JP2003059810A - 薬液処理装置 - Google Patents
薬液処理装置Info
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- JP2003059810A JP2003059810A JP2001248787A JP2001248787A JP2003059810A JP 2003059810 A JP2003059810 A JP 2003059810A JP 2001248787 A JP2001248787 A JP 2001248787A JP 2001248787 A JP2001248787 A JP 2001248787A JP 2003059810 A JP2003059810 A JP 2003059810A
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- nozzle
- spherical body
- developing solution
- chemical liquid
- chemical
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- Coating Apparatus (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、空気の巻込みや流下位置及
び範囲のばらつきを増加させることなく、流下される処
理液の流速を緩和し処理液が被処理物に当たるときの衝
撃の強さを軽減させる処理液ノズルを備えた薬液処理装
置を提供することである。 【解決手段】 本発明の現像装置が備える現像液ノズル
１０１は、レジスト塗布面２ａに対向するノズル１０１
底面に下向きに開口された複数の小孔から成る吐出口１
０２を有し、吐出口１０２の下方近傍に球状体１０３を
配置している。球状体１０３は、ノズル１０１底面から
伸びた下方に向って広がる流線型をした接続部１０４
と、略球形の中央部１０５と、下方に向って先細りとな
る流線型をした先端部１０６とから成り、吐出口１０２
から吐出された現像液６は、球状体１０３の表面に伝っ
て流れ、先細りとなった流線型を成す先端部１０６にゆ
っくりと層流を成して集束していき、レジスト塗布面２
ａに流下される。
び範囲のばらつきを増加させることなく、流下される処
理液の流速を緩和し処理液が被処理物に当たるときの衝
撃の強さを軽減させる処理液ノズルを備えた薬液処理装
置を提供することである。 【解決手段】 本発明の現像装置が備える現像液ノズル
１０１は、レジスト塗布面２ａに対向するノズル１０１
底面に下向きに開口された複数の小孔から成る吐出口１
０２を有し、吐出口１０２の下方近傍に球状体１０３を
配置している。球状体１０３は、ノズル１０１底面から
伸びた下方に向って広がる流線型をした接続部１０４
と、略球形の中央部１０５と、下方に向って先細りとな
る流線型をした先端部１０６とから成り、吐出口１０２
から吐出された現像液６は、球状体１０３の表面に伝っ
て流れ、先細りとなった流線型を成す先端部１０６にゆ
っくりと層流を成して集束していき、レジスト塗布面２
ａに流下される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、処理液を被処理物
に流下し、被処理物の表面を薬液処理する薬液処理装
置、例えば、レジストを塗布、露光した半導体ウェーハ
表面に現像液を流下しレジストの現像処理する現像装置
などに関し、特に、処理液が被処理物に流下されるとき
の衝撃を緩和する薬液処理装置に関する。
に流下し、被処理物の表面を薬液処理する薬液処理装
置、例えば、レジストを塗布、露光した半導体ウェーハ
表面に現像液を流下しレジストの現像処理する現像装置
などに関し、特に、処理液が被処理物に流下されるとき
の衝撃を緩和する薬液処理装置に関する。
【０００２】半導体装置の製造工程における従来の薬液
処理技術の一つとして、半導体ウェーハの表面に塗布し
たレジストを露光し、その後、現像液で現像処理する技
術が知られており、この現像処理技術は、ＬＳＩの高集
積化に伴い、より高度な技術が要求されてきている。特
に、現像の均一性を高めるために、直接、ノズルから流
下された現像液で現像される部分と、半導体ウェーハの
回転で押し広げられた現像液で現像される部分との差を
減らす工夫がなされており、このためには、流下される
現像液のレジストに対する衝撃をできるだけ軽減し、現
像液の流速、流量、吐出方向を制御することが重要であ
ると考えられている。
処理技術の一つとして、半導体ウェーハの表面に塗布し
たレジストを露光し、その後、現像液で現像処理する技
術が知られており、この現像処理技術は、ＬＳＩの高集
積化に伴い、より高度な技術が要求されてきている。特
に、現像の均一性を高めるために、直接、ノズルから流
下された現像液で現像される部分と、半導体ウェーハの
回転で押し広げられた現像液で現像される部分との差を
減らす工夫がなされており、このためには、流下される
現像液のレジストに対する衝撃をできるだけ軽減し、現
像液の流速、流量、吐出方向を制御することが重要であ
ると考えられている。
【０００３】従来の現像装置の一例を断面図として示す
図３を用いて説明する。現像装置１は、半導体ウェーハ
２のレジスト塗布面２ａを上向きにして半導体ウェーハ
２を吸着保持するチャック部３と、チャック部３を回転
軸４周りに回転させる回転駆動部５と、半導体ウェーハ
２の中央部上方に配設されレジスト塗布面２ａに現像液
６を流下する現像液ノズル７と、半導体ウェーハ２周辺
を覆い半導体ウェーハ２の回転により生じる遠心力で飛
散する現像液６の飛沫を付着させるチャンバ８と、現像
液６を洗い流すリンス液（図示せず）を吐出するリンス
ノズル（図示せず）と、現像液６やリンス液（図示せ
ず）を排出する排液口９とで構成されている。
図３を用いて説明する。現像装置１は、半導体ウェーハ
２のレジスト塗布面２ａを上向きにして半導体ウェーハ
２を吸着保持するチャック部３と、チャック部３を回転
軸４周りに回転させる回転駆動部５と、半導体ウェーハ
２の中央部上方に配設されレジスト塗布面２ａに現像液
６を流下する現像液ノズル７と、半導体ウェーハ２周辺
を覆い半導体ウェーハ２の回転により生じる遠心力で飛
散する現像液６の飛沫を付着させるチャンバ８と、現像
液６を洗い流すリンス液（図示せず）を吐出するリンス
ノズル（図示せず）と、現像液６やリンス液（図示せ
ず）を排出する排液口９とで構成されている。
【０００４】この現像装置１でレジスト塗布面２ａに現
像液６を塗布する方法は、先ず、チャック部３でレジス
ト塗布面２ａを上向きにして半導体ウェーハ２を吸着保
持し、現像液ノズル７から現像液６をレジスト塗布面２
ａ上に流下しつつ回転駆動部５を作動しチャック部３を
低速で回転軸４周りに回転させる。この回転によって生
じる遠心力を利用して半導体ウェーハ２の中央部に流下
された現像液６をレジスト塗布面２ａ全面に押し広げる
のである。尚、この際、現像液６の表面張力を利用して
半導体ウェーハ２の外に現像液６が飛び散らないように
回転数や現像液６の流量などを制御するが、万一、余分
な現像液６が遠心力で飛沫となって飛散しても周囲を覆
うチャンバ８に付着する。また、所定の現像処理が完了
すると、現像液６はリンスノズル（図示せず）から吐出
されるリンス液（図示せず）で洗浄され、排液口９から
排出される。
像液６を塗布する方法は、先ず、チャック部３でレジス
ト塗布面２ａを上向きにして半導体ウェーハ２を吸着保
持し、現像液ノズル７から現像液６をレジスト塗布面２
ａ上に流下しつつ回転駆動部５を作動しチャック部３を
低速で回転軸４周りに回転させる。この回転によって生
じる遠心力を利用して半導体ウェーハ２の中央部に流下
された現像液６をレジスト塗布面２ａ全面に押し広げる
のである。尚、この際、現像液６の表面張力を利用して
半導体ウェーハ２の外に現像液６が飛び散らないように
回転数や現像液６の流量などを制御するが、万一、余分
な現像液６が遠心力で飛沫となって飛散しても周囲を覆
うチャンバ８に付着する。また、所定の現像処理が完了
すると、現像液６はリンスノズル（図示せず）から吐出
されるリンス液（図示せず）で洗浄され、排液口９から
排出される。
【０００５】ここで、現像液ノズル７の吐出口を、正面
図及び下面図として示す図４を用いて説明する。先ず、
図４（ａ）に示すように、通常、吐出口１０は被処理物
（図示せず）の方向を向いた一つの略円形が主流であ
り、このような吐出口１０の場合、流下位置は現像液６
（図中矢印で示す）の流量に依らず一定するが、吐出口
１０を出た現像液６の流れには渦が生じ乱流となり、周
囲の空気を巻込みながら強く不均一な流速でもってレジ
スト塗布面（図示せず）に当たり衝撃を与える。この衝
撃が大きいと現像液６が直接、当たった部分と、これが
押し広げられた部分とでは現像の出来具合に差が生じる
ことになる。これを緩和するために、例えば、吐出口を
図４（ｂ），（ｃ）に示すように、複数の小さな吐出口
１１に分割し、分割した吐出口１１をノズル７底面ある
いはノズル７側面に設ける構成とすると、現像液６を一
つの吐出口１０から流下する場合に比べて、衝撃の強さ
は低減できるが、流量に依って流下位置や範囲がばらつ
き、変化しやすくなるとともに、空気の巻込みがかえっ
て増加する虞があった。
図及び下面図として示す図４を用いて説明する。先ず、
図４（ａ）に示すように、通常、吐出口１０は被処理物
（図示せず）の方向を向いた一つの略円形が主流であ
り、このような吐出口１０の場合、流下位置は現像液６
（図中矢印で示す）の流量に依らず一定するが、吐出口
１０を出た現像液６の流れには渦が生じ乱流となり、周
囲の空気を巻込みながら強く不均一な流速でもってレジ
スト塗布面（図示せず）に当たり衝撃を与える。この衝
撃が大きいと現像液６が直接、当たった部分と、これが
押し広げられた部分とでは現像の出来具合に差が生じる
ことになる。これを緩和するために、例えば、吐出口を
図４（ｂ），（ｃ）に示すように、複数の小さな吐出口
１１に分割し、分割した吐出口１１をノズル７底面ある
いはノズル７側面に設ける構成とすると、現像液６を一
つの吐出口１０から流下する場合に比べて、衝撃の強さ
は低減できるが、流量に依って流下位置や範囲がばらつ
き、変化しやすくなるとともに、空気の巻込みがかえっ
て増加する虞があった。
【０００６】尚、上記では、現像液ノズル７を被処理物
である半導体ウェーハ２の上方に固定し動かすことなく
現像液６の流下を行う構成で説明したが、回転している
半導体ウェーハ２に対して現像液ノズル７をスキャンさ
せながら流下する構成であっても構わない。
である半導体ウェーハ２の上方に固定し動かすことなく
現像液６の流下を行う構成で説明したが、回転している
半導体ウェーハ２に対して現像液ノズル７をスキャンさ
せながら流下する構成であっても構わない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従来の薬液処理装置が
備える処理液ノズルでは、処理液を被処理物上にできる
だけ衝撃を与えずに流下するために吐出口を分割するな
どの工夫がなされてきたが、単に吐出口を分割するだけ
では、衝撃の強さは軽減できても、空気の巻込み、流下
位置や範囲のばらつきの増加を招く虞があり充分とは言
えなかった。空気の巻込みは、いわゆるマイクロバブル
に起因する現像欠陥の原因となり、流下位置や範囲のば
らつきは現像不均一の原因となった。
備える処理液ノズルでは、処理液を被処理物上にできる
だけ衝撃を与えずに流下するために吐出口を分割するな
どの工夫がなされてきたが、単に吐出口を分割するだけ
では、衝撃の強さは軽減できても、空気の巻込み、流下
位置や範囲のばらつきの増加を招く虞があり充分とは言
えなかった。空気の巻込みは、いわゆるマイクロバブル
に起因する現像欠陥の原因となり、流下位置や範囲のば
らつきは現像不均一の原因となった。
【０００８】本発明の目的は、空気の巻込みや流下位置
及び範囲のばらつきを増加させることなく、流下される
処理液の流速を緩和し処理液が被処理物に当たるときの
衝撃の強さを軽減させる処理液ノズルを備えた薬液処理
装置を提供することである。
及び範囲のばらつきを増加させることなく、流下される
処理液の流速を緩和し処理液が被処理物に当たるときの
衝撃の強さを軽減させる処理液ノズルを備えた薬液処理
装置を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために提案されたもので、被処理物上に処理液を流
下し被処理物を薬液処理する薬液処理装置において、処
理液を吐出する吐出口を有するノズルを備えるととも
に、吐出口の近傍に球状体を配置し、吐出口から吐出さ
れた処理液を球状体の表面を伝って流し被処理物上に流
下することを特徴とする薬液処理装置である。
するために提案されたもので、被処理物上に処理液を流
下し被処理物を薬液処理する薬液処理装置において、処
理液を吐出する吐出口を有するノズルを備えるととも
に、吐出口の近傍に球状体を配置し、吐出口から吐出さ
れた処理液を球状体の表面を伝って流し被処理物上に流
下することを特徴とする薬液処理装置である。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に係る薬液処理装置の一例
として、現像装置の現像液ノズルを要部斜視図として示
す図１（ａ）及び要部断面図として示す図１（ｂ）を参
照して説明する。図２，図３と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。本発明の現像装置（図示せず）
が備える現像液ノズル１０１は、レジスト塗布面２ａに
対向するノズル１０１底面に図中下向きに開口された複
数の小さな吐出口１０２を有し、吐出口１０２の下方近
傍に球状体１０３を配置している。球状体１０３は、ノ
ズル１０１底面から伸びた下方に向って広がる流線型を
した接続部１０４と、略球形の中央部１０５と、下方に
向って先細りとなる流線型をした先端部１０６とから成
り、複数の各吐出口１０２は、接続部１０４と接するよ
うに配置され、吐出口１０２から吐出された現像液６が
球状体１０３の表面を伝って流れるようになっている。
中央部１０５は充分な膨らみを有し、表面を流れる現像
液６が薄く濡れ広がることで、吐出口１０２から出た現
像液６の流速が緩和されるとともに、現像液６中に含ま
れた空気が取り除かれる。中央部１０５を通過した現像
液６は、先細りとなった流線型を成す先端部１０６にゆ
っくりと層流を成して集束していき、レジスト塗布面２
ａに流下される。尚、この球状体１０３は、現像液ノズ
ル１０１本体と一体の構成であってもよいが、別体とし
て着脱自在に取付けておき、中央部１０５の膨らみ具合
が異なる球状体を何種か準備しておき、現像液６の粘度
や流量に応じて適切なものに取換えられる構成としても
よい。また、球状体の変形例として図２（ａ）に示すよ
うに、球状体１０３表面に現像液６の流れを案内する溝
１０７を付けて流れを形成しやすくしたり、図２（ｂ）
に示すように、２段の膨らみを設けた瓢箪型中央部１０
８として効果をアップさせてもよい。
として、現像装置の現像液ノズルを要部斜視図として示
す図１（ａ）及び要部断面図として示す図１（ｂ）を参
照して説明する。図２，図３と同一部分には同一符号を
付して説明を省略する。本発明の現像装置（図示せず）
が備える現像液ノズル１０１は、レジスト塗布面２ａに
対向するノズル１０１底面に図中下向きに開口された複
数の小さな吐出口１０２を有し、吐出口１０２の下方近
傍に球状体１０３を配置している。球状体１０３は、ノ
ズル１０１底面から伸びた下方に向って広がる流線型を
した接続部１０４と、略球形の中央部１０５と、下方に
向って先細りとなる流線型をした先端部１０６とから成
り、複数の各吐出口１０２は、接続部１０４と接するよ
うに配置され、吐出口１０２から吐出された現像液６が
球状体１０３の表面を伝って流れるようになっている。
中央部１０５は充分な膨らみを有し、表面を流れる現像
液６が薄く濡れ広がることで、吐出口１０２から出た現
像液６の流速が緩和されるとともに、現像液６中に含ま
れた空気が取り除かれる。中央部１０５を通過した現像
液６は、先細りとなった流線型を成す先端部１０６にゆ
っくりと層流を成して集束していき、レジスト塗布面２
ａに流下される。尚、この球状体１０３は、現像液ノズ
ル１０１本体と一体の構成であってもよいが、別体とし
て着脱自在に取付けておき、中央部１０５の膨らみ具合
が異なる球状体を何種か準備しておき、現像液６の粘度
や流量に応じて適切なものに取換えられる構成としても
よい。また、球状体の変形例として図２（ａ）に示すよ
うに、球状体１０３表面に現像液６の流れを案内する溝
１０７を付けて流れを形成しやすくしたり、図２（ｂ）
に示すように、２段の膨らみを設けた瓢箪型中央部１０
８として効果をアップさせてもよい。
【００１１】尚、上記では、現像液ノズル１０１を被処
理物である半導体ウェーハ２の上方に固定し動かすこと
なく現像液６の流下を行う構成で説明したが、回転して
いる半導体ウェーハ２に対して現像液ノズル１０１をス
キャンさせながら流下する構成であっても構わない。
理物である半導体ウェーハ２の上方に固定し動かすこと
なく現像液６の流下を行う構成で説明したが、回転して
いる半導体ウェーハ２に対して現像液ノズル１０１をス
キャンさせながら流下する構成であっても構わない。
【００１２】
【発明の効果】本発明に係る薬液処理装置によれば、処
理液ノズルの吐出口の近傍に球状体を設け、吐出口から
出た処理液を球状体表面を流すことで処理液の流速を緩
和し、処理液が被処理物に当たる衝撃を軽減できる。ま
た、処理液の流量に多少のばらつきがあっても均一化さ
れ、処理液中に含まれる空気を取り除くことができるた
め、現像不均一や現像欠陥が少ない現像処理ができる。
理液ノズルの吐出口の近傍に球状体を設け、吐出口から
出た処理液を球状体表面を流すことで処理液の流速を緩
和し、処理液が被処理物に当たる衝撃を軽減できる。ま
た、処理液の流量に多少のばらつきがあっても均一化さ
れ、処理液中に含まれる空気を取り除くことができるた
め、現像不均一や現像欠陥が少ない現像処理ができる。
【図１】 本発明の一実施例としての現像装置が備える
現像液ノズルの要部斜視図及び要部断面図
現像液ノズルの要部斜視図及び要部断面図
【図２】 本発明の変形例の要部斜視図
【図３】 従来の現像装置の断面図
【図４】 従来の現像装置が備える現像液ノズルの正面
図及び下面図
図及び下面図
２ａ レジスト塗布面
６ 現像液
１０１ 現像液ノズル
１０２ 吐出口
１０３ 球状体
Claims (3)
- 【請求項１】被処理物上に処理液を流下し被処理物を薬
液処理する薬液処理装置において、処理液を吐出する吐
出口を有するノズルを備えるとともに、前記吐出口の近
傍に球状体を配置し、吐出口から吐出された処理液を前
記球状体の表面を伝って流し被処理物上に流下すること
を特徴とする薬液処理装置。 - 【請求項２】薬液処理装置は、半導体ウェーハに現像液
を流下する現像装置であることを特徴とする請求項１に
記載の薬液処理装置。 - 【請求項３】球状体は、ノズルに接続され、球状体中央
部から上下両端に向って細くなる流線型を成すことを特
徴とする請求項１に記載の薬液処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001248787A JP2003059810A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 薬液処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001248787A JP2003059810A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 薬液処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003059810A true JP2003059810A (ja) | 2003-02-28 |
Family
ID=19077888
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001248787A Pending JP2003059810A (ja) | 2001-08-20 | 2001-08-20 | 薬液処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003059810A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100733027B1 (ko) | 2006-03-22 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 액체 코팅 장치 및 방법 |
| WO2011033864A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | シャープ株式会社 | 塗布装置および塗布方法 |
| JP2012216798A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 現像ノズル、現像装置および現像方法 |
| US8851008B2 (en) | 2007-06-29 | 2014-10-07 | Sokudo Co., Ltd. | Parallel substrate treatment for a plurality of substrate treatment lines |
| US9184071B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-11-10 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
| US9299596B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-03-29 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel substrate treatment lines simultaneously treating a plurality of substrates |
| US9368383B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-06-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with substrate reordering |
-
2001
- 2001-08-20 JP JP2001248787A patent/JP2003059810A/ja active Pending
Cited By (13)
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| KR100733027B1 (ko) | 2006-03-22 | 2007-06-27 | 삼성전자주식회사 | 액체 코팅 장치 및 방법 |
| US9230834B2 (en) | 2007-06-29 | 2016-01-05 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus |
| US10290521B2 (en) | 2007-06-29 | 2019-05-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with parallel gas supply pipes and a gas exhaust pipe |
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| US9174235B2 (en) | 2007-06-29 | 2015-11-03 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus using horizontal treatment cell arrangements with parallel treatment lines |
| US9687874B2 (en) | 2007-11-30 | 2017-06-27 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
| US9184071B2 (en) | 2007-11-30 | 2015-11-10 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Multi-story substrate treating apparatus with flexible transport mechanisms and vertically divided treating units |
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| US9368383B2 (en) | 2007-12-28 | 2016-06-14 | Screen Semiconductor Solutions Co., Ltd. | Substrate treating apparatus with substrate reordering |
| JP5283756B2 (ja) * | 2009-09-17 | 2013-09-04 | シャープ株式会社 | 塗布装置および塗布方法 |
| WO2011033864A1 (ja) * | 2009-09-17 | 2011-03-24 | シャープ株式会社 | 塗布装置および塗布方法 |
| JP2012216798A (ja) * | 2011-03-25 | 2012-11-08 | Toppan Printing Co Ltd | 現像ノズル、現像装置および現像方法 |
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