KR20200009201A

KR20200009201A - 기판 처리 장치

Info

Publication number: KR20200009201A
Application number: KR1020180083260A
Authority: KR
Inventors: 강동훈; 이옥성; 이영준; 김현경
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2018-07-18
Filing date: 2018-07-18
Publication date: 2020-01-30
Also published as: KR102139614B1

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 열처리 챔버로부터 공정가스를 배기하는 배기라인과 액처리 챔버로 공기를 공급하는 공급라인 사이에 단열부재를 배치하여, 액처리 챔버로 공급되는 공기의 온도와 습도를 적정치로 유지하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE TREATING APPARATUS}

본 발명은 기판을 처리하는 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 처리 유닛으로 가스를 공급하는 공급라인과, 처리 유닛으로부터 가스를 배기하는 배기라인을 단열하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.

반도체 소자를 제조하기 위해서는 반도체 웨이퍼와 같은 기판 상에 다양한 패턴을 형성하여야 한다. 반도체 패턴 형성은 증착 공정(depositing process), 사진 공정(lithography process), 그리고 식각 공정(etching process)을 연속적으로 수행됨으로써 이루어진다.

종래와 같이 패턴들 사이의 간격이 넓을 경우에 사진 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트를 도포하여 웨이퍼 상에 포토레지스트 층(photoresist layer)을 형성하고, 노광 장비를 통해 레티클(reticle)에 형성된 패턴을 포토레지스트 층 상에 전사하여 회로를 형성하고, 이후 현상액을 웨이퍼의 포토레지스트 층에 공급하여 노광된 영역 또는 그 반대 영역을 선택적으로 제거하는 방식으로 수행되었다.

그러나 최근에는 패턴이 미세화됨에 따라 포토레지스트 층 아래에 희생막을 형성하는 공정이 요구되며, 희생막으로는 스핀 온 하드마스크(SOH, spin on hardmask) 막이 사용되고 있다.

스핀 온 하드 마스크 막은 액처리 챔버를 통해 기판에 형성된다. 도 1을 참조하면 액처리 유닛(1)은, 회전하는 지지대(2)에 놓인 기판(W)에 처리액을 공급한 뒤, 하우징(3) 내부에 하강 기류(f)를 형성해 스핀 온 마스크 막이 기판(W) 상면에 균일한 두께로 형성될 수 있도록 유도하고 있다. 액 처리 유닛(1)에 기판이 반입되거나 반출된 직후 기판(W)은 열처리 챔버(4)를 통해 가열되는 것이 일반적이다.

그러나 열처리 챔버(4)로부터 배기가스를 배출하는 배기라인(5)과 액처리 챔버(1)로 가스를 공급하는 공급라인(6) 사이에 열교환이 발생됨에 따라, 액처리 챔버(1)에 하강 기류(f)를 형성하는 가스의 온도 및 습도가 변경된다. 가스의 온도 및 습도가 변경되면 기판(W) 상면에 형성된 스핀 온 마스크 막의 두께가 기판 영역별로 동일하지 못한 결과를 얻게 된다.

대한민국 공개특허공보 제10-2018-0025448호(2018.03.09.)

본 발명은 액처리를 통해 기판에 형성된 막의 두께 균일도를 증대하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는, 제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼유닛 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되, 처리 모듈은, 기판을 가열 또는 액처리하는 제1 처리 유닛과, 기판을 버퍼유닛 모듈, 제1 처리 유닛 간에 반송하는 반송유닛과, 제1 처리 유닛과 연결된 복수의 배관을 가지는 덕트유닛을 포함하며, 덕트유닛은, 제1 처리 유닛으로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기라인과, 제1 처리 유닛으로 공급되는 가스가 흐르는 공급라인과, 배기라인과 공급라인을 단열하는 단열부재를 포함한다.

상기 제1 처리 유닛은, 기판을 열처리 하는 제1 열처리 챔버와, 기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하며, 제1 처리 유닛에서 배기되는 가스는, 제1 열처리 챔버로부터 배기되는 처리 가스이고, 제1 처리 유닛으로 공급되는 가스는, 제1 액처리 챔버 내에 하강 기류를 형성하는 가스일 수 있다.

