JP2009135294A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理部３は、横方向に並べられる塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂを備えている。各処理ブロックＢａ、Ｂｂは上下方向に分けられた階層Ｋ１〜Ｋ４を有する。各階層Ｋ１〜Ｋ４には、処理ユニットと主搬送機構とが設けられている。そして、処理ブロックＢａ、Ｂｂｂの同じ階層Ｋ１−Ｋ２間（ｒ１）、Ｋ３−Ｋ４間（ｒ２）で基板を搬送可能である.。さらに、階層Ｋ１−Ｋ４間（ｒ３）、階層Ｋ２−Ｋ３間（ｒ４）のように、階層を変えて基板を搬送可能である。このように、本装置では処理ブロックＢａ、Ｂｂ同士で基板を柔軟に搬送することができる。
【選択図】図１

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に対して一連の処理を行う基板処理装置に関する。
従来、この種の装置として、基板にレジスト膜を形成するとともに、別体の露光機で露光された基板を現像する基板処理装置がある。この装置は、レジスト膜などの塗膜を形成するための塗布処理ブロックや基板を現像するための現像処理ブロックなどが並べられて構成される処理部を備えている。各処理ブロックは、単一の主搬送機構と、各種の処理ユニットを備えている。そして、各処理ブロックの主搬送機構はその処理ブロックに設けられる処理ユニットに基板を搬送しつつ、隣接する他の処理ブロックの主搬送機構との間で載置台を介して基板の受け渡しを行って、一連の処理を基板に行う（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−３２４１３９号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、いずれかの処理ブロックの主搬送機構が故障等により基板を搬送できない状態（異常状態）になると、これに隣接する処理ブロックに基板を一切搬送できなくなる。このように処理ブロック同士の間における基板の搬送は単一のルート（搬送経路）しかなく柔軟に欠けるため、たとえ他の処理ブロックの主搬送機構が正常であっても基板を全く処理できないという不都合がある。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項１に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送可能であることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１に記載の発明によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。このように、本装置では隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。このため、基板を搬送できない異常状態の主搬送機構が生じても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。
本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、複数の階層にわたって昇降可能に設けられ、基板を載置する可動載置部を備え、前記処理ブロック同士のそれぞれに設けられる複数の階層の主搬送機構がそれぞれ、当該階層に応じた高さ位置に移動した前記可動載置部に対して基板を搬送可能であることが好ましい（請求項２）。複数の階層にわたって昇降する可動載置部は、一の階層の主搬送機構によって載置された基板を、他の階層の主搬送機構が受け取ることができる位置まで移動させることができる。このため、当該可動載置部を挟む両側の各処理ブロックに設けられる階層の異なる主搬送機構同士は、当該可動載置部を介して基板の受け渡しを好適に行うことができる。
本発明において、前記可動載置部に基板が載置されると、前記可動載置部は基板が載置された階層とは異なる階層に移動することが好ましい（請求項３）。基板を載置している可動載置部が、当該基板が載置された階層とは異なる階層へ移動することで、可動載置部を挟む処理ブロック同士において、階層を変えて基板を搬送することができる。
本発明において、前記可動載置部は全ての階層にわたって移動可能であることが好ましい（請求項４）。可動載置部を挟む処理ブロック同士において、一方の処理ブロックの各階層は、他方の処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送することができ、他方の処理ブロックの各階層も、一方の処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送することができる。
本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、階層ごとに設けられる複数の固定載置部であって、前記処理ブロック同士のそれぞれに設けられる当該階層の各主搬送機構がそれぞれ基板を搬送可能な前記固定載置部と、各固定載置部の間で基板を搬送する載置部用搬送機構と、を備えていることが好ましい（請求項５）。載置部用搬送機構が一の階層の固定載置部に載置された基板を他の階層の固定載置部に移動させることで、他の階層の主搬送機構に当該基板を受け取らせることができる。このため、載置部用搬送機構および複数の固定載置部を挟む両側の各処理ブロックに設けられる階層の異なる主搬送機構同士は、これら載置部用搬送機構および複数の固定載置部を介して基板の受け渡しを好適に行うことができる。
本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の一方の処理ブロックに異常状態の主搬送機構がある場合は、他方の処理ブロックの各主搬送機構はそれぞれ、前記一方の処理ブロックが有する、前記異常状態の主搬送機構以外の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うことが好ましい（請求項６）。異常状態の主搬送機構がある場合であっても、この主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送するため、基板に一連の処理を行うことができる。
本発明において、階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記現像処理ユニットは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックとの間で階層を変えて基板を搬送可能であることが好ましい（請求項７）。塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、階層を変えて基板を搬送可能である。このように基板を柔軟に搬送することができるため、基板にレジスト膜を形成する処理および基板を現像する処理をそれぞれ好適に行うことができる。
本発明において、前記塗布処理ブロックの各階層はそれぞれ、前記現像処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることが好ましい（請求項８）。塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で基板をより柔軟に搬送することができる。
本発明において、前記塗布処理ブロックの一部の階層では専ら、基板にレジスト膜を形成する処理を行わせるとともに、前記現像処理ブロックに向けてレジスト膜が形成された基板を払い出させ、前記塗布処理ブロックの他の一部の階層では専ら、前記現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせることが好ましい（請求項９）。専ら現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせる塗布処理ブロックの階層では、基板に処理を行わない。たとえば、塗布処理ブロックの処理ユニットが異常状態になった場合であっても、当該処理ユニットが設けられる階層で、専ら現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせることにより、この階層を全く使用しない場合に比べて基板の処理効率の低下を抑制できる。
また、請求項１０に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて、一方の処理ブロックの少なくとも一の階層は他方の処理ブロックの異なる階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とするものである。
［作用・効果］請求項１０に記載の発明によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて異なる階層間で基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。このように、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。このため、基板を搬送できない異常状態の主搬送機構が生じても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。
また、本発明において、前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において当該一の階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの複数の階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい（請求項１１）。複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成される主搬送機構を備えることで、当該主搬送機構は、隣接する処理ブロックの異なる階層の主搬送機構との間で基板の受け渡しを好適に行うことができる。
また、本発明において、前記一の階層は、隣接する処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることが好ましい（請求項１２）。処理ブロックの間で基板をより柔軟に搬送することができる。
本発明において、前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において全ての階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの全ての階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい（請求項１３）。処理ブロックの間で基板をより柔軟に搬送することができる。
本発明において、異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記現像処理ユニットは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構を前記主搬送機構として備え、同じ階層の第１主搬送機構と第２主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うとともに、少なくともいずれかの階層の第１主搬送機構は、塗布処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第２主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい（請求項１４）。塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、異なる階層間で基板を搬送可能である。このように基板を柔軟に搬送することができるため、基板にレジスト膜を形成する処理および基板を現像する処理をそれぞれ好適に行うことができる。
本発明において、少なくともいずれかの階層の第２主搬送機構は、現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第１主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい（請求項１５）。塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、より柔軟に基板を搬送することができる。
本発明において、異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、前記塗布処理ユニットは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構を前記主搬送機構として備え、前記現像処理ユニットは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構を前記主搬送機構として備え、同じ階層の第１主搬送機構と第２主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うとともに、少なくともいずれかの階層の第２主搬送機構は、現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第１主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることが好ましい（請求項１６）。塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で、同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、異なる階層間で基板を搬送可能である。このように基板を柔軟に搬送することができるため、基板にレジスト膜を形成する処理および基板を現像する処理をそれぞれ好適に行うことができる。
なお、本明細書は、次のような基板処理装置に係る発明も開示している。
（１）基板に処理を行う基板処理装置において、上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかは、一方の処理ブロックの少なくともいずれかの階層が他方の処理ブロックの複数の階層と基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
前記（１）に記載の基板処理装置によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかは、一方の処理ブロックの少なくともいずれかの階層が他方の処理ブロックの複数の階層に対しても基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。このように、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。この結果、他方の処理ブロックの当該複数の階層のいずれかに設けられる主搬送機構が基板を搬送できなくなったとしても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送して基板に一連の処理を行うことができる。
（２）請求項７に記載の基板処理装置において、前記塗布処理ブロックの一の階層から、当該一の階層と異なる前記現像処理ブロックの階層に基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
前記（２）に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックから現像処理ブロックへ基板を柔軟に搬送することができる。
（３）請求項７に記載の基板処理装置において、前記塗布処理ブロックの一の階層は、前記現像処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
前記（３）に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で基板を柔軟に搬送することができる。
（４）請求項７に記載の基板処理装置において、前記現像処理ブロックの一の階層から、当該一の階層と異なる前記塗布処理ブロックの階層へ基板を搬送することを特徴とする基板処理装置。
前記（４）に記載の基板処理装置によれば、現像処理ブロックから塗布処理ブロックへ基板を柔軟に搬送することができる。
（５）請求項７に記載の基板処理装置において、前記現像処理ブロックの一の階層は、前記塗布処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
前記（５）に記載の基板処理装置によれば、塗布処理ブロックと現像処理ブロックとの間で基板を柔軟に搬送することができる。
この発明に係る基板処理装置によれば、隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送することで基板に一連の処理を行うことができる。これにより、階層の数に相当する基板の搬送経路を有する。また、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送して、基板に一連の処理を行うこともできる。これにより、基板の搬送経路を階層の数より多くすることができる。このように、隣接する処理ブロックの間で基板を柔軟に搬送することができる。このため、基板を搬送できない異常状態の主搬送機構が生じても、当該主搬送機構を含まない搬送経路で基板を搬送して基板に一連の処理を行うことができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例を説明する。
まず、本実施例の概要を説明する。図１は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。
実施例は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗにレジスト膜を形成するとともに露光された基板Ｗを現像する基板処理装置である。本装置は、インデクサ部（以下、「ＩＤ部」と記載する）１と処理部３とインターフェイス部（以下、「ＩＦ部」と記載する）５とを備える。ＩＤ部１、処理部３およびＩＦ部５はこの順番に隣接して設けられている。ＩＦ部５にはさらに本装置とは別体の外部装置である露光機ＥＸＰが隣接して設けられる。
ＩＤ部１は外部から本装置に搬送される基板Ｗを処理部３へ搬送する。処理部３は、ＩＤ１から搬送された基板Ｗにレジスト膜を形成する処理と、基板Ｗを現像する処理を行う。ＩＦ部５は処理部３と露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを搬送する。露光機ＥＸＰは基板Ｗを露光する。
処理部３は、塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂとを備えている。塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂは、ＩＤ部１とＩＦ部５を結ぶ横方向に並べて設けられている。ＩＤ部１には塗布処理ブロックＢａが隣接しており、ＩＦ部５には現像処理ブロックＢｂが隣接している。塗布処理ブロックＢａは、基板Ｗにレジスト膜を形成する。現像処理ブロックＢｂは、基板Ｗを現像する。
各処理ブロックＢａ、Ｂｂは、それぞれ上下方向に複数の階層Ｋに分けられている。本実施例では、塗布処理ブロックＢａは上側の階層Ｋ１と下側の階層Ｋ３とを有する。同様に、現像処理ブロックＢｂは上側の階層Ｋ２と下側の階層Ｋ４とを有する。階層Ｋ１と階層Ｋ２は同じレベル（高さ位置）であり、階層Ｋ３と階層Ｋ４も同じレベル（高さ位置）である。このように、処理部３は全体として、階層Ｋ１、Ｋ２を上側の階層とし、階層Ｋ３、Ｋ４を下側の階層とする階層構造である。ここで、階層Ｋ１、階層Ｋ２は、それぞれ別個の処理ブロックＢａ、Ｂｂに設けられているが、本明細書では、階層Ｋ１と階層Ｋ２について、同じレベルの階層という意味で「同じ階層」、「同じ階層同士」等と適宜に記載する。同様に、階層Ｋ３と階層Ｋ４についても「同じ階層」等と適宜に記載する。
各処理ブロックＢａ、Ｂｂの各階層Ｋは、基板Ｗに処理を行う処理ユニットと、当該階層の処理ユニットに対して基板Ｗを搬送する主搬送機構とを有する。塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の処理ユニットは、基板Ｗにレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットなどである。塗布処理ユニットとしては、基板Ｗにレジスト膜材料を塗布するレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴが例示される。現像処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４の処理ユニットは、基板Ｗを現像するための現像処理ユニットＤＥＶなどである。なお、図１には、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴと現像処理ユニットＤＥＶのみを図示する。塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂは、それぞれこの発明における処理ブロックに相当する。
このように構成される本装置では次のように動作する。ＩＤ部１から塗布処理ブロックＢａの階層Ｋ１、Ｋ３にそれぞれ基板Ｗを搬送する。階層Ｋ１、Ｋ３では、基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行う。当該処理が終了すると、レジスト膜が形成された基板Ｗを、階層Ｋ１から階層Ｋ２、Ｋ４のいずれかに搬送する。同様に、レジスト膜が形成された基板Ｗを、階層Ｋ３から階層Ｋ２、Ｋ４のいずれかに搬送する。
階層Ｋ２、Ｋ４はそれぞれ、基板ＷをＩＦ部５へ搬送する。ＩＦ部５は、基板Ｗを露光機ＥＸＰへ搬送する。露光機ＥＸＰではレジスト膜が形成された基板Ｗを露光する。露光が終了すると、露光済みの基板Ｗが露光機ＥＸＰからＩＦ部５へ搬送される。
この基板Ｗを、ＩＦ部５から現像処理ブロックＢｂの階層Ｋ２、Ｋ４に搬送する。階層Ｋ２、Ｋ４では、露光済みの基板Ｗを現像する処理を行う。当該処理が終了すると、処理済みの基板Ｗを階層Ｋ２から階層Ｋ１、Ｋ３のいずれかに搬送する。同様に、処理済みの基板Ｗを階層Ｋ４から階層Ｋ１、Ｋ３のいずれかに搬送する。階層Ｋ１、Ｋ３はそれぞれ、当該階層に搬送された各基板ＷをＩＤ部１に搬送する。
このように、隣接する処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層間（階層Ｋ１と階層Ｋ２の間、および、階層Ｋ３と階層Ｋ４との間）で、基板Ｗを搬送可能である。これとともに、隣接する処理ブロックＢａ、Ｂｂ同士において階層Ｋ１と階層Ｋ４の間、または、階層Ｋ２と階層Ｋ４の間のように階層Ｋを変えて基板Ｗを搬送可能である。
これにより、処理ブロックＢａ、Ｂｂ同士の間における基板Ｗの搬送経路は、階層Ｋ１−階層Ｋ２（図１におけるｒ１）、階層Ｋ２−階層Ｋ４（同ｒ２）、階層Ｋ１−階層Ｋ４（同ｒ３）、階層Ｋ３−階層Ｋ２（同ｒ４）の４通りがある。搬送方向を区別すると、その倍の８通りである。このため、仮にある階層Ｋが基板Ｗを処理できなくなったり、基板Ｗを搬送できなくなった場合であっても、当該階層Ｋを含まない搬送経路で基板Ｗを搬送するなど柔軟に対応することができる。
たとえば、本装置では、図２に示すような２つの搬送経路Ｒ１、Ｒ２で基板Ｗを搬送することができる。搬送経路Ｒ１は、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ（上側の）階層Ｋ１、Ｋ３間で基板Ｗを搬送する。搬送経路Ｒ２は、処理ブロックＢａの上側の階層Ｋ１と処理ブロックＢｂの下側の階層Ｋ４との間で基板Ｗを搬送する。したがって、図示するように、各搬送経路Ｒ１、Ｒ２のいずれにも階層Ｋ３は含まれない。このような搬送経路Ｒ１、Ｒ２は、階層Ｋ３の処理ユニット（たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ）が基板Ｗを処理できない状態になったときや、階層Ｋ３の主搬送機構が基板Ｗを搬送できない状態（異常状態）になったときに有効である。また、現像処理ブロックＢｂで現像された基板Ｗが全て階層Ｋ１へ基板Ｗが搬送されるので、現像処理ブロックＢｂで現像された基板Ｗを異なる階層Ｋ１、階層Ｋ３へそれぞれ搬送する場合に比べて、より基板Ｗ間の処理品質を均一にすることができる。さらに、各搬送経路Ｒ１、Ｒ２は、同一の階層Ｋ１で基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行い、異なる階層Ｋ２、Ｋ４でそれぞれ基板Ｗを現像する処理を行う。このような搬送経路Ｒ１、Ｒ２で基板Ｗに一連の処理を行うことで、階層Ｋ２、Ｋ４における処理品質等を比較、検証することができる点でも有効である。
また、本装置では、図３に示すような２つの搬送経路Ｒ２、Ｒ３で基板Ｗを搬送することができる。搬送経路Ｒ３は、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ（下側の）階層Ｋ２、Ｋ４間で基板Ｗを搬送する。したがって、図示するように、各搬送経路Ｒ２、Ｒ３のいずれにも階層Ｋ２は含まれない。このような搬送経路Ｒ２、Ｒ３は、階層Ｋ２の処理ユニット（たとえば、現像処理ユニットＤＥＶ）が基板Ｗを処理できない状態になったときや、階層Ｋ２の主搬送機構が基板Ｗを搬送できない状態（異常状態）になったときに有効である。また、各搬送経路Ｒ２、Ｒ３は、異なる階層Ｋ１、Ｋ３で基板Ｗにレジスト膜を形成する処理を行い、同一の階層Ｋ４で基板Ｗを現像する処理を行う。このような搬送経路Ｒ２、Ｒ３で基板Ｗに一連の処理を行うことで、階層Ｋ１、Ｋ３における処理品質等を比較、検証することができる点でも有効である。
さらに、本装置では、図４に示すような２つの搬送経路Ｒ４、Ｒ５で基板Ｗを搬送することができる。搬送経路Ｒ４は、階層Ｋ３から階層Ｋ４へ基板Ｗを搬送させるとともに、階層Ｋ４から階層Ｋ１へ基板Ｗを搬送させる。搬送経路Ｒ５は、階層Ｋ３から階層Ｋ４へ基板Ｗを搬送させるとともに、階層Ｋ２から階層Ｋ１へ基板Ｗを搬送させる。したがって、図示するように、塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３が基板Ｗを搬送する方向はそれぞれ一方向である。具体的には、塗布処理ブロックＢａの階層Ｋ３は、専らＩＤ部１から基板Ｗを受け取り、専ら現像処理ブロックＢｂ（階層Ｋ４）へ基板Ｗを払い出す。また、塗布処理ブロックＢａの階層Ｋ１は、専ら現像処理ブロックＢｂから基板Ｗを受け取り、専らＩＤ部１へ基板Ｗを払い出す。また、塗布処理ブロックＢａにおける処理は基板Ｗを露光する前の処理であるので、この処理は、専ら露光前の基板Ｗが搬送される階層Ｋ３のみで行われる。このような搬送経路Ｒ４、Ｒ５は、階層Ｋ１の処理ユニットが基板Ｗを処理できない状態になったときに、有効である。すなわち、現像処理ブロックＢｂから基板Ｗを受け取ってＩＤ部１へ基板Ｗを払い出す動作を階層Ｋ１が負担することで、階層Ｋ３における処理能力を高めることができる。
なお、本発明は処理ブロックＢａ、Ｂｂ同士の間における基板Ｗの搬送経路ｒは、上述した上記搬送経路ｒ１〜ｒ４の４通りである場合に限られない。すなわち、同じ階層Ｋ間の搬送経路ｒ１、ｒ２に、異なる階層Ｋ間の搬送経路ｒ３またはｒ４のいずれかを加えた３通りであってもよい。たとえば、図３で説明した動作例では搬送経路ｒ１、ｒ２、ｒ３があれば足り、図２、図４で説明した動作例では搬送経路ｒ１、ｒ２、ｒ４があれば足りる。さらに、搬送経路ｒ３、ｒ４は双方向に基板Ｗを搬送可能な場合のほか、一方向にのみ基板Ｗを搬送可能であってもよい。たとえば、図４で説明した動作例は、搬送経路ｒ３のうち現像処理ブロックＢｂから塗布処理ブロックＢａへの一方向に基板Ｗを搬送するのみである。
以下では、本実施例の各部の構成をより詳細に説明する。
図５は、実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図６と図７は基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図であり、図８ないし図１１は、図５におけるａ−ａ矢視、ｂ−ｂ矢視、ｃ−ｃ矢視およびｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。
［ＩＤ部１］
ＩＤ部１は複数枚の基板Ｗを収容するカセットＣから基板Ｗを取り出すとともに、カセットＣに基板Ｗを収納する。このＩＤ部１はカセットＣを載置するカセット載置台９を備える。カセット載置台９は４個のカセットＣを１列に並べて載置可能に構成される。ＩＤ部１はＩＤ用搬送機構ＴＩＤを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、各カセットＣに対して基板Ｗを搬送するとともに、後述する載置部ＰＡＳＳ１及び載置部ＰＡＳＳ３に基板Ｗを搬送する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、カセット載置台９の側方をカセットＣの並び方向に水平移動する可動台２１と、可動台２１に対して鉛直方向に伸縮する昇降軸２３と、この昇降軸２３に対して旋回するとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム２５とを備えている。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは、この発明におけるインデクサ用搬送機構に相当する。
［処理部３］
図５、図８等に示すように、塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３にはそれぞれ主搬送機構Ｔ１、Ｔ３が設けられている。また、現像処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４にはそれぞれ主搬送機構Ｔ２、Ｔ４が設けられている。以下では、各処理ブロックＢａ、Ｂｂに分けて説明する。
［処理部３〜塗布処理ブロックＢａ］
ＩＤ部１と処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の間には、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ３が設けられている。載置部ＰＡＳＳ１には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ１との間で受け渡される基板Ｗが載置される。同様に、載置部ＰＡＳＳ３には、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤと主搬送機構Ｔ３との間で受け渡される基板Ｗが載置される。断面視では載置部ＰＡＳＳ１は上側の階層Ｋ１の下部付近の高さ位置に配置され、載置部ＰＡＳＳ３は下側の階層Ｋ３の上部付近の高さに配置されている。このように載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３の位置が比較的近いので、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは少ない昇降量で載置部ＰＡＳＳ１と載置部ＰＡＳＳ３との間を移動することができる。
処理ブロックＢａ、Ｂｂの間には、各階層ごとに基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４が固定的に設けられている。具体的には、載置部ＰＡＳＳ２は階層Ｋ１と階層Ｋ２との間に、載置部ＰＡＳＳ４は階層Ｋ３と階層Ｋ４との間にそれぞれ配置されている。そして、主搬送機構ＴＩと主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２を介して基板Ｗを受け渡し、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４は載置部ＰＡＳＳ４を介して基板Ｗを受け渡す。このように、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４は、同じ階層同士の間で基板Ｗを搬送するためのものである。載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４は、この発明における固定載置部に相当する。
処理ブロックＢａ、Ｂｂの間には、さらに、基板Ｗを載置する可動載置部ＭＰＡＳＳが上下方向の各階層にわたって昇降可能に設けられている。具体的には、可動載置部ＭＰＡＳＳは、図示省略の駆動機構により、載置部ＰＡＳＳ２と載置部ＰＡＳＳ４との間を上下方向に移動する。そして、階層Ｋ１（Ｋ２）に応じた高さ位置と、階層Ｋ３（Ｋ４）に応じた高さ位置とに移動可能である。階層Ｋ１（Ｋ２）に応じた高さ位置は、載置部ＰＡＳＳ２よりやや下側であり、図８において実線で示される位置である。階層Ｋ３（Ｋ４）に応じた高さ位置は、載置部ＰＡＳＳ４よりやや上側であり、図８において点線で示される位置である。階層Ｋ１（Ｋ２）に応じた高さ位置に移動した可動載置部ＭＰＡＳＳに対しては、主搬送機構ＴＩと主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを載置することができ、また、載置されている基板Ｗを受け取ることができる（すなわち、搬送可能である）。同様に、階層Ｋ３（Ｋ４）に応じた高さ位置に移動した可動載置部ＭＰＡＳＳに対しては、主搬送機構Ｔ３と主搬送機構Ｔ４が基板Ｗを搬送可能である。なお、可動載置部ＭＰＡＳＳは、同じ階層同士の間で基板Ｗを搬送するために用いることができるが、本実施例では専ら異なる階層同士の間で基板Ｗを搬送するために用いる。
各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４、後述する各載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６および可動載置部ＭＰＡＳＳは、複数（本実施例では２台）であり、それぞれ上下方向に近接して配置されている。そして、基板Ｗが受け渡される方向に応じていずれかの載置部ＰＡＳＳが選択される。
たとえば、載置部ＰＡＳＳ１については、上下方向に近接配置される２つの載置部ＰＡＳＳ１Ａ、ＰＡＳＳ１Ｂを有している。そして、一方の載置部ＰＡＳＳ１Ａには、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤから主搬送機構Ｔ１へ渡す基板Ｗを載置し、他方の載置部ＰＡＳＳ１Ｂには主搬送機構Ｔ１からＩＤ用搬送機構ＴＩＤへ渡す基板Ｗを載置する。
また、たとえば、載置部ＰＡＳＳ２については、載置部ＰＡＳＳ２Ａ、ＰＡＳＳ２Ｂを有している。そして、一方の載置部ＰＡＳＳ２Ａには主搬送機構Ｔ１が基板Ｗを載置し、この基板Ｗを主搬送機構Ｔ２が受け取る。他方の載置部ＰＡＳＳ２Ｂには主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを載置し、この基板Ｗを主搬送機構Ｔ１が受け取る。
また、たとえば、可動載置部ＭＰＡＳＳについては、可動載置部ＭＰＡＳＳＡ、ＭＰＡＳＳＢを有している。そして、一方の可動載置部ＭＰＡＳＳＡには主搬送機構Ｔ１または主搬送機構Ｔ３が基板Ｗを載置し、この基板Ｗを主搬送機構Ｔ２または主搬送機構Ｔ４が受け取る。他方の可動載置部ＭＰＡＳＳＢには主搬送機構Ｔ２または主搬送機構Ｔ４が基板Ｗを載置し、この基板Ｗを主搬送機構Ｔ１または主搬送機構Ｔ３が受け取る。
各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６および可動載置部ＭＰＡＳＳは、突出形成された複数の支持ピンをそれぞれ有し、これら支持ピンによって基板Ｗを略水平姿勢で載置可能に構成されている。また、各載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ６および可動載置部ＭＰＡＳＳには基板Ｗの有無を検知するセンサ（図示省略）がそれぞれ付設されている。各センサの検出信号は後述する制御部９０に入力される。制御部９０は、各センサの検出結果に基づいて、当該載置部ＰＡＳＳ、ＭＰＡＳＳに基板Ｗが載置されているか否かを判断し、当該載置部ＰＡＳＳ、ＭＰＡＳＳを介して受け渡しを行う各主搬送機構Ｔを制御する。
階層Ｋ１について説明する。
階層Ｋ１に設けられる処理ユニットは、基板Ｗにレジスト膜を形成するための塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１である。主搬送機構Ｔ１は、これら塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１に対して基板Ｗを搬送する。主搬送機構Ｔ１は、平面視で階層Ｋ１の略中央を通り搬送方向と平行な搬送スペースＡ１を移動可能に設けられている。塗布処理ユニット３１は搬送スペースＡ１の一方側に配置されており、他方側には熱処理ユニット４１が配置されている。
塗布処理ユニット３１は、それぞれ搬送スペースＡ１に面して縦横に複数個並べて設けられている。本実施例では、基板Ｗの搬送路に沿って２列２段で合計４つの塗布処理ユニット３１が配置されている。
塗布処理ユニット３１は、基板Ｗに反射防止膜を形成する反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、基板Ｗにレジスト膜を形成する（レジスト膜形成処理を行う）レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴとを含む。
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは反射防止膜用の処理液を基板Ｗに塗布する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴはレジスト膜材料を基板Ｗに塗布する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは複数（２台）であり、下段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴも複数（２台）であり、上段に略同じ高さ位置となるように並べて配置されている。各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの間には隔壁又は仕切り壁等はない。すなわち、全ての反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣを共通のチャンバーに収容するのみで、各反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの周囲の雰囲気は互いに遮断されていない（連通している）。同様に、各レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの周囲の雰囲気も互いに遮断されていない。
図１２を参照する。図１２（ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。各塗布処理ユニット３１は、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部３２と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ３３と、基板Ｗに処理液を供給する供給部３４などを備えている。
供給部３４は、複数個のノズル３５と、一のノズル３５を把持する把持部３６と、把持部３６を移動させて一のノズル３５を基板Ｗの上方の処理位置と基板Ｗの上方からはずれた待機位置との間で移動させるノズル移動機構３７とを備えている。各ノズル３５にはそれぞれ処理液配管３８の一端が連通接続されている。処理液配管３８は、待機位置と処理位置との間におけるノズル３５の移動を許容するように可動（可撓）に設けられている。各処理液配管３８の他端側は処理液供給源（図示省略）に接続されている。具体的には、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの場合には、処理液供給源は種類の異なる反射防止膜用の処理液を各ノズル３５に対して供給する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴの場合には、処理液供給源は種類の異なるレジスト膜材料を各ノズル３５に対して供給する。
ノズル移動機構３７は、第１ガイドレール３７ａと第２ガイドレール３７ｂと有する。第１ガイドレール３７ａは横に並ぶ２つのカップ３３を挟んで互いに平行に配備されている。第２ガイドレール３７ｂは２つの第１ガイドレール３７ａに摺動可能に支持されて、２つのカップ３３の上に架設されている。把持部３６は第２ガイドレール３７ｂに摺動可能に支持される。ここで、第１ガイドレール３７ａおよび第２ガイドレール３７ｂが案内する各方向はともに略水平方向で、互いに略直交する。ノズル移動機構３７は、さらに第２ガイドレール３７ｂを摺動移動させ、把持部３６を摺動移動させる図示省略の駆動部を備えている。そして、駆動部が駆動することにより、把持部３６によって把持されたノズル３５を処理位置に相当する２つの回転保持部３２の上方位置に移動させる。
熱処理ユニット４１は複数であり、それぞれ搬送スペースＡ１に面するように縦横に複数個並べられている。本実施例では横方向に３つの熱処理ユニット４１を配置可能に、縦方向に５つの熱処理ユニット４１を積層可能である。熱処理ユニット４１はそれぞれ基板Ｗを載置するプレート４３などを備えている。熱処理ユニット４１は基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰ、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰおよび基板Ｗと被膜の密着性を向上させるためにヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）の蒸気雰囲気で熱処理するアドヒージョン処理ユニットＡＨＬを含む。なお、加熱冷却ユニットＰＨＰはプレート４３を２つ有するとともに、２つのプレート４３間で基板Ｗを移動させる図示省略のローカル搬送機構を備えている。各種の熱処理ユニットＣＰ、ＰＨＰ、ＡＨＬはそれぞれ複数個であり、適宜の位置に配置されている。
主搬送機構Ｔ１を具体的に説明する。図１３を参照する。図１３は、主搬送機構の斜視図である。主搬送機構Ｔ１は、上下方向に案内する２本の第３ガイドレール５１と横方向に案内する第４ガイドレール５２を有している。第３ガイドレール５１は搬送スペースＡ１の一側方に対向して固定されている。本実施例では、塗布処理ユニット３１の側に配置している。第４ガイドレール５２は第３ガイドレール５１に摺動可能に取り付けられている。第４ガイドレール５２には、ベース部５３が摺動可能に設けられている。ベース部５３は搬送スペースＡ１の略中央まで横方向に張り出している。さらに、第４ガイドレール５２を上下方向に移動させ、ベース部５３を横方向に移動させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、縦横に並ぶ塗布処理ユニット３１および熱処理ユニット４１の各位置にベース部５３を移動させる。
ベース部５３には縦軸心Ｑ周りに回転可能に回転台５５が設けられている。回転台５５には基板Ｗを保持する２つの保持アーム５７ａ、５７ｂがそれぞれ水平方向に移動可能に設けられている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは互いに上下に近接した位置に配置されている。さらに、回転台５５を回転させ、各保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる図示省略の駆動部を備えている。この駆動部が駆動することにより、各塗布処理ユニット３１および各熱処理ユニット４１、載置部ＰＡＳＳ１、ＰＡＳＳ２および階層Ｋ１（Ｋ２）に応じた高さ位置に移動した可動載置部ＭＰＡＳＳに回転台５５を対向させ、これら塗布処理ユニット３１等に対して保持アーム５７ａ、５７ｂを進退させる。
階層Ｋ３について説明する。なお、階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３および処理ユニットの平面視でのレイアウト（配置）は階層Ｋ１のそれらと略同じである。このため、主搬送機構Ｔ３から見た階層Ｋ３の各種処理ユニットの配置は、主搬送機構Ｔ１から見た階層Ｋ１の各種処理ユニットの配置と略同じである。階層Ｋ３の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１は、それぞれ階層Ｋ１の塗布処理ユニット３１と熱処理ユニット４１の下側にそれぞれ積層されている。
以下において、階層Ｋ１、Ｋ３に設けられているレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「１」又は「３」を付す（たとえば、階層Ｋ１に設けられるレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴを「レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１」と記載する）。
処理ブロックＢａのその他の構成について説明する。搬送スペースＡ１、Ａ３には、清浄な気体を吹き出す第１吹出ユニット６１と気体を吸引する排出ユニット６２とがそれぞれ設けられている。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２は、それぞれ平面視における搬送スペースＡ１と略同じ広さを有する扁平な箱状物である。第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２の一方面にはそれぞれ第１吹出口６１ａと排出口６２ａが形成されている。本実施例では多数の小孔ｆで第１吹出口６１ａおよび排出口６２ａが構成されている。第１吹出ユニット６１は第１吹出口６１ａを下に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の上部に配置されている。また、排出ユニット６２は排出口６２ａを上に向けた姿勢で搬送スペースＡ１、Ａ３の下部に配置されている。搬送スペースＡ１と搬送スペースＡ３の雰囲気は、搬送スペースＡ１の排出ユニット６２と搬送スペースＡ３の第１吹出ユニット６１とによって遮断されている。よって、各階層Ｋ１、Ｋ３は互いに雰囲気が遮断されている。
搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出ユニット６１は同じ第１気体供給管６３に連通接続されている。第１気体供給管６３は載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に、搬送スペースＡ１の上部から搬送スペースＡ３の下部にかけて設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。第１気体供給管６３の他端側は図示省略の気体供給源に連通接続されている。同様に、搬送スペースＡ１、Ａ３の排出ユニット６２は同じ第１気体排出管６４に連通接続されている。第１気体排出管６４は搬送スペースＡ１の下部から搬送スペースＡ３の下部にかけて、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の側方位置に設けられているとともに、搬送スペースＡ２の下方で水平方向に曲げられている。そして、搬送スペースＡ１、Ａ３の各第１吹出口６１ａから気体を吹き出させるとともに各排出口６２ａから気体を吸引／排出させることで、搬送スペースＡ１、Ａ３には上部から下部に流れる気流が形成されて、各搬送スペースＡ１、Ａ３は個別に清浄な状態に保たれる。
階層Ｋ１、Ｋ３の各塗布処理ユニット３１には、縦方向に貫く竪穴部ＰＳが形成されている。この竪穴部ＰＳには清浄な気体を供給するための第２気体供給管６５と、気体を排気するための第２気体排出管６６が上下方向に設けられている。第２気体供給管６５と第２気体排出管６６はそれぞれ各塗布処理ユニット３１の所定の高さ位置で分岐して竪穴部ＰＳから略水平方向に引き出されている。分岐した複数の第２気体供給管６５は、気体を下方に吹き出す第２吹出ユニット６７に連通接続している。また、分岐した複数の第２気体排出管６６は各カップ３３の底部にそれぞれ連通接続している。第２気体供給管６５の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体供給管６３に連通接続されている。第２気体排出管６６の他端は、階層Ｋ３の下方において第１気体排出管６４に連通接続されている。そして、第２吹出ユニット６７から気体を吹き出させるとともに、第２気体排出管６６を通じて気体を排出させることで、各カップ３３内の雰囲気は常に清浄に保たれ、回転保持部３２に保持された基板Ｗを好適に処理できる。
また、竪穴部ＰＳにはさらに処理液を通じる配管や電気配線等（いずれも図示省略）が設置されている。このように、竪穴部ＰＳに階層Ｋ１、Ｋ３の塗布処理ユニット３１に付設される配管や配線等を収容することができるので、配管や配線等の長さを短くすることができる。
また、処理ブロックＢａは、一の筐体７５に収容されている。後述する処理ブロックＢｂも別個の筐体７５に収容されている。このように、処理ブロックＢａ、Ｂｂごとに主搬送機構Ｔおよび処理ユニットをまとめて収容する筐体７５を備えることで、処理部３を簡易に製造することができる。主搬送機構Ｔ１および主搬送機構Ｔ３は、この発明における第１主搬送機構に相当する。
［処理部３〜現像処理ブロックＢｂ］
階層Ｋ２について説明する。階層Ｋ１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。階層Ｋ２の搬送スペースＡ２は搬送スペースＡ１の延長上となるように形成されている。
階層Ｋ２の処理ユニットは、基板Ｗを現像する現像処理ユニットＤＥＶと、基板Ｗに熱処理を行う熱処理ユニット４２と、基板Ｗの周縁部を露光するエッジ露光ユニットＥＥＷである。現像処理ユニットＤＥＶは搬送スペースＡ２の一方側に配置され、熱処理ユニット４２およびエッジ露光ユニットＥＥＷは搬送スペースＡ２の他方側に配置されている。ここで、現像処理ユニットＤＥＶは塗布処理ユニット３１と同じ側に配置されることが好ましい。また、熱処理ユニット４２及びエッジ露光ユニットＥＥＷは熱処理ユニット４１と同じ並びとなることが好ましい。
現像処理ユニットＤＥＶは４つであり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に２つ並べられたものが上下２段に積層されている。各現像処理ユニットＤＥＶは基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部７７と、基板Ｗの周囲に設けられるカップ７９とを備えている。１段に並設される２つの現像処理ユニットＤＥＶは仕切り壁等で間仕切りされることなく設けられている。さらに、２つの現像処理ユニットＤＥＶに対して、現像液を供給する供給部８１が設けられている。供給部８１は、現像液を吐出するためのスリットまたは小孔列を有する２つのスリットノズル８１ａを有する。スリットまたは小孔列の長手方向の長さは基板Ｗの直径相当が好ましい。また、２つのスリットノズル８１ａは互いに異なる種類または濃度の現像液を吐出するように構成することが好ましい。供給部８１はさらに、各スリットノズル８１ａを移動させる移動機構８１ｂとを備えている。これにより、各スリットノズル８１ａはそれぞれ、横方向に並ぶ２つの回転保持部７７の上方に移動可能である。
熱処理ユニット４２は複数であり、搬送スペースＡ２に沿う横方向に複数並べられるとともに、縦方向に複数積層されている。熱処理ユニット４２は、基板Ｗを加熱する加熱ユニットＨＰと、基板Ｗを冷却する冷却ユニットＣＰと、加熱処理と冷却処理を続けて行う加熱冷却ユニットＰＨＰを含む。
加熱冷却ユニットＰＨＰは複数である。各加熱冷却ユニットＰＨＰは、最もＩＦ部５側の列に上下方向に積層されて、それぞれの一側部がＩＦ部５側に面している。階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰについては、その側部に基板Ｗの搬送口を形成している。そして、加熱冷却ユニットＰＨＰに対しては、後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦが上記搬送口を通じて基板Ｗを搬送する。そして、これら階層Ｋ２に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰで、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。同様に、階層Ｋ４に設けられる加熱冷却ユニットＰＨＰは、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）処理を行う。
エッジ露光ユニットＥＥＷは単一であり、所定の位置に設けられている。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを回転可能に保持する回転保持部（不図示）と、この回転保持部に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射部（不図示）とを備えている。
さらに、加熱冷却ユニットＰＨＰの上側には、載置部ＰＡＳＳ５が積層されている。この載置部ＰＡＳＳ５を介して、主搬送機構Ｔ２と後述するＩＦ用搬送機構ＴＩＦとが基板Ｗの受け渡しを行う。
主搬送機構Ｔ２は平面視で搬送スペースＡ２の略中央に設けられている。主搬送機構Ｔ２は主搬送機構Ｔ１と同様に構成されている。
そして、載置部ＰＡＳＳ２と、階層Ｋ１（Ｋ２）に応じた高さ位置に移動した可動載置部ＭＰＡＳＳと、現像処理ユニットＤＥＶと各種の熱処理ユニット４２とエッジ露光ユニットＥＥＷと載置部ＰＡＳＳ５との間で主搬送機構Ｔ２が基板Ｗを搬送する。
階層Ｋ４について簡略に説明する。階層Ｋ２と階層Ｋ４の各構成の関係は、階層Ｋ１、Ｋ３間の関係と同様である。階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ２、Ａ４にも、第１吹出ユニット６１や排出ユニット６２等に相当する構成がそれぞれ設けられている。また、階層Ｋ２、Ｋ４の現像処理ユニットＤＥＶには、第２吹出ユニット６７や第２気体排出管６６等に相当する構成がそれぞれ設けられている。
以下において、階層Ｋ２、Ｋ４に設けられている現像処理ユニットＤＥＶやエッジ露光ユニットＥＥＷ等を区別するときは、それぞれ下付きの符号「２」又は「４」を付す（たとえば、階層Ｋ２に設けられる加熱ユニットＨＰを「加熱ユニットＨＰ２」と記載する）。主搬送機構Ｔ２および主搬送機構Ｔ４はそれぞれ、この発明における第２主搬送機構に相当する。
［ＩＦ部５］
ＩＦ部５は処理部３（より詳しくは現像処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４）と、露光機ＥＸＰとの間で基板Ｗを受け渡す。ＩＦ部５は基板Ｗを搬送するＩＦ用搬送機構ＴＩＦを備えている。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、相互に基板Ｗを受け渡し可能なＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢを有する。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、主として現像処理ブロックＢｂに対して基板Ｗを搬送する。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは、主として露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する。
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡとＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢとは、処理部３の各階層に設けられる主搬送機構Ｔの並び方向と略直交した方向に並んで設けられている。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは処理ブロックＢｂの熱処理ユニット４２等が位置する側に配置されている。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは処理ブロックＢｂの現像処理ユニットＤＥＶが位置する側に配置されている。
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、固定的に設けられる基台８３と、基台８３に対して鉛直上方に伸縮する昇降軸８５と、この昇降軸８５に対して旋回可能であるとともに旋回半径方向に進退して基板Ｗを保持する保持アーム８７とを備えている。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢも基台８３と昇降軸８５と保持アーム８７とを備えている。
ＩＦ用第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢの間には基板Ｗを載置して冷却する載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと、基板Ｗを載置する載置部ＰＡＳＳ７と、基板Ｗを一時的に収容するバッファ部ＢＦＩＦが多段に積層されている。バッファ部ＢＦＩＦは、露光機ＥＸＰへ送るための基板Ｗを一時的に収容する送り用バッファ部ＢＦＩＦＳと、処理部３へ戻すための基板Ｗを一時的に収容する戻り用バッファ部ＢＦＩＦＲとに分けられる。戻り用バッファ部ＢＦＩＦＲには、露光後の基板Ｗに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が行われた基板Ｗが載置される。
そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは、載置部ＰＡＳＳ５、ＰＡＳＳ６と各階層Ｋ３、Ｋ４の加熱冷却ユニットＰＨＰと載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと載置部ＰＡＳＳ７とバッファ部ＢＦＩＦとに対して基板Ｗを搬送する。ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは、露光機ＥＸＰと載置部ＰＡＳＳ−ＣＰと載置部ＰＡＳＳ７とに対して基板Ｗを搬送する。ＩＦ用第１、第２搬送機構ＴＩＦＡ、ＴＩＦＢ間の基板Ｗの受け渡しは、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ及び載置部ＰＡＳＳ７を介して行う。ＩＦ用搬送機構ＴＩＦは、この発明におけるインターフェイス用搬送機構に相当する。
次に本装置の制御系について説明する。図１４は、実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。図示するように、本装置の制御部９０は、メインコントローラ９１と第１ないし第７コントローラ９３、９４、９５、９６、９７、９８、９９を備えている。
メインコントローラ９１は、第１から第７コントローラ９３〜９９を統括的に制御する。また、メインコントローラ９１は、ホストコンピュータを介して露光機ＥＸＰが備える露光機用コントローラと通信可能である。第１コントローラ９３はＩＤ用搬送機構ＴＩＤによる基板搬送を制御する。第２コントローラ９４は主搬送機構Ｔ１による基板搬送と、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１と反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１と冷却ユニットＣＰ１と加熱冷却ユニットＰＨＰ１とアドヒージョン処理ユニットＡＨＬ１における基板処理を制御する。第３コントローラ９５は主搬送機構Ｔ２による基板搬送と、エッジ露光ユニットＥＥＷ２と現像処理ユニットＤＥＶ２と加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２における基板処理を制御する。第４、第５コントローラ９６、９７の制御はそれぞれ第２、第３コントローラ９４、９５の制御と対応する。第６コントローラ９８は、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡによる基板搬送と、加熱冷却ユニットＰＨＰ２、ＰＨＰ４における基板処理を制御する。第７コントローラ９９は、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢによる基板搬送を制御する。さらに、第２〜第５コントローラ９４〜９７は、それぞれ可動載置部ＭＰＡＳＳの昇降を制御する。上述した第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ互いに独立して制御を行う。
メインコントローラ９１および第１〜第７コントローラ９３〜９９はそれぞれ、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）や、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）や、予め設定されている処理レシピ（処理プログラム）など各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。処理レシピには、各基板Ｗを搬送する搬送経路に関する情報も含まれている。
次に、実施例に係る基板処理装置の動作について説明する。ここで、図２〜図４を示して説明した種々の搬送経路に応じた動作例は、各搬送機構の動作の組み合わせによって実現される。このため、以下では搬送機構ごとに分けて説明する。図１５は基板Ｗに一連の処理を行う際のフローチャートであり、基板Ｗが順次搬送される処理ユニットまたは載置部などを示すものである。また、図１６は、各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図であり、搬送機構がアクセスする処理ユニット、載置部またはカセット等の順序を明示するものである。
［ＩＤ用搬送機構ＴＩＤ］
ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは一のカセットＣに対向する位置に移動し、カセットＣに収容される一枚の未処理の基板Ｗを保持アーム２５に保持してカセットＣから搬出する。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは保持アーム２５を旋回し昇降軸２３を昇降して載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動し、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置する（図１５におけるステップＳ１ａに対応する。以下、ステップの番号のみ付記する。）。このとき、載置部ＰＡＳＳ１Ｂには通常、基板Ｗが載置されており、この基板Ｗを受け取ってカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。なお、載置部ＰＡＳＳ１Ｂに基板Ｗがない場合はステップＳ２３を省略する。続いて、ＩＤ用搬送機構ＴＩＤはカセットＣにアクセスして、カセットＣに収容される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ３Ａへ搬送する（ステップＳ１ｂ）。ここでも、載置部ＰＡＳＳ３Ｂに基板Ｗが載置されていれば、この基板ＷをカセットＣに収納する（ステップＳ２３）。ＩＤ用搬送機構ＴＩＤは上述した動作を繰り返し行う。
このようなＩＤ用搬送機構ＴＩＤの動作は、第１コントローラ９３によって制御されている。これにより、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ１に送るとともに、階層Ｋ１から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。同様に、カセットＣの基板Ｗを階層Ｋ３へ送るとともに、階層Ｋ３から払い出された基板ＷをカセットＣに収容する。
［主搬送機構Ｔ１、Ｔ３］
主搬送機構Ｔ３の動作は主搬送機構Ｔ１の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ１についてのみ説明する。すなわち、階層Ｋ１における動作を説明する。主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ１に対向する位置に移動する。このとき、主搬送機構Ｔ１は直前に載置部ＰＡＳＳ２Ｂから受け取った基板Ｗを一方の保持アーム５７（例えば５７ｂ）に保持している。主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ１Ｂに載置するとともに（ステップＳ２２）、他方の保持アーム５７（例えば５７ａ）で載置部ＰＡＳＳ１Ａに載置されている基板Ｗを保持する。
主搬送機構Ｔ１は所定の冷却ユニットＣＰ１にアクセスする。冷却ユニットＣＰ１には既に熱処理（冷却）が終了した他の基板Ｗがある。主搬送機構Ｔ１は空の（基板Ｗを保持していない）保持アーム５７で他の基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１から搬出するとともに、載置部ＰＡＳＳ１Ａから受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。そして、主搬送機構Ｔ１は冷却された基板Ｗを保持して反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１に移動する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗに対して熱処理（冷却）を開始する（ステップＳ２）。以下の説明では、その他の各種の熱処理ユニット４１や塗布処理ユニット３１においても、主搬送機構Ｔ１がアクセスする際に、当該ユニット内にはそれぞれ所定の処理を終えた基板Ｗが既にあるものとする。
反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１にアクセスすると、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１から反射防止膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１の回転保持部３２に置く。その後、主搬送機構Ｔ１は反射防止膜が形成された基板Ｗを保持して加熱冷却ユニットＰＨＰ１に移動する。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣ１は回転保持部３２に載置された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ３）。
具体的には、回転保持部３２が基板Ｗを水平姿勢で回転させるとともに、把持部３６で一のノズル３５を把持し、ノズル移動機構３７の駆動により把持したノズル３５を基板Ｗの上方に移動させ、ノズル３５から反射防止膜用の処理液を基板Ｗに供給する。供給された処理液は基板Ｗの全面に広がり、基板Ｗから捨てられる。カップ３３は捨てられた処理液を回収する。このようにして、基板Ｗに反射防止膜を塗布形成する処理が行われる。
主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１にアクセスすると、加熱冷却ユニットＰＨＰ１から熱処理が済んだ基板Ｗを搬出するとともに、反射防止膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に投入する。その後、主搬送機構Ｔ１は加熱冷却ユニットＰＨＰ１から搬出した基板Ｗを保持して冷却ユニットＣＰ１に移動する。加熱冷却ユニットＰＨＰ１では２つのプレート４３上に順次、基板Ｗを載置して、一のプレート４３上で基板Ｗを加熱した後に他のプレート４３上で基板Ｗを冷却する（ステップＳ４）。
主搬送機構Ｔ１は冷却ユニットＣＰ１に移動すると、冷却ユニットＣＰ１内の基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に搬入する。冷却ユニットＣＰ１は搬入された基板Ｗを冷却する（ステップＳ５）。
続いて、主搬送機構Ｔ１はレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に移動する。そして、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１からレジスト膜が形成された基板Ｗを搬出するとともに、保持している基板Ｗをレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１に基板Ｗを搬入する。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳＩＳＴ１は搬入された基板Ｗを回転させつつレジスト膜材料を供給して、基板Ｗにレジスト膜を形成する（ステップＳ６）。
主搬送機構Ｔ１はさらに加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１に移動する。そして、レジスト膜が形成された基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ１に搬入し、加熱冷却ユニット部ＰＨＰ１で処理が済んだ基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１に移すとともに、この冷却ユニットＣＰ１において処理が済んだ基板Ｗを受け取る。加熱冷却ユニットＰＨＰ１と冷却ユニットＣＰ１はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う。（ステップＳ７、Ｓ８）。
主搬送機構Ｔ１は、保持している基板Ｗの搬送経路に応じて、載置部ＰＡＳＳ２または可動載置部ＭＰＡＳＳに対して当該基板Ｗを搬送する。これにより、当該基板Ｗは、塗布処理ブロックＢａ（階層Ｋ１）から現像処理ブロックＢｂのいずれかの階層に向けて払い出される。なお、保持している基板Ｗの搬送経路は処理レシピに予め設定されている。
具体的には、以下の通りである。階層Ｋ１から階層Ｋ２へ基板Ｗを搬送する場合（図１におけるｒ１に相当）は、主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２に対向する位置に移動する。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置する（ステップＳ９ａ）。
また、階層Ｋ１から階層Ｋ４へ基板Ｗを搬送する場合（図１におけるｒ３に相当）は、主搬送機構Ｔ１は可動載置部ＭＰＡＳＳに対向する位置に移動する。この場合、可動載置部ＭＰＡＳＳＡは階層Ｋ１（Ｋ２）に対応する高さ位置に移動している。そして、主搬送機構Ｔ１は保持している基板Ｗを可動載置部ＭＰＡＳＳＡに載置する（ステップＳ９ｃ）。可動載置部ＭＰＡＳＳに基板Ｗが載置されると、可動載置部ＭＰＡＳＳは搬送先の階層Ｋ３（Ｋ４）に対応する高さ位置まで下降する。
続いて、主搬送機構Ｔ１は、現像処理ブロックＢｂから受け取る基板Ｗの搬送経路に応じて、載置部ＰＡＳＳ２または可動載置部ＭＰＡＳＳに載置されている基板Ｗを受け取る。この基板Ｗの搬送経路も処理レシピに予め設定されている。
具体的には以下の通りである。階層Ｋ２から払い出された基板Ｗを階層Ｋ１が受け取る場合は（図１におけるｒ１に相当）は、主搬送機構Ｔ１は載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１ａ）。また、階層Ｋ４から払い出された基板Ｗを階層Ｋ１が受け取る場合（図１におけるｒ３に相当）は、主搬送機構Ｔ１は可動載置部ＭＰＡＳＳＢに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ２１ｃ）。
その後、主搬送機構Ｔ１は再び載置部ＰＡＳＳ１にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。この動作は第２コントローラ９４によって制御されている。これにより、主搬送機構Ｔ１は、載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを受け取って、所定の処理ユニット（本実施例では冷却ユニットＣＰ１）に搬送するとともに、当該処理ユニットから処理済の基板Ｗを取り出す。引き続いて、取り出した基板Ｗを他の処理ユニットに搬送するとともにこの他の処理ユニットから処理済みの基板Ｗを取り出す。このように、各処理ユニットで処理が済んだ基板Ｗをそれぞれ新たな処理ユニットに移すことで、複数の基板Ｗについて並行して処理を進める。そして、先に載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗから順に階層Ｋ１から現像処理ブロックＢｂに向けて払い出す。
この際、階層Ｋ１と同じ階層Ｋ２との間で基板Ｗを搬送する場合は載置部ＰＡＳＳ２に載置し、階層Ｋ１と異なる階層Ｋ４に変えて払い出す場合は可動載置部ＭＰＡＳＳに載置する。また、現像処理ブロックＢｂから階層Ｋ１へ向けて払い出された基板Ｗを受け取る。この際、当該基板Ｗが階層Ｋ１と同じ階層Ｋ２から搬送される場合は、載置部ＰＡＳＳ２から基板Ｗを受け取る。また、当該基板Ｗが階層Ｋ１と異なる階層Ｋ４から搬送される場合は、可動載置部ＭＰＡＳＳから基板Ｗを受け取る。このようにして、載置部ＰＡＳＳ２または可動載置部ＭＰＡＳＳのいずれかで受け取った基板ＷをＩＤ部１へ払い出す。
［主搬送機構Ｔ２、Ｔ４］
主搬送機構Ｔ４の動作は主搬送機構Ｔ２の動作と略同じであるので、主搬送機構Ｔ２についてのみ説明する。すなわち、階層Ｋ２における動作を説明する。主搬送機構Ｔ２は、塗布処理ブロックＢａから受け取る基板Ｗの搬送経路に応じて、載置部ＰＡＳＳ２または可動載置部ＭＰＡＳＳに載置されている基板Ｗを受け取る。この基板Ｗの搬送経路も処理レシピに予め設定されている。
具体的には以下の通りである。階層Ｋ１から払い出された基板Ｗを階層Ｋ２が受け取る場合は（図１におけるｒ１に相当）は、主搬送機構Ｔ２は載置部ＰＡＳＳ２Ａに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ９ａ）。また、階層Ｋ３から払い出された基板Ｗを階層Ｋ２が受け取る場合（図１におけるｒ３に相当）は、主搬送機構Ｔ２は可動載置部ＭＰＡＳＳＡに載置されている基板Ｗを受け取る（ステップＳ９ｃ）。
この際、主搬送機構Ｔ２は直前にアクセスした冷却ユニットＣＰ２から受け取った基板Ｗを保持している。主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗの搬送経路に応じて、載置部ＰＡＳＳ２または可動載置部ＭＰＡＳＳのいずれかに当該基板Ｗを載置する。これにより、当該基板Ｗは、現像処理ブロックＢｂ（階層Ｋ２）から塗布処理ブロックＢａのいずれかの階層に向けて払い出される。
具体的には、以下の通りである。階層Ｋ２から階層Ｋ１へ基板Ｗを搬送する場合（図１におけるｒ１に相当）は、主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２Ｂに載置する（ステップＳ２１ａ）。また、階層Ｋ２から階層Ｋ３へ基板Ｗを搬送する場合（図１におけるｒ４に相当）は、主搬送機構Ｔ２は保持している基板Ｗを可動載置部ＭＰＡＳＳＢに載置する（ステップＳ２１ｃ）。可動載置部ＭＰＡＳＳに基板Ｗが載置されると、可動載置部ＭＰＡＳＳは搬送先の階層Ｋ３（Ｋ４）に対応する高さ位置まで下降する。
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２にアクセスする。そして、エッジ露光ユニットＥＥＷ２で所定の処理が行われた基板Ｗを受け取るととともに、冷却された基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷ２に搬入する。エッジ露光ユニットＥＥＷ２は搬入された基板Ｗを回転させつつ、図示省略の光照射部から基板Ｗの周縁部に光を照射する。これにより基板Ｗの周辺を露光する（ステップＳ１０）。
主搬送機構Ｔ２はエッジ露光ユニットＥＥＷ２から受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ５にアクセスする。そして、保持している基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置し（ステップＳ１１）、載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置されている基板Ｗを保持する（ステップＳ１６）。
主搬送機構Ｔ２は冷却ユニットＣＰ２に移動して、保持している基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２内の基板Ｗと入れ換える。主搬送機構Ｔ２は冷却処理が済んだ基板Ｗを保持して現像処理ユニットＤＥＶ２にアクセスする。冷却ユニットＣＰ２は新たに搬入された基板Ｗに対して処理を開始する（ステップＳ１７）。
主搬送機構Ｔ２は現像処理ユニットＤＥＶ２から現像された基板Ｗを搬出するとともに、冷却された基板Ｗを現像処理ユニットＤＥＶ２の回転保持部７７に置く。現像処理ユニットＤＥＶ２は回転保持部７７に置かれた基板Ｗを現像する（ステップＳ１８）。具体的には、回転保持部７７が基板Ｗを水平姿勢で回転させつつ、いずれかのスリットノズル８１ａから基板Ｗに現像液を供給して基板Ｗを現像する。
主搬送機構Ｔ２は現像された基板Ｗを保持して加熱ユニットＨＰ２にアクセスする。そして、加熱ユニットＨＰ２から基板Ｗを搬出するとともに、保持する基板Ｗを加熱ユニットＨＰ２に投入する。続いて、主搬送機構Ｔ２は加熱ユニットＨＰ２から搬出した基板Ｗを冷却ユニットＣＰ２に搬送するとともに、この冷却ユニットＣＰ１において既に処理が済んだ基板Ｗを取り出す。加熱ユニットＨＰ２と冷却ユニットＣＰ２はそれぞれ未処理の基板Ｗに所定の処理を行う（ステップＳ１９、Ｓ２０）。
その後、主搬送機構Ｔ２は再び載置部ＰＡＳＳ２または／および可動載置部ＭＰＡＳＳにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第３コントローラ９５によって制御されている。これにより、載置部ＰＡＳＳ２Ａまたは可動載置部ＭＰＡＳＳＡから受け取った順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ５Ａに払い出される。同様に、また、基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに載置された順番どおりに基板Ｗが載置部ＰＡＳＳ２Ｂまたは可動載置部ＭＰＡＳＳＢに払い出される。
なお、階層Ｋ２と同じ階層Ｋ１との間で基板Ｗが搬送する場合は、載置部ＰＡＳＳ２を介して行う。また、階層Ｋ２と異なる階層Ｋ４との間で基板Ｗを搬送する場合は、可動載置部ＭＰＡＳＳを介して行う。
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡ］
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ５にアクセスし、載置部ＰＡＳＳ５Ａに載置される基板Ｗを受け取る（ステップＳ１１ａ）。ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは受け取った基板Ｗを保持して載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに移動し、載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ内に搬入する（ステップＳ１２）。
次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から基板Ｗを受け取り（ステップＳ１４）、加熱冷却ユニットＰＨＰ２に対向する位置に移動する。そして、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２からすでに露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出し、載置部ＰＡＳＳ７から受け取った基板Ｗを加熱冷却ユニットＰＨＰ２に搬入する。加熱冷却ユニットＰＨＰ２は未処理の基板Ｗを熱処理する（ステップＳ１５）。
ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは加熱冷却ユニットＰＨＰ２から取り出した基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ５Ｂに搬送する（ステップＳ１６）。続いて、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ６Ａに載置される基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する（ステップＳ１１ｂ、１２）。次に、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは載置部ＰＡＳＳ７から加熱冷却ユニットＰＨＰ４に搬送する。このとき、既に加熱冷却ユニットＰＨＰ４における露光後加熱（ＰＥＢ）処理が済んだ基板Ｗを取り出して載置部ＰＡＳＳ４Ｂに載置する。
その後、ＩＦ用第１搬送機構ＴＩＦＡは再び載置部ＰＡＳＳ５にアクセスして上述した動作を繰り返し行う。なお、この動作は第６コントローラ９８によって制御されている。
［ＩＦ用搬送機構ＴＩＦ〜ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢ］
ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは載置部ＰＡＳＳ−ＣＰから基板Ｗを取り出して、露光機ＥＸＰに搬送する。そして、露光機ＥＸＰから払い出される露光済みの基板Ｗを受け取ると、載置部ＰＡＳＳ７に搬送する。
その後、ＩＦ用第２搬送機構ＴＩＦＢは再び載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにアクセスして上述した動作を繰り返し行う。
このように、実施例１に係る基板処理装置によれば、上側の階層Ｋ１（Ｋ２）と下側の階層Ｋ３（Ｋ４）にわたって昇降する可動載置部ＭＰＡＳＳを、隣接する塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂとの間に備えているので、塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂは階層を変えて搬送することができる。
また、可動載置部ＭＰＡＳＳが昇降する範囲は各処理ブロックＢａ、Ｂｂの全ての階層にわたるので、塗布処理ブロックＢａの各階層は、現像処理ブロックＢｂの全ての階層との間で基板Ｗを搬送することが可能である。また、逆に、現像処理ブロックＢｂの各階層は、塗布処理ブロックＢａの全ての階層との間で基板Ｗを搬送することが可能である。すなわち、可動載置部ＭＰＡＳＳによって、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの階層間を４通りの搬送経路ｒ１〜ｒ４で基板Ｗを搬送可能である。なお、搬送方向を含めると８通りである。
このように各処理ブロックＢａ、Ｂｂ間で基板Ｗを柔軟に搬送することができるため、いずれかの主搬送機構Ｔが異常状態に陥っても、当該主搬送機構Ｔを含まない搬送経路で基板Ｗを搬送することができる。これにより、正常な主搬送機構Ｔや処理ユニットを効率よく稼動させて、基板Ｗに一連の処理を行うので、本装置の処理能力が極端に低下することを防止できる。
また、各処理ブロックＢａ、Ｂｂ間で基板Ｗを柔軟に搬送することができるため、図２から図４で説明した本装置全体の基板Ｗの搬送経路などを柔軟に選択することができる。
これにより、塗布処理ブロックＢａの階層間で処理品質の比較したり、現像処理ブロックＢｂの各階層間で処理品質を比較することもできる。
また、処理ブロックＢａ、Ｂｂの間には、固定的に設けられる載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４を備えているので、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの同じ階層同士の間で基板Ｗを搬送することができる。
さらに、可動載置部ＭＰＡＳＳを、異なる階層に基板Ｗを搬送するために専ら使用し、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４を同じ階層間で基板Ｗを搬送するために専ら使用することで、
可動載置部ＭＰＡＳＳの負担や移動量を抑制することができる。これにより、各処理ブロックＢａ、Ｂｂ同士で階層を変えても基板Ｗをスムーズに搬送することができる。また、可動載置部ＭＰＡＳＳの制御をより容易に行うことができる。
以下、図面を参照してこの発明の実施例２を説明する。なお、実施例２は、実施例１で説明した基板処理装置において、可動載置部ＭＰＡＳＳを省略するとともに、実施例１で説明した現像処理ブロックＢｂに設けられる各主搬送機構Ｔ２、Ｔ４の構成を変更したものである。このため、実施例２の主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍを中心に説明する。
図１７は、実施例２に係る基板処理装置の各搬送スペースの縦断面図である。図示するように、現像処理ブロックＢｂの各階層Ｋ２、Ｋ４の搬送スペースＡ２、Ａ４の間には、第１吹出ユニット６１と排出ユニット６２が設けられていない。よって、搬送スペースＡ２と搬送スペースＡ４とは連通している。
主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍは、ともに共通の支柱１０１に昇降自在に設けられている。支柱１０１は、搬送スペースＡ２の上部から搬送スペースＡ４の底部にわたって鉛直方向に伸びている。主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍはそれぞれ昇降部材１０３とベース部１０５と回転台５５と２つの保持アーム５７ａ、５７ｂとを備えている。昇降部材１０３は、支柱１０１に取り付けられて、支柱１０１に沿って昇降移動する。ベース部材１０５は昇降部材１０３に連結されている。回転台５５はベース部材１０３に鉛直軸周りに回転可能に支持されている。２つの保持アーム５７ａ、５７ｂは回転台５５に対して水平方向に進退可能に設けられている。
このように主搬送機構Ｔ２Ｍは、それぞれ当該階層Ｋ２に設けられる処理ユニットと当該階層Ｋ２に対応して設けられる載置部ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを搬送する。さらに、主搬送機構Ｔ２Ｍは、階層Ｋ４まで下降して載置部ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを搬送可能である。この際、主搬送機構Ｔ４Ｍは主搬送機構Ｔ２Ｍと干渉しないように階層Ｋ４の下方に移動する。このように、主搬送機構Ｔ２Ｍは、現像処理ブロックＢｂ内において各階層Ｋ２、Ｋ４にわたって昇降可能に構成されて、隣接する塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の主搬送機構Ｔ１、Ｔ３との間で基板Ｗを受け渡し可能である。
同様に、主搬送機構Ｔ４Ｍは、それぞれ当該階層Ｋ４に設けられる処理ユニットと当該階層Ｋ４に対応して設けられる載置部ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを搬送する。さらに、主搬送機構Ｔ４Ｍは、階層Ｋ２まで上昇して載置部ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを搬送可能である。この際、主搬送機構Ｔ２Ｍは主搬送機構Ｔ４Ｍと干渉しないように階層Ｋ２の上方に移動する。このように、主搬送機構Ｔ４Ｍも、現像処理ブロックＢｂ内において各階層Ｋ２、Ｋ４にわたって昇降可能に構成されて、隣接する塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の主搬送機構Ｔ１、Ｔ３との間で基板Ｗを受け渡し可能である。
そして、主搬送機構Ｔ２Ｍが載置部ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを搬送することで、階層Ｋ２と階層Ｋ４との間で基板Ｗを搬送することができる（図１におけるｒ４に相当）。また、主搬送機構Ｔ４Ｍが載置部ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを搬送することで、階層Ｋ４と階層Ｋ１との間で基板Ｗを搬送することができる（図１におけるｒ３に相当）。
このように、実施例２に係る基板処理装置によれば、階層Ｋ２の主搬送機構Ｔ２Ｍは、載置部ＰＡＳＳ２を介して同じ階層Ｋ１の主搬送機構Ｔ１と基板Ｗの受け渡しを行うことができるとともに、載置部ＰＡＳＳ４を介して異なる階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３と基板Ｗの受け渡しを行うことができる。同様に、階層Ｋ４の主搬送機構Ｔ４Ｍは、載置部ＰＡＳＳ４を介して同じ階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３と基板Ｗの受け渡しを行うことができるとともに、載置部ＰＡＳＳ２を介して異なる階層Ｋ１の主搬送機構Ｔ１と基板Ｗの受け渡しを行うことができる。したがって、したがって、実施例１と同様に、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの階層間を４通りの搬送経路ｒ１〜ｒ４で基板Ｗを搬送可能である。なお、搬送方向を含めると８通りである。
このため、実施例２に係る装置では、実施例１と同様に、基板Ｗを搬送する搬送経路Ｒを種々選択、変更することができ、基板Ｗに一連の処理を好適に行うことができる。
また、主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍは、主搬送機構Ｔ１、Ｔ３と基板Ｗの受け渡しを行う際に、固定的に設けられた載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４を介して行う。このため、４台の主搬送機構Ｔ１〜Ｔ４以外に、基板Ｗを移動させる機構、たとえば、実施例１で説明した可動載置部ＭＰＡＳＳなどを要しない。したがって、装置の構成および基板Ｗの搬送制御を簡略化することができる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した実施例１では、可動載置部ＭＰＡＳＳを備えていたが、これに限られない。図１８、図１９を参照する。図１８は、変形実施例に係る基板処理装置の平面図であり、図１９は、図１８におけるｅ−ｅ矢視の各垂直断面図である。なお、実施例１と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。
図１８、図１９に示すように、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４が設けられている側方に、載置部用搬送機構ＴＰを備えている。載置部用搬送機構ＴＰは、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４間で基板Ｗを搬送する。この載置部用搬送機構ＴＰは、昇降ベース部材１１１と、保持アーム１１３とを備えている。昇降ベース部材１１１は、図示省略の駆動機構により、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の各高さ位置にわたって昇降移動する。保持アーム１１３は、この昇降ベース部材１１１に対して水平方向に進退移動可能に設けられて、基板Ｗを保持する。
そして、階層Ｋ１の主搬送機構Ｔ１によって載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを、載置部用搬送機構ＴＰが載置部ＰＡＳＳ４に搬送することで、当該基板Ｗを階層Ｋ４の主搬送機構Ｔ４に受け取らせることができる。逆に、主搬送機構Ｔ４によって載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを載置部用搬送機構ＴＰが載置部ＰＡＳＳ２に搬送することで、当該基板Ｗを階層Ｋ１の主搬送機構Ｔ１に受け取らせることができる。このように載置部用搬送機構ＴＰが基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２と載置部ＰＡＳＳ４との間で搬送することで、階層Ｋ１と階層Ｋ４との間で基板Ｗを搬送することができる（図１における搬送経路ｒ３）。なお、同じ階層同士で基板Ｗを搬送する場合は、載置部用搬送機構ＴＰが載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４間で基板Ｗを搬送することを要しない。
また、階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３によって載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗを、載置部用搬送機構ＴＰが載置部ＰＡＳＳ２に搬送することで、当該基板Ｗを階層Ｋ２の主搬送機構Ｔ２に受け取らせることができる。逆に、主搬送機構Ｔ２によって載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板Ｗを載置部用搬送機構ＴＰが載置部ＰＡＳＳ４に搬送することで、当該基板Ｗを階層Ｋ３の主搬送機構Ｔ３に受け取らせることができる。このように載置部用搬送機構ＴＰが基板Ｗを載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４間で搬送することで、階層Ｋ２と階層Ｋ３との間で基板Ｗを搬送することができる（図１における搬送経路ｒ４）。
（２）上述した実施例１では、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４を備えていたが、これに限られない。可動載置部ＭＰＡＳＳを介して同じ階層同士の間で基板Ｗを搬送することができるため、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４を省略してもよい。
（３）上述した実施例２では、現像処理ブロックＢｂの各主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍが、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の双方に基板Ｗを搬送可能な構成であったが、これに限られない。たとえば、塗布処理ブロックＢａの各主搬送機構Ｔ１、Ｔ３のみが、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の双方に基板Ｗを搬送可能となるように変更してもよい。あるいは、各処理ブロックＢａ、Ｂｂの全ての主搬送機構Ｔ１〜Ｔ４が、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の双方に基板Ｗを搬送可能となるように変更してもよい。
（４）上述した実施例２では、現像処理ブロックＢｂの各主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍが、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の双方に基板Ｗを搬送可能な構成であったが、これに限られない。たとえば、主搬送機構Ｔ２Ｍのみが、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の双方に基板Ｗを搬送可能とし、主搬送機構Ｔ４Ｍについては載置部ＰＡＳＳ２に基板Ｗを搬送できないように変更してもよい。この場合であっても階層Ｋ２と階層Ｋ３との間で基板Ｗを搬送することができる。逆に、主搬送機構Ｔ４Ｍのみが、載置部ＰＡＳＳ２、ＰＡＳＳ４の双方に基板Ｗを搬送可能とし、主搬送機構Ｔ２Ｍについては載置部ＰＡＳＳ４に基板Ｗを搬送できないように変更してもよい。この場合であっても階層Ｋ４と階層Ｋ１との間で基板Ｗを搬送することができる。
（５）上述した実施例２では、各主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍはそれぞれ、現像処理ブロックＢｂ内において各階層Ｋ２、Ｋ４にわたって昇降可能に構成されて、隣接する塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の主搬送機構Ｔ１、Ｔ３との間で基板Ｗを受け渡し可能であったが、これに限られない。たとえば、各主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍをそれぞれ、現像処理ブロックＢｂ内において各階層Ｋ２、Ｋ４にわたって伸縮可能に構成して、隣接する塗布処理ブロックＢａの各階層Ｋ１、Ｋ３の主搬送機構Ｔ１、Ｔ３との間で基板Ｗを受け渡しするように変更してもよい。
（６）上述した各実施例では、各処理ブロックＢａ、Ｂｂは２つの階層を有していたが、これに限られない。たとえば、３つ以上の階層を有するように変更してもよい。
なお、上下方向に３以上の階層を有する場合でも、塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂ同士で階層を変えて搬送できる搬送経路ｒは、１つ以上あればよい。もちろん、塗布処理ブロックＢａの各階層が現像処理ブロックＢｂの全ての階層との間で基板Ｗを搬送するように構成してもよい。
すなわち、各処理ブロックＢａ、Ｂｂを３つ以上の階層に分ける場合、可動載置部ＭＰＡＳＳは、２以上の各階層にわたって昇降可能に構成すればよい。もちろん、可動載置部ＭＰＡＳＳを全ての階層にわたって昇降可能に構成してもよい。
また、各処理ブロックＢａ、Ｂｂを３つ以上の階層に分ける場合、各主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍはそれぞれ、現像処理ブロックＢｂ内において２以上の各階層にわたって昇降可能に構成すればよい。もちろん、各主搬送機構Ｔ２Ｍ、Ｔ４Ｍを全ての階層にわたって昇降可能に構成してもよい。
（７）上述した各実施例では、処理部３は２つの処理ブロックＢａ、Ｂｂを横に並べて構成されていたが、これに限られない。たとえば、処理部３を、３つ以上の処理ブロックで構成するように変更してもよい。
なお、３つ以上の処理ブロックを並べると、処理ブロック同士が隣接するのは２箇所以上になるが、そのうちの少なくとも１箇所以上で階層を変えて搬送できればよい。もちろん、処理ブロック同士が隣接する全ての箇所で、階層を変えて搬送できるように変更してもよい。
（８）上述した各実施例では、処理ブロックとして、塗布処理ブロックＢａと現像処理ブロックＢｂを例示したが、これに限られない。洗浄処理等、その他の処理を基板Ｗに行う処理ブロックに適宜に変更してもよい。また、処理部３の処理内容に応じて、本装置に隣接して設けた別体の露光機ＥＸＰを省略してもよい。
（９）上述した各実施例および各変形実施例の各構成を適宜に組み合わせるように変更してもよい。
実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す模式図である。 実施例に係る基板処理装置における基板の搬送経路の一例を示す模式図である。 実施例に係る基板処理装置における基板の搬送経路の一例を示す模式図である。 実施例に係る基板処理装置における基板の搬送経路の一例を示す模式図である。 実施例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 基板処理装置が有する処理ユニットの配置を示す概略側面図である。 図５におけるａ−ａ矢視の各垂直断面図である。 図５におけるｂ−ｂ矢視の各垂直断面図である。 図５におけるｃ−ｃ矢視の各垂直断面図である。 図５におけるｄ−ｄ矢視の各垂直断面図である。 （ａ）は塗布処理ユニットの平面図であり、（ｂ）は塗布処理ユニットの断面図である。 主搬送機構の斜視図である。 実施例に係る基板処理装置の制御ブロック図である。 基板に行う一連の処理をフローチャートである。 各搬送機構がそれぞれ繰り返し行う動作を模式的に示す図である。 実施例２に係る基板処理装置の各搬送スペースの縦断面図である。 変形実施例に係る基板処理装置の平面図である。 図１８におけるｅ−ｅ矢視の各垂直断面図である。
符号の説明
１ …インデクサ部（ＩＤ部）
３ …処理部
５ …インターフェイス部（ＩＦ部）
３１ …塗布処理ユニット
４１、４２ …熱処理ユニット
６１ …第１吹出ユニット
６１ａ …第１吹出口
６２ …排出ユニット
６２ａ …排出口
６５ …第２気体供給管
６６ …第２気体排出管
９０ …制御部
９１ …メインコントローラ
９３〜９９ …第１ないし第７コントローラ
Ｋ、Ｋ１、Ｋ２、Ｋ３、Ｋ４ …階層
Ｂ、 …処理ブロック
Ｂａ …塗布処理ブロック
Ｂｂ …現像処理ブロック
ＢＡＲＣ …反射防止膜用塗布処理ユニット
ＲＥＳＩＳＴ …レジスト膜用塗布処理ユニット
ＤＥＶ …現像処理ユニット
ＥＥＷ …エッジ露光ユニット
ＰＨＰ …加熱冷却ユニット
ＴＩＤ…ＩＤ用搬送機構
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ２Ｍ、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ４Ｍ …主搬送機構
ＴＩＦ …ＩＦ用搬送機構
ＰＡＳＳ、ＰＡＳＳ−ＣＰ …載置部
ＭＰＡＳＳ …可動載置部
ＴＰ …載置部用搬送機構
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４ …搬送スペース
ＥＸＰ …露光機
Ｃ …カセット
Ｗ …基板

Claims (16)

  1. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、
    隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて階層を変えて基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、複数の階層にわたって昇降可能に設けられ、基板を載置する可動載置部を備え、
    前記処理ブロック同士のそれぞれに設けられる複数の階層の主搬送機構がそれぞれ、当該階層に応じた高さ位置に移動した前記可動載置部に対して基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
    前記可動載置部に基板が載置されると、前記可動載置部は基板が載置された階層とは異なる階層に移動することを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項２または請求項３に記載の基板処理装置において、
    前記可動載置部は全ての階層にわたって移動可能であることを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の間には、
    階層ごとに設けられる複数の固定載置部であって、当該処理ブロック同士のそれぞれに設けられる当該階層の各主搬送機構がそれぞれ基板を搬送可能な前記固定載置部と、
    各固定載置部の間で基板を搬送する載置部用搬送機構と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１から請求項５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士の一方の処理ブロックに異常状態の主搬送機構がある場合は、他方の処理ブロックの各主搬送機構はそれぞれ、前記一方の処理ブロックが有する、前記異常状態の主搬送機構以外の主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うことを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項１から請求項６のいずれかに記載の基板処理装置において、
    階層を変えて基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、
    前記塗布処理ブロックは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構を前記主搬送機構として備え、
    前記現像処理ブロックは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構を前記主搬送機構として備え、
    前記塗布処理ブロックと前記現像処理ブロックとの間で階層を変えて基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
    前記塗布処理ブロックの各階層はそれぞれ、前記現像処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項８に記載の基板処理装置において、
    前記塗布処理ブロックの一部の階層では専ら、基板にレジスト膜を形成する処理を行わせるとともに、前記現像処理ブロックに向けてレジスト膜が形成された基板を払い出させ、
    前記塗布処理ブロックの他の一部の階層では専ら、前記現像処理ブロックから払い出された基板を受け取らせることを特徴とする基板処理装置。
  10. 基板に処理を行う基板処理装置において、
    上下方向の階層ごとに設けられ、基板に処理を行う処理ユニットと、各階層ごとに設けられ、当該階層の処理ユニットに対して基板を搬送する主搬送機構とを有する処理ブロックを横方向に複数並べてあり、
    隣接する処理ブロックの同じ階層間で基板を搬送可能であるとともに、隣接する処理ブロック同士の少なくともいずれかにおいて、一方の処理ブロックの少なくとも一の階層は他方の処理ブロックの異なる階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において当該一の階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの複数の階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。
  12. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    前記一の階層は、隣接する処理ブロックの全ての階層との間で基板を搬送可能であることを特徴とする基板処理装置。
  13. 請求項１２に記載の基板処理装置において、
    前記一の階層の主搬送機構は、その処理ブロック内において全ての階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、隣接する処理ブロックの全ての階層の主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。
  14. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、
    前記塗布処理ブロックは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構を前記主搬送機構として備え、
    前記現像処理ブロックは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構を前記主搬送機構として備え、
    同じ階層の第１主搬送機構と第２主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うとともに、
    少なくともいずれかの階層の第１主搬送機構は、前記塗布処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第２主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。
  15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    少なくともいずれかの階層の第２主搬送機構は、前記現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第１主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。
  16. 請求項１０に記載の基板処理装置において、
    異なる階層間で基板を搬送可能な処理ブロック同士は、塗布処理ブロックと、この塗布処理ブロックに隣接して設けられる現像処理ブロックであり、
    前記塗布処理ブロックは、基板にレジスト膜を形成するための塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら塗布処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第１主搬送機構を前記主搬送機構として備え、
    前記現像処理ブロックは、基板を現像するための現像処理ユニットおよび熱処理ユニットを前記処理ユニットとして備えるとともに、これら現像処理ユニットおよび熱処理ユニットに対して基板を搬送する第２主搬送機構を前記主搬送機構として備え、
    同じ階層の第１主搬送機構と第２主搬送機構との間で基板の受け渡しを行うとともに、
    少なくともいずれかの階層の第２主搬送機構は、前記現像処理ブロック内において当該階層を含む複数の階層にわたって伸縮可能または昇降可能に構成されて、複数の第１主搬送機構との間で基板を受け渡し可能であることを特徴とする基板処理装置。
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