JPH065689A - 半導体基板処理システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 処理内容や処理順序を任意に設定することが
でき、簡単な作業で条件出しを行うことができ且つ安価
な半導体基板処理システムを提供する。 【構成】 半導体ウエハ処理システムを、複数の半導体
ウエハを収納する収納装置１１，１７と、半導体ウエハ
を処理する複数の処理装置１２〜１６と、この処理装置
１２〜１６の外部に設けられた、収納装置１１，１７ま
たは処理装置１２〜１６から搬出した半導体ウエハを保
持したまま移動して他の前記収納装置１１，１７または
処理装置１２〜１６内に搬入する搬送装置１８と、収納
装置１１，１７に収納された半導体ウエハの１枚または
複数枚ごとに搬送装置１８が半導体ウエハを搬入・搬出
する処理装置の種類とその順序およびこれらの処理装置
の処理条件を制御情報として記憶するサブメモリ１９ｃ
と、この制御情報に基づいて各装置１２〜１６，１８を
制御する制御部１９ａとによって構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板に対する複
数種類の処理工程を連続的に行う半導体基板処理システ
ムに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の半導体基板処理システム
の一構成例について、図５に示したレジスト処理システ
ムを用いて説明する。

【０００３】かかるレジスト処理システム４０は、半導
体ウェーハ（図示せず）を収納するウェーハ収納容器４
１，４７、半導体ウェーハを純水で洗浄する洗浄処理装
置４２、レジストを塗布するレジスト塗布装置４３、ベ
ーキングを行うベーキング処理装置４４，４６、現像を
行う現像処理装置４５、半導体ウェーハを搬送するため
の搬送装置（図示せず）および各装置を制御するための
制御装置４８と、この制御装置４８に対する各種の条件
設定等を行う操作部４９とを備えている。

【０００４】このようなシステム４０においては、以下
のようにして、半導体ウェーハに対する各種処理を行
う。

【０００５】まず、ウェーハ収納容器４１に収納され
た半導体ウェーハの１枚を搬送装置の載置台上に載置し
て搬出し、そのまま洗浄処理装置４２内に搬入する。

【０００６】洗浄処理装置４２で半導体ウェーハを洗
浄した後、この半導体ウェーハを搬送装置によって次の
処理装置であるレジスト塗布装置４３内へ搬送する。

【０００７】以下同様に、各処理装置４３〜４６につ
いて、図５に矢印で示した順序にしたがって、順次半導
体ウェーハにそれぞれ上述の処理を施した後に次の処理
装置へ搬送する。

【０００８】処理装置４６での処理が終了すると、搬
送装置を用いて、処理後の半導体ウェーハをウェーハ収
納容器４７内に収納する。

【０００９】ウェーハ収納容器４１に収納された半導
体ウェーハのすべてについて上述の工程〜を実行
し、処理工程を終了する。

【００１０】このように、図５に示したレジスト処理シ
ステム４０によれば、半導体ウェーハに対する一連のレ
ジスト処理工程を連続的且つ自動的に行うことができる
ので、かかる処理工程の効率を向上させることができ
る。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】半導体装置の製造コス
トを低く抑えるためには、半導体ウェーハの様々な処理
工程を、１台の半導体基板処理システムで行うことが望
ましい。そして、このように多種類の処理工程を１台の
システムで行うためには、上述したような各処理装置４
３〜４６で処理を行う順序を変更できるように、このシ
ステムを構成しなければならない。

【００１２】しかし、上述したような従来の処理システ
ム４０は、半導体ウェーハを各ウェーハ処理装置から直
接次のウェーハ処理装置内に搬送する構成となっている
ため、各処理装置４３〜４６で処理を行う順序を変更す
ることは困難であった。例えば、かかる処理システム４
０で処理の順序を変更しようとしても、ある処理装置か
ら他の処理装置へ半導体ウェーハを搬送する際に、当該
処理工程には不要な処理装置を通過させなければならな
くなり、不要な熱処理が行われてしまうといった場合が
生じるからである。

【００１３】また、この種の処理システムにおいては、
各処理装置４３〜４６の処理条件を決定するために、１
枚ずつ或いは２〜３枚ずつの半導体ウェーハを、処理条
件を変えながら試験的に処理することが、通常行われて
いる（以下、この処理を「条件出し」と記す）。しかし
ながら、従来の処理システム４０は、この条件出しを行
うときの作業が繁雑で、作業の負担が大きいという欠点
を有していた。すなわち、従来の処理システム４０で条
件出しを行う際には、１回の処理工程ごとに、操作部４
９を操作して制御装置４８の制御内容（処理条件、処理
枚数等）を設定する作業と、この処理工程に使用するウ
ェーハ収納容器４１を半導体ウェーハが１枚或いは２〜
３枚収納されたものと交換する作業と、処理工程を終了
した後にウェーハ収納容器４７を半導体ウェーハが収納
されていないものと交換する作業とを行わなければなら
なかった。

【００１４】ここで、ウェーハ収納容器４１，４７を、
それぞれ、試験を行う処理条件の種類の数と同数だけセ
ットできるようにしておけば、これらの装置の交換作業
は不要となるが、システムのコストが増大してしまう。

【００１５】本発明は、このような従来技術の欠点に鑑
みてなされたものであり、処理内容や処理順序を任意に
設定することができ、簡単な作業で条件出しを行うこと
ができ且つ安価な半導体基板処理システムを提供するこ
とを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明に係わる半導体基
板処理システムは、複数の半導体基板を収納する収納容
器と、前記半導体基板を処理する複数の処理装置と、こ
の処理装置の外部に設けられた、前記収納容器または前
記処理装置から搬出した前記半導体ウェーハを保持した
まま移動して他の前記収納容器または前記処理装置内に
搬入する搬送装置と、前記収納容器に収納された前記半
導体基板の１枚または複数枚ごとに、前記搬送装置が前
記半導体基板を搬入・搬出する前記処理装置の種類とそ
の順序およびこれらの処理装置の処理条件を、制御情報
として記憶する記憶部と、この記憶部に記憶された前記
制御情報に基いて前記処理装置および前記搬送装置の制
御を行う制御部と、を具備する。

【００１７】

【作用】本発明の半導体基板処理システムでは、１台の
収納容器に収納された複数の半導体基板について、１枚
または複数枚ごとに、処理工程に使用する処理装置の種
類とその順序とを設定・記憶することができる。

【００１８】したがって、本発明では、多種類の処理工
程を１台のシステムで行うことができる。

【００１９】また、本発明の半導体基板処理システムで
は、搬送装置を処理装置の外部に有しており、収納容器
または処理装置から外部へ半導体基板を搬出した後、こ
の半導体基板を保持したまま他の収納容器または処理装
置の搬入位置まで移動し、さらに当該収納容器または処
理装置内にこの半導体基板を搬入することによって、半
導体基板の搬送を行う。

【００２０】したがって、本発明では、隣接していない
収納容器や処理装置の間で半導体基板を搬送しなければ
ならない処理工程を行う場合であっても、かかる搬送を
行う際に、この半導体基板に他の処理装置内を通過させ
る必要がないので、上述のような、半導体基板の搬送の
際に不要な熱処理が行われてしまうといった不都合が生
じることを防止できる。

【００２１】さらに、本発明の半導体基板処理システム
では、１台の収納容器に収納された複数の半導体基板に
ついて、１枚または複数枚ごとに、それぞれの処理装置
の処理条件を設定・記憶することができる。

【００２２】したがって、上述したような条件出しを行
うときに、１回の処理工程を実施するたびに処理条件の
設定内容を変更する必要がなく、また、１回の処理工程
ごとに収納容器を交換する必要もないので、条件出しを
行う際の作業負担を低減させることができる。

【００２３】

【実施例】以下、本発明に係わる半導体基板処理システ
ムの一実施例について、図１〜図３を用いて説明する。

【００２４】図１は、本実施例に係わる半導体基板処理
システム１０の構成を概略的に示す上面図である。ま
た、図２は、この半導体基板処理システム１０の電気的
構成を示すブロック図である。両図に示したように、本
実施例のレジスト処理システム１０は、ウェーハ収納容
器１１，１７、洗浄処理装置１２、レジスト塗布装置１
３、ベーキング処理装置１４，１６、現像処理装置１
５、搬送装置１８、制御装置１９および操作部２０とを
備えている。

【００２５】ウェーハ収納容器１１，１７は、それぞ
れ、図３に示したように、１台につき２５枚の半導体ウ
ェーハＷ₁ 〜Ｗ₂₅が、縦方向に並べて収納できるように
構成されている。ここで、ウェーハ収納容器１１には処
理前の半導体ウェーハが収納され、また、ウェーハ収納
容器１７には処理後の半導体ウェーハが収納される。

【００２６】洗浄処理装置１２は、半導体ウェーハを純
水で洗浄するための装置である。この装置について設定
されるべき処理条件としては、例えば、洗浄時間等があ
る。

【００２７】レジスト塗布装置１３では、半導体ウェー
ハの表面へのレジスト薄膜の形成が行われる。この装置
では、レジスト薄膜の膜厚を所望の値とするために、装
置内の温度やガス圧、レジストの滴下量、半導体ウェー
ハを回転させる際の回転数等の処理条件を設定する必要
がある。

【００２８】ベーキング処理装置１４，１６では、半導
体ウェーハに対する加熱処理が行われる。この装置で
は、加熱温度、加熱時間等の処理条件を設定する必要が
ある。

【００２９】現像処理装置１５では、上述のレジスト塗
布装置１３で半導体ウェーハ上に形成されたレジスト薄
膜に対して、公知の現像処理工程が施される。この装置
では、現像液の噴霧量や噴霧圧力等の処理条件を設定す
る必要がある。

【００３０】搬送装置１８は、図１に示したように、半
導体ウェーハを載置して保持するためのピンセット１８
ａを有している。このピンセット１８ａは、図示してい
ない駆動機構により、図１中に１ａ，１ａ′で示した方
向に移動することができる。また、この搬送装置１８
は、図示していない移動機構により、搬送路１８ｂ上
を、同図中に１ｂ，１ｂ′で示した方向に移動すること
ができる。

【００３１】このような構成によれば、ピンセット１８
ａを１ａ方向に移動させて各装置１１〜１７のいずれか
の内部に挿入し、このピンセット１８ａ上に半導体ウェ
ーハを載置して保持し、さらにピンセット１８ａを１
ａ′方向に移動させてこの半導体ウェーハを装置外へ搬
出した後、駆動機構を用いて１ｂ方向または１ｂ′方向
に移動して他の装置の前まで行き、その後、ピンセット
１８ａを１ａ方向に移動させて半導体ウェーハをかかる
他の装置内に搬入することにより、各装置１１〜１７の
間で、半導体ウェーハの搬送を行うことができる。

【００３２】制御装置１９は、図２に示したように制御
部としてのＣＰＵ１９ａ、メインメモリ１９ｂおよびサ
ブメモリ１９ｃを備えている。また、このＣＰＵ１９ａ
およびメモリ１９ｂ，１９ｃは、上述した各構成部１１
〜１８とバス２１を介して接続されている。このような
構成により、ＣＰＵ１９ａが、メインメモリ１９ｂに記
憶された制御プログラムおよび後述する操作部２０でサ
ブメモリ１９ｃに入力された各種設定条件にしたがっ
て、上述した各構成部１１〜１８の動作を制御する。

【００３３】操作部２０は、システムの使用者等が制御
装置１９のサブメモリ１９ｃに対して各種の設定入力を
行うために使用される。本実施例の半導体基板処理シス
テム１０では、処理工程において使用する処理装置の種
類とその順序の設定や、使用する各処理装置１２〜１６
についての上述したような各処理条件の設定、これらの
設定内容に基いて処理を行う半導体ウェーハの枚数の設
定は、この操作部２０によって行う。

【００３４】すなわち、図４に示したように、複数の処
理工程（同図ではＡ〜Ｃ）について、操作部２０で、処
理を行う半導体ウェーハの枚数、使用する処理装置の種
類とその順序を入力し、さらに各処理装置の各処理につ
いての処理条件を入力することにより、一回の入力作業
で複数回の処理工程についての設定入力を行うことがで
き、さらに、これらの処理工程を連続的に行うことがで
きる。

【００３５】このようなシステム１０においては、以下
のようにして、半導体ウェーハに対する各種処理を行
う。

【００３６】使用者が、操作部２０を用いて、上述の
ような設定入力を行う。そして、システム１０による処
理の開始により、まず、処理工程Ａ（図４参照）が開始
される。

【００３７】処理工程Ａにおいては、まず最初に、搬
送装置１８が、上述したような動作により、収納容器１
１に収納された半導体ウェーハの最初の１枚を洗浄処理
装置１２内に搬入する。洗浄処理装置１２は、この半導
体ウェーハに対して洗浄処理を行う。

【００３８】続いて、操作部２０で設定した順序にし
たがって、レジスト塗布装置１２、ベーキング処理装置
１４、現像処理装置１５、ベーキング処理装置１６内に
順次半導体ウェーハを搬送し、各処理装置による処理を
行う。

【００３９】ベーキング処理装置１６での処理が終了
すると、搬送装置を用いて、処理後の半導体ウェーハを
収納容器１７内に収納する。

【００４０】次に、上述の〜とほぼ同様の手順に
したがって、処理工程Ｂを行う。さらに、これと同様に
して、処理工程Ｃを行う。すべての処理工程を終了する
と、システム１０の稼働を停止する。

【００４１】このように、本実施例の半導体基板処理シ
ステム１０によれば、複数の処理工程について、処理を
行う半導体ウェーハの枚数、使用する処理装置の種類と
その順序および処理条件を操作部２０で予め入力してお
くことができ、さらに、これらの処理工程を連続的に且
つ自動的に行うことができるので、多種類の処理工程を
１台のシステムで行うことが可能となる。

【００４２】また、搬送装置１８を各処理装置１２〜１
６の外部に設け、収納容器１１，１７または各処理装置
１２〜１６から一旦外部へ半導体ウェーハを搬出して移
動させ、その後他の収納容器または処理装置の搬入する
こととしたので、隣接していない収納容器や処理装置の
間で半導体ウェーハを搬送する際にも、この半導体ウェ
ーハに他の処理装置内を通過させる必要がない。したが
って、上述のような、半導体基板の搬送の際に不要な熱
処理が行われてしまうといった不都合は生じない。

【００４３】次に、本実施例の半導体基板処理システム
１０を用いて条件出しを行う場合について、説明する。

【００４４】この場合には、操作部２０を用いて上述の
ような設定入力を行う際に、各処理工程Ａ〜Ｄ（図４参
照）について、使用する処理装置の種類とその順序およ
び処理を行う半導体ウェーハの枚数を同一にし、上述し
たような各処理装置１２〜１６の処理条件のみを変えて
おく。

【００４５】これにより、１台の収納容器１１に収納さ
れた半導体ウェーハについて、１枚または複数枚ごとに
それぞれの処理装置１２〜１６の処理条件を変更しなが
ら、連続的に各処理工程Ａ〜Ｃを行うことができる。

【００４６】このように、本実施例の半導体基板処理シ
ステム１０によれば、処理を行う半導体ウェーハの枚数
や使用する処理装置の処理条件を１枚または複数枚の半
導体ウェーハごとに設定することができ、さらに、処理
条件の設定値を自動的に変更して連続的に処理工程を行
うことができる。したがって、条件出しを行うときに、
１回の処理工程を実施するたびに処理条件の設定内容を
変更する必要がなく、また、１回の処理工程ごとに収納
容器を交換する必要もないので、条件出しを行う際の作
業負担を低減させることができる。

【００４７】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、多種類の処理工程を１台のシステムで行うことが
でき、且つ、簡単な作業で条件出しを行うことができる
半導体基板処理システムを安価に提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係わる半導体基板処理シス
テムの構成を概略的に示す上面図である。

【図２】図１に示した半導体基板処理システムの電気的
構成を示すブロック図である。

【図３】図１に示したウェーハ収納容器の構成を示す正
面図である。

【図４】図１に示した操作部を用いて各種条件の設定入
力を行う方法を説明するための表である。

【図５】従来の半導体基板処理システム１０の構成の一
例を概略的に示す上面図である。

【符号の説明】

１０ 半導体基板処理システム １１，１７ ウェーハ収納容器 １２ 洗浄処理装置 １３ レジスト塗布装置 １４，１６ ベーキング処理装置 １５ 現像処理装置 １８ 搬送装置 １９ 制御装置 ２０ 操作部

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の半導体基板を収納する収納容器と、 前記半導体基板を処理する複数の処理装置と、 この処理装置の外部に設けられた、前記収納容器または
   前記処理装置から搬出した前記半導体ウェーハを保持し
   たまま移動して他の前記収納容器または前記処理装置内
   に搬入する搬送装置と、 前記収納容器に収納された前記半導体基板の１枚または
   複数枚ごとに、前記搬送装置が前記半導体基板を搬入・
   搬出する前記処理装置の種類とその順序およびこれらの
   処理装置の処理条件を、制御情報として記憶する記憶部
   と、 この記憶部に記憶された前記制御情報に基いて前記処理
   装置および前記搬送装置の制御を行う制御部と、 を具備する半導体基板処理システム。