KR20210009890A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도를 측정하는 측정 부재와; 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 온도 조절 부재와; 그리고, 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 측정 부재가 측정하는 기판의 온도에 따라 상기 공정 챔버의 온도를 조절하도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Apparatus and Method for treating a substrate}
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 기판을 처리하는 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 기판에 처리 가스를 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 중 사진 공정(photo-lithography process)은 웨이퍼 상에 원하는 패턴을 형성시키는 공정이다. 사진 공정은 보통 노광 설비가 연결되어 도포 공정, 노광 공정, 그리고 현상 공정을 연속적으로 처리하는 스피너(spinner local) 설비에서 진행된다. 이러한 스피너 설비는 헥사메틸다이사이레인(Hexamethyl disilazane, 이하, HMDS라 한다) 처리 공정, 도포 공정, 열처리 공정, 그리고 현상 공정을 순차적으로 수행한다. 여기서, HMDS 처리 공정은 감광액(PR:Photo-resist)의 밀착 효율을 상승시키기 위해 감광액 도포 전에 웨이퍼 상에 HMDS 가스를 공급하는 공정이다.
일반적으로 HMDS 처리 공정은 베이크 챔버에서 수행된다. 베이크 챔버에는 기판을 지지하는 지지부가 제공된다. 지지부에는 지지부의 온도를 조절하는 히터가 제공된다. 히터는 지지부의 온도를 높인다. 지지부는 지지부에 지지된 기판으로 열을 전달한다. 이에 기판은 가열된다. 그리고 HMDS 가스는 베이크 챔버 내에서 가열되는 기판으로 공급된다. 이 과정에서, 기판과 베이크 챔버의 온도는 서로 상이하다. 일 예로, 기판의 온도가 베이크 챔버의 온도보다 높을 수 있다. 기판으로 공급되는 HMDS 가스의 유동은 기판과 베이크 챔버의 온도 편차로 인하여 변화한다. 기판과 베이크 챔버의 온도 차이로 베이크 챔버 내부 공간에서 열 대류 현상이 발생하기 때문이다. 즉, 기판과 베이크 챔버의 온도 편차로 인하여 베이크 챔버 내에서 HMDS 가스에 와류가 발생한다. 이에, HMDS 가스가 기판으로 적절히 공급되지 않는다.
본 발명은 기판에 소수화 가스를 공급하여 처리하는 공정을 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 공정 챔버 내에서 소수화 가스에 와류가 발생하는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판과 기판에 공급된 소수화 가스 사이의 콘택트 앵글을 제어할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 여기에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도를 측정하는 측정 부재와; 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 온도 조절 부재와; 그리고, 제어기를 포함하되, 상기 제어기는, 상기 측정 부재가 측정하는 기판의 온도에 따라 상기 공정 챔버의 온도를 조절하도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 크게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 작게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 커지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 공정 챔버는, 상부 챔버와; 그리고 상기 상부 챔버의 하부에 배치되는 하부 챔버를 포함하고, 상기 온도 조절 부재는 상기 상부 챔버에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 온도 조절 부재는, 히터이고, 상기 상부 챔버 내에 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가스 공급 유닛은, 상기 상부 챔버에 연결되는 가스 공급관을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되, 상기 배기 유닛은, 상기 공정 챔버에 연결되는 배기 라인과; 상기 배기 라인에 감압을 제공하는 감압 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 공정 챔버는, 금속을 포함하는 재질로 제공되고, 상기 공정 챔버의 표면은 산화 알루미늄 또는 니켈을 포함하는 재질로 도금 처리 될 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 공정 챔버가 가지는 처리 공간에 처리 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하되, 상기 기판의 온도를 측정하고, 상기 기판의 온도에 근거하여 상기 공정 챔버의 온도를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 기판의 온도와 상기 공정 챔버의 온도 차이가 작아지도록 상기 공정 챔버의 온도를 조절 할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스는 상기 기판을 소수화 시키는 가스이고, 상기 기판의 표면과 상기 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 크게 하는 경우 상기 공정 챔버와 상기 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 공정 챔버의 온도를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스는 상기 기판을 소수화 시키는 가스이고, 상기 기판의 표면과 상기 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 작게 하는 경우 상기 공정 챔버와 상기 기판의 온도 차이가 커지도록 상기 공정 챔버의 온도를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 공정 챔버의 온도를 조절은, 상기 공정 챔버가 포함하는 상부 챔버와, 상기 상부 챔버의 하부에 배치되는 하부 챔버 중 상기 상부 챔버의 온도 조절로 이루어질 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스의 공급은 상기 상부 챔버에 연결되는 가스 공급관을 통해 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와; 상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하고, 상기 공정 챔버는, 상부 챔버와; 상기 상부 챔버의 하부에 배치되는 하부 챔버를 포함하고, 상기 온도 조절 부재는, 상기 상부 챔버의 온도를 조절하는 제1온도 조절 부재와; 상기 하부 챔버의 온도를 조절하는 제2온도 조절 부재를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도를 측정하는 측정 부재와; 제어기를 더 포함하되, 상기 제어기는, 상기 측정 부재가 측정하는 기판의 온도에 따라 상기 공정 챔버의 온도를 조절하도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제어기는, 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 크게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고, 상기 제어기는, 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 작게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 커지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판에 소수화 가스를 공급하여 처리하는 공정을 효율적으로 수행할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 공정 챔버 내에서 소수화 가스에 와류가 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판과 기판에 공급된 소수화 가스 사이의 콘택트 앵글을 제어할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이다.
