JP4719242B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4719242B2 JP4719242B2 JP2008106549A JP2008106549A JP4719242B2 JP 4719242 B2 JP4719242 B2 JP 4719242B2 JP 2008106549 A JP2008106549 A JP 2008106549A JP 2008106549 A JP2008106549 A JP 2008106549A JP 4719242 B2 JP4719242 B2 JP 4719242B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- unit
- block
- cooling
- processing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 273
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 134
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 131
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 85
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 55
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 47
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 37
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 114
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- QCOOBRZXUXNIJP-UHFFFAOYSA-N 1-(silylamino)silylhexane Chemical compound C(CCCCC)[SiH2]N[SiH3] QCOOBRZXUXNIJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/06—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
- H01L21/08—Preparation of the foundation plate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
ことができる。
本発明の実施例によると、前記基板処理装置は、前記第1処理ブロックと第2処理ブロックとの間に基板を移送するための基板移送ブロックを更に含むことができる。
基板を収納するための容器と前記第3処理ブロックとの間で、前記基板を移送するための基板移送モジュールと、
前記第4処理ブロックと接続され、露光装置と前記第4処理ブロックとの間で、前記基板を移送するためのインタフェーシングモジュールと、を更に含むことができる。
よるベーク工程またはフォトレジストリフロー工程、及び冷却プレートによる冷却処理が同時にまたは連続的に行われることが可能である。結果的に、前記基板処理装置のスループットを大幅向上させることができる。
以下、本発明による実施例を添付する図面を参照して詳細に説明する。
送のための基板移送ロボット36を配置することができる。前記基板移送ロボット36は、水平及び垂直方向、例えば、Y軸方向、Y軸方向、及びZ軸方向に移動可能に構成することができる。また、前記基板移送ロボット36のロボットアームは、回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成することができる。
ることはない。
導体基板を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄ノズルを更に含むことができる。
処理、ソフトベーク工程、PEB(post exposure bake)工程、ハードベーク工程などを行うために用いることができる。
ためのノズルをそれぞれ含むことができる。
ることができる。特に、前記上部移送ロボット310は、上部単位ブロック110、中央単位ブロック150、第1及び第3加熱ユニット(212、252)、上部熱処理ユニット232、及び第3及び第3処理ブロック(400、500)の間で半導体基板を移送するように構成することができる。
起464が形成されており、半導体基板は前記突起464によって支持されることが可能である。
とができる。
によって前記第4加熱ユニット254のいずれに移送することができる。
10 基板処理装置
20 基板処理モジュール
30 基板移送モジュール
32 ロードポート
34 基板移送チャンバ
36 基板移送ロボット
40 インタフェーシングモジュール
42 インタフェーシングロボット
44 エッジ露光ユニット
46 保管ステージ
100 第1処理ブロック
110 上部単位ブロック
112 第1コーティングユニット
114 第2コーティングユニット
130 下部単位ブロック
132 現像ユニット
150 中央単位ブロック
152 コーティングユニット
154 現像ユニット
200 第2処理ブロック
210 第1単位ブロック
230 第2単位ブロック
240 加熱プレート
242 冷却プレート
244 熱処理チャンバ
244a、244b ゲート
246 チャンバ内側ロボット
250 第3単位ブロック
300 基板移送ブロック
310 上部移送ロボット
320 下部移送ロボット
330 ロボット制御部
400 第3処理ブロック
410 冷却ユニット
420 第1移送ステージ
450 冷却プレート
452 リフトピン
454 駆動部
460 昇降部材
464 突起
466 駆動部
470 冷却プレート
500 第4処理ブロック
510 冷却ユニット
520 第2移送ステージ
Claims (20)
- 基板処理装置であって、
基板に対してコーティング工程及び現像工程を行うための第1処理ブロック(100)と;
前記第1処理ブロック(100)と向い合って配置され、前記基板を熱処理するための第2処理ブロック(200)と
を備え、
前記第1処理ブロック(100)は、
前記基板上に膜を形成するための少なくとも1つのコーティングユニットを有する上部単位ブロック(110,210)であって、前記コーティングユニットは、ボトム反射防止膜を形成するための第1コーティングユニット(112)と、フォトレジスト膜を形成するための第2コーティングユニット(114)とを有することと;
前記基板上のフォトレジスト膜を現像するための少なくとも1つの現像ユニット(132)を有する下部単位ブロック(130)と;
前記上部単位ブロック(110,210)と下部単位ブロック(130)との間に配置される中央単位ブロック(150)であって、前記中央単位ブロック(150)は、前記上部単位ブロックが有するのとは別の第1コーティングユニット(152)と第2コーティングユニットとを備え、更に前記下部単位ブロックが有するのとは別の現像ユニット(154)を備え、前記上部単位ブロック(110,210)と前記中央単位ブロック(150)の前記第1コーティングユニットと前記第2コーティングユニットとは、共に作動されることによって前記下部単位ブロック(130)から分離され、前記下部単位ブロック(130)と前記中央単位ブロック(150)の前記現像ユニットとは、共に作動されることによって前記上部単位ブロック(110,210)から分離されるように配置されることと
を有することを特徴とする、基板処理装置。 - 前記上部単位ブロック(110,210)が有する前記第1コーティングユニット(152)と前記第2コーティングユニットは、それぞれ複数である、
請求項1に記載の基板処理装置。 - 前記第2処理ブロック(200)は、前記第1処理ブロック(100)と向い合うように水平方向に配置された第1単位ブロック(210)と、第2単位ブロック(230)と、第3単位ブロック(250)とを有し、
前記第2単位ブロック(230)は、前記第1単位ブロック(210)と第3単位ブロック(250)との間で複層に積層された複数の熱処理ユニット(232,234)を有し、
それぞれの熱処理ユニット(232,234)は、
前記基板を加熱するための加熱プレート(240)と;
前記第1、第2、及び第3単位ブロック(250)の配列された方向と平行な方向に関して前記加熱プレート(240)の一側に配置され、前記基板を冷却するための冷却プレート(242)と;
前記加熱プレート(240)と前記冷却プレート(242)を収容し、前記基板を搬入及び搬出するための一対の出入口を有する熱処理チャンバ(244)と
を備える、
請求項1記載の基板処理装置。 - 前記熱処理ユニット(232,234)それぞれは更に、
前記熱処理チャンバ(244)内に配置され、前記加熱プレート(240)と前記冷却プレート(242)との間で前記基板を移送するためのチャンバ内側ロボット(246)と;
前記加熱プレート(240)及び冷却プレート(242)によって垂直方向に移動可能に配置され、前記基板を前記加熱プレート(240)及び冷却プレート(242)上にロードし、前記加熱プレート(240)及び冷却プレート(242)からアンロードするためのリフトピン(248a,248b)と
を有する、
請求項3記載の基板処理装置。 - 前記チャンバ内側ロボット(246)は、
前記加熱プレート(240)と冷却プレート(242)とが配列された方向と平行に延長するガイドレール(246a)と;
前記ガイドレール(246a)に対して垂直する方向に延長し、前記ガイドレール(246a)に移動可能に結合されたロボットアーム(246b)と
を有する、
請求項4記載の基板処理装置。 - 前記第1単位ブロック(210)と前記第3単位ブロック(250)はそれぞれ、複層に積層され且つ前記基板を加熱するための複数の加熱ユニット(212、214、252、254)を有する、
請求項3記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は更に、前記第1処理ブロック(100)と第2処理ブロック(200)との間に基板を移送するための基板移送ブロック(300)を有する、
請求項1記載の基板処理装置。 - 前記基板移送ブロック(300)は、
前記上部単位ブロック(110,210)、前記中央単位ブロック(150)、及び前記第2処理ブロック(200)の間で基板を移送するための上部移送ロボット(310)と;
前記下部単位ブロック(130)、前記中央単位ブロック(150)、及び前記第2処理ブロック(200)の間で基板を移送するための下部移送ロボット(320)と
を有する、
請求項7記載の基板処理装置。 - 前記上部移送ロボット(310)と前記下部移送ロボット(320)はそれぞれ、
垂直方向に延長する一対の垂直ガイドレール(312,322)と;
前記垂直ガイドレール(312,322)に垂直方向に移動可能に結合された水平ガイドレール(314,324)と;
前記水平ガイドレール(314,324)に水平方向に移動可能に結合され、前記基板を移送するために回転可能かつ伸張及び伸縮可能に構成されたロボットアーム(316,326)と
を有する
請求項8記載の基板処理装置。 - 前記上部移送ロボット(310)の垂直ガイドレール(312)と前記下部移送ロボット(320)の垂直ガイドレール(322)とは、前記第1処理ブロック(100)及び前記第2処理ブロック(200)にそれぞれ隣接するように配置される、
請求項9記載の基板処理装置。 - 前記上部移送ロボット(310)のロボットアーム(316)は、下に向って配置され、
前記下部移送ロボット(320)のロボットアーム(326)は、上に向って配置される、
請求項9記載の基板処理装置。 - 前記上部移送ロボット(310)と下部移送ロボット(320)の垂直ガイドレールは、前記第1処理ブロック(100)または前記第2処理ブロック(200)に隣接して配置される、
請求項11記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は更に、
前記中央単位ブロック(150)に隣接する前記基板移送ブロック(300)の中央空間内で、前記上部移送ロボット(310)と下部移送ロボット(320)が互いに干渉しないように前記上部移送ロボット(310)と下部移送ロボット(320)の動作を制御するロボット制御部を有する、
請求項9記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は更に、前記第1処理ブロック(100)及び第2処理ブロック(200)が配列された方向に対して垂直する方向に前記基板移送ブロック(300)の両側に配置され、且つ前記基板の温度を調節するための第3処理ブロック(400)と第4処理ブロック(500)を有する、
請求項7記載の基板処理装置。 - 前記第3処理ブロック(400)は、垂直方向に積層され且つ前記基板を冷却させるための複数の第1の冷却ユニット(410)を有し、
前記第4処理ブロック(500)は、垂直方向に積層され且つ前記基板を冷却させるための複数の第2の冷却ユニット(510)を有する、
請求項14記載の基板処理装置。 - 前記第3処理ブロック(400)は更に、前記中央単位ブロック(150)に水平方向に隣接するように前記第1の冷却ユニット(410)の間に配置され且つ前記基板を収納
するための第1移送ステージ(420)有し、
前記第4処理ブロック(500)は更に、前記中央単位ブロック(150)に水平方向に隣接するように前記第2の冷却ユニット(510)の間に配置され且つ前記基板を収納するための第2移送ステージ(520)を有する、
請求項15記載の基板処理装置。 - 前記第1の冷却ユニット(410)は、
前記基板を冷却させるための第1冷却プレート(450)と;
前記第1冷却プレート(450)によって垂直方向に移動可能に配置された複数のリフトピン(452)と;
前記第1冷却プレート(450)の下で前記リフトピン(452)に接続され、前記基板を前記第1冷却プレート(450)上にロードし、前記第1冷却プレート(450)からアンロードするために前記リフトピン(452)を垂直方向に移動させる駆動部(454)と
を有し、
前記第2の冷却ユニット(510)は、
前記基板を冷却させるための第2冷却プレート(550)と;
前記第2冷却プレート(550)によって垂直方向に移動可能に配置された複数のリフトピン(552)と;
前記第2冷却プレート(550)の下で前記リフトピン(552)に接続され、前記基板を前記第2冷却プレート(550)上にロードし、前記第2冷却プレート(550)からアンロードするために前記リフトピン(552)を垂直方向に移動させる駆動部(554)と
を有し、
請求項15記載の基板処理装置。 - 前記冷却ユニット(410,510)はそれぞれ、
前記基板を冷却させるための冷却プレート(450)と;