상기 단열부재는, 배기라인과 공급라인 사이에 배치된 단열벽일 수 있다.

상기 단열벽 내부에는 가스가 충진될 수 있다.

상기 제1 열처리 챔버 및 제2 액처리 챔버는, 각각 복수개가 적층된 형태로 처리 유닛에 제공되고, 배기라인 및 공급라인은, 각각의 제1 열처리 챔버 또는 제2 액처리 챔버와 연결되는 복수의 서브라인과, 복수의 서브라인이 하나로 연결된 메인라인을 포함할 수 있다.

상기 배기라인에 흐르는 가스는 섭씨 100도 이상의 온도일 수 있다.

상기 공급라인에 흐르는 가스와 배기라인을 흐르는 가스의 온도 차이는 섭씨 200도 이상일 수 있다.

상기 처리 모듈은, 제1 방향을 따라 순차적으로 반송 유닛, 제1 액처리 챔버가 배치되고, 제1 방향과 수직한 제2 방향을 따라 반송 유닛 일측에 제1 열처리 챔버가 배치되고, 제2 방향을 따라 제1 액처리 챔버 일측에 덕트유닛이 배치될 수 있다.

상기 덕트유닛을 이루는 면들 중, 제1 방향 및 제2 방향과 모두 수직한 제3 방향을 따라 제공된 면들 중 중 제1 면이 제1 열처리 챔버와 인접하고, 배기라인은 그 길이방향이 제1 면에 인접한 위치에서 제3 방향을 따라 제공되고, 공급라인은 그 길이방향이 제1 면과 대향하는 제2 면에 인접한 위치에서 제3 방향을 따라 제공되고, 단열부재는, 그 길이 방향이 제3 방향을 따라 제공될 수 있다.

본 발명의 일실시예에 의하면, 단열부재를 통해 공급라인과 배기라인이 단열되므로, 액처리 챔버로 공급되는 가스의 온도 및 습도가 변경되지 않게 되는 효과가 발생 된다. 이에 따라, 액처리 챔버 내부에 형성되는 하강 기류의 온도 및 습도가 균일해지고, 기판에 액처리를 통해 형성된 막의 두께 균일도가 향상된다.

본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.

도 1은 액처리 챔버의 일 예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명이 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1 액처리 챔버를 보여주는 사시도이다.
도 4는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 측면도이다.
도 5는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 후면도이다.

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장된 것이다.

도 2는 본 발명이 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 평면도이다. 도 3은 도 2의 제1 액처리 챔버를 보여주는 사시도이다. 도 4는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 측면도이다. 도 5는 도 2의 단열부재를 보여주는 부분 후면도이다.

도 2 내지 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치는 인덱스 모듈(index module; 100)과 버퍼유닛 모듈 그리고 처리 모듈(process treating module; 200)을 포함한다. 인덱스 모듈(100)과 버퍼유닛 모듈 그리고, 처리 모듈(200)은 나란히 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(100)과, 버퍼유닛 모듈 그리고 처리 모듈(200)이 배열된 방향을 제1 방향(X1)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 제1 방향(X1)과 수직한 방향을 제2 방향(X2)이라 하고, 제1 방향(X1) 및 제2 방향(X2)에 모두 수직한 방향을 제3 방향(X3)이라 한다.

인덱스 모듈(100)은 버퍼 유닛 모듈 및 처리 모듈(200)의 전단부에 설치된다. 인덱스 모듈(100)은 그 길이 방향이 제2 방향(X2)으로 배치된다. 인덱스 모듈(100)은 로드포트(110)와 이송 프레임(120)을 가진다. 이송 프레임(120)을 기준으로 로드포트(110)는 처리 모듈(200)의 반대 측에 위치된다. 로드포트(110)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(110)는 제2 방향(X2)을 따라 배치될 수 있다. 기판들이 수용된 용기(C)는 로드포트(110)에 놓이고, 기판은 이송 프레임(120)에 제공된 인덱스 로봇(122)에 의해 용기(C)와 처리 모듈(200) 간에 반송된다.