도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이다.
도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 4은 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이다.
도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도 이다.
도 8은 기판과 공정 챔버 사이의 온도 차이가 작은 경우, 공정 챔버로 공급되는 가스의 유동을 보여주는 도면이다.
도 9는 기판과 공정 챔버 사이의 온도 차이가 큰 경우, 공정 챔버로 공급되는 가스의 유동을 보여주는 도면이다.
도 10은 기판과 공정 챔버 사이의 온도 차이가 작은 경우, 처리 가스와 기판 표면 사이의 콘택트 앵글을 보여주는 도면이다.
도 11은 기판과 공정 챔버 사이의 온도 차이가 큰 경우, 처리 가스와 기판 표면 사이의 콘택트 앵글을 보여주는 도면이다.
도 12는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 본 발명의 실시 예는 여러 가지 형태로 변형할 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장 및 축소된 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 사시도이고, 도 2는 도 1의 도포 블럭 또는 현상 블럭을 보여주는 기판 처리 장치의 단면도이며, 도 3는 도 1의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 인덱스 모듈(20,index module), 처리 모듈(30, treating module), 그리고 인터페이스 모듈(40, interface module)을 포함한다. 일 실시예에 의하며, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)은 순차적으로 일렬로 배치된다. 이하, 인덱스 모듈(20), 처리 모듈(30), 그리고 인터페이스 모듈(40)이 배열된 방향을 X축 방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때 X축 방향(12)과 수직한 방향을 Y축 방향(14)이라 하고, X축 방향(12) 및 Y축 방향(14)에 모두 수직한 방향을 Z축 방향(16)이라 한다.
인덱스 모듈(20)은 기판(W)이 수납된 용기(10)로부터 기판(W)을 처리 모듈(30)로 반송하고, 처리가 완료된 기판(W)을 용기(10)로 수납한다. 인덱스 모듈(20)의 길이 방향은 Y축 방향(14)으로 제공된다. 인덱스 모듈(20)은 로드포트(22)와 인덱스 프레임(24)을 가진다. 인덱스 프레임(24)을 기준으로 로드포트(22)는 처리 모듈(30)의 반대 측에 위치된다. 기판(W)들이 수납된 용기(10)는 로드포트(22)에 놓인다. 로드포트(22)는 복수 개가 제공될 수 있으며, 복수의 로드포트(22)는 Y축 방향(14)을 따라 배치될 수 있다.
용기(10)로는 전면 개방 일체 식 포드(Front Open Unified Pod:FOUP)와 같은 밀폐용 용기(10)가 사용될 수 있다. 용기(10)는 오버헤드 트랜스퍼(Overhead Transfer), 오버헤드 컨베이어(Overhead Conveyor), 또는 자동 안내 차량(Automatic GuidedVehicle)과 같은 이송 수단(도시되지 않음)이나 작업자에 의해 로드포트(22)에 놓일 수 있다.
인덱스 프레임(24)의 내부에는 인덱스 로봇(2200)이 제공된다. 인덱스 프레임(24) 내에는 길이 방향이 Y축 방향(14)으로 제공된 가이드 레일(2300)이 제공되고, 인덱스 로봇(2200)은 가이드 레일(2300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다. 인덱스 로봇(2200)은 기판(W)이 놓이는 핸드(2220)를 포함하며, 핸드(2220)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
처리 모듈(30)은 기판(W)에 대해 도포 공정 및 현상 공정을 수행한다. 처리 모듈(30)은 도포 블럭(30a) 및 현상 블럭(30b)을 가진다. 도포 블럭(30a)은 기판(W)에 대해 도포 공정을 수행하고, 현상 블럭(30b)은 기판(W)에 대해 현상 공정을 수행한다. 도포 블럭(30a)은 복수 개가 제공되며, 이들은 서로 적층되게 제공된다. 현상 블럭(30b)은 복수 개가 제공되며, 현상 블럭들(30b)은 서로 적층되게 제공된다. 도 3의 실시예에 의하면, 도포 블럭(30a)은 2개가 제공되고, 현상 블럭(30b)은 2개가 제공된다. 도포 블럭들(30a)은 현상 블럭들(30b)의 아래에 배치될 수 있다. 일 예에 의하면, 2개의 도포 블럭들(30a)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다. 또한, 2개의 현상 블럭들(30b)은 서로 동일한 공정을 수행하며, 서로 동일한 구조로 제공될 수 있다.
도 3을 참조하면, 도포 블럭(30a)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 액 처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800)를 가진다. 열처리 챔버(3200)는 기판(W)에 대해 열처리 공정을 수행한다. 열처리 공정은 냉각 공정 및 가열 공정을 포함할 수 있다. 액처리 챔버(3600)는 기판(W) 상에 액을 공급하여 액막을 형성한다. 액막은 포토레지스트막 또는 반사방지막일 수 있다. 반송 챔버(3400)는 도포 블럭(30a) 내에서 열처리 챔버(3200)와 액처리 챔버(3600) 간에 기판(W)을 반송한다.
