JPS5990928A - 回転式表面処理装置 - Google Patents
回転式表面処理装置Info
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- JPS5990928A JPS5990928A JP20137082A JP20137082A JPS5990928A JP S5990928 A JPS5990928 A JP S5990928A JP 20137082 A JP20137082 A JP 20137082A JP 20137082 A JP20137082 A JP 20137082A JP S5990928 A JPS5990928 A JP S5990928A
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- hole
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半専体基板、ガラス、セラミックなどの基板
を回転させながら、その衣１０口こたとえばホトレジス
ト液、現像液またはエノナング液などを９１記参根の上
方をこ設けたノズルから供給すること（こより、ホトレ
ジストｎｌＪの塗布、現像またはエツチングなどの表面
処理をｏｉｌ記基板基板して行う回転式表面処理装置を
こ関するものである。
を回転させながら、その衣１０口こたとえばホトレジス
ト液、現像液またはエノナング液などを９１記参根の上
方をこ設けたノズルから供給すること（こより、ホトレ
ジストｎｌＪの塗布、現像またはエツチングなどの表面
処理をｏｉｌ記基板基板して行う回転式表面処理装置を
こ関するものである。
たとえば半導体基板の表１１１１こホトレジスト剤を塗
布する装置の１例として第１図をこ示した装置が従来用
いられている。第１図はこの従来装置の要部を示した側
断面図である。この従来の装置においては、ノズル（１
０１より供給されたホトレジスト液が、真空チャック（
１１１こ芯を合せて吸着され９回転させられる被処理基
板（１２＋の表面の中央部に滴下されると９滴下された
レジスト液はｌｉ！１ 転している０１記基板（１２＋
から刊与される迷心力によって七の中央部からＪｒＪ縁
部へ向って移動させられｒ ｕ＋Ｊ記基板基板２１の表
面をこホトレジスト剤の郁布膜が形成されるが、その際
に余剰欣すなわち廃液はｏｉｌ記基＆０２）の端部から
接線力向をこ飛れて霧状となり、この膀状になった廃液
が、排気ダク） １１４）から強制排気がなされる環状
ダクト（１５！ Ｇこ向ってカバー〇［ｉ）中央の抜き
穴（１７１から持ちこまれ、放射状Ｇこ流動させられる
気流にのせられて外部に排出されるよう番ニなっている
。そして前記基板口２；が高速回転させられること番こ
まって負圧とされるその表面および裏面をこ、残留霧状
廃液が引寄せられて付着するのを防止するため（こ、前
記した外向き放射状の気流がＤｉｌ記基板基板２＋のま
わり昏こできるだけ均−昏こ生ずるようをこ排気ダク）
（１４１に比し十分な容量をもつ環状ダク） （１５
１が被処理基板０２）の収容容器の外周部に設けられて
いるとともに、真空チャック（Ｉｌｌの回転軸のまわり
をこ設けられた環状尋人路から矢印でボすようＧこＮ２
カスなどの不活性ガスがＩＪ＋Ｊ記基板（１２１ＣＩ）
）８面に向って放射状に吹き伺けられｔ ＮＵ記した
放射状の気流と合流して塊状タクト（１５目こ流出して
成長してから落トしたりする廃液は底部番こたぬられて
、ドレン管α秒から外部へ排出されるよう（こなってい
る。
布する装置の１例として第１図をこ示した装置が従来用
いられている。第１図はこの従来装置の要部を示した側
断面図である。この従来の装置においては、ノズル（１
０１より供給されたホトレジスト液が、真空チャック（
１１１こ芯を合せて吸着され９回転させられる被処理基
板（１２＋の表面の中央部に滴下されると９滴下された
レジスト液はｌｉ！１ 転している０１記基板（１２＋
から刊与される迷心力によって七の中央部からＪｒＪ縁
部へ向って移動させられｒ ｕ＋Ｊ記基板基板２１の表
面をこホトレジスト剤の郁布膜が形成されるが、その際
に余剰欣すなわち廃液はｏｉｌ記基＆０２）の端部から
接線力向をこ飛れて霧状となり、この膀状になった廃液
が、排気ダク） １１４）から強制排気がなされる環状
ダクト（１５！ Ｇこ向ってカバー〇［ｉ）中央の抜き
穴（１７１から持ちこまれ、放射状Ｇこ流動させられる
気流にのせられて外部に排出されるよう番ニなっている
。そして前記基板口２；が高速回転させられること番こ
まって負圧とされるその表面および裏面をこ、残留霧状
廃液が引寄せられて付着するのを防止するため（こ、前
記した外向き放射状の気流がＤｉｌ記基板基板２＋のま
