JP3575717B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3575717B2 JP3575717B2 JP34364995A JP34364995A JP3575717B2 JP 3575717 B2 JP3575717 B2 JP 3575717B2 JP 34364995 A JP34364995 A JP 34364995A JP 34364995 A JP34364995 A JP 34364995A JP 3575717 B2 JP3575717 B2 JP 3575717B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chemical
- chemical solution
- substrate processing
- processing apparatus
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 78
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 170
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 39
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 19
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 17
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 12
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims description 10
- 229940079593 drug Drugs 0.000 claims description 10
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims description 8
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims description 8
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 110
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 SOG Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/10—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material
- B05C11/1042—Storage, supply or control of liquid or other fluent material; Recovery of excess liquid or other fluent material provided with means for heating or cooling the liquid or other fluent material in the supplying means upstream of the applying apparatus
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05C11/00—Component parts, details or accessories not specifically provided for in groups B05C1/00 - B05C9/00
- B05C11/02—Apparatus for spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to a surface ; Controlling means therefor; Control of the thickness of a coating by spreading or distributing liquids or other fluent materials already applied to the coated surface
- B05C11/08—Spreading liquid or other fluent material by manipulating the work, e.g. tilting
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板処理装置に関し、より特定的には、基板(半導体ウェハ、液晶ディスプレイのベースとなるガラス基板、フォトマスク用のガラス基板、光ディスク用の基板など)に所定の薬液を供給するための基板処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
周知のごとく、半導体デバイスや液晶ディスプレイ等の製造工程においては、上述した基板の表面に種々の薬液(SOG,フォトレジスト,現像液,エッチング液)を供給する必要がある。上記の基板処理装置は、この薬液供給のために使用される。
【0003】
上記基板処理装置は、供給する薬液の種類にかかわらず、基本的に同一の原理を用いて基板に薬液を供給している。すなわち、水平方向に回転する基板表面の回転中心部近傍に所定の薬液を滴下させ、遠心力によって基板表面の全域にわたって薬液を拡散させるというものである。
【0004】
以下、基板処理装置の一例として、SOG(Spin On Glass)を供給する装置(以下、SOGコータと称す)について説明する。図4は、従来のSOGコータの全体構成を示す斜視図である。図4において、SOGコータは、基板(図示せず)を真空吸着等により回転軸Aを中心として回転可能に保持するウェハチャック41と、基板表面に薬液を吐出する薬液吐出ノズル42と、回転軸Bを中心として回動し薬液吐出ノズル42を基板上方の所定位置に配置させるノズルアーム43と、薬液収容容器(図示せず)から供給された薬液を薬液吐出ノズル42へと導く薬液導入管44とを備える。なお、SOGコータは、これら以外の構成も備えるが、説明を簡略化するため図示を略する。
【0005】
上記のような構成において、基板は、図示しない搬送ユニットによってウェハチャック41上に載置される。ノズルアーム43は、薬液吐出ノズル42を基板上方の所定位置に配置させる。そのあと、外部の薬液収容容器から導出された薬液は、薬液導入管44を介して、薬液吐出ノズル42に供給される。薬液吐出ノズル42は、基板表面に薬液を吐出する。
【0006】
ここで、SOGコータによって基板表面に供給されるSOGについて説明する。SOGとは、ケイ素化合物をアルコール、エステル、ケトンなどの揮発性の高い有機溶媒に溶解させた薬液のことを言い、主として、基板に形成された層間絶縁膜を平坦化するために用いられる。このSOGは、室温下(約23℃)においては容易に結晶化する性質を有するため、室温下で保存すると寿命が短い。そのため、SOGは、不使用時においてはこれを収容した容器を基板処理装置から離れた冷蔵庫内に入れて保存する(5℃程度の温度で保存する)ようにしている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、SOGは、室温下では劣化が進行するため、不使用時は冷蔵庫内で保存されている。そして、使用する際に、SOGの入った薬液収容容器を冷蔵庫から取り出し、室温下に置いて室温程度に戻した後、SOGコータの所定位置に装填する必要があった。しかしながら、SOGが室温になるまでには時間がかかるため、基板処理の時間が長くなり、SOGコータの運用効率が悪くなるという問題点があった。また、収容容器内には、基板処理に必要な量だけのSOGが入れられているため、オペレータは、1回の基板処理毎に収容容器を取り替える必要がある。その結果、オペレータの作業負担が重くなり、作業能率が悪くなるという問題点があった。さらに、上記の基板処理終了後にSOGが余った場合、次回の基板処理の使用には適さないものとなるため処分しなければならないという問題点もあった。
【0008】
なお、上記のような問題点は、SOGコータに限らず、その他の薬液(フォトレジスト,現像液,エッチング液)を基板表面に供給する基板処理装置においても生じ得る。
【0009】
それゆえに、本発明の目的は、薬液を有効に利用でき、しかもオペレータの作業負担を軽減できる基板処理装置を提供することである。
【0010】
【課題を解決するための手段および発明の効果】
第1の発明は、基板の表面に所定の薬液を供給する基板処理装置であって、薬液を保存適温で保存する薬液保存手段と、薬液に圧力を加え、薬液保存手段から薬液を送り出す薬液圧送手段と、途中に薬液を保存適温から使用適温に温度変換する温調手段を有しており、薬液圧送手段によって送り出された薬液を導くための薬液流路と、薬液流路によって導かれた薬液を、基板の表面に吐出する薬液吐出手段と、薬液保存手段に不活性ガスを供給することにより、当該薬液保存手段の内部が結露することを防止する結露防止手段と、を備える。
【0011】
上記のように、第1の発明では、予め薬液保存手段に保存適温状態で薬液を保存しておき、薬液使用時においては、薬液流路の途中に設置された温調手段によって薬液の温度を使用適温に変換するようにしている。これによって、短時間で温度変換が行え、基板処理の作業効率が上がる。さらに、薬液保存手段内では薬液が劣化しないため、大量の薬液を保存しておくことが可能となり、オペレータは基板処理毎に薬液を取り替えずにすむ。そのため、オペレータの作業効率が向上する。さらに、基板処理に必要な量の薬液のみが使用適温に温度変換されるため、余分な薬液を処分するということもなくなる。
【0012】
さらに、結露防止手段が薬液保存手段内の結露を防止する。そのため、薬液が水と触れて化学反応を起こす可能性が少なくなる。
【0013】
第2の発明は、第1の発明において、薬液保存手段は、薬液が収容される薬液収容容器と、薬液を保存適温にするための冷却水が循環する循環経路を有する薬液保冷手段とを含み、循環経路は、薬液収容容器の周囲を冷却水が循環するべく配設されることを特徴とする。
【0014】
上記第2の発明では、薬液収容容器の周囲を冷却水が循環するため、薬液は保存適温にて保冷される。
【0015】
第3の発明は、第2の発明において、薬液収容容器は、薬液吐出手段から薬液が吐出される位置よりも高い位置に配設されることを特徴とする。
【0016】
上記第3の発明では、薬液収容容器が薬液吐出手段から薬液が吐出される位置よりも高い位置に配設されるため、薬液に薬液圧送手段が加える圧力を小さくすることができる。これによって、薬液を圧送する際、当該薬液へのガスの混入を抑えることができるため、薬液吐出手段はガスの含有を抑えた薬液を吐出することができる。そのため、例えば薬液を基板表面に拡散させて成膜する場合においては、均一な膜厚の薄膜が基板表面に形成されることとなる。
【0017】
第4の発明は、第1〜第3のいずれかの発明において、薬液保存手段に保存されている薬液の残量を検出する残量検出手段をさらに備えている。
【0018】
上記のように、第4の発明では、残量検出手段を設けることにより、オペレータは、収容容器の交換時期などを容易に判断することが可能となる。
【0019】
第5の発明は、第2の発明において、薬液保冷手段は、循環経路に冷却水を流入し、循環経路内を循環した冷却水を流出させる。
【0020】
【発明の実施の形態】
図1は、本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示すブロック図である。図1において、基板処理装置は、SOG等の薬液を収容する薬液収容容器11と、薬液収容容器11の周囲を取り囲むように配置され、薬液を保冷するための冷却水が内部を循環する薬液保冷部12と、薬液収容容器11内の薬液を窒素ガスで加圧し薬液を薬液収容容器11から送り出す薬液圧送部13と、薬液収容容器11から導出された薬液を導く薬液導入管14と、薬液導入管14によって導かれた薬液を基板表面に吐出する薬液吐出ユニット15と、薬液導入管14の途中に設置されており薬液の温度を使用適温に調整する薬液温調部16と、真空吸着などにより基板を水平面内で回転可能に保持するウェハチャック17とを備える。なお、これらの構成のうち、薬液収容容器11および薬液保冷部12は、保冷機能を向上させるために、小型の筐体である薬液保冷キャビネット18内に収納されている。この薬液保冷キャビネット18は、基板処理装置内に設置される。そのため、冷蔵庫と基板処理装置(SOGコータ)との間に配管設備を施設することを想定した場合に比べて、薬液導入管14の長さが短縮化できるので、薬液圧送部13は小さな圧力で窒素ガスを注入すればよいこととなる。そのため、SOGへの窒素ガスの混入を抑えることができるため、薬液吐出ユニット15は、窒素ガスの含有を抑えたSOGを基板表面に吐出することとなる。これによって、均一な膜厚の薄膜が基板表面に形成される。
【0021】
薬液吐出ユニット15は、薬液導入管14によって導かれた薬液を基板表面に吐出する薬液吐出ノズルと、薬液吐出ノズルを基板と平行な面内で回転させ、基板上方の所定位置に配置させるノズルアームとを含む。なお、説明を簡素化するため、薬液吐出ユニット15の各構成要素は、図示を省略している。また、これらの構成要素の動作は、図4における対応するそれぞれの構成要素と同一であるため、その説明を略する。
【0022】
以下、上記のような構成を有する基板処理装置において、薬液としてSOGを用いた場合の各部の動作について説明する。薬液収容容器11は、内部にSOGを収容し冷蔵庫(図示せず)などによって冷蔵状態で保管されている。オペレータは、冷蔵庫から薬液収容容器11を取り出し、薬液保冷キャビネット18内の所定位置に装着する。薬液保冷部12には、薬液収容容器11が装着されると、約5℃の温度に設定された冷却水が流入し内部を循環して流出する。そのため、薬液収容容器11の内部に収容されたSOGは、常時約5℃の状態を保ったままで保冷されることとなる。
【0023】
基板処理装置を操作するオペレータは、基板にSOGを供給するとき、図示しないデータ入力部を操作して、基板処理装置に対して「薬液供給処理」を実行するためのコマンドを入力する。これに応じて、薬液圧送部13は、窒素ガスなどの不活性ガスを薬液収容容器11内に送り込む。不活性ガスが送り込まれた薬液収容容器11は、SOGを薬液導入管14に送り出す。SOGは、薬液導入管14によって、まず途中に設置された薬液温調部16に導かれる。薬液温調部16は、前述したようにSOGの温度を使用適温(室温程度;約23℃)に調整する。
【0024】
ここで、薬液温調部16の構成について説明する。薬液温調部16は、SOGを室温程度にまで上昇させるために、適当な温度を有する恒温水が流れる恒温水流路(図示せず)を含んでいる。この恒温水流路で薬液導入管14の周囲を一定範囲にわたって取り囲み、薬液導入管14によって導かれた低温のSOGを、恒温水流路の内部を流れる恒温水によって温度変換する。これによって、薬液温調部16を経たSOGは、室温程度の温度を有することとなる。このSOGは、薬液吐出ユニット15まで導かれ、薬液吐出ノズルから吐出され、それによって基板にSOGが供給される。
【0025】
図2は、本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。図2において、図1に示す基板処理装置と同一の構成要素については、同一の参照番号を付し、その説明を略する。図2においては、基板処理装置は、図1に示す構成要素以外に、結露防止部21を備える。薬液保冷キャビネット18内の温度は、上述した構成により5℃程度に維持される。そのため、薬液保冷キャビネット18内では、空気内の水蒸気が結露する。結露防止部21は、薬液保冷キャビネット18内の結露を防止するために、露点が−35℃程度のドライ窒素ガスを薬液保冷キャビネット18内に注入する。なお、SOGなどの薬液を供給する際の各構成要素の動作については、第1の実施例に係る基板処理装置と同一であるため、その説明を略する。
【0026】
図3は、本発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。図3において、図2に示す基板処理装置と同一の構成要素については、同一の参照番号を付し、その説明を略する。図3において、基板処理装置は、図2に示す構成要素以外に、薬液残量検出部31を備える。薬液残量検出部31は、例えば、薬液収容容器11の重量などを検出し、薬液の残量が少量になったとき、その旨を図示しないディスプレイなどを用いてオペレータに通知する。なお、薬液を供給する際の各構成要素の動作、および結露防止部21の動作については、それぞれ第1または第2の実施形態に係る基板処理装置と同一であるため、その説明を略する。
【0027】
なお、第1〜第3の実施形態に係る基板処理装置においては、薬液収容容器11の位置が、薬液吐出ユニット15の薬液吐出ノズルの位置より高くなるように、薬液保冷キャビネット18を配置すると、薬液圧送部13が薬液に加える圧力をさらに小さくすることが可能となる。その結果、薬液へのガスの混入を抑えることができるため、薬液吐出ユニット15は、ガスの含有を抑えた薬液を基板表面に吐出することができる。
【0028】
なお、上記実施形態においては、SOGについてのみ説明したが、上記の基板処理装置は、SOGのように保存適温と使用適温とが異なるという性質を有する他の薬液についても使用可能であることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の第2の実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【図3】本発明の第3の実施形態に係る基板処理装置の構成を示すブロック図である。
【図4】従来の基板処理装置の全体構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
11…薬液収容容器
12…薬液保冷部
13…薬液圧送部
14…薬液導入管
15…薬液吐出ユニット
16…薬液温調部
17…ウェハチャック
18…薬液保冷キャビネット
21…結露防止部
31…薬液残量検出部
Claims (5)
- 基板の表面に所定の薬液を供給する基板処理装置であって、
前記薬液を保存適温で保存する薬液保存手段と、
前記薬液に圧力を加え、前記薬液保存手段から薬液を送り出す薬液圧送手段と、
途中に薬液を保存適温から使用適温に温度変換する温調手段を有しており、前記薬液圧送手段によって送り出された薬液を導くための薬液流路と、
前記薬液流路によって導かれた薬液を、基板の表面に吐出する薬液吐出手段と、
前記薬液保存手段に不活性ガスを供給することにより、当該薬液保存手段の内部が結露することを防止する結露防止手段と、を備える、基板処理装置。 - 前記薬液保存手段は、
前記薬液が収容される薬液収容容器と、
薬液を保存適温にするための冷却水が循環する循環経路を有する薬液保冷手段とを含み、
前記循環経路は、前記薬液収容容器の周囲を冷却水が循環するべく配設されることを特徴とする、請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記薬液収容容器は、前記薬液吐出手段から薬液が吐出される位置よりも高い位置に配設されることを特徴とする、請求項2に記載の基板処理装置。
- 前記薬液保存手段に保存されている薬液の残量を検出する残量検出手段をさらに備える、請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記薬液保冷手段は、前記循環経路に冷却水を流入し、前記循環経路内を循環した冷却水を流出させる、請求項2に記載の基板処理装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34364995A JP3575717B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 基板処理装置 |
KR1019960062364A KR970052715A (ko) | 1995-12-28 | 1996-12-06 | 기판처리 장치 |
US08/770,555 US6007629A (en) | 1995-12-28 | 1996-12-23 | Substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34364995A JP3575717B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09186147A JPH09186147A (ja) | 1997-07-15 |
JP3575717B2 true JP3575717B2 (ja) | 2004-10-13 |
Family
ID=18363171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34364995A Expired - Fee Related JP3575717B2 (ja) | 1995-12-28 | 1995-12-28 | 基板処理装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6007629A (ja) |
JP (1) | JP3575717B2 (ja) |
