JP2018018860A - 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の模式的平面図である。
図2は、主として図1の塗布処理部121、塗布現像処理部131および洗浄乾燥処理部161を示す基板処理装置100の模式的側面図である。
図3は、主として図1の熱処理部123,133および洗浄乾燥処理部162を示す基板処理装置100の模式的側面図である。図4は、主として図1の塗布処理部121、搬送部122および熱処理部123を示す断面図である。図3および図4に示すように、熱処理部123は、上方に設けられる上段熱処理部301および下方に設けられる下段熱処理部302を有する。上段熱処理部301および下段熱処理部302には、複数の熱処理装置PHP、複数の密着強化処理ユニットPAHPおよび複数の冷却ユニットCPが設けられる。
図5は、主として図1の搬送部122,132,163を示す側面図である。図5に示すように、搬送部122は、上段搬送室125および下段搬送室126を有する。搬送部132は、上段搬送室135および下段搬送室136を有する。上段搬送室125には搬送装置(搬送ロボット)127が設けられ、下段搬送室126には搬送装置128が設けられる。また、上段搬送室135には搬送装置137が設けられ、下段搬送室136には搬送装置138が設けられる。
図1〜図5を参照しながら基板処理装置100の動作を説明する。インデクサブロック11のキャリア載置部111(図1)に、未処理の基板Wが収容されたキャリア113が載置される。搬送装置115は、キャリア113から基板載置部PASS1,PASS3(図5)に未処理の基板Wを搬送する。また、搬送装置115は、基板載置部PASS2,PASS4(図5)に載置された処理済の基板Wをキャリア113に搬送する。
図6は図3の熱処理装置PHPの斜視図であり、図7は図3の熱処理装置PHPの平面図であり、図8は図3の熱処理装置PHPの側面図である。
図9は搬送アーム550の内部の詳細な構成を示す水平断面図である。搬送アーム550が加熱プレート524の上方の位置に移動したときには、加熱プレート524からの熱が搬送アーム550の下面に伝達されるとともに切り込み551a,551bを通して搬送アーム550の上面でかつ切り込み551a,551bに近い部分に伝達される。そのため、搬送アーム550の切り込み551a,551bに近い部分の温度上昇は他の部分の温度上昇よりも大きくなる。この状態で、搬送アーム550上に基板Wが保持されると、基板Wの面内温度のばらつきが大きくなる。
図6〜図9の熱処理装置PHPの動作について説明する。図10〜図19は、熱処理装置PHPの動作を示す模式的側面図である。図10〜図19においては、図8に示される複数の構成要素のうち一部の構成要素が示される。
図20は熱処理装置PHP内での基板Wの面内平均温度および基板Wの面内温度ばらつきを説明するための図である。図20において、搬送アーム550に第1および第2の冷却水が供給されていない場合における基板Wの面内平均温度の変化が太い実線L1で示される。また、搬送アーム550に第1および第2の冷却水が供給されていない場合における基板Wの面内温度ばらつきが太い点線L2で示される。基板Wの面内平均温度は、基板Wの複数の部分の温度の平均値である。基板Wの面内温度ばらつきは、基板Wの複数の部分の温度のうち最高温度と最低温度との差である。基板Wの面内温度ばらつきが小さいほど基板Wの面内温度の均一性が高い。
(a)上記実施の形態では、搬送アーム550の2つの領域A,Bに対応するように2つの冷却水通路553a,553bが複数の冷却部として設けられるが、搬送アーム550が3以上の領域に区分され、3以上の冷却部がそれぞれの領域に対応して設けられてもよい。
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各構成要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
100 基板処理装置
115,127,128,137,138,141,142,146 搬送装置
129 塗布処理ユニット
510 待機部
511,521 昇降装置
512,522 連結部材
513,523 支持ピン
520 加熱部
524 加熱プレート
525 支持ピン挿入孔
526,552 突起部
530 筐体
530a 一側面
530b 他側面
540 搬送機構
541 上下移動装置
542 ガイドレール
543 水平移動装置
550 搬送アーム
551a,551b 切り込み
553a,553b 冷却水通路
554 境界
560 シャッタ装置
561 シャッタ
562 シャッタ駆動部
570a,570b 冷却水供給源
571,572,573,574 配管
580 ローカルコントローラ
PHP 熱処理装置
Claims (13)
- 基板に加熱処理を行う加熱部と、
基板を支持する支持部を含む待機部と、
基板を保持する保持部を含み、前記保持部を移動させることにより前記待機部と前記加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを備え、
前記保持部は複数の領域を有し、前記保持部内には前記複数の領域をそれぞれ冷却する複数の冷却部が設けられた、熱処理装置。 - 前記複数の冷却部は、前記加熱部による基板の加熱処理後に前記保持部により保持された基板の面内温度のばらつきが予め定められた許容値以下となるようにそれぞれ異なる冷却能力を有する、請求項1記載の熱処理装置。
- 前記保持部は、基板の一面が対向しかつ前記複数の領域を有する保持面を有し、前記複数の冷却部は、前記保持部内で前記複数の領域にそれぞれ重なるように設けられた、請求項1または2記載の熱処理装置。
- 前記複数の領域は第1および第2の領域を含み、
前記第1の領域が前記加熱部において受ける熱量は前記第2の領域が前記加熱部において受ける熱量よりも小さく、
前記複数の冷却部は、前記第1および第2の領域にそれぞれ重なるように設けられた第1および第2の冷却部を含み、前記第2の冷却部は前記第1の冷却部よりも高い冷却能力を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱処理装置。 - 前記保持部は、前記加熱部における熱が通過可能な開口部を有し、
前記第2の領域は前記開口部を少なくとも部分的に取り囲む、請求項4記載の熱処理装置。 - 前記待機部の前記支持部は、基板の下面を支持しかつ上下動可能な複数の第1の支持部材を含み、
前記加熱部は、
加熱面を有する加熱プレートと、
基板の下面を支持しかつ基板を前記加熱プレートの上方の位置と前記加熱プレートの前記加熱面との間で移動させるように上下動可能な複数の第2の支持部材とを含み、
前記複数の第1の支持部材は、前記保持部が前記待機部に位置するときに前記開口部に挿通可能に設けられ、
前記複数の第2の支持部材は、前記保持部が前記加熱プレートの前記加熱面の上方に位置するときに前記開口部に挿通可能に設けられる、請求項5記載の熱処理装置。 - 前記保持部は、基板の外周部の一部に対応する外周部を有し、
前記開口部は、前記保持部の前記外周部から前記保持部の内方に延びる一または複数の切り込みを有し、
前記第2の領域は前記一または複数の切り込みに沿って延びる、請求項6記載の熱処理装置。 - 前記待機部と前記加熱部とは一方向に並び、
前記保持部は、前記待機部の前記複数の第1の支持部材の上方の位置と前記加熱プレートの上方の位置との間で前記一方向に移動し、
前記一または複数の切り込みは、前記一方向に平行に延び、前記複数の第1の支持部材が前記一または複数の切り込みに挿通されている状態で前記保持部が前記一方向に移動可能かつ前記複数の第2の支持部材が前記一または複数の切り込みに挿通されている状態で前記保持部が前記一方向に移動可能である、請求項7記載の熱処理装置。 - 前記複数の冷却部は、前記保持部内で互いに独立に設けられた複数の通路であり、前記複数の通路内に異なる温度を有する冷却液が供給される、請求項1〜8のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 前記複数の冷却部は、前記保持部内で互いに独立に設けられた複数のヒートパイプであり、前記保持部内における前記複数のヒートパイプの温度はそれぞれ異なる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の熱処理装置。
- 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
基板に感光性膜を塗布する塗布装置と、
基板に熱処理を行う請求項1〜10のいずれか一項に記載の熱処理装置と、
前記塗布装置、前記露光装置および前記熱処理装置の間で基板を搬送する搬送装置とを備えた、基板処理装置。 - 前記熱処理装置は、前記露光装置による露光後の基板に露光後熱処理を行う、請求項11に記載の基板処理装置。
- 基板に熱処理を行う熱処理方法であって、
待機部で基板を支持するステップと、
加熱部で基板を加熱するステップと、
基板を保持する保持部を移動させることにより前記待機部と前記加熱部との間で基板を搬送するステップとを含み、
前記搬送するステップは、前記保持部内に設けられた複数の冷却部により前記保持部の複数の領域をそれぞれ冷却することを含む、熱処理方法。
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