わり昏こできるだけ均−昏こ生ずるようをこ排気ダク）
（１４１に比し十分な容量をもつ環状ダク） （１５
１が被処理基板０２）の収容容器の外周部に設けられて
いるとともに、真空チャック（Ｉｌｌの回転軸のまわり
をこ設けられた環状尋人路から矢印でボすようＧこＮ２
カスなどの不活性ガスがＩＪ＋Ｊ記基板（１２１ＣＩ）
）８面に向って放射状に吹き伺けられｔ ＮＵ記した
放射状の気流と合流して塊状タクト（１５目こ流出して
成長してから落トしたりする廃液は底部番こたぬられて
、ドレン管α秒から外部へ排出されるよう（こなってい
る。
このよう（こ従来の装置ｉ′ｔ、 ＆こおいては、放射
状空気流を回転させられる被処理基板（１２＋のまわり
Ｇこできるだけ均−Ｇこ生じるよう（こするためＧこ、
排気ダク） （１４１に対して十分な容量をもつ環状ダ
クト０５）を被処理基板（１２１の収容容器の外周部に
設け。
状空気流を回転させられる被処理基板（１２＋のまわり
Ｇこできるだけ均−Ｇこ生じるよう（こするためＧこ、
排気ダク） （１４１に対して十分な容量をもつ環状ダ
クト０５）を被処理基板（１２１の収容容器の外周部に
設け。
さらに被処理基板０２１かもの廃液飛沫を確実に外向き
に斜め下方へそれせるようにするために。
に斜め下方へそれせるようにするために。
イｉｔ ４１１）。
七鮭巻板（１３）の傾斜を３０°程度にゆるやか昏こと
り。
り。
かつその塊状タクト０５１までの長さ、すなわち番４→
斜 転妻根の外径寸法力〜゛大きくとられているのであるが
、このような１１モ造がとられているため・こ小形化が
回帰である。
斜 転妻根の外径寸法力〜゛大きくとられているのであるが
、このような１１モ造がとられているため・こ小形化が
回帰である。
ところで、被処理基板０２またとえはシリコンウェハ、
従来１１径が、３“もしくは４“程度の円板状であった
ものが、５“直径のものも用いられるようになる一方、
前記した各種の処理を行う処理室、すなわちクリーンル
ームの雰囲気の無塵化を二対しては、製品性能をより一
層高めるため・こますま１シヒヤな要求がなされるよう
昏こなり。
従来１１径が、３“もしくは４“程度の円板状であった
ものが、５“直径のものも用いられるようになる一方、
前記した各種の処理を行う処理室、すなわちクリーンル
ームの雰囲気の無塵化を二対しては、製品性能をより一
層高めるため・こますま１シヒヤな要求がなされるよう
昏こなり。
クリーンルームのランニングコストが著しく上昇する現
状をこある。したがってこのような現状−ム番こマツチ
した小形回転式表面処理装置の提供が要望されている。
状をこある。したがってこのような現状−ム番こマツチ
した小形回転式表面処理装置の提供が要望されている。
この発明は、前記要望告こ応え、従来の回転式表面処理
装置ＮＦ、が前記したよう舎こ大ぎくなり、小形化が離
しいというその有する欠点を解消し。
装置ＮＦ、が前記したよう舎こ大ぎくなり、小形化が離
しいというその有する欠点を解消し。
小形化した装置を提供することを目的としてなされたも
のであ−〕て、わん状容器と、この中央上方・こ設けた
ノズルと、この容器内中央をこて回転する真空チャック
とを備え、このチャックをこ吸着させた被処理基板を回
転させながらその表面に前記ノズルから処理液を供給し
てその表面処理を行う同転式表面処理装置をこおいて、
１」１記わん状容器を、上聞に抜き穴、それ昏こ接続す
るゆるやかな傾斜ＩＯ＋部を有し、ＩＪｕ記被処理基板
の回転軸［４こ対してＨ転対称形に成形された上蓋と、
前記チャックを囲み、排気タクトおよびドレン管路を備
えた環状底部とから形成し、前記基板の同転半径とほぼ
同等の外周半径をもつ環状受皿とそれに続く傾斜面縁部
とを備え、この傾斜面縁部の外周端が前記基板の回転中
心に対する一心円周上番こ位置する整流板を前記環状底
部の内周部Ｇこ取付け、 ６１記−に蓋の下部、前記環
状底部および前記整流板によって環状ダクトを形成して
なり、この環状ダクト内の空気を前記排気ダクトから強
制排気する際に前記基板近傍形成され、前記排気ダクＨ
こ接近する（こしたがって狭くされる間隙を通過せしめ
るようをこしてなる回転式表面処理装＊：にかがるもの
である。
のであ−〕て、わん状容器と、この中央上方・こ設けた
ノズルと、この容器内中央をこて回転する真空チャック
とを備え、このチャックをこ吸着させた被処理基板を回
転させながらその表面に前記ノズルから処理液を供給し
てその表面処理を行う同転式表面処理装置をこおいて、
１」１記わん状容器を、上聞に抜き穴、それ昏こ接続す
るゆるやかな傾斜ＩＯ＋部を有し、ＩＪｕ記被処理基板
の回転軸［４こ対してＨ転対称形に成形された上蓋と、
前記チャックを囲み、排気タクトおよびドレン管路を備
えた環状底部とから形成し、前記基板の同転半径とほぼ
同等の外周半径をもつ環状受皿とそれに続く傾斜面縁部
とを備え、この傾斜面縁部の外周端が前記基板の回転中
心に対する一心円周上番こ位置する整流板を前記環状底
部の内周部Ｇこ取付け、 ６１記−に蓋の下部、前記環
状底部および前記整流板によって環状ダクトを形成して
なり、この環状ダクト内の空気を前記排気ダクトから強
制排気する際に前記基板近傍形成され、前記排気ダクＨ
こ接近する（こしたがって狭くされる間隙を通過せしめ
るようをこしてなる回転式表面処理装＊：にかがるもの
である。
以下、この発明にかかる実施例装置について図面を参照
しながら詳細に説明１”る。
しながら詳細に説明１”る。
第２図は、この装置の要部の側断■図であり第３図は、
その被処理基板の一ト１ｆｌＪ＋こぞったｍ−１断面を
矢印方向から上蓋を取除いて示した平面図である。
その被処理基板の一ト１ｆｌＪ＋こぞったｍ−１断面を
矢印方向から上蓋を取除いて示した平面図である。
真空チャンク（１１１Ｇこ同心をこ吸着されて回転させ
られる被処理基板ｕ２＋を収容する容器（２０ｊは＋
ｔｊｉＪ記基板（１２＋より若干大きい抜穴（２１＋
、それに続くゆるやかな傾斜面部および曲面部をもつ上
蓋Ｃ２２）を。
られる被処理基板ｕ２＋を収容する容器（２０ｊは＋
ｔｊｉＪ記基板（１２＋より若干大きい抜穴（２１＋
、それに続くゆるやかな傾斜面部および曲面部をもつ上
蓋Ｃ２２）を。
断面形状が逆三角形状をした環状底部ｔ２：３＋ （２
３つをこはめあわせて形成されている。環状底部（２３
１（２３’）は、その外周部は上方番こ折り曲げられて
上蓋＠との係合部をなし、その内周部は同様をこ折り曲
げられて真空チャック０１のまわりの案内外筒部（財）
をなしている。案内外筒部（財）をこは、真空チャック
Ｕυの回転軸を同心をこ内蔵する外套管（ハ）と。
３つをこはめあわせて形成されている。環状底部（２３
１（２３’）は、その外周部は上方番こ折り曲げられて
上蓋＠との係合部をなし、その内周部は同様をこ折り曲
げられて真空チャック０１のまわりの案内外筒部（財）
をなしている。案内外筒部（財）をこは、真空チャック
Ｕυの回転軸を同心をこ内蔵する外套管（ハ）と。
それに接続され、真壁チャック（ＩＩＪを囲む糸内内筒
部□□□）とが収められており、さしをこその外周にゆ
るやかな傾斜面の外縁部（２７’）と０１記基板（１２
１の外径より若干小さな環状の父皿（２７／／）とから
なる整流板（潤がはめこまれている。
部□□□）とが収められており、さしをこその外周にゆ
るやかな傾斜面の外縁部（２７’）と０１記基板（１２
１の外径より若干小さな環状の父皿（２７／／）とから
なる整流板（潤がはめこまれている。
整流板（２）は、第３は口こ刀くされているように。
前記受皿（２７″）は真空チャックｕｉＩの回転中心（
Ｏと同心をこ形成されているが、前記°１１Ｊ１斜面縁
部（２７’）の外周端は、前記回転中心（０）から直径
Ｄ−ＩＪ上において右方番こｅだけ偏心させた（Ｏ′）
を中心とする半径凡の円周をなしている。この整流板（
５）が収められる上蓋（２２）は、前記回転中心０をと
おる軸線に対して回転対称形番こ成形されているから、
第２．第３両図に示すよう・こ傾斜面縁部（２７つの外
周端と上蓋（２２１の内壁面との水平面内（こおける隔
り（間隙）は、直径Ｄ−Ｄの左側において最大Ｑ３）、
右側番こおいて最小（Ｂ′）となり、このＢとＢ′とは
、 Ｂ −Ｂ’＝ ２ ｅの関係にあり、その中間に
あっては第３図にみもれるとおり上半分では時計方向ま
わりに、下半分では反時計方向まわりにいずれも次第・
こ減するよう・こされている。
Ｏと同心をこ形成されているが、前記°１１Ｊ１斜面縁
部（２７’）の外周端は、前記回転中心（０）から直径
Ｄ−ＩＪ上において右方番こｅだけ偏心させた（Ｏ′）
を中心とする半径凡の円周をなしている。この整流板（
５）が収められる上蓋（２２）は、前記回転中心０をと
おる軸線に対して回転対称形番こ成形されているから、
第２．第３両図に示すよう・こ傾斜面縁部（２７つの外
周端と上蓋（２２１の内壁面との水平面内（こおける隔
り（間隙）は、直径Ｄ−Ｄの左側において最大Ｑ３）、
右側番こおいて最小（Ｂ′）となり、このＢとＢ′とは
、 Ｂ −Ｂ’＝ ２ ｅの関係にあり、その中間に
あっては第３図にみもれるとおり上半分では時計方向ま
わりに、下半分では反時計方向まわりにいずれも次第・
こ減するよう・こされている。
このことは整流板面の傾斜血縁部（２７つをこおいては
、その長さが前記した間隙とは逆に次第に増すようにさ
れていることである。実施例では前記傾斜面縁部（２７
つの傾斜角度は図示のとおり左側では最大（たとえば、
１ ＝＝ ２００）に、その右側では最小（たとえばｄ
