JP2018117006A - 基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板を効率的に処理しつつカップ内を効果的に洗浄する。
【解決手段】基板処理方法は、カップの内側に基板が配置された状態で、基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに、基板の回転数が第１の回転数と当該第１の回転数とは異なる第２の回転数との間で変化するように基板を回転させつつ、カップに取り付けられたリンス液ノズルから基板の裏面で且つ周縁部にリンス液を供給させることにより、裏面に供給されたリンス液を利用して、カップのうちリンス液ノズルの周辺領域と、カップのうち周辺領域よりも外側の領域との双方を洗浄する工程を含む。
【選択図】図６

Description

本開示は、基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
現在、基板（例えば、半導体ウェハ）の微細加工を行うに際し、加工対象の基板の事前処理が行われている。当該事前処理の一つとして、特許文献１は、基板の周縁部に種々の薬液及びリンス液を供給することにより、当該周縁部に付着している付着物（例えば、レジスト膜、汚染物、酸化膜など）を除去する（例えば、エッチングする）液処理装置を開示している。当該装置は、基板を保持しつつ回転させる回転駆動部と、基板に薬液又はリンス液を供給するノズルと、回転駆動部によって保持される基板の周囲を取り囲むと共にノズルから基板に供給された後の液体を受けるカップとを備える。カップの底部には排液孔が設けられており、カップが受けた液体は排液孔を通じて排液として装置の外部に排出される。
特開２０１３−１２８０１５号公報
ところで、基板の周縁部に付着している付着物の種類又は基板の周縁部に供給される薬液の種類によっては、液中に含まれる固形物がカップに付着して堆積してしまう可能性がある。この場合、カップに堆積した固形物がパーティクル（異物）となって基板に付着し、装置の汚染に繋がりうるので、カップ内の固形物を洗浄により除去する必要がある。しかしながら、カップ内に残留する固形物は基板の裏面側にも存在しており、この基板の裏面側における領域を含めて効果的且つ効率的にカップ内を洗浄する手法が求められていた。
そこで、本開示は、基板を効率的に処理しつつカップ内を効果的に洗浄することが可能な基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体を説明する。
本開示の一つの観点に係る基板処理装置は、基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、基板の裏面で且つ周縁部にリンス液を供給するように構成されており基板の裏面側に位置する少なくとも一つのリンス液ノズルを有する液供給部と、リンス液ノズルが取り付けられており、基板に供給される液体を受けるカップと、制御部とを備える。制御部は、カップの内側に前記基板が配置された状態で回転保持部及び液供給部を制御して、回転保持部による基板の回転数を第１の回転数と当該第１の回転数とは異なる第２の回転数との間で変化させつつ、リンス液ノズルからリンス液を裏面で且つ周縁部に供給させることにより、裏面に供給されたリンス液を利用して、カップのうちリンス液ノズルの周辺領域と、カップのうち周辺領域よりも外側の領域との双方を洗浄する第１の処理を実行する。
本開示の他の観点に係る基板処理方法は、カップの内側に基板が配置された状態で、基板の表面に直交する方向に延びている回転軸の周りに、基板の回転数が第１の回転数と当該第１の回転数とは異なる第２の回転数との間で変化するように基板を回転させつつ、カップに取り付けられたリンス液ノズルから基板の裏面で且つ周縁部にリンス液を供給させることにより、裏面に供給されたリンス液を利用して、カップのうちリンス液ノズルの周辺領域と、カップのうち周辺領域よりも外側の領域との双方を洗浄する第１の工程を含む。
本開示に係る基板処理装置、基板処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体によれば、基板を効率的に処理しつつカップ内を効果的に洗浄することが可能となる。
図１は、基板処理システムを概略的に示す平面図である。 図２は、処理ユニットを示す図である。 図３は、回転保持部及びカップを示す平面図である。 図４（ａ）はカップの左側に位置する各ノズルを示す斜視図であり、図４（ｂ）はカップの右側に位置する各ノズルを示す斜視図である。 図５は、図３のＶ−Ｖ線断面図である。 図６は、リンスの処理手順を説明するためのフローチャートである。 図７は、リンスの処理手順を説明するための概略図である。
以下に説明される本開示に係る実施形態は本発明を説明するための例示であるので、本発明は以下の内容に限定されるべきではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
［基板処理システムの構成］
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
［基板処理装置の構成］
続いて、図２〜図５を参照して、基板処理システム１が含む基板処理装置１０の構成を説明する。基板処理装置１０は、表面に膜Ｆが形成されたウェハＷ（基板）を処理対象とし、ウェハＷの周縁部Ｗｃ（周縁の近傍部分）から膜Ｆを除去する処理を行う。
ウェハＷは、円板状を呈してもよいし、多角形など円形以外の板状を呈していてもよい。ウェハＷは、一部が切り欠かれた切り欠き部を有していてもよい。切り欠き部は、例えば、ノッチ（Ｕ字形、Ｖ字形等の溝）であってもよいし、直線状に延びる直線部（いわゆる、オリエンテーション・フラット）であってもよい。ウェハＷは、例えば、半導体基板、ガラス基板、マスク基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）基板その他の各種基板であってもよい。ウェハＷの直径は、例えば２００ｍｍ〜４５０ｍｍ程度であってもよい。膜Ｆの具体例としては、例えば、ＴｉＮ膜、Ａｌ膜、タングステン膜、ＳｉＮ膜、ＳｉＯ２膜、ポリシリコン膜、熱酸化膜（Ｔｈ−Ｏｘ）等が挙げられる。
基板処理装置１０は、処理ユニット１６と、これを制御する制御装置４とを備える。処理ユニット１６は、回転保持部２１と、液供給部２２〜２５と、温調部２６と、カップ２７とを有する。また、処理ユニット１６は図示しない送風機を有しており、当該送風機によって処理ユニット１６内にダウンフローが形成される。
