JPH09186147A - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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Abstract
作業負担を軽減できる基板処理装置を提供することであ
る。 【解決手段】 薬液収容容器11内には、基板に供給す
べき薬液が収納されている。薬液保冷部12は、薬液収
容容器11内に収容された薬液を、保存適温状態に保た
れるように保冷する。薬液圧送部13は、薬液収容容器
11から薬液を薬液導入管14に送り出す。薬液温調部
16は、薬液導入管14によって導かれる薬液を使用適
温に変換する。使用適温に変換された薬液は、薬液吐出
ユニット15に導かれる。薬液吐出ユニット15は、基
板に薬液を吐出する。
Description
し、より特定的には、基板(半導体ウェハ、液晶ディス
プレイのベースとなるガラス基板、フォトマスク用のガ
ラス基板、光ディスク用の基板など)に所定の薬液を供
給するための基板処理装置に関する。
ィスプレイ等の製造工程においては、上述した基板の表
面に種々の薬液(SOG,フォトレジスト,現像液,エ
ッチング液)を供給する必要がある。上記の基板処理装
置は、この薬液供給のために使用される。
にかかわらず、基本的に同一の原理を用いて基板に薬液
を供給している。すなわち、水平方向に回転する基板表
面の回転中心部近傍に所定の薬液を滴下させ、遠心力に
よって基板表面の全域にわたって薬液を拡散させるとい
うものである。
(Spin On Glass)を供給する装置(以
下、SOGコータと称す)について説明する。図4は、
従来のSOGコータの全体構成を示す斜視図である。図
4において、SOGコータは、基板(図示せず)を真空
吸着等により回転軸Aを中心として回転可能に保持する
ウェハチャック41と、基板表面に薬液を吐出する薬液
吐出ノズル42と、回転軸Bを中心として回動し薬液吐
出ノズル42を基板上方の所定位置に配置させるノズル
アーム43と、薬液収容容器(図示せず)から供給され
た薬液を薬液吐出ノズル42へと導く薬液導入管44と
を備える。なお、SOGコータは、これら以外の構成も
備えるが、説明を簡略化するため図示を略する。
しない搬送ユニットによってウェハチャック41上に載
置される。ノズルアーム43は、薬液吐出ノズル42を
基板上方の所定位置に配置させる。そのあと、外部の薬
液収容容器から導出された薬液は、薬液導入管44を介
して、薬液吐出ノズル42に供給される。薬液吐出ノズ
ル42は、基板表面に薬液を吐出する。
供給されるSOGについて説明する。SOGとは、ケイ
素化合物をアルコール、エステル、ケトンなどの揮発性
の高い有機溶媒に溶解させた薬液のことを言い、主とし
て、基板に形成された層間絶縁膜を平坦化するために用
いられる。このSOGは、室温下(約23℃)において
は容易に結晶化する性質を有するため、室温下で保存す
ると寿命が短い。そのため、SOGは、不使用時におい
てはこれを収容した容器を基板処理装置から離れた冷蔵
庫内に入れて保存する(5℃程度の温度で保存する)よ
うにしている。
Gは、室温下では劣化が進行するため、不使用時は冷蔵
庫内で保存されている。そして、使用する際に、SOG
の入った薬液収容容器を冷蔵庫から取り出し、室温下に
置いて室温程度に戻した後、SOGコータの所定位置に
装填する必要があった。しかしながら、SOGが室温に
なるまでには時間がかかるため、基板処理の時間が長く
なり、SOGコータの運用効率が悪くなるという問題点
があった。また、収容容器内には、基板処理に必要な量
だけのSOGが入れられているため、オペレータは、1
回の基板処理毎に収容容器を取り替える必要がある。そ
の結果、オペレータの作業負担が重くなり、作業能率が
悪くなるという問題点があった。さらに、上記の基板処
理終了後にSOGが余った場合、次回の基板処理の使用
には適さないものとなるため処分しなければならないと
いう問題点もあった。
タに限らず、その他の薬液(フォトレジスト,現像液,
エッチング液)を基板表面に供給する基板処理装置にお
いても生じ得る。
に利用でき、しかもオペレータの作業負担を軽減できる
基板処理装置を提供することである。
発明は、基板の表面に所定の薬液を供給する基板処理装
置であって、薬液を保存適温で保存する薬液保存手段
と、薬液に圧力を加え、薬液保存手段から薬液を送り出
す薬液圧送手段と、途中に薬液を保存適温から使用適温
に温度変換する温調手段を有しており、薬液圧送手段に
よって送り出された薬液を導くための薬液流路と、薬液
流路によって導かれた薬液を、基板の表面に吐出する薬
液吐出手段とを備える。
保存手段に保存適温状態で薬液を保存しておき、薬液使
用時においては、薬液流路の途中に設置された温調手段
によって薬液の温度を使用適温に変換するようにしてい
る。これによって、短時間で温度変換が行え、基板処理
の作業効率が上がる。さらに、薬液保存手段内では薬液
が劣化しないため、大量の薬液を保存しておくことが可
能となり、オペレータは基板処理毎に薬液を取り替えず
にすむ。そのため、オペレータの作業効率が向上する。
さらに、基板処理に必要な量の薬液のみが使用適温に温
度変換されるため、余分な薬液を処分するということも
なくなる。
保存手段は、薬液が収容される薬液収容容器と、薬液を
保存適温にするための冷却水が循環する循環経路を有す
る薬液保冷手段とを含み、循環経路は、薬液収容容器の
周囲を冷却水が循環するべく配設されることを特徴とす
る。
を冷却水が循環するため、薬液は保存適温にて保冷され
る。
いて、薬液収容容器は、薬液吐出手段から薬液が吐出さ
れる位置よりも高い位置に配設されることを特徴とす
る。
吐出手段から薬液が吐出される位置よりも高い位置に配
設されるため、薬液に薬液圧送手段が加える圧力を小さ
くすることができる。これによって、薬液を圧送する
際、当該薬液へのガスの混入を抑えることができるた
め、薬液吐出手段はガスの含有を抑えた薬液を吐出する
ことができる。そのため、例えば薬液を基板表面に拡散
させて成膜する場合においては、均一な膜厚の薄膜が基
板表面に形成されることとなる。
明において、薬液保存手段に不活性ガスを供給すること
により、当該薬液保存手段の内部が結露することを防止
する結露防止手段をさらに備えている。
保存手段内の結露を防止する。そのため、薬液が水と触
れて化学反応を起こす可能性が少なくなる。
明において、薬液保存手段に保存されている薬液の残量
を検出する残量検出手段をさらに備えている。
手段を設けることにより、オペレータは、収容容器の交
換時期などを容易に判断することが可能となる。
に係る基板処理装置の全体構成を示すブロック図であ
る。図1において、基板処理装置は、SOG等の薬液を
収容する薬液収容容器11と、薬液収容容器11の周囲
を取り囲むように配置され、薬液を保冷するための冷却
水が内部を循環する薬液保冷部12と、薬液収容容器1
1内の薬液を窒素ガスで加圧し薬液を薬液収容容器11
から送り出す薬液圧送部13と、薬液収容容器11から
導出された薬液を導く薬液導入管14と、薬液導入管1
4によって導かれた薬液を基板表面に吐出する薬液吐出
ユニット15と、薬液導入管14の途中に設置されてお
り薬液の温度を使用適温に調整する薬液温調部16と、
真空吸着などにより基板を水平面内で回転可能に保持す
るウェハチャック17とを備える。なお、これらの構成
のうち、薬液収容容器11および薬液保冷部12は、保
冷機能を向上させるために、小型の筐体である薬液保冷
キャビネット18内に収納されている。この薬液保冷キ
ャビネット18は、基板処理装置内に設置される。その
ため、冷蔵庫と基板処理装置(SOGコータ)との間に
配管設備を施設することを想定した場合に比べて、薬液
導入管14の長さが短縮化できるので、薬液圧送部13
は小さな圧力で窒素ガスを注入すればよいこととなる。
そのため、SOGへの窒素ガスの混入を抑えることがで
きるため、薬液吐出ユニット15は、窒素ガスの含有を
抑えたSOGを基板表面に吐出することとなる。これに
よって、均一な膜厚の薄膜が基板表面に形成される。
によって導かれた薬液を基板表面に吐出する薬液吐出ノ
ズルと、薬液吐出ノズルを基板と平行な面内で回転さ
せ、基板上方の所定位置に配置させるノズルアームとを
含む。なお、説明を簡素化するため、薬液吐出ユニット
15の各構成要素は、図示を省略している。また、これ
らの構成要素の動作は、図4における対応するそれぞれ
の構成要素と同一であるため、その説明を略する。
装置において、薬液としてSOGを用いた場合の各部の
動作について説明する。薬液収容容器11は、内部にS
OGを収容し冷蔵庫(図示せず)などによって冷蔵状態
で保管されている。オペレータは、冷蔵庫から薬液収容
容器11を取り出し、薬液保冷キャビネット18内の所
定位置に装着する。薬液保冷部12には、薬液収容容器
11が装着されると、約5℃の温度に設定された冷却水
が流入し内部を循環して流出する。そのため、薬液収容
容器11の内部に収容されたSOGは、常時約5℃の状
態を保ったままで保冷されることとなる。
板にSOGを供給するとき、図示しないデータ入力部を
操作して、基板処理装置に対して「薬液供給処理」を実
行するためのコマンドを入力する。これに応じて、薬液
圧送部13は、窒素ガスなどの不活性ガスを薬液収容容
器11内に送り込む。不活性ガスが送り込まれた薬液収
容容器11は、SOGを薬液導入管14に送り出す。S
OGは、薬液導入管14によって、まず途中に設置され
た薬液温調部16に導かれる。薬液温調部16は、前述
したようにSOGの温度を使用適温(室温程度;約23
℃)に調整する。
明する。薬液温調部16は、SOGを室温程度にまで上
昇させるために、適当な温度を有する恒温水が流れる恒
温水流路(図示せず)を含んでいる。この恒温水流路で
薬液導入管14の周囲を一定範囲にわたって取り囲み、
薬液導入管14によって導かれた低温のSOGを、恒温
水流路の内部を流れる恒温水によって温度変換する。こ
れによって、薬液温調部16を経たSOGは、室温程度
の温度を有することとなる。このSOGは、薬液吐出ユ
ニット15まで導かれ、薬液吐出ノズルから吐出され、
それによって基板にSOGが供給される。
板処理装置の構成を示すブロック図である。図2におい
て、図1に示す基板処理装置と同一の構成要素について
は、同一の参照番号を付し、その説明を略する。図2に
おいては、基板処理装置は、図1に示す構成要素以外
に、結露防止部21を備える。薬液保冷キャビネット1
8内の温度は、上述した構成により5℃程度に維持され
る。そのため、薬液保冷キャビネット18内では、空気
内の水蒸気が結露する。結露防止部21は、薬液保冷キ
ャビネット18内の結露を防止するために、露点が−3
5℃程度のドライ窒素ガスを薬液保冷キャビネット18
内に注入する。なお、SOGなどの薬液を供給する際の
各構成要素の動作については、第1の実施例に係る基板
処理装置と同一であるため、その説明を略する。
板処理装置の構成を示すブロック図である。図3におい
て、図2に示す基板処理装置と同一の構成要素について
は、同一の参照番号を付し、その説明を略する。図3に
おいて、基板処理装置は、図2に示す構成要素以外に、
薬液残量検出部31を備える。薬液残量検出部31は、
例えば、薬液収容容器11の重量などを検出し、薬液の
残量が少量になったとき、その旨を図示しないディスプ
レイなどを用いてオペレータに通知する。なお、薬液を
供給する際の各構成要素の動作、および結露防止部21
の動作については、それぞれ第1または第2の実施形態
に係る基板処理装置と同一であるため、その説明を略す
る。
理装置においては、薬液収容容器11の位置が、薬液吐
出ユニット15の薬液吐出ノズルの位置より高くなるよ
うに、薬液保冷キャビネット18を配置すると、薬液圧
送部13が薬液に加える圧力をさらに小さくすることが
可能となる。その結果、薬液へのガスの混入を抑えるこ
とができるため、薬液吐出ユニット15は、ガスの含有
を抑えた薬液を基板表面に吐出することができる。
ついてのみ説明したが、上記の基板処理装置は、SOG
のように保存適温と使用適温とが異なるという性質を有
する他の薬液についても使用可能であることはいうまで
もない。
全体構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
構成を示すブロック図である。
ある。
Claims (5)
- 【請求項1】 基板の表面に所定の薬液を供給する基板
処理装置であって、 前記薬液を保存適温で保存する薬液保存手段と、 前記薬液に圧力を加え、前記薬液保存手段から薬液を送
り出す薬液圧送手段と、 途中に薬液を保存適温から使用適温に温度変換する温調
手段を有しており、前記薬液圧送手段によって送り出さ
れた薬液を導くための薬液流路と、 前記薬液流路によって導かれた薬液を、基板の表面に吐
出する薬液吐出手段とを備える、基板処理装置。 - 【請求項2】 前記薬液保存手段は、 前記薬液が収容される薬液収容容器と、 薬液を保存適温にするための冷却水が循環する循環経路
を有する薬液保冷手段とを含み、 前記循環経路は、薬液収容容器の周囲を冷却水が循環す
るべく配設されることを特徴とする、請求項1に記載の
基板処理装置。 - 【請求項3】 前記薬液収容容器は、前記薬液吐出手段
から薬液が吐出される位置よりも高い位置に配設される
ことを特徴とする、請求項1または2に記載の基板処理
装置。 - 【請求項4】 前記薬液保存手段に不活性ガスを供給す
ることにより、当該薬液保存手段の内部が結露すること
を防止する結露防止手段をさらに備える、請求項1〜3
のいずれかに記載の基板処理装置。 - 【請求項5】 前記薬液保存手段に保存されている薬液
の残量を検出する残量検出手段をさらに備える、請求項
1〜3のいずれかに記載の基板処理装置。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7731059B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-06-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing apparatus having confirming function for remaining amount of liquid crystal and method for measuring the same |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7396412B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-07-08 | Sokudo Co., Ltd. | Coat/develop module with shared dispense |
US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5128918B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4823658B1 (ja) * | 1970-09-30 | 1973-07-16 | ||
US4413255A (en) * | 1981-06-12 | 1983-11-01 | Nordson Corporation | Fluid level indicator |
JPS5821833A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
US4886012A (en) * | 1987-06-30 | 1989-12-12 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Spin coating apparatus |
US4932553A (en) * | 1988-03-31 | 1990-06-12 | Combustion Engineering, Inc. | Radiation reducing manway doors |
KR0156237B1 (ko) * | 1988-06-03 | 1998-12-01 | 고다까 토시오 | 처리액 공급 장치 |
JPH04142033A (ja) * | 1990-10-01 | 1992-05-15 | Nec Yamagata Ltd | 半導体装置の製造装置 |
KR100230753B1 (ko) * | 1991-01-23 | 1999-11-15 | 도꾜 일렉트론 큐슈리미티드 | 액도포 시스템 |
-
1995
- 1995-12-28 JP JP34364995A patent/JP3575717B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-12-06 KR KR1019960062364A patent/KR970052715A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-12-23 US US08/770,555 patent/US6007629A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7731059B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-06-08 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing apparatus having confirming function for remaining amount of liquid crystal and method for measuring the same |
US7745741B2 (en) | 2002-03-15 | 2010-06-29 | Lg Display Co., Ltd. | Liquid crystal dispensing apparatus having confirming function for remaining amount of liquid crystal and method for measuring the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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KR970052715A (ko) | 1997-07-29 |
US6007629A (en) | 1999-12-28 |
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