’＝１５°）となり、整流鐸ノ 板（５）の傾斜血縁部（２７つ前記した最大傾斜角度に
した角度にはそれほどこだわる必要はなく第２図の左右
同一であってもよい。
、その長さが前記した間隙とは逆に次第に増すようにさ
れていることである。実施例では前記傾斜面縁部（２７
つの傾斜角度は図示のとおり左側では最大（たとえば、
１ ＝＝ ２００）に、その右側では最小（たとえばｄ
’＝１５°）となり、整流鐸ノ 板（５）の傾斜血縁部（２７つ前記した最大傾斜角度に
した角度にはそれほどこだわる必要はなく第２図の左右
同一であってもよい。
環状底部（２３１，（２３’）は、底部（２）が敲も浅
＜、ｕＥ部（２３’）が最も深くなるように環状昏こ形
成されていて１図示のよう番こ底部（２３’）に排気ダ
クトα勾が若干突出させて設けられ、この排気ダク）
ｕ４Ｊがら中心０昏こ対してたとえば４５°程度ずらし
た底部（こドレン管曲が血−に設けられている。
＜、ｕＥ部（２３’）が最も深くなるように環状昏こ形
成されていて１図示のよう番こ底部（２３’）に排気ダ
クトα勾が若干突出させて設けられ、この排気ダク）
ｕ４Ｊがら中心０昏こ対してたとえば４５°程度ずらし
た底部（こドレン管曲が血−に設けられている。
従来の装置においては被処理基板（１２＋の収容容器の
外周部に環状タクト０５１が設けられていたのであるが
、それに相当する部分がこの実施例装置においては、上
蓋−の＋Ｊ＝＋、 整流板（イ）および底部（２３）、
（２３つから構成されており、被処理基板（１２１の収
容容器（２０）内をこ環状ダク） ＵりＩがとりこまれ
ていることから、たとえは外径か５“の被処理基板（１
２＋がそれぞれセットされる従来の装置葭とこの１＋置
とを比較すれは、はぼ従来の装置の環状ダク） （１５
１の部分だけこの装置が小さくされていることになる。
外周部に環状タクト０５１が設けられていたのであるが
、それに相当する部分がこの実施例装置においては、上
蓋−の＋Ｊ＝＋、 整流板（イ）および底部（２３）、
（２３つから構成されており、被処理基板（１２１の収
容容器（２０）内をこ環状ダク） ＵりＩがとりこまれ
ていることから、たとえは外径か５“の被処理基板（１
２＋がそれぞれセットされる従来の装置葭とこの１＋置
とを比較すれは、はぼ従来の装置の環状ダク） （１５
１の部分だけこの装置が小さくされていることになる。
なお上蓋（２ｚには、抜き穴０７：を有するカバー０６
１が着脱自在普こ取刊けられている。
１が着脱自在普こ取刊けられている。
つぎにこの装置ｉ！ｔ Ｇこおける動作について半導体
基板にホトレジスト剤を塗布する場合を例にあげて説明
する。
基板にホトレジスト剤を塗布する場合を例にあげて説明
する。
まず、真空チャックａｎに前記基板（１２＋を、中心を
一致させて吸着させ、ρ１連［！！１転させるとともに
、排気ダク） （１４１から強制排気を行う。ついでｈ
ａ記基板０２）の表面の中央部にノズル（１０１からホ
トレジスト液を滴下させると、この滴下されたホトレジ
スト液は、尚速回転している前記基板０２）によって遠
心力が個毎されるためｌ ｌｆＪ記基板基板２］の中央
部５からその周縁部へ向って移動し、この基板＋１２１
の表面にホトレジスト剤の塗布膜かル成される。そして
その際に余剰液すなわち廃液はＩＪσ記基板基板２１の
端部から接線方向番こ飛沫となって飛散する。この廃液
飛沫はすべて上蓋ｃ！ｚの傾斜面部の裏曲番こ衝突し、
外向き斜め下方向をこそらされ、一部はさらに整流板（
２）の傾斜血縁部（２７’）に衝突し、微細化され、霧
状になる。
一致させて吸着させ、ρ１連［！！１転させるとともに
、排気ダク） （１４１から強制排気を行う。ついでｈ
ａ記基板０２）の表面の中央部にノズル（１０１からホ
トレジスト液を滴下させると、この滴下されたホトレジ
スト液は、尚速回転している前記基板０２）によって遠
心力が個毎されるためｌ ｌｆＪ記基板基板２］の中央
部５からその周縁部へ向って移動し、この基板＋１２１
の表面にホトレジスト剤の塗布膜かル成される。そして
その際に余剰液すなわち廃液はＩＪσ記基板基板２１の
端部から接線方向番こ飛沫となって飛散する。この廃液
飛沫はすべて上蓋ｃ！ｚの傾斜面部の裏曲番こ衝突し、
外向き斜め下方向をこそらされ、一部はさらに整流板（
２）の傾斜血縁部（２７’）に衝突し、微細化され、霧
状になる。
前記したとおり、排気ダク） （１４）かも強制排気が
なされているため、カバー０６）の抜き穴（１°７１．
ついで上蓋（２々の抜き穴２１＋から収容容器（２ｏｔ
内に持ちこまれた外気は、上蓋＠の傾斜面部と整流板−
の傾斜面縁部（２７’）との間をこ形成される隙間をと
おる外向きの放射状気流となって環状ダク１ｌ１５Ｈこ
流入し、環状ダクト内を第３図の上半部番こおいて時計
方向および第３図の下半部において反時旧方向に流動し
、排気クリ） （１４１がら外部へ排出される。
なされているため、カバー０６）の抜き穴（１°７１．
ついで上蓋（２々の抜き穴２１＋から収容容器（２ｏｔ
内に持ちこまれた外気は、上蓋＠の傾斜面部と整流板−
の傾斜面縁部（２７’）との間をこ形成される隙間をと
おる外向きの放射状気流となって環状ダク１ｌ１５Ｈこ
流入し、環状ダクト内を第３図の上半部番こおいて時計
方向および第３図の下半部において反時旧方向に流動し
、排気クリ） （１４１がら外部へ排出される。
この場合、前記放射状気流が環状ダク） ０５目こ流入
するに際して通過する上血ｔ２２１の傾斜面部と整流根
固の傾斜血縁部（２７’）との開をこ形成される隙間流
路は、前記したとおり排気ダク）（１４１Ｇこ接近する
にしたがってその環状ダクト（１５１の開口幅が次第を
こ狭められることをこまって絞られていることから、排
気ダク） （＋４１の吸引力が強く作用するそれ（こ近
い隙間流路はど流れ抵抗が大きく。
するに際して通過する上血ｔ２２１の傾斜面部と整流根
固の傾斜血縁部（２７’）との開をこ形成される隙間流
路は、前記したとおり排気ダク）（１４１Ｇこ接近する
にしたがってその環状ダクト（１５１の開口幅が次第を
こ狭められることをこまって絞られていることから、排
気ダク） （＋４１の吸引力が強く作用するそれ（こ近
い隙間流路はど流れ抵抗が大きく。
圧力損失がますこととなり、前記した回転させられる被
処理基板Ｑ２１のまわりに生ずる外向きの放射状気流の
均一性が保持される。そしてこの均一性は、環状ダク）
（１５１の断面積が排気ダクト（Ｊ４）４こ近付く程
大きくされていることによってさらに良好をこ保たれる
。
処理基板Ｑ２１のまわりに生ずる外向きの放射状気流の
均一性が保持される。そしてこの均一性は、環状ダク）
（１５１の断面積が排気ダクト（Ｊ４）４こ近付く程
大きくされていることによってさらに良好をこ保たれる
。
このように前記基板（１２＋の外周部の上、下空間には
、外向きめ放射状気流が回転する前記基板（１２＋のま
わりに均一に形成されるので、霧状（こされた０１記廃
液は取り残されることなく前記気流にのせられて環状ダ
ク） （１５１をへて排気ととも（こ排気タフ） （１
１から外部へ排出される。
、外向きめ放射状気流が回転する前記基板（１２＋のま
わりに均一に形成されるので、霧状（こされた０１記廃
液は取り残されることなく前記気流にのせられて環状ダ
ク） （１５１をへて排気ととも（こ排気タフ） （１
１から外部へ排出される。
このように霧状となった廃液は前記放射状気Ｔ）１ｒ、
にのせられて前記基板（１２１の近傍の上、下壁間から
排除されることから、赫状廃液の一部が篩速回転により
負圧となる前記基板（１２１の表面および表面をこ引き
寄せられ付着する現象は抑止される。とくに前記基板（
１２１の良問をこ対しては、すめ外套管い）および某内
内筒部（イ）から小枯′注ガヌたとえばＮ、ガスな放射
状をこ吹き付け＋ ｒ’ｒ＋Ｊ記した放射状の空気流と
合流させて環状ダクトｕ５１を二流出させることによっ
て鰺状廃液の付着を徹底して排除するようにされている
。
にのせられて前記基板（１２１の近傍の上、下壁間から
排除されることから、赫状廃液の一部が篩速回転により
負圧となる前記基板（１２１の表面および表面をこ引き
寄せられ付着する現象は抑止される。とくに前記基板（
１２１の良問をこ対しては、すめ外套管い）および某内
内筒部（イ）から小枯′注ガヌたとえばＮ、ガスな放射
状をこ吹き付け＋ ｒ’ｒ＋Ｊ記した放射状の空気流と
合流させて環状ダクトｕ５１を二流出させることによっ
て鰺状廃液の付着を徹底して排除するようにされている
。
霧状廃液の一部は上蓋（２２１，整流板（５）のそれぞ
れ傾斜面部や環状ダク） （１５１の内壁ｉ１ｕに付７
Ｈするが、この付着廃液は液楢に成長し、環状ダクト０
５）の一部をなす底部例の環状谷底に流下し、環状＋ｒ
ｔ部（２３’）側へ集まるが、排気ダク） （１４１が
若干を底より突出、させである・ので、集まった廃液は
すべてドレン管（１８１から外８１；へ排出される。
れ傾斜面部や環状ダク） （１５１の内壁ｉ１ｕに付７
Ｈするが、この付着廃液は液楢に成長し、環状ダクト０
５）の一部をなす底部例の環状谷底に流下し、環状＋ｒ
ｔ部（２３’）側へ集まるが、排気ダク） （１４１が
若干を底より突出、させである・ので、集まった廃液は
すべてドレン管（１８１から外８１；へ排出される。
被処理基板０２）の直径が４“、３″と小さいものを処
理する場合には、整流板（２′７＋を被処理基板Ｏｈの
大きさに適合させたものを川魚しておき、それぞれ案内
外筒部り４１＆こはめかんるようをこしておけはよい。
理する場合には、整流板（２′７＋を被処理基板Ｏｈの
大きさに適合させたものを川魚しておき、それぞれ案内
外筒部り４１＆こはめかんるようをこしておけはよい。
とく（こ直径が３“の被処理基板Ｏｚを処理する場合昏
こはそれをこ適合した」−蓋＠を環状底部ｔ２３１（２
３’）のｆｊｉＪ記保合都昏こはめかえることが望まし
い。 ・ また被処理基板（１２＋がｊｌＪ形の場合には、その対
角に長さを円形基板の直径と同等にみなして取り扱えは
よい。
こはそれをこ適合した」−蓋＠を環状底部ｔ２３１（２
３’）のｆｊｉＪ記保合都昏こはめかえることが望まし
い。 ・ また被処理基板（１２＋がｊｌＪ形の場合には、その対
角に長さを円形基板の直径と同等にみなして取り扱えは
よい。
以東の説明番こまって明らかなように、この発明にかか
る回転代表ｉｒ＋ｉ処理装置をこおいては９回転中をこ
その表面（こ処理液が供給され７表面処理がなされる被
処理基板が内部にセットされる収容容器の内部をこ環状
タクトをとりこむよう（こ設けられていることから、従
来のｊｊｉＪ記収谷容器の外周部番こ環状ダクトが設け
られていたもσ月こ比してその大きさを小形番こするど
とかできる。そしてこのようをこ収容容器（こ取りこん
だ環状ダクトに外向き１こ放射状に流入する気流の通過
間隙を、」１蓋およびそれをこ対して外縁傾斜面部の外
るにしたか−）て狭くなるよう番こされていることから
、排気タクトの吸引力か強く作用するそれ（こ近い隙間
流路はど流れ抵抗が大きく、圧力損失がまずこととなり
、同転させられる被処理基板の外周部の上、下空間には
、外向きの放射状気流が■ｊす記基板のまわり（こ均一
（こ形１反されるので、霧状にされた廃液を取り残すこ
となく前記気流にのせ、環状タリトをへて排気ととも（
こ排気ダクトから外部へ排出することができる。
る回転代表ｉｒ＋ｉ処理装置をこおいては９回転中をこ
その表面（こ処理液が供給され７表面処理がなされる被
処理基板が内部にセットされる収容容器の内部をこ環状
タクトをとりこむよう（こ設けられていることから、従
来のｊｊｉＪ記収谷容器の外周部番こ環状ダクトが設け
られていたもσ月こ比してその大きさを小形番こするど
とかできる。そしてこのようをこ収容容器（こ取りこん
だ環状ダクトに外向き１こ放射状に流入する気流の通過
間隙を、」１蓋およびそれをこ対して外縁傾斜面部の外
るにしたか−）て狭くなるよう番こされていることから
、排気タクトの吸引力か強く作用するそれ（こ近い隙間
流路はど流れ抵抗が大きく、圧力損失がまずこととなり
、同転させられる被処理基板の外周部の上、下空間には
、外向きの放射状気流が■ｊす記基板のまわり（こ均一
（こ形１反されるので、霧状にされた廃液を取り残すこ
となく前記気流にのせ、環状タリトをへて排気ととも（
こ排気ダクトから外部へ排出することができる。
なお前記説明をこおいては排気ダクトは１個で述べたが
、２個およびそれ以−Ｌとなっても同じようＧこ排気タ
クト部が一番狭く排気ダクトと排気ダクトとの中間が間
隔が広くなるようにすれはよい。
、２個およびそれ以−Ｌとなっても同じようＧこ排気タ
クト部が一番狭く排気ダクトと排気ダクトとの中間が間
隔が広くなるようにすれはよい。
第１図は従来の回転式表面処理装置の側断面図、第２図
はこの発明をこかかる実施例装置の側断面図、第３図は
その被処理基板の下面にそったトＩ断面を矢印方向から
」１蓋を取除いて示した平＋６＋図である。 ００）・・・ノズル （ＩＩＩ・・・真草チャ
ックい・・・被処理基板 ０４１・・・排気タクト
０５）・・・環状ダクト ｔ１８１・・・トレン
官α１１・・・わん状容器 シー］・・・抜き穴し
２・・・上蓋 □□□Ｉ（２３’）・・環状
底部■・・・整流板 （２７’）・・・傾斜１
ｆｌｌ縁部（２７”）・・・環状受皿 ：′−′ 代理人 弁理士 北 村 学Ｉ・ □′□１ 第１図 第３図
はこの発明をこかかる実施例装置の側断面図、第３図は
その被処理基板の下面にそったトＩ断面を矢印方向から
」１蓋を取除いて示した平＋６＋図である。 ００）・・・ノズル （ＩＩＩ・・・真草チャ
ックい・・・被処理基板 ０４１・・・排気タクト
０５）・・・環状ダクト ｔ１８１・・・トレン
官α１１・・・わん状容器 シー］・・・抜き穴し
２・・・上蓋 □□□Ｉ（２３’）・・環状
底部■・・・整流板 （２７’）・・・傾斜１
ｆｌｌ縁部（２７”）・・・環状受皿 ：′−′ 代理人 弁理士 北 村 学Ｉ・ □′□１ 第１図 第３図
Claims (1)
- わん状容器と、この中央上方・こ設けたノズルと、この
容器内中央曇こて回転する真空チャックとを伽え、この
チャックに吸着させた被処理基板を回転させながらその
表向を二別記ノズルから処理液を供給してその表向処理
を行う回転式表面処理装置において、前記わん状容器を