KR (1) | KR970052715A (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6782928B2 (en) | 2002-03-15 | 2004-08-31 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing apparatus having confirming function for remaining amount of liquid crystal and method for measuring the same |
US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4823658B1 (ja) * | 1970-09-30 | 1973-07-16 | ||
US4413255A (en) * | 1981-06-12 | 1983-11-01 | Nordson Corporation | Fluid level indicator |
JPS5821833A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
US4886012A (en) * | 1987-06-30 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus |
US4932553A (en) * | 1988-03-31 | 1990-06-12 | Combustion Engineering, Inc. | Radiation reducing manway doors |
KR0156237B1 (ko) * | 1988-06-03 | 1998-12-01 | 고다까 토시오 | 처리액 공급 장치 |
JPH04142033A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
KR100230753B1 (ko) * | 1991-01-23 | 1999-11-15 | 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 | 액도포 시스템 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34364995A patent/JP3575717B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-06 KR KR1019960062364A patent/KR970052715A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-12-23 US US08/770,555 patent/US6007629A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6007629A (en) | 1999-12-28 |
KR970052715A (ko) | 1997-07-29 |
JPH09186147A (ja) | 1997-07-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3575717B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US5377708A (en) | Multi-station semiconductor processor with volatilization | |
US9307653B2 (en) | Substrate cleaning method, substrate cleaning apparatus and storage medium for cleaning substrate | |
JP7100564B2 (ja) | 基板乾燥方法および基板処理装置 | |
JP2007250678A (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 | |
JP2020004948A (ja) | 基板処理方法、基板処理装置、および乾燥前処理液 | |
JP2002175976A (ja) | 塗布、現像装置及びパターン形成方法 | |
US6122837A (en) | Centrifugal wafer processor and method | |
WO2020241022A1 (ja) | 昇華性物質含有液の製造方法、基板乾燥方法、および基板処理装置 | |
JP3585217B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20030205196A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20230042633A (ko) | 기판 처리 방법 및 그 장치 | |
KR20220088343A (ko) | 회전식 테이블을 갖는 웨이퍼 처리 장치 | |
JP7265879B2 (ja) | 基板乾燥方法および基板処理装置 | |
KR102608007B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR101586872B1 (ko) | 레지스트 도포 장치, 이를 구비한 도포 현상 시스템, 및 레지스트 도포 방법 | |
US20230119960A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
JP2008053355A (ja) | 塗布処理方法、プログラム、コンピュータ読み取り可能な記録媒体及び塗布処理装置 | |
WO2024084850A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
US20220310416A1 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
JP3655153B2 (ja) | 塗布膜形成装置 | |
JP2022145824A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
KR20200131757A (ko) | 현상 방법 및 현상 장치 | |
JPS6332922A (ja) | レジスト塗布装置 | |
JP2004356379A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040702 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040702 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080716 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090716 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100716 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |