JP2003234270A

JP2003234270A - 熱処理装置

Info

Publication number: JP2003234270A
Application number: JP2002030360A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Shinya; 浩新屋; Takahiro Kitano; 高広北野
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2002-02-07
Filing date: 2002-02-07
Publication date: 2003-08-22
Anticipated expiration: 2022-02-07
Also published as: US20070137556A1; US20030145791A1; JP4148346B2

Abstract

(57)【要約】【課題】線幅変動に影響を与える残留溶剤量を制御可
能な熱処理装置を提供すること。【解決手段】熱源を有し、表面にレジスト膜が形成さ
れたウエハＷを載置する載置台２５と、載置台２５に保
持されたウエハＷを収容する処理室５０とを具備するプ
リベークユニット（ＰＢ）において、処理室５０の上部
に設けられ、ウエハＷ表面の雰囲気を排気可能な排気口
６１と、ウエハＷと排気口６１との間に設けられ、異な
る同心円上で開口率の異なる天板８０と、を設けて、熱
処理中に残留溶剤の揮発速度を制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、例えば半導体ウ
エハ等の被処理基板の表面に形成されるレジスト膜の膜
質を制御可能な熱処理装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体ウエハの製造工程におい
ては、半導体ウエハやＬＣＤ基板等（以下にウエハ等と
いう）の表面に、レジストのパターンを形成するため、
フォトリソグラフィ技術が用いられている。このフォト
リソグラフィ技術は、ウエハ等の表面にレジスト液を供
給（吐出、塗布）してレジスト膜を形成するレジスト膜
形成工程と、形成されたレジスト膜に回路パターンを露
光する露光工程と、露光後のウエハ等に現像液を供給
（吐出、塗布）して現像処理を行う現像工程とを有して
いる。

【０００３】また、上記処理工程間においては、例えば
レジスト塗布工程と露光処理工程との間で行われる、レ
ジスト膜中の残留溶剤を蒸発させてウエハ等とレジスト
膜との密着性を向上させるための加熱処理｛プリベーク
（ＰＡＢ）｝や、露光処理工程と現像処理工程との間で
行われる、フリンジの発生を防止するため、あるいは化
学増幅型レジスト（ＣＡＲ：chemically amplified res
ist）における酸触媒反応を誘起するための加熱処理
｛ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）｝や、現像
処理工程後に行われる、レジスト中の残留溶剤（残留溶
媒）や現像時にレジスト中に取り込まれたリンス液を除
去し、ウェットエッチング時の浸み込みを改善するため
の加熱処理（ポストベーク）等、種々の加熱処理が行わ
れている。

【０００４】これらフォトリソグラフィー工程において
は、回路パターンや線幅（ＣＤ）の微細化が進むにつれ
て、パターン線幅のウエハ面内均一性（ＣＤ均一性）が
厳しく求められており、パターン寸法に大きく影響を与
えるとされていた現像工程及びＰＥＢ工程以外に、露光
前の工程における線幅変動要因を改善することが求めら
れている。

【０００５】そこで従来では、ウエハ表面に形成された
レジスト膜の膜厚均一性の向上を図ることにより、線幅
変動の改善を行っていた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年、
レジスト膜の膜厚が均一であっても、例えばレジスト膜
に残留する溶剤量等のレジスト構成物の量分布や、レジ
スト中の保護基の比率分布差、レジスト中のポリマーの
集結状態差等、レジスト膜の化学的、物理的性質（以下
に膜質という）の差によって線幅が異なる膜質変化起因
の線幅変動が確認されるに至り、レジスト膜の膜質均一
性を改善することが非常に重要となっている。

【０００７】ここで、上記膜質変化起因の一つである残
留溶剤量の分布差は、主にレジスト膜形成工程やプリベ
ーク工程において生じることが分かっている。

【０００８】この発明は上記事情に鑑みなされたもの
で、膜質均一性に影響を与えるレジスト膜の残留溶剤量
（残留溶媒量）をプリベーク工程中に制御可能な熱処理
装置を提供することを目的とするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明の第１の熱処理装置は、熱源を有し、表面
に処理膜が形成された被処理基板を載置する載置台と、
上記載置台に保持された被処理基板を収容する処理室と
を具備する熱処理装置において、上記処理室内のガスを
排気可能な排気手段と、上記被処理基板と排気手段との
間に設けられ、異なる同心円上で開口率の異なる天板
と、を具備することを特徴とする（請求項１）。この場
合、天板は、開口率の異なる多孔質材によって形成する
方が好ましい（請求項２）。

【００１０】また、この発明の第２の熱処理装置は、熱
源を有し、表面に処理膜が形成された被処理基板を載置
する載置台と、上記載置台に保持された被処理基板を収
容する処理室とを具備する熱処理装置において、上記被
処理基板表面の異なる同心円上で、上記処理室内のガス
を排気可能な複数の排気手段と、上記排気手段の排気量
をそれぞれ調節可能な複数の排気量調節手段と、を具備
することを特徴とする（請求項３）。

【００１１】この発明の第３の熱処理装置は、熱源を有
し、表面に処理膜が形成された被処理基板を載置する載
置台と、上記載置台に保持された被処理基板を収容する
処理室とを具備する熱処理装置において、上記被処理基
板表面の異なる同心円上で、上記処理室内のガスを排気
可能な複数の排気手段と、上記被処理基板表面の異なる
同心円上で、上記処理室内にガスを供給可能な複数のガ
ス供給手段と、上記排気手段が排気するガスの排気量を
それぞれ調節可能な複数の排気量調節手段と、上記ガス
供給手段が供給するガスの供給量をそれぞれ調節可能な
複数の供給量調節手段と、を具備することを特徴とする
（請求項４）。

【００１２】この発明の第４の熱処理装置は、熱源を有
し、表面に処理膜が形成された被処理基板を載置する載
置台と、上記載置台に保持された被処理基板を収容する
処理室とを具備する熱処理装置において、上記被処理基
板表面の異なる同心円上で、上記処理室内のガスを排気
可能であると共に、処理室内にガスを供給可能な複数の
給排手段と、上記給排手段のガスの供給と排気とを切り
換える切換手段と、上記給排手段が供給するガスの供給
量をそれぞれ調節可能な複数の供給量調節手段と、上記
給排手段が排気するガスの排気量をそれぞれ調節可能な
複数の排気量調節手段と、を具備することを特徴とする
（請求項５）。