、上面に抜き穴、それに接する傾斜面部を有し１ＪｉＪ
記処理基板の回転軸線番こ対して回転対称形をこ成形さ
れた上蓋と＋ １３ｉＪ記チヤツクを囲み、排気ダクト
を備えた環状底部とから形成し、前記基板の回転半径と
ほぼ同等の外周半径をもつ環状受皿とそれに続く傾斜血
縁部とを備え、この傾斜面縁部の外周端力’ ０１１記
基板の回転中心に対する偏心円周上台こ位置する整流板
を前記環状底部の内周部に取伺け、この整流板および前
記上蓋のそれぞれ傾斜面端部間を、前記排気ダクトの円
周角度配設位置に近付く番こしたがって狭くされる間隙
１こ形成するととも番こ、 ｌｒＪ記上ｎｉ、の下部、
削記埠状底部およびｌＵ記螢流板番こよ−】て削記曲隙
台こ接続１−る環状ダクトを形成してなることを特徴と
する回転式表１１処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20137082A JPS5990928A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 回転式表面処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20137082A JPS5990928A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 回転式表面処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5990928A true JPS5990928A (ja) | 1984-05-25 |
| JPS6231817B2 JPS6231817B2 (ja) | 1987-07-10 |
Family
ID=16439933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20137082A Granted JPS5990928A (ja) | 1982-11-16 | 1982-11-16 | 回転式表面処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5990928A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146028A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPS6262870U (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-18 | ||
| JPS6369564A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転塗布装置 |
| JPS6377569A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転式表面処理装置 |
| US4790262A (en) * | 1985-10-07 | 1988-12-13 | Tokyo Denshi Kagaku Co., Ltd. | Thin-film coating apparatus |
| JPH04156974A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-29 | Origin Electric Co Ltd | スピンナ装置 |
| US5180431A (en) * | 1989-06-14 | 1993-01-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for applying liquid agent on surface of rotating substrate |
| US5395649A (en) * | 1992-02-04 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Spin coating apparatus for film formation over substrate |
| WO2005103825A3 (de) * | 2004-04-20 | 2005-12-29 | Sse Sister Semiconductor Equip | Vorrichtung zum drehbelacken von substraten |
| CN102671832A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 旋涂装置 |
| JP2015056626A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
