JP2007250678A - 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 - Google Patents

熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と、基板を冷却するヒートパイプの埋設された冷却プレートとを備えた熱処理装置において、熱処理装置のメンテナンスや交換作業を容易とする技術を提供すること。
【解決手段】熱処理装置の内部に、ヒートパイプを冷却するための水冷室と、冷却液を冷却するための放熱手段の設けられた冷却液の循環流路と、循環流路を介して水冷室内を冷却液が循環するように設けられた循環ポンプとを備えるようにして、冷却液の循環流路に冷却液の放熱のための放熱フィンを設けて、この放熱フィンに熱処理装置内の排気流を吹き付けるようにする。
【選択図】図1

Description

本発明は、塗布液が塗布された例えば半導体ウェハ等の基板を加熱処理する熱板と、加熱処理後の基板を搬送する冷却プレートとを備えた熱処理装置及び加熱方法に関する。
半導体ウェハ(以下ウェハという)やLCD(液晶ディスプレイ)用のガラス基板等の基板に対してレジストパターンを形成する装置として、基板に対してレジストを塗布し、露光後の基板を現像する塗布、現像装置が用いられている。この装置内には、ベーク装置などと呼ばれている熱処理装置が組み込まれており、例えばレジスト液を塗布した基板を加熱する装置にあっては、レジスト液中の溶剤を乾燥させる役割を果たしている。
この熱処理装置100の構成の一例を図13に示した。熱処理装置100は床板101に仕切られた上部室102と下部室103とに区画されており、上部室102には冷却プレート104及び熱処理部105が設置され、下部室103にはウェハの昇降機構106、107が設置されている。冷却プレート104は図示しない駆動機構によって、図に示した位置(ホーム位置)と熱処理部105に設けられた熱板108の上方位置との間を移動可能となっている。つまり、図示しない搬送機構により搬送口109から上部室102内へ搬送された基板例えばウェハは、昇降機構106によってホーム位置の冷却プレート104上に載置されると、冷却プレート104によって熱板108の上方位置に移動して、昇降機構107を介して熱板108上へ載置される。次いで冷却プレート104がホーム位置に戻された後、ウェハは、この熱板108上で所定の熱処理を施される。また、この熱処理時には、上蓋110に接続されたガス供給管111及び排気管112を介してガス供給部113及び排気室114によって、ウェハに対してガスの供給と揮発物質等の排気とが行われる。そして冷却プレート104は熱板108の上方位置に移動して、昇降機構107を介してウェハを熱板108から受け取ってホーム位置に戻ると共に、ウェハの粗冷却を行う。
この熱処理装置100が塗布、現像装置に組み込まれている場合、ウェハはこの後図示しない搬送機構によって、上部室102から高精度温調用の冷却プレートに搬送されて高精度に温度調整される。前述のように熱処理装置100内に設けられた冷却プレート104により粗冷却することによって、高精度温調用の冷却プレートにおいて冷却に必要な時間が短縮されるため、塗布、現像装置に必要な高精度温調用の冷却プレートの枚数を削減することができ、塗布、現像装置の小型化につながる。
一方従来の熱処理装置においては、冷却プレートの内部または下部に冷却配管を設けて、その中に冷却液を通流させることで冷却プレート上に載置されたウェハの粗冷却を行っていたが、このような構成とすると冷却プレートの構造が複雑化して熱処理装置が大型化するという問題があった。
この問題及び近年における熱処理装置全体の構造の簡素化を図る流れから、例えば特許文献1には冷却プレート内に冷却配管を設ける代わりにヒートパイプを設けて、このヒートパイプを介して冷却プレートを冷却する技術が記載されている。この冷却プレートの内部にはヒートパイプが複数本埋設されており、このヒートパイプは冷却プレート上に載置されたウェハの熱を奪い、その熱を、冷却プレートに隣設された熱交換部内に通流する冷却水などの冷却媒体へ排出するように構成されている。冷却媒体は冷却媒体源から供給管を介して熱交換部へ供給され、この熱交換部においてヒートパイプから熱を奪い、その後排水管を介して排水口へ排出される。
このような冷却プレートや熱処理装置のメンテナンスあるいは交換を行う場合、上述の塗布、現像装置から熱処理装置一式を取り外す必要があり、そのためには前述の冷却プレートから供給管と排水管とを取り外さなければならなかった。その時、熱交換部内には冷却媒体が残っているため、冷却プレートから供給管と排水管とを取り外す際にその冷却媒体が流れ落ちて、塗布、現像装置の電気系統のトラブルやウェハのパーティクルの原因となっていた。そのため、冷却プレートから供給管と排水管とを取り外す場合には配管内にガスを供給して、配管内の冷却媒体を全て排出するようにしており、手間のかかる作業となっていた。
特開2001−230172
本発明はこのような事情の下になされたものであり、その目的はヒートパイプの埋設された冷却プレートを備えた熱処理装置において、熱処理装置のメンテナンスや交換作業を容易とする技術を提供することであり、更には熱処理装置の小型化及び簡略化を可能とする技術を提供することにある。
本発明の熱処理装置は、
熱処理装置内に、塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
冷却プレートは外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板との間で基板の受け渡しが行われる熱板の上方位置との間を駆動機構により移動する熱処理装置において、
前記冷却プレートに設けられたヒートパイプと、
前記駆動機構により冷却プレートと共に移動し、前記ヒートパイプの一端側を冷却するための冷却液が収容されている水冷室と、
この水冷室内の冷却液を循環するために熱処理装置内に引き回された循環流路と、
前記冷却液を循環流路に循環させるための循環ポンプと、
前記循環流路に設けられ、前記水冷室にて受熱した熱を熱処理装置の外に放熱するための放熱手段と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明の熱処理装置は、
一端が水冷室内に浸漬され、他端が前記ヒートパイプからの熱を受け取るために当該ヒートパイプの一端の近傍に配置された伝熱用ヒートパイプが設けられていることを特徴とする。
更に本発明の熱処理装置は、
熱板の上方雰囲気を熱処理装置の外に排気するための排気ファンが設けられ、
前記放熱手段は放熱フィンを備え、前記排気ファンはこの放熱フィンに排気流を吹き付けることにより前記放熱手段の一部を兼用していることを特徴とする。
前記駆動機構は、前記循環ポンプの駆動源を兼用しており、冷却液は冷却プレートの移動時に循環されることを特徴とする。
本発明の熱処理方法は、
塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と基板を冷却する冷却プレートとが設けられた熱処理装置により基板を熱処理する方法において、
熱板により基板を加熱処理する工程と、
熱板と基板との間に冷却プレートを進入させ、加熱処理された基板を冷却プレート上に載置する工程と、
次いで冷却プレートを駆動機構により熱板に隣接する領域に退避させる工程と、
その後、冷却プレート上の基板を外部の搬送機構に受け渡す工程と、
冷却プレートの熱を、冷却プレートと共に移動しかつ冷却液が収容されている水冷室に、当該冷却プレートに設けられたヒートパイプを介して放熱する工程と、
水冷室内の冷却液を、熱処理装置内に引き回された循環流路を循環ポンプにより循環させる工程と、
前記水冷室にて冷却液に伝熱された熱を、前記循環流路に設けられた放熱手段により、熱処理装置の外に放熱する工程と、を含むことを特徴とする。
また、本発明の熱処理方法は、
冷却プレートの熱をヒートパイプを介して水冷室に放熱する工程は、一端が水冷室内に浸漬され、他端が前記ヒートパイプからの熱を受け取るために当該ヒートパイプの一端の近傍に配置された伝熱用ヒートパイプを伝熱する工程を含むことを特徴とする。
更に本発明の熱処理方法は、
熱板の上方雰囲気を排気ファンにより熱処理装置の外に排気する工程と、
前記排気ファンからの排気流を前記放熱手段に設けられた放熱フィンに吹き付ける工程と、を含むことを特徴とする。
冷却液を循環ポンプにより循環する工程は、冷却プレートの移動時に前記駆動機構により循環ポンプを駆動することにより行われることを特徴とする。
本発明の記憶媒体は、
塗布液が塗布された基板を加熱処理した後冷却する熱処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、熱処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
本発明は、ヒートパイプの埋設された冷却プレートを冷却液によって冷却するにあたり、熱処理装置の内部に、ヒートパイプを冷却するための水冷室と、冷却液を冷却するための放熱手段の設けられた冷却液の循環流路と、循環流路を介して水冷室内を冷却液が循環するように設けられた循環ポンプとを備えたことにより、熱処理装置の外部からの冷却液の配管が無くなるため、熱処理装置を塗布、現像装置等の設置場所に対して着脱するときに、冷却液の配管の着脱作業が不要になり、また熱処理装置を設置場所から取り外す際には、冷却液が漏出するといったトラブルも無いことから、熱処理装置のメンテナンスや交換作業が容易になる。
更に、冷却液の放熱手段として冷却液の循環流路に放熱フィンを設けて、排気ファンによる熱処理装置内部の排気流をこの放熱フィンに吹き付ける構成とすることにより、放熱フィン用の送風装置を別途設置する必要が無いため部品数を少なくすることができ、熱処理装置の小型化及び簡略化が可能である。
以下に本発明に係る加熱方法を実施する熱処理装置2の実施の形態の一例として、例えば塗布液としてレジスト液が表面に塗布された基板である半導体ウェハ(以下ウェハと略す)Wを加熱処理して、当該ウェハW表面にレジスト膜を形成する熱処理装置2について図1、図2を用いて説明する。
尚熱処理装置2は、後述の塗布、現像装置内に設置される棚に対して着脱可能に設けられ、棚の中に多段に積層されることになる。そして熱処理装置2が棚から外された状態では、筐体20の上面と両側面とは存在せず、熱処理装置2が棚に装着された時に、棚に設けられた水平な仕切り板(あるいは天板)と棚の両側面とが各々この明細書に記載した筐体20の上面及び両側面に相当するものとなる。この実施の形態では熱処理装置2が棚内に装着された状態に基づいて説明しているため、「筐体」という用語を使用する。
熱処理装置2は処理容器である筐体20を備えており、この筐体20は床板22によって上方領域20Aと下方領域20Bとに区画されている。この上方領域20Aの側壁にはウェハWの搬送口21が形成されており、この搬送口21側を手前側とすると、手前側には冷却機構3が設置され、奥側には加熱部4が設置されている。上方領域20Aは冷却機構3及び加熱部4によってウェハWの移動及び熱処理が行われる領域となっている。下方領域20Bは冷却機構3及び加熱部4の可動部と排気ファン87とが収納される領域となっており、床板22の奥側には排気ファン87によって上方領域20Aの排気を行うための排気室86が設けられている。この排気室86は、筐体20の幅方向(Y方向)に亘ってウェハWの直径よりも長く伸びる角筒体により構成されている。この排気室86の上面には、当該排気室86の長さ方向に沿って複数の小孔からなる排気孔86aが配列されていて、上方領域20Aの雰囲気がこれら排気孔86aを介して排気室86内に吸引排気されるようになっている。また、床板22には冷却機構3が手前側から奥側(図中X方向)へ向けて移動するための開口部31aが設けられている。
ここで前記冷却機構3について図3〜図5を参照して説明する。冷却機構3は連結ブラケット31、冷却プレート33、水冷室35及び台座39により構成されており、後述する熱板53及び熱処理装置2の外に設けられた図示しない搬送機構との間でウェハWの受け渡しを行う役割及びウェハWを冷却する役割を有している。台座39にはレールブラケット27、ボールネジ機構37及びこのボールネジ機構37を駆動するモーター37aが設けられており、冷却機構3はこのボールネジ機構37によって図中X方向に伸長したガイドレール23に沿って前記開口部31a内をX軸方向に移動自在に構成されている。
冷却プレート33は例えばアルミニウムからなる例えば4mm程度の厚さの概略円形板状であり、ウェハWと略同じ大きさの直径を有している。冷却プレート33には熱板53及び図示しない搬送機構との間でウェハWを受け渡すために、切り欠き34及びスリット36a、36bが形成されている。また図2に示すように冷却プレート33にはヒートパイプ38が例えば葉脈状に伸長するように埋め込まれ、ヒートパイプ38の一端は連結ブラケット31の内部を介して水冷室35の上方に形成されている。連結ブラケット31は例えば熱伝導性のよい銅やアルミからなり、その内部に埋設されたヒートパイプ38の伝熱性を高めている。
ここで図6(a)を用いてヒートパイプ38について説明すると、このヒートパイプ38は、蒸発、凝縮による潜熱の吸収、放出を利用した熱輸送を行う伝熱素子であり、例えばアルミニウム、ステンレスまたは銅等からなる金属製の管体301の内壁に、多孔質体302を貼設して構成されている。前記多孔質体302は後述する毛細管現象を得るためのものであって、例えば金属細線が編まれた金網や金属フェルト等よりなる。この管体301の両端は塞がれており、内部は減圧されて例えばナトリウムやナフタレン等よりなる揮発性の液体(作動流体)が少量封入されている。
このようなヒートパイプ38では、一端側(蒸発部303)が加熱されると作動流体が蒸発し(蒸発潜熱による熱の吸収)、蒸気流となって僅かな圧力差で管体301の内部を他端側の凝縮部304(低温部)へ高速移動し、ここで前記蒸気流は管体301の壁面によって冷却されて凝縮する。この際凝縮潜熱により熱を放出するので、凝縮部304に熱が輸送される。そして凝縮液は多孔質体302を通って毛細管現象により蒸発部303へ還流され、再び蒸発→移動→凝縮のサイクルを繰り返して、熱が連続的にヒートパイプ38の一端側から他端側へ輸送されるようになっており、ヒートパイプ38の周囲の温度勾配を速やかに小さくする働きを持っている。
このように図6(a)に示したヒートパイプ38は、一端側に近接する、冷却プレート33上に載置されたウェハWと、他端側に近接する水冷室35とを熱的に接続して、両者間の温度差を小さくするように設けられている。つまり冷却プレート33上に載置された加熱処理後の温度の高いウェハWは、冷却プレート33及び連結ブラケット31の内部に埋設されたヒートパイプ38を介して温度の低い水冷室35によって速やかに冷却されることとなる。ヒートパイプ38は冷却プレート33内に均等に埋設されているため、ウェハWを全面に亘って均等に冷却することができる。
尚、ここでヒートパイプ38は必ずしも一般的な円筒状のパイプに限られず、幅広の空洞部を備えたものなどでも構わず、冷却プレート33の内部の全面に形成されていても良い。またヒートパイプ38の他端は連結ブラケット31からさらに水冷室35へ伸長し、水冷室35に接するように設けられていてもよい。即ちヒートパイプ38の他端側が水冷室35により直接あるいは間接的に冷却される構成であればよい。
一方水冷室35の内部には、図5に示すように板状の伝熱用ヒートパイプ70が垂直に設けられており、その上端は水冷室35の筐体35aの天井部の上面と同一面をなし、前述の連結ブラケット31の外壁と接触して連結ブラケット31内に埋設されたヒートパイプ38の端部に近接するように構成されている。また、この伝熱用ヒートパイプ70の下方は水冷室35内に浸漬されて、冷却液と接触するように構成されている。伝熱用ヒートパイプ70の側面には、伝熱用ヒートパイプ70の熱を速やかに冷却液中に放熱するため、板状の例えばアルミニウムよりなる放熱板71が各々水平に複数段例えば10段接続されている。
筐体35aは気密に保持され、冷却媒体として例えば冷却液が逆止弁72aを介して供給管73から流入し、逆止弁72bを介して排出管74へ排出されるように構成されている。排出管74に排出された冷却液は、排出管74から加熱部4の奥側に引き回された循環流路79を介して供給管73に戻される。冷却液を循環させるため、熱処理装置2内には循環ポンプ37bが設置されており、この例ではボールネジ機構37を駆動するモーター37aの回転に伴って動作する機構となっている。このため水冷室35内の冷却液は冷却機構3の移動時にその全量あるいは一部分が置換されるように構成されている。つまり、この例では冷却機構3が図2中X方向手前側へ移動するときに水冷室35内の冷却液が置換され、それ以外の時、つまり冷却機構3が停止している時及び冷却機構3が図2中X方向奥側へ移動する時は、逆止弁72a及び72bによって水冷室35内の冷却液が供給管73へ逆流しないように構成されている。尚、
伝熱用ヒートパイプ70は上述のヒートパイプ38と同様に周囲の温度勾配を速やかに小さくする働きを持っており、この場合は伝熱用ヒートパイプ70の上方に近接するヒートパイプ38の端部から伝えられる熱を下方の水冷室35内に拡散することができる。つまり、伝熱用ヒートパイプ70を上述の放熱板71及び水冷室35内を通流する冷却液により冷却することによって、ヒートパイプ38の端部を速やかに冷却することができる。
ここでこの伝熱用ヒートパイプ70は図6(b)に示すように、直方体状の筐体75を有しており、上部が蒸発部76、下部が凝縮部77となるように筐体75の内壁全面に多孔質体78が貼設されている以外は上述のヒートパイプ38と同様の働きをするように構成されている。即ち、この伝熱用ヒートパイプ70においては、上部で蒸発した作動流体は僅かな圧力差によって下方へ移動すると共に筐体75に冷却されて凝縮して、その後多孔質体78を伝わり上部へと還流され、再び蒸発する。
この例では上述のヒートパイプ38の端部は水冷室35の上方における右側に位置して伝熱用ヒートパイプ70に近接しているが、これに限られず水冷室35の上方における左側に位置するようにして伝熱用ヒートパイプ70だけでなく水冷室35の筐体35aによって冷却されるようにしてもよい。
伝熱用ヒートパイプ70の数は一枚に限られず、ヒートパイプ38を冷却するように複数枚設置されていてもよい。また、伝熱用ヒートパイプ70の形状は板形状に限られず、例えば円筒状のヒートパイプを複数本備えていてもよい。この例では伝熱用ヒートパイプ70を垂直に設けたが、水冷室35内の上部に水平に設けて、伝熱用ヒートパイプ70の上面がヒートパイプ38の一端に近接し、下面が冷却液と接触するようにしても良い。また、その場合更に伝熱用ヒートパイプ70の下面に放熱板71を複数枚設けるようにしても構わない。つまり、伝熱用ヒートパイプ70の一端がヒートパイプ38の一端に近接して、伝熱用ヒートパイプ70の他端が水冷室35によって冷却される構成であれば構わない。
ところで冷却プレート33との間でウェハWを受け渡す搬送機構は、例えば図7に示すような水平な馬蹄形状の搬送アーム41と搬送アーム41を支持する搬送基体42とを有している。搬送アーム41の内周の直径は冷却プレート33の直径よりも若干大きく形成されており、この内周面における下部には中心へ向かう4つの突片44が設けられ、図7(b)に示すように突片44上にウェハWが保持される。ウェハWと搬送基体42との間には空隙45が形成されており、冷却プレート33に対してウェハWを受け渡す際、搬送基体42が水冷室35等に接触しないように構成されている。ただし、同図では簡便のため空隙45の寸法を小さく記載してある。搬送アーム41は図示しない駆動機構により搬送基体42を介して昇降可能かつ進退自在に構成され、冷却機構3にウェハWを載置する際には前記搬送口21を介して筐体20内に進入する。冷却プレート33の外周の切り欠き34は、夫々搬送アーム41の突片44と対応する位置に設けられており、搬送アーム41が図7(a)に示すように冷却プレート33に対し上方から覆い被さるように下降することで搬送アーム41が冷却プレート33の下方側に通過し、搬送アーム41上のウェハWが冷却プレート33上に載置される。その後搬送アーム41は、前方の切り欠き部43が連結ブラケット31を通り抜けるように手前側に後退して筐体20内から退去する。
次に加熱部4について説明する。加熱部4は図1に示すように既述のガス吐出部85と排気室86との間に設けられている。床板22には円形状の孔が設けられ、この孔には支柱51によって支持された偏平な円筒状の断熱体である熱板サポート部材5が埋め込まれている。熱板サポート部材5の上部にはウェハWの裏面を支持する突起部55の形成された熱板53が埋設されており、この熱板53はウェハW以上の大きさを有している。熱板53の下面にはウェハWの加熱手段として、大きさの異なるリング状のヒータ53aが同心円状に設けられており、例えば熱板53の下面に設けられた図示しない複数の感温センサからの後述する制御部10への出力に基づき、図示しない電力供給部を介してヒータ53aの発熱量が制御される。熱板サポート部材5は熱板53の放熱を抑え、熱板53を加熱するための消費電力を抑える役割を持っている。熱板サポート部材5及び熱板53には中央部に複数の孔54が穿孔されており、これらの孔54を介して熱板サポート部材5の下方に設けられた駆動機構26に接続されている支持ピン26aが鉛直方向に昇降し、熱板53と冷却プレート33との間でウェハWの受け渡しを行うことができる。
熱板サポート部材5の上方には、支持部84によって排気室86の上面に固定された天板83が設けられ、熱板53と天板83との間を手前側から奥側へ通流するガスの流れを整流するように構成されている。下方領域20Bに臨む排気室86の前面側の幅方向中央部には開口部86bが形成されると共に、当該排気室86における開口部86bに対向する背面側にも開口部86cが形成されている。排気室86はこの開口部86cを介して、排気ファン87が収容された筐体88内に連通しており、排気ファン87の背面側(排気ファン87の吹き出し口側)には、後述の放熱フィン64を介して、当該吹き出し口と略同じ大きさの排気ダクト63が対向している。この排気ダクト63には、排気管89の一端側が接続され、この排気管89の他端側は、筐体20の壁面を貫いて筐体20の外に設けられた例えば図示しない工場排気路に接続されている。上方領域20Aを通流するガスは、排気ファン87により排気室86を介して排気ダクト63から筐体20の外部へと排気されるようになっている。また、開口部86bから下方領域20B内を通流するガスが排気ファン87により吸引され、上方領域20Aのガスと同様に筐体20の外部へ排気される。このように気流を形成することによって、上方領域20AにおいてウェハW上に塗布されたレジスト液の溶剤の蒸気と、レジスト成分の一部が蒸発することにより発生した蒸発成分とが排気ファン87により吸引され、また下方領域20Bにおいては駆動機構26及びボールネジ機構37から発生したパーティクルが下方領域20Bを流れる気流と共に排気ファン87によって吸引され、排気ダクト63から筐体20の外部へ排気される。
前述のガス吐出部85のY軸方向中央部にはガス供給路24が接続されており、このガス供給路24は筐体20の壁面を貫いて筐体20の外に設けられたガス供給源57aに接続されている。ガス供給源57aにはクリーンなパージ用ガス例えば窒素ガスなどの不活性ガスが貯留されており、ガス供給路24及びガス吐出部85を介してガス供給源57aから加熱部4にパージ用ガスが供給されると、加熱された熱板53やウェハWを冷却することができる。このパージ用ガスは、排気室86を介して排気ファン87によって筐体20の外部に排出される。
一方、図8に示すように、排気ファン87と排気ダクト63との間には放熱手段である放熱フィン64が前述の冷却液の循環流路79内に介設されており、水冷室35から排出管74を介して排出された冷却液は、この例えばアルミニウムよりなる蛇腹状の放熱フィン64内を通流することにより、排気ファン87から吹き付けられる排気ガスによって冷却された後、供給管73を介して水冷室35に戻される。尚、この放熱フィン64は図示しない筐体に覆われており、排気ファン87から放熱フィン64に吹き付けられるガスの全量が排気ダクト63から筐体20の外部へ排出される。
制御部10は、例えばコンピュータからなるプログラム格納部を有しており、プログラム格納部には後述するような熱処理装置2の作用であるウェハWの冷却、ウェハWの受け渡し及びウェハWの加熱などが実施されるように命令が組まれた例えばソフトウェアからなるプログラムが格納される。そして当該プログラムが制御部10に読み出されることにより制御部10は後述する熱処理装置2の作用を制御する。尚このプログラムは、例えばハードディスク、コンパクトディスク、マグネットオプティカルディスクまたはメモリーカードなどの記録媒体に収納された状態でプログラム格納部に格納される。
次に熱処理装置2を用いた本発明の実施の形態である熱処理方法について説明する。既述の搬送アーム41を有するウェハWの搬送機構により、表面にレジスト液が塗布されたウェハWが搬送口21を介して筐体20内に搬入され、既述のように冷却プレート33上に載置されると、搬送アーム41は筐体20内から退去する。一方熱板53の表面はヒータ53aにより予め設定された温度例えば130℃に加熱されている。
ウェハWを保持した冷却プレート33が熱板53上に移動すると、支持ピン26aが上昇し、冷却プレート33に載置されたウェハWの裏面を支持する。そして冷却機構3がホーム位置(図1の左端位置)に後退すると共に支持ピン26aが下降し、熱板53の突起部55上にウェハWが載置され加熱される。
また、筐体20内は排気室86を介して排気ファン87により排気されており、天板83と熱板53とにより気流が規制整流されることでウェハWの手前側から奥側へ向かう気流が形成される。このためウェハWに塗布されたレジスト液は熱板53の熱により溶剤が蒸発すると共にレジスト成分の一部が蒸発し、これら溶剤蒸気と蒸発成分とが前記気流に乗って排気ダクト63に吸い込まれる。また下方領域20B内における冷却機構3または加熱部4の可動部から発生したパーティクルは、この下方領域20Bを手前側から奥側へ向かう気流と共に排気ダクト63に吸い込まれる。
次いで、予め設定された時間ウェハWの加熱を行った後、支持ピン26aが上昇してウェハWを支持する。この時既述のとおりガス吐出部85を介してガス供給源57aからパージガスとしてN2が供給され、ウェハW及び熱板53の冷却が行われるようにしても良い。
続いて冷却機構3がホーム位置から再び熱板53上へ移動して、ウェハWは冷却プレート33上に載置される。次いで冷却機構3がホーム位置に戻される。ウェハWが冷却プレート33上に載置されると、ウェハWの熱が冷却プレート33に伝熱され、冷却プレート33は蓄熱されて昇温する。この熱は既述の通り冷却プレート33内に埋設されたヒートパイプ38、伝熱用ヒートパイプ70及び放熱板71を介して水冷室35内に伝わり、冷却液中に拡散する。そしてウェハWの搬送機構が後述のように搬送スケジュールに従って当該ウェハWを取りにくるが、そのときまでに冷却プレート33によってウェハWの粗熱取りが行われることになる。
搬送機構の搬送アーム41は冷却プレート33上のウェハWを下方からすくい上げるようにして受け取り、当該ウェハWを筐体20の外へ搬送する。然る後、搬送機構によって後続のウェハWがこの熱処理装置2に搬送されるがこの後続のウェハWにも同様に加熱処理が行われる。
一方ウェハWの熱によって温度の上昇した冷却液は、既述の通り、冷却機構3が奥側から手前側へ移動する際、ボールネジ機構37の駆動により循環ポンプ37bが作動して排出管74から循環流路79に排出され、供給管73を介して水冷室35に戻される。この時放熱フィン64は、筐体20内を排気するために設けられた排気ファン87による排気流が吹き付けられることによって冷却されて、放熱フィン64内を通流する冷却液の熱を奪う。
本発明の熱処理装置2によれば、冷却液を循環させる循環流路79及び循環ポンプ37bを熱処理装置2内に設けて、更に循環流路79に冷却液の熱を放熱する放熱手段を設けることで、熱処理装置2と外部との間における冷却液の配管が無くなり、この熱処理装置2を塗布、現像装置等の設置場所に対して着脱する時に、冷却液の配管の着脱作業が不要になり、また熱処理装置2を設置場所から取り外す際には、冷却液が漏出するといったトラブルも無いことから、熱処理装置2のメンテナンスや交換作業が容易になる。
この放熱手段として、熱処理装置2内の奥側に放熱フィン64を設けて、筐体20内を通流する排気を放熱フィン64に吹き付けるように排気ファン87及び排気室86を配置して放熱フィン64内を通流する冷却液を冷却するようにしたことで、冷却液の放熱を行うための機構を新たに設置する必要が無くなり熱処理装置2を小型化することができる。
また、上述の循環ポンプ37bは、冷却機構3が移動するための駆動源であるボールネジ機構37等のモーター37aを利用して動作するように構成したことによって、循環ポンプ37b用の電源や駆動部を別途設置する必要がなくなり、熱処理装置2を小型化することができる。
この時、ウェハWを冷却するために必要な冷却機構3を小型化するにあたって、変更可能なヒートパイプ38の長さ等の部材の大きさやガス流量等のプロセス条件などは種々考えられるが、例えば一般的な熱処理装置2において、冷却液として純水を用いた場合、純水の流量を0.8l/分以下、放熱フィン64へ吹き付ける排気ガスの流量を0.2m3/分以下の条件で500W/分の熱量を冷却することが可能であった。このため循環ポンプ37b及び排気ファン87をそのような小さい能力を持つ小型のものとすることによって、熱処理装置2を小型化することができる。ここで500W/分の熱量とは、例えば150℃まで加熱した直径300mmのウェハW1枚を30秒で23℃まで冷却する処理を行う程度の熱量である。
続いて既述した熱処理装置2を塗布、現像装置に適用した場合の一実施の形態について説明する。図9は、レジストパターン形成装置の平面図を示し、図10は同概略斜視図、図11は同概略側面図、図12はこのレジストパターン形成装置に設けられた搬送領域R1周辺の構造を示した斜視図である。この装置は、基板であるウェハWが例えば13枚密閉収納されたキャリア90を搬入出するためのキャリアブロックS1と、複数個例えば5個の単位ブロックB1〜B5を縦に配列して構成された処理ブロックS2と、インターフェイスブロックS3と、露光装置S4と、を備えている。
前記キャリアブロックS1には、前記キャリア90の載置台91と、壁面に設けられる開閉部92と、開閉部92を介してキャリア90からウェハWを取り出すためのトランスファーアームCとが設けられている。
前記キャリアブロックS1の奥側には、筐体93にて周囲を囲まれる処理ブロックS2が接続されている。処理ブロックS2は、この例では、下方側から下段側の2段が現像処理を行うための第1及び第2の単位ブロック(DEV層)B1、B2、レジスト膜の上層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第3の単位ブロック(TCT層)B3、レジスト液の塗布処理を行うための第4の単位ブロック(COT層)B4、レジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第5の単位ブロック(BCT層)B5として割り当てられている。
これら各単位ブロックB1〜B5は、ウェハWに対して薬液を塗布するための液処理ユニットと、前記液処理ユニットにて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種加熱・冷却系の処理ユニットと、これらの装置の加熱・冷却系の処理ユニットとの間でウェハWの受け渡しを行うための専用の搬送手段であるメインアームA1〜A5と、を備えている。
各層B1〜B5は略同様の構成であるため、図9に示すCOT層B4を例にして以下に説明すると、ウェハWの搬送領域R1の両側にはウェハWにレジストの塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた塗布ユニット94と加熱・冷却系のユニットを多段化した4個の棚ユニットU1,U2,U3,U4とが設けられており、各棚ユニットのU1〜U4は塗布ユニット94にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段、例えば2段に積層した構成とされている。
上述の前処理及び後処理を行うための各種ユニットの中には、例えばレジスト液の塗布前にウェハWを所定の温度に調整するための冷却ユニット(COL)、レジスト液の塗布後にウェハWの加熱処理を行うための例えばプリベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット(CHP)95、ウェハWのエッジ部のみを選択的に露光するための周縁露光装置(WEE)等が含まれている。この例では図1〜図9で説明した熱処理装置2はこの加熱ユニット95に相当する。また冷却ユニット(COL)や加熱ユニット(CHP)95等の各処理ユニットは、夫々処理容器96内に収納されており、棚ユニットU1〜U4は、前記処理容器96が2段に積層されて構成され、各処理容器96の搬送領域R1に臨む面にはウェハWを搬入出する搬送口97が形成されている。この例では加熱ユニット(CHP)95は棚ユニットU3として積層され、また棚ユニットU4に含まれている。
A4は、独立して駆動可能な2本のアームを備えたメインアームであり進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Y軸方向に移動自在に構成されている。なお図10中201,202は搬送アームであり、203は搬送基体である。204は搬送基体203を回転させる回転機構であり、205はY軸レール207に沿って移動自在且つ昇降レール208に沿って昇降自在に構成された台部である。また206は棚ユニットU1〜U4を支持する台部である。
また搬送領域R1のキャリアブロックS1と隣接する領域は、第1のウェハW受け渡し領域R2となっていて、この領域R2には、図9及び図11に示すように、トランスファーアームCとメインアームA4とがアクセスできる位置に棚ユニットU5が設けられると共に、この棚ユニットU5に対してウェハWの受け渡しを行うための第1の基板受け渡し手段をなす第1の受け渡しアームD1を備えている。
前記棚ユニットU5は、図11に示すように、各単位ブロックB1〜B5のメインアームA1〜A5との間でウェハWの受け渡しを行うように、この例では各単位ブロックB1〜B5は、1個以上例えば2個の第1の受け渡しステージTRS1〜TRS5を備えている。
さらに搬送領域R1のインターフェイスブロックS3と隣接する領域は、第2のウェハW受け渡し領域R3となっていて、この領域R3には、図9に示すように、メインアームA4がアクセスできる位置に棚ユニットU6が設けられると共に、この棚ユニットU6に対してウェハWの受け渡しを行うための第2の基板受け渡し手段をなす第2の受け渡しアームD2を備えている。
前記棚ユニットU6は、図11に示すように、各単位ブロックB1〜B5のメインアームA1〜A5との間でウェハWの受け渡しを行うように、第2の受け渡しステージTRS6〜TRS10を備えている。
他の単位ブロックについて、DEV層B1、B2は同様に構成され、ウェハWに対して現像処理を行うための複数個の現像部を備えた現像ユニットが設けられ、棚ユニットU1〜U4には、露光後のウェハWを加熱処理するポストエクスポージャーベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット(PEB)や、この加熱ユニット(PEB)における処理の後にウェハWを所定温度に調整するための冷却ユニット(COL)、現像処理後のウェハWを水分を飛ばすために加熱処理するポストベーキングユニットなどと呼ばれている加熱ユニット(POST)を備えている以外はCOT層B4と同様に構成されている。なおDEV層B1、B2に設けられたこれらの加熱ユニットはCOT層B4に設けられた加熱ユニット95と例えば同じ構成を有し、処理温度及び処理時間のみが異なるものとする。
またTCT層B3は、レジスト液を塗布する前にウェハWに反射防止膜用の薬液を塗布するための反射防止膜形成ユニットが設けられている。
一方、処理ブロックS2における棚ユニットU6の奥側には、インターフェイスブロックS3を介して露光装置S4が接続されている。インターフェイスブロックS3には、処理ブロックS2の棚ユニットU6と露光装置S4とに対してウェハWの受け渡しを行うためのインターフェイスアームBを備えており、第1〜第4の単位ブロックB1〜B4の第2の受け渡しステージTRS6〜TRS9に対してウェハWの受け渡しを行うように構成されている。
ここでこのレジストパターン形成装置におけるウェハWの流れについて、レジスト膜の上下に夫々反射防止膜を形成する場合を例にして説明する。先ず外部からキャリア90がキャリアブロックS1に搬入され、トランスファーアームCにより開閉部92を介してこのキャリア90内からウェハWが取り出される。ウェハWは、トランスファーアームCから、先ず第2の単位ブロックB2の棚ユニットU5の第1の受け渡しステージTRS2に受け渡され、次いでウェハWはBCT層B5にウェハWを受け渡すために、第1の受け渡しアームD1により第1の受け渡し部TRS5を介してBCT層B5のメインアームA5に受け渡される。そしてBCT層B5では、メインアームA5により、冷却ユニット(COL)→第1の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット(CHP)→棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS10の順序で搬送されて、第1の反射防止膜が形成される。
続いて第2の受け渡しステージTRS10のウェハWは第2の受け渡しアームD2により、COT層B4にウェハWを受け渡すために第2の受け渡しステージTRS9に搬送され、次いで当該COT層B4のメインアームA4に受け渡される。そしてCOT層B4では、メインアームA4により、冷却ユニット(COL)→塗布ユニット94→加熱ユニット(CHP)95→第1の受け渡しステージTRS4の順序で搬送されて、第1の反射防止膜の上にレジスト膜が形成される。
次いで受け渡しステージTRS4のウェハWは第1の受け渡しアームD1によ
り、TCT層B3にウェハWを受け渡すために第1の受け渡しステージTRS3に搬送され、当該TCT層B3のメインアームA3に受け渡される。そしてTCT層B3では、メインアームA3により、冷却ユニット(COL)→第2の反射防止膜形成ユニット→加熱ユニット(CHP)→周縁露光装置(WEE)→棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS8の順序で搬送されて、レジスト膜の上に第2の反射防止膜が形成される。
続いて第2の受け渡しステージTRS8のウェハWはインターフェイスアームBにより露光装置S4に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウェハWは、インターフェイスアームBにより、DEV層B1(DEV層B2)に渡されるために、棚ユニットU6の第2の受け渡しステージTRS6(TRS7)に搬送され、このステージTRS6(TRS7)上のウェハWは、DEV層B1(DEV層B2)のメインアームA1(メインアームA2)に受け取られ、当該DEV層B1(B2)にて、先ず加熱ユニット(PEB)→冷却ユニット(COL)→現像ユニット→加熱ユニット(POST)の順序で搬送され、所定の現像処理が行われる。こうして現像処理が行われたウェハWは、トランスファーアームCにウェハWを受け渡すために、第1の受け渡しステージTRS1(TRS2)に搬送され、トランスファーアームCにより、キャリアブロックS1に載置されている元のキャリア90に戻される。
このように本発明の熱処理装置2を塗布、現像装置に設けられる加熱ユニットとして適用することで、塗布、現像装置の小型化を図ることができる。
なお熱処理装置2は基板にレジスト膜を形成する塗布、現像装置以外にも例えば液体である絶縁膜の前駆体を基板に塗布して当該液体を加熱させることで基板に絶縁膜を形成する絶縁膜形成装置にも適用できる。
本発明の熱処理装置の一例を示す縦断側面図である。 前記熱処理装置の横断平面図である。 前記熱処理装置に設けられたウェハWの冷却機構の一例を示した縦断側面図である。 前記冷却機構の一例を示した説明図である。 前記冷却機構に設けられた水冷室の一例を示した説明図である。 前記冷却機構に設けられたヒートパイプの構造図である。 前記冷却機構に対してウェハWを受け渡す搬送機構の説明図である。 冷却液の循環流路に設けられた放熱フィンの一例を示す説明図である。 熱処置装置が適用された塗布、現像装置の平面図である。 前記塗布、現像装置を示す斜視図である。 前記塗布、現像装置を示す側部断面図である。 前記塗布、現像装置における塗布ユニットと棚ユニットと搬送手段とを示す斜視図である。 従来の熱処理装置を示す図である。
符号の説明
2 熱処理装置
3 冷却機構
4 加熱部
33 冷却プレート
35 水冷室
37b 循環ポンプ
38 ヒートパイプ
53 熱板
70 伝熱用ヒートパイプ
79 循環流路
86 排気室
87 排気ファン

Claims (9)

  1. 塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と基板を冷却する冷却プレートとが設けられ、
    冷却プレートは外部の搬送機構との間で基板の受け渡しが行われるホーム位置と、前記熱板との間で基板の受け渡しが行われる熱板の上方位置との間を駆動機構により移動する熱処理装置において、
    前記冷却プレートに設けられたヒートパイプと、
    前記駆動機構により冷却プレートと共に移動し、前記ヒートパイプの一端側を冷却するための冷却液が収容されている水冷室と、
    この水冷室内の冷却液を循環するために熱処理装置内に引き回された循環流路と、
    前記冷却液を循環流路に循環させるための循環ポンプと、
    前記循環流路に設けられ、前記水冷室にて受熱した熱を熱処理装置の外に放熱するための放熱手段と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
  2. 一端が水冷室内に浸漬され、他端が前記ヒートパイプからの熱を受け取るために当該ヒートパイプの一端の近傍に配置された伝熱用ヒートパイプが設けられていることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
  3. 熱板の上方雰囲気を熱処理装置の外に排気するための排気ファンが設けられ、
    前記放熱手段は放熱フィンを備え、前記排気ファンはこの放熱フィンに排気流を吹き付けることにより前記放熱手段の一部を兼用していることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
  4. 前記駆動機構は、前記循環ポンプの駆動源を兼用しており、冷却液は冷却プレートの移動時に循環されることを特徴とする請求項1に記載の熱処理装置。
  5. 塗布液が塗布された基板を加熱処理する熱板と基板を冷却する冷却プレートとが設けられた熱処理装置により基板を加熱処理する方法において、
    熱板により基板を加熱処理する工程と、
    熱板と基板との間に冷却プレートを進入させ、加熱処理された基板を冷却プレート上に載置する工程と、
    次いで冷却プレートを駆動機構により熱板に隣接する領域に退避させる工程と、
    その後、冷却プレート上の基板を外部の搬送機構に受け渡す工程と、
    冷却プレートの熱を、冷却プレートと共に移動しかつ冷却液が収容されている水冷室に、当該冷却プレートに設けられたヒートパイプを介して放熱する工程と、
    水冷室内の冷却液を、熱処理装置内に引き回された循環流路を循環ポンプにより循環させる工程と、
    前記水冷室にて冷却液に伝熱された熱を、前記循環流路に設けられた放熱手段により、熱処理装置の外に放熱する工程と、を含むことを特徴とする熱処理方法。
  6. 冷却プレートの熱をヒートパイプを介して水冷室に放熱する工程は、一端が水冷室内に浸漬され、他端が前記ヒートパイプからの熱を受け取るために当該ヒートパイプの一端の近傍に配置された伝熱用ヒートパイプを伝熱する工程を含むことを特徴とする請求項5に記載の熱処理方法。
  7. 熱板の上方雰囲気を排気ファンにより熱処理装置の外に排気する工程と、
    前記排気ファンからの排気流を前記放熱手段に設けられた放熱フィンに吹き付ける工程と、を含むことを特徴とする請求項5に記載の熱処理方法。
  8. 冷却液を循環ポンプにより循環する工程は、冷却プレートの移動時に前記駆動機構により循環ポンプを駆動することにより行われることを特徴とする請求項5に記載の熱処理方法。
  9. 塗布液が塗布された基板を加熱処理した後冷却する熱処理装置に用いられ、コンピュータ上で動作するコンピュータプログラムを格納した記憶媒体であって、
    前記コンピュータプログラムは、請求項5ないし8のいずれか一つに記載の熱処理方法を実施するようにステップが組まれていることを特徴とする記憶媒体。
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