CN108461423B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够将从处理液产生的凝结固体烟雾高效排出。基板处理装置具备基板的保持部件、使保持部件以旋转轴为中心旋转的旋转机构、处理液供给机构、内侧保护件、设置于内侧保护件的外侧的外侧保护件、以及包含与流路连通的排气口并将该流路内的气体引导至外部的排气导管，流路的通风阻力在排气口侧比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧小，内侧保护件和外侧保护件设置为使得基板的上方的部分中的位于与内侧保护件的上端相比的上方并且位于比外侧保护件的上端相比的下方的部分的气体主要从基板的上方朝向排气口侧流动。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及向半导体晶片、液晶显示装置用玻璃基板、等离子体显示器用玻璃基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用玻璃基板、太阳能电池用基板等(以下仅称为“基板”)的表面供给处理液的基板处理技术。
背景技术
就半导体装置等的制造工序而言，为了进行选择性蚀刻、选择性离子注入，在基板的表面形成抗蚀剂的图案。然后，进行用于将抗蚀剂从基板上剥离的抗蚀剂剥离处理。通过液体处理进行抗蚀剂剥离时所使用的抗蚀剂剥离液中，例如使用硫酸与过氧化氢的混合液(硫酸过氧化氢混合液。SPM：sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)。SPM包含具有强氧化性的过氧单硫酸，并且由于硫酸与过氧化氢混合时生成的反应热而造成液温升高，因此发挥高的抗蚀剂去除能力。由于SPM在装置和处理工艺的容许范围内越是高温则抗蚀剂去除能力越提高，因此有时也用加热器等进一步加热。
高温的SPM如果被供给至形成有抗蚀剂图案的基板的表面，则高温的SPM与抗蚀剂反应，大量产生气体状的SPM凝结固体烟雾(以下也仅称为“凝结固体烟雾(fume)”)，该SPM凝结固体烟雾包含抗蚀剂氧化而成的物质、来源于硫酸的成分、以及由抗蚀剂分解蒸发而成的水的蒸汽等成分，并从基板的表面扩散。产生如下的问题：如果在腔室内浮游的凝结固体烟雾、附着于基板上方的屏蔽板等的凝结固体烟雾附着于基板则会成为颗粒。因此，需要能够将产生的凝结固体烟雾高效排出的技术。
作为在抗蚀剂剥离工序以外的工序中将由处理液产生的气体排出的技术，专利文献1中示出了如下的基板处理装置：将在显影工序中从基板上挥发的显影液所成的气体从由保护件围起来的基板的上方空间排出，并且进行显影处理。该装置具备保持并旋转基板的基板旋转机构、向基板的表面供给处理液的处理液供给机构、将由基板旋转机构保持的基板围起来的保护件(也称为“防溅体”、“罩体”)、将保护件内的气体排出的排气机构、设置于保护件中的基板的背面侧的排气口、以及在保护件内沿着基板的周缘形成且将气体从表面侧向背面侧引导的流路。该流路构成为通风阻力随着远离排气口而变小。
当流路的通风阻力在基板的周向上均匀时，气体变得易于通过流路中离排气口近的部分，与此相对，就专利文献1的装置而言，流路构成为通风阻力随着远离排气口而变小。因此，该气体也容易绕过流路中从排气口远离的部分。即，该装置通过在保护件内设置通风阻力随着远离排气口而变小的流路，使得由挥发的显影液构成的气体在从基板的中央部至周缘部的各个位置以均匀的流量流动，实现该气体的排气效率的提高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-56626号公报
发明内容
发明所要解决的课题
为了将SPM凝结固体烟雾排出，考虑将显影工序中应用的专利文献1的保护件的构成也适用于抗蚀剂剥离工序的方法。然而，与显影工序中从显影液挥发的气体相比，抗蚀剂剥离工序中产生极大量的凝结固体烟雾。因此，使用了专利文献1的装置构成时，相对于大量的凝结固体烟雾，装置的排出能力不足，凝结固体烟雾滞留在保护件围起来的空间中。
另外，专利文献1的装置的排气机构与工厂的排气设备等连接。该排气设备通常与包含该基板处理装置的多个装置连接。该排气设备向与其连接的各装置分配预定的排气资源，进行各装置的排气。因此，也无法采用通过增大分配给专利文献1的装置的排气资源使凝结固体烟雾的排气效率提高的方法。
本发明的目的在于提供能够将基板处理工序中产生的凝结固体烟雾高效排出的技术，尤其在于提供将以抗蚀剂剥离工序中产生凝结固体烟雾为例那样的大量的凝结固体烟雾高效排出的技术。
用于解决课题的方案
为了解决上述课题，第1方案涉及的基板处理装置具备：保持部件，其以大致水平姿势保持基板且能够旋转；旋转机构，其使所述保持部件以旋转轴为中心旋转；处理液供给机构，其向所述基板的表面供给处理液；筒状的内侧保护件，其包围所述保持部件的周围且上端开放；筒状的外侧保护件，其包围所述保持部件的周围，并以与所述内侧保护件之间形成对所述基板的上方的气体进行引导的流路的方式设置于所述内侧保护件的外侧，且上端开放；以及排气导管，其包含与形成在所述内侧保护件与所述外侧保护件之间的所述流路连通的排气口，向外部引导该流路内的气体，所述外侧保护件的上端位于比所述内侧保护件的上端靠上方，所述外侧保护件的上端和所述内侧保护件的上端所成的开口与所述旋转轴对置，所述内侧保护件和所述外侧保护件设置为，使所述流路的通风阻力在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧小，并使所述基板的上方的部分中的位于比所述内侧保护件的上端靠上方且位于比所述外侧保护件的上端靠下方的部分的气体主要从所述基板的上方朝向所述排气口侧流动。
第2方案涉及的基板处理装置为第1方案涉及的基板处理装置，所述内侧保护件和所述外侧保护件分别包含包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽。
第3方案涉及的基板处理装置为第2方案涉及的基板处理装置，所述外侧保护件相对于所述内侧保护件相对偏心，以使所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽。
第4方案涉及的基板处理装置为第3方案涉及的基板处理装置，所述内侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心。
第5方案涉及的基板处理装置为第3方案涉及的基板处理装置，所述外侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
第6方案涉及的基板处理装置为第3方案涉及的基板处理装置，所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心，所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
第7方案涉及的基板处理装置为第1方案涉及的基板处理装置，所述内侧保护件和所述外侧保护件分别包含包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，在俯视视角中由从所述旋转轴向所述排气口的中心延伸的假想的射线来定义第一射线，并由以所述旋转轴为中心将所述第一射线向所述基板的旋转方向的下游侧旋转锐角所得到的假想的射线来定义第二射线，此时，就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，在俯视视角中所述内侧保护件的侧壁和所述外侧保护件的侧壁分别与所述第二射线交叉的位置最宽。
第8方案涉及的基板处理装置为第1～第7中任一方案涉及的基板处理装置，所述处理液供给机构具备喷嘴，该喷嘴将所述处理液从所述基板的上方排出至所述基板的表面中的相对于所述基板的中心而言位于所述排气口侧的液体着落位置，所述液体着落位置是排出至所述液体着落位置的所述处理液在所述基板的表面所形成的液膜覆盖所述基板的中心的位置。
第9方案涉及的基板处理方法为其为利用保持部件以大致水平姿势保持基板并使该基板旋转的基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置具备：筒状的内侧保护件，其包围所述保持部件的周围且上端开放；筒状的外侧保护件，其包围所述保持部件的周围，并以与所述内侧保护件之间形成对所述基板的上方的气体进行引导的流路的方式设置于所述内侧保护件的外侧，且上端开放；以及排气导管，其包含与形成在所述内侧保护件与所述外侧保护件之间的所述流路连通的排气口，向外部引导该流路内的气体，所述外侧保护件的上端位于比所述内侧保护件的上端靠上方，所述外侧保护件的上端和所述内侧保护件的上端所成的开口与所述基板的旋转轴对置，所述内侧保护件和所述外侧保护件设置为，使所述流路的通风阻力在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧小，并使所述基板的上方的部分中的位于比所述内侧保护件的上端靠上方且位于比所述外侧保护件的上端靠下方的部分的气体主要从所述基板的上方朝向所述排气口侧流动，该基板处理方法具备：以大致水平姿势保持基板并使该基板以旋转轴为中心旋转的旋转步骤；以及向所述基板的表面供给处理液的处理液供给步骤。
第10方案涉及的基板处理方法为第9方案涉及的基板处理方法，所述内侧保护件和所述外侧保护件分别包含包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽。
第11方案涉及的基板处理方法为第10方案涉及的基板处理方法，所述外侧保护件相对于所述内侧保护件相对偏心，以使所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽。
第12方案涉及的基板处理方法为第11方案涉及的基板处理方法，所述内侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心。
第13方案涉及的基板处理方法为第11方案涉及的基板处理方法，所述外侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
第14方案涉及的基板处理方法为第11方案涉及的基板处理方法，所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心，所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
第15方案涉及的基板处理方法为第9方案涉及的基板处理方法，所述内侧保护件和所述外侧保护件分别包含包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，在俯视视角中由从所述旋转轴向所述排气口的中心延伸的假想的射线来定义第一射线，并由以所述旋转轴为中心使所述第一射线向所述基板的旋转方向的下游侧旋转锐角所得的假想的射线来定义第二射线，此时，就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，在俯视视角中所述内侧保护件的侧壁和所述外侧保护件的侧壁分别与所述第二射线交叉的位置最宽。
第16方案涉及的基板处理方法为第9～第15中任一方案涉及的基板处理方法，所述处理液供给步骤是将所述处理液从所述基板的上方排出至所述基板的表面中的相对于所述基板的中心而言位于所述排气口侧的液体着落位置的步骤，所述液体着落位置是排出至所述液体着落位置的所述处理液在所述基板的表面所形成的液膜覆盖所述基板的中心的位置。
发明效果
根据第1方案涉及的发明，以基板的上方的部分中的位于与内侧保护件的上端相比的上方并且位于与外侧保护件的上端相比的下方的部分的气体主要从基板的上方朝向排气口侧流动的方式，内侧保护件与外侧保护件之间形成的流路的通风阻力在排气口侧比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧小。从而，由供给至基板的处理液产生的凝结固体烟雾通过基板上方的朝着排气口侧的气流，从流路中的排气口侧的部分被高效引导至流路中，经过排气导管被高效地向外部排出。
根据第2方案涉及的发明，内侧保护件的侧壁与外侧保护件的侧壁的间隔在排气口侧比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧宽，因此流路的通风阻力在排气口侧变得比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧小。
根据第3方案涉及的发明，以内侧保护件的侧壁与外侧保护件的侧壁的间隔在排气口侧比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧宽的方式，外侧保护件相对于内侧保护件相对偏心。从而，能够容易地实现内侧保护件的侧壁与外侧保护件的侧壁的间隔在排气口侧比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧宽的构成。
根据第7方案涉及的发明，所述内侧保护件和所述外侧保护件分别包含包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，当在俯视视角中通过从所述旋转轴向所述排气口的中心延伸的假想的射线来定义第一射线，并通过以所述旋转轴为中心将所述第一射线向所述基板的旋转方向的下游侧旋转锐角而得到的假想的射线来定义第二射线时，就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，在俯视视角中所述内侧保护件的侧壁和所述外侧保护件的侧壁分别与所述第二射线交叉的位置最宽。该位置由于凝结固体烟雾的粘性和基板的旋转的影响而容易发生凝结固体烟雾聚集，由于能够将凝结固体烟雾从该位置高效地引导至流路，因而能够抑制因基板的旋转带来的离心力的影响导致的凝结固体烟雾的排气效率降低。
根据第8方案涉及的发明，处理液供给机构的喷嘴将处理液排出至基板的表面中的相对于基板的中心而言位于排气口侧的液体着落位置。液体着落位置为，排出至液体着落位置的处理液在基板的表面形成的液膜覆盖基板的中心的位置。凝结固体烟雾在处理液的液体着落位置附近大量产生，因此与在基板的中心相比，在排气口侧更多地产生。因此，能够将产生的凝结固体烟雾从流路的排气口侧的部分高效地排出。
根据第9方案涉及的发明，以基板的上方的部分中的位于与内侧保护件的上端相比的上方并且位于与外侧保护件的上端相比的下方的部分的气体主要从基板的上方朝向排气口侧流动的方式，内侧保护件和外侧保护件之间所形成的流路的通风阻力在排气口侧比相对于旋转轴而言与排气口相反的一侧小。从而，从供给至基板的处理液产生的凝结固体烟雾利用基板上方的朝向排气口侧的气流，从流路中排气口侧的部分被高效地引导至流路中，经过排气导管高效地排出至外部。
附图说明
图1为用于说明实施方式涉及的基板处理装置的构成例的侧面示意图。
图2为用于说明图1的基板处理装置的构成例的上表面示意图。
图3为用于说明对比技术涉及的基板处理装置中产生的凝结固体烟雾的流动的侧面示意图。
图4为用于说明图1的基板处理装置中产生的凝结固体烟雾的流动的侧面示意图。
图5为示出图1的旋转轴与内侧保护件和外侧保护件的配置关系的一例的上表面示意图。
图6为示出图1的旋转轴与内侧保护件和外侧保护件的配置关系的一例的上表面示意图。
图7为示出图1的旋转轴与内侧保护件和外侧保护件的配置关系的一例的上表面示意图。
图8为用于说明通过图1的基板处理装置的喷嘴进行的处理液的排出的截面示意图。
图9为用于说明通过图1的基板处理装置的喷嘴进行的处理液的排出的平面示意图。
图10为用于说明图1的基板处理装置的喷嘴的另一例和通过该喷嘴进行的处理液的排出的截面示意图。
图11为示出实施方式涉及的基板处理装置的动作的一例的流程图。
图12为示出图1的内侧保护件和外侧保护件的构成的一例的侧面示意图。
图13为示出图1的内侧保护件和外侧保护件的构成的一例的侧面示意图。
图中：
1—基板处理装置；2—旋转卡盘(旋转保持机构)；21—旋转基座(保持部件)；3—防飞散部；31—防溅体；311—中部件(内侧保护件)；312—外部件(外侧保护件)；5—处理部(“处理液供给机构”)；51—喷嘴；6—喷嘴移动机构；7—排气导管；71、72—排气导管；71a、72a—排气口；C1、C2—部分；CA、CB—流路；A1—气流；L1—液流。