| JP2018137263A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5187647A (en) * | 1991-03-11 | 1993-02-16 | John Fluke Mfg. Co., Inc. | Electronic instrument keypad assembly with z-axis oriented electrical interconnect |
-
1982
- 1982-11-16 JP JP20137082A patent/JPS5990928A/ja active Granted
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6146028A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-06 | Fujitsu Ltd | レジスト塗布装置 |
| JPH0441976Y2 (ja) * | 1985-10-07 | 1992-10-02 | ||
| JPS6262870U (ja) * | 1985-10-07 | 1987-04-18 | ||
| US4790262A (en) * | 1985-10-07 | 1988-12-13 | Tokyo Denshi Kagaku Co., Ltd. | Thin-film coating apparatus |
| JPS6369564A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転塗布装置 |
| JPH0468027B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1992-10-30 | Dainippon Screen Mfg | |
| JPH0468028B2 (ja) * | 1986-09-19 | 1992-10-30 | Dainippon Screen Mfg | |
| JPS6377569A (ja) * | 1986-09-19 | 1988-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板の回転式表面処理装置 |
| US5180431A (en) * | 1989-06-14 | 1993-01-19 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Apparatus for applying liquid agent on surface of rotating substrate |
| JPH04156974A (ja) * | 1990-10-17 | 1992-05-29 | Origin Electric Co Ltd | スピンナ装置 |
| US5395649A (en) * | 1992-02-04 | 1995-03-07 | Sony Corporation | Spin coating apparatus for film formation over substrate |
| WO2005103825A3 (de) * | 2004-04-20 | 2005-12-29 | Sse Sister Semiconductor Equip | Vorrichtung zum drehbelacken von substraten |
| US7661385B2 (en) | 2004-04-20 | 2010-02-16 | Sse Sister Semiconductor Equipment Gmbh | Device for spin-coating substrates |
| CN102671832A (zh) * | 2011-04-08 | 2012-09-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 旋涂装置 |
| JP2015056626A (ja) * | 2013-09-13 | 2015-03-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置 |
| JP2018137263A (ja) * | 2017-02-20 | 2018-08-30 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6231817B2 (ja) | 1987-07-10 |
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