【００１３】この発明の第３又は第４の熱処理装置にお
いて、上記ガス供給手段又は給排手段が供給するガスの
溶剤濃度を調節するガス濃度調節手段を設ける方が好ま
しい（請求項６）。

【００１４】また、この発明の第２ないし第４の熱処理
装置において、上記被処理基板と各排気手段又は各ガス
供給手段あるい各給排手段との間に、気圧を均一にする
複数のバッファを設ける方が好ましい（請求項７）。

【００１５】請求項１，２記載の発明によれば、被処理
基板と排気手段との間に、異なる同心円上で開口率の異
なる天板を設けて、排気量に差を付けることができるの
で、処理室内の雰囲気を調節して、被処理基板の異なる
同心円上の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度をそれぞれ
制御することができる。

【００１６】また、請求項３記載の発明によれば、被処
理基板表面の異なる同心円上で、処理室内のガスを排気
可能な複数の排気手段と、排気手段の排気量をそれぞれ
調節可能な複数の排気量調節手段とを設けて、排気量に
差を付けることができるので、処理室内の雰囲気を調節
して、被処理基板の異なる同心円上の残留溶剤（残留溶
媒）の揮発速度をそれぞれ制御することができる。

【００１７】また、請求項４，５記載の発明によれば、
被処理基板表面の異なる同心円上で、処理室内のガスを
排気可能な複数の排気手段と、被処理基板表面の異なる
同心円上で、処理室内にガスを供給可能な複数のガス供
給手段と、排気手段が排気するガスの排気量をそれぞれ
調節可能な複数の排気量調節手段と、ガス供給手段が供
給するガスの供給量をそれぞれ調節可能な複数の供給量
調節手段とを設けるか、あるいは、被処理基板表面の異
なる同心円上で、処理室内のガスを排気可能であると共
に、処理室内にガスを供給可能な複数の給排手段と、給
排手段のガスの供給と排気とを切り換える切換手段と、
給排手段が供給するガスの供給量をそれぞれ調節可能な
複数の供給量調節手段と、給排手段が排気するガスの排
気量をそれぞれ調節可能な複数の排気量調節手段とを設
けるので、ガスの供給と排気によって処理室内の雰囲気
を効率よく置換して調節し、被処理基板の異なる同心円
上の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度を更に確実に制御
することができる。

【００１８】また、請求項６記載の発明によれば、ガス
供給手段又は給排手段が供給するガスの溶剤濃度（溶媒
濃度）を調節するガス濃度調節手段を設けるので、塗布
膜の残留溶剤量に応じて処理室内のガスの溶剤濃度を調
節して、被処理基板の異なる同心円上の残留溶剤（残留
溶媒）の揮発速度をそれぞれ制御することができる。

【００１９】また、請求項７記載の発明によれば、排気
手段又はガス供給手段あるい給排手段の被処理基板と対
向する位置に、被処理基板の異なる同心円上で気圧を均
一にする複数のバッファを設けるので、処理室内の雰囲
気を更に確実に調節して、被処理基板の異なる同心円上
の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度をそれぞれ制御する
ことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下に、この発明の実施の形態を
図面に基づいて詳細に説明する。

【００２１】図１はレジスト液塗布・現像処理システム
の一実施形態の概略平面図、図２は図１の正面図、図３
は図２の背面図である。

【００２２】上記処理システムは、被処理基板として半
導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）をウエハカセッ
ト１で複数枚例えば２５枚単位で外部からシステムに搬
入又はシステムから搬出したり、ウエハカセット１に対
してウエハＷを搬出・搬入したりするためのカセットス
テーション１０（搬送部）と、塗布現像工程の中で１枚
ずつウエハＷに所定の処理を施す枚葉式の各種処理ユニ
ットを所定位置に多段配置してなる処理ステーション２
０と、この処理ステーション２０と隣接して設けられる
露光装置４０（ＥＸＰ）との間でウエハＷを受け渡すた
めのインター・フェース部３０とで主要部が構成されて
いる。

【００２３】上記カセットステーション１０は、図１に
示すように、カセット載置台２上の突起３の位置に複数
個例えば４個までのウエハカセット１がそれぞれのウエ
ハ出入口を処理ステーション２０側に向けて水平のＸ方
向に沿って一列に載置され、カセット配列方向（Ｘ方
向）及びウエハカセット１内に垂直方向に沿って収容さ
れたウエハＷのウエハ配列方向（Ｚ方向）に移動可能な
ウエハ搬送用ピンセット４が各ウエハカセット１に選択
的に搬送するように構成されている。また、ウエハ搬送
用ピンセット４は、水平のθ方向に回転可能に構成され
ており、後述する処理ステーション２０側の第３の組Ｇ
３の多段ユニット部に属するアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）及びエクステンションユニット（ＥＸＴ）にも
搬送できるようになっている。

【００２４】上記処理ステーション２０は、図１に示す
ように、中心部に垂直搬送型の主ウエハ搬送機構２１が
設けられ、この主ウエハ搬送機構２１を収容する室２２
の周りに全ての処理ユニットが１組又は複数の組に渡っ
て多段に配置されている。この例では、５組Ｇ１，Ｇ
２，Ｇ３，Ｇ４及びＧ５の多段配置構成であり、第１及
び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユニットはシステム正面
（図１において手前）側に並列され、第３の組Ｇ３の多
段ユニットはカセットステーション１０に隣接して配置
され、第４の組Ｇ４の多段ユニットはインター・フェー
ス部３０に隣接して配置され、第５の組Ｇ５の多段ユニ
ットは背部側に配置されている。

【００２５】この場合、図２に示すように、第１の組Ｇ
１では、カップ２３（処理容器）内でウエハＷをスピン
チャック（図示せず）に載置して所定の処理を行う２台
のスピナ型処理ユニット、例えばウエハＷの表面にレジ
スト液を供給してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユ
ニット（ＣＯＴ）｛レジスト塗布装置｝及びウエハＷの
表面に現像液を供給して現像処理を行う現像ユニット
（ＤＥＶ）が、垂直方向に２段に重ねられている。第２
の組Ｇ２も同様に、２台のスピナ型処理ユニット例えば
レジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）及び現像ユニット（Ｄ
ＥＶ）が垂直方向の下から順に２段に重ねられている。
このようにレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を下段側に
配置した理由は、レジスト液の排液が機構的にもメンテ
ナンスの上でも面倒であるためである。しかし、必要に
応じてレジスト塗布ユニット（ＣＯＴ）を上段に配置す
ることも可能である。

【００２６】図３に示すように、第３の組Ｇ３では、ウ
エハＷをウエハ載置台２４に載置して所定の処理を行う
オーブン型の処理ユニット例えばウエハＷを冷却するク
ーリングユニット（ＣＯＬ）、ウエハＷに疎水化処理を
行うアドヒージョンユニット（ＡＤ）、ウエハＷの位置
合わせを行うアライメントユニット（ＡＬＩＭ）、ウエ
ハＷの搬入出を行うエクステンションユニット（ＥＸ
Ｔ）、ウエハＷをベークする４つのホットプレートユニ
ット（ＨＰ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重ね
られている。また、第４の組Ｇ４は、オーブン型処理ユ
ニット例えばクーリングユニット（ＣＯＬ）、エクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）、エク
ステンションユニット（ＥＸＴ）、クーリングユニット
（ＣＯＬ）、急冷機能を有する２つのチリングホットプ
レートユニット（ＣＨＰ）及びレジスト膜が形成された
ウエハＷのプリベークに用いられる２つのプリベークユ
ニット（ＰＢ）が垂直方向の下から順に例えば８段に重
ねられている。

【００２７】上記のように処理温度の低いクーリングユ
ニット（ＣＯＬ）、エクステンション・クーリングユニ
ット（ＥＸＴＣＯＬ）を下段に配置し、処理温度の高い
ホットプレートユニット（ＨＰ）、チリングホットプレ
ートユニット（ＣＨＰ）、プリベークユニット（ＰＢ）
及びアドヒージョンユニット（ＡＤ）を上段に配置する
ことで、ユニット間の熱的な相互干渉を少なくすること
ができる。勿論、ランダムな多段配置とすることも可能
である。

【００２８】なお、図１に示すように、処理ステーショ
ン２０において、第１及び第２の組Ｇ１，Ｇ２の多段ユ
ニット（スピナ型処理ユニット）に隣接する第３及び第
４の組Ｇ３，Ｇ４の多段ユニット（オーブン型処理ユニ
ット）の側壁の中には、それぞれダクト６５，６６が垂
直方向に縦断して設けられている。これらのダクト６
５，６６には、ダウンフローの清浄空気又は特別に温度
調整された空気が流されるようになっている。このダク
ト構造によって、第３及び第４の組Ｇ３，Ｇ４のオーブ
ン型処理ユニットで発生した熱は遮断され、第１及び第
２の組Ｇ１，Ｇ２のスピナ型処理ユニットへは及ばない
ようになっている。

【００２９】また、この処理システムでは、主ウエハ搬
送機構２１の背部側にも図１に点線で示すように第５の
組Ｇ５の多段ユニットが配置できるようになっている。
この第５の組Ｇ５の多段ユニットは、案内レール６７に
沿って主ウエハ搬送機構２１から見て側方へ移動できる
ようになっている。したがって、第５の組Ｇ５の多段ユ
ニットを設けた場合でも、ユニットをスライドすること
により空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機構２１
に対して背後からメンテナンス作業を容易に行うことが
できる。

【００３０】上記インター・フェース部３０は、奥行き
方向では処理ステーション２０と同じ寸法を有するが、
幅方向では小さなサイズに作られている。このインター
・フェース部３０の正面部には可搬性のピックアップカ
セット３１と定置型のバッファカセット３２が２段に配
置され、背面部には周辺露光装置３３が配設され、中央
部には、ウエハ搬送アーム３４が配設されている。

【００３１】ウエハ搬送アーム３４は、Ｘ，Ｚ方向に移
動して両カセット３１，３２及び周辺露光装置３３に搬
送するように構成されている。また、ウエハ搬送アーム
３４は、θ方向に回転可能に構成され、処理ステーショ
ン２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクス
テンションユニット（ＥＸＴ）及び隣接する露光装置４
０（ＥＸＰ）側のウエハ受渡し台（図示せず）にも搬送
できるように構成されている。

【００３２】上記のように構成される処理システムは、
クリーンルーム４５内に設置されるが、更にシステム内
でも効率的な垂直層流方式によって各部の清浄度を高め
ている。

【００３３】次に、上記処理システムの動作について説
明する。まず、カセットステーション１０において、ウ
エハ搬送用ピンセット４がカセット載置台２上の未処理
のウエハＷを収容しているカセット１にアクセスして、
そのカセット１から１枚のウエハＷを取り出す。ウエハ
搬送用ピンセット４は、カセット１よりウエハＷを取り
出すと、処理ステーション２０側の第３の組Ｇ３の多段
ユニット内に配置されているアライメントユニット（Ａ
ＬＩＭ）まで移動し、ユニット（ＡＬＩＭ）内のウエハ
載置台２４上にウエハＷを載せる。ウエハＷは、ウエハ
載置台２４上でオリフラ合せ及びセンタリングを受け
る。その後、主ウエハ搬送機構２１がアライメントユニ
ット（ＡＬＩＭ）に反対側からアクセスし、ウエハ載置
台２４からウエハＷを受け取る。

【００３４】処理ステーション２０において、主ウエハ
搬送機構２１はウエハＷを最初に第３の組Ｇ３の多段ユ
ニットに属するアドヒージョンユニット（ＡＤ）に搬入
する。このアドヒージョンユニット（ＡＤ）内でウエハ
Ｗは疎水化処理を受ける。疎水化処理が終了すると、主
ウエハ搬送機構２１は、ウエハＷをアドヒージョンユニ
ット（ＡＤ）から搬出して、次に第３の組Ｇ３又は第４
の組Ｇ４の多段ユニットに属するクーリングユニット
（ＣＯＬ）へ搬入する。このクーリングユニット（ＣＯ
Ｌ）内でウエハＷはレジスト塗布処理前の設定温度例え
ば２３℃まで冷却される。冷却処理が終了すると、主ウ
エハ搬送機構２１は、ウエハＷをクーリングユニット
（ＣＯＬ）から搬出し、次に第１の組Ｇ１又は第２の組
Ｇ２の多段ユニットに属するレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）へ搬入する。このレジスト塗布ユニット（ＣＯ
Ｔ）内でウエハＷはスピンコート法によりウエハＷ表面
に一様な膜厚でレジストを塗布する。

【００３５】レジスト塗布処理が終了すると、主ウエハ
搬送機構２１は、ウエハＷをレジスト塗布ユニット（Ｃ
ＯＴ）から搬出し、次に、プリベークユニット（ＰＢ）
内へ搬入する。プリベークユニット（ＰＢ）内でウエハ
Ｗは載置台上に載置され、所定温度例えば１００℃で所
定時間プリベーク処理される。これによって、ウエハＷ
上の塗布膜から残存溶剤（溶媒）を蒸発除去することが
できる。プリベークが終了すると、主ウエハ搬送機構２
１は、ウエハＷをプリベークユニット（ＰＢ）から搬出
し、次に第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエクステ
ンション・クーリングユニット（ＥＸＴＣＯＬ）へ搬送
する。このユニット（ＣＯＬ）内でウエハＷは次工程す
なわち周辺露光装置３３における周辺露光処理に適した
温度例えば２４℃まで冷却される。この冷却後、主ウエ
ハ搬送機構２１は、ウエハＷを直ぐ上のエクステンショ
ンユニット（ＥＸＴ）へ搬送し、このユニット（ＥＸ
Ｔ）内の載置台（図示せず）の上にウエハＷを載置す
る。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載置台
上にウエハＷが載置されると、インター・フェース部３
０のウエハ搬送アーム３４が反対側からアクセスして、
ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ搬送アーム３４は
ウエハＷをインター・フェース部３０内の周辺露光装置
３３へ搬入する。ここで、ウエハＷはエッジ部に露光を
受ける。なお、周辺露光装置３３内に膜厚測定器を設け
て、定期的にウエハＷの膜厚を測定し、膜厚均一性又は
膜質均一性の検査を行うこともできる。

【００３６】周辺露光が終了すると、ウエハ搬送アーム
３４は、ウエハＷを周辺露光装置３３から搬出し、隣接
する露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受取り台（図示
せず）へ移送する。この場合、ウエハＷは、露光装置４
０（ＥＸＰ）へ渡される前に、バッファカセット３２に
一時的に収納されることもある。

【００３７】露光装置４０（ＥＸＰ）で全面露光が済ん
で、ウエハＷが露光装置４０（ＥＸＰ）側のウエハ受取
り台に戻されると、インター・フェース部３０のウエハ
搬送アーム３４はそのウエハ受取り台へアクセスしてウ
エハＷを受け取り、受け取ったウエハＷを処理ステーシ
ョン２０側の第４の組Ｇ４の多段ユニットに属するエク
ステンションユニット（ＥＸＴ）へ搬入し、ウエハ受取
り台上に載置する。この場合にも、ウエハＷは、処理ス
テーション２０側へ渡される前にインター・フェース部
３０内のバッファカセット３２に一時的に収納されるこ
ともある。

【００３８】ウエハ受取り台上に載置されたウエハＷ
は、主ウエハ搬送機構２１により、チリングホットプレ
ートユニット（ＣＨＰ）に搬送され、フリンジの発生を
防止するため、あるいは化学増幅型レジスト（ＣＡＲ）
における酸触媒反応を誘起するためポストエクスポージ
ャーベーク（ＰＥＢ）処理が施される。

【００３９】その後、ウエハＷは、第１の組Ｇ１又は第
２の組Ｇ２の多段ユニットに属する現像ユニット（ＤＥ
Ｖ）に搬入される。この現像ユニット（ＤＥＶ）内で
は、ウエハＷはスピンチャックの上に載せられ、例えば
スプレー方式により、ウエハＷ表面のレジストに現像液
が満遍なくかけられる。現像が終了すると、ウエハＷ表
面にリンス液がかけられて現像液が洗い落とされる。

【００４０】現像工程が終了すると、主ウエハ搬送機構
２１は、ウエハＷを現像ユニット（ＤＥＶ）から搬出し
て、次に第３の組Ｇ３又は第４の組Ｇ４の多段ユニット
に属するホットプレートユニット（ＨＰ）へ搬入する。
このユニット（ＨＰ）内でウエハＷは例えば１００℃で
所定時間ポストベーク処理される。これによって、現像
で膨潤したレジストが硬化し、耐薬品性が向上する。

【００４１】ポストベークが終了すると、主ウエハ搬送
機構２１は、ウエハＷをホットプレートユニット（Ｈ
Ｐ）から搬出し、次にいずれかのクーリングユニット
（ＣＯＬ）へ搬入する。ここでウエハＷが常温に戻った
後、主ウエハ搬送機構２１は、次にウエハＷを第３の組
Ｇ３に属するエクステンションユニット（ＥＸＴ）へ移
送する。このエクステンションユニット（ＥＸＴ）の載
置台（図示せず）上にウエハＷが載置されると、カセッ
トステーション１０側のウエハ搬送用ピンセット４が反
対側からアクセスして、ウエハＷを受け取る。そして、
ウエハ搬送用ピンセット４は、受け取ったウエハＷをカ
セット載置台上の処理済みウエハ収容用のカセット１の
所定のウエハ収容溝に入れて処理が完了する。

【００４２】次に、本発明の熱処理装置の一実施形態で
あるプリベークユニット（ＰＢ）の主な構成について、
図４を参照しながら説明する。

【００４３】プリベークユニット（ＰＢ）は、容器５５
とカバー５４によって処理室５０が形成されており、処
理室５０内には、ウエハＷを載置する載置台２５と、載
置台２５上でウエハＷを昇降可能な支持ピン（図示せ
ず）とが設けられている。