回転保持部２１は、ウェハＷを保持して回転させる。回転保持部２１は、保持部２１ａと、回転駆動部２１ｂとを有する。保持部２１ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、例えば真空吸着等によりウェハＷの中心部を略水平に保持する。回転駆動部２１ｂは、例えば電動モータ等を動力源としたアクチュエータであり、保持部２１ａに接続されている。回転駆動部２１ｂは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、鉛直方向に沿って延びる回転軸Ａｘ周りに保持部２１ａを回転させる。すなわち、回転保持部２１は、ウェハＷの姿勢が略水平の状態で、ウェハＷの表面Ｗａに対して垂直な軸（回転軸Ａｘ）周りでウェハＷを回転させる。
本実施形態では、回転軸Ａｘは、円形状を呈するウェハＷの中心を通っているので、ウェハＷの中心軸でもある。本実施形態では、図３に示されるように、回転保持部２１は、上方から見て時計回り又は反時計回りにウェハＷを所定の回転数で回転させる。ウェハＷの回転数は、例えば、１０ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍ程度であってもよい。
液供給部２２は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも左側で且つウェハＷの周縁部Ｗｃの上方）において、ウェハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２２は、薬液源２２ａと、リンス液源２２ｂと、ノズルＮ１，Ｎ２を保持するノズルユニット２２ｃと、駆動機構２２ｄとを含む。
薬液源２２ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、膜Ｆを溶解させるための薬液をノズルＮ１に供給する。そのため、ノズルＮ１からは薬液がウェハＷの表面Ｗａ側に吐出される。薬液源２２ａは、例えば、図示しない薬液タンクと、薬液タンクから薬液を圧送するポンプと、薬液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。
薬液としては、例えば、アルカリ性の薬液、酸性の薬液等が挙げられる。アルカリ性の薬液としては、例えば、ＳＣ−１液（アンモニア、過酸化水素及び純水の混合液）、過酸化水素水等が挙げられる。酸性の薬液としては、例えば、ＳＣ−２液（塩酸、過酸化水素及び純水の混合液）、ＨＦ液（フッ酸）、ＤＨＦ液（希フッ酸）、ＨＮＯ３＋ＨＦ液（硝酸及びフッ酸の混合液）等が挙げられる。
リンス液源２２ｂは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、薬液及び膜Ｆの溶解成分を洗い流すためのリンス液をノズルＮ２に供給する。そのため、ノズルＮ２からはリンス液がウェハＷの表面Ｗａ側に吐出される。リンス液源２２ｂは、例えば、図示しないリンス液タンクと、リンス液タンクからリンス液を圧送するポンプと、リンス液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。
リンス液としては、例えば純水（DIW：deionized water）等が挙げられる。
駆動機構２２ｄは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、ノズルユニット２２ｃを水平方向（ウェハＷの径方向）に移動させる。
液供給部２３は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも右側で且つウェハＷの周縁部Ｗｃの上方）において、ウェハＷの表面Ｗａで且つ周縁部Ｗｃに薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２３は、薬液源２３ａと、リンス液源２３ｂと、ノズルＮ３，Ｎ４を保持するノズルユニット２３ｃと、駆動機構２３ｄとを含む。薬液源２３ａ、リンス液源２３ｂ、ノズルユニット２３ｃ及び駆動機構２３ｄの構成は薬液源２２ａ、リンス液源２２ｂ、ノズルユニット２２ｃ及び駆動機構２２ｄの構成と同様であるので、これらの説明を省略する。ただし、本実施形態では、ノズルＮ３からは薬液がウェハＷの表面Ｗａ側に吐出され、ノズルＮ４からはリンス液がウェハＷの表面Ｗａ側に吐出される。
液供給部２４は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも左側で且つウェハＷの周縁部Ｗｃの下方）において、ウェハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃに薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２４は、薬液源２４ａと、リンス液源２４ｂと、ノズルＮ５〜Ｎ８とを含む。
薬液源２４ａは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、膜Ｆを溶解させるための薬液をノズルＮ５〜Ｎ７（薬液ノズル）に供給する。そのため、ノズルＮ５〜Ｎ７からは薬液がウェハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。薬液源２４ａは、例えば、図示しない薬液タンクと、薬液タンクから薬液を圧送するポンプと、薬液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。
リンス液源２４ｂは、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、薬液及び膜Ｆの溶解成分を洗い流すためのリンス液をノズルＮ８（リンス液ノズル）に供給する。そのため、ノズルＮ８からはリンス液がウェハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。リンス液源２４ｂは、例えば、図示しないリンス液タンクと、リンス液タンクからリンス液を圧送するポンプと、リンス液の流通のＯＮ／ＯＦＦを制御するバルブとを含んでもよい。
液供給部２５は、所定の処理位置（図２において回転保持部２１よりも右側で且つウェハＷの周縁部Ｗｃの下方）において、ウェハＷの裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃに薬液及びリンス液を供給するように構成されている。液供給部２５は、薬液源２５ａと、リンス液源２５ｂと、ノズルＮ９〜Ｎ１２とを含む。薬液源２５ａ、リンス液源２５ｂ及びノズルユニット２５ｃの構成は薬液源２４ａ、リンス液源２４ｂ及びノズルユニット２４ｃの構成と同様であるので、これらの説明を省略する。ただし、本実施形態では、ノズルＮ９，Ｎ１０（薬液ノズル）からは薬液がウェハＷの裏面Ｗｂ側に吐出され、ノズルＮ１１，Ｎ１２（リンス液ノズル）からはリンス液がウェハＷの裏面Ｗｂ側に吐出される。
温調部２６は、制御装置４からの動作信号に基づいて動作し、ウェハＷを加熱するように構成されている。温調部２６は、本体２６ａと、ガス源２６ｂとを含む。本体２６ａには、抵抗加熱ヒータ等の加熱源が埋設されている。本体２６ａは、環状を呈しており、回転保持部２１を取り囲んでいる。そのため、本体２６ａは、回転保持部２１にウェハＷが保持された状態において、ウェハＷの裏面Ｗｂ側に位置する。
ガス源２６ｂは、窒素等の不活性ガスを本体２６ａに供給する。ガス源２６ｂから本体２６ａ内に供給された不活性ガスは、本体２６ａ内の加熱源によって加熱された後、本体２６ａの吐出口からウェハＷの裏面Ｗｂに向けて吹き付けられる。これにより、ウェハＷが所定温度（例えば、５０℃〜８０℃程度）に維持される。従って、ウェハＷに供給された薬液による膜Ｆの除去処理が促進される。
カップ２７は、液供給部２２〜２５（ノズルＮ１〜Ｎ１２）から供給された薬液及びリンス液を受ける機能を有する。カップ２７は、図２、図３及び図５に示されるように、底壁２７ａと、内周壁２７ｂと、外周壁２７ｃと、仕切壁２７ｄと、斜壁２７ｅとで構成されている。
底壁２７ａは、回転保持部２１を取り囲む円環状を呈している。底壁２７ａは、温調部２６の下方に位置している。内周壁２７ｂは、温調部２６を取り囲む段付きの円筒状を呈している。内周壁２７ｂは、底壁２７ａの上面から上方に向けて延びている。
外周壁２７ｃは、回転保持部２１に保持されたウェハＷ及び内周壁２７ｂを取り囲む円筒状を呈している。外周壁２７ｃは、底壁２７ａの外周縁から上方に向けて延びている。外周壁２７ｃの上端側の内壁面は、上方に向かうにつれて内側（回転保持部２１側）に傾斜している。
仕切壁２７ｄは、円筒状を呈しており、底壁２７ａの上面から上方に向けて延びている。仕切壁２７ｄの高さは、内周壁２７ｂの高さよりも低い。仕切壁２７ｄは、内周壁２７ｂと外周壁２７ｃとの間で且つ回転保持部２１に保持されたウェハＷの周縁部Ｗｃよりも外方に位置している。仕切壁２７ｄには、その周方向に沿って並ぶ複数の貫通孔２７ｆが設けられている。
底壁２７ａのうち外周壁２７ｃと仕切壁２７ｄとの間の領域には、図示しない排液管が接続されている。当該排液管からは、液供給部２２〜２５（ノズルＮ１〜Ｎ１２）から供給された薬液及びリンス液が外部に排出される。底壁２７ａのうち内周壁２７ｂと仕切壁２７ｄとの間の領域には、図示しない排気管が接続されている。当該排気管からは、送風機によって形成されたダウンフローが、仕切壁２７ｄの貫通孔２７ｆを通じて、底壁２７ａ、内周壁２７ｂ、仕切壁２７ｄ及び斜壁２７ｅで囲まれる空間内に流入し、排気管から外部に排出される。
斜壁２７ｅは、内周壁２７ｂの上端部と仕切壁２７ｄの上端部とを接続している。そのため、斜壁２７ｅは、外側に向かうにつれて下方に傾斜している。斜壁２７ｅのうち回転保持部２１側の領域は、回転保持部２１に保持されたウェハＷの裏面Ｗｂのうち周縁部Ｗｃ寄りの領域と対向している。斜壁２７ｅのうち外周壁２７ｃ側の領域は、回転保持部２１に保持されたウェハＷよりも外方に位置している。
斜壁２７ｅには、ノズルＮ５〜Ｎ１２が取り付けられている。具体的には、ノズルＮ５〜Ｎ８は、斜壁２７ｅのうち図３において回転保持部２１よりも左下側に位置している。ノズルＮ５〜Ｎ８は、上方から見て時計回りである正回転方向Ａｒ１（第１の方向）にウェハＷが回転する場合に使用される。ノズルＮ５，Ｎ６の吐出口は、図３及び図４（ａ）に示されるように、正回転方向Ａｒ１に関して下流側（図３の左上側）に向けて斜め上方（図４（ａ）の矢印Ａｒ３方向）に開口している。ノズルＮ７，Ｎ８の吐出口は、鉛直上方（図４（ａ）の矢印Ａｒ４方向）に向けて開口している。
ノズルＮ５〜Ｎ８は、正回転方向Ａｒ１に関してこの順に下流側から上流側に並んでいる。そのため、ノズルＮ８は、ノズルＮ５〜Ｎ７の近傍において、正回転方向Ａｒ１に関してノズルＮ５〜Ｎ７よりも上流側に位置している。ノズルＮ７，Ｎ８は、ウェハＷの径方向においてノズルＮ５，Ｎ６よりも回転軸Ａｘ寄りに位置している。
ノズルＮ９〜Ｎ１２は、斜壁２７ｅのうち図３において回転保持部２１よりも右下側に位置している。ノズルＮ９〜Ｎ１２は、図３及び図４（ｂ）に示されるように、上方から見て反時計回りである逆回転方向Ａｒ２（第２の方向）にウェハＷが回転する場合に使用される。ノズルＮ９〜Ｎ１１の吐出口は、逆回転方向Ａｒ２に関して下流側（図３の右上側）に向けて斜め上方（図４（ｂ）の矢印Ａｒ５方向）に開口している。ノズルＮ１２の吐出口は、鉛直上方（図４（ｂ）の矢印Ａｒ６方向）に向けて開口している。
ノズルＮ９〜Ｎ１２は、逆回転方向Ａｒ２（第２の方向）に関してこの順に下流側から上流側に並んでいる。そのため、ノズルＮ１１，Ｎ１２は、ノズルＮ９，Ｎ１０の近傍において、逆回転方向Ａｒ２に関してノズルＮ９，Ｎ１０よりも上流側に位置している。ノズルＮ１２は、ウェハＷの径方向においてノズルＮ９〜Ｎ１２よりも回転軸Ａｘ寄りに位置している。
［制御部の構成］
制御部１８は、図２に示されるように、機能モジュールとして、処理部１８ａ及び指示部１８ｂを含む。処理部１８ａは、各種データを処理する。処理部１８ａは、例えば、記録媒体ＲＭから読み取られることにより記憶部１９に記憶されているプログラムに基づいて、処理ユニット１６（例えば、回転保持部２１、液供給部２２〜２５、温調部２６等）を動作させるための動作信号を生成する。指示部１８ｂは、処理部１８ａにおいて生成された動作信号を各種装置に送信する。本明細書において、コンピュータ読み取り可能な記録媒体には、一時的でない有形の媒体（non-transitory computer recordingmedium）（例えば、各種の主記憶装置又は補助記憶装置）や、伝播信号（transitory computer recording medium）（例えば、ネットワークを介して提供可能なデータ信号）が含まれる。
本実施形態では、基板処理装置１０は、一つの制御装置４を備えているが、複数の制御装置４で構成されるコントローラ群（制御部）を備えていてもよい。基板処理装置１０がコントローラ群を備えている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つの制御装置４によって実現されていてもよいし、２個以上の制御装置４の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４が複数のコンピュータ（回路４Ａ）で構成されている場合には、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのコンピュータ（回路４Ａ）によって実現されていてもよいし、２つ以上のコンピュータ（回路４Ａ）の組み合わせによって実現されていてもよい。制御装置４は、複数のプロセッサ４Ｂを有していてもよい。この場合、上記の機能モジュールがそれぞれ、一つのプロセッサ４Ｂによって実現されていてもよいし、２つ以上のプロセッサ４Ｂの組み合わせによって実現されていてもよい。
［ウェハ処理方法］
続いて、上記の処理ユニット１６によってウェハＷを処理する方法について、図６及び図７を参照して説明する。まず、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを回転保持部２１に保持させる（図６のステップＳ１参照）。
次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを所定の回転数で且つ逆回転方向Ａｒ２で回転させる。このときの回転数は、例えば、数１０ｒｐｍ（例えば１０ｒｐｍ程度）〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、１０００ｒｐｍ程度であってもよい。この状態で、制御装置４は、液供給部２３及び液供給部２５を制御して、ノズルＮ３から薬液をウェハＷの表面Ｗａに供給させると共に、ノズルＮ９，Ｎ１０の一方から薬液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給させる（図６のステップＳ２参照）。薬液の流量は、例えば、１０ｍｌ／ｓｅｃ〜５０ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよいし、１０ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよい。薬液の供給時間は、膜Ｆの厚さに応じて種々の値に設定しうるが、例えば、５秒〜３００秒程度であってもよいし、３０秒程度であってもよい。これにより、ウェハＷの表面Ｗａ及び裏面Ｗｂのうち周縁部Ｗｃ近傍の領域と周縁部Ｗｃとから、膜Ｆが除去される。このとき、ノズルＮ９，Ｎ１０からは、同じ種類の薬液が供給されてもよいし、異なる種類の薬液が供給されてもよい。
次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを所定の回転数で且つ逆回転方向Ａｒ２で回転させる。このときの回転数は、例えば、数１０ｒｐｍ（例えば１０ｒｐｍ程度）〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、１０００ｒｐｍ程度であってもよい。この状態で、制御装置４は、液供給部２３及び液供給部２５を制御して、ノズルＮ４からリンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給させると共に、ノズルＮ１１，Ｎ１２の少なくとも一方からリンス液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給させる（図６のステップＳ３参照）。リンス液の流量は、例えば、１０ｍｌ／ｓｅｃ〜１００ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよいし、１０ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよい。リンス液の供給時間は、例えば、５秒〜６０秒程度であってもよいし、３０秒程度であってもよい。これにより、ウェハＷのリンスが行われる。
次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを所定の回転数で且つ逆回転方向Ａｒ２で回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２３及び液供給部２５を制御して、ノズルＮ４からリンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給させると共に、ノズルＮ１１，Ｎ１２の少なくとも一方からリンス液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給させる（図６のステップＳ４参照）。リンス液の流量は、例えば、１０ｍｌ／ｓｅｃ〜１００ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよい。リンス液の供給時間は、例えば、５秒〜６０秒程度であってもよいし、３０秒程度であってもよい。
このとき、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、リンス液の供給開始時から供給終了時までの間、ウェハＷの回転数を変化させる。リンス液の供給開始時におけるウェハＷの回転数は、例えば、１０ｒｐｍ〜１００ｒｐｍ程度であってもよい。リンス液の供給終了時におけるウェハＷの回転数は、例えば、１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、２０００ｒｐｍ程度であってもよい。リンス液の供給開始時から供給終了時までの間において、ウェハＷの回転加速度は、例えば、１０ｒｐｍ／ｓｅｃ〜１００ｒｐｍ／ｓｅｃ程度であってもよいし、５０ｒｐｍ／ｓｅｃ程度であってもよい。
この場合、リンス液が供給開始された当初は、ウェハＷが低回転数で回転しているので、ノズルＮ１１，Ｎ１２の一方からウェハＷの裏面Ｗｂに供給されて跳ね返ったリンス液（跳ね返り液）には遠心力がそれほど作用しない。そのため、跳ね返り液は、図７（ａ）に示されるようにノズルＮ１１，Ｎ１２の近傍に落下する。従って、主として、斜壁２７ｅのうち回転保持部２１側の領域がリンス液によって洗浄される。
その後、ウェハＷの回転数が高くなると、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されたリンス液に作用する遠心力が大きくなる。そのため、当該リンス液は、図７（ｂ）に示されるように、ウェハＷの径方向においてノズルＮ１１，Ｎ１２から離れた位置に落下する。従って、主として、斜壁２７ｅのうち外周壁２７ｃ側の領域及び外周壁２７ｃの内壁面のうち下側の領域がリンス液によって洗浄される。
その後、ウェハＷの回転数がさらに高くなりリンス液の供給終了に近づくと、ウェハＷが高回転数で回転しているで、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されたリンス液には遠心力が大きく作用する。そのため、当該リンス液は、ウェハＷの外周縁近傍から振り切られ、図７（ｃ）に示されるように、外周壁２７ｃの内壁面まで到達する。従って、主として、外周壁２７ｃの内壁面のうち上側の領域が、ウェハＷから振り切られたリンス液（振り切り液）によって洗浄される。これにより、カップ２７内の広い範囲がリンス液によって洗浄される。
次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを所定の回転数で且つ正回転方向Ａｒ１で回転させる。このときの回転数は、例えば、数１０ｒｐｍ（例えば１０ｒｐｍ程度）〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、１０００ｒｐｍ程度であってもよい。この状態で、制御装置４は、液供給部２３及び液供給部２５を制御して、ノズルＮ４からリンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給させると共に、ノズルＮ１１，Ｎ１２の少なくとも一方からリンス液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給させる（図６のステップＳ５参照）。リンス液の流量は、例えば、１０ｍｌ／ｓｅｃ〜５０ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよいし、１０ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよい。リンス液の供給時間は、例えば、５秒〜６０秒程度であってもよいし、３０秒程度であってもよい。これにより、ウェハＷのリンスが再度行われる。
次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを所定の回転数で且つ正回転方向Ａｒ１で回転させる。この状態で、制御装置４は、液供給部２３及び液供給部２５を制御して、ノズルＮ４からリンス液をウェハＷの表面Ｗａに供給させると共に、ノズルＮ１１，Ｎ１２の少なくとも一方からリンス液をウェハＷの裏面Ｗｂに供給させる（図６のステップＳ６参照）。リンス液の流量は、例えば、１０ｍｌ／ｓｅｃ〜１００ｍｌ／ｓｅｃ程度であってもよい。リンス液の供給時間は、例えば、５秒〜６０秒程度であってもよいし、３０秒程度であってもよい。
このときも、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、リンス液の供給開始時から供給終了時までの間、ウェハＷの回転数を変化させる。リンス液の供給開始時におけるウェハＷの回転数は、例えば、数１０ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、１０ｒｐｍ程度であってもよい。リンス液の供給終了時におけるウェハＷの回転数は、例えば、１０００ｒｐｍ〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、２０００ｒｐｍ程度であってもよい。リンス液の供給開始時から供給終了時までの間において、ウェハＷの回転加速度は、例えば、１０ｒｐｍ／ｓｅｃ〜１００ｒｐｍ／ｓｅｃ程度であってもよいし、５０ｒｐｍ／ｓｅｃ程度であってもよい。これにより、カップ２７内の広い範囲がリンス液によって再度洗浄される。
なお、上記のステップＳ２〜Ｓ６と同様の手順にて、正回転方向Ａｒ１でウェハＷを回転させつつ液供給部２２，２４から薬液及びリンス液をウェハＷに供給してもよい。正回転方向Ａｒ１でウェハＷが回転している場合におけるウェハＷへの薬液及びリンス液の供給処理と、逆回転方向Ａｒ２でウェハＷが回転している場合におけるウェハＷへの薬液及びリンス液の供給処理とは、どちらが先に行われてもよい。
次に、制御装置４は、回転保持部２１を制御して、ウェハＷを所定の回転数で回転させる（図６のステップＳ７参照）。このときの回転数は、例えば、数１０ｒｐｍ（例えば１０ｒｐｍ程度）〜３０００ｒｐｍ程度であってもよいし、２０００ｒｐｍ程度であってもよい。このときの回転方向は、正回転方向Ａｒ１でもよいし、逆回転方向Ａｒ２でもよい。これにより、ウェハＷの乾燥が行われる。以上により、ウェハＷの処理が終了する。
［作用］
以上のような本実施形態では、ウェハＷの回転数が低回転数と高回転数との間で変化している。そのため、その変化の間に裏面Ｗｂで且つ周縁部Ｗｃにリンス液が供給されると、リンス液に作用する遠心力の変化に伴い、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されたリンス液が裏面Ｗｂからカップ２７に到達する位置が変化する。例えば、ウェハＷの回転数の変化に伴い、跳ね返り液、振り切り液等が到達する斜壁２７ｅ上の位置又は外周壁２７ｃ上の位置が変化する。従って、ウェハＷをリンス液でリンス処理しながら、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されたリンス液によりカップ２７内の広い範囲が洗浄される。従って、ウェハＷを効率的に処理しつつカップ２７内を効果的に洗浄することが可能となる。
具体的には、ウェハＷが低回転数で回転しているときは、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されて跳ね返ったリンス液（跳ね返り液）はリンス液ノズルの周辺領域に落下する。当該周辺領域は、例えば、平面視においてウェハＷにより隠れてしまう斜壁２７ｅの領域（図３参照）であり、従来ではリンス液が届きにくく洗浄が困難であった領域である。そのため、本実施形態によれば、従来洗浄が困難であった当該周辺領域についても効果的に洗浄することができる。
一方、ウェハＷが高回転数で回転しているときは、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されて振り切られたリンス液（振り切り液）は上記周辺領域よりも外側の領域に落下又は衝突する。当該外側領域は、例えば、平面視においてウェハＷにより隠れない斜壁２７ｅの領域（図３参照）及び外周壁２７ｃの内壁面のうち下側の領域（図５参照）である。比較的高回転で回転しているウェハＷにリンス液が供給されるので、振り切り液には相対的に大きな遠心力が作用する。そのため、振り切り液は比較的大きな運動エネルギーをもって当該外側領域に達するので、当該外側領域において高い洗浄効果が得られる。
本実施形態では、ウェハＷの回転数を低回転数から高回転数へと所定の加速度で漸次変化させている。そのため、跳ね返り液がカップ２７に到達する位置が一定方向に移動する。従って、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されたリンス液がカップ２７内に均一に供給されやすくなる。その結果、カップ２７内をより効果的に洗浄することが可能となる。
本実施形態では、まず、所定の回転数でウェハＷの周縁部Ｗｃをリンス処理し（ステップＳ２，Ｓ５）、その後、ウェハＷの回転数をウェハＷのリンス処理時の回転数よりも低い低回転数から高回転数へと変化させている。そのため、まず、ウェハＷの裏面Ｗｂがリンス液によって洗浄された後、ウェハＷの回転数が低回転数から高回転数に変化する過程でカップ２７内が洗浄される。従って、ウェハＷ及びカップ２７の双方を一連のリンス処理において洗浄することができる。その結果、ウェハＷをより効率的に処理しつつカップ２７内を効果的に洗浄することが可能となる。
本実施形態では、ウェハＷの回転数を低回転数と高回転数との間で変化させ、さらに、ウェハＷの回転方向を正回転方向Ａｒ１と逆回転方向Ａｒ２との間で変化させている。そのため、ウェハＷの回転方向が変化するので、ウェハＷの裏面Ｗｂに供給されたリンス液がウェハＷの周方向においてカップ２７内に行き渡りやすくなる。従って、カップ２７内をさらに効率的に洗浄することが可能となる。
本実施形態では、リンス液ノズルとして機能するノズルＮ８が、薬液ノズルとして機能するノズルＮ５〜Ｎ８の近傍において、正回転方向Ａｒ１に関してノズルＮ５〜Ｎ８の上流側に位置している。同様に、リンス液ノズルとして機能するノズルＮ１１，Ｎ１２が、薬液ノズルとして機能するノズルＮ９，Ｎ１０の近傍において、逆回転方向Ａｒ２に関してノズルＮ９，Ｎ１０の上流側に位置している。そのため、ウェハＷに薬液が付着していても、その上流側から当該薬液がリンス液によって洗い流される。従って、ウェハＷを効果的に洗浄することが可能となる。
本実施形態では、リンス液ノズルとして機能するノズルＮ８が、薬液ノズルとして機能するノズルＮ５，Ｎ６よりも回転保持部２１寄りに位置している。同様に、リンス液ノズルとして機能するノズルＮ１１，Ｎ１２が、薬液ノズルとして機能するノズルＮ９，Ｎ１０よりも回転保持部２１寄りに位置している。そのため、ウェハＷのうち回転保持部２１寄りの領域もノズルＮ８，Ｎ１１，Ｎ１２から吐出されるリンス液によって洗浄することができる。従って、ウェハＷをより効果的に洗浄することが可能となる。
［他の実施形態］
以上、本開示に係る実施形態について詳細に説明したが、本発明の要旨の範囲内で種々の変形を上記の実施形態に加えてもよい。例えば、ウェハＷの回転数は低回転数と高回転数との間で変化してもよい。すなわち、ウェハＷの回転数は、例えば、低回転数から高回転数へと変化してもよいし、高回転数から低回転数へと変化してもよいし、低回転数から高回転数に至った後に再び低回転数へと変化してもよい。
ウェハＷの回転数は、所定の加速度で漸次変化してもよいし、段階的（ステップ状）に変化してもよいし、不規則に変化してもよい。
ウェハＷの回転方向は、正回転方向Ａｒ１及び逆回転方向Ａｒ２のどちらか一方のみであってもよい。
ステップＳ３，Ｓ５におけるウェハＷのリンス処理を行わなくてもよい。
ノズルＮ５〜Ｎ１２の位置は、上記の本実施形態において説明された位置に限定されない。
リンス液ノズルとして機能するノズルＮ２，Ｎ４，Ｎ８，Ｎ１１，Ｎ１２からリンス液として有機溶剤を吐出してもよい。この場合、薬液が水に不溶な成分を有していても、ウェハＷ及びカップ２７内を洗浄することが可能となる。
ステップＳ７のウェハＷの乾燥処理に際して、リンス液ノズルとして機能するノズルＮ２，Ｎ４，Ｎ８，Ｎ１１，Ｎ１２から有機溶剤（例えばイソプロピルアルコール）を吐出してもよい。この場合、ＩＰＡの揮発によってウェハＷの乾燥が促進されるので、ウォーターマークの発生を抑制することが可能となる。
１…基板処理システム、４…制御装置（コントローラ）、１０…基板処理装置、１６…処理ユニット、１８…制御部、２１…回転保持部、２２〜２５…液供給部、２７…カップ、Ａｒ１…正回転方向（第１の方向）、Ａｒ２…逆回転方向（第２の方向）、Ａｘ…回転軸、Ｎ５〜Ｎ７，Ｎ９，Ｎ１０…ノズル（薬液ノズル）、Ｎ８，Ｎ１１，Ｎ１２…ノズル（リンス液ノズル）、Ｗ…ウェハ（基板）、Ｗｂ…裏面、Ｗｃ…周縁部。

Claims (19)

  1. 基板を保持しつつ回転させる回転保持部と、
    前記基板の裏面で且つ周縁部にリンス液を供給するように構成されており前記基板の裏面側に位置する少なくとも一つのリンス液ノズルを有する液供給部と、
    前記リンス液ノズルが取り付けられており、前記基板に供給される液体を受けるカップと、
    制御部とを備え、
    前記制御部は、前記カップの内側に前記基板が配置された状態で前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転数を第１の回転数と当該第１の回転数とは異なる第２の回転数との間で変化させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることにより、前記裏面に供給されたリンス液を利用して、前記カップのうち前記リンス液ノズルの周辺領域と、前記カップのうち前記周辺領域よりも外側の領域との双方を洗浄する第１の処理を実行する、基板処理装置。
  2. 前記第１の処理では、前記制御部は、前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転数を前記第１の回転数から前記第２の回転数へと漸次変化させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１に記載の装置。
  3. 前記第１の処理では、前記制御部は、前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転数を第１の回転数とした後、前記第１の回転数よりも低い第２の回転数から前記第２の回転数よりも高い第３の回転数へと漸次変化させつつ、前記基板の回転数が前記第１の回転数から前記第３の回転数に変化する過程において前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１に記載の装置。
  4. 前記第１の処理では、前記制御部は、前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、前記回転保持部による前記基板の回転数を前記第１の回転数と前記第２の回転数との間で変化させ、さらに、前記回転保持部による前記基板の回転方向を第１の方向と当該第１の方向とは逆の第２の方向との間で変化させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
  5. 前記第１の処理では、前記制御部は、前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、
    前記回転保持部により前記基板を第１の方向で回転させている間、前記回転保持部による前記基板の回転数を前記第１の回転数から前記第２の回転数へと漸次変化させつつ前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させ、
    その後、前記回転保持部により前記基板を前記第１の方向とは逆の第２の方向で回転させている間、前記回転保持部による前記基板の回転数を前記第１の回転数から前記第２の回転数へと漸次変化させつつ前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１に記載の装置。
  6. 前記第１の処理では、前記制御部は、前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、
    前記回転保持部により前記基板を第１の方向で回転させている間、前記回転保持部による前記基板の回転数を第１の回転数とした後、前記第１の回転数よりも低い第２の回転数から前記第２の回転数よりも高い第３の回転数へと漸次変化させつつ、前記基板の回転数が前記第１の回転数から前記第３の回転数に変化する過程において前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させ、
    その後、前記回転保持部により前記基板を前記第１の方向とは逆の第２の方向で回転させている間、前記回転保持部による前記基板の回転数を第４の回転数とした後、前記第４の回転数よりも低い第５の回転数から前記第５の回転数よりも高い第６の回転数へと漸次変化させつつ、前記基板の回転数が前記第４の回転数から前記第６の回転数に変化する過程において前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１に記載の装置。
  7. 前記第１の回転数は、前記裏面に供給されたリンス液が前記基板から主として前記周辺領域に落下するような大きさに設定されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
  8. 前記液供給部は、前記裏面で且つ前記周縁部に薬液を供給するように構成されており前記裏面側に位置する薬液ノズルをさらに有し、
    前記リンス液ノズルは前記薬液ノズルよりも前記基板の回転中心寄りに位置する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
  9. 前記制御部は、前記第１の処理の後に前記回転保持部及び前記液供給部を制御して、前記回転保持部により前記基板を回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液として有機溶剤を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる第２の処理を実行する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
  10. カップの内側に基板が配置された状態で、前記基板の回転数が第１の回転数と当該第１の回転数とは異なる第２の回転数との間で変化するように前記基板を回転させつつ、前記カップに取り付けられたリンス液ノズルから前記基板の裏面で且つ周縁部にリンス液を供給させることにより、前記裏面に供給されたリンス液を利用して、前記カップのうち前記リンス液ノズルの周辺領域と、前記カップのうち前記周辺領域よりも外側の領域との双方を洗浄する第１の工程を含む、基板処理方法。
  11. 前記第１の工程では、前記基板の回転数を前記第１の回転数から前記第２の回転数へと漸次変化させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１０に記載の方法。
  12. 前記第１の工程では、前記基板の回転数を第１の回転数とした後、前記第１の回転数よりも低い第２の回転数から前記第２の回転数よりも高い第３の回転数へと漸次変化させつつ、前記基板の回転数が前記第１の回転数から前記第３の回転数に変化する過程において前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１０に記載の方法。
  13. 前記第１の工程では、前記基板の回転数を前記第１の回転数と前記第２の回転数との間で変化させ、さらに、前記基板の回転方向を第１の方向と当該第１の方向とは逆の第２の方向との間で変化させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
  14. 前記第１の工程では、
    前記基板を第１の方向で回転させている間、前記基板の回転数を前記第１の回転数から前記第２の回転数へと漸次変化させつつ前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることと、
    その後、前記基板を前記第１の方向とは逆の第２の方向で回転させている間、前記基板の回転数を前記第１の回転数から前記第２の回転数へと漸次変化させつつ前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させることとを行う、請求項１０に記載の方法。
  15. 前記第１の工程では、
    前記基板を第１の方向で回転させている間、前記基板の回転数を第１の回転数とした後、前記第１の回転数よりも低い第２の回転数から前記第２の回転数よりも高い第３の回転数へと漸次変化させつつ、前記基板の回転数が前記第１の回転数から前記第３の回転数に変化する過程において前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させ、
    その後、前記基板を第１の方向とは逆の第２の方向で回転させている間、前記基板の回転数を第４の回転数とした後、前記第４の回転数よりも低い第５の回転数から前記第５の回転数よりも高い第６の回転数へと漸次変化させつつ、前記基板の回転数が前記第４の回転数から前記第６の回転数に変化する過程において前記リンス液ノズルからリンス液を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる、請求項１０に記載の方法。
  16. 前記第１の回転数は、前記裏面に供給されたリンス液が前記基板から主として前記周辺領域に落下するような大きさに設定されている、請求項１０〜１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記リンス液ノズルによる前記裏面で且つ前記周縁部へのリンス液の供給位置が、薬液ノズルによる前記裏面で且つ前記周縁部への薬液の供給位置よりも前記基板の回転中心寄りに位置する、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の方法。
  18. 前記第１の工程の後に、前記基板を回転させつつ、前記リンス液ノズルからリンス液として有機溶剤を前記裏面で且つ前記周縁部に供給させる第２の工程をさらに含む、請求項１０〜１７のいずれか一項に記載の方法。
  19. 請求項１０〜１８のいずれか一項に記載の基板処理方法を基板処理装置に実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI622091B (zh) * 2015-06-18 2018-04-21 思可林集團股份有限公司 基板處理裝置
JP7093703B2 (ja) * 2018-09-07 2022-06-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7232737B2 (ja) * 2019-08-07 2023-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN110473818A (zh) * 2019-09-25 2019-11-19 广东先导先进材料股份有限公司 一种晶片自动腐蚀喷淋设备
KR102376830B1 (ko) * 2019-09-30 2022-03-21 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259060A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
WO2008041741A1 (fr) * 2006-10-05 2008-04-10 Tokyo Electron Limited appareil et procédé de traitement de substrat, et procédé de rinçage pour coupe de drainage
JP2013128015A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2013211377A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2015050213A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100897431B1 (ko) * 2001-11-27 2009-05-14 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 액처리장치 및 액처리방법
JP2008251806A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sumco Corp ウェーハの枚葉式エッチング方法及びそのエッチング装置
JP5693438B2 (ja) * 2011-12-16 2015-04-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP5894897B2 (ja) * 2012-09-28 2016-03-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6392035B2 (ja) * 2014-09-02 2018-09-19 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05259060A (ja) * 1992-03-16 1993-10-08 Tokyo Electron Ltd 塗布装置
WO2008041741A1 (fr) * 2006-10-05 2008-04-10 Tokyo Electron Limited appareil et procédé de traitement de substrat, et procédé de rinçage pour coupe de drainage
JP2013128015A (ja) * 2011-12-16 2013-06-27 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
JP2013211377A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2015050213A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

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