용기(C)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기가 사용될 수 있다. 용기(C)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic Guided Vehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드 포트(110)에 놓일 수 있다.

이송 프레임(120)의 내부에는 인덱스 로봇(122)이 제공된다. 인덱스 로봇(122)은 제2 방향(X1)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(122)은 기판이 놓이는 핸드(123)를 포함하며, 핸드(123)는 전진 및 후진 이동, 제3 방향(X3)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 제2 방향(X2) 또는 제3 방향(X3)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.

처리 모듈(200)은 기판 상에 하드마스크 막을 형성하는 공정을 수행할 수 있다. 기판은 반도체 웨이퍼일 수 있다. 처리 모듈(200)은 제1 처리 유닛(B1)과 제2 처리 유닛(B2)을 포함한다. 제1 처리 유닛(B1)과 제2 처리 유닛(B2)은 제2 방향(X2)으로 배열될 수 있다. 제1 처리 유닛(B1)과 제2 처리 유닛(B2)은 서로 동일한 구조로 제공되고, 서로 동일한 공정들을 수행할 수 있다. 기판은 제1 처리 유닛(X1)과 제2 처리 유닛(X2) 중 선택된 어느 하나의 처리 유닛에서 처리될 수 있다.

버퍼유닛 모듈은 인덱스 모듈(100)과 처리 모듈(200) 사이에서 기판을 반송한다. 버퍼유닛 모듈은 인덱스 모듈(100)과 제1 처리 유닛(B1) 사이에서 기판을 반송하는 제1 버퍼 유닛(1000)과, 인덱스 모듈(100)과 제2 처리 유닛(B2) 사이에서 기판을 반송하는 제2 버퍼 유닛(1001)을 포함한다.

제1 버퍼유닛(1000)과 제2 버퍼유닛(1001)은 인덱스 모듈(100)의 일 측에 제2 방향(X2)을 따라 나란히 배열된다. 일 예에 의하면, 인덱스 모듈(100), 제1 버퍼유닛(1000), 그리고 후설할 제1 반송 유닛(2000), 및 제1 액처리 챔버(3200)는 제1 방향(X1)을 따라 순차적으로 배치되고, 인덱스 모듈(100), 제2 버퍼유닛(1001), 그리고 후설할 제2 반송 유닛(2001) 및 제2 액처리 챔버(3201)도 제1 방향(X1)을 따라 순차적으로 배치된다. 또한, 제1 열처리 챔버(3100), 제1 반송 유닛(2000), 제2 반송 유닛(2001), 그리고 제2 열처리 챔버(3101)는 제2 방향(X2)을 따라 순차적으로 배치된다.

제1 버퍼유닛(1000)과 제2 버퍼유닛(1001)은 기판이 머무르는 공간을 제공한다. 제1 처리 유닛(B1)으로 반입된 기판 또는 제1 처리 유닛(B1)으로부터 반출될 기판은 제1 버퍼유닛(1000)에 머무르고, 제2 처리 유닛(B2)으로 반입된 기판 또는 제2 처리 유닛(B2)으로부터 반출될 기판은 제2 버퍼유닛(1001)에 머무른다. 제1 버퍼유닛(1000)과 제2 버퍼유닛(1001)은 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.

제1 처리 유닛(B1)은 제1 버퍼유닛(1000) 후단부에 위치된다. 제1 처리 유닛(B1)은 제1 반송 유닛(2000), 제1 처리챔버(3000), 제1 덕트유닛(4000)를 가지고, 제2 처리 유닛(B2)은 제2 버퍼유닛(1001), 제2 반송 유닛(2001), 제2 처리챔버(3001), 제2 덕트유닛(4001)를 가진다. 제1 처리챔버(3000)는 제1 반송 유닛(2000)의 둘레에 배치되고, 제2 처리챔버(3001)는 제2 반송 유닛(2001)의 둘레에 배치된다. 일 예에 의하면, 제1 처리챔버(3000)는 제1 열처리 챔버(3100)와 제1 액처리 챔버(3200)를 포함하고, 제2 처리챔버(3001)는 제2 열처리 챔버(3101)와 제1 액 처리 챔버(3201)를 포함한다. 제1 열처리 챔버(3100), 제1 액처리 챔버(3200), 제2 열처리 챔버(3101), 제2 액처리 챔버(3201)는 각각 복수 개가 제공되고, 서로 적층되도록 배치될 수 있다. 예컨대, 제1 액처리 챔버(3200)들은 제1 반송 유닛(2000)의 한 측면에 서로 적층되도록 제공되고, 제1 열처리 챔버(3100)들은 제1 반송 유닛(2000)의 다른 측면에 서로 적층되도록 제공될 수 있다.