一側の開放されたリング状を有し、それの内側部位には前記基板を支持するための複数の突起が配置された昇降部材(460)と;
前記昇降部材(460)に接続された駆動部(466)と
を有し、
前記冷却プレート(450)の側面部位には前記突起を透過させるための複数の溝が垂直方向に形成されており、前記駆動部は前記基板を前記冷却プレート(450)上にロードし、前記冷却プレート(450)からアンロードするために前記昇降部材(460)を垂直方向に移動させる、
請求項15記載の基板処理装置。 - 前記駆動部(466)は、前記冷却プレート(450)の片側に配置される、
請求項18記載の基板処理装置。 - 前記基板処理装置は更に、
第3処理ブロック(400)に接続され、前記基板を収納するための容器(4)と前記第3処理ブロック(400)との間で、前記基板を移送するための基板移送モジュール(30)と;
前記第4処理ブロック(500)に接続され、露光装置と前記第4処理ブロック(500)との間で、前記基板を移送するためのインタフェーシングモジュール(40)と
を有する
請求項16記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070059217A KR100897850B1 (ko) | 2007-06-18 | 2007-06-18 | 기판 처리 장치 |
KR10-2007-0059217 | 2007-06-18 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008311624A JP2008311624A (ja) | 2008-12-25 |
JP4719242B2 true JP4719242B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=40131161
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008106549A Active JP4719242B2 (ja) | 2007-06-18 | 2008-04-16 | 基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8113142B2 (ja) |
JP (1) | JP4719242B2 (ja) |
KR (1) | KR100897850B1 (ja) |
CN (1) | CN101329997B (ja) |
TW (1) | TWI448843B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5006122B2 (ja) | 2007-06-29 | 2012-08-22 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP4380756B2 (ja) * | 2007-10-10 | 2009-12-09 | 株式会社デンソー | 製造装置 |
JP5128918B2 (ja) | 2007-11-30 | 2013-01-23 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
KR100892756B1 (ko) * | 2007-12-27 | 2009-04-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 이송 방법 |
JP5001828B2 (ja) | 2007-12-28 | 2012-08-15 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5179170B2 (ja) | 2007-12-28 | 2013-04-10 | 株式会社Sokudo | 基板処理装置 |
JP5181306B2 (ja) * | 2009-01-30 | 2013-04-10 | セメス株式会社 | 基板処理システム、露光前後処理ユニット及び基板処理方法 |
JP5408059B2 (ja) * | 2010-07-09 | 2014-02-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置、塗布、現像方法及び記憶媒体 |
TW201310498A (zh) * | 2011-05-03 | 2013-03-01 | Tera Semicon Corp | 直列型熱處理裝置 |
KR101378771B1 (ko) * | 2012-06-22 | 2014-03-27 | 에스브이에스 주식회사 | 반도체 웨이퍼의 어닐링장치 |
US9685357B2 (en) * | 2013-10-31 | 2017-06-20 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate |
JP6557647B2 (ja) * | 2016-11-22 | 2019-08-07 | 株式会社Screenセミコンダクターソリューションズ | 基板処理装置 |
JP7232596B2 (ja) * | 2018-08-30 | 2023-03-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
CN112582318A (zh) * | 2019-09-30 | 2021-03-30 | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 | 涂胶显影设备 |
KR102379016B1 (ko) | 2019-10-31 | 2022-03-28 | 세메스 주식회사 | 지지 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용하는 기판 처리 방법 |
JP7476295B2 (ja) | 2021-12-28 | 2024-04-30 | サムス カンパニー リミテッド | 冷却ユニット、基板処理装置、及び基板処理方法 |
KR102638655B1 (ko) * | 2023-08-07 | 2024-02-20 | 에이피티씨 주식회사 | 멀티 층 efem을 포함하는 기판 이송 장치 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216614A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
JP2006287178A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR970003907B1 (ko) * | 1988-02-12 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 기판처리 장치 및 기판처리 방법 |
TW353777B (en) * | 1996-11-08 | 1999-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Treatment device |
JP3930244B2 (ja) * | 2000-11-10 | 2007-06-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
JP4381909B2 (ja) * | 2004-07-06 | 2009-12-09 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4955976B2 (ja) * | 2005-01-21 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置及びその方法 |
JP4414909B2 (ja) * | 2005-02-14 | 2010-02-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布、現像装置 |
KR100637717B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2006-10-25 | 세메스 주식회사 | 베이크 유닛, 상기 베이크 유닛에 사용되는 가열플레이트를 냉각하는 방법, 그리고 상기 베이크 유닛을포함하는 기판 처리 장치 및 방법 |
-
2007
- 2007-06-18 KR KR1020070059217A patent/KR100897850B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-04-16 JP JP2008106549A patent/JP4719242B2/ja active Active
- 2008-04-29 US US12/111,553 patent/US8113142B2/en active Active
- 2008-06-12 CN CN2008101251529A patent/CN101329997B/zh active Active
- 2008-06-17 TW TW097122531A patent/TWI448843B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006216614A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
JP2006287178A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-10-19 | Tokyo Electron Ltd | 塗布、現像装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI448843B (zh) | 2014-08-11 |
CN101329997A (zh) | 2008-12-24 |
JP2008311624A (ja) | 2008-12-25 |
KR100897850B1 (ko) | 2009-05-15 |
TW200900882A (en) | 2009-01-01 |
US8113142B2 (en) | 2012-02-14 |
KR20080111183A (ko) | 2008-12-23 |
US20080308039A1 (en) | 2008-12-18 |
CN101329997B (zh) | 2010-09-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4719242B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4615580B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP4527670B2 (ja) | 加熱処理装置、加熱処理方法、制御プログラムおよびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
US7371998B2 (en) | Thermal wafer processor | |
US20090003825A1 (en) | Substrate processing system | |
TWI449112B (zh) | 平板、具有平板之基板之溫度調整裝置以及用以處理具有平板之基板之裝置 | |
US20160035601A1 (en) | Bake unit, substrate treating apparatus including the unit, and substrate treating method | |
KR20070076420A (ko) | 기판처리장치 | |
KR20180000928A (ko) | 가열 처리 유닛, 이를 갖는 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
KR20090002933A (ko) | 공조 시스템을 갖는 기판 처리 장치 | |
KR102516725B1 (ko) | 베이크 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법 | |
KR102324405B1 (ko) | 기판처리장치 및 방법 | |
KR100836069B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2004235469A (ja) | 熱的処理方法および熱的処理装置 | |
KR100882474B1 (ko) | 세정 유닛을 갖는 기판 처리 장치 | |
JP7156940B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR100873328B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
US20240103376A1 (en) | Bake unit, operation method thereof, and photo spinner equipment having the bake unit | |
KR20230063324A (ko) | 기판을 냉각하기 위한 방법, 시스템, 및 장치 | |
JP2004214696A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR20200072634A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20220056661A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
KR20230099544A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
KR20220028472A (ko) | 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 기판 처리 장치 | |
KR20220056660A (ko) | 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 베이크 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100928 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20101224 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20110104 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4719242 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140408 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |