KR20070048697A - 노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents

노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법 Download PDF

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KR20070048697A
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Abstract

본 발명은 노광 장치가 C/D로부터의 메인터넌스에 관한 정보에 기초하여, 장치 자체의 동작을 결정하는 주제어 장치(120)를 구비하고 있으므로, 주제어 장치(120)가 C/D의 메인터넌스 중, 즉 노광 장치의 본래의 운전도 필연적으로 정지해야 할 때에, 이것과 병행하여, 장치 자체의 성능 유지를 위해 필요한 동작으로서 장치 본래의 동작의 정지가 필요해지는 특정 동작을 행하는 것을 결정할 수 있는 것을 목적으로 한다. 이 결과, 그 특정 동작을 행하는데 필요한 노광 장치의 다운 타임을 전체적으로 감소시킬 수 있고, 이에 따라, 기판 처리 장치에 인라인 접속된 노광 장치의 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시킬 수 있다.

Description

노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및 메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법{EXPOSURE DEVICE, OPERATION DECISION METHOD, SUBSTRATE TREATMENT SYSTEM AND MAINTENANCE MANAGEMENT METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및 메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법에 따라, 더 자세하게는, 기판 처리 장치에 인라인으로 접속된 노광 장치, 상기 노광 장치에 있어서의 동작을 결정하는 동작 결정 방법, 노광 장치와 상기 노광 장치에 인라인으로 접속된 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템 및 기판 처리 시스템에 있어서의 각 장치의 메인터넌스를 관리하는 메인터넌스 관리 방법 및 상기 노광 장치, 시스템을 이용하는 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 소자(집적 회로 등), 액정 표시 소자 등의 마이크로 디바이스를 제조하는 리소그래피 공정에는 노광 장치를 이용하여 웨이퍼 또는 유리플레이트 등의 기판(이하, 「웨이퍼」라고 총칭함) 상에 소정의 패턴을 형성하는 노광 공정 외에, 이 노광 공정에 전후하여, 웨이퍼의 표면에 레지스트를 도포하는 레지스트 도포 공정이나, 노광 후의 웨이퍼를 현상하는 현상 공정 등이 포함된다.
리소그래피 공정에서, 종래에는, 노광 장치에 의한 노광, 레지스트 도포 장치(코터)에 의한 레지스트의 도포, 현상 장치(디벨로퍼)를 이용한 웨이퍼의 현상 등이, 따로따로 행해지고 있었다. 최근에는, 상기의 노광, 레지스트 도포, 현상을 청정한 환경 하에 일련의 처리로서 효율 좋게 행하기 위해, 노광 장치와, 코터·디벨로퍼(이하, 「C/D」라고 약술함)라고 불리우는 도포·현상 장치를 인라인 접속한 시스템 구성이 비교적 많이 채용되도록 되어 왔다. C/D는 예컨대 웨이퍼를 고속 회전시키면서 그 웨이퍼 상에 레지스트를 적하하여, 웨이퍼의 회전을 이용하여 웨이퍼 표면에 레지스트를 균일하게 도포하는 스핀 코팅 또는 노즐과 웨이퍼를 상대 이동하는 스캔 코터 등의 레지스트 도포 장치의 기능과, 현상 장치의 기능을 더불어 가지고 있다.
따라서, 상기의 시스템 구성에 의하면, 레지스트 도포 공정, 노광 공정, 현상 공정 등의 처리 공정마다, 처리 로트(처리 대상인 웨이퍼의 로트)를 투입하는 번잡함을 피할 수 있고, 또한, 최근 많이 이용되어져 온 고감도 레지스트의 일종인 화학 증폭형 레지스트 등의 화학적 특성을 유지하면서, 작업 처리량을 향상시킬 수 있다.
그런데, 마이크로 디바이스의 생산성을 향상하기 위해, 노광 장치에 대한 가동율(업타임) 향상(상승)의 요구는 항상 존재하고 있다. 그에 따라, 장치 고장을 감하는 노력도 계속되고 있다. 이 고장을 저감시키기 위해서는 정기적인 메인터넌스도 중요하다.
노광 장치 등의 가동율 향상의 요청은 해마다 높아지고 있고, 지금은, 가동 율 95％ 이상의 달성이 요구되고 있다.
그러나, 노광 장치 단체의 경우로서도, 가동율 95％ 이상을 달성하는 것은 용이하지 않다. 그 이유는 반도체 소자의 고집적화에 수반하여, 노광 장치의 정밀도 향상 및 고정밀도 상태의 안정화에 대한 요청도 강해져 왔기 때문이다. 즉, 노광 장치에 대한 노광 정밀도 향상 및 고정밀도 상태의 안정화의 요청에 응하기 위해서는, 정기적인 메인터넌스의 빈도를 증가시키는 동시에, 노광 장치의 자기 캘리브레이션 기능을 충실하게 하는 등이 필요해지지만, 이들은 어느 것이나, 요구 레벨이 어느 정도 이상 높아지면, 노광 장치의 다운 타임을 오히려 증가시키는 것이 될 수도 있기 때문이다.
따라서, 상술한 노광 장치와 C/D를 인라인 접속한 시스템(이하, 「인라인·리소그래피 시스템」이라고 함)에 있어서는, 가동율 95％를 달성하는 것은, 현재 상태에서는 매우 곤란하다고 말할 수 있다. 그 이유는 인라인·리소그래피 시스템에서는 C/D가 정기적인 메인터넌스, 부품 교환, 그 외의 이유에 의해 운전을 정지한 경우, 노광 장치의 운전도 정지해야 하므로, 노광 장치의 가동율을 저하시키는 요인이, 노광 장치 단체의 경우에 비해, 명확하게 많기 때문이다.
본 발명은 이러한 사정 하에 이루어질 수 있었던 것으로, 그 제1 목적은 기판 처리 장치에 인라인 접속된 경우에, 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시키는 것이 가능한 노광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 제2 목적은 노광 장치가 기판 처리 장치에 인라인 접속된 경우에 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시키는 것이 가능한 동작 결정 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제3 목적은 시스템의 성능을 유지하면서, 가동율의 향상을 도모하는 것이 가능한 기판 처리 시스템을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제4 목적은 시스템의 성능을 유지하면서, 가동율의 향상을 도모하는 것이 가능한 메인터넌스 관리 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제5 목적은 고정밀도인 디바이스의 생산성을 향상시키는 것이 가능한 디바이스 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
본 발명은 제1 관점에서 보면, 기판 처리 장치에 인라인으로 접속된 노광 장치에 있어, 상기 기판 처리 장치에서의 메인터넌스에 관한 정보에 기초하여, 장치 자체의 동작을 결정하는 동작 결정 장치를 구비하는 노광 장치이다.
이에 의하면, 노광 장치가 기판 처리 장치에서의 메인터넌스에 관한 정보에 기초하여, 장치 자체의 동작을 결정하는 동작 결정 장치를 구비하고 있으므로, 동작 결정 장치가, 기판 처리 장치의 메인터넌스 중(노광 장치의 본래의 운전도 필연적으로 정지해야 할 때)에, 이와 병행하여, 장치 자체의 성능 유지를 위해 필요한 동작으로서 장치 본래의 동작의 정지가 필요해지는 특정 동작을 행하는 것을 결정할 수 있다. 이 결과, 그 특정 동작을 행하기에 필요한 노광 장치의 다운 타임(이것은, 기판 처리 장치의 다운 타임이기도 함)을 전체적으로 감소시킬 수 있고, 이에 따라, 기판 처리 장치에 인라인 접속된 노광 장치의 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 동작 결정 장치가 결정하는 장치 자체의 동작(즉, 전술의 특정 동작)에는 노광 장치 스스로 행하는 동작 외에, 오퍼레이터 등에 통지하여 오퍼레이터가 관여하여 행해지는 동작 등도 포함된다.
이 경우에 있어서, 상기 기판 처리 장치에서의 메인터넌스에 관한 정보는 상기 기판 처리 장치에서 행해지는 메인터넌스 작업의 내용에 관한 정보를 포함하고, 상기 동작 결정 장치는 그 메인터넌스 작업의 내용에 따라 장치 자체의 동작을 결정하는 것으로 할 수 있다. 또한, 상기 기판 처리 장치에서의 메인터넌스에 관한 정보는 상기 기판 처리 장치에서 행해지는 메인터넌스 작업에 요하는 시간에 관한 정보를 포함하고, 상기 동작 결정 장치는 상기 메인터넌스 작업에 요하는 시간에 기초하여 장치 자체의 동작을 결정하는 것으로 할 수 있다.
또한, 상기 결정되는 장치 자체의 동작에는 메인터넌스 작업이 포함되는 것이라고 할 수 있다.
이 경우에 있어서, 상기 동작 결정 장치는 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업의 적어도 일부와 병행하여, 장치 자체의 메인터넌스 작업을 행하는 것을 결정하는 것으로 할 수 있다.
또한, 결정되는 장치 자체의 동작에, 메인터넌스 동작이 포함되는 경우에는, 상기 장치 자체의 메인터넌스 작업에는 노광용 광원인 레이저 장치의 메인터넌스 작업이 포함된다고 할 수 있고, 기판의 노광을 수반하지 않는 작업이 포함된다고 할 수 있으며, 부품 교환 작업이 포함된다고 할 수 있다.
본 발명은 제2 관점에서 보면, 기판 처리 장치에 인라인으로 접속된 노광 장치에 있어서의 동작을 결정하는 동작 결정 방법으로서, 상기 기판 처리 장치에서의 메인터넌스에 관한 정보를 취득하는 공정과; 상기 정보에 기초하여, 노광 장치의 동작을 결정하는 공정을 포함하는 동작 결정 방법이다.
이에 따르면, 노광 장치의 동작이 기판 처리 장치에서의 메인터넌스에 관한 정보에 기초하여 결정되므로, 기판 처리 장치의 메인터넌스 중에, 이에 병행하여, 노광 장치의 성능 유지를 위해 필요한 동작을 행하는 것을 결정할 수 있다. 이 결과, 노광 장치의 다운 타임을 전체적으로 감소시킬 수 있고, 이에 따라, 기판 처리 장치에 인라인 접속된 노광 장치의 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 노광 장치의 동작에는 노광 장치 스스로 행하는 작업 외에, 오퍼레이터 등에 통지하여 오퍼레이터가 관여하여 행해지는 작업 등도 포함된다.
본 발명은 제3 관점에서 보면, 노광 장치와, 상기 노광 장치에 인라인으로 접속된 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템으로서, 상기 노광 장치의 메인터넌스 작업과 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업을 협조하여 행하는 메인터넌스 관리 장치를 구비한 기판 처리 시스템이다.
이에 따르면, 기판 처리 시스템이 상기 노광 장치의 메인터넌스 작업과 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업을 협조하여 행하는 메인터넌스 관리 장치를 구비하고 있다. 이 때문에, 노광 장치의 메인터넌스 작업과 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업이 무관하게 행해지고 있었던 경우와 다르고, 메인터넌스 관리 장치가 양장치의 메인터넌스 작업이 가능한 한 동시 병행하여 행해지도록, 메인터넌스 타이밍의 최적화를 도모함으로써, 기판 처리 시스템의 성능을 저하시키지 않고, 그 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 메인터넌스 작업에는 노광 장치 스스로 행하는 작업 외에, 오퍼레이터 등에 통지하여 오퍼레이터가 관여하여 행해지는 작업 등도 포함된다.
이 경우에 있어서, 상기 메인터넌스 관리 장치는 상기 노광 장치가 구비하는 제어용 컴퓨터 및 상기 기판 처리 장치가 구비하는 제어용 컴퓨터 중 어느 하나인 것이라고 할 수 있고, 상기 메인터넌스 관리 장치는 상기 노광 장치 및 상기 기판 처리 장치에 공통으로 접속된 컴퓨터인 것이라 할 수 있다.
또한, 상기 메인터넌스 관리 장치는 상기 노광 장치의 메인터넌스 작업의 적어도 일부와 병행하여, 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업을 행하는 것이라고 할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 시스템에서는, 상기 노광 장치는 노광 광원으로서 레이저 장치를 가지고, 상기 노광 장치의 메인터넌스 작업에는 상기 레이저 장치의 메인터넌스 작업이 포함되는 것이라고 할 수 있다.
또한, 본 발명의 기판 처리 시스템에서 상기 메인터넌스 작업에는 부품 교환 작업이 포함되는 것이라고 할 수 있다.
또한, 상기 메인터넌스 관리 장치는 상기 노광 장치의 부품 교환 시기에 관한 정보와, 상기 기판 처리 장치의 부품 교환 시기에 관한 정보를 유지하여, 이들의 정보에 기초하여 각 장치의 부품 교환 시기의 최적화를 행하는 것이라고 할 수 있고, 상기 메인터넌스 관리 장치는 한쪽의 장치가 다른쪽의 장치를 필요로 하는 메인터넌스 정보와, 각 장치가 단독으로 작업 가능한 메인터넌스 정보를 유지하여, 이들의 정보에 기초하여 각 장치의 메인터넌스 시기의 최적화를 행하는 것이라고 할 수 있다.
본 발명은 제4 관점에서 보면, 노광 장치와, 상기 노광 장치에 인라인으로 접속된 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의 각 장치의 메인터넌스 작업을 관리하는 메인터넌스 관리 방법으로서, 상기 노광 장치의 메인터넌스에 관한 정보를 취득하는 공정과; 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스에 관한 정보를 취득하는 공정과; 상기 양정보에 기초하여, 상기 양장치에 있어서의 메인터넌스 작업이 협조하여 행해지도록 관리하는 공정을 포함하는 메인터넌스 관리 방법이다.
이에 따르면, 노광 장치의 메인터넌스 작업과 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업이 협조하여 행해지도록, 노광 장치와 기판 처리 장치의 메인터넌스에 관한 정보에 기초하여 관리되므로, 노광 장치의 메인터넌스 작업과 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업이 무관하게 행해지고 있었던 경우와 다르고, 양장치의 메인터넌스 작업이 가능한 한 동시 병행하여 행해지도록, 메인터넌스 타이밍의 최적화를 도모할 수 있다. 이에 따라, 기판 처리 시스템의 성능을 저하시키지 않고, 그 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 메인터넌스 작업에는 노광 장치 스스로 행하는 작업 외에, 오퍼레이터 등에 통지하여 오퍼레이터가 관여하여 행해지는 작업 등도 포함된다.
또한, 리소그래피 공정에 있어서, 본 발명의 노광 장치를 이용하여 기판 상에 디바이스 패턴을 형성함으로써, 고집적도의 마이크로 디바이스의 생산성을 향상하는 것이 가능하다. 또한, 리소그래피 공정에 있어서, 본 발명의 기판 처리 시스템을 이용하여 기판 상에의 디바이스 패턴 형성을 포함하는, 기판에 대한 처리를 실행함으로써, 고집적도의 마이크로 디바이스의 생산성을 향상하는 것이 가능하다. 따라서, 본 발명은 또 다른 관점에서 보면, 본 발명의 노광 장치 및 기판 처리 시스템을 이용하는 디바이스 제조 방법이라고도 말할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 리소그래피 시스템의 구성을 개략적으로 도시하는 평면도.
도 2는 도 1의 노광 장치의 구성을 도시한 도면.
도 3은 도 1의 리소그래피 시스템의 제어계의 구성을 개략적으로 도시하는 블록도.
도 4는 제2 실시형태에 따른 리소그래피 시스템의 제어계의 구성을 개략적으로 도시하는 블록도.
도 5는 본 발명에 따른 디바이스 제조 방법의 실시형태를 설명하기 위한 흐름도.
도 6은 도 5의 단계 404에 있어서의 처리를 도시하는 흐름도.
(제1 실시형태)
이하, 본 발명의 제1 실시형태를 도 1∼도 3에 기초하여 설명한다.
도 1에는 본 발명에 따른 노광 장치 및 기판 처리 장치를 포함하는 제1 실시 형태에 따른 리소그래피 시스템의 구성이 평면도로서 도시되고 있다.
이 도 1에 도시되는 리소그래피 시스템(100)은 클린 룸 내에 설치되어 있다. 이 리소그래피 시스템(100)은 클린 룸의 바닥면 상에 설치된 노광 장치(10)와, 상기 노광 장치(10)의 -Y측(도 1에 있어서의 지면 좌측)에, 인라인·인터페이스부(이하, 「인라인 I/F 부」라고 함)(110)를 통해 접속된 C/D(50)를 포함한다. 이 리소그래피 시스템(100)은 클린 룸 내에 설치되어 있다.
노광 장치(10)는 도 1에 있어서의 X축 방향의 중앙 약 +X측 부근의 위치에 구획 벽(14)이 설치된 챔버(16)와, 상기 챔버(16) 내부의 구획 벽(14)에 의해 구획된 X축 방향 한쪽(-X측)의 큰 룸(12A)의 내부에 수용된 노광 장치 본체(10A)[도 1에서는, 웨이퍼 스테이지(WST) 및 투영 광학계(PL) 이외의 부분은 도시 생략]와, 챔버(16) 내부의 구획 벽(14)에 의해 구획된 X축 방향 다른쪽(+X측)의 작은 룸(12B)의 내부에 그 대부분이 수용된 기판 반송계로서의 웨이퍼 로더계(40)를 포함한다. 노광 장치 본체(10A)에는 챔버(16)의 외부에 배치된 레이저 장치(1)가 인출 광학계(BMU)를 통해 접속되어 있다.
도 2에는, 노광 장치(10)의 구성이 정면도로써 개략적으로 도시되어 있다. 단, 이 도 2에서는, 챔버(16)가 가상선(이점 쇄선)으로써 도시되어 있다. 이 노광 장치(10)는 스텝 앤 스캔(step and scan) 방식의 주사형 투영 노광 장치, 즉 소위 스캐너(스캐닝·스텝퍼라고도 함)이다.
상기 레이저 장치(1)로서는 KrF 엑시마 레이저(발진 파장 248 ㎚) 혹은 ArF 엑시마 레이저(발진 파장 193 ㎚)등의 원자 외역의 펄스광을 발진하는 펄스 레이저 가 이용되고 있다. 이 레이저 장치(1)는 챔버(16)가 설치되는 클린 룸의 바닥면 상에 설치되어 있다. 또한, 레이저 장치(1)는 클린 룸과는 별도의 클린도가 낮은 방(서비스 룸) 내이거나 바닥면의 아래쪽의 유틸리티 스페이스 내에 배치하는 것도 가능하다. 또한, 레이저 장치(1)로서, F2레이저(발진 파장 157 ㎚) 등의 진공 자외 광원을 이용하여도 좋고, EUV 광원을 이용하여도 좋다.
상기 노광 장치 본체(10A)는 조명 유닛(ILU), 마스크로서의 레티클(R)을 유지하는 레티클 스테이지(RST), 투영 광학계(PL), 웨이퍼(W)를 유지하여 XY 평면 내를 자유롭게 이동 가능한 웨이퍼 스테이지(WST), 상기 레티클 스테이지(RST) 및 투영 광학계(PL) 등이 탑재된 보디(BD) 및 장치 전체를 통괄적으로 제어하는 주제어 장치(120) 등을 포함한다.
상기 조명 유닛(ILU) 조명계 하우징(111)과, 상기 조명계 하우징(111) 내에 소정의 위치 관계로 배치된 빔 정형(整形) 광학계, 에너지 조조기, 광 적분기, 조명계 개구 조임판, 빔 분할기 및 릴레이 광학계 등(어느것도 도시하지 않음)으로부터 이루어지는 조명 광학계를 포함한다. 또한, 조명 광학계의 릴레이 광학계의 내부에는 도시하지 않은 고정 블라인드 및 가동 블라인드로 이루어지는 시야 조리개(레티클 블라인드 또는 마스킹 블레이드라고도 함)가 배치되어 있다. 또한, 광 적분기로서는 플라이 아이 렌즈, 로드형(내면 반사형) 적분기, 혹은 회절 광학 소자 등이 이용된다.
이 조명 유닛(ILU)의 입사단부, 즉 조명 광학계의 입사 단부에 설치된 상기 빔 정형 광학계에, 송광(送光) 광학계(BMU)를 통해 레이저 장치(1)가 접속되어 있다.
이 조명 유닛(ILU)은 레티클 스테이지(RST) 상에 유지된 레티클(R) 상에 X축 방향으로 가늘고 길게 연장되는 직사각형(예컨대 정방형) 슬릿형의 조명 영역(IAR)(고정 블라인드의 개구로 규정됨)을 균일한 조도 분포로 조명한다. 본 실시형태와 동일한 조명 유닛의 내부 구성은 예컨대, 일본 특허 공개 평 제10-112433호 공보, 일본 특허 공개 평 제6-349701호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 제5,534,970호 공보 등에 개시되어 있다. 본 국제 출원으로 지정한 지정국(또는 선택한 선택국)의 국내 법령이 허용하는 한에 있어서, 상기 미국 특허에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
상기 레티클 스테이지(RST)는 보디(BD)를 구성하여 후술하는 제2 칼럼(134)의 상판부인 레티클 베이스(136)의 상면의 위쪽에, 그 저면에 설치된 도시하지 않은 에어 베어링 등에 의해 예컨대 수 ㎛ 정도의 클리어런스를 통해 부상 지지되어 있다. 이 레티클 스테이지(RST) 상에는, 레티클(R)이 예컨대 진공 흡착(또는 정전 흡착 등)에 의해 고정되어 있다. 레티클 스테이지(RST)는 리니어 모터 등을 포함하는 레티클 스테이지 구동 장치(112)에 의해, 조명 광학계의 광축[투영 광학계(PL)의 광축(AX)에 일치]에 수직인 XY 평면 내에서 2차원적으로[X축 방향, Y축 방향 및 XY 평면에 직교하는 Z축 주위의 회전 방향(θz 방향)으로]미소 구동 가능한 동시에, 레티클 베이스(136) 상을 Y축 방향으로 지정된 주사 속도로 구동 가능해지고 있다.
여기서, 실제로는, 레티클 스테이지(RST)는 리니어 모터에 의해 레티클 베이스(136) 상을 Y축 방향으로 소정 스트로크 범위에서 구동 가능한 레티클 조동(租動) 스테이지와, 상기 레티클 조동 스테이지에 대해 적어도 3개의 보이스 코일 모터 등의 액츄에이터에 의해 X축 방향, Y축 방향 및 θz 방향으로 미소 구동 가능한 레티클 미동 스테이지를 포함하고 있지만, 도 2에서는 레티클 스테이지(RST)가 단일 스테이지로서 도시되어 있다. 따라서, 이하의 설명에 있어서도, 레티클 스테이지(RST)는 레티클 스테이지 구동 장치(112)에 의해 전술한 바와 같이 X축 방향, Y축 방향 및 θz 방향으로 미소 구동 가능한 동시에, Y축 방향으로 주사 구동이 가능한 단일 스테이지인 것으로서 설명한다. 물론, 조동 스테이지와 미동 스테이지를 따로따로 갖지 않는 타입의 스테이지 기구를 레티클 스테이지(RST)로서 이용하여도 좋다.
본 실시형태의 경우, 전술의 리니어 모터의 가동자는 레티클 스테이지(RST)의 X축 방향의 한쪽과 다른쪽(도 2에 있어서의 지면 안쪽과 바로 앞쪽)의 단면에 각각 부착되고, 이들의 가동자에 각각 대응하는 고정자는 보디(BD)와는 별도로 설치된 도시하지 않은 지지 부재에 의해 각각 지지되어 있다. 이 때문에, 레티클 스테이지(RST)를 구동할 때에 리니어 모터의 고정자에 작용하는 반력은 이들의 지지 부재를 통해 클린 룸의 바닥면에 전달되(방출되)도록 되어 있다. 또한, 레티클 스테이지 구동 장치(112)는 전술한 바와 같이, 리니어 모터, 보이스 코일 모터 등의 액츄에이터를 포함하고 있지만, 도 2에서는 도시의 편의상 단순한 블록으로서 도시되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 상기의 바와 같이, 보디(BD)와 별도로 설치된 지지 부재를 통해 반력을 방출하는 리액션 프레임 구조를 채용하는 것으로 했지만, 레티클 스테이지(RST)의 구동력의 반력의 작용에 의해, 운동량 보존 법칙에 따라 카운터매스를 이동하여, 그 반력을 상쇄하는 카운터매스 방식의 진동 감쇠 기구를 채용하여도 상관없다.
레티클 스테이지(RST)의 XY면내의 위치(Z축 주위의 회전 방향인 θz 방향의 회전을 포함함)는 이동 거울(15)을 통해 레티클 베이스(136)에 고정된 레티클 레이저 간섭계(이하, 「레티클 간섭계」라고 함)(13)에 의해, 예컨대 0. 5∼1 ㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출되고 있다.
여기서, 실제로는, 레티클 스테이지(RST) 상면에는, Y축 방향 한쪽(+Y측)의 단부에 중공 리트로 리플렉터(retro reflector)로 이루어지는 한쌍의 Y축 이동 거울이 X축 방향으로 소정 간격을 이격하여 고정되고, X축 방향의 한쪽(+X측)의 단부에 X축 방향으로 직교하는 반사면을 갖는 평면 거울로 이루어지는 X축 이동 거울이 고정되어 있다. 또한, 이들의 이동 거울에 개별로 대응하여 한 쌍의 레티클 Y 간섭계 및 레티클 X 간섭계가 각각 설치된다. 이와 같이, 레티클 간섭계 및 이동 거울은 각각 복수 설치되지만, 도 2에서는 이들이 대표적으로 이동 거울(15), 레티클 간섭계(13)로서 도시되어 있다. 또한, 예컨대, 레티클 스테이지(RST)의 +X측의 단부면을 경면 가공하여 반사면(X 이동 거울의 반사면에 상당)을 형성하여도 좋다.
레티클 스테이지(RST)의 위치 정보(또는 속도 정보)는 주제어 장치(120)로 보내지고, 주제어 장치(120)에서는 상기 위치 정보(또는 속도 정보)에 기초하여 레 티클 스테이지 구동 장치(112)를 통해 레티클 스테이지(RST)를 구동한다.
또한, 본 실시형태에서는, 레티클 스테이지(RST)의 레티클(R)의 적재 영역의 -Y측의 위치에는, 도시하지 않은 레티클 피듀셜 마크판(RFM 판)이 설치된다. 이 RFM 판에는 복수 종류의 계측용 마크가 형성되어 있다. 본 실시형태와 동일한 RFM 판에 대해서는, 예컨대 일본 특허 공개 제2002-198303호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 출원 공개 제2001/0041377호 명세서 등에 상세하게 개시되어 있다. 본 국제 출원으로 지정한 지정국(또는 선택한 선택국)의 국내 법령이 허용하는 한에 있어서, 상기 미국 특허 출원 공개에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
상기 보디(BD)는 클린 룸의 바닥면 상에 설치된 제1 칼럼(132)과, 이 제1 칼럼(132) 상에 배치된 제2 칼럼(134)을 포함한다.
제1 칼럼(132)은 3라인의 각부(137A, 137B, 137C)[단, 도 2에 있어서의 지면 안쪽의 각부(137C)는 도시 생략]과, 이들의 각부(137A∼137C)에 의해 거의 수평으로 지지되어, 제1 칼럼(132)의 상판을 구성하는 경통 정반(메인 프레임이라고 함)(138)을 포함한다.
각부(137A∼137C)의 각각은 바닥 면에 설치된 지주(140)와, 상기 지주(140)의 상부에 고정된 방진 유닛(139)을 포함한다. 각 방진 유닛(139)에 의해, 바닥면에서의 미진동이 마이크로 G 레벨로 절연되어, 경통 정반(138)에 거의 전달되지 않도록 되어 있다. 경통 정반(138)에는 그 거의 중앙부에, 도시하지 않은 원형 개구가 형성되고, 이 개구 내에 투영 광학계(PL)가 위쪽으로부터 삽입되어 있다. 이 투영 광학계(PL)의 경통에는, 그 높이 방향의 중앙 약간 하단부 부근의 위치에, 플랜지(FLG)가 설치되고, 상기 플랜지(FLG)를 통해 투영 광학계(PL)가 경통 정반(138)에 의해 지지되어 있다.
상기 제2 칼럼(134)은 경통 정반(138)의 윗면에, 투영 광학계(PL)를 둘러싸며 설치되고, 상하 방향으로 각각 연장되는 복수 라인, 예컨대 3라인의 각 41A, 41B, 41C(단, 도 2에 있어서의 지면 안쪽의 각 41C는 도시 생략)와, 이들의 각 41A∼41C의 상단면 상호간을 연결함과 동시에, 이들의 각 41A∼41C에 의해 거의 수평으로 지지된 전술의 레티클 베이스(136)를 포함한다.
상기 투영 광학계(PL)로는, 여기서는 양쪽 텔리센트릭인 축소계이며, 공통의 Z축 방향의 광축(AX)을 갖는 복수장의 렌즈 엘리멘트로 이루어지는 굴절 광학계가 사용되고 있다. 이 투영 광학계(PL)로는 투영 배율(β)이, 일례로서 1/4의 축소 광학계가 이용되고 있다. 이 때문에, 조명 유닛(ILU)(조명 광학계)으로부터의 조명광(IL)에 의해 레티클(R) 상의 슬릿형 조명 영역(IAR)이 조명되면, 이 레티클(R)을 통과한 조명광(IL)에 의해, 그 슬릿형 조명 영역(IAR) 내의 레티클(R)의 회로 패턴의 투영 광학계(PL)를 통한 축소상(부분 도립상)이 표면에 포토 레지스트가 도포된 웨이퍼(W)상의 상기 조명 영역(IAR)에 공역인 노광 영역(IA)으로 형성된다.
상기 웨이퍼 스테이지(WST)는 리니어 모터 혹은 평면 모터 등의 도시하지 않은 구동계에 의해 XY2차원면내(θz 회전을 포함함)에 스테이지 베이스(SB) 상면을 따라 자유자재로 구동되는 XY 스테이지(141)와, 상기 XY 스테이지(141) 상에 탑재된 웨이퍼 테이블(TB)을 포함하고 있다.
상기 스테이지 베이스(SB)는 정반이라고도 불리며, 본 실시형태에서는, 바닥면 상에 설치된 복수, 예컨대 3개 또는 4개의 방진 유닛(43)을 통해 거의 수평으로 지지되어 있다. 즉, 스테이지 베이스(SB)는 투영 광학계(PL) 등을 유지하는 보디(BD)와는 분리된 구성으로 되어있다.
각 방진 유닛(43)은 스테이지 베이스(SB)를 지지하는 에어마운트 기구와, 스테이지 베이스(SB)를 중력 방향(수직 방향: 도 2에 있어서의 Z축 방향)으로 고응답으로 미소 구동 가능한 보이스 코일 모터를 포함하고 있다. 상기 에어마운트 기구는 스테이지 베이스(SB)를 아래쪽에서 지지하는 지지부재의 일부와, 상기 지지 부재의 일부가 탄성 부재(예컨대 다이어프램)를 통해 그 개구 단부에 부착된 하우징을 포함하고 있다. 이 경우, 하우징의 내부에 기밀실이 형성되어 있다. 기밀실은 하우징에 형성된 개구를 통해 전자 조절기에 접속되고 상기 전자 조절기에 의해 주제어 장치(120)로부터의 지시에 따라 외부보다 기밀실에 충전되는 기체, 예컨대 공기의 압력이 조정된다. 이 전자 조절기에 의한 공기압의 조정에 의해, 에어마운트 기구는 약 20 Hz까지의 저주파의 진동에 액티브하게 추종할 수 있도록 구성되어 있다. 또한, 에어마운트 기구는 보이스 코일 모터가 추종할 수 없도록 고주파의 진동 성분을 흡수하는 패시브한 방진 장치(방진 패드)로 하여도 동작한다. 또한, 상기 보이스 코일 모터는 스테이지 베이스(SB)에 직접 부착된 가동자와, 상기 가동자와의 사이에서 발생하는 전자 상호 작용에 의해, 스테이지 베이스(SB)를 중력 방향으로 구동하는 힘을 발생시키는 고정자를 갖고 있다. 이 보이스 코일 모터는 약 20 Hz보다 높은 주파수의 진동으로 액티브하게 추종할 수 있도록 되어있다. 이 보 이스 코일 모터는 주제어 장치(120)에 의해 제어된다.
상기 웨이퍼 테이블(TB)은 XY 스테이지(141) 상에 배치된 보이스 코일 모터 등의 액츄에이터를 포함하는 도시하지 않은 구동계에 의해 광축 AX 방향(Z축 방향) 및 광축에 직교하는 면(XY 면)에 대한 경사 방향, 즉 X축 주위의 회전 방향인 θx 방향, Y축 주위의 회전 방향인 θy 방향으로 구동된다.
웨이퍼 테이블(TB) 상에, 웨이퍼 홀더(25)를 통해 웨이퍼(W)가 진공흡착(또는 정전 흡착)에 의해 유지되어 있다.
웨이퍼 테이블(TB) 상에는 웨이퍼 레이저 간섭계(이하, 「웨이퍼 간섭계」라고 함)(31)로부터의 레이저 빔을 반사하는 이동 거울(27)이 고정되어, 경통 정반(138)으로부터 매달려서 지지된 웨이퍼 간섭계(31)에 의해, 웨이퍼 테이블(TB)[웨이퍼(W)]의 XY면내의 위치가 예컨대 0. 5∼1 ㎚ 정도의 분해능으로 항상 검출되고 있다.
여기서, 실제로는, 웨이퍼 테이블(TB)에는 주사 노광 시의 주사 방향인 Y축 방향으로 직교하는 반사면을 갖는 이동 거울과 비주사 방향인 X축 방향으로 직교하는 반사면을 갖는 이동 거울이 설치되고, 이에 대응하여 레이저 간섭계도 X축 방향 위치 계측용의 X 레이저 간섭계와 Y축 방향 위치 계측용의 Y 레이저 간섭계가 설치되지만, 도 2에서는 이들이 대표로 이동 거울(27), 웨이퍼 간섭계(31)로서 도시되어 있다. 또한, 예컨대, 웨이퍼 테이블(TB)의 단면을 경면 가공하여 반사면[이동 거울(27)의 반사면에 상당]을 형성하여도 좋다. 또한, X 레이저 간섭계 및 Y 레이저 간섭계는 측길이축을 복수 갖는 다축 간섭계이며, 웨이퍼 테이블(TB)의 X, Y 위 치 외에, 회전(요잉(Z축 주위의 회전인 θz 회전), 피칭(X축 주위의 회전인 θx 회전), 롤링(Y축 주위의 회전인 θy 회전)도 계측 가능해지고 있다. 따라서, 이하의 설명에서는 웨이퍼 간섭계(31)에 의해, 웨이퍼 테이블(TB)의 X, Y, θz, θy, θx의 5 자유도 방향의 위치가 계측되는 것으로 한다. 또한, 전술의 다축 간섭계는 45°기울여 웨이퍼 테이블(TB)에 설치되는 반사면을 통해, 투영 광학계(PL)가 적재되는 보디(BD)에 설치되는 도시하지 않은 반사면에 레이저 빔을 조사하여, 투영 광학계(PL)의 광축 방향(Z축 방향)에 관한 상대 위치 정보를 검출하도록 하여도 좋다.
또한, 웨이퍼 스테이지 구동 장치(128)는 리니어 모터 혹은 평면 모터, 보이스 코일 모터 등을 포함하고 있지만, 도 2에서는 도시의 편의상 단순한 블록으로서 도시되어 있다.
웨이퍼 테이블(TB) 상에는 그 표면이 웨이퍼(W)의 표면과 거의 동일한 높이로 된 기준 마크판(FM)이 고정되어 있다. 이 기준 마크판(FM)의 표면에는, 각종 기준 마크가 형성되어 있다.
또한, 웨이퍼 테이블(TB) 상에는 그 상면의 평탄도가 매우 높게 설정된 기준 평면판(143)이 고정되어 있다. 이 기준 평면판(143)의 표면은 상기 기준 마크판(FM)과 동일하게 웨이퍼(W)의 표면과 거의 동일한 높이로 되어 있다.
기준 평면판(143)의 일부에는, 슬릿 개구가 형성되어 있고, 이 슬릿개구를 제외하는 부분은 반사막이 성막된 반사면으로 되어 있다. 슬릿 개구 아래쪽의 웨이퍼 테이블(TB)의 내부에는 포토 멀티 플레이어 튜브(PMT) 등의 도시하지 않은 광 전 변환 소자가 배치되어 있다. 이 광전 변환 소자로부터의 광전 변환 신호가 주제어 장치(120)로 공급되고 있다. 주제어 장치(120)는 전술한 RFM 판을 투영 광학계(PL)의 시야 내에 위치시켜, 웨이퍼 테이블(TB)을 Y축 방향 또는 X축 방향으로 이동하면서, 광전 변환 소자로부터의 광전 변환 신호를 수신함으로써, 투영 광학계(PL)에 의해 상면에 형성된 각종 계측용 마크의 공간상을 슬릿 스캔 방식으로 계측할 수 있도록 되어 있다. 즉, 본 실시형태에서는, 기준 평면판(143)에 형성된 슬릿 개구 및 웨이퍼 테이블(TB) 내의 광전 변환 소자 등을 포함하여, 전술의 일본 특허 공개 제2002-198303호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 제5,448,332호 등에 개시되는 공간상 계측기가 구성되어 있다.
또한, 기준 마크판(FM) 표면을 경면 가공 등에 의해 그 평탄도를 높게 하여, 그 마크가 형성되어 있지 않은 부분을 기준 평면판으로서 겸용하는 것도 가능하다.
상기 웨이퍼 테이블(TB)의 위치 정보(또는 속도 정보)는 주제어 장치(120)로 보내지고, 주제어 장치(120)에서는 상기 위치 정보(또는 속도 정보)에 기초하여 웨이퍼 스테이지 구동 장치(128)를 통해 웨이퍼 테이블(TB)을 제어한다.
또한, 본 실시형태의 노광 장치 본체(10A)에는, 송광계(160a) 및 수광계(160b)를 가지고, 웨이퍼(W) 표면의 광축(AX) 방향(Z축 방향)에 관한 위치 및 XY면에 대한 경사를 검출하는 경사 입사 방식의 다점 초점 위치 검출계(이하, 적절히「다점 AF계」라고 함)가 설치된다. 본 실시형태의 다점 AF계와 동일한 다점 AF계는 예컨대 일본 특허 공개 평 제6-283403호 공보 등에 상세하게 개시되어 있다.
주제어 장치(120)에서는 후술하는 주사 노광 시간 등에, 다점 AF계(160a, 160b)로부터의 포커스 신호에 기초하여 웨이퍼 스테이지 구동 장치(128)를 통해 웨이퍼 스테이지(WST)의 Z축 방향에의 이동에 부가하여, 2차원적인 경사(즉, θx, θy 방향의 회전)도 제어하는, 즉 다점 AF계를 이용하여 웨이퍼 스테이지(WST)의 이동을 제어함으로써, 조명광(IL)의 조사 영역(전술의 노광 영역 IA) 내에서 투영 광학계(PL)의 결상면과 웨이퍼(W)의 표면을 실질적으로 합치시키는 오토 포커스(자동 초점 맞춤) 및 오토 레벨링을 실행한다.
또한, 노광 장치 본체(10A)에서는 웨이퍼(W) 상의 얼라이먼트 마크(정렬 마크), 기준 마크판(FM) 상의 기준 마크 등을 검출하는 오프 액시스방식의 얼라이먼트계(ALG)가 투영 광학계(PL)의 경통의 측면에 배치되어 있다. 이 얼라이먼트계(ALG)에서는, 예컨대 웨이퍼(W) 상의 레지스트를 감광시키지 않는 브로드밴드인 검출 광속을 대상 마크에 조사하여, 그 대상 마크로부터의 반사광에 의해 수광면으로 결상된 대상 마크의 상과 도시하지 않은 지표의 상을 촬상 소자(CCD 등)를 이용하여 촬상하고, 이들의 촬상 신호를 출력하는 화상 처리 방식의 FIA(Field Image Alig㎚ent)계의 센서가 이용된다. 또한, FIA계에 한정하지 않고, 코히어런트인 검출광을 대상 마크에 조사하여, 그 대상 마크로부터 발생하는 산란광 또는 회절광을 검출하거나, 그 대상 마크로부터 발생하는 2개의 회절광(예컨대 동차수)을 간섭시켜 검출하는 얼라이먼트 센서를 단독으로 혹은 적절하게 조합하여 이용하는 것은 물론 가능하다.
도 1로 되돌아가, 상기 웨이퍼 로더계(40)는 Y축 방향으로 연장되는 Y 가이드(18)와, 상기 Y 가이드(18)의 위쪽(도 1에 있어서의 지면 바로 앞쪽)에 위치하 여, X축 방향으로 연장되는 X 가이드(20)를 반송 가이드로서 갖는다. X 가이드(20)는 구획 벽(14)을 관통한 상태로 설치된다.
상기 Y 가이드(18) 상에는, 도시하지 않은 구동 장치에 구동되어 Y 가이드(18)를 따라 이동하는 수평 다관절형의 로봇(스칼라 로봇)(26)이 설치된다. 또한, X 가이드(20)에는 도시하지 않은 구동 장치에 의해 구동되어, 상기 X 가이드(20)에 따라 이동하는 웨이퍼·로드 아암(28)과 웨이퍼·언로드 아암(30)이 설치된다. 또한, 구획 벽(14)에는 이들 웨이퍼·로드 아암(28), 웨이퍼·언로드 아암(30)이 각각 통과 가능한 개구가 형성되어 있다.
또한, X 가이드(20)의 +X측 단부 근방의 -Y측의 위치에는, 턴테이블(회전 테이블)(32)이 배치되고, 이 턴테이블(32)의 근방에는 도시하지 않은 웨이퍼 엣지 센서가 배치되어 있다.
이 외에, 로더실(12B) 내에는, 상기의 웨이퍼 로더계(40)의 각부를 제어함과 동시에, 후술하는 C/D측의 제어 장치와의 사이에서 통신 회선을 통해 반송중인 웨이퍼에 관한 정보의 교환, 즉 통신을 행하는 로더 제어 장치(34)가 설치된다.
상기 인라인 I/F부(110)는 챔버(16)의 -Y측에 배치된 챔버(212), 상기 챔버(212) 내부의 +Y측의 단부 근방에 배치된 인라인 전달부(114) 및 상기 인라인 전달부(114)의 -Y측에 배치된 수평 다관절형 로봇 (116) 등을 포함한다.
상기 인라인 전달부(114)는 베이스와, 상기 베이스 상에 X축 방향으로 소정 간격으로 설치된 3라인 1조의 지지핀으로 이루어지는 2개의 웨이퍼 전달부(124A, 124B)를 포함하고 있다.
또한, 인라인 전달부(114)는 도 1에 도시되는 구성에 한정하지 않고, 예컨대, 상하 방향으로 소정 간격으로 배치되어 도시하지 않은 구동 장치에 의해 연동하여 상하 방향으로 구동되는 로드측의 웨이퍼 전달부 및 언로드측의 웨이퍼 전달부를 갖는 구성으로 하여도 좋다. 각 웨이퍼 전달부로서는, 판형 부재와, 상기 판형 부재의 상면에 고정된 3라인 1조의 지지핀을 구비하는 구성을 채용할 수 있다.
챔버(212)의 내부에는 필요에 따라 캐리어대(118)가 배치되어, 상기 캐리어대(118) 상에는 웨이퍼(W)를 일시적으로 보관하기 위한 버퍼 캐리어(119)가 적재된다.
상기 C/D(50)는 도 1에 도시된 바와 같이, Y축 방향으로 인접하여 배치된 2개의 챔버(52, 54)를 포함한다. 한쪽의 챔버(52)의 내부에는, X축 방향으로 연장되는 X 가이드(56)가 배치되어 있다. X 가이드(56) 상에는, 도시하지 않은 구동 장치로 구동되어 X 가이드(56)를 따라 이동하는 수평 다관절형의 로봇(스칼라 로봇)(58)이 설치된다.
또한, 챔버(52) 내부의 X 가이드(56)의 -Y측의 위치에는, 캐리어대 60A, 60B, 60C가 X축 방향을 따라 배치되어 있다. 이들의 캐리어대 60A, 60B, 60C 상에, 복수매의 웨이퍼를 수납 가능한 오픈 캐리어(Open Carrier:이하, 적절하게「OC」로 약술함) 24A, 24B, 24C가 각각 적재되어 있다. 이들의 OC24A, 24B, 24C는 챔버(52)의 -Y측의 측벽에 설치된 도시하지 않은 도어에 의해서 개폐 가능한 도시하지 않은 출입구를 통해 출입되도록 되어 있다. OC24A, 24B, 24C의 출입은 이들의 OC24A, 24B, 24C를 PGV(Person Guided Vehicle: 수동형 반송차)에 의해 반송한 후, 오퍼레이터의 수작업에 의해서 행해지더라도 좋지만, AGV(Automated Guided Vehicle: 자주형 반송차)에 의해 반송한 후, 자동적으로 행하도록 하여도 좋다. 물론, OHT(Over Head Transfer)를 이용하여, 위쪽으로부터 OC24A, 24B, 24C를 캐리어대 60A, 60B, 60C 상에 각각 적재하더라도 상관없다.
이 외에, 챔버(52)의 내부에는 C/D(50)의 구성 각부를 통괄적으로 제어하는 도포·현상 제어 장치(62)가 설치된다. 도포·현상 제어 장치(62)는, C/D(50) 내의 웨이퍼의 반송계 등의 외에, 전술한 인라인 I/F부(110) 내의 스칼라 로봇(116) 등도 제어한다.
챔버(52)의 챔버(54)와의 경계 부분에는 X축 방향 중앙 약 +X측 부근의 위치에 웨이퍼 전달부(64)가 설치된다. 이 웨이퍼 전달부(64)는 베이스와 이 베이스 상에 고정된 3라인 1조의 지지핀을 포함하고 있다.
챔버(54)의 내부에는 웨이퍼 전달부(64)의 +Y측에, Y축 방향으로 연장되는 Y 가이드(66)가 배치되어 있다. 이 Y 가이드(66) 상에는 도시하지 않은 구동 장치에 구동되는 Y 가이드(66)를 따라 이동하는 수평 다관절형의 로봇(스칼라 로봇)(68)이 설치된다.
또한, 챔버(54)의 내부에는 Y 가이드(66)의 -X측에 제1 현상부(70), 제2 현상부(72) 및 베이크부(74)가 도 1에 있어서의 좌측으로부터 우측으로 순차 배치되어 있다. 또한, Y 가이드(66)의 +X측에는, 제1 도포부(76), 제2 도포부(78), 냉각부(80)가 제1 현상부(70), 제2 현상부(72) 및 베이크부(74)에 각각 대향하여 배치되어 있다.
상기 제1 도포부(76) 및 제2 도포부(78)는 스핀 코팅을 갖고 있다. 이 스핀 코팅은 수평으로 한 웨이퍼 상에 레지스트를 적하하여 웨이퍼를 회전시킴으로써, 웨이퍼 상에 균일한 레지스트막을 형성한다. 이 스핀 코팅은 레지스트 공급계, 스핀 모터, 컵의 조합을 포함하고 있다. 회전수는 매분, 수천 회전까지 설정 가능하게 되어 있다.
전기 베이크부(74)는 베이킹 장치를 포함하고 있다. 이 베이킹 장치로서는, 저항 가열 방식, 적외선 가열 방식 등을 이용할 수 있다. 여기서는, 베이킹 장치에 의해, 프리 베이크(PB) 및 현상전 베이크(post-exposure bake: PEB)를 행한다. 전자는 웨이퍼 상에 레지스트를 도포한 후, 도포막 중의 잔류 용제의 증발과 도포막과 웨이퍼의 밀착성 강화를 위해 실시하는 열처리이다. 노광 전에 행하므로, 폴리머가 중합하거나, 첨가물의 열분해가 생기지 않는 온도 이하에서 행한다. 또한, 후자는, 단일 파장의 광으로 노광한 경우의 정재파 효과에 의한 레지스트 패턴(레지스트 측벽 형상)의 변형을 경감하기 위해, 노광 후 현상 처리 전에 행하는 열처리이다. 또한, 화학 증폭형 레지스트의 노광 후의 촉매 반응 촉진의 목적으로도 행한다.
상기 냉각부(80)는 예컨대 쿨링 플레이트라고 불리는 냉각된 평탄한 플레이트를 포함하고 있다. 이 플레이트는 예컨대 냉각수의 순환 등에 의해 냉각된다. 이 외에, 펠티에 효과에 의한 전자 냉각을 이용하는 경우도 있다. 본 실시형태에서는 PB일 때에 가열된 웨이퍼를 노광 장치(10) 내에서 영향이 없는 온도까지 냉각한다.
상기 제1 현상부(70) 및 제2 현상부(72)는 노광 장치(10)에 의해 노광되어, 레지스트에 패턴상이 형성된 웨이퍼를 현상하는 현상 장치를 포함하고 있다. 이 현상 장치로서는, 스핀식, 딥식, 혹은 스프레이식 등의 어느쪽의 방식도 이용할 수 있다.
또한, Y 가이드(66)의 +Y측으로서, 챔버(54)와 챔버(212)의 경계부분에는 웨이퍼 전달부(82)가 설치된다. 이 웨이퍼 전달부(82)는 베이스와 이 베이스 상에 고정된 3라인 1조의 지지핀을 포함하고 있다.
도 3에는, 리소그래피 시스템(100)의 제어계의 구성이 블록도로써 도시되어 있다. 이 도 3에 도시된 바와 같이, 노광 장치(10)측의 제어계는, 주제어 장치(120)를 중심으로 하여 구성되고, 상기 주제어 장치(120)의 관리 하에 전술한 로더 제어 장치(34) 등이 놓여지고 있다. 주제어 장치(120)는 워크스테이션(또는 마이크로 컴퓨터) 등으로 이루어지고, 이 주제어 장치(120)에는 키보드, 마우스 등의 포인팅 디바이스나, CRT 디스플레이 또는 액정 모니터 등을 구비한 입출력 장치(230)가 병설되어 있다.
한편, C/D(50)측의 제어계는 도포·현상 제어 장치(62)를 중심으로 하여 구성되고, 이 도포·현상 제어 장치(62)에 의해, 스칼라 로봇(58, 68, 116) 등이 제어된다. 또한, 본 실시형태에서는, 스칼라 로봇(58, 68, 116), Y 가이드(66) 및 X 가이드(56) 등에 의해, C/D측의 기판 반송계가 구성되어 있다. 도포·현상 제어 장치(62)에도 입출력 장치(230)와 동일한 입출력 장치(63)가 접속되어 있다.
본 실시형태에서는, 노광 장치(10)측의 로더 제어 장치(34)와 C/D(50)의 도 포·현상 제어 장치(62) 사이 및 주제어 장치(120)와 도포·현상 제어 장치(62) 사이에서, 각각 데이터 통신이 가능한 구성으로 되어있다. 이 경우, 로더 제어 장치(34)와 도포·현상 제어 장치(62) 사이에서는, 주로 반송중인 웨이퍼에 관한 정보의 교환이 행해진다. 또한, 주제어 장치(120)와 도포·현상 제어 장치(62) 사이에서는, 후술하는 바와 같은 여러 가지의 정보의 교환이 행해진다.
다음으로, 리소그래피 시스템(100)에 의한 웨이퍼의 처리 동작에 대해 설명한다.
전제로서, 웨이퍼(W)가 로트(예컨대 25장) 단위로 OC24A, 24B, 24C 내에 각각 수납되어, 이들의 OC24A, 24B, 24C가, 캐리어대 60A, 60B, 60C 상에 각각 적재되어 있는 것으로 한다.
여기서는, 일례로서, OC24B 내의 웨이퍼(W)를 처리하는 경우에 대해 설명한다. 또한, 이하의 각부의 동작은 도 3에 도시되는 도포·현상 제어 장치(62) 및 주제어 장치(120)의 관리 하에 있는 로더 제어 장치(34) 등에 의해 실행되지만, 이하에 있어서는, 설명을 간략화하기 위해, 특히 필요한 경우 이외는, 이들의 제어 장치에 관한 기술은 생략하는 것으로 한다.
우선, 스칼라 로봇(58)이 OC24B 내에서 첫번째 장의 웨이퍼(이하, 편의상「웨이퍼(W)」라고 기술함)를 추출, 웨이퍼 전달부(64) 상에 적재한다. 이 때, 스칼라 로봇(68)은 도 1에 있어서의 좌단 위치로 이동하고 있는 것으로 한다. 그래서, 스칼라 로봇(68)은 웨이퍼 전달부(64) 상에서 웨이퍼(W1)를 예컨대 제1 도포부(76) 내에 반입한다. 이에 따라, 제1 도포부(76) 내의 스핀 코팅에 의해 레지스트의 도포가 개시된다.
상기의 스칼라 로봇(68)의 동작과 병행하여, 스칼라 로봇(58)이 OC24B 내에서 두번째 장의 웨이퍼(편의상 「웨이퍼(W2)」라고 함)를 추출, 웨이퍼 전달부(64) 상에 적재하고 있다. 그래서, 스칼라 로봇(68)은 그 웨이퍼(W2)를 웨이퍼 전달부(64) 상에서 제2 도포부(78)로 반입한다. 그리고, 웨이퍼(W1)의 레지스트 도포가 종료하면, 스칼라 로봇(68)은 그 웨이퍼(W1)를 제1 도포부(76)로부터 추출하여 베이크부(74)로 반입한다. 이에 따라, 베이크부(74)내의 베이킹 장치에 의해 웨이퍼(W1)의 가열 처리(PB)가 개시된다.
상기의 웨이퍼(W1) 베이크부(74)로의 반입이 행해지기까지의 사이에, 스칼라 로봇(58)이 OC24B 내에서 세번째 장의 웨이퍼(편의상 「웨이퍼(W3)」라고 함)를 추출, 웨이퍼 전달부(64) 상에 적재하고 있다. 그래서, 스칼라 로봇(68)은 그 웨이퍼(W3)를 웨이퍼 전달부(64) 상에서 제1 도포부(76) 내에 반입한다.
그리고, 전술의 웨이퍼(W1)의 PB가 종료하면, 스칼라 로봇(68)은 그 웨이퍼(W1)를 베이크부(74)로부터 추출하여 냉각부(80) 내에 반입한다. 이에 따라, 냉각부(80) 내부에서 웨이퍼(W1)의 냉각이 개시된다. 이 냉각은 노광 장치(10)의 챔버(16) 내부, 특히 노광실(12A) 내에 반입되었을 때에, 그 노광실(12A) 내의 각부 에 영향을 부여하지 않는 온도, 예컨대 20∼25℃의 범위에서 정해지는 노광실(12A) 내의 공기 조절계의 목표 온도를 그 목표 온도로서 행해진다. 또한, 최근의 노광 장치에서는, 미소 선폭의 패턴을 웨이퍼 상에 전사 형성하므로, 온도 관리는 중요한 항목이다. 이것은, 극히 적은 온도 변화에 의한 웨이퍼의 팽창·수축으로도, 그것이 선폭 이상이나 중합 불량 등 여러 가지의 악영향을 초래하기 때문이다. 단, 냉각 후, 노광 장치의 웨이퍼 스테이지(WST)까지 반송되기까지의, 온도 변화를 고려하여 냉각시의 목표 온도를 정하여도 좋다.
다음으로, 스칼라 로봇(68)은 레지스트 도포가 종료한 웨이퍼(W2)를 제2 도포부(78)로부터 추출하여 베이크부(74)에 반입하고, 이어서 그 시점에서 이미 스칼라 로봇(58)에 의해 웨이퍼 전달부(64) 상에 적재되어 있는 네 번째 장의 웨이퍼(편의상「웨이퍼(W4)」라고 함)를 웨이퍼 전달부(64)로부터 제2 도포부(78)로 반입한다.
그리고, 냉각부(80) 내에서 웨이퍼(W1)의 냉각이 종료하면, 스칼라 로봇(68)은 그 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 전달부(82) 상에 적재한다. 이어서, 스칼라 로봇(68)은 베이크부(74) 내의 웨이퍼(W2)의 PB가 종료하면, 그 웨이퍼(W2)를 베이크부(74)로부터 추출하여 냉각부(80)로 반입한다. 다음으로, 스칼라 로봇(68)은 레지스트 도포가 종료한 웨이퍼(W3)를 제1 도포부(76)로부터 추출, 베이크부(74) 내에 반입한 후, 그 시점에서 이미 스칼라 로봇(58)에 의해 웨이퍼 전달부(64) 상에 적재되어 있는 다섯 번째 장의 웨이퍼(편의상「웨이퍼(W5)」라고 함)를 웨이퍼 전달부(64)로부터 제1 도포부(76)로 반입한다. 이후, C/D(50) 내에서는, 상기와 동일한 일련의 웨이퍼에 대한 레지스트 도포, PB, 냉각 및 이들의 일련의 처리에 수반하는 상기의 웨이퍼의 반송 동작이 순차 반복 행해져, 웨이퍼(W)가 순차 웨이퍼 전달부(82) 상에 적재된다.
상기 인라인 I/F부(110) 내에서는, 스칼라 로봇(116)이 웨이퍼 전달부(82) 상에 순차 적재되는 노광 전(미노광)의 웨이퍼를 인라인 전달부(114)의 로드측의 웨이퍼 전달부(124A) 상에 순차 적재한다.
한편, 노광 장치(10)측에서는, 우선, 스칼라 로봇(26)이 Y 가이드(18)에 따라 좌단 위치까지 이동하여, 챔버(16)의 개구를 통해 인라인 전달부(114)로부터 웨이퍼(W1)를 수취한다. 이어서, 스칼라 로봇(26)은 Y 가이드(18)에 따라 턴테이블(32)의 앞쪽까지 도 1 중의 우측으로 이동하여, 웨이퍼(W1)를 턴테이블(32) 상에 적재한 후, 즉시, 스칼라 로봇(26)은 다음 웨이퍼(W2)를 수취하기 위해, Y 가이드(18)를 따라 좌단 위치를 향해 이동한다.
그 후, 도시하지 않은 구동계에 의해 턴테이블(32)이 회전 구동되어, 이에 따라 턴테이블(32)에 유지된 웨이퍼(W1)가 회전된다. 이 웨이퍼(W1)의 회전 중에, 웨이퍼 엣지 센서에 의해 웨이퍼 엣지의 검출이 행해지고, 그 검출 신호에 기초하여 로더 제어 장치(34)에 의해, 웨이퍼(W1)의 노치의 방향 및 웨이퍼 중심과 턴테이 블(32)의 중심의 편심량(방향 및 크기)이 구해진다. 로더 제어 장치(34)는 턴테이블(32)을 회전시켜 웨이퍼(W)의 노치부의 방향을 소정 방향으로 맞춘다.
이 때, 로드 아암(28)은 소정의 웨이퍼 수취 위치에 있는 턴테이블(32)상의 웨이퍼(W1)를 수취하지만, 이 때에, 먼저 구해진 웨이퍼 중심과 턴테이블(32)의 중심과의 편심량의 X 성분을 보정할 수 있는 위치까지 일단 이동한 후 수취한다. 그 후, 로드 아암(28)은 소정의 로딩 포지션에 대기하고 있는 웨이퍼 스테이지(WST)의 상측을 향해 X 가이드(20)를 따라 이동을 개시한다.
이 때, 스칼라 로봇(26)은 그 시점 전에 스칼라 로봇(116)에 의해, 인라인 전달부(114)의 웨이퍼 전달부(124A)에 적재되어 있던 웨이퍼(W2)를 이미 수취하고 있다. 그래서, 로드 아암(28)이 Y 가이드(18)로부터 일정 거리 이상 떨어지면, Y 가이드(18)를 따라 턴테이블(32)의 앞쪽까지 우측으로 이동하여, 웨이퍼(W2)를 턴테이블(32) 상에 적재한다. 그 후, 스칼라 로봇(26)은 소정의 대기 위치로 이동하는 동시에, 턴테이블(32)의 회전 및 웨이퍼 엣지 센서에 의한 웨이퍼 엣지 검출이 개시되어, 그 후 로더 제어 장치(34)에 의해 웨이퍼(W2)의 노치의 방향 및 웨이퍼 중심과 턴테이블(32)의 중심과의 편심량(방향 및 크기)이 산출되게 된다.
로드 아암(28)은 웨이퍼 스테이지(WST)의 상측까지 웨이퍼(W1)를 반송하면, 상기 웨이퍼(W1)를 웨이퍼 스테이지(WST)로 전달한다. 이 경우에 있어서, 로드 아암(28)으로부터 웨이퍼 스테이지(WST)에 웨이퍼(W1)가 전달되기 직전에, 상기 편심 량의 Y 성분이 보정되도록 웨이퍼 스테이지(WST)가 Y축 방향으로 미소 구동된다.
그리고, 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 전달받은 웨이퍼(W1)에 대한 노광 동작이 행해진다. 또한, 이 노광은 통상의 스캐너와 동일하게, 레티클(R)[레티클 스테이지(RST)]과 웨이퍼(W1)[웨이퍼 스테이지(WST)]를 각 쇼트영역의 노광을 위한 주사 개시 위치로 위치 결정하는 동작과, 레티클(R)과 웨이퍼(W1)를 동기 이동하면서 레티클(R) 상의 슬릿형의 조명 영역을 노광용 조명광에 의해 조명하여, 레티클(R)의 패턴을 투영 광학계(PL)를 통해 웨이퍼(W1) 상의 각 쇼트 영역에 축차 전사하는 주사 노광 동작을 반복함으로써 행해진다.
상기의 노광이 종료하면, 웨이퍼 스테이지(WST)가 언로딩 포지션, 즉 전술한 로딩 포지션까지 이동하여, 언로드 아암(30)이 노광된 웨이퍼(W)를 수취, Y 가이드(18) 위쪽까지 반송하여, 거기에 대기하고 있는 스칼라 로봇(26)에 전달한다. 그리고, 스칼라 로봇(26)에 의해, 웨이퍼(W1)가 반송되어, 최종적으로 인라인 전달부(114)의 언로드측의 웨이퍼 전달부(124B)로 전달된다.
이 경우에 있어서, 스칼라 로봇(26)이 간섭하지 않는 위치까지 인라인 전달부(114)측으로 이동하면, 로드 아암(28)이 회전 조정이 종료한 웨이퍼(W2)를 턴테이블(32) 상에서 수취, 로딩 포지션에 대기하고 있는 웨이퍼 스테이지(WST) 상측을 향해 반송하여, 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 전달한다.
그 후, 웨이퍼 스테이지(WST) 상에서 전달된 웨이퍼(W2)에 대한 노광 동작이 행해진다. 이후, 노광 장치(10) 내에서는, 웨이퍼 전달부(124A)에 적재된 세번째 장의 웨이퍼(W3) 이후의 웨이퍼를 순차 취득, 전술과 동일한 경로로 웨이퍼 스테이지(WST) 상에 반송하여, 노광을 행한 후, 최종적으로 인라인 전달부(114)의 언로드측의 웨이퍼 전달부(124B)로 전달한다고 하는 처리가 반복 행해지게 된다.
한편, 인라인 I/F부(110) 내에서는, 전술한 바와 같이 하여, 노광 장치(10)측에서 첫 번째 장의 웨이퍼(W)에 대한 노광이 종료하고, 그 웨이퍼(W1)가 노광 장치(10)측의 스칼라 로봇(26)에 의해, 웨이퍼 전달부(124B)로 반송된 시점 이후, 스칼라 로봇(116)이 상기의 웨이퍼 전달부(82)로부터 노광 전의 웨이퍼(W)를 웨이퍼 전달부(124A) 상에 반송하여 적재한 동작과, 노광이 종료한 웨이퍼(W)를 웨이퍼 전달부(124B)로부터 웨이퍼 전달부(82) 상에 반송하여 적재하는 동작을 소정의 순서로, 반복 행해지게 된다.
전술한 바와 같이 하여, 인라인 I/F부(110) 내의 스칼라 로봇(116)에 의해, 웨이퍼 전달부(124B)로부터 웨이퍼 전달부(82) 상에 반송되어 적재된 노광된 첫 번째 장의 웨이퍼(W1)는 스칼라 로봇(68)에 의해 베이크부(74) 내에 반입되어, 상기 베이크부(74) 내의 베이킹 장치에 의해 PEB가 행해진다. 베이크부(74) 내에서는 복수장의 웨이퍼를 동시에 수용 가능하다.
한편, PEB가 종료한 웨이퍼(W1)는 스칼라 로봇(68)에 의해 베이크부(74)로부터 추출되어, 예컨대 제1 현상부(70) 내에 반입되어, 상기 제1 현상부(70) 내의 현상 장치에 의해 현상이 개시된다.
이 현상 중에, 스칼라 로봇(68)은 노광이 종료한 두번째 장의 웨이퍼(W2)가 웨이퍼 전달부(82) 상에 적재되어 있는 경우에는, 그 웨이퍼(W2)를 웨이퍼 전달부(82)로부터 베이크부(74) 내로 반입한다. 이에 따라, 상기 베이크부(74) 내의 베이킹 장치에 의해 PEB가 행해진다. 다음으로, 스칼라 로봇(68)은 다음 웨이퍼를 웨이퍼 전달부(82) 상에 적재하고, 혹은, PEB가 종료한 웨이퍼(W2)를 제2 현상부(72)에 반입하는 등의 동작을, 소정의 순서로 행한다.
그리고, 웨이퍼(W1)의 현상이 종료하면, 스칼라 로봇(68)은 웨이퍼(W1)를 제1 현상부(70)로부터 추출, 웨이퍼 전달부(64) 상에 적재한다. 이 웨이퍼(W1)는, 최종적으로 스칼라 로봇(58)에 의해, OC24B 내의 소정의 수납단에 반입되게 된다. 이후, C/D(50) 내에서는, 두 번째 장 이후의 웨이퍼에 대해, 웨이퍼(W1)와 동일한 수순으로, PEB, 현상 및 웨이퍼의 반송이 반복 행해지게 된다.
지금까지의 설명을 모으면, 첫번째 장의 웨이퍼의 노광 종료 직후까지는 도포·현상 제어 장치(62)의 관리 하에 있는, C/D(50) 내의 구성 각부 및 인라인 I/F부(110) 내의 스칼라 로봇(116)등에 의해, OC24B로부터의 웨이퍼의 추출, 레지스트 도포, PB, 냉각 및 이들의 동작에 수반하는 웨이퍼의 반송이 소정의 수순 및 순서로 반복 행해지고, 노광 전의 웨이퍼가 웨이퍼 전달부(124A)에 순차 적재된다. 또한, 첫번째 장의 웨이퍼의 노광 종료직후 이후는 OC24B부터의 웨이퍼의 추출, 레지스트 도포, PB, 냉각 및 이들의 동작에 수반하는 웨이퍼의 반송 동작과, 웨이퍼 전 달부(124B)에 순차 적재되는 노광된 웨이퍼에 대한 PEB, 현상, OC24B 내에의 웨이퍼의 반입 및 이들의 동작에 수반하는 웨이퍼의 반송 동작이 소정의 수순 및 순서로 반복 행해진다.
본 실시형태에서는, 도포·현상 제어 장치(62)와 로더 제어 장치(34) 사이에서, 웨이퍼의 반송에 관한 정보의 교환이 행해져, 그 정보에 기초하여, 도포·현상 제어 장치(62), 로더 제어 장치(34)에 의해 각각의 웨이퍼 반송계의 각부가 제어되는 것에 의해, 상술한 인라인 I/F부(110)를 통한 C/D(50)측과 노광 장치(10)측과의 상기의 각 웨이퍼의 교환(전달)이 원활하게 행해지도록 되어 있다.
그런데, 상술한 웨이퍼의 처리 동작을 장기간에 걸쳐 원활하게 행하기 위해서는, 리소그래피 시스템(100)을 구성하는 노광 장치(10)나 C/D(50)의 구성 각부의 메인터넌스 등의 장치의 성능 유지를 위해 필요한 특정 동작을 행하는 것이 필요하다. 또한, 여기서 말하는 특정 동작은 메인터넌스(정기 메인터넌스, 그 외의 메인터넌스의 외에, 부품 교환 등도 포함함) 및 자기 캘리브레이션 등의, 장치의 성능 유지를 위해 필요한 동작으로서 장치의 본래 동작을 정지하는 것이 필요해지는 동작의 모두를 포함한다.
다음으로, 노광 장치(10)에서 행해지는 메인터넌스 및 자기 캘리브레이션의 구체예에 대해 설명한다.
a. 레이저 장치(1)에 있어서의 레이저 가스 교환
엑시마 레이저는 일반적으로 매체 가스인 불소 등의 할로겐 가스 및 크립톤, 아르곤 등의 희가스 및 버퍼 가스인 헬륨, 네온 등의 3종의 혼합 가스를 레이저 챔 버에 봉입하여, 레이저 챔버 내의 방전 전극 사이의 글로우 방전에 의해 할로겐 가스(불소 F2)와 희가스(Kr, Ar 등)등이 반응하여, 나노 초오더의 펄스광으로서 레이저광을 방출한다. 엑시마 레이저에 있어서는, 레이저광 방출을 반복하는 동안, 할로겐 가스가 챔버 내에 발생하는 불순물과 결합하거나, 챔버의 내측에 흡착하거나 하기 위해, 할로겐 가스의 농도가 저하하여 레이저의 펄스 에너지가 저하해 버리는 동시에, 엑시마 레이저 광원의 각 구성 부품에 열화가 생겨 버린다. 또한, 높은 광강도의 자외광이 사출되는 것부터, 레이저광을 통과시키는 투과창이나 빔 분할기(도시하지 않음) 등에도 열화가 생긴다.
그리고, 이러한 엑시마 레이저를 노광 장치의 광원으로서 사용하는 경우, 펄스 에너지의 변동은 웨이퍼 상의 노광량의 제어 정밀도의 저하나, 광학계에 기인한 웨이퍼 상의 간섭 무늬를 저감하는 기능의 저하나, 펄스에너지 모니터계의 광전 검출계의 신호의 S/N 비의 저하 등을 초래한다. 이 때문에, 엑시마 레이저를 광원으로서 이용하는 노광 장치에서는 가스 농도의 저하에 수반하여 저하하는 펄스 에너지를 모니터하여, 이 모니터 결과에 기초하여 고압 전원의 전원 전압(고압 전원으로부터 방전 전극에 인가되는 전압)을 피드백 제어함으로써, 그 전원 전압을 서서히 높여가, 펄스 에너지를 일정하게 유지하도록 하고 있다. 그러나, 인가 가능한 전원 전압에는 상한이 있으므로, 인가 전압이 상한에 달하면 가스 교환 동작을 행하여 가스 농도를 적정치로 되돌리고, 이에 따라 인가 전압을 내려 펄스 에너지를 일정하게 유지할 필요가 있다.
그래서, 본 실시형태의 노광 장치(10)에 있어서도, KrF 엑시마 레이저 혹은 ArF 엑시마 레이저로 이루어지는 레이저 장치(1)가 광원으로서 이용되고 있으므로, 가스 교환이 필요하다. 예컨대, 레이저 장치(1)가 ArF 엑시마 레이저인 경우, 레이저 장치(1) 내의 가스를 3일에 한번 정도의 빈도로 교환해야 한다. 이 가스 교환에는, 대략 30분 정도가 필요하고, 이 가스 교환 중에는 노광 장치(10)는 레이저광을 이용하는 동작을 일체 행할 수 없게 된다.
또한, 이 가스 교환은 로트 선두의 웨이퍼에 대한 노광을 개시하기 직전에 행해진다. 이것은, 가스 교환을 행한 직후에 웨이퍼에 대한 노광이 행해지(바꾸어 말하면, 웨이퍼에 대한 노광 개시 직전에 가스 교환이 행해짐)도록 하는 것으로, 시간의 경과에 기인하는 가스의 열화를 방지하여 가스 수명을 유효하게 유지하기 위해서이다. 따라서, 이 가스 교환이 행해지는 로트에서는 통상보다 30분 더 시간이 걸리게 된다. 또한, 엑시마 레이저 광원의 가스 교환에 대해서는, 예컨대 일본 특허 공개 평 제2-294013호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 제5,383,217호 공보 등에 개시되어 있다. 본 국제 출원으로 지정한 지정국 또는 선택한 선택국의 국내법령이 허용하는 한에 있어서, 상기 미국 특허에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
b. 웨이퍼 테이블(TB) 상의 이동 거울(27)(보다 정확히는 X 이동 거울, Y 이동 거울)의 굴곡 계측
웨이퍼 테이블(TB)의 위치는 X 이동 거울, Y 이동 거울의 반사면에 수직으로 레이저 빔(측 길이 빔)을 조사하여, 각 반사면으로부터의 반사 광속을 수광하는 레 이저 간섭계에 의해, 계측되고 있다. 각 레이저 간섭계는 도시하지 않은 참조 거울(고정 거울)을 기준으로 하여 이동 거울 반사면의 측길이축 방향(측길이 빔의 방향)의 위치 변화를 계측하는 것이다.
따라서, 이동 거울의 반사면에 굴곡이 있으면, 계측된 웨이퍼 테이블의 위치 정보에는, 그 반사면의 굴곡에 따른 오차가 포함되게 된다.
그런데, 각 이동 거울은 웨이퍼 테이블(TB)[XY 스테이지(141)]의 이동 스트로크에 대응한 X축 방향 및 Y축 방향의 길이가 필요하며, 상당한 길이를 갖고 있으므로, 그 평탄도를 양호하게 확보하는 것은, 여하에 고정 밀도의 표면 가공(경면 가공)을 행하여도 용이하지 않다. 또한, 만일, 평탄도의 양호한 이동 거울을 제작할 수 있었더라도, 이것을 웨이퍼 테이블(TB)에 고정할 때에 왜곡이 발생하거나, 고정 후의 경시 변화에 의해 왜곡이 발생하거나 하는 개연성이 높다. 또한, 노광 장치에 요구되는 노광 정밀도가 높아짐에 따라, 요구되는 중합 정밀도, 얼라이먼트 정밀도 등을 고려한 경우에, 그 요구 정밀도를 만족하는 레벨의 평탄도를 갖는 평면 거울을 제작하는 것은 매우 곤란하게 되어있다. 따라서, 이동 거울의 반사면의 형상을 때때로 계측하여, 그 계측 결과를 이용하여 이동 거울의 반사면형상에 기인하는 레이저 간섭계의 계측 오차를 보정하는 것이, 노광 장치의 성능을 유지하기 위해서는 필요 불가결이다.
이 이동 거울의 반사면의 형상(이동 거울 굴곡)의 계측 방법으로서는, 예컨대 일본 특허 제3295846호 공보 등에 개시되어 있고, 간섭계에 의해 이동 거울의 국소적인 기울기를 측정하여, 그것을 누계하여 이동 거울의 반사면의 형상을 구하 는 방법을 이용할 수 있다. 이 방법에 의한, 이동 거울굴곡 계측에는 10분 정도의 시간이 필요하다.
c. 다점 AF계(160a, 160b)의 센서간 오프셋의 교정 및 웨이퍼 홀더(25)의 플래트니스(평탄도) 계측 등
웨이퍼는 웨이퍼 홀더 상에서, 진공 흡착 혹은 정전 흡착 등에 의해 흡착 유지되어 있다. 이 때문에, 웨이퍼는 웨이퍼 홀더의 표면 형상을 본떠서 변형한다. 따라서, 웨이퍼 홀더의 플래트니스가 불량이면, 그 웨이퍼홀더에 흡착 유지되는 웨이퍼 표면의 플래트니스도 불량이 되어, 결과적으로 디포커스에 기인하는 노광 불량을 초래한다. 특히, 요구되는 해상도를 달성하기 위해, ArF 엑시마 레이저광 또는 KrF 엑시마 레이저광을 노광용의 조명광(IL)으로서 이용하고, 개구수(N. A. )가 큰 투영 광학계를 이용하는 노광 장치에서는, 종래 문제가 되지 않을 정도였던 웨이퍼 홀더의 요철도 무시할 수 없게 되었다.
상기의 웨이퍼 홀더의 플래트니스를 계측하는 방법으로서, 본 실시형태와 같이, 다점 AF계(160a, 160b)를 구비하고 있는 노광 장치에서는, 그 다점 AF계를 이용하여, 웨이퍼 홀더 상에 흡착 유지된 매우 평탄도가 높게 설정된 계측용 웨이퍼(슈퍼 플랫 웨이퍼)의 복수의 검출점(계측점)에 있어서의 면 위치 정보를 취득하여, 그 면 위치 정보(Z축 방향에 관한 위치 정보)를 이용하여, 그 슈퍼 플랫 웨이퍼의 플래트니스(즉, 홀더 플래트니스)를 산출하는 방법이 비교적 많이 채용된다.
단, 다점 AF계(160a, 160b)에서는, 복수의 검출점(계측점)에 있어서의 피계측 물체의 면 위치 정보를 복수의 센서에 의해 개별적으로 계측하고 있는 점에서, 이들의 센서간의 출력 변동(개체 차에 기인하는 것 등)이 있으면, 그 출력 변동이 오차 요인이 되어 홀더 플래트니스를 정확하게 계측하는 것이 곤란해질 뿐만 아니라, 노광시의 웨이퍼의 포커스·레벨링의 제어오차의 요인이 되어, 패턴의 결상 성능에 중대한 영향을 미치게 해버린다.
그래서, 본 실시형태에서는 다점 AF계(160a, 160b)의 센서간 오프셋의 교정(캘리브레이션)을 행하는 동시에, 그 캘리브레이션 후의 다점 AF계(160a, 160b)를 이용하여 전술의 홀더 플래트니스 계측을 행하는 것으로 하고 있다.
여기서, 다점 AF계(160a, 160b)의 센서간 오프셋의 교정에 있어서는, 예컨대 국제 공개 제02/054462호 팜플렛 등에 개시되는 방법과 동일하게 하여 기준 평면판(143)을 이용하여 센서간 오프셋의 교정을 행할 수 있다. 또한, 홀더 플래트니스 계측의 방법으로는, 예컨대 일본 특허 공개 제2002-048527호 공보 등에 개시되는 방법을 채용할 수 있다. 즉, 상기의 홀더 플래트니스를 계측할 때, 웨이퍼 홀더(25) 상에 흡착 유지된 슈퍼 플랫 웨이퍼 표면의 복수의 계측점에 있어서의 Z축 방향에 관한 위치 정보(면 위치 정보)를 상기의 센서간 오프셋의 교정 후의 다점 AF계(160a, 160b)를 이용하여 계측한다. 이러한 계측을 웨이퍼 스테이지(WST)를 이동하면서, 슈퍼 플랫 웨이퍼 상의 복수 개소에서 행한다. 그리고, 미리 정해진 소정수의 면 위치 정보를 취득한 단계에서, 지금까지 취득된 면 위치 정보군에 대해 소정의 통계 처리를 행하여, 웨이퍼 홀더의 평탄도로서의 슈퍼 플랫 웨이퍼의 평탄도(플래트니스)를 산출한다.
상기의 웨이퍼 플래트니스의 계측 결과에 기초하여, 웨이퍼 홀더 상에 존재 하는 먼지 등의 이물도 검출할 수 있고, 이물이 검출된 경우에는, 웨이퍼 홀더의 청소 또는 교환을 행한다. 웨이퍼 홀더의 플래트니스 계측의 결과가 불량인 경우도, 웨이퍼 홀더의 교환 등을 행한다.
상기의 다점 AF계(160a, 160b)의 센서간 오프셋의 교정 및 웨이퍼 홀더의 플래트니스 계측 및 그 결과에 기초하는 웨이퍼 홀더의 교환 등의 작업에 대략 30분 정도가 필요하다.
또한, 상기의 센서간 오프셋의 캘리브레이션에 있어서는, 기준 평면판(143)을 이용하지 않고, 슈퍼 플랫 웨이퍼를 이용하여도 좋다. 이러한 슈퍼 플랫 웨이퍼를 이용한 방법도, 국제 공개 제02/054462호 팜플렛에 개시되어 있다.
d. 기준 마크판(FM)에 형성된 피듀셜 마크의 로테이션 계측(스테이지직교 계측)
오프 액시스 방식의 얼라이먼트계(ALG)를 이용하는 경우, 그 얼라이먼트계 베이스 라인 계측에 있어서, 웨이퍼 테이블(TB) 상의 기준 마크판(FM)에 형성된 기준 마크(피듀셜 마크)의 스테이지 좌표 계상의 위치 좌표의 계측이 필요 불가결하다. 기준 마크의 스테이지 좌표 계상의 위치 좌표의 계측은 웨이퍼 테이블(TB) 상의 이동 거울(27)(X 이동 거울, Y 이동 거울)과 기준 마크판(FM)의 위치 관계가 소정의 관계인 것을 전제로서 행해지고, 얼라이먼트계(ALG)의 검출 중심과 기준 마크의 위치 관계와, 그 검출시의 웨이퍼 간섭계(31)에서 계측되는 X, Y좌표, 즉 X 이동 거울과 Y 이동 거울의 참조 거울을 기준으로 하는 위치 정보에 기초하여, 기준 마크의 스테이지 좌표 계상의 위치 좌표가 산출된다. 따라서, 기준 마크판(FM)과 웨이퍼 테이블(TB) 상의 이동 거울(27)(X 이동 거울, Y 이동 거울)과의 관계는 항상 일정한 것이 바람직하다.
그러나, 다른 메인터넌스 작업 시에, 오퍼레이터가 이동 거울(27)(X 이동 거울, Y 이동 거울)이나 기준 마크판(FM)에 접촉하는, 혹은 열의 영향등에 의한 시간 경과적 변화에 의해, 기준 마크판(FM)이 이동 거울(27)(X 이동 거울, Y 이동 거울)에 대해 회전하는 경우가 있다. 이와 같이 하여 양자간의 위치 관계가 변동하면, 기준 마크 위치의 계측에 오차가 생겨, 베이스 라인 계측 정밀도가 저하하여 노광 정밀도의 악화를 초래하기 쉽다. 그래서, 본 실시형태에서는, 기준 마크판(FM) 상의 피듀셜 마크를 얼라이먼트계(ALG)에서 검출함으로써, 이 검출 결과와 그 때의 웨이퍼 간섭계(31)의 계측 결과에 기초하여, 이동 거울과 피듀셜 마크의 위치 관계가 초기 상태로부터 얼마만큼 어긋나 있는지를 계측하여, 초기값의 보정을 행하도록 하고 있다.
또한, 상기의 피듀셜 마크의 로테이션 계측에는, 5∼10분 정도의 시간이 필요하다.
e. 레티클 스테이지(RST)와 웨이퍼 스테이지(WST)의 동기 정밀도의 확인
본 실시형태와 같은 스텝 앤 스캔 방식의 주사 노광 장치에서는 주사 노광시의 레티클 스테이지(RST)(레티클)와 웨이퍼 스테이지(WST)(웨이퍼)의 동기 오차라는 동적인 요인이 웨이퍼 상에 전사된 패턴의 상의 위치 어긋남(또는 디스토션)이나 분해능의 열화가 요인이 된다. 또한, 레티클 스테이지(RST)(레티클)와 웨이퍼 스테이지(WST)(웨이퍼)의 동기 정밀도는 시간 경과적으로 변화하는 것도 알려져 있 고, 시간 경과에 동반하여, 노광 정밀도가 저하할 우려도 있다.
그래서, 본 실시형태에서는, 레티클 스테이지(RST)와 웨이퍼 스테이지(WST)를 예컨대 쇼트맵에 따라 동기 이동하여, 그 사이의 레티클 스테이지(RST)의 위치를 계측하는 간섭계(13)와, 웨이퍼 스테이지(WST)의 위치를 계측하는 간섭계(31)의 계측 결과를 취한다. 그리고, 레티클측의 간섭계(13)의 계측 결과와, 웨이퍼측의 간섭계(31)의 계측 결과 사이에 동기 오차가 발생하고 있는지의 여부를 판단한다. 이러한 동기 오차의 계측에 대해서는, 예컨대, 일본 특허 공개 평 제11-067655호 공보 등에 기재되어 있다.
또한, 상기의 동기 정밀도의 계측에는 대략 15분 정도의 시간이 필요하다.
f. 웨이퍼 로드의 재현성 계측
웨이퍼(W)가 웨이퍼 테이블(TB) 상에 로드될 때에, 원하는 위치에 언제나 로드되지 않으면, 예컨대 웨이퍼 얼라이먼트일 때에, 얼라이먼트계(ALG)를 이용하여 웨이퍼(W) 상의 얼라이먼트 마크(서치 마크 또는 파인 마크)를 계측하려 해도, 얼라이먼트계의 계측 영역(시야)에 얼라이먼트 마크가 들어가지 않는 상황이 발생한다. 이러한 경우, 오퍼레이터 등이 어시스트해야만 하게되고, 작업 처리량의 저하를 야기하는 요인이 될 수도 있다.
따라서, 웨이퍼 로드의 재현성 계측은 중요하고, 본 실시형태에서는, C/D측에서 소정 매수의 웨이퍼를 노광 장치측으로 보내어, 순차, 로드, 언로드를 반복 실행하여, 웨이퍼 로드의 재현성을 계측한다. 혹은, 1장의 웨이퍼를 이용하여, 로드, 언로드를 반복 실행하여, 웨이퍼 로드의 재현성을 계측한다. 이들의 계측에 의해, 재현성이 저하할 때에는, 반송 시퀀스의 보정 등을 행할 필요가 있다.
상기의 웨이퍼 로드의 재현성의 계측에는, 계측에 이용하는 웨이퍼의 매수, 혹은 계측의 반복 횟수에도 의하지만, 통상은, 15분∼30분 정도가 필요하다.
g. AF 면과 웨이퍼 테이블 상면과의 면 맞춤
여기서, AF면이란 전술의 센서간 오프셋이 조정된 다점 AF계(160a, 160b)의 복수의 센서의 출력이 전부 기준치(예컨대 영)인 경우에 규정되는 가상적인 기준 평면을 의미한다.
노광중의 포커스·레벨링 제어일 때, 웨이퍼 테이블 상의 웨이퍼 표면과, 투영 광학계(PL)의 상면이 떨어져 있으면, 그 포커스·레벨링 제어일 때의 웨이퍼의 면 위치의 맞춤에 시간이 걸려, 혹은 맞춤 지연이 생겨, 작업 처리량 또는 노광 정밀도의 저하를 초래한다. 따라서, 노광일 때는, 웨이퍼 표면이, 투영 광학계(PL)의 상면의 근방에 위치하고 있는 것이 바람직하다.
그래서, 본 실시형태에서는, AF 면과 웨이퍼 테이블 상면과의 면 맞춤, 즉 AF면과 웨이퍼 스테이지의 이동면(주행면)을 평행하게 하기 위한 조정을 다음과 같이 하여 실행하도록 하고 있다.
즉, 본 실시형태의 노광 장치(10)에서는, 웨이퍼 스테이지(WST)는 투영 광학계(PL)가 유지되고 있는 제1 칼럼(132)과는 별도 설치된 스테이지 베이스(SB) 상에 지지되어 있다(도 2 참조). 이 스테이지 베이스(SB)는 전술한 방진 유닛(43)에 의해 지지되어 있다.
이 경우에 있어서, 웨이퍼 스테이지(WST)의 높이 방향[투영 광학계(PL)의 광 축 방향]의 위치는 방진 유닛(43)을 구성하는 에어마운트 기구 내의 에어량을 조정하여 스테이지 베이스(SB)의 높이 위치를 조정함으로써, 대략적인 조정이 가능해지고 있다. 또한, 웨이퍼 테이블(TB) 상의 기준 평면판(143)의 면 위치는 웨이퍼 홀더(25) 상에 유지되었을 때의 웨이퍼의 면 위치와 거의 동일 면상에 위치하고 있다.
한편, 다점 AF계(160a, 160b)의 각 센서는, 예컨대 공간상 계측기를 이용하여 후술하는 바와 같이 하여 계측된 베스트 포커스 위치가 원점이 되도록 미리 캘리브레이션 되어 있다. 이 결과, 전술의 AF면은 투영 광학계(PL)의 상면에 거의 일치하고 있다.
따라서, 본 실시형태에서는, 다점 AF계(160a, 160b)를 이용하여, 기준 평면판(143)의 면 위치 정보를 계측하여, 이 계측 결과에 기초하여 방진 유닛(43)을 통해 스테이지 베이스(SB)의 높이 위치를 조정하는 것으로, 기준 평면판(143)의 면위치를 AF면에 일치시키고, AF면과 웨이퍼 스테이지의 이동면(주행면)을 평행하게 하는 조정을 실행한다.
상기의 면맞춤에는, 대략 5분 정도가 필요하다.
h. 투영 광학계(PL)의 결상 특성의 계측 등
투영 광학계(PL)의 결상 특성은 패턴의 전사 정밀도에 큰 영향을 부여하므로, 빈번히 계측하여, 그 결상 특성을 도시하지 않은 결상 특성 조정기구, 예컨대 투영 광학계(PL)를 구성하는 특정한 복수의 렌즈 엘리멘트를 구동하는 기구 등을 이용하여 조정해야 한다. 또한, 투영 광학계(PL)의 베스트 포커스 위치의 계측 결 과는 다점 AF계(160a, 160b)의 각 센서의 원점위치의 조정에도 이용된다.
그래서, 본 실시형태에서는, 전술한 일본 특허 공개 제2002-198303호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 출원 공개 제2001/0041377호 명세서 등에 개시되는 것과 동일한 방법에 의해, 전술한 RFM 판 상의 각종의 계측용 마크의 공간상을, 전술한 공간상 계측기를 이용하여 슬릿 스캔 방식으로 계측함으로써, 투영 광학계(PL)의 베스트 포커스 위치나, 디스토션, 코마 수차 등을 소정의 타이밍으로 계측하는 것으로 하고 있다. 이들의 계측에는 3, 4분 정도의 시간을 요한다. 또한, 베스트 포커스 위치나, 디스토션, 코마 수차 등뿐만 아니라, 파면 수차를 계측하도록 하여도 좋다. 파면 수차를 계측하는 장치에 대해서는, 예컨대 국제 공개 제99/60361호 팜플렛 및 이에 대응하는 미국 출원 제09/714,183호에 개시되어 있다. 본 국제 출원으로 지정한 지정국(또는 선택한 선택국)의 국내 법령이 허용하는 한에 있어서, 상기 미국 특허 출원 공개에 있어서의 개시를 원용하여 본 명세서의 기재의 일부로 한다.
i. 노광 장치 내의 부품의 정기적인 교환 작업
노광 장치(10)의 구성 부품 중에는, 얼라이먼트계(ALG)의 광원인 할로겐 램프, 노광 장치(10)의 챔버(16) 등에 설치되는 케미컬 필터, 레이저 장치(1)를 구성하는 소모품(레이저 소모품) 및 조명 유닛(ILU) 내의 광학 부품 등의, 수명을 가지고, 또한 정기적인 교환이 필요한 부품이 존재하고 있다.
예컨대, 할로겐 램프는 1개월 반 정도의 주기로 교환의 필요성이 있다. 또한, 케미컬 필터는 3∼6개월 정도의 주기로, 레이저 소모품 및 광학부품은 1년 정 도의 주기로 교환해야 한다. 한편 상기 교환 주기가 긴 것만큼 한번의 교환에 요하는 시간, 즉 교환시의 노광 장치의 다운 타임이 길게 되는 것을 알 수 있다. 단, 할로겐 램프를 제외한 부품의 수명은 노광 장치의 설치 환경이나, 사용 상황에 따라 변화되므로, 일률적으로 그 수명을 규정하는 것은 할 수 없다.
그래서, 본 실시형태에서는, 노광 장치의 환경이나 사용 상황을 노광 장치 내에서 모니터하여, 그 사용 상황 등을 주제어 장치(120)가 관리한다. 그리고, 적절한 교환 시기가 된 단계에서, 입출력 장치(230)의 디스플레이 상에 교환 시기를 도시하여 오퍼레이터에 각 부품의 교환 시기가 오는 것을 알리도록 되어 있다.
한편, C/D(50)측에도, 상기 노광 장치(10)와 동일하게 여러 가지의 메인터넌스 항목이 존재한다.
예컨대, C/D(50) 내의 상기 제1 도포부(76) 및 제2 도포부(78)는 스핀 코팅을 갖고 있고, 이 스핀 코팅은 웨이퍼를 수평으로 유지하여 고속으로 회전하는 회전 구동 장치를 포함하며, 웨이퍼에 공급한 레지스트 등의 처리액에 원심력을 작용시켜 웨이퍼의 전면에 처리액을 넓게 도포하는 처리를 행한다. 이 회전 도포 시에는 웨이퍼 상에 공급된 처리액의 잉여분이 웨이퍼의 외측으로 비산된다. 이 때문에, 스핀 코팅에서는, 웨이퍼의 주위를 둘러싸는 중공의 컵을 설치하여, 처리액이 외측으로 비산하는 것을 방지하고 있다.
이와 같이, 처리액의 외측에의 비산을 방지하는 컵의 내벽에는, 회전 도포 시에 비산한 처리액이 부착되므로, 이 부착된 처리액이 건조하여 고화하면, 진동이나 충격 등에 의해 컵의 내벽으로부터 박리하여, 웨이퍼의 표면에 부착되어 처리 불량이나 웨이퍼의 오염을 야기한다. 또한, 컵의 내벽에 처리액의 고화물이 적층하면, 그 표면 형상이 요철이 되어, 회전 처리 시에 컵 내의 기류를 어지럽힌다. 그리고, 이 기류의 혼란이 웨이퍼의 외주부의 도포막에 영향을 미치게 하여, 도포막의 막 두께 불균일을 생기게 할 우려가 있다.
따라서, 현재에 있어서는, 컵의 내벽을 세정하기 위한 여러 가지의 세정 방법이 제안되고 있다. 예컨대, 일본 특허 공개 평 제5-82435호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 제5,312,487호 공보에는, 컵 세정 기구를 구비한 도포 장치가 개시되어 있다.
본 실시형태에서는, 종래부터 제안되고 있는 세정 방법 중의 하나를 행하는 것으로 하고 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 예컨대 소정 매수(예컨대 500장)의 웨이퍼에 대한 레지스트 도포가 행해진 단계에서, 상기 컵 세정을 행하고 있다. 또한, 이 컵 세정에 대해서는, 대략 10분 정도의 시간을 요한다.
또한, C/D(50)측에서도 노광 장치(10)측과 동일하게, 정기적으로 교환이 필요한 부품이 존재한다. 예컨대 각종 필터나, 배관 등이 생각되어진다[예컨대, 일본 특허 공개 평 제11-40490호 공보, 일본 특허 공개 평 11-156132호 공보(대응 미국 특허 제6,287,023호 공보)참조]. 그래서, C/D(50)에 있어서도, 도포·현상 제어 장치(62)가 각부의 사용 상황을 모니터하여, 각 부품이 적절한 교환 시기가 된 단계에서, 입출력 장치(63)의 디스플레이 상에 교환 시기를 도시하여 오퍼레이터에 각 부품의 교환 시기가 오는 것을 알리도록 되어 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 상술한 C/D(50)측의 메인터넌스에 관한 정보, 예컨대 컵 세정에 관한 정보(타이밍 및 소요 시간), 부품 교환의 시기, 부품 교환에 요하는 시간 등의 정보가 도포·현상 제어 장치(62)에 있어서 관리되어, 그 정보는 주제어 장치(120)에 보내지게 되어 있다.
따라서, 노광 장치(10)의 주제어 장치(120)에서는, C/D(50)측의 상기의 메인터넌스에 관한 정보를 도포·현상 제어 장치(62)로부터 수취, 장치 자체[노광 장치(10)]의 동작을 결정하고 있다. 이 때, 노광 장치(10)의 주제어 장치(120)에서는, 그 메인터넌스에 관한 정보의 구체적인 내용에 따라, 장치 자체[노광 장치(10)]의 메인터넌스 작업(예컨대 전술한 a. ∼i. 등의 특정 동작의 적어도 하나)을 C/D(50)의 메인터넌스 작업과 협조하여 행한다. 구체적으로는 주제어 장치(120)에서는, C/D(50)에서의 메인터넌스 작업의 내용, 그 작업의 개시 시기, 그 작업에 요하는 시간 등을 고려하여, 예컨대 전술한 a. ∼i. 등의 특정한 동작 중에서, C/D(50)측에서의 메인터넌스 작업과 병행하여 실행 가능한 장치 자체의 작업을 적어도 하나 결정하여, 메인터넌스 타이밍의 최적화를 도모하는 것으로 하고 있다. 이에 따라, 그 특정 동작을 행하기에 필요한 노광 장치(10)의 다운 타임(이것은, C/D(50)의 다운 타임기도 함)을 전체적으로 감소시킬 수 있고, 이에 따라, C/D(50)에 인라인 접속된 노광 장치(10)의 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
특히, 주제어 장치(120)는 장치 자체와 C/D(50)측의 부품 교환에 관한 정보를 종합적으로 관리하므로, 그 교환 시기를 일치시키는 것이 가능해진다. 이에 따 라, 예컨대, C/D(50)측의 부품 교환이 어느 날에 행해지고, 그 다음날에 노광 장치(10)측에서 부품 교환이 행해지며, 연속한 이틀 사이에 두 번이나 노광 장치(10)의 본래의 동작을 정지하는 등의 사태가 발생하는 것을 회피할 수 있는 동시에, C/D(50)측의 부품 교환 작업과 병행하여 노광 장치(10)측의 부품 교환 작업을 실행하는 것으로, 노광 장치(10) 및 C/D(50)의 다운 타임, 즉 리소그래피 시스템(100) 전체의 다운 타임을 명확하게 저감하는 것이 가능해진다.
또한, 지금까지는, 메인터넌스 작업으로서, 노광 장치(10) 및 C/D(50)에서 개별로 행해지는 메인터넌스 작업에 대해 설명했지만, 리소그래피 시스템(100)의 메인터넌스 항목으로는, 노광 장치(10)와 C/D(50)를 이용하지 않으면, 할 수 없는 메인터넌스 항목도 존재한다. 이러한 메인터넌스 항목의 구체적인 예로는, 임의의 하나 또는 복수의 계측용 패턴을 노광 장치(10)에서 웨이퍼(W) 상의 복수개 영역에 전사하여, 그 계측용 패턴이 전사된 웨이퍼(W)를 C/D(50)로 현상하고, 현상 후에 그 웨이퍼(W) 상에 형성된 레지스트상의 선폭, 간격 등을 SEM(주사형 전자 현미경) 혹은 얼라이먼트 검출계(ALG) 등을 이용하여 계측하며, 그 계측 결과에 기초하여 노광 장치(10)의 각부의 성능을 구하는, 베이킹법을 이용한 각종 계측 방법을 들 수 있다. 이 종류의 계측 방법으로서는, 예컨대, 투영 광학계(PL)의 각종 결상 특성(베스트 포커스 위치를 포함함)의 계측 방법을 대표적으로 들 수 있다.
본 실시형태에서는, 노광 장치(10)의 주제어 장치(120)는 한쪽의 장치가 다른쪽의 장치를 필요로 하는 메인터넌스 정보, 예컨대 상기의 베이킹법을 이용한 각종 계측 방법에 관한 정보와, 각 장치가 단독으로 작업 가능한 메인터넌스 정보, 전술한 a. ∼h. 까지의 메인터넌스 정보, C/D측의 컵 세정에 관한 정보, 부품 교환에 관한 정보 등을 유지하도록 되어 있다. 그리고, 주제어 장치(120)는 이들의 정보에 기초하여, 각 장치의 메인터넌스 시기의 최적화를 행하도록 되어 있다. 이에 따라, 리소그래피 시스템(100) 전체의 다운 타임을 저감하고 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 실시형태에 따른 노광 장치(10)에 의하면, C/D(50)로부터의 메인터넌스에 관한 정보에 기초하여, 주제어 장치(120)가 C/D(50)의 메인터넌스 중(노광 장치의 본래의 운전도 필연적으로 정지해야 할 때)에, 이것과 병행하여, 장치 자체의 성능 유지를 위해 필요한 동작으로서 장치 본래의 동작의 정지가 필요해지는 특정 동작을 행하는 것을 결정할 수 있다. 이 결과, 그 특정 동작을 행하는 데 필요한 노광 장치의 다운 타임[이것은 C/D(50)의 다운 타임기도 함]을 전체적으로 감소시킬 수 있고, 이에 따라, C/D(50)에 인라인 접속된 노광 장치의 장치 성능을 저하시키지 않고, 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 본 실시형태에 따른 리소그래피 시스템(100)에 의하면, 노광 장치(10)의 주제어 장치(120)가 노광 장치의 메인터넌스 작업과 상기 C/D(50)의 메인터넌스 작업을 협조하여 행하는 메인터넌스 관리 장치를 겸하고 있다. 이 때문에, 노광 장치의 메인터넌스 작업과 C/D(50)의 메인터넌스 작업이, 무관하게 행해지고 있었던 경우와 다르고, 주제어 장치(120)에 의해, 양장치의 메인터넌스 작업이 가능한 한 동시 병행하여 행해지도록 메인터넌스 타이밍의 최적화를 도모할 수 있고, 이에 따라 리소그래피 시스템(100)의 성능을 저하시키지 않고, 그 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 상기 실시형태에서는, C/D(50)의 메인터넌스 정보에 기초하여, 노광 장치의 메인터넌스 동작을 결정하는 것으로 했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, C/D(50)의 메인터넌스 정보에 기초하여, 노광 장치의 어떠한 동작의 결정을 행하는 것으로, 동일하게, 다운 타임의 단축을 도모하는 것이 가능하다.
(제2 실시형태)
다음으로, 본 발명의 제2 실시형태에 대해, 도 4에 기초하여 설명한다. 여기서, 전술한 제1 실시형태와 동일 혹은 동등한 구성 부분에 대해서는, 동일한 부호를 사용함과 동시에 그 설명을 생략하는 것으로 한다. 이 제2 실시형태의 리소그래피 시스템은 제어계의 구성이 전술한 제1 실시형태와 상이할 뿐이므로, 이하에서는, 이 상이점을 중심으로 하여 설명한다.
도 4에는, 본 제2 실시형태의 리소그래피 시스템의 제어계의 구성이 블록도로써 도시되어 있다.
이 도 4에 도시된 바와 같이, 제2 실시형태에서는, C/D(50)측의 도포현상 장치(62)와, 노광 장치(10)의 주제어 장치(120)에, 호스트 컴퓨터(90)가 공통으로 접속되어 있는 점을 특징으로 갖는다. 물론, 본 제2 실시형태에 있어서도, C/D(50)로 실행하여야 할 메인터넌스 작업 항목(부품 교환 등을 포함함), 노광 장치(10)로 실행하여야 할 메인터넌스 작업 항목(부품 교환, 각종 자기 캘리브레이션을 포함함)은 전술한 제1 실시형태와 동일하다.
본 제2 실시형태의 리소그래피 시스템에서는, 주제어 장치(120)로 관리되고 있는 노광 장치(10)측의 전술의 각종 메인터넌스(부품 교환을 포함함)에 관한 정 보[메인터넌스 작업의 내용, 시기(타이밍), 소요 시간 등]가 항상 호스트 컴퓨터(90)에 보내지고 있다. 또한, 도포·현상 제어 장치(62)로 관리되고 있으며, C/D(50)측의 메인터넌스(부품 교환을 포함함)에 관한 정보[메인터넌스 작업의 내용, 시기(타이밍), 소요 시간 등] 등의 정보가, 항상 호스트 컴퓨터(90)에 보내지고 있다.
그래서, 호스트 컴퓨터(90)에서는 노광 장치(10)측 및 C/D(50)측의 메인터넌스의 필요성 등을 종합적으로 관리하고, C/D(50)측의 메인터넌스 작업과 노광 장치(10)측의 메인터넌스 작업을 협조하여 행하도록 되어 있다.
또한, 본 제2 실시형태에서는, 호스트 컴퓨터(90)는 노광 장치(10)와 C/D(50)를 이용하여 행하는 메인터넌스 항목과, 전술한 각 장치 단독으로 행하는 메인터넌스 항목을 분류하여, 각 장치 단독으로 행하는 메인터넌스 항목에 대해서는 될 수 있는 한 양장치로 병행하여 행해지도록 관리한다.
이상 설명한 바와 같이, 본 제2 실시형태의 리소그래피 시스템에 의하면, 호스트 컴퓨터(90)가 노광 장치(10)의 메인터넌스 작업과, 상기 노광 장치(10)에 인라인으로 접속된 C/D(50)의 메인터넌스 작업을 협조하여 행하도록 하고 있으므로, 노광 장치(10)의 메인터넌스 작업과 C/D(50)의 메인터넌스 작업이, 무관하게 행해지고 있었던 경우와 다르고, 호스트 컴퓨터(90)가 양장치의 메인터넌스 작업이 가능한 한 동시 병행하여 행해지도록, 메인터넌스 타이밍의 최적화를 도모함으로써, 리소그래피 시스템의 성능을 저하시키지 않고, 그 가동율을 향상시키는 것이 가능해진다.
또한, 호스트 컴퓨터(90)가 노광 장치(10)와 C/D(50)의 양장치를 필요로 하는 메인터넌스와, 각 장치 단독으로 행할 수 있는 메인터넌스를 분류하여, 최적의 타이밍(즉, 단독의 메인터넌스에 있어서는 양장치로 병행하여 따로따로 메인터넌스를 실행함)으로 행함으로써, 리소그래피 시스템 전체의 다운 타임을 매우 짧게 하여 그 가동율을 향상하는 것이 가능해진다.
또한, 상기 제2 실시형태에서는, 노광 장치(10)의 주제어 장치(120) 및 C/D(50)의 도포·현상 제어 장치(62)로부터는, 메인터넌스 작업의 시기(타이밍)에 부가하여, 메인터넌스 작업의 내용과, 그 소요 시간이 호스트 컴퓨터(90)에 보내지는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 호스트 컴퓨터(90) 내의 메모리에 각 메인터넌스 작업의 소요 시간에 관한 정보가 저장되어 있는 때에는, 주제어 장치(120), 도포·현상 제어 장치(62)는 메인터넌스 작업의 시기(타이밍) 및 메인터넌스 작업의 내용에 관한 정보만을 호스트 컴퓨터(90)에 보내는 것으로 하여도 좋다.
또한, 상기 제2 실시형태에서는, 노광 장치(10)의 메인터넌스와, C/D(50)의 메인터넌스를 협조하여 행하는 것이라고 했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, C/D(50)의 메인터넌스 작업에 협조하여 노광 장치(10)측의 성능 유지를 위해 필요한 동작으로서 장치 정지가 필요해지는 어떠한 동작을 행하여도 좋다.
또한, 상기 제2 실시형태에서는, 노광 장치(10)(주제어 장치(120)) 및 C/D(50)[도포·현상 제어 장치(62)]와 호스트 컴퓨터(90)가, 통신 회선을 통해 상기 정보를 송수신하지만, 이 통신 회선으로서는, 병렬 통신 회선, 직렬 통신 회선 등의 유선의 회선은 물론, 무선, 적외선, 그 외 다른 것을 이용하여 정보를 교환하여도 좋다. 또한, 예컨대 병렬 통신을 행하는 경우에는 기존의 신호선의 유휴선을 사용하여도 좋다. 직렬 통신을 행하는 경우에는, 종래 교환되던 신호(또는 정보)에 상기 정보를 부가할 뿐이라도 좋다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, 인라인 I/F부(110)를 통해 C/D(50)와, 노광 장치(10)를 인라인 접속하는 경우에 대해 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 기판 처리 장치와 노광 장치를 직접 접속하여도 좋다. 또한, 상기 각 실시형태에서는, 기판 처리 장치가 노광 장치에 인라인으로 접속된 C/D인 경우에 대해 설명했지만, 이에 한정되지 않고, 기판 처리 장치는 노광 장치에 인라인으로 접속되는 장치라면, 현상 장치(디벨로퍼), 레지스트 도포 장치(코터)중 어느 하나, 혹은 양쪽이라도 좋고, 그 외의 기판 처리 장치라도 좋다.
또한, 전술의 실시형태에 있어서는, 노광 장치(10)의 메인터넌스 작업(동작)이나 캘리브레이션 작업(동작)을, C/D(50)의 메인터넌스 작업(동작)의 적어도 일부와 병행하여 실행하도록 하고 있지만, 노광 장치(10)에 접속되어 있는 다른 장치의 메인터넌스 작업(동작)이나 캘리브레이션 작업(동작)의 적어도 일부와 병행하여 행하도록 하여도 좋다.
예컨대, 노광 장치(10)에 접속된 레이저 장치(1)는 상술한 바와 같이 가스 교환뿐만 아니라, 예컨대 일본 특허 공개 평 제10-275951호 공보 및 이에 대응하는 미국 특허 제6,219,367호 공보 등에 개시되어 있는 바와 같이 광학 부품이나 방전 전극 등의 전기 관련 부품 등의 교환을 행할 필요가 있으므로, 이들의 메인터넌스 작업(동작)의 적어도 일부와 병행하여, 노광 장치(10)에서 전술한 a∼i 등의 작업(동작) 중, 레이저 장치(1)로부터의 레이저광을 사용하지 않는 적어도 하나의 작업(동작)을 실행할 수 있다.
또한, 상기 각 실시형태에서는, C/D(50)에 인라인으로 접속된 싱글웨이퍼 스테이지 타입의 스텝 앤 스캔 방식의 투영 노광 장치에, 본 발명이 적용된 경우에 대해 설명했지만, 이에 한정하지 않고, 트윈 웨이퍼 스테이지 타입의 스텝 앤 스캔 방식의 투영 노광 장치는 물론, 스텝 앤 리피트형의 투영 노광 장치, 혹은 근접 방식의 노광 장치 등 다른 노광 장치에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한, 국제 공개 제99/49504호 팜플렛에 개시되어 있는 바와 같은 액침법을 이용하는 노광 장치에도 본 발명을 적용할 수 있다.
또한, 노광 장치의 용도는 반도체 제조용으로 한정되지 않고, 각진 유리 플레이트에 액정 표시 소자 패턴을 전사하는 액정용의 노광 장치, 플라즈마 디스플레이나 유기 EL 등의 표시 장치, 박막 자기 헤드, 촬상 소자(CCD 등), 마이크로 머신, DNA 칩 등을 제조하는 것이라도 좋다. 또한, 노광 장치는 반도체 소자 등의 마이크로 디바이스 뿐만 아니라, 광노광 장치, EUV 노광 장치, X선 노광 장치 및 전자선 노광 장치 등에서 사용되는 레티클 또는 마스크를 제조하기 위해, 유리 기판 또는 실리콘 웨이퍼 등에 회로 패턴을 전사하는 노광 장치라도 좋다.
(디바이스 제조 방법)
다음으로, 전술한 실시형태에 따른 리소그래피 시스템을 리소그래피 공정에서 사용한 디바이스의 제조 방법의 실시형태에 대해 설명한다.
도 5에는, 디바이스(IC나 LSI 등의 반도체 칩, 액정 패널, CCD, 박막자기 헤드, 마이크로 머신 등)의 제조예의 흐름도가 도시되어 있다. 도 5에 도시된 바와 같이, 우선, 단계 401(설계 단계)에 있어서, 디바이스의 기능·성능 설계(예컨대, 반도체 디바이스의 회로 설계 등)를 행하여, 그 기능을 실현하기 위한 패턴 설계를 행한다. 계속해서, 단계 402(마스크 제작 단계)에 있어서, 설계한 회로 패턴을 형성한 마스크를 제작한다. 한편, 단계 403(웨이퍼 제조 단계)에 있어서, 실리콘 등의 재료를 이용하여 웨이퍼를 제조한다.
다음으로, 단계 404(웨이퍼 처리 단계)에 있어서, 단계 401∼단계 403에서 준비한 마스크와 웨이퍼를 사용하여, 후술하는 바와 같이, 리소그래피 기술 등에 의해 웨이퍼 상에 실제의 회로 등을 형성한다. 이어서, 단계 405(디바이스 조립 단계)에 있어서, 단계 404에서 처리된 웨이퍼를 이용하여 디바이스 조립을 행한다. 이 단계 405에는, 다이싱 공정, 본딩 공정 및 패키징 공정(칩 봉입) 등의 공정이 필요에 따라 포함된다.
마지막으로, 단계 406(검사 단계)에 있어서, 단계 405에서 제작된 디바이스의 동작 확인 테스트, 내구성 테스트 등의 검사를 행한다. 이러한 공정을 거친 후에 디바이스가 완성되어, 이것이 출하된다.
도 6에는, 반도체 디바이스의 경우에 있어서의, 상기 단계 404의 상세한 흐름예가 도시되어 있다. 도 6에 있어서, 단계 411(산화 단계)에 있어서는 웨이퍼의 표면을 산화시킨다. 단계 412(CVD 단계)에 있어서는 웨이퍼표면에 절연막을 형성한다. 단계 413(전극 형성 단계)에 있어서는 웨이퍼 상에 전극을 증착에 의해 형 성한다. 단계 414(이온 주입 단계)에 있어서는 웨이퍼에 이온을 주입한다. 이상의 단계 411∼단계 414 각각은, 웨이퍼 처리의 각 단계의 전처리 공정을 구성하고 있으며, 각 단계에서 필요한 처리에 따라 선택되어 실행된다.
웨이퍼 프로세스의 각 단계에서, 전술의 전처리 공정이 종료하면, 이하와 같이하여 후처리 공정이 실행된다. 이 후처리 공정에서는, 우선, 단계 415(레지스트 형성 단계)에 있어서, 웨이퍼에 감광제를 도포한다. 계속해서, 단계 416(노광 단계)에 있어서, 마스크의 회로 패턴을 웨이퍼에 전사한다. 다음으로, 단계 417(현상 단계)에 있어서는 노광된 웨이퍼를 현상한다. 이 단계 415∼417의 처리가, 상기 실시형태의 리소그래피 시스템(100)에 의해 행해진다.
그리고, 단계 418(에칭 단계)에 있어서, 레지스트가 잔존하고 있는 부분 이외의 부분의 노출 부재를 에칭에 의해 제거한다. 그리고, 단계 419(레지스트 제거 단계)에 있어서, 에칭이 완료되어 필요 없어진 레지스트를 제거한다.
이들의 전처리 공정과 후처리 공정을 반복 행함으로써 웨이퍼 상에 다중으로 회로 패턴이 형성된다.
이상 설명한 본 실시형태의 디바이스 제조 방법에 의하면, 단계 415∼417의 처리 공정(리소그래피 공정)에 있어서, 상기 각 실시형태의 리소그래피 시스템이 이용되어, 노광 장치(10)와 C/D(50) 사이에서, 메인터넌스에 관한 정보가 교환되어, 다운 타임의 단축이 도모되는 점부터, 디바이스의 생산성의 향상을 도모하는 것이 가능해진다. 특히, 예컨대 F2 레이저 광원 등의 진공 자외 광원을 노광용 광 원으로서 이용하는 경우에는, 투영 광학계(PL)의 해상력의 향상과 동시에, 예컨대 최소 선폭이 0. 1 ㎛ 정도이더라도 그 생산성의 향상이 가능하다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 노광 장치, 동작 결정 방법, 기판 처리 시스템 및 메인터넌스 관리 방법 및 디바이스 제조 방법은 마이크로 디바이스의 생산에 적합하다.

Claims (20)

  1. 기판 처리 장치에 인라인으로 접속된 노광 장치로서,
    상기 기판 처리 장치로부터의 메인터넌스(maintenance)에 관한 정보에 기초하여, 장치 자체의 동작을 결정하는 동작 결정 장치를 포함하는 노광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 기판 처리 장치로부터의 메인터넌스에 관한 정보는 상기 기판 처리 장치에서 행해지는 메인터넌스 작업의 내용에 관한 정보를 포함하고,
    상기 동작 결정 장치는, 그 메인터넌스 작업의 내용에 따라 장치 자체의 동작을 결정하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판 처리 장치로부터의 메인터넌스에 관한 정보는, 상기 기판 처리 장치에서 행해지는 메인터넌스 작업에 소요되는 시간에 관한 정보를 포함하고,
    상기 동작 결정 장치는, 상기 메인터넌스 작업에 소요되는 시간에 기초하여 장치 자체의 동작을 결정하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 결정되는 장치 자체의 동작에는, 메인터넌스 작업이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 동작 결정 장치는, 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업의 적어도 일부와 병행하여, 장치 자체의 메인터넌스 작업을 행하는 것을 결정하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 장치 자체의 메인터넌스 작업에는, 노광용 광원인 레이저 장치의 메인터넌스 작업이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 장치 자체의 메인터넌스 작업에는, 기판의 노광을 수반하지 않는 작업이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  8. 제4항에 있어서, 상기 장치 자체의 메인터넌스 작업에는, 부품 교환 작업이 포함되는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  9. 기판 처리 장치에 인라인으로 접속된 노광 장치에 있어서의 동작을 결정하는 동작 결정 방법으로서,
    상기 기판 처리 장치로부터의 메인터넌스에 관한 정보를 취득하는 공정; 및
    상기 정보에 기초하여, 노광 장치의 동작을 결정하는 공정을 포함하는 동작 결정 방법.
  10. 노광 장치와, 상기 노광 장치에 인라인으로 접속된 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템으로서,
    상기 노광 장치의 메인터넌스 작업과 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업을 협조하여 행하는 메인터넌스 관리 장치를 포함하는 기판 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 메인터넌스 관리 장치는, 상기 노광 장치가 구비하는 제어용 컴퓨터 및 상기 기판 처리 장치가 구비하는 제어용 컴퓨터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  12. 제10항에 있어서, 상기 메인터넌스 관리 장치는, 상기 노광 장치 및 상기 기판 처리 장치에 공통으로 접속된 컴퓨터인 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  13. 제10항에 있어서, 상기 메인터넌스 관리 장치는, 상기 노광 장치의 메인터넌스 작업의 적어도 일부와 병행하여, 상기 기판 처리 장치의 메인터넌스 작업을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  14. 제10항에 있어서, 상기 노광 장치는 노광 광원으로서 레이저 장치를 가지며,
    상기 노광 장치의 메인터넌스 작업에는, 상기 레이저 장치의 메인터넌스 작업이 포함되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  15. 제10항에 있어서, 상기 메인터넌스 작업에는, 부품 교환 작업이 포함되는 것 을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  16. 제10항에 있어서, 상기 메인터넌스 관리 장치는, 상기 노광 장치의 부품 교환 시기에 관한 정보와, 상기 기판 처리 장치의 부품 교환 시기에 관한 정보를 유지하고, 이들의 정보에 기초하여 각 장치의 부품 교환 시기의 최적화를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  17. 제10항에 있어서, 상기 메인터넌스 관리 장치는, 한쪽의 장치가 다른쪽의 장치를 필요로 하는 메인터넌스 정보와, 각 장치가 단독으로 작업 가능한 메인터넌스 정보를 유지하고, 이들의 정보에 기초하여 각 장치의 메인터넌스 시기의 최적화를 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 시스템.
  18. 노광 장치와, 상기 노광 장치에 인라인으로 접속된 기판 처리 장치를 구비한 기판 처리 시스템에 있어서의 각 장치의 메인터넌스 작업을 관리하는 메인터넌스 관리 방법으로서,
    상기 노광 장치의 메인터넌스에 관한 정보를 취득하는 공정;
    상기 기판 처리 장치의 메인터넌스에 관한 정보를 취득하는 공정; 및
    상기 양쪽 정보에 기초하여, 상기 양쪽 장치에 있어서의 메인터넌스 작업이 협조하여 행해지도록 관리하는 공정을 포함하는 메인터넌스 관리 방법.
  19. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,
    상기 리소그래피 공정에서는 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 이용하여, 기판 상에 디바이스 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
  20. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,
    상기 리소그래피 공정에서는, 제 10 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 시스템을 이용하여, 기판 상에서의 디바이스 패턴의 형성을 포함하는 기판에 대한 처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법.
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