제1 반송 유닛(2000)은 제1 버퍼유닛(1000), 제1 액처리 챔버(3200), 그리고 제1 열처리 챔버(3100) 간에 기판을 반송하고, 제2 반송 유닛(2001)는 제2 버퍼유닛(1001), 제2 액처리 챔버(3201), 그리고 제2 열처리 챔버(3101) 간에 기판을 반송한다. 제1 반송 유닛(2000)과 제2 반송 유닛(2001)은 동일한 구조로 제공될 수 있다.

제1 열처리 챔버(3100)는 기판이 제1 액처리 챔버(3200)에 반입되기 전에 또는 기판이 제1 액처리 챔버(3200)로부터 반출된 후에 기판을 열처리한다. 예컨대, 제1 열처리 챔버(3100)는 기판을 가열하여 제1 액처리 챔버(3200)에서 도포된 막을 경화시키는 하드 베이크 공정(hard bake process)을 수행할 수 있다. 제2 열처리 챔버(3101)는 제1 열처리 챔버(3100)와 동일한 구조를 가질 수 있다.

도 3을 참조하면, 제1 액처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 컵(3220), 지지유닛(3230), 그리고 노즐유닛(3240)을 포함한다. 하우징(3210))의 상부벽에는 하우징(3210) 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터 유닛(3250)이 설치된다. 컵(3220)은 하우징(3210) 내에 배치된다. 컵(3210)은 내부에 상부가 개방된 처리공간을 가진다. 지지유닛(3230)은 컵(3220) 내부의 처리공간에서 기판을 지지한다. 지지유닛(3230)은 지지판(3231) 및 회전 구동기(3232)를 가진다. 도포 공정시 기판은 지지판(3231) 상에 놓인다. 지지판(3231)은 원판 형상으로 제공되며, 기판보다 작은 직경을 가질 수 있다. 회전구동기(3232)는 제3 방향(X1)에 따른 지지판(3231)의 중심축을 기준으로 지지판(3231)을 회전시키도록 제공된다. 노즐유닛(3240)은 기판 상으로 도포하고자 하는 액을 공급한다. 노즐유닛(3240)으로부터 액이 토출될 때 기판은 회전된다.

도 2, 도 4, 도 5를 참조하면, 제1 덕트유닛(4000)은 제2 방향(X1)을 따라 제1 액처리 챔버(3200) 일측에 배치된다. 제1 덕트유닛(4000)은 배기라인(4100), 공급라인(4200), 단열부재(4300)을 포함한다. 배기라인(4100)은 제1 열처리 챔버(3100), 제2 열처리 챔버(3101)로부터 공정시 발생한 고열의 가스를 배기한다. 공급라인(4200)은 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201)로 하강기류를 형성하기 위한 가스를 공급한다.

공급라인(4200)을 통해 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201)로 공급되는 가스는 공기이다. 배기라인(4100)을 통해 제1 열처리 챔버(3100), 제2 열처리 챔버(3101)에서 배기되는 공정 가스의 온도는 섭씨 100도 이상이다. 공급라인(4200)을 통해 공급되는 가스와 배기라인(4100)에 흐르는 가스의 온도 차이는 섭씨 200도 이상이다. 배기라인(4100, 4101)은 적층된 복수개의 제1 열처리 챔버(3100), 제2 열처리 챔버(3101) 각각으로부터 제1 방향(X1)으로 연장된 복수의 서브라인(4110)과, 복수의 서브라인(4110)들이 하나로 연결된 메인라인(4120)을 포함한다. 공급라인(4200)은 적층된 복수개의 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201) 각각으로부터 제2 방향(X2)으로 연장된 복수의 서브라인(4210)과, 복수의 서브라인(4210)들이 하나로 연결된 메인라인(4220)을 포함한다.

제1 덕트유닛(4000)은, 제3 방향을 따라 제공된 면들 중 제1 면(S1)이 제1 열처리 챔버와 인접한다. 배기라인(4100)은 그 길이방향이 제1 면(S1)에 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 공급라인(4200)은 그 길이방향이 제1 면과(S1)과 대향하는 제2 면(S2)에 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 배기라인(4100) 및 공급라인(4200)은 기판 처리설비가 놓여진 바닥 아래 공간에 위치된 공급장치 또는 배기장치와 연결된다.

단열부재(4300)는 배기라인(4100)과 공급라인(4200) 사이에 배치된다. 단열부재(4300)는 그 길이방향이 제3 방향을 따라 제공된다. 단열부재(4300)는 미리 정해진 소정의 두께를 갖는 단열벽이다. 단열부재(4300) 내부는 비워져 있으며, 내부에 가스가 충진 된다. 가스는 공기이다.

제1 열처리 챔버(3100)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4203)은, 제1 덕트유닛(4000)의 제1 면(S1)과 대향되는 제1 열처리 챔버(3100)의 일측면에 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다.

제2 덕트유닛(4001)은 제1 방향(X1)과 수평한 임의 축을 기준으로 제1 덕트유닛(4000)과 대칭되도록 제2 방향(X1)을 따라 제2 액처리 챔버(3201) 일측에 배치된다. 제1 덕트유닛(4000)의 제1 면(S1)과 대응되는 제2 덕트유닛(4001)의 일면에 인접한 위치에서 제2 열처리 챔버(3001)로부터 배기되는 공정가스를 배기하는 배기라인(4101)이 제3 방향(X3)을 따라 제공된다.

제2 열처리 챔버(3101)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4204)은, 제1 방향(X1)과 수평한 임의 축을 기준으로 제1 열처리 챔버(3100)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4203)과 대칭을 이루도록 제2 열처리 챔버(3101)의 일면에 제공된다. 제2 열처리 챔버(3101)로 공정 가스를 공급하는 공급라인(4204)은 제3 방향(X3)을 따라 제공된다.

제3 방향(X3)을 따라 기립된 제2 덕트유닛(4001)의 면들 중 제3 면(S3)이 제2 액처리 챔버(3201)와 인접한다. 제2 액처리 챔버(3201)로부터 공정 가스를 배기하는 배기라인(4102)은 제3 면(S3)과 인접한 위치에서 제3 방향(X3)을 따라 제공된다. 배기라인(4101)과 배기라인(4102)은 기판 처리설비가 놓여진 바닥 아래 공간에 위치된 배기장치와 연결된다.

위와 같이 구성되는 본 발명의 일실시예의 기판 처리 장치에 따르면, 단열부재(4300)를 통해 공급라인(4200)과 배기라인(4100)이 단열되므로, 제1 액처리 챔버(3200), 제2 액처리 챔버(3201)로 공급되는 가스의 온도 및 습도가 배기라인(4100)으로부터 발생하는 복사열에 의해 변경되지 않게 되는 효과가 발생 된다. 이에 따라, 액처리 챔버에 발생된 하강기류가 모두 동일한 습도 및 온도를 유지하게 되고, 일정한 하강 속도를 이루게 된다. 액처리 챔버에 발생된 하강기류가 일정한 하강속도를 이루게 되므로, 기판에 액처리를 통해 형성된 막의 두께 균일도가 향상된다.

이상 상세한 설명은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치를 바탕으로 상세히 설명하였다. 그러나 본 발명은 상술한 예에 한정되지 않으며, 기판을 처리하는 모든 장치에 적용 가능하다.

앞서 상세한 설명에서는, 단열부재(4300)가 미리 정해진 소정의 두께를 갖고 내부에 공기가 채워진 단열벽인 것으로 설명하였으나, 단열부재(4300) 상단 및 하단이 개구된 형태로도 제공될 수 있을 것이다. 이러한 경우, 필요에 따라 제1 덕트유닛(4000)에 공기를 순환시켜 단열부재(4300) 내부에 존재하는 공기의 온도를 조절할 수도 있을 것이다.

