TWI647800B - 熱處理裝置、基板處理裝置及熱處理方法 - Google Patents

熱處理裝置、基板處理裝置及熱處理方法 Download PDF

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Abstract

本發明之熱處理裝置包含待機部、加熱部及搬送機構。待機部包含複數個支持銷。搬送機構包含保持基板之搬送臂，且藉由使搬送臂移動而在待機部與加熱部之間搬送基板。搬送臂具有複數個區域，在搬送臂內設置有分別冷卻複數個區域之複數條冷卻水通路。

Description

熱處理裝置、基板處理裝置及熱處理方法
本發明係關於一種對基板進行熱處理之熱處理裝置、具備其之基板處理裝置、及熱處理方法。
為了對半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板或光罩用基板等之各種基板進行各種處理，而使用基板處理裝置。 例如，在專利第5220517號公報中記載之基板處理裝置包含加熱單元。加熱單元在殼體之內部具備熱板、冷板及局部搬送機構。局部搬送機構之搬送臂在冷板之上方之位置與熱板之上方之位置之間水平移動。該搬送臂在冷板之上方之位置接收被搬入至殼體內之基板，並將其搬送至熱板。在利用熱板對基板進行加熱處理之期間，搬送臂與冷板之上表面接觸。藉此，可冷卻搬送臂。若熱板對基板之加熱處理終了，則被冷卻之搬送臂將基板自熱板搬送至冷板之上方之位置。之後，基板朝殼體外被搬出。
在專利第5220517號公報所記載之加熱單元中，由於搬送臂被冷板冷卻，故防止由在熱板上方被加熱之搬送臂搬送基板。藉此，防止在加熱單元之加熱處理之終了後，利用搬送臂之溫度繼續基板之加熱處理。近年來，業界謀求提高形成於基板上之抗蝕膜之曝光後之線寬均一性。為了提高抗蝕膜之曝光處理後之線寬均一性，而必須在加熱處理中減少基板之面內溫度之偏差。又，並不限定於在曝光處理後，在各種製程之基板之加熱處理中謀求提高基板之面內溫度之均一性。 本發明之目的在於提供一種可提高基板之面內溫度之均一性的熱處理裝置、具備其之基板處理裝置、及熱處理方法。 (1)本發明之一態樣之熱處理裝置具備：加熱部，其對基板進行加熱處理；待機部，其包含支持基板之支持部；及搬送部，其包含保持基板之保持部，且藉由使保持部移動而在待機部與加熱部之間搬送基板；且保持部具有複數個區域，在保持部內設置有分別冷卻複數個區域之複數個冷卻部。 在該熱處理裝置中，保持部保持基板並自待機部移動至加熱部。在加熱部對基板進行加熱處理。在加熱處理後，保持部保持基板並自加熱部移動至待機部。在此情形下，利用保持部內之複數個冷卻部分別冷卻保持部之複數個區域。藉此，能夠在加熱處理後將保持部之複數個區域之溫度保持為均一。其結果為，可提高基板之面內溫度之均一性。 (2)可行的是，複數個冷卻部係以由保持部保持之基板之面內溫度之偏差在由加熱部對基板進行加熱處理後成為預設之容許值以下之方式具有各不相同之冷卻能力。 在此情形下，藉由將容許值決定為進行加熱處理之溫度之下限值，而能夠使基板之複數個部分之加熱處理之時間相等。藉此，能夠對基板之整體進行均一的加熱處理。 (3)可行的是，保持部具有與基板之一面對向且具有複數個區域之保持面，複數個冷卻部以在保持部內分別與複數個區域重合之方式設置。在此情形下，能夠使保持部之各區域內之溫度分別均一。 (4)可行的是，複數個區域包含第1及第2區域，第1區域在加熱部接收之熱量小於第2區域在加熱部接收之熱量，複數個冷卻部包含以分別與第1及第2區域重合之方式設置之第1及第2冷卻部，第2冷卻部具有高於第1冷卻部之冷卻能力。 在此情形下，能夠使接收更大之熱量之第2區域之溫度與第1區域之溫度接近或相等。 (5)可行的是，保持部具有加熱部之熱可通過之開口部，第2區域至少部分地包圍開口部。 在此情形下，由於熱通過保持部之開口部，故第2區域接收之熱量較第1區域接收之熱量變大。由於第2區域被具有更高之冷卻能力之第2冷卻部冷卻，故第2區域之溫度變得與第1區域之溫度接近或相等。 (6)可行的是，待機部之支持部包含支持基板之下表面且可上下移動之複數個第1支持構件，加熱部包含：具有加熱面之加熱板、及支持基板之下表面且以使基板在加熱板之上方之位置與加熱板之加熱面之間移動之方式可上下移動的複數個第2支持構件，複數個第1支持構件係以在保持部位於待機部時可插通於開口部之方式設置，複數個第2支持構件係以在保持部位於加熱板之加熱面之上方時可插通於開口部之方式設置。 在此情形下，在待機部，複數個第1支持構件能夠通過保持部之開口部而支持基板之下表面且上下移動。在加熱部，複數個第2支持構件能夠通過保持部之開口部而支持基板之下表面且上下移動。此時，由具有更高之冷卻能力之第2冷卻部抑制因通過開口部之熱導致之基板之部分性之溫度上升。藉此，可在不會使複數個第1支持構件與保持部之間之基板之交接動作及複數個第2支持構件與保持部之間之基板之交接動作複雜化下，提高基板之面內溫度之均一性。 (7)可行的是，保持部具有與基板之外周部之一部分對應之外周部，開口部具有自保持部之外周部朝保持部之內側延伸之一或複數個切口，第2區域沿一或複數個切口延伸。 在此情形下，在待機部中，在複數個第1支持構件插通於保持部之一或複數個切口之狀態下，保持部能夠移動。又，在加熱部中，在複數個第2支持構件插通於保持部之一或複數個切口之狀態下，保持部能夠移動。藉此，可在不會使待機部及加熱部之基板之交接動作複雜化下提高基板之面內溫度之均一性。 (8)可行的是，待機部與加熱部在一方向上並排，保持部在待機部之複數個第1支持構件之上方之位置與加熱板之上方之位置之間在一方向上移動，一或複數個切口在一方向上平行地延伸，在複數個第1支持構件插通於一或複數個切口之狀態下保持部可在一方向上移動，且在複數個第2支持構件插通於一或複數個切口之狀態下保持部可在一方向上移動。 在此情形下，在待機部中，在複數個第1支持構件插通於保持部之一或複數個切口之狀態下，保持部能夠朝向加熱部直線地移動。又，在加熱部中，在複數個第2支持構件插通於保持部之一或複數個切口之狀態下，保持部能夠朝向待機部直線地移動。藉此，可在待機部與加熱部之間迅速地搬送基板，且提高基板之面內溫度之均一性。 (9)可行的是，複數個冷卻部係在保持部內相互獨立地設置之複數條通路，在複數條通路內供給具有不同溫度之冷卻液。 在此情形下，藉由基於保持部之複數個區域接收之熱量分別設定在複數條通路內流動之冷卻液之溫度，而能夠使保持部之複數個區域之溫度相等或保持於一定之範圍內。 (10)可行的是，複數個冷卻部係在保持部內相互獨立地設置之複數個熱管，保持部內之複數個熱管之溫度互不相同。 在此情形下，藉由基於保持部之複數個區域接收之熱量分別設定複數個熱管之溫度，而能夠使保持部之複數個區域之溫度相等或保持於一定之範圍內。 (11)本發明之另一態樣之基板處理裝置係以與曝光裝置相鄰之方式配置者，其具備：塗佈裝置，其對基板塗佈感光性膜；上述之熱處理裝置，其對基板進行熱處理；及搬送裝置，其在塗佈裝置、曝光裝置及熱處理裝置之間搬送基板。 在該基板處理裝置中，利用搬送裝置在塗佈裝置、曝光裝置及熱處理裝置之間搬送經塗佈感光性膜之基板。在此情形下，在熱處理裝置中，可提高加熱處理後之基板之面內溫度之均一性。 (12)可行的是，熱處理裝置對由曝光裝置曝光後之基板進行曝光後熱處理。 在此情形下，能夠對基板上之感光性膜均一地進行曝光後熱處理。藉此，可提高感光性膜之線寬均一性。 (13)本發明之又一態樣之熱處理方法係對基板進行熱處理者，其包含以下步驟：以待機部支持基板；以加熱部加熱基板；及藉由使保持基板之保持部移動，而在待機部與加熱部之間搬送基板；且搬送之步驟包含利用設置於保持部內之複數個冷卻部對保持部之複數個區域分別進行冷卻。 根據該熱處理方法，利用保持部內之複數個冷卻部分別冷卻保持部之複數個區域。藉此，能夠在加熱處理後將保持部之複數個區域之溫度保持為均一。其結果為，可提高基板之面內溫度之均一性。
以下，針對具備本發明之一實施形態之熱處理裝置之基板處理裝置使用圖式進行說明。此外，在以下之說明中，所謂基板係指半導體基板、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、及光罩用基板等。 首先，一面參照圖1至圖5一面針對具備本實施形態之熱處理裝置之基板處理裝置進行說明，之後一面參照圖6至圖20一面針對本實施形態之熱處理裝置詳細地說明。 (1)基板處理裝置之構成 圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性平面圖。 在圖1及圖2以後之圖式中，為了使位置關係明確化，而賦予表示彼此正交之X方向、Y方向及Z方向之箭頭。X方向及Y方向在水平面內彼此正交，Z方向相當於鉛直方向。 如圖1所示，基板處理裝置100具備：索引器區塊11、第1處理區塊12、第2處理區塊13、洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B。由洗淨乾燥處理區塊14A及搬入搬出區塊14B構成介面區塊14。以與搬入搬出區塊14B相鄰之方式配置曝光裝置15。在曝光裝置15中，利用浸漬法對基板W進行曝光處理。 如圖1所示，索引器區塊11包含複數個載架載置部111及搬送部112。在各載架載置部111載置有將複數個基板W收納於多段之載架113。 在搬送部112設置有控制部114及搬送裝置115。控制部114控制基板處理裝置100之各種構成要件。搬送裝置115具有用於保持基板W之臂116。搬送裝置115一面利用臂116保持基板W體一面搬送該基板W。 第1處理區塊12包含：塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123。塗佈處理部121及熱處理部123係以夾著搬送部122對向之方式設置。在搬送部122與索引器區塊11之間設置有供載置基板W之基板載置部PASS1及後述之基板載置部PASS2至PASS4(參照圖5)。在搬送部122設置有搬送基板W之搬送裝置127及後述之搬送裝置128(參照圖5)。 第2處理區塊13包含：塗佈顯影處理部131、搬送部132及熱處理部133。塗佈顯影處理部131及熱處理部133係以夾著搬送部132對向之方式設置。在搬送部132與搬送部122之間設置有供載置基板W之基板載置部PASS5及後述之基板載置部PASS6至PASS8(參照圖5)。在搬送部132設置有搬送基板W之搬送裝置137及後述之搬送裝置138(參照圖5)。 洗淨乾燥處理區塊14A包含：洗淨乾燥處理部161、162及搬送部163。洗淨乾燥處理部161、162係以夾著搬送部163對向之方式設置。在搬送部163設置有搬送裝置141、142。 在搬送部163與搬送部132之間設置有載置兼暫存部P-BF1及後述之載置兼暫存部P-BF2(參照圖5)。 又，在搬送裝置141、142之間，以與搬入搬出區塊14B相鄰之方式設置基板載置部PASS9及後述之載置兼冷卻部P-CP(參照圖5)。 在搬入搬出區塊14B設置有搬送裝置146。搬送裝置146進行基板W相對於曝光裝置15之搬入及搬出。在曝光裝置15設置有用於搬入基板W之基板搬入部15a及用於搬出基板W之基板搬出部15b。 (2)塗佈處理部及塗佈顯影處理部之構成 圖2係主要顯示圖1之塗佈處理部121、塗佈顯影處理部131及洗淨乾燥處理部161的基板處理裝置100之示意性側視圖。 如圖2所示，在塗佈處理部121分層地設置有塗佈處理室21、22、23、24。在塗佈處理室21至24之各者設置有塗佈處理單元(旋塗機)129。在塗佈顯影處理部131分層地設置有顯影處理室31、33及塗佈處理室32、34。在顯影處理室31、33之各者設置有顯影處理單元(旋轉顯影器)139，在塗佈處理室32、34之各者設置有塗佈處理單元129。 各塗佈處理單元129具備：保持基板W之旋轉卡盤25、及以覆蓋旋轉卡盤25之周圍之方式設置之杯27。在本實施形態中，在各塗佈處理單元129設置有2組旋轉卡盤25及杯27。旋轉卡盤25由未圖示之驅動裝置(例如電動馬達)旋轉驅動。又，如圖1所示，各塗佈處理單元129具備：噴出處理液之複數個處理液噴嘴28、及搬送該處理液噴嘴28之噴嘴搬送機構29。 在塗佈處理單元129中，利用未圖示之驅動裝置使旋轉卡盤25旋轉，且複數個處理液噴嘴28中之任一處理液噴嘴28由噴嘴搬送機構29移動至基板W之上方，自該處理液噴嘴28噴出處理液。藉此，在基板W上塗佈處理液。又，將沖洗液自未圖示之邊緣沖洗噴嘴噴出至基板W之周緣部。藉此，去除附著於基板W之周緣部之處理液。 在塗佈處理室22、24之塗佈處理單元129中，將抗反射膜用之處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。在塗佈處理室21、23之塗佈處理單元129中，將抗蝕膜用之處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。在塗佈處理室32、34之塗佈處理單元129中，將抗蝕覆蓋膜用之處理液自處理液噴嘴28供給至基板W。 顯影處理單元139係與塗佈處理單元129同樣地具備旋轉卡盤35及杯37。又，如圖1所示，顯影處理單元139具備噴出顯影液之2個顯影噴嘴38、及使該顯影噴嘴38在X方向上移動之移動機構39。 在顯影處理單元139中，利用未圖示之驅動裝置使旋轉卡盤35旋轉，且一顯影噴嘴38係一邊在X方向上移動一邊對各基板W供給顯影液，之後，另一顯影噴嘴38一邊移動一邊對各基板W供給顯影液。在此情形下，藉由對基板W供給顯影液，而進行基板W之顯影處理。再者，在本實施形態中，自2個顯影噴嘴38噴出互不相同之顯影液。藉此，能夠對各基板W供給2種顯影液。 在洗淨乾燥處理部161中，分層地設置有洗淨乾燥處理室81、82、83、84。在洗淨乾燥處理室81至84各者中設置有洗淨乾燥處理單元SD1。在洗淨乾燥處理單元SD1中進行曝光處理前之基板W之洗淨及乾燥處理。 如圖1及圖2所示，在塗佈處理部121中，以與塗佈顯影處理部131相鄰之方式設置有流體箱部50。相同地，在塗佈顯影處理部131中，以與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置有流體箱部60。在流體箱部50及流體箱部60內收納有與對塗佈處理單元129及顯影處理單元139之處理液及顯影液之供給以及來自塗佈處理單元129及顯影處理單元139之排液及排氣等相關的流體關聯機器。流體關聯機器包含：導管、接頭、閥、流量計、調節器、泵、及溫度調節器等。 (3)熱處理部之構成 圖3係主要顯示圖1之熱處理部123、133及洗淨乾燥處理部162的基板處理裝置100之示意性側視圖。圖4係主要顯示圖1之塗佈處理部121、搬送部122及熱處理部123之剖視圖。如圖3及圖4所示，熱處理部123具有：設置於上方之上段熱處理部301、及設置於下方之下段熱處理部302。在上段熱處理部301及下段熱處理部302設置有複數個熱處理裝置PHP、複數個密著強化處理單元PAHP及複數個冷卻單元CP。 在熱處理裝置PHP中進行基板W之加熱處理。在密著強化處理單元PAHP中進行用於提高基板W與抗反射膜之密著性的密著強化處理。具體而言，在密著強化處理單元PAHP中，對基板W塗佈HMDS(六甲基二矽氮烷)等之密著強化劑，且對基板W進行加熱處理。在冷卻單元CP中進行基板W之冷卻處理。 熱處理部133具有：設置於上方之上段熱處理部303、及設置於下方之下段熱處理部304。在上段熱處理部303及下段熱處理部304中設置有冷卻單元CP、複數個熱處理裝置PHP及邊緣曝光部EEW。 在邊緣曝光部EEW中，在形成於基板W上之抗蝕膜之周緣部之一定寬度的區域進行曝光處理(邊緣曝光處理)。在上段熱處理部303及下段熱處理部304中，以與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之方式設置之熱處理裝置PHP構成為可進行來自洗淨乾燥處理區塊14A之基板W之搬入。 在洗淨乾燥處理部162中，分層地設置有洗淨乾燥處理室91、92、93、94、95。在洗淨乾燥處理室91至95之各者中設置有洗淨乾燥處理單元SD2。洗淨乾燥處理單元SD2具有與洗淨乾燥處理單元SD1相同之構成。在洗淨乾燥處理單元SD2中進行曝光處理後之基板W之洗淨及乾燥處理。在洗淨乾燥處理室91至95之各者中，與上述之洗淨乾燥處理室81至84相同地設置有給氣單元及排氣單元。藉此，在處理室內形成有清潔之空氣之下降流。 (4)搬送部之構成 圖5係主要顯示圖1之搬送部122、132、163之側視圖。如圖5所示，搬送部122具有上段搬送室125及下段搬送室126。搬送部132具有上段搬送室135及下段搬送室136。在上段搬送室125設置有搬送裝置(搬送機器人)127，在下段搬送室126設置有搬送裝置128。又，在上段搬送室135設置有搬送裝置137，在下段搬送室136設置有搬送裝置138。 在搬送部112與上段搬送室125之間設置有基板載置部PASS1、PASS2，在搬送部112與下段搬送室126之間設置有基板載置部PASS3、PASS4。在上段搬送室125與上段搬送室135之間設置有基板載置部PASS5、PASS6，在下段搬送室126與下段搬送室136之間設置有基板載置部PASS7、PASS8。 在上段搬送室135與搬送部163之間設置有載置兼暫存部P-BF1，在下段搬送室136與搬送部163之間設置有載置兼暫存部P-BF2。在搬送部163中，以與搬入搬出區塊14B相鄰之方式設置有基板載置部PASS9及複數個載置兼冷卻部P-CP。 搬送裝置127構成為可在基板載置部PASS1、PASS2、PASS5、PASS6、塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)之間搬送基板W。搬送裝置128構成為可在基板載置部PASS3、PASS4、PASS7、PASS8、塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)之間搬送基板W。 搬送裝置137構成為可在基板載置部PASS5、PASS6、載置兼暫存部P-BF1、顯影處理室31(圖2)、塗佈處理室32(圖2)及上段熱處理部303(圖3)之間搬送基板W。搬送裝置138構成為可在基板載置部PASS7、PASS8、載置兼暫存部P-BF2、顯影處理室33(圖2)、塗佈處理室34(圖2)及下段熱處理部304(圖3)之間搬送基板W。 搬送部163之搬送裝置141(圖1)構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼暫存部P-BF1、P-BF2及洗淨乾燥處理部161(圖2)之間搬送基板W。 搬送部163之搬送裝置142(圖1)構成為可在載置兼冷卻部P-CP、基板載置部PASS9、載置兼暫存部P-BF1、P-BF2、洗淨乾燥處理部162(圖3)、上段熱處理部303(圖3)及下段熱處理部304(圖3)之間搬送基板W。 (5)基板處理裝置之動作 一面參照圖1至圖5一面說明基板處理裝置100之動作。在索引器區塊11之載架載置部111(圖1)載置有收容未處理之基板W之載架113。搬送裝置115將未處理之基板W自載架113搬送至基板載置部PASS1、PASS3(圖5)。又，搬送裝置115將載置於基板載置部PASS2、PASS4(圖5)之處理完成之基板W搬送至載架113。 在第1處理區塊12中，搬送裝置127(圖5)將載置於基板載置部PASS1之基板W依次搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室22(圖2)。其次，搬送裝置127將利用塗佈處理室22形成有抗反射膜之基板W依次搬送至熱處理裝置PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室21(圖2)。繼而，搬送裝置127將利用塗佈處理室21形成有抗蝕膜之基板W依次搬送至熱處理裝置PHP(圖3)及基板載置部PASS5(圖5)。 在此情形下，於在密著強化處理單元PAHP中對基板W進行密著強化處理後，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗反射膜之形成之溫度。其次，在塗佈處理室22中，利用塗佈處理單元129(圖2)在基板W上形成抗反射膜。繼而，於在熱處理裝置PHP中進行完基板W之熱處理後，在冷卻單元CP中將基板W冷卻至適於抗蝕膜之形成之溫度。其次，在塗佈處理室21中，利用塗佈處理單元129(圖2)在基板W上形成抗蝕膜。之後，在熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，該基板W載置於基板載置部PASS5。 又，搬送裝置127將載置於基板載置部PASS6(圖5)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS2(圖5)。 搬送裝置128(圖5)將載置於基板載置部PASS3之基板W依次搬送至密著強化處理單元PAHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室24(圖2)。其次，搬送裝置128將利用塗佈處理室24形成有抗反射膜之基板W依次搬送至熱處理裝置PHP(圖3)、冷卻單元CP(圖3)及塗佈處理室23(圖2)。繼而，搬送裝置128將利用塗佈處理室23形成有抗蝕膜之基板W依次搬送至熱處理裝置PHP(圖3)及基板載置部PASS7(圖5)。 又，搬送裝置128(圖5)將載置於基板載置部PASS8(圖5)之顯影處理後之基板W搬送至基板載置部PASS4(圖5)。塗佈處理室23、24(圖2)及下段熱處理部302(圖3)之基板W之處理內容係與上述之塗佈處理室21、22(圖2)及上段熱處理部301(圖3)之基板W之處理內容相同。 在第2處理區塊13中，搬送裝置137(圖5)將載置於基板載置部PASS5之抗蝕膜形成後之基板W依次搬送至塗佈處理室32(圖2)、熱處理裝置PHP(圖3)、邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼暫存部P-BF1(圖5)。在此情形下，在塗佈處理室32中，利用塗佈處理單元129(圖2)在基板W上形成抗蝕覆蓋膜。之後，在熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，該基板W被搬入至邊緣曝光部EEW。繼而，在邊緣曝光部EEW中對基板W進行邊緣曝光處理。邊緣曝光處理後之基板W載置於載置兼暫存部P-BF1。 又，搬送裝置137(圖5)自與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之熱處理裝置PHP(圖3)取出曝光裝置15之曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送裝置137將該基板W依次搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室31(圖2)、熱處理裝置PHP(圖3)及基板載置部PASS6(圖5)。 在此情形下，於在冷卻單元CP中基板W被冷卻至適合顯影處理之溫度後，在顯影處理室31中利用顯影處理單元139去除抗蝕覆蓋膜且進行基板W之顯影處理。之後，在熱處理裝置PHP中進行基板W之熱處理，該基板W載置於基板載置部PASS6。 搬送裝置138(圖5)將載置於基板載置部PASS7之抗蝕膜形成後之基板W依次搬送至塗佈處理室34(圖2)、熱處理裝置PHP(圖3)、邊緣曝光部EEW(圖3)及載置兼暫存部P-BF2(圖5)。 又，搬送裝置138(圖5)自與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之熱處理裝置PHP(圖3)取出曝光裝置15之曝光處理後且熱處理後之基板W。搬送裝置138將該基板W依次搬送至冷卻單元CP(圖3)、顯影處理室33(圖2)、熱處理裝置PHP(圖3)及基板載置部PASS8(圖5)。顯影處理室33、塗佈處理室34及下段熱處理部304之基板W之處理內容係與上述之顯影處理室31、塗佈處理室32(圖2)及上段熱處理部303(圖3)之基板W之處理內容相同。 在洗淨乾燥處理區塊14A中，搬送裝置141(圖1)將載置於載置兼暫存部P-BF1、P-BF2(圖5)之基板W搬送至洗淨乾燥處理部161之洗淨乾燥處理單元SD1(圖2)。繼而，搬送裝置141將基板W自洗淨乾燥處理單元SD1搬送至載置兼冷卻部P-CP(圖5)。在此情形下，於在洗淨乾燥處理單元SD1中進行完基板W之洗淨及乾燥處理後，在載置兼冷卻部P-CP中，基板W被冷卻至適合曝光裝置15(圖1)之曝光處理之溫度。 搬送裝置142(圖1)將載置於基板載置部PASS9(圖5)之曝光處理後之基板W搬送至洗淨乾燥處理部162之洗淨乾燥處理單元SD2(圖3)。又，搬送裝置142將洗淨及乾燥處理後之基板W自洗淨乾燥處理單元SD2搬送至上段熱處理部303之熱處理裝置PHP(圖3)或下段熱處理部304之熱處理裝置PHP(圖3)。在熱處理裝置PHP中進行曝光後烘烤(PEB)處理。 在搬入搬出區塊14B中，搬送裝置146(圖1)將載置於載置兼冷卻部P-CP(圖5)之曝光處理前之基板W搬送至曝光裝置15之基板搬入部15a(圖1)。又，搬送裝置146(圖1)自曝光裝置15之基板搬出部15b(圖1)取出曝光處理後之基板W，並將該基板W搬送至基板載置部PASS9(圖5)。 此外，在曝光裝置15無法接收基板W之情形下，曝光處理前之基板W被暫時收容於載置兼暫存部P-BF1、P-BF2。又，在第2處理區塊13之顯影處理單元139(圖2)無法接收曝光處理後之基板W之情形下，曝光處理後之基板W被暫時收容於載置兼暫存部P-BF1、P-BF2。 在本實施形態中，能夠並行地進行設置於上段之塗佈處理室21、22、32、顯影處理室31及上段熱處理部301、303之基板W的處理、以及設置於下段之塗佈處理室23、24、34、顯影處理室33及下段熱處理部302、304之基板W的處理。藉此，能夠在不增加佔用面積下提高輸送量。 (6)熱處理裝置之構成
圖6係圖3之熱處理裝置PHP之立體圖，圖7係圖3之熱處理裝置PHP之平面圖，圖8係圖3之熱處理裝置PHP之側視圖。
如圖6至圖8所示，熱處理裝置PHP包含：待機部510、加熱部520、殼體530、局部搬送機構(以下簡略地記述為搬送機構)540及閘門裝置560。待機部510、加熱部520、搬送機構540及閘門裝置560被收容於殼體530內。在圖6中省略閘門裝置560之圖示。且，在圖7及圖8中省略殼體530之圖示。
如圖6所示，殼體530具有長方體形狀。在殼體530之一個側面530a形成有將殼體530之內部空間與搬送室(例如圖5之上段搬送室125或下段搬送室126等)之內部空間連通的開口部531。通過開口部531進行相對於熱處理裝置PHP之基板W之搬入及基板W之搬出。此外，在圖3之複數個熱處理裝置PHP中之與洗淨乾燥處理區塊14A相鄰之熱處理裝置PHP中，在殼體530之洗淨乾燥處理區塊14A側之側面亦形成有開口部(未圖示)。該開口部係用於在殼體530之內部空間與洗淨乾燥處理區塊14A之間進行基板W之搬入及搬出。
在殼體530之內部，以沿自一個側面530a朝向與該一個側面530a對向之另一側面530b之一方向並排之方式，待機部510及加熱部520按照該順序配置。
如圖8所示，待機部510包含：升降裝置511、連結構件512及複數個(在本例中為3個)支持銷513。連結構件512以在上下方向上可移動之方式安裝於升降裝置511。
複數個(在本例中為3個)支持銷513以分別在上下方向上延伸之方式安裝於連結構件512。各支持銷513係具有圓形狀之剖面之棒狀構件。藉由升降裝置511動作，而連結構件512在上下方向上移動。 加熱部520包含：加熱板(hotplate，熱板)524、升降裝置521、連結構件522及複數個(在本例中為3個)支持銷523。在加熱板524內設置有雲母加熱器等之發熱體。 連結構件522以在上下方向上可移動之方式安裝於升降裝置521。安裝於升降裝置521之連結構件522配置於加熱板524之下方。複數個支持銷523以分別在上下方向上延伸之方式安裝於連結構件522。各支持銷523係具有圓形狀之剖面之棒狀構件。藉由升降裝置521動作，而連結構件522在上下方向上移動。 在加熱板524形成有複數個支持銷523可通過之複數個(在本例中為3個)支持銷插入孔525。複數個支持銷523以可分別插入複數個支持銷插入孔525之方式配置。藉由升降裝置521動作，連結構件522於上下方向移動。藉此，複數個支持銷523之上端部分別通過複數個支持銷插入孔525而在加熱板524之上方之位置與較加熱板524之上表面(加熱面)更靠下方之位置之間移動。如圖7所示，複數個(在本例中為8個)突起部526以沿基板W之外周部之方式形成於加熱板524之上表面。利用複數個突起部526將基板W保持於加熱板524之上表面上。在此情形下，基板W之下表面與加熱板524之上表面對向。 如圖6所示，搬送機構540具備以在上下方向延伸之方式設置之一對長條狀之上下移動裝置541。在殼體530內，一上下移動裝置541固定於殼體530之一個側面530a側，另一上下移動裝置541固定於殼體530之另一側面530b側。在一對上下移動裝置541之間設置有長條狀之導軌542。導軌542可上下移動地安裝於一對上下移動裝置541。水平移動裝置543係以可在長度方向上移動之方式安裝於導軌542。於水平移動裝置543安裝局部搬送臂(以下簡略地記述為搬送臂)550。上下移動裝置541使導軌542朝上下移動，水平移動裝置543沿導軌542移動。藉此，搬送臂550可在上下方向及導軌542之長度方向(在本例中為水平方向)上移動。 如圖7所示，搬送臂550係具有較基板W之外徑更大之外徑的平板狀構件。搬送臂550之外周部除了與水平移動裝置543之安裝部分外，具有與基板W之外周部對應之圓弧狀。搬送臂550由例如鋁等之金屬材料形成。在搬送臂550內形成有複數條冷卻水通路。在本實施形態中形成有2條冷卻水通路553a、553b。冷卻水通路553a在圖7中以粗的虛線表示，通過配管571、572連接於冷卻水供給源570a。冷卻水通路553b在圖7中以粗的一點鏈線表示，通過配管573、574連接於冷卻水供給源570b。冷卻水供給源570a、570b包含：熱交換器、及調整冷卻水之溫度之溫度調整裝置。冷卻水供給源570a、570b即可設置於基板處理裝置100之內部亦可設置於基板處理裝置100之外部。 複數個(在本例中為8個)突起部552以沿基板W之外周部之方式形成於搬送臂550之上表面(保持面)。利用複數個突起部552將基板W保持於搬送臂550之上表面上。此時，基板W之下表面與搬送臂550之上表面對向。又，在搬送臂550，以不會與待機部510之升降裝置511之複數個支持銷513干涉之方式設置有直線狀之複數個切口(槽隙)來作為開口部。在本實施形態中，搬送臂550具有直線狀之2個切口551a、551b。切口551a、551b與導軌542平行地形成。切口551b較切口551a為長。在本實施形態中，在切口551a可插通於1個支持銷513，在切口551b可插通於2個支持銷513。
如圖8所示，閘門裝置560設置於待機部510與加熱部520之間。閘門裝置560包含閘門561及閘門驅動部562。在本例中，閘門驅動部562使閘門561在較搬送臂550之上表面及加熱板524之上表面更靠上方之位置(以下稱為關閉位置)與較搬送臂550之上表面及加熱板524之上表面更靠下方之位置(以下稱為打開位置)之間移動。在閘門561位於關閉位置之情形下，殼體530內之包圍待機部510之空間與包圍加熱部520之空間被閘門561遮斷。另一方面，在閘門561位於打開位置之情形下，殼體530內之包圍待機部510之空間與包圍加熱部520之空間連通。
升降裝置511、521、搬送機構540、加熱板524、閘門裝置560及冷卻水供給源570a、570b被圖7之局部控制器580控制。局部控制器580可設置於例如圖3之上段熱處理部301、303及下段熱處理部302、304之各者。在此情形下，複數個局部控制器580被圖1之控制部114總體地控制。
(7)搬送臂550之構成
圖9係顯示搬送臂550之內部之詳細之構成之水平剖視圖。在搬送臂550移動至加熱板524之上方之位置時，來自加熱板524之熱被傳遞至搬送臂550之下表面且通過切口551a、551b被傳遞至搬送臂550之上表面且靠近切口551a、551b之部分。因而，搬送臂550之靠近切口551a、551b之部分之溫度上升較其他部分之溫度上升變大。在該狀態下，若基板W被保持於搬送臂550上，則基板W之面內溫度之偏差變大。
因而，搬送臂550基於移動至加熱板524之上方之位置時之溫度分佈被區分為複數個區域。在圖9中，以陰影表示區域A之搬送臂550之剖面，以點圖案表示區域B之搬送臂550之剖面。在本實施形態中，搬送臂550被區分為2個區域A、B。區域A被設定為搬送臂550移動至加熱板524之上方時之溫度為特定之臨限值以下的區域。區域B被設定為搬送臂550移動至加熱板524之上方時之溫度高於特定之臨限值的區域。區域B係包圍切口551a、551b之周圍之區域。區域A係除區域B外之其餘之區域。2個區域A、B之邊界554係如以一點鏈線所示般，以包圍切口551a、551b之周圍之區域之方式彎曲。 冷卻水通路553a設置於區域A，冷卻水通路553b設置於區域B。在此情形下，冷卻水通路553a係以與搬送臂550之上表面之區域A重合之方式設置，冷卻水通路553b係以與搬送臂550之上表面之區域B重合之方式設置。第1冷卻水自圖7之冷卻水供給源570a被供給至冷卻水通路553a。第1冷卻水在冷卻水通路553a及冷卻水供給源570a循環。第2冷卻水自圖7之冷卻水供給源570b被供給至冷卻水通路553b。第2冷卻水在冷卻水通路553b及冷卻水供給源570b循環。第2冷卻水之溫度低於第1冷卻水之溫度。在本實施形態中，第1冷卻水之溫度為例如約23℃，第2冷卻水之溫度為例如約21℃。因而，冷卻水通路553b之冷卻能力高於冷卻水通路553a之冷卻能力。第1冷卻水之溫度及第2冷卻水之溫度並不限定於本例，可基於加熱板524之加熱溫度、自加熱板524至搬送臂550之距離及搬送臂550存在於加熱板524之上方之時間等的條件預先設定。 (8)熱處理裝置之動作 針對圖6至圖9之熱處理裝置PHP之動作進行說明。圖10至圖19係顯示熱處理裝置PHP之動作之示意性側視圖。在圖10至圖19中顯示有圖8所示之複數個構成要件中之一部分之構成要件。 如圖10所示，首先，待機部510之複數個支持銷513之上端部通過切口551a、551b(參照圖9)分別上升至搬送臂550之上方之位置。又，加熱部520之複數個支持銷523之上端部分別位於較加熱板524之上表面更靠下方之位置。再者，閘門561位於關閉位置。在該狀態下，通過殼體530之開口部531(圖6)被搬入至熱處理裝置PHP之基板W被載置於待機部510之複數個支持銷513上。
其次，如圖11所示，搬送臂550上升，且待機部510之複數個支持銷513下降。藉此，基板W自複數個支持銷513被交遞至搬送臂550。又，加熱部520之複數個支持銷523之上端部分別上升至較加熱板524之上表面更靠上方之位置。再者，閘門561自關閉位置移動至打開位置。
其次，如圖12所示，搬送臂550自待機部510移動至加熱部520之加熱板524之上方之位置。繼而，搬送臂550下降至較複數個支持銷523之上端部更靠下方之位置。藉此，如圖13所示，基板W被載置於加熱部520之複數個支持銷523上。之後，搬送臂550移動至待機部510之複數個支持銷513之上方之位置。
其次，如圖14所示，加熱部520之複數個支持銷523下降至較加熱板524之上表面更靠下方之位置。藉此，基板W被載置於加熱板524之上表面上。又，閘門561自打開位置移動至關閉位置。在該狀態下，利用加熱板524對基板W進行加熱處理。此時，搬送臂550一面由第1及第2冷卻水冷卻一面在待機部510待機。
其次，如圖15所示，加熱部520之複數個支持銷523之上端部上升至較加熱板524之上表面更靠上方之位置。藉此，基板W由加熱部520之複數個支持銷523支持。又，閘門561自關閉位置移動至打開位置。
其次，如圖16所示，搬送臂550自待機部510移動至加熱部520之加熱板524之上方之位置。此時，通過切口551a、551b對搬送臂550之區域B 賦予多於區域A之熱量。然而，由於在區域B之冷卻水通路553b循環之第2冷卻水之溫度低於在區域A之冷卻水通路553a循環之第1冷卻水之溫度，故搬送臂550之整體之溫度被保持為大致一定。繼而，搬送臂550上升至較加熱部520之複數個支持銷523之上端部更靠上方之位置。藉此，基板W由搬送臂550接收，基板W被保持於搬送臂550之上表面上。在此情形下，由於搬送臂550之整體之溫度被保持為大致一定，故將基板W之面內溫度之偏差抑制為較小。之後，如圖17所示，搬送臂550移動至待機部510之複數個支持銷513之上方之位置。
其次，如圖18所示，搬送臂550下降，閘門561自打開位置移動至關閉位置，加熱部520之複數個支持銷523下降至較加熱板524之上表面更靠下方之位置。最後，如圖19所示，待機部510之複數個支持銷513之上端部上升至較搬送臂550之上表面更靠上方之位置。藉此，基板W由複數個支持銷513支持。在該狀態下，複數個支持銷513上之基板W由例如圖5之搬送裝置127、128、137、138中任一者接收。
(9)熱處理裝置PHP內之基板W之溫度變化
圖20係用於說明熱處理裝置PHP內之基板W之面內平均溫度及基板W之面內溫度偏差的圖。在圖20中，第1及第2冷卻水未被供給至搬送臂550之情形下之基板W之面內平均溫度的變化係以粗的實線L1表示。且，第1及第2冷卻水未被供給至搬送臂550之情形下之基板W之面內溫度偏差係以粗的虛線L2表示。基板W之面內平均溫度係基板W之複數個部分之溫度之平均值。基板W之面內溫度偏差係基板W之複數個部分之溫度中之最高溫度與最低溫度之差。基板W之面內溫度偏差越小，則基板W之面內溫度之均一性越高。
在自時點t0至時點t1之期間內，基板W由搬送臂550保持。此時，基板W之面內平均溫度一定，基板W之面內溫度偏差為小。在時點t1時，基板W在自搬送臂550被交遞至加熱部520之複數個支持銷523後，被支持於加熱板524之上表面上。藉此，基板W之面內平均溫度上升。在自時點t1至時點t2之期間內，在藉由基板W與複數個支持銷523接觸而基板W之面內溫度偏差暫時增加後，藉由由加熱板524加熱基板W而基板W之面內溫度偏差減少。在自時點t2至時點t3之期間內，基板W之面內平均溫度穩定為大致一定，且基板W之面內溫度偏差保持為較小。 在時點t3時，由搬送臂550接收基板W。之後，基板W之面內平均溫度降低。於在搬送臂550之複數個區域存在溫度之偏差之情形下，基板W之面內溫度偏差增加。相對於此，在本實施形態之熱處理裝置PHP中，由於在搬送臂550自加熱部520接收基板W時，搬送臂550之溫度保持為均一，故在時點t3以後之期間內，熱處理後之基板W之面內溫度偏差係如箭頭Z所示般減少。在此情形下，以基板W之面內溫度偏差成為預設之容許值Re以下之方式設定第1及第2冷卻水之溫度。 尤其是，基板W上之曝光後熱處理(PEB)係以基板W之溫度為下限處理溫度值TR以上而進行。在圖20之例中，在基板W之面內平均溫度成為下限處理溫度值TR以上之期間ΔT內進行曝光後熱處理。根據本實施形態之熱處理裝置PHP，由於熱處理後之基板W之面內溫度偏差減少至容許值Re以下，故防止在熱處理後，基板W之一部分之溫度成為下限處理溫度值TR以上。因而，能夠對基板W上之曝光後之抗蝕膜之整體進行均一且一定時間之曝光後熱處理。其結果為，曝光後之抗蝕膜之線寬均一性提高。 (10)其他實施形態 (a)在上述實施形態中，以與搬送臂550之2個區域A、B對應之方式設置2條冷卻水通路553a、553b來作為複數個冷卻部，但可行的是，搬送臂550被區分為3個以上之區域，3個以上之冷卻部與各個區域對應地設置。 (b)在上述實施形態中，在搬送臂550內設置複數條冷卻水通路來作為複數個冷卻部，但可在搬送臂550內替代複數條冷卻水通路而設置複數個熱管。又，可在搬送臂550內設置供冷卻水以外之冷卻液循環之複數條冷卻液通路來作為複數個冷卻部。再者，可在搬送臂550內設置供冷卻氣體循環之複數條冷卻氣體通路來作為複數個冷卻部。或，可在搬送臂550內設置帕爾帖元件來作為複數個冷卻部。 (c)在上述實施形態中，搬送臂550具有直線狀之2個切口551a、551b來作為開口部，但可在搬送臂550設置其他形狀之開口部。例如，可在搬送臂550設置3個支持銷513、523可一體地通過之單一之切口來作為開口部。又，可在搬送臂550設置彎曲之一個或複數個切口來作為開口部。 (11)申請專利範圍之各構成要件與實施形態之各部之對應關係 以下，針對申請專利範圍之各構成要件與實施形態之各構成要件之對應之例進行說明，但本發明並不限定於下述之例。 在上述實施形態中，搬送機構540係搬送部之例，搬送臂550係保持部之例，冷卻水通路553a、553b係複數個冷卻部或通路之例，冷卻水通路553a係第1冷卻部之例，冷卻水通路553b係第2冷卻部之例。區域A、B係複數個區域之例，區域A係第1區域之例，區域B係第2區域之例。複數個支持銷513係支持部或複數個第1支持構件之例，複數個支持銷523係複數個第2支持構件之例，切口551a、551b係開口部或切口之例。塗佈處理單元129係塗佈裝置之例，搬送裝置127、128、137、138係搬送裝置之例。 作為申請專利範圍之各構成要件亦能夠使用具有如申請專利範圍所記載之構成或功能的其他各種構成要件。 [產業上之可利用性] 本發明可利用於對基板進行熱處理之熱處理裝置等。
11‧‧‧索引器區塊
12‧‧‧第1處理區塊
13‧‧‧第2處理區塊
14‧‧‧介面區塊
14A‧‧‧洗淨乾燥處理區塊
14B‧‧‧搬入搬出區塊
15‧‧‧曝光裝置
15a‧‧‧基板搬入部
15b‧‧‧基板搬出部
21‧‧‧塗佈處理室
22‧‧‧塗佈處理室
23‧‧‧塗佈處理室
24‧‧‧塗佈處理室
25‧‧‧旋轉卡盤
27‧‧‧杯
28‧‧‧處理液噴嘴
29‧‧‧噴嘴搬送機構
31‧‧‧顯影處理室
32‧‧‧塗佈處理室
33‧‧‧顯影處理室
34‧‧‧塗佈處理室
35‧‧‧旋轉卡盤
37‧‧‧杯
38‧‧‧顯影噴嘴
39‧‧‧移動機構
50‧‧‧流體箱部
60‧‧‧流體箱部
81‧‧‧洗淨乾燥處理室
82‧‧‧洗淨乾燥處理室
83‧‧‧洗淨乾燥處理室
84‧‧‧洗淨乾燥處理室
91‧‧‧洗淨乾燥處理室
92‧‧‧洗淨乾燥處理室
93‧‧‧洗淨乾燥處理室
94‧‧‧洗淨乾燥處理室
95‧‧‧洗淨乾燥處理室
100‧‧‧基板處理裝置
111‧‧‧載架載置部
112‧‧‧搬送部
113‧‧‧載架
114‧‧‧控制部
115‧‧‧搬送裝置
116‧‧‧臂
121‧‧‧塗佈處理部
122‧‧‧搬送部
123‧‧‧熱處理部
125‧‧‧上段搬送室
126‧‧‧下段搬送室
127‧‧‧搬送裝置/搬送機器人
128‧‧‧搬送裝置
129‧‧‧塗佈處理單元/旋塗機
131‧‧‧塗佈顯影處理部
132‧‧‧搬送部
133‧‧‧熱處理部
135‧‧‧上段搬送室
136‧‧‧下段搬送室
137‧‧‧搬送裝置
138‧‧‧搬送裝置
139‧‧‧顯影處理單元/旋轉顯影器
141‧‧‧搬送裝置
142‧‧‧搬送裝置
146‧‧‧搬送裝置
161‧‧‧洗淨乾燥處理部
162‧‧‧洗淨乾燥處理部
163‧‧‧搬送部
301‧‧‧上段熱處理部
302‧‧‧下段熱處理部
303‧‧‧上段熱處理部
304‧‧‧下段熱處理部
510‧‧‧待機部
511‧‧‧升降裝置
512‧‧‧連結構件
513‧‧‧支持銷
520‧‧‧加熱部
521‧‧‧升降裝置
522‧‧‧連結構件
523‧‧‧支持銷
524‧‧‧加熱板
525‧‧‧支持銷插入孔
526‧‧‧突起部
530‧‧‧殼體
530a‧‧‧側面
530b‧‧‧側面
531‧‧‧開口部
540‧‧‧局部搬送機構/搬送機構
541‧‧‧上下移動裝置
542‧‧‧導軌
543‧‧‧水平移動裝置
550‧‧‧局部搬送臂/搬送臂
551a‧‧‧切口
551b‧‧‧切口
552‧‧‧突起部
553a‧‧‧冷卻水通路
553b‧‧‧冷卻水通路
554‧‧‧邊界
560‧‧‧閘門裝置
561‧‧‧閘門
562‧‧‧閘門驅動部
570a‧‧‧冷卻水供給源
570b‧‧‧冷卻水供給源
571‧‧‧配管
572‧‧‧配管
573‧‧‧配管
574‧‧‧配管
580‧‧‧局部控制器
A‧‧‧區域
B‧‧‧區域
CP‧‧‧冷卻單元
EEW‧‧‧邊緣曝光部
L1‧‧‧粗的實線
L2‧‧‧粗的虛線
PAHP‧‧‧密著強化處理單元
PASS1‧‧‧基板載置部
PASS2‧‧‧基板載置部
PASS3‧‧‧基板載置部
PASS4‧‧‧基板載置部
PASS5‧‧‧基板載置部
PASS6‧‧‧基板載置部
PASS7‧‧‧基板載置部
PASS8‧‧‧基板載置部
PASS9‧‧‧基板載置部
PHP‧‧‧熱處理裝置
P-BF1‧‧‧載置兼暫存部
P-BF2‧‧‧載置兼暫存部
P-CP‧‧‧載置兼冷卻部
Re‧‧‧容許值
SD1‧‧‧洗淨乾燥處理單元
SD2‧‧‧洗淨乾燥處理單元
TR‧‧‧下限處理溫度值
t0‧‧‧時點
t1‧‧‧時點
t2‧‧‧時點
t3‧‧‧時點
W‧‧‧基板
ΔT‧‧‧期間
圖1係本發明之一實施形態之基板處理裝置之示意性平面圖。 圖2係主要顯示圖1之塗佈處理部、塗佈顯影處理部及洗淨乾燥處理部的基板處理裝置之示意性側視圖。 圖3係主要顯示圖1之熱處理部及洗淨乾燥處理部的基板處理裝置之示意性側視圖。 圖4係主要顯示圖1之塗佈處理部、搬送部及熱處理部之剖視圖。 圖5係主要顯示圖1之搬送部之側視圖。 圖6係圖3之熱處理裝置之立體圖。 圖7係圖3之熱處理裝置之平面圖。 圖8係圖3之熱處理裝置之側視圖。 圖9係顯示搬送臂之內部之詳細之構成之水平剖視圖。 圖10係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖11係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖12係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖13係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖14係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖15係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖16係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖17係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖18係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖19係顯示熱處理裝置之動作之示意性側視圖。 圖20係用於說明熱處理裝置內之基板之面內平均溫度及基板之面內溫度之偏差的圖。

Claims (13)

  1. 一種熱處理裝置，其具備： 加熱部，其對基板進行加熱處理； 待機部，其包含支持基板之支持部；及 搬送部，其包含保持基板之保持部，且藉由使前述保持部移動而在前述待機部與前述加熱部之間搬送基板；且 前述保持部具有複數個區域，在前述保持部內設置有分別冷卻前述複數個區域之複數個冷卻部。
  2. 如請求項1之熱處理裝置，其中前述複數個冷卻部係以由前述保持部保持之基板之面內溫度之偏差在由前述加熱部對基板進行加熱處理後成為預設之容許值以下之方式具有各不相同之冷卻能力。
  3. 如請求項1或2之熱處理裝置，其中前述保持部具有與基板之一面對向且具有前述複數個區域之保持面，前述複數個冷卻部以在前述保持部內分別與前述複數個區域重合之方式設置。
  4. 如請求項1或2之熱處理裝置，其中前述複數個區域包含第1及第2區域；且 前述第1區域在前述加熱部接收之熱量小於前述第2區域在前述加熱部接收之熱量； 前述複數個冷卻部包含以分別與前述第1及第2區域重合之方式設置之第1及第2冷卻部，前述第2冷卻部具有高於前述第1冷卻部之冷卻能力。
  5. 如請求項4之熱處理裝置，其中前述保持部具有前述加熱部之熱可通過之開口部；且 前述第2區域至少部分地包圍前述開口部。
  6. 如請求項5之熱處理裝置，其中前述待機部之前述支持部包含支持基板之下表面且可上下移動之複數個第1支持構件； 前述加熱部包含： 加熱板，其具有加熱面；及 複數個第2支持構件，其等支持基板之下表面，且以使基板在前述加熱板之上方之位置與前述加熱板之前述加熱面之間移動之方式可上下移動；且 前述複數個第1支持構件係以在前述保持部位於前述待機部時可插通於前述開口部之方式設置； 前述複數個第2支持構件係以在前述保持部位於前述加熱板之前述加熱面之上方時可插通於前述開口部之方式設置。
  7. 如請求項6之熱處理裝置，其中前述保持部具有與基板之外周部之一部分對應之外周部；且 前述開口部具有自前述保持部之前述外周部朝前述保持部之內側延伸之一或複數個切口； 前述第2區域沿前述一或複數個切口延伸。
  8. 如請求項7之熱處理裝置，其中前述待機部與前述加熱部在一方向上並排； 前述保持部在前述待機部之前述複數個第1支持構件之上方之位置與前述加熱板之上方之位置之間在前述一方向上移動； 前述一或複數個切口在前述一方向上平行地延伸，在前述複數個第1支持構件插通於前述一或複數個切口之狀態下前述保持部可在前述一方向上移動，且在前述複數個第2支持構件插通於前述一或複數個切口之狀態下前述保持部可在前述一方向上移動。
  9. 如請求項1或2之熱處理裝置，其中前述複數個冷卻部係在前述保持部內相互獨立地設置之複數條通路，在前述複數條通路內供給具有不同之溫度之冷卻液。
  10. 如請求項1或2之熱處理裝置，其中前述複數個冷卻部係在前述保持部內相互獨立地設置之複數個熱管，前述保持部內之前述複數個熱管之溫度互不相同。
  11. 一種基板處理裝置，其係以與曝光裝置相鄰之方式配置者，該基板處理裝置具備： 塗佈裝置，其對基板塗佈感光性膜； 請求項1或2之熱處理裝置，其對基板進行熱處理；及 搬送裝置，其在前述塗佈裝置、前述曝光裝置及前述熱處理裝置之間搬送基板。
  12. 如請求項11之基板處理裝置，其中前述熱處理裝置對由前述曝光裝置曝光後之基板進行曝光後熱處理。
  13. 一種熱處理方法，其係對基板進行熱處理者，該熱處理方法包含以下步驟： 以待機部支持基板； 以加熱部加熱基板；及 藉由使保持基板之保持部移動，而在前述待機部與前述加熱部之間搬送基板；且 前述搬送之步驟包含利用設置於前述保持部內之複數個冷卻部對前述保持部之複數個區域分別進行冷卻。
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