JP2014519187A - インライン熱処理装置 - Google Patents
インライン熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014519187A JP2014519187A JP2014509242A JP2014509242A JP2014519187A JP 2014519187 A JP2014519187 A JP 2014519187A JP 2014509242 A JP2014509242 A JP 2014509242A JP 2014509242 A JP2014509242 A JP 2014509242A JP 2014519187 A JP2014519187 A JP 2014519187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- transfer
- heat treatment
- heating furnace
- treatment apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
Abstract
【課題】インライン熱処理装置が開示される。
【解決手段】本発明のインライン熱処理装置は、複数の加熱炉に複数のヒータがそれぞれ設けられ、複数のヒータは、それぞれ独立に制御される。これにより、各加熱炉の温度および互いに隣接する加熱炉間の温度差は、基板の移送方向に沿って緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板が熱衝撃または熱応力により損傷する恐れがない。また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板が持ち上げられて移送されるため、基板と基板を移送させるための部品との間に摩擦がない。これにより、摩擦によるパーティクル(Particle)の発生が防止されるため、パーティクルによる基板の損傷がない。したがって、本発明によれば、基板の熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
【選択図】図2
【解決手段】本発明のインライン熱処理装置は、複数の加熱炉に複数のヒータがそれぞれ設けられ、複数のヒータは、それぞれ独立に制御される。これにより、各加熱炉の温度および互いに隣接する加熱炉間の温度差は、基板の移送方向に沿って緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板が熱衝撃または熱応力により損傷する恐れがない。また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板が持ち上げられて移送されるため、基板と基板を移送させるための部品との間に摩擦がない。これにより、摩擦によるパーティクル(Particle)の発生が防止されるため、パーティクルによる基板の損傷がない。したがって、本発明によれば、基板の熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
【選択図】図2
Description
本発明は、熱処理工程の生産性および信頼性を向上させることができるインライン熱処理装置に関する。
平板表示装置の製造時に用いられるアニーリング装置は、基板に蒸着された膜の特性を向上させるために、蒸着された膜を結晶化または相変化させる熱処理装置である。
平板表示装置に用いられる半導体層の薄膜トランジスタは、ガラスまたは石英などの基板に、蒸着装置を用いて非晶質(Amorphous)シリコンを蒸着させ、非晶質シリコン層を脱水素処理した後、チャネルを形成するための砒素(Arsenic)、リン(Phosphorus)またはホウ素(Boron)などのようなドーパントを注入する。そして、低い電子移動度を有する非晶質シリコン層を高い電子移動度を有する結晶質構造の多結晶シリコン層に結晶化するための結晶化工程を実施する。非晶質シリコン層を多結晶シリコン層に結晶化するためには、非晶質シリコン層に熱エネルギーを加えなければならない。
非晶質シリコン層に熱を加える一般的な方法は、加熱炉(Furnace)の内部に基板を装入し、加熱炉の内部に設けられたヒータなどのような加熱手段で非晶質シリコン層に熱を加える。
一般的な熱処理装置は、1つの加熱炉を用いて基板を加熱および冷却する熱処理工程を行う。しかし、1つの加熱炉を用いた熱処理装置は、基板を熱処理するのに多くの時間がかかり、生産性が低下するという欠点があった。
前記のような欠点を解消するために、複数の加熱炉を連続的に配置し、基板を前記各加熱炉に順次に移送させて基板を熱処理するインライン熱処理装置が開発されて用いられている。
従来のインライン熱処理装置の各加熱炉には、基板を加熱するための加熱手段として板状のヒータが用いられる。前記板状のヒータは、領域別に温度の制御が難しく、図1に示すように、互いに隣接する加熱炉11と13、13と15、15と17、17と19との間の温度差がピーク形態をなしつつ急激に変化する。すると、熱衝撃(Thermal Shock)または熱応力(Thermal Stress)により基板が損傷する恐れがあるため、熱処理工程の生産性および信頼性が低下するという欠点があった。
また、従来のインライン熱処理装置は、回転可能に設けられたローラを用いて基板を移送する。詳細には、各加熱炉には、複数のローラが回転可能にそれぞれ設けられ、基板は、前記ローラに直接搭載されるか、または基板ホルダを介して前記ローラに搭載され、前記ローラが回転すると前記基板が移送される。すると、互いに接触する前記ローラと前記基板との間に作用する摩擦力または前記ローラと前記基板ホルダとの間に作用する摩擦力により、前記ローラと前記基板または前記ローラと前記基板ホルダが擦れてパーティクル(Particle)が発生する。これにより、前記パーティクルが前記基板に付着して前記基板を損傷させることがあるため、これもまた、熱処理工程の生産性および信頼性が低下するという欠点があった。
さらに、従来のインライン熱処理装置において、各加熱炉に設けられた複数の前記ローラはそれぞれ摩耗率が異なるため、長期間使用すると、前記各ローラは直径にばらつきが発生する。すると、前記各ローラが前記基板を移送させる移送速度にばらつきが発生し、前記基板が移送経路を外れて移送されてしまう。これにより、熱処理工程時にエラーが発生するなど、熱処理工程の生産性および信頼性が低下するという欠点があった。
本発明は、上記の従来技術の問題を解消するためになされたものであって、本発明の目的は、連続的に配置された複数の加熱炉の温度を線形的に変化させることにより、熱処理工程の生産性および信頼性を向上させることができるインライン熱処理装置を提供することである。
本発明の他の目的は、パーティクル(Particle)が発生しないように基板または基板ホルダを持ち上げて移送させることにより、熱処理工程の生産性および信頼性を向上させることができるインライン熱処理装置を提供することである。
上記の目的を達成するための本発明にかかるインライン熱処理装置は、連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉(Furnace)と、各々の前記加熱炉の内部に設けられ、前記基板を移送させる移送手段と、各々の前記加熱炉の内部にそれぞれ独立に複数個設けられ、それぞれ独立に制御されながら前記基板を加熱するヒータとを含む。
また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉(Furnace)と、各々の前記加熱炉の内部にそれぞれ独立に複数個設けられ、それぞれ独立に制御されながら前記基板を加熱するヒータと、各々の前記加熱炉の内部に設けられ、投入された前記基板が搭載支持され、搭載された前記基板を持ち上げて隣接する他の前記加熱炉に移送する移送手段とを含む。
本発明にかかるインライン熱処理装置は、複数の加熱炉に複数のヒータがそれぞれ設けられ、複数のヒータは独立に制御される。これにより、各加熱炉の温度および互いに隣接する加熱炉間の温度差は、基板の移送方向に沿って緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板が熱衝撃または熱応力により損傷する恐れがない。したがって、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
また、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板が移送手段によって持ち上げられて移送される。これにより、基板と基板を移送させるための部品との間に摩擦がないため、摩擦によりパーティクル(Particle)が発生することが防止される。したがって、パーティクルによる基板の損傷がないことから、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
さらに、本発明にかかるインライン熱処理装置は、基板を移送させるための部品が摩擦により摩耗されないため、基板を正確に移送させることができる。したがって、基板の熱処理時にエラーなどが発生しないため、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する効果がある。
後述する本発明に関する詳細な説明は、本発明が実施できる特定の実施形態を例示する添付図面を参照する。これらの実施形態は、当業者が本発明を実施できるように十分に詳細に説明される。本発明の多様な実施形態は、互いに異なるが、相互排他的である必要はないことが理解されなければならない。例えば、ここに記載されている特定の形状、特定の構造および特定の特性は一実施形態に関連し、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で他の実施形態で実現可能である。また、各々の開示された実施形態における個別構成要素の位置または配置は、本発明の精神および範囲を逸脱しない範囲内で変更可能であることが理解されなければならない。したがって、後述する詳細な説明は限定的な意味ではなく、本発明の範囲は、適切に説明された場合、その請求項が主張するのと均等のすべての範囲と共に添付した請求項によってのみ限定される。図面に示す実施形態の長さ、面積、厚さおよび形態は、便宜上、誇張されて表現されることもある。
以下、添付した図面を参照して、本発明の一実施形態にかかるインライン熱処理装置を詳細に説明する。
図2は、本発明の一実施形態にかかるインライン熱処理装置の概略的構成を示す正面図である。
図示のように、本実施形態にかかるインライン熱処理装置は、ローディング部100と、昇温部200と、処理部300と、冷却部400と、アンローディング部500とを含み、ローディング部100、昇温部200、処理部300、冷却部400、およびアンローディング部500は順に連続的に配置される。
ローディング部100は、加熱炉(Furnace)110を含み、加熱炉110の内部には、基板50を支持し、隣接する昇温部200の加熱炉210に移送する移送手段が設けられる。
基板50は、前記移送手段に搭載支持される。つまり、基板50は、ロボットアーム(図示せず)に支持され、ローディング部100にローディングされ、前記移送手段に搭載支持される。基板50と前記移送手段との間には、基板ホルダ(図示せず)が介在していてもよい。前記基板ホルダを用いる場合には、前記基板ホルダを前記移送手段に搭載した状態で基板50を前記基板ホルダに搭載するか、または基板50を前記基板ホルダに搭載した状態で前記基板ホルダを前記移送手段に搭載することができる。
前記移送手段については、後述する。
基板50は、ローディング部100において、例えば、約150℃前後に均一に予熱された後、昇温部200に移送できる。このために、加熱炉110には、ヒータ(図示せず)が設置できる。
昇温部200について、図2ないし図4を参照して説明する。図3は、図2に示す昇温部の加熱炉の拡大図であり、図4は、図3の側面図である。
図示のように、昇温部200は、基板50を所定の温度に加熱し、処理部300に移送する。昇温部200は、互いに独立して温度が制御される少なくとも2つの加熱炉210、250、270を含む。昇温部200の加熱炉210、250、270の個数は、基板50の熱処理温度を考慮して適宜用意する。
例えば、基板50の熱処理温度が約600℃であれば、昇温部200の加熱炉210、250、270は3つ用意される。そうして、第1の加熱炉210の温度は、ローディング部100の予熱温度を考慮して150℃前後に維持され、第2の加熱炉250および第3の加熱炉270の温度は、それぞれ450℃前後および600℃前後に維持されることが好ましい。
基板50は、低温では急速に加熱温度を上昇させても変形防止が可能であるが、高温では急速に加熱温度を上昇させると変形が生じ得る。したがって、昇温部200の加熱炉210、250、270は、低温では急速に加熱温度が上昇するように設定し、高温では徐々に加熱温度が上昇するように設定することが好ましい。
昇温部200の第1の加熱炉210の内部には、基板50を移送させる移送手段と、基板50を加熱するチューブ状の複数のヒータ213とが設けられる。複数のヒータ213は、互いに独立して設けられる。
昇温部200の第1の加熱炉210の構成と、第2のおよび第3の加熱炉250、270の構成とは同一または類似している。そして、前述したように、昇温部200の第1の加熱炉210に設けられたヒータ213および前記移送手段は、ローディング部100にも設置可能である。
処理部300は、加熱炉310を含み、昇温部200から移送された基板50を所定の温度で熱処理する。処理部300の加熱炉310の構成も、昇温部200の加熱炉210の構成と同一または類似に構成される。
冷却部400は、処理部300から移送された基板50を所定の温度に冷却させた後、アンローディング部500に移送する。冷却部400は、互いに独立して温度が制御される少なくとも2つの加熱炉410、430を含み、冷却部400の加熱炉410、430の個数は、基板50の熱処理温度を考慮して適宜数に用意される。冷却部400の加熱炉410、430の構成も、昇温部200の加熱炉210の構成と同一または類似に構成される。このとき、冷却部400には、基板50を均一に冷却させるための多様な冷却手段が用意できる。
アンローディング部500は、加熱炉510を含み、ローディング部100と同一または類似に構成される。アンローディング部500に移送された基板50は、変形しないように、例えば、100℃以下まで均一に冷却された後、次の工程に移送される。このとき、アンローディング部500には、基板50の均一な冷却のために、基板50の上面を加熱可能なヒータ(図示せず)が用意できる。アンローディング部500に移送された基板50は、前記ロボットアームなどにより外部に排出される。
本実施形態にかかる各加熱炉110、210、250、270、310、410、430、510の温度は、基板50を損傷させない程度の差を有する。しかし、互いに隣接する加熱炉110と210、210と250、250と270、270と310、310と410、410と430、430と510との間には温度差が存在する。そのため、互いに隣接する加熱炉110と210、210と250、250と270、270と310、310と410、410と430、430と510との間の温度差が急激であれば、基板50が損傷する恐れがある。
本実施形態にかかるインライン熱処理装置は、互いに隣接する加熱炉110と210、210と250、250と270、270と310、310と410、410と430、430と510との間の温度差が緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するように構成される。
これを、昇温部200の加熱炉210を例として説明する。
加熱炉210内に互いに独立して設けられた複数のヒータ213は、互いに独立して制御される。このとき、加熱炉210の温度が基板50の移送方向に沿って次第に上昇するように線形的に変化するようにヒータ213が制御される。
そして、ローディング部100のヒータおよび加熱炉250、270のヒータも、加熱炉210のヒータ213と同様の形態で制御される。すると、ローディング部100から昇温部200までは、基板50の移送方向に沿って温度が次第に上昇する形態で線形的に変化する。
そして、処理部300では、基板50の熱処理温度が一定になるように処理部300の前記ヒータを互いに独立して制御する。
冷却部400のヒータおよびアンローディング部500のヒータは、基板50の移送方向に沿って冷却部400およびアンローディング部500の温度が次第に下降する形態で線形的に変化するように制御される。
すると、互いに隣接する加熱炉110と210、210と250、250と270、270と310、310と410、410と430、430と510との間の温度差は、図5に示すように、緩やかな勾配を有しながら線形的に変化するため、基板50が熱衝撃または熱応力により損傷することが防止される。したがって、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する。
本実施形態にかかるインライン熱処理装置の前記移送手段は、基板50を持ち上げた状態で隣接する他の加熱炉に移送させる。すると、前記移送手段と前記基板50との間または前記移送手段と前記基板ホルダとの間には何らかの摩擦力も発生しないため、前記移送手段と基板50との摩耗または前記移送手段と前記基板ホルダとの摩耗によるパーティクル(Particle)が発生しない。
前記移送手段について、図3、図4および図6を参照して説明する。図6は、図3および図4に示す移送手段の斜視図である。
以下、前記移送手段を説明するにあたり、基板50が前記移送手段に直接搭載されて移送されることを例として説明する。
図示のように、前記移送手段は、移送板220と、支持部材230とを有する。
移送板220は、矩形状に形成され、基板50の移送方向と平行に配置され、基板50の移送方向に対して垂直な方向に上昇移動または下降移動可能に、かつ基板50の移送方向に対して平行な方向に前進移動または後退移動可能に設けられる。支持部材230は、複数個設けられ、下端部が移送板220に所定の間隔で結合され、上端部で基板50を支持する。支持部材230は、移送板220と共に移動する。
より具体的には、移送板220は、互いに間隔を有して基板50の移送方向と平行に配置された複数の第1の移送板221と、互いに隣接する第1の移送板221間に、基板50の移送方向と平行に配置された複数の第2の移送板225とを有する。
第1の移送板221は、上昇→前進→下降→後退の順で移動しながら基板50を移送させ、第2の移送板225も、上昇→前進→下降→後退の順で移動しながら基板50を移送させる。このとき、第1の移送板221と第2の移送板225とは互いに独立して移動する。そして、複数の第1の移送板221は互いに一体的に移動し、複数の第2の移送板225は互いに一体的に移動する。このために、複数の第1の移送板221は、連結部材222により互いに一体に連結され、複数の第2の移送板225は、連結部材226により互いに一体に連結される。
支持部材230は、第1の移送板221にそれぞれ設けられた複数の第1の支持部材231と、第2の移送板225にそれぞれ設けられた複数の第2の支持部材235とを含む。そして、第1および第2の支持部材231、235は、下端部が第1および第2の移送板221、225にそれぞれ結合された一対の第1および第2の垂直バー231a、235aと、第1および第2の垂直バー231a、235aの上端部にそれぞれ一体に形成され、基板50を搭載支持する第1および第2の水平バー231b、235bとをそれぞれ有する。
第1および第2の水平バー231b、235bに基板50が接触するため、基板50と接触する第1および第2の水平バー231b、235bの面は、丸みを帯びた形状に形成されることが好ましい。すると、第1および第2の水平バー231b、235bにより基板50にスクラッチが生じることが防止される。
ヒータ213は、チューブ状に形成され、互いに間隔を有して基板50の移送方向と交差する形態で配置される。ヒータ213は、互いに独立して制御される。
そして、第1および第2の支持部材231、235は、互いに隣接するヒータ213間に位置し、互いに隣接するヒータ213間の間隔内で前進移動または後退移動する。
図3および図4に示す未説明の符号241、243、245および247は、シリンダである。シリンダ241、243は、第1および第2の移送板221、225をそれぞれ上昇移動または下降移動させ、シリンダ245、247は、第1および第2の移送板221、225をそれぞれ前進移動または後退移動させる。このとき、シリンダ241、243の下面は、加熱炉210の下面に接触支持され、第1および第2の移送板221、225と共にそれぞれ前進移動または後退移動しながら第1および第2の移送板221、225をそれぞれ上昇移動または下降移動させ、シリンダ245、247の下面は、加熱炉210の側面に接触支持され、第1および第2の移送板221、225と共にそれぞれ上昇移動または下降移動しながら第1および第2の移送板221、225をそれぞれ前進移動または後退移動させる。
第1および第2の移送板221、225の移動は、モータと、モータの動力を伝達するベルト、チェーンまたはクランクなどを用いて多様な形態で実現することができる。
本実施形態にかかる前記移送手段である移送板220と支持部材230の動作について、図6、および図7ないし図15を参照して説明する。図7ないし図15は、図6に示す移送手段の動作を示す斜視図である。
図6に示すように、第1および第2の移送板221、225が同一位置に位置し、第1および第2の支持部材231、235に基板50が搭載支持された状態を最初の状態であると仮定する。
図6に示す状態において、基板50を移送しようとすると、まず、シリンダ241(図3および図4参照)を動作させて第1の移送板221を上昇させる。すると、図7に示すように、第1の移送板221と共に第1の支持部材231が上昇するため、第1の支持部材231に支持された基板50も上昇する。
そして、シリンダ245(図3参照)を動作させて第1の移送板221を前進させると、図8に示すように、基板50も前進して右側方向に移送される。このとき、第1の移送板221は、互いに隣接するヒータ213(図3参照)間の間隔よりも短い距離を前進することはいうまでもない。
図8に示す状態において、シリンダ241を動作させて第1の移送板221を下死点まで下降させると、図9に示すように、基板50は、第1の支持部材231に支持された状態で第2の支持部材235に同時に搭載支持される。基板50が第2の支持部材235に搭載されると、シリンダ243(図3参照)を動作させて、図10に示すように、第2の移送板225を上昇させる。
このとき、第2の移送板225が少し上昇して、図10に示すように、基板50が第2の支持部材235によってのみ支持された状態になると、シリンダ245を動作させて第1の移送板221を後退させる。そして、第2の移送板225を上死点まで上昇させる。すると、図11に示す状態となる。
図10に示すように、基板50が第1および第2の支持部材231、235に同時に支持された状態のときに第2の移送板225を先に上昇させる理由は、基板50と第1の支持部材231と、基板50と第2の支持部材235とが互いに摩擦することを防止するためである。つまり、基板50が第1および第2の支持部材231、235に同時に支持された状態で第1の移送板221が後退すると、基板50と第1の支持部材231との間と、基板50と第2の支持部材235との間とには摩擦力が発生する。これを防止するために、第2の移送板225を先に上昇させた後、第1の移送板221を後退させる。
図11に示す状態において、シリンダ247(図3参照)を動作させて第2の移送板225を前進させると、図12に示すように、基板50も前進して右側方向に移送される。このとき、第2の移送板225は、互いに隣接するヒータ213間の間隔よりも短い距離を前進することはいうまでもない。
図12に示す状態において、シリンダ243を動作させて第2の移送板225を下死点まで下降させると、図13に示すように、基板50は、第2の支持部材235に支持された状態で第1の支持部材231に同時に搭載支持される。基板50が第1の支持部材231に搭載されると、シリンダ241を動作させて、図14に示すように、第1の移送板221を上昇させる。
第1の移送板221が少し上昇して、図14に示すように、基板50が第1の支持部材231によってのみ支持された状態になると、シリンダ247を動作させて第2の移送板225を後退させる。そして、第1の移送板221は上死点まで上昇させる。すると、図15に示す状態となる。図15の状態は、図7のような状態である。
図14に示すように、基板50が第1および第2の支持部材231、235に同時に支持された状態のときに第1の移送板221を先に上昇させる理由は、前述したように、基板50と第1の支持部材231と、基板50と第2の支持部材235とが互いに摩擦することを防止するためである。
図15に示す状態において、シリンダ241を動作させて第1の移送板221を前進させると、図8に示すように、基板50も前進して右側方向に移送される。
前記のように、第1の移送板221と第2の移送板225とが交互する形態で連続的に移動することにより、基板50が移送される。
下面が加熱炉210の下面に支持され、第1および第2の移送板221、225をそれぞれ上昇移動または下降移動させるシリンダ241、243も、第1および第2の移送板221、225と共に前進移動または後退移動することはいうまでもない。また、下面が加熱炉210の側面に支持され、第1および第2の移送板221、225を前進移動または後退移動させるシリンダ245、247も、第1および第2の移送板221、225と共に上昇移動または下降移動することはいうまでもない。
互いに隣接する加熱炉110と210、210と250、250と270、270と310、310と410、410と430、430と510との間で基板50が移送される時、互いに隣接する加熱炉110と210、210と250、250と270、270と310、310と410、410と430、430と510にそれぞれ設けられた前記第1の移送板は互いに同一の移動サイクルで移動する。同様に、前記第2の移送板も、互いに同一の移動サイクルで移動する。
本実施形態にかかるインライン熱処理装置は、基板50と、基板50を移送させる部品との間に摩擦がないため、パーティクルの発生が防止されるだけでなく、基板50を移送させる部品の摩耗が防止される。したがって、熱処理工程の生産性および信頼性が向上する。
以上のように記述された本発明の実施形態に関する図面は、詳細な輪郭ラインを省略し、本発明の技術思想に属する部分を分かりやすく概略的に示したものである。また、上記の実施形態は、本発明の技術思想を限定する基準になり得ず、本発明の請求の範囲に含まれた技術事項を理解するための参照的な事項に過ぎない。
Claims (10)
- 連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉(Furnace)と、
前記各加熱炉の内部に設けられ、前記基板を移送させる移送手段と、
前記各加熱炉の内部に互いに独立して複数個設けられ、かつ互いに独立して制御されて前記基板を加熱するヒータとを含むことを特徴とするインライン熱処理装置。 - 前記各加熱炉の温度および互いに隣接する前記加熱炉間の温度差が、前記基板の移送方向に沿って線形的に変化するように構成したことを特徴とする請求項1に記載のインライン熱処理装置。
- 前記ヒータが、チューブ状に形成されていることを特徴とする請求項2に記載のインライン熱処理装置。
- 連続的に配置され、基板が熱処理される空間をそれぞれ提供する複数の加熱炉(Furnace)と、
前記各加熱炉の内部に互いに独立して複数個設けられ、かつ互いに独立して制御されて前記基板を加熱するヒータと、
前記各加熱炉の内部に設けられ、前記加熱炉内に装入された前記基板を搭載支持し、かつ搭載支持された前記基板を持ち上げた状態で隣接する前記加熱炉に移送する移送手段とを含むことを特徴とするインライン熱処理装置。 - 前記移送手段が、
前記基板の移送方向に対して垂直な方向に上昇移動または下降移動可能に、かつ前記基板の移送方向に対して平行な方向に前進移動または後退移動可能に設けられた移送板と、
一端部が前記移送板に結合され、他端部で前記基板を支持し、かつ前記移送板と共に移動する複数の支持部材とを含むことを特徴とする請求項4に記載のインライン熱処理装置。 - 前記移送板が、互いに間隔を有して配置され、上昇、前進、下降、後退の順で一体的に移動する複数の第1の移送板と、互いに隣接する前記第1の移送板間に配置され、上昇、前進、下降、後退の順で一体的に移動する複数の第2の移送板とを有し、
前記第1の移送板と前記第2の移送板とが互いに独立して移動し、かつ
前記支持部材が、前記各第1の移送板にそれぞれ設けられた複数の第1の支持部材と、前記各第2の移送板にそれぞれ設けられた複数の第2の支持部材とを含むことを特徴とする請求項5に記載のインライン熱処理装置。 - 前記第1の支持部材が、一端部が前記第1の移送板に結合された一対の第1の垂直バーと、前記第1の垂直バーの他端部に一体に形成され、前記基板を支持する第1の水平バーとを有し、
前記第2の支持部材が、一端部が前記第2の移送板に結合された一対の第2の垂直バーと、前記第2の垂直バーの他端部に一体に形成され、前記基板を支持する第2の水平バーとを有することを特徴とする請求項6に記載のインライン熱処理装置。 - 前記基板と接触する前記第1および第2の水平バーの部位が、丸みを帯びた形状に形成されていることを特徴とする請求項7に記載のインライン熱処理装置。
- 前記ヒータが、チューブ状に形成され、かつ互いに間隔を有して前記基板の移送方向と交差する形態で配置され、
前記第1および第2の支持部材が、互いに隣接する前記ヒータ間に位置し、互いに隣接する前記ヒータ間の間隔内で前進移動または後退移動するように構成したことを特徴とする請求項8に記載のインライン熱処理装置。 - 互いに隣接する一方の前記加熱炉から他方の前記加熱炉へ前記基板を移送するとき、
前記一方の加熱炉に設けられた前記第1の移送板と、前記他方の加熱炉に設けられた前記第1の移送板とが互いに同一の移動サイクルで移動し、かつ
前記一方の加熱炉に設けられた前記第2の移送板と、前記他方の加熱炉に設けられた前記第2の移送板とが互いに同一の移動サイクルで移動するように構成したことを特徴とする請求項9に記載のインライン熱処理装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2011-0041935 | 2011-05-03 | ||
KR1020110041935A KR20120124192A (ko) | 2011-05-03 | 2011-05-03 | 인라인 열처리 장치 및 그 온도 제어 방법 |
KR1020110050943A KR101258629B1 (ko) | 2011-05-27 | 2011-05-27 | 인라인 열처리 장치 및 그 기판 이송 방법 |
KR10-2011-0050943 | 2011-05-27 | ||
PCT/KR2012/003408 WO2012150798A2 (ko) | 2011-05-03 | 2012-05-02 | 인라인 열처리 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014519187A true JP2014519187A (ja) | 2014-08-07 |
Family
ID=47108124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014509242A Pending JP2014519187A (ja) | 2011-05-03 | 2012-05-02 | インライン熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014519187A (ja) |
CN (1) | CN103503123A (ja) |
TW (1) | TW201310498A (ja) |
WO (1) | WO2012150798A2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107256841B (zh) * | 2017-05-31 | 2020-07-03 | 武汉华星光电技术有限公司 | 快速热退火机 |
CN107887308A (zh) * | 2017-12-01 | 2018-04-06 | 合肥芯欣智能科技有限公司 | 全自动多功能处理设备 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3663674B2 (ja) * | 1995-05-15 | 2005-06-22 | 日本電池株式会社 | 紫外線処理装置 |
JP3202929B2 (ja) * | 1996-09-13 | 2001-08-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理システム |
JP3933524B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2007-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR101015597B1 (ko) * | 2004-05-12 | 2011-02-17 | 주식회사 비아트론 | 반도체 소자의 열처리 장치 |
KR101015596B1 (ko) * | 2005-02-28 | 2011-02-17 | 주식회사 비아트론 | 반도체 소자의 열처리 장치 |
KR100897850B1 (ko) * | 2007-06-18 | 2009-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
-
2012
- 2012-05-02 JP JP2014509242A patent/JP2014519187A/ja active Pending
- 2012-05-02 WO PCT/KR2012/003408 patent/WO2012150798A2/ko active Application Filing
- 2012-05-02 CN CN201280020758.0A patent/CN103503123A/zh active Pending
- 2012-05-02 TW TW101115580A patent/TW201310498A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2012150798A3 (ko) | 2013-03-21 |
WO2012150798A2 (ko) | 2012-11-08 |
CN103503123A (zh) | 2014-01-08 |
TW201310498A (zh) | 2013-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2969034B2 (ja) | 搬送方法および搬送装置 | |
JP2014519187A (ja) | インライン熱処理装置 | |
KR101432754B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
WO2004079283A1 (ja) | 線材を用いた搬送機構並びにそれを使用した熱処理炉及び熱処理方法 | |
KR101015596B1 (ko) | 반도체 소자의 열처리 장치 | |
KR20120126268A (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
CN105140153A (zh) | 加热器区块及利用所述加热器区块的基板热处理装置 | |
KR101258615B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101284065B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
TW201232604A (en) | Substrate processing device and substrate processing method | |
KR101445685B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101258621B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101258620B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101188270B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101015595B1 (ko) | 반도체 소자의 열처리 시스템 | |
KR101258629B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 및 그 기판 이송 방법 | |
KR20130032349A (ko) | 인라인 열처리 장치 및 그 온도 제어 방법 | |
KR101243949B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101258982B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
TW201739020A (zh) | 成膜裝置 | |
KR101317282B1 (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101167989B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
KR20120124192A (ko) | 인라인 열처리 장치 및 그 온도 제어 방법 | |
KR20140125205A (ko) | 인라인 열처리 장치 | |
KR101168000B1 (ko) | 다결정 실리콘 형성 장치 및 방법 |