3100: 제1 열처리 챔버 3101: 제2 열처리 챔버
3200: 제1 액처리 챔버 3201: 제2 액처리 챔버
4000: 제1 덕트유닛 4001: 제2 덕트유닛
4100: 배기라인 4101: 배기라인
4102: 배기라인 4110: 서브라인
4120: 메인라인 4200: 공급라인
4210: 서브라인 4220: 메인라인
4300: 단열부재 S1: 제1 면
S2: 제2 면 S3: 제3 면

Claims

기판을 처리하는 장치에 있어서,
제1 방향을 따라 순차적으로 배치되는 인덱스 모듈, 버퍼유닛 모듈, 그리고 처리 모듈을 포함하되,
상기 처리 모듈은,
상기 기판을 가열 또는 액처리하는 제1 처리 유닛과;
상기 기판을 상기 버퍼유닛 모듈, 상기 제1 처리 유닛 간에 반송하는 반송유닛과;
상기 제1 처리 유닛과 연결된 복수의 배관을 가지는 덕트유닛을 포함하며,
상기 덕트유닛은,
상기 제1 처리 유닛으로부터 배기되는 가스가 흐르는 배기라인과;
상기 제1 처리 유닛으로 공급되는 가스가 흐르는 공급라인과;
상기 배기라인과 상기 공급라인을 단열하는 단열부재를 포함하는 기판 처리 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 처리 유닛은,
상기 기판을 열처리 하는 제1 열처리 챔버와;
상기 기판을 액처리하는 제1 액처리 챔버를 포함하며,
상기 제1 처리 유닛에서 배기되는 가스는, 상기 제1 열처리 챔버로부터 배기되는 처리 가스이고,
상기 제1 처리 유닛으로 공급되는 가스는, 상기 제1 액처리 챔버 내에 하강 기류를 형성하는 가스인 기판 처리 장치.
제2항에 있어서,
상기 단열부재는,
상기 배기라인과 공급라인 사이에 배치된 단열벽인 기판 처리 장치.
제3항에 있어서,
상기 단열벽 내부에는 가스가 충진된 기판 처리 장치.
제4항에 있어서,
상기 제1 열처리 챔버 및 상기 제2 액처리 챔버는, 각각 복수개가 적층된 형태로 상기 처리 유닛에 제공되고,
상기 배기라인 및 상기 공급라인은,
각각의 상기 제1 열처리 챔버 또는 상기 제2 액처리 챔버와 연결되는 복수의 서브라인과;
상기 복수의 서브라인이 하나로 연결된 메인라인을 포함하는 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 배기라인에 흐르는 가스는 섭씨 100도 이상의 온도인 기판 처리 장치.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 공급라인에 흐르는 가스와 상기 배기라인을 흐르는 가스의 온도 차이는 섭씨 200도 이상인 기판 처리 장치.
제5항에 있어서,
상기 처리 모듈은,
제1 방향을 따라 순차적으로 상기 반송 유닛, 상기 제1 액처리 챔버가 배치되고,
상기 제1방향과 수직한 제2 방향을 따라 상기 반송 유닛 일측에 상기 제1 열처리 챔버가 배치되고,
상기 제2 방향을 따라 상기 제1 액처리 챔버 일측에 상기 덕트유닛이 배치된 기판 처리 장치.
제8항에 있어서,
상기 덕트유닛을 이루는 면들 중, 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향과 모두 수직한 제3 방향을 따라 제공된 면들 중 중 제1 면이 상기 제1 열처리 챔버와 인접하고,
상기 배기라인은 그 길이방향이 상기 제1 면에 인접한 위치에서 상기 제3 방향을 따라 제공되고,
상기 공급라인은 그 길이방향이 상기 제1 면과 대향하는 제2 면에 인접한 위치에서 상기 제3 방향을 따라 제공되고,
상기 단열부재는, 그 길이 방향이 상기 제3 방향을 따라 제공된 기판 처리 장치.