【００４４】また、容器５５とカバー５４との間には、
支持ピンと主ウエハ搬送機構２１との間で、ウエハＷを
受け渡すための受渡口５６と、この受渡口５６を閉鎖
し、処理室５０を外気と遮断するためのシャッタ５１が
設けられている。

【００４５】カバー５４は、処理室５０内の雰囲気を排
気する排気口６１（排気手段）を中央に有する円状の天
井部５４ａと、この天井部５４ａの外周部から垂下する
側壁部５４ｂと、側壁部５４ｂの下部に設けられ、後述
するシャッタ５１と当接する当接部５４ｃとによって形
成されている。

【００４６】排気口６１は、排気管路６２を介して排気
したガスを回収する排気系６９に接続されており、排気
管路６２には、排気系６９側から順に、負圧発生手段で
ある排気機構例えばエジェクタ６８と、排気口６１から
排気されるガスの排気量（流量）を計測可能であると共
に、ガスの排気量（流量）を調節可能な例えばマスフロ
ーコントローラＣ１と、開閉弁Ｖ１とが介設されてい
る。

【００４７】また、開閉弁Ｖ１、マスフローコントロー
ラＣ１、エジェクタ６８は、それぞれＣＰＵ１００と電
気的に接続されており、ＣＰＵ１００の制御信号によっ
て排気量（流量）を調節可能に構成されている。

【００４８】また、排気口６１の下方には、排気口６１
の直下で排気むらが生じるのを防止するため、複数の孔
５３を有する円盤状の整流板５２が側壁部５４ｂに設け
られている。

【００４９】載置台２５は、ウエハＷより大きい円盤状
に形成され、上面にはウエハＷを加熱するためのホット
プレート２６を有している。ホットプレート２６は、熱
源例えばヒータ（図示せず）が内蔵されており、例えば
アルミニウム合金等の熱伝導性の良好な材料で形成され
ている。また、載置台２５上には、ウエハＷをホットプ
レート２６と隙間をもたせて支持するギャップピン２７
が取り付けられており、ウエハＷにパーティクル等が付
着するのを防止している。また、載置台２５の同心円上
には、支持ピンが出入りするための孔が等間隔で複数、
例えば３つ設けられている。

【００５０】シャッタ５１は、図示しない昇降シリンダ
の作動により上下動自在であり、シャッタ５１が上昇し
た際には、カバー５４の当接部５４ｃに設けられたスト
ッパ（図示せず）とシャッタ５１とが接触して、処理室
５０内が気密に維持されるように構成されている。

【００５１】次に、上記のように構成されるプリベーク
ユニット（ＰＢ）の動作態様を以下に説明する。

【００５２】まず、受渡口５６のシャッタ５１が開き、
主ウエハ搬送機構２１によってプリベークユニット（Ｐ
Ｂ）内にウエハＷが搬入されると、ウエハＷは支持ピン
に受け渡され、支持ピンの下降によって載置台２５のギ
ャップピン２７上に載置される。

【００５３】次に、シャッタ５１が閉鎖し、ウエハＷに
形成されたレジスト膜の残留溶剤を蒸発（揮発）させる
ため、ホットプレート２６による加熱が開始されると、
ＣＰＵ１００の制御信号によって、開閉弁Ｖ１を開ける
と共に、エジェクタ６８を作動させ、マスフローコント
ローラＣ１によって排気量（流量）を調節しながら、排
気を開始する。排気口６１からの排気が開始されると、
処理室５０内は減圧され、ホットプレート２６によって
蒸発（揮発）されたウエハＷの残留溶剤の蒸気が排気口
６１から排気される。

【００５４】ウエハＷの加熱処理が終了すると、ＣＰＵ
１００の制御信号によって、開閉弁Ｖ１を閉じると共
に、マスフローコントローラＣ１、エジェクタ６８の作
動を停止する。

【００５５】その後ウエハＷは、支持ピンによって上昇
され、受渡口５６から主ウエハ搬送機構２１によって搬
出される。

【００５６】以下に、この発明の熱処理装置を上記プリ
ベークユニット（ＰＢ）に適用した場合について、図５
ないし図９を参照して説明する。

【００５７】◎第一実施形態この発明の第一実施形態は、プリベークユニット（Ｐ
Ｂ）の排気口６１とウエハＷとの間に、異なる同心円上
で開口率の異なる天板８０を設けて排気量（流量）を調
節し、残留溶剤の揮発速度を制御可能に構成したもので
ある。

【００５８】天板８０としては、例えば開口率が２０〜
５０％程度のＳｉＣ等の多孔質材を用いることができ
る。例えば熱処理中のウエハＷの中心部の残留溶剤の揮
発速度が、外周部の残留溶剤の揮発速度より小さい場合
には、図５、図６に示すように、中心部に開口率が４０
〜５０％の多孔質材８０ａ、中間部に開口率が３０〜４
０％の多孔質材８０ｂ、外周部側に開口率が２０〜３０
％の多孔質材８０ｃを用いた天板８０を形成すればよ
い。

【００５９】また、天板８０は、例えば図５に示すよう
に、整流板５２のウエハＷと対向する側に設け、外周部
をカバー５４の当接部５４ｃの内側側面に固定すれば良
い。この際、天板８０の下面とウエハＷ表面との距離
は、１〜２０ｍｍ程度に調節される。

【００６０】プリベークユニット（ＰＢ）をこのように
構成すれば、天板８０は、中心部の方が中間部及び外周
部よりもガスを通し易いため、熱処理によってレジスト
膜から揮発（蒸発）した残留溶剤を速やかに排気して雰
囲気中の溶剤濃度を低減し、ウエハＷの中心部の揮発速
度を中間部及び外周部の揮発速度より大きくして、ウエ
ハＷ表面の残留溶剤量を均一にすることができる。

【００６１】なお、上記説明では、天板８０の中心部側
の開口率を外周部側よりも大きく形成する場合について
説明したが、天板８０の開口率は、残留溶剤の揮発速度
に応じて自由に変更可能であり、例えば熱処理中におけ
るウエハＷの中心部の残留溶剤の揮発速度が、外周部の
残留溶剤の揮発速度より大きい場合には、中心部の開口
率を外周部の開口率より小さく形成することも可能であ
る。

【００６２】また、上記説明では、多孔質材によって形
成された天板８０を用いる場合について説明したが、天
板８０の構成はこれに限らず、例えばアルミニウムやス
テンレス等の金属製の天板８０に、溶剤蒸気（溶媒蒸
気）が通過可能な通気孔を複数形成し、異なる同心円上
で通気孔の数や大きさが異なるものを用いることも可能
である。また、金属と多孔質材とを組み合わせた天板８
０を用いることも勿論可能である。

【００６３】◎第二実施形態この発明の第二実施形態は、プリベークユニット（Ｐ
Ｂ）に、ウエハＷ表面の異なる同心円上で、処理室５０
内のガスを排気可能な複数の排気口６１Ａ，６１Ｂ，６
１Ｃを設け、それぞれ排気量（流量）を調節して、残留
溶剤の揮発速度を制御可能に構成したものである。

【００６４】排気口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃは、図７、
図８に示すように、例えば天井部５４ａの異なる同心円
上に配設されており、それぞれ天井部５４ａから垂下す
る仕切板５８によって仕切られている。また、仕切板５
８の下部は、カバー５４の当接部５４ｃに設けられた例
えば多孔質材や複数の孔を有するパンチング板等によっ
て形成される整流板５７と接合されており、ウエハＷ表
面の気圧を均一にすると共に、排気口６１Ａ，６１Ｂ，
６１Ｃの直下で排気むらが生じるのを防止するバッファ
５９Ａ，５９Ｂ，５９Ｃが形成されている。この際、整
流板５７の下面とウエハＷ表面との距離は、１〜２０ｍ
ｍ程度に調節される。

【００６５】また、排気口６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃは、
それぞれ排気管路６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃを介して処理
室５０内のガスを回収する排気系６９Ａ，６９Ｂ，６９
Ｃに接続されており、排気管路６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ
には、排気系６９Ａ，６９Ｂ，６９Ｃ側から順に、負圧
発生手段である排気機構例えばエジェクタ６８Ａ，６８
Ｂ，６８Ｃと、排気口から排気されるガスの排気量（流
量）を計測可能であると共に、ガスの排気量（流量）を
調節可能な例えばマスフローコントローラＣ２，Ｃ３，
Ｃ４（排気量調節手段）と、開閉弁Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４と
が介設されている。

【００６６】また、エジェクタ６８Ａ，６８Ｂ，６８
Ｃ、マスフローコントローラＣ２，Ｃ３，Ｃ４、開閉弁
Ｖ２，Ｖ３，Ｖ４は、それぞれＣＰＵ１００に電気的に
接続されており、ＣＰＵ１００の制御信号によって排気
量（流量）を調節可能に構成されている。

【００６７】プリベークユニット（ＰＢ）をこのように
構成すれば、ウエハＷ表面に形成されたレジスト膜の残
留溶剤量が多い部分の排気量（流量）を大きくし、残留
溶剤量が少ない部分の排気量（流量）を小さくして、残
留溶剤の揮発速度を制御することができる。例えば熱処
理中のウエハＷの中心部の残留溶剤の揮発速度が、外周
部の残留溶剤の揮発速度より小さい場合には、ウエハＷ
の中心部の排気量（流量）を外周部より大きくし、熱処
理によってレジスト膜から揮発（蒸発）した残留溶剤を
速やかに排気して雰囲気中の溶剤濃度を低減することが
できるので、ウエハＷの中心部の揮発速度を大きくし
て、ウエハＷ表面の残留溶剤量を均一にすることができ
る。

【００６８】◎第三実施形態この発明の第三実施形態は、プリベークユニット（Ｐ
Ｂ）に、ウエハＷ表面の異なる同心円上で、処理室５０
内に区画されたバッファ５９Ａ，５９Ｂ，５９Ｃのガス
を排気可能であると共に、処理室５０内に区画されたバ
ッファ５９Ａ，５９Ｂ，５９Ｃにガスを供給可能な複数
の給排口８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ（給排手段）を設け、
ガスの供給量（流量）と排気量（流量）をそれぞれ調節
して、残留溶剤の揮発速度を制御可能に構成したもので
ある。

【００６９】この場合、例えば図９に示すように、給排
口８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃは、第２実施形態の排気口６
１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃと同様に、天井部５４ａの異なる
同心円上に配設されており、それぞれ天井部５４ａから
垂下する仕切板５８によって仕切られている。また、仕
切板５８の下部は、カバー５４の当接部５４ｃに設けら
れた例えば多孔質材や複数の孔を有するパンチング板等
によって形成される整流板５７と接合されており、ウエ
ハＷ表面の気圧を均一にすると共に、給排口８１Ａ，８
１Ｂ，８１Ｃの直下で排気むらが生じるのを防止するバ
ッファ５９Ａ，５９Ｂ，５９Ｃが形成されている。

【００７０】また、給排口８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃは、
それぞれ置換管路８２Ａ，８２Ｂ，８２Ｃを介して、三
方弁８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ（切換手段）に接続されて
おり、三方弁８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃは、更に排気管路
６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃ及びガス供給管路７２Ａ，７２
Ｂ，７２Ｃに接続されている。

【００７１】このように構成することにより、給排口８
１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃは、三方弁８３Ａ，８３Ｂ，８３
Ｃによって、排気管路６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃとガス供
給管路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃを切り換えて、ガスの供
給と排気を行うことができる。

【００７２】排気管路６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃは、第二
実施形態と同様に、処理室５０内のガスを回収する排気
系６９Ａ，６９Ｂ，６９Ｃに接続されており、排気系６
９Ａ，６９Ｂ，６９Ｃ側から順に、負圧発生手段である
排気機構例えばエジェクタ６８Ａ，６８Ｂ，６８Ｃと、
給排口８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃから排気されるガスの排
気量（流量）を計測可能であると共に、ガスの排気量
（流量）を調節可能な例えばマスフローコントローラＣ
２，Ｃ３，Ｃ４とが介設されている。また、三方弁８３
Ａ，８３Ｂ，８３ＣとマスフローコントローラＣ２，Ｃ
３，Ｃ４との間には、更に別の三方弁６３Ａ，６３Ｂ，
６３Ｃが設けられており、処理室５０からの排気を停止
している際に、バイパス管路６４Ａ，６４Ｂ，６４Ｃに
切り換えて、排気管路６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃが密閉さ
れるのを防止するように構成されている。

【００７３】ガス供給管路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃは、
三方弁８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ側から順に、ガスの供給
停止時にバイパス管路７４Ａ，７４Ｂ，７４Ｃに切り換
えて、ガス供給管路７２Ａ，７２Ｂ，７２Ｃが密閉され
るのを防止する三方弁７３Ａ，７３Ｂ，７３Ｃと、ガス
の供給量（流量）を計測可能であると共に、ガスの供給
量（流量）を調節可能なマスフローコントローラＣ５，
Ｃ６，Ｃ７と、ガスの温度を調節可能な温調器７５Ａ，
７５Ｂ，７５Ｃと、ガスの圧力を調整可能な例えばレギ
ュレータ等の圧力調整器７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃと、供
給するガスの溶剤濃度を調節可能な混合器７７Ａ，７７
Ｂ，７７Ｃ（ガス濃度調節手段）とが介設されている。

【００７４】混合器７７Ａ，７７Ｂ，７７Ｃは、開閉弁
Ｖ５，Ｖ７，Ｖ９を介してガス供給源７８Ａ，７８Ｂ，
７８Ｃに接続されると共に、開閉弁Ｖ６，Ｖ８，Ｖ10を
介して溶剤供給源７９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃと接続されて
おり、例えば温度調節機能を有するヒータ等（図示せ
ず）によって、レジスト膜に含まれる溶剤（溶媒）を不
活性ガスに安定的に揮発させて溶剤ガスを生成すると共
に、気化濃度制御弁（図示せず）等によって、溶剤ガス
に含まれる溶剤の濃度を調節可能に形成されている。

【００７５】三方弁８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃは、ＣＰＵ
１００と電気的に接続されており、予め記憶されたプロ
グラムに基く制御信号によって、熱処理中の任意時に排
気管路６２Ａ，６２Ｂ，６２Ｃとガス供給管路７２Ａ，
７２Ｂ，７２Ｃとを自動で切換可能に制御されている。

【００７６】また、エジェクタ６８Ａ，６８Ｂ，６８
Ｃ、マスフローコントローラＣ２〜Ｃ７、三方弁６３Ａ
〜６３Ｃ，７３Ａ〜７３Ｃ、温調器７５Ａ，７５Ｂ，７
５Ｃ、圧力調整器７６Ａ，７６Ｂ，７６Ｃ、混合器７７
Ａ，７７Ｂ，７７Ｃ、開閉弁Ｖ５〜Ｖ10も、それぞれＣ
ＰＵ１００に電気的に接続されており、ＣＰＵ１００の
制御信号によってガスの供給量（流量）及び排気量（流
量）を調節可能に構成されている。

【００７７】プリベークユニット（ＰＢ）をこのように
構成すれば、ウエハＷ表面に形成されたレジスト膜の残
留溶剤量が多い部分では、ガスの供給と排気を切り換え
ることによって、処理室５０内の雰囲気を効率よく置換
して、揮発を促進することができ、また、残留溶剤量が
少ない部分では、所定濃度の溶剤ガスを供給して揮発を
抑制することができる。したがって、熱処理の際に処理
室５０内の雰囲気を正確に調節して、更に確実に残留溶
剤の揮発速度を制御することができる。

【００７８】なお、上記説明では、ガス供給管路７２
Ａ，７２Ｂ，７２Ｃに混合器７７Ａ，７７Ｂ，７７Ｃを
設けて、処理室内に所定濃度の溶剤ガスを供給する場合
について説明したが、ガス供給管路７２Ａ，７２Ｂ，７
２Ｃに混合器７７Ａ，７７Ｂ，７７Ｃ及び溶剤供給源７
９Ａ，７９Ｂ，７９Ｃを設けずに、ガス供給源７８Ａ，
７８Ｂ，７８Ｃのみを接続して、Ｎ２等の不活性ガスや
ドライエア等を供給することも可能である。

【００７９】また、上記説明では、ガスの供給と排気を
三方弁８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃを用いて共通の給排口８
１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃによって行う場合について説明し
たが、三方弁を用いずに排気口とガス供給口（ガス供給
手段）とを独立して設け、例えばＣＰＵ１００によって
ガスの供給と排気を制御することも可能である。

【００８０】また、上記実施形態では、被処理基板が半
導体ウエハの場合について説明したが、ウエハ以外に例
えばＬＣＤ基板やフォトマスク用のレチクル基板等にお
いてもこの発明が適用できることは勿論である。

【００８１】

【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、上記のように構成されているので、以下のような効
果が得られる。

【００８２】１）請求項１，２記載の発明によれば、被
処理基板と排気手段との間に、異なる同心円上で開口率
の異なる天板を設けて、排気量に差を付けることができ
るので、処理室内の雰囲気を調節して、被処理基板の異
なる同心円上の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度をそれ
ぞれ制御することができ、被処理基板表面の残留溶剤量
を均一にすることができる。したがって、パターン線幅
を均一にすることができる。

【００８３】２）請求項３記載の発明によれば、被処理
基板表面の異なる同心円上で、処理室内のガスを排気可
能な複数の排気手段と、排気手段の排気量をそれぞれ調
節可能な複数の排気量調節手段とを設けて、排気量に差
を付けることができるので、処理室内の雰囲気を調節し
て、被処理基板の異なる同心円上の残留溶剤（残留溶
媒）の揮発速度をそれぞれ制御することができ、被処理
基板表面の残留溶剤量を均一にすることができる。した
がって、パターン線幅を均一にすることができる。

【００８４】３）請求項４，５記載の発明によれば、被
処理基板表面の異なる同心円上で、処理室内のガスを排
気可能な複数の排気手段と、被処理基板表面の異なる同
心円上で、処理室内にガスを供給可能な複数のガス供給
手段と、排気手段が排気するガスの排気量をそれぞれ調
節可能な複数の排気量調節手段と、ガス供給手段が供給
するガスの供給量をそれぞれ調節可能な複数の供給量調
節手段とを設けるか、あるいは、被処理基板表面の異な
る同心円上で、処理室内のガスを排気可能であると共
に、処理室内にガスを供給可能な複数の給排手段と、給
排手段のガスの供給と排気とを切り換える切換手段と、
給排手段が供給するガスの供給量をそれぞれ調節可能な
複数の供給量調節手段と、給排手段が排気するガスの排
気量をそれぞれ調節可能な複数の排気量調節手段とを設
けるので、ガスの供給と排気によって処理室内の雰囲気
を効率よく置換して調節し、被処理基板の異なる同心円
上の残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度を更に確実に制御
することができ、被処理基板表面の残留溶剤量を均一に
することができる。したがって、パターン線幅を均一に
することができる。

【００８５】４）請求項６記載の発明によれば、ガス供
給手段又は給排手段が供給するガスの溶剤濃度（溶媒濃
度）を調節するガス濃度調節手段を設けるので、塗布膜
の残留溶剤量に応じて処理室内のガスの溶剤濃度を調節
して、被処理基板の異なる同心円上の残留溶剤（残留溶
媒）の揮発速度をそれぞれ制御することができ、被処理
基板表面の残留溶剤量を均一にすることができる。した
がって、パターン線幅を均一にすることができる。

【００８６】５）請求項７記載の発明によれば、排気手
段又はガス供給手段あるい給排手段の被処理基板と対向
する位置に、被処理基板の異なる同心円上で気圧を均一
にする複数のバッファを設けるので、処理室内の雰囲気
を更に確実に調節して、被処理基板の異なる同心円上の
残留溶剤（残留溶媒）の揮発速度をそれぞれ制御するこ
とができ、被処理基板表面の残留溶剤量を均一にするこ
とができる。したがって、パターン線幅を均一にするこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る熱処理装置を具備するレジスト
液塗布・現像処理システムの一例を示す概略平面図であ
る。

【図２】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略
正面図である。

【図３】上記レジスト液塗布・現像処理システムの概略
背面図である。

【図４】プリベークユニット（ＰＢ）を示す概略構成図
である。

【図５】この発明の第一の熱処理装置を示す概略構成図
である。

【図６】この発明の第一の熱処理装置の天板を示す概略
平面図である。

【図７】この発明の第二の熱処理装置を示す概略構成図
である。

【図８】この発明の第二の熱処理装置の排気手段を示す
概略平面図である。

【図９】この発明の第三の熱処理装置を示す概略構成図
である。

【符号の説明】Ｃ２，Ｃ３，Ｃ４マスフローコントローラ（排気量調
節手段）Ｃ５，Ｃ６，Ｃ７マスフローコントローラ（供給量調
節手段）ＰＢプリベークユニット（熱処理装置）Ｗ半導体ウエハ２５載置台５０処理室５９Ａ，５９Ｂ，５９Ｃバッファ６１，６１Ａ，６１Ｂ，６１Ｃ排気口（排気手段）７７Ａ，７７Ｂ，７７Ｃ混合器（ガス濃度調節手段）８０天板８０ａ，８０ｂ，８０ｃ多孔質材８１Ａ，８１Ｂ，８１Ｃ給排口（給排手段）８３Ａ，８３Ｂ，８３Ｃ三方弁（切換手段）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】熱源を有し、表面に処理膜が形成された
被処理基板を載置する載置台と、上記載置台に保持され
た被処理基板を収容する処理室とを具備する熱処理装置
において、上記処理室内のガスを排気可能な排気手段と、上記被処理基板と排気手段との間に設けられ、異なる同
心円上で開口率の異なる天板と、を具備することを特徴
とする熱処理装置。
【請求項２】請求項１記載の熱処理装置において、上記天板は、開口率の異なる多孔質材によって形成され
ることを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】熱源を有し、表面に処理膜が形成された
被処理基板を載置する載置台と、上記載置台に保持され
た被処理基板を収容する処理室とを具備する熱処理装置
において、上記被処理基板表面の異なる同心円上で、上記処理室内
のガスを排気可能な複数の排気手段と、上記排気手段の排気量をそれぞれ調節可能な複数の排気
量調節手段と、を具備することを特徴とする熱処理装
置。
【請求項４】熱源を有し、表面に処理膜が形成された
被処理基板を載置する載置台と、上記載置台に保持され
た被処理基板を収容する処理室とを具備する熱処理装置
において、上記被処理基板表面の異なる同心円上で、上記処理室内
のガスを排気可能な複数の排気手段と、上記被処理基板表面の異なる同心円上で、上記処理室内
にガスを供給可能な複数のガス供給手段と、上記排気手段が排気するガスの排気量をそれぞれ調節可
能な複数の排気量調節手段と、上記ガス供給手段が供給するガスの供給量をそれぞれ調
節可能な複数の供給量調節手段と、を具備することを特
徴とする熱処理装置。
【請求項５】熱源を有し、表面に処理膜が形成された
被処理基板を載置する載置台と、上記載置台に保持され
た被処理基板を収容する処理室とを具備する熱処理装置
において、上記被処理基板表面の異なる同心円上で、上記処理室内
のガスを排気可能であると共に、処理室内にガスを供給
可能な複数の給排手段と、上記給排手段のガスの供給と排気とを切り換える切換手
段と、上記給排手段が供給するガスの供給量をそれぞれ調節可
能な複数の供給量調節手段と、上記給排手段が排気するガスの排気量をそれぞれ調節可
能な複数の排気量調節手段と、を具備することを特徴と
する熱処理装置。
【請求項６】請求項４又は５記載の熱処理装置におい
て、上記ガス供給手段又は給排手段が供給するガスの溶剤濃
度を調節するガス濃度調節手段を設けたことを特徴とす
る熱処理装置。
【請求項７】請求項３ないし６のいずれかに記載の熱
処理装置において、上記排気手段又はガス供給手段あるい給排手段の上記被
処理基板と対向する位置に、上記被処理基板の異なる同
心円上で気圧を均一にする複数のバッファを設けたこと
を特徴とする熱処理装置。