JP7176936B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
TMAH中のガスは、TMAHの液面まで浮上した後、タンク内のガスと共に排気ラインに排出される。タンクから排出された排出ガスには、窒素ガスおよびドライエアーの少なくとも一方だけでなく、TMAHの蒸気やTMAHのミストが含まれる。排出ガスに含まれるTMAHは極僅かではあるが、バブリングを続けると、タンク内のTMAHが排気ラインを通じて徐々に排出される。そのため、新しいTMAHをタンクに供給する頻度が高まり、基板の処理に要するランニングコストが増加する。
請求項2に記載の発明は、前記第1調整ガスにおける前記第1物質の濃度は、前記第1ガス生成タンクに供給される前の前記低酸素ガスにおける前記第1物質の濃度よりも高い、請求項1に記載の基板処理方法である。
この方法によれば、第1供給タンクだけでなく、第1ガス生成タンクにも第1処理液が貯留されている。したがって、第1処理液を含む第1調整ガスが第1ガス生成タンクで生成され、第1供給タンクに供給される。第1調整ガスの液体成分が第1処理液に溶け込んだとしても、第1供給タンク内の第1処理液の濃度は変わらないもしくは殆ど変わらない。これにより、第1供給タンク内の第1処理液の濃度変化を抑えることができる。
請求項13に記載の発明は、前記第1ガス生成タンクは、前記第1処理液を貯留するタンクである、請求項11または12に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
む、請求項17に記載の基板処理装置である。この構成によれば、前述の基板処理方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1を上から見た模式図である。図2は、基板処理装置1を側方から見た模式図である。
図1に示すように、基板処理装置1は、半導体ウエハなどの円板状の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置1は、基板Wを収容するキャリアCAを保持するロードポートLPと、ロードポートLP上のキャリアCAから搬送された基板Wを処理液や処理ガスなどの処理流体で処理する複数の処理ユニット2と、ロードポートLP上のキャリアCAと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットと、基板処理装置1を制御する制御装置3とを備えている。
処理ユニット2は、内部空間を有する箱型のチャンバー4と、チャンバー4内で1枚の基板Wを水平に保持しながら基板Wの中央部を通る鉛直な回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック10と、回転軸線A1まわりにスピンチャック10を取り囲む筒状の処理カップ23とを含む。
ガード25は、スピンチャック10を取り囲む円筒状のガード筒状部25bと、ガード筒状部25bの上端部から回転軸線A1に向かって斜め上に延びる円環状のガード天井部25aとを含む。複数のガード天井部25aは、上下に重なっており、複数のガード筒状部25bは、同心円状に配置されている。複数のカップ26は、それぞれ、複数のガード筒状部25bの下方に配置されている。カップ26は、上向きに開いた環状の受液溝を形成している。
制御装置3は、コンピュータ本体61と、コンピュータ本体61に接続された周辺装置64とを含む、コンピュータである。コンピュータ本体61は、各種の命令を実行するCPU62(central processing unit:中央処理装置)と、情報を記憶する主記憶装置63とを含む。周辺装置64は、プログラムP等の情報を記憶する補助記憶装置65と、リムーバブルメディアMから情報を読み取る読取装置66と、ホストコンピュータ等の他の装置と通信する通信装置67とを含む。
基板Wの処理の具体例は、ポリシリコン膜が露出した基板W(シリコンウエハ)の表面にエッチング液の一例であるTMAHを供給して、ポリシリコン膜をエッチングするエッチング処理である。以下では、図1~図4および図6を参照する。
具体的には、昇降フレーム32および遮断部材33が上位置に位置しており、全てのガード25が下位置に位置している状態で、センターロボットCRが、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。そして、センターロボットCRは、基板Wの表面が上に向けられた状態でハンドH1上の基板Wを複数のチャックピン11の上に置く。その後、複数のチャックピン11が基板Wの外周面に押し付けられ、基板Wが把持される。センターロボットCRは、基板Wをスピンチャック10の上に置いた後、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。
具体的には、遮断部材33が下位置に位置している状態で第1薬液バルブ51が開かれ、中心ノズル45がDHFの吐出を開始する。中心ノズル45から吐出されたDHFは、基板Wの上面中央部に着液した後、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。これにより、基板Wの上面全域を覆うDHFの液膜が形成され、基板Wの上面全域にDHFが供給される。第1薬液バルブ51が開かれてから所定時間が経過すると、第1薬液バルブ51が閉じられ、DHFの吐出が停止される。
具体的には、遮断部材33が下位置に位置している状態で上リンス液バルブ55が開かれ、中心ノズル45が純水の吐出を開始する。基板Wの上面中央部に着液した純水は、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。基板W上のDHFは、中心ノズル45から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。上リンス液バルブ55が開かれてから所定時間が経過すると、上リンス液バルブ55が閉じられ、純水の吐出が停止される。
具体的には、遮断部材33が下位置に位置している状態で第2薬液バルブ53が開かれ、中心ノズル45がTMAHの吐出を開始する。TMAHの吐出が開始される前に、ガード昇降ユニット27は、基板Wから排出された液体を受け止めるガード25を切り替えるために、少なくとも一つのガード25を鉛直に移動させてもよい。基板Wの上面中央部に着液したTMAHは、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。基板W上の純水は、中心ノズル45から吐出されたTMAHに置換される。これにより、基板Wの上面全域を覆うTMAHの液膜が形成される。第2薬液バルブ53が開かれてから所定時間が経過すると、第2薬液バルブ53が閉じられ、TMAHの吐出が停止される。
具体的には、遮断部材33が下位置に位置している状態で上リンス液バルブ55が開かれ、中心ノズル45が純水の吐出を開始する。基板Wの上面中央部に着液した純水は、回転している基板Wの上面に沿って外方に流れる。基板W上のTMAHは、中心ノズル45から吐出された純水によって洗い流される。これにより、基板Wの上面全域を覆う純水の液膜が形成される。上リンス液バルブ55が開かれてから所定時間が経過すると、上リンス液バルブ55が閉じられ、純水の吐出が停止される。
具体的には、遮断部材33が下位置に位置している状態でスピンモータ14が基板Wを回転方向に加速させ、第1薬液供給工程から第2リンス液供給工程までの期間における基板Wの回転速度よりも大きい高回転速度(たとえば数千rpm)で基板Wを回転させる。これにより、液体が基板Wから除去され、基板Wが乾燥する。基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ14が回転を停止する。このとき、スピンモータ14は、基準回転角でスピンベース12を停止させる。これにより、基板Wの回転が停止される(図6のステップS8)。
具体的には、遮断部材昇降ユニット31が昇降フレーム32を上位置まで上昇させ、ガード昇降ユニット27が全てのガード25を下位置まで下降させる。さらに、上ガスバルブ57および下ガスバルブ21が閉じられ、遮断部材33の上中央開口38とスピンベース12の下中央開口18とが窒素ガスの吐出を停止する。その後、センターロボットCRが、ハンドH1をチャンバー4内に進入させる。センターロボットCRは、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、スピンチャック10上の基板WをハンドH1で支持する。その後、センターロボットCRは、基板WをハンドH1で支持しながら、ハンドH1をチャンバー4の内部から退避させる。これにより、処理済みの基板Wがチャンバー4から搬出される。
第1供給タンク72A内の液量が下限値を上回ると、制御装置3は、第1不活性ガスバルブ104を開いて、第1ガス生成タンク122への窒素ガスの供給を開始する。同様に、制御装置3は、第2不活性ガスバルブ111を開いて、第2ガス生成タンク132への窒素ガスの供給を開始する。これにより、薬液のバブリングが、第1ガス生成タンク122および第2ガス生成タンク132で開始される。それに伴って、窒素ガスと薬液とを含む調整ガスの生成が、第1ガス生成タンク122および第2ガス生成タンク132で開始される(図9のステップS12)。
さらに、調整ガスおよび薬液のいずれにも同じ物質(TMAH(無水物)および水(H2O))が含まれているので、調整ガスを第1供給タンク72Aに供給し続けたとしても、第1供給タンク72A内の薬液が減少し難い。これにより、新しい薬液を第1供給タンク72Aに供給する頻度を低下させることができる。さらに、薬液の濃度変化を抑えることができる。これにより、時間の経過に伴う基板Wの品質の変化を抑えることができる。
次に、第2実施形態について説明する。第2実施形態が第1実施形態に対して主として異なる点は、基板Wに供給される処理液を貯留する複数の供給タンクが設けられており、これらの供給タンク内の処理液が基板Wに供給される前に混合されることである。
図10は、第2実施形態に係る薬液供給ユニット71およびガス溶解装置101を示す模式図である。図10において、前述の図1~図9に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
次に、第3実施形態について説明する。第3実施形態が第1実施形態に対して主として異なる点は、第1ガス生成タンク122で生成された調整ガスだけでなく、第2ガス生成タンク132で生成された調整ガスも第1供給タンク72Aに供給されることである。
図11は、第3実施形態に係る薬液供給ユニット71およびガス溶解装置101を示す模式図である。図11において、前述の図1~図10に示された構成と同等の構成については、図1等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、種々の変更が可能である。
たとえば、TMAHなどのエッチング液を、基板Wの上面ではなく、基板Wの下面に供給してもよい。もしくは、基板Wの上面および下面の両方にエッチング液を供給してもよい。これらの場合、下面ノズル15にエッチング液を吐出させればよい。
第1ガス生成タンク122内の液体は、第1供給タンク72A内の液体と異なっていてもよい。つまり、第1ガス生成タンク122内の液体に含まれる物質の数が、第1供給タンク72A内の液体に含まれる物質の数とは異なっていてもよい。同様に、第2ガス生成タンク132内の液体は、下流回収タンク89内の液体と異なっていてもよい。第2ガス生成タンク132内の液体は、第2供給タンク72B内の液体と異なっていてもよい。
遮断部材33から筒状部37が省略されてもよい。上支持部43および下支持部44が遮断部材33およびスピンチャック10から省略されてもよい。
超音波発生器は、上流回収タンク84内の薬液に接している。超音波発生器が超音波振動を発生すると、上流回収タンク84内の薬液中に気泡が発生する。この気泡は薬液の表面(液面)から上流回収タンク84内の空間に放出される。これにより、上流回収タンク84内の薬液の溶存ガスが除去され、薬液に溶け込んでいる総ガス量が減少する。上流回収タンク84内の薬液から放出されたガスは、上流回収タンク84に接続されたブリーザー配管86を通じて上流回収タンク84から排出される。
前述の全ての構成の2つ以上が組み合わされてもよい。前述の全ての工程の2つ以上が組み合わされてもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
45 :中心ノズル(処理液ノズル、混合液ノズル)
52 :第2薬液配管(直前混合手段)
70A :第1個別配管(直前混合手段)
70B :第2個別配管(直前混合手段)
72A :第1供給タンク(第1最終調整手段)
72B :第2供給タンク(第2最終調整手段)
79A :第1流量調整バルブ(混合比変更バルブ)
79B :第2流量調整バルブ(混合比変更バルブ)
81 :薬液回収ユニット(回収手段)
89 :下流回収タンク(回収タンク)
121 :第1下流ガス供給配管(主調整手段)
122 :第1ガス生成タンク(第1ガス生成手段、複数含有ガス生成手段)
126 :第1上昇配管(第1リサイクル配管)
127 :第1クーラー(第1配管内クーラー)
131 :第2下流ガス供給配管(副調整手段)
132 :第2ガス生成タンク(事前ガス生成タンク、事前調整ガス生成手段、第2ガス生成手段、一部含有ガス生成手段)
136 :第2上昇配管(第2リサイクル配管)
137 :第2クーラー(第2配管内クーラー)
W :基板
Claims (24)
- 第1物質を含む第1液体を貯留する第1ガス生成タンク内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む第1調整ガスを生成する第1ガス生成工程と、
前記第1物質を含み、基板に供給され、第1供給タンクに回収された第1処理液に前記第1調整ガスを溶解させ、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する第1最終調整工程と、
前記第1供給タンク内の前記第1処理液を基板に供給する処理液供給工程とを含む、基板処理方法。 - 第1物質を含む第1液体を貯留する第1ガス生成タンク内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む第1調整ガスを生成する第1ガス生成工程と、
第1供給タンクに貯留されている前記第1物質を含む第1処理液に前記第1調整ガスを溶解させ、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する第1最終調整工程と、
前記第1供給タンク内の前記第1処理液を基板に供給する処理液供給工程と、
前記基板に供給された後の前記第1処理液を、回収タンクを介して前記第1供給タンクに回収する回収工程と、
前記第1物質を含む事前調整液を貯留する事前ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記事前ガス生成タンク内の前記事前調整液中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む事前調整ガスを生成する事前調整ガス生成工程と、
前記基板に供給された前記第1処理液が前記第1供給タンクに回収される前に、前記回収タンク内の前記第1処理液に前記事前調整ガスを溶解させて、前記回収タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する事前調整工程とを含む、基板処理方法。 - 第1物質を含む第1液体を貯留する第1ガス生成タンク内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む第1調整ガスを生成する第1ガス生成工程と、
第1供給タンクに貯留されている前記第1物質を含む第1処理液に前記第1調整ガスを溶解させ、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する第1最終調整工程と、
前記第1供給タンク内の前記第1処理液を基板に供給する処理液供給工程とを含み、
前記第1処理液は、前記第1物質に加えて、第2物質を含む液体であり、
前記第1ガス生成工程は、
前記第1物質と前記第2物質とを含む前記第1液体を貯留する前記第1ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質と前記第2物質とを含む複数含有ガスを生成する複数含有ガス生成工程と、
前記第1物質および第2物質の一方を含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない第2液体を貯留する第2ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第2ガス生成タンク内の前記第2液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記第1物質および第2物質の一方と前記低酸素ガスとを含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない一部含有ガスを生成する一部含有ガス生成工程と、を含み、
前記第1最終調整工程は、
前記第1調整ガスに相当する前記複数含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する主調整工程と、
前記一部含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する副調整工程と、を含む、基板処理方法。 - 前記基板に供給された後の前記第1処理液を、回収タンクを介して前記第1供給タンクに回収する回収工程と、
前記第1物質を含む事前調整液を貯留する事前ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記事前ガス生成タンク内の前記事前調整液中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む事前調整ガスを生成する事前調整ガス生成工程と、
前記基板に供給された前記第1処理液が前記第1供給タンクに回収される前に、前記回収タンク内の前記第1処理液に前記事前調整ガスを溶解させて、前記回収タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する事前調整工程とをさらに含む、請求項1または3に記載の基板処理方法。 - 前記事前調整工程は、前記回収タンク内に前記事前調整ガスを流入させるガス供給工程と、前記回収タンク内のガスを排出するガス排出工程とを含み、
前記基板処理方法は、前記回収タンクから排出された排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を液化させる第2冷却工程と、前記第2冷却工程で液化した前記第1物質を前記回収タンクに戻す第2リサイクル工程とをさらに含む、請求項4に記載の基板処理方法。 - 前記第2冷却工程は、前記回収タンクから上方に延びる第2上昇配管内の前記排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を前記第2上昇配管の内周面で液化させる第2配管内冷却工程を含み、
前記第2リサイクル工程は、前記第2上昇配管の内周面で液化した前記第1物質を前記第2上昇配管の内周面に沿って前記回収タンクの方に落下させる第2落下工程を含む、請求項5に記載の基板処理方法。 - 前記基板処理方法は、
第2物質を含む第2液体を貯留する第2ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第2ガス生成タンク内の前記第2液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第2物質とを含む第2調整ガスを生成する第2ガス生成工程と、
第2供給タンクに貯留されている前記第2物質を含む第2処理液に前記第2調整ガスを溶解させて、前記第2供給タンク内の前記第2処理液の溶存酸素濃度を調整する第2最終調整工程と、
前記第1処理液および第2処理液が前記基板に供給される前に、前記第1処理液および第2処理液を前記第1供給タンクおよび第2供給タンクの外で混合する直前混合工程と、
前記直前混合工程で混合される前記第1処理液および第2処理液の混合比を変更する混合比変更工程とをさらに含み、
前記処理液供給工程は、前記直前混合工程で混合された前記第1処理液および第2処理液を前記基板に供給する混合液供給工程を含む、請求項1または2項に記載の基板処理方法。 - 前記第1処理液は、前記第1物質に加えて、第2物質を含む液体であり、
前記第1ガス生成工程は、
前記第1物質と前記第2物質とを含む前記第1液体を貯留する前記第1ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質と前記第2物質とを含む複数含有ガスを生成する複数含有ガス生成工程と、
前記第1物質および第2物質の一方を含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない第2液体を貯留する第2ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第2ガス生成タンク内の前記第2液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記第1物質および第2物質の一方と前記低酸素ガスとを含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない一部含有ガスを生成する一部含有ガス生成工程と、を含み、
前記第1最終調整工程は、
前記第1調整ガスに相当する前記複数含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する主調整工程と、
前記一部含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する副調整工程と、を含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。 - 前記第1調整ガスにおける前記第1物質の濃度は、前記第1ガス生成タンクに供給される前の前記低酸素ガスにおける前記第1物質の濃度よりも高い、請求項1~8のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1ガス生成タンクは、前記第1処理液を貯留するタンクである、請求項1~9のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1最終調整工程は、前記第1供給タンク内に前記第1調整ガスを流入させるガス供給工程と、前記第1供給タンク内のガスを排出するガス排出工程とを含み、
前記基板処理方法は、前記第1供給タンクから排出された排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を液化させる第1冷却工程と、前記第1冷却工程で液化した前記第1物質を前記第1供給タンクに戻す第1リサイクル工程とをさらに含む、請求項1~10のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記第1冷却工程は、前記第1供給タンクから上方に延びる第1上昇配管内の前記排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を前記第1上昇配管の内周面で液化させる第1配管内冷却工程を含み、
前記第1リサイクル工程は、前記第1上昇配管の内周面で液化した前記第1物質を前記第1上昇配管の内周面に沿って前記第1供給タンクの方に落下させる第1落下工程を含む、請求項11に記載の基板処理方法。 - 第1物質を含む第1液体を貯留する第1ガス生成タンクを含み、前記第1ガス生成タンク内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む第1調整ガスを生成する第1ガス生成手段と、
前記第1物質を含み、基板に供給され、回収された第1処理液を貯留する第1供給タンクを含み、前記第1供給タンク内の前記第1処理液に前記第1調整ガスを溶解させ、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する第1最終調整手段と、
前記第1供給タンク内の前記第1処理液を基板に供給する処理液ノズルとを備える、基板処理装置。 - 第1物質を含む第1液体を貯留する第1ガス生成タンクを含み、前記第1ガス生成タンク内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む第1調整ガスを生成する第1ガス生成手段と、
前記第1物質を含む第1処理液を貯留する第1供給タンクを含み、前記第1供給タンク内の前記第1処理液に前記第1調整ガスを溶解させ、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する第1最終調整手段と、
前記第1供給タンク内の前記第1処理液を基板に供給する処理液ノズルと、
前記基板に供給された後の前記第1処理液を貯留する回収タンクを含み、前記基板に供給された前記第1処理液を、前記回収タンクを介して前記第1供給タンクに回収する回収手段と、
前記第1物質を含む事前調整液を貯留する事前ガス生成タンクを含み、前記事前ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記事前ガス生成タンク内の前記事前調整液中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む事前調整ガスを生成する事前調整ガス生成手段と、
前記基板に供給された前記第1処理液が前記第1供給タンクに回収される前に、前記回収タンク内の前記第1処理液に前記事前調整ガスを溶解させて、前記回収タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する事前調整手段とをさらに備える、基板処理装置。 - 第1物質を含む第1液体を貯留する第1ガス生成タンクを含み、前記第1ガス生成タンク内に空気中の酸素濃度よりも低い酸素濃度を有する低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む第1調整ガスを生成する第1ガス生成手段と、
前記第1物質を含む第1処理液を貯留する第1供給タンクを含み、前記第1供給タンク内の前記第1処理液に前記第1調整ガスを溶解させ、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する第1最終調整手段と、
前記第1供給タンク内の前記第1処理液を基板に供給する処理液ノズルとを備え、
前記第1処理液は、前記第1物質に加えて、第2物質を含む液体であり、
前記第1ガス生成手段は、
前記第1物質と前記第2物質とを含む前記第1液体を貯留する前記第1ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質と前記第2物質とを含む複数含有ガスを生成する複数含有ガス生成手段と、
前記第1物質および第2物質の一方を含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない第2液体を貯留する第2ガス生成タンクを含み、前記第2ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第2ガス生成タンク内の前記第2液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記第1物質および第2物質の一方と前記低酸素ガスとを含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない一部含有ガスを生成する一部含有ガス生成手段と、を含み、
前記第1最終調整手段は、
前記第1調整ガスに相当する前記複数含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する主調整手段と、
前記一部含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する副調整手段と、を含む、基板処理装置。 - 前記基板に供給された後の前記第1処理液を貯留する回収タンクを含み、前記基板に供給された前記第1処理液を、前記回収タンクを介して前記第1供給タンクに回収する回収手段と、
前記第1物質を含む事前調整液を貯留する事前ガス生成タンクを含み、前記事前ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記事前ガス生成タンク内の前記事前調整液中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質とを含む事前調整ガスを生成する事前調整ガス生成手段と、
前記基板に供給された前記第1処理液が前記第1供給タンクに回収される前に、前記回収タンク内の前記第1処理液に前記事前調整ガスを溶解させて、前記回収タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する事前調整手段とをさらに備える、請求項13または15に記載の基板処理装置。 - 前記事前調整手段は、前記回収タンク内に前記事前調整ガスを流入させるガス供給配管と、前記回収タンク内のガスを排出するガス排出配管とをさらに含み、
前記基板処理装置は、前記回収タンクから排出された排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を液化させる第2クーラーと、前記第2クーラーによって液化された前記第1物質を前記回収タンクに戻す第2リサイクル配管とをさらに含む、請求項16に記載の基板処理装置。 - 前記ガス排出配管は、前記回収タンクから上方に延びる第2上昇配管を含み、
前記第2クーラーは、前記第2上昇配管内の前記排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を前記第2上昇配管の内周面で液化させる第2配管内クーラーを含む、請求項17に記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は、
第2物質を含む第2液体を貯留する第2ガス生成タンクを含み、前記第2ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第2ガス生成タンク内の前記第2液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第2物質とを含む第2調整ガスを生成する第2ガス生成手段と、
前記第2物質を含む第2処理液を貯留する第2供給タンクを含み、前記第2供給タンク内の前記第2処理液に前記第2調整ガスを溶解させて、前記第2供給タンク内の前記第2処理液の溶存酸素濃度を調整する第2最終調整手段と、
前記第1処理液および第2処理液が前記基板に供給される前に、前記第1処理液および第2処理液を前記第1供給タンクおよび第2供給タンクの外で混合する直前混合手段と、
前記直前混合手段で混合される前記第1処理液および第2処理液の混合比を変更する混合比変更バルブとをさらに備え、
前記処理液ノズルは、前記直前混合手段で混合された前記第1処理液および第2処理液の混合液を前記基板に供給する混合液ノズルを含む、請求項13または14に記載の基板処理装置。 - 前記第1処理液は、前記第1物質に加えて、第2物質を含む液体であり、
前記第1ガス生成手段は、
前記第1物質と前記第2物質とを含む前記第1液体を貯留する前記第1ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第1ガス生成タンク内の前記第1液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記低酸素ガスと前記第1物質と前記第2物質とを含む複数含有ガスを生成する複数含有ガス生成手段と、
前記第1物質および第2物質の一方を含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない第2液体を貯留する第2ガス生成タンクを含み、前記第2ガス生成タンク内に前記低酸素ガスを供給して、前記第2ガス生成タンク内の前記第2液体中に前記低酸素ガスの気泡を形成し、前記第1物質および第2物質の一方と前記低酸素ガスとを含み、前記第1物質および第2物質の他方を含まない一部含有ガスを生成する一部含有ガス生成手段と、を含み、
前記第1最終調整手段は、
前記第1調整ガスに相当する前記複数含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する主調整手段と、
前記一部含有ガスを前記第1供給タンク内の前記第1処理液に溶解させて、前記第1供給タンク内の前記第1処理液の溶存酸素濃度を調整する副調整手段と、を含む、請求項13または14に記載の基板処理装置。 - 前記第1ガス生成手段は、前記第1ガス生成タンクに供給される前の前記低酸素ガスよりも前記第1物質の濃度が高い前記第1調整ガスを生成する手段である、請求項13~20のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1ガス生成タンクは、前記第1処理液を貯留するタンクである、請求項13~21のいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記第1最終調整手段は、前記第1供給タンク内に前記第1調整ガスを流入させるガス供給配管と、前記第1供給タンク内のガスを排出するガス排出配管とをさらに含み、
前記基板処理装置は、前記第1供給タンクから排出された排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を液化させる第1クーラーと、前記第1クーラーによって液化された前記第1物質を前記第1供給タンクに戻す第1リサイクル配管とをさらに備える、請求項13~22のいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記ガス排出配管は、前記第1供給タンクから上方に延びる第1上昇配管を含み、
前記第1クーラーは、前記第1上昇配管内の前記排出ガスを冷却して、前記排出ガスに含まれる前記第1物質を前記第1上昇配管の内周面で液化させる第1配管内クーラーを含む、請求項23に記載の基板処理装置。
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