반송 챔버(3400)는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공된다. 반송 챔버(3400)에는 반송 유닛(3420)이 제공된다. 반송 유닛(3420)은 열처리 챔버(3200), 액처리 챔버(3600), 그리고 버퍼 챔버(3800) 간에 기판을 반송한다. 일 예에 의하면, 반송 유닛(3420)은 기판(W)이 놓이는 핸드(A)를 가지며, 핸드(A)는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)을 축으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다. 반송 챔버(3400) 내에는 그 길이 방향이 X축 방향(12)과 평행하게 제공되는 가이드 레일(3300)이 제공되고, 반송 유닛(3420)은 가이드 레일(3300) 상에서 이동 가능하게 제공될 수 있다.
도 4는 도 3의 반송 로봇의 핸드의 일 예를 보여주는 도면이다. 도 6을 참조하면, 핸드(A)는 베이스(3428) 및 지지 돌기(3429)를 가진다. 베이스(3428)는 원주의 일부가 절곡된 환형의 링 형상을 가질 수 있다. 베이스(3428)는 기판(W)의 직경보다 큰 내경을 가진다. 지지 돌기(3429)는 베이스(3428)로부터 그 내측으로 연장된다. 지지 돌기(3429)는 복수 개가 제공되며, 기판(W)의 가장자리 영역을 지지한다. 일 예에 의하며, 지지 돌기(3429)는 등 간격으로 4개가 제공될 수 있다.
다시 도 2와 도 3을 참조하면, 열처리 챔버(3200)는 복수 개로 제공된다. 열처리 챔버들(3200)은 제1방향(12)을 따라 나열되게 배치된다. 열처리 챔버들(3200)은 반송 챔버(3400)의 일측에 위치된다.
도 5은 도 3의 열처리 챔버의 일 예를 개략적으로 보여주는 평단면도이고, 도 6은 도 5의 열처리 챔버의 정단면도이다. 열처리 챔버(3200)는 하우징(3210), 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)를 가진다.
하우징(3210)은 대체로 직육면체의 형상으로 제공된다. 하우징(3210)의 측벽에는 기판(W)이 출입되는 반입구(도시되지 않음)가 형성된다. 반입구는 개방된 상태로 유지될 수 있다. 선택적으로 반입구를 개폐하도록 도어(도시되지 않음)가 제공될 수 있다. 냉각 유닛(3220), 가열 유닛(5000), 그리고 반송 플레이트(3240)는 하우징(3210) 내에 제공된다. 냉각 유닛(3220) 및 가열 유닛(5000)은 Y축 방향(14)을 따라 나란히 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각 유닛(3220)은 가열 유닛(5000)에 비해 반송 챔버(3400)에 더 가깝게 위치될 수 있다.
냉각 유닛(3220)은 냉각판(3222)을 가진다. 냉각판(3222)은 상부에서 바라볼 때 대체로 원형의 형상을 가질 수 있다. 냉각판(3222)에는 냉각부재(3224)가 제공된다. 일 예에 의하면, 냉각부재(3224)는 냉각판(3222)의 내부에 형성되며, 냉각 유체가 흐르는 유로로 제공될 수 있다.
반송 플레이트(3240)는 대체로 원판 형상을 제공되고, 기판(W)과 대응되는 직경을 가진다. 반송 플레이트(3240)의 가장자리에는 노치(3244)가 형성된다. 노치(3244)는 상술한 반송 로봇(3420)의 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 형상을 가질 수 있다. 또한, 노치(3244)는 핸드(A)에 형성된 돌기(3429)와 대응되는 수로 제공되고, 돌기(3429)와 대응되는 위치에 형성된다. 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)가 상하 방향으로 정렬된 위치에서 핸드(A)와 반송 플레이트(3240)의 상하 위치가 변경하면 핸드(A)와 반송 플레이트(3240) 간에 기판(W)의 전달이 이루어진다. 반송 플레이트(3240)는 가이드 레일(3249) 상에 장착되고, 구동기(3246)에 의해 가이드 레일(3249)을 따라 이동된다. 반송 플레이트(3240)에는 슬릿 형상의 가이드 홈(3242)이 복수 개 제공된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)의 끝단에서 반송 플레이트(3240)의 내부까지 연장된다. 가이드 홈(3242)은 그 길이 방향이 Y축 방향(14)을 따라 제공되고, 가이드 홈(3242)들은 X축 방향(12)을 따라 서로 이격되게 위치된다. 가이드 홈(3242)은 반송 플레이트(3240)와 가열 유닛(5000) 간에 기판(W)의 인수인계가 이루어질 때 반송 플레이트(3240)와 리프트 핀이 서로 간섭되는 것을 방지한다.
열처리 챔버들(3200) 중 일부의 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000)은 기판(W) 가열 중에 가스를 공급하여 포토레지스트의 기판(W) 부착력을 향상시킬 수 있다. 일 예에 의하면, 가스는 헥사메틸다이사이레인(hexamethyldisilane) 가스일 수 있다. 이하에서는, 열처리 챔버(3200)에 제공된 가열 유닛(5000) 중 기판에 포토레지스트의 부착력을 향상시키는 가스를 공급하는 장치를 예를 들어 설명한다.
도 7은 도 6의 가열 유닛에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 이하, 도 7을 참조하면, 가열 유닛(5000)에 제공되는 기판 처리 장치는, 공정 챔버(5010), 실링 부재(5020), 지지 유닛(5030), 가스 공급 유닛(5050), 배기 유닛(5070), 온도 조절 부재(5100), 측정 부재(5200), 그리고 제어기(5090)를 포함한다.
공정 챔버(5010)는 내부에 처리 공간(5001)을 제공한다. 공정 챔버(5010)는 금속을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 예컨대, 공정 챔버(5010)는 알루미늄 또는 스테인리스 스틸을 포함하는 재질로 제공될 수 있다. 또한, 공정 챔버(5010)의 표면은 산화 알루미늄 또는 니켈을 포함하는 재질로 도금 처리 될 수 있다. 공정 챔버(5010)의 표면에 제공되는 산화 알루미늄은 애노다이징(Anodizing)을 통해 형성된 산화 알루미늄일 수 있다.
공정 챔버(5010)는 원통 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리, 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 공정 챔버(5010)는 상부 챔버(5011)와 하부 챔버(5013)를 포함할 수 있다. 상부 챔버(5010)와 하부 챔버(5013)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간(5001)을 가질 수 있다.
상부 챔버(5011)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 하부 챔버(5013)는 상부 챔버(5011)의 하부에 위치할 수 있다. 하부 챔버(5013)는 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다.
구동기(5015)는 상부 챔버(5011)와 결합할 수 있다. 구동기(5015)는 상부 챔버(5011)를 상하로 승하강시킬 수 있다. 구동기(5015)는 공정 챔버(5010) 내부로 기판(W)을 반입시 상부 챔버(5011)를 상부로 이동시켜 공정 챔버(5010)의 내부를 개방할 수 있다. 구동기(5015)는 기판(W)을 처리하는 공정 시 상부(5011)를 하부 챔버(5013)와 접촉시켜 공정 챔버(5010) 내부를 밀폐시킬 수 있다. 본 실시예에서는 구동기(5015)가 상부챔버(5011)와 연결되어 제공되는 것을 예로 들었으나, 이와 달리 구동기(5015)는 하부 챔버(5013)와 연결되어 하부챔버(5013)를 승하강 시킬 수 있다.
실링 부재(5020)는 처리 공간(5001)의 외부로부터 밀폐시킨다. 실링 부재(5020)는 상부 챔버(5011)와 하부 챔버(5013)의 접촉면에 설치된다. 일 예로 실링 부재(5020)는 하부 챔버(5013)의 접촉면에서 설치될 수 있다.
지지 유닛(5030)은 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5030)은 처리 공간(5001) 내에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(5030)은 상부에서 바라 볼 때, 원형의 형상으로 제공될 수 있다. 지지 유닛(5030)의 상면은 기판(W)보다 큰 단면적을 가질 수 있다. 지지 유닛(5030)은 열 전도성이 좋은 재질로 제공될 수 있다. 지지 유닛(5030)은 내열성이 우수한 재질로 제공될 수 있다.
지지 유닛(5030)은 기판(W)을 승하강 시키는 리프트 핀 모듈(5032)을 포함할 수 있다. 리프트 핀 모듈(5032)은 공정 챔버(5010) 외부의 반송 수단으로부터 기판(W)을 인수받아 지지 유닛(5030) 상에 내려 놓거나, 기판(W)을 들어올려 공정 챔버(5010)의 외부의 반송 수단으로 인계할 수 있다. 일 예에 의하면, 리프트 핀 모듈(5032)의 리프트 핀은 3개가 제공될 수 있다.
또한, 지지 유닛(5030)은 지지 유닛(5030)에 놓인 기판(W)을 가열하는 가열 부재(5040)를 포함할 수 있다. 예컨대, 가열 부재(5040)는 지지 유닛(5030)의 내부에 위치할 수 있다. 일 예로, 가열 유닛(5040)은 히터로 제공될 수 있다. 히터는 지지 유닛(5030)의 내부에 복수 개로 제공될 수 있다.
가스 공급 유닛(5050)은 처리 공간(5001) 내에 위치한 기판(W)으로 처리 가스를 공급할 수 있다. 처리 가스는 밀착용 가스를 포함할 수 있다. 일 예로 처리 가스는 헥사메틸다이사이레인(HMDS)을 포함할 수 있다. 처리 가스는 기판(W)의 성질을 친수성에서 소수성으로 변화시킬 수 있다. 즉, 처리 가스는 소수화 가스일 수 있다. 또한, 처리 가스는 액상의 헥사메틸다이사이레인(HMDS)이 입자화 된 가스일 수 있다. 예컨대, 액상의 헥사메틸다이사이레인(HMDS)이 버블링되어 입자화 된 가스일 수 있다. 또한 처리 가스는 캐리어 가스와 혼합되어 제공될 수 있다. 캐리어 가스는 불활성가스로 제공될 수 있다. 일 예로 불활성 가스는 질소 가스일 수 있다.
가스 공급 유닛(5050)은 가스 공급관(5051)과 가스 공급 라인(5053)을 포함할 수 있다. 가스 공급관(5051)은 상부 챔버(5011)의 중앙 영역에 연결될 수 있다. 가스 공급관(5051)은 가스 공급 라인(5053)에서 전달된 처리 가스를 기판(W)으로 공급할 수 있다. 가스 공급관(5051)이 공급하는 처리 가스의 공급 위치는 기판(W)의 중앙 상부 영역과 대향 되도록 위치할 수 있다.
배기 유닛(5070)은 처리 공간(5001)을 배기한다. 배기 유닛(5070)은 배기 라인(5071) 그리고 감압 부재(5075)를 포함할 수 있다.
배기 라인(5071)은 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 배기 라인(5071)은 공정 챔버(5010)의 측벽에 제공될 수 있다. 이에 배기 라인(5071)은 처리 공간(5001)의 내부를 측방향으로 배기할 수 있다. 배기 라인(5071)은 지지 유닛(5030)의 상면의 주변 위치에서 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 예컨대, 배기 라인(5071)은 지지 유닛(5030)의 상면과 같거나 높은 위치에서 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 또한, 배기 라인(5071)은 배기홀(5072)과 연결될 수 있다. 배기홀(5072)은 하부 챔버(5013)에 형성될 수 있다. 예컨대, 배기홀(5072)은 상부 챔버(5011)와 하부 챔버(5013)가 접촉되는 영역에 제공될 수 있다. 또한, 배기홀(5072)은 지지 유닛(5030)을 기준으로 실링 부재(5020)보다 내측에 형성될 수 있다. 배기홀(5072)은 하부 챔버(5013)에 링 형상으로 제공될 수 있다. 이와 달리 배기홀(5072)은 복수개의 홀로 제공될 수 있다. 배기 라인(5071)은 배기홀(5072)과 연결되어 처리 공간(5001)을 배기할 수 있다. 배기 라인(5071)은 배기홀(5072)과 대응되는 개수로 제공될 수 있다.
감압 부재(5075)는 배기 라인(5071)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(5075)는 배기 라인(5071)에 설치되는 밸브(5078)를 포함할 수 있다. 감압 부재(5075)는 펌프로 제공될 수 있다. 이와 달리 감압 부재는 감압을 제공하는 공지의 장치로 제공될 수 있다.
온도 조절 부재(5100)는 공정 챔버(5010)의 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 공정 챔버(5100) 중 상부 챔버(5011)에 제공될 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 상부 챔버(5011)의 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 상부 챔버(5011) 내에 제공될 수 있다. 그러나 이에 한정되는 것은 아니고 온도 조절 부재(5100)는 상부 챔버(5011)의 내측면에 장착될 수도 있다.
온도 조절 부재(5100)는 히터일 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 시즈 히터일 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 상부에서 바라볼 때 판 형상을 가질 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 상부에서 바라볼 때 중앙에 개구가 형성된 판 형상을 가질 수 있다. 온도 조절 부재(5100)에 형성된 개구는 가스 공급관(5051)이 삽입될 수 있다. 가스 공급관(5051)은 온도 조절 부재(5100)에 의해 일정 온도로 가열될 수 있다. 이에, 가스 공급관(5051)을 통해 공급되는 처리 가스는 일정 온도로 가열될 수 있다. 이에, 가열된 기판(W)의 온도와 처리 가스의 온도 차이를 줄일 수 있다. 기판(W)의 온도와 처리 가스의 온도 차이로 발생되는 문제점들을 최소화 할 수 있다. 예컨대, 기판(W)의 온도와 처리 가스의 온도 차이로 기판(W)에 전달되는 열 응력에 의해 기판(W)이 파손되는 것을 최소화 할 수 있다. 또한, 기판(W)의 온도와 처리 가스의 온도 차이로 처리 공간(5001)에서 열 대류 현상이 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
측정 부재(5200)는 지지 유닛(5030)에 지지된 기판(W)의 온도를 측정할 수 있다. 측정 부재(5200)는 기판(W)으로 광을 조사하여 기판(W)의 온도를 측정할 수 있다. 측정 부재(5200)는 기판(W)으로 레이저를 조사하여 기판(W)의 온도를 측정할 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 측정 부재(5200)는 기판(W)의 온도를 측정할 수 있는 공지의 장치로 다양하게 변형될 수 있다. 또한, 측정 부재(5200)는 공정 챔버(5010)의 내측면에 장착될 수 있다. 측정 부재(5200)는 상부 챔버(5011)의 내측면에 장착될 수 있다. 측정 부재(5200)는 지지 유닛(5030)보다 상부에 배치될 수 있다. 그러나, 이에 한정되는 것은 아니고 측정 부재(5200)는 지지 유닛(5030)에 지지된 기판(W)의 온도를 측정할 수 있는 다양한 위치에 제공될 수 있다.
제어기(5090)는 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 제어기(5090)는 이하에서 설명하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(5090)는 가스 공급 유닛(5050)과 배기 유닛(5070)을 제어할 수 있다. 제어기(5090)는 온도 조절 부재(5100), 그리고 측정 부재(5200)를 제어할 수 있다. 제어기(5090)는 측정 부재(5200)가 측정하는 기판(W)의 온도에 따라 공정 챔버(5010)의 온도를 조절하도록 측정 부재(5200), 그리고 온도 조절 부재(5100)를 제어할 수 있다.
이하에서는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 설명한다. 도 8은 기판과 공정 챔버 사이의 온도 차이가 작은 경우, 공정 챔버로 공급되는 가스의 유동을 보여주는 도면이고, 도 9는 기판과 공정 챔버 사이의 온도 차이가 큰 경우, 공정 챔버로 공급되는 가스의 유동을 보여주는 도면이다. 예컨대, 도 8은 공정 챔버(5010)의 온도와 기판(W)의 온도 차이가 제1온도차인 경우 처리 가스(G)의 유동을 보여주는 도면이다. 또한, 도 9는 공정 챔버(5010)의 온도와 기판(W)의 온도 차이가 제2온도차인 경우 처리 가스(G)의 유동을 보여주는 도면이다. 제1온도차는 제2온도차보다 작은 온도 차이일 수 있다.
도 8과 도9를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버(5010)가 가지는 처리 공간(5001)에 처리 가스(G)를 공급하여 기판(W)을 처리할 수 있다. 그리고, 공정 챔버(5010) 내에 제공되는 지지 유닛(5030)은 기판(W)을 가열할 수 있다. 공정 챔버(5010)에 제공되는 측정 부재(5200)는 기판(W)의 온도를 측정할 수 있다. 측정 부재(5200)가 측정한 기판(W)의 온도 값은 제어기(5090)로 전달될 수 있다. 제어기(5090)는 측정 부재(5200)가 측정한 기판(W)의 온도 값에 근거하여 온도 조절 부재(5100)를 제어할 수 있다. 즉, 온도 조절 부재(5100)는 기판(W)의 온도 값에 근거하여 공정 챔버(5010)의 온도를 조절할 수 있다. 온도 조절 부재(5100)는 상부 챔버(5011)의 온도를 조절하여 공정 챔버(5010)의 온도를 조절할 수 있다. 일 예로, 온도 조절 부재(5100)는 기판(W)의 온도와 공정 챔버(5010)의 온도 차이가 작아지도록 공정 챔버(5010)의 온도를 조절할 수 있다. 기판(W)의 온도와 공정 챔버(5010)의 온도 차이가 작아지면, 처리 공간(5001) 내에서 열의 대류는 적게 발생한다. 이에, 처리 공간(5001)으로 공급되는 처리 가스(G)에 와류가 발생하는 것을 최소화 할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법에 의하면 공정 챔버(5010)와 기판(W) 사이의 온도 차이를 조절하여 기판(W)의 표면과 처리 가스(G)의 콘택트 앵글을 제어할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 온도와 공정 챔버(5010) 사이의 온도 차이가 제1온도차 인 경우, 처리 가스(G)는 강한 하강 기류로 처리 공간(5001)에 공급될 수 있다. 이는 처리 공간(5001)에 열의 대류가 적게 발생하기 때문이다. 또한, 기판(W)의 온도와 공정 챔버(5010) 사이의 온도 차이가 제2온도차 인 경우, 처리 가스(G)는 약한 하강 기류로 처리 공간(5001)에 공급될 수 있다. 이는 처리 공간(5001)에 열의 대류가 발생하기 때문이다.
처리 가스(G)가 강한 하강 기류로 처리 공간(5001)에 공급되는 경우, 기판(W)의 표면과 처리 가스 사이의 콘택트 앵글은 도 10에 도시된 바와 같이 제1각도(A1)일 수 있다. 처리 가스(G)가 약한 하강 기류로 처리 공간(5001)에 공급되는 경우, 기판(W)의 표면과 처리 가스 사이의 콘택트 앵글은 도 11에 도시된 바와 같이 제2각도(A2)일 수 있다. 제1각도(A1)는 제2각도(A2)보다 큰 각도일 수 있다.
기판(W)의 표면과 처리 가스(G) 사이에 콘택트 앵글이 지나치게 작은 경우 기판(W)에 대한 소수화 처리가 적절히 수행되지 않을 수 있다. 또한, 기판(W)의 표면과 처리 가스(G) 사이에 콘택트 앵글이 지나치게 큰 경우, 이후의 처리 단계에서 공급되는 감광액이 설정 값 이상으로 두껍게 도포될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은, 기판(W)의 표면과 처리 가스(G) 사이의 콘택트 앵글을 크게하는 경우 공정 챔버(5010)의 온도와 기판(W)의 온도 차이를 작게 할 수 있다. 또한, 기판(W)의 표면과 처리 가스(G) 사이의 콘택트 앵글을 작게하는 경우 공정 챔버(5010)의 온도와 기판(W)의 온도 차이를 크게 할 수 있다. 이에, 이후에 수행되는 도포 단계에서 감광액이 기 설정된 두께로 도포될 수 있도록 한다.
다시 도 2 및 도 3을 참조하면, 버퍼 챔버(3800)는 복수 개로 제공된다. 버퍼 챔버들(3800) 중 일부는 인덱스 모듈(20)과 반송 챔버(3400) 사이에 배치된다. 이하, 이들 버퍼 챔버를 전단 버퍼(3802)(front buffer)라 칭한다. 전단 버퍼들(3802)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 버퍼 챔버들(3802, 3804) 중 다른 일부는 반송 챔버(3400)와 인터페이스 모듈(40) 사이에 배치된다 이하. 이들 버퍼 챔버를 후단 버퍼(3804)(rear buffer)라 칭한다. 후단 버퍼들(3804)은 복수 개로 제공되며, 상하 방향을 따라 서로 적층되게 위치된다. 전단 버퍼들(3802) 및 후단 버퍼들(3804) 각각은 복수의 기판들(W)을 일시적으로 보관한다. 전단 버퍼(3802)에 보관된 기판(W)은 인덱스 로봇(2200) 및 반송 로봇(3420)에 의해 반입 또는 반출된다. 후단 버퍼(3804)에 보관된 기판(W)은 반송 로봇(3420) 및 제1로봇(4602)에 의해 반입 또는 반출된다.
현상 블럭(30b)은 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)를 가진다. 현상 블럭(30b)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)는 도포 블럭(30a)의 열처리 챔버(3200), 반송 챔버(3400), 그리고 액처리 챔버(3600)와 대체로 유사한 구조 및 배치로 제공되므로, 이에 대한 설명은 생략한다. 다만, 현상 블록(30b)에서 액처리 챔버들(3600)은 모두 동일하게 현상액을 공급하여 기판을 현상 처리하는 현상 챔버(3600)로 제공된다.
인터페이스 모듈(40)은 처리 모듈(30)을 외부의 노광 장치(50)와 연결한다. 인터페이스 모듈(40)은 인터페이스 프레임(4100), 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)를 가진다.
인터페이스 프레임(4100)의 상단에는 내부에 하강기류를 형성하는 팬필터유닛이 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200), 인터페이스 버퍼(4400), 그리고 반송 부재(4600)는 인터페이스 프레임(4100)의 내부에 배치된다. 부가 공정 챔버(4200)는 도포 블럭(30a)에서 공정이 완료된 기판(W)이 노광 장치(50)로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)는 노광 장치(50)에서 공정이 완료된 기판(W)이 현상 블럭(30b)으로 반입되기 전에 소정의 부가 공정을 수행할 수 있다. 일 예에 의하면, 부가 공정은 기판(W)의 에지 영역을 노광하는 에지 노광 공정, 또는 기판(W)의 상면을 세정하는 상면 세정 공정, 또는 기판(W)의 하면을 세정하는 하면 세정공정일 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 복수 개가 제공되고, 이들은 서로 적층되도록 제공될 수 있다. 부가 공정 챔버(4200)는 모두 동일한 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 선택적으로 부가 공정 챔버(4200)들 중 일부는 서로 다른 공정을 수행하도록 제공될 수 있다.
인터페이스 버퍼(4400)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 반송되는 기판(W)이 반송도중에 일시적으로 머무르는 공간을 제공한다. 인터페이스 버퍼(4400)는 복수 개가 제공되고, 복수의 인터페이스 버퍼들(4400)은 서로 적층되게 제공될 수 있다.
일 예에 의하면, 반송 챔버(3400)의 길이 방향의 연장선을 기준으로 일 측면에는 부가 공정 챔버(4200)가 배치되고, 다른 측면에는 인터페이스 버퍼(4400)가 배치될 수 있다.
반송 부재(4600)는 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 노광 장치(50), 그리고 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송한다. 반송 부재(4600)는 1개 또는 복수 개의 로봇으로 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 반송 부재(4600)는 제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)을 가진다. 제1로봇(4602)은 도포 블럭(30a), 부가 공정챔버(4200), 그리고 인터페이스 버퍼(4400) 간에 기판(W)을 반송하고, 인터페이스 로봇(4606)은 인터페이스 버퍼(4400)와 노광 장치(50) 간에 기판(W)을 반송하고, 제2로봇(4604)은 인터페이스 버퍼(4400)와 현상 블럭(30b) 간에 기판(W)을 반송하도록 제공될 수 있다.
제1로봇(4602) 및 제2로봇(4606)은 각각 기판(W)이 놓이는 핸드를 포함하며, 핸드는 전진 및 후진 이동, Z축 방향(16)에 평행한 축을 기준으로 한 회전, 그리고 Z축 방향(16)을 따라 이동 가능하게 제공될 수 있다.
상술한 예에서는 온도 조절 부재(5100)가 상부 챔버(5011)에 제공되는 것을 예로 들어 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 도 12에 도시된 바와 같이 온도 조절 부재(5100)는 제1온도 조절 부재(5101)와 제2온도 조절 부재(5102)를 포함할 수 있다. 제1온도 조절 부재(5101)는 상부 챔버(5011)에 제공될 수 있다. 제1온도 조절 부재(5101)는 상부 챔버(5011) 내에 제공될 수 있다. 제1온도 조절 부재(5101)는 상부 챔버(5011)의 온도를 조절할 수 있다. 제2온도 조절 부재(5102)는 하부 챔버(5013)에 제공될 수 있다. 제2온도 조절 부재(5102)는 하부 챔버(5013) 내에 제공될 수 있다. 제2온도 조절 부재(5102)는 하부 챔버(5013)의 온도를 조절할 수 있다. 제1온도 조절 부재(5101)의 형상은 상술한 내용과 동일 또는 유사하므로 자세한 설명은 생략한다. 제2온도 조절 부재(5102)는 판 형상을 가질 수 있다. 제2온도 조절 부재(5102)는 중앙에 개구가 형성된 판 형상을 가질 수 있다. 제2온도 조절 부재(5102)는 상부에서 바라볼 때 지지 유닛(5030)의 둘레를 감싸도록 제공될 수 있다. 또한, 제1온도 조절 부재(5102)가 상부 챔버(5011)에 제공되고 제2온도 조절 부재(5102)가 하부 챔버(5013)에 제공되는 경우에도 상술한 기판 처리 방법은 동일 또는 유사하게 적용 가능하다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 저술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
공정 챔버: 5010
실링부재 : 5020
지지 유닛 : 5030
가스 공급 유닛 : 5050
배기 유닛 : 5070
제어기 : 5090
온도 조절 부재 : 5100
측정 부재 : 5200

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도를 측정하는 측정 부재와;
    상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 온도 조절 부재와; 그리고,
    제어기를 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 측정 부재가 측정하는 기판의 온도에 따라 상기 공정 챔버의 온도를 조절하도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 크게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 작게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 커지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    상부 챔버와;
    그리고 상기 상부 챔버의 하부에 배치되는 하부 챔버를 포함하고,
    상기 온도 조절 부재는 상기 상부 챔버에 제공되는 기판 처리 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 온도 조절 부재는,
    히터이고,
    상기 상부 챔버 내에 제공되는 기판 처리 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 가스 공급 유닛은,
    상기 상부 챔버에 연결되는 가스 공급관을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 처리 공간을 배기하는 배기 유닛을 포함하되,
    상기 배기 유닛은,
    상기 공정 챔버에 연결되는 배기 라인과;
    상기 배기 라인에 감압을 제공하는 감압 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 챔버는,
    금속을 포함하는 재질로 제공되고,
    상기 공정 챔버의 표면은 산화 알루미늄 또는 니켈을 포함하는 재질로 도금 처리 되는 기판 처리 장치.
  10. 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    공정 챔버가 가지는 처리 공간에 처리 가스를 공급하여 상기 기판을 처리하되,
    상기 기판의 온도를 측정하고,
    상기 기판의 온도에 근거하여 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 기판 처리 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 기판의 온도와 상기 공정 챔버의 온도 차이가 작아지도록 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 기판 처리 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 처리 가스는 상기 기판을 소수화 시키는 가스이고,
    상기 기판의 표면과 상기 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 크게 하는 경우 상기 공정 챔버와 상기 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 기판 처리 방법.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 처리 가스는 상기 기판을 소수화 시키는 가스이고,
    상기 기판의 표면과 상기 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 작게 하는 경우 상기 공정 챔버와 상기 기판의 온도 차이가 커지도록 상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 기판 처리 방법.
  14. 제10항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 공정 챔버의 온도를 조절은,
    상기 공정 챔버가 포함하는 상부 챔버와, 상기 상부 챔버의 하부에 배치되는 하부 챔버 중 상기 상부 챔버의 온도 조절로 이루어지는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 처리 가스의 공급은 상기 상부 챔버에 연결되는 가스 공급관을 통해 이루어지는 기판 처리 방법.
  16. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    내부에 처리 공간을 가지는 공정 챔버와;
    상기 처리 공간으로 처리 가스를 공급하는 가스 공급 유닛과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 공정 챔버의 온도를 조절하는 온도 조절 부재를 포함하고,
    상기 공정 챔버는,
    상부 챔버와;
    상기 상부 챔버의 하부에 배치되는 하부 챔버를 포함하고,
    상기 온도 조절 부재는,
    상기 상부 챔버의 온도를 조절하는 제1온도 조절 부재와;
    상기 하부 챔버의 온도를 조절하는 제2온도 조절 부재를 포함하는 기판 처리 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 장치는,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도를 측정하는 측정 부재와;
    제어기를 더 포함하되,
    상기 제어기는,
    상기 측정 부재가 측정하는 기판의 온도에 따라 상기 공정 챔버의 온도를 조절하도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제어기는,
    상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 크게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 작아지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
  20. 제17항에 있어서,
    상기 처리 가스는 기판을 소수화시키는 가스이고,
    상기 제어기는,
    상기 지지 유닛에 지지된 기판의 표면과 상기 지지 유닛에 지지된 기판으로 공급된 처리 가스 사이의 콘택트 앵글을 작게 하는 경우 상기 공정 챔버의 온도와 상기 지지 유닛에 지지된 기판의 온도 차이가 커지도록 상기 측정 부재, 그리고 상기 온도 조절 부재를 제어하는 기판 처리 장치.
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