JP2000077324A - 処理液供給システム、これを用いた処理装置、これに用いられる中間貯留機構、および処理液供給方法 - Google Patents

処理液供給システム、これを用いた処理装置、これに用いられる中間貯留機構、および処理液供給方法

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JP2000077324A JP14850299A JP14850299A JP2000077324A JP 2000077324 A JP2000077324 A JP 2000077324A JP 14850299 A JP14850299 A JP 14850299A JP 14850299 A JP14850299 A JP 14850299A JP 2000077324 A JP2000077324 A JP 2000077324A
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  • Coating Apparatus (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 吐出される処理液に脈動が生じることなく、
さらに、吐出される処理液にNガス等の圧送ガスが混
入することなく、現像液等の処理液を供給することがで
きる処理液供給システムを提供すること。 【解決手段】 処理液供給源から供給された処理液を一
旦貯留し、所定の圧力で再び吐出する中間貯溜機構5
1、52と、この中間貯溜機構51、52に貯留された
処理液に圧力を作用させるための流体を前記中間貯溜機
構51、52に供給するための流体供給機構75、7
6、77とを有し、前記中間貯留機構51、52は、処
理液の導入口59と吐出口60とを有し導入口59を通
って導入された処理液を貯溜し、かつこれを吐出するこ
とが可能な容器53と、この容器53内に設けられ、前
記流体供給機構75、76、77から供給された流体と
処理液との間に介在し、この流体の圧力を処理液に作用
させる加圧体63とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体デバ
イスやLCD等の製造プロセスにおいて、現像液等の処
理液を供給する処理液供給システム、これを用いた処理
装置、これに用いられる中間貯留機構、および処理液供
給方法に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、半導体デバイスの製造プロセス
中のフォトリソグラフィー工程においては、ウエハにレ
ジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、その後、この
レジスト膜上に所定のパターンを露光し、さらに現像処
理を施こすことでウエハ上に所定のパターンの回路を形
成している。
【0003】このような一連の処理は、塗布・現像処理
システムによって行われる。この塗布・現像処理システ
ムにおいては、現像液やシンナー等の処理液を、このシ
ステムに設けられた各処理ユニット、すなわち、アドヒ
ージョン処理ユニット、レジスト塗布ユニット、現像ユ
ニット等に供給する必要がある。この場合、処理液は、
工場配管に備えられたNガス圧送設備により中間タン
クに圧送され一旦貯留された後、この中間タンクから各
処理ユニットに供給されるようになっている。中間タン
クからの供給手段としては、ポンプまたはNガス圧送
設備が用いられている。
【0004】ところで、中間タンクの処理液を、ポンプ
を用いて各処理ユニットに圧送する場合には、処理液が
繰り返し加圧されるため、処理ユニットに到達した処理
液に脈動が生じている可能性がある。そのため、中間タ
ンクから各処理ユニットへの圧送手段としては、N
ス圧送設備を用いることが多くなっている。Nガス圧
送設備を用いる場合には、中間タンクに貯留された処理
液に高圧のNガスを直接吹き付け、これにより加圧さ
れた処理液を中間タンクから各処理ユニットに圧送する
ようにしている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、N
ス圧送設備を用いると、処理液に高圧のNガスが直接
吹き付けられることから、処理液にNガスが混入し、
処理液が各処理ユニットに到達して圧力が下がった時、
ガスが処理液内で発泡するして気泡化するという不
都合が生じる場合がある。その結果、例えば、現像処理
ユニットでは、現像液中にNガスの気泡が混入し、こ
れにより現像ムラが生じる等、プロセスに悪影響を及ぼ
す可能性がある。
【0006】また、塗布・現像システムに用いられる電
子式流量計の中にはマスフローメーターのように気泡の
存在により流量が正確に測定することができないものが
あるため、正確な量の処理液を供給することができない
可能性もある。
【0007】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、吐出される処理液に脈動が生じること
なく、さらに、吐出される処理液にNガス等の圧送ガ
スが混入することなく、現像液等の処理液を供給するこ
とができる処理液供給システムおよび処理液供給方法を
提供することを目的とする。
【0008】また、本発明の他の目的は、処理液を常に
一定の圧力で安定して吐出することができ、かつ、処理
液を切れ目なく連続的に吐出することができる処理液供
給システムを提供することにある。
【0009】本発明のさらに他の目的は、処理液中にN
ガス等の圧送ガスが混入している場合でも、これを有
効に脱気することができる処理液供給システムを提供す
ることにある。
【0010】本発明のさらに他の目的は、このような処
理液供給システムに用いられる中間貯留機構、およびこ
のような処理液供給システムを用いる処理装置を提供す
ることにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明の第1の観点によ
れば、処理液を供給する処理液供給システムであって、
処理液を供給する処理液供給源と、処理液供給源から供
給された処理液を一旦貯留し、所定の圧力で再び吐出す
る中間貯溜機構と、この中間貯溜機構に貯留された処理
液に圧力を作用させるための流体を、前記中間貯溜機構
に供給するための流体供給機構とを具備し、前記中間貯
留機構は、処理液の導入口と吐出口とを有し、導入口を
通って導入された処理液を貯溜し、かつこれを吐出する
ことが可能な容器と、この容器内に設けられ、前記流体
供給機構から供給された流体と処理液との間に介在し、
この流体の圧力を処理液に作用させる加圧体とを有する
ことを特徴とする処理液供給システムが提供される。
【0012】このような構成によれば、処理液を中間貯
留機構の容器に一旦貯留し、流体の圧力を加圧体を介し
て処理液に作用させて処理液を吐出させるので、従来の
ポンプによる圧送のように脈動が生じることなく、ま
た、処理液が圧力媒体であるN ガス等の圧送ガスに直
接接触することがないので処理液へのガスの混入が生じ
ず、プロセスに悪影響を与えずに処理液を供給すること
ができる。
【0013】ここで、この処理液供給システムは、前記
中間貯溜機構を2以上有し、これらの中間貯溜機構を選
択的に切換えて処理液の吐出を連続的に行わせる切換弁
を有することが好ましい。これにより、処理液を常に一
定の圧力で安定して吐出することができ、かつ、処理液
を切れ目なく連続的に吐出することができる。
【0014】さらに、前記容器には、前記処理液中の気
泡をこの容器外へ排出するための泡抜き口を有すること
が好ましく、この場合、前記処理液の導入口に、導入さ
れる処理液の圧力を低下させることでこの処理液に溶存
する気体を発泡させ気泡を生成する流路を設けることが
望ましい。これにより、処理液中にNガス等の圧送ガ
スが混入している場合でも、これを有効に脱気すること
ができる。
【0015】また、本発明の第2の観点によれば、処理
液供給源から供給された処理液を一旦貯留し、所定の圧
力で再び吐出する処理液の中間貯溜機構であって、処理
液の導入口と吐出口とを有し、導入口を通って導入され
た処理液を貯溜し、かつこれを吐出することが可能な容
器と、この容器内に設けられ、前記流体供給機構から供
給された流体と処理液との間に介在し、この流体の圧力
を処理液に作用させる加圧体と、前記容器に設けられ、
処理液中の気泡を容器外へ排出するための泡抜き流路と
を具備することを特徴とする中間貯溜機構が提供され
る。
【0016】また、本発明の第3の観点によれば、処理
液を供給する処理液供給源と、処理液供給源から供給さ
れた処理液を一旦貯留し、所定の圧力で再び吐出する中
間貯溜機構と、この中間貯溜機構を作動させるための流
体を、前記中間貯溜機構に供給するか、または前記中間
貯留機構から除去するための流体供給機構と、前記中間
貯溜機構から吐出された処理液を用いて被処理体に所定
の処理を施す処理部とを具備し、前記中間貯溜機構は、
処理液の導入口と吐出口とを有し、導入口を通って導入
された処理液を貯溜し、かつこれを吐出することが可能
な容器と、この容器内に設けられ、前記流体供給機構か
ら供給された流体と処理液との間に介在し、この流体の
圧力を処理液に作用させる加圧体とを有することを特徴
とする処理装置が提供される。
【0017】また、本発明の第4の観点によれば、処理
液供給源から供給された処理液を複数の中間貯留機構に
一旦貯留してから吐出する処理液供給方法であって、1
の中間貯留機構に貯留された処理液を吐出する工程と、
この1の中間貯留機構から処理液が吐出されている間
に、他の1の中間貯留機構に処理液供給源から処理液を
補給する工程と、1の中間貯留機構からの処理液の吐出
が終了したことに基づいて、他の1の中間貯留機構から
の処理液の吐出を開始する工程とを具備することを特徴
とする処理液供給方法が提供される。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施形態について説明する。 (第1の実施形態)まず、この発明の処理液供給システ
ムが採用された塗布現像処理システムを図1〜図3に基
づいて説明した後、図4以下に基づいて該処理液供給シ
ステムの実施形態について説明する。
【0019】図1〜図3は、塗布現像処理システム1の
全体構成図であって、図1は平面、図2は正面、図3は
背面をそれぞれ示している。
【0020】このレジスト塗布現像処理システム1は、
搬送ステーションであるカセットステーション10と、
複数の処理ユニットを有する処理ステーション11と、
処理ステーション11と隣接して設けられる露光装置
(図示せず)との間でウエハWを受け渡すためのインタ
ーフェイス部12とを具備している。
【0021】上記カセットステーション10は、被処理
体としての半導体ウエハW(以下、単にウエハと記す)
を複数枚例えば25枚単位でウエハカセットCRに搭載
された状態で他のシステムからこのシステムへ搬入また
はこのシステムから他のシステムへ搬出したり、ウエハ
カセットCRと処理ステーション11との間でウエハW
の搬送を行うためのものである。
【0022】このカセットステーション10において
は、図1に示すように、カセット載置台2上に図中X方
向に沿って複数(図では4個)の位置決め突起20aが
形成されており、この突起20aの位置にウエハカセッ
トCRがそれぞれのウエハ出入口を処理ステーション1
1側に向けて一列に載置可能となっている。ウエハカセ
ットCRにおいてはウエハWが垂直方向(Z方向)に配
列されている。また、カセットステーション10は、ウ
エハカセット載置台20と処理ステーション11との間
に位置するウエハ搬送機構21を有している。このウエ
ハ搬送機構21は、カセット配列方向(X方向)および
その中のウエハWのウエハ配列方向(Z方向)に移動可
能なウエハ搬送用アーム21aを有しており、この搬送
アーム21aによりいずれかのウエハカセットCRに対
して選択的にアクセス可能となっている。また、ウエハ
搬送用アーム21aは、θ方向に回転可能に構成されて
おり、後述する処理ステーション11側の第3の処理部
に属するアライメントユニット(ALIM)および
エクステンションユニット(EXT)にもアクセスでき
るようになっている。
【0023】上記処理ステーション11は、半導体ウエ
ハWへ対して塗布・現象を行う際の一連の工程を実施す
るための複数の処理ユニットを備え、これらが所定位置
に多段に配置されており、これらにより半導体ウエハW
が一枚ずつ処理される。この処理ステーション11は、
図1に示すように、中心部に搬送路22aを有し、この
中に主ウエハ搬送機構22が設けられ、ウエハ搬送路2
2aの周りに全ての処理ユニットが配置されている。こ
れら複数の処理ユニットは、複数の処理部に分かれてお
り、各処理部は複数の処理ユニットが鉛直方向に沿って
多段に配置されている。
【0024】主ウエハ搬送機構22は、図3に示すよう
に、筒状支持体49の内側に、ウエハ搬送装置46を上
下方向(Z方向)に昇降自在に装備している。筒状支持
体49はモータ(図示せず)の回転駆動力によって回転
可能となっており、それにともなってウエハ搬送装置4
6も一体的に回転可能となっている。
【0025】ウエハ搬送装置46は、搬送基台47の前
後方向に移動自在な複数本の保持部材48を備え、これ
らの保持部材48によって各処理ユニット間でのウエハ
Wの受け渡しを実現している。
【0026】また、図1に示すように、この実施の形態
においては、4個の処理部G,G ,G,Gがウ
エハ搬送路22aの周囲に実際に配置されており、処理
部G は必要に応じて配置可能となっている。
【0027】これらのうち、第1および第2の処理部G
,Gはシステム正面(図1において手前)側に並列
に配置され、第3の処理部Gはカセットステーション
10に隣接して配置され、第4の処理部Gはインター
フェイス部12に隣接して配置されている。また、第5
の処理部Gは背面部に配置可能となっている。
【0028】この場合、図2に示すように、第1の処理
部Gでは、カップCP内でウエハWをスピンチャック
(図示せず)に載置して所定の処理を行う2台のスピナ
型処理ユニットが上下2段に配置されており、この実施
形態においては、ウエハWにレジストを塗布するレジス
ト塗布ユニット(COT)およびレジストのパターンを
現像する現像ユニット(DEV)が下から順に2段に重
ねられている。第2の処理部Gも同様に、2台のスピ
ナ型処理ユニットとしてレジスト塗布ユニット(CO
T)および現像ユニット(DEV)が下から順に2段に
重ねられている。
【0029】このようにレジスト塗布ユニット(CO
T)等を下段側に配置する理由は、レジスト液の廃液が
機構的にもメンテナンスの上でも現像液の廃液よりも本
質的に複雑であり、このように塗布ユニット(COT)
等を下段に配置することによりその複雑さが緩和される
からである。しかし、必要に応じてレジスト塗布ユニッ
ト(COT)等を上段に配置することも可能である。
【0030】第3の処理部Gにおいては、図3に示す
ように、ウエハWを載置台SPに載せて所定の処理を行
うオーブン型の処理ユニットが多段に重ねられている。
すなわち冷却処理を行うクーリングユニット(CO
L)、レジストの定着性を高めるためのいわゆる疎水化
処理を行うアドヒージョンユニット(AD)、位置合わ
せを行うアライメントユニット(ALIM)、ウエハW
の搬入出を行うエクステンションユニット(EXT)、
露光処理前や露光処理後、さらには現像処理後にウエハ
Wに対して加熱処理を行う4つの加熱処理ユニット(H
P)が下から順に8段に重ねられている。なお、アライ
メントユニット(ALIM)の代わりにクーリングユニ
ット(COL)を設け、クーリングユニット(COL)
にアライメント機能を持たせてもよい。
【0031】第4の処理部Gも、オーブン型の処理ユ
ニットが多段に重ねられている。すなわち、クーリング
ユニット(COL)、クーリングプレートを備えたウエ
ハ搬入出部であるエクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)、エクステンションユニット(EX
T)、クーリングユニット(COL)、および4つの加
熱処理ユニット(HP)が下から順に8段に重ねられて
いる。
【0032】このように処理温度の低いクーリングユニ
ット(COL)、エクステンション・クーリングユニッ
ト(EXTCOL)を下段に配置し、処理温度の高い加
熱処理ユニット(HP)を上段に配置することで、ユニ
ット間の熱的な相互干渉を少なくすることができる。も
ちろん、ランダムな多段配置としてもよい。
【0033】上述したように、主ウエハ搬送機構22の
背部側に第5の処理部Gを設けることができるが、第
5の処理部Gを設ける場合には、案内レール25に沿
って主ウエハ搬送機構21から見て側方へ移動できるよ
うになっている。したがって、第5の処理部Gを設け
た場合でも、これを案内レール25に沿ってスライドす
ることにより空間部が確保されるので、主ウエハ搬送機
構21に対して背後からメンテナンス作業を容易に行う
ことができる。この場合に、このような直線状の移動に
限らず、回動させるようにしても同様にスペースの確保
を図ることができる。なお、この第5の処理部Gとし
ては、基本的に第3および第4の処理部G,Gと同
様、オープン型の処理ユニットが多段に積層された構造
を有しているものを用いることができる。
【0034】上記インターフェイス部12は、奥行方向
(X方向)については、処理ステーション11と同じ長
さを有している。図1、図2に示すように、このインタ
ーフェイス部12の正面部には、可搬性のピックアップ
カセットCRと定置型のバッファカセットBRが2段に
配置され、背面部には周辺露光装置23が配設され、中
央部には、ウエハ搬送体24が配設されている。このウ
エハ搬送体24は、X方向、Z方向に移動して両カセッ
トCR,BRおよび周辺露光装置23にアクセス可能と
なっている。また、このウエハ搬送体24は、θ方向に
回転可能であり、処理ステーション11の第4の処理部
に属するエクステンションユニット(EXT)や、
さらには隣接する露光装置側のウエハ受け渡し台(図示
せず)にもアクセス可能となっている。
【0035】このようなレジスト塗布現像処理システム
においては、まず、カセットステーション10におい
て、ウエハ搬送機構21のウエハ搬送用アーム21aが
カセット載置台20上の未処理のウエハWを収容してい
るウエハカセットCRにアクセスして、そのカセットC
Rから一枚のウエハWを取り出し、第3の処理部G3の
エクステンションユニット(EXT)に搬送する。
【0036】ウエハWは、このエクステンションユニッ
ト(EXT)から、主ウエハ搬送機構22のウエハ搬送
装置46により、処理ステーション11に搬入される。
そして、第3の処理部Gのアライメントユニット(A
LIM)によりアライメントされた後、アドヒージョン
処理ユニット(AD)に搬送され、そこでレジストの定
着性を高めるための疎水化処理(HMDS処理)が施さ
れる。この処理は加熱を伴うため、その後ウエハWは、
ウエハ搬送装置46により、クーリングユニット(CO
L)に搬送されて冷却される。
【0037】アドヒージョン処理が終了し、クーリング
ユニット(COL)で冷却さたウエハWは、引き続き、
ウエハ搬送装置46によりレジスト塗布ユニット(CO
T)に搬送され、そこで塗布膜が形成される。塗布処理
終了後、ウエハWは処理部G ,Gのいずれかの加熱
処理ユニット(HP)内でプリベーク処理され、その後
いずれかのクーリングユニット(COL)にて冷却され
る。
【0038】冷却されたウエハWは、第3の処理部G
のアライメントユニット(ALIM)に搬送され、そこ
でアライメントされた後、第4の処理部群Gのエクス
テンションユニット(EXT)を介してインターフェイ
ス部12に搬送される。
【0039】インターフェイス部12では、周辺露光装
置23により周辺露光されて余分なレジストが除去され
た後、インターフェイス部12に隣接して設けられた露
光装置(図示せず)により所定のパターンに従ってウエ
ハWのレジスト膜に露光処理が施される。
【0040】露光後のウエハWは、再びインターフェイ
ス部12に戻され、ウエハ搬送体24により、第4の処
理部Gに属するエクステンションユニット(EXT)
に搬送される。そして、ウエハWは、ウエハ搬送装置4
6により、いずれかの加熱処理ユニット(HP)に搬送
されてポストエクスポージャーベーク処理が施され、次
いで、クーリングユニット(COL)により冷却され
る。
【0041】その後、ウエハWは現像ユニット(DE
V)に搬送され、そこで露光パターンの現像が行われ
る。現像終了後、ウエハWはいずれかの加熱処理ユニッ
ト(HP)に搬送されてポストベーク処理が施され、次
いで、クーリングユニット(COL)により冷却され
る。このような一連の処理が終了した後、第3処理ユニ
ット群Gのエクステンションユニット(EXT)を介
してカセットステーション10に戻され、いずれかのウ
エハカセットCRに収容される。
【0042】このような塗布現像システムによれば、各
処理ユニットが上下方向に積層されて構成されているか
ら装置の設置面積を著しく減少させることができる。
【0043】次に、図4ないし図6を参照して、この発
明の特徴を含む処理液供給システムについて説明する。
この処理液供給システムは、前記塗布現像システムに組
み込まれ、例えば、処理液としての現像液を前記現像処
理ユニット(DEV)に供給するものである。
【0044】図4は、本実施形態に係る処理液供給シス
テムの配管構成図である。この処理液供給システムは、
工場配管等の供給源からNガス圧送またはポンプ圧送
された現像液等の処理液を一旦受け取って貯留し、現像
処理ユニット(DEV)等の処理ユニットに圧送する役
割を果たすものである。
【0045】そして、この処理液供給システムは、中間
貯留機構としてシリンジポンプ51,52を用いること
で、加圧用のNガスが直接処理液に触れることがな
く、かつ処理液を常に一定の圧力で安定して吐出できる
ように構成している。
【0046】さらに、この処理液供給システムは、2つ
のシリンジポンプ51,52を使用することで、一方の
シリンジポンプ51からの処理液供給が終了した場合に
でも、他のシリンジポンプ52を使用することで処理液
を切れ目無く継続的に供給できるように構成している。
以下、これら2つのシリンジポンプを、それぞれ第1の
シリンジポンプ51、第2のシリンジポンプ52と称し
て説明を行う。
【0047】この処理液供給システムの配管構成の詳細
を説明する前に、図5の(a)を参照して、第1および
第2のシリンジポンプ51,52の構成を説明する。な
お、これら第1および第2のシリンジポンプ51,52
は全く同一の構成を有するものであるから、第1のシリ
ンジポンプ51の構成のみを説明し、第2のシリンジポ
ンプ52の説明は省略する。
【0048】図5の(a)に示すように、第1のシリン
ジポンプ51は、横置きされたシリンダ53と、このシ
リンダ53内を水平方向に摺動自在に移動するピストン
63とを有する。このピストン63は、シリンダ53内
を左側の処理液室SLと右側の駆動用ガス室GLに区画
されている。そして、このピストン63は、前記駆動用
ガス室GLに例えばNガスが導入されることで左側
(SL方向)方向に駆動され、処理液室SL内の処理液
を加圧するようになっている。
【0049】上記シリンダ53は、両端が開放した金属
製の円筒本体54aと、この円筒本体54aの内周面に
装着された耐処理液性を有する樹脂製のライナー54b
と、前記円筒本体54aの右側開放端を閉塞するカバー
55と、右側開放端を閉塞するヘッド58とを有する。
【0050】上記カバー55には、Nガス供給配管7
5(後述)の接続口56と、リークセンサ57とが設け
られている。また、前記ヘッド58には、処理液の吐出
口60と、処理液の導入口59と、Nガスの気泡除去
のための泡抜き口61とが、下側から上側へとこの順で
設けられている。
【0051】さらに、このヘッド58の内側には、樹脂
製のライナー62が装着されている。このライナー62
の前記導入口59、吐出口60、泡抜き口61に対応す
る部分には連通孔62a〜62cが設けられており、こ
のうち、前記導入口59に対応する連通孔62aには、
図5の(b)、(c)に拡大して示すように、複数のオ
リフィス孔62dが形成されている。このオリフィス孔
62dは、例えば、前記導入口59の直径が数mmの場
合、直径がその1/10程度の細孔であり、数個設けら
れる。このような構成によれば、このオリフィス孔62
dを通過する処理液は、オリフィス効果により圧力が低
下する。このことにより、仮に処理液中にNガスなど
の気体が溶存していた場合であっても、その気体が発砲
し気泡化することになる。したがって、前記泡抜き口6
1を通じてその気泡を排出(泡抜き)することができる
といった効果を得ることができる。
【0052】一方、図5の(a)に示すように、前記ピ
ストン63は、処理液に接する側に設けられた樹脂(例
えばフッ素樹脂:商品名テフロン)製の表面部材64
と、この表面部材64を支持する金属製のピストンベー
ス65とから構成されている。表面部材64の外周面に
は、前記処理液室と駆動用ガス室とを機密かつ液密に仕
切るための樹脂製のシールリング66が嵌挿されてい
る。また、ピストンベース65の外周面には、位置検出
用のマグネット67が嵌合されている。
【0053】このような構成によれば、前記接続口56
を通して駆動ガス室GL内が減圧され、前記ピストン6
3が右方向(GL方向)に駆動されると、前記導入口5
9を通じて処理液が処理液室SL内に導入される。そし
て、前記接続口56を通って駆動ガス室GL内にN
スが導入され、上記ピストン63が左側に駆動される
と、処理液室SL内の処理液が前記吐出口60を通して
このシリンジポンプ51から吐出される。また、この吐
出直後に、前記泡抜き口61を通って処理液中の気泡が
排出されるようになっている。
【0054】また、シリンダ53の外側には、ピストン
63が左端に移動して処理液が完全にエンプティになっ
た状態を検出するためのエンプティセンサ71と、ピス
トン63が右端に移動して処理液が完全に充填されてフ
ルになった状態を検出するためのフルセンサ73とが設
けられている。そして、前記各センサ71、73の内側
には、処理液が完全にエンプティになる直前を検出する
ための直前エンプティセンサ72と、処理液が完全にフ
ルになる直前を検出するための直前フルセンサ74とが
設けられている。
【0055】これらのセンサ71〜74は、ピストンベ
ース65に外嵌されたマグネット67の磁界を検出する
ことにより、ピストン63の位置を検知することができ
るようになっている。
【0056】次に、図4を参照して、これら第1および
第2のシリンジポンプ51,52を使用した処理液供給
機構の配管構成について具体的に説明する。
【0057】まず、シリンジポンプ駆動用のNガスの
供給系統について説明する。前述したように、第1およ
び第2のシリンジポンプ51,52の駆動源としては、
ガスが用いられている。したがって、工場配管から
供給されるNガスを導くNガス供給配管75が第
1、第2のシリンジポンプ51,52の前記接続口56
に接続されている。
【0058】このNガス供給配管75には、工場配管
から供給されたNガスの圧力を調整するためのレギュ
レータ76(圧力調整弁)が設けられており、その下流
側には、第1および第2シリンジポンプ51,52への
ガスの供給を切り換える2つの第1および第2のN
ガス供給用三方弁77,78が設けられている。これ
らの第1および第2の三方弁77,78がレギュレータ
76側に切り換えられることで、レギュレータ76によ
って略一定圧に調整されたNガスが第1および第2の
シリンジポンプ51,52に供給されるようになってい
る。
【0059】また、これらの第1および第2の三方弁7
7,78は、前記第1および第2のシリンジポンプ5
1、52につながる流路を大気圧側(又は負圧側)に切
り換えることができるように構成されている。そして、
流路を大気圧側(又は負圧側)に切り換えることで、圧
力差によって前記シリンジポンプ51、52のピストン
63が右側方向(図5の(a)参照)に移動し、処理液
室SL内への処理液の導入がなされるようになってい
る。
【0060】また、配管75の第1および第2シリンジ
ポンプ51,52から三方弁77,78に至る部分に
は、リークセンサ79が設けられている。
【0061】次に、処理液の供給系統について説明す
る。図中80は、工場配管からの処理液が導入される処
理液配管である。この処理液配管80には、前述のオリ
フィス孔62dを設けない場合には前述のオリフィス工
場配管から圧送された処理液内のNガスの気泡を除去
するための脱気部材81を設けることもできる。そし
て、処理液配管80の下流側には前記第1および第2の
シリンジポンプ51,52が、この処理液配管80に対
して並列に接続されている。
【0062】すなわち、この配管80は下流側で二股に
分岐され、それぞれ、第1および第2の導入側開閉弁8
2,83を介して前記第1および第2のシリンジポンプ
51、52の導入口59に接続されている。また、第1
および第2のシリンジポンプ51、52の吐出口60
は、それぞれ、第1および第2の吐出側開閉弁85、8
6を経た後、一本の下流側配管84に纏められている。
【0063】この下流側配管84には、流量計87と、
パーティクルを除去するためのフィルター88と、流量
調整機能を備えた開閉弁89,89とが設けられ、最終
的に処理ユニット、例えば現像処理ユニット(DEV)
に接続されている。
【0064】さらに、第1および第2シリンジポンプ5
1,52の泡抜き口61,61には、ドレイン配管91
が接続されている。このドレイン配管91には、このド
レイン配管91を開閉する2つの第1および第2の泡抜
き用開閉弁92,93が設けられている。さらに、フィ
ルター88からドレイン配管91への分岐管には、第3
の泡抜き用開閉弁94が設けられている。
【0065】このような構成によれば、これらの開閉弁
82、83、85、86、92、93、94、ならびに
前述した第1および第2の三方弁77、78を所定のタ
イミングで選択的に作動させることで、前記第1、第2
のシリンジポンプ51、52のうちの一方を選択し、か
つ、選択したシリンジポンプ51,52を用いた処理液
の供給を行うことができる。なお、図中参照符号96で
示すのは、各弁を制御する制御装置である。
【0066】次に、この制御装置96による前記開閉弁
の開閉タイミングを図6を参照して説明する。
【0067】この図では、上側の部分に第1のシリンジ
ポンプ51のタイミングチャートが描かれ、下側の部分
に第2のシリンジポンプ52のタイミングチャートが描
かれている。以下、説明の便宜上、両者の制御タイミン
グを分けて説明する。
【0068】まず、タイミングTで、第1の吐出側開
閉弁85が開かれ、第1のシリンジポンプ51による処
理液の吐出が開始される。そして、前記直前エンプティ
センサ72で処理液室SL内が空になったことが検知さ
れたならば、上記第1の吐出側開閉弁85が閉じられ、
処理液の吐出が停止される(タイミングT)。吐出に
要する時間は、ポンプの容量や処理液の使用量に左右さ
れる。
【0069】また、処理液の供給停止(タイミング
)と同時に、第1の三方弁77が大気圧もまたは負
圧側に切換えられるとともに、導入側開閉弁82が開か
れる。これにより、図5の(a)に示すピストン63が
処理液の圧力に押されて右側に移動し、シリンダ53の
処理液室SL内に処理液が補給される。
【0070】なお、この時、処理液は上記導入口59か
ら、前記オリフィス孔62dを通じてシリンダ53内に
導入される。これにより、処理液の圧力が一時的に低下
するから、処理液中に溶存する例えばN等のガス成分
が気泡化する。
【0071】次いで、前記直前フルセンサ74によって
処理液が処理液室(SL)内に充填されたことが検出さ
れたならば、導入側開閉弁82が閉じられ、処理液の補
給が終了する(タイミングT)。また、処理液の補給
が終了したならば、略同じタイミングTで第1の泡抜
き用開閉弁92が開かれる。これにより、ヘッド58に
設けられた泡抜き口61から、処理液中で気泡化したN
ガスが排出される。この泡抜き口61はシリンダ53
の上端側に設けられているから、泡抜きを効果的に行う
ことができる。
【0072】また、泡抜きが開始されるのと同じタイミ
ング(T)で、第1の三方弁77がレギュレータ76
側に切り換えられる。これにより、シリンダ53の駆動
ガス室GL内にNガスが導入され、このNガスの圧
力で前記ピストン63が左側に付勢され、前記処理液室
SL内の処理液の加圧が開始され、かつ処理液中の気泡
が泡抜き口61側から有効に排出される。この泡抜きが
終了したならば、第1の泡抜き用開閉弁が閉じられる
(タイミングT)。
【0073】この第1のシリンジポンプ51は、以上の
〜Tの動作を繰り返すことで処理液の吐出および
補給を繰り返す。
【0074】一方、第2のシリンジポンプ52は、図6
に示すように、この第1のシリンジポンプ51と同様の
動作(処理液の吐出)を、第1のシリンジポンプ51の
処理液吐出終了タイミングTにあわせて開始する(タ
イミングT’)。さらに、第1のシリンジポンプ51
は、処理液の補給(T〜T)を第2のシリンジポン
プ52による処理液供給中(T’〜T’)に行い、
第2のシリンジポンプ52による処理液吐出終了タイミ
ングT’にあわせて再び処理液の吐出を開始する。
【0075】このような構成によれば、第1および第2
のシリンジポンプを交互に使用することで処理液の供給
が切れ目なく行われることができる。
【0076】なお、前記タイミングTおよびTにお
ける前記Nガス供給用三方弁77、泡抜き用開閉弁9
2及び導入側開閉弁82の制御は、図7に示すタイミン
グで行うこともできる。
【0077】すなわち、まず、タイミングTにおい
て、Nガス供給用三方弁77が大気圧側に切換えられ
る。このことで、Nガス室GL内の圧力が低下する。
そして、圧力が十分に低下して安定したところで、前記
導入側開閉弁82を開く。これにより、処理液室SL内
に処理液の導入が開始される。直前フルセンサ74によ
って処理液の充填が検出されると、タイミングTでこ
の導入側開閉弁82は閉じられる。そして、この状態
で、シリンダ53内の処理液が安定するまで放置され
る。この後、三方弁77が加圧側に切り換えられ、前記
ガス室GL内に駆動用のNガスが導入され、処理液室
SL内に補充された処理液の加圧が開始される。そし
て、ガス室GL内の圧力が安定したところで、泡抜き用
開閉弁92が開かれ泡抜きが行われる。この泡抜き時間
は、数秒間だけ泡抜き用開閉弁92を開くことで実行さ
れる。このように制御することにより、吐出される処理
液を、脈動を生じさせることなくさらに良好かつ安定的
に供給できる。
【0078】以上説明した構成によれば、以下の効果を
得ることができる。まず、本実施形態では、シリンジポ
ンプ51,52を用いて処理液を圧送しているため、N
ガスが処理液に直接触れることがない。このため、こ
の処理液にNガスが混入することを防止できる。ま
た、処理液を繰り返し加圧して送り出すのではなく、常
に一定の圧力で一方向に加圧して吐出するようにしてい
るから、吐出される処理液に脈動が生じることがない。
【0079】また、工場配管から導入された処理液にN
ガスが混入していた場合でも、処理液配管80に設け
る脱気部材81、若しくは導入口59に連通するオリフ
ィス孔62dおよび泡抜き口61の作用によって良好な
脱気が行えることになる。
【0080】さらに、上記構成によれば、2つのシリン
ジポンプ51,52を切り換えて、処理液を交互に加圧
して各処理ユニットに圧送しているので、処理液を切れ
目なく連続的に吐出することができ、しかも常時略一定
圧力で加圧して圧送することができる。
【0081】さらにまた、この実施形態のように、第1
および第2シリンジポンプ51,52を、ピストン6
3,63か略水平に移動するように配置する場合には、
いわゆる縦置きの場合のように処理液の水頭の影響を受
けることがなく、精密な圧力制御を行うことができる。
【0082】さらにまた、ピストン位置センサ71〜7
4により、ピストン63、63の位置を正確検出してい
るため、この検出信号に基づいて、開閉弁82,83、
85,86を正確に制御することができる。
【0083】なお、この実施形態では、シリンジポンプ
51,52の接続口56を工場配管からのNガス(レ
ギュレータ76)と大気圧とに選択的に接続できるよう
に構成しているが、処理液の供給圧が低い場合には、大
気圧でなく負圧に接続することにより、強制的な給液が
可能となる。図8は、負圧に接続できる構成を示すもの
である。ただし、図8は、第1および第2のシリンジポ
ンプ51、52を含むNガス供給系統のみを示したも
のである。また、図4に示す配管構成と同一の構成要素
には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【0084】この配管においては、前記第1、第2の三
方弁77、78の代りにそれぞれ2つの開閉弁77a、
77b、78a、78bを用いている。すなわち、シリ
ンジポンプの接続口56に接続された配管の上流側は、
2股に分岐され、一方は、N ガス供給用開閉弁77
a、78aを介してNガス供給配管75に接続されて
いる。そして、他方の配管は、減圧用開閉弁77b、7
8bを介して負圧発生用のエジェクタ97に接続されて
いる。
【0085】ここでエジェクタ97は、空気圧により作
動し、負圧を発生させるものであり、駆動用の空気配管
101に接続されている。この空気配管101の上流側
には、駆動用空気圧を制御するレギュレータ98が配置
され、このレギュレータ98とエジェクタ97との間に
はエジェクタ用開閉弁99が設けられている。
【0086】したがって、前記エジェクタ用開閉弁99
および前記減圧用開閉弁77b(78b)が開かれるこ
とで、前記第1、第2のシリンジポンプ51、52のガ
ス室GLがエジェクタ97によって負圧に引かれること
になる。
【0087】なお、この図において、符号102で示す
のは液漏れを検出するためのリークセンサであり、前述
のリークセンサ79か、どちらか一方を設置する。ま
た、103で示すのは負圧度を監視するためのバキュー
ムゲージである。
【0088】このような構成によれば、供給液の補給を
高速で行えるとともに、給液時に液圧を大気圧以下に下
げることができるから脱気を効果的に行うことができ
る。
【0089】(第2の実施形態)次に、この発明の第2
の実施形態について説明する。この実施形態は、前記第
1および第2のシリンジポンプの代わりに第1および第
2のベローズポンプ51’、52’を使用するものであ
る。ベローズポンプの構成を図9に示す。なお、第1お
よび第2のベローズポンプ51’,52’は全く同一の
構成を有するものであるから、図9では第1のベローズ
ポンプ51’の構成のみを示す。また、図9において、
前記第1の実施形態のシリンジポンプ51、52と同様
の構成要素には同一符号を付してその詳しい説明は省略
する。
【0090】まず、このベローズポンプ51’は、前記
シリンジポンプ51と同様に構成されたシリンダ53、
カバー55、およびヘッド58を有する。ただし、シリ
ンダ53内には、樹脂製のベローズ100が伸縮自在に
設けられ、このベローズ100の基部105が金属また
は樹脂製のピストンベース65に取り付けられている。
これにより、ベローズ100内に処理液を充填すること
ができ、ピストンベース65がNガスによって略一定
圧力により上方向に押圧されると、ベローズ100内の
処理液が略一定圧力で加圧して吐出されるようになって
いる。
【0091】このベローズポンプ51’は、第1の実施
形態と異なり、ピストン63の動作方向を略垂直にし、
かつ前記ヘッド58を上側にした縦置き状態で用いられ
る。これは、横置きで使用すると、ベローズ100の
「ひだ」部分に発泡した気泡が溜まり除去しにくくなる
可能性があるからである。また、縦型で使用することに
より、気泡の収集が容易になり泡抜き口61からの泡抜
きが容易になる効果もある。
【0092】また、吐出口60には、ベローズ100内
を下方向に所定の寸法で伸びるポンプ内吐出管106が
接続されている。このことによりヘッド58の下面と処
理液の吐出部分(ポンプ内吐出管106の下端)に上下
方向のオフセットを設けることができるから、導入口6
2aのオリフィス孔62dで発生した気泡が、前記吐出
口60を通って吐出されてしまうことを有効に防止でき
る。
【0093】このようなベローズポンプ51’の場合に
は、ピストン63のような摺動部分がないため、塵埃等
の発生の虞れがないといった利点がある。さらに、ベロ
ーズ式の場合には、駆動用のNガスが処理液室SL内
にリークするおそれがない。このため、ポンプにリーク
センサを設ける必要がない。もちろん、ベローズポンプ
においてもベローズ破損時に接続口56から流れ出た処
理液を検出できるよう、その近くの配管に処理液検出セ
ンサを設けることが望ましい。
【0094】図10は、2つのベローズポンプ51’、
52’を用いた配管構成の例である。この図では、前記
第1の実施形態(図4)と同様の構成には同一符号を付
している。また、供給液の補給を行う手段としては、図
8に示した負圧を用いた構成を採用している。図に示さ
れた配管構成は、全てすでに説明した構成であるので、
再度の説明は省略する。
【0095】また、図11は、この実施形態のシステム
の動作を示すタイミングチャートである。このタイミン
グチャートは、基本的には、第1の実施形態のもの(図
6および図7)と同じであるが、図6のタイミングチャ
ートに、Nガス供給用開閉弁77a、78a、減圧用
開閉弁77b、78b及びエジェクタ用開閉弁99の駆
動タイミングを追加した点が異なる。
【0096】なお、Nガス供給用開閉弁77a(78
a)、減圧用開閉弁77b(78b)は、排他制御さ
れ、前記図6に示す三方弁77と同じタイミングで作動
する。また、エジェクタ用開閉弁99の駆動タイミング
は、減圧用開閉弁77b、78bの「開」タイミングに
一致する。
【0097】(第3の実施形態)次に、この発明の第3
の実施形態について説明する。この実施形態は、前記第
1、第2のシリンジポンプ51、52の代わりに図12
示すダイアフラムポンプ51''、52''を使用するもの
である。このダイヤフラムポンプ51''、52''は第1
の実施形態と同様に、横置きで使用される。なお、ダイ
アフラムポンプ51''および52''は全く同一の構成を
有するから、図12ではダイアフラムポンプ51''のみ
を示す。
【0098】このダイアフラムポンプ51''は、ダイヤ
フラム面を垂直方向にして配置されたダイヤフラム11
3と、このダイヤフラムの周縁部を挟んで保持する左側
および右側のケーシング111a、111bを有する。
このケーシング111a、111bの内部は、このダイ
ヤフラム113によって紙面右側の処理液室SLと、左
側のNガス室GLとに仕切られている。
【0099】右側ケーシング111bには、処理液を吐
出する吐出口115と、処理液を処理液室内に導入する
導入口114と、Nガスの気泡除去を行うための泡抜
き口116とが、下からこの順で設けられている。ま
た、左側ケーシング111aには、ダイアフラム113
に圧力を付与する圧力流体としてのガスを導入するガス
導入口117が設けられている。
【0100】次に、このダイヤフラムポンプ51''、5
2''におけるエンプティおよびフルセンサの設置例につ
いて説明する。
【0101】まず、ダイアフラム113には、その中央
部分にシャフト118が固定されており、このシャフト
118は、左側ケーシング111aを貫通すると共に水
平方向に摺動自在に保持されている。したがって、この
シャフト118は、前記ダイヤフラム113の動作にし
たがって、その変位量に応じた量だけ水平方向に移動す
ることになる。
【0102】また、シャフト118の突端部には、この
シャフト118に沿って所定距離離間して設けられたフ
ルセンサ119およびエンプティセンサ120が配置さ
れている。これらのセンサ119、120は、何れも透
過型センサであり、センサ119を例にとると、図13
に示すように、発光素子119aと受光素子119bを
有している。
【0103】そして、前記シャフト118にはフラグ1
18aが取付けられており、このフラグ118aがエン
プティセンサ119に対向することによって処理液のエ
ンプティが検出され、フルセンサ120に対向すること
によってフル状態が検出される。
【0104】また、このような透過型センサの代わり
に、図14に示すような磁気センサ一により液量を検出
するようにしてもよい。この磁気センサは、ダイアフラ
ム113の中央部分に取り付けられたマグネットまたは
磁性体121と、左側ケーシング111a内に設けられ
前記磁性体121と対向する第1の磁気近接スイッチ1
22と、右側ケーシング111b内に前記第1の磁気近
接スイッチ122と同じ高さで設けられた第2の磁気近
接スイッチ123とを有している。
【0105】このような構成によれば、磁性体121を
第2の磁気近接スイッチ123で検出したことに基づい
て処理液室SLのエンプティを検知でき、第2の磁気近
接スイッチ122で検出したことに基づいてフルを検知
できる。
【0106】このようなダイアフラムポンプの場合に
も、ピストンのような摺動部分がないため、塵埃等の発
生の虞れがないといった利点がある。
【0107】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ることなく、発明の要旨を変更しない範囲で種々変形が
可能である。例えば、供給する処理液は、現像液に限定
されるものではなく、シンナーその他のものであっても
よい。
【0108】また、上記処理装置においては、被処理基
板として半導体ウエハWを処理しているが、これに限ら
ず、例えばLCD用ガラス基板であってもよい。また、
加圧手段も上記実施の形態のものに限らない。
【0109】さらに、上記第1の実施形態のタイミング
チャート(図6)においては、泡抜き用開閉弁92の開
閉を処理液補給(タイミングT)後に行ったが、図1
5のタイミングチャートに示されるように、処理液の吐
出直後(タイミングT)に行うようにしても良い。こ
のような構成によれば、処理液吐出後に残った気泡を、
残留する処理液と一緒に前記泡抜き口61から排出する
ことができる。
【0110】
【発明の効果】以上説明したように本発明に係る処理液
供給システムによれば、処理液を中間貯留機構の容器に
一旦貯留し、流体の圧力を加圧体を介して処理液に作用
させて処理液を吐出させるので、従来のポンプによる圧
送のように脈動が生じることなく、また、処理液が圧力
媒体であるNガス等の圧送ガスに直接接触することが
ないので処理液へのガスの混入が生じず、プロセスに悪
影響を与えずに処理液を供給することができる。
【0111】また、中間貯溜機構を2以上有し、これら
の中間貯溜機構を選択的に切換えて処理液の吐出を連続
的に行わせる切換弁を有することにより、処理液を常に
一定の圧力で安定して吐出することができ、かつ、処理
液を切れ目なく連続的に吐出することができる。
【0112】さらに、中間貯留機構の容器に、処理液中
の気泡をこの容器外へ排出するための泡抜き口を設ける
ことにより、またさらに、処理液の導入口に、導入され
る処理液の圧力を低下させることでこの処理液に溶存す
る気体を発泡させ気泡を生成する流路を設けることによ
り、処理液中にNガス等の圧送ガスが混入している場
合でも、これを有効に脱気することができる。
【0113】さらにまた、このような処理液供給システ
ムに用いられる中間貯留機構、およびこのような処理液
供給システムを用いる処理装置、さらには上記効果を有
する処理液供給方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態である半導体ウエハの塗
布現像処理システムの全体構成の平面図。
【図2】図1に示す塗布現像処理システムの正面図。
【図3】図1に示す塗布現像処理システムの背面図。
【図4】本発明の一実施形態に係る処理液供給システム
の配管構成図。
【図5】図4に示した処理液供給システムに用いるシリ
ンジポンプを示す縦断面図、シリンジポンプの処理液導
入口部分を拡大して示す縦断面図。
【図6】処理液供給システムの処理液供給動作を示すタ
イミングチャート。
【図7】図6の一部をさらに詳しく説明するためのタイ
ミングチャート。
【図8】配管構成の他の例を示す図。
【図9】この発明の第2の実施形態で用いるベローズポ
ンプを示す縦断面図。
【図10】第2の実施形態における配管構成図。
【図11】同実施形態における動作を示すタイミングチ
ャート。
【図12】この発明の第3の実施形態で用いるダイヤフ
ラムポンプを示す縦断面図。
【図13】図12のダイアフラムポンプの液量検出に用
いられる透過型センサを示す模式図。
【図14】液量検出センサとして磁気センサを用いたダ
イアフラムホンプの例を示す断面図。
【図15】脱気タイミングに関する別の例を示すタイミ
ングチャート。
【符号の説明】
1…塗布現像処理システム 51,52…シリンジポンプ(中間貯留機構) 51’,52’…ベローズポンプ(中間貯留機構) 51'',52''…ダイアフラムポンプ(中間貯留機構) 53…シリンダ 61…泡抜き口 63…ピストン 71〜72…センサ 75…ガス供給配管 76…レギュレータ 77,78…ガス供給用三方弁 79…リークセンサ 80…処理液配管 96…制御装置 100…ベローズ 113…ダイアフラム DEV…現像ユニット W…半導体ウエハ

Claims (30)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 処理液を供給する処理液供給システムで
    あって、 処理液を供給する処理液供給源と、 処理液供給源から供給された処理液を一旦貯留し、所定
    の圧力で再び吐出する中間貯溜機構と、 この中間貯溜機構に貯留された処理液に圧力を作用させ
    るための流体を、前記中間貯溜機構に供給するための流
    体供給機構とを具備し、 前記中間貯留機構は、 処理液の導入口と吐出口とを有し、導入口を通って導入
    された処理液を貯溜し、かつこれを吐出することが可能
    な容器と、 この容器内に設けられ、前記流体供給機構から供給され
    た流体と処理液との間に介在し、この流体の圧力を処理
    液に作用させる加圧体とを有することを特徴とする処理
    液供給システム。
  2. 【請求項2】 2以上の中間貯溜機構を具備し、 これら中間貯溜機構を選択的に切換えて処理液の吐出を
    連続的に行わせる切換弁をさらに具備することを特徴と
    する請求項2に記載の処理液供給システム。
  3. 【請求項3】 前記切換弁は、 任意の中間貯溜機構へ処理液を導入させる導入側切換弁
    と、 任意の中間貯溜機構から処理液を吐出させる吐出側切換
    弁とを有することを特徴とする請求項2に記載の処理液
    供給システム。
  4. 【請求項4】 前記導入側切換弁と吐出側切換弁を制御
    し、1の中間貯溜機構からの処理液の吐出を行っている
    最中に、他の中間貯溜機構への処理液の補給を行う切換
    弁制御装置をさらに具備することを特徴とする請求項3
    に記載の処理液供給システム。
  5. 【請求項5】 前記中間貯溜機構の容器には、処理液中
    の気体を脱気するための脱気機構が設けられていること
    を特徴とする請求項2ないし請求項4のいずれか1項に
    記載の処理液供給システム。
  6. 【請求項6】 前記脱気機構は、前記容器に設けられ、
    前記処理液中の気泡をこの容器外へ排出するための泡抜
    き口を有することを特徴とする請求項5に記載の処理液
    供給システム。
  7. 【請求項7】 前記泡抜き口は、容器の上端部分に設け
    られており、容器の上端部分に溜まった気泡を除去する
    ことを特徴とする請求項6に記載の処理液供給システ
    ム。
  8. 【請求項8】 前記脱気機構は、前記処理液の導入口に
    設けられ、導入される処理液の圧力を低下させることで
    この処理液に溶存する気体を発泡させ、気泡を生成する
    流路を有することを特徴とする請求項7に記載の処理液
    供給システム。
  9. 【請求項9】 前記流体の圧力を略一定に調整する圧力
    調整弁をさらに具備することを特徴とする請求項1ない
    し請求項8のいずれか1項に記載の処理液供給システ
    ム。
  10. 【請求項10】 前記流体供給機構は、Nガスを前記
    加圧体に作用させて加圧体を移動させ、吐出を行わせる
    ガス供給機構を有することを特徴とする請求項1な
    いし請求項9のいずれか1項に記載の処理液供給システ
    ム。
  11. 【請求項11】 前記流体供給機構は、前記容器内から
    流体を除去することで加圧体を移動させ、処理液の補充
    を行わせる減圧機構を有することを特徴とする請求項1
    ないし請求項10のいずれか1項に記載の処理液供給シ
    ステム。
  12. 【請求項12】 前記中間貯溜機構は、容器としてのシ
    リンダと加圧体としてのピストンとを有するシリンジポ
    ンプであることを特徴とする請求項1ないし請求項11
    のいずれか1項に記載の処理液供給システム。
  13. 【請求項13】 前記中間貯溜機構は、容器内に設けら
    れ処理液を保持する伸縮自在のベローズを有するベロー
    ズポンプであることを特徴とする請求項1ないし請求項
    11のいずれか1項に記載の処理液供給システム。
  14. 【請求項14】 前記中間貯溜機構は、加圧体としての
    ダイヤフラムを有するダイヤフラムポンプであることを
    特徴とする請求項1ないし請求項11のいずれか1項に
    記載の処理液供給システム。
  15. 【請求項15】 処理液供給源から供給された処理液を
    一旦貯留し、所定の圧力で再び吐出する処理液の中間貯
    溜機構であって、 処理液の導入口と吐出口とを有し、導入口を通って導入
    された処理液を貯溜し、かつこれを吐出することが可能
    な容器と、 この容器内に設けられ、前記流体供給機構から供給され
    た流体と処理液との間に介在し、この流体の圧力を処理
    液に作用させる加圧体と、 前記容器に設けられ、処理液中の気泡を容器外へ排出す
    るための泡抜き流路とを具備することを特徴とする中間
    貯溜機構。
  16. 【請求項16】 前記容器の導入口には、この導入口を
    通って導入される処理液の圧力を低下させることで脱気
    を行わせる圧力低下機構が設けられていることを特徴と
    する請求項15に記載の中間貯溜機構。
  17. 【請求項17】 前記圧力低下機構はオリフィス効果に
    よって処理液の圧力を低下させる細孔を有する部材を有
    することを特徴とする請求項16に記載の中間貯溜機
    構。
  18. 【請求項18】 容器としてのシリンダと加圧体として
    のピストンとを有するシリンジポンプで構成されている
    ことを特徴とする請求項15ないし請求項17のいずれ
    か1項に記載の中間貯溜機構。
  19. 【請求項19】 容器内に設けられ処理液を保持する伸
    縮自在のベローズを有するベローズポンプで構成されて
    いることを特徴とする請求項15ないし請求項17のい
    ずれか1項に記載の中間貯溜機構。
  20. 【請求項20】 加圧体としてのダイヤフラムを有する
    ダイヤフラムポンプで構成されていることを特徴とする
    請求項15ないし請求項17のいずれか1項に記載の中
    間貯溜機構。
  21. 【請求項21】 処理液を供給する処理液供給源と、 処理液供給源から供給された処理液を一旦貯留し、所定
    の圧力で再び吐出する中間貯溜機構と、 この中間貯溜機構を作動させるための流体を、前記中間
    貯溜機構に供給するか、または前記中間貯留機構から除
    去するための流体供給機構と、 前記中間貯溜機構から吐出された処理液を用いて被処理
    体に所定の処理を施す処理部とを具備し、 前記中間貯溜機構は、 処理液の導入口と吐出口とを有し、導入口を通って導入
    された処理液を貯溜し、かつこれを吐出することが可能
    な容器と、 この容器内に設けられ、前記流体供給機構から供給され
    た流体と処理液との間に介在し、この流体の圧力を処理
    液に作用させる加圧体とを有することを特徴とする処理
    装置。
  22. 【請求項22】 2以上の中間貯溜機構を具備し、 さらにこの中間貯溜機構を選択的に切換えて処理液の吐
    出を連続的に行わせる切換弁を具備することを特徴とす
    る請求項21に記載の処理装置。
  23. 【請求項23】 前記切換弁は、 任意の中間貯溜機構へ処理液を導入させる導入側切換弁
    と、 任意の中間貯溜機構から処理液を吐出させる吐出側切換
    弁とを有することを特徴とする請求項22に記載の処理
    装置。
  24. 【請求項24】 前記導入側切換弁と吐出側切換弁を制
    御し、1の中間貯溜機構からの処理液の吐出を行ってい
    る最中に、他の中間貯溜機構への処理液の補給を行う切
    換弁制御装置を有することを特徴とする請求項23に記
    載の処理装置。
  25. 【請求項25】 前記中間貯溜機構の容器には、処理液
    中の気体を脱気するための脱気機構が設けられているこ
    とを特徴とする請求項22ないし請求項24のいずれか
    1項に記載の処理装置。
  26. 【請求項26】 前記脱気機構は、前記容器に設けら
    れ、前記処理液中の気泡をこの容器外へ排出するための
    泡抜き口を有することを特徴とする請求項25に記載の
    処理装置。
  27. 【請求項27】 前記脱気機構は、前記処理液の導入口
    に設けられ、導入される処理液の圧力を低下させること
    でこの処理液に溶存する気体を発泡させ、気泡を生成す
    る流路を有することを特徴とする請求項26に記載の処
    理装置。
  28. 【請求項28】 処理液供給源から供給された処理液を
    複数の中間貯留機構に一旦貯留してから吐出する処理液
    供給方法であって、 1の中間貯留機構に貯留された処理液を吐出する工程
    と、 この1の中間貯留機構から処理液が吐出されている間
    に、他の1の中間貯留機構に処理液供給源から処理液を
    補給する工程と、 1の中間貯留機構からの処理液の吐出が終了したことに
    基づいて、他の1の中間貯留機構からの処理液の吐出を
    開始する工程とを具備することを特徴とする処理液供給
    方法。
  29. 【請求項29】 前記中間貯溜機構は、 処理液の導入口と吐出口とを有し、導入口を通って導入
    された処理液を貯溜し、かつこれを吐出することが可能
    な容器と、 この容器内に設けられ、前記流体供給機構から供給され
    た流体と処理液との間に介在し、この流体の圧力を処理
    液に作用させる加圧体とを有することを特徴とする処理
    液供給方法。
  30. 【請求項30】 さらに、中間貯留機構への処理液の補
    給後に処理液中の気泡を排気する泡抜き工程を有するこ
    とを特徴とする請求項28または請求項29に記載の処
    理液供給方法。
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