JP2017507358A - 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリ - Google Patents

特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリ Download PDF

Info

Publication number
JP2017507358A
JP2017507358A JP2016553420A JP2016553420A JP2017507358A JP 2017507358 A JP2017507358 A JP 2017507358A JP 2016553420 A JP2016553420 A JP 2016553420A JP 2016553420 A JP2016553420 A JP 2016553420A JP 2017507358 A JP2017507358 A JP 2017507358A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
subassembly
refrigerant
subassembly according
temperature control
mirror
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2016553420A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2017507358A5 (ja
Inventor
シュベトナー ティルマン
シュベトナー ティルマン
フィゲレード ステーシー
フィゲレード ステーシー
Original Assignee
カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー filed Critical カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー
Publication of JP2017507358A publication Critical patent/JP2017507358A/ja
Publication of JP2017507358A5 publication Critical patent/JP2017507358A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28DHEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0241Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes the tubes being flexible
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F28HEAT EXCHANGE IN GENERAL
    • F28DHEAT-EXCHANGE APPARATUS, NOT PROVIDED FOR IN ANOTHER SUBCLASS, IN WHICH THE HEAT-EXCHANGE MEDIA DO NOT COME INTO DIRECT CONTACT
    • F28D15/00Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies
    • F28D15/02Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes
    • F28D15/0266Heat-exchange apparatus with the intermediate heat-transfer medium in closed tubes passing into or through the conduit walls ; Heat-exchange apparatus employing intermediate heat-transfer medium or bodies in which the medium condenses and evaporates, e.g. heat pipes with separate evaporating and condensing chambers connected by at least one conduit; Loop-type heat pipes; with multiple or common evaporating or condensing chambers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B7/00Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements
    • G02B7/18Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors
    • G02B7/181Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation
    • G02B7/1815Mountings, adjusting means, or light-tight connections, for optical elements for prisms; for mirrors with means for compensating for changes in temperature or for controlling the temperature; thermal stabilisation with cooling or heating systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Atmospheric Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、素子(10、20、30、40、50、60、70)と、当該素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスとを備え、当該温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、当該冷媒は、2相転移を行いながら管状部内で素子から又は素子へ輸送可能であり、加熱デバイス(15、25)が、冷媒を加熱することにより冷媒の輸送を遮断するために設けられるサブアセンブリに関する。

Description

[関連出願の相互参照]
本願は、2014年2月21日付けで出願された独国特許出願第10 2014 203 144.3号の優先権を主張する。当該出願の内容を、参照により本明細書に援用する。
本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリに関する。
マイクロリソグラフィは、例えば集積回路又はLCD等の微細構造コンポーネントの製造に用いられる。マイクロリソグラフィプロセスは、照明デバイス及び投影レンズを有するいわゆる投影露光装置で実行される。この場合、照明デバイスにより照明されたマスク(レチクル)を、投影レンズにより、感光層(フォトレジスト)で被覆されて投影レンズの像平面に配置された基板(例えばシリコンウェーハ)に投影することで、マスク構造を基板の感光コーティングに転写するようにする。
EUV領域、すなわち、例えば約13nm又は約7nmの波長用に設計した投影レンズでは、適当な光透過屈折材料(light-transmissive refractive materials)がないことにより、ミラーを結像プロセス用の光学コンポーネントとして用いる。
実際に生じる問題として、特にEUV光源が発した放射線の吸収の結果として、EUVミラーが加熱され、それに伴い熱膨張又は変形が生じ、これがさらに光学系の結像特性の低下という結果を招き得る。
EUV領域で動作するよう設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイスにおいて、視野ファセットミラー及び瞳ファセットミラーの形態のファセットミラーを集束コンポーネントとして特に用いることが、例えば特許文献1から知られている。このようなファセットミラーは、調整のため又は特定の照明角分布を実現するためにフレクシャによって傾斜可能であるようそれぞれ設計することができる複数の個別ミラー又はミラーファセットから構成される。これらのミラーファセットはさらに、複数のマイクロミラーを備えることができる。さらに、VUV領域の波長で動作するよう設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の照明デバイスに複数の相互に独立して調整可能なミラー素子を備えたミラー構成体を、規定の照明設定(すなわち、照明デバイスの瞳平面内の強度分布)を設定するために用いることも、例えば特許文献2から知られている。
特に、複数のミラー素子を備えたこのようなミラー構成体の場合、初めに述べた熱負荷の放散は、比較的限られた設置空間及び個々のミラー素子で生じる比較的高い熱負荷に主に起因して、厳しい課題となる。したがって、例えば柔軟に取り付けられた作動可能なミラー素子の熱負荷を除去する際、この熱除去が困難であると考えられる理由の1つには、高精度の位置決め又は作動に用いられるフレクシャ、例えば可撓性板ばねの比較的小さな断面が、周囲構造への比較的小さな放熱しか可能にしないことがある。
換言すれば、少なくとも1自由度で調整可能な(例えば、少なくとも1つの傾斜軸に関して傾斜可能な)ミラー素子を有するミラー構成体では、柔軟な調整性を光学系の動作時にミラー素子で生じる熱負荷の効果的な除去と組み合わせることは、厳しい課題を特に示すものである。通常の真空条件(及び場合によっては既存の不活性ガス雰囲気)の結果として対流の形態の熱放射の割合が通常はごく僅かなので、本質的に熱伝導プロセスしか上記熱負荷の除去に利用可能でないことにより、この問題は、マイクロリソグラフィ投影露光装置の動作においてさらに悪化する。
上述の熱除去のほかに、マイクロリソグラフィ投影露光装置の動作時には、1つ又は複数のミラー素子を周囲と比べて高い温度に設定することもできるように、具体的な温度制御を実施することも必要な可能性がある。これは、例えば、ミラー素子の光学有効面の領域における「ゼロ交差温度」として知られるものを設定するために望ましい場合がある。この「ゼロ交差温度」では、熱膨張率は、その温度依存性において、ミラー基板材料の熱膨張が全く又はごく僅かにしか起こらないようなゼロ交差を有する。したがって、例えばこの「ゼロ交差温度」が、一般的なシステム温度又は関連のミラー素子の周囲の温度を超える値を有する場合、ミラー素子を単に「冷却する」代わりに上述の種類の温度制御が望ましい場合もある。
従来技術に関して、特許文献3、特許文献4、特許文献5、特許文献6、特許文献7を単に例として参照する。
独国特許出願公開第10 2008 009 600号明細書 国際公開第2005/026843号 独国特許出願公開第10 2012 200 733号明細書 独国特許出願公開第10 2004 046 764号明細書 米国特許第8,188,595号明細書 米国特許第4,467,861号明細書 米国特許出願公開第2003/0192669号明細書
上記背景に対して、本発明の目的は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、光学系の動作時に電磁放射線が入射する少なくとも1つの素子の温度制御の改善を可能にするサブアセンブリを提供することである。
この目的は、独立請求項の特徴に記載の構成によって達成される。
本発明の一態様によれば、本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、
素子と、
上記素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスと
を備え、上記温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、当該冷媒は、2相転移(two-phase transition)を行いながら管状部内で素子から又は素子へ輸送可能であり、
加熱デバイスが、冷媒を加熱することにより冷媒の輸送を遮断するために設けられるサブアセンブリに関する。
本発明は、特に、(例えば、以下でより詳細に説明するように、ヒートパイプとして知られるものにおいて)2相転移を行うと共に素子(例えば、ミラー素子等の光学素子)の温度の制御を行いながら閉回路で輸送可能な冷媒を有する構造を基礎として、加熱デバイスによる遮断(すなわち、いわば回路又はヒートパイプの「スイッチオフ」)を行うことができるようにするという概念に基づく。
冷媒の輸送は、例えば、毛管作用を用いること、液相と気相との間の対流がもたらす差圧の結果としての定常流又は非定常流を用いること、又はベーパチャンバ内の対流がもたらす液体差圧を用いることにより行うことができ、上記差圧を重力差圧(gravitational differential pressures)と組み合わせて用いることも可能である。さらに、上記差圧は、受動形態で(すなわち、ポンプを必要とせず)又は能動形態で(すなわち、ポンプを用いて)実施することができる。さらに、例えばさらに別の回路又は2次閉回路で動作するポンプを設ける一方で、この回路と(素子の横又は下に配置された)受動回路との間で熱交換が行われることによる組合せも可能である。
この場合、本発明は、閉冷媒回路をヒートパイプの形態で実施することに限定されず、2相転移を(例えば、同じく以下でより詳細に説明する2相熱サイフォンも)含むすべての熱輸送システムと共に用いることができる。これらのシステムは、閉回路(すなわち、例えばヒートパイプ)内にある液冷媒が、加熱時に気体状態に変化し、冷却時に液体状態に戻るというそれ自体が既知の機能原理にいずれの場合も基づく。
したがって、上述の機能原理を基礎として、本発明は、閉回路内に存在する温度勾配を本発明に従って用いられる加熱デバイスにより特定の方法で変化させることができることを利用する。これは特に、例えば、素子と冷却器との間の冷媒の加熱による効果として、加熱領域と冷却器との間に冷媒の輸送又は2相転移に適した温度勾配がある(一方で、回路の方向では、光学素子は本質的に冷却器の温度ではなく加熱デバイスにより加熱された領域に対応する温度に「曝される(sees)」)状況を作るようにすることにより生じる。素子に関する限り、その場合、このような構成は回路又はヒートパイプの「スイッチオフ」と同義であり、その結果として、この光学素子は、光学系の動作時に作用する熱負荷により対応して温度上昇し得る。
さらに、加熱デバイスを用いて冷媒を加熱することにより、回路全体の冷媒が気相である構成を設定することも可能である。このような構成の結果として、関連の2相熱輸送システム(例えばヒートパイプ)の機能が完全にオフになり、したがって熱移動が、関連のガス又はこのガスの周囲の(パイプ)壁による熱伝導の効果にのみ限られる。
本発明による加熱デバイスは、特に(好ましくはスイッチオン及びオフができる)電気加熱デバイスとして構成することができる。
一実施形態によれば、この管状部の長さ対外径の比が、少なくとも5:1、より詳細には少なくとも10:1である。
一実施形態によれば、本発明による温度制御デバイスの管状部は弾性変形可能である。特に、この管状部の長さ対外径の比が、少なくとも50:1、より詳細には少なくとも80:1である。
(特に、管状部又はヒートパイプの外径を長さに対して小さくすることによる)このさらなる手法に従って達成される管状部の弾性変形性の結果として、剛性の大幅な低下と、その結果として望ましくない寄生力の影響とを得ることができ、その結果として、光学系の寿命にわたって弾性変形を達成しつつ(例えば接続された冷却システムからの)振動の導入を回避又は低減することが可能である。したがって、結果として、例えばファセットミラー等のミラー構成体の調整可能なミラー素子の、本発明により可能となる上述の温度制御は、この調整性に必要な移動性の実現と組み合わせることができる。
本発明による2相熱輸送システム(例えばヒートパイプ)の柔軟な構成の最後に述べた態様は、加熱デバイス又はその結果として可能となる2相熱輸送システム又はヒートパイプのスイッチオフの概念に関係なく有利でもある。したがって、さらに別の態様によれば、本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、
素子と、
上記素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスと
を備え、上記温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、当該冷媒は、2相転移を行いながら管状部内で素子から又は素子へ輸送可能であり、
管状部は弾性変形可能であるサブアセンブリにも関する。
さらに、本発明は、特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、
素子と、
上記素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスと
を備え、上記温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、当該冷媒は、2相転移を行いながら管状部内で素子から又は素子へ輸送可能であり、
管状部の長さ対外径の比が、少なくとも50:1であるサブアセンブリにも関する。
一実施形態によれば、サブアセンブリは、少なくとも1つの傾斜軸に関する素子の傾斜を可能にする少なくとも1つのフレクシャを有する。
一実施形態によれば、このフレクシャは管状部に形成される。このように、素子の調整性(例えば傾斜)の実現に必要なキネマティクスを閉回路の形成のために存在する管状部に組み込むことができる。しかしながら、本発明はこれに限定されない。したがって、さらに他の実施形態では、素子の調整性の実現に必要なキネマティクスを、管状部とは関係なく又は管状部に加えて設けることもでき、その結果として、付加的な熱的機能を担う必要なく関連のキネマティクスを設計することができる。
一実施形態によれば、管状部は変断面を有する。
一実施形態によれば、さらに、回路内に存在する冷媒圧力を操作するポンプデバイスが設けられる。これにより、2相熱輸送システム(例えばヒートパイプ)の単なるスイッチオン及びオフ以上に、2相熱輸送システムの機能又はこれがもたらす熱輸送の連続設定を達成することが可能となる。しかしながら、本発明は「能動圧送」システムに限定されず、ポンプデバイスを用いないか又は受動的な流れを用いるシステムさえも本発明に包含される。
一実施形態によれば、温度制御デバイスはヒートパイプとして構成される。
一実施形態によれば、温度制御デバイスは2相熱サイフォンとして構成される。
一実施形態によれば、素子は反射光学素子である。さらに他の実施形態では、素子は、EUV光源のコレクタミラー又はマイクロリソグラフィマスクでもあり得る。
特に、素子は、相互に独立して調整可能な複数のミラー素子を備えたミラー構成体のミラー素子であり得る。
一実施形態によれば、このミラー構成体は、ファセットミラー、特に視野ファセットミラー又は瞳ファセットミラーである。
一実施形態によれば、素子は、30nm未満、特に15nm未満の作動波長用に設計される。
本発明は、上述の特徴を有するサブアセンブリを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、特に照明デバイス又は投影レンズにも関し、かかる光学系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置にも関する。
本発明のさらに他の構成は、説明及び従属請求項から得ることができる。
添付図面に示す例示的な実施形態に基づき、本発明を以下でより詳細に説明する。
本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 本発明の一実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を説明する概略図を示す。 例えば本発明を実現できる、EUVで動作するよう設計されたマイクロリソグラフィ投影露光装置の概略図を示す。
本発明の第1実施形態における本発明によるサブアセンブリの構造を、最初に図1を参照して以下で説明する。
図1に単に概略的に示すように、例えばミラー構成体のミラー素子、例えばファセットミラー等であり得る光学素子10が、機械式結合12により支持構造11に結合される。さらに他の実施形態でさらに詳細に説明するように、光学素子10は、特に少なくとも1自由度で調整可能(例えば、少なくとも1つの傾斜軸に関して傾斜可能)であるよう設計することができる。
光学素子10の温度を制御するために、図1に示すサブアセンブリは、管状部を有する閉回路を形成するヒートパイプ13の形態の温度制御デバイスも有し、この中で(例えば、すでに述べたように毛管作用を用いて)2相転移を行いながら冷媒(図示せず)を光学素子10から又は光学素子10へ輸送することができる。それ自体が既知の方法で、閉回路において、液体冷媒は(高温端部又は光学素子10の領域での)加熱時に気体状態になり、低温端部又は支持構造11の領域(又はそこにあり得る冷却器)での冷却時に液体状態に戻る。
液体冷媒を高温端部又は光学素子10の領域へ、すなわち気化する場所へ輸送し戻すことは、ここでは例えば毛管作用を用いて行うことができる。
さらに他の実施形態では、冷媒の輸送は、液相と気相との間の対流がもたらす差圧の結果としての定常流又は非定常流を用いて、又はベーパチャンバ内の対流がもたらす液体差圧を用いて行うこともできる。
液相又は気相の冷媒を流通させる役割を果たすチャネルを、原理上は所望の任意の幾何学的形状で配置し、単に例としてヒートパイプ13の場合のように入れ子状に重ねることができるか、又は他の実施形態で見られる2相熱サイフォンの場合のように空間的に分離して相互に離れて配置することができる。
回路内に位置付けられる冷媒は、ヒートパイプ13の所望の温度範囲に従って適当に選択することができ、メタノール又はエタノールが適当な冷媒の例である(しかしながら、本発明はそれに限定されない)。延性(すなわち、長期可撓性が高い)且つ耐食性の材料、例えば銅(Cu)又は銀(Ag)等が、ヒートパイプ13又は管状部の材料として適していることが好ましい。さらに他の実施形態では、アルミニウム(Al)又は高級鋼をヒートパイプ13又は管状部の材料として用いることもできる。さらに、ヒートパイプ13は、異なる材料(例えば、外壁の領域は延性材料で、内壁の領域は例えば高級鋼のメッシュ)から構成することもできる。特定の寸法に応じて、また使用冷媒に応じて、例えばケイ素(Si)含有材料を含むセラミック材料をヒートパイプ13又は管状部に用いることもできる。
さらに、図1に示すサブアセンブリは、冷媒を加熱させる電気加熱デバイス15を有する。冷媒のこのような加熱による効果として、光学素子10から又は光学素子10への冷媒の輸送が停止することにより、ヒートパイプ13の機能がオフに切り換わり、その結果として光学系の動作時に熱負荷の作用により光学素子10が温度上昇する。オン及びオフに切換え可能な加熱デバイス15は、それゆえヒートパイプ13を介した熱伝導も切換え可能であり、したがって光学素子10の温度が特定の方法で制御可能であり得ることを意味する。
例えば、単に例として、光学系の動作時に光学素子10の光学有効面に入射する電磁放射線の結果としての光学素子10の温度は、35℃であり得る。加熱デバイス15をオンに切り換えると、光学素子10に面したその端部と支持構造11に面したその端部との間の中間領域を例えば50℃の温度に加熱することができる。この結果として、(ヒートパイプ13の本来の熱的機能に対応した)光学素子10から支持構造11への熱の流出がなくなり、その代わりに加熱デバイス15の領域から支持構造11へ(さらに加熱デバイス15の領域から光学素子10へも)熱の流出があり、その結果として、入射電磁放射線の熱負荷及び加熱デバイス15により供給される熱の両方に起因して光学素子10が温度上昇する。
光学素子10のこの加熱は、例えば、光学素子10又はミラー素子の光学有効面の領域において、ミラー基板材料の熱膨張が全く又はごく僅かにしか生じない「ゼロ交差温度」を、すなわちこのゼロ交差温度が一般的なシステム温度又は関連ミラー素子の周囲の温度を超える限りにおいて、設定するために行われる。
本発明のさらに他の実施形態では、複数の温度制御デバイス又はヒートパイプ10を、図1に類似して例えば行列状配置で(「アレイ」として)設けることもできる。このようにして、(例えば光学素子10の断面積にわたって変わる光学素子10の熱誘起変形を達成するために)空間分解温度制御を達成することもできる。
図1に示すサブアセンブリのさらに別の態様として、閉回路を形成する管状部が柔軟な又は弾性変形可能な構成である。これは、例示的な実施形態では、管状部の長さ対外径の比が少なくとも50:1、特に少なくとも80:1であることにより達成される。例えば、管状部の長さが50mm〜100mmの範囲の値を有し得る一方で、外径は例えば1mmであり得る。
実施形態において、ヒートパイプ13又はその管状部は、変断面及び/又は螺旋状の幾何学的形状を有することもでき、それにより機械的柔軟性を高める(又は剛性を低下させる)ことができ、且つ場合によってはさらに他の実施形態と共にこれから説明する運動機能(kinematic functionality)も補助することができる。
本発明の実施形態によれば、光学素子の調整性(例えば傾斜)の実現に必要なキネマティクスを閉回路の形成のために存在する管状部に組み込むか、又は管状部に加えて(例えば管状部と平行に)設けることができ、これらはそれぞれ、図2〜図7を参照して種々の実施形態に基づき以下でより詳細に説明される。
図2は同様に、本発明によるサブアセンブリを単なる概略図で示しており、図1と比べて類似の又は本質的に機能的に同じコンポーネントは、「10」を足した参照符号で示す。この場合、図2からのサブアセンブリが図1からのものと異なる点の1つとして(on the one hand)、温度制御デバイスを形成する2相熱輸送システムが、図1におけるようにヒートパイプとしてではなく2相熱サイフォン23として知られるものとして構成され、相互に離間した平行な管状部が2相熱輸送のために設けられている(一方が光学コンポーネント20から気化冷媒を輸送し、他方が液体冷媒を光学素子20へ輸送する)。
さらに、図2からのサブアセンブリには、少なくとも1自由度の光学素子20の調整性を実現する(例えば、少なくとも1つの傾斜軸に関する傾斜を実現する)フレクシャ26が管状部に形成されているか又は管状部に組み込まれており、これは、関連の管状部が適当な箇所で縮径される(すなわち、「くびれ」を有する)ということである。
図2に示すサブアセンブリでは、さらに、光学素子20の温度制御が直接行われるのではなく、光学素子20を支持するマウント又は支持構造24により行われる。しかしながら、本発明はこれに限定されず、この実施形態では、記載されているさらに他の実施形態のように、光学素子の温度制御を任意に直接(例えば、図1に示すように)又は間接的に(例えば、図2に示すように)行うことができる。
図3は、本発明によるサブアセンブリのさらに別の可能な実施形態を概略図で示しており、図2と比べて類似の又は本質的に機能的に同じコンポーネントは、「10」を足した参照符号で示す。図3からのサブアセンブリが図2からのものと異なる点の1つとして、温度制御デバイスが今度はヒートパイプ33として構成される(この点で図1と類似している)。さらに、光学素子30の調整性(例えば傾斜可能性)の実現に必要なキネマティクスは、図3によれば、対応するフレクシャ36を回路を形成する管状部又はヒートパイプ33とは別に構成することにより提供される。
この機能分離の結果として、キネマティクス(すなわち、特にフレクシャ36)は、こうして温度制御の機能を同時に担う必要もなく設計することができる。しかしながら、本発明はこれに限定されず、必要なキネマティクスの実現又はこれに必要なフレクシャの形成を、ここでは代替的に、さらに他の実施形態のように、場合によっては2相熱輸送システム(例えばヒートパイプ)に組み込むことによって(この点で図2と類似している)、又はそれとは別に(この点で図3と類似している)行うことができる。
さらに、図3によれば、2相熱輸送システム又はヒートパイプ33による熱素子10の熱的結合は、支持構造31に対して直接なされるのではなく冷却器39に対してなされ、冷却器39は、図3に単に示す冷却液39aが流れており、断熱層38により支持構造31から分離されている。しかしながら、さらに他の実施形態のように、ここでは、2相熱輸送システムによる光学素子30の熱的結合は、場合によっては冷却器によって(この点で図3と類似している)、又は支持構造に対して直接(この点で図2と類似している)行うことができる。
図4は、本発明によるサブアセンブリのさらに別の可能な実施形態を概略図で示しており、図3と比べて類似の又は本質的に機能的に同じコンポーネントは、「10」を足した参照符号で示す。図4からのサブアセンブリが図3からのものと異なる点は、図4によれば、ヒートパイプ43による光学素子40の温度制御が図3のようにマウント又は支持構造34によって間接的に行われるのではなく直接行われることだけである。
図5は、本発明によるサブアセンブリのさらに別の可能な実施形態を概略図で示しており、図4と比べて類似の又は本質的に機能的に同じコンポーネントは、「10」を足した参照符号で示す。図5からのサブアセンブリの構成は図2からのものに本質的に匹敵するが、図2からのサブアセンブリに存在する加熱デバイス25が省かれている。
図6は、本発明によるサブアセンブリのさらに別の可能な実施形態を概略図で示しており、図5と比べて類似の又は本質的に機能的に同じコンポーネントは、「10」を足した参照符号で示す。図6からのサブアセンブリの構成が図1からのものと異なる点の1つとして、フレクシャ66(くびれの形態)がヒートパイプ63に組み込まれ、すなわち少なくとも1自由度(例えば、少なくとも1つの傾斜軸に関する傾斜)の光学素子60の調整性の実現に必要なキネマティクスが、今度は閉回路の形成のために存在する温度制御デバイスの管状部に組み込まれる。他方では、図6では、図1にはある加熱デバイス15が、したがってヒートパイプ63のオン・オフを切り換える能力が省かれている。
図7は、本発明によるサブアセンブリのさらに別の可能な構成を概略図で示しており、図6と比べて類似の又は本質的に機能的に同じコンポーネントは、「10」を足した参照符号で示す。図7からのサブアセンブリが図6からのものと異なる点は、光学素子70の調整性(例えば傾斜可能性)の実現のためのフレクシャ76がヒートパイプ73に組み込まれるのではなく、別個のキネマティクスの形態で設けられることだけである。
図8は、本発明を実施できる、例としてEUVで動作するよう設計された投影露光装置の概略図を示す。さらに他の例示的な実施形態では、本発明は、(例えば、通常は同様に高い熱負荷に曝される、EUV光源に存在するコレクタミラーの温度制御を達成するために)例えばEUV光源で実施することもできる。
図8によれば、単に例として示す実施形態において、EUV用に設計された投影露光装置800の照明デバイスが、視野ファセットミラー803及び瞳ファセットミラー804を有する。プラズマ光源801及びコレクタミラー802を備えた光源ユニットの光が、視野ファセットミラー803へ指向される。光路における瞳ファセットミラー804の下流には、ミラー805及びミラー806が配置される。光路におけるその後には、偏向ミラー807が配置され、これは入射した放射線を6個のミラー851〜856を含む投影レンズの物体視野へ指向させる。物体視野の場所にあるマスクテーブル820の上には、反射構造担持マスク821が配置され、その像が投影レンズを用いて像平面に投影され、像平面には、感光層(フォトレジスト)でコーティングされた基板861がウェーハテーブル860上に位置付けられる。
図8からの投影露光装置800における本発明の実施は、単に例として、光学素子としての視野ファセットミラー803又は瞳ファセットミラー804の個別ミラー素子又はミラーファセットを本発明に記載の方法で制御することにより行うことができる。しかしながら、本発明はこの用途に限定されず、任意の他の所望の光学素子に適用することができる。同時に、用途は反射光学素子に限定されず、任意の所望の光学素子(例えば、DUV領域で、例えば250nm未満、特に200nm未満の波長で動作する屈折光学素子)と共に可能でもある。
本発明を特定の実施形態に基づいて説明したが、多くの変形形態及び代替的な実施形態が、例えば個々の実施形態の特徴の組合せ及び/又は交換により当業者には明らかである。したがって、当業者には言うまでもなく、このような変形形態及び代替的な実施形態は本発明に付随して包含され、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲及びその等価物の意味の範囲内でのみ制限される。

Claims (24)

  1. 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、
    素子(10、20、30、40、50、60、70)と、
    前記素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスと
    を備え、前記少なくとも1つの温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、該冷媒は、2相転移を行いながら前記管状部内で前記素子から又は該素子へ輸送可能であり、
    加熱デバイス(15、25)が、前記冷媒を加熱することにより該冷媒の輸送を遮断するために設けられるサブアセンブリ。
  2. 請求項1に記載のサブアセンブリにおいて、前記加熱デバイス(15、25)は電気加熱デバイスであることを特徴とするサブアセンブリ。
  3. 請求項1又は2に記載のサブアセンブリにおいて、前記管状部は弾性変形可能であることを特徴とするサブアセンブリ。
  4. 請求項1〜3のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記管状部の長さ対外径の比が、少なくとも5:1、より詳細には少なくとも10:1であることを特徴とするサブアセンブリ。
  5. 請求項1〜4のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記管状部の長さ対外径の比が、少なくとも50:1、より詳細には少なくとも80:1であることを特徴とするサブアセンブリ。
  6. 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、
    素子(10、20、30、40、50、60、70)と、
    前記素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスと
    を備え、前記少なくとも1つの温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、該冷媒は、2相転移を行いながら前記管状部内で前記素子から又は前記素子へ輸送可能であり、
    前記管状部は弾性変形可能であるサブアセンブリ。
  7. 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリであって、
    素子(10、20、30、40、50、60、70)と、
    前記素子の温度を制御する少なくとも1つの温度制御デバイスと
    を備え、前記少なくとも1つの温度制御デバイスは、少なくとも1つの管状部を有する閉回路内に冷媒を有し、該冷媒は、2相転移を行いながら前記管状部内で前記素子から又は前記素子へ輸送可能であり、
    前記管状部の長さ対外径の比が、少なくとも50:1であるサブアセンブリ。
  8. 請求項1〜7のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、該サブアセンブリは、少なくとも1自由度での前記素子の調整を可能にする少なくとも1つのフレクシャ(26、36、46、56、66、76)を有することを特徴とするサブアセンブリ。
  9. 請求項8に記載のサブアセンブリにおいて、前記フレクシャ(26、56、66)は管状部に形成されることを特徴とするサブアセンブリ。
  10. 請求項1〜9のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記管状部は変断面を有することを特徴とするサブアセンブリ。
  11. 請求項1〜10のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、ポンプデバイスも設けられることを特徴とするサブアセンブリ。
  12. 請求項11に記載のサブアセンブリにおいて、前記ポンプデバイスは、前記回路内に存在する前記冷媒を操作するよう構成されることを特徴とするサブアセンブリ。
  13. 請求項11に記載のサブアセンブリにおいて、前記ポンプデバイスは、第1回路と熱交換する2次回路に設けられることを特徴とするサブアセンブリ。
  14. 請求項1〜13のいずれか1項に記載の方法において、前記温度制御デバイスはヒートパイプ(13、33、43、53、63、73)として構成されることを特徴とするサブアセンブリ。
  15. 請求項1〜14のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記温度制御デバイスは2相熱サイフォン(23、53)として構成されることを特徴とするサブアセンブリ。
  16. 請求項1〜15のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、該サブアセンブリは、特に行列状配置の複数の温度制御デバイスを有することを特徴とするサブアセンブリ。
  17. 請求項1〜16に記載のサブアセンブリにおいて、前記素子(10、20、30、40、50、60、70)は反射光学素子であることを特徴とするサブアセンブリ。
  18. 請求項1〜16のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記素子はEUV光源のコレクタミラーであることを特徴とするサブアセンブリ。
  19. 請求項1〜16のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記素子はマイクロリソグラフィマスクであることを特徴とするサブアセンブリ。
  20. 請求項1〜16のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記素子(10、20、30、40、50、60、70)は、相互に独立して調整可能な複数のミラー素子を備えたミラー構成体のミラー素子であることを特徴とするサブアセンブリ。
  21. 請求項20に記載のサブアセンブリにおいて、前記ミラー構成体は、ファセットミラー、特に視野ファセットミラー(803)又は瞳ファセットミラー(804)であることを特徴とするサブアセンブリ。
  22. 請求項1〜21のいずれか1項に記載のサブアセンブリにおいて、前記素子(10、20、30、40、50、60、70)は、30nm未満、特に15nm未満の作動波長用に設計されることを特徴とするサブアセンブリ。
  23. 請求項1〜22のいずれか1項に記載のサブアセンブリを備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系、特に照明デバイス又は投影レンズ。
  24. マイクロリソグラフィ投影露光装置(800)であって、請求項23に記載の光学系を備えたマイクロリソグラフィ投影露光装置。
JP2016553420A 2014-02-21 2015-02-11 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリ Pending JP2017507358A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102014203144.3A DE102014203144A1 (de) 2014-02-21 2014-02-21 Baugruppe eines optischen Systems, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102014203144.3 2014-02-21
PCT/EP2015/052825 WO2015124471A1 (en) 2014-02-21 2015-02-11 Subassembly of an optical system, in particular in a microlithographic projection exposure apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017507358A true JP2017507358A (ja) 2017-03-16
JP2017507358A5 JP2017507358A5 (ja) 2018-03-22

Family

ID=52598721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016553420A Pending JP2017507358A (ja) 2014-02-21 2015-02-11 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20160334719A1 (ja)
JP (1) JP2017507358A (ja)
KR (1) KR20160124102A (ja)
CN (1) CN106062633A (ja)
DE (1) DE102014203144A1 (ja)
TW (1) TWI663479B (ja)
WO (1) WO2015124471A1 (ja)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102017202653A1 (de) 2017-02-20 2018-08-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die Halbleiterlithographie mit verbessertem Wärmeübergang
KR102374206B1 (ko) 2017-12-05 2022-03-14 삼성전자주식회사 반도체 장치 제조 방법
KR20200043767A (ko) 2018-10-18 2020-04-28 삼성전자주식회사 Euv 노광 장치와 노광 방법, 및 그 노광 방법을 포함한 반도체 소자 제조 방법
FR3096511B1 (fr) * 2019-05-22 2021-07-02 Amplitude Systemes Monture de composant optique et système de commande de faisceau lumineux associé
CN116324621A (zh) * 2020-08-07 2023-06-23 卡尔蔡司Smt有限责任公司 光学系统与操作光学系统的方法
DE102023207048A1 (de) 2022-09-20 2024-03-21 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems sowie Verfahren zum Temperieren eines Spiegels, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
DE102022212277A1 (de) 2022-11-18 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems
DE102022212279A1 (de) 2022-11-18 2024-05-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Baugruppe eines optischen Systems
DE102023202039A1 (de) 2023-03-07 2024-03-28 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren zum Kühlen einer Komponente und Lithographiesystem

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60237985A (ja) * 1984-05-11 1985-11-26 Takashi Taniguchi 醗酵熱利用装置
JP2004029314A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nikon Corp 光学素子冷却装置、光学素子冷却方法及び露光装置
JP2004039905A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Nikon Corp 露光装置、ミラーの冷却方法、反射マスクの冷却方法及び露光方法
JP2004039851A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Nikon Corp ミラー冷却装置及び露光装置
JP2004153064A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004309688A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nikon Corp 光学素子保持冷却装置及び露光装置
JP2004312006A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Samsung Electronics Co Ltd べークシステム
JP2007250678A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP2010054122A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Mitsubishi Electric Corp 可変コンダクタンスヒートパイプ

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4467861A (en) 1982-10-04 1984-08-28 Otdel Fiziko-Tekhnicheskikh Problem Energetiki Uralskogo Nauchnogo Tsentra Akademii Nauk Sssr Heat-transporting device
JP4006251B2 (ja) * 2002-03-20 2007-11-14 キヤノン株式会社 ミラー装置、ミラーの調整方法、露光装置、露光方法及び半導体デバイスの製造方法
US20030192669A1 (en) 2002-04-10 2003-10-16 Memfuel International Corporation Micro-loop heat pipe
US20040051984A1 (en) * 2002-06-25 2004-03-18 Nikon Corporation Devices and methods for cooling optical elements in optical systems, including optical systems used in vacuum environments
KR101159867B1 (ko) 2003-09-12 2012-06-26 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 마이크로리소그래피 투사 노출 장치용 조명 시스템
DE102004046764A1 (de) 2004-09-24 2006-04-06 Daimlerchrysler Ag Fahrzeugscheinwerfer
US7470916B2 (en) * 2005-10-19 2008-12-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and radiation collector
DE102008009600A1 (de) 2008-02-15 2009-08-20 Carl Zeiss Smt Ag Facettenspiegel zum Einsatz in einer Projektionsbelichtungsanlage für die Mikro-Lithographie
US8188595B2 (en) 2008-08-13 2012-05-29 Progressive Cooling Solutions, Inc. Two-phase cooling for light-emitting devices
US10054754B2 (en) * 2009-02-04 2018-08-21 Nikon Corporation Thermal regulation of vibration-sensitive objects with conduit circuit having liquid metal, pump, and heat exchanger
DE102011010462A1 (de) * 2011-01-28 2012-08-02 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Optische Anordnung für eine EUV-Projektionsbelichtungsanlage sowie Verfahren zum Kühlen eines optischen Bauelements
EP2515170B1 (en) * 2011-04-20 2020-02-19 ASML Netherlands BV Thermal conditioning system for thermal conditioning a part of a lithographic apparatus and a thermal conditioning method
US8731139B2 (en) * 2011-05-04 2014-05-20 Media Lario S.R.L. Evaporative thermal management of grazing incidence collectors for EUV lithography
DE102011078521A1 (de) * 2011-07-01 2012-08-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur fluidmechanischen Entstörung
DE102012200733A1 (de) 2012-01-19 2013-01-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegelanordnung, insbesondere zum Einsatz in einem optischen System, insbesondere einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage
JP6140191B2 (ja) * 2012-01-30 2017-05-31 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2013124114A1 (en) * 2012-02-23 2013-08-29 Asml Netherlands B.V. Device, lithographic apparatus, method for guiding radiation and device manufacturing method
DE102013111801A1 (de) * 2012-11-29 2014-03-13 Asml Netherlands B.V. Kühlsystem für zumindest eine Systemkomponente eines optischen Systems für EUV-Anwendungen sowie derartige Systemkomponente und derartiges optisches System

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60237985A (ja) * 1984-05-11 1985-11-26 Takashi Taniguchi 醗酵熱利用装置
JP2004029314A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Nikon Corp 光学素子冷却装置、光学素子冷却方法及び露光装置
JP2004039851A (ja) * 2002-07-03 2004-02-05 Nikon Corp ミラー冷却装置及び露光装置
JP2004039905A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Nikon Corp 露光装置、ミラーの冷却方法、反射マスクの冷却方法及び露光方法
JP2004153064A (ja) * 2002-10-31 2004-05-27 Nikon Corp 露光装置
JP2004309688A (ja) * 2003-04-04 2004-11-04 Nikon Corp 光学素子保持冷却装置及び露光装置
JP2004312006A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Samsung Electronics Co Ltd べークシステム
JP2007250678A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Tokyo Electron Ltd 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体
JP2010054122A (ja) * 2008-08-28 2010-03-11 Mitsubishi Electric Corp 可変コンダクタンスヒートパイプ

Also Published As

Publication number Publication date
CN106062633A (zh) 2016-10-26
TWI663479B (zh) 2019-06-21
WO2015124471A1 (en) 2015-08-27
KR20160124102A (ko) 2016-10-26
US20160334719A1 (en) 2016-11-17
TW201533545A (zh) 2015-09-01
DE102014203144A1 (de) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2017507358A (ja) 特にマイクロリソグラフィ投影露光装置の光学系のサブアセンブリ
JP6318200B2 (ja) 光学素子の温度制御装置
JP2022023178A (ja) リソグラフィ装置のオブジェクトを保持するためのチャック及びクランプ、並びにリソグラフィ装置のクランプによって保持されるオブジェクトの温度を制御する方法
US8810775B2 (en) EUV mirror module with a nickel electroformed curved mirror
KR102572139B1 (ko) 리소그래피 장치용 미러를 제조하기 위한 방법
US8817229B2 (en) Method of cooling an optical element, lithographic apparatus and method for manufacturing a device
US20090122429A1 (en) Self-correcting optical elements for high-thermal-load optical systems
JP2017507358A5 (ja)
US7098994B2 (en) Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
KR20220167373A (ko) 광학 시스템의 구성요소
US9366977B2 (en) Semiconductor microlithography projection exposure apparatus
JP2004247438A (ja) 冷却装置
US9658542B2 (en) Optical element
JP2005055553A (ja) ミラー、温度調整機構付きミラー及び露光装置
JP2004080025A (ja) 冷却装置及び方法、当該冷却装置を有する露光装置
TW200848948A (en) Lithographic apparatus and method
EP4134747A1 (en) Conditioning apparatus and method
KR20140123047A (ko) 특히 마이크로리소그래피 투영 노광 장치에 사용하기 위한 미러 장치
WO2023016734A1 (en) Thermal conditioning apparatus and method
JP2008130895A (ja) 露光装置、デバイス製造方法、及び露光方法
NL2005692A (en) Method of cooling an optical element, lithographic apparatus and method for manufacturing a device.

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180208

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180208

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181120

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190201

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20190305