TWI470724B - 基板處理裝置 - Google Patents

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Mitsuhashi Tsuyoshi
Fukutomi Yoshiteru
Morinishi Kenya
Kawamatsu Yasuo
Nagashima Hiromichi
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Screen Semiconductor Solutions Co Ltd
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Description

基板處理裝置
本發明有關於一種對半導體基板、液晶顯示裝置用玻璃基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板等(以下，簡稱「基板」)進行一連串處理之基板處理裝置。
習知作為此種裝置，有一種在基板形成阻劑膜並對由分別之曝光機曝光的基板實施顯像的基板處理裝置。該裝置具備有將進行阻劑膜形成處理之塗佈處理區和實施顯像處理之顯像處理區等相並排而構成的處理部。各處理區具備有單一主搬送機構與各種處理單元。各處理區之主搬送機構將基板搬送至設在該處理區之處理單元，並同時在與鄰接之其他處理區之主搬送機構間交接基板。於配置在一側端之處理區設置有介面部，於該介面部鄰接有有別於本裝置之曝光機，介面部在處理部與曝光機之間搬送基板。
在如此構成之習知裝置中，以處理部對基板進行形成阻劑膜等一連串處理，之後將其從處理部送出至介面部。介面部將送出的基板搬送至曝光機。此處，在處理部中由搬入處理部之基板起依序進行處理，因此從處理部送出至介面部的基板之順序，與搬入處理部的基板之順序相同。又，介面部在基板從處理部送出後直接將其交接至曝光機。因此，各基板搬送至曝光機的順序即為搬入處理部之順序。曝光機對所搬送的基板實施曝光，而將其送出至介面部。介面部將從曝光機送出的基板搬送至處理部，處理部對該基板實施顯像。
如此，一連串處理中包含有別於本裝置曝光機中的處理，分別搬送各基板至各處理區及曝光機的順序相同。因此，容易管理每片基板，也容易追蹤調查各基板之處理歷程等(例如，日本專利特開2003-324139號公報所揭示)。
然而，在具有此種構成之習知例的情況下，存在如下問題。
亦即，在習知裝置中，由於各處理區所具有的主搬送機構為單一，因此具有難以大幅提高本裝置整體之處理量的缺點。對此，可考慮增加各處理區之主搬送機構等，使處理部之基板搬送路徑成為複數，可同時對基板進行處理之構成。然而，在如此的處理部中，會產生從搬入處理部至送出於介面部為止的時間，在經由各搬送路徑之間不相等的情況。而且，會產生基板從介面部搬送至曝光機的順序，與基板搬入處理部之順序不同的情況。因此，有無法確實管理各基板或追蹤調查各基板之處理歷程等的缺點。
本發明有鑑於此而完成，其目的在於提供一種基板處理裝置，即使在具有複數基板搬送路徑的處理部，亦可較佳地管理將基板從該處理部搬送至有別於本裝置之曝光機的順序。
本發明為達成此種目的而採用如下構成。
亦即，本發明為處理基板的基板處理裝置，該裝置包含以下元件：處理部，具有複數個基板處理列，其於略水平方向搬送基板並同時處理基板；可於各基板處理列中同時處理基板；以及介面部，其鄰接於上述處理部而設置，將從各基板處理列送出的基板搬送至有別於本裝置的曝光機；而基板搬送至上述曝光機的順序，與基板搬入上述處理部的順序相同。
根據本發明，由於處理部具有複數個基板處理列，因此可大幅提高基板處理裝置之處理量。又，可在各基板處理列中同時處理基板，並且以基板搬入處理部的順序將基板搬送至曝光機。如此，由於基板搬送至曝光機的順序與基板搬入處理部的順序相同，因此可易於管理每一片基板。又，亦可易於追蹤調查各基板在處理部或曝光機中之處理歷程。
在上述發明中，上述複數基板處理列最好排列而設置於上下方向。由於複數基板處理列排列於上下方向，所以可防止增大佔地。
又，在上述發明中，上述介面部最好將從上述基板處理列送出的基板，調整為基板搬入上述處理部的順序。由於介面部已調整基板從各基板處理列送出之順序，不需要調整基板在各基板處理列間送出的時間，因此可在各基板處理列間互相獨立地處理基板。
又，在上述發明中，上述介面部最好具備有：介面用搬送機構，其對各基板處理列與上述曝光機搬送基板；和緩衝部，其暫時載置基板；而上述介面用搬送機構在從上述基板處理列送出基板後，收取該基板，同時在收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板搬送至曝光機，在上述收取到的基板非為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部。在基板處理列送出基板後，介面部收取該基板。藉此，基板處理列可送出新的基板。如此，基板處理列可在處理結束之後迅速地送出基板，可防止基板處理裝置之處理量下降。又，介面部具備有緩衝部，在從基板處理列送出的基板非為應搬送至曝光機的順序時，使其暫時在緩衝部待機。藉此，可較佳地在介面部中調整從處理部送出的基板之順序。
此外，「下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板」，指在介面用搬送機構收取到從基板處理列送出的基板時，順序緊接在已搬送至曝光機的基板之後的下一個應搬送至曝光機之基板。
又，在上述發明中，上述介面用搬送機構最好在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至上述曝光機。介面用搬送機構在載置於緩衝部的基板成為應搬送至曝光機的順序後將其搬送至曝光機。因此，即使在基板從處理部送出的順序與基板搬入處理部的順序相異的情況下，亦可使基板搬送至曝光機的順序與基板搬入處理部的順序相一致。
又，在上述發明中，即使在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，最好上述介面用搬送機構仍在從上述基板處理列送出基板時，優先收取所送出的基板。基板處理列可在處理結束後隨時迅速送出基板。
又，在上述發明中，上述介面用搬送機構最好具備有：第1搬送機構，其對各基板處理列與上述緩衝部搬送基板；以及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構間交接基板，同時對上述曝光機搬送基板；而上述第1搬送機構在從上述基板處理列所收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，則將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，當載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部交接給上述第2搬送機構，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將該基板搬送至上述曝光機。介面用搬送機構各自分別具備有收取從基板處理列送出之基板的第1搬送機構與將其搬送至曝光機的第2搬送機構。因此，介面部可在處理部與曝光機間有效率地搬送基板。
又，在上述發明中，上述介面用搬送機構最好具備有：第1搬送機構，其對各基板處理列與上述緩衝部搬送基板；以及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構間交接基板，同時對上述緩衝部與上述曝光機搬送基板；而上述第1搬送機構在從上述基板處理列收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，當上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將受交接的基板搬送至上述曝光機，當載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至上述曝光機。介面用搬送機構分別具備有收取從基板處理列送出之基板的第1搬送機構與將其搬送至曝光機的第2搬送機構。因此，介面部可在處理部與曝光機間有效率地搬送基板。又，由於第2搬送機構可直接將基板從緩衝部搬送至曝光機，因此可使效率更好。
又，在上述發明中，上述介面用搬送機構最好根據送出該基板的基板處理列而改變將基板載置於上述緩衝部的位置。
就個別基板處理列而言，基板搬入至各基板處理列的順序，與基板從該基板處理列搬出的順序相同。因此，就每個基板處理列改變基板載置於緩衝部的位置，藉此可較佳地在介面部中調整搬送至曝光機的基板之順序。
又，在上述發明中，最好根據基板搬入上述處理部的順序，依其與該基板之識別資訊的對應關係而特定搬入上述處理部之基板的順序。由於可針對從各基板處理列送出的基板而特定將其搬入處理部的順序，因此可易於調整各基板搬送至曝光機的順序。
又，在上述發明中，最好根據基板搬入上述處理部的順序，依其與搬送該基板之基板處理列的對應關係而特定搬入上述處理部之基板的順序。個別基板處理列而言，基板搬入各基板處理列的順序與基板從該基板處理列搬出的順序相同。因此，根據基板搬入處理部的順序，依與表示該基板受分配至的基板處理列之資訊的對應關係，可就針對從各基板處理列送出的基板而推定其搬入處理部的順序。因此可易於調整各基板搬送至曝光機的順序。
又，本發明為一種處理基板的基板處理裝置，，其包含以下元件：處理部，於橫方向並排有複數個處理區，各該處理區具有設置在上下方向各階層中用以處理基板的處理單元、及設於各階層中對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構，構成為可在相鄰接之處理區的相同階層之主搬送機構間交接基板；以配置於兩端的各處理區分別為第1處理區與第2處理區，將搬入上述第1處理區之各階層的基板透過各處理區之相同階層而搬送至上述第2處理區，並同時於各個階層對基板進行一連串之處理；索引器部，與上述第1處理區相鄰接而設置，可對上述第1處理區之各階層搬送基板；介面部，與上述第2處理區相鄰接而設置，具備有對上述第2處理區之各階層及有別於本裝置之曝光機搬送基板的介面用搬送機構；以及控制部，控制上述介面用搬送機構，使從上述第2處理區送出的基板，依基板搬入上述第1處理區之順序的相同順序搬送至上述曝光機。
根據本發明，索引器部將基板搬入處理部。從索引器部搬入的各基板分別搬送至配置於處理部一端側的第1處理區之任一階層。第1處理區之各階層分別將搬送來的基板搬送至相鄰接的處理區之相同階層。如此，將搬入第1處理區之各階層的基板，分別透過各處理區之相同階層而搬送至配置於處理部另一端側的第2處理區。此時，在設於各處理區之各階層的處理單元中處理基板。第2處理區將從第1處理區搬送來的基板送出至介面部。設於介面部的介面用搬送機構收取從第2處理區之各階層送出的基板，而將其搬送至曝光機。控制部控制該介面用搬送機構，使從第2處理區送出的基板依基板搬入第1處理區的之順序的相同順序搬送至上述曝光機。如此在本裝置中，由於各處理區所具有的複數階層相互在上下方向並排，因此不會增大佔地，可大幅提高基板處理裝置之處理量。又，跨第1處理區至第2處理區，於不同階層中同時處理基板，並同時使基板搬送至曝光機的順序相同於基板搬入處理部的順序。因此，可易於管理每一片基板。又，亦可易於追蹤調查各基板在處理部或曝光機中之處理歷程。
又，在上述發明中，最好根據上述控制部之控制，由上述介面用搬送機構將從上述第2處理區送出的基板調整為基板搬入上述第1處理區的順序。由於介面用搬送機構調整基板從第2處理區送出的順序，因此不需要調整在第1處理區至第2處理區之不同階層間送出基板的時間。因此，可在跨第1處理區與第2處理區之不同階層間，互相獨立地處理基板。
在上述發明中，上述介面部最好具備有暫時載置基板的緩衝部，根據上述控制部之控制，上述介面用搬送機構在從上述第2處理區收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板搬送至上述曝光機，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部。第2處理區之各階層送出基板後，由介面用搬送機構收取該基板。藉此，第2處理區之各階層可送出新的基板。如此，第2處理區可將基板平順地送出至介面部，可防止基板處理裝置之處理量降低。又，介面部具備有緩衝部，使非為應搬送至曝光機之基板的基板，暫時待機於緩衝部。藉此，介面部可較佳地調整從第2處理區送出的基板之順序。
在上述發明中，根據上述控制部之控制，上述介面用搬送機構最好在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至曝光機。介面用搬送機構在載置於緩衝部的基板成為應搬送至曝光機的順序後，將其搬送至曝光機。因此，即使在基板從第2處理區送出的順序與基板搬入第1處理區之順序不同的情況下，亦可使基板搬送至曝光機的順序與搬入第1處理區的順序相一致。
在上述發明中，根據上述控制部之控制，即使在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板的情況下，上述介面用搬送機構最好在從上述第2處理區送出基板時，優先收取送出的基板。第2處理區之各階層可隨時平順地送出基板。
在上述發明中，上述介面用搬送機構最好具備有：第1搬送機構，其對上述第2處理區之各階層與上述緩衝部搬送基板；及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構間交接基板，同時對上述曝光機搬送基板；而根據上述控制部之控制，上述第1搬送機構在從上述第2處理區之各階層收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，當載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部交接給上述第2搬送機構，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將該基板搬送至上述曝光機。介面用搬送機構各自分別具備有從第2處理區之各階層收取送出之基板的第1搬送機構與將其搬送至曝光機的第2搬送機構。因此，介面部可在處理部與曝光機間有效率地搬送基板。
在上述發明中，上述介面用搬送機構最好具備有：第1搬送機構，其對上述第2處理區之各階層與上述緩衝部搬送基板；及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構間交接基板，同時對上述緩衝部與上述曝光機搬送基板；而根據上述控制部之控制，上述第1搬送機構在從上述第2處理區之各階層收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將交接來的基板搬送至上述曝光機，在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至上述曝光機。介面用搬送機構各自分別具備有收取從第2處理區之各階層送出之基板的第1搬送機構與將其搬送至曝光機的第2搬送機構。因此，介面部可在處理部與曝光機間有效率地搬送基板。又，由於第2搬送機構可直接將基板從緩衝部搬送至曝光機，因此可使效率更好。
在上述發明中，上述控制部在載置於上述緩衝部的基板超過既定片數時，最好停止從上述索引器部將基板搬入上述處理部。在緩衝部達到無法載置更多基板之狀態時，無法將基板從處理部平順地送出至介面部。若於此種狀況下將基板搬入處理部，則在搬入處理部時與從處理部送出時之間，在基板間會產生時間差，導致基板處理品質下降等。然而，根據本發明，當載置於緩衝部的基板超過既定片數時，停止從索引器部將基板搬入處理部。藉此，可將基板處理品質下降等防範於未然。
在上述發明中，上述控制部最好根據從上述索引器部搬入上述處理部的順序，依與該基板之識別資訊的對應關係，而調整各基板搬送至上述曝光機的順序。由於可針對從第2處理區之各階層送出的各基板，特定搬入處理部的順序，因此可易於調整將各基板搬送至曝光機的順序。
在上述發明中，上述控制部最好根據從上述索引器部將基板搬入上述處理部的順序，依其與搬送該基板的上述第1處理區之階層的對應關係，而調整將各基板搬送至上述曝光機的順序。就跨第1處理區與第2處理區之各相同階層而言，基板搬入各基板處理列的順序，與基板從該基板處理列搬出的順序相同。因此，根據基板搬入處理部的順序，依其與表示該基板是否搬送至第1處理區之階層之資訊的對應關係，而可推定基板搬入處理部的順序。因此，可易於調整基板之順序。因此，可易於調整各基板搬送至曝光機的順序。
又，在上述發明中，上述索引器部最好將搬入上述處理部的基板，規則性地一片一片分配至上述第1處理區之各階層。基板搬入第1處理區的順序明確，而可較佳調整各基板搬送至曝光機的順序。
在上述發明中，上述處理部最好包含有塗佈處理區與顯像處理區作為上述處理區，上述塗佈處理區具備有對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜用塗佈處理單元作為上述處理單元，上述顯像處理區具備有對基板供給顯像液的顯像處理單元作為上述處理單元。可較佳地在基板形成阻劑膜，對基板實施顯像。
此外，本案說明書亦揭示如下之基板處理裝置之發明。
(1)在第1發明之裝置中，上述介面部依從上述基板處理列送出的順序而收取基板。
根據上述(1)之裝置，各基板處理列可迅速送出後續之基板。
(2)在第1發明之裝置中，上述基板處理列分別進行用以在基板形成阻劑膜的處理。
(3)在第1發明之裝置中，上述基板處理列分別進行用以對基板實施顯像的處理。
(4)在第1發明之裝置中，各基板處理列分別具備有並排於上述略水平方向而設置的複數主搬送機構、及分別設在上述主搬送機構而用以處理基板的複數處理單元，各主搬送機構將基板搬送至依該主搬送機構而設置的處理單元，並同時將基板交接給在略水平方向上相鄰接的其他主搬送機構，對基板進行一連串處理。
根據上述(4)之裝置，可較佳地在各基板處理列中處理基板。
(5)在上述(4)之裝置中，設於各基板處理列的上述處理單元，包含有對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜用塗佈處理單元。
(6)在上述(4)之裝置中，設於各基板處理列的上述處理單元，包含有對基板供給顯像液的顯像處理單元。
(7)在第7、8、18及19中任一發明之裝置中，上述第1搬送機構與上述第2搬送機構透過載置部而交接基板。
根據上述(7)之裝置，可在第1搬送機構與第2搬送機構間有效率地交接基板。
(8)在第4或14發明之裝置中，上述緩衝部可載置複數片基板。
根據上述(8)之裝置，可較佳地調整基板之順序。
(9)在第12發明之裝置中，上述介面部依從上述第2處理區之各階層送出的順序而收取基板。
根據上述(9)之裝置，第2處理區之各階層可分別迅速送出後續之基板。
以下，根據圖式詳細說明本發明之較佳實施例。
首先，說明本實施例之概要。圖1為表示實施例基板處理裝置之概略構成的模式圖。
實施例提供一種於基板(例如半導體晶圓)W形成阻劑膜同時對經曝光的基板W實施顯像的基板處理裝置10。以下，將基板處理裝置10適當略記為裝置10。本裝置10具備有索引器部(以下，記載為「ID部」)1、處理部3與介面部(以下，記載為「IF部」)5。ID部1、處理部3及IF部5依此順序相鄰接而設置。於IF部5更進一步相鄰接而設置有與本裝置10有別而作為外部裝置的曝光機EXP。
ID部1將基板W交接給處理部3。處理部3具備有複數(例如2條)基板處理列Lu、Ld。各基板處理列Lu、Ld於略水平方向搬送基板W，並同時處理基板W。各基板處理列Lu、Ld相互配置在上下方向。又，各基板處理列Lu、Ld以其一端面向ID部1，並以另一端面向IF部5而設置。於各基板處理列Lu、Ld分別設置有如後述之主搬送機構與處理單元。以下，在未特別區分各基板處理列Lu、Ld時，僅記載為「基板處理列L」。IF部5在處理部3與曝光機EXP間交接基板W。曝光機EXP對基板W實施曝光。
如此構成之裝置10，以下述方式動作。ID部1將複數片基板W搬入處理部3。此處，如圖1所示，以將8片基板Wa、Wb、WC、……、Wh從ID部1搬入處理部3之情況為例說明。圖1中賦以符號OA之箭頭為將基板W從ID部1搬入處理部3的順序，其意為，基板Wa為第1個(最初)、基板Wb為第2個、基板WC、Wd、…基板Wh分別為第3、4、…8個。此外，其他箭頭則分別為基板W從基板處理列Lu送出至IF部5的順序OB、基板W從基板處理列Ld送出至IF部5的順序OC、基板W從基板處理列Lu、Ld之整體即處理部3送出至IF部5的順序OD、基板W從IF部5搬送至曝光機EXP的順序OE。以下，適當簡略記載為「順序OA」、「順序OB」等。
將基板W從ID部1搬入處理部3時，將基板W一片一片地交互分配而搬送至基板處理列Lu、Ld。藉此，將順序OA中之第1、3、5、7個基板Wa、WC、We、Wg搬送至基板處理列Lu。將順序OA中之第2、4、6、8個基板Wb、Wd、Wf、Wh搬送至基板處理列Ld。
基板處理列Lu、Ld分別對搬送來的基板W進行一連串之處理，而將其送出至IF部5。就基板處理列Lu而言，順序OB與基板W從ID部1搬送至基板處理列Lu的順序相同。又，就基板處理列Ld而言，順序0C與基板W從ID部1搬送至基板處理列Ld的順序相同。然而，在基板處理列Lu、Ld間，即使在進行相同處理之情況下，從搬入至送出的時間未必相同。因此，就基板處理列Lu、Ld整體觀察，其送出基板W之順序0D未必與順序0A相同。於圖1中例示基板W從處理部3送出的順序0D與基板W搬入處理部3的順序0A不同之情況。
IF部5在基板W從各基板處理列Lu、Ld送出時，由送出的基板W起依次收取。因此，IF部5從處理部3收取基板W的順序，與順序0D相同。
IF部5將從處理部3送出的基板W調整為搬入處理部3之順序0A。而且，IF部5依基板W搬入處理部3的順序0A之相同順序而將基板W搬送至曝光機EXP。亦即，IF部5將基板W搬送至曝光機EXP的順序0E，與順序0A相同。
曝光機EXP對搬送的基板W實施曝光。然後，雖在圖1中省略圖示，曝光機EXP將曝光過的基板W再度搬送至IF部5。IF部5從曝光機EXP收取基板W，將其搬送至處理部3，處理部3透過各基板處理列L將基板W搬送至ID部I。
如此，即使是在複數(2個)基板處理列Lu、Ld中同時處理基板W的情況下，基板W搬送至曝光機EXP的順序0E，與基板W搬入處理部3的順序0A相同。因此，可易於管理每一片基板。又，亦可易於追蹤調查各基板W在處理部3或曝光機EXP中之處理歷程。
又，在具有複數(2個)基板處理列Lu、Ld之本裝置10中，由於在各基板處理列L同時處理基板W，因此可大幅提高處理量。更進一步，由於各基板處理列Lu、Ld設置在上下方向，因此可防止本裝置10之佔地增大。
以下，更詳細說明本實施例。圖2為表示實施例基板處理裝置之概略構成的俯視圖，圖3與圖4為表示基板處理裝置所具有處理單元之配置的概略側視圖，圖5至圖8為圖2中的a-a箭頭方向、b-b箭頭方向、c-c箭頭方向及d-d箭頭方向各自的垂直剖視圖。
(ID部1)
ID部1從收容複數片基板W的卡匣C中取出基板W，同時將基板W收納於卡匣C。該ID部1具備有載置卡匣C之卡匣載置台9。卡匣載置台9構成為可將4個卡匣C排列為一列而載置。ID部1具備有ID用搬送機構TID 。如圖5所示，ID用搬送機構TID 對各卡匣C搬送基板W，同時將基板W搬送至後述之載置部PASS1 及載置部PASS3 。ID用搬送機構TID 具備有：可動台21，其於卡匣載置台9側邊沿卡匣C並排之方向水平移動；升降軸23，其相對於可動台21沿垂直方向伸縮；及保持臂25，其保持基板W，並相對於該升降軸23迴旋且於迴旋半徑方向進退。
(處理部3)
處理部3之各基板處理列L構成為可於連結ID部1與IF部5之略水平方向上搬送基板W。各基板處理列L分別具備有搬送基板W之主搬送機構T。在本實施例中，各基板處理列L分別具備有複數(各基板處理列L有2座，合計4座)主搬送機構T。設於相同基板處理列L之各主搬送機構T並排在搬送基板W之方向，可於在搬送方向相鄰接的主搬送機構T彼此間交接基板W。各主搬送機構T對後述各種處理單元搬送基板W，並同時交接基板W給相鄰接的其他主搬送機構T。
具體而言，在基板處理列Lu有主搬送機構T1 和主搬送機構T2 排列成一列。主搬送機構T1 配置於ID部1側，主搬送機構T2 配置於IF部5側。同樣地，在基板處理列Ld有主搬送機構T3 和主搬送機構T4 排列成一列，主搬送機構T3 配置於ID部1側，主搬送機構T4 配置於IF部5側。
本實施例中，具有上述基板處理列L之處理部3，由複數(2台)處理區Ba、Bb在橫方向(與搬送方向略同)排列而構成。於ID部1鄰接有處理區Ba，於IF部5鄰接有處理區Bb。各處理區Ba、Bb各自在上下方向分成複數(2個)階層K。於處理區Ba之上側階層K1設置有上述主搬送機構T1 ，於下側階層K3設置有主搬送機構T3 。同樣地，於處理區Bb之上側階層K2設置有主搬送機構T2 ，於下側階層K4設置有主搬送機構T4 。階層K1與階層K2相互的高度位置相同，階層K3與階層K4相互的高度位置相同。在此意義下，階層K1與階層K2為「相同階層」，階層K3與階層K4為「相同階層」。
相鄰接的處理區Ba、Bb中的相同階層K1、K2之主搬送機構T1 、T2 彼此間可交接基板W，由階層K1、K2構成基板處理列Lu。同樣地，主搬送機構T3 、T4 彼此間可交接基板W，由階層K3、K4構成基板處理列Ld。
(處理部3~處理區Ba)
於ID部1和處理區Ba之各階層K1、K3間設置有用以載置基板W之載置部PASS1 、PASS3 。於載置部PASS1 暫時載置有在ID用搬送機構TID 和主搬送機構T1 間交接的基板W。同樣地，於載置部PASS3 暫時載置有在ID用搬送機構TID 和主搬送機構T3 間交接的基板W。剖視下，載置部PASS1 配置於上側階層K1下部附近之高度的位置處，載置部PASS3 配置於下側階層K3上部附近之高度的位置處。如此，由於載置部PASS1 和載置部PASS3 之位置比較靠近，所以ID用搬送機構TID 可以較少之升降量而在載置部PASS1 與載置部PASS3 間移動。
於處理區Ba、Bb間亦設置有用以載置基板W之載置部PASS2 、PASS4 。載置部PASS2 配置於階層K1、K2間，載置部PASS4 配置於階層K3、K4間。而且，主搬送機構T1 與主搬送機構T2 經由載置部PASS2 而交接基板W，主搬送機構T3 與主搬送機構T4 經由載置部PASS4 而交接基板W。
載置部PASS1 有複數台(本實施例為2台)。該等複數載置部PASS1 相互在上下方向相接近而配置。在2個載置部PASS1 中，於一載置部PASS1A 載置有從ID用搬送機構TID 交接至主搬送機構T1 的基板W，於另一載置部PASS1B 載置有從主搬送機構T1 交接至ID用搬送機構TID 的基板W。載置部PASS2 ~PASS4 及後述載置部PASS5 ~PASS6 亦分別有複數台(2台)，可根據交接基板W之方向而選擇任一載置部PASS。又，於載置部PASS1A 、PASS1B 分別附設有用以檢測基板W之有無的感測器(省略圖示)，根據各感測器之檢測信號而控制ID用搬送機構TID 及主搬送機構T1 對基板W的交接。同樣的感測器亦分別附設於載置部PASS2 ~PASS6 。
以下說明階層K1。主搬送機構T1 設為可在俯視下通過階層K1之略中央而與搬送方向平行的搬送空間A1 中移動。於階層K1設置有對基板W塗佈處理液之塗佈處理單元31、及對基板W實施熱處理之熱處理單元41。塗佈處理單元31配置於搬送空間A1 之一側，於另一側配置有熱處理單元41。
塗佈處理單元31分別面向搬送空間A1 縱橫排列而設置有複數個。於本實施例中，沿基板W之搬送路徑配置有2列2段合計4個塗佈處理單元31。
塗佈處理單元31包含有對基板W塗佈反射防止膜用材料之反射防止膜用塗佈處理單元BARC、及對基板W塗佈阻劑膜材料之阻劑膜用塗佈處理單元RESIST。在本說明書中，將在反射防止膜用塗佈處理單元BARC中進行的處理適當記為反射防止膜材料塗佈處理，將在阻劑膜用塗佈處理單元RESIST中進行的處理適當記為阻劑膜材料塗佈處理。
反射防止膜用塗佈處理單元BARC有複數台(2台)，並排配置為其下段位於略同之高度的位置處。阻劑膜用塗佈處理單元RESIST亦有複數台，並排配置為其上段位於略同之高度的位置處。在各反射防止膜用塗佈處理單元BARC間不具有隔壁或分隔壁等。亦即，僅將全部反射防止膜用塗佈處理單元BARC收容於共通之處理室，各反射防止膜用塗佈處理單元BARC之周圍環境氛圍未相互阻斷(形成連通)。同樣地，各阻劑膜用塗佈處理單元RESIST之周圍環境氛圍亦未相互阻斷。
以下參照圖9A、圖9B。圖9A為塗佈處理單元之俯視圖，圖9B為塗佈處理單元之剖視圖。各塗佈處理單元31具備有：旋轉保持部32，其可旋轉地保持基板W；杯部33，其設於基板W之周圍；及供給部34等，其將處理液供給給基板W。
供給部34具備有：複數個噴嘴35；把持部36，其把持一噴嘴35；和噴嘴移動機構37，其移動把持部36使一噴嘴35在基板W上方之處理位置和偏離基板W上方之待機位置間移動。於各噴嘴35分別連通連接有處理液配管38之一端。處理液配管38可動(可撓)地設置成可容許待機位置與處理位置間噴嘴35之移動。各處理液配管38之另一端側連接於處理液供給源(省略圖示)。具體而言，在反射防止膜用塗佈處理單元BARC中，處理液供給源供給各噴嘴35種類不同的反射防止膜用處理液。在阻劑膜用塗佈處理單元RESIST中，處理液供給源供給各噴嘴35種類不同的阻劑膜材料。
噴嘴移動機構37具有第1導軌37a與第2導軌37b。第1導軌37a隔著橫向並排的2個杯部33相互平行而配設。第2導軌37b受2個第1導軌37a可滑動地支持，而架設在2個杯部33上。把持部36受第2導軌37b可滑動地支持。此處，第1導軌37a及第2導軌37b所導引的各方向均為略水平方向，且相互略為正交。噴嘴移動機構37更進一步具備有使第2導軌37b滑動移動並使把持部36滑動移動的驅動部(省略圖示)。並且，藉由驅動部之驅動，使由把持部36把持的噴嘴35移動至與處理位置相當的2個旋轉保持部32之上方的位置處。
熱處理單元41有複數個，其各自面向搬送空間Al而縱橫並排有複數個。在本實施例中，可於橫方向配置3個熱處理單元41，可於縱方向疊層5個熱處理單元41。熱處理單元41分別具備有用以載置基板W的平板43等。熱處理單元41包含有：冷卻單元CP，其對基板W進行冷卻處理；加熱冷卻單元PHP，其持續進行加熱處理與冷卻處理；及附著處理單元AHL，其在六甲基二矽氮烷(HMDS)蒸氣之環境氛圍下實施熱處理，以提高基板W與被覆膜之密著性。此外，加熱冷卻單元PHP具有2個平板43，同時具備有在2個平板43間移動基板W的局部搬送機構(省略圖示)。各種熱處理單元CP、PHP、AHL分別有複數個，配置在適當位置處。此外，在本說明書中，將在加熱冷卻單元PHP中進行的處理適當記為加熱/冷卻處理。
以下具體說明主搬送機構T1 。請參照圖10。圖10為主搬送機構之立體圖。主搬送機構T1 具有於上下方向導引的2條第3導軌51、和於橫方向導引的第4導軌52。第3導軌51與搬送空間A1 之一側相對向而固定。本實施例中，配置於塗佈處理單元31側。第4導軌52可滑動地安裝於第3導軌51。第4導軌52可滑動地設置有基部53。基部53於橫方向突出至搬送空間A1 之略中央處。主搬送機構T1 更進一步具備有使第4導軌52於上下方向移動且使基部53在橫方向移動的驅動部(省略圖示)。藉由該驅動部之驅動，而使基部53移動至縱橫並排的塗佈處理單元31及熱處理單元41之各位置處。
於基部53設置有可圍繞縱軸心Q旋轉的旋轉台55。於旋轉台55可在水平方向移動地分別設置有用以保持基板W的2個保持臂57a、57b。2個保持臂57a、57b配置在上下相互接近的位置處。更進一步具備有旋轉旋轉台55並移動各保持臂57a、57b的驅動部(省略圖示)。藉由該驅動部之驅動，而使旋轉台55移至與各塗佈處理單元31、各熱處理單元41及載置部PASS1 、PASS2 相對向之位置處，並使保持臂57a、57b相對於該等塗佈處理單元31等而進退。
以下說明階層K3。此外，就與階層K1相同之構成賦予相同元件符號而省略詳細說明。階層K3之主搬送機構T3 及處理單元在俯視下之佈置(配置)，與階層K1之該等略同。因此，從主搬送機構T3 所看到階層K3之各種處理單元配置，與從主搬送機構T1 所看到階層K1之各種處理單元配置略同。階層K3之塗佈處理單元31與熱處理單元41分別疊層在各自階層K1之塗佈處理單元31與熱處理單元41的下側。
以下在區別設於階層K1、K3之阻劑膜用塗佈處理單元RESIST等時，分別賦予下標符號「1」或「3」(例如，將設於階層K1之阻劑膜用塗佈處理單元RESIST記為「阻劑膜用塗佈處理單元RESIST1 」)。
以下說明處理區Ba之其他構成。如圖5、圖6所示，於搬送空間A1 、A3 分別設置有吹出清淨氣體之第1吹出單元61與吸引氣體之排出單元62。第1吹出單元61與排出單元62分別為俯視下具有與搬送空間A1 略同之寬度的扁平箱狀物。於第1吹出單元61與排出單元62之一面分別形成有第1吹出口61a與排出口62a。在本實施例中，以多數小孔f(參照圖10)構成第1吹出口61a及排出口62a。第1吹出單元61以第1吹出口61a朝下之姿勢而配置於搬送空間A1 、A3 之上部。又，排出單元62以排出口62a朝上之姿勢而配置於搬送空間A1 、A3 之下部。搬送空間A1 之環境氛圍與搬送空間A3 之環境氛圍由搬送空間A1 之排出單元62與搬送空間A3 之第1吹出單元61所阻斷。因此，各階層K1、K3之環境氛圍相互阻斷。
搬送空間A1 、A3 之各第1吹出單元61同樣連通連接於第1氣體供給管63。第1氣體供給管63在載置部PASS2 、PASS4 之側方位置處跨搬送空間A1 之上部與搬送空間A3 之下部而設置，並在搬送空間A2 之下方朝水平方向彎曲。第1氣體供給管63之另一端側連通連接於圖示省略之氣體供給源。同樣地，搬送空間A1 、A3 之排出單元62同樣連通連接於第1氣體排出管64。第1氣體排出管64跨搬送空間A1 之下部與搬送空間A3 之下部而設置於載置部PASS2 、PASS4 之側方位置處，並在搬送空間A2 之下方朝水平方向彎曲。而且，藉由從搬送空間A1 、A3 之各第1吹出口61a吹出氣體同時從各排出口62a吸引/排出氣體，而在搬送空間A1 、A3 形成從上部流向至下部的氣流，可使各搬送空間A1 、A3 各別維持清淨之狀態。
如圖2、圖7及圖9A所示，於階層K1、K3之各塗佈處理單元31形成有縱向貫通的豎孔部PS。於該豎孔部PS上下方向設置有用以供給清淨氣體之第2氣體供給管65、和用以將氣體進行排氣之第2氣體排出管66。第2氣體供給管65和第2氣體排出管66分別在各塗佈處理單元31之既定高度位置處分歧，而從豎孔部PS沿略水平方向引伸出。分歧的複數個第2氣體供給管65連通連接於將氣體往下方吹出的第2吹出單元67。又，分歧的複數個第2氣體排出管66分別連通連接於各杯部33之底部。第2氣體供給管65之另一端在階層K3之下方連通連接於第1氣體供給管63。第2氣體排出管66的另一端在階層K3之下方連通連接於第1氣體排出管64。而且，藉由從第2吹出單元67吹出氣體，同時透過第2氣體排出管66排出氣體，而可使各杯部33內之環境氛圍經常維持清淨，可較佳地處理保持於旋轉保持部32的基板W。
於豎孔部PS更進一步配置有供處理液流通的配管或電配線等(均省略圖示)。如此，可將附設於階層K1、K3之塗佈處理單元31的配管或配線等收容於豎孔部PS，因此可縮短配管或配線等之長度。
處理區Ba具備有收容上述主搬送機構T1 、T3 、塗佈處理單元31與熱處理單元41的一框體75。後述之處理區Bb亦具備有收容主搬送機構T2 、T4 與處理區Bb所具有之各處理單元的框體75。處理區Ba之框體75與處理區Bb之框體75為相分離之個體。如此，由於每個處理區Ba、Bb具備有集中收容主搬送機構T和各處理單元的框體75，所以可排列處理區Ba、Bb而簡易地製造、組裝處理部3。處理區Ba相當於本發明中之塗佈處理區。又，處理區Ba亦相當於本發明中之第1處理區。
(處理部3~處理區Bb)
以下說明階層K2。針對與階層K1相同之構成賦予相同元件符號而省略詳細說明。階層K2之搬送空間A2 形成在搬送空間A1 之延長側上。
於階層K2設置有：顯像處理單元DEV，其對基板W供給顯像液；熱處理單元42，其對基板W實施熱處理；和邊緣曝光單元EEW，其對基板W之周緣部實施曝光。顯像處理單元DEV配置於搬送空間A2 之一側，熱處理單元42及邊緣曝光單元EEW配置於搬送空間A2 之另一側。此處，顯像處理單元DEV最好配置在塗佈處理單元31之同側。又，熱處理單元42及邊緣曝光單元EEW最好排列在與熱處理單元41相同之側。此外，在本說明書中，將在顯像處理單元DEV所進行的處理適當記為顯像處理，將在邊緣曝光單元EEW所進行的處理適當記為邊緣曝光。
顯像處理單元DEV有4個，上下2段疊層，各段分別沿搬送空間A2 之橫方向並排有2個。如圖2、圖7所示，各顯像處理單元DEV具備有可旋轉地保持基板W之旋轉保持部77、和設於基板W周圍之杯部79。2個顯像處理單元DEV並設成1段而設置，兩者間沒有分隔壁等隔間。更進一步，設置有用以對2個顯像處理單元DEV供給顯像液之供給部81。供給部81具有具狹縫或具有小孔列而用以吐出顯像液的2個狹縫噴嘴81a。狹縫或小孔列之長邊方向長度最好相當於基板W之直徑。又，2個狹縫噴嘴81a最好構成為吐出互相不同種類或濃度之顯像液。供給部81更進一步具備有使各狹縫噴嘴81a移動的移動機構81b。藉此，各狹縫噴嘴81a可分別在橫向並排的2個旋轉保持部77之上方移動。
熱處理單元42有複數台，其在沿搬送空間A2 之橫方向呈複數並排，同時在縱方向呈複數疊層。熱處理單元42包含有：加熱單元HP，其對基板W進行加熱處理；冷卻單元CP，其對基板W進行冷卻處理；和加熱冷卻單元PHP，其進行加熱/冷卻處理。
加熱冷卻單元PHP有複數台，各加熱冷卻單元PHP於上下方向疊層於最靠近IF部5側之列，其各自之一側部面向IF部5之側。設於階層K2之加熱冷卻單元PHP，於其側部形成有基板W之搬送口。而且，後述之IF用搬送機構TIF 透過上述搬送口對加熱冷卻單元PHP搬送基板W。然後，在配置於階層K2之加熱冷卻單元PHP中，實施曝光後加熱(PEB)處理。因此，將在設於階層K2之加熱冷卻單元PHP中所進行的加熱/冷卻處理特別記載為PEB處理。同樣地，將在階層K4之加熱冷卻單元PHP中所進行的加熱/冷卻處理特別記載為PEB處理。
邊緣曝光單元EEW為單一，設於既定位置處。邊緣曝光單元EEW具備有：將基板W可旋轉地保持之旋轉保持部(未圖示)、和對保持於該旋轉保持部的基板W之周緣實施曝光的光照射部(未圖示)。
更進一步，於加熱冷卻單元PHP之上側疊層有載置部PASS5 。主搬送機構T2 與後述之IF用搬送機構TIF透過載置部PASS5 而交接基板W。
俯視下，主搬送機構T2 設於搬送空間A2 之略中央處。主搬送機構T2 與主搬送機構T1 為相同之構成。而且，主搬送機構T2 在載置部PASS2 、各種熱處理單元42、邊緣曝光單元EEW與載置部PASS5之間搬送基板W。
以下簡略說明階層K4。階層K2與階層K4之各構成關係與階層K1、K3間之關係相同。階層K4之處理單元為顯像處理單元DEV、熱處理單元42、與邊緣曝光單元EEW。階層K4之熱處理單元42包含加熱單元HP、冷卻單元CP、與加熱冷卻單元PHP。於階層K4之加熱冷卻單元PHP上側疊層有載置部PASS6 。主搬送機構T4 與後述之IF用搬送機構TIF透過載置部PASS6 而交接基板W。設於階層K4之加熱冷卻單元PHP亦對曝光後之基板W實施曝光後加熱(PEB：Post Exposure Bake)處理。
以下，在區別設於階層K2、K4之顯像處理單元DEV或邊緣曝光單元EEW等時，分別賦予下標符號「2」或「4」(例如，將設於階層K2之加熱單元HP記載為「加熱單元HP2 」)。
於階層K2、K4之搬送空間A2 、A4 中亦分別設置有相當於第1吹出單元61或排出單元62等之構成。又，於階層K2、K4之顯像處理單元DEV分別設置有相當於第2吹出單元67或第2氣體排出管66等之構成。
處理區Bb相當於本發明中之顯像處理區。又，處理區Bb亦相當於本發明中之第2處理區。
(IF部5)
IF部5在處理部3之各基板處理列Lu、Ld(階層K2、K4)與曝光機EXP間交接基板W。IF部5具備有搬送基板W的IF用搬送機構TIF 。IF用搬送機構TIF 具有可相互交接基板W的第1搬送機構TIFA 與第2搬送機構TIFB 。第1搬送機構TIFA 對各基板處理列Lu、Ld搬送基板W。如上述，在本實施例中，第1搬送機構TIFA 對階層K2、K4之載置部PASS5 、PASS6 與各階層K3、K4之加熱冷卻單元PHP搬送基板W。第2搬送機構TIFB 對曝光機EXP搬送基板W。
如圖2所示，第1搬送機構TIFA 與第2搬送機構TIFB 並排在與基板處理列L之搬送方向略為正交的橫方向而設置。第1搬送機構TIFA 配置於階層K2、K4之熱處理單元42等所位在之側。第2搬送機構TIFB 配置於階層K2、K4之顯像處理單元DEV所位在之側。又，於第1、第2搬送機構TIFA 、TIFB 間設置有：載置部PASS-CP，其載置基板W而使其冷卻；載置部PASS7 ，其載置基板W；和緩衝部BF，其暫時收容基板W。緩衝部BF載置或收容複數片基板W。第1、第2搬送機構TIFA 、TIFB 透過載置部PASS-CP及載置部PASS7 交接基板W。緩衝部BF僅專由第1搬送機構TIFA 所存取。
如圖8所示，第1搬送機構TIFA 具備有：基台83，其固定設置；升降軸85，其相對於基台83而於鉛直上方伸縮；和保持臂87，其保持基板W，可相對於該升降軸85迴旋，同時於迴旋半徑方向進退。第2搬送機構TIFB 亦具備有基台83、升降軸85和保持臂87。
其次，說明本裝置10之控制系統。圖11為實施例之基板處理裝置的控制方塊圖。如圖所示，本裝置10之控制部90具備有主控制器91與第1至第7控制器93、94、95、96、97、98、99。
主控制器91統括地控制第1至第7控制器93~99。第1控制器93控制ID用搬送機構TID 對基板的搬送。第2控制器94控制主搬送機構T1 對基板的搬送和阻劑膜用塗佈處理單元RESIST1 、反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 、冷卻單元CP1 、加熱冷卻單元PHP1 與附著處理單元AHL1 中對基板的處理。第3控制器95控制主搬送機構T2 對基板的搬送、和邊緣曝光單元EEW2 、顯像處理單元DEV2 、加熱單元HP2 、與冷卻單元CP2 中對基板的處理。第4、第5控制器96、97之控制分別與第2、第3控制器94、95之控制相對應。第6控制器98控制第1搬送機構TIFA 對基板的搬送、和加熱冷卻單元PHP2 、PHP4 中對基板的處理。第7控制器99控制第2搬送機構TIFB 對基板的搬送。上述第1~第7控制器93~99分別互相獨立地進行控制。
主控制器91及第1~第7控制器93~99分別由執行各種處理之中央運算處理裝置(CPU)、作為運算處理之作業區域的RAM(Random-Access Memory；隨機存取記憶體)、和固定式磁碟等記憶媒體等實現。於記憶媒體中可記憶有預先設定的處理模式(處理程式)、和用以特定各基板W搬入處理部3之順序的資訊等各種資訊。
其次，說明實施例之基板處理裝置的動作。首先，圖12為對基板W進行一連串處理時之流程圖，其表示依次搬送基板W的處理單元或載置部等。又，圖13為模式性表示各搬送機構分別反覆進行的動作之圖，其明示搬送機構存取處理單元、載置部或卡匣等的順序。以下，分別說明每個搬送機構。此外，圖12、圖13表示在IF部5從處理部3收取基板W的順序OD與將基板W從ID部1搬入處理部3的順序OA相同的情況下基板的動作例。關於順序OD與順序OA不相同之情況下的動作，以下說明IF用搬送機構TIF 之動作。
(ID用搬送機構TID )
ID用搬送機構TID 移動至與一卡匣C相對向之位置處，將收容於卡匣C的一片未處理之基板W保持於保持臂25而將其從卡匣C搬出。ID用搬送機構TID 旋轉保持臂25並使升降軸23升降而移動至與載置部PASS1 相對向之位置處，將所保持的基板W載置於載置部PASS1A (與圖12中之步驟S1a相對應。以下，僅附記步驟之記號。)。此時，通常於載置部PASS1B 載置有基板W，並收取該基板W而收納於卡匣C(步驟S23)。此外，於載置部PASS1B 沒有基板W時則省略步驟S23。然後，ID用搬送機構TID 對卡匣C進行存取，將卡匣C中收容的基板W搬送至載置部PASS3A (步驟S1b)。此處，若於載置部PASS3B 載置有基板W，則亦將該基板W收納於卡匣C(步驟S23)。ID用搬送機構TID 反覆進行上述動作。
ID用搬送機構TID 如此之動作，由第1控制器93所控制。
藉此，將卡匣C之基板W送至階層K1，同時將從階層K1送出的基板W收容於卡匣C。同樣地，將卡匣C之基板W送至階層K3，同時將從階層K3送出的基板W收容於卡匣C。
(主搬送機構T1 、T3 )
由於主搬送機構T3 之動作與主搬送機構T1 之動作略同，所以僅說明主搬送機構T1 。主搬送機構T1 移動至與載置部PASS1 相對向之位置處。此時，主搬送機構T1 將剛從載置部PASS2B 收取到的基板W保持於一保持臂57(例如57b)。主搬送機構T1 將所保持的基板W載置於載置部PASS1B (步驟S22)，同時以另一保持臂57(例如57a)保持載置於載置部PASS1A 的基板W。
主搬送機構T1 存取冷卻單元CP1 。冷卻單元CP1 中具有已完成冷卻處理的其他基板W。主搬送機構T1 以空(未保持有基板W)的保持臂57保持其他基板W而將其從冷卻單元CP1 搬出，同時將從載置部PASS1A 收取到的基板W搬入冷卻單元CP1 。而且，主搬送機構T1 保持經冷卻的基板W而將其移動至反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 。冷卻單元CP1 對搬入的基板W開始冷卻處理(步驟S2)。在主搬送機構T1 下次存取該冷卻處理單元CP1 時，該熱處理(冷卻)已結束。於以下說明中，在其他各種熱處理單元41或塗佈處理單元31中，於主搬送機構T1 存取之時，亦已存在有分別經既定處理過之基板W。
在存取反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 之時，主搬送機構T1 從反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 搬出形成有反射防止膜的基板W，同時將經冷卻的基板W置於反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 之旋轉保持部32。之後，主搬送機構T1 保持著形成有反射防止膜的基板W而將其移動至加熱冷卻單元PHP1 。反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 對載置於旋轉保持部32的基板W開始反射防止膜材料塗佈處理(步驟S3a)。
具體而言，旋轉保持部32以水平姿勢旋轉基板W，同時以把持部36把持一噴嘴35，利用噴嘴移動機構37之驅動將所把持的噴嘴35往基板W上方移動，從噴嘴35向基板W供給反射防止膜用之處理液。所供給的處理液擴及基板W之整面，而後從基板W去除。以杯部33回收去除的處理液。如此，進行於基板W塗佈形成反射防止膜的處理。
主搬送機構T1 存取加熱冷卻單元PHP1 時，從加熱冷卻單元PHP1 搬出經熱處理過之基板W，同時將形成有反射防止膜的基板W投入加熱冷卻單元PHP1 。之後，主搬送機構T1 保持著從加熱冷卻單元PHP1 所搬出的基板W而將其移動至冷卻單元CP1 。在加熱冷卻單元PHP1 中於2個平板43上依次載置基板W，在一個平板43上加熱基板W後，在另一個平板43上冷卻基板W(步驟S4a)。
主搬送機構T1 移動至冷卻單元CP1 後，將冷卻單元CP1 內之基板W搬出，同時將所保持的基板W搬入冷卻單元CP1 。冷卻單元CP1 冷卻搬入的基板W(步驟S5a)。
然後，主搬送機構T1 移動至阻劑膜用塗佈處理單元RESIST1 。然後，其從阻劑膜用塗佈處理單元RESIST1 搬出經形成有阻劑膜之基板W，同時將所保持的基板W搬入阻劑膜用塗佈處理單元RESIST1 。阻劑膜用塗佈處理單元RESIST1 旋轉搬入的基板W並同時塗佈阻劑膜材料(步驟S6a)。
主搬送機構T1 更進一步移動至加熱冷卻單元PHP1 與冷卻單元CP1 。然後，將經形成有阻劑膜的基板W搬入加熱冷卻單元PHP1 ，將經加熱冷卻單元PHP1 處理過的基板W移至冷卻單元CP1 ，同時收取經該冷卻單元CP1 處理過的基板W。加熱冷卻單元PHP1 與冷卻單元CP1 分別對未處理之基板W進行既定處理(步驟S7a、步驟S8a)。
主搬送機構T1 移動至載置部PASS2 ，將所保持的基板W載置於載置部PASS2A (步驟S9a)，收取載置於載置部PASS2B 的基板W(步驟S21a)。
之後，主搬送機構T1 再度對載置部PASS1 進行存取而反覆進行上述動作。該動作由第2控制器94控制。藉此，從卡匣C搬送至載置部PASS1 的基板W全部在階層K1中於各種處理單元間經上述搬送路徑而搬送，在所搬送到的各處理單元依次進行既定處理。
又，主搬送機構T1 將搬送至載置部PASS1 的基板W搬送至既定處理單元(本實施例中為冷卻單元CP1 )，同時從該處理單元取出處理過之基板W。然後，將所取出的基板W搬送至下一個處理單元(本實施例中為反射防止膜用塗佈處理單元BARC1 )，同時從該處理單元取出處理過之基板W。如此，藉由將經各處理單元處理過的基板W分別移送至新的處理單元，而同時對複數基板W進行處理。然後，由先載置於載置部PASS1 的基板W起依序將其載置於載置部PASS2 ，而送出至階層K2。同樣地，由先載置於載置部PASS2 的基板W起依序將其載置於載置部PASS1 ，而送出至ID部1。
(主搬送機構T2 、T4 )
由於主搬送機構T4 之動作與主搬送機構T2 之動作略同，所以僅說明主搬送機構T2 。主搬送機構T2 移動至與載置部PASS2 相對向之位置處。此時，主搬送機構T2 保持著從剛存取的冷卻單元CP2 中所收取到的基板W。主搬送機構T2 將所保持的基板W載置於載置部PASS2B (步驟S21a)，同時保持載置於載置部PASS2A 的基板W(步驟S9a)。
主搬送機構T2 存取邊緣曝光單元EEW2 。然後，收取經邊緣曝光單元EEW2 實施既定處理過的基板W，同時將經冷卻的基板W搬入邊緣曝光單元EEW2 。邊緣曝光單元EEW2 旋轉搬入的基板W，並同時從未圖示之光照射部對基板W之周緣部照射光。藉此對基板W之周邊實施曝光(步驟S10a)。
主搬送機構T2 保持從邊緣曝光單元EEW2 所收取到的基板W，而存取載置部PASS5 。然後，將所保持的基板W載置於載置部PASS5A (步驟S11a)，而保持載置於PASS5B 的基板W(步驟S16a)。
主搬送機構T2 移動至冷卻單元CP2 ，將所保持的基板W與冷卻單元CP2 內之基板W相交換。主搬送機構T2 保持著經冷卻處理過的基板W，而存取顯像處理單元DEV2 。冷卻單元CP2 對新搬入的基板W開始進行處理(步驟S17a)。
主搬送機構T2 搬出經顯像處理單元DEV2 實施顯像過的基板W，同時將經冷卻的基板W置於顯像處理單元DEV2 之旋轉保持部77。顯像處理單元DEV2 對置於旋轉保持部77的基板W實施顯像(步驟S18a)。具體而言，旋轉保持部77在水平姿勢下旋轉基板W，並同時從任一狹縫噴嘴81a對基板W供給顯像液而對基板W實施顯像。
主搬送機構T2 保持經顯像的基板W，而存取加熱單元HP2 。然後，從加熱單元HP2 搬出基板W，同時將所保持的基板W投入加熱單元HP2 。然後，主搬送機構T2 將從加熱單元HP2 所搬出的基板W搬送至冷卻單元CP2 ，同時取出已在該冷卻單元CP2 完成處理過的基板W。加熱單元HP2 與冷卻單元CP2 分別對未處理之基板W進行既定處理(步驟S19a、步驟S20a)。
之後，主搬送機構T2 再度存取對載置部PASS2 而反覆進行上述動作。此外，該動作由第3控制器95控制。藉此，按照載置於載置部PASS2A 之順序將基板W送出至載置部PASS5A 。同樣地，又按照基板W載置於載置部PASS5B 之順序將基板W送出至載置部PASS2B 。
(IF用搬送機構TIF ~第1搬送機構TIFA 、第2搬送機構TIFB )
送出基板W至載置部PASS5 時，藉由附設於載置部PASS5 的感測器(省略圖示)可檢測到基板W已送出至載置部PASS5 。藉此，第1搬送機構TIFA 存取載置部PASS5 ，收取載置於載置部PASS5A 的基板W(步驟S11a)。此處，控制部90以基板W搬送至曝光機EXP的順序，如同基板W搬入處理部3的之順序，而將IF部5所收取到的基板W調整為搬入處理部3之順序。具體而言，控制部90參照特定搬入處理部3之順序0A的資訊，判斷所收取到的基板W是否為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。然後，根據該判斷結果，變更第1搬送機構TIFA 所收取到的基板W之搬送目的地。以下，首先例示2種該判斷方法，之後說明第1搬送機構TIFA 與第2搬送機構TIFB 之動作。
(判斷方法1)
第1種方法參照圖14說明。圖14為模式性表示用以特定基板W搬入處理部3之順序的資訊之圖。圖14為相對於基板W搬入處理部3的順序0A，而表示其與該基板W之識別資訊的對應關係之資訊(以下，稱為「關係資訊」)。於該關係資訊中，「Wa」、「Wb」、…、「Wh」為用以識別各基板W之識別資訊，「1」、「2」、…、「8」為搬入處理部3之順序0A。此外，圖14所表示關係資訊與圖1所示基板W的搬送例相對應。
控制部90首先由第1搬送機構TIFA 收取到的實際基板W起取得該基板W被賦予的識別資訊。控制部90參照上述關係資訊，特定出與所取得之識別資訊相對應的順序0A。又，控制部90藉由計算搬送至曝光機EXP的基板W之總數，而特定下一個應搬送至曝光機EXP的基板W之順序。然後，控制部90判斷經特定的順序0A與下一個應搬送至曝光機EXP的基板W之順序是否一致。當判斷為相一致時，認定收取到的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。當判斷為不一致時，認定收取到的基板W不是下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
例如，若第1搬送機構TIFA 所收取到的基板W之識別資訊為「Wb」，則與其相對應的順序OA為「2」(參照圖14)。又，若當第1搬送機構TIFA 收取到該基板W時已經將一片基板W搬送至曝光機EXP，則下一個應搬送的基板W之順序為「2」。如此，當第1搬送機構TIFA 所收取到的基板W之順序OA(「2」)與下一個應搬送至曝光機EXP的順序(「2」)相一致時，將收取到的基板W認定為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
(判斷方法2)
第2種方法參照圖15、圖16A、圖16B說明。圖15為模式性表示用以特定基板W搬入處理部3之順序的資訊之圖。圖15為基板W從ID部1搬入處理部3的順序OA、與搬送該基板W的基板處理列Lu、Ld之任一者相對應的資訊(以下，稱為「關係資訊」)。此外，圖15所示的關係資訊亦與圖1所示的基板W之搬送例相對應。
此處，就基板處理列Lu、Ld而言，基板W搬入各基板處理列Lu、Ld的順序與基板W從各基板處理列Lu、Ld送出的順序相同。就此考慮，由圖15所示的關係資訊可導出圖16A、圖16B所示的關係資訊。圖16A為表示基板W從基板處理列Lu送出至IF部5的順序OB、與該基板W搬入處理部3之順序OA之對應關係的資訊，圖16B為表示基板W從基板處理列Ld送出至IF部5的順序OC、與該基板W搬入處理部3之順序OA之對應關係的資訊。
控制部90首先在第1搬送機構TIFA 從載置部PASS5 收取基板W時，判斷該基板W已從基板處理列Lu送出。此時，控制部90特定從基板處理列Lu送出的基板W之順序OB。控制部90參照圖15(或圖16A)所示之關係資訊，特定與順序OB相對應的順序OA。另一方面，在第1搬送機構TIFA 從載置部PASS6 收取基板W時，判斷該基板W已從基板處理列Ld送出，同時特定從基板處理列Ld送出的基板W之順序OC。於此情況下，控制部90參照圖15(或圖16B)所示之關係資訊，特定與順序OC相對應的順序OA。
又，控制部90特定下一個應搬送至曝光機EXP的基板W之順序。然後，控制部90判斷所特定的順序OA與下一個搬送至曝光機EXP的基板W之順序是否相一致。判斷為相一致之時，認定收取到的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。判斷為互不一致之時，認定收取到的基板W不是下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
例如，若第1搬送機構TIFA 在從載置部PASS5 收取基板W時已經從載置部PASS5 收取過一片基板W，則此基板W之順序OB為「2」，順序OA為「3」(參照圖15、或圖16A)。又，若第1搬送機構TIFA 在收取到該基板W時已經搬送過一片基板W至曝光機EXP，則下一個搬送的基板W之順序為「2」，如此，當第1搬送機構TIFA 收取到的基板W之順序OA(「3」)與其次應搬送至曝光機EXP的順序(「2」)互不一致之時，認定收取到的基板W不是下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
此外，雖圖15或圖16A、圖16B所示的關係資訊包含有基板處理列Lu、Ld，但不受限於此。例如，即使將基板處理列Lu、Ld分別替換為階層K2、K4，在技術上之意義亦不會有所改變。亦即，即使在如此替換下，與上述判斷方法2同樣地，控制部90仍可認定收取到的基板W是否為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
根據如上之判斷方法1或判斷方法2，若控制部90認定收取到的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W，則控制部90以下述方式動作。亦即，第1搬送機構TIFA 保持著收取到的基板W而移動至載置部PASS-CP，將其搬入載置部PASS-CP內(步驟S12)。接著，第2搬送機構TIFB 從載置部PASS-CP取出基板W，將其搬送至曝光機EXP。在曝光機EXP中對基板W實施曝光(步驟S13)。
另一方面，若控制部90認定收取到的基板W不是下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W，則控制部90以下述方式動作。亦即，第1搬送機構TIFA 保持著收取到的基板W而移動至緩衝部BF，將其載置於緩衝部BF(圖12中省略該步驟。請參照圖13)。
又，控制部90判斷載置於緩衝部BF的一基板W是否為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。此處，對於載置於緩衝部BF的各基板W，在從處理部3收取到基板W時，控制部90特定出順序OA。因此，將已特定的順序OA與下一個應搬送至曝光機EXP的基板W之順序OE相比較，判斷是否相一致。然後，在相一致時，認定該基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
此情況下，控制部90以下述方式動作。亦即，第1搬送機構TIFA 存取緩衝部BF，取出經判斷為一致的基板W，將其搬入載置部PASS-CP內(步驟S12)。然後，第2搬送機構TIFB 從載置部PASS-CP取出基板W，將其搬送至曝光機EXP(步驟S13)。
此外，即使在將載置於緩衝部BF的基板W判斷為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W的情況下，在從基板處理列L送出基板W時，最好優先收取從基板處理列L送出的基板W。
以下參照圖17。圖17為模式性表示將從基板處理列Lu、Ld兩者送出的8片基板W經由IF部5搬送至曝光機EXP的情況之圖，其(a)至(j)反應時間之經過。該圖17A至圖17J亦與圖1所示的基板W之搬送例相對應。
在從圖17A之時間點至圖17J之時間點所經過的時間中，以基板Wa、Wc、We、Wb、Wg、Wd、Wf、Wh之順序由處理部3送出，且以基板Wa、Wb、Wc、Wd、We、Wf、Wg、Wh之順序搬送至曝光機EXP。
在圖17A中，從基板處理列Lu送出的基板Wa不經載置於緩衝部BF而搬送至曝光機EXP。在圖17D中，同樣地搬送基板Wb，在圖17F中，同樣地搬送基板Wd。該等圖17A、圖17D、圖17F所示的基板搬送，為控制部90認定收取到的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時的情況。
在圖17B中，從基板處理列Lu送出的基板Wc載置於緩衝部BF。在圖17C中，同樣地搬送基板We，在圖17E中，同樣地搬送基板Wg，在圖17G中，同樣地搬送基板Wf，在圖17H中，同樣地搬送基板Wh。該等圖17B、圖17C、圖17E、圖17G、圖17H所示的基板搬送，為控制部90認定收取到的基板W不是下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時的情況。
又，在圖17E中，基板Wc從緩衝部BF搬送至曝光機EXP。在圖17G中，同樣地搬送基板We，在圖17H、圖171、圖17J中，分別同樣地搬送基板Wf、基板Wg、基板Wh。該等圖17E、圖17G至圖17J所示的基板搬送，為控制部90認定載置於緩衝部BF的該基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時的情況。
此處，於圖17E之時間點，從基板處理列Lu送出基板Wg，同時將載置於緩衝部BF的基板Wc認定為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。在此情況下，最好先收取從基板處理列Lu送出的基板Wg，之後再將基板Wc搬送至曝光機EXP。藉此，基板處理列Lu成為可迅速送出接續於基板Wg後之基板(圖17A至圖17J中未表示)的狀態。結果，可防止降低基板處理列Lu之基板搬送效率、處理效率。同樣地，在圖17G中，最好先收取從基板處理列Ld送出的基板Wf，之後再將基板We搬送至曝光機EXP。藉此，基板處理列Ld成為可迅速送出接續於基板Wf後之基板Wh的狀態。又，在圖17H中，最好先收取從基板處理列Ld送出的基板Wh，之後再將基板Wf搬送至曝光機EXP。
以下說明第1搬送機構TIFA 之其他動作。第1搬送機構TIFA 從載置部PASS7 收取基板W(步驟S14)，移動至與加熱冷卻單元PHP2 相對向之位置處。然後，第1搬送機構TIFA 取出由加熱冷卻單元PHP2 完成PEB處理的基板W，將從載置部PASS7 收取到的基板W搬入加熱冷卻單元PHP2 。加熱冷卻單元PHP2 對未處理之基板W實施熱處理(步驟S15a)。
第1搬送機構TIFA 將從加熱冷卻單元PHP2 取出的基板W搬送至載置部PASS5B (步驟S16a)。然後，第1搬送機構TIFA 將載置於載置部PASS6A 的基板W搬送至載置部PASS-CP(步驟S11b、S12)。其次，第1搬送機構TIFA 將其從載置部PASS7 搬送至加熱冷卻單元PHP4 。此時，取出已完成加熱冷卻單元PHP4 中之PEB處理的基板W而將其載置於載置部PASS6B (步驟S14、步驟S15b、步驟S16b)。
然後，第1搬送機構TIFA 再度存取載置部PASS5 而反覆進行上述動作。此外，該動作由第6控制器98控制。
以下說明第2搬送機構TIFB 之其他動作。第2搬送機構TIFB 從載置部PASS-CP取出基板W，將其搬送至曝光機EXP。在曝光機EXP中對基板W實施曝光(步驟S13)。
如此，根據實施例之基板處理裝置，由於將基板W搬送至曝光機EXP的順序調整為與基板W搬入處理部3的順序OA相同，因此搬送至曝光機EXP的基板W之順序OE，與搬入處理部3之順序OA相一致。因此，可易於管理各基板W。又，亦可易於追蹤調查各基板W在處理部3或曝光機EXP中之處理歷程。
又，由於在IF部5調整基板W從各基板處理列Lu、Ld送出的順序(相當於順序OD)，因此不需要在各基板處理列Lu、Ld間調整基板送出的時間。因此，可在各基板處理列Lu、Ld中互相獨立地處理基板W。因此，控制基板處理列Lu之第2、第3控制器94、95與控制基板處理列Ld之第4、第5控制器96、97不需要相互取得協調。因此，可減輕各第2至第5控制器94~97控制時之負擔。
又，在將基板W送出至載置部PASS5 、PASS6 後，第1搬送機構TIFA 收取載置於載置部PASS5 、PASS6 的基板W。因此，基板處理列Lu、Ld(階層K3、K4)可立即送出新的基板W，可防止因送出基板W而導致降低基板處理列L之處理效率。
又，由於IF部5具備緩衝部BF，所以可較佳地將IF部5收取到的基板W之順序OD調整為往曝光機EXP搬送的基板W之順序OE。更進一步，控制部90在載置於緩衝部BF的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時，控制該基板W使其搬送至上述曝光機EXP，因此可較佳地調整為順序OE。
又，由於緩衝部BF可載置或收容複數片基板W，因此可較佳地調整為順序OE。
又，控制部90藉由參照圖15或圖16A、圖16B所例示用以特定搬入處理部3的順序OA之資訊，而可較佳地判斷第1搬送機構TIFA 收取到的基板W是否為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W。
又，ID部1將搬入處理部3的基板一片一片規則地交互分配至階層K1、K3而搬送(參照圖1)，因此可使對各基板處理列L搬送基板W的速度略同。藉此，可抑制基板處理列L間之動作不均。
本發明不受限在上述實施形態，可如下述變形而實施。
(1)在上述實施例中，其動作雖僅由第1搬送機構TIFA 存取緩衝部BF，且僅透過載置部PASS-CP從第1搬送機構TIFA 交接基板W至第2搬送機構TIFB ，但不受限於此。例如，其動作亦可構成為可由第1、第2搬送機構TIFA 、TIFB 存取緩衝部BF，且亦可透過載置部PASS-CP與緩衝部BF之任一者而在第1、第2搬送機構TIFA 、TIFB 間交接基板W。
具體而言，亦可變更為在控制部90認定載置於緩衝部BF的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時，由第2搬送機構TIFB 存取緩衝部BF而取出經判斷為相一致的基板W，將其直接搬送至曝光機EXP。圖18為模式性表示此種變形例之第1、第2搬送機構TIFA 、TIFB 分別反覆進行的動作之圖，用以進行上述基板W之搬送。
藉此，可省略第1搬送機構TIFA 存取緩衝部BF以從緩衝部BF取出該基板W之動作，而可提高搬送效率。又，即使在將載置於緩衝部BF的基板W認定為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時，基板W已從基板處理列L送出，第1搬送機構TIFA 亦可從基板處理列L收取基板W，第2搬送機構TIFB 亦可將基板W搬送至曝光機EXP。亦即，第1搬送機構TIFA 不需要如上述實施例般依優先順序從基板處理列L收取，或搬送至曝光機EXP。因此，可減輕第6控制器98之控制負擔。
(2)在上述實施例中，雖說明圖14、圖15所例示，將用以特定搬入處理部3的基板W之順序OA的資訊預先設定在控制部90，但不受限於此。亦可變更為與控制ID用搬送機構TID 之第1控制器91等協力取得搬入的順序OA。
(3)在上述實施例中，雖說明緩衝部BF可載置或收容複數片基板W，但亦可將基板W片數變更為單一，而成為可載置單片基板W。
(4)在上述實施例中，雖僅說明在第1搬送機構TIFA 收取到的基板W不是下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時，第1搬送機構TIFA 僅單純將該基板W載置於緩衝部BF，但亦可構成如下。亦即，亦可變更為針對每個送出的基板處理列L而改變載置基板W的緩衝部BF之位置。就各基板處理列Lu、Ld而言，搬入各基板處理列Lu、Ld的基板W之順序與從該基板處理列Lu、Ld搬出的基板W之順序OB、OC相同。因此，藉由針對每個基板處理列Lu、Ld而改變載置於緩衝部BF的基板W之位置，而可在IF部5中簡易地調整搬送至曝光機EXP的基板W之順序OE。
(5)在上述實施例中，亦可更進一步變更為在載置於緩衝部BF的基板W超過既定片數時，停止從ID部1將基板W搬入處理部3。在緩衝部BF達到無法載置更多基板W的狀態時，無法將基板W從處理部3平順地送出至IF部5。若於此種狀況下將基板W搬入處理部3，則在搬入處理部3時與從處理部3送出時之間，在基板間會產生時間差，導致基板W之處理品質降低等。然而，根據該變形例，由於在載置於緩衝部BF的基板W超過既定片數後，便停止將基板W從ID部1搬入處理部3，因此可將如上基板W處理品質的下降等防範於未然。
(6)在上述實施例中，雖說明IF用搬送機構TIF 具有第1搬送機構TIFA 與第2搬送機構TIFB ，但不受限於此。例如，亦可將其變更為具有1座或3座以上之搬送機構。
(7)在上述實施例中，雖其動作為將從ID部1搬入處理部3的基板W一片一片地交互分配至階層K1、K3而搬送，但分配方式亦可適當變更、選擇。例如，亦可將從ID部1搬入處理部3的基板W以每次複數片地分配至各基板處理列L。又，可使搬送至基板處理列L的基板W之比例在基板處理列L間相等，或者不同。
(8)在上述實施例中，雖說明即使在認定載置於緩衝部BF的基板W為下一個應搬送至曝光機EXP之順序的基板W時，在從基板處理列L送出基板W時，最好優先收取從基板處理列L送出的基板W，但不受限於此。亦即，亦可優先進行將載置於緩衝部BF的基板W搬送至曝光機EXP的動作。
(9)在上述實施例中，雖為具備有2個基板處理列L之構成，但不受限於此。亦可變成為3個以上基板處理列L呈多段而設置在上下方向之構成。
(10)在上述實施例中，雖基板處理列L在上下方向並排而設置，但不受限於此。例如，亦可變更為具備有在橫方向或水平方向並排而設置的複數基板處理列。或者，亦可將複數基板處理列於橫方向及上下方向分別並排而配置。
(11)在上述實施例中，雖以並排有2台處理區Ba、Bb之方式構成處理部3，但不受限於此。例如，可由單一處理區構成處理部3，亦可由3台以上之處理區構成。亦可將構成基板處理列Lu之單一處理區與構成基板處理列Ld之單一處理區上下疊層。
(12)在上述實施例中，基板處理列L雖為進行於基板W形成阻劑膜或反射防止膜的處理、和曝光後加熱(PEB)處理、顯像處理者，但不受限於此。亦可變更為在基板處理列L中對基板W進行洗淨處理等其他處理。藉此，可適當選擇、設計各處理單元之種類、個數等。
本發明在不脫離其思想或本質之範圍內可以其他具體形態實施。因此，本案發明範圍並不受限於以上說明，應參照所附申請專利範圍而定。
1．．．索引器部
3．．．處理部
5．．．介面部
9．．．卡匣載置台
10．．．基板處理裝置
21．．．可動台
23．．．升降軸
25．．．保持臂
31．．．塗佈處理單元
32．．．旋轉保持部
33．．．杯部
34．．．供給部
35．．．噴嘴
36．．．把持部
37．．．噴嘴移動機構
37a．．．第1導軌
37b．．．第2導軌
38．．．處理液配管
41．．．熱處理單元
42．．．熱處理單元
43．．．平板
51．．．第3導軌
52．．．第4導軌
53．．．基部
55．．．旋轉台
57a、57b．．．保持臂
61．．．第1吹出單元
62．．．吸引氣體排出單元
61a．．．第1吹出口
62a．．．排出口
63．．．第1氣體供給管
64．．．第1氣體排出管
65．．．第2氣體供給管
66．．．第2氣體排出管
67．．．第2吹出單元
75．．．框體
77．．．旋轉保持部
79．．．杯部
81．．．供給部
81a．．．狹縫噴嘴
81b．．．移動機構
83．．．基台
85．．．升降軸
87．．．保持臂
90．．．控制部
91．．．主控制器
93~99．．．第1~第7控制器
A1 ~A4 ．．．搬送空間
AHL、AHL1 、AHL3 ．．．附著處理單元
BARC．．．反射防止膜用塗佈處理單元
BARC1 、BARC3 ．．．反射防止膜用塗佈處理單元
Ba、Bb．．．處理區
BF．．．緩衝部
C．．．卡匣
CP、CP1 ~CP4 ．．．冷卻單元
DEV、DEV2 、DEV4 ．．．顯像處理單元
EXP．．．曝光機
EEW、EEW2 、EEW4 ．．．邊緣曝光單元
f．．．小孔
HP、HP2 、HP4 ．．．加熱單元
K1~K4．．．階層
L、Lu、Ld．．．基板處理列
OA、OB、OC．．．順序
OD、OE．．．順序
PASS-CP．．．載置部
PASS1 ~PASS7 ．．．載置部
PASS1A ~PASS6A ．．．載置部
PASS1B ~PASS6B ．．．載置部
PHP、PHP1 ~PHP4 ．．．加熱冷卻單元
PS．．．豎孔部
Q．．．軸心
RESIST．．．阻劑膜用塗佈處理單元
RESIST1 、RESIST3 ．．．阻劑膜用塗佈處理單元
T、T1 ~T4 ．．．主搬送機構
TID ．．．ID用搬送機構
TIF ．．．IF用搬送機構
TIFA ．．．第1搬送機構
TIFB ．．．第2搬送機構
W、Wa~Wh．．．基板
雖為說明本發明而圖示目前認為較佳之數個形態，但可理解本發明並不受限於如圖式之構成及對策。
圖1為表示實施例基板處理裝置之概略構成的模式圖。
圖2為表示實施例基板處理裝置之概略構成的俯視圖。
圖3為表示基板處理裝置所具有處理單元之配置的概略側視圖。
圖4為表示基板處理裝置所具有處理單元之配置的概略側視圖。
圖5為圖2中a-a箭頭方向之各垂直剖視圖。
圖6為圖2中b-b箭頭方向之各垂直剖視圖。
圖7為圖2中C-C箭頭方向之各垂直剖視圖。
圖8為圖2中d-d箭頭方向之各垂直剖視圖。
圖9A為塗佈處理單元之俯視圖。
圖9B為塗佈處理單元之剖視圖。
圖10為主搬送機構之立體圖。
圖11為實施例基板處理裝置之控制方塊圖。
圖12為表示對基板進行的一連串處理之流程圖。
圖13為模式性表示各搬送機構所分別反覆進行的動作之圖。
圖14為表示各基板之識別資訊與經從ID部搬入處理部的基板之順序的關係資訊之模式圖。
圖15為表示從ID部搬入處理部的基板之順序與搬送基板之基板處理列的關係資訊之模式圖。
圖16A為表示從基板處理列送出至IF部的基板之順序與從ID部搬入處理部的基板之順序的關係之模式圖。
圖16B為表示從基板處理列送出至IF部的基板之順序與從ID部搬入處理部的基板之順序的關係之模式圖。
圖17A為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17B為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17C為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17D為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17E為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17F為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17G為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17H為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17I為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖17J為依時間經過之順序模式性表示從各基板處理列送出的複數基板經由IF部往曝光機搬送的情況之圖。
圖18為模式性表示變形例第1、第2搬送機構所分別反覆進行的動作之圖。
1．．．索引器部
3．．．處理部
5．．．介面部
10．．．基板處理裝置
EXP．．．曝光機
Lu、Ld．．．基板處理列
Wa~Wh．．．基板
OA、OB、OC．．．順序
OD、OE．．．順序

Claims (24)

  1. 一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：處理部，具有複數個基板處理列，於大略水平方向搬送基板並同時處理基板，其可於各基板處理列中同時處理基板；以及介面部，其鄰接於上述處理部而設置，將從各基板處理列送出的基板搬送至有別於本裝置的曝光機；上述複數基板處理列係於上下方向排列而設置，各基板處理列係分別具備有複數個處理單元與將基板搬送至該等處理單元之主搬送機構，在各基板處理列所進行之處理係相同，基板搬送至上述曝光機的順序，與基板搬入上述處理部的順序相同，上述基板處理列係分別進行用以在基板形成阻劑膜之處理、及用以對基板實施顯像之處理，上述介面部係進一步將從曝光機送出的基板搬送至各基板處理列。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述介面部係進一步將從曝光機送出之基板搬送至各基板處理列。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述介面部將從上述基板處理列送出的基板，調整為基板 搬入上述處理部的順序。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述介面部具備有：介面用搬送機構，其對各基板處理列與上述曝光機搬送基板；及緩衝部，其使基板暫時載置；上述介面用搬送機構在從上述基板處理列送出基板後，收取該基板，同時在收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板搬送至曝光機，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述介面用搬送機構在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至上述曝光機。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，即使在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，上述介面用搬送機構仍在從上述基板處理列送出基板時，優先收取所送出的基板。
  7. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述介面用搬送機構具備有：第1搬送機構，其對各基板處理列與上述緩衝部搬送基 板；以及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構之間交接基板，同時對上述曝光機搬送基板；上述第1搬送機構在從上述基板處理列所收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，當載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部交接給上述第2搬送機構，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將該基板搬送至上述曝光機。
  8. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述介面用搬送機構具備有：第1搬送機構，其對各基板處理列與上述緩衝部搬送基板；以及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構之間交接基板，同時對上述緩衝部與上述曝光機搬送基板；上述第1搬送機構在從上述基板處理列收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到 的基板載置於上述緩衝部，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將受交接的基板搬送至上述曝光機，當載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至上述曝光機。
  9. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，上述介面用搬送機構依送出該基板的基板處理列而改變將基板載置於上述緩衝部的位置。
  10. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，基板搬入上述處理部之順序，係根據基板搬入上述處理部之順序與該基板之識別資訊的對應關係而特定。
  11. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，基板搬入至上述處理部之順序，係根據基板搬入上述處理部之順序與搬送有該基板之基板處理列的對應關係而特定。
  12. 一種基板處理裝置，用以處理基板，其包含以下元件：處理部，於橫方向並排有複數個處理區，各該處理區具有設置在上下方向各階層中用以處理基板的處理單元、及設於各階層中對該階層之處理單元搬送基板的主搬送機構，而構成為可在相鄰接之處理區的相同階層之主搬送機構間交接基板；其以配置於兩端的各處理區分別為第1處理區與第2處理區，將搬入上述第1處理區之各階層的基板透過各處理區之相同階層而搬送至上述第2處理區，並同時於各個階層 對基板進行一連串之處理；索引器部，與上述第1處理區相鄰接而設置，可對上述第1處理區之各階層搬送基板；介面部，與上述第2處理區相鄰接而設置，具備有對上述第2處理區之各階層及有別於本裝置之曝光機搬送基板的介面用搬送機構；以及控制部，控制上述介面用搬送機構，使從上述第2處理區送出的基板，依基板搬入上述第1處理區之順序的相同順序搬送至上述曝光機，在上述處理部之各階層所進行之處理係相同，在上述處理部之各階層進行用以在基板形成阻劑膜之處理、及用以對基板實施顯像之處理，上述介面部係進一步將從曝光機送出的基板搬送至上述第2處理區之各階層。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，根據上述控制部之控制，上述介面用搬送機構將從上述第2處理區送出的基板，調整為搬入上述第1處理區的基板之順序。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述介面部具備有暫時載置基板的緩衝部，根據上述控制部之控制，上述介面用搬送機構在從上述第2處理區收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順 序的基板時，將上述收取到的基板搬送至上述曝光機，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，根據上述控制部之控制，上述介面用搬送機構在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至曝光機。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，根據上述控制部之控制，即使在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，上述介面用搬送機構仍在從上述第2處理區送出基板時，優先收取送出的基板。
  17. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述介面用搬送機構具備有：第1搬送機構，其對上述第2處理區之各階層與上述緩衝部搬送基板；以及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構之間交接基板，同時對上述曝光機搬送基板；根據上述控制部之控制，上述第1搬送機構在從上述第2處理區之各階層收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝 光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部交接給上述第2搬送機構，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將該基板搬送至上述曝光機。
  18. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述介面用搬送機構具備有：第1搬送機構，其對上述第2處理區之各階層與上述緩衝部搬送基板；以及第2搬送機構，其在與上述第1搬送機構之間交接基板，同時對上述緩衝部與上述曝光機搬送基板；根據上述控制部之控制，上述第1搬送機構在從上述第2處理區之各階層收取到的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板交接給上述第2搬送機構，在上述收取到的基板不是下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將上述收取到的基板載置於上述緩衝部，上述第2搬送機構在從上述第1搬送機構受交接基板後，將受交接的基板搬送至上述曝光機，在載置於上述緩衝部的基板為下一個應搬送至上述曝光機之順序的基板時，將該基板從上述緩衝部搬送至上述曝光機。
  19. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述控制部在載置於上述緩衝部的基板超過既定片數時，停止從上述索引器部將基板搬入上述處理部。
  20. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述控制部根據從上述索引器部搬入上述處理部的順序，依其與該基板之識別資訊的對應關係，調整將各基板搬送至上述曝光機的順序。
  21. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述控制部根據基板從上述索引器部搬入上述處理部之順序，依其與搬送該基板的上述第1處理區之階層的對應關係，調整將基板搬送至上述曝光機的順序。
  22. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述索引器部將搬入上述處理部的基板，規則性地一片一片分配至上述第1處理區之各階層。
  23. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中，上述處理部包含有塗佈處理區與顯像處理區作為上述處理區，上述塗佈處理區具備有對基板塗佈阻劑膜材料的阻劑膜用塗佈處理單元作為上述處理單元，上述顯像處理區具備有對基板供給顯像液的顯像處理單元作為上述處理單元。
  24. 如申請專利範圍第12項之基板處理裝置，其中， 上述介面部係進一步將從曝光機送出之基板搬送至上述第2處理區之各階層。
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