CN107808833B - 处理液供给装置 - Google Patents

处理液供给装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107808833B
CN107808833B CN201710805006.XA CN201710805006A CN107808833B CN 107808833 B CN107808833 B CN 107808833B CN 201710805006 A CN201710805006 A CN 201710805006A CN 107808833 B CN107808833 B CN 107808833B
Authority
CN
China
Prior art keywords
treatment liquid
liquid supply
pressure
filter
pump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710805006.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN107808833A (zh
Inventor
佐佐卓志
石丸大辅
桥本克也
志手英男
若水信也
木村一彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017057117A external-priority patent/JP6942497B2/ja
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of CN107808833A publication Critical patent/CN107808833A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN107808833B publication Critical patent/CN107808833B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B43/00Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
    • F04B43/02Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having plate-like flexible members, e.g. diaphragms
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D29/00Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor
    • B01D29/60Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor integrally combined with devices for controlling the filtration
    • B01D29/606Filters with filtering elements stationary during filtration, e.g. pressure or suction filters, not covered by groups B01D24/00 - B01D27/00; Filtering elements therefor integrally combined with devices for controlling the filtration by pressure measuring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D35/00Filtering devices having features not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00, or for applications not specifically covered by groups B01D24/00 - B01D33/00; Auxiliary devices for filtration; Filter housing constructions
    • B01D35/02Filters adapted for location in special places, e.g. pipe-lines, pumps, stop-cocks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D37/00Processes of filtration
    • B01D37/04Controlling the filtration
    • B01D37/046Controlling the filtration by pressure measuring
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B43/00Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members
    • F04B43/08Machines, pumps, or pumping installations having flexible working members having tubular flexible members
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/10Valves; Arrangement of valves
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F04POSITIVE - DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS FOR LIQUIDS OR ELASTIC FLUIDS
    • F04BPOSITIVE-DISPLACEMENT MACHINES FOR LIQUIDS; PUMPS
    • F04B53/00Component parts, details or accessories not provided for in, or of interest apart from, groups F04B1/00 - F04B23/00 or F04B39/00 - F04B47/00
    • F04B53/20Filtering
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/3021Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2201/00Details relating to filtering apparatus
    • B01D2201/20Pressure-related systems for filters
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01DSEPARATION
    • B01D2201/00Details relating to filtering apparatus
    • B01D2201/20Pressure-related systems for filters
    • B01D2201/202Systems for applying pressure to filters

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够与装置内的各部分的位置关系、配管、设置条件等无关地利用过滤器适当地去除处理液内的微粒的处理液供给装置。抗蚀剂液供给装置对涂布喷嘴供给抗蚀剂液,所述抗蚀剂液供给装置具备:缓冲罐,其暂时贮存从用于贮存抗蚀剂液的抗蚀剂液供给源供给的处理液;过滤器,其设置于涂布喷嘴与缓冲罐之间,用于将抗蚀剂液中的异物去除;以及泵,其将被过滤器去除异物后的抗蚀剂液向涂布喷嘴送出,其中,缓冲罐具有对贮存于该缓冲罐中的抗蚀剂液进行加压搬送的加压搬送功能。

Description

处理液供给装置
技术领域
本发明涉及一种经由处理液喷出部向被处理体供给抗蚀剂液等处理液的处理液供给装置。
背景技术
在半导体器件等的制造工艺中的光刻工序中,为了在半导体晶圆等被处理体上形成防反射膜、抗蚀剂膜等涂布膜或者使曝光后的抗蚀剂膜显影,使用了抗蚀剂液、显影液等处理液。
该处理液中有时含有异物(微粒)。另外,即使在原始的处理液中不存在微粒,在供给处理液的装置的泵、阀、配管之类的路径中附着有微粒的情况下、所供给的处理液中有时也会混入微粒。因此,在供给处理液的装置的路径中配置过滤器,利用该过滤器来进行微粒的去除(专利文献1)。
此外,在专利文献1的处理液供给装置中,为了在更换用于贮存处理液的抗蚀剂液供给源时不使装置停止工作,在上述抗蚀剂液供给源与过滤器之间设置有用于暂时贮存处理液的缓冲罐。
专利文献1:日本特开2013-211525号公报
发明内容
发明要解决的问题
通过如专利文献1的处理液供给装置那样使用过滤器,能够捕集/去除处理液中的微粒,但是过滤器对微粒的捕集效率根据处理液经过过滤器时的液压而发生变化。
但是,有时处理液经过过滤器时的液压由于上述缓冲罐与过滤器的位置关系、两者之间的配管等而不成为期望的液压。另外,例如在将处理液供给装置设置于高地的情况下,也有时无法获得期望的液压来作为处理液经过过滤器时的液压。
本发明是鉴于上述的问题点而完成的,其目的在于提供一种能够与装置内的各部分的位置关系、配管、设置条件等无关地利用过滤器适当地去除处理液内的微粒的处理液供给装置。
用于解决问题的方案
为了实现上述的目的,本发明的处理液供给装置对用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部供给处理液,所述处理液供给装置的特征在于,具备:暂时贮存装置,其暂时贮存从用于贮存处理液的处理液供给源供给的处理液;过滤器,其将来自所述暂时贮存装置的处理液中的异物去除;以及泵,其将被该过滤器去除异物后的处理液向所述处理液喷出部送出,其中,所述暂时贮存装置具有对贮存于该暂时贮存装置中的处理液进行加压搬送的加压搬送功能。
优选的是,还具备:压力测定装置,其设置于比所述暂时贮存装置靠下游侧的位置,测定处理液的液压;以及控制装置,其基于所述压力测定装置中的测定结果,来至少对来自所述暂时贮存装置的处理液的加压搬送进行控制。
优选的是,所述压力测定装置测定所述过滤器的次级侧的液压,所述控制装置控制所述加压搬送时的液压,以使所述过滤器的次级侧的液压固定。
也可以是,所述压力测定装置测定所述过滤器的次级侧的液压,在所述过滤器的次级侧的液压处于规定范围内的情况下,所述控制装置向所述暂时贮存装置施加规定的压力来对处理液进行加压搬送。
也可以是,所述压力测定装置测定所述过滤器的初级侧的液压,所述控制装置控制所述加压搬送时的液压,以使所述过滤器的初级侧的液压固定。
优选的是,具备多个包括所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵的组,所述控制装置具有电空调节器,该电空调节器是针对所述暂时贮存装置分别设置的,用于对该暂时贮存装置的贮存处理液的贮存室内的液压进行调整。
所述暂时贮存装置能够由隔膜泵构成。
也可以是,具备多个包括所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵的组,所述暂时贮存装置分别独立地具有用于贮存处理液的贮存装置和用于对该贮存装置内的处理液进行加压搬送的另外的泵,针对所述暂时贮存装置的所述另外的泵设置有对该另外的泵的用于贮存处理液的贮存室内的液压进行调整的共用的电空调节器,利用所述电空调节器对从所述暂时贮存装置加压搬送处理液时的液压进行控制。
所述另外的泵能够由隔膜泵构成。
优选的是,所述泵在将被所述过滤器去除异物后的处理液向所述处理液喷出部送出时,以使该处理液再次通过所述过滤器内的方式送出该处理液。
优选的是,还具备处理液供给管,在该处理液供给管上从上游侧起依次设置有所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵,所述泵具有贮存处理液的贮存室,在所述处理液供给管,在所述暂时贮存装置与所述过滤器之间具有一个阀,在所述暂时贮存装置与所述过滤器之间具有另一个阀,所述控制装置在从所述暂时贮存装置向所述泵的贮存室补充被所述过滤器去除异物后的处理液时,在打开了所述一个阀并关闭了所述另一个阀的状态下,控制来自所述暂时贮存装置的处理液的压力,以使由所述压力测定装置测定出的所述过滤器的次级侧的压力成为规定的值,之后,在关闭了所述一个阀并打开了所述另一个阀的状态下,控制所述贮存室内的压力,以使由所述压力测定装置测定出的所述过滤器的次级侧的压力成为所述规定的值,之后在打开了所述一个阀和所述另一个阀的状态下开始进行所述补充。
发明的效果
根据本发明的处理液供给装置,能够与装置内的各部分的位置关系、配管、设置条件等无关地利用过滤器适当地去除处理液内的微粒。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要的俯视图。
图2是表示本发明的实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要的主视图。
图3是表示本发明的实施方式所涉及的基板处理系统的结构的概要的后视图。
图4是表示抗蚀剂涂布装置的结构的概要的纵剖视图。
图5是表示抗蚀剂涂布装置的结构的概要的横剖视图。
图6是表示第一实施方式所涉及的抗蚀剂涂布装置的结构的概要的说明图。
图7A和图7B是说明缓冲罐的示意外观图。
图8A、图8B以及图8C是缓冲罐的构造的说明图。
图9表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对缓冲罐实施补充工序后的状态的说明图。
图10表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对泵实施补充工序后的状态的说明图。
图11表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是涂布工序的说明图。
图12表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是使抗蚀剂液向缓冲罐返回的工序的说明图。
图13是说明从缓冲罐进行加压搬送时的控制的另一个例子的图。
图14是表示本发明的第二实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图15是表示比较方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的图。
图16是表示本发明的第三实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图17是表示本发明的第四实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图18表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对于泵的补充工序或者排出工序的说明图。
图19表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对于泵的补充工序的说明图。
图20表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对于泵的补充工序的说明图。
图21表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是对于泵的其它补充工序的说明图。
图22表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是实施涂布工序后的状态的说明图。
图23表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是实施另外的涂布工序后的状态的说明图。
图24表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是排出工序的说明图。
图25表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是排出工序的说明图。
图26表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是排出工序的说明图。
图27表示用于说明抗蚀剂液供给装置的结构的概要的配管系统,是另外的排出工序的说明图。
图28A、图28B、图28C以及图28D是表示在实施例及比较例的抗蚀剂膜中观测到的微粒的量的图。
附图标记说明
142:涂布喷嘴;200、300、400、500:抗蚀剂液供给装置;201:抗蚀剂液供给源;202:缓冲罐;202a:隔膜;202b:贮存室;207:电空调节器;210:压力传感器;211:泵;212:过滤器;216:电空调节器;219:压力传感器;223:压力传感器。
具体实施方式
(第一实施方式)
以下,对本发明的实施方式进行说明。图1是表示搭载有作为本发明的第一实施方式所涉及的处理液供给装置的抗蚀剂液供给装置的基板处理系统1的结构的概要的说明图。图2和图3分别是示意性地表示基板处理系统1的内部结构的概要的主视图和后视图。此外,在本说明书以及附图中,对实质上具有相同的功能结构的要素标注相同的附图标记,由此省略重复说明。
如图1所示,基板处理系统1具有将收纳盒载置站10、处理站11以及转交站13连接成一体而得到的结构,其中,收纳盒载置站10用于搬入搬出收纳有多个晶圆W的收纳盒C,处理站11具备对晶圆W实施规定的处理的多个各种处理装置,转交站13与处理站11相邻且与曝光装置12之间进行晶圆W的交接。
在收纳盒载置站10设置有收纳盒载置台20。在收纳盒载置台20上设置有多个收纳盒载置板21,多个收纳盒载置板21用于在将收纳盒C相对于基板处理系统1的外部搬入搬出时载置收纳盒C。
如图1所示,在收纳盒载置站10设置有在沿X方向延伸的搬送路22上移动自如的晶圆搬送装置23。晶圆搬送装置23还在上下方向上移动自如并且绕铅垂轴线(θ方向)移动自如,从而能够在各收纳盒载置板21上的收纳盒C与后述的处理站11的第三区块G3的交接装置之间搬送晶圆W。
在处理站11设置有具备各种装置的多个例如四个区块G1、G2、G3、G4。例如在处理站11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1,在处理站11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。另外,在处理站11的靠收纳盒载置站10的一侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3,在处理站11的靠转交站13的一侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
如图2所示,例如在第一区块G1中从下方起依次配置有多个液处理装置、例如对晶圆W进行显影处理的显影处理装置30、在晶圆W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、对晶圆W涂布抗蚀剂液来形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂布装置32、以及在晶圆W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33。
例如,显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33分别以在水平方向上排列有三个的方式配置。此外,这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32以及上部防反射膜形成装置33的数量、配置能够任意地选择。
在这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂布装置32、上部防反射膜形成装置33之类的液处理装置中,例如进行在晶圆W上涂布规定的处理液的旋转涂布。在旋转涂布中,例如从涂布喷嘴向晶圆W上喷出处理液并且使晶圆W旋转,来使处理液在晶圆W的表面扩散。
如图3所示,例如在第二区块G2中沿上下方向和水平方向排列设置有对晶圆W进行加热、冷却之类的热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶圆W之间的固着性的粘附装置41、使晶圆W的外周部曝光的周边曝光装置42。这些热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量、配置也能够任意地选择。
例如,在第三区块G3中从下方起依次设置有多个交接装置50、51、52、53、54、55、56。另外,在第四区块G4中从下方起依次设置有多个交接装置60、61、62。
如图1所示,在被第一区块G1~第四区块G4包围的区域中形成有晶圆搬送区域D。在晶圆搬送区域D中配置有多个晶圆搬送装置70,该晶圆搬送装置70具有例如在Y方向、X方向、θ方向以及上下方向上移动自如的搬送臂70a。晶圆搬送装置70能够在晶圆搬送区域D内移动,来将晶圆W搬送至周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3以及第四区块G4内的规定的装置。
另外,在晶圆搬送区域D中设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地搬送晶圆W的往复搬送装置80。
往复搬送装置80例如在图3的Y方向上沿直线移动自如。往复搬送装置80能够以支承着晶圆W的状态在Y方向上移动,来在第三区块G3的交接装置52与第四区块G4的交接装置62之间搬送晶圆W。
如图1所示,在第三区块G3的靠X方向正方向侧的相邻位置处设置有晶圆搬送装置100。晶圆搬送装置100具有例如在X方向、θ方向以及上下方向上移动自如的搬送臂。晶圆搬送装置100能够以支承着晶圆W的状态上下移动,来将晶圆W搬送到第三区块G3内的各交接装置。
在转交站13设置有晶圆搬送装置110和交接装置111。晶圆搬送装置110具有例如在Y方向、θ方向以及上下方向上移动自如的搬送臂110a。晶圆搬送装置110例如能够将晶圆W支承于搬送臂110a来与第四区块G4内的各交接装置、交接装置111以及曝光装置12之间搬送晶圆W。
接下来,对上述的抗蚀剂涂布装置32的结构进行说明。图4是表示抗蚀剂涂布装置32的结构的概要的纵剖视图,图5是表示抗蚀剂涂布装置32的结构的概要的横剖视图。
如图4所示,抗蚀剂涂布装置32具有内部能够封闭的处理容器120。如图5所示,在处理容器120的侧面形成有晶圆W的搬入搬出口121,在搬入搬出口121处设置有开闭板122。
如图4所示,在处理容器120内的中央部设置有保持晶圆W使之旋转的旋转卡盘130。旋转卡盘130具有水平的上表面,在该上表面上设置有例如用于吸引晶圆W的吸引口(未图示)。通过从该吸引口进行吸引,能够将晶圆W吸附保持在旋转卡盘130上。
旋转卡盘130例如具有具备电动机等的卡盘驱动机构131,能够通过该卡盘驱动机构131而以规定的速度旋转。另外,在卡盘驱动机构131设置有气缸等升降驱动源,从而旋转卡盘130能够上下运动。
在旋转卡盘130的周围设置有用于承接并回收从晶圆W飞散或落下的液体的杯132。在杯132的下表面连接有用于排出所回收的液体的排出管133以及用于排出杯132内的气体的排气管134。
如图5所示,在杯132的X方向负方向(图5的下方)侧形成有沿Y方向(图5的左右方向)延伸的轨道140。轨道140例如从杯132的Y方向负方向(图5的左方)侧的外侧形成至Y方向正方向(图5的右方)侧的外侧。在轨道140上安装有臂141。
如图4以及图5所示,在臂141上支承有用于喷出抗蚀剂液的涂布喷嘴142。臂141通过图5所示的喷嘴驱动部143而在轨道140上移动自如。由此,涂布喷嘴142能够从设置于杯132的Y方向正方向侧的外侧的待机部144移动至杯132内的晶圆W的中心部上方,进而能够在该晶圆W的表面上沿着晶圆W的径向移动。另外,臂141通过喷嘴驱动部143而升降自如,从而能够调节涂布喷嘴142的高度。如图4所示,涂布喷嘴142与用于供给抗蚀剂液的抗蚀剂液供给装置200相连接。
接下来,说明向抗蚀剂涂布装置32内的作为处理液喷出部的涂布喷嘴142供给抗蚀剂液的抗蚀剂液供给装置200的结构。图6是表示抗蚀剂液供给装置200的结构的概要的说明图。图7A和图7B是说明缓冲罐的示意外观图。此外,抗蚀剂液供给装置200例如设置于未图示的化学室内。化学室用于向液处理装置供给各种处理液。
图6的抗蚀剂液供给装置200具备在内部贮存抗蚀剂液的抗蚀剂液供给源(本发明所涉及的“处理液供给源”的一例)201、以及暂时贮存从该抗蚀剂液供给源201输送来的抗蚀剂液的缓冲罐(本发明所涉及的“暂时贮存装置”)202。
抗蚀剂液供给源201是能够更换的,在该抗蚀剂液供给源201的上部设置有用于向缓冲罐202输送抗蚀剂液的第一处理液供给管251。在第一处理液供给管251上设置有供给阀203。
另外,在第一处理液供给管251中的供给阀203的下游侧设置有与加压源204连接的供气管252,该加压源204用于对缓冲罐202内进行加压来将该缓冲罐202内的抗蚀剂液排出。在供气管252上设置有切换阀205。
缓冲罐202暂时贮存从能够更换的抗蚀剂液供给源201输送来的抗蚀剂液,并且具有对所贮存的处理液进行加压搬送的加压搬送功能。该缓冲罐202例如由隔膜泵构成,如图7A和图7B所示,缓冲罐202包含具有挠性的隔膜202a,利用该隔膜202a形成暂时贮存抗蚀剂液的贮存室202b。通过隔膜202a变形而该贮存室202b内的容量可变,因而,在更换抗蚀剂液供给源201时也能够使贮存室202b内的抗蚀剂液与气体的接触最小化。
在缓冲罐202的上部设置有在排出该缓冲罐202内的抗蚀剂液时使用的排出管253,在该排出管253上设置有排出阀206。
并且,缓冲罐202经由供排气管254而与用于使隔膜202a变形的电空调节器207相连接。电空调节器207与连接于加压源208的供气管255相连接,并且与连接于减压源209的排气管256相连接。通过调整由加压源208施加的压力和由减压源209施加的压力,能够使隔膜202a变形。在供排气管254上设置有压力传感器210,该压力传感器210测定管路内的压力(气压)、即用于使隔膜202a变形的压力。
图8A、图8B以及图8C是缓冲罐202的构造的说明图,图8A是外观图,图8B是只示出后述的外周壁的剖面的剖视图,图8C是沿A-A剖开的剖视图。
例如图8A、图8B以及图8C所示,构成缓冲罐202的隔膜泵具有隔膜202a和外周壁202c。在该缓冲罐202中,由圆筒状的外周壁202c形成的空间被具有挠性的隔膜202a分割为贮存室202b和工作室202d。通过利用电空调节器207控制工作室202d内的压力,能够从抗蚀剂液供给源201向贮存室202b输送抗蚀剂液或者从贮存室202b将抗蚀剂液以期望的液压进行加压搬送。
另外,在隔膜202a的上端设置有用于连接第一处理液供给管251和排出管253的入侧端口202e,在隔膜202a的下端设置有用于连接后述的第二处理液供给管257的出侧端口202f。另外,在外周壁202c的上部设置有用于连接供排气管254的连接端口202g。
此外,隔膜202a和外周壁202c例如由氟树脂形成。通过使用氟树脂而是透明的,因此能够利用光电传感器等探测内部的抗蚀剂液的状态,并且能够使隔膜202a与外周壁202c彼此溶合而将外周壁202c内密封来形成工作室202d。
返回图6的说明。
在缓冲罐202的下部设置有用于向泵211输送抗蚀剂液的第二处理液供给管257。换言之,在第二处理液供给管257中的缓冲罐202的下游侧设置有泵211。
另外,在第二处理液供给管257中的缓冲罐202与泵211之间设置有用于将抗蚀剂液中的微粒去除的过滤器212。在过滤器212设置有用于将在抗蚀剂液中产生的气泡排出的排出管258。在排出管258上设置有排出阀213。
并且,在第二处理液供给管257中的过滤器212的上游侧设置有供给阀214,在第二处理液供给管257中的过滤器212与泵211之间设置有切换阀215。
泵211例如是隔膜泵,泵211具有用于贮存抗蚀剂液的未图示的贮存室,并且经由供排气管259而与用于对来自泵211的抗蚀剂液的喷出量进行控制等的电空调节器216相连接。电空调节器216与连接于加压源217的供气管260相连接,并且与连接于减压源218的排气管261连接。
在泵211设置有第三处理液供给管262,该第三处理液供给管262用于从该泵211经由涂布喷嘴142向作为被处理体的晶圆上供给抗蚀剂液。在第三处理液供给管262上设置有压力传感器219,该压力传感器219用于测定第三处理液供给管262内的抗蚀剂液的液压。
另外,在第三处理液供给管262中的压力传感器219的下游侧设置有切换阀220,在该切换阀220的下游侧且涂布喷嘴142的附近设置有供给控制阀221。
并且,抗蚀剂液供给装置200具备用于使泵211内的抗蚀剂液返回到缓冲罐202的返回管263。返回管263的一端连接于第三处理液供给管262中的压力传感器219与切换阀220之间,另一端连接于第二处理液供给管257中的供给阀214与过滤器212之间。另外,在返回管263上设置有返回控制阀222。
另外,抗蚀剂液供给装置200具备未图示的控制部。设置于抗蚀剂液供给装置200的各阀使用能够由上述控制部进行控制的电磁阀、空气工作阀,各阀与上述控制部电连接。另外,该控制部与压力传感器210、压力传感器219、电空调节器207、216电连接。通过该结构,能够在控制部的控制下自动地进行抗蚀剂液供给装置200中的一系列的处理。此外,本发明的“控制装置”例如由该控制部和电空调节器207、216构成。
接下来,基于图9~图12来说明抗蚀剂液供给装置200的动作。
(向缓冲罐202的补充)
如图9所示,基于来自控制部的控制信号将设置于第一处理液供给管251中途的供给阀203设为打开状态,并且利用电空调节器207和减压源209对缓冲罐202的贮存室202b内进行减压,由此从抗蚀剂液供给源201向缓冲罐202的贮存室202b内供给抗蚀剂液。此时,基于压力传感器210中的测定结果来对贮存室202b内的压力即工作室202d内的压力进行反馈控制。
此外,在图9及其后的附图中,将打开状态的阀涂白,将关闭状态的阀涂黑,用粗线表示正流通着抗蚀剂液等流体的管,省略对其它阀的开闭状态的说明。
(向泵211的补充)
当向缓冲罐202的贮存室202b内供给/补充规定量的抗蚀剂液时,如图10所示,将供给阀203设为关闭状态,将设置于第二处理液供给管257中途的供给阀214、切换阀215设为打开状态。与此同时,利用电空调节器207将缓冲罐202的连接目的地切换为加压源208来对缓冲罐202的贮存室202b进行加压,由此从缓冲罐202向第二处理液供给管257加压搬送贮存室202b内的抗蚀剂液。被加压搬送的抗蚀剂液在通过过滤器212后转移到泵211。此时,利用压力传感器219测定第三处理液供给管262内的压力、即与过滤器212的次级侧的压力相等的与上述第三处理液供给管262连通的泵211内的压力。然后,基于该测定结果来对从缓冲罐202的贮存室202b加压搬送处理液时的液压进行反馈控制,以使得由压力传感器219测定的过滤器212的次级侧的液压成为期望的值。
(喷出)
当向泵211内供给/补充规定量的抗蚀剂液时,如图11所示,将供给阀214、切换阀215设为关闭状态,将设置于第三处理液供给管262中途的切换阀220、供给控制阀221设为打开状态。与此同时,利用电空调节器216将泵211的连接目的地切换为加压源217,来从泵211向第三处理液供给管262加压搬送抗蚀剂液。由此,被输送到泵211的抗蚀剂液的一部分(例如五分之一)经由涂布喷嘴142而向晶圆喷出。此时,基于压力传感器219对第三处理液供给管262内的压力的测定结果来对泵211内的压力进行反馈控制。
(返回)
当从泵211排出规定量的抗蚀剂液时,如图12所示,将切换阀220、供给控制阀221设为关闭状态,将返回控制阀222、供给阀214设为打开状态。与此同时,基于压力传感器210和压力传感器219中的测定结果来控制电空调节器216,以使泵211的压力大于缓冲罐202的贮存室202b内的压力。由此,泵211内残留的抗蚀剂液(例如五分之四)经由返回管263返回到缓冲罐202。
然后,重复进行上述的动作。
如上所述,在抗蚀剂液供给装置200中,缓冲罐202不仅具有暂时贮存处理液的功能,还具有对该处理液进行加压搬送的加压搬送功能。
因而,抗蚀剂液供给装置200具有以下效果。即,如果缓冲罐是以往的结构,则因装置设置条件、装置内布局而在从缓冲罐向泵211补充抗蚀剂液时无法使过滤器212中的液压成为期望的液压。但是,抗蚀剂液供给装置200的缓冲罐202具有加压搬送功能,因此即使是同样的装置设置条件、装置内布局,在抗蚀剂液供给装置200中向泵211补充抗蚀剂液时也能够使过滤器212中的液压成为期望的液压。
特别是,基于由压力传感器219测定出的第三处理液供给管262内的抗蚀剂液的液压即过滤器212的次级侧的液压,来对从缓冲罐202加压搬送时的液压(以下称作“加压搬送液压”)进行反馈控制,以使该次级侧的液压固定为规定的值。因此,在从缓冲罐202向泵211补充抗蚀剂液时能够更加可靠地使过滤器212中的液压成为期望的液压。
此外,抗蚀剂液在通过过滤器212时由于流速上升而抗蚀剂液的液压下降,此时,当抗蚀剂液的液压下降至饱和蒸汽压时,根据气蚀现象的原理而在抗蚀剂液中产生气泡。但是,在抗蚀剂液供给装置200中,对过滤器212的次级侧的液压进行控制来使静压水平高于饱和蒸汽压,由此能够抑制气泡的产生。
并且,缓冲罐202的用于贮存抗蚀剂液的贮存室202b会发生变形。因而,具有以下效果。
在抗蚀剂液供给源201内的抗蚀剂液消失且缓冲罐的贮存室内的抗蚀剂液减少的情况下,如果是普通的缓冲罐,则贮存室内的抗蚀剂液的液面下降,贮存室内的内周面与空气接触而干燥,其结果,有时在处理后的晶圆产生缺陷。
与此相对地,在抗蚀剂液供给装置200中,缓冲罐202的贮存室202b如上述那样发生变形,因此即使贮存室202b内的抗蚀剂液的量减少,也能够避免贮存室202b的内周面与空气接触,从而能够避免干燥。
此外,能够使用加压源204将缓冲罐202内的抗蚀剂液经由第二处理液供给管257和第三处理液供给管262而排出。另外,在向返回管263、过滤器212进行送液处理时也能够使用加压源204。在向过滤器212进行送液处理时,抗蚀剂液经由排出管258而被排出。
并且,为了向缓冲罐202和第一处理液供给管251进行抗蚀剂液的送液处理,也可以对抗蚀剂液供给源201设置加压源,此处省略图示。在进行该送液处理时,抗蚀剂液经由排出管253而被排出。
(加压搬送控制的其它例子)
在上述的例子中,对加压搬送液压进行反馈控制,以使过滤器212的次级侧的液压固定为规定的值。但是,也可以取而代之地,在由压力传感器219测定出的过滤器212的次级侧的液压处于规定范围内且测定结果未见异常的情况下,如以下那样进行动作。即,也可以是,通过使用电空调节器207对缓冲罐202、更具体地说是缓冲罐202的贮存室202b施加规定的规定压力,来从缓冲罐202加压搬送处理液。
(加压搬送控制的另一个例子)
图13是说明从缓冲罐202进行加压搬送时的控制的另一个例子的图。
在图13的抗蚀剂液供给装置200中,在第二处理液供给管257中的缓冲罐202与供给阀214之间设置有测定第二处理液供给管257内的液压的压力传感器223。
也可以是,使用电空调节器207对加压搬送液压进行反馈控制,以使由该压力传感器223测定的过滤器212的初级侧的液压固定为规定的值。
(第二实施方式)
图14是表示本发明的第二实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。图15是表示比较方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的图。
本实施方式及比较方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的比缓冲罐靠下游的结构与图6的抗蚀剂液供给装置200相同,因此省略图示。
图14的抗蚀剂液供给装置300与图6的抗蚀剂液供给装置200不同的是,针对抗蚀剂液供给源201设置有两个缓冲罐202。而且,在该抗蚀剂液供给装置300中,针对各缓冲罐202分别设置有电空调节器207,从而能够对每个缓冲罐202的贮存室202b施加不同的压力。
另一方面,在图15的抗蚀剂液供给装置300′中,针对两个缓冲罐202设置有共用的电空调节器207。因而,能够向缓冲罐202的贮存室202b施加的压力对于两个贮存室202b而言是相同的。
因而,在抗蚀剂液供给装置300′中存在以下问题。当无法再从抗蚀剂液供给源201向缓冲罐202进行补充时,在从一个缓冲罐202加压搬送抗蚀剂液时隔膜202a以该一个缓冲罐202的贮存室202b缩小的方式发生变形并且不能恢复到原来的形状。因而,如果不对该一个缓冲罐202的贮存室202b施加更大的压力,则不能以期望的压力对抗蚀剂液进行加压搬送。但是,当想要提高该一个缓冲罐202的贮存室202b内的压力时,致使能够得到期望的压力的另一个缓冲罐202的贮存室202b内的压力也上升,从而从该另一个缓冲罐202的贮存室202b进行加压搬送时的压力大于期望的压力。
这样,在抗蚀剂液供给装置300′中,在无法再从抗蚀剂液供给源201向缓冲罐202进行补充时、即更换抗蚀剂液供给源201时存在问题。
与此相对地,在图14的抗蚀剂液供给装置300中,能够对每个缓冲罐202的贮存室202b施加不同的压力,因此即使在更换抗蚀剂液供给源201时以缓冲罐202的贮存室202b缩小的方式发生变形,也能够以期望的压力从缓冲罐202加压搬送抗蚀剂液。
此外,在抗蚀剂液供给装置300中,对来自缓冲罐202的加压搬送液压例如进行反馈控制,以使由压力传感器219测定的过滤器212的次级侧的液压固定为规定的值。另外,也可以与第一实施方式同样地,在由压力传感器219测定出的过滤器212的次级侧的液压处于规定范围内的情况下,使用电空调节器207对缓冲罐202的贮存室202b施加规定的固定压力,来从缓冲罐202加压搬送处理液。并且,也可以是,设置用于测定第二处理液供给管257内的液压的压力传感器,使用电空调节器207对来自缓冲罐202的加压搬送液压进行反馈控制,以使由该压力传感器测定的过滤器212的初级侧的液压固定为规定的值。
另外,即使如图15的抗蚀剂液供给装置300′那样为缓冲罐202具有共用的电空调节器207的结构,在虽然缓冲罐202内的隔膜202a发生变形但反作用力小的情况下,也不会发生上述的更换抗蚀剂液供给源201时的问题。
此外,在抗蚀剂液供给装置300′中,在将缓冲罐202与电空调节器207连接的供排气管254上设置有切换阀301。另外,对缓冲罐202设置有与减压源302连接的排气管351,在排气管351上设置有排气阀303。而且,在抗蚀剂液供给装置300′中,在向缓冲罐202补充抗蚀剂液时,通过将切换阀301设为关闭状态、将供给阀203设为打开状态并且将排气阀303设为打开状态,来对缓冲罐202的贮存室202b内进行减压。由此,从抗蚀剂液供给源201向缓冲罐202的贮存室202b内供给抗蚀剂液。
(第三实施方式)
图16是表示本发明的第三实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
图16的抗蚀剂液供给装置400与图15的抗蚀剂液供给装置300′同样地,针对两个缓冲罐202设置有共用的电空调节器207。但是,图16的抗蚀剂液供给装置400与图15的抗蚀剂液供给装置300′不同的是,在第一处理液供给管251中的抗蚀剂液供给源201与缓冲罐202之间设置有另外的缓冲罐401。该另外的缓冲罐401是不具有加压搬送功能的普通的罐。
在该抗蚀剂液供给装置400中,虽然在抗蚀剂液供给源201变空的状态下从一个缓冲罐202加压搬送抗蚀剂液而隔膜202a以该一个缓冲罐202的贮存室202b缩小的方式发生变形,但是由于从另外的缓冲罐401向上述一个缓冲罐202补充抗蚀剂液,因此隔膜202a也会恢复原来的形状。因而,即使在需要更换抗蚀剂液供给源201时,也能够以期望的压力从缓冲罐202加压搬送抗蚀剂液。
此外,在第一处理液供给管251中的另外的缓冲罐401与缓冲罐202之间设置有切换阀402。
(第四实施方式)
图17是表示本发明的第四实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置的结构的概要的说明图。
在图17的抗蚀剂液供给装置500中,在缓冲罐202的下部设置有用于向作为隔膜泵的泵211输送抗蚀剂液的第二处理液供给管551。换言之,第二处理液供给管551的一端与缓冲罐202相连接,第二处理液供给管551的另一端与泵211的一个端口相连接(参照图8A、图8B以及图8C的附图标记202e、202f)。
在第二处理液供给管551中的缓冲罐202与泵211之间设置有过滤器212。另外,在第二处理液供给管551中,在缓冲罐202与过滤器212之间设置有供给阀214,在该供给阀214与过滤器212之间设置有切换阀215。并且,在第二处理液供给管551中的过滤器212与泵211之间设置有切换阀501。
抗蚀剂液供给装置500具备第三处理液供给管552,该第三处理液供给管552用于将来自泵211的抗蚀剂液经由涂布喷嘴142供给到晶圆上。第三处理液供给管552的一端连接于第二处理液供给管551中的过滤器212与切换阀501之间,另一端与涂布喷嘴142相连接。在第三处理液供给管552上,从上游侧起依次设置有压力传感器219、液体流量计502、供给控制阀221、涂布喷嘴142。
另外,抗蚀剂液供给装置500具备在使泵211内的抗蚀剂液向缓冲罐202返回时等使用的返回管553。返回管553的一端连接于第二处理液供给管551中的供给阀214与切换阀215之间,另一端连接于泵211的与连接第二处理液供给管551的一侧相反的一侧的另一个端口(参照图8A、图8B以及图8C的附图标记202e、202f)。另外,在返回管553上设置有切换阀503。
而且,在抗蚀剂液供给装置500中,在设置于泵211与电空调节器216之间的供排气管259上设置有气体流量计504。
接下来,基于图18~图27来说明抗蚀剂液供给装置500的动作。
(向泵211的补充)
首先,如图18所示,在使设置于第二处理液供给管551中途的切换阀501、设置于返回管553中途的切换阀503保持关闭状态的状态下,将供给阀214、切换阀215设为打开状态,并且将供给控制阀221设为打开状态。在该状态下,从缓冲罐202送出抗蚀剂液。然后,由压力传感器219测定此时的第三处理液供给管552内的液压。测定出的液压与从缓冲罐202供给/补充抗蚀剂液时施加于泵211的背压大致相等。
接下来,如图19所示,将切换阀215设为关闭状态来停止从缓冲罐202送出抗蚀剂液,并且将切换阀501设为打开状态。然后,利用电空调节器216控制泵211内的工作室的压力,以使由压力传感器219测定的压力即泵211的切换阀501侧的压力与从缓冲罐202送出抗蚀剂液时由压力传感器219测定出的压力相等。
之后,如图20所示,将供给控制阀221设为关闭状态并且将切换阀215设为打开状态,来开始从缓冲罐202补充抗蚀剂液。此时,泵211的切换阀501侧的压力与从缓冲罐202送出抗蚀剂液时由压力传感器219测定出的压力、即从缓冲罐202补充抗蚀剂液时施加于泵211的背压相等,因此在开始进行补充时,不会因背压的变动而抗蚀剂液瞬间流入泵211内。
(向泵211的补充的其它例子)
首先,如图18所示,在使设置于第二处理液供给管551中途的切换阀501和设置于返回管553中途的切换阀503保持关闭状态的状态下,将供给阀214、切换阀215设为打开状态,并且将供给控制阀221设为打开状态。在该状态下,从缓冲罐202送出抗蚀剂液。然后,由压力传感器219测定过滤器212的次级侧的压力、具体地说是第三处理液供给管552内的液压。在测定该压力的同时,利用电空调节器207控制缓冲罐202内的工作室的压力来进行反馈控制,以使由压力传感器219测定出的压力成为目标压力(例如50kPa)。
接下来,如图21所示,将供给阀214设为关闭状态,将切换阀501设为打开状态。然后,利用电空调节器216控制泵211内的工作室的压力,以使由压力传感器219测定的压力即泵211的切换阀501侧的压力与同上述相同的目标压力相等。
然后,如图20所示,将供给控制阀221设为关闭状态并且将供给阀214设为打开状态,来开始从缓冲罐202补充抗蚀剂液。在该情况下,在开始进行补充时,来自缓冲罐202的加压搬送液压与泵211的切换阀501侧的压力均等于上述的目标压力,因此在开始进行补充时,抗蚀剂液不会瞬间流入泵211内。
(喷出)
在喷出抗蚀剂液时,如图22所示,将设置于第二处理液供给管551中途的切换阀501和设置于第三处理液供给管552中途的供给控制阀221设为打开状态。与此同时,利用电空调节器216将泵211的连接目的地设为加压源217,来从泵211的切换阀501侧的端口经由第二处理液供给管551向第三处理液供给管552加压搬送抗蚀剂液。由此,通过过滤器212后贮存于泵211内的抗蚀剂液经由涂布喷嘴142而被喷出到晶圆。
(喷出的其它例子)
如图23所示,将设置于第二处理液供给管551中途的切换阀215、设置于第三处理液供给管552中途的供给控制阀221以及设置于返回管553中途的切换阀503设为打开状态。与此同时,利用电空调节器216将泵211的连接目的地设为加压源217,来从泵211的返回管553侧的端口经由返回管553和第二处理液供给管551向第三处理液供给管552加压搬送抗蚀剂液。由此,能够使通过过滤器212后贮存于泵211内的抗蚀剂液再次通过过滤器212之后向晶圆喷出。通过像这样构成,能够进一步降低晶圆产生缺陷的可能性。
(喷出的切换)
以下,将如图23那样使抗蚀剂液再次通过过滤器212后向晶圆喷出的方式称作双程(double pass)方式,将如图22那样不使抗蚀剂液再次通过过滤器212就向晶圆喷出的方式称作单程(single pass)方式。
优选能够根据目的等而在双程方式和单程方式之间进行选择。例如,通常使用双程方式,在吹扫时或需要在短时间内喷出抗蚀剂液等时使用单程方式。
此外,优选的是,向泵211补充抗蚀剂液的补充速度即补充时的过滤器212的过滤速率和双程方式下的抗蚀剂液的喷出速度即在该方式下喷出时的过滤器212的过滤速率这两个过滤速率均缓慢。这是因为过滤速率缓慢时利用过滤器212能够更加可靠地捕集处理液中的微粒。但是,当后者的喷出时的过滤速率过慢时,处理液呈液滴状断续地喷出,因此低速化受到限制。因而,优选的是,上述的补充时的过滤速率和喷出时的过滤速率中的补充时的过滤速率较小。此外,补充时的过滤速率例如为0.05ml/秒,喷出时的过滤速率例如为0.5ml/秒。
(排出)
在排出时,例如首先如图24所示,在使设置于第二处理液供给管551中途的供给阀214和设置于返回管553中途的切换阀503保持关闭状态的状态下,将切换阀215、供给控制阀221设为打开状态,并且将排出阀213设为打开状态。然后,由压力传感器219测定此时的第三处理液供给管552内的液压。测定出的液压与在排出时施加于泵211的背压大致相等。
接下来,如图25所示,将排出阀213、供给控制阀221设为关闭状态,将切换阀503设为打开状态。然后,利用电空调节器216控制泵211内的工作室的压力,以使由压力传感器219测定的压力即泵211的切换阀503侧的压力与在图24的状态下由压力传感器219测定出的压力相等。
然后,如图26所示,将排出阀213设为打开状态来开始经由排出管258排出泵211内的抗蚀剂液。此时,泵211的切换阀503侧的压力与在图24的状态下由压力传感器219测定出的压力即在排出时施加于泵211的背压相等,因此在开始排出时,不会因背压的变动而抗蚀剂液瞬间向泵211内流出。
(排出的其它例子)
作为排出的方式,除了上述的经由过滤器212排出的过滤器排出方式之外,还存在返回到缓冲罐202的返回排出方式。
在返回排出方式中,在进行排出之前,例如首先如图18所示,将切换阀501和切换阀503设为关闭状态,将供给阀214、切换阀215以及供给控制阀221设为打开状态。在该状态下,从缓冲罐202送出抗蚀剂液。然后,由压力传感器219测定过滤器212的次级侧的压力、具体地说是第三处理液供给管552内的液压。在测定该压力的同时,利用电空调节器207控制缓冲罐202内的工作室的压力来进行反馈控制,以使由压力传感器219测定出的压力成为规定的压力。接下来,基于由压力传感器219测定出的压力成为规定的压力时的缓冲罐202的工作室的压力,来校正泵211的排出开始时的压力。例如,如果成为规定的压力时的上述工作室的压力大,则以使泵211的排出开始时的压力升高的方式进行校正,如果成为规定的压力时的上述工作室的压力小,则以使上述压力减小的方式进行校正。
接下来,如图25所示,将供给阀214、供给控制阀221设为关闭状态,将切换阀503设为打开状态。然后,利用电空调节器216控制泵211内的工作室的压力,以使由压力传感器219测定的压力即泵211的切换阀503侧的压力成为校正后的泵211的排出开始时的压力。
之后,如图27所示,将供给阀214设为打开状态并且将切换阀215设为关闭状态,来开始使泵211内的抗蚀剂液返回到缓冲罐202、即开始进行返回排出。
由于缓冲罐202的贮存室内的压力根据该贮存室内的抗蚀剂液的量而发生变化,因此当使返回排出开始时的泵211的压力固定时,无法适当地进行返回排出。但是,在本例中,基于与缓冲罐202的贮存室内的压力对应的缓冲罐202的工作室的压力来对返回排出开始时的泵211的压力进行校正,因此能够适当地进行返回排出。
(排出量)
根据向泵211的补充量与抗蚀剂液的喷出量之差来决定排出量。
在附图的例子中设置有液体流量计502,因此能够基于液体流量计502中的测定结果来计算实际的抗蚀剂液的喷出量。因而,能够准确地计算排出量。
在没有设置液体流量计502的情况下,利用针对泵211设置的气体流量计504测定对泵211送出的气体的流量,并使用该测定结果进行计算。气体流量计504是质量流量计,通过将测定出的质量的累计值变换为体积,能够计算抗蚀剂液的喷出量。由于质量与体积之间的关系依赖于压力和温度,因此从质量向体积的变换既可以设为在泵211内的温度为20℃且泵211内的压力为1气压的条件来进行,也可以基于在泵211内的温度为23℃时测定出的泵211的工作室的压力来进行。
通过准确地确定排出量,能够适当地设定排出的时间。
(排出的执行定时)
返回排出是为了防止抗蚀剂液滞留而进行的,例如定期地进行返回排出。
过滤器排出是在泵211内等的抗蚀剂液的清洁度低时进行的,例如,在启动时进行、或者定期地进行、或者在过滤器212的初级侧检测出气泡时进行。
上述气泡的检测器例如优选设置于第二处理液供给管551中的返回管553的连接部与供给阀214之间的部分。该部分在实际的抗蚀剂液供给装置500中位于过滤器212和泵211的铅垂方向上方的位置。因此,能够可靠地检测在过滤器的初级侧产生的气泡,更具体地说,能够可靠地检测在过滤器212、泵211、从设置有气泡检测器的部分起至过滤器212、泵211的路径中产生的气泡。
(异常检测)
在抗蚀剂液供给装置500中,由于构成泵211的贮存室的隔膜随时间经过而伸长,因此需要使用于使隔膜变形的压力、即由电空调节器216控制的泵211内的工作室的压力(EV压)与隔膜的伸长相对应地增大。
因此,在抗蚀剂液供给装置500中,测定EV压,并将EV压与由压力传感器219测定出的压力(液压)进行比较。当隔膜的伸长超过了允许范围或发生了其它异常而EV压与液压之差为规定值以上时,通过声音信息、视觉信息等来通知错误。
另外,在通知错误的同时,停止利用加压源217对泵211的工作室进行加压,将EV压设为大气压。此时,优选将供给阀214、切换阀215、切换阀501设为打开状态。
缓冲罐202也可以与泵211同样地基于缓冲罐内的工作室的压力来探测错误。
此外,在以上的抗蚀剂液供给装置500中,液体流量计502设置于第三处理液供给管552中的泵211与供给控制阀221之间,但是也可以设置于第二处理液供给管551中的第三处理液供给管552的连接部与过滤器212之间。另外,也可以不设置液体流量计502。
在抗蚀剂液供给装置500中,测定过滤器212的次级侧的压力的压力传感器219设置于第三处理液供给管552的最上游部。但是,该压力传感器219也可以设置于第二处理液供给管551中的第三处理液供给管552的连接部与切换阀501之间。在该情况下,在从泵211经由过滤器212喷出抗蚀剂液时,抗蚀剂液不通过压力传感器219,因此能够进一步防止微粒混入抗蚀剂液。
也可以是,在抗蚀剂液供给装置500中除了设置用于测定过滤器212的次级侧的压力的压力传感器219以外,还设置用于测定过滤器212的初级侧的压力的压力传感器。
初级侧的压力传感器例如设置于第二处理液供给管551中的切换阀215与过滤器212之间的部分。设置于该部分的初级侧的压力传感器与次级侧的压力传感器219之间的差压根据过滤器212的堵塞的状态而发生变化。因而,通过在上述部分设置初级侧的压力传感器219,能够基于差压来判别过滤器212的状态。
另外,当在上述的部分设置初级侧的压力传感器时,从缓冲罐202起至初级侧的压力传感器之间的压损小于从缓冲罐202起至次级侧的压力传感器219之间的压损。因而,如果将初级侧的压力传感器中的测定结果反馈到缓冲罐202的工作室的压力,则与反馈次级侧的压力传感器219中的测定结果的情况相比,能够使针对缓冲罐202中的抗蚀剂液的加压的大小为更期望的大小。
此外,在抗蚀剂液供给装置500中,将初级侧的压力传感器设置于第二处理液供给管551中的缓冲罐202与供给阀214之间的部分,也能够得到与如上述那样设置于切换阀215与过滤器212之间的部分时的效果相同的效果。
抗蚀剂液供给装置500能够利用缓冲罐202生成脱气液。在过滤器212的启动时、定期维护时,通过向过滤器212输送由缓冲罐202生成的脱气液,能够将在没有进行脱气的普通的抗蚀剂液中去除不了的微小气泡去除。此外,优选将被输送到过滤器212的脱气液经由排出管258排出。
此外,以上,作为本发明所涉及的处理液供给装置所供给的处理液,以抗蚀剂液为例进行了说明,但是例如也可以供给SOG(Spin On Glass:旋涂玻璃)的涂布液。
【实施例】
图28A、图28B、图28C以及图28D是表示在实施例及比较例的抗蚀剂膜中观测到的微粒的量的图,图28A、图28B、图28C以及图28D依次表示比较例1、实施例1、比较例2、实施例2的微粒的量。另外,在图中,横轴表示是第几个晶圆,纵轴表示微粒的量、即在将比较例2中的第四个晶圆的抗蚀剂膜中存在的微粒的数量设为1时的值。通过电子显微镜来观察并确认微粒的有无/数量。此外,图的柱形图中的阴影部表示被认为是因气泡而产生的微粒的数量。
在实施例1以及实施例2中,一边使用第四实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置500从缓冲罐202对泵211补充抗蚀剂液,一边利用该缓冲罐202进行加压以使由压力传感器219得到的压力为50kPa、具体地说是控制缓冲罐202的工作室的压力以使由压力传感器219得到的压力为50kPa。另外,在实施例1以及实施例2中,以双程方式从泵211供给抗蚀剂液而形成了抗蚀剂膜。
在比较例1以及比较例2中,使用第四实施方式所涉及的抗蚀剂液供给装置500从缓冲罐202向泵211补充抗蚀剂液,以双程方式从泵211供给抗蚀剂液而形成了抗蚀剂膜,但是在补充时不利用缓冲罐202进行加压。
另外,在实施例1和比较例1以及实施例2和比较例2中,缓冲罐与过滤器的位置关系、两者之间的配管、设置处理液供给装置的场所等不同。
如图28A以及图28C所示,在比较例1中存在少一些的微粒,但是在比较例2中存在很多的微粒,并且还存在被认为是因气泡而产生的微粒。
与此相对地,如图28B以及图28D所示,在实施例1以及实施例2中,微粒的数量少,尤其被认为是因气泡而产生的微粒的数量为零。
根据以上的实施例以及比较例可知,根据抗蚀剂液供给装置500,即使在若缓冲罐202无加压功能则会导致存在很多的微粒这样的环境下,也能够通过过滤器212适当地去除微粒。也就是说,能够与环境无关地适当地去除微粒。另外,根据抗蚀剂液供给装置500,能够与环境无关地防止因气泡而产生微粒
产业上的可利用性
本发明对于向被处理体涂布处理液的技术是有用的。

Claims (9)

1.一种处理液供给装置,对用于向被处理体喷出处理液的处理液喷出部供给处理液,所述处理液供给装置的特征在于,具备:
暂时贮存装置,其暂时贮存从用于贮存处理液的处理液供给源供给的处理液;
过滤器,其将来自所述暂时贮存装置的处理液中的异物去除;以及
泵,其将被该过滤器去除异物后的处理液向所述处理液喷出部送出,
其中,所述暂时贮存装置具有对贮存于该暂时贮存装置中的处理液进行加压搬送的加压搬送功能,
所述处理液供给装置还具备控制装置,该控制装置至少用于对来自所述暂时贮存装置的处理液的加压搬送进行控制,所述控制装置具有电空调节器,该电空调节器用于对该暂时贮存装置的贮存处理液的贮存室内的液压进行调整,
所述处理液供给装置还具备压力测定装置和处理液供给管,
所述压力测定装置设置于比所述暂时贮存装置靠下游侧的位置,测定处理液的液压,
所述控制装置基于所述压力测定装置中的测定结果,来至少对来自所述暂时贮存装置的处理液的加压搬送进行控制,
在所述处理液供给管上从上游侧起依次设置有所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵,
所述泵具有贮存处理液的贮存室,
在所述处理液供给管,在所述暂时贮存装置与所述过滤器之间具有一个阀,在所述泵与所述过滤器之间具有另一个阀,
所述控制装置在从所述暂时贮存装置向所述泵的贮存室补充被所述过滤器去除异物后的处理液时,在打开了所述一个阀并关闭了所述另一个阀的状态下,控制来自所述暂时贮存装置的处理液的压力,以使由所述压力测定装置测定出的所述过滤器的次级侧的压力成为规定的值,之后,在关闭了所述一个阀并打开了所述另一个阀的状态下,控制所述贮存室内的压力,以使由所述压力测定装置测定出的所述过滤器的次级侧的压力成为所述规定的值,之后在打开了所述一个阀和所述另一个阀的状态下开始进行所述补充。
2.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述压力测定装置测定所述过滤器的次级侧的液压,
所述控制装置控制所述加压搬送时的液压,以使所述过滤器的次级侧的液压固定。
3.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述压力测定装置测定所述过滤器的次级侧的液压,
在所述过滤器的次级侧的液压处于规定范围内的情况下,所述控制装置向所述暂时贮存装置施加规定的压力来对处理液进行加压搬送。
4.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述压力测定装置测定所述过滤器的初级侧的液压,
所述控制装置控制所述加压搬送时的液压,以使所述过滤器的初级侧的液压固定。
5.根据权利要求1~4中的任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,
具备多个包括所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵的组,
所述电空调节器是针对所述暂时贮存装置分别设置的,用于对该暂时贮存装置的贮存处理液的贮存室内的液压进行调整。
6.根据权利要求1~4中的任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述暂时贮存装置是隔膜泵。
7.根据权利要求1所述的处理液供给装置,其特征在于,
具备多个包括所述暂时贮存装置、所述过滤器以及所述泵的组,
所述暂时贮存装置分别独立地具有用于贮存处理液的贮存装置和用于对该贮存装置内的处理液进行加压搬送的另外的泵,
针对所述暂时贮存装置的所述另外的泵设置有对该另外的泵的用于贮存处理液的贮存室内的液压进行调整的共用的电空调节器,
利用所述共用的电空调节器对从所述暂时贮存装置加压搬送处理液时的液压进行控制。
8.根据权利要求7所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述另外的泵是隔膜泵。
9.根据权利要求1~4中的任一项所述的处理液供给装置,其特征在于,
所述泵在将被所述过滤器去除异物后的处理液向所述处理液喷出部送出时,以使该处理液再次通过所述过滤器内的方式送出该处理液。
CN201710805006.XA 2016-09-08 2017-09-08 处理液供给装置 Active CN107808833B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-175234 2016-09-08
JP2016175234 2016-09-08
JP2017057117A JP6942497B2 (ja) 2016-09-08 2017-03-23 処理液供給装置
JP2017-057117 2017-03-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN107808833A CN107808833A (zh) 2018-03-16
CN107808833B true CN107808833B (zh) 2023-09-15

Family

ID=61282337

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710805006.XA Active CN107808833B (zh) 2016-09-08 2017-09-08 处理液供给装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US10518199B2 (zh)
CN (1) CN107808833B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170133694A (ko) * 2016-05-26 2017-12-06 세메스 주식회사 유체 공급 유닛, 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
CN106423755B (zh) * 2016-11-22 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 涂布设备、利用其回收涂布液的方法及其清洁方法
CN110465126A (zh) * 2018-05-11 2019-11-19 台湾积体电路制造股份有限公司 过滤装置以及过滤方法
CN108816678B (zh) * 2018-08-09 2020-06-16 京东方科技集团股份有限公司 涂布液供给装置及操作方法、涂布机、隔垫物的制作方法
KR20210010355A (ko) * 2019-07-19 2021-01-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 장치, 제어 방법, 및 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102605999B1 (ko) * 2021-03-17 2023-11-23 세메스 주식회사 처리액 제공 유닛 및 이를 구비하는 기판 처리 장치
KR20230051888A (ko) 2021-10-12 2023-04-19 삼성전자주식회사 감광액 공급 시스템 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
CN115729058A (zh) * 2022-11-14 2023-03-03 上海图双精密装备有限公司 一种用于涂胶显影设备的全自动供液系统

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004344695A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Dainippon Printing Co Ltd 塗布ノズルへの液供給装置
CN1691282A (zh) * 2004-04-26 2005-11-02 株式会社小金井 弹性罐及使用该弹性罐的化学液体供应装置
CN203830005U (zh) * 2014-03-24 2014-09-17 四川达兴能源股份有限公司 一种氮气供给系统
CN104137225A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
CN104511395A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 斯克林集团公司 涂布装置及涂布方法
CN105575854A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 细美事有限公司 基板处理装置
CN207381371U (zh) * 2016-09-08 2018-05-18 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69814710T2 (de) * 1997-03-03 2004-03-18 Tokyo Electron Ltd. Beschichtungs-Vorrichtung und Verfahren
KR100980704B1 (ko) * 2008-09-10 2010-09-08 세메스 주식회사 포토레지스트 공급 장치 및 방법
JP5999073B2 (ja) * 2013-11-20 2016-09-28 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004344695A (ja) * 2003-05-20 2004-12-09 Dainippon Printing Co Ltd 塗布ノズルへの液供給装置
CN1691282A (zh) * 2004-04-26 2005-11-02 株式会社小金井 弹性罐及使用该弹性罐的化学液体供应装置
CN104137225A (zh) * 2012-02-27 2014-11-05 东京毅力科创株式会社 液体处理装置和液体处理方法
CN104511395A (zh) * 2013-09-27 2015-04-15 斯克林集团公司 涂布装置及涂布方法
CN203830005U (zh) * 2014-03-24 2014-09-17 四川达兴能源股份有限公司 一种氮气供给系统
CN105575854A (zh) * 2014-10-31 2016-05-11 细美事有限公司 基板处理装置
CN207381371U (zh) * 2016-09-08 2018-05-18 东京毅力科创株式会社 处理液供给装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10518199B2 (en) 2019-12-31
US20180065065A1 (en) 2018-03-08
CN107808833A (zh) 2018-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107808833B (zh) 处理液供给装置
KR102408661B1 (ko) 처리액 공급 장치
US9975073B2 (en) Processing liquid supply method, processing liquid supply apparatus and storage medium
US10036379B2 (en) Processing liquid supplying apparatus, processing liquid supplying method and storage medium
KR101487364B1 (ko) 처리액 공급 장치
CN209766372U (zh) 处理液供给装置
CN111433888B (zh) 液供给装置和液供给方法
US9778571B2 (en) Processing liquid supplying apparatus, processing liquid supplying method and storage medium
JP6607820B2 (ja) フィルタ立ち上げ装置、処理液供給装置、治具ユニット、フィルタの立ち上げ方法
US20150096441A1 (en) Bubble removing method, bubble removing apparatus, degassing apparatus, and computer-readable recording medium
CN109482381B (zh) 处理液供给装置以及基板处理系统
JP4553256B2 (ja) 基板処理システム及びその制御方法
JP3561438B2 (ja) 処理液供給システム、これを用いた処理装置、および処理液供給方法
CN221125897U (zh) 基板处理装置
US20240094644A1 (en) Substrate treatment apparatus and treatment solution supply method
JP2024044994A (ja) 基板処理装置及び処理液供給方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant