JP2008311624A - 基板処理装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】半導体基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程などを行うための基板処理装置が開示される。
【解決手段】第１処理ブロックはコーティング工程及び現像工程を行い、第２処理ブロックは第１処理ブロックと向い合って配置されて熱処理を行う。第１処理ブロックは、上部、中央部、及び下部単位ブロックを含む。上部及び下部単位ブロックは、基板上に膜を形成するための少なくとも一つのコーティングユニットと基板上のフォトレジスト膜の現像のための少なくとも一つの現像ユニットをそれぞれ含む。中央単位ブロックは、上部及び下部単位ブロックの間に分離可能に配置され、コーティングユニットと現像ユニットのうち、少なくとも一つを含む。中央ブロックの構成は、工程レシピによって多様に変更することができ、これによって基板処理装置のスループットを向上させることができる。
【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置に係わり、より詳細には、シリコンウエハのような半導体基板に対してコーティング工程、ベーク工程、現像工程などを行うための基板処理装置に関する。
一般的に、半導体装置の製造工程でフォトレジストパターンは、電気的特性を有する回路パターンを形成するためのエッチング工程のためのエッチングマスクとして用いることができる。前記フォトレジストパターンは、露光装置と連結された基板処理装置（またはフォトレジストパターン形成装置）によって形成することができる。
前記基板処理装置は、半導体基板上にボトム反射防止膜（ｂｏｔｔｏｍ ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ（ＢＡＲＣ）ｌａｙｅｒ）及びフォトレジスト膜を現像するための現像ユニット、前記半導体基板上に形成されたフォトレジストパターンを硬化するための加熱ユニット、前記加熱された半導体基板を冷却させるための冷却ユニット、半導体基板を収納する移送ステージを含むことができる。
前記のような工程ユニットの間には基板移送ロボットを配置することができ、前記基板移送ロボットは既に設定された工程レシピによって半導体基板を前記工程ユニットの間で移送する。
しかし、前記工程に所要される時間が互いに相違であるので、前記工程ユニットまたは移送ステージで半導体基板が待機する時間が増加し、前記基板移送ロボットに過負荷が発生するおそれがある。
また、工程レシピ、フォトレジスト組成物、目的とするフォトレジストパターンの線幅などによってボトム反射防止膜を形成しなくてもよい。よって、前記コーティングユニットの一部が必要でない場合もある。
結果的に、前記基板処理装置のスループットが大幅低下するおそれがあり、これを改善しうる新しい基板処理装置が要求されている。
前記のような問題点を解決するための本発明の目的は、スループットの向上した基板処理装置を提供することにある。
前記目的を達成するための本発明の一側面による基板処理装置は、基板に対してコーティング工程及び現像工程を行うための第１処理ブロックと、前記第１処理ブロックと向い合って配置され、前記基板を熱処理するための第２処理ブロックを含むことができる。前記第１処理ブロックは、前記基板上に膜を形成するための少なくとも一つのコーティングユニットと前記基板上のフォトレジスト膜を現像するための少なくとも一つの現像ユニットとのうち、いずれを含む上部単位ブロックと、前記少なくとも一つのコーティングユニットと前記少なくとも一つの現像ユニットとのうち、残りのいずれを含む下部単位ブロックと、前記上部単位ブロックと下部単位ブロックとの間に分離可能に配置され、コーティングユニットと現像ユニットのうち、少なくとも一つを含む中央単位ブロックと、を含む
ことができる。
本発明の実施例によると、前記上部単位ブロックは、ボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニットとフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニットを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記上部単位ブロックは、前記基板上にフォトレジスト膜を形成するための複数のコーティングユニットを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記第２処理ブロックは、前記第１処理ブロックと向い合うように水平方向に配置された第１、第２、及び第３単位ブロックを含み、前記第２単位ブロックは、前記第１単位ブロックと第３単位ブロックとの間で複層に積層された複数の熱処理ユニットを含むことができる。それぞれの熱処理ユニットは、前記基板を加熱するための加熱プレートと、前記第１、第２、及び第３単位ブロックの配置方向と平行する方向に前記加熱プレートの一側に配置され、前記基板を冷却するための冷却プレートと、前記加熱プレートと前記冷却プレートを収容し、前記基板を搬入及び搬出するための一対の出入口を有する熱処理チャンバと、を含むができる。
本発明の実施例によると、前記それぞれの熱処理ユニットは、前記熱処理チャンバ内に配置され、前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間で前記基板を移送するためのチャンバ内側ロボットと、前記加熱プレート及び冷却プレートによって垂直方向に移動可能に配置され、前記基板を前記加熱プレート及び冷却プレート上にロードし、前記加熱プレート及び冷却プレートからアンロードするための複数のリフトピンを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記チャンバ内側ロボットは、前記加熱プレートと冷却プレートの配置された方向と平行に延長するガイドレールと、前記ガイドレールに対して垂直する方向に延長し、前記ガイドレールに移動可能に結合されたロボットアームと、を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれの第１及び第３単位ブロックは、前記基板を加熱するための複数の加熱ユニットを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記第１処理ブロックと第２処理ブロックとの間に基板を移送するための基板移送ブロックを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板移送ブロックは、前記上部単位ブロック、前記中央単位ブロック、及び前記第２処理ブロックの間で基板を移送するための上部移送ロボットと、前記下部単位ブロック、前記中央単位ブロック、及び前記第２処理ブロックの間で基板を移送するための下部移送ロボットと、を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれの上部及び下部移送ロボットは、垂直方向に延長する一対の垂直ガイドレールと、前記垂直ガイドレールに垂直方向に移動可能に結合された水平ガイドレールと、 前記水平ガイドレールに水平方向に移動可能に結合され、前記基板を移送するために回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアームと、を含むことができる。
本発明の実施例によると、前記上部移送ロボットの垂直ガイドレール及び前記下部移送ロボットの垂直ガイドレールは、前記第１処理ブロック及び第２処理ブロックにそれぞれ隣接するように配置することができる。
本発明の実施例によると、前記上部移送ロボットのロボットアームは下に向って配置され、前記部下部移送ロボットのロボットアームは上に向って配置することができる。
本発明の実施例によると、前記上部及び下部移送ロボットの垂直ガイドレールは、前記第１または第２処理ブロックに隣接して配置することができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記中央単位ブロックと隣接する前記基板移送ブロックの中央空間内で前記上部及び下部移送ロボットが互いに干渉しないように前記上部及び下部移送ロボットの動作を制御するロボット制御部を更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記第１及び第２処理ブロックが配列された方向に対して垂直する方向に前記基板移送ブロックの両側に配置され、基板の温度を調節するための第２処理ブロック及び第４処理ブロックを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、前記第３及び第４処理ブロックは、垂直方向に積層され、基板を冷却させるための複数の冷却ユニットを含むことができる。
本発明の実施例によると、前記第３及び第４処理ブロックは、前記中央単位ブロックと水平方向に隣接するように前記冷却ユニットの間に配置され、基板を収納するための第１移送ステージ及び第２移送ステージを更に含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれの冷却ユニットは、前記基板を冷却させるための冷却プレートと、前記冷却プレートによって垂直方向に移動可能に配置された複数のリフトピンと、前記冷却プレートの下で前記リフトピンと接続され、前記基板を前記冷却プレート上にロードし、前記冷却プレートからアンロードするために前記リフトピンを垂直方向に移動させる駆動部と、を含むことができる。
本発明の実施例によると、それぞれの冷却ユニットは、前記基板を冷却させるための冷却プレートと、一側の開放されたリング状を有し、それの内側部位には前記基板を支持するための複数の突起が配置された昇降部材と、前記昇降部材と接続された駆動部と、を含むことができる。前記冷却プレートの側面部位には前記突起を透過させるための複数の溝が垂直方向に形成されており、前記駆動部は前記基板を前記冷却プレート上にロードし、前記冷却プレートからアンロードするために前記昇降部材を垂直方向に移動させることをができる。
本発明の実施例によると、前記駆動部は前記冷却プレートの一側に配置することができる。
本発明の実施例によると、 前記基板処理装置は、第３処理ブロックと接続され、前記
基板を収納するための容器と前記第３処理ブロックとの間で、前記基板を移送するための基板移送モジュールと、
前記第４処理ブロックと接続され、露光装置と前記第４処理ブロックとの間で、前記基板を移送するためのインタフェーシングモジュールと、を更に含むことができる。
前記のような本発明の実施例によると、前記基板処理装置内で複数の基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程、冷却工程などが行われる期間、前記上部及び下部移送ロボットに印加される負荷は前記熱処理ユニットのチャンバ内側ロボットによって減少することができる。また、前記第１処理ブロックの中央単位ブロックの構成は、工程レシピによって多様に変更することができ、それぞれの熱処理ユニット内で加熱プレートに
よるベーク工程またはフォトレジストリフロー工程、及び冷却プレートによる冷却処理が同時にまたは連続的に行われることが可能である。結果的に、前記基板処理装置のスループットを大幅向上させることができる。
前記のような本発明によると、前記基板処理装置において複数の半導体基板に対するコーティング工程、ベーク工程、現像工程、冷却工程などが行われるうちに、前記上部及び下部移送ロボットに対する負荷は前記熱処理ユニットのチャンバ内側ロボットによって減少することができる。
また、前記第１処理ブロックの中央単位ブロックの構成は、工程レシピによって多様に変更することができ、それぞれの熱処理ユニット内で加熱プレートによるベーク工程またはフォトレジストリフロー工程及び冷却プレートによる冷却処理が同時にまたは連続に行うことができる
結果的に、前記基板処理装置のスループットは、前記上部及び下部移送ロボットの負荷減少及び前記中央単位ブロックの構成によって大きく向上することができる。
以上、本発明の実施例によって詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明が属する技術分野において通常の知識を有するものであれば本発明の思想と精神を離脱することなく、本発明を修正または変更できる。
実施例
以下、本発明による実施例を添付する図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例による基板処理装置を説明するための概略的な平面図である。図２は、図１に示した基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図であり、図３は、図１に示した基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。
図１乃至図３を参照すると、本発明の一実施例による基板処理装置１０は、シリコンウエハのような半導体基板を処理するために用いることができる。例えば、前記半導体基板上にフォトレジスト膜またはボトム反射防止膜（ｂｏｔｔｏｍ ａｎｔｉ−ｒｅｆｌｃｔｉｖｅ ｃｏａｔｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を形成するためのコーティング工程、前記フォトレジスト膜に回路パターンを伝写するために露光工程を行った後、前記半導体基板上にフォトレジストパターンを形成するための工程、前記フォトレジスト膜または前記フォトレジストパターンを硬化させるためのベーク工程などを行うために用いることができる。
前記基板処理装置１０は、半導体基板を処理するための基板処理モジュール２０と、半導体基板の移送のための基板移送モジュール３０、及び露光装置２と前記基板処理モジュール２０との間に配置されるインタフェーシングモジュール４０を含むことができる。
前記基板移送モジュール３０は、複数の半導体基板を収容する容器４を支持する複数のロードポート３２を含むことができ、前記容器４と前記基板処理モジュール２０との間で半導体基板を移送するために具備される。例えば、それぞれのロードポート３２上にはＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）を配設することができる。
前記基板処理モジュール２０と連結される基板移送チャンバ３４内には半導体基板の移
送のための基板移送ロボット３６を配置することができる。前記基板移送ロボット３６は、水平及び垂直方向、例えば、Ｙ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向に移動可能に構成することができる。また、前記基板移送ロボット３６のロボットアームは、回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成することができる。
前記基板移送チャンバ３４の上部には精化された空気を基板移送チャンバ３４の内部に供給するためのファンフィルタユニット３８を配置することができる。また、前記基板移送モジュール３０はロードポート３２に配設されたＦＯＵＰのドアを開放するためのドアオープナー（図示せず）を含むことができる。
前記基板処理モジュール２０は、半導体基板上にフォトレジスト組成物または反射防止物質を塗布してフォトレジスト膜またはボトム反射防止膜を形成し、露光装置２によって処理された半導体基板上のフォトレジスト膜を現像するための第１処理ブロック１００を含むことができる。
前記第１処理ブロック１００は、垂直方向に積層された上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０を含むことができる。前記上部単位ブロック１１０は複数のコーティングユニットを含むことができ、前記下部単位ブロック１３０は、複数の現像ユニットを含むことができる。これとは違って、前記上部単位ブロック１１０は、複数の現像ユニットを含むことができ、前記下部単位ブロック１３０は複数のコーティングユニットを含むことができる。
図示したように、前記第１処理ブロック１００は、二つの上部単位ブロック１１０と二つの下部単位ブロック１３０を含む。しかし、本発明の範囲は前記上部及び下部単位ブロック（１１０、１３０）の数量によって限定され
ることはない。
本発明の一実施例によると、それぞれの上部単位ブロック１１０は、ボトム反射防止膜を形成するための第１コーティング１１２とフォトレジスト膜を形成するための第２コーティング１１４を含むことができる。詳細に図示していないが、前記第１コーティングユニット１１２の内部には、半導体基板を支持しかつ回転させるための回転チャックとフォトレジスト物質を前記半導体基板上に提供するための複数のノズルを配置することができる。一方、前記第１コーティングユニット１１２と第２コーティングユニット１１４は、Ｘ軸方向に配置することができる。
本発明の他の実施例によると、それぞれの上部単位ブロック１１１０は、水平方向に配列された複数のコーティングユニットを含むことができる。それぞれのコーティングユニットは、半導体基板上にフォトレジスト膜を形成するために提供される。詳細に図示していないが、それぞれのコーティングユニットはコーティング工程が行われるコーティングチャンバ、半導体基板上にフォトレジスト組成物を提供するためのノズル及び前記半導体基板を支持しかつ回転させるための回転チャックを含むことができる。しかし、一つのコーティングチャンバ内に複数の回転チャックと複数のノズルを配置することができる。
それぞれの下部単位ブロック１３０は、Ｘ軸方向に配列された複数の現像ユニット１３２を含むことができる。それぞれの現像ユニットは露光装置２によって処理された半導体基板上のフォトレジスト膜を現像するために提供される。詳細に示していないが、それぞれの現像ユニット１３２は、現像工程が行われる現像チャンバ、半導体基板上に現像液を提供するためのノズル及び前記半導体基板を支持し回転させるための回転チャックを含むことができる。しかし、一つの現像チャンバ内に複数の回転チャックと複数のノズルを配置することもできる。また、それぞれの現像ユニット１３２は現像液による処理の後、半
導体基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄ノズルを更に含むことができる。
本発明の一実施例によると、前記上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０との間には中央単位ブロック１５０を配置することができる。前記中央ブロック１５０はコーティングユニットと現像ユニットを選択的に含むことができる。例えば、前記中央単位ブロック１５０は、コーティングユニットのみを含むことができ、現像ユニットのみを含むこともできる。これとは違って、前記中央単位ブロック１５０は、一つのコーティングユニットと複数の現像ブロックを含むこともできる。また、前記中央単位ブロック１５０は、複数のコーティングユニットと一つの現像ブロックを含むこともできる。追加的に、前記中央単位ブロック１５０は、複数のコーティングユニットと複数の現像ユニットを含むこともできる。
図示したように、前記中央単位ブロック１５０が一つのコーティングユニット１５２と二つの現像ユニット１５４を含んでいるが、前記中央単位ブロック１５０を構成するコーティングユニットと現像ユニットの数は本発明の範囲を限定することはない。
特に、前記中央単位ブロック１５０を構成するコーティングユニットと現像ユニットは前記上部単位ブロック１１０と下部単位ブロック１３０との間で分離可能に配置することができる。即ち、前記中央単位ブロック１５０は、既に設定された工程レシピによって構成を変えることができ、これによって前記基板処理装置１０のスループットを大幅向上させることができる。
前記基板処理モジュール２０は、前記第１処理ブロック１００と向い合って配置される第２処理ブロック２００を更に含むことができる。前記第２処理ブロック２００は、Ｘ軸方向に配列される複数の単位ブロックを含むことができ、半導体基板の熱処理のために具備することができる。特に、前記第２処理ブロック２００は、半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜、ボトム反射防止膜、フォトレジストパターンなどを硬化させるためのベーク工程及びフォトレジストリフロー工程を行うために具備することができ、また前記ベーク工程を行った後、半導体基板を冷却させるために具備することができる。
例えば、前記第２処理ブロック２００は、第１、第２、及び第３単位ブロック（２１０、２３０、２５０）を含むことができ、前記第２単位ブロック２３０は、前記第１単位ブロック２１０と第３単位ブロック２５０との間に配置することができる。前記第１及び第３単位ブロック（２１０、２５０）は、半導体基板を加熱するための複数の加熱ユニット（２１２、２１４、２５２、２５４）を含むことができ、前記第２単位ブロック２３０は半導体基板を加熱し冷却させるための複数の熱処理ユニット（２３２、２３４）を含むことができる。前記加熱ユニット（２１２、２１４、２５２、２５４）と前記熱処理ユニット（２３２、２３４）は垂直方向に積層することができる。
それぞれの加熱ユニット（２１２、２１４、２５２、２５４）は、半導体基板を支持し加熱するための加熱プレートと前記加熱プレートを収容する加熱チャンバを含むことができる。
前記加熱ユニット（２１２、２１４、２４２、２５４）は疎水化
処理、ソフトベーク工程、ＰＥＢ（ｐｏｓｔ ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋｅ）工程、ハードベーク工程などを行うために用いることができる。
前記疎水化処理は、半導体基板の表面特性を疎水性に変化させるために行うことができる。例えば、前記加熱ユニット（２１２、２１４、２５２、２５４）のうち、一部は前記半導体基板上にＨＭＤＳ（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｄｉｓｉｌａｚａｎｅ）ガスを供給する
ためのノズルをそれぞれ含むことができる。
前記ソフトベーク工程は、フォトレジストコーティング工程によって半導体基板上に形成されたフォトレジスト膜を硬化させるために、即ち、フォトレジスト膜内の溶剤を除去するために行うことができる。
前記ＰＥＢ工程は、露光工程の後、フォトレジストパターンの側面プロファイルを改善するために行うことができ、前記ハードベーク工程は、現像工程の後、フォトレジストパターンを硬化させるために行うことができる。
例えば、前記第１単位ブロック２１０は、疎水化処理（またはＨＭＤＳ処理）のための第１加熱ユニット２１２とハードベーク工程のための第２加熱ユニット２１４を含むことができ、第３単位ブロック２５０は、ソフトベーク工程のための第３加熱ユニット２５２とＰＥＢ工程のための第４加熱ユニット２５４を含むことができる。
また、前記第１加熱ユニット２１２は、第１単位ブロック２１０の上部に配置することができ、第２加熱ユニット２１４は、第１単位ブロック２１０の下部に配置することができる。そして、前記第３加熱ユニット２５２は、前記第３単位ブロック２５０の上部に配置することができ、前記第４加熱ユニット２５４は、前記第３単位ブロック２５０の下部に配置することができる。これは前記疎水化処理及びソフトベーク工程のための第１及び第３加熱ユニット（２１２、２５２）をコーティングユニット（１１２、１１４）と隣接するように配置し、前記ハードベーク工程及びＰＥＢ工程のための第２及び第４加熱ユニット（２１４、２５４）を前記現像ユニット１３２と隣接するように配置するためである。しかし、本発明の範囲が前記加熱ユニット（２１２、２１４、２５２、２５４）の位置によって限定されることはない。
図４は、図３に示した熱処理ユニットを説明するための概略的な平面図であり、図５は、図３に示した熱処理ユニットを説明するための概略的な側面図である。
図４及び図５を参照すると、それぞれの熱処理ユニット（２３２、２３４）は、半導体基板を加熱するための加熱プレート２４０と、Ｘ軸方向に前記加熱プレート２４０の一側に配置され、半導体基板を冷却させるための冷却プレート２４２と、前記加熱プレート２４０と前記冷却プレート２４２を収容し、前記半導体基板の移送のための一対のゲート（２４４ａ、２４４ｂ）を有する熱処理チャンバ２４４を含むことができる。
前記熱処理ユニット（２３２、２３４）は、半導体基板に対するベーク工程またはフォトレジストリフロー工程を行うために具備することができる。例えば、前記第２単位ブロック２３０は、ボトム反射防止膜を硬化させるためのベーク工程及び冷却工程を行うための上部熱処理ユニット２３２とフォトレジストリフロー工程及び冷却工程を行うための下部熱処理ユニット２３４を含むことができる。
また、前記それぞれの熱処理ユニット（２３２、２３４）は、前記熱処理チャンバ２４４内で前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２との間にで半導体基板を移送するためのチャンバ内側ロボット２４６を含むことができる。
前記チャンバ内側ロボット２４６は、Ｘ軸方向のロボットアーム２４６ｂを移動させるためのガイドレール２４６ａを含むことができる。前記ロボットアーム２４６ｂは、前記ガイドレール２４６ａにＸ軸方向に移動可能に結合することができ、前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２に向ってＹ軸方向に延長することができる。
詳細に図示していないが、前記それぞれの熱処理ユニット（２３２、２３４）は、前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２を通じて垂直方向に移動可能に配置されたリフトピン（２４８ａ、２４８ｂ）を更に含むことができる。前記加熱プレート２４０及び冷却プレートと２４２の下部には前記リフトピン（２４８ａ、２４８ｂ）と接続され、前記リフトピン（２４８ａ、２４８ｂ）を垂直方向に移動させるための駆動部２４９をそれぞれ配置することができる。
前記加熱プレート２４０は、前記半導体基板を加熱するためのヒッターと連結することができ、前記冷却プレート２４２は、前記半導体基板を冷却させるための冷却ラインを有することができる。特に、前記加熱プレート２４０内には電気抵抗熱線を内装することができ、前記冷却プレート２４２内には冷媒を循環させるための循環流路を形成することができる。
また、前記加熱プレート２４０と冷却プレート２４２それぞれは半導体基板を約０．１〜０．３ｍｍの高さに浮上した状態で前記半導体基板を支持するための複数の突起を有することができる。
再び図１乃至図３を参照すると、前記第１処理ブロック１００と第２処理ブロック２００との間には、半導体基板の移送のための基板移送ブロック３００を配置することができる。前記基板移送ブロック３００内には半導体基板を移送するための移送ロボット（３１０、３２０）を配置することができる。例えば、基板移送ブロック３００内には上部移送ロボット３１０と下部移送ロボット３２０を配置することができる。
図６は、図１に示した上部及び下部移送ロボットを説明するための概略的な正面図であり、図７は、図６に示した上部及び下部移送ロボットを説明するための概略的な側面図である。図８は、図６に示した上部及び下部移送ロボットの他の例を説明するための概略的な正面図である。
図６及び図７を参照すると、前記上部移送ロボット３１０は、一対の上部垂直ガイドレール３１２と、前記上部垂直ガイドレール３１２に垂直方向に移動可能に結合された上部水平ガイドレール３１４と、前記上部水平ガイドレール３１４に水平方向に移動可能に結合され、回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成された上部ロボットアーム３１６を含むことができる。
前記下部移送ロボット３２０は、一対の下部垂直ガイドレール３２２と、前記下部垂直ガイドレール３２２に垂直方向に移動可能であるように結合された下部水平ガイドレール３２４と、前記下部水平ガイドレール３２４に水平方向に移動可能に結合され、回転可能でありかつ慎重及び伸縮可能に構成された下部ロボットアーム３２６を含むことができる。
一方、前記基板処理モジュール２０は、半導体基板の温度調節のための第３処理ブロック４００及び第４処理ブロック５００を更に含むことができる。前記第３及び第４処理ブロック（４００、５００）は、前記第１及び第２処理ブロック（１００、２００）の配列方向に対して垂直する方向、即ち、Ｘ方向に前記基板移送ブロック３００の両側部位に配置することができる。具体的に、前記第３及び第４処理ブロック（４００、５００）は、基板移送モジュール３０、基板移送ブロック３００、及びインタフェーシングモジュール４０の間にそれぞれ配置することができる。
前記上部移送ロボット３１０は、露光工程の前に、前記第１、第２、第３、及び第４処理ブロック（１００、２００、４００、５００）の間で半導体基板を移送するために用い
ることができる。特に、前記上部移送ロボット３１０は、上部単位ブロック１１０、中央単位ブロック１５０、第１及び第３加熱ユニット（２１２、２５２）、上部熱処理ユニット２３２、及び第３及び第３処理ブロック（４００、５００）の間で半導体基板を移送するように構成することができる。
前記下部移送ロボット３２０は、露光工程の後で前記第１、第２、第３、及び第４処理ブロック（１００、２００、４００、５００）の間で半導体基板を移送するために用いることができる。特に、前記下部移送ロボット３２０は、下部単位ブロック１３０、中央単位ブロック１５０、第２及び第４加熱ユニット（２１４、２５４）、下部熱処理ユニット２３４、及び第３及び第４処理ブロック（４００、５００）の間で半導体基板を移送するように構成することができる。
前記上部垂直ガイドレール３１２は、前記第１処理ブロック１００に隣接して配置することができ、前記下部垂直ガイドレール３２２は、前記第２処理ブロック２００に隣接して配置することができる。これは前記上部移送ロボット３１０と下部移送ロボット３２０いずれもが前記中央単位ブロック１５０に対して半導体基板をロードまたはアンロード可能にするためである。前記上部移送ロボット３１０と下部移送ロボット３２０が前記中央単位ブロック１５０と隣接する領域で動作する場合、前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）の動作は互いに干渉しないようロボット制御部３３０によって制御することができる。
本発明の他の実施例によると、図８に示したように、上部ロボットアーム３４６は、下に向って上部水平ガイドレール３４４に結合することができ、下部ロボットアーム３５６は上に向うように下部水平ガイドレール３５４に結合することができる。この場合、上部垂直ガイドレール３４２と下部垂直ガイドレール３５２は、前記第１処理ブロック１００または第２処理ブロック２００に隣接して配置することができる。
再び図４及び図５を参照すると、半導体基板は前記熱処理チャンバ２４４の第１ゲート２４４ａを通じて熱処理チャンバ２４４の内部に搬入することができ、その後、前記加熱プレート２４０を通じて配置されたリフトピン（２４８ａ）によって前記加熱プレート２４０上にロードすることができる。前記加熱プレート２４０上でベーク工程またはフォトレジストリフロー工程の行われた半導体基板は、前記リフトピン２４８ａによって前記加熱プレート２４０から持ち上げられる。前記チャンバ内側ロボット２４６のロボットアーム２４６ｂは、前記持ち上げられた半導体基板の下に移動し、前記リフトピン２４８ａの下降によって前記半導体基板は前記ロボットアーム２４６ｂによって支持される。前記ロボットアーム２４６ｂによって支持された半導体基板は、ロボットアーム２４６ｂの移動によって前記冷却プレート２４２の上に移動し、前記冷却プレート２４２を通じて上昇するリフトピン２４８ｂによって前記ロボットアーム２４６ｂから持ち上げられる。前記ロボットアーム２４６ｂが戻った後、前記リフトピン２４８ｂの下降によって前記半導体基板は、前記冷却プレート２４２上に配設することができる。前記冷却プレート２４２上で所定の温度、例えば、約３０〜５０℃の温度に冷却された半導体基板は、前記熱処理チャンバ２４４の第２ゲート２４４ｂを通じて搬出することができる。
前記のように熱処理チャンバ２４４内で加熱プレート２４０と冷却プレート３４２との間の半導体基板の移送が前記チャンバ内側ロボット２４６によって行われるので、前記基板移送ブロック３００の上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）の負荷を減少させることができる。また、前記冷却プレート２４２によって半導体基板が冷却される期間、他の半導体基板に対するベーク工程またはフォトレジストリフロー工程が前記加熱プレート２４０によって同時にまたは連続に行われることが可能である。これによって、前記基板処理装置１０のスループットが大幅向上することができる。
再び、図１乃至図３を参照すると、前記第３及び第４処理ブロック（４００、５００）は、前記第２処理ブロック２００によって加熱された半導体基板を冷却させるために具備することができる。例えば、前記第３及び第４処理ブロック（４００、５００）それぞれは、半導体基板を所定の温度、例えば、約２３℃の温度に冷却させるための複数の冷却ユニット（４１０、５１０）を含むことができる。前記冷却ユニット（４１０、５１０）は垂直方向に積層することができる。
また、前記第３及び第４処理ブロック（４００、５００）は、前記上部または下部熱処理ユニット（２３２または２３４）の冷却プレート２４２によって一次冷却された半導体基板を約２３℃の温度で２次冷却させるために用いることができる。前記熱処理ユニット（２３２または２３４）の冷却プレート２４２は、半導体基板の温度を約３０〜５０℃の温度に一次冷却させることができる。
それぞれの冷却ユニット（４１０、５１０）は、冷却チャンバとそれの内部に配置された冷却プレートを含むことができる。詳細に図示していないが、前記冷却プレートの内部には、冷却水の循環のための流路を具備することができ、前記冷却水の循環によって前記冷却プレートは、約２３℃の温度で維持することができる。また、前記基板移送ブロック３００と隣接する冷却チャンバの側壁には、半導体基板の移送のためのゲートを具備することができる。
また、前記第３及び第４処理ブロック（４００、５００）は、半導体基板を積載するための第１移送ステージ４２０及び第２移送ステージ５２０をそれぞれ更に含むことができる。前記第１及び第２移送ステージ（４２０、５２０）は、前記冷却ユニット（４１０、５１０）の間に配置することができる。例えば、前記第１及び第２移送ステージ（４２０、５２０）は、前記第１ブロック１００の中央単位ブロック１５０と対応するように配置することができる。これは、前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）いずれもが前記第１及び第２移送ステージ（４２０、５２０）を経由して半導体基板を移送するためである。
図９は、図３に示した冷却ユニットを説明するための概略的な正面図であり、図１０は、図９に示した冷却ユニットの他の例を説明するための概略的な斜視図である。
図９を参照すると、本発明の一実施例によると、前記冷却ユニット（４１０、５１０）それぞれは、冷却プレート４５０を通じて垂直方向に移動可能に配置され、半導体基板のローディング及びアンローディング動作を行う複数のリフトピン４５２を含むことができる。
前記冷却プレート４５０の下部には、前記リフトピン４５２と連結され、前記リフトピン４５２を垂直方向に移動させるための駆動部４５４を配置することができる。
本発明の他の実施例によると、図１０に示したように、前記冷却ユニット（４１０，５１０）それぞれは半導体基板のローディング及びアンローディングのために前記半導体基板を昇降させるための昇降部材４６０と前記昇降部材４６０と接続された駆動部４６６を含むことができる。
前記昇降部材４６０は、一側が開放されたリング状、例えば、Ｃ字形態などを有することができる。前記開放された部位４６２は、上部または下部移送ロボット（３１０、３２０）のロボットアーム（３１６、３２６）との干渉を避けるために具備され、前記冷却チャンバのゲートに向って配置することができる。前記昇降部材４６０の内側には複数の突
起４６４が形成されており、半導体基板は前記突起４６４によって支持されることが可能である。
冷却プレート４７０は、前記半導体基板と対応する円形ディスクの形態を有することができ、冷却プレート４７０の側面部位には前記突起４６４が通過できるように複数の溝４７２が垂直方向に形成される。前記上部または下部移送ロボット（３１０または３２０）によって移送された半導体基板は、前記昇降部材４６０の上昇によって前記上部または下部移送ロボット（３１０または３２０）から持ち上げられ、その後、前記昇降部材４６０の下降によって前記冷却プレート４７０上にロードされることが可能である。逆に、前記冷却プレート４７０によって支持された半導体基板は、前記昇降部材４５０の上昇によって前記冷却プレート４７０から持ち上げられ、前記昇降部材４６０によって維持された半導体基板は、前記上部または下部移送ロボット（３１０または３２０）によって前記冷却チャンバから搬出されることが可能である。
前記駆動部４６６は、水平方向に前記冷却プレート４７０の一側に配置することができ、連結部材４６８によって前記昇降部材４６０と連結することができる。よって、図９に示したリフトピン４５２を用いる場合に比べて前記冷却ユニット（４１０、５１０）の高さを減少させることができる。
前記インタフェーシングモジュール４０は、前記第４処理ブロック５００と露光装置２との間に配置することができる。前記インタフェーシングモジュール４０内には、前記基板処理モジュール２０と露光装置２との間で半導体基板を移送するためのインタフェーシングロボット４２を配置することができる。前記インタフェーシングロボット４２は、垂直方向に移動可能に構成することができ、前記インタフェーシングロボット４２のロボットアームは、回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成することができる。
また、前記インタフェーシングモジュール４０内には、エッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６を配置することができる。前記エッジ露光ユニット４４は、半導体基板のエッジ部位上のフォトレジスト膜部位を除去するために具備することができ、前記保管ステージ４６は、半導体基板が露光装置２に投入される前または露光工程が行われた後、半導体基板の待機のために具備することができる。前記エッジ露光ユニット４４と保管ステージ４６は、前記インタフェーシングロボット４２を中心にＹ軸方向に互いに向い合って配置することができる。
前記エッジ露光ユニット４４は、半導体基板を支持し回転させるための回転チャックと、前記回転チャック上に支持された半導体基板のエッジ部位に光ビームを照射するための光源を含むことができる。
一方、前記基板処理モジュール２０内で前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）の動作は、前記ロボット制御部３３０によって制御することができる。特に、前記ロボット制御部３３０は、前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）が前記基板移送ブロック３００の中央空間、即ち、前記中央単位ブロック１５０と隣接する空間で互いに干渉しないように前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）の動作を制御することができる。
例えば、前記基板移送モジュール３０の基板移送ロボット３６によって前記第１移送ステージ４２０に積載された半導体基板は、前記基板移送ブロック３００の上部移送ロボット３１０によって疎水化処理のために第１加熱ユニット２１２のいずれに移送することができる。前記半導体基板は、前記第１加熱ユニット２１２の加熱プレートによって約８５〜１２０℃の温度で加熱することができ、前記半導体基板上にＨＭＤＳガスを供給するこ
とができる。
前記第１加熱ユニット２１２によって処理された半導体基板は、前記上部移送ロボット３１０によって第３または第４処理ブロック（４００または５００）に移送することができ、その後、約２３℃の温度に冷却する
前記上部移送ロボット３１０は、前記第３または第４処理ブロック（４００または５００）から上部単位ブロック１１０の第１コーティングユニット１１２及び中央単位ブロック１５０のコーティングユニット１５２のうち、いずれに半導体基板を移送することができ、前記コーティングユニット（１１２または１５２）によって前記半導体基板上にはボトム反射防止膜をコーティングすることができる。
前記上部移送ロボット３１０は、ボトム反射防止膜が形成された半導体基板を第２単位ブロック２３０の上部熱処理ユニット２３２のいずれに移送することができ、前記上部熱処理ユニット２３２によって前記ボトム反射防止膜を硬化させるためのベーク工程（以下、「ＢＡＲＣベーク工程」という）及び冷却工程を行うことができる。特に、前記上部熱処理ユニット２３２で約１２０〜１８０℃の温度で１次ベーク工程を行うことができ、続いて前記１次ベーク工程の温度より高い温度、例えば、約１５０〜２５０℃で２次ベーク工程を行うことができる。前記ＢＡＲＣベーク工程が終了すると、前記半導体基板は、チャンバ内側ロボット２４６によって前記上部熱処理ユニット２３２内部の冷却プレート２４２上に移送することができ、前記冷却プレート２４２によって約３０〜５０℃の温度に１次冷却することができる。
前記上部熱処理ユニット２３２によって処理された半導体基板は、前記上部移送ロボット３１０によって第３または第４処理ブロック（４００または５００）に移送することができ、続いて約２３℃の温度に冷却することができる。
前記上部移送ロボット３１０は、前記第３または第４処理ブロック（４００または５００）から前記上部単位ブロック１１０の第２コーティングユニット１１４及び中央単位ブロック１５０のコーティングユニット１５２のいずれに半導体基板を移送することができ、前記コーティングユニット（１１４または１５２）によって前記半導体基板上にフォトレジスト膜をコーティングすることができる。
前記フォトレジスト膜の形成された半導体基板は、上部移送ロボット３１０によって第３加熱ユニット２５２のいずれに移送することができ、前記第３加熱ユニット２５２によって前記半導体基板に対するソフトベーク工程を行うことができる。例えば、前記半導体基板は、前記第３加熱ユニット２５２によって約７０〜１２０℃の温度に加熱することができる。
前記ソフトベーク工程の行われた半導体基板は、前記上部移送ロボット３１０によって第４処理ブロック５００に移送することができ、前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０のいずれによって約２３℃の温度に冷却することができる。
前記第４処理ブロック５００の冷却ユニット５１０によって冷却された基板は、前記上部移送ロボット３１０によって第２移送ステージ５２０に移送することができ、その後前記インタフェーシングロボット４２によって露光装置２またはエッジ露光ユニット４４に移送することができる。
前記露光装置２によって処理された半導体基板は、インタフェーシングロボット４２によって前記第２移送ステージ５２０に移送することができ、前記下部移送ロボット３２０
によって前記第４加熱ユニット２５４のいずれに移送することができる。
前記第４加熱ユニット２５４によって前記半導体基板に対するＰＥＢ工程を行うことができる。前記半導体基板は、前記第４加熱ユニット２５４によって約９０〜１５０℃の温度に加熱することができる。
前記ＰＥＢ工程の行われた半導体基板は、前記下部移送ロボット３２０によって前記第４加熱ユニット２５４から第３及び第４処理ブロック（４００、５００）の冷却ユニット（４１０、５１０）のいずれに移送することができ、前記冷却ユニット（４１０または５１０）によって約２３℃の温度に冷却することができる。
前記下部移送ロボット３２０は、前記第３または第４処理ブロック（４００または５００）から下部単位ブロック１３０または中央単位ブロック１５０の現像ユニット（１３２、１５４）のいずれに半導体基板を移送することができ、前記現像ユニット（１３２または１５４）による現像工程を行うことができる。
前記現像工程の行われた半導体基板は、前記下部移送ロボット３２０によって第２加熱ユニット２１４のいずれに移送することができ、前記第２加熱ユニット２１４によるハードベーク工程を行うことができる。特に、前記半導体基板は、前記第２加熱ユニット２１４によって約１１０〜１５０℃の温度で加熱することができる。
これとは違って、前記現像工程の行われた半導体基板は前記下部移送ロボット３２０によって前記下部熱処理ユニット２３４のいずれに移送することができ、前記下部熱処理ユニット２３４によるフォトレジストリフロー工程を行うこともできる。例えば、前記半導体基板は、前記下部熱処理ユニット２３４の加熱プレート２４０によって約１５０〜１８０℃の温度に加熱することができる。前記フォトレジストリフロー工程の行われた半導体基板は、前記下部熱処理ユニット２３４のチャンバ内側ロボット２４６によって前記下部熱処理ユニット２３４内で加熱プレート２４０から冷却プレート２４２に移送することができる。その後、前記半導体基板は、前記冷却プレート２４２によって約３０〜５０℃の温度に冷却することができる。
前記ハードベーク工程またはフォトレジストリフロー工程の行われた半導体基板は、前記下部移送ロボット３２０によって第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０のいずれに移送することができ、その後、約２３℃の温度に冷却することができる。
前記半導体基板は、前記下部移送ロボット３２０によって前記第３処理ブロック４００の冷却ユニット４１０から前記第１移送ステージ４２０に移送することができ、続いて前記基板移送ロボット３６によって前記基板処理装置１０から搬出することができる。
前述したベーク工程及びフォトレジストリフロー工程の温度範囲は、用いられたフォトレジスト組成物及び反射防止物質、そして目的とするフォトレジストパターンの線幅によって多様に変更することができ、これによって本発明の範囲が制限されることはない。
前述した工程は、一つの半導体基板に対して順次に行うことができ、複数の半導体基板に対して同時に行うことができる。前記工程が行われるうち、前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）の動作は、ロボット制御部３３０によって互いに干渉しないように制御することができ、前記熱処理ユニット（２３２、２３４）のチャンバ内側ロボット２４６は、前記上部及び下部移送ロボット（３１０、３２０）の負荷を減少させることができる。
本発明の一実施例による基板処理装置を説明するための概略的な平面図である。 図１に示した基板処理装置の第１処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。 図１に示した基板処理装置の第２処理ブロックを説明するための概略的な側面図である。 図３に示した熱処理ユニットを説明するための概略的な平面図である。 図３に示した熱処理ユニットを説明するための概略的な平面図である。 図１に示した上部及び下部移送ロボットを説明するための概略的な正面図である。 図６に示した上部及び下部移送ロボットを説明するための概略的な側面図である。 図６に示した上部及び下部移送ロボットの他の例を説明するための概略的な正面図である。 図３に示した冷却ユニットを説明するための概略的な正面図である。 図９に示した冷却ユニットの他の例を説明するための概略的な斜視図である。
符号の説明
２ 露光装置
１０ 基板処理装置
２０ 基板処理モジュール
３０ 基板移送モジュール
３２ ロードポート
３４ 基板移送チャンバ
３６ 基板移送ロボット
４０ インタフェーシングモジュール
４２ インタフェーシングロボット
４４ エッジ露光ユニット
４６ 保管ステージ
１００ 第１処理ブロック
１１０ 上部単位ブロック
１１２ 第１コーティングユニット
１１４ 第２コーティングユニット
１３０ 下部単位ブロック
１３２ 現像ユニット
１５０ 中央単位ブロック
１５２ コーティングユニット
１５４ 現像ユニット
２００ 第２処理ブロック
２１０ 第１単位ブロック
２３０ 第２単位ブロック
２４０ 加熱プレート
２４２ 冷却プレート
２４４ 熱処理チャンバ
２４４ａ、２４４ｂ ゲート
２４６ チャンバ内側ロボット
２５０ 第３単位ブロック
３００ 基板移送ブロック
３１０ 上部移送ロボット
３２０ 下部移送ロボット
３３０ ロボット制御部
４００ 第３処理ブロック
４１０ 冷却ユニット
４２０ 第１移送ステージ
４５０ 冷却プレート
４５２ リフトピン
４５４ 駆動部
４６０ 昇降部材
４６４ 突起
４６６ 駆動部
４７０ 冷却プレート
５００ 第４処理ブロック
５１０ 冷却ユニット
５２０ 第２移送ステージ

Claims (21)

  1. 基板に対してコーティング工程及び現像工程を行うための第１処理ブロックと、
    前記第１処理ブロックと向い合って配置され、前記基板を熱処理するための第２処理ブロックと、を含み、
    前記第１処理ブロックは、
    前記基板上に膜を形成するための少なくとも一つのコーティングユニットと前記基板上のフォトレジスト膜を現像するための少なくとも一つの現像ユニットとのうち、いずれを含む上部単位ブロックと、
    前記少なくとも一つのコーティングユニットと前記少なくとも一つの現像ユニットとのうち、残りのいずれを含む下部単位ブロックと、
    前記上部単位ブロックと下部単位ブロックとの間に分離可能に配置され、コーティングユニットと現像ユニットのうち、少なくとも一つを含む中央単位ブロックと、を含むことを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記上部単位ブロックは、ボトム反射防止膜を形成するための第１コーティングユニットとフォトレジスト膜を形成するための第２コーティングユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記上部単位ブロックは、前記基板上にフォトレジスト膜を形成するための複数のコーティングユニットを含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 前記第２処理ブロックは、前記第１処理ブロックと向い合うように水平方向に配置された第１、第２、及び第３単位ブロックを含み、前記第２単位ブロックは、前記第１単位ブロックと第３単位ブロックとの間で複層に積層された複数の熱処理ユニットを含み、
    それぞれの熱処理ユニットは、
    前記基板を加熱するための加熱プレートと、
    前記第１、第２、及び第３単位ブロックの配置方向と平行する方向に前記加熱プレートの一側に配置され、前記基板を冷却するための冷却プレートと、
    前記加熱プレートと前記冷却プレートを収容し、前記基板を搬入及び搬出するための一対の出入口を有する熱処理チャンバと、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記それぞれの熱処理ユニットは、
    前記熱処理チャンバ内に配置され、前記加熱プレートと前記冷却プレートとの間で前記基板を移送するためのチャンバ内側ロボットと、
    前記加熱プレート及び冷却プレートによって垂直方向に移動可能に配置され、前記基板を前記加熱プレート及び冷却プレート上にロードし、前記加熱プレート及び冷却プレートからアンロードするためのリフトピンを更に含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記チャンバ内側ロボットは、
    前記加熱プレートと冷却プレートとが配列された方向と平行に延長するガイドレールと、
    前記ガイドレールに対して垂直する方向に延長し、前記ガイドレールに移動可能に結合されたロボットアームと、を含むことを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. それぞれの第１及び第３単位ブロックは複層に積層され、前記基板を加熱するための複数の加熱ユニットを含むことを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  8. 前記第１処理ブロックと第２処理ブロックとの間に基板を移送するための基板移送ブロックを更に含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  9. 前記基板移送ブロックは、
    前記上部単位ブロック、前記中央単位ブロック、及び前記第２処理ブロックの間で基板を移送するための上部移送ロボットと、
    前記下部単位ブロック、前記中央単位ブロック、及び前記第２処理ブロックの間で基板を移送するための下部移送ロボットと、を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  10. それぞれの上部及び下部移送ロボットは、
    垂直方向に延長する一対の垂直ガイドレールと、
    前記垂直ガイドレールに垂直方向に移動可能に結合された水平ガイドレールと、
    前記水平ガイドレールに水平方向に移動可能に結合され、前記基板を移送するために回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアームと、を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記上部移送ロボットの垂直ガイドレール及び前記下部移送ロボットの垂直ガイドレールは、前記第１処理ブロック及び第２処理ブロックにそれぞれ隣接するように配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  12. 前記上部移送ロボットのロボットアームは下に向って配置され、前記部下部移送ロボットのロボットアームは上に向って配置されることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
  13. 前記上部及び下部移送ロボットの垂直ガイドレールは、前記第１または第２処理ブロックに隣接して配置されることを特徴とする請求項１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記中央単位ブロックと隣接する前記基板移送ブロックの中央空間内で前記上部及び下部移送ロボットが互いに干渉しないように前記上部及び下部移送ロボットの動作を制御するロボット制御部を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  15. 前記第１及び第２処理ブロックが配列された方向に対して垂直する方向に前記基板移送ブロックの両側に配置され、基板の温度を調節するための第３処理ブロック及び第４処理ブロックを更に含むことを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
  16. それぞれの第３及び第４処理ブロックは、垂直方向に積層されて基板を冷却させるための複数の冷却ユニットを含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
  17. 前記第３及び第４処理ブロックは、前記中央単位ブロックと水平方向に隣接するように前記冷却ユニットの間に配置され、基板を収納するための第１移送ステージ及び第２移送ステージを更に含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  18. それぞれの冷却ユニットは、
    前記基板を冷却させるための冷却プレートと、
    前記冷却プレートによって垂直方向に移動可能に配置された複数のリフトピンと、
    前記冷却プレートの下で前記リフトピンと接続され、前記基板を前記冷却プレート上にロードし、前記冷却プレートからアンロードするために前記リフトピンを垂直方向に移動させる駆動部と、を含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  19. それぞれの冷却ユニットは、
    前記基板を冷却させるための冷却プレートと、
    一側の開放されたリング状を有し、それの内側部位には前記基板を支持するための複数の突起が配置された昇降部材と、
    前記昇降部材と接続された駆動部と、を含み、
    前記冷却プレートの側面部位には前記突起を透過させるための複数の溝が垂直方向に形成されており、前記駆動部は前記基板を前記冷却プレート上にロードし、前記冷却プレートからアンロードするために前記昇降部材を垂直方向に移動させることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
  20. 前記駆動部は、前記冷却プレートの一側に配置されることを特徴とする請求項１９に記載の基板処理装置。
  21. 第３処理ブロックと接続され、前記基板を収納するための容器と前記第３処理ブロックとの間で、前記基板を移送するための基板移送モジュールと、
    前記第４処理ブロックと接続され、露光装置と前記第４処理ブロックとの間で、前記基板を移送するためのインタフェーシングモジュールと、を更に含むことを特徴とする請求項１５に記載の基板処理装置。
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