構わない。さらに、 上記実施形態では被処理基板として半導体ウェハを用いた場合について示した力 液晶表示装置 (LCD)用のガラス基板に代表されるフラットパネルディスプレイ (FPD )用の基板等、他の基板に適用可能であることは言うまでもない。
産業上の利用可能性
本発明は、半導体ウェハに付着したパーティクルゃコンタミネーシヨンを除去するた めの洗浄装置に有効である。

Claims

請求の範囲
[1] 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
基板に処理液を供給する処理液供給機構と、
基板にリンス液を供給するリンス液供給機構と、
前記基板保持部に保持された基板の外側を囲繞するように設けられ、回転する基 板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外側を囲繞する 外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排液カップと、 前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理 液供給機構により基板に処理液を供給させて基板に対する処理を行わせ、その後、 同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液を供給させ てリンス処理を行わせるように、処理液の供給、リンス液の供給および基板の回転数 を制御する制御部と
を具備し、
前記制御部は、基板処理後のリンス処理を制御するにあたり、基板の回転数を基 板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給させ、その後基板の回転数を低下 させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス 液の液面を上昇させること、および基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外 周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることを実施させる、基板処理装置。
[2] 前記制御部は、基板処理の際の回転数でリンス処理を実施させた後、液面を上昇 させ、次いで前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる、請求 項 1に記載の基板処理装置。
[3] 前記制御部は、基板処理の際の回転数でリンス処理を実施させた後、前記排液力 ップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させ、次いで液面を上昇させる、請求 項 1に記載の基板処理装置。
[4] 前記制御部は、基板処理の際の基板の回転数を 200〜700rpmに制御し、前記 液面を上昇させる工程の際の基板の回転数を 50〜200rpmに制御し、前記排液力 ップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる際の基板の回転数を 500〜； 150 Orpmに制御する、請求項 1に記載の基板処理装置。
[5] 前記基板保持部に保持された基板を囲繞し、前記基板保持部および基板とともに 回転し、基板を回転した際に基板から振り切られた処理液またはリンス液を受けて前 記排液カップに導く回転カップをさらに具備する、請求項 1に記載の基板処理装置。
[6] 前記処理液供給機構は第 1の処理液と第 2の処理液を供給し、
前記制御部は、前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させ ながら前記処理液供給機構により基板に第 1の処理液を供給させて基板に対する第 1の処理を行わせ、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構によ り基板にリンス液を供給させて第 1のリンス処理を行わせ、その後、同様に基板を回 転させながら前記処理液供給機構により基板に第 2の処理液を供給させて基板に対 する第 2の処理を行わせ、さらに、その後、同様に基板を回転させながら前記リンス 液供給機構により基板にリンス液を供給させて第 2のリンス処理を行わせるように、第 1および第 2の処理液の供給、リンス液の供給および基板の回転数を制御し、 少なくとも第 1のリンス処理を制御するにあたり、基板の回転数を基板処理の際の回 転数に制御しつつリンス液を供給させ、その後基板の回転数を低下させるまたはリン ス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液の液面を上昇 させること、および基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液 の到達位置を上昇させることを実施させる、請求項 1に記載の基板処理装置。
[7] 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を 回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス 液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保持された基板の外側を囲繞 するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液 し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを 有する環状の排液カップとを具備する基板処理装置を用いて基板処理を行う基板処 理方法であって、
前記回転機構により前記基板保持部に保持された基板を回転させながら前記処理 液供給機構により基板に処理液を供給して基板に対する処理を行うことと、
その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液 を供給してリンス処理を行うことと
を含み、
前記リンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、 基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排 液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上 昇させることとを含む、基板処理方法。
[8] 前記処理液供給機構は第 1の処理液と第 2の処理液を供給するように構成され、 前記処理液を供給して基板に対する処理を行うことは、基板に第 1の処理液を供給 して基板に対する第 1の処理を行うことと、基板に第 2の処理液を供給して基板に対 する第 2の処理を行うこととを含み、
前記リンス処理を行うことは、前記第 1の処理の後に行われる第 2のリンス処理と、前 記第 2の処理の後に行われる第 2のリンス処理とを含み、
少なくとも前記第 1のリンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、 基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排 液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上 昇させることとを含む、請求項 7に記載の基板処理方法。