具体实施方式
以下，一边参照附图一边针对实施方式进行说明。以下的实施方式是将本发明具体化的一例，不是对本发明的技术范围进行限定的事例。另外，以下所参照的各图中，为了容易理解，有时将各部分的尺寸、数量夸大或简化而进行图示。上下方向为铅垂方向，相对于旋转卡盘，基板侧为上方。
<关于实施方式>
<1.基板处理装置1的整体构成>
关于基板处理装置1的构成，参照图1～图2进行说明。图1～图2为用于说明实施方式涉及的基板处理装置1的构成的图。图1、图2是基板处理装置1的侧面示意图、上表面示意图。
图1、图2中，示出了在喷嘴51配置于基板9的中心c1的上方的状态下，基板9通过旋转基座21绕旋转轴a1以预定的旋转方向(箭头AR1的方向)旋转的状态。更详细而言，图1、图2中示出了喷嘴51在基板9的周缘部的上方与中心c1的上方之间沿着路径T1扫描的状态。另外，图2中以假想线示出配置于退避位置的喷嘴51等。图2中省略了基板处理装置1的构成要素中的处理部5的处理液供给部83等一部分构成要素的记载。另外，图2中示出了中部件311的侧壁311A中的外周壁部3112以及外部件312的侧壁312A中的内周壁部3121，省略了上壁311B、上壁312B的记载。当喷嘴51向基板9供给高温的SPM作为处理液而进行将形成于基板9上表面的抗蚀剂的图案剥离的抗蚀剂剥离处理时，高温的SPM与基板上的抗蚀剂反应，产生凝结固体烟雾F1。
基板9的表面形状为大致圆形。基板9向基板处理装置1的搬入搬出是在喷嘴51、防溅体31等配置于退避位置的状态下通过机械臂等进行。搬入至基板处理装置1的基板9可自由装卸地被旋转基座21保持。
基板处理装置1具备箱形的腔室11、旋转卡盘2、防飞散部3、处理部5、喷嘴移动机构6、排气导管7、对置部109和控制部130。这些各部2～3、5～6、109与控制部130电连接，根据来自控制部130的指示进行动作。作为控制部130，例如能够采用与一般的计算机同样的控制部。即，控制部130例如具备进行各种运算处理的CPU、存储基本程序的作为读取专用存储器的ROM、存储各种信息的作为可自由读写的存储器的RAM、预先存储有控制用软件、数据等的磁盘等。控制部130中，按照程序记录的顺序，由作为主控制部的CPU进行运算处理，控制基板处理装置1的各部。
<2.基板9>
被基板处理装置1作为处理对象的基板9的表面形状为大致圆形。基板9的半径例如为150mm。关于基板9，预先在作为器件表面的上表面涂布抗蚀剂后，经过曝光、显影、蚀刻等处理，进行杂质注入和活性化处理。在基板9的上表面，被蚀刻的导电体的微细图案之上残存有抗蚀剂的图案，基板9设为接下来实施了抗蚀剂剥离处理(抗蚀剂去除处理)的阶段的基板。基板处理装置1从喷嘴51向基板9供给作为处理液的SPM，进行将基板9的抗蚀剂剥离的抗蚀剂剥离处理。
<3.基板处理装置1的各部的构成>
<腔室11>
腔室11容纳旋转卡盘2、喷嘴51等。腔室11的上部中设置有作为向腔室11内输送洁净空气(由过滤器过滤后的空气)的送风单元的FFU(风扇过滤单元)12。FFU12在基板9的处理中在腔室11内产生洁净空气的朝下的气流(“下降流”)。
在腔室11的下部，连接有与基板处理装置1的外部的排气设备99连通的排气导管7。排气导管7将后述的在防溅体31的中部件311与外部件312之间形成的流路CA内的气体引导至排气设备99。
<旋转卡盘2>
旋转卡盘(“旋转保持机构”)2是将基板9以其一方的主面朝向上方的状态保持为大致水平姿势并且能够旋转的机构。旋转卡盘2使基板9以通过主面的中心c1的铅垂的旋转轴a1为中心旋转。基板处理装置1使用SPM作为处理液时，基板处理装置1例如以100rpm的旋转速度使基板9旋转。
旋转卡盘2具有比基板9稍大的作为圆板状部件的旋转基座(“保持部件”、“基板保持部”)21。旋转基座21设置为其上表面大致水平，且其中心轴与旋转轴a1一致。在旋转基座21的下表面连接有圆筒状的旋转轴部22。旋转轴部22按照其轴线沿着铅垂方向的姿势配置。旋转轴部22的轴线与旋转轴a1一致。另外，旋转轴部22连接有旋转驱动部(例如伺服马达)23。旋转驱动部23驱动旋转轴部22绕其轴线旋转。从而，旋转基座21能够以旋转轴部22以及旋转轴a1为中心旋转。旋转驱动部23和旋转轴部22是使旋转基座21以旋转轴a1为中心旋转的旋转机构231。旋转轴部22和旋转驱动部23容纳于筒状的壳体24内。
在旋转基座21的上表面的周缘部附近，隔着适当的间隔而设有多个(例如六个)卡盘销25。卡盘销25与基板9的端面抵接而进行基板9的水平方向的定位，并且将基板9以大致水平姿势能够装卸地保持于比旋转基座21的上表面稍高的位置(即，从旋转基座21的上表面隔开预定的间隔)。即，卡盘销25保持从旋转基座21的上表面隔开间隙的基板9的周缘部。由此，旋转基座21通过卡盘销25从下方将基板9保持为大致水平。旋转基座21的上表面与基板9的下表面隔开间隙，例如大致平行地对置。
该构成中，在旋转基座21吸附保持基板9的状态下，若旋转驱动部23使旋转轴部22旋转，则使得旋转基座21绕着沿铅垂方向的轴线旋转。从而，使保持于旋转基座21上的基板9以通过其面内的中心c1的铅垂的旋转轴a1为中心向箭头AR1方向旋转。
需说明的是，作为旋转卡盘2，不限于夹持式的旋转卡盘，例如也可以采用通过将基板9的背面真空吸附从而以水平姿势保持基板9的真空吸附式的卡盘(真空卡盘)。
<防飞散部3>
防飞散部3挡住从被旋转基座21保持、旋转的基板9飞散的处理液等。
防飞散部3具备防溅体31。防溅体31为上端开放的筒状的部件，以包围旋转基座21的方式设置。该实施方式中，防溅体31例如构成为包含内部件310、中部件(也称为“内侧保护件”)311和外部件(也称为“外侧保护件”)312这三个部件。需说明的是，可以在防溅体31的外侧，以包围旋转卡盘2的方式进一步设置保护件。
内部件310为上端开放的筒状的部件，具备圆环状的底部3101、从底部3101的内侧缘部向上方延伸的圆筒状的内壁部3102、以及从底部3101的外侧缘部向上方延伸的圆筒状的引导壁3103。内壁部3102的至少前端附近容纳于在旋转基座21的壳体24设置的檐状部件241的内侧空间中。
在底部3101的下端部分，形成有与内壁部3102和引导壁3103之间的空间连通的排液槽(图示省略)。该排液槽与工厂的排液管线连接。内壁部3102和引导壁3103之间的空间是用于将基板9的处理所使用的处理液集中并排液的空间，集中于该空间的处理液从排液槽进行排液。
中部件311是上端开放的筒状的部件，设置于内部件310的外侧。中部件311沿着以旋转轴a1为中心的周向包围旋转基座21的周围。即，中部件311沿着被旋转基座21保持的基板9的端缘包围基板9。中部件311包括构成中部件311的上部(“上端侧部分”、“上端部分”)并且包围旋转轴a1的环状的上壁311B、以及从上壁311B的外周缘部沿着旋转基座21的侧面(端缘)包围旋转基座21的周围而向下方延伸设置的筒状的侧壁311A。上壁311B朝着内侧上方延伸。即，上壁311B朝着旋转轴a1向斜上方延伸。
作为中部件311的下部的侧壁311A包括与旋转基座21对置且向下方延伸的圆筒状的内周壁部3111、以及设置于内周壁部3111的外侧且沿着内周壁部3111向下方延伸的圆筒状的外周壁部3112。内部件310的引导壁3103容纳于中部件311的内周壁部3111与外周壁部3112之间。另外，外周壁部3112的下端与圆环状的底部3113的内侧缘部接触地设置。从底部3113的外侧缘部竖立设置有向上方延伸的圆筒状的引导壁3114。作为中部件311，也可以采用例如仅具备侧壁311A和上壁311B中的侧壁311A的部件。
外部件312为上端开放的筒状的部件，按照在与中部件311之间形成流路CA的方式设置于中部件311的外侧。流路CA将存在于外部件312的内侧的气体导入并引导向排气导管71。换言之，流路CA引导基板9的上方的气体。外部件312沿着以旋转轴a1为中心的周向包围中部件311的周围，即，沿着旋转基座21的侧面(端缘)包围旋转基座21的周围。即，外部件312沿着被旋转基座21保持的基板9的端缘包围基板9。外部件312包括成为该外部件312的上部(“上端侧部分”、“上端部分”)并且包围旋转轴a1的环状的上壁312B、以及从上壁312B的外周缘部包围旋转基座21的周围而向下方延伸设置的筒状的侧壁312A。上壁312B朝着内侧上方延伸。即，上壁312B朝着旋转轴a1向斜上方延伸。
侧壁312A在其下部包括圆筒状的内周壁部3121和圆筒状的外周壁部3122。内周壁部3121与中部件311的外周壁部3112和引导壁3114对置并且沿着外周壁部3112向下方延伸。外周壁部3122设置于内周壁部3121的外侧，沿着内周壁部3121向下方延伸。中部件311的引导壁3114容纳于外部件312的内周壁部3121与外周壁部3122之间。
防溅体31配设有使其升降移动的防溅体驱动机构32。防溅体驱动机构32例如构成为具备步进马达。该实施方式中，防溅体驱动机构32使防溅体31所具备的三个部件310、311、312独立地升降。
进行基板9的更换时，三个部件310、311、312定位于其上端与旋转基座21的上表面相比位于下方的退避位置。
对于被旋转基座21保持的基板9，当基板处理装置1例如从未图示的SC1供给机构供给SC1而进行基板9的处理时，由于SC1不产生凝结固体烟雾F1，因此防溅体31定位于第一处理位置。在防溅体31配置于第一处理位置的状态下，按照中部件311和外部件312各自的上壁311B、312B重叠的状态，上壁311B、312B各自的内周缘配置于与基板9的侧方相比稍靠上方。
当对基板9进行使用SPM的处理时，由于产生凝结固体烟雾F1，因此防溅体31定位于第二处理位置。在防溅体31定位于第二处理位置的状态下，中部件311配置于与第一处理位置相同的位置，外部件312配置于与中部件311相比靠上方。具体而言，外部件312配置于与中部件311相比的例如25mm左右的上方。所产生的凝结固体烟雾F1被从中部件311的上壁311B的内周缘与外部件312的上壁312B的内周缘之间导入至流路CA。
在防溅体31定位于退避位置、第一处理位置和第二处理位置的任一位置的状态下，中部件311的引导壁3114容纳于外部件312的内周壁部3121与外周壁部3122之间。另外，内部件310相对于中部件311配置，使得内部件310的引导壁3103容纳于中部件311的内周壁部3111与外周壁部3112之间。
防溅体驱动机构32与控制部130电连接，在控制部130的控制下动作。也就是说，防溅体31的位置(具体而言，内部件310、中部件311和外部件312各自的位置)通过控制部130来控制。需说明的是，在相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧，中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A也可以重叠。
中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔设定为在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽。
按照中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽的方式，外部件312相对于中部件311相对偏心。图1、图2所示的例中，旋转基座21、内部件310和中部件311各自的中心轴一致。外部件312的中心轴相对于中部件311的中心轴向排气口71a侧偏心。通过该偏心，容纳于外部件312的内周壁部3121和外周壁部3122之间的中部件311的引导壁3114相对于内周壁部3121和外周壁部3122移动。因此，内周壁部3121与外周壁部3122的间隔设定为引导壁3114能够进行该相对移动的间隔。
图5～图7为示出基板9(旋转基座21)的中心c1(旋转轴a1)分别与中部件311和外部件312的配置关系的一例的上表面示意图。图5～图7中，显示了基板9、基板处理装置1中的中部件311的侧壁311A、外部件312的侧壁312A、以及排气口71a，省略其他要素的记载。另外，侧壁311A、312A在基板9的俯视视角中形成为圆形。图5～图7的任一图中，中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔都设定为在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽。图5～图7中，俯视视角中，中部件311的中心b1和外部件312的中心b2位于连接旋转轴a1与排气口71a的中心的直线上。图5～图7中，关于侧壁311A与侧壁312A的间隔，在该直线上，排气口71a侧为相等的最大值D1，相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧为相等的最小值D2。
图5的例中，与图1、图2同样地，基板9(旋转基座21)的中心c1(旋转轴a1)与中部件311的中心b1一致。外部件312的中心b2相对于中部件311的中心b1(旋转基座21的旋转轴a1)向排气口71a侧偏移。即，中部件311配置为相对于旋转基座21的旋转轴a1不偏心的状态，外部件312配置为相对于旋转基座21的旋转轴a1向排气口71a侧偏心的状态。
另外，也可以是旋转基座21、内部件310和外部件312的中心轴一致，中部件311的中心轴相对于外部件312的中心轴沿着基板9的径向朝与排气导管71相反的一侧偏心。
图6的例中，旋转轴a1(中心c1)与外部件312的中心b2一致。中部件311的中心b1相对于旋转轴a1向与排气口71a相反的一侧偏移。即，外部件312配置为相对于旋转轴a1不偏心的状态，中部件311配置为向相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧偏心的状态。
图7的例中，旋转轴a1(中心c1)、中部件311的中心b1、以及外部件312的中心b2互不相同。中心b1相对于旋转轴a1向与排气口71a相反的一侧偏移。中心b2相对于旋转轴a1向排气口71a侧偏移。即，中部件311配置为向相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧偏心的状态。外部件312配置为相对于旋转轴a1向排气口71a侧偏心的状态。
图5中的外部件312的中心b2相对于旋转轴a1的偏心量与图6中的中部件311的中心b1相对于旋转轴a1的偏心量相等。图7中，中心b1、b2相对于旋转轴a1的偏心量相等，成为图5(图6)中的外部件312(中部件311)的中心b2(中心b1)相对于旋转轴a1的偏心量的一半。即，如图7所示那样，如果相对于旋转轴a1，使中部件311与外部件312这两方偏心，则即使与仅使任一方偏心的情况相比偏心量少，也能将侧壁311A与侧壁312A的间隔设为与仅使任一方偏心的情况相同的间隔。
需说明的是，中部件311、外部件312为大致同心的筒状体，例如外部件312的侧壁312A中的排气口71a的附近部分也可以向基板9的径向外侧鼓起。通过该构成，能够使得中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽。另外，中部件311的侧壁311A和外部件312的侧壁312A的形状在俯视视角中不限于圆形，例如也可以为椭圆形、多边形。
中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔优选设定为在排气口71a的附近部分中的相对于排气口71a而言的旋转基座21的旋转方向的下游侧的部分最宽。图2中，第一射线41是在基板9的俯视视角中从旋转轴a1向排气口71a的中心延伸的假想的射线。第二射线42是以旋转轴a1为中心将第一射线41向基板9的旋转方向的下游侧旋转角度θ而得到的假想的射线。角度θ为锐角。角度θ例如设定为10度～20度。
这里，流路CB是流路CA中的侧壁311A(外周壁部3112)与侧壁312A(内周壁部3121)之间的部分。侧壁311A(外周壁部3112)与侧壁312A(内周壁部3121)的间隔、即流路CB的宽度在俯视视角中侧壁311A(外周壁部3112)和侧壁312A(内周壁部3121)分别与第二射线42交叉的位置(流路CB中的部分C1)最宽。部分C1是流路CB中的在基板9的径向上的宽度最宽的部分。
上述的角度θ为从基板9的旋转轴a1朝向部分C1的方向与从旋转轴a1朝向排气导管71的方向所成的角度。角度θ例如既可以根据基板9的旋转速度设为小于该范围的角度，也可以设定为大于该范围的角度。部分C1相对于旋转轴a1而言位于排气导管71侧。部分C1的宽度D1比流路CB中的相对于旋转轴a1而言与部分C1相反的一侧的部分C2的宽度D2大，进而在流路CB的各部分的宽度中最宽。
在中部件311与外部件312之间形成的流路CA内的气体经过后述的排气导管71，排出至基板处理装置1的外部的排气设备99。另外，在壳体24与中部件311之间的部分存在的气体依次经过后述的排气导管72、71，排出至排气设备99。
通过防溅体驱动机构32使中部件311和外部件312升降。优选中部件311和外部件312构成为在水平方向(例如基板9的径向)上也能够移动。例如防飞散部3也可以具备使中部件311和外部件312在基板9的径向上移动的滚珠螺杆机构，在基板处理装置1的运转开始之前，操作者使用该滚珠螺杆机构设定中部件311与外部件312的间隔。防飞散部3也可以具备使外部件312相对于中部件311沿着基板9的径向相对移动的移动机构，该移动机构使中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔发生变动。
<处理部5>
处理部(“处理液供给机构”)5对保持于旋转基座21上的基板9进行处理。具体而言，图1的处理部5向保持于旋转基座21上的基板9的上表面选择性地供给作为处理液的SPM和过氧化氢。处理部5具备喷嘴保持部件50、喷嘴51和处理液供给部83。
喷嘴保持部件50为保持喷嘴51的部件。喷嘴保持部件50安装于后述的喷嘴移动机构6所具备的长条形的臂63的前端。臂63沿着水平面延伸。
喷嘴保持部件50例如通过沿着铅垂面延伸的板状部件形成。该喷嘴保持部件50的上端安装于臂63的前端。喷嘴51安装于该喷嘴保持部件50的下端部分，以使得沿着臂63的延伸方向朝着与臂63相反的一侧突出。
图1的例中，处理部5按照控制部130的控制，将作为处理液从处理液供给部83供给的作为硫酸与过氧化氢的混合液的SPM、以及过氧化氢选择性地排出。图8为用于说明喷嘴51的构造、以及通过喷嘴51进行的处理液的排出的截面示意图。图9为用于说明通过喷嘴进行的处理液的排出的平面示意图。
喷嘴51例如具有大致圆筒状的壳体。在形成喷嘴51上部的壳体的内部，形成有混合室511。喷嘴51在混合室511的下部具备朝着基板9的上表面延伸的前端侧部分52。前端侧部分52具备将与基板9对置的下端部封闭的底部52b、从底部52b的周缘向上方延伸存在的筒状的侧壁部、以及在该侧壁部中的排气口71a侧的部分设置的排出口52c。喷嘴51将作为在混合室511中由硫酸和过氧化氢混合而成的混合液的SPM从排出口52c排出至基板9的上表面。
处理液供给部83连接于喷嘴51，包含从硫酸供给源841供给硫酸的配管842、以及从过氧化氢供给源831供给过氧化氢的配管832。
在配管842的途中部分，从喷嘴51侧依次设置有用于开闭配管842的开闭阀843、流量调整阀844和加热器845。加热器845将硫酸维持于高于室温的温度(70～120℃的范围内的恒定温度。例如100℃)。加热硫酸的加热器845既可以是图1所示那样的单通方式的加热器，也可以是通过使硫酸在包含加热器的循环路径的内部循环从而加热硫酸的循环方式的加热器。虽然图中未示出，但流量调整阀844例如包括内部设置有阀座的阀主体、开闭阀座的阀芯、使阀芯在开位置和闭位置之间移动的驱动器。关于其他流量调整阀也是同样的。
在配管832的途中部分，从喷嘴51侧依次设置由用于开闭配管832的开闭阀833和流量调整阀834。喷嘴51通过配管832被供给未进行温度调整的常温(约23℃)左右的过氧化氢。开闭阀833通过由控制部130进行的控制而开闭。
配管842连接于在包围喷嘴51的混合室511的侧壁配置的硫酸用的导入口514。配管832连接于过氧化氢用的导入口513，该导入口513配置于喷嘴51的壳体的侧壁中与导入口514相比的上方。
如果开闭阀843和开闭阀833被打开，则来自配管842的硫酸从喷嘴51中的导入口514向混合室511供给，并且来自配管832的过氧化氢从喷嘴51中的导入口513向混合室511供给。流入混合室511的硫酸和过氧化氢在其内部被充分混合(搅拌)。通过该混合，硫酸和过氧化氢被均匀混合，通过硫酸与过氧化氢的反应，生成硫酸和过氧化氢的混合液(SPM)。SPM含有氧化能力强的过氧单硫酸(Peroxymonosulfuric acid；H2SO5)，被加热至比混合前的硫酸和过氧化氢的温度高的温度(100℃以上。例如160℃)。喷嘴51的混合室511中所生成的高温的SPM从设置于喷嘴51的前端侧部分52的排出口52c被排出。
需说明的是，作为处理部5，也可以采用在喷嘴51的外部预先将硫酸和过氧化氢混合而生成SPM、进行必要的加热等、并且将高温的SPM供给至喷嘴51的构成。
如图8、图9所示，喷嘴51相对于基板9的表面中的该喷嘴51的下方部分，以对准排气口71a侧的液体着落位置P1的方式，将处理液(SPM)排出。喷嘴51相对于基板9的表面中的前端侧部分52的下方部分(路径T1)，以对准排气口71a侧的部分的方式，将处理液排出。喷嘴51的前端侧部分52例如由向下方延伸后向大致水平方向弯曲而成的L字形状的管体构成。
排出至液体着落位置P1的处理液的液流L1形成在基板9的上表面在俯视视角中从液体着落位置P1向周围扩散的液膜201。液体着落位置P1也可以为，排出至液体着落位置P1的处理液在基板9的表面(上表面)所形成的液膜201覆盖基板的中心c1的位置。处理液从液膜201进一步流向其周围(基板9的径向外侧、且旋转方向的下游侧的部分)。液膜201的膜厚变得比其周围的处理液的膜厚更厚。如果后述的喷嘴移动机构6沿着路径T1移动喷嘴51，则液体着落位置P1沿着与路径T1平行的路径T2移动。
排出至基板9的高温的SPM在液体着落位置P1的附近为高温，反应性高。凝结固体烟雾在处理液的液体着落位置P1的附近大量产生，因此在排气口71a侧比在基板9的中心c1更多地产生。因此，能够将产生的凝结固体烟雾从流路CA的排气口71a侧的部分C1高效地排出。
图10为用于说明基板处理装置1的喷嘴的其他例的喷嘴51A、以及通过喷嘴51A进行的处理液的排出的截面示意图。如图10所示，前端侧部分52为朝着基板9的上表面延伸的筒状体，在其前端具备沿着该筒状体的延伸方向将处理液排出至基板9的上表面的液体着落位置P1的排出口。
上述那样的SPM由于硫酸与过氧化氢的反应热而成为高温，但如果与硫酸混合的过氧化氢的比例增加，则硫酸与过氧化氢混合时产生的反应热增加，SPM的液温进一步上升，反应性升高，SPM与抗蚀剂反应而产生的凝结固体烟雾F1的量也增加。SPM的排出结束时，处理部5从喷嘴51向基板9供给大量的过氧化氢。这种情况下，产生极其大量的凝结固体烟雾F1。因此，当凝结固体烟雾F1没有从流路CA经过排气导管71充分排出至排气设备99时，大量的凝结固体烟雾F1滞留于基板9的上方，颗粒的产生增加。
处理液供给部83所具备的开闭阀833、843、流量调整阀834、844在控制部130的控制下通过与控制部130电连接的图示省略的阀门开闭机构而被开闭。也就是说，来自喷嘴51的处理液的排出方式(具体而言，被排出的处理液的排出开始时机、排出结束时机、排出流量等)由控制部130控制。即，处理部5的喷嘴51通过控制部130的控制，按照对准以旋转轴a1为中心旋转的基板9的上表面的液体着落位置P1的方式，将处理液的液流L1排出。
<喷嘴移动机构6>
喷嘴移动机构6为使喷嘴51在其处理位置与退避位置之间移动的机构。喷嘴移动机构6具备水平地延伸存在的臂63、喷嘴基台66、升降驱动部68和旋转驱动部69。喷嘴保持部件50安装于臂63的前端部分。
臂63的基端部连接于喷嘴基台66的上端部分。喷嘴基台66以使其轴线沿着铅垂方向的那样的姿势配置于壳体24的外侧。喷嘴基台66具备沿着其轴线在铅垂方向上延伸且能够绕轴线旋转的旋转轴。喷嘴基台66的轴线与旋转轴的轴线一致。旋转轴的上端安装有喷嘴基台66的上端部分。通过旋转轴的旋转，喷嘴基台66的上端部分以旋转轴的轴线、即喷嘴基台66的轴线为中心旋转。喷嘴基台66设置有使其旋转轴以该轴线为中心旋转的旋转驱动部69。旋转驱动部69例如构成为具备伺服马达等。
另外，喷嘴基台66设置有升降驱动部68。升降驱动部68例如构成为具备伺服马达等。升降驱动部68通过具备连接于其输出轴的滚珠螺杆的滚珠螺杆机构等，使喷嘴基台66的旋转轴沿其轴线升降。
旋转驱动部69通过喷嘴基台66的旋转轴使喷嘴基台66的上端部分旋转。随着该上端部分的旋转，喷嘴保持部件50也绕喷嘴基台66的轴线旋转。由此，当喷嘴51对于基板9排出处理液时，旋转驱动部69根据由控制部130进行的控制，使喷嘴51在基板9的周缘部的上方与中心c1的上方之间沿着路径T1水平移动。路径T1设定为从基板9的上方观察时，例如穿过基板9的中心c1。另外，当喷嘴51对于基板9排出处理液时，旋转驱动部69也能使喷嘴51在基板9上停止。如果喷嘴51沿着路径T1移动，则喷嘴51排出的处理液的液体着落位置P1沿着与路径T1平行的路径T2移动。
升降驱动部68通过使喷嘴基台66的旋转轴沿其轴线升降，从而使喷嘴保持部件50、即喷嘴51升降。升降驱动部68与旋转驱动部69协同作用，使喷嘴51在保持于旋转基座21的基板9的附近的处理位置与例如从处理位置沿着基板9的径向的外侧且上方的退避位置之间移动。
喷嘴保持部件50和喷嘴51各自的退避位置为它们不与基板9的搬送路径干扰、并且它们相互不干扰的各位置。各退避位置例如为防溅体31的外侧且上方的位置。
驱动部68、69电连接于控制部130，在控制部130的控制下动作。也就是说，喷嘴51的位置由控制部130控制。
<排气导管7>
排气导管7构成为具备排气导管71和排气导管72。排气导管71含有与中部件311和外部件312之间所形成的流路CA相连通的排气口71a，将该流路CA内的气体从排气口71a导入至排气导管71，并且引导至基板处理装置1的外部的排气设备99。
排气导管72的一端与排气导管71的路径途中连通。在排气导管72的另一端，形成有与中部件311的内周壁部3111和内部件310的引导壁3103之间所形成的流路相连通的排气口72a。排气导管72主要将壳体24与中部件311的内周壁部3111之间的气体经过排气口72a导入至排气导管72，并经过排气导管71排出至排气设备99。排气设备99对排气导管7的内部进行减压，吸引流路CA内的气体。
按照基板9的上方的部分中位于与中部件311的上壁311B的内周缘相比的上方并且位于与外部件312的上壁312B的内周缘相比的下方的部分的气体主要从基板9的上方朝着排气口71a侧流动的方式，流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小。外部件312的上端位于与中部件311的上端相比的上方，外部件312的上端和中部件311的上端所成的开口与旋转轴a1对置，沿着以旋转轴a1为中心的周向将旋转轴a1包围。中部件311和外部件312按照如下的几何学的关系设置：以基板9的上方的部分中的位于与中部件311的上端相比的上方且位于与外部件312的上端相比的下方的部分的气体主要从基板9的上方朝着排气口71a侧流动的方式，流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小。由此，在基板9的上方的部分中的位于与中部件311的上壁311B的内周缘相比的上方并且位于与外部件312的上壁312B的内周缘相比的下方的部分，主要产生主要从基板9的上方朝着排气口71a侧流动的气流A1。需说明的是，图12、图13为分别示出内侧保护件和外侧保护件的构成的一例的侧面示意图。也可以按照流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小的方式，可以将扰乱流路CA内的气流的突起315等扰乱结构设置于中部件311、外部件312(参照图12)。突起315也可以仅设置于中部件311、外部件312的任一方。另外，也可以在中部件311的上端(内周缘)和外部件312的上端(内周缘)的至少一方设置遮板316，该遮板316使流路CA的开口中相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧的部分的面积小于该开口中的排气口71a侧的部分的面积(参照图13)。通过这样设置遮板316，流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小。
喷嘴51将SPM排出至基板9的上表面，即使由于SPM与抗蚀剂的反应而产生凝结固体烟雾F1时，产生的凝结固体烟雾F1利用气流A1而被有效运送至流路CA中的排气口72a侧的部分，导入至流路CA内，通过排气导管71排出至排气设备99。排气设备99例如为工厂的设备，具备泵等，产生排气资源。排气设备99通常还与基板处理装置1以外的其他装置的排气导管连接，排气设备99的排气资源也均等地被分配给基板处理装置1以外的其他装置的排气。因此，无法仅为了进行凝结固体烟雾F1的排气的基板处理装置1而分配大量资源，因此，通过增大从排气设备99供给的排气资源，无法提高凝结固体烟雾F1的排气效率。基板处理装置1中，流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小。因此，利用排气导管71的吸引力，产生基板9的上方的部分中位于与中部件311的上端相比的上方并且与外部件312的上端相比的下方的部分的气体主要从基板9的上方朝着排气口71a侧流动的气流A1。即使在无法增加分配给基板处理装置1的资源时，基板处理装置1中，也能将由SPM产生的凝结固体烟雾F1通过流路CA和排气导管71高效地回收至排气设备99。
<对置部109>
对置部109通过与保持于旋转基座21上的基板9的上表面空出间隙地对置，从而保护基板9的上表面。对置部109能够变更该间隙的宽度。
对置部109具备圆筒状的轴部件94。轴部件94的中心轴与旋转轴a1一致。对置部109还具备圆筒状的旋转部93和圆板状的屏蔽板90。旋转部93在将轴部件94的下端部分插通的状态下，经由轴承安装于该下端部分。旋转部93的中心轴与旋转轴a1一致。由此，旋转部93以旋转轴a1为中心，沿轴部件94的周围在周向上旋转。
在旋转部93的下部，圆板状的屏蔽板(“对置部件”)90按照能与旋转部93一体旋转的方式安装。屏蔽板90具有与基板9同等或比基板9稍大的圆板状的形状，其中心穿过旋转轴a1。由此，屏蔽板90能够在以旋转轴a1为中心的周向上旋转。屏蔽板90包括与基板9的上表面整个区域对置的下表面(“主面”)91、以及从下表面91的周缘向上方竖立设置的侧面92。下表面91为圆形。在屏蔽板90的中央部，设置有与轴部件94连通的贯通孔95。下表面91与保持于卡盘销25的基板9的上表面隔着间隙地对置。间隙的宽度根据对置部109的高度而变动。
在旋转部93，结合有屏蔽板旋转机构97。屏蔽板旋转机构97具备通过控制部130来控制动作的电动马达、齿轮等，使旋转部93在以旋转轴a1为中心的周向上旋转。由此，屏蔽板90与旋转部93一体旋转。更详细而言，屏蔽板旋转机构97按照控制部130的控制，以与基板9相同的旋转速度，使屏蔽板90和旋转部93向相同方向旋转。
在轴部件94的上端部分，经由保持轴部件94的保持部件(未图示)，结合有包含通过控制部130来控制动作的电动马达、滚珠螺杆等的构成的屏蔽板升降机构98。屏蔽板升降机构98使轴部件94与屏蔽板90、旋转部93一起在铅垂方向上升降。屏蔽板升降机构98使屏蔽板90、旋转部93和轴部件94在屏蔽板90的下表面91接近保持于旋转基座21的基板9的上表面的接近位置与设置于接近位置的上方的退避位置之间升降。屏蔽板升降机构98能够在接近位置与退避位置之间的各位置保持屏蔽板90。关于屏蔽板90的退避位置，具体而言是从基板9的上表面至屏蔽板90的下表面91为止的高度成为例如150mm的高度的位置。另外，接近位置是该高成为例如3mm的高度的位置。基板处理装置1也可以进一步具备例如从将轴部件94的中空部插通的喷嘴向基板9的上表面供给冲洗液的冲洗液供给机构等，在将屏蔽板90配置于接近位置的状态下向基板9的上表面供给冲洗液等。
<4.流路的通风阻力和凝结固体烟雾的排气效率>
图3为用于说明对比技术涉及的基板处理装置100中产生的凝结固体烟雾F100的流动H100的侧面示意图。图4为用于说明实施方式涉及的基板处理装置1中产生的凝结固体烟雾F1的流动H1的侧面示意图。
基板处理装置100除了具备防飞散部300来代替基板处理装置1的防飞散部3以外，与基板处理装置1同样地构成。防飞散部3和防飞散部300均具备中部件311、外部件312，但防飞散部3和防飞散部300中，外部件312相对于中部件311的在基板9的径向上的相对配置关系不同。
基板处理装置1中，在中部件311的侧壁311A(外周壁部3112)与外部件312的侧壁312A(内周壁部3121)之间，流路CB中相对于旋转轴a1而言位于排气导管71(排气口71a)侧的部分X1的宽度D1在流路CB的各部分的宽度中最宽。流路CB中相对于旋转轴a1而言与部分X1相反的一侧的部分X2的宽度D2在流路CB的各部分的宽度中最窄。宽度D1大于宽度D2。流路CB的排气口71a侧的部分X1的通风阻力小于部分X2的通风阻力。
因此，在基板9的上方的部分中的位于与中部件311的上端相比的上方且位于与外部件312的上端相比的下方的部分、即基板9的上方的部分中的外部件312的上端与中部件311的上端所成的开口的高度位置，主要产生主要从基板9的上方朝着排气口71a侧流动的气流A1。从喷嘴51排出至基板9的高温的SPM与基板9的抗蚀剂反应生成的凝结固体烟雾F1朝着屏蔽板90侧从基板9开始上升，但几乎不附着于屏蔽板90的下表面，从排气口71a侧被高效地引导至包含流路CB的流路CA中，经过排气导管71而排出至排气设备99。因此，产生的凝结固体烟雾F1难以成为基板9的污染、颗粒的主要原因。
基板处理装置100中，在中部件311的侧壁311A(外周壁部3112)与外部件312的侧壁312A(内周壁部3121)之间，流路CB中的相对于旋转轴a1而言位于排气导管71(排气口71a)侧的部分Y1的宽度D3在流路CB的各部分的宽度中最窄。流路CB中的相对于旋转轴a1而言与部分Y1相反的一侧的部分Y2的宽度D4在流路CB的各部分的宽度中最宽。宽度D3小于宽度D4。流路CB的排气口71a侧的部分Y1的通风阻力大于相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反侧的部分Y2的通风阻力。因此，当基板9的上方的气体从包围旋转轴a1的流路CA的开口的各位置进入流路CA时，流路CA的通气流量的偏差在流路CA的周向上受到抑制。因此，产生从基板9的中心的上方(屏蔽板90的下方)朝着流路CA的开口的各位置呈放射状的大致相同流量的朝向气流B1，产生的凝结固体烟雾F100从基板9的上表面向屏蔽板90侧向大致铅垂方向升起后，受到屏蔽板90的遮挡，从基板9的中心的上方以放射状流入流路CA的开口。因此，凝结固体烟雾F100在进入流路CA之前，附着于屏蔽板90的下表面，成为颗粒的主要原因。
<5.基板处理装置1的动作>
图11为示出基板处理装置1的动作的一例的流程图。基板处理装置1依照该流程图，利用处理液处理基板9。该流程图涉及的动作开始之前，基板9预先被旋转基座21保持。另外，在基板9的上表面，在经蚀刻的导电体的微细图案上残存抗蚀剂的图案，基板9成为接下来实施抗蚀剂剥离处理(抗蚀剂去除处理)的阶段中的基板。
首先，旋转机构231按照控制部130的控制使旋转基座21的旋转开始，从而使由旋转基座21保持的基板9的旋转开始(图11的步骤S10)。
接下来，处理部5的阀门开闭机构在控制部130的控制下将开闭阀833、843以预定的开度打开，从而喷嘴51按照对准基板9的上表面中的液体着落位置P1的方式开始进行处理液的排出(步骤S20)。
控制部130等待通过处理液进行的处理所需的时间(“处理时间”)经过(步骤S30)，处理部5的阀门开闭机构使开闭阀833、843闭合，停止通过喷嘴51进行的处理液的排出(步骤S40)，然后，旋转机构231使旋转基座21的旋转停止，并停止基板9的旋转(步骤S50)。图11所示的基板处理装置1的处理动作结束。
根据以上那样构成的本实施方式涉及的基板处理装置，在中部件311与外部件312之间形成流路CA。并且，按照基板9的上方的部分中位于与中部件311的上壁311B的内周缘相比的上方且位于与外部件312的上壁312B的内周缘相比的下方的部分的气体主要从基板9的上方朝着排气口71a侧流动的方式，流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小。从而，由供给至基板9的处理液产生的凝结固体烟雾F1通过朝着排气口71a侧的基板9上方的气流A1，从流路CA中的排气口71a侧的部分被高效地导入至流路CA，经过排气导管71被高效地排出至外部。
另外，根据本实施方式涉及的基板处理装置，中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽。从而，流路CA的通风阻力在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧小。
另外，根据本实施方式涉及的基板处理装置，按照中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽的方式，外部件312相对于中部件311偏心。从而，能够容易地实现中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在排气口71a侧比相对于旋转轴a1而言与排气口71a相反的一侧宽的构成。
另外，根据本实施方式涉及的基板处理装置，中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在排气口71a的附近部分中的相对于排气口71a而言位于旋转基座21的旋转方向的下游侧的部分最宽，因此能够通过凝结固体烟雾F1的粘性和基板9的旋转的影响来抑制凝结固体烟雾F1的排气效率降低。
凝结固体烟雾F1通过朝着排气口71a侧的基板9上方的气流A1，向排气口71a侧流动。进一步，通过凝结固体烟雾F1的粘性和基板9的旋转，朝着基板9的旋转方向的下游侧的力也发生作用。因此，凝结固体烟雾F1朝着俯视视角中排气口71a侧并且朝着基板9的旋转方向的下游侧，因此在排气口71a的附近部分中相对于排气口71a而言朝着旋转基座21的旋转方向的下游侧的部分的流动最多。在此，由于中部件311的侧壁311A与外部件312的侧壁312A的间隔在该下游侧的部分最宽，因此能够高效地捕捉朝着该下游侧的部分流动的凝结固体烟雾F1并引导至流路CA内。由此，能够利用凝结固体烟雾F1的粘性和基板9的旋转的影响来抑制凝结固体烟雾F1的排气效率降低。
另外，根据本实施方式涉及的基板处理装置，处理液供给机构的喷嘴51相对于基板9的表面中的该喷嘴51的下方部分，以对准排气口71a侧的部分的方式，将处理液排出。凝结固体烟雾F1在处理液与基板9接触的部分附近大量产生。因此，能够将产生的凝结固体烟雾F1从流路CA的排气口71a侧的部分高效排出。
另外，根据本实施方式涉及的基板处理装置，能够通过简单的构成来实现喷嘴51，该喷嘴51相对于基板9的表面中的该喷嘴51的下方部分，以对准排气口71a侧的部分的方式，将处理液排出。
本发明详细地进行了示出和描述，但上述的描述在所有方式中是例示性的而不是限定性的。因而，本发明在其发明的范围内能够对实施方式适当进行变形、省略。

Claims (14)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
保持部件，其以大致水平姿势保持基板且能够以铅垂方向的旋转轴为中心旋转；
旋转机构，其使所述保持部件以所述旋转轴为中心旋转；
处理液供给机构，其向所述基板的表面供给处理液；
内侧保护件，其具有包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，且上端开放；
外侧保护件，其以与所述内侧保护件之间形成对所述基板的上方的气体进行引导的流路的方式设置于所述内侧保护件的外侧，并具有包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，且上端开放；以及
排气导管，其包含与形成在所述内侧保护件与所述外侧保护件之间的所述流路连通的排气口，向外部引导该流路内的气体，
所述外侧保护件的上端位于比所述内侧保护件的上端靠上方，
所述外侧保护件的上端和所述内侧保护件的上端所成的开口与所述旋转轴对置，
所述外侧保护件相对于所述内侧保护件相对偏心地配置，以使所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽，
所述内侧保护件和所述外侧保护件设置为，使所述流路的通风阻力在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧小，与相对于所述旋转轴而言位于与所述排气口相反侧的所述开口相比，使所述基板的上方的部分中的位于比所述内侧保护件的上端靠上方且位于比所述外侧保护件的上端靠下方的部分的气体主要从所述基板的上方朝向相对于所述旋转轴而言所述排气口侧的所述开口流动。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
还包括向所述基板供给硫酸的硫酸供给机构和向所述基板供给过氧化氢的过氧化氢供给机构，
所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔调整为，使硫酸与过氧化氢混合时发生的烟雾横穿所述基板的上方，并朝向相对于所述旋转轴而言所述排气口侧的所述开口流动。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述内侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，
所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心。
4.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，
所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
5.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心，所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
6.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
在俯视视角中由从所述旋转轴向所述排气口的中心延伸的假想的射线来定义第一射线，
并由以所述旋转轴为中心使所述第一射线向所述基板的旋转方向的下游侧旋转锐角所得到的假想的射线来定义第二射线，此时，
就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，在俯视视角中所述内侧保护件的侧壁和所述外侧保护件的侧壁分别与所述第二射线交叉的位置最宽。
7.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给机构具备喷嘴，该喷嘴将所述处理液从所述基板的上方排出至所述基板的表面中的相对于所述基板的中心而言位于所述排气口侧的液体着落位置，
所述液体着落位置是排出至所述液体着落位置的所述处理液在所述基板的表面所形成的液膜覆盖所述基板的中心的位置。
8.一种基板处理方法，其为利用保持部件以大致水平姿势保持基板并使该基板以铅垂方向的旋转轴为中心旋转的基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，
所述基板处理装置具备：
内侧保护件，其具有包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，且上端开放；
外侧保护件，其以与所述内侧保护件之间形成对所述基板的上方的气体进行引导的流路的方式设置于所述内侧保护件的外侧，并具有包围所述保持部件的周围并沿着所述旋转轴延伸的筒状的侧壁，且上端开放；以及
排气导管，其包含与形成在所述内侧保护件与所述外侧保护件之间的所述流路连通的排气口，向外部引导该流路内的气体，
所述外侧保护件的上端位于比所述内侧保护件的上端靠上方，
所述外侧保护件的上端和所述内侧保护件的上端所成的开口与所述基板的旋转轴对置，
所述外侧保护件相对于所述内侧保护件相对偏心，以使所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧宽，
所述内侧保护件和所述外侧保护件设置为，使所述流路的通风阻力在所述排气口侧比相对于所述旋转轴而言与所述排气口相反的一侧小，与相对于所述旋转轴而言位于与所述排气口相反侧的所述开口相比，使所述基板的上方的部分中的位于比所述内侧保护件的上端靠上方且位于比所述外侧保护件的上端靠下方的部分的气体主要从所述基板的上方朝向相对于所述旋转轴而言所述排气口侧的所述开口流动，
该基板处理方法具备：
以大致水平姿势保持所述基板并使该基板以所述旋转轴为中心旋转的旋转步骤；以及
向所述基板的表面供给处理液的处理液供给步骤。
9.根据权利要求8所述的基板处理方法，其特征在于，
还包括向所述基板供给硫酸的硫酸供给步骤和向所述基板供给过氧化氢的过氧化氢供给步骤，
所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔调整为，使硫酸与过氧化氢混合时发生的烟雾横穿所述基板的上方，并朝向相对于所述旋转轴而言所述排气口侧的所述开口流动。
10.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述内侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，
所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心。
11.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述外侧保护件的侧壁的中心轴与所述旋转轴一致，
所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
12.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述外侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向所述排气口侧偏心，所述内侧保护件的侧壁相对于所述旋转轴向与所述排气口相反的一侧偏心。
13.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
在俯视视角中由从所述旋转轴向所述排气口的中心延伸的假想的射线来定义第一射线，
并由以所述旋转轴为中心使所述第一射线向所述基板的旋转方向的下游侧旋转锐角所得的假想的射线来定义第二射线，此时，
就所述内侧保护件的侧壁与所述外侧保护件的侧壁的间隔而言，在俯视视角中所述内侧保护件的侧壁和所述外侧保护件的侧壁分别与所述第二射线交叉的位置最宽。
14.根据权利要求8或9所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液供给步骤是将所述处理液从所述基板的上方排出至所述基板的表面中的相对于所述基板的中心而言位于所述排气口侧的液体着落位置的步骤，
所述液体着落位置是排出至所述液体着落位置的所述处理液在所述基板的表面所形成的液膜覆盖所述基板的中心的位置。
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