[9] 前記第 2のリンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、 基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排 液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上 昇させることとを含む、請求項 8に記載の基板処理方法。
[10] 基板処理の際の回転数でリンス処理を行った後、液面を上昇させ、次いで前記排 液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させる、請求項 7に記載の基板処 理方法。
[11] 基板処理の際の回転数でリンス処理を行った後、前記排液カップの外周壁へのリ ンス液の到達位置を上昇させ、次いで液面を上昇させる、請求項 7に記載の基板処 理方法。
[12] 基板処理の際の基板の回転数を 200〜700rpmとし、液面を上昇させる際の基板 の回転数を 50〜200rpmとし、排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇 させる際の基板の回転数を 500〜； 1500rpmとする、請求項 7に記載の基板処理方 法。
[13] 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を 回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス 液を供給するリンス液供給機構と、前記基板保持部に保持された基板の外側を囲繞 するように設けられ、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液 し、基板の端面外側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを 有する環状の排液カップとを具備し、前記基板保持部に保持された基板を前記回転 機構により回転させながら、前記処理液供給機構から処理液を基板に供給して基板 処理を行う基板処理装置にお!/、て、前記排液カップを洗浄する排液カップの洗浄方 法であって、
前記基板保持部に基板またはダミー基板を保持させることと、
前記基板またはダミー基板を回転させつつ前記基板またはダミー基板にリンス液を 供給し、基板またはダミー基板から振り切られたリンス液により前記排液カップの処理 液流路をリンスすることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも前記基板またはダミー基板の回転数を低下さ せるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液 の液面を上昇させることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも基板またはダミー基板の回転数を上昇させて 前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることと
を含む、排液カップの洗浄方法。
[14] 前記処理液流路をリンスした後、液面を上昇させ、次!/、で前記排液カップの外周壁 へのリンス液の到達位置を上昇させる、請求項 13に記載の排液カップの洗浄方法。
[15] 前記処理液流路をリンスした後、前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置 を上昇させ、次いで液面を上昇させる、請求項 13に記載の排液カップの洗浄方法。
[16] 前記処理液流路をリンスする際の基板の回転数を 50〜700rpmとし、前記液面を 上昇させる際の基板の回転数を 50〜200rpmとし、前記排液カップの外周壁へのリ ンス液の到達位置を上昇させる際の基板の回転数を 500〜； 1500rpmとする、請求 項 13に記載の排液カップの洗浄方法。
[17] 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を 回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス 液を供給するリンス液供給機構と、前記回転カップの外側を囲繞するように設けられ 、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外 側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排 液カップとを具備する基板処理装置を制御するためのコンピュータ上で動作する制 御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、前記回転機構により前記基板保持部に保持さ れた基板を回転させながら前記処理液供給機構により基板に処理液を供給して基 板に対する処理を行うことと、
その後、同様に基板を回転させながら前記リンス液供給機構により基板にリンス液 を供給してリンス処理を行うことと
を含み、
前記リンス処理は、
基板の回転数を基板処理の際の回転数に制御しつつリンス液を供給することと、 基板の回転数を低下させるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排 液カップにおけるリンス液の液面を上昇させることと、
基板の回転数を上昇させて前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上 昇させることとを含む、基板処理方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理 装置を制御させる、記憶媒体。
[18] 基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、前記基板保持部を 回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板にリンス 液を供給するリンス液供給機構と、前記回転カップの外側を囲繞するように設けられ 、回転する基板から飛散する処理液またはリンス液を受けて排液し、基板の端面外 側を囲繞する外周壁と基板の端部の下方側を囲繞する内側壁とを有する環状の排 液カップとを具備する基板処理装置において前記排液カップの洗浄処理を行うため のコンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記 憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、前記基板保持部に基板またはダミー基板を保 持させることと、
前記基板またはダミー基板を回転させつつ前記基板またはダミー基板にリンス液を 供給し、基板またはダミー基板から振り切られたリンス液により前記排液カップの処理 液流路をリンスすることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも前記基板またはダミー基板の回転数を低下さ せるまたはリンス液の供給量を増加させることにより前記排液カップにおけるリンス液 の液面を上昇させることと、
前記処理液流路をリンスする際よりも基板またはダミー基板の回転数を上昇させて 前記排液カップの外周壁へのリンス液の到達位置を上昇させることと
を含む、排液カップの洗浄方法が行われるように、コンピュータに前記基板処理装置 を制御させる、